KR101222539B1 - 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터에 관한 것이다.

본 발명에 따른 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터는, 기판; 기판 상에 형성된 구동소자와, 구동소자의 소스전극 또는 드레인전극 중 어느 하나로부터 연장되어 형성된 제1금속층과 제1금속층과 이격되어 대향 형성된 제2금속층을 갖는 커패시터를 포함하는 구동부; 및 구동부의 드레인전극과 전기적으로 연결되어 구동소자의 동작에 의해 발광하는 발광부를 포함한다.

전계발광소자, 커패시터, 구동소자

Description

전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터{Light emitting diode and Capacitor the same.}

도 1은 종래 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광소자를 나타낸 도면이다.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전계발광소자의 커패시터를 나타낸 도면이다.

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계발광소자의 커패시터를 나타낸 도면이다.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

230, 330, 430: 구동소자 240, 340, 440: 커패시터

233, 333, 433: 제1금속층 213, 313, 413: 제2금속층

250: 구동부 280: 발광부

본 발명은 전계발광소자와 전계발광소자의 커패시터에 관한 것이다.

유기전계발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전 극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.

이러한, 유기전계발광소자는 구동방식에 따라 수동매트릭스형 유기 전계 발광 소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode: PMOLED)와 능동매트릭스형 유기 전계 발광 소자(Active Matrix Organic Light Emitting Diode : AMOLED)로 구분된다.

또한, 유기전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식과 배면발광(Bottom-Emission) 방식이 있다.

먼저, PMOLED는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순하나, 배선의 수가 증가하면 할수록 높은 휘도가 필요하기 때문에 소비전력이 증가하고, 대면적화에 어려운 단점이 있다.

반면 AMOLED는 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있는 장점이 있고, 화소를 독립적으로 구동하기 위한 스위칭소자와 구동소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 이용한다.

그러나 이와 같은 유기전계발광소자(PMOLED, AMOLED)는 아직 해결해야 할 과제가 많이 남아 있는바 관련 분야 기술 개발 또한 계속되고 있다.

이와 관련하여, 여기에서는 이하 도시된 도면을 참조하여, 능동매트릭스형 유기전계발광소자에 형성된 커패시터와 관련하여 종래 문제점을 설명한다.

도 1은 종래 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.

더욱 자세하게는, 종래 능동매트릭스형 유기전계발광소자의 구동부(스위칭소자, 구동소자,커패시터)와 발광부를 나타낸 단면도이다. 여기서는, 종래 유기전계발광소자 중 구동부와 발광부를 나타내는 개략적인 도면을 이용하여 종래 기술의 문제점을 설명한다.

도시된 바와 같이, 유기전계발광소자(100)는 일반적으로, 기판(10) 상에 구동부(50)와 발광부(80)가 형성되어 있고, 도시되어 있지는 않지만, 기판(10) 상에 형성된 소자를 보호하기 위해 기판 또는 캡 등으로 밀봉된 구조를 갖는다.

먼저, 구동부(50)는 신호를 스위칭하는 스위칭소자(20), 스위칭 된 신호를 받아 발광부(80)를 구동하는 구동소자(30)와 구동소자(30)를 일정시간 동안 구동할 수 있도록 하는 커패시터(40) 등이 형성된다.

여기서, 스위칭소자(20)와 구동소자(30)는 다음과 같이, 기판(10) 상에 활성영역(11, 12, 13)이 형성되어 있고, 그 위에 평탄화막 또는 절연막(23)이 형성되며, 절연막(23) 상에는 각각 게이트전극(31, 32)이 형성되어 있다. 한편, 게이트전극(31, 32)을 덮는 절연막(41, 23)의 양쪽에는 콘택홀을 형성하여 소스전극/드레인전극(Source/Drain; 이하 S/D전극)(21/24, 22/26)이 활성영역(11, 12)과 연결되도록 형성된다.

여기서, 커패시터(40)는 구동소자(30)의 S/D전극(22/26) 중 어느 하나와 연결되어 커패시터(30)를 형성하기 위한 커패시터용 전극이 더 형성된다.

한편, 커패시터(40)는 일반적으로, METAL - INSULATOR - METAL (M-I-M)의 구조로 형성된다. 자세하게는, 기판상에 커패시터(40)의 제1금속층(13)을 doped active layer(doped p-Si) 등으로 형성하고, 제1금속층(13) 상에 인슐레이터로 사용될 절연막(23)을 형성한 후, 절연막(23) 상에 제2금속층(33)을 형성하게 된다.

여기서, 제2금속층(33)은 전술한 구동소자(30)의 S/D전극(22/26) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 이러한 커패시터(40)는, 제1금속층(13)의 상면에 형성되는 제2금속층(33)이 제1금속층(13)과 상호 대응(매칭)되도록 형성하는 것이 중요하다.

한편, 도시되어 있지는 않지만, 이와 같이 형성된 커패시터(40)는 구동소자(30)의 게이트(32)와 연결되어 유기전계발광소자(100)가 구동될 때, 전원전압을 저장하였다가 방전을 하여, 구동소자(30)의 게이트(32)를 일정시간(충전된 전하량) 동안 턴-온 시키는 역할을 한다.

전술한 구동소자(30)의 구동에 의해 빛을 발광하는 발광부(80)는 구동부(50)를 층간 절연막(51)으로 덮고, 구동소자(30)의 S/D전극(22/26) 중 하나에 콘택홀을 형성하여 화소전극(72)이 형성된다. 화소전극(72)은 다시 층간 절연막(61)으로 덮고, 화소전극(72) 상에 발광층(70)이 형성되고, 발광층(70)을 덮도록 캐소드전극(71)이 형성된다. 이에 따라, 구동부(50)의 구동소자(30)에 의해 발광부(80)가 빛을 발광하는 유기전계발광소자(100)가 형성된다.

그러나 전술한 구조는 기술발전과 고해상도를 요구함에 따라, 고해상도를 갖는 유기전계발광소자(100)를 제작할 때, 커패시터(40)를 포함하는 기타의 소자(ex, TFT)에 의해 화소의 크기가 작아지는 문제점이 있었다.

이러한 문제는 빛을 전면으로 발광하는 전면발광(Top emission)방식 또는 배변발광(Bottom emission)방식 또는 양면발광방식 등의 모든 능동형 유기전계발광소 자에 문제가 대두 되는 것이다.

이를테면, 배면발광의 경우 박막트랜지스터의 크기나 그 수가 많아질 경우, 개구율이 기하급수적으로 줄어들어 디스플레이 소자로서의 기능을 하기가 어렵게 되는 것을 일례로 할 수 있다.

전술한 문제는 제한된 화소 내에 필요한 박막트랜지스터를 형성하고 그 나머지 영역에 제1금속층과, S/D전극과 연결된 제2금속층으로서 커패시터를 형성하기 때문이다. 즉, 고해상도로 갈수록 커패시터를 형성할 수 있는 영역이 작아져 전체적으로 소자 성능이 저하되는 문제점을 유발하게 됨을 뜻한다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 커패시터가 형성되는 구조를 달리 형성하여, 공간에 제약을 받지 않고 보다 큰 커패시터를 형성할 수 있도록 하는 것이다.

또한, 커패시터를 보다 크게 형성할 수 있도록 하여, 전계발광소자의 성능을 향상시키고 고해상도의 디스플레이를 용이하게 구현할 수 있도록 하는 것이다.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 형성된 구동소자와, 구동소자의 소스전극 또는 드레인전극으로부터 연장되어 형성된 제1금속층과 제1금속층과 이격되어 대향 형성된 제2금속층을 갖는 커패시터를 포함하는 구동부; 및 구동부의 드레인전극과 전기적으로 연결되어 구동소자의 동작에 의해 발광하는 발광부를 포함한다.

여기서, 제2금속층은 구동소자의 게이트전극과 전기적으로 연결되어 있는 것일 수 있다.

여기서, 제1 및 제2금속층의 사이에는 절연막이 형성된 것일 수 있다.

여기서, 제2금속층은, 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 제1금속층의 위에 형성된 것일 수 있다.

여기서, 제2금속층은, 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 제1금속층의 아래에 형성된 것일 수 있다.

여기서, 제1금속층 및 제2금속층은 투명의 전도성 물질일 수 있다.

여기서, 발광부는 유기물층을 포함한다.

한편, 본 발명에 따른 전계발광소자의 커패시터는, 기판 상에 형성된 구동소자의 소스전극 또는 드레인전극으로부터 연장되어 형성된 제1금속층과; 제1금속층과 이격되어 대향 형성된 제2금속층을 포함한다.

여기서,제1 및 제2금속층의 사이에는 절연막이 형성된 것일 수 있다.

여기서, 제2금속층은, 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 제1금속층의 위에 형성된 것일 수 있다.

여기서, 제2금속층은, 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 제1금속층의 아래 형성된 것일 수 있다.

여기서, 제1금속층 및 제2금속층은 투명의 전도성 물질인 것일 수 있다.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.

<제1실시예 : 전계발광소자>

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광소자를 나타낸 도면이다.

더욱 자세하게는, 능동매트릭스형 전계발광소자의 구동부(스위칭소자, 구동소자, 커패시터)와 발광부를 나타낸 단면도이다. 여기서는, 전계발광소자의 구동부와 발광부를 나타내는 개략적인 도면을 이용하여 설명한다.

도시된 바와 같이, 전계발광소자(200)는, 기판(210) 상에 구동부(250)와 발광부(280)가 형성되어 있고, 도시되어 있지는 않지만, 기판(210) 상에 형성된 소자를 보호하기 위해 기판 또는 캡 등으로 밀봉된 구조를 갖는다.

먼저, 구동부(250)에는 신호를 스위칭하는 스위칭소자(220), 스위칭 된 신호를 받아 발광부(280)를 구동하는 구동소자(230)와 구동소자(230)를 일정시간 동안 구동할 수 있도록 하는 커패시터(240) 등이 형성되어 있다.

여기서, 스위칭소자(220)와 구동소자(230)는 다음과 같이, 기판(210) 상에 활성영역(211, 212)이 형성되어 있고, 그 위에 평탄화막 또는 절연막(242)이 형성되어 있다. 활성영역(211, 212)의 절연막(242) 상에는 각각 게이트전극(231, 232)이 형성되어 있다. 한편, 게이트전극(231, 232)을 덮는 절연막(241, 242)의 양쪽에는 콘택홀을 형성하여 소스전극/드레인전극(Source/Drain; 이하 S/D전극)(221/224, 222/226)이 활성영역(211, 212)과 연결되도록 형성되어 있다.

여기서, 구동소자(230)의 S/D전극(222/226) 중 어느 하나로부터 연장된 제1금속층(233)이 형성되어 있는데, 제1금속층(233)은 본 발명의 제1실시예에 따라 커패시터(240)를 형성하기 위한 커패시터용 전극이 된다. 여기서, 제1금속층(233)은 구동소자(230)의 S/D전극(222/226)형성시 함께 형성되거나 따로 형성될 수도 있다.

여기서, 도면에 나타나듯이 제1금속층(233)은 S/D전극(222/226) 중 어느 하나로부터 연장되어 형성되어 있기 때문에, 종래 대비 더욱 큰 커패시터용 전극을 형성하여 커패시터(240)의 크기를 늘려 전하 차지 용량을 높일 수 있게 된다.

한편, 커패시터(240)와 관련하여 설명하면, 커패시터(240)는 일반적으로, METAL - INSULATOR - METAL (M-I-M)의 구조로 형성되는데, 여기서 커패시터(240)는, 제1금속층(233) 상에 인슐레이터로 사용될 절연막(223)을 형성한 후, 제1금속층(233)과 대응 되도록 절연막(223) 상에 제2금속층(213)이 형성되어 있게 된다.

참고로, 커패시터(240)를 형성할 때는 제2금속층(213)이 제1금속층(233)과 상호 대응(매칭)되도록 형성하는 것이 중요하다.

한편, 도시되어 있지는 않지만, 이와 같이 형성된 커패시터(240)는 구동소자(230)의 게이트(232)와 연결되어 있다. 이에 따라, 전계발광소자(200)가 구동할 때, 전원전압을 일시 저장하였다가 방전을 하여, 구동소자(230)의 게이트(232)를 일정시간(충전된 전하량) 동안 턴-온 시키는 역할을 한다.

여기서, 전술한 커패시터(240)는, 구동소자(230)의 S/D전극(222/226) 형성시 커패시터(240)용 전극인 제1금속층(233)을 형성 한 후, 그 위에 보호막(passivation layer)으로는, SiNx 또는 SiO2 중 어느 하나를 이용하여 형성될 수도 있다. 이어서, 평탄화막으로는 polyimide 또는 polyacryl 중 어느 하나를 이용하여 형성될 수도 있다.

전술한 구동소자(230)의 구동에 의해 빛을 발광하는 발광부(280)는 구동부(250)를 층간 절연막(251)으로 덮고, 구동소자(230)의 S/D전극(222/226) 중 하나에 콘택홀을 형성하여 화소전극(272)이 형성되어 있다. 화소전극(272)은 다시 층간 절연막(261)으로 덮고, 화소전극(272) 상에 발광층(270)이 형성되어 있고, 발광층(270)을 덮도록 캐소드전극(271)이 형성되어 있다. 이에 따라, 구동부(250)의 구동소자(230)에 의해 발광부(280)가 빛을 발광하는 전계발광소자(200)가 형성된다.

전술한 본 발명의 제1실시예에 따른 커패시터(240)는, 전면발광, 배면발광 및 양면발광 방식의 전계발광소자 모두에 적용될 수 있다. 참고로, 배면발광 방식의 경우 제2금속층(213)은 ITO, IZO 등이 쓰일 수 있으며, 전면발광 방식의 경우 제2금속층(213)은 ITO와 메탈을 이용하여 다층으로 형성될 수도 있다. 즉, 제1금속층(233)과 제2금속층(213)은 발광 방식에 따라 투명 전도성 물질 등을 이용하여 선택적으로 형성할 수 있음은 물론이다.

덧붙여, 전도성 물질과 관련하여, 전술한 제1금속층(233)은 Mo, Cr 또는 Al 중 어느 하나로 형성되거나 어느 하나 이상을 더 이용하여 다층으로 형성될 수도 있다.

여기서, 제2금속층(213)은 Al, AlNd, ITO, Ag, Mo, Cr, Ti 또는 Pt 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. 또한, ITO/Ag/ITO, Ag/ITO, ITO/AlNd/ITO, AlNd/ITO, ITO/Al/ITO 또는 Al/ITO 등을 이용하여 다층으로 형성될 수도 있다.

한편, 전계발광소자(200)의 발광부(280)에는 유기발광층이 형성된 유기전계발광소자와 무기발광층이 형성된 무기전계발광소자에 적용 가능함은 물론이다.

전술한 제1실시예로 보아 본 발명은, 공간에 제약을 받지 않고 보다 큰 커패시터를 형성하여 보다 성능이 좋은 전계발광소자를 제공하는 효과가 있게 되고, 이에 따라, 전계발광소자의 성능을 향상시켜 고해상도의 디스플레이를 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.

<제2실시예 : 전계발광소자의 커패시터>

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전계발광소자의 커패시터를 나타낸 도면이다.

더욱 자세하게는, 능동매트릭스형 전계발광소자의 구동부(구동소자, 커패시터)를 나타낸 단면도이다. 여기서는, 제2실시예에 따라 전계발광소자의 커패시터를 설명한다.

도시된 바와 같이, 전계발광소자의 커패시터(300)는, 구동소자(230)의 소스전극/드레인전극(Source/Drain; 이하 S/D전극)(322/326) 중 어느 하나로부터 연장된 제1금속층(333) 상에 절연막(323)을 사이에 두고 제2금속층(313)이 형성되어 있다.

먼저, 구동소자(330)는 기판(310) 상에 활성영역(312)이 형성되어 있고, 활성영역(312) 상에 평탄화막 또는 절연막(342)이 형성되어 있다. 활성영역(312)의 절연막(342) 상에는 게이트전극(332)이 형성되어 있다. 한편, 게이트전극(332)을 덮는 절연막(341, 342)의 양쪽에는 콘택홀을 형성하여 소스전극/드레인전극(Source/Drain; 이하 S/D전극)(322/326)이 활성영역(312)과 연결되도록 형성되어 있다.

여기서, 구동소자(330)의 S/D전극(322/326) 중 어느 하나로부터 연장된 제1금속층(333)이 형성되어 있는데, 제1금속층(333)은 본 발명의 제2실시예에 따라 커패시터(340)를 형성하기 위한 커패시터용 전극이 된다. 여기서, 제1금속층(333)은 구동소자(330)의 S/D전극(322/326)형성시 함께 형성되거나 따로 형성될 수도 있다.

여기서, 도면에 나타나듯이 제1금속층(333)은 S/D전극(322/326) 중 어느 하나로부터 연장되어 형성되어 있기 때문에, 종래 대비 더욱 큰 커패시터용 전극을 형성하여 커패시터(340)의 크기를 늘려 전하 차지 용량을 높일 수 있게 된다.

한편, 커패시터(340)와 관련하여 설명하면, 커패시터(340)는 일반적으로, METAL - INSULATOR - METAL (M-I-M)의 구조로 형성되는데, 여기서 커패시터(340)는, 제1금속층(333) 상에 인슐레이터로 사용될 절연막(323)을 형성한 후, 제1금속층(333)과 대응 되도록 절연막(323) 상에 제2금속층(313)이 형성되어 있게 된다.

참고로, 커패시터(340)를 형성할 때는 제2금속층(313)이 제1금속층(333)과 상호 대응(매칭)되도록 형성하는 것이 중요하다.

한편, 도시되어 있지는 않지만, 이와 같이 형성된 커패시터(340)는 구동소자(330)의 게이트(332)와 연결되어 있다. 이에 따라, 전계발광소자의 커패시터(300)는, 전원전압을 일시 저장하였다가 방전을 하여, 구동소자(330)의 게이트(332)를 일정시간(충전된 전하량) 동안 턴-온 시키는 역할을 한다.

여기서, 전술한 커패시터(340)는, 구동소자(330)의 S/D전극(322/326) 형성시 커패시터(340)용 전극인 제1금속층(333)을 형성한 후, 그 위에 보호막(passivation layer)으로는, SiNx 또는 SiO2 중 어느 하나를 이용하여 형성될 수도 있다. 이어서, 평탄화막으로는 polyimide 또는 polyacryl 중 어느 하나를 이용하여 형성될 수도 있다.

전술한 본 발명의 제2실시예에 따른 커패시터(340)는, 전면발광, 배면발광 및 양면발광 방식의 전계발광소자 모두에 적용될 수 있다.

<제3실시예 : 전계발광소자의 커패시터>

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계발광소자의 커패시터를 나타낸 도면이다.

더욱 자세하게는, 능동매트릭스형 전계발광소자의 구동부(구동소자, 커패시터)를 나타낸 단면도이다. 여기서는, 제3실시예에 따라 전계발광소자의 커패시터를 설명한다.

도시된 바와 같이, 전계발광소자의 커패시터(400)는, 구동소자(430)의 소스전극/드레인전극(Source/Drain; 이하 S/D전극)(422/426) 중 어느 하나로부터 연장된 제1금속층(433) 아래에 절연막(423)을 사이에 두고 제2금속층(413)이 형성되어 있다.

먼저, 구동소자(430)는 기판(410) 상에 활성영역(412)이 형성되어 있고, 활성영역(412) 상에 평탄화막 또는 절연막(442)이 형성되어 있다. 활성영역(412)의 절연막(442) 상에는 게이트전극(432)이 형성되어 있다. 한편, 게이트전극(432)을 덮는 절연막(441, 442)의 양쪽에는 콘택홀을 형성하여 소스전극/드레인전극(Source/Drain; 이하 S/D전극)(422/426)이 활성영역(412)과 연결되도록 형성되어 있다.

여기서, 구동소자(430)의 S/D전극(422/426) 중 어느 하나로부터 연장된 제1금속층(433)이 형성되어 있는데, 제1금속층(433)은 본 발명의 제3실시예에 따라 커패시터(440)를 형성하기 위한 커패시터용 전극이 된다. 여기서, 제1금속층(433)은 구동소자(430)의 S/D전극(422/426)형성시 함께 형성되거나 따로 형성될 수도 있다.

여기서, 도면에 나타나듯이 제1금속층(433)은 S/D전극(422/426) 중 어느 하나로부터 연장되어 형성되어 있기 때문에, 종래 대비 더욱 큰 커패시터용 전극을 형성하여 커패시터(440)의 크기를 늘려 전하 차지 용량을 높일 수 있게 된다.

한편, 제3실시예에서 커패시터(440)는 제1금속층(433)의 아래에 인슐레이터로 사용될 절연막(441)을 사이에 두고 제2금속층(413)이 형성되어 있다.

여기서도, 커패시터(440)는 METAL - INSULATOR - METAL (M-I-M)의 구조로 형성되는데, 앞서 전술한 실시예와 마찬가지로 커패시터(440)를 형성할 때는 제2금속층(413)이 제1금속층(433)과 상호 대응(매칭)되도록 형성하는 것이 중요하다.

한편, 도시되어 있지는 않지만, 이와 같이 형성된 커패시터(440)는 구동소자(430)의 게이트(432)와 연결되어 있다. 이에 따라, 전계발광소자의 커패시터(400)는 전원전압을 일시 저장하였다가 방전을 하여, 구동소자(430)의 게이트(432)를 일정시간(충전된 전하량) 동안 턴-온 시키는 역할을 한다.

전술한 본 발명의 제3실시예에 따른 커패시터(440)는, 전면발광, 배면발광 및 양면발광 방식의 전계발광소자 모두에 적용될 수 있다.

전술한 각각의 실시예로 보아 본 발명은, 공간에 제약을 받지 않고 보다 큰 커패시터를 형성하여 보다 성능이 좋은 전계발광소자를 제공하는 효과가 있게 되고, 이에 따라, 전계발광소자의 성능을 향상시켜 고해상도의 디스플레이를 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, 공간에 제약을 받지 않고 보다 큰 커패시터를 형성하여 보다 성능이 좋은 전계발광소자를 제공하는 효과가 있다.

이에 따라, 전계발광소자의 성능을 향상시켜 고해상도의 디스플레이를 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.

Claims (12)

1. 기판;

   상기 기판 상에 형성된 구동소자와, 상기 구동소자의 소스전극 또는 드레인전극으로부터 연장되어 형성된 제1금속층과 상기 제1금속층과 이격되어 대향 형성된 제2금속층을 갖는 커패시터를 포함하는 구동부; 및

   상기 구동소자와 전기적으로 연결되어 상기 구동소자의 동작에 의해 발광하는 발광부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전계발광소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제2금속층은 상기 구동소자의 게이트전극과 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2금속층의 사이에는 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
4. 제3항에 있어서, 상기 제2금속층은,

   상기 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 상기 제1금속층의 위에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
5. 제3항에 있어서, 상기 제2금속층은,

   상기 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 상기 제1금속층의 아래에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 제1금속층 및 제2금속층은 투명의 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
7. 제6항에 있어서,

   상기 발광부는 유기물층을 포함하는 전계발광소자.
8. 기판 상에 형성된 구동소자의 소스전극 또는 드레인전극으로부터 연장되어 형성된 제1금속층과;

   상기 제1금속층과 이격되어 대향 형성된 제2금속층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전계발광소자의 커패시터.
9. 제8항에 있어서,

   상기 제1 및 제2금속층의 사이에는 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 커패시터.
10. 제9항에 있어서, 상기 제2금속층은,

    상기 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 상기 제1금속층의 위에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 커패시터.
11. 제9항에 있어서, 상기 제2금속층은,

    상기 제1금속층의 길이방향과 대응 되도록 상기 제1금속층의 아래에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 커패시터.
12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 제1금속층 및 제2금속층은 투명의 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 커패시터.

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