KR20160010869A - 파장 변환 층을 구비한 led 디스플레이 - Google Patents

파장 변환 층을 구비한 led 디스플레이 Download PDF

Info

Publication number
KR20160010869A
KR20160010869A KR1020157035574A KR20157035574A KR20160010869A KR 20160010869 A KR20160010869 A KR 20160010869A KR 1020157035574 A KR1020157035574 A KR 1020157035574A KR 20157035574 A KR20157035574 A KR 20157035574A KR 20160010869 A KR20160010869 A KR 20160010869A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
micro led
wavelength conversion
led devices
display panel
Prior art date
Application number
KR1020157035574A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101704334B1 (ko
Inventor
안드레아스 비블
켈리 맥그로디
Original Assignee
럭스뷰 테크놀로지 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 filed Critical 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션
Publication of KR20160010869A publication Critical patent/KR20160010869A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101704334B1 publication Critical patent/KR101704334B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • F21K9/56—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)

Abstract

디스플레이 및 제조 방법이 설명된다. 디스플레이는 각각의 픽셀이 다수의 서브픽셀을 포함하는 픽셀들의 어레이를 포함하는 기판을 포함할 수 있고, 픽셀 내의 각각의 서브픽셀이 상이한 색 방출 스펙트럼을 위하여 설계된다. 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이가 각각의 서브픽셀 내에 실장되어 중복을 제공한다. 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층들의 어레이는 튜닝 가능한 색 방출 스펙트럼을 위한 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이 위에 형성된다.

Description

파장 변환 층을 구비한 LED 디스플레이{LED DISPLAY WITH WAVELENGTH CONVERSION LAYER}
본 발명은 마이크로 LED 디바이스에 관한 것이다. 더 구체적으로 본 발명의 실시예들은 색 방출 스펙트럼이 튜닝 가능한 마이크로 LED 디바이스들을 기판 상에 집적하기 위한 방법 및 구조체들에 관한 것이다.
양자점은 가시 및 적외 스펙트럼에 걸쳐 광을 방출하도록 튜닝될 수 있는 반도체 나노크리스탈이다. 1 내지 100 nm, 더 통상적으로 1 내지 20 nm의 작은 크기로 인해, 양자점은 대응하는 벌크 재료의 광학 특성과는 상이한 독특한 광학 특성들을 표시한다. 광전자 방출의 파장, 즉 색상은 양자점의 크기에 매우 의존적이다. 예시적인 카드뮴 셀레나이드(CdSe) 양자점에서, 광 방출은 5 nm 직경 양자점의 적색에서 1.5 nm 양자점의 자색 영역으로 점진적으로 튜닝될 수 있다. 일반적으로 양자점(QD) 여기를 위한 두 유형의 구조가 있다. 하나는 광 여기를 이용하는 것이고, 다른 하나는 직접 전기적 여기를 이용하는 것이다.
양자점의 구현방법으로 제안된 한가지는 액정 디스플레이(LCD) 패널의 백라이팅으로 일체화하는 것이다. LCD 패널을 위한 현재의 백색 발광 다이오드(LED) 백라이트 기술은 복수의 청색 방출 LED 칩 위에서 세륨 도핑된 YAG:Ce(이트륨 알루미늄 가넷) 다운-변환 형광층을 활용한다. LED 칩의 청색 광과 YAG:Ce 형광체의 넓은 황색 방출의 조합으로 백색 광에 가깝게 만든다. 백색 백라이팅을 얻기 위하여 YAG:Ce 형광체를 양자점의 혼합물로 대체하도록 제안되어 왔다. 미국 특허 제8,294,168호는 에지 방식 백라이트 유닛 광원 모듈에서 일련의 발광 디바이스 칩들을 포함하는 패키지 위에 양자점 밀봉 패키지를 배열하는 것을 설명한다. 광원 모듈은 LED 디스플레이 패널의 에지에 위치하여 LED 디스플레이 패널 뒤에 있는 도광판의 측면을 통해 광을 방출하고, 광은 LCD 디스플레이 패널을 향하여 반사되도록 한다.
하나 이상의 파장 변환 층 및 중복 구조를 갖는 디스플레이 패널이 개시된다. 일 실시예에서 디스플레이 패널은 픽셀들의 어레이를 포함하는 디스플레이 기판을 포함하고, 각각의 픽셀은 다수의 서브픽셀을 포함하고, 각각의 서브픽셀은 상이한 방출 스펙트럼을 위하여 설계된다. 예를 들어, 그와 같은 구성은, 적색 방출을 위하여 설계된 서브픽셀, 녹색 방출을 위하여 설계된 서브픽셀, 및 청색 방출을 위하여 설계된 서브픽셀을 포함하는 적색-녹색-청색(RGB) 픽셀일 수 있다. 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이가 각각의 서브픽셀 내에 실장되어 중복 구조를 형성하고, 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층들의 어레이는 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이 위에 형성된다. 예시적인 형광체 입자들은 양자점들로서 자격이 없는 그것들의 조성물에 기인하여 발광을 나타내는 양자점들 및 입자들을 포함한다. 예시적인 마이크로 LED 디바이스들은 1 μm 내지 100 μm의 최대폭을 가질 수 있다. 파장 변환 층들의 어레이는 파장 변환 층들의 다수 그룹을 포함할 수 있고, 각각의 그룹은 상이한 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계된다. 파장 변환 층들의 상이한 그룹들은 상이한 서브픽셀들로 구분된다. 예를 들어, RGB 픽셀 배열에서, 파장 변환 층들의 상이한 그룹들은 적색, 녹색, 및 청색 방출을 위하여 설계될 수 있고, 적색 방출 서브픽셀, 녹색 방출 서브픽셀, 및 청색 방출 서브픽셀로 각각 구분될 수 있다.
일부 실시예들에서 파장 변환 층이 모든 마이크로 LED 디바이스 위에 형성되는 것은 아니다. 예를 들어, 일부 마이크로 LED 디바이스들은 "노출될" 수 있고, 파장 변환 층을 이용하여 마이크로 LED 디바이스의 방출 스펙트럼을 변환할 필요는 없다. 마이크로 LED 디바이스들은 모두 동일한 색 방출 스펙트럼을 가질 수 있거나, 마이크로 LED 디바이스들의 어레이는 상이한 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계된 마이크로 LED 디바이스들의 그룹들을 포함할 수 있고, 상이한 마이크로 LED 디바이스 그룹들은 상이한 서브픽셀들로 구분된다. 마이크로 LED 디바이스들의 색 방출 스펙트럼과 파장 변환 층 스펙트럼의 다양한 조합이 이용 가능하다. 예를 들어, 픽셀은 적색 서브픽셀에서 한 쌍의 "노출된" 적색 마이크로 LED 디바이스들, 녹색 서브픽셀에서 청색 마이크로 LED 디바이스 위의 녹색 방출 파장 변환 층, 및 청색 서브픽셀에서 "노출된" 청색 마이크로 LED 디바이스를 포함할 수 있고, 이는 중복 쌍들을 갖는 RGB 픽셀 배열을 형성하는 여러 방법들 중 하나에 대한 예와 같다.
파장 변환 층들의 크기 및 형상 또한 달라질 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 파장 변환 층은 단일 마이크로 LED 디바이스 위에만 형성된다. 각각의 파장 변환 층은 또한 서브픽셀에서 마이크로 LED 디바이스들의 중복 쌍의 두 마이크로 LED 디바이스 위에 형성될 수 있다. 파장 변환 층들은 반구형 외부 표면과 같은 돔 형상의 구조를 취할 수 있고, 좁아지거나 납작해질 수 있다. 파장 변환 층들은 또한 세장형 형상, 예컨대 세장형 돔 형상을 취할 수 있다. 배광 층은 대응하는 마이크로 LED 디바이스들과 파장 변환 층들 사이에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서 배광 층은 광 파이프의 형태이고, 측방향 길이 또는 폭이 배광 층의 두께보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다. 각각의 광 파이프는 단일 서브픽셀, 또는 다수의 서브픽셀에 걸쳐 이어질 수 있다. 예를 들어, 각각의 광 파이프는 단지 하나의 서브픽셀 및 서브픽셀 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스 쌍들 위에 걸쳐 이어질 수 있다. 예를 들어, 각각의 광 파이프는 둘 이상의 서브픽셀 및 둘 이상의 서브픽셀 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스 쌍들에 걸쳐 있을 수 있다. 각각의 광 파이프는 대응하는 픽셀 내의 모든 다수의 서브픽셀 및 픽셀의 다수의 서브픽셀 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스 쌍들에 걸쳐 있을 수 있다.
반사 뱅크 층(reflective bank layer)은 각각의 서브픽셀 내에 형성될 수 있고, 각각의 반사 뱅크 층은 독립적으로 기판 내의 동작 회로로부터 어드레스 가능하다. 예를 들어, 디스플레이 기판은 박막 트랜지스터 기판일 수 있다. 접지 라인이 디스플레이 기판 상에 또는 그 안에 형성될 수 있다. 하나 이상의 상부 전극 층이 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이를 접지 라인에 전기적으로 연결하도록 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 상부 전극 층은 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스의 제1 마이크로 LED 디바이스를 접지 라인에 연결하고, 별개의 상부 전극 층이 그 한 쌍 중 제2 마이크로 LED 디바이스를 접지 라인에 연결한다. 일 실시예에서 마이크로 LED 디바이스 불량들이 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이 내에 있다. 예시적인 불량은 누락, 결함, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스들일 수 있고, 패시베이션 층이 복수의 불량 위에 형성되어 그것들을 하나 이상의 상부 전극 층으로부터 전기적으로 절연시킬 수 있고, 패시베이션 층은 불량 바로 위에 형성되거나 불량들 바로 위에 형성되지 않도록 조정될 수 있다. 리페어 마이크로 LED 디바이스들이 복수의 마이크로 LED 디바이스 불량들에 대응하는 서브픽셀들 내에 형성될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 디스플레이 패널의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 이송하기 전에 X-X 및 Y-Y 선을 따라 취해진 도 1a의 액티브 매트릭스 디스플레이 패널의 개략적 측면도이다.
도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 이송한 이후에 X-X 및 Y-Y 선을 따라 취해진 도 1a의 액티브 매트릭스 디스플레이 패널의 개략적 측면도이다.
도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 이송한 이후에 X-X 및 Y-Y 선을 따라 취해진 도 1a에 유사한 액티브 매트릭스 디스플레이 패널의 개략적 측면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예들에 따른 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예들에 따른 개별적인 마이크로 LED 디바이스들 위에 별개의 파장 변환 층들이 형성된 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스들 위에 단일 파장 변환 층이 형성된, 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 반사 뱅크 구조체 및 마이크로 LED 디바이스들 위에 단일 파장 변환 층이 형성된, 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스들 위에 세장형 돔 형상의 파장 변환 층이 형성된, 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들이다.
도 7a는 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스들 위에 단일의 세장형 돔 형상의 파장 변환 층이 형성된, 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도이다.
도 7b는 본 발명의 실시예들에 따른 반사 뱅크 구조체 및 마이크로 LED 디바이스들 위에 단일의 세장형 돔 형상의 파장 변환 층이 형성된, 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도이다.
도 8a는 본 발명의 실시예에 따른 세장형 돔 형상 파장 변환 층이 다수의 서브픽셀 위에 형성된 픽셀의 등각도이다.
도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 세장형 돔 형상 파장 변환 층이 다수의 서브픽셀 위에 형성되고 세장형 돔 형상 파장 변환 층이 단일 서브픽셀 위에 형성된 픽셀의 등각도이다.
도 9a는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프 및 광 파이프 위에 있는 파장 변환 층의 조합도이다.
도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 한쌍의 마이크로 LED 디바이스들을 둘러싼 광 파이프 및 광 파이프 위에 있는 파장 변환 층의 단면도이다.
도 9c 및 도 9d는 본 발명의 실시예들에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 끝이 좁아지는 광 파이프 및 끝이 좁아지는 광 파이프 위에 있는 파장 변환 층의 단면도이다.
도 10a는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프 및 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스 위에 있는 한 쌍의 반사 층의 조합도이다.
도 10b는 본 발명의 실시예에 따른 파장 변환 층 및 광 파이프 위에 있는 한 쌍의 반사 층의 측단면도이다.
도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 광 파이프 위에 있고 파장 변환 층의 아래에 있는 한 쌍의 반사 층의 측단면도이다.
도 10d는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프 및 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스 위에 있는 한 쌍의 반사 층의 조합도이다.
도 10e는 본 발명의 실시예에 따른 파장 변환 층 및 광 파이프 위에 있는 한 쌍의 반사 층의 측단면도이다.
도 10f는 본 발명의 실시예에 따른 광 파이프 위에 있고 파장 변환 층의 아래에 있는 한 쌍의 반사 층의 측단면도이다.
도 11a는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 디바이스 및 복수의 마이크로 LED 디바이스 위에 있는 복수의 광 파이프 및 파장 변환 층들을 포함하는 디스플레이의 조합도이다.
도 11b 내지 도 11e는 본 발명의 실시예들에 따른 픽셀들의 개략적인 측면도이다.
도 11f는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 디바이스 및 복수의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 복수의 광 파이프와 파장 변환 층들을 포함하는 디스플레이의 조합도이다.
도 11g 내지 도 11j는 본 발명의 실시예들에 따른 픽셀들의 개략적인 측면도이다.
도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 반사 뱅크 구조체 위에 있는 광 파이프와 파장 변환 층의 측단면도이다.
도 12b는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스 위에 형성된 상부 전극 층을 도시하는, 도 12a의 측단면도에 직교하는 측단면도이다.
도 12c는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스 위에 형성된 하나 이상의 상부 전극 층을 도시하는, 도 12a의 측단면도에 직교하는 측단면도이다.
도 12d는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 디바이스 위에 형성된 상부 전극 층을 도시하는 도 12a의 측단면도에 직교하는 측단면도이다.
도 12e는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스 위에 형성된 하나 이상의 상부 전극 층들을 도시하는 도 12a의 측단면도에 직교하는 측단면도이다.
도 12f는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 반사 뱅크 구조체 내의 상부 및 하부 컨택들이 있는 복수의 마이크로 LED 디바이스, 및 복수의 마이크로 LED 디바이스 위에 있는 광 파이프 및 파장 변환 층의 측단면도이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예들에 따른 반사 뱅크 구조체 내의 하부 컨택들이 있는 복수의 마이크로 LED 디바이스, 및 복수 위에 있는 광 파이프 및 파장 변환 층의 측단면도들이다.
도 13c는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 반사 뱅크 구조체 내에 하부 컨택들이 있는 복수의 마이크로 LED 디바이스, 및 복수의 마이크로 LED 디바이스 위에 있는 광 파이프 및 파장 변환 층의 측단면도이다.
도 14a는 본 발명의 실시예에 따라 마이크로 LED 디바이스들 위에 파장 변환 층들을 적용하고, 서브픽셀들 사이에 블랙 매트릭스를 적용하기 위한 단면 방식(single side manner)의 도면이다.
도 14b는 본 발명의 실시예에 따라 마이크로 LED 디바이스들 위에 파장 변환 층을 적용하고, 서브픽셀들 사이에 블랙 매트릭스를 적용하기 위한 하향 압축 방식(top press down manner)의 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 다양한 구성들을 포함하는, 마이크로 LED 디바이스들의 어레이 위에 형성된 상부 전극 층의 평면개략도이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 다양한 구성들을 포함하는, 마이크로 LED 디바이스들의 어레이 위에 형성된 복수의 별개의 상부 전극 층의 평면개략도이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 다양한 구성들을 포함하는, 마이크로 LED 디바이스들의 어레이 위에 형성된 복수의 별개의 상부 전극 층의 평면개략도이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 스크라이빙된 상부 전극 층의 평면개략도이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 스크라이빙된 하부 컨택 층의 평면개략도이다.
도 20은 본 발명의 실시예에 따른 중복 및 리페어 사이트 구성을 포함하는 스마트 픽셀 디스플레이의 평면개략도이다.
도 21은 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 시스템의 개략도이다.
본 발명의 실시예들은 디스플레이 기판이 픽셀들의 어레이를 포함하는 디스플레이를 설명하고, 각각의 픽셀은 다수의 서브픽셀을 포함하고, 픽셀 내의 각각의 서브픽셀은 상이한 색 방출 스펙트럼을 위하여 설계된다. 디스플레이는 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이를 포함하고, 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스는 각각의 서브픽셀 내에 실장된다. 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층들의 어레이는 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이 위에 형성된다. 일 실시예에서, 파장 변환 층은 중합체 또는 유리 매트릭스 및 매트릭스 내에 분산된 형광체 입자들(예를 들어 그것들의 크기로 인해 발광하는 양자점들, 및 그것들의 조성물로 인해 발광하는 입자들)을 포함한다. 이런 방식으로, 광 방출은 색상 스펙트럼에서 특정 색상으로 정확하게 튜닝되어, 색 공간(color gamut)이 개선될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스들의 통합은 조명 및 디스플레이 애플리케이션을 위한 웨이퍼 기반 LED 디바이스들의 성능, 효율, 및 신뢰성을 박막 전자기기들의 고수율, 저비용의 혼합 재료와 조합하는 데 사용될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들을 이용하여 활용될 수 있는 예시적인 마이크로 LED 디바이스들이 미국 특허 제8,426,227호, 미국 공개 제2013/0126081호, 미국 특허 출원 제13/458,932호, 미국 특허 출원 제13/711,554호, 및 미국 특허 출원 제13/749,647에서 설명되어 있고, 이것들은 모두 본 명세서에 참조로서 포함된다. 마이크로 LED 디바이스들은 광 방출에 매우 효율적이고 10 인치 대각선 LCD 또는 OLED 디스플레이의 5 내지 10 와트에 비교하여 매우 적은 전력(예를 들어, 10 인치 대각선 디스플레이의 250 mW)을 소비하여, 마이크로 LED 디바이스들 및 파장 변환 층들을 포함하는 예시적인 디스플레이 패널의 전력 소비 감소를 가능하게 한다.
일 양태에서, 본 발명의 실시예들은 상이한 방출 스펙트럼의 형광체 입자들을 서로 구분되도록 하면서도 관찰자에 의해 인지될 때 우수한 혼색의 광을 제공하는 구성들을 제공한다. 각각의 서브픽셀에서 형광체 입자들을 서로 구분하는 것은 상이한 스펙트럼을 방출하는 형광체 입자로부터 방출된 광의 2차 흡수(예를 들어 녹색 방출 형광체 입자로부터 방출된 녹색 광이 적색 방출 형광체 입자에 의해 흡수)를 방지할 수 있다. 이것은 효율을 증가시키고 의도하지 않은 색변이를 감소시킨다. 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스 시스템에서 상이한 색상 방출 영역들(예를 들어 서브픽셀들) 간의 공간적인 색 분해는 사람 눈으로 인식되지 않을 만큼(예를 들어 대략 100 μm 이하) 충분히 작을 수 있다. 이런 방식으로, "마이크로" LED 디바이스 스케일은 인접한 마이크로 LED 디바이스들 또는 서브픽셀들 간에 공간적인 색 분해가 사람 눈으로 인식되지 않을 만큼 충분히 작은 피치(예를 들어 대략 100 μm 이하)를 갖는, 마이크로 LED 디바이스들, 배광 층, 및 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층들의 배열을 가능하게 한다. 그와 같은 구성에서, 종종 비-마이크로 LED 디바이스 시스템과 연관되는 광원의 공간적 비균일 색상이 방지될 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명의 실시예들은 파장 변환 층에 진입하기 전에 마이크로 LED 디바이스로부터 방출된 광이 확산될 수 있도록 하고, 또한 파장 변환 층(및 색상 필터)에 진입하는 광의 광학적 강도를 감소시키는, 하나 이상의 마이크로 LED 디바이스 위에 형성된 배광 층을 설명한다. 광의 확산으로 인해 투명 배광 층 위에 형성될 파장 변환 층으로부터 더 균일한 방출이 일어날 수 있다. 결과적으로 광학 밀도의 감소는 파장 변환 층에 있는 형광체 입자들의 열적 열화를 감소시켜, 발광 디바이스의 수명을 연장할 수 있다. 이것은 또한 파장 변환 층에서 형광체 입자들의 용적 부담을 증가시켜야 할 필요 없이, 파장 변환 층에 있는 형광체 입자들에 의한 색 변환의 가능성을 증가시킬 수 있다. 광의 확산 및 광학적 강도의 감소는 또한 마이크로 LED 디바이스에 의해 흡수되는, 파장 변환 층에서의 재반사량 및 방출량을 감소시킬 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른, 배광 층의 포함은 총 광 방출을 증가시키고, 방출 균일성을 증가시키고, 디스플레이의 색상 스펙트럼의 선명도를 증가시킬 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명의 실시예들은 마이크로 LED 디바이스, 픽셀, 또는 마이크로 LED 디바이스들을 포함하는 서브픽셀들에 대한 충전율(fill factor)을 증가시킬 수 있는 광 파이프 구성을 설명한다. 웨이퍼 기반 LED 디바이스는 광 방출이 작은 면적을 차지하고 집중된 출력을 갖는 점원으로서 특징될 수 있다. 웨이퍼 기반 LED 디바이스는 사람 눈에 인식될 수 있을 만큼(예를 들어 대략 100 μm 이상) 멀리 떨어져 고정되는 경우, 개별적인 LED 디바이스들에서 방출된 광은 작은 점으로 인식되는 것이 가능할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따라 설명된 광 파이프 구성들을 사용하여 마이크로 LED 디바이스, 픽셀, 또는 마이크로 LED 디바이스들을 포함하는 서브픽셀들에 대한 충전율을 증가시켜, 개별적인 마이크로 LED 디바이스들이 사람 눈에 구별되지 않고, 작은 점들이 인식되지 않도록 할 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명의 실시예들은 복수의 본딩 사이트가 복수의 마이크로 LED 디바이스를 각각의 서브픽셀 내에, 예를 들어, 서브픽셀의 각각의 뱅크 개구 내에 본딩하는 데 이용 가능한 중복 구조를 설명한다. 일 실시예에서, 중복 구조는 뱅크 개구 내에 한 쌍의 본딩 사이트(또는 그 이상)에 본딩 층들(예를 들어 인듐 기둥들)을 포함하고, 각각의 본딩 층은 분리된 마이크로 LED 디바이스를 수용하도록 설계된다. 일 실시예에서, 중복 구조는 또한 뱅크 개구 내에 마이크로 LED 디바이스를 수용하기에 충분히 큰 리페어 본딩 사이트를 포함할 수 있다. 리페어 본딩 사이트는 또한 선택적으로 본딩 층을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 일 실시예에서, 각각의 뱅크 개구는 서브픽셀의 단일 방출색에 대응할 수 있고, 그 방출색의 복수의 마이크로 LED 디바이스를 수용한다. 서브픽셀 내에 실장된 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스의 마이크로 LED 디바이스들 중 하나가 결함인 경우, 다른 마이크로 LED 디바이스가 결함있는 마이크로 LED 디바이스를 보충한다. 또한, 원하는 경우, 리페어 본딩 사이트를 이용하여 추가적인 마이크로 LED 디바이스를 본딩할 수 있다. 일 실시예에서, 중복 및 리페어 구성은 이미 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드(AMOLED) 디스플레이에 통합된 기저의 박막 트랜지스터(TFT) 아키텍쳐를 변경할 필요 없이 디스플레이 패널에 걸쳐 방출 균일성을 개선할 수 있는 백플레인 구조체에 통합된다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 마이크로 LED 디바이스가 AMOLED 디스플레이 기술의 유기 방출 층들을 대체하여, AMOLED 디스플레이의 종래의 TFT 백플레인 기술과 호환 가능할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 도면을 참조하여 기술된다. 그러나, 소정 실시예들은 이들 구체적 상세 사항들 중 하나 이상 없이, 또는 다른 공지된 방법들 및 구성들과 조합하여 실시될 수 있다. 하기의 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 구체적 구성들, 치수들 및 공정들 등과 같은 많은 구체적 상세 사항들이 기재된다. 다른 경우에, 주지된 반도체 공정들 및 제조 기술들은 본 발명을 불필요하게 불명료하게 하지 않도록 특별히 상세히 기술되지 않았다. 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예"에 대한 언급은 그러한 실시예와 관련되어 기술되는 특정한 특징, 구조, 구성 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함됨을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 곳에서 어구 "일 실시예에서"의 언급은 반드시 본 발명의 동일한 실시예를 가리키지는 않는다. 또한, 특정한 특징, 구조, 구성 또는 특성은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같은 용어 "걸쳐 이어지는", "위에", "~에", "사이에" 및 "상에"는 하나의 층의 다른 층에 대한 상대 위치를 가리킬 수 있다. 다른 층에 "걸쳐 이어지는", 그 "위에" 또는 그 "상에" 또는 다른 층"에" 접합되는 하나의 층은 다른 층과 직접 접촉할 수 있거나, 하나 이상의 개재하는 층들을 가질 수 있다. 층들 "사이의" 하나의 층은 그러한 층들과 직접 접촉할 수 있거나, 하나 이상의 개재하는 층들을 가질 수 있다.
이제 도 1a 내지 도 1d를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 디스플레이 패널의 개략적 평면 및 측면도가 제공된다. 그와 같은 실시예에서, 기저의 TFT 기판(102)은 동작 회로(예를 들어 T1, T2)를 포함하는 통상적인 AMOLED 백플레인의 TFT 기판들과 유사할 수 있다. 도 1a를 참조하여, 패널(100)은 일반적으로 매트릭스에 배열된 픽셀(106)들 및 서브픽셀(108)들을 포함하는 픽셀 영역(104), 및 서브픽셀들을 구동하고 스위칭하기 위하여 각각의 서브픽셀에 연결된 동작 회로를 포함할 수 있다. 비 픽셀 영역은 일반적으로 데이터 신호들(Vdata)이 서브픽셀들에 전송되도록 하기 위하여 각각의 서브픽셀의 데이터 라인에 연결된 데이터 구동 회로(109), 스캔 신호들(Vscan)이 서브픽셀들에 전송되도록 하기 위하여 서브픽셀들의 스캔 라인들에 연결된 스캔 구동 회로(112), 전력 신호(Vdd)를 TFT에 전송하기 위한 전력 공급 라인(114), 및 접지 신호(Vss)를 서브픽셀들의 어레이에 전송하기 위한 접지 링(116)을 포함한다. 도시된 바와 같이, 데이터 구동 회로, 스캔 구동 회로, 전력 공급 라인, 및 접지 링은 모두 가요성 회로 기판(FCB)(113)에 연결되고, 이것은 전력 공급 라인(114)에 전력을 공급하기 위한 전원 및 접지 링(116)에 전기적으로 연결된 전원 접지 라인을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른, 서브픽셀(108)들은 각각 대응하는 기저의 TFT 회로를 이용하여 개별적으로 어드레스될 수 있지만, 균일한 접지 신호가 픽셀 영역(104)의 상부에 공급된다.
이제 도 1b 내지 도 1d를 참조하여, 동작 회로에 컨택하기 위하여 평탄화 층(122)에 개구(131)들이 형성될 수 있다. 예시적인 평탄화 재료는 벤조사이클로부텐(BCB) 및 아크릴을 포함한다. 동작 회로는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 저장 커패시터를 포함하는 전통적인 2T1C(트랜지스터 2개, 커패시터 1개) 회로를 포함할 수 있다. 2T1C 회로는 예시적인 것으로 여겨지고, 본 발명의 실시예들에 따라 다른 유형들의 회로 또는 전통적인 2T1C 회로의 변형들이 고려된다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 더 복잡한 회로들을 이용하여 구동기 트랜지스터 및 마이크로 LED 디바이스들의 공정 변화, 또는 그것들의 불안정성을 보충할 수 있다. 게다가, 본 발명의 실시예들이 TFT 기판(102)의 상부 게이트 트랜지스터 구조체에 대하여 설명되고 도시되지만, 본 발명의 실시예들은 또한 하부 게이트 트랜지스터 구조체의 사용을 고려한다. 마찬가지로, 본 발명의 실시예들은 상부 방출 구조체에 대하여 설명되고 도시되지만, 본 발명의 실시예들은 또한 하부, 또는 상부 및 하부 방출 구조체의 사용을 고려한다. 또한, 본 발명의 실시예들은 접지 타이 라인들 및 접지 링을 포함하는 하이 사이드(high side) 구동 구성에 대하여 구체적으로 아래에 설명되고 도시된다. 하이 사이드 구동 구성에서 회로가 LED의 p-단자를 통해 전류를 밀어내도록 LED는 PMOS 구동기 트랜지스터의 드레인 측 또는 NMOS 구동기 트랜지스터의 소스 측에 있을 수 있다. 본 발명의 실시예들은 그렇게 제한되지 않고, 또한 접지 타이 라인들 및 접지 링이 패널에서 전력 라인이 되고 전류가 LED의 n-단자를 통해 끌려나오는 로우 사이드(low side) 구동 구성을 이용하여 실시될 수 있다.
뱅크 개구(128)들을 포함하는 패터닝된 뱅크 층(126)이 평탄화 층(122) 위에 형성된다. 뱅크 층(126)은 다양한 기술들, 예컨대 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 라미네이션, 스핀 코팅, CVD, 및 PVD에 의해 형성될 수 있다. 뱅크 층(126)은 가시 파장에 대하여 불투명하거나, 투명하거나, 또는 반투명할 수 있다. 뱅크 층(126)은 다양한 절연 재료들, 예컨대 광 현상형(photo-definable) 아크릴, 포토레지스트, 규소 산화물(SiO2), 규소 질화물(SiNx), 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시, 및 폴리에스테르로 형성될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 뱅크 플레이어는 블랙 매트릭스 재료와 같은 불투명 재료로 형성된다. 예시적인 절연성 블랙 매트릭스 재료는 유기 수지, 유리 페이스트, 및 흑색 안료, 니켈, 알루미늄, 몰리브데넘, 및 이들의 합금과 같은 금속성 입자들, 금속 산화물 입자들(예를 들어 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자들(예를 들어 크롬 질화물)을 포함하는 수지 또는 페이스트를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른, 다음의 특징부들에 대하여 설명하는 뱅크 층(126)의 두께 및 뱅크 개구(128)들의 폭은 개구 내에 실장될 마이크로 LED 디바이스들의 높이, 마이크로 LED 디바이스들을 이송하는 이송 헤드들의 높이, 및 디스플레이 패널의 해상도에 따라 달라질 수 있다. 일 실시예에서, 디스플레이 패널의 해상도, 픽셀 밀도, 및 서브픽셀 밀도는 뱅크 개구(128)들의 폭을 설명한다. 40 PPI(인치당 픽셀) 및 211 μm 서브픽셀 피치를 갖는 55 인치 텔레비전을 예로 들면, 뱅크 개구(128)들의 폭은 수 마이크로미터 내지 뱅크 개구(128)들 사이의 뱅크 구조체를 둘러싸는 예시적인 5 μm 폭을 고려하는 206 μm일 수 있다. 440 PPI 및 19 μm 서브픽셀 피치를 갖는 디스플레이 패널을 예로 들면, 뱅크 개구(128)들의 폭은 수 마이크로미터 내지 뱅크 구조체를 둘러싸는 예시적인 5 μm 폭을 고려하는 14 μm일 수 있다. 뱅크 구조체(즉 뱅크 개구(128)들 사이)의 폭은 구조체가 필요한 프로세스들을 지원하고 필요한 PPI에 따라 크기조정되는 한, 임의의 적절한 크기일 수 있다.
표 1은 1920 × 1080p 및 2560×1600 해상도를 갖는 다양한 적색-녹색-청색(RGB) 디스플레이에 대하여 본 발명의 실시예들에 따른 예시적인 구현예들의 목록을 제공한다. 예시적인 실시예들에서, 40 PPI 픽셀 밀도는 55 인치 1920 × 1080p 해상도 텔레비전에 대응할 수 있고, 326 및 440 PPI 픽셀 밀도는 레티나((RETINA)(RTM)) 디스플레이를 갖는 핸드헬드 디바이스에 대응할 수 있다. 본 발명의 실시예들이 RGB 색상 배색 또는 1920 × 1080p 또는 2560×1600 해상도에 제한되지 않고, 구체적인 해상도 및 RGB 색상 배합은 단지 설명 목적일 뿐이라는 것을 이해할 것이다.
[표 1]
Figure pct00001
본 발명의 실시예들에 따라, 뱅크 층(126)의 두께는 뱅크 구조체가 기능하도록 너무 두껍지 않다. 두께는 마이크로 LED 디바이스 높이 및 미리 결정된 시야각에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 뱅크 개구(128)들의 측벽이 평탄화 층(122)과 각도를 이루면, 더 낮은 각도들이 시스템의 더 넓은 시야각과 연관될 수 있다. 일 실시예에서, 뱅크 층(126)의 예시적인 두께는 1 μm 내지 50 μm 사이일 수 있다. 일 실시예에서 뱅크 층(126)의 두께는 마이크로 LED 디바이스(400)들의 두께인 5 μm 내에 있다.
이어서 패터닝된 전도성 층이 패터닝된 뱅크 층(126) 위에 형성된다. 일 실시예에서 패터닝된 전도성 층은 뱅크 개구(128) 내에 형성된 반사 뱅크 층(142)을 포함하고 동작 회로와 전기적으로 접촉한다. 예를 들어, 반사 뱅크 층(142)은 서브픽셀마다 형성될 수 있고, 각각의 반사 뱅크 층은 하부 전극으로서 기능하고, 기판 내의 동작 회로로부터 독립적으로 어드레스 가능하다. 따라서, 서브픽셀의 하나의 반사 뱅크 층에 본딩된 모든 마이크로 LED 디바이스들은 함께 어드레스된다. 패터닝된 전도성 층은 또한 선택적으로 접지 타이 라인(144)들 및/또는 접지 링(116)을 포함할 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 접지 "링"은 원형 패턴, 또는 물체를 완전히 둘러싸는 패턴을 요구하지 않는다. 또한, 다음의 실시예들은 적어도 부분적으로 세 면에서 픽셀 영역을 둘러싸는 접지 링(116)의 형태인 접지 라인에 대하여 설명하고 도시되지만, 본 발명의 실시예들은 또한 픽셀 영역의 한 면(예를 들어 좌측, 우측, 하부, 상부), 또는 두 면(좌측, 우측, 하부, 상부 중 두 부분의 조합)을 따라 연장되는 접지 라인으로 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 다음의 설명에서 접지 링에 대한 참조 및 도시가 잠재적으로 시스템 요구사항이 허용하는 접지 라인으로 대체될 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
패터닝된 전도성 층은 수많은 전도성 및 반사성 재료로 형성될 수 있고, 둘 이상의 층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 금속 필름, 예를 들어, 알루미늄, 몰리브데넘, 티타늄, 티타늄-텅스텐, 은, 또는 금, 또는 이들의 합금을 포함한다. 응용에서, 패터닝된 전도성 층은 층 또는 금속성 필름들의 스택을 포함할 수 있다. 패터닝된 전도성 층은 전도성 재료, 예컨대 아몰퍼스 실리콘, 투명 전도성 산화물(TCO), 예컨대, 인듐-주석-산화물(ITO) 및 인듐-아연-산화물(IZO), 탄소 나노튜브 필름, 또는 투명 전도성 중합체, 예컨대, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 및 폴리티오펜을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 전도성 재료와 반사 전도성 재료의 스택을 포함한다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 상부 및 하부 층 및 반사성 중간 층을 포함하는 3층 스택을 포함하고, 상부 및 하부 층 중 하나 또는 둘 모두는 투명하다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 전도성 산화물-반사성 금속-전도성 산화물 3층 스택을 포함한다. 전도성 산화물 층들은 투명할 수 있다. 예를 들어, 패터닝된 전도성 층은 ITO-은-ITO층 스택을 포함할 수 있다. 그와 같은 구성에서, 상부 및 하부 ITO 층들은 반사성 금속(은) 층의 확산 및/또는 산화를 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 Ti-Al-Ti 스택, 또는 Mo-Al-Mo-ITO 스택을 포함한다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 ITO-Ti-Al-Ti-ITO 스택을 포함한다. 일 실시예에서, 패터닝된 전도성 층은 두께가 1 μm 이하이다. 패터닝된 전도성 층은 적절한 기술, 예컨대 PVD를 이용하여 퇴적될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
반사 뱅크 층(142), 접지 타이 라인(144)들, 및 접지 링(116)의 형성 이후에, 절연체 층(146)이 선택적으로 TFT 기판(102) 위에 형성되어 패터닝된 전도성 층의 측벽들을 덮을 수 있다. 절연체 층(146)은 뱅크 층(126) 및 반사 뱅크 층(142), 접지 타이 라인(144)들, 및/또는 접지 링(116)을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 도시된 실시예에서 절연체 층(146)은 접지 링(116)을 완전히 덮지만, 이것은 선택 사항이다.
일 실시예에서, 절연체 층(146)은 적절한 기술, 예컨대 라미네이션, 스핀 코팅, CVD, 및 PVD를 이용하는 블랭킷 퇴적에 의해 형성되고, 이어서 리소그라피와 같은 적절한 기술을 이용하여 패터닝하여 반사 뱅크 층(142)을 노출하는 개구 및 접지 타이 라인(149)을 노출하는 개구(149)들을 형성한다. 일 실시예에서, 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅을 이용하여 리소그라피가 필요 없이 절연체 층(146) 및 절연체 층의 개구들을 형성할 수 있다. 절연체 층(146)은 다양한 재료들, 예컨대 SiO2, SiNx, PMMA, BCB, 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시, 및 폴리에스테르로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 절연체 층(146)의 두께는 0.5 μm일 수 있다. 절연체 층(146)은 투명하거나 반투명할 수 있고, 뱅크 개구(128) 내에서 반사 뱅크 층(142)들의 측벽들 위에 형성되어 완성된 시스템의 광 방출 추출을 현저하게 저하시키지 않도록 한다. 또한 절연체 층(146)의 두께를 제어하여 광 추출 효율을 증가시키고, 또한 발광 디바이스들의 어레이를 반사 뱅크 구조체로 이송하는 동안 이송 헤드들의 어레이를 간섭하지 않을 수 있다. 다음의 설명에서 더 명백해질 바와 같이, 패터닝된 절연체 층(146)은 선택 사항이고, 전도성 층들을 전기적으로 구분하기 위한 하나의 방식을 나타낸다.
도 1b 내지 도 1c에 도시된 실시예에서, 반사 뱅크 층(142)들, 접지 타이 라인(144)들, 및 접지 링(116)은 동일한 전도성 층으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 접지 타이 라인(144)들 및/또는 접지 링(116)은 반사 뱅크 층(142)과 상이한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 접지 타이 라인(14) 및 접지 링(116)은 반사 뱅크 층(142)보다 전도성이 더 높은 재료로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 접지 타이 라인(14)들 및/또는 접지 링(116)은 또한 반사 뱅크 층들과 상이한 층 내에 형성될 수 있다. 접지 타이 라인(144)들 및 접지 링(116)은 또한 패터닝된 뱅크 층(126) 내에 또는 그 아래에 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구들은 접지 타이 라인(144)들 및 접지 링(116)을 형성할 때 패터닝된 뱅크 층(126)을 통해 형성될 수 있다. 개구들은 또한 패터닝된 뱅크 층(126) 및 평탄화 층(122)을 통해 형성되어 접지 타이 라인(144)들과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 접지 링 및 접지 타이 라인(144)들은 TFT 기판(102)의 동작 회로를 형성하는 동안 형성됐을 수도 있다. 따라서, 접지 타이 라인(144)들 및 접지 링(116)을 형성하기 위한 수많은 가능성들이 존재함을 이해할 것이다.
도 1b에 도시된 실시예를 참조하여, 복수의 본딩 층(140)이 반사 뱅크 층(142) 상에 형성되어 마이크로 LED 디바이스들의 본딩을 용이하게 할 수 있다. 도시된 구체적인 실시예에서 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 본딩하기 위한 두 본딩 층(140)이 도시된다. 일 실시예에서, 공융 합금(eutectic alloy) 본딩, 천이 액상(transient liquid phase) 본딩, 또는 고체 상태 확산 본딩과 같은 본딩 메커니즘을 통해 마이크로 LED 디바이스(배치될 예정) 상의 본딩 층과 상호 확산되는 능력 때문에 본딩 층(140)이 선택되고, 이는 미국 특허 출원 제13/749,647호에 설명된 바와 같다. 일 실시예에서, 본딩 층(140)은 250℃ 이하의 용융 온도를 갖는다. 예를 들어, 본딩 층(140)은 주석(232℃) 또는 인듐(156.7℃), 또는 이들의 합금과 같은 솔더 재료를 포함할 수 있다. 본딩 층(140)은 또한 높이가 폭보다 큰, 기둥 모양일 수 있다. 본 발명의 일부 실시예들에 따라, 본딩 층(140)들이 더 높을수록, 마이크로 LED 디바이스 이송 동작 중 마이크로 LED 디바이스들의 어레이와 TFT 기판의 평면성(planarity)과 같은 시스템 컴포넌트 고저(leveling) 및 공융 합금 본딩 및 천이 액상 본딩과 같은 본딩 중에 액화된 본딩 층들이 표면 위에 펼쳐질 때 그것들의 높이 변화로 인한 마이크로 LED 디바이스들의 높이의 다양성에 추가적인 자유도를 제공할 수 있다. 본딩 층(140)들의 폭은 마이크로 LED 디바이스들의 하부 표면의 폭보다 작아서 마이크로 LED 디바이스들의 측벽 주위로 본딩 층(140)들이 위킹(wicking)되거나 양자 우물 구조체들을 단락시키는 것을 방지할 수 있다.
도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400)들을 이송한 이후에 X-X 및 Y-Y 선을 따라 취해진 도 1a의 액티브 매트릭스 디스플레이 패널의 개략적 측면도이다. 마이크로 LED 디바이스(400)들은 마이크로 LED 디바이스(400)들의 어레이의 일부로서 이송 본딩 프로세스, 탄성중합체 스탬프를 이용한 이송, 또는 정전기 이송 헤드 어레이를 이용한 이송 및 본딩을 포함하는 다양한 기술들을 이용하여 기판(102)에 이송 및 본딩될 수 있고, 이는 미국 특허 제8,333,860호, 미국 특허 제8,349,116호, 미국 특허 제8,415,771호, 미국 특허 제8,415,767호, 또는 미국 특허 제8,415,768호 중 임의의 문헌에서 설명된 바와 같다. 다음의 실시예들에서, 구체적으로 수직의 마이크로 LED 디바이스(400) 구조체에 대하여 설명된다. 도시된 구체적인 마이크로 LED 디바이스(400)들은 예시적이고 본 발명의 실시예들은 제한되지 않음을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 또한 수직 LED 디바이스가 아닌 LED 디바이스들로 실시될 수 있다. 도시된 특정 실시예에서, 마이크로 LED 디바이스(400)들은 하부 컨택(404)과 상부 컨택(402) 사이에 있는 마이크로 p-n 다이오드를 포함한다. 일 실시예에서, 마이크로 p-n 다이오드의 두께는 수 마이크로미터, 예컨대 30 μm 이하, 또는 심지어 5 μm 이하이고, 상부 및 하부 컨택(404, 402)의 두께는 0.1 μm 내지 2 μm이다. 마이크로 p-n 다이오드는 n-도핑된 층(409), p-도핑된 층(405), 및 n-도핑된 층과 p-도핑된 층 사이에 있는 하나 이상의 양자 우물 층(416)을 포함할 수 있다. 도 1c 도시된 특정 실시예에서 n-도핑된 층(409)이 p-도핑된 층(405) 위에 있는 것으로 도시된다. 대안적으로, p-도핑된 층(405)이 n-도핑된 층(409) 위에 있을 수 있다. 마이크로 LED 디바이스(400)들은 (상부에서 하부까지) 곧은 또는 끝이 좁아지는 측벽(406)들을 가질 수 있다. 상부 및 하부 컨택(402, 404)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있고, 금속, 전도성 산화물, 및 전도성 중합체를 포함하는 다양한 전기 전도성 재료들로 형성될 수 있다. 상부 및 하부 컨택(402, 404)은 가시 파장 스펙트럼(예를 들어 380 nm 내지 750 nm)에 대하여 투명하거나 반투명할 수 있고 또는 불투명할 수 있다. 상부 및 하부 컨택(402, 404)은 선택적으로 반사 층, 예컨대 은 층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 등각의 유전 배리어 층(407)이 p-n 다이오드의 측벽(406)을 따라 선택적으로 형성되어 전기적으로 양자 우물(416)을 부동태화할 수 있고, 선택적으로 마이크로 p-n 다이오드의 상부 또는 하부 표면을 따라 형성될 수 있다. 등각의 유전 배리어 층(407)은 그것이 형성되는 p-n 다이오드의 지형의 윤곽을 형성하도록 p-n 다이오드보다 얇을 수 있다. 예를 들어, 등각의 유전 배리어 층(407)은 두께가 대략 50 내지 600 옹스트롱인 알루미늄 산화물일 수 있다. 본딩 층(414)이 마이크로 LED 디바이스(400)와 반사 뱅크 층(142) 사이에 위치하여 마이크로 LED 디바이스(400)의 하부 컨택(404)을 반사 뱅크 층(142), 또는 기타 개재 층에 본딩하는 것을 용이하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 본딩 층(414)은 인듐, 금, 은, 몰리브데넘, 주석, 알루미늄, 규소, 또는 합금 또는 이들의 합금과 같은 재료를 포함한다. 본딩 층(414)은 마이크로 디바이스 본딩 층과 본딩 층(140)의 합금 또는 금속간 화합물일 수 있다.
도 1a 내지 도 1c에 도시된 실시예들은 본딩 층(140)들뿐만 아니라, 각각의 뱅크 개구(128) 내에 마이크로 LED 디바이스를 수용하기에 충분히 큰 리페어 본딩 사이트(401)를 포함한다. 이런 방식으로, 복수의 본딩 층(140) 및 리페어 본딩 사이트(401)는 각각의 뱅크 개구(128) 내에 중복 및 리페어 구성을 생성한다. 도 1a 내지 도 1c에 도시된 특정 실시예들은 리페어 본딩 사이트(401)가 반사 뱅크 층(142) 상의 노출된 표면인 것으로 도시된다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 그와 같이 제한되지 않는다. 다른 실시예들에서, 리페어 본딩 사이트(401) 또한 기존의 중복 구조에 대하여 설명하고 도시한 다른 두 본딩 층(140)들과 유사하게 본딩 층(140)을 포함할 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 중복 구조의 모든 의도된 마이크로 LED 디바이스들의 사이트뿐만 아니라 리페어 사이트(401)에서도 반사 뱅크 층(142) 상에 본딩 층(140)들이 제공된다.
도시된 실시예들에서 접지 타이 라인(144)들의 배열은 디스플레이 패널(100)의 픽셀 영역(104)에 있는 뱅크 개구(128)들 사이에서 연장될 수 있다. 또한, 복수의 개구(149)는 복수의 접지 타이 라인(144)을 노출한다. 개구(149)들의 수는 뱅크 개구(128)들의 열(위에서 아래로)들의 수에 1:1 상관관계를 가질 수도 있고 갖지 않을 수도 있다. 예를 들어, 도 1a에 도시된 실시예에서, 접지 타이 개구(149)는 뱅크 개구(128)들의 각각의 열에 대하여 형성되지만, 그러나, 이것이 필수적인 것은 아니고 접지 타이 개구(149)들의 수는 뱅크 개구(128)들의 열들의 수보다 크거나 작을 수 있다. 마찬가지로, 접지 타이 라인(144)들의 수는 뱅크 개구들의 행(좌측에서 우측으로)들의 수에 1:1 상관관계를 가질 수도 있고 갖지 않을 수도 있다. 예를 들어, 도시된 실시예에서 접지 타이 라인(144)이 뱅크 개구(128)들의 두 가로열마다 형성되지만, 그러나, 이것이 필수적인 것은 아니고 접지 타이 라인(144)들의 수는 뱅크 개구(128)들의 가로열들의 수에 대하여 1:1 상관관계, 또는 임의의 1:n 상관관계를 가질 수 있다.
위의 실시예들은 접지 타이 라인(144)들이 디스플레이 패널(100)에 걸쳐 수평하게 좌우로 연장되는 것으로 설명되었지만, 실시예들이 그렇게 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예들에서, 접지 타이 라인들은 수직으로, 또는 수평하고 수직하게 연장되어 그리드를 형성할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 수많은 가능한 변형들이 고려된다. 본 발명의 실시예들에 따라, 접지 타이 라인들은 픽셀 영역의 뱅크 개구(128)들 사이에 형성되고 비표시 영역의 접지 링(116) 또는 접지 라인에 전기적으로 연결된다. 이런 방식으로, 접지 신호는 서브픽셀들의 매트릭스에 더욱 균등하게 인가되어, 디스플레이 패널(100)에 걸쳐 더 균등한 밝기를 만들 수 있다. 또한, 상부 전극 층(형성될 예정)보다 전기 전도성이 더 우수한 재료로 접지 타이 라인(144)들을 형성함으로써, 전기 접지 경로의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.
도 1a 내지 도 1c에 도시된 접지 타이 라인(144)들을 갖는 수직 마이크로 LED 디바이스(400)들의 구체적인 배열은 예시적이고, 본 발명의 실시예들은 또한 기타 마이크로 LED 디바이스들로 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 도 1d는 도 1c에 대하여 위에서 설명한 것과 유사하게 디스플레이 기판(102)에 이송되고 본딩되는 대안적인 LED 디바이스(400)들을 도시한다. 도 1c의 마이크로 LED 디바이스들과 유사하게, 도 1d의 마이크로 LED 디바이스들은 하나 이상의 양자 우물 층(416)의 양쪽에 도핑된 층(405, 409)을 포함하는 마이크로 p-n 다이오드를 포함한다. 도 1c의 마이크로 LED 디바이스들과는 다르게, 도 1d의 마이크로 LED 디바이스들은 도핑된 층(405, 409) 둘 모두에 대한 하부 컨택을 포함한다. 예를 들어, 하부 컨택(404)은 도핑된 층(405) 상에 형성되고, 하부 컨택(403)은 도핑된 층(409) 상에 형성된다. 등각의 유전 배리어 층(407)이 또한 도 1d의 마이크로 LED 디바이스들 상에 선택적으로 형성되어, 특히 양자 우물 층(416)(들)을 포함하는 측벽(406)들을 보호할 수 있다. 도 1d의 마이크로 LED 디바이스(400)들은 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층 둘 모두에 대한 하부 컨택들을 포함하기 때문에, 반사 층(142) 또한 전기적으로 별개의 두 층으로 분리되어 각각 하부 컨택(404, 403)들과 전기 접촉을 이룰 수 있다. 따라서, 도 1d의 마이크로 LED 디바이스는 상부와 하부 컨택을 가질 필요가 없는 본 발명의 실시예들 내에서 구현될 수 있고, 마이크로 LED 디바이스들은 하부 컨택들과 동작 가능하게 연결될 수 있다.
이제 도 2a 내지 도 2d를 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 서브픽셀(108)의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열에 대한 등각도들이 제공된다. 도 2a는 이전에 위에서 설명한 바와 같이 뱅크 개구(128)들의 측벽 및 하부 표면을 따라, 그리고 부분적으로 뱅크 개구(128)들에 인접한 패터닝된 뱅크 층(126)의 상부 표면을 따라 형성된 반사 뱅크 층(142)을 도시한다. 도 2a에 도시된 실시예에서, 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400)는 뱅크 개구의 길이를 따라 대향하는 측벽들로부터 균등하게 이격되도록 반사 뱅크 층(142) 내에 실장된다. 따라서, 도 2a는 예시적인 마이크로 LED 디바이스 중복 구조에 대하여 도시한다. 도 2b에 도시된 실시예에서, 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400)는 리페어 본딩 사이트(401)에 추가적인 마이크로 LED 디바이스를 위한 여유 공간이 있도록 반사 뱅크 층(142) 내에 실장된다. 따라서, 도 2b는 리페어 사이트가 있는 예시적인 마이크로 LED 디바이스 중복 구조에 대하여 도시한다.
실시 응용에서, 캐리어 기판에서 디스플레이 기판(102)으로 마이크로 LED 디바이스들의 결함, 누락, 또는 오염 없이 마이크로 LED 디바이스(400)들의 100% 이송 성공을 성취하는 것이 항상 예상되지 않는다. 본 발명의 실시예들에 따른, 마이크로 LED 디바이스들의 스케일은 1 내지 100 μm, 예를 들어, 대략 20 μm, 10 μm, 또는 5μm의 최대폭을 가질 수 있다. 그러한 마이크로 LED 디바이스들은, 예를 들어, 정전기 이송 헤드들의 어레이를 이용하여 캐리어 기판으로부터 픽업되고 디스플레이 기판으로 이송할 준비가 되도록 제조된다. 마이크로 LED 디바이스의 결함은 다양한 이유들, 예컨대 오염, 스트레스 균열, 및 전도성 층간 단락으로 인해 발생할 수 있다. 마이크로 LED 디바이스들은 또한 다양한 이유들, 예컨대 캐리어 기판의 비평면성, 오염(예를 들어, 미립자), 또는 마이크로 LED 디바이스들의 캐리어 기판에 대한 불균일한 접착으로 인해 이송 동작 동안 픽업되지 않을 수 있다. 마이크로 LED 디바이스(400) 이송 동작이 완료된 이후에, 테스트를 수행하여 결함, 누락, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스들을 검출하고 임의의 리페어 동작들이 수행될 필요가 있는지 결정할 수 있다.
도 2c 및 도 2d는 결함, 누락, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스가 검출된 이후에 리페어 사이트에 추가적인 마이크로 LED 디바이스를 배치하는 예시적인 응용들을 도시한다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 마이크로 LED 디바이스(400)들의 이송 및 본딩 이후에, 디스플레이 기판에 이송된 마이크로 LED 디바이스들이 검사될 수 있다. 마이크로 LED 디바이스(400X)가 결함 또는 오염된 것을 발견한 경우, 리페어 마이크로 LED 디바이스(400)가 도 2c에 도시된 바와 같이 리페어 사이트(401)에 본딩될 수 있다. 대안적으로, 마이크로 LED 디바이스가 의도한 본딩 사이트에 이송되지 않고, 리페어 마이크로 LED 디바이스(400)가 도 2d에 도시된 바와 같이 리페어 사이트(401)에 본딩될 수 있다.
이제 도 3a 내지 도 3c를 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 개별적인 마이크로 LED 디바이스들 위에 별개의 파장 변환 층들이 형성된 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들이 도시된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 별개의 파장 변환 층(310)이 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스의 각각의 개별적인 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에 형성된다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 리페어 마이크로 LED 디바이스(400)가 반사 뱅크 층(142)에 이송되었고 별개의 파장 변환 층(310)이 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스의 각각의 개별적인 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에 형성된다. 이러한 구성에서, 파장 변환 층(310)은 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X) 위에 형성되지 않았다. 도 3c는 누락 마이크로 LED 디바이스에 대응하는 본딩 층(140) 위에 파장 변환 층이 형성되지 않은 것을 제외하고 도 3b와 유사하다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스들 위에 단일 파장 변환 층이 형성된 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들을 도시한다. 도 4a 내지 도 4c의 마이크로 LED 디바이스들의 배열은 도 3a 내지 도 3c에 도시된 예시적인 배열들과 동일하고, 차이점은 단일 파장 변환 층(310)이 서브픽셀 내의 모든 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에, 또는 반사 뱅크 층(142) 내에 형성된다는 것이다. 도 4b 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 파장 변환 층(130)은 또한 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X), 또는 누락 마이크로 LED 디바이스에 대응하는 본딩 층(140) 위에 형성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c에 도시된 실시예들에서, 파장 변환 층(130)이 서브픽셀 내의 반사 뱅크 층(142) 내에 있는 것으로 도시되지만, 다른 실시예들에서 도 5에 도시된 바와 같이 파장 변환 층(130)이 전체 반사 뱅크 층(142) 위에 형성된다. 다른 실시예들에서, 파장 변환 층(130)이 적어도 반사 뱅크 층(142)의 하부 표면 및 측벽들 위에 형성된다. 블랙 또는 화이트 매트릭스 재료가 패터닝된 뱅크 층(126)의 상부에 형성된 반사 뱅크 층(142)의 부분들 위에 형성될 수 있다. 이런 방식으로 반사 뱅크 층(142) 내의 마이크로 LED 디바이스들로부터 방출되고 관찰자가 볼 수 있는 모든 광은 파장 변환 층을 통과한다. 또한, 그와 같은 구성은 디스플레이의 외부와 같이 다른 소스로부터 나온 반사된 광들이 파장 변환 층(310)을 통과하도록 요구한다. 도 5는 도 2b의 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍 구성을 도시하지만, 도 5의 파장 변환 층(310)은 예를 들어, 이전에 도 2a, 도 2c, 및 도 2d에 도시된 것들을 포함하는 반사 뱅크 층(142) 내에 실장된 임의의 마이크로 LED 디바이스 구성 위에 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
지금까지 도 3a 내지 도 5의 파장 변환 층(130)은 돔 형상의 구조인 것으로 도시되었고, 이는 파장 변환 층(130), 및 선택적으로 추가적인 층들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 배광 층이 파장 변환 층 아래에 형성될 수 있고, 이는 다음의 설명에서 더 자세히 설명될 것이다. 돔 형상 프로파일은 반구형이거나, 납작하거나, 또는 좁을 수 있다. 예를 들어, 반구형 프로파일은 광 추출을 개선하고 램버시안 방출(Lambertian emission) 패턴을 생성할 수 있다. 돔 프로파일의 평탄화 또는 협소화는 발광 디바이스의 시야각을 조정하는 데 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른, 마이크로 LED 디바이스들의 광 방출 빔 프로파일뿐만 아니라 에지 효과에 관련수 수 있는 디스플레이의 각도에 대한 색상 특성을 변경하기 위하여 층들의 두께 및 프로파일이 조정될 수 있다.
이제 도 6a 내지 도 8b를 참조하여, 세장형 돔 형상 파장 변환 층을 포함하는 다양한 구성들이 도시되고, 이는 파장 변환 층(130), 및 선택적으로 추가적인 층들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 배광 층이 파장 변환 층 아래에 형성될 수 있고, 이는 다음의 설명에서 더 자세히 설명될 것이다. 이런 방식으로, 배광 층은 반사 뱅크 층 내의 마이크로 LED 디바이스들에 대한 충전율을 증가시키기 위한 광 파이프로서 기능할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예들에 따른 마이크로 LED 디바이스들 위에 단일 세장형 파장 변환 층이 형성된 서브픽셀의 반사 뱅크 층 내에 실장된 마이크로 LED 디바이스들의 배열의 등각도들을 도시한다. 도 6a 내지 도 6c의 마이크로 LED 디바이스들의 배열은 도 3a 내지 도 3c에 도시된 예시적인 배열들과 동일하고, 차이점은 단일 세장형 파장 변환 층(310)이 서브픽셀 내의 모든 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에, 또는 반사 뱅크 층(142) 내에 형성된다는 것이다. 도 6b 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 세장형 파장 변환 층(130)은 또한 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X), 또는 누락 마이크로 LED 디바이스에 대응하는 본딩 층(140) 위에 형성될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c에 도시된 실시예들에서, 파장 변환 층(130)이 서브픽셀 내의 반사 뱅크 층(142)의 하부 표면 상에만 있는 것으로 도시된다. 도 7a는 파장 변환 층(130)이 반사 뱅크 층(142)의 적어도 하부 표면 및 측벽들 위에 형성된 실시예를 도시한다. 도 7b는 파장 변환 층(130)이 전체 반사 뱅크 층(142) 위에 형성된 실시예를 도시한다. 이런 방식으로 반사 뱅크 층(142) 내의 마이크로 LED 디바이스들로부터 방출되고 관찰자가 볼 수 있는 모든 광은 파장 변환 층을 통과한다. 도 7b에 도시된 구성은 디스플레이의 외부와 같은 마이크로 LED 디바이스 이외의 소스들로부터 유발되고 반사 뱅크 층(142)에 의해 반사된 광이 파장 변환 층(310)을 통과하도록 요구한다. 도 6a 내지 도 6c 및 도 7a에 도시된 구성에서, 블랙 또는 화이트 매트릭스 재료가 패터닝된 뱅크 층(126)의 상부에 형성된 반사 뱅크 층(142)의 부분들 위에 형성될 수 있다. 도 7a 및 도 7b는 도 2b의 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍 구성을 도시하지만, 도 7a 및 도 7b의 파장 변환 층(310)은 예를 들어, 이전에 도 2a, 도 2c, 및 도 2d에 도시된 것들을 포함하는 반사 뱅크 층(142) 내에 실장된 임의의 마이크로 LED 디바이스 구성 위에 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
지금까지, 파장 변환 층이 단일 반사 뱅크 층(142) 위에 형성되는 구성들이 도시되었다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 실시예들에서, 파장 변환 층이 다수의 반사 뱅크 층(142)들에 걸쳐 또는 그 위에 형성된 것으로 도시된다. 예를 들어, 각각의 반사 뱅크 층(142)은 픽셀 내의 서브픽셀에 대응할 수 있다. 도 8a는 본 발명의 실시예에 따른 다수의 서브픽셀에 대응하는 다수의 반사 뱅크 층(142)들 위에 형성된 세장형 돔 형상 파장 변환 층(310)을 포함하는 픽셀의 등각도이다. 도시된 바와 같이, 파장 변환 층(310)은 픽셀 내의 모든 반사 뱅크 층(142)들 위에 형성될 수 있다. 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 다수의 서브픽셀에 대응하는 다수의 반사 뱅크 층(142)들 위에 형성된 세장형 돔 형상 파장 변환 층(310) 및 단일 서브픽셀에 대응하는 단일 반사 뱅크 층(142) 위에 형성된 세장형 돔 형상 파장 변환 층(310) 둘 모두를 포함하는 픽셀의 등각도이다.
지금까지 파장 변환 층(310)들은 단일 층 시스템으로서 도시되었다. 일부 실시예들에서, 수많은 추가적인 층들이 파장 변환 층들 아래에 또는 위에 형성될 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 층들은 마이크로 LED 디바이스(400)들의 광 방출 빔 프로파일을 변경하도록 형상화될 수 있는 마이크로 렌즈 구성에 포함될 수 있다.
이제 도 9a를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프 형태의 배광 층 및 광 파이프 위의 파장 변환 층의 조합도가 제공된다. 도 9a는 조합도로서 참조되는데, 그 이유는 등각도, 마이크로 LED 디바이스의 위치에 대한 평면도, 및 층들의 단면도의 특성들을 포함하기 때문이다. 다음의 실시예들에서, 구체적으로 수직의 마이크로 LED 디바이스(400) 구조체에 대하여 설명된다. 도시된 구체적인 마이크로 LED 디바이스(400)는 예시적이고 본 발명의 실시예들은 제한되지 않음을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 또한 도 1d에 대하여 설명하고 예시된 것들과 같은 LED 디바이스들을 이용하여 실시될 수 있다. 다음의 설명은 또한 광 파이프의 형태인 배광 층(320)에 대하여 이루어진다. 수많은 가능한 층들 및 형상들의 배열들을 적절하게 설명하기 위하여 그와 같은 구성이 선택되었고, 또한 층들의 배열을 사용하여 특히 돔 형상 및 세장형 돔 형상과 같은 이전에 설명된 임의의 프로파일들을 형성할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 파장 변환 층(320)을 형성하기 이전에 배광 층(320)이 선택적으로 하나 이상의 마이크로 LED 디바이스(400) 둘레에 형성된다. 본 명세서에 설명된 바와 같이 마이크로 LED 디바이스 "둘레의" 층은 마이크로 LED 디바이스의 측방향으로, 위에, 또는 아래에 형성될 수 있다. 따라서, 용어 마이크로 LED 디바이스 "둘레에"는 마이크로 LED 디바이스로부터 모든 방향에 위치한 층을 필요로 하지 않는다. 대신, 용어 "둘레에"는 마이크로 LED 디바이스의 광 방출 빔 경로가 통과하도록 설계된 이웃 영역을 지칭하도록 의도된다. 도 9a에 도시된 특정 실시예에서, 마이크로 LED 디바이스(400)들 둘레의 광 파이프는 마이크로 LED 디바이스들의 측방향 및 위에 있다.
광 파이프 형태의 배광 층(320)은 광 파이프 밖으로 파장 변환 층(310)을 향하는 마이크로 LED 디바이스(400)에서 나온 입사광의 굴절을 허용하고, 배광 층(320) 내의 마이크로 LED 디바이스(400)들에서 나온 입사광의 내부 반사 및 측방향 확산을 일으키도록 형상화될 수 있다. 배광 층(320)은 마이크로 LED 디바이스(400)보다 더 두꺼울 수 있다. 일 실시예에서, 배광 층(320)의 두께는 1 μm 내지 100 μm이다. 배광 층의 측방향 길이/폭은 입사광의 측방향 확산을 지원하기 위하여 배광 층의 두께보다 더 클 수 있다. 예시적인 실시예에서, 100 μm × 100 μm 폭의 서브픽셀을 고려하면, 배광 층(320)은 100 μm의 측방향 길이, 100 μm의 측방향 폭 및 최대 측방향 길이 또는 폭과 동일하거나 작은 높이를 가질 수 있다.
배광 층(320)은 또한 광 파이프 밖으로 굴절되는 광의 반경방향의 확산을 형성하기 위하여 돔 형상일 수 있다. 돔 형상 프로파일은 반구형일 수 있다. 돔 형상은 또한 납작하거나, 또는 좁을 수 있다. 일부 실시예들에서, 배광 층(320)은 세장형 돔 형상이다. 일 실시예에서, 배광 층(320)의 두께 및 프로파일은 마이크로 LED 디바이스(400)들의 광 방출 빔 프로파일뿐만 아니라, 에지 효과에 관련된 수 있는 디스플레이의 각도에 대한 색상 특성을 변경하기 위하여 마이크로 렌즈 구조체가 형성되는 베이스 구조체를 제공한다. 배광 층(320)은 다양한 투명 재료들, 예컨대 에폭시, 실리콘(silicone), 및 아크릴로 형성될 수 있고, 이것들은 공칭 590 nm 파장에서 다음의 보고된 굴절률(n)을 갖는다: n = 1.51 내지 1.57(에폭시), n= 1.38 내지 1.58(실리콘), n = 1.49(아크릴). 일 실시예에서, 배광 층(320)은 잉크젯 프린팅에 의해 형성된다. 일 실시예에서, 배광 층(320)은 용융 유리의 적용에 의해 형성된다. 유리 조성물들은 아크릴 유리, 크라운 유리, 플린트 유리, 및 붕규산 유리에 이르는 다양한 조성물들에 이를 수 있고, 이것들은 에폭시, 실리콘, 또는 아크릴과 같은 파장 변환 층(310)을 형성하는 매트릭스 재료의 굴절률과 매칭될 수 있는 굴절률을 갖는다. 배광 층(320)의 특정 프로파일은 여러 공정 기술들을 통해 생성될 수 있다. 한가지 방법은 잉크 프린트된 재료들 상의 표면 장력을 조정하는 것이다. 마이크로 렌즈들을 형성하는 데 사용되는 것들과 같은 리소그라피 또는 기타 웨이퍼 레벨 광학 기술이 또한 사용될 수 있다. 주형(moulding) 또는 임프린트 리소그라피와 같은 물리적 기술들이 또한 사용될 수 있다.
도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프 형태의 배광층 및 광 파이프 위의 파장 변환 층의 측단면도이다. 도 9b에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 디바이스(400)들로부터 방출된 입사광은 배광 층(320) 밖으로 굴절되어 파장 변환 층(310) 안으로 굴절될 수 있고, 또한 배광 층(320) 내에 내부적으로 반사되어 마이크로 LED 디바이스들에서 나온 입사광의 측방향 확산을 일으켜 결국 반사된 광이 배광 층(320) 밖으로 굴절되어 파장 변환 층(310) 안으로 굴절되게 한다. 도 9c 및 도 9d는 본 발명의 실시예들에 따른 광 파이프 형태이고 끝이 좁아지는 프로파일을 갖는 배광 층의 측단면도들이다. 도 9c의 도시된 특정 실시예에서, 배광 층(320)은 측방향 에지들을 향해 끝이 좁아져서 배광 층이 에지에서 중간보다 더 얇다. 배광 층(320)의 끝이 좁아지는 두께는 반사를 증가시켜, 결국에는 광이 에지를 통해서 보다는 배광 층의 상부 표면을 통해서 굴절되도록 할 수 있다. 도 9d에 도시된 실시예에서, 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스가 배광 층(320)의 한 쪽 에지에 더 가까이 배치되고, 이것은 한쪽에서 다른쪽으로 끝이 좁아진다. 이런 방식으로, 배광 층(320)은 광을 배광 층의 한쪽에서 다른 쪽으로 안내할 수 있고, 광은 배광 층의 측면을 통해서 보다는 상부 표면을 통해서 굴절된다.
배광 층(320)은 마이크로 LED 디바이스(400)에서 나온 입사광의 굴절 및 반사를 허용하는 것 뿐만 아니라, 또한 마이크로 LED 디바이스(400)들로부터 방출된 광이 파장 변환 층(310)에 진입하기 이전에 확산될 수 있도록 할 수 있고, 이것은 파장 변환 층에 진입하는 광의 광학적 강도를 감소시킨다. 일 양태에서, 내부적으로 반사된 광은 마이크로 LED 디바이스(400)들, 마이크로 LED 디바이스들을 포함하는 픽셀, 또는 서브픽셀의 충전율 개선을 허용한다. 다른 양태에서, 확산 광(반사된 광뿐만 아니라, 반사되지 않은 입사광)으로 인해 배광 층 위에 형성되는 파장 변환 층(310)으로부터의 방출이 더 균일하게 될 수 있다. 다른 양태에서, 배광 층(320)은 광이 방출되기 전에 디바이스에서 이동하는 길이가 증가되도록 기능할 수 있다. 이로 인해 광학 밀도가 감소되고 파장 변환 층에 있는 형광체 입자들의 열적 열화를 감소시켜, 디스플레이 디바이스의 수명을 연장시킬 수 있다. 이것은 또한 파장 변환 층에서 형광체 입자들의 용적 부담을 증가시켜야 할 필요 없이, 파장 변환 층에 있는 형광체 입자들에 의한 색 변환의 가능성을 증가시킬 수 있다. 또 다른 양태에서, 광의 확산 및 광학적 강도의 감소는 마이크로 LED 디바이스(400)들에 의해 다른 방식으로 재흡수될 수도 있는 파장 변환 층으로부터의 재반사량을 감소시킬 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른, 배광 층(320)은 충전율을 증가시키고, 총 광 방출을 증가시키고, 방출 균일성을 증가시키고, 디스플레이 디바이스를 위한 색상 스펙트럼의 선명도를 증가시킬 수 있다. 배광 층의 두께 및 프로파일은 또한 마이크로 LED 디바이스(400)들의 광 방출 빔 프로파일뿐만 아니라, 에지 효과에 관련된 수 있는 디스플레이의 각도에 대한 색상 특성을 변경하기 위하여 마이크로 렌즈 구조체가 형성되는 베이스 구조체를 제공할 수 있다.
선택적인 배광 층(320)의 형성 이후에, 파장 변환 층(310)을 형성하기 이전에 배광 층(320) 위에 선택적으로 매칭 층(222)이 형성될 수 있다. 매칭 층(322)은 광의 재반사를 감소시키기 위하여 배광 층(320)의 굴절률과 파장 변환 층(310)의 굴절률이 매칭되도록 기능할 수 있다. 예를 들어, 층(320, 310)이, 예를 들어, 상이한 굴절률을 갖는 에폭시, 실리콘, 아크릴, 또는 유리로 형성되는 경우, 매칭 층(322)은 층(320, 310) 사이의 굴절률을 갖는 에폭시, 실리콘, 아크릴, 또는 유리로 형성된다. 본 발명의 실시예들에 따른, 층(320, 310)을 형성하는 중합체 매트릭스는 동일하고, 층(320, 310)은 동일한 굴절률을 갖는다. 다른 실시예에서, 층(320, 310)의 굴절률은 0.3 내에 있고, 또는 더 구체적으로 0.1 내에 있다. 일 실시예에서, 매칭 층의 두께는 2 μm 이하이다. 일 실시예에서, 매칭 층(322)의 경화는 열 또는 UV일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른, 파장 변환 층(310)은 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에 형성되고, 선택적인 배광 층(320) 및 매칭 층이 존재하는 경우, 그 위에 형성된다. 일 실시예에서, 파장 변환 층은 광 방출 스펙트럼을 제어하기 위한 형광체 입자들을 포함한다. 일 실시예에서, 파장 변환 층은 혼합된 색 방출 스펙트럼(예를 들어 적색, 청색, 녹색, 황색 등 중 임의의 것의 조합)을 위한 상이한 형광체 입자들(설계된 크기 또는 형상, 또는 조성물에서 차이남)을 포함한다. 다른 실시예에서, 파장 변환 층은 단일 색 방출 스펙트럼(예를 들어 적색, 청색, 녹색, 황색 등)을 위하여 설계된 형광체 입자들을 포함한다.
일 실시예에서, 파장 변환 층(310)은 형광체 입자들로 형성된다. 예를 들어, 파장 변환 층은 이후 용매들이 제거되는, 스프레이 증착 방법으로 형성된다. 일 실시예에서, 파장 변환 층은 중합체 또는 유리 매트릭스 재료와 같은 매트릭스 재료 내에 분산된 형광체 입자들을 포함한다. 안료, 염료, 또는 산란 입자들과 같은 기타 충전 재료들이 또한 매트릭스 내에 또는 매트릭스 재료가 없는 경우 형광체 입자들 사이에 직접 분산될 수 있다. 일 실시예에서, 파장 변환 층(310)은 잉크젯 프린팅에 의해 형성되고, UV 경화된다. 일 실시예에서, 파장 변환 층(310)은 용융 유리의 적용에 의해 형성되고, 충전재들은 열적으로 그리고 화학적으로 용융 유리 내에서 안정적이다. 파장 변환 층(310)의 두께, 및 예를 들어 형광체 입자들, 안료, 염료, 또는 광 산란 입자들과 같은 충전재들의 농도는 필요한 색상 스펙트럼을 성취하기 위하여 튜닝된다. 예를 들어, 일 실시예에서 두께 및 농도는 마이크로 LED 디바이스들로부터 파장 변환 층을 걸쳐 색 번짐을 최소화하고, 형광체 입자에서 나온 방출을 최대화하도록 튜닝된다. 파장 변환 층(310)(및 배광 층)의 두께는 또한 마이크로 LED 디바이스들 사이의 간격에 의해 부분적으로 결정될 수 있다. 예를 들어, 조명 애플리케이션에 비교하여 고해상도 디스플레이 애플리케이션에서 마이크로 LED 디바이스들은 서로 더 가까이 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 파장 변환 층(310)의 두께는 5 μm 내지 100 μm이고, 또는 더 구체적으로 폭 5 μm 높이 3.5 μm의 예시적인 마이크로 LED 디바이스(400)에 대하여 두께는 30 μm 내지 50 μm이다. 일부 실시예들에서, 파장 변환 층의 두께 및 충전재들의 농도는 마이크로 LED 디바이스(400)에서 나온 일부 광이 통과할 수 있도록 설계되어, 마이크로 LED 디바이스 광 스펙트럼과 변환된 광 스펙트럼의 혼합을 만들어 혼합된 방출 스펙트럼, 예를 들어, 백색 광을 얻을 수 있다. 색 변환 재료들(예를 들어 형광체 입자들, 안료, 염료)의 농도 및 층들의 두께는 발광 디바이스의 특정 응용, 예를 들어, 완전한 색 변환(예를 들어 청색에서 적색, 또는 청색에서 녹색 등)이 발생하는 경우, 기저의 마이크로 LED 디바이스들로부터의 광의 누설 또는 번짐이 발생하는 경우, 또는 변환 재료들의 혼합이 사용되는 경우에 따라 달라질 수 있다. 완전 색 변환(예를 들어 청색에서 적색, 또는 청색에서 녹색 등)이 50% 보다 큰 용적 부담 퍼센트에서 발생하는 실시예에서, 색 변환 재료들은 파장 변환 층에 포함될 수 있다. 일 실시예에서, 파장 변환 층은 50% 보다 큰 용적 부담의 형광체 입자들을 포함한다. 배광 층(320)은 파장 변환 층에 있는 형광체 입자들의 용적 부담을 증가시키지 않고 파장 변환 층(310)에 있는 형광체 입자들에 의해 색 변환될 가능성을 증가시키기 위하여 광이 방출되기 전에 디바이스에서 이동하는 길이가 증가되도록 기능할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른, 용어 "형광체"는 하나의 파장의 광을 흡수하고 다른 파장의 광을 방출할 임의의 유형의 파장 변환 재료를 지칭할 수 있다. 형광체 입자의 한 유형은 양자점이다. 양자점들은 구조체의 크기가 매우 작아(수십 나노미터 미만) 전기적 및 광학적 특성들이 양자 구속 효과로 인해 벌크 특성들과 상이한 반도체 재료들이다. 예를 들어, 양자점들의 방출 특성들은 그것들의 조성물뿐만 아니라 그것들의 크기 및 형상에 관련된다. 양자점들의 형광은 특정 파장을 흡수함으로써 원자가전자를 여기시키고, 이어서 여기된 전자들이 기저 상태로 돌아갈 때 낮아진 에너지를 광자들의 형태로 방출한 결과이다. 양자 구속은 가전자대와 전도대 사이의 에너지 차이가 양자점의 크기 및 형상에 기초하여 변하도록 하며, 이는 방출된 광자들의 에너지 및 파장이 양자점의 크기 및 형상에 의해 결정된다는 것을 의미한다. 양자점이 클수록, 그것의 형광 스펙트럼의 에너지는 낮아진다. 따라서, 더 작은 양자점들은 더 청색의 광(더 높은 에너지)을 방출하고 더 큰 양자점들은 더 적색의 광(더 낮은 에너지)을 방출한다. 이것은 가시 스펙트럼에 걸친 반도체 광 발광(photoluminescence) 방출 파장의 크기 의존적 튜닝을 허용하여, 방출 스펙트럼이 선명하고 양자 효율이 높아진다.
양자점 재료들의 예들은 II-VI족, III-V족, IV-VI족 반도체 재료들을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 일부 예시적인 화합물 반도체는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb를 포함한다. 일부 예시적인 합금형 반도체는 InGaP, ZnSeTe, ZnCdS, ZnCdSe, 및 CdSeS를 포함한다. 다중 코어 구조체 또한 가능하다. 예시적인 다중 코어 구성은 반도체 코어 재료, 산화로부터 코어를 보호하고 격자 정합을 보조하는 얇은 금속 층, 및 발광 특성들을 강화하기 위한 쉘을 포함할 수 있다. 쉘은 양자점의 방출 스펙트럼과 상이한 특정 스펙트럼에서 광을 흡수하도록 기능할 수 있다. 코어 및 쉘 층들은 동일한 재료로 형성될 수 있고, 위에서 나열된 예시적인 화합물 반도체 또는 합금형 반도체 중 임의의 것으로 형성될 수 있다. 금속 층은 종종 Zn 또는 Cd를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른, 형광체 입자의 한 유형은 그것의 조성물에 기인한 발광을 나타내는 입자이다. 그것들의 조성물에 기인하여 발광을 나타내는 일부 예시적인 형광체 입자들은 황화물, 알루민산염, 산화물, 규산염, 질화물, YAG(선택적으로 세륨으로 도핑됨), 및 테르븀 알루미늄 가넷(TAG) 기반 재료들을 포함한다. 기타 예시적인 재료들은 황색-녹색 방출 형광체들: (Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu(녹색),(Lu, Y)3Al5O12:Ce3+(LuAG, YAG)(황색-녹색), Tb3Al5O12:Ce3+(TAG)(황색-녹색); 주황-적색 방출 형광체들: BaMgAl10O17:Eu2+(Mn2+), Ca2Si5N8:Eu2+(주황-적색),(Zn,Mg)S:Mn(녹색, 적색),(Ca,Sr,Ba)S:Eu2+(적색); 청색 및 황색-녹색 방출을 위한 uv-남색 흡수 형광체들: (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu2+(uv-청색 여기, 황색 방출), (Mg,Ca,Sr,Ba)3Si2O7:Eu2+ (uv-남색 여기, 청색-녹색 방출), Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+(uv-남색 여기, 청색 방출); 및 조성물 및 프로세싱에 따라 전체 가시 스펙트럼에 걸쳐 방출할 수 있는 형광체들 (Sr,Ca,Ba)SixOyNz:Eu2+ (y>0 녹색, y=0 적색), Y2O2S:Eu3 + (청색-녹색), (Ca,Mg,Y)vSiwAlxOyNz:Eu2 (황색-녹색-적색)을 포함한다. 일부 실시예들에서 그러한 형광체 입자들의 입자 크기는 1 μm 내지 20 μm일 수 있다. 다른 실시예들에서, 그러한 형광체 입자들의 입자 크기는 100 nm 내지 1 μm의 나노입자들일 수 있다. 형광체 입자들은 또한 1 μm 내지 20 μm 입자들과 100 nm 내지 1 μm 나노입자들의 혼합물을 포함할 수 있다. 나노입자들은, 예를 들어, 경화 또는 용매 제거 전에 파장 변환 층의 매트릭스 재료 내에 분산될 때 정착량을 감소시키는데 유용할 수 있고, 이는 나노입자들의 분포 및 발광 디바이스의 광 방출을 더 균일하게 할 수 있다.
다른 재료들 또한 파장 변환 층 내에 분산될 수 있다. 예를 들어, 다른 재료들이 파장 변환 층의 유리 또는 중합체 매트릭스와 같은 매트릭스 재료 내에 분산될 수 있다. 일 실시예에서, TiO2 또는 Al2O3 입자들과 같은 광 산란제가 파장 변환 층 내에 분산된다. 그러한 광 산란제들은 파장 변환 층 내의 산란 광을 증가시킴으로써 형광체 입자 효율을 증가시키는 효과를 가질 수 있다. 그러한 광 산란제들은 추가적으로 파장 변환 층을 거치는 마이크로 LED 디바이스 방출 광의 번짐 감소의 효과를 가질 수 있다. 광 산란 입자들은 또한 광이 마이크로 렌즈 구조체로부터 방출되는 시기 및 장소를 제어하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 더 높은 농도의 광 산란 입자들이 마이크로 렌즈 구조체의 단부, 예를 들어 파장 변환 층의 측방향 에지들에 배치되어 광을 밖으로 안내할 수 있다. 일 실시예에서, 안료 또는 염료가 파장 변환 층(310) 내에 분산될 수 있다. 이것은 색상 필터를 파장 변환 층에 통합하는 효과를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 안료 또는 염료는 형광체 입자의 방출 파장과 유사한 색상을 가질 수 있다. 이런 방식으로, 안료 또는 염료는 형광체 입자로부터 방출되는 파장 이외의 파장들을 흡수하여, 조립체의 방출 스펙트럼을 더욱 선명하게 할 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 마이크로 LED 디바이스(400)는 갈륨 질화물(GaN) 기반 재료이고, 청색(예를 들어 450 nm 내지 495 nm) 또는 남색(예를 들어 420 nm 내지 450 nm) 광을 방출한다. 적색 방출을 위하여 설계된 양자점들이 파장 변환 층(310)에 분산되어 마이크로 LED 디바이스(400)로부터의 청색 또는 남색 방출을 흡수하고 방출 파장을 적색으로 변환하도록 할 수 있다. 그와 같은 실시예에서, 적색 안료 또는 염료 또한 파장 변환 층(310) 내에 분산되어 또한 적색 이외의 색상들을 흡수할 수 있다. 이런 방식으로, 적색 안료 또는 염료는 추가적인 청색 또는 남색 광을 흡수함으로써, 변환되지 않은 청색 또는 남색 광의 번짐을 감소시킬 수 있다. 예시적인 안료들은 리톨 루빈(적색), B-구리 탈로시아닌(cooper thalocyanine)(청색), 및 디아릴리드 황색(황색)을 포함한다. 청색 마이크로 LED 디바이스 및 적색 안료 또는 염료를 구비한 적색 형광체 입자들은 예시적이고 마이크로 LED 디바이스들 및 파장 변환 층들을 위한 다양한 방출 스펙트럼 구성들이, 존재하는 경우, 가능하다는 것을 이해할 것이다.
본 발명의 일부 실시예들에 따라, 파장 변환 층(310)을 형성하는 중합체 매트릭스는 산소 또는 습기를 투과시킬 수 있다. 일 실시예에서, 파장 변환 층(310)의 형성 이후에, 산소 배리어 필름(324)이 산소 또는 습기 흡수로부터 파장 변환 층(310)을 보호하기 위하여 선택적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 층(310)이 양자점들을 포함하는 경우, 산소 배리어 필름(324)은 양자점들에 의한 산소 또는 습기 흡수에 대하여 배리어의 역할을 함으로써, 디스플레이 디바이스의 양자점들의 수명을 연장할 수 있다. 산소 배리어 필름(324)에 적합한 재료들은 Al2O3, SiO2, SiNx, 및 유리를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 산소 배리어 필름(324)의 퇴적 방법은 양자점들 또는 다른 충전재들을 열적으로 열화시키지 않기 위하여 저온 방법일 수 있다. 예시적인 등각의 퇴적 방법은 원자층 증착(ALD), 스퍼터링, 스핀 온, 및 라미네이션을 포함한다. 산소 배리어 필름은 또한 전체 기판 위에, 또는 모든 마이크로 LED 디바이스들 위에 퇴적되는 블랭킷일 수 있다. 일 실시예에서, Al2O3 산소 배리어 필름은 원자층 증착(ALD)에 의해 퇴적된다.
이제 도 10a 내지 도 10c를 참조하여, 배광 층(320)이 광 파이프 형태이고 마이크로 LED 디바이스(400)들 바로 위에 반사 층(330)들을 포함하는 실시예들에 대한 조합도 및 측단면도들이 제공된다. 반사 층(330)들은 상이한 위치에 제공될 수 있고, 이로 인해 광 파이프 및 파장 변환 층 구성에 상이한 효과를 줄 수 있다. 도 10b에 도시된 일 실시예에서 반사 층(330)들은 파장 변환 층(310) 위에 형성된다. 이런 방식으로, 반사 층은 마이크로 LED 디바이스(400)들로부터 방출된 입사광이, 광학적 강도가 가장 센 마이크로 LED 디바이스들에 가장 가까운 위치에 있는 파장 변환 층(310)을 통해 번지는 것을 막을 수 있다. 입사광의 반사는 또한 측방향으로 광을 확산함으로써 충전율을 개선하는 효과를 가질 수 있다. 반사 층(330)들의 다른 효과는 또한 파장 변환 층을 통해 입사광이 통과하는 수를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 입사광이 파장 변환 층(310)을 3회 및 5회 통과하는 상황이 도시된다. 각각 통과할 때마다, 형광체 입자들은 여기되고 변환된 스펙트럼을 방출한다. 이런 방식으로, 파장 변환 층(310)에 있는 형광체 입자들의 효율이 개선됨으로써 시스템의 변환된 스펙트럼 광 강도를 증가시키고, 또한 동시에 충전율을 개선하고, 파장 변환 층(310)으로부터 더 균일한 방출을 제공할 수 있다.
도 10c에 도시된 다른 실시예에서 반사 층(330)들은 배광 층(320)과 파장 변환 층(310) 사이에 형성된다. 그와 같은 구성에서, 반사 층은 입사광의 측방향 확산에 영향을 주고, 충전율을 개선할 수 있다. 그와 같은 구성은 또한 입사광이, 광학적 강도가 가장 센 마이크로 LED 디바이스들에 가장 가까운 위치에 있는 파장 변환 층(310)으로 진입하는 것을 막을 수 있다. 그와 같이, 파장 변환 층(310)을 통한 입사광의 번짐은 감소될 수 있다. 이 구성은 또한 특히 광학적 강도가 가장 셀 수도 있는 곳에 있는 형광체 입자들의 수명을 증가시킬 수 있다.
도 10d 내지 도 10f는 도 10a 내지 도 10c에 대하여 도시되고 설명된 것들과 유사한 실시예들을 도시한다. 도 10d 내지 도 10f에서 도시된 실시예들에서, 반사 층(330)이 리페어 마이크로 LED 디바이스를 포함하는 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍 위에 형성되고, 선택적으로 누락, 결함, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X) 위에 형성되지 않는다. 대안적으로, 반사 층은 또한 누락, 결함, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X) 위에도 형성될 수 있다.
위에서 설명하고 도 10a 내지 도 10f에 도시된 반사 층(130)은 납작한 층들인 것으로 도시된다. 그러나, 반드시 반사 층(330)들이 납작할 필요는 없다. 어떠한 구성도 가능하고, 반사 층(330)들은 광 방출의 방향을 제어하도록 형상을 만들수 있다. 반사 층(330)들은 또한 마이크로 LED 디바이스들 바로 위에 형성될 필요는 없고, 다른 위치들에서, 예컨대 광 파이프 또는 파장 변환 층의 측방향 에지를 따라 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른, 마이크로 LED 디바이스 및 파장 변환 층을 포함하는 발광 디바이스 구성들이 다양한 디스플레이 디바이스들에 통합될 수 있다. 예시적인 디스플레이 애플리케이션은 디스플레이 간판, 디스플레이 패널, 텔레비전, 태블릿, 전화기, 랩톱, 컴퓨터 모니터, 키오스크, 디지털 카메라, 핸드헬드 게임 콘솔, 미디어 디스플레이, 전자책 디스플레이, 또는 대형 간판 디스플레이를 포함한다.
파장 변환 층들은 모두 동일한 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계될 수 있거나, 또는 파장 변환 층들 각 그룹이 상이한 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계된 파장 변환 층들의 다수의 그룹들로 분리될 수 있다. 이런 방식으로, 디스플레이는 마이크로 LED 디바이스와 파장 변환 층의 배열 및 내용에 따라 임의의 색상 또는 색상들의 패턴을 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 백색 광은 청색 방출(예를 들어 450 nm 내지 495 nm) 마이크로 LED 디바이스 위에 위치한 파장 변환 층에 적색(예를 들어 620 nm 내지 750 nm)과 녹색(예를 들어 495 nm 내지 570 nm) 방출 형광체 입자들을 포함함으로써 생성될 수 있다. 다른 실시예에서, 백색 광은 다수의 마이크로 LED 디바이스들을 픽셀에 포함함으로써 생성되고, 각각의 마이크로 LED 디바이스가 동일한 방출 스펙트럼(예를 들어 가시 스펙트럼 또는 UV 스펙트럼)을 방출하도록 설계되고, 상이한 파장 변환 층들이 색 방출을 변환하도록 설계된다. 이런 방식으로, 각각의 배광 층 위에 단일 색 방출 스펙트럼의 형광체 입자들을 포함함으로써, 상이한 형광체 입자들의 상이한 방출 스펙트럼으로부터 방출된 광의 2차 흡수가 방지된다. 이것은 효율을 증가시키고 의도하지 않은 색변이를 감소시킨다.
이제 도 11a을 참조하여, 디스플레이 기판(102)에 본딩된 복수의 마이크로 LED 디바이스(400), 복수의 마이크로 LED 디바이스(400)를 둘러싼 광 파이프 형태의 복수의 배광 층(320), 및 복수의 배광 층(320) 위의 복수의 파장 변환 층(310)을 포함하는 디스플레이의 조합도가 제공된다. 도시된 특정 실시예에서, 픽셀(106)은, 예를 들어 RGB 서브픽셀 배열에서 방출을 변환하도록 설계된 배광 층(320)과 파장 변환 층(310)들 내에 복수의 마이크로 LED 디바이스(400)를 포함한다. 일 실시예에서, 블랙 매트릭스 재료(202)는 기판(102) 위, 그리고 광 파이프들 사이에 형성되어 광을 흡수하고 인접한 픽셀(106) 또는 서브픽셀(108)로의 색 번짐을 방지할 수 있다. 대안적으로, 블랙 매트릭스 재료(202)는 백색 매트릭스 재료로 교체되어 광을 반사하고 인접한 픽셀(106) 또는 서브픽셀(108)로의 색 번짐을 방지할 수 있다.
픽셀 구성에 배열되면, 각각의 서브픽셀(108)은, 존재하는 경우, 단일 형광체 색 방출을 포함할 수 있다. 각각의 서브픽셀은 마찬가지로, 존재하는 경우, 상이한 형광체 색 방출을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 상이한 스펙트럼을 방출하는 형광체 입자로부터 방출된 광의 2차 흡수(예를 들어 녹색 방출 형광체 입자로부터 방출된 녹색 광이 적색 방출 형광체 입자에 의해 흡수)가 방지된다. 이것은 효율을 증가시키고 의도하지 않은 색변이를 감소시킨다. 그와 같은 픽셀 및 서브픽셀 구성은 백색 광, 또는 임의의 다른 광의 색의 최종 출력에 사용될 수 있다.
예를 들어, 픽셀은 3 개의 광 파이프에 3 개의 마이크로 LED 디바이스를 포함하거나, 또는 각각의 광 파이프에 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스를 포함할 수 있고, 모든 마이크로 LED 디바이스들은 청색 광을 방출하도록 설계되는데, 1 개의 적색 방출 파장 변환 층이 하나의 광 파이프 위에 있고, 1 개의 녹색 방출 파장 변환 층이 제2 광 파이프 위에 있고, 제3 광 파이프는 그것 위에 파장 변환 층을 포함하지 않거나 또는 그것 위에 청색 방출 파장 변환 층을 포함한다. 일 실시예에서, 백색 광은 다수의 마이크로 LED 디바이스들을 픽셀에 통합함으로써 생성될 수 있고, 각각의 마이크로 LED 디바이스는 UV 광을 방출하도록 설계되는데, 1 개의 적색 방출 변환 층은 제1 광 파이프 위에 있고, 1 개의 녹색 방출 파장 변환 층은 제2 광 파이프 위에 있고, 1 개의 청색 방출 파장 변환 층은 제3 광 파이프 위에 있다. 다른 실시예에서, 백색 광은 상이한 방출 스펙트럼을 위하여 설계된 마이크로 LED 디바이스들과 상이한 파장 변환 층들의 조합하거나 또는 파장 변환 층들이 없이 통합함으로써 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 백색 광은 적색 방출을 위해 설계된 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프가 파장 변환 층이 덮이지 않은 것, 청색 방출을 위해 설계된 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프가 녹색 방출을 위해 설계된 파장 변환 층으로 덮인 것, 청색 방출을 위해 설계된 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프가 파장 변환 층이 덮이지 않은 것으로 생성될 수 있다.
위에 예시적인 실시예들에서, 적색-녹색-청색(RGB) 서브픽셀 배열이 획득되고, 각각의 픽셀은 각각 적색, 녹색 및 청색 광을 방출하는 3 개의 서브픽셀을 포함한다. RGB 배열은 예시적이고 실시예들은 그렇게 제한되지 않음을 이해할 것이다. 활용될 수 있는 다른 서브픽셀 배열들의 예시는 적색-녹색-청색-황색(RGBY), 적색-녹색-청색-황색-시안(RGBYC), 또는 적색-녹색-청색-백색(RGBW), 또는 픽셀들이 상이한 개수의 서브픽셀들, 예컨대 상표명 펜타일(PenTile).RTM으로 제조된 디스플레이를 가질 수 있는 기타 서브픽셀 매트릭스 구조를 포함하지만, 이렇게 제한되지 않는다.
도 11b 내지 도 11e는 본 발명의 실시예들에 따른 다양한 픽셀 구성들의 개략적인 측면도이다. 구체적으로 도시되지 않지만, 각각의 마이크로 LED 디바이스(400)는 서브픽셀(108)의 반사 뱅크 층(142) 내에 실장된 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400) 중 하나일 수 있고, 예를 들어, 도 1a 내지 도 1d에 대하여 위에서 도시되고 설명된 바와 같다.
도 11b는 본 발명의 실시예에 따른 픽셀(106)의 개략적인 측면도이다. 도 11b에 도시된 바와 같이, 각각의 마이크로 LED 디바이스(400)는 남색(DB) 색상 스펙트럼을 방출하도록 설계된다. 그와 같은 실시예에서, 상이한 파장 변환 층(310)들은 RGB 서브픽셀 배열에서 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)을 방출하도록 설계될 수 있다.
도 11c는 본 발명의 실시예에 따른 픽셀(106)의 개략적인 측면도이다. 도 11c에 도시된 바와 같이, 각각의 마이크로 LED 디바이스(400)는 청색(B) 색상 스펙트럼을 방출하도록 설계된다. 그와 같은 실시예에서, 상이한 파장 변환 층(310)들은 적색(R) 및 녹색(G)을 방출하도록 설계될 수 있다. 파장 변환 층(310)이 제3 배광 층(320) 위에 형성되지 않는다. 이런 방식으로 청색 방출 서브픽셀로부터 청색 광을 변환할 필요 없이 RGB 서브픽셀 배열이 성취된다. 일 실시예에서, 제3 배광 층(320)은 유사한 마이크로 렌즈 특성을 얻기 위하여 그 위에 파장 변환 층(310)들이 형성되는 다른 두 배광 층(320)보다 두껍게 만들어질 수 있다. 예를 들어, 제3 배광 층(320)의 두께는 제1 배광 층(320)과 제1 적색 파장 변환 층(310)(및 임의의 중간 층들)의 총 두께와 유사할 수 있다.
도 11d는 본 발명의 실시예에 따른 픽셀(106)의 개략적인 측면도이다. 도 11d에 도시된 바와 같이, 각각의 마이크로 LED 디바이스(400)는 자외(UV) 색상 스펙트럼을 방출하도록 설계된다. 그와 같은 실시예에서, 상이한 파장 변환 층(310)들은 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)을 방출하도록 설계될 수 있다.
도 11e는 본 발명의 실시예에 따른 픽셀(106)의 개략적인 측면도이다. 도 11e에 도시된 바와 같이, 픽셀(106)은 적색(R) 또는 청색(B) 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계된 마이크로 LED 디바이스(400)들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 녹색(G) 방출 파장 변환 층(310)이 청색 방출 마이크로 LED 디바이스(400) 중 하나를 둘러싼 배광 층(320) 중 하나 위에 형성되고, 파장 변환 층(310)은 적색 방출 마이크로 LED 디바이스(400) 또는 다른 청색 방출 마이크로 LED 디바이스(400) 주위에 형성된 배광 층(320) 위에 형성될 필요가 없다. 그와 같은 구성은, 예를 들어, 녹색 방출 마이크로 LED 디바이스들보다 더 효율적인 청색 방출 및 적색 방출 마이크로 LED 디바이스들을 제조하고 집적하는 것이 가능할 때 구현될 수 있다. 그와 같은 실시예에서, 파장 변환 층을 이용하여 청색 광을 녹색 광으로 변환하는 것이 더 효율적일 수 있다. 그와 같은 구성은 또한 시각적 반응 피크(visual response peak), 약 555 nm에서 넓은 스펙트럼을 제공할 때 유용할 수 있다. 그와 같은 구성은 또한, 예를 들어 더 넓은 형광체 입자 방출 스펙트럼 대신에 마이크로 LED 디바이스의 좁은 적색(또는 청색) 방출 스펙트럼을 사용함으로써 연색 지수(color rendering index; CRI)를 증가시키는 데 유용할 수 있다. 그와 같은 구성은 또한 발광 디바이스의 연관 제어 온도(correlated control temperature; CCT)를 제어하도록 함으로써, 적색 스펙트럼의 변환으로 인한 밝기의 손실 없이 따뜻한 느낌을 제어할 수 있다. 도 11c에 대하여 설명한 바와 같이, 도 11e의 적색 방출 마이크로 LED 디바이스 또는 다른 청색 방출 마이크로 LED 디바이스 주위에 형성된 배광 층(320)은 유사한 마이크로 렌즈 특성을 얻기 위하여 그 위에 파장 변환 층이 형성된 다른 배광 층보다 두껍게 만들어질 수 있다.
이제 도 11f 내지 도 11j를 참조하여, 도 11a 내지 도 11e에 대하여 위에서 도시하고 설명한 것들과 유사하고, 광 파이프 형태의 배광 층(320)이 각각 픽셀(108) 내의 다수의 서브픽셀에 걸쳐 이어지는 것이 한 가지 차이점인 다양한 픽셀 구성들이 도시된다. 예를 들어, 도 11f에 도시된 실시예는 광 파이프(320)가 픽셀(204)의 각각의 서브픽셀에 있는 마이크로 LED 디바이스 쌍 주위에 형성된 예시적인 RGB 서브픽셀 배열일 수 있지만, 그러나, RGBY, RGBYC, RGBW, 또는 기타와 같은 다른 서브픽셀 배열들이 가능하지만 이에 제한되지 않는다. 특히 도시된 단면에서, 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스 중 단지 단일 마이크로 LED 디바이스(400)가 도시된다. 그와 같은 배열에서 픽셀 내의 다수의 서브픽셀에 걸쳐 이어지는 광 파이프는 서브픽셀들 사이의 혼색을 가능하게 한다. 그와 같은 구성은 마이크로 LED 디바이스들 또는 서브픽셀들이 사람 눈에 의해 다른 방식으로 인식되고(예를 들어 대략 100 μm 이상) 작은 점들로 인식될 수도 있을 만큼 충분히 멀리 떨어져 있는 응용분야에서 사용될 수 있다. 도 11f 내지 도 11j의 광 파이프 구성들과 연관된 혼색을 이용하여 마이크로 LED 디바이스 방출들이 사람 눈에 의해 인식되지 않도록 마이크로 LED 디바이스 방출들을 혼합할 수 있다. 하나의 가능한 응용분야는 관찰 거리가 짧고, 관찰자가 개별적인 서브픽셀들 또는 마이크로 LED 디바이스들로부터의 방출 스펙트럼을 인식할 수 있는 가능성이 높은 헤드업 디스플레이일 수 있다.
구체적으로 도시되지 않지만, 도 11g 내지 도 11j의 각각의 마이크로 LED 디바이스(400)는 서브픽셀(108)의 반사 뱅크 층(142) 내에 실장된 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400) 중 하나일 수 있고, 예를 들어, 도 1a 내지 도 1d에 대하여 위에서 도시되고 설명된 바와 같다. 마이크로 LED 디바이스(400) 및 파장 변환 층(310)을 위한 방출 스펙트럼의 배열은 도 11b 내지 도 11e의 것과 유사하고, 한가지 차이점은 파장 변환 층(310)들이 픽셀(108)의 마이크로 LED 디바이스(400)들에 의해 공유되는 광 파이프(320)의 특정 일부분 위에만 형성된다는 것이다. 추가적인 변경내용들이 또한 도 11g 내지 도 11j에 도시된 구성들에 통합될 수 있다. 광 파이프(320)의 프로파일은 특정 마이크로 LED 디바이스(400) 위에서 변경될 수 있다. 예를 들어, 광 파이프(320)는 파장 변환 층(310)이 형성되지 않은 "노출된" 마이크로 LED 디바이스(400) 위에서 더 두껍게 만들어질 수 있다. 도 11a 내지 도 11j의 광 파이프(320)들은 또한, 예를 들어, 도 9c 및 도 9d에 대하여 이전에 설명한 바와 같이 끝이 좁아지거나, 또는 도 10a 내지 도 10f에 대하여 이전에 설명한 바와 같은 반사 층들을 포함할 수 있다.
이제 도 12a 내지 도 12f를 참조하여, 마이크로 LED 디바이스 쌍들을 구현하기 위한 다양한 구성들을 설명한다. 도 12a 내지 도 12f에 대하여 도시되고 설명되는 실시예들은 본 명세서에서 설명한 다른 구성들과 조합 가능할 수 있다. 예를 들어, 도 12a 내지 도 12e에 대하여 도시되고 설명된 구성들은 도 11a 내지 도 11e에 대하여 위에서 설명한 픽셀 배열들과 조합 가능할 수 있고, 도 12f에 대하여 도시되고 설명된 구성들은 도 11f 내지 도 11j에 대하여 위에서 설명한 픽셀 배열들과 조합 가능할 수 있다.
도 12a는 도 7b에 도시된 직사각형 반사 뱅크 층(142)의 더 짧은 폭에 걸친 측단면도를 도시한 반면, 도 12b는 도 7b에 도시된 직사각형 반사 뱅크 층(142)의 더 짧은 폭에 직교하는 더 긴 폭의 도면이다. 튜닝 가능한 색 방출 스펙트럼을 위하여 파장 변환 층들과 조합된, 중복 및 리페어 구조에 마이크로 LED 디바이스 쌍들을 집적하기 위한 특정 예들을 도시하기 위한, 도 12a 내지 도 12f에 도시된 특정 실시예들이 제공된다는 것을 이해할 것이다. 도시된 특정 실시예들은 광 파이프 형태의 세장형 돔 형상 배광 층(320) 위에 형성된 파장 변환 층(310)을 포함하고, 파장 변환 층(310)은 또한 반사 뱅크 층(142) 위에 형성된다. 게다가, 도 12a 내지 도 12f는 다양한 상부 전극 구성들을 도시한다. 그러나, 앞서 실시예 및 도면들에서 이전에 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들은 그렇게 제한되지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도 12a 내지 도 12f에 도시된 상부 전극 구성들 및 중복 및 리페어 구조의 특정 조합에 제한되지 않는다.
일 실시예에서 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400)가 기저의 회로(210)를 포함하는 기판(102) 상에 또는 그 안에 있는 반사 뱅크 층(142)에 본딩된다. 마이크로 LED 디바이스(400)들은 마이크로 LED 디바이스(400)들의 어레이의 일부로서 다양한 기술들, 예컨대 이송 본딩 프로세스, 탄성중합체 스탬프를 이용한 이송, 또는 정전기 이송 헤드 어레이를 이용한 이송 및 본딩을 이용하여 기판(102)에 이송 및 본딩될 수 있고, 이는 이전에 설명된 바와 같다. 이송 프로세스 이후, 및 도 12a 내지 도 12f에 도시된 패시베이션 층(316)들 및 상부 전극 층(318)들의 형성 이전에, 디스플레이 기판(102)은 결함, 누락, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스들에 대하여 검사될 수 있다. 이런 방식으로, 결함, 누락, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스들의 검출을 이용하여 잠재적으로 패시베이션 층(316) 및 상부 전극 층(318)들, 및 파장 변환 층들의 퇴적 패턴들을 변경하고, 잠재적으로 필요한 경우 대체 마이크로 LED 디바이스들을 이송할 수 있다.
다시 도 12a 및 도 12b를 참조하여, 측벽 패시베이션 층(316)은 마이크로 LED 디바이스(400)의 측벽 주위에 형성될 수 있다. 마이크로 LED 디바이스(400)들이 수직 LED 디바이스인 실시예에서, 측벽 패시베이션 층(316)은 양자 우물 구조체(408)들을 덮고 걸쳐 이어진다. 본 발명의 실시예들에 따른, 측벽 패시베이션 층(316)은 마이크로 LED 디바이스(400)들의 측벽으로부터의 광 추출 효율을 현저하게 감소시키지 않도록 가시 파장 스펙트럼에 투명하거나 또는 반투명할 수 있다. 측벽 패시베이션 층(316)은 에폭시, 실리콘, 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 및 폴리에스테르와 같은 다양한 재료들로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 측벽 패시베이션 층(316)은 잉크젯 프린팅에 의해 발광 디바이스(400) 주위에 형성되고, 경화가 이어진다. 일 실시예에서, 열 경화가 또한 수행될 수 있지만, 측벽 패시베이션 층(316)을 자외(UV) 광으로 경화하여 결과적으로 부피 변화를 최소화하고 마이크로 LED 디바이스와 반사 뱅크 층(142) 사이의 본딩의 완결성을 보호한다. 측벽 패시베이션 층(316)은 다른 기술들, 예컨대 질화물 또는 산화물과 같은 유전성 재료의 슬릿 코팅, 물리적 기상 증착 또는 화학적 기상 증착, 스핀 온 글래스, 또는 스프레이 코팅 후 용매 증발하는 스핀 온 기술을 이용하여 퇴적될 수 있다. 일 실시예에서, 측벽 패시베이션 층은 마이크로 LED 디바이스(400)들을 본딩하기 전에 기판(102) 위에 이미 형성된 a-상태 또는 b-상태 코팅이고, 마이크로 LED 디바이스들은 이송 및 본딩 동작 중에 코팅을 뚫고, 마이크로 LED 디바이스(400)들을 본딩한 이후에 코팅은 경화된다.
일 실시예에서 측벽 패시베이션 층(316)은 적어도 부분적으로 반사 뱅크 층(142)을 덮는다. 측벽 패시베이션 층은 반사 뱅크 층(142)을 완전히 덮을 수 있지만, 그러나, 이것이 필수적인 것은 아니다. 기타 절연 층들의 임의의 조합을 이용하여 다른 전기 전도성 층들로부터 반사 뱅크 층(142)을 전기적으로 절연할 수 있다. 예를 들어, 절연체 층(146)은 반사 뱅크 층(142)의 에지 위에 퇴적될 수 있다. 반사 뱅크 층(142)은, 예를 들어, 측벽들이 마이크로 LED 디바이스(400)들과 전기적으로 통신하는 반사 뱅크 층(142)의 하부 표면에 전기적으로 연결되지 않도록 불연속적일 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른, 등각의 유전 배리어 층(107)이 마이크로 LED 디바이스(400)들의 측벽들을 따라 존재하는 측벽 패시베이션 층(316)이 필수적이지 않을 수 있다. 대안적으로, 측벽 패시베이션 층(316)은 기존의 등각의 유전 배리어 층(107)과 조합하여 형성될 수 있다.
수직 마이크로 LED 디바이스 쌍들을 포함하는 실시예들에서, 선택적인 측벽 패시베이션 층(316)의 형성 이후에, 상부 전극 층(318)이 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍 위에 형성되고 상부 컨택(402)들 및 접지 타이 라인(144)과 전기적으로 접촉한다. 구체적인 응용에 따라, 상부 전극 층(318)은 가시 파장에 대하여 불투명, 반사성, 투명, 또는 반투명할 수 있다. 예시적인 투명 전도성 재료는 아몰퍼스 규소, 투명 전도성 산화물(TCO), 예를 들어, 인듐-주석-산화물(ITO) 및 인듐-아연-산화물(IZO), 탄소 나노튜브 필름, 또는 투명 전도성 중합체, 예를 들어, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)(PEDOT), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 및 폴리티오펜을 포함한다. 일 실시예에서 상부 전극 층(318)은 두께가 대략 50 nm 내지 1 μm인 ITO-은-ITO 스택이고, 은 층은 가시 파장 스펙트럼에 투명할 만큼 충분히 얇다. 특정 실시예에서, 상부 전극 층(318)은 잉크젯 프린팅에 의해 형성된다. 일 실시예에서 상부 전극 층(318)은 두께가 대략 50 nm 내지 1 μm인 PEDOT이다. 기타 형성 방법들은 원하는 코팅 예정 영역 및 임의의 열적 제한에 따라 화학적 기상 증착(CVD), 물리적 기상 증착(PVD), 또는 스핀 코팅을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 하나 이상의 상부 전극 층(318)을 이용하여 서브픽셀들의 어레이의 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍을 접지 타이 라인(144)까지 전기적으로 연결할 수 있다. 상이한 중복 및 리페어 구성들을 구비한 다양한 구성들이 가능하다. 명료성을 위하여, 도 12a 내지 도 12e는 단일 서브픽셀 내의 예시적인 상부 전극 층(318) 구성들로 제한되고, 도 12f는 단일 픽셀 내의 예시적인 상부 전극 층(318) 구성을 도시한다. 픽셀 영역에 걸친 다양한 상부 전극 층 구성들에 대한 도 15 내지 도 19에 대하여 더 자세한 설명이 제공된다.
다시 도 12b를 참조하면, 일 실시예에서 단일 상부 전극 층은 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스(400) 모두를 접지(144/116)에 연결한 것으로 도시된다. 예를 들어, 그와 같은 구성은 마이크로 LED 디바이스(400)들 둘 모두가 디스플레이 기판에 이송되고 결함 또는 오염이 없다고 결정되었을 때 사용될 수 있다. 도 12c를 참조하여, 마이크로 LED 디바이스(400X)가 결함 또는 오염된 것으로 결정된 실시예가 도시된다. 도시된 실시예에서, 이어서 리페어 마이크로 LED 디바이스(400)가 반사 뱅크 층(142)에 본딩되고, 이어서 하나 이상의 상부 전극 층(318)이 동작 가능한 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍 위에만 형성되어 그것들을 전기적으로 접지(144/116)에 연결한다. 도 12d 및 도 12e는 패시베이션 층(316)이 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X)들 위에, 또는 누락 마이크로 LED 디바이스의 본딩 층(140) 위에 형성될 수 있는 실시예들을 도시한다. 도 12d에 도시된 실시예에서 단일 상부 전극 층(318)이 동작 가능한 마이크로 LED 디바이스들과 결함, 오염된, 또는 누락 마이크로 LED 디바이스들 위에 형성되고, 패시베이션 층(316)은 결함, 오염된, 또는 누락 마이크로 LED 디바이스들과 전기적 접촉을 방지한다. 도 12e에 도시된 실시예에서, 하나 이상의 상부 전극 층(318)이 동작 가능한 마이크로 LED 디바이스들 위에만 형성된다.
이어서 선택적인 파장 분배 층(320), 선택적인 매칭 층(322), 파장 변환 층(310), 및 선택적인 배리어 층(324)이 형성되고, 이는 도 9a에 대하여 위에서 설명한 바와 같다. 도 11a, 도11f를 다시 간단히 참조하면, 광 전송을 막고, 인접한 서브픽셀들 사이의 광의 번짐을 분리하기 위한 블랙 매트릭스(또는 대안적으로 화이트 매트릭스) 재료(202)가 반사 뱅크 층(142)들 사이에 도시된다. 블랙(또는 화이트) 매트릭스(202)는 사용되는 재료, 및 이미 형성된 층들의 조성물에 적절히 기초한 방법으로 형성될 수 있다. 형성 방식은 또한 블랙(또는 화이트) 매트릭스가 단면 방식(도 14a 참조)으로 형성되는지 또는 하향 압축 방식(도 14b)으로 형성되는지 여부에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 블랙(또는 화이트) 매트릭스(202)는 잉크젯 프린팅, 스퍼터 및 에칭, 리프트 오프하는 스핀 코팅, 또는 프린팅 방법을 이용하여 적용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 블랙(또는 화이트) 매트릭스(202)는 이미 형성된 파장 변환 층(110)에 있는 형광체 입자들을 열적 열화시키지 않도록 잉크젯 프린팅에 의해 형성되고 UV 경화된다. 예시적인 블랙 매트릭스 재료는 탄소, 금속 필름들(예를 들어 니켈, 알루미늄, 몰리브데넘, 및 이들의 합금), 금속 산화물 필름(예를 들어 크로뮴 산화물), 및 금속 질화물 필름(예를 들어 크롬 질화물), 유기 수지, 유리 페이스트, 및 흑색 안료 또는 은 입자들을 포함하는 수지 또는 페이스트를 포함한다. 예시적인 백색 매트릭스 재료들은 예를 들어, 중합체, 유기 수지, 또는 유리 페이스트에 실린 금속 입자들 또는 TiO2 입자들을 포함한다.
다시 도 12a 내지 도 12e를 참조하여 색상 필터 층(328)이 선택적으로 파장 변환 층(310) 위에 형성되어 원하는 것들 이외의 파장 변환 층(310)을 통해 방출되는 색상들을 걸러내기 위해 그리고 발광 디바이스의 방출 스펙트럼을 선명하게 할 수 있다. 예를 들어, 적색 이외의 색을 걸러내기 위하여 적색 방출 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층(310) 위에 적색 색상 필터 층(328)이 배치될 수 있고, 녹색 이외의 색을 걸러내기 위하여 녹색 방출 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층(310) 위에 녹색 색상 필터 층(328)이 배치될 수 있고, 청색 이외의 색을 걸러내기 위하여 청색 방출 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층(310) 위에 청색 색상 필터 층(328)이 배치될 수 있다. 도 11b를 다시 참조하여, 일 실시예에서, 청색 색상 필터는 기저의 마이크로 LED 디바이스(400)가 남색을 방출하는 청색 파장 변환 층(310) 위에 필요하지 않을 수 있다. 도 11c를 다시 참조하여, 일 실시예에서, 청색 색상 필터는 기저의 노출된(예를 들어 파장 변환 층 없음) 청색 방출 마이크로 LED 디바이스(400) 위에 필요하지 않을 수 있다. 이러한 구성들은 예시적이고 다양한 구성들은 원하는 광 방출 스펙트럼에 따라 가능하다는 것을 이해할 것이다. 색상 필터에 적합한 재료들은 안료 또는 염료들을 포함하고, 이는 이전에 위에서 설명한 바와 같다. 일 실시예에서, 색상 필터 층(328)은 투명 매트릭스 재료에 분산된 안료 또는 염료를 포함한다. 일 실시예에서, 매트릭스 재료는 파장 변환 층(310)에 사용된 동일한 중합체, 예컨대 에폭시, 실리콘, 또는 아크릴이다. 마찬가지로, 색상 필터는 유사한 기술들, 예컨대 잉크젯 프린팅 및 UV 경화를 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 파장 변환 층(310)은 0.3 내의 굴절률, 또는 더 구체적으로 파장 변환 층(310)에 대한 0.1 내의 굴절률을 가진다. 도 12a 내지 도 12e에 도시된 실시예들에서, 색상 필터 층(328)은 블랙 매트릭스(202) 이후에 형성된다. 다른 실시예들에서, 색상 필터 층(328)은 블랙 매트릭스(202) 전에 형성된다.
이제 도 12f를 참조하면 본 발명의 실시예들에 따라 복수의 반사 뱅크 구조체 내의 상부 및 하부 컨택들을 구비한 복수의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프 및 광 파이프 위의 파장 변환 층을 갖는 측단면도가 제공된다. 도 12f에 도시된 구성은 도 12a의 구성과 유사하고, 차이점은 광 파이프(320)가 픽셀의 다수의 서브픽셀 위에 형성되고, 각각의 반사 뱅크 층(142)은 자신만의 기저의 회로(210)에 의해 독립적으로 어드레스 가능한 별개의 서브픽셀에 대응하는 것이다. 파장 변환 층(310)은 다른 구성들과 유사하게, 다수의 반사 뱅크 층(142)들을 포함하는 패터닝된 뱅크 층(304) 내에 있는 개구들보다 넓을 수 있다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예들에 따른 반사 뱅크 구조체 내의 하부 컨택들이 있는 복수의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프, 및 광 파이프 위에 있는 파장 변환 층의 측단면도들이다. 도 13c는 본 발명의 실시예들에 따른 복수의 반사 뱅크 구조체 내의 하부 컨택들이 있는 복수의 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 광 파이프, 및 광 파이프 위에 있는 파장 변환 층의 측단면도이다. 도 13a 내지 도 13c는 도 12a 및 도 12b 및 도 12f와 유사하고, 한가지 차이점은 마이크로 LED 디바이스(400)들이 하부 및 상부 컨택 둘 모두 보다는 하부 컨택(404, 403)들을 포함하는 것이다. 결과적으로, 접지 타이 라인(144)에 접촉하기 위하여 상부 전극 층을 형성할 필요가 없을 수 있다. 측벽 패시베이션 층(316)은 또한 생략될 수 있고, 광 파이프(320) 또는 기타 층들이 반사 뱅크 구조체 층(142A, 142B) 및 양자 우물 구조체(408)를 전기적으로 절연할 수 있다. 도시된 바와 같이, 반사 뱅크 구조체 층(142A, 142B)들은 서로 전기적으로 절연된다.
이제 도 14a 및 도 14b를 참조하여, 실시예들에 따라 디스플레이를 패키징하기 위한 대안적인 커버 설계가 설명되고 도시된다. 도 14a는 실시예에 따라 파장 변환 층들 및 블랙(또는 화이트) 매트릭스를 서브픽셀들 사이에 적용하는 단면 제조 방식의 도시이다. 도시된 바와 같이, 파장 변환 층(310)들 및 매트릭스(202)는 발광 디바이스들 위에 커버(500)를 적용하기 이전에 기판(102) 상에 형성된다. 상부 커버(500)는 경성 또는 가요성일 수 있고, 다양한 방식들로 적용될 수 있다. 일 실시예에서, 상부 커버(500)는 투명 플라스틱 재료이고 디스플레이 기판(102) 위에 라미네이트된다. 일 실시예에서, 상부 커버(500)는 광 디스플레이 기판(102) 위에 적용되고, 밀봉재로 디스플레이 기판(102)의 주변 에지 둘레에 밀봉되는 경성 유리 플레이트이다. 특히 파장 변환 층이 양자점들을 포함하는 경우, 습기를 흡수하기 위하여 마이크로 LED 디바이스들 및 파장 변환 층(310)을 포함하는 밀봉된 영역 안쪽에 게터 재료(getter material)가 선택적으로 배치될 수 있다.
도 14b는 실시예에 따라 파장 변환 층들 및 블랙(또는 화이트) 매트릭스를 서브픽셀들 사이에 적용하는 하향 압축 방식의 도시이다. 도 14b에 도시된 실시예에서, 매트릭스(202), 파장 변환 층(310), 산소 배리어 필름(324), 및 선택적인 색상 필터 층(328)이 상부 커버(500) 상에 형성되고 마이크로 LED 디바이스(400)들의 어레이 및 배광 층(320) 위에 아래로 압축된다. 일 실시예에서, 도 14b의 상부 커버(500)는 경성 유리 플레이트이고, 밀봉재로 디스플레이 기판(102)의 주변 에지들을 둘레에 밀봉된다. 특히 파장 변환 층이 양자점들을 포함하는 경우, 습기를 흡수하기 위하여 마이크로 LED 디바이스들 및 파장 변환 층(310)을 포함하는 밀봉된 영역 안쪽에 게터 재료가 선택적으로 배치될 수 있다. 도 14a 및 도 14b의 상부 커버 구성들은 본 명세서에서 설명되고 도시된 디스플레이 디바이스들을 형성할 때 사용될 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 도 12a 내지 도 12f에서 설명한 다양한 구성들을 포함하는 마이크로 LED 디바이스들의 어레이의 평면개략도이다. 도 15에 도시된 특정 실시예들에서, 상부 전극 층(318)이 복수의 뱅크 개구(128) 위에 형성되고, 복수의 서브픽셀 또는 픽셀(106)들 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상부 전극 층(318)은 픽셀 영역의 모든 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에 형성된다.
도 12b에 도시된 실시예는 임의의 누락, 결함, 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스들의 검출 없이 마이크로 LED 디바이스(400) 쌍들이 이송되는 라벨링된 픽셀(106)에서 도시된다. 이 실시예에서, 리페어 마이크로 LED 사이트(401)들이 개방이고, 리페어 마이크로 LED 디바이스들이 이송되지 않았다.
도 12d에 도시된 실시예는 또한 리페어 마이크로 LED 디바이스를 포함하는 도 15의 적색-방출 서브픽셀들 중 하나로서 도시되고, 상부 전극 층(318)은 적색 방출 마이크로 LED 디바이스(400)들 및 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X) 둘 모두의 위에 형성되고, 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스(400X)는 패시베이션 층(316)으로 덮인다.
유사하게, 리페어 마이크로 LED 디바이스를 포함하는 도 15의 청색-방출 서브픽셀들 중 하나에 대한 실시예가 도시되고, 상부 전극 층(318)은 청색 방출 마이크로 LED 디바이스(400)들 및 누락 마이크로 LED 디바이스에 대응하는 본딩 층(140) 둘 모두의 위에 형성된다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 도 12a 내지 도 12f에서 설명한 다양한 구성들을 포함하는 마이크로 LED 디바이스들의 어레이의 평면개략도이다. 도 16에 도시된 특정 실시예들에서, 마이크로 LED 디바이스(400)들의 배열들은 도 15에 대하여 위에서 설명한 것들과 동일하다. 도 16에서 도시한 실시예들은 특히 복수의 별개의 상부 전극 층(318)의 형성에서 도 15에 도시된 것들과 상이하다. 일 실시예에서, 마이크로 LED 디바이스(400)가 리페어 본딩 사이트(401) 상에 배치되지 않은 것으로 라벨링된 픽셀(106)에서 도시된 것들은, 상부 전극 층(318)들이 그 위에 형성될 필요가 없다. 따라서, 상부 전극 층(318)의 길이는 대체 마이크로 LED 디바이스가 추가되었는지 여부에 따라 결정될 수 있다. 상부 전극 층(318)은 또한 본딩 사이트(401) 위에 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상부 전극 층(318)들은 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅에 의해 형성된다. 특히 잉크젯 프린팅은 비접촉식 프린팅 방법이기 때문에 적합할 수 있다. 종래의 AMOLED 백플레인 프로세싱 시퀀스는 통상적으로 퇴적 챔버에서 상부 전극 층을 블랭킷 퇴적한 뒤, 큰 기판으로부터 개별적인 백플레인의 싱귤레이션(singulation)을 진행한다. 본 발명의 실시예들에 따른, 디스플레이 기판(102)은 마이크로 LED 디바이스들의 어레이를 이송하기 전에 큰 기판으로부터 싱귤레이션될 수 있다. 일 실시예에서 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅은 중복 및 리페어 구조에서 각각의 특정 구성에 대한 별개의 마스크 층이 필요 없이 개별적인 상부 전극 층들을 패터닝하기 위한 실용적인 방법을 제공한다. 상부 전극 층(118)들에 대한 라인 폭은 또한 응용 분야에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 라인 폭은 서브픽셀 영역의 것과 근접할 수 있다. 대안적으로, 라인 폭은 최소일 수 있다. 예를 들어, 대략 15 마이크로미터만큼 낮은 라인 폭이 상업적으로 이용 가능한 잉크젯 프린터를 이용하여 수행될 수 있고, 대략 30 마이크로미터만큼 낮은 라인 폭이 상업적으로 이용 가능한 스크린 프린터를 이용하여 수행될 수 있다. 따라서, 라인 폭은 대략 마이크로 LED 디바이스들의 최대폭일 수 있다.
도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 도 12a 내지 도 12f에서 설명한 다양한 구성들을 포함하는 마이크로 LED 디바이스들의 어레이의 평면개략도이다. 도 17에 도시된 특정 실시예들에서, 마이크로 LED 디바이스(400)들의 배열들은 도 15 및 도 16에 대하여 위에서 설명한 것들과 동일하다. 도 17에서 도시한 실시예들은 특히 상부 전극 층(318)의 형성에서 도 16에 도시된 것들과 상이하다. 도 16에 도시된 실시예들은 상부 전극 층(318)들의 길이를 변경한 것으로 도시되었지만, 도 17에 도시된 실시예들은 상부 전극 층(318)들의 경로, 및/또는 상부 전극 층(318)들의 개수를 변경한 것으로 도시된다. 예를 들어, 도 17에 도시된 상부 전극 층(318)들은 도 12c 및 도 12e에 도시된 것들에 대응할 수 있다. 도 17에 도시된 적색 및 녹색 방출 마이크로 LED 디바이스들에 대한 예시적인 실시예들에서, 서브픽셀의 각각의 마이크로 LED 디바이스(400)에 대하여 별개의 상부 전극 층(318)이 형성될 수 있다. 도시된 실시예에서 가장 기본적인 청색-방출 서브픽셀에서, 단일 상부 전극 층(318)이 서브픽셀의 다수의 마이크로 LED 디바이스(400)들에 대하여 형성될 수 있고, 경로는 본딩 층(140), 또는 대안적으로 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스를 피하여 조정된다. 이런 방식으로, 상부 전극 층(318)들의 경로를 조정하는 것은 결함 또는 오염된 마이크로 LED 디바이스들 또는 누락 마이크로 LED 디바이스들의 본딩 사이트를 덮기 위하여 패시베이션 층(316)의 퇴적을 조정하는 것에 대안적으로, 또는 추가적으로 사용될 수 있다.
별개의 상부 전극 층(318)(들)의 형성은 상부 전극 층(318)(들)의 형성 이후에 디스플레이 기판(102)의 전기 테스트를 하는 동안 추가적인 이득을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상부 전극 층(318)의 형성 이전에 마이크로 LED 디바이스(400S)의 단락을 일으키는 특정 결함을 검출해내는 것이 가능하지 않을 수 있다. 단락된 마이크로 LED 디바이스(400S)의 영향으로 서브픽셀의 임의의 다른 마이크로 LED 디바이스들이 아닌 단락된 마이크로 LED 디바이스(400S)들을 통해 모든 전류가 흐르는 어두운 서브픽셀이 될 수도 있다. 도 18에 도시된 실시예에서 단략된 마이크로 LED 디바이스(400S)에 연결된 상부 전극 층(318)은 레이저 스크라이빙과 같은 적절한 기술을 이용하여 절단된다. 이런 방식으로, 이전에 설명한 집적 테스트 방법 중에 검출될 수 없었던 또는 검출되지 않았던 전기적 단락들이 잠재적으로 상부 전극 층(318)의 형성 이후에 디스플레이를 통해 전기 전류의 인가를 이용하여 전기 테스트 동안 검출될 수도 있다. 그와 같은 실시예에서, 마이크로 LED 디바이스(400S)가 단락되는 경우, 마이크로 LED 디바이스(400S)에 대한 상부 전극 층(318)은 절단되어, 중복 및/또는 리페어 마이크로 LED 디바이스가 서브픽셀에서 방출하도록 할 수 있다.
도 19는 상부 전극 층(318)을 절단 또는 스크라이빙하는 것이 아닌 대안적인 실시예를 도시하는데, 불균일한 마이크로 LED 디바이스들을 분리하기 위하여 레이저 스크라이빙과 같은 적절한 기술을 이용하여 절단될 수 있는 다수의 하부 컨택 영역(124)을 포함하는 반사 뱅크 층(142)이 형성될 수 있다. 도시된 특정 실시예에서, 하부 컨택 영역(124)은 마이크로 LED 디바이스들을 위한 별개의 랜딩 영역을 포함한다. 도시된 특정 실시예에서, 마이크로 LED 디바이스(400S)를 지지하는 하부 컨택 영역(124)은 불균일한 마이크로 LED 디바이스를 분리하기 위하여 레이저 스크라이빙과 같은 적절한 기술을 이용하여 절단되어 충전된 개구(131)를 통해 기저의 TFT 회로와 전기 통신되지 않도록 한다.
지금까지, 본 발명의 실시예들이 기저의 회로(210)를 포함하는 디스플레이 기판(102)을 이용하여 도시되고 설명되었다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 그렇게 제한되지 않는다. 예를 들어, 회로가 마이크로 칩들의 형태로 기판의 상부에 제공될 수 있다. 도 20은 본 발명의 실시예에 따른 중복 및 리페어 사이트 구성을 포함하는 스마트 픽셀 디스플레이의 평면개략도이다. 도시된 바와 같이 디스플레이 패널(200)은 불투명, 투명, 경성, 또는 가요성 기판(201)을 포함한다. 스마트 픽셀 영역(206)은 상이한 방출색들의 별개의 서브픽셀, 및 TFT 기판에 대하여 위에서 설명한 동작 회로를 포함하는 마이크로 제어기 칩(208)을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 동작 회로를 포함하는 TFT 기판 상에 픽셀 영역을 형성하는 것 이외에, 마이크로 LED 디바이스(400)들 및 마이크로 제어기 칩(208)은 둘 모두 기판(201)의 동일한 면 또는 표면으로 이송된다. 전기 분배 라인은 마이크로 제어기 칩(208)을 TFT 기판과 유사하게 데이터 구동 회로(109) 및 스캔 구동 회로(112)에 연결할 수 있다. 마찬가지로, 반사 뱅크 층 구조체들은 TFT 기판에 대하여 위에서 설명한 것과 유사하게 기판(201) 상에 형성되어 마이크로 LED 디바이스(400)들 및 리페어 본딩 사이트(401)를 포함할 수 있다. 유사하게, 상부 전극 층(318), 또는 별개 상부 전극 층(318)들은 마이크로 LED 디바이스(400)들을 TFT 기판 구성에 대하여 위에서 설명한 것과 유사하게 접지 타이 라인(144) 또는 접지 링(116)에 연결할 수 있다. 파장 변환 층들, 및 기타 선택적인 층들은 또한 위에서 설명한 바와 같이 마이크로 LED 디바이스(400)들 위에 형성되어 결정된 색 방출 스펙트럼을 생성할 수 있다. 따라서, 파장 변환 층들, 중복, 및 리페어 사이트 구성들을 포함하는 유사한 색 방출 구성들이 TFT 기판 구성에 대하여 위에서 설명한 바와 같이 스마트 픽셀 구성을 이용하여 형성될 수 있다.
도 21은 실시예에 따라 디스플레이 시스템(2100)을 도시한다. 디스플레이 시스템은 프로세서(2110), 데이터 수신기(2120), 디스플레이(2130), 및 스캔 구동기 IC 및 데이터 구동기 IC일 수 있는 하나 이상의 디스플레이 구동기 IC(2140)를 하우징한다. 데이터 수신기(2120)는 무선 또는 유선으로 데이터를 수신하도록 구성될 수 있다. 무선은 Wi-Fi(IEEE 802.11 계열), WiMAX(IEEE 802.16 계열), IEEE 802.20, 롱 텀 에볼루션(LTE), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, 에지, GSM, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, 블루투스, 그것들의 파생물, 및 3G, 4G, 5G, 및 그 이상으로 지정되는 임의의 기타 무선 프로토콜을 포함하는 수많은 무선 표준 또는 프로토콜 중 임의의 것으로 구현될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 하나 이상의 디스플레이 구동기 IC(2140)는 디스플레이(2130)에 물리적으로 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에서, 디스플레이(2130)는 위에서 설명한 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 하나 이상의 마이크로 LED 디바이스(400) 및 파장 변환 층(310)을 포함한다. 예를 들어, 디스플레이(2130)는 복수의 마이크로 LED 디바이스, 마이크로 LED 디바이스를 둘러싼 복수의 배광 층, 및 배광 층 위의 복수의 파장 변환 층을 포함할 수 있다.
디스플레이 시스템(2100)의 응용 분야에 따라, 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이러한 다른 컴포넌트들은 메모리, 터치 스크린 제어기, 및 배터리를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 다양한 구현예들에서, 디스플레이 시스템(2100)은 텔레비전, 태블릿, 전화기, 랩톱, 컴퓨터 모니터, 키오스크, 디지털 카메라, 핸드헬드 게임 콘솔, 미디어 디스플레이, 전자책 디스플레이, 또는 대면적 간판 디스플레이일 수 있다.
본 발명의 다양한 양태들을 활용하는 데 있어서, 마이크로 LED 디바이스 및 파장 변환 층들을 디스플레이 애플리케이션에 통합하기 위한 위의 실시예들의 조합 또는 변형이 가능하다는 것이 통상의 기술자에게 명백하게 될 것이다. 본 발명이 구조적 특징 및/또는 방법론적 동작에 대해 특정한 표현으로 기술되어 있지만 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명은 반드시 기술된 구체적 특징 또는 동작으로 제한되지는 않는다는 것은 이해되어야 한다. 대신에, 개시된 특정 특징들 및 동작들은 본 발명을 예시하는 데 유용한 청구된 발명의 특히 적절한 구현들로서 이해되어야 한다.

Claims (22)

  1. 디스플레이 패널로서,
    각각 다수의 서브픽셀을 포함하는 픽셀들의 어레이를 포함하는 디스플레이 기판 - 상기 서브픽셀들은 각각 상이한 색 방출 스펙트럼을 위하여 설계됨 -;
    마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이 - 한 쌍의 마이크로 LED 디바이스가 각각의 서브픽셀 내에 실장됨 -; 및
    상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이 위에 있는, 형광체 입자들을 포함하는 파장 변환 층들의 어레이
    를 포함하는, 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환 층들의 어레이는 파장 변환 층들의 다수 그룹을 포함하고, 각각의 그룹은 상이한 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계되고, 상기 파장 변환 층들의 상이한 그룹들은 상이한 서브픽셀들로 분리되는, 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서, 상기 서브픽셀들 중 하나를 위한 마이크로 LED 디바이스 쌍 위에 파장 변환 층이 형성되지 않는, 디스플레이 패널.
  4. 제2항에 있어서, 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이는 단일 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계된, 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이는 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 그룹들을 포함하고, 각각의 그룹은 상이한 색 방출 스펙트럼을 방출하도록 설계되고, 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 상이한 그룹들은 상이한 서브픽셀들로 분리되는, 디스플레이 패널.
  6. 제5항에 있어서, 제1 서브픽셀에 있는 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 제1 그룹 위에 파장 변환 층이 형성되고, 제2 서브픽셀에 있는 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 제2 그룹 위에 파장 변환 층이 형성되지 않는, 디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서, 각각의 파장 변환 층은 오직 단일 마이크로 LED 디바이스 위에 형성되는, 디스플레이 패널.
  8. 제1항에 있어서, 각각의 파장 변환 층은 마이크로 LED 디바이스 쌍 위에 형성되는, 디스플레이 패널.
  9. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환 층들은 돔 형상인, 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서, 상기 파장 변환 층들은 반구형 외부 표면 및 세장형 돔 형상(elongated dome shaped)으로 구성된 군으로부터 선택된 형상을 갖는, 디스플레이 패널.
  11. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환 층들의 어레이와 대응 마이크로 LED 디바이스 쌍들 사이에 배광 층들의 어레이를 추가로 포함하는, 디스플레이 패널.
  12. 제11항에 있어서, 상기 배광 층들은 광 파이프들이고, 각각의 배광 층은 측방향 길이가 상기 배광 층의 두께보다 더 큰 것을 특징으로 하는, 디스플레이 패널.
  13. 제1항에 있어서, 상기 형광체 입자들은 양자점들인, 디스플레이 패널.
  14. 제1항에 있어서, 상기 형광체 입자들은 양자점들로서 자격이 없는 그것들의 조성물에 기인하여 발광을 나타내는, 디스플레이 패널.
  15. 제1항에 있어서, 상기 마이크로 LED 디바이스들은 각각 1 μm 내지 100 μm의 최대 폭을 갖는, 디스플레이 패널.
  16. 제1항에 있어서, 각각의 서브픽셀에 대응하는 반사 뱅크 층(reflective bank layer)을 추가로 포함하고, 각각의 반사 뱅크 층은 상기 디스플레이 기판 내의 동작 회로로부터 독립적으로 어드레스 가능한, 디스플레이 패널.
  17. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 기판 상에 또는 그 안에 접지 라인을 추가로 포함하는, 디스플레이 패널.
  18. 제17항에 있어서, 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들의 어레이를 상기 접지 라인에 전기적으로 연결하는 하나 이상의 상부 전극 층을 추가로 포함하는, 디스플레이 패널.
  19. 제18항에 있어서, 상기 하나 이상의 상부 전극 층은 마이크로 LED 디바이스 쌍의 제1 마이크로 LED 디바이스를 상기 접지 라인에 전기적으로 연결하는 제1 상부 전극 층, 및 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍의 제2 마이크로 LED 디바이스를 상기 접지 라인에 연결하는 별개의 상부 전극 층을 포함하는, 디스플레이 패널.
  20. 제12항에 있어서, 광 파이프 형태의 배광 층은 각각 둘 이상의 서브픽셀 및 상기 둘 이상의 서브픽셀 내에 실장된 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들 위에 걸쳐 이어지는, 디스플레이 패널.
  21. 제12항에 있어서, 광 파이프 형태의 배광 층은 각각 대응하는 픽셀 내의 모든 다수의 서브픽셀 및 상기 픽셀의 상기 다수의 서브픽셀 내에 실장된 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들 위에 걸쳐 이어지는, 디스플레이 패널.
  22. 제12항에 있어서, 광 파이프 형태의 배광 층은 각각 오직 하나의 서빅셀 및 상기 서브픽셀 내에 실장된 상기 마이크로 LED 디바이스 쌍들 위에 걸쳐 이어지는, 디스플레이 패널.
KR1020157035574A 2013-06-18 2014-06-09 파장 변환 층을 구비한 led 디스플레이 KR101704334B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/920,912 US9111464B2 (en) 2013-06-18 2013-06-18 LED display with wavelength conversion layer
US13/920,912 2013-06-18
PCT/US2014/041487 WO2014204694A1 (en) 2013-06-18 2014-06-09 Led display with wavelength conversion layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160010869A true KR20160010869A (ko) 2016-01-28
KR101704334B1 KR101704334B1 (ko) 2017-02-07

Family

ID=51033564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157035574A KR101704334B1 (ko) 2013-06-18 2014-06-09 파장 변환 층을 구비한 led 디스플레이

Country Status (7)

Country Link
US (3) US9111464B2 (ko)
EP (1) EP2997564B1 (ko)
JP (1) JP6290389B2 (ko)
KR (1) KR101704334B1 (ko)
CN (1) CN105339996B (ko)
TW (1) TWI570953B (ko)
WO (1) WO2014204694A1 (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018048131A1 (ko) * 2016-09-12 2018-03-15 서울반도체주식회사 디스플레이 장치
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
KR20180039818A (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 픽셀 유닛
WO2018139866A1 (ko) * 2017-01-26 2018-08-02 주식회사 엘지화학 마이크로 led 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20180109263A (ko) * 2017-03-27 2018-10-08 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20190115160A (ko) * 2018-03-30 2019-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10566381B2 (en) 2017-12-14 2020-02-18 Lg Display Co., Ltd. Light-emitting diode chip and micro display device
US10879223B2 (en) 2016-02-26 2020-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Display including nanoscale LED module
US11056472B2 (en) 2018-11-27 2021-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stretchable display device
KR20210150870A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 광번짐 현상을 제거한 마이크로 led 검사장치
US11824138B2 (en) 2018-10-31 2023-11-21 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same

Families Citing this family (418)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110082844A (zh) 2009-02-09 2019-08-02 艾克斯瑟乐普林特有限公司 集中器型光电（cpv）模块、接收器和子接收器及其形成方法
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9142468B2 (en) 2010-08-26 2015-09-22 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US8939604B2 (en) * 2011-03-25 2015-01-27 Arkalumen Inc. Modular LED strip lighting apparatus
US8889485B2 (en) 2011-06-08 2014-11-18 Semprius, Inc. Methods for surface attachment of flipped active componenets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
ES2952036T3 (es) 2013-06-12 2023-10-26 Rohinni Inc Teclado de retroiluminación con fuentes generadoras de luz depositadas
US8987765B2 (en) * 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR20150005113A (ko) * 2013-07-04 2015-01-14 에스케이하이닉스 주식회사 광학 신호 경로를 포함하는 반도체 패키지
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
KR102067420B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-17 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
US9698204B2 (en) * 2013-12-06 2017-07-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting substrate, photovoltaic cell, display device, lighting device, electronic device, organic light-emitting diode, and method of manufacturing light-emitting substrate
KR102122359B1 (ko) * 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
EP3084290A4 (en) * 2013-12-18 2018-05-02 Flexbright OY Illuminating film structure
EP3117267B1 (en) * 2014-03-11 2018-05-02 Osram Sylvania Inc. Light converter assemblies with enhanced heat dissipation
KR20150125120A (ko) * 2014-04-29 2015-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
DE102014106074A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
CN103972222A (zh) * 2014-06-03 2014-08-06 宁波升谱光电半导体有限公司 Led光源封装方法、led光源封装结构及光源模块
WO2015193435A1 (en) 2014-06-18 2015-12-23 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
TWI652796B (zh) 2014-06-18 2019-03-01 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 多層印刷電容器
JP6438978B2 (ja) 2014-06-18 2018-12-19 エックス−セレプリント リミテッドＸ−Ｃｅｌｅｐｒｉｎｔ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロ組立ｌｅｄディスプレイ
US9865600B2 (en) 2014-06-18 2018-01-09 X-Celeprint Limited Printed capacitors
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
KR102116856B1 (ko) 2014-06-18 2020-06-01 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블리를 위한 gan 및 관련 물질들을 제조하기 위한 시스템들 및 방법들
CN110265344B (zh) 2014-07-20 2023-09-12 艾克斯展示公司技术有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
DE102014110719A1 (de) * 2014-07-29 2016-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
TWI647833B (zh) 2014-08-26 2019-01-11 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 微組合複合式顯示裝置及發光元件
USD774006S1 (en) * 2014-08-27 2016-12-13 Mitsubishi Electric Corporation Light source module
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9468050B1 (en) 2014-09-25 2016-10-11 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
JP6484982B2 (ja) 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6339053B2 (ja) * 2014-09-30 2018-06-06 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
GB201418810D0 (en) 2014-10-22 2014-12-03 Infiniled Ltd Display
GB201418772D0 (en) * 2014-10-22 2014-12-03 Infiniled Ltd Display
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10319878B2 (en) * 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
KR102234929B1 (ko) * 2014-11-17 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2016116889A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Gholamreza Chaji Selective micro device transfer to receiver substrate
US10134803B2 (en) 2015-01-23 2018-11-20 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10847571B2 (en) * 2015-01-23 2020-11-24 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10700120B2 (en) 2015-01-23 2020-06-30 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
WO2017149521A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-08 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
KR102346157B1 (ko) * 2015-03-23 2021-12-31 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
CN107431113A (zh) * 2015-04-16 2017-12-01 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 用于led阵列的颜色转换结构件
EP3289283B1 (en) * 2015-04-27 2022-11-02 B/E Aerospace, Inc. Flexible led lighting element
US10568180B2 (en) 2015-05-05 2020-02-18 Arkalumen Inc. Method and apparatus for controlling a lighting module having a plurality of LED groups
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
CN107921473A (zh) * 2015-05-20 2018-04-17 太平洋光技术公司 用于led照明和显示装置的经绝缘体涂覆的量子点
CN107615113B (zh) * 2015-05-29 2020-02-14 富士胶片株式会社 波长转换部件及具备该波长转换部件的背光单元、液晶显示装置
US10102794B2 (en) 2015-06-09 2018-10-16 X-Celeprint Limited Distributed charge-pump power-supply system
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
TWI665800B (zh) * 2015-06-16 2019-07-11 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
WO2017007770A2 (en) * 2015-07-07 2017-01-12 Sxaymiq Technologies Llc Quantum dot integration schemes
CN115710496A (zh) * 2015-07-10 2023-02-24 迪睿合株式会社 荧光体片、具备该荧光体片的白色光源装置、以及具备该白色光源装置的显示装置
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
CN105096749B (zh) * 2015-08-04 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制备方法
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
JP6630357B2 (ja) * 2015-08-18 2020-01-15 ゴルテック．インク マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102467420B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
GB2541970B (en) * 2015-09-02 2020-08-19 Facebook Tech Llc Display manufacture
GB2549734B (en) 2016-04-26 2020-01-01 Facebook Tech Llc A display
US10032757B2 (en) 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
US10177127B2 (en) 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
CN107924653B (zh) * 2015-09-11 2020-02-28 夏普株式会社 图像显示装置以及图像显示元件的制造方法
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10418501B2 (en) 2015-10-02 2019-09-17 X-Celeprint Limited Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications
GB2544335A (en) * 2015-11-13 2017-05-17 Oculus Vr Llc A method and apparatus for use in the manufacture of a display element
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US11114423B2 (en) 2015-12-01 2021-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Image-forming element
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI563490B (en) * 2015-12-04 2016-12-21 Ind Tech Res Inst Display pixel and display panel
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
TWI657563B (zh) * 2015-12-15 2019-04-21 優顯科技股份有限公司 光電裝置及其製造方法
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
KR102444177B1 (ko) * 2015-12-28 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2017117151A1 (en) * 2015-12-29 2017-07-06 Light Share, LLC Optoelectronic semiconductor devices with enhanced light output
TWI557701B (zh) * 2015-12-30 2016-11-11 友達光電股份有限公司 應用於製作發光元件陣列顯示器的印刷板模及發光元件陣列顯示器
WO2017123658A1 (en) * 2016-01-12 2017-07-20 Sxaymiq Technologies Llc Light emitting diode display
KR102298484B1 (ko) 2016-01-15 2021-09-03 로히니, 엘엘씨. 장치 상의 커버를 통해 후면 발광하는 장치 및 방법
US10555397B2 (en) 2016-01-28 2020-02-04 Ecosense Lighting Inc. Systems and methods for providing tunable warm white light
US11047534B2 (en) * 2016-01-28 2021-06-29 EcoSense Lighting, Inc. Multizone mixing cup illumination system
US10197226B2 (en) 2016-01-28 2019-02-05 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
WO2017131721A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
CN109315037B (zh) 2016-01-28 2022-07-01 生态照明公司 用于提供具有高显色性的可调白光的系统
US11047535B2 (en) * 2016-01-28 2021-06-29 Ecosense Lighting Inc. Illuminating with a multizone mixing cup
TWI780041B (zh) * 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
US11230471B2 (en) 2016-02-05 2022-01-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed compound sensor device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10109753B2 (en) * 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
US10217730B2 (en) 2016-02-25 2019-02-26 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
CN111108616B (zh) 2016-03-08 2024-03-15 科鲁斯公司 具有透镜组件的照明系统
KR102528300B1 (ko) * 2016-03-10 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
JP6914246B2 (ja) * 2016-03-24 2021-08-04 ソニーグループ株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
US10163404B2 (en) * 2016-03-31 2018-12-25 Cae Inc. Image generator for suppressing a gap between two adjacent reflective surfaces
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10886420B2 (en) * 2016-04-08 2021-01-05 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Thin optoelectronic modules with apertures and their manufacture
KR102631260B1 (ko) * 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
JP2019515489A (ja) * 2016-04-22 2019-06-06 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ 狭ピッチ直視型ディスプレイおよびその製造方法
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US10630056B2 (en) * 2016-05-12 2020-04-21 Ostendo Technologies, Inc. Nanophosphors-converted quantum photonic imager for efficient emission of white light in a micro-pixel array and methods for making the same
US10134802B2 (en) * 2016-05-12 2018-11-20 Ostendo Technologies, Inc. Nanophosphors-converted quantum photonic imagers and methods for making the same
DE102017110605A1 (de) 2016-05-17 2017-11-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung, Videowand-Modul und Signalgeber für eine Lichtsignalanlage
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
CN111554701B (zh) * 2016-05-20 2023-05-16 群创光电股份有限公司 显示设备
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10079252B2 (en) * 2016-06-14 2018-09-18 Innolux Corporation Display apparatus
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
CN107507845A (zh) * 2016-06-14 2017-12-22 群创光电股份有限公司 显示装置
CN106098697B (zh) * 2016-06-15 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN105976725B (zh) * 2016-06-20 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板
KR102605471B1 (ko) * 2016-06-30 2023-11-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US10332949B2 (en) 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
CN107689383B (zh) * 2016-08-05 2021-06-22 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
US10446752B2 (en) * 2016-08-05 2019-10-15 Innolux Corporation Light-emitting diode display device
CN111029450B (zh) * 2016-08-05 2021-08-10 群创光电股份有限公司 发光二极管显示装置
US10069041B2 (en) 2016-08-05 2018-09-04 Innolux Corporation Display apparatus and manufacturing method thereof
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
DE102016115533A1 (de) * 2016-08-22 2018-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip
KR102019252B1 (ko) * 2016-09-15 2019-11-14 일룩스 아이엔씨. 광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10529701B2 (en) * 2016-09-26 2020-01-07 Prilit Optronics, Inc. MicroLED display panel
US10356858B2 (en) * 2016-09-26 2019-07-16 Prilit Optronics, Inc. MicroLED display panel
TWI655765B (zh) * 2016-09-26 2019-04-01 啟端光電股份有限公司 微發光二極體顯示面板
JP6493348B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10157880B2 (en) 2016-10-03 2018-12-18 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with volatile adhesive layer
US10707277B2 (en) * 2016-10-04 2020-07-07 Vuereal Inc. Method of integrating functional tuning materials with micro devices and structures thereof
WO2018074132A1 (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 日本電気硝子株式会社 波長変換部材、発光デバイス及び波長変換部材の製造方法
KR102633079B1 (ko) * 2016-10-28 2024-02-01 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
WO2018084919A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-11 VerLASE TECHNOLOGIES LLC Color-converting structures and light-emitting structures and visual displays made therewith
DE102016121099A1 (de) * 2016-11-04 2018-05-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen
WO2018084289A1 (ja) * 2016-11-07 2018-05-11 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
KR102673721B1 (ko) * 2016-11-07 2024-06-11 삼성전자주식회사 Led 패널 및 그 제조 방법
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
KR102674066B1 (ko) * 2016-11-11 2024-06-13 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
TWI739949B (zh) 2016-11-15 2021-09-21 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 微轉印可印刷覆晶結構及方法
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
KR102604257B1 (ko) * 2016-11-30 2023-11-20 택토텍 오와이 발광 구조체 및 그 제조 방법
US10319880B2 (en) * 2016-12-02 2019-06-11 Innolux Corporation Display device
US11193059B2 (en) 2016-12-13 2021-12-07 Current Lighting Solutions, Llc Processes for preparing color stable red-emitting phosphor particles having small particle size
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
KR102605174B1 (ko) * 2016-12-19 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US9977248B1 (en) * 2016-12-21 2018-05-22 PhantaField, Inc. Augmented reality display system
CN110100318B (zh) 2016-12-22 2022-04-15 夏普株式会社 显示装置及制造方法
JP7108171B2 (ja) * 2016-12-27 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10193018B2 (en) * 2016-12-29 2019-01-29 Intel Corporation Compact low power head-mounted display with light emitting diodes that exhibit a desired beam angle
US10367171B2 (en) * 2016-12-29 2019-07-30 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Low reflective display device
CN106684098B (zh) * 2017-01-06 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其修复方法
US12015103B2 (en) * 2017-01-10 2024-06-18 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light emitting diode display panel with option of choosing to emit light both or respectively of light-emitting regions
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
CN106782128A (zh) * 2017-01-24 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制造方法
DE102017101267B4 (de) * 2017-01-24 2023-11-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US11296057B2 (en) 2017-01-27 2022-04-05 EcoSense Lighting, Inc. Lighting systems with high color rendering index and uniform planar illumination
US10431723B2 (en) * 2017-01-31 2019-10-01 Apple Inc. Micro LED mixing cup
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US11916096B2 (en) * 2017-02-09 2024-02-27 Vuereal Inc. Circuit and system integration onto a micro-device substrate
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
CN106784203B (zh) * 2017-03-31 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素结构及制造方法
CN111133499B (zh) * 2017-04-13 2023-08-01 上海显耀显示科技有限公司 Led-oled混合自发射显示器
US20180308909A1 (en) * 2017-04-19 2018-10-25 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device
US10468397B2 (en) 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
CN107170772A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列基板的封装结构
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
JP2018205456A (ja) 2017-06-01 2018-12-27 株式会社ブイ・テクノロジー フルカラーｌｅｄ表示パネル
CN108987423B (zh) * 2017-06-05 2023-09-12 三星电子株式会社 显示装置
US20190140017A1 (en) * 2017-06-13 2019-05-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro led color display device
CN107068707A (zh) * 2017-06-13 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED彩色显示器件
CN106997745A (zh) 2017-06-15 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其驱动方法
KR102455483B1 (ko) 2017-06-30 2022-10-19 삼성전자주식회사 Led 장치 및 그 제조 방법
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes
CN107424524B (zh) * 2017-07-25 2020-10-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种微型led显示面板
TWI639230B (zh) * 2017-08-03 2018-10-21 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
JP2019028380A (ja) 2017-08-03 2019-02-21 株式会社ブイ・テクノロジー フルカラーｌｅｄ表示パネル
US10832935B2 (en) 2017-08-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-level micro-device tethers
WO2019040688A1 (en) * 2017-08-24 2019-02-28 Corning Incorporated HIGH DYNAMIC RANGE MICRO-LED BACKLIGHT SYSTEMS AND METHODS
US10957825B2 (en) 2017-09-25 2021-03-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
CN109557714A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 群创光电股份有限公司 光源装置及显示装置
CN107633777A (zh) * 2017-10-12 2018-01-26 深圳市创显光电有限公司 一种led显示装置及其制造方法
CN107656398A (zh) * 2017-10-13 2018-02-02 惠州市华星光电技术有限公司 液晶显示器及其背光模组
TWI739931B (zh) * 2017-10-18 2021-09-21 優顯科技股份有限公司 顯示裝置
KR102373995B1 (ko) * 2017-10-30 2022-03-11 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시 장치
US11121172B2 (en) 2017-11-08 2021-09-14 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same
US10836200B2 (en) 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
JP2019102664A (ja) 2017-12-04 2019-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄ表示パネルの製造方法
TWI640972B (zh) * 2017-12-14 2018-11-11 宏齊科技股份有限公司 顯示裝置及其光源模組
KR102582424B1 (ko) * 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
DE102017129981A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Betriebsverfahren für eine Anzeigevorrichtung
KR102550325B1 (ko) * 2017-12-20 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치 및 그 구동방법
US10297585B1 (en) 2017-12-21 2019-05-21 X-Celeprint Limited Multi-resolution compound micro-devices
US10340308B1 (en) 2017-12-22 2019-07-02 X Development Llc Device with multiple vertically separated terminals and methods for making the same
KR102521100B1 (ko) * 2018-01-08 2023-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6665872B2 (ja) * 2018-01-15 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2019147589A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Apple Inc. Micro led based display panel
TWI642047B (zh) * 2018-01-26 2018-11-21 鼎展電子股份有限公司 可撓性微發光二極體顯示模組
JP6999434B2 (ja) * 2018-01-29 2022-01-18 シャープ株式会社 表示装置、表示システム、および表示装置の製造方法
JP2019135738A (ja) 2018-02-05 2019-08-15 株式会社ブイ・テクノロジー フルカラーｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
TWI645394B (zh) * 2018-02-06 2018-12-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其驅動方法
JP2019140361A (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 株式会社ブイ・テクノロジー フルカラーｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
CN110189642B (zh) * 2018-02-22 2021-10-26 和鑫光电股份有限公司 显示装置
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10244687B1 (en) * 2018-02-28 2019-04-02 Spectrum King LLC LED grow light system
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
CN112786642B (zh) * 2018-03-20 2023-08-11 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件、微发光二极管及其转印方法
US10437402B1 (en) 2018-03-27 2019-10-08 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
TWI724407B (zh) 2018-04-12 2021-04-11 鴻海精密工業股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其製備方法
KR102559514B1 (ko) 2018-04-13 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10325894B1 (en) 2018-04-17 2019-06-18 Shaoher Pan Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
WO2019213299A1 (en) * 2018-05-01 2019-11-07 Lilibrand Llc Lighting systems and devices with central silicone module
KR102593592B1 (ko) * 2018-05-04 2023-10-25 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
CN108573992A (zh) * 2018-05-08 2018-09-25 业成科技（成都）有限公司 显示面板、制备方法及应用该显示面板的电子装置
US10505079B2 (en) 2018-05-09 2019-12-10 X-Celeprint Limited Flexible devices and methods using laser lift-off
GB201807747D0 (en) 2018-05-13 2018-06-27 Optovate Ltd Colour micro-LED display apparatus
US11104061B2 (en) 2018-05-14 2021-08-31 Carbon, Inc. Stereolithography apparatus with individually addressable light source arrays
KR102538472B1 (ko) * 2018-05-18 2023-06-01 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
CN110630913B (zh) * 2018-05-30 2022-02-01 周卓煇 亮度色温可调光源及其用途
TWI684386B (zh) * 2018-05-30 2020-02-01 國立清華大學 對人體友善的光源及其用途
CN110553166A (zh) * 2018-05-30 2019-12-10 周卓煇 对人体友善的光源及其用途
TWI663746B (zh) * 2018-05-30 2019-06-21 國立清華大學 亮度色溫可調光源及其用途
US10832934B2 (en) 2018-06-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-layer tethers for micro-transfer printing
GB201810774D0 (en) 2018-06-29 2018-08-15 Barco Nv Display with quantum dot or quantum platelet converter
CN108878626B (zh) * 2018-06-29 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
KR102600928B1 (ko) * 2018-07-05 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
KR102657126B1 (ko) * 2018-07-20 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
WO2020027107A1 (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 日亜化学工業株式会社 画像表示装置
TWI827639B (zh) * 2018-08-09 2024-01-01 美商凱特伊夫公司 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法
CN109031844A (zh) * 2018-08-13 2018-12-18 南方科技大学 一种显示装置
US10796971B2 (en) 2018-08-13 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Pressure-activated electrical interconnection with additive repair
KR102626051B1 (ko) * 2018-08-14 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체 및 그 제조 방법
TWI721308B (zh) * 2018-08-17 2021-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
US11552228B2 (en) * 2018-08-17 2023-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
KR20200021399A (ko) * 2018-08-20 2020-02-28 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN110875359A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板
KR102509929B1 (ko) * 2018-09-05 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2020043140A (ja) 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄ表示パネルの製造方法及びｌｅｄ表示パネル
US11089682B2 (en) * 2018-09-12 2021-08-10 Lg Innotek Co., Ltd. Flexible circuit board, chip package including the same, and electronic device including the chip package
KR102536489B1 (ko) * 2018-09-18 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109273479B (zh) * 2018-09-20 2021-07-23 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法
JP7144886B2 (ja) 2018-09-27 2022-09-30 カティーバ， インコーポレイテッド 量子ドットカラーフィルタインク組成物、および量子ドットカラーフィルタインク組成物を利用したデバイス
TWI676980B (zh) * 2018-09-27 2019-11-11 友達光電股份有限公司 顯示器
KR102620974B1 (ko) * 2018-10-05 2024-01-05 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN111048654B (zh) 2018-10-12 2021-10-22 财团法人工业技术研究院 光电元件封装体
US10573544B1 (en) 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
CN113039466B (zh) * 2018-10-24 2023-04-21 索尼集团公司 显示装置和照明装置
KR102657536B1 (ko) * 2018-10-24 2024-04-12 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법
US10804441B2 (en) * 2018-10-31 2020-10-13 Visera Technologies Company Limited Light-emitting device with yellow color filters
KR102579915B1 (ko) * 2018-11-22 2023-09-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
FR3089351B1 (fr) * 2018-11-30 2022-07-22 Commissariat Energie Atomique DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODE ELECTROLUMINESCENTE EMETTANT DANS l’ULTRAVIOLET SUR LAQUELLE EST AGENCE UN DISPOSITIF OPTIQUE
US20210002128A1 (en) 2018-12-03 2021-01-07 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
CN109668062A (zh) * 2018-12-11 2019-04-23 业成科技（成都）有限公司 发光二极体面光源结构
US11282786B2 (en) 2018-12-12 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Laser-formed interconnects for redundant devices
KR102555828B1 (ko) * 2018-12-17 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 고 해상도 마이크로 led 표시 장치 및 그 제조 방법
US11353200B2 (en) 2018-12-17 2022-06-07 Korrus, Inc. Strip lighting system for direct input of high voltage driving power
KR20200075409A (ko) 2018-12-18 2020-06-26 삼성전자주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TWI682436B (zh) * 2018-12-20 2020-01-11 茂丞科技股份有限公司 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件
US11135835B2 (en) 2018-12-20 2021-10-05 Kateeva, Inc. Ejection control using substrate alignment features and print region alignment features
JP7138286B2 (ja) 2018-12-28 2022-09-16 日亜化学工業株式会社 画像表示装置および画像表示装置の製造方法
US11483937B2 (en) 2018-12-28 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Methods of making printed structures
JP7180058B2 (ja) * 2018-12-28 2022-11-30 日亜化学工業株式会社 画像表示装置および画像表示装置の製造方法
US11251139B2 (en) 2019-01-22 2022-02-15 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11322460B2 (en) 2019-01-22 2022-05-03 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11239399B2 (en) * 2019-02-05 2022-02-01 Facebook Technologies, Llc Architecture for hybrid TFT-based micro display projector
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11088121B2 (en) 2019-02-13 2021-08-10 X Display Company Technology Limited Printed LED arrays with large-scale uniformity
WO2020170222A1 (en) * 2019-02-22 2020-08-27 Vuereal Inc. Staggered and tile stacked microdevice integration and driving
US11552163B2 (en) 2019-02-22 2023-01-10 Vuereal Inc. Staggered and tile stacked microdevice integration and driving
EP3933944A4 (en) * 2019-02-26 2022-11-16 Kyocera Corporation MICRO-LED ELEMENT MOUNTED SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME
US11164934B2 (en) 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
US11094870B2 (en) 2019-03-12 2021-08-17 X Display Company Technology Limited Surface-mountable pixel packages and pixel engines
WO2020208558A1 (en) * 2019-04-09 2020-10-15 Vuereal Inc. Repair techniques for micro-led devices and arrays
KR20200127777A (ko) 2019-05-03 2020-11-11 삼성전자주식회사 Led 디스플레이 모듈, led 디스플레이 모듈의 제조 방법, 그리고 led 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치
US10714374B1 (en) 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
US11011572B2 (en) * 2019-05-10 2021-05-18 Innolux Corporation Laminated structures and electronic devices
US11094530B2 (en) * 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
DE102019112733A1 (de) * 2019-05-15 2020-11-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes Bauelement und Anzeigevorrichtung
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
CN110190068B (zh) * 2019-05-21 2020-12-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的制造方法
US11261375B2 (en) 2019-05-22 2022-03-01 General Electric Company Method to enhance phosphor robustness and dispersability and resulting phosphors
US20220246809A1 (en) * 2019-05-23 2022-08-04 Vuereal Inc. Method of integrating functional tuning materials with micro devices and structures thereof
TWI706537B (zh) 2019-05-28 2020-10-01 友達光電股份有限公司 自發光元件及發光裝置的製造方法
US20220209085A1 (en) * 2019-05-29 2022-06-30 Kyocera Corporation Light emitter mounting board and display device including light emitter mounting board
TWI682531B (zh) 2019-06-04 2020-01-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US10861381B1 (en) * 2019-06-06 2020-12-08 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode display having two or more types of data lines
US10944027B2 (en) 2019-06-14 2021-03-09 X Display Company Technology Limited Pixel modules with controllers and light emitters
US11488943B2 (en) 2019-06-14 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Modules with integrated circuits and devices
CN112103308A (zh) * 2019-06-17 2020-12-18 松下知识产权经营株式会社 颜色变换设备及制造方法、微型led显示器面板及制造方法
JP7398635B2 (ja) 2019-06-17 2023-12-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 色変換デバイス、マイクロｌｅｄディスプレイパネル、色変換デバイスの製造方法及びマイクロｌｅｄディスプレイパネルの製造方法
EP3991209A1 (en) 2019-06-25 2022-05-04 Lumileds LLC Phosphor layer for micro-led applications
KR20210006241A (ko) * 2019-07-08 2021-01-18 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 그룹 기판 및 이의 제조 방법 및 마이크로 led 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
US11088302B2 (en) 2019-07-08 2021-08-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting device
CN112305809B (zh) * 2019-07-24 2022-04-19 佛山市国星光电股份有限公司 Led线背光源液晶显示屏
CN112955813B (zh) * 2019-07-29 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 绑定背板及其制作方法、背光模组及显示装置
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
JP7333226B2 (ja) * 2019-08-28 2023-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置
CN112530988A (zh) * 2019-09-19 2021-03-19 群创光电股份有限公司 电子装置及电子装置的制造方法
US11362243B2 (en) 2019-10-09 2022-06-14 Lumileds Llc Optical coupling layer to improve output flux in LEDs
US10847083B1 (en) 2019-10-14 2020-11-24 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices by laser-assisted bonding
US11011669B2 (en) 2019-10-14 2021-05-18 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices
US11302849B2 (en) * 2019-10-25 2022-04-12 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
US11411043B2 (en) 2019-10-25 2022-08-09 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
US11626856B2 (en) 2019-10-30 2023-04-11 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11637540B2 (en) 2019-10-30 2023-04-25 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11127889B2 (en) 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
CN110767646B (zh) * 2019-10-31 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
TWI715277B (zh) * 2019-11-05 2021-01-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
US11355724B2 (en) 2019-11-06 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Organic light-emitting diode (OLED) display devices with UV-cured filler
US11121345B2 (en) 2019-11-26 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Structures and methods of OLED display fabrication suited for deposition of light enhancing layer
KR20210065245A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
CN110911437A (zh) * 2019-12-06 2020-03-24 业成科技（成都）有限公司 微发光二极管驱动背板和显示面板
US11315909B2 (en) 2019-12-20 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Displays with embedded light emitters
US11289630B2 (en) 2019-12-20 2022-03-29 Lumileds Llc Tunable lighting system with preferred color rendering
CN113129843A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 灯板、背光控制系统及显示设备
WO2021148895A1 (en) 2020-01-22 2021-07-29 King Abdullah University Of Science And Technology Light processing device array and method for manufacturing thereof
WO2021150526A1 (en) 2020-01-22 2021-07-29 Applied Materials, Inc. Organic light-emitting diode (oled) display devices with mirror and method for making the same
US11037912B1 (en) 2020-01-31 2021-06-15 X Display Company Technology Limited LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel
JPWO2021162024A1 (ko) 2020-02-13 2021-08-19
JP7200434B2 (ja) * 2020-02-13 2023-01-06 富士フイルム株式会社 積層体、表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2021161920A1 (ja) 2020-02-13 2021-08-19 東レ株式会社 ペースト、基板、ディスプレイ、および基板の製造方法
CN113270437A (zh) 2020-02-17 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制备方法、显示装置
JP7445120B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20210115966A (ko) * 2020-03-17 2021-09-27 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
CN117986927A (zh) 2020-04-14 2024-05-07 通用电气公司 具有窄带发射磷光体材料的油墨组合物和膜
KR20210132786A (ko) 2020-04-27 2021-11-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
US11552222B2 (en) 2020-05-21 2023-01-10 Lextar Electronics Corporation Display device
US11538849B2 (en) 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
KR20230022943A (ko) 2020-06-03 2023-02-16 제이드 버드 디스플레이(상하이) 리미티드 수평 광 방출을 갖는 다색 led 픽셀 유닛을 위한 시스템들 및 방법들
DE112021003107T5 (de) * 2020-06-03 2023-04-20 Vuereal Inc. Farbumwandlungs-festkörpervorrichtung
DE21817305T1 (de) * 2020-06-03 2023-07-06 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systeme und verfahren für mehrfarbige led-pixeleinheit mit vertikaler lichtemission
TWI729846B (zh) 2020-06-10 2021-06-01 友達光電股份有限公司 發光裝置
EP4136683A1 (en) * 2020-06-19 2023-02-22 Huawei Technologies Co., Ltd. Pixel structure for electronic display, and electronic device comprising such display
US11764095B2 (en) 2020-07-10 2023-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure
JP2022019455A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 ソニーグループ株式会社 発光装置および画像表示装置
EP3944304A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-26 Nexperia B.V. A semiconductor device and a method of manufacture
KR20230041786A (ko) 2020-07-24 2023-03-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Uv-led 경화를 위한 티올계 가교제들을 갖는 양자점 배합물들
KR20220017043A (ko) 2020-08-03 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11404612B2 (en) 2020-08-28 2022-08-02 Applied Materials, Inc. LED device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots
US11942576B2 (en) 2020-08-28 2024-03-26 Applied Materials, Inc. Blue color converter for micro LEDs
US11646397B2 (en) 2020-08-28 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Chelating agents for quantum dot precursor materials in color conversion layers for micro-LEDs
WO2022050421A1 (ja) * 2020-09-07 2022-03-10 積水化学工業株式会社 インクジェット塗布用及びｌｅｄ保護用硬化性組成物、ｌｅｄモジュール、ｌｅｄモジュールの製造方法及びｌｅｄ表示装置
KR20220036681A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TW202213311A (zh) * 2020-09-18 2022-04-01 許華珍 一種顯示裝置
KR20220043993A (ko) * 2020-09-28 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11411146B2 (en) 2020-10-08 2022-08-09 Lumileds Llc Protection layer for a light emitting diode
US12006205B2 (en) 2020-10-08 2024-06-11 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US11952266B2 (en) 2020-10-08 2024-04-09 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US20240038819A1 (en) * 2020-10-23 2024-02-01 Toray Industries, Inc. Display device and method for manufacturing display device
GB2600979B (en) * 2020-11-13 2023-01-11 Plessey Semiconductors Ltd Filter for micro LED display
KR20220083909A (ko) * 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230121028A (ko) 2020-12-25 2023-08-17 도레이 카부시키가이샤 격벽 부착 기판, 파장 변환 기판, 및 디스플레이, 그리고 파장 변환 기판의 제조 방법
CN112802832B (zh) * 2021-01-04 2023-06-02 业成科技（成都）有限公司 微发光二极体显示装置及其制造方法
CN214409519U (zh) * 2021-03-10 2021-10-15 台湾扬昕股份有限公司 光源模块及显示装置
DE102021106332A1 (de) 2021-03-16 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische baugruppe, displayanordnung und verfahren
JP2022155737A (ja) 2021-03-31 2022-10-14 日東電工株式会社 マイクロｌｅｄディスプレイ装置
CN117203754A (zh) * 2021-05-04 2023-12-08 维耶尔公司 集成颜色转换盒
EP4348563A1 (en) 2021-06-04 2024-04-10 Tectus Corporation Display pixels with integrated pipeline
US20220399317A1 (en) * 2021-06-14 2022-12-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of repairing a display panel and repaired display panel
JPWO2023002728A1 (ko) * 2021-07-21 2023-01-26
KR20230067125A (ko) * 2021-11-09 2023-05-16 삼성전자주식회사 표시 패널, 전자 장치, 및 이들의 제조 방법
CN116419633A (zh) * 2021-12-31 2023-07-11 群创光电股份有限公司 电子装置
JP2023175410A (ja) * 2022-05-30 2023-12-12 キヤノン株式会社 表示素子、及び表示装置
WO2024075078A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 Vuereal Inc. Phosphor protection in microled displays

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100270567A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Cree, Inc. Lighting device
US20110089810A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Intematix Technology Center Corp. Light Emitting Diode Apparatus and Manufacturing Method Thereof

Family Cites Families (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
JPH05291624A (ja) 1992-04-08 1993-11-05 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの検査方法
US5442254A (en) 1993-05-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Fluorescent device with quantum contained particle screen
JPH0760675A (ja) 1993-08-27 1995-03-07 Tokin Corp 静電吸着ハンド
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
US5592358A (en) 1994-07-18 1997-01-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for magnetic flux processing
TW311927B (ko) 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
JP3132353B2 (ja) 1995-08-24 2001-02-05 松下電器産業株式会社 チップの搭載装置および搭載方法
US5888847A (en) 1995-12-08 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Technique for mounting a semiconductor die
US5858099A (en) 1996-04-09 1999-01-12 Sarnoff Corporation Electrostatic chucks and a particle deposition apparatus therefor
WO1998048319A1 (en) 1997-04-24 1998-10-29 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel displays
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
KR100278137B1 (ko) 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6897855B1 (en) 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
JP3504543B2 (ja) 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
CN1153184C (zh) 2000-01-25 2004-06-09 皇家菲利浦电子有限公司 电致发光元件
US6335263B1 (en) 2000-03-22 2002-01-01 The Regents Of The University Of California Method of forming a low temperature metal bond for use in the transfer of bulk and thin film materials
JP4489904B2 (ja) 2000-04-14 2010-06-23 株式会社アルバック 真空処理装置及び基板保持方法
US6558109B2 (en) 2000-05-26 2003-05-06 Automation Technology, Inc. Method and apparatus for separating wafers
JP4467720B2 (ja) 2000-06-15 2010-05-26 株式会社アルバック 基板搬送装置
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP2002134822A (ja) 2000-10-24 2002-05-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4780828B2 (ja) 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2002164695A (ja) 2000-11-29 2002-06-07 Mitsubishi Paper Mills Ltd 電子材料搬送用静電吸着板
WO2002074686A2 (en) 2000-12-05 2002-09-26 Analog Devices, Inc. A method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
JP4514321B2 (ja) 2000-12-08 2010-07-28 パナソニック株式会社 部品実装装置
JP2002240943A (ja) 2001-02-13 2002-08-28 Ricoh Co Ltd 静電搬送装置、現像装置、画像形成装置及び分級装置
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
TWI257496B (en) 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP3747807B2 (ja) 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
US6787435B2 (en) 2001-07-05 2004-09-07 Gelcore Llc GaN LED with solderable backside metal
US6656611B2 (en) 2001-07-20 2003-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure-defining material for OLEDs
US6740906B2 (en) 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US6888167B2 (en) 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
WO2003012884A1 (en) 2001-08-01 2003-02-13 Nam-Young Kim Display system
TW497236B (en) 2001-08-27 2002-08-01 Chipmos Technologies Inc A soc packaging process
US6514779B1 (en) 2001-10-17 2003-02-04 Cree, Inc. Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2003282478A (ja) 2002-01-17 2003-10-03 Sony Corp 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法
US7033842B2 (en) 2002-03-25 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component mounting apparatus and electronic component mounting method
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP2003332633A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
US6642092B1 (en) 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
JP4147073B2 (ja) 2002-09-02 2008-09-10 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
DE10245631B4 (de) 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
KR20050075280A (ko) 2002-11-19 2005-07-20 가부시키가이샤 이시카와 세이사쿠쇼 화소제어 소자의 선택 전사 방법, 화소제어 소자의 선택전사 방법에 사용되는 화소제어 소자의 실장 장치,화소제어 소자 전사후의 배선 형성 방법, 및, 평면디스플레이 기판
GB0229191D0 (en) 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
JP4334892B2 (ja) 2003-03-20 2009-09-30 パナソニック株式会社 部品実装方法
CN100587560C (zh) 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
JP3837121B2 (ja) 2003-04-01 2006-10-25 株式会社ディスプレイテック２１ アクティブマトリクス型蛍光表示装置
WO2005001889A2 (en) 2003-05-07 2005-01-06 Indiana University Research & Technology Corporation Alloyed semiconductor quantum dots and concentration-gradient alloyed quantum dots, series comprising the same and methods related thereto
US20040227704A1 (en) 2003-05-14 2004-11-18 Wen-Chun Wang Apparatus for improving yields and uniformity of active matrix oled panels
US7595511B2 (en) 2003-08-08 2009-09-29 Sang-Kyu Kang Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
JP4165478B2 (ja) 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100600865B1 (ko) 2003-11-19 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 전자파차폐수단을 포함하는 능동소자표시장치
TWI227570B (en) 2003-12-11 2005-02-01 South Epitaxy Corp Light-emitting diode packaging structure
KR100880812B1 (ko) 2004-03-29 2009-01-30 아티큘레이티드 테크놀러지스 엘엘씨 롤-투-롤 제조된 광 시트 및 캡슐화된 반도체 회로디바이스들
WO2005097390A1 (en) 2004-03-31 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication
US7462861B2 (en) 2004-04-28 2008-12-09 Cree, Inc. LED bonding structures and methods of fabricating LED bonding structures
JP3933667B2 (ja) 2004-04-29 2007-06-20 三星エスディアイ株式会社 発光表示パネル及び発光表示装置
US7199397B2 (en) 2004-05-05 2007-04-03 Au Optronics Corporation AMOLED circuit layout
WO2005110916A2 (en) 2004-05-10 2005-11-24 Evident Technologies Iii-v semiconductor nanocrystal complexes and methods of making same
KR100623024B1 (ko) 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
US7352006B2 (en) 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
US7563625B2 (en) 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US7378288B2 (en) 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7535028B2 (en) 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
KR100707955B1 (ko) 2005-02-07 2007-04-16 (주) 비앤피 사이언스 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US7262438B2 (en) 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
US7411225B2 (en) 2005-03-21 2008-08-12 Lg Electronics Inc. Light source apparatus
US7205652B2 (en) 2005-03-23 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc Electronic assembly including multiple substrates
EP1717789B1 (en) 2005-04-26 2016-04-13 LG Display Co., Ltd. Electro luminescence display device
TWI284421B (en) 2005-06-21 2007-07-21 Uni Light Technology Inc LED structure for flip-chip package and method thereof
TWI422044B (zh) 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
US8138502B2 (en) 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US7498240B2 (en) 2005-08-31 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces, carriers, and associated methods
KR100745346B1 (ko) 2005-09-20 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
KR20070042214A (ko) 2005-10-18 2007-04-23 김성진 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
EP1780798A1 (en) 2005-10-27 2007-05-02 Barco, naamloze vennootschap. Integrated led devices with increased pixel fill factor for achieving improved image quality of led display panels
JP2007173408A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
KR101222539B1 (ko) 2005-12-23 2013-01-16 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터
TWI294254B (en) 2006-01-02 2008-03-01 Au Optronics Corp Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo
US7737451B2 (en) 2006-02-23 2010-06-15 Cree, Inc. High efficiency LED with tunnel junction layer
US7859526B2 (en) 2006-05-01 2010-12-28 Konicek Jeffrey C Active matrix emissive display and optical scanner system, methods and applications
US7910945B2 (en) 2006-06-30 2011-03-22 Cree, Inc. Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices
EP4016650A1 (en) * 2006-09-27 2022-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and display device comprising the semiconductor light emitting device
JP4535053B2 (ja) 2006-10-12 2010-09-01 ソニー株式会社 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器
TWI313943B (en) 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
US20090028993A1 (en) 2006-12-11 2009-01-29 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Lactobacillus buchneri strain LN1326 and its use to improve aerobic stability of silage
WO2008143635A1 (en) 2007-01-17 2008-11-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
TW200834962A (en) 2007-02-08 2008-08-16 Touch Micro System Tech LED array package structure having Si-substrate and method of making the same
JP2008200821A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Denso Corp ハニカム体成形用金型の製造方法
US7985978B2 (en) 2007-04-17 2011-07-26 Himax Technologies Limited Display and pixel circuit thereof
TW200908189A (en) 2007-05-20 2009-02-16 Silverbrook Res Pty Co Ltd Die picker with heated picking head
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8133768B2 (en) * 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8264777B2 (en) 2007-06-26 2012-09-11 Qd Vision, Inc. Portable electronic device having an electro wetting display illuminated by quantum dots
WO2009004980A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Showa Denko K.K. 発光ダイオードの製造方法
US7838410B2 (en) 2007-07-11 2010-11-23 Sony Corporation Method of electrically connecting element to wiring, method of producing light-emitting element assembly, and light-emitting element assembly
KR100839754B1 (ko) 2007-08-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8441018B2 (en) 2007-08-16 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Direct bandgap substrates and methods of making and using
EP2206145A4 (en) 2007-09-28 2012-03-28 Tessera Inc FLIP-CHIP CONNECTION WITH DOUBLE POSTS
TWI397193B (zh) 2007-11-05 2013-05-21 Univ Nat Chunghsing Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same
KR101475520B1 (ko) 2008-01-14 2014-12-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자
TW200939867A (en) 2008-03-14 2009-09-16 Univ Nat Chiao Tung Display apparatus using array of passive organic LED
CN101919074B (zh) 2008-03-26 2011-11-16 晶能光电（江西）有限公司 制备牢固的发光二极管的方法
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP4623138B2 (ja) 2008-05-21 2011-02-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
DE102008050538B4 (de) 2008-06-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101603636B (zh) 2008-06-10 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 光源装置
US7927976B2 (en) 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
US7999454B2 (en) 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
US7786481B2 (en) 2008-08-26 2010-08-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and fabricating method thereof
JP2010056458A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Kyocera Corp 発光素子の製造方法
TWI467691B (zh) 2008-10-15 2015-01-01 Creative Tech Corp Electrostatic chuck and its manufacturing method
US7854365B2 (en) 2008-10-27 2010-12-21 Asm Assembly Automation Ltd Direct die attach utilizing heated bond head
JP5521325B2 (ja) * 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101051488B1 (ko) 2009-01-23 2011-07-25 주식회사 두성에이텍 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
KR101001454B1 (ko) 2009-01-23 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치
JP2010186829A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Toshiba Corp 発光素子の製造方法
JP5470601B2 (ja) 2009-03-02 2014-04-16 新光電気工業株式会社 静電チャック
CN101839401A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 晶元光电股份有限公司 阵列式发光元件及其显示装置
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
EP2249406B1 (en) 2009-05-04 2019-03-06 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting diode
US8125472B2 (en) 2009-06-09 2012-02-28 Global Oled Technology Llc Display device with parallel data distribution
US7989266B2 (en) 2009-06-18 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Methods for separating individual semiconductor devices from a carrier
US20100321640A1 (en) 2009-06-22 2010-12-23 Industrial Technology Research Institute Projection display chip
CN102341740B (zh) 2009-06-22 2015-09-16 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列、其制造方法和投影设备
US8173456B2 (en) 2009-07-05 2012-05-08 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a light emitting diode element
US9048404B2 (en) 2009-07-06 2015-06-02 Zhuo Sun Thin flat solid state light source module
US20110012141A1 (en) 2009-07-15 2011-01-20 Le Toquin Ronan P Single-color wavelength-converted light emitting devices
TWI531088B (zh) 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
KR100973928B1 (ko) 2009-12-10 2010-08-03 (주)옵토니카 Ｌｅｄ 다이본딩 방법
US8334152B2 (en) 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
JP5050045B2 (ja) 2009-12-22 2012-10-17 株式会社東芝 発光装置
TWI467798B (zh) 2009-12-28 2015-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體晶片之製備方法
WO2011082497A1 (en) 2010-01-11 2011-07-14 Cooledge Lighting Inc. Package for light emitting and receiving devices
KR101084191B1 (ko) 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20120320307A1 (en) 2010-02-18 2012-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, glass substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device
EP2367203A1 (en) 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
WO2011123285A1 (en) 2010-03-29 2011-10-06 Semprius, Inc. Selective transfer of active components
US8294168B2 (en) * 2010-06-04 2012-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source module using quantum dots, backlight unit employing the light source module, display apparatus, and illumination apparatus
US20120155076A1 (en) 2010-06-24 2012-06-21 Intematix Corporation Led-based light emitting systems and devices
TWI451596B (zh) 2010-07-20 2014-09-01 Epistar Corp 一種陣列式發光元件
TW201208142A (en) * 2010-08-06 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Light emitting diode
US8563334B2 (en) 2010-09-14 2013-10-22 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method to remove sapphire substrate
TWI476961B (zh) 2010-10-12 2015-03-11 友達光電股份有限公司 發光二極體裝置
CN102427075B (zh) * 2010-10-12 2013-08-21 友达光电股份有限公司 发光二极管装置及场序显示器
JP5740901B2 (ja) 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
JP5740939B2 (ja) 2010-11-29 2015-07-01 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US8552454B2 (en) 2010-11-29 2013-10-08 Epistar Corporation Light-emitting device and light mixing device
KR101889918B1 (ko) 2010-12-14 2018-09-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20120168714A1 (en) 2011-01-03 2012-07-05 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (vled) die and method of fabrication
EP2666193B1 (en) 2011-01-17 2020-07-29 Lumileds Holding B.V. Led package comprising encapsulation
US8899767B2 (en) 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
US8785222B2 (en) 2011-05-09 2014-07-22 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Phosphor ink composition
US8329485B2 (en) 2011-05-09 2012-12-11 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited LED phosphor ink composition for ink-jet printing
US8497143B2 (en) 2011-06-21 2013-07-30 Cofan Usa, Inc. Reflective pockets in LED mounting
KR101793741B1 (ko) 2011-06-23 2017-11-03 엘지이노텍 주식회사 표시장치
JP2013037138A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Panasonic Corp 自発光型表示装置
US10388584B2 (en) 2011-09-06 2019-08-20 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming Fo-WLCSP with recessed interconnect area in peripheral region of semiconductor die
JP2013098458A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びこれを用いた照明器具
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US20130187179A1 (en) 2012-01-23 2013-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode with improved directionality
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
TW201336123A (zh) 2012-02-17 2013-09-01 Walsin Lihwa Corp 高壓發光二極體晶片及其製造方法
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8415767B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
CN102751275B (zh) * 2012-07-19 2015-02-04 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管显示屏,及其制造方法
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US8947001B2 (en) 2012-09-06 2015-02-03 Cooledge Lighting Inc. Wiring boards for array-based electronic devices
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100270567A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Cree, Inc. Lighting device
US20110089810A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Intematix Technology Center Corp. Light Emitting Diode Apparatus and Manufacturing Method Thereof

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879223B2 (en) 2016-02-26 2020-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Display including nanoscale LED module
US11538799B2 (en) 2016-02-26 2022-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Display including nanoscale LED module
WO2018048131A1 (ko) * 2016-09-12 2018-03-15 서울반도체주식회사 디스플레이 장치
US11796857B2 (en) 2016-09-12 2023-10-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US10606121B2 (en) 2016-09-12 2020-03-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US10775667B2 (en) 2016-09-12 2020-09-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
KR20180039818A (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 픽셀 유닛
US10096586B2 (en) 2016-10-11 2018-10-09 Lumens Co., Ltd. LED display modules and methods for making the same
WO2018139866A1 (ko) * 2017-01-26 2018-08-02 주식회사 엘지화학 마이크로 led 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20180109263A (ko) * 2017-03-27 2018-10-08 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US10566381B2 (en) 2017-12-14 2020-02-18 Lg Display Co., Ltd. Light-emitting diode chip and micro display device
KR20190115160A (ko) * 2018-03-30 2019-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11798975B2 (en) 2018-03-30 2023-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11824138B2 (en) 2018-10-31 2023-11-21 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
US11056472B2 (en) 2018-11-27 2021-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stretchable display device
KR20210150870A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 광번짐 현상을 제거한 마이크로 led 검사장치

Also Published As

Publication number Publication date
US9599857B2 (en) 2017-03-21
US20150331285A1 (en) 2015-11-19
TW201515260A (zh) 2015-04-16
US9865577B2 (en) 2018-01-09
US9111464B2 (en) 2015-08-18
KR101704334B1 (ko) 2017-02-07
US20140367633A1 (en) 2014-12-18
EP2997564B1 (en) 2017-09-06
TWI570953B (zh) 2017-02-11
EP2997564A1 (en) 2016-03-23
JP2016523450A (ja) 2016-08-08
JP6290389B2 (ja) 2018-03-07
CN105339996A (zh) 2016-02-17
CN105339996B (zh) 2018-02-09
WO2014204694A1 (en) 2014-12-24
US20170162553A1 (en) 2017-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101704334B1 (ko) 파장 변환 층을 구비한 led 디스플레이
US8928021B1 (en) LED light pipe
TWI603508B (zh) 具有波長轉換層之微發光二極體
US11217567B2 (en) Light emitting structure to aid LED light extraction
US10096647B2 (en) Display apparatus having a plurality of reflective electrodes
US20200295081A1 (en) Display devices
CN103733243B (zh) 荧光体基板、显示装置和电子设备
KR20180030455A (ko) 표면 실장 발광 소자를 구비하는 디스플레이
CN107393940A (zh) Led显示设备及其制造方法
EP3958324A2 (en) Display device
US20230335689A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
CN220326172U (zh) 显示装置
CN220326171U (zh) 显示装置
CN220108616U (zh) 显示装置
US20230268469A1 (en) Display device
TW202341467A (zh) 具有發光元件之基板及包含其之顯示裝置
JP2023098846A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 4