JPH1126292A - チップ型ｃｒ複合アレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＲ素子の静電容量の均一化を図ったチップ
型ＣＲ複合アレイ及びクロストークの抑制を図ったチッ
プ型ＣＲ複合アレイを提供する。 【解決手段】 高誘電率の誘電体層上に内部電極２２を
形成したもの、及び上面に内部電極２２を形成していな
い低誘電率の絶縁体層を複数積層し、内部に独立した４
個の積層コンデンサ２０ａ〜２０ｄを形成すると共に、
これらの積層コンデンサ２０ａ〜２０ｄの間に絶縁体層
を介在させた素体２３を形成する。さらに、内部電極２
２の面に対してほぼ直角をなす素体２３の側面に４つの
矩形状の抵抗体２５ａ〜２５ｄを形成すると共に、他の
側面に４対の外部端子電極２４ａ〜２４ｈを形成したチ
ップ型ＣＲ複合アレイ２０を構成する。これにより、内
部電極面と抵抗体の面との間に静電容量が生じることが
なくなると共に、隣り合う積層コンデンサの間に生じる
浮遊容量が低減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のＣＲ素子を
一体形成したチップ型ＣＲ複合アレイに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子回路の小型化及び集積化が進
み、これに伴い個々の電子部品の複合化やアレイ化が行
われている。この様なチップ型アレイ電子部品の一例と
して、図１乃至図４に示すように、コンデンサと抵抗器
とからなるＣＲ素子を複数個一体化形成したチップ型Ｃ
Ｒ複合アレイの需要も増大している。

【０００３】図１はＣＲ複合アレイを示す外観斜視図、
図２は要部分解斜視図、図３は平面図、図４は図３のＡ
−Ａ線矢視方向断面図である。図において、１０はチッ
プ型ＣＲ複合アレイで、例えば3.2mm×1.6mm×1.0mm程
度の大きさの略直方体形状をなし、一の誘電体層１１上
に複数の内部電極１２を並列に形成したものを複数積層
してなる素体１３と、素体１３の両端部において内部電
極１２を交互に並列に接続している複数対の外部端子電
極１４ａ〜１４ｈと、素体１３の表面に形成された４つ
の帯状の抵抗体１５ａ〜１５ｄとから構成されている。

【０００４】個々の積層コンデンサ１０ａ〜１０ｄにお
いて、内部電極１２は所定面積の矩形状をなし、その一
端は積層方向に交互に対向する異なる外部端子電極１４
ａ〜１４ｈに接続されている。

【０００５】誘電体層１１は矩形のシート上のセラミッ
ク焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタン
酸バリウム等を主成分とする誘電体磁器材料から形成さ
れている。

【０００６】内部電極１２は金属ペーストを焼結させた
金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄ
やＡｇ−Ｐｄのような貴金属材料を主成分とするものが
使用され、金属含有量は主に４０重量％〜８０重量％が
用いられている。

【０００７】外部端子電極１４ａ〜１４ｈは、その端部
が素体１３の上下面にかかり、一定の幅をもって素体１
３の両側面に上下面の間に延ばして形成されている。こ
れらの外部端子電極１４ａ〜１４ｈも内部電極１２と同
様の材料により形成され、表面には半田濡れ性をよくす
るために半田メッキが施されている。

【０００８】また、抵抗体１５ａ〜１５ｄはニッケルク
ロム等の抵抗材料から成り、両端が対向する外部端子電
極１４ａ〜１４ｈに接続され、全て同一の幅と面積を有
する長方形状に形成されている。

【０００９】これにより、素体１３の内部に独立した４
個の積層コンデンサ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄが
形成されると共に、これらの積層コンデンサ１０ａ〜１
０ｄに抵抗体１５ａ〜１５ｄが並列接続され、図５に示
すように、４つのＣＲ素子１６ａ〜１６ｄが一体形成さ
れたＣＲ複合アレイ１０が構成されている。即ち、対向
する外部端子電極１４ａ〜１４ｈ間に形成された抵抗体
１５ａ〜１５ｄによって抵抗器Ｒ1〜Ｒ4が構成されると
共に、積層コンデンサ１０ａ〜１０ｄによってコンデン
サＣ1〜Ｃ4が構成される。

【００１０】これにより、前述したＣＲ複合アレイ１０
を１個用いることにより、４つの独立したＣＲ素子１６
ａ〜１６ｄを使用することができるので、回路の小型
化、及び部品実装密度の向上を図ることができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようなチップ型ＣＲ複合アレイ１０では、抵抗体１５
ａ〜１５ｄと内部電極１２とを対向させているので、抵
抗体１５ａ〜１５ｄと内部電極１２との間にも静電容量
が発生し、全てのコンデンサＣ1〜Ｃ4の静電容量が設計
値にならないと共に、同一にならないことがあるという
問題点があった。

【００１２】さらに、個々のＣＲ素子１６ａ〜１６ｄに
はそれぞれ異なる信号が印加されることが多いが、ＣＲ
複合アレイ１０内で隣り合う積層コンデンサ１０ａ〜１
０ｄの間隔が非常に狭いため、それぞれの信号間にクロ
ストーク（混信）を生じることがあった。

【００１３】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、ＣＲ
素子の静電容量の均一化を図ったチップ型ＣＲ複合アレ
イ及びクロストークの抑制を図ったチップ型ＣＲ複合ア
レイを提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、絶縁体からなる略直方体形状の素体と、
前記素体内部に誘電体を介して平行に配置された複数枚
の内部電極からなる複数のコンデンサ部と、前記素体の
対向する２つの側面間に延びるように素体の一面に所定
間隔をあけて並設された複数の帯状をなす抵抗体と、前
記素体の対向する２つの側面に形成され、少なくとも前
記各コンデンサ部の一端に前記抵抗体の一端を導電接続
するように前記コンデンサ部の一端及び前記抵抗体の両
端に導電接続された複数対の外部端子電極とを備えたチ
ップ型ＣＲ複合アレイにおいて、前記内部電極面と前記
抵抗体の面のなす角度がほぼ直角となるように、前記内
部電極が配置されているチップ型ＣＲ複合アレイを提案
する。

【００１５】該チップ型ＣＲ複合アレイによれば、内部
電極面と抵抗体の面のなす角度がほぼ直角となるよう
に、前記内部電極が素体内に配置されているため、前記
内部電極面と抵抗体の面との間に静電容量が生じること
がなく、全てのコンデンサ部の静電容量をほぼ等しく設
定できる。

【００１６】また、請求項２では請求項１記載のチップ
型ＣＲ複合アレイにおいて、隣り合うコンデンサ部の間
には、低誘電率の絶縁体が介在されているチップ型ＣＲ
複合アレイを提案する。

【００１７】該チップ型ＣＲ複合アレイによれば、隣り
合うコンデンサ部の間に低誘電率の絶縁体が介在されて
いるため、隣り合うコンデンサ部の間に生じる浮遊容量
が低減される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を説明
する。図６は本発明の第１の実施形態のチップ型ＣＲ複
合アレイ２０の構造を示す斜視図、図７は要部分解斜視
図、図８は平断面図、図９は図８に示すＡ−Ａ線矢視方
向断面図である。図において、２０はチップ型ＣＲ複合
アレイで、高誘電率の誘電体層２１Ａ上に内部電極２２
を形成したもの、及び上面に内部電極２２を形成してい
ない低誘電率の絶縁体層２１Ｂを複数積層してなる素体
２３と、素体２３の幅方向両端部において内部電極２２
を積層方向に交互に並列に接続している４対の外部端子
電極２４ａ〜２４ｈと、素体２３の上面に平行に形成さ
れた矩形状の４つの抵抗体２５ａ〜２５ｄとから構成さ
れ、積層方向に並ぶ４つの内部電極群によって、素体２
３内部に独立した４個の積層コンデンサ２０ａ，２０
ｂ，２０ｃ，２０ｄが形成され、これらの積層コンデン
サ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの間には複数の絶縁
体層２１Ｂが介在されている。

【００１９】さらに、積層コンデンサ２０ａ，２０ｂ，
２０ｃ，２０ｄのそれぞれには、外部端子電極２４ａ〜
２４ｈを介して抵抗体２５ａ〜２５ｄが並列接続されて
いる。

【００２０】個々の積層コンデンサ２０ａ〜２０ｄにお
いて、内部電極２２は交互にややずらして配置され、そ
の一端部が素体２３の対向面に形成された外部端子電極
２４ａ〜２４ｈに交互に接続されている。

【００２１】誘電体層２１Ａは矩形をなしたシート状の
セラミック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例え
ばチタン酸バリウム等を主成分とする高誘電率の誘電体
磁器材料から形成されている。

【００２２】絶縁体層２１Ｂは矩形をなしたシート状の
セラミック焼結体からなり、セラミック焼結体は、例え
ばＴiＯ₂等を主成分とする低誘電率の絶縁体磁器材料か
ら形成されている。

【００２３】内部電極２２は金属ペーストを焼結させた
金属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄ
やＡｇ−Ｐｄのような貴金属材料を主成分とするものが
使用され、金属含有量は主に４０重量％〜８０重量％が
用いられている。

【００２４】外部端子電極２４ａ〜２４ｈも内部電極２
２と同様の材料により形成され、表面には半田濡れ性を
よくするために半田メッキが施されている。

【００２５】これにより、素体２３の内部に独立した４
個の積層コンデンサ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが
形成されると共に、これらの積層コンデンサ２０ａ〜２
０ｄに抵抗体２５ａ〜２５ｄが並列接続され、図１０に
示すように、４つのＣＲ素子２６ａ〜２６ｄが一体形成
されたＣＲ複合アレイ２０が構成されている。即ち、対
向する外部端子電極２４ａ〜２４ｈ間に形成された抵抗
体２５ａ〜２５ｄによって抵抗器Ｒ11〜Ｒ14が構成され
ると共に、積層コンデンサ２０ａ〜２０ｄによってコン
デンサＣ11〜Ｃ14が構成される。

【００２６】前述のチップ型ＣＲ複合アレイ２０は次の
ようにして製造した。まず、高誘電率の誘電体の原料粉
末に有機バインダーを１５重量％添加し、さらに水を５
０重量％加え、これらをボールミルに入れて十分に混合
し、誘電体磁器原料のスラリーを作成し、このスラリー
を真空脱泡器に入れて脱泡した後、リバースロールコー
ターに入れ、ポリエステルフィルム上にこのスラリーか
らなる薄膜を形成し、この薄膜をポリエステルフィルム
上で１００℃に加熱して乾燥させ、これを打ち抜いて、
１０ｃｍ角、厚さ約２０μｍの高誘電率グリーンシート
を得た。

【００２７】次に、低誘電率の絶縁体の原料粉末に有機
バインダーを１５重量％添加し、さらに水を５０重量％
加え、これらをボールミルに入れて十分に混合し、絶縁
体磁器原料のスラリーを作成し、このスラリーを真空脱
泡器に入れて脱泡した後、リバースロールコーターに入
れ、ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄
膜を形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で１０
０℃に加熱して乾燥させ、これを打ち抜いて、１０ｃｍ
角、厚さ約２０μｍの低誘電率グリーンシートを得た。

【００２８】一方、平均粒径が１．５μｍのパラジウム
粉末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカル
ビトール９．１ｇに溶解させたものとを攪拌器に入れ、
１０時間攪拌することにより内部電極２２用の導電性ペ
ーストを得た。

【００２９】この後、上述した内部電極２２のパターン
を２００個有する各スクリーンを用いて、上記高誘電率
グリーンシートの片面にこの導電性ペーストからなる内
部電極のパターンを各々印刷し、これを乾燥させた。

【００３０】次に、上記印刷面を上にして内部電極パタ
ーンを交互にややずらして高誘電率グリーンシートを複
数枚積層し、さらにこの上に低誘電率グリーンシートを
複数枚積層し、この工程を４回繰り返した後、さらにこ
の積層物の下面に低誘電率グリーンシートを積層した。

【００３１】次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させた後、この
積層物をカッターにより格子状に裁断し、約５０個の積
層アレイチップを得た。

【００３２】次に、この積層アレイチップを雰囲気焼成
可能な炉に入れ、大気中で６００℃まで加熱して、有機
バインダーを焼成させ、その後、炉の雰囲気を大気中雰
囲気とし、積層アレイチップの加熱温度を６００℃から
焼成温度の１１５０℃（最高温度）を３時間保持した。
この後、１００℃／ｈｒの速度で６００℃まで降温し、
室温まで冷却して、焼結アレイチップを得た。

【００３３】次いで、焼結アレイチップの端面において
内部電極が露出する部分に銀とガラスフリットとビヒク
ルからなる導電性ペーストを塗布して乾燥させた後、内
部電極が露出せず且つ内部電極面に対してほぼ直角をな
す側面に抵抗体ペーストを塗布して乾燥させ、これを大
気中で８００℃の温度で１５分間焼き付け、外部端子電
極となる銀電極層と、抵抗体を形成し、さらに銀電極層
の上に銅を無電解メッキで被着させ、この上に電気メッ
キ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、４対の外部端子電極
２４ａ〜２４ｈを形成した。これによってチップ型ＣＲ
複合アレイ２０が得られた。

【００３４】前述の構成よりなるチップ型ＣＲ複合アレ
イ２０によれば、内部電極２２の面と抵抗体２５ａ〜２
５ｄの面のなす角度がほぼ直角となるように、内部電極
２２が素体２３内に配置されているため、内部電極２２
の面と抵抗体２５ａ〜２５ｄの面との間に静電容量が生
じることがないので、コンデンサＣ11〜Ｃ14の静電容量
をほぼ等しく設定できる。さらに、各積層コンデンサ２
０ａ〜２０ｄの間には低誘電率の絶縁体層２１Ｂが介在
されているため、隣り合う積層コンデンサ２０ａ〜２０
ｄの間に生じる浮遊容量が低減されるので、この浮遊容
量によって生じる異なる信号間のクロストークを抑制す
ることができる。

【００３５】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。図１１は本発明の第２の実施形態のチップ型ＣＲ複
合アレイ３０の構造を示す斜視図、図１２は要部分解斜
視図、図１３は平断面図、図１４は図１３に示すＡ−Ａ
線矢視方向断面図である。図において、３０はチップ型
ＣＲ複合アレイで、高誘電率の誘電体層３１Ａ上に内部
電極３２ａ及び接地内部電極３２ｂを形成したもの、及
び上面に内部電極３２ａ，３２ｂを形成していない低誘
電率の絶縁体層３１Ｂを複数積層してなる素体３３と、
素体３３の上面に平行に形成された矩形状の４つの抵抗
体３５ａ〜３５ｄと、素体３３の一側面において抵抗体
３５ａ〜３５ｄの一端部と内部電極３２ａを並列に導電
接続している４つの外部端子電極３４ａ〜３４ｄと、外
部端子電極３４ａ〜３４ｄに対向する素体３３側面に形
成され、抵抗体３５ａ〜３５ｄの他端部に導電接続され
た外部端子電極３４ｅ〜３４ｈと、素体３３の他の側面
に形成され、複数のスルーホール３６を介して全ての接
地内部電極３２ｂに導電接続された接地外部電極３７と
から構成され、積層方向に並ぶ４つの内部電極群によっ
て、素体３３内部に独立した４個の積層コンデンサ３０
ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄが形成され、これらの積層
コンデンサ３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄの間には複
数の絶縁体層３１Ｂが介在されている。

【００３６】個々の積層コンデンサ３０ａ〜３０ｄにお
いて、内部電極３２ａと接地内部電極３２ｂは交互にや
やずらして配置され、内部電極３２ａの一端部が素体３
３の対向する１対の側面のうちの一方の側面に形成され
た外部端子電極３４ａ〜３４ｄに接導電続されている。

【００３７】また、内部接地電極３２ｂは、誘電体層３
１Ａ及び絶縁体層３１Ｂに形成された複数のスルーホー
ル３６を介して互いに接続されると共に、素体３３の側
面に形成された接地外部電極３７に導電接続されてい
る。

【００３８】誘電体層３１Ａ及び絶縁体層３１Ｂは、前
述した第１の実施形態のものと同様の材料によって同様
の形状に形成され、絶縁体層３１Ｂの所定位置にはスル
ーホール３６が形成されている。

【００３９】内部電極３２ａ及び接地内部電極３２ｂ
は、金属ペーストを焼結させた金属薄膜からなり、金属
ペーストとしては、例えばＰｄやＡｇ−Ｐｄのような貴
金属材料を主成分とするものが使用され、金属含有量は
主に４０重量％〜８０重量％が用いられている。

【００４０】また、外部端子電極３４ａ〜３４ｈ及び接
地外部電極３７も内部電極３２ａと同様の材料により形
成され、表面には半田濡れ性をよくするために半田メッ
キが施されている。

【００４１】これにより、対向する外部端子電極２４ａ
〜２４ｈ間に抵抗体３５ａ〜３５ｄが接続されると共
に、抵抗体３５ａ〜３５ｄの一端が素体３３の内部に独
立して形成された４個の積層コンデンサ３０ａ，３０
ｂ，３０ｃ，３０ｄを介して接地外部電極３７に接続さ
れ、図１５に示すように、４つのＣＲ素子３８ａ〜３８
ｄが一体形成されたＣＲ複合アレイ３０が構成されてい
る。即ち、対向する外部端子電極３４ａ〜３４ｈ間に形
成された抵抗体３５ａ〜３５ｄによって抵抗器Ｒ21〜Ｒ
24が構成されると共に、積層コンデンサ３０ａ〜３０ｄ
によってコンデンサＣ21〜Ｃ24が構成される。

【００４２】前述の構成よりなるチップ型ＣＲ複合アレ
イ３０によれば、内部電極３２ａ及び接地内部電極３２
ｂの面と抵抗体３５ａ〜３５ｄの面のなす角度がほぼ直
角となるように、内部電極３２ａ及び接地内部電極３２
ｂが素体３３内に配置されているため、内部電極３２及
び接地内部電極３２ｂの面と抵抗体３５ａ〜３５ｄの面
との間に静電容量が生じることがないので、コンデンサ
Ｃ21〜Ｃ24の静電容量をほぼ等しく設定できる。さら
に、各積層コンデンサ３０ａ〜３０ｄの間には低誘電率
の絶縁体層３１Ｂが介在されているため、隣り合う積層
コンデンサ３０ａ〜３０ｄの間に生じる浮遊容量が低減
されるので、この浮遊容量によって生じる異なる信号間
のクロストークを抑制することができる。

【００４３】尚、前述した第１及び第２の実施形態にお
けるチップ型ＣＲ複合アレイの構成は一例であり、本願
発明がこれに限定されることはない。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載のチップ型ＣＲ複合アレイによれば、内部電極面と抵
抗体の面のなす角度がほぼ直角となるように、前記内部
電極が素体内に配置されているため、前記内部電極面と
抵抗体の面との間に静電容量が生じることがなく、全て
のコンデンサ部の静電容量をほぼ等しく設定できる。

【００４５】また、請求項２によれば上記の効果に加え
て、隣り合うコンデンサ部の間に低誘電率の絶縁体が介
在されているため、隣り合うコンデンサ部の間に生じる
浮遊容量が低減されるので、この浮遊容量によって生じ
る異なる信号間のクロストークを抑制することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例のチップ型ＣＲ複合アレイを示す外観斜
視図

【図２】従来例のチップ型ＣＲ複合アレイを示す要部分
解斜視図

【図３】従来例のチップ型ＣＲ複合アレイを示す平面図

【図４】図３のＡ−Ａ線矢視方向断面図

【図５】従来例のチップ型ＣＲ複合アレイの電気系回路
を示す図

【図６】本発明の第１の実施形態におけるチップ型ＣＲ
複合アレイの構造を示す斜視図

【図７】本発明の第１の実施形態におけるチップ型ＣＲ
複合アレイを示す要部分解斜視図

【図８】本発明の第１の実施形態におけるチップ型ＣＲ
複合アレイを示す平断面図

【図９】図８に示すＡ−Ａ線矢視方向断面図

【図１０】本発明の第１の実施形態におけるチップ型Ｃ
Ｒ複合アレイの電気系回路を示す図

【図１１】本発明の第２の実施形態におけるチップ型Ｃ
Ｒ複合アレイの構造を示す斜視図

【図１２】本発明の第２の実施形態におけるチップ型Ｃ
Ｒ複合アレイを示す要部分解斜視図

【図１３】本発明の第２の実施形態におけるチップ型Ｃ
Ｒ複合アレイを示す平断面図

【図１４】図１３に示すＡ−Ａ線矢視方向断面図

【図１５】本発明の第２の実施形態におけるチップ型Ｃ
Ｒ複合アレイの電気系回路を示す図

【符号の説明】

２０…チップ型ＣＲ複合アレイ、２０ａ〜２０ｄ…積層
コンデンサ、２１Ａ…高誘電率の誘電体層、２１Ｂ…低
誘電率の絶縁体層、２２…内部電極、２３…素体、２４
ａ〜２４ｈ…外部端子電極、２５ａ〜２５ｄ…抵抗体、
２６ａ〜２６ｄ…ＣＲ素子、Ｃ11〜Ｃ14…コンデンサ、
Ｒ11〜Ｒ14…抵抗器、３０…チップ型ＣＲ複合アレイ、
３０ａ〜３０ｄ…積層コンデンサ、３１Ａ…高誘電率の
誘電体層、３１Ｂ…低誘電率の絶縁体層、３２ａ…内部
電極、３２ｂ…接地内部電極、３３…素体、３４ａ〜３
４ｈ…外部端子電極、３５ａ〜３５ｄ…抵抗体、３６…
スルーホール、３７…接地外部電極、３８ａ〜３８ｄ…
ＣＲ素子、Ｃ21〜Ｃ24…コンデンサ、Ｒ21〜Ｒ24…抵抗
器。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体からなる略直方体形状の素体と、
   前記素体内部に誘電体を介して平行に配置された複数枚
   の内部電極からなる複数のコンデンサ部と、前記素体の
   対向する２つの側面間に延びるように素体の一面に所定
   間隔をあけて並設された複数の帯状をなす抵抗体と、前
   記素体の対向する２つの側面に形成され、少なくとも前
   記各コンデンサ部の一端に前記抵抗体の一端を導電接続
   するように前記コンデンサ部の一端及び前記抵抗体の両
   端に導電接続された複数対の外部端子電極とを備えたチ
   ップ型ＣＲ複合アレイにおいて、 前記内部電極面と前記抵抗体の面のなす角度がほぼ直角
   となるように、前記内部電極が配置されていることを特
   徴とするチップ型ＣＲ複合アレイ。
2. 【請求項２】 隣り合うコンデンサ部の間には、低誘電
   率の絶縁体が介在されていることを特徴とする請求項１
   記載のチップ型ＣＲ複合アレイ。