JP3239835B2 - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品の製造方法Info
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
ックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法
に関するものである。
ラミックコンデンサは、従来例えば、一層構造で、多孔
度(空孔の割合、つまり見かけ体積から有機物結合剤お
よび無機物質等の固形成分の体積を除いた空孔の体積が
見かけ体積に占める割合、以下同じ)が50%程度のセ
ラミックシート(特許出願公表平4−500835号公
報)上に内部電極となる金属ペーストを印刷したもの
を、複数枚積層した後、焼成して外部電極を形成してい
た。
ラミックシートは多孔度が高いために金属ペーストを印
刷する際、金属ペーストに含まれる有機溶剤によって上
記セラミックシートが膨潤または溶解され、内部電極の
短絡や耐電圧特性の低下を招き、信頼性や品質の問題点
を有していた。
クシートを二層構造にし、多孔度の低いセラミックシー
ト側に導電体層を形成することにより、上述したような
問題点のない積層セラミック電子部品を提供することを
目的とするものである。
に本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、第1
のセラミックシートと第2のセラミックシートを積層し
て積層セラミックシートを形成する第1の工程と、次に
この積層セラミックシートの前記第1のセラミックシー
ト上に少なくとも金属成分と溶剤成分とを含む金属ペー
ストを用いて導電体層を形成する第2の工程と、次いで
この導電体層を形成した積層セラミックシートを複数枚
積層して積層体を形成する第3の工程と、その後前記積
層体を焼成する第4の工程とを備え、前記第1のセラミ
ックシートは、前記第2のセラミックシートよりも多孔
度が低いものを用いる積層セラミック電子部品の製造方
法であり、二層構造の積層セラミックシートを用いると
ともに、多孔度の低い第1のセラミックシート側に導電
体層を形成することで積層セラミックシート内への溶剤
の浸入が減少し、積層セラミックシートの膨潤または溶
解を抑制することにより、上記目的を達成することがで
きる。
は、第1のセラミックシートと第2のセラミックシート
を積層して積層セラミックシートを形成する第1の工程
と、次にこの積層セラミックシートの前記第1のセラミ
ックシート上に少なくとも金属成分と溶剤成分とを含む
金属ペーストを用いて導電体層を形成する第2の工程
と、次いでこの導電体層を形成した積層セラミックシー
トを複数枚積層して積層体を形成する第3の工程と、そ
の後前記積層体を焼成する第4の工程とを備え、前記第
1のセラミックシートは、前記第2のセラミックシート
よりも多孔度が低いものを用いる積層セラミック電子部
品の製造方法であり、前記第2のセラミックシート内へ
の溶剤の浸入が減少し、前記積層セラミックシートが膨
潤または溶解しにくくなるため、内部電極の短絡や耐電
圧性の低下による信頼性や品質の劣化のない積層セラミ
ック電子部品を得ることができる。
クシートの多孔度を30%以上とする請求項1に記載の
積層セラミック電子部品の製造方法であり、第2のセラ
ミックシートの多孔度を30%以上とすることで第3の
工程において圧着する際、導電体層の非形成部分にも十
分な圧力が加わるので、クラックや層間剥離のない積層
セラミック電子部品を得ることができる。
クシートの多孔度を20%以上とする請求項1あるいは
請求項2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法で
あり、第1のセラミックシートの多孔度を20%以上と
することで第2の工程において導電体層を形成する際、
第2のセラミックシート内への溶剤の浸入が減少し、前
記積層セラミックシートが膨潤または溶解しにくくなる
ため、内部電極の短絡や耐電圧特性の低下による信頼性
や品質の劣化のない積層セラミック電子部品を得ること
ができる。
クシートと第2のセラミックシートとの多孔度の差を1
0%以上とする請求項1〜請求項3のいずれか一つに記
載の積層セラミック電子部品の製造方法であり、第1の
セラミックシートで金属ペースト中の溶剤が、第2のセ
ラミックシートに浸入するのを防止するとともに、第2
のセラミックシートで積層体形成時の導電体層形成部分
と非形成部分へ加わる圧力差を吸収することができる。
クシートの厚みを導電体層よりも厚くする請求項1〜請
求項4のいずれか一つに記載の積層セラミック電子部品
の製造方法であり、第3の工程において圧着する際、導
電体層の厚みにより生じる圧力差を吸収することが可能
となり、導電体層の非形成部分にも十分な圧力が加わる
ので、クラックや層間剥離のない積層セラミック電子部
品を得ることができる。
クシート及び第2のセラミックシート中に、重量平均分
子量が400000以上のポリエチレンを含有すること
を特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一つに記載
の積層セラミック電子部品の製造方法であり、従来より
も多孔度の高いセラミックシートとなるので導電体層の
有無による段差を吸収できる。
クシートと第2のセラミックシートを積層して積層セラ
ミックシートを形成する第1の工程と、次にこの積層セ
ラミックシートの前記第1のセラミックシート上に少な
くとも金属成分と溶剤成分とを含む金属ペーストを用い
て導電体層を形成する第2の工程と、次いでこの導電体
層上に前記積層セラミックシートを積層する第3の工程
と、その後前記第2の工程と前記第3の工程とを複数回
行い積層体を形成する第4の工程と、次いで前記積層体
を焼成する第5の工程とを備え、前記第1のセラミック
シートは、前記第2のセラミックシートよりも多孔度が
低いものを用いる積層セラミック電子部品の製造方法で
あり、前記セラミックシート内への溶剤の浸入が減少
し、前記積層セラミックシートの膨潤または溶解を抑制
し、内部電極の短絡や耐電圧性の低下による信頼性や品
質の劣化を防止することができる。
クシートの多孔度を30%以上とする請求項7に記載の
積層セラミック電子部品の製造方法であり、第2のセラ
ミックシートの多孔度を30%以上とすることで、第3
の工程において圧着する際、導電体層が形成されていな
い部分にも十分な圧力が加わるので、クラックや層間剥
離のない積層セラミック電子部品を得ることができる。
クシートの多孔度を20%以上とする請求項7あるいは
請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法で
あり、第1のセラミックシートの多孔度を20%以上と
することで第2の工程において導電体層を形成する際、
前記セラミックシート内への溶剤の浸入が減少し、前記
積層セラミックシートを膨潤または溶解しにくくなるた
め、内部電極の短絡や耐電圧性の低下による信頼性や品
質の劣化を防止することができる。
ックシートと第2のセラミックシートとの多孔度の差を
10%以上とする請求項7〜請求項9のいずれか一つに
記載の積層セラミック電子部品の製造方法であり、第1
のセラミックシートで金属ペースト中の溶剤が、第2の
セラミックシートに浸入するのを防止するとともに、第
2のセラミックシートで積層体形成時の導電体層形成部
分と非形成部分へ加わる圧力差を吸収することができ
る。
ックシートの厚みを導電体層よりも厚くする請求項7〜
請求項10のいずれか一つに記載の積層セラミック電子
部品の製造方法であり、第3の工程において圧着する
際、導電体層の厚みにより生じる圧力差を吸収する事が
可能となり、導電体層が形成されていない部分にも十分
な圧力が加わるので、クラックや層間剥離のない積層セ
ラミック電子部品を得ることができる。
ックシート及び第2のセラミックシート中に、重量平均
分子量が400000以上のポリエチレンを含有するこ
とを特徴とする請求項7〜請求項11のいずれか一つに
記載の積層セラミック電子部品の製造方法であり、多孔
度の高いセラミックシートとなるので導電体層の有無に
よる段差を吸収できる。
ラミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明す
る。
ける積層セラミックシートの断面図、図2は積層セラミ
ックコンデンサの一製造工程を示す断面図、図3は一般
的な積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図であ
り、1aは第1のセラミックシート、2aは第2のセラ
ミックシート、3aは第1のセラミックシート1a上に
形成した内部電極2となる金属ペースト、4aは金属ペ
ースト形成部分、5aは金属ペースト非形成部分、6は
金属上板、7は金属下板、8は金属上板6と金属下板7
の間隔、9は第1のセラミックシート1aと第2のセラ
ミックシート2aを積層した積層セラミックシートであ
る。
リエチレンと、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体
粉末からなる多孔度が20%である第1のセラミックシ
ート1aと、多孔度が60%である第2のセラミックシ
ート2aとを圧着し積層セラミックシート9を得る。こ
の時の第1のセラミックシート1aの厚みは5μm、第
2のセラミックシート2aの厚みは15μmである。次
に、印刷法により、内部電極2となる金属ペースト3a
を上記積層セラミックシート9の第1のセラミックシー
ト1a側に所望の形状に複数形成する。この金属ペース
ト3aはニッケル及び溶剤を含有するものであり、金属
ペースト3aの厚みは3μmである。次に金属ペースト
3aを乾燥させて金属ペースト3a中の溶剤成分をほと
んど完全に蒸発させる。このときの乾燥温度は積層セラ
ミックシート9中のポリエチレンが収縮したりしないよ
うに60℃以下にすることが望ましい。次に第2のセラ
ミックシート2aを複数枚積層したものの上に、金属ペ
ースト3aを形成した積層セラミックシート9を積層セ
ラミックシート9と金属ペースト3aとを交互に、か
つ、金属ペースト3aが積層セラミックシート9を介し
て交互に対向するように所望の枚数積重ねた後、前記と
同様にして第2のセラミックシート2aを複数枚積層し
たものをゲージ圧5〜100MPaの範囲で数秒加圧
し、仮積層体を得る。このとき、金属ペースト3aを形
成した積層セラミックシート9の積層枚数が所望の枚数
に達する前に、ある程度積層した時点で上記圧力で加圧
する圧着工程を追加しても良い。その後、この仮積層体
を金属上板6、金属下板7で挟んで、室温で一軸プレス
機にて加圧する。ここで金属上板6、金属下板7面の間
隔8のばらつきは、40μm以下に制御されている。そ
の後仮積層体に十分な圧力が加わったことを確認して、
仮積層体の最高温度が150℃〜200℃になるまで昇
温し、最高温度で5分〜60分程度保持し、第1のセラ
ミックシート1a及び第2のセラミックシート2a間を
強固に接着した積層体を得る。ここで、仮積層体の最高
温度を150℃〜200℃としたのは、150℃程度か
らポリエチレンが融解し、第1のセラミックシート1a
及び第2のセラミックシート2a間の接着が強固になる
からである。200℃以下としたのは、200℃より高
くなるとポリエチレンが分解してしまい、第1のセラミ
ックシート1a及び第2のセラミックシート2a間の接
着に寄与しなくなるからである。その後、縦3.2m
m、横1.6mmのチップ形状に切断して、大気中、3
50℃でポリエチレンを除去した(脱バイ)。この脱バ
イの時の温度は、ポリエチレンが積層体から除去できか
つ金属ペースト3a中のニッケルの酸化が進みすぎない
程度にすることが望ましく、具体的には250〜350
℃で行うことが望ましい。その後、窒素ガスおよび水素
ガスを用いて金属ペースト3a中のニッケルが酸化しな
い雰囲気を保ちながら、1300℃で焼成を行う。この
焼成によりチタン酸バリウムを主成分とするセラミック
誘電体層1とニッケルを主成分とする内部電極2が同時
に焼結した焼結体を得る。次いでこの焼結体の内部電極
2の露出した両端面に銅外部電極3を焼き付け、メッキ
を施した後に完成品に至る。
400000のポリエチレンとチタン酸バリウムを主成
分とする誘電体粉末からなる多孔度が20%である第1
のセラミックシート1aと多孔度が60%である第2の
セラミックシート2aとを圧着し積層セラミックシート
9を得る。この時の第1のセラミックシート1aの厚み
は5μm、第2のセラミックシート2aの厚みは15μ
mである。次に、印刷法により、内部電極2となる金属
ペースト3aを上記積層セラミックシート9の第1のセ
ラミックシート1a側に所定の形状に形成する。この金
属ペースト3aはニッケル及び溶剤を含有するものであ
り、金属ペースト3aの厚みは3μmである。次に金属
ペースト3aを乾燥させて金属ペースト3a中の溶剤成
分をほとんど完全に蒸発させる。このときの乾燥温度は
積層セラミックシート9中のポリエチレンが収縮したり
しないように60℃以下にすることが望ましい。次に、
積層セラミックシート9を金属ペースト3aが形成され
た積層セラミックシート9上に積み重ね、ゲージ圧5〜
100MPaの範囲で数秒加圧する。この積層セラミッ
クシート9の積層、加圧、次いで積層した積層セラミッ
クシート9上への金属ペースト3aの印刷、乾燥の一連
の工程を所望の回数行った後、前記と同様にして第2の
セラミックシート2aを複数枚積層し、積層セラミック
シート9と金属ペースト3aとが交互に、かつ、金属ペ
ースト3aが積層セラミックシート9を介して交互に対
向した仮積層体を得る。このとき積層セラミックシート
9の積層は、第1のセラミックシート1a上に金属ペー
スト3aの印刷が行えるように第2のセラミックシート
2aが下側になるように積層した。また加圧工程及び乾
燥工程は上記と同様にして行った。その後、この仮積層
体を金属上板6、金属下板7で挟んで、室温で一軸プレ
ス機にて加圧する。ここで金属上板6、金属下板7面の
間隔8のばらつきは、40μm以下に制御されている。
その後仮積層体に十分な圧力が加わったことを確認し
て、仮積層体の最高温度が150℃〜200℃になるま
で昇温し、最高温度で5分〜60分程度保持し、積層セ
ラミックシート9同士が強固に接着した積層体を得る。
ここで積層体の最高温度を150℃〜200℃としたの
は、150℃程度からポリエチレンが融解し、第1のセ
ラミックシート1a及び第2のセラミックシート2a間
の接着が強固になるからである。200℃以下としたの
は、200℃より高くなるとポリエチレンが分解してし
まい、第1のセラミックシート1a及び第2のセラミッ
クシート2a間の接着に寄与しなくなるからである。そ
の後、縦3.2mm、横1.6mmのチップ形状に切断
して、大気中350℃でポリエチレンを除去した(脱バ
イ)。この脱バイの時の温度は、ポリエチレンが積層体
から除去でき、かつ金属ペースト3a中のニッケルの酸
化が進みすぎない程度にすることが望ましく、具体的に
は250〜350℃で行うことが望ましい。その後窒素
ガスおよび水素ガスを用いて金属ペースト3a中のニッ
ケルが酸化しない雰囲気を保ちながら、最高温度130
0℃で焼成を行う。この焼成によりチタン酸バリウムを
主成分とするセラミック誘電体層1とニッケルを主成分
とする内部電極2が同時に焼結した焼結体を得る。次い
でこの焼結体の内部電極2の露出した両端面に銅の外部
電極3を焼き付け、メッキを施した後に完成品に至る。
きさで内部電極2間のセラミック誘電体層1(以下、有
効層とする)が100層の積層セラミックコンデンサの
有効層厚みと耐電圧特性との関係を示すグラフである。
実線が本発明の積層セラミックシート9を有効層に使用
した積層セラミックコンデンサ、点線が従来のセラミッ
クシートを用いた積層セラミックコンデンサである。
ートを使用した積層セラミックコンデンサでは、金属ペ
ーストに使用している溶剤の浸透によりセラミックシー
トが膨潤または溶解され、特に有効層の厚みが7μm以
下の場合、耐電圧特性にバラツキがみられる。ところ
が、有効層に本発明の積層セラミックシート9を用いた
場合は、有効層の厚みが7μm以下の場合でも、耐電圧
特性のバラツキが非常に小さかった。この結果より、従
来のセラミックシートを用いて積層した場合に多発して
いたセラミックシートが膨潤または溶解することによる
内部電極の短絡や耐電圧特性の低下を抑制し、歩留まり
を大幅に改善することができる。
内部電極とする積層セラミックコンデンサの製造に十分
効果を発揮することは言うまでもない。
以下に記載する。 (1)第1のセラミックシート1aの多孔度が20%、
第2のセラミックシート2aの多孔度が60%の場合に
ついてのみ示したが、第1のセラミックシート1aの多
孔度は、20%以上50%未満、第2のセラミックシー
ト2aの多孔度は、30%以上80%未満でありかつ、
両者の多孔度の差が10%以上あれば同様の効果が得ら
れる。また有効層となる積層セラミックシート9の積層
数が100層を越える場合は、第2のセラミックシート
2aの多孔度が40%〜80%未満のものを用いること
が望ましい。
用いたが銅あるいはニッケル−銅などの卑金属やまたパ
ラジウム、銀−パラジウムなどの貴金属を用いてもかま
わない。
けでなく、60〜120℃に金属上板6、金属下板7を
加熱して行っても良い。ここで第1のセラミックシート
1a及び第2のセラミックシート2a中のポリエチレン
は、60℃から収縮し始めると上述したが、この工程に
おいては仮積層体でなく金属上板6、金属下板7を60
〜120℃に加熱して行うことと、加圧時間が数秒と短
いので、ポリエチレンの収縮による第1のセラミックシ
ート1a及び第2のセラミックシート2aの変形はおき
にくい。
2のセラミックシート2aを形成するバインダー、溶
剤、可塑剤、誘電体粉末などの仮積層体を作製する段階
で第1のセラミックシート1a及び第2のセラミックシ
ート2a中に存在する成分は同じであることが好まし
い。その理由は同じ成分の方が第1のセラミックシート
1a及び第2のセラミックシート2aの接着性がより向
上するからである。
ペースト3a中の溶剤成分が、できるだけ積層セラミッ
クシート中へ浸入しないようにするためのものであり、
第2のセラミックシート2aで内部電極2の有無による
段差を吸収するので、第1のセラミックシート1aより
も第2のセラミックシート2aの厚みを厚くする方が好
ましい。
コール類などのできるだけ極性の大きなものを用いるこ
とが好ましい。その理由は、第1のセラミックシート1
a及び第2のセラミックシート中のポリエチレンは無極
性であるため、極性のある溶剤を用いた方が、積層セラ
ミックシート9への溶剤の浸入をより防止することがで
きる。
クシート2aを複数枚積層したが、ここに積層するセラ
ミックシートは、内部電極2の有無による段差を吸収す
るためにも、第2のセラミックシート2aと同等以上の
多孔度を有するセラミックシートを用いることが好まし
い。
ミックコンデンサを例に説明したが、セラミックシート
を用いて製造するような積層バリスタ、積層サーミス
タ、積層フィルタ、フェライト部品、セラミック多層基
板などの積層セラミック電子部品の製造においても同様
の効果が得られる。
ートの膨潤または溶解を抑制することにより、導電体層
の短絡や耐電圧特性などの電気的特性の低下を抑制し、
歩留まりを大幅に改善することができる。
シートの断面図
コンデンサの一製造工程である圧着工程を示す断面図
斜視図
圧特性との関係を示すグラフ
Claims (12)
- 【請求項1】 第1のセラミックシートと第2のセラミ
ックシートを積層して積層セラミックシートを形成する
第1の工程と、次にこの積層セラミックシートの前記第
1のセラミックシートの上に少なくとも金属成分と溶剤
成分とを含む金属ペーストを用いて導電体層を形成する
第2の工程と、次いでこの導電体層を形成した積層セラ
ミックシートを複数枚積層して積層体を形成する第3の
工程と、その後前記積層体を焼成する第4の工程とを備
え、前記第1のセラミックシートは、前記第2のセラミ
ックシートよりも多孔度が低いものを用いる積層セラミ
ック電子部品の製造方法。 - 【請求項2】 第2のセラミックシートの多孔度を30
%以上とする請求項1に記載の積層セラミック電子部品
の製造方法。 - 【請求項3】 第1のセラミックシートの多孔度は20
%以上とする請求項1あるいは請求項2に記載の積層セ
ラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項4】 第1のセラミックシートと第2のセラミ
ックシートとの多孔度の差は、10%以上とする請求項
1〜請求項3のいずれか一つに記載の積層セラミック電
子部品の製造方法。 - 【請求項5】 第2のセラミックシートの厚みは、導電
体層よりも厚くする請求項1〜請求項4のいずれか一つ
に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項6】 第1のセラミックシート及び第2のセラ
ミックシートは、重量平均分子量が400000以上の
ポリエチレンを含有することを特徴とする請求項1〜請
求項5のいずれか一つに記載の積層セラミック電子部品
の製造方法。 - 【請求項7】 第1のセラミックシートと第2のセラミ
ックシートを積層して積層セラミックシートを形成する
第1の工程と、次にこの積層セラミックシートの前記第
1のセラミックシート上に少なくとも金属成分と溶剤成
分とを含む金属ペーストを用いて導電体層を形成する第
2の工程と、次いでこの導電体層上に前記積層セラミッ
クシートを積層する第3の工程と、その後前記第2の工
程と前記第3の工程とを複数回行い積層体を形成する第
4の工程と、次いで前記積層体を焼成する第5の工程と
を備え、前記第1のセラミックシートは、前記第2のセ
ラミックシートよりも多孔度が低いものを用いる積層セ
ラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項8】 第2のセラミックシートの多孔度を30
%以上とする請求項7に記載の積層セラミック電子部品
の製造方法。 - 【請求項9】 第1のセラミックシートの多孔度は、2
0%以上とする請求項7あるいは請求項8に記載の積層
セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項10】 第1のセラミックシートと第2のセラ
ミックシートとの多孔度の差は、10%以上とする請求
項7〜請求項9のいずれか一つに記載の積層セラミック
電子部品の製造方法。 - 【請求項11】 第2のセラミックシートの厚みは、導
電体層よりも厚くする請求項7〜請求項10のいずれか
一つに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項12】 第1のセラミックシート及び第2のセ
ラミックシートは、重量平均分子量が400000以上
のポリエチレンを含有することを特徴とする請求項7〜
請求項11のいずれか一つに記載の積層セラミック電子
部品の製造方法。
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JP05636898A JP3239835B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
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