TWI676980B

TWI676980B - 顯示器

Info

Publication number: TWI676980B
Application number: TW107133998A
Authority: TW
Inventors: 陳振彰; Chen-Chang Chen; 劉品妙; Pin-Miao Liu
Original assignee: 友達光電股份有限公司; Au Optronics Corporation
Priority date: 2018-09-27
Filing date: 2018-09-27
Publication date: 2019-11-11
Also published as: CN109545094A; TW202013344A; CN109545094B

Abstract

一種顯示器，包括陣列基板、第一畫素單元及第二畫素單元。陣列基板具有多個區塊。至少一區塊包含多個驅動元件、多個第一導電結構及多個第二導電結構位於基板上。第一導電結構的上表面至基板的上表面間的厚度不同於第二導電結構的上表面至基板的上表面間的厚度。第一畫素單元含至少兩不同色的次畫素。各次畫素具有第一微發光二極體元件。第一微發光二極體元件位於第一導電結構上且電連接至驅動元件。第二畫素單元含至少兩不同色的次畫素。各次畫素具有第二微發光二極體元件。第二微發光二極體元件位於第二導電結構上且電連接至驅動元件。

Description

顯示器

本發明是有關於一種顯示器，且特別是一種有關於微發光二極體的顯示器。

在一般的微發光二極體元件（micro-LED）轉置技術中，可以藉由靜電吸頭或聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane；PDMS）等轉印頭，以將微發光二極體元件轉置並安裝於基板上。

然而，上述的轉置技術中可能會有壓印深度不均的問題。以聚二甲基矽氧烷轉印頭為例，在成型的過程中可能產生收縮，因此容易造成壓印邊緣與中心的收縮量不同，進而產生形變量不同。因而在將微發光二極體元件安裝於基板上之後，可能會造成電流分布不均勻，進而使顯示器的亮度不均勻（mura），而造成顯示品質的降低。

本發明提供一種顯示器，其具有較佳的顯示品質及製程良率。

本發明的顯示器包括陣列基板、第一畫素單元以及第二畫素單元。陣列基板具有多個區塊，至少一區塊包含多個驅動元件、多個第一導電結構及多個第二導電結構設置於一基板的上表面。這些第一導電結構的上表面至基板的上表面之間的第一厚度不同於這些第二導電結構的上表面至基板的上表面之間的第二厚度。第一畫素單元包含至少兩個不同顏色的次畫素。各次畫素具有至少一第一微發光二極體元件。第一微發光二極體元件配置於這些第一導電結構之一者上且電性連接至對應的這些驅動元件之一。第二畫素單元包含至少兩個不同顏色的次畫素。各次畫素具有至少一第二微發光二極體元件。第二微發光二極體元件配置於這些第二導電結構之一者上且電性連接至對應的這些驅動元件之一。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1A至圖1B是依照本發明的第一實施例的一種顯示器的製作方式的部分立體示意圖。圖1C至圖1H是依照本發明的第一實施例的一種顯示器的製作方式的部分剖面示意圖。具體而言，圖1B是圖1A中區塊Z5的放大圖，圖1G是圖1F中區域R1的放大圖，圖1H是圖1F中區域R2的放大圖。

請同時參照圖1A至圖1C。如圖1A所示，提供一陣列基板100。並且，如圖1A及圖1C所示，例如可以藉由具有轉印頭（print head）11的機台及/或其他適宜的轉置機台，以轉印及/或其他適宜的方式，而將多個紅色微發光元件160R、170R轉置於陣列基板100上。轉印頭11例如為聚二甲基矽氧烷轉印頭或其他適宜的彈性轉印頭（elastomer print head），但本發明不限於此。藉由具有彈性的轉印頭11，可以提升轉置製程中的緩衝空間。因此，轉置製程的製程欲度（process window）也可以被提升。

陣列基板100包括基板110、畫素陣列層120以及多個導電結構130、140。基板110之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、金屬或是其他適宜的材質。畫素陣列層120以及導電結構130、140位於基板110的上表面110a上。畫素陣列層120包括多個驅動元件121（繪示於圖1G或圖1H），且導電結構130、140電性連接至畫素陣列層120中對應的驅動元件121。而有關畫素陣列層120中之驅動元件121將於後續段落作詳細說明。

陣列基板100可以劃分為對應於轉印頭11的一個或多個區塊Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9（即Z1~Z9）。換句話說，區塊Z1~Z9的外觀及大小可以依據對應的轉印頭11的尺寸而進行調整。以圖1A所繪示的實施例中，陣列基板100具有多個區塊Z1~Z9，但本發明不限於此。在其他實施例中，陣列基板100也可以僅具有一個區塊。若陣列基板100具有多個區塊Z1~Z9，則這些區塊Z1~Z9的外觀及大小可以彼此相同或不同，且區塊Z1~Z9內的畫素陣列層120的佈線（layout）配置可以依據各個區塊Z1~Z9的功能或位置進行調整，於本發明並不加以限制。

以圖1A中的區塊Z5為例，如圖1B所示，基板110的上表面110a上包括多個第一導電結構130以及多個第二導電結構140。第一導電結構130的上表面130a至基板110的上表面110a之間具有第一厚度130h（繪示於圖1G），第二導電結構140的上表面140a至基板110的上表面110a之間具有第二厚度140h（繪示於圖1H），且第一厚度130h大於第二厚度140h。在本實施例中，第一厚度130h與第二厚度140h的差值大於等於1微米（micrometer；μm）且小於等於5微米，以適於在微發光二極體元件（如：後續所述的第一微發光二極體元件160及第二微發光二極體元件170）的轉置過程中，可以對應於轉印頭11的形變量，而補償或降低轉印頭11的形變所造成的影響。

如圖1G及圖1H所示，在本實施例中，第一導電結構130可以具有導電模塊131，第二導電結構140可以具有導電模塊141。組成第一導電結構130的導電模塊131的厚度大於組成第二導電結構140的導電模塊141的厚度。導電模塊131、141例如為導電柱（conductive pillar），但本發明不限於此。在一些實施例中，具有不同厚度的導電模塊131、141可以藉由不同次數的多次成膜、曝光顯影及蝕刻之多膜層堆疊方式形成，或是藉由半調式光罩（Half Tone Mask；HTM）以多次蝕刻方式形成，於本發明並不加以限制。

請接續參閱圖1B，在一些實施例中，多個導電結構130、140可分別組成複數個群組，配置於基板上，例如每N個相同厚度的導電結構組成一組連續排列，N為大於或等於2的正整數，依據顯示器之顯示畫素設計需求，同一畫素單元的多個發光元件設置於相同厚度的一組導電結構上。在本實施例中，例如每三個導電導電結構130為一組以及每三個導電導電結構140為一組，以適於轉置不同顏色的微發光二極體元件於其上。此外，在本實施例中，厚度較小的第二導電結構140設置於鄰近基板110之區塊Z5的中心110P的位置，而厚度較大的第一導電結構130設置於基板110自區塊Z5的中心110P向外延伸的位置，但本發明不限於此。換句話說，厚度最小的導電結構設置於基板110之區塊Z5的中心110P的位置，依據導電結構的厚度漸增而向外緣配置，厚度最大的導電結構則設置於基板110之區塊Z5的最外緣的位置。

在本實施例中，在一第一延伸D1方向上，任一組第二導電結構140配置於兩組第一導電結構130之間。舉例而言，於圖1B中，在一平行於XZ平面的剖面上，於X方向上的至少一組第二導電結構140配置於至少兩組第一導電結構130之間。另外，若陣列基板100具有多個區塊Z1~Z9，在一垂直於第一延伸方向D1的第二延伸D2方向上，至少一組第二導電結構140配置於至少兩組第一導電結構130之間。舉例而言，請同時參照圖1A及圖1B，在一平行於YZ平面的剖面上，於Y方向上的至少一組第二導電結構140配置於至少兩組第一導電結構130之間。並且，若陣列基板100具有多個區塊，所述導電結構的配置模式可交替出現。

在本實施例中，於單一個區塊（如：區塊Z5）中，所有第一導電結構130可以構成一具有最大面積的圍繞區域，而第二導電結構140可以位於前述的圍繞區域內（即，第一導電結構130可以是以封閉式的方式環繞第二導電結構140），但本發明不限於此。在其他實施例中，於單一個區塊中，陣列基板100的高度補償可以為單方向（即，沿著一方向遞增或遞減），如藉由靜電吸頭進行轉置過程。

接著，請參照圖1C，在將多個紅色微發光元件160R、170R轉置於陣列基板100上之後，可以藉由類似的方式，以將多個綠色微發光元件160G、170G轉置於陣列基板100上。

接著，請參照圖1D，在將多個綠色微發光元件160G、170G轉置於陣列基板100上之後，可以藉由類似的方式，以將多個藍色微發光元件160B、170B轉置於陣列基板100上。

值得注意的是，本發明並不限定，紅色微發光元件160R、170R、綠色微發光元件160G、170G以及藍色微發光元件160B、170B的轉置順序。

經過上述轉置製程後即可大致上完成本實施例之顯示器10的製作。請同時參照圖1F至圖1H，顯示器10包括陣列基板100、第一畫素單元PU1以及第二畫素單元PU2。

陣列基板100包括基板110、畫素陣列層120以及多個導電結構130、140。如圖1G及圖1H所示，畫素陣列層120具有多個驅動元件121。各個驅動元件121具有對應的閘極GE、源極S、汲極D、半導體層CH及閘極絕緣層GI。閘極絕緣層GI位於閘極GE與半導體層CH之間。並且，畫素陣列層120可以更具有覆蓋於驅動元件121上的絕緣層122及導電層123。導電層123可以覆蓋於絕緣層122且貫穿絕緣層122，以使導電層123上的導電結構130、140可以與對應的驅動元件121電性連接。

在本實施例中，驅動元件121例如是薄膜電晶體（thin film transistor；TFT），圖1B中的驅動元件121是以薄膜電晶體可為底部閘極型電晶體（bottom gate）為例，即閘極GE位於半導體層CH之下方。在其他實施例中，薄膜電晶體可為頂部閘極型（top gate），即閘極位於半導體層之上方，或其他適當型式的電晶體，但本發明不限於此。在其他實施例中，驅動元件121也可以是其他型態之開關元件（switching device）。

第一畫素單元PU1至少包含兩個不同顏色的次畫素SP1，各個次畫素SP1具有至少一個第一微發光二極體元件160，且第一微發光二極體元件160配置於對應的第一導電結構130上，以使第一微發光二極體元件160藉由對應的第一導電結構130電性連接至驅動元件121的汲極D。

在本實施例中，第一微發光二極體元件160包括紅色微發光二極體元件160R、綠色微發光二極體元件160G或藍色微發光二極體元件160B，但本發明不限於此。

在本實施例中，第一微發光二極體元件160中的紅色微發光二極體元件160R、綠色微發光二極體元件160G及藍色微發光二極體元件160B是分別位於具有相同高度的第一導電結構130上。

第二畫素單元PU2至少包含兩個不同顏色的次畫素SP2，各個次畫素SP2具有至少一個第二微發光二極體元件170，且第二微發光二極體元件170配置於對應的第二導電結構140上，以使第二微發光二極體元件170藉由對應的第二導電結構140電性連接至驅動元件121的汲極D。

在本實施例中，第二微發光二極體元件170包括紅色微發光二極體元件170R、綠色微發光二極體元件170G或藍色微發光二極體元件170B，但本發明不限於此。

在本實施例中，由於第二微發光二極體元件170中的紅色微發光二極體元件170R、綠色微發光二極體元件170G及藍色微發光二極體元件170B是分別位於具有相同高度的第二導電結構140上。並且，第一微發光二極體元件160中的紅色微發光二極體元件160R的高度不同於第二微發光二極體元件170中的紅色微發光二極體元件170R的高度，第一微發光二極體元件160中的綠色微發光二極體元件160G的高度不同於第二微發光二極體元件170中的綠色微發光二極體元件170G的高度，且第一微發光二極體元件160中的藍色微發光二極體元件160B的高度不同於第二微發光二極體元件170中的藍色微發光二極體元件170B的高度。

在本實施例中，由於構成第一畫素單元PU1的第一微發光二極體元件160配置於第一導電結構130上，且構成第二畫素單元PU2的第二微發光二極體元件170配置於第二導電結構140上。因此，第二畫素單元PU2可以位於鄰近基板110之區塊Z5的中心110P的位置，且第一畫素單元PU1可以位於基板110自中心110P向外延伸的位置。另外，若陣列基板100具有多個區塊Z1~Z9，則在第一延伸方向D1或第二延伸方向D2上，第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2可以交替排列。

舉例而言，請同時參照圖1A及圖1B，在一平行於YZ平面的剖面上，於Y方向上的任一組第二導電結構140（如：區塊Z2、區塊Z5以及區塊Z8中的任一組第二導電結構140）配置於至少兩組第一導電結構130（如：區塊Z2、區塊Z5以及區塊Z8中最遠離區塊中心110P的兩組第一導電結構130）之間。並且，若陣列基板100具有多個區塊，在第二延伸方向上，第一畫素單元PU1與第二畫素單元PU2可以交替排列。

請參照圖1G及圖1H，在本實施例中，微發光二極體元件160、170例如為具有第一導電層191、第一半導體層192、發光層193、第二半導體層194以及第二導電層195的垂直式（vertical type）發光二極體，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一微發光二極體元件160與第二微發光二極體元件170也可以為覆晶式（flip-chip type）發光二極體。第一半導體層192、發光層193以及第二半導體層194例如可以是藉由有機金屬氣相沉積法（Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD）所形成具有或不具有摻雜（doping）的氮化銦鎵（InGaN）層及/或氮化鎵（GaN）層，第一導電層191以及第二導電層195例如可以是藉由物理氣相沉積法（Physical Vapor Deposition；PVD）所形成的金屬或金屬氧化物層。藉由不同濃度或種類的摻雜，可以使微發光二極體元件160、170具有不同的發光顏色。

在本實施例中，第一微發光二極體元件160與第一導電結構130之間以及第二微發光二極體元件170與第二導電結構140之間具有導電黏著層180。導電黏著層180的材質例如為焊料，且例如可藉由迴焊製程（reflow process），以藉由導電黏著層180而提升微發光二極體元件160、170與導電結構130、140之間的導電性。

基於上述，在本實施例的顯示器10中，導電模塊131與導電模塊141的厚度不同，因此，導電模塊131所構成的第一導電結構130與導電模塊141所構成的第二導電結構140可以具有不同的對應厚度。而前述的不同的厚度所產生的厚度差可以在微發光二極體元件160、170的轉置過程中，可以補償或降低轉印設備的形變所造成的影響，而可以使微發光二極體元件160、170與陣列基板100之間的電流分布較為均勻，進而使顯示器的亮度較為均勻，而提升顯示品質。

圖2A及圖2B是依照本發明的第二實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。具體而言，本實施例的顯示器20包括陣列基板200、第一畫素單元PU1以及第二畫素單元PU2，且圖2A是第一畫素單元PU1及陣列基板200的其中一個第一導電結構230剖面示意圖，圖2B是第二畫素單元PU2及陣列基板200的其中一個第二導電結構240剖面示意圖。

請參考圖1G、圖1H、圖2A及圖2B，在本實施例中，第一導電結構230包括導電層123、232和絕緣層122，導電層123覆蓋於絕緣層122上，且絕緣層122覆蓋於導電層232上。第二導電結構240包括導電層123、242和絕緣層122，導電層123覆蓋於絕緣層122上，且絕緣層122覆蓋於導電層242上。第一導電結構230的導電層232的厚度大於第二導電結構240的導電層242的厚度，第一導電結構230的絕緣層122的厚度相同於第二導電結構240的絕緣層122的厚度，且第一導電結構230的導電層123的厚度相同於第二導電結構240的導電層123的厚度。

在本實施例中，導電層232、242可以為相同的膜層。換句話說，構成導電層232、242的膜層可以具有多個凸起，而具有不一致的厚度。

在本實施例中，導電層232、242可以為驅動元件121中的一膜層。舉例而言，在本實施例中，構成導電結構的導電層232、242可以為驅動元件121中閘極GE，但本發明不限於此。在其他實施例中，構成導電結構的導電層232、242可以為驅動元件121中源極S及/或汲極D。

基於上述，在本實施例的顯示器20中，導電層232與導電層242的厚度不同，因此，導電層232所構成的第一導電結構230與導電層242所構成的第二導電結構240可以具有不同的對應厚度。而前述的不同的厚度所產生的厚度差可以在微發光二極體元件160、170的轉置過程中，可以補償或降低轉印設備的形變所造成的影響，而可以使微發光二極體元件160、170與陣列基板200之間的電流分布較為均勻，進而使顯示器的亮度較為均勻，而提升顯示品質。

圖3A及圖3B是依照本發明的第三實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。具體而言，本實施例的顯示器30包括陣列基板300、第一畫素單元PU1以及第二畫素單元PU2，且圖3A是第一畫素單元PU1及陣列基板300的其中一個第一導電結構330剖面示意圖，圖3B是第二畫素單元PU2及陣列基板300的其中一個第二導電結構340剖面示意圖。

請參考圖1G圖1H與圖3A及圖3B，在本實施例中，導電層332可以覆蓋於絕緣層122上且貫穿絕緣層122，導電層342可以覆蓋於絕緣層122上且貫穿絕緣層122。

第一導電結構330至少包括導電層332。第二導電結構340至少包括導電層342。第一導電結構330的導電層332的厚度大於第二導電結構340的導電層342的厚度。

基於上述，在本實施例的顯示器30中，導電層332與導電層342的厚度不同，因此，導電層332所構成的第一導電結構330與導電層342所構成的第二導電結構340可以具有不同的對應厚度。而前述的不同的厚度所產生的厚度差可以在微發光二極體元件160、170的轉置過程中，可以補償或降低轉印設備的形變所造成的影響，而可以使微發光二極體元件160、170與陣列基板300之間的電流分布較為均勻，進而使顯示器的亮度較為均勻，而提升顯示品質。

圖4A及圖4B是依照本發明的第四實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。具體而言，本實施例的顯示器40包括陣列基板400、第一畫素單元PU1以及第二畫素單元PU2，且圖4A是第一畫素單元PU1及陣列基板400的其中一個第一導電結構430剖面示意圖，圖4B是第二畫素單元PU2及陣列基板400的其中一個第二導電結構440剖面示意圖。

請參考圖1G圖1H與圖4A及圖4B，在本實施例中，絕緣層432及絕緣層442覆蓋對應的驅動元件121，且導電層123可以覆蓋且貫穿對應的絕緣層432、442。

在本實施例中，第一導電結構430包括導電層123和絕緣層432，且導電層123覆蓋於絕緣層432上。第二導電結構440包括導電層123和絕緣層442，且導電層123覆蓋於絕緣層442上。第一導電結構430的絕緣層432的厚度大於第二導電結構440的絕緣層442的厚度，且第一導電結構430的導電層123的厚度相同於第二導電結構440的導電層123的厚度。

在本實施例中，絕緣層432、442可以為相同的膜層。換句話說，構成絕緣層432、442的膜層可以具有多個凸起，而具有不一致的厚度。

基於上述，在本實施例的顯示器40中，絕緣層432與絕緣層442的厚度不同，因此，絕緣層432所構成的第一導電結構430與絕緣層442所構成的第二導電結構440可以具有不同的對應厚度。而前述的不同的厚度所產生的厚度差可以在微發光二極體元件160、170的轉置過程中，可以補償或降低轉印設備的形變所造成的影響，而可以使微發光二極體元件160、170與陣列基板400之間的電流分布較為均勻，進而使顯示器的亮度較為均勻，而提升顯示品質。

圖5是依照本發明的第五實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。具體而言，本實施例的顯示器50包括陣列基板500以及多個畫素單元PU，且圖5是其中一個畫素單元PU及陣列基板500的其中一個導電結構530剖面示意圖。

請參考圖1G、圖1H與圖5，在本實施例中，導電黏著層580的材質例如為焊料，且例如可藉由迴焊製程，以藉由導電黏著層580而提升微發光二極體元件與導電結構530之間的導電性。

在本實施例中，導電結構530例如可以包括導電柱(conductive pillar)540。導電柱540位於導電層123上，且導電柱540可以依據設計上的需求而有不同的高度。

另外，縱使導電黏著層580在製作過程的使用量過多，或是於迴焊製程中過度的熔融，而溢出導電結構530的上表面530a，也可藉由凸出的導電結構530而使導電黏著層580覆蓋於導電結構530的部分側壁(如：導電柱540的部分側壁540b)，以避免導電黏著層580與其他的導電構件/膜層/元件產生不預期的電性連接。

圖6A至圖6C是依照本發明的第六實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。具體而言，圖6B是圖6A中區域R3的放大圖，圖6C是圖6A中區域R4的放大圖。

請參考圖1F至圖1H與圖6A至圖6C，在本實施例的顯示器60的陣列基板600與第一實施例的顯示器10的陣列基板100類似，差異在於：陣列基板600包括絕緣的高度補償結構650。高度補償結構650的頂表面650a為一連續凹面，且第一導電結構630與第二導電結構640位於頂表面650a上。

在本實施例中，高度補償結構650具有彼此相對的相對突出部651以及相對凹陷部652，位於相對突出部651的頂表面650a1至基板110的上表面110a之間具有第一厚度650h1，位於相對凹陷部652的頂表面650a2至基板110的上表面110a之間具有第二厚度650h2，且第一厚度650h1大於第二厚度650h2。如此一來，可以使第一導電結構630的上表面630a至基板110的上表面110a之間的高度大於第二導電結構640的上表面640a至基板110的上表面110a之間的高度。

在其他變化實施例中，第一導電結構630與第二導電結構640中亦可包括焊球，但本發明不限於此。

基於上述，在此變化實施例的顯示器60中，相對突出部651與相對凹陷部652的厚度不同，且位於相對突出部651上的焊球與位於相對凹陷部652上的焊球640亦可以具有不同的對應高度，由此組成第一導電結構630與第二導電結構640。而前述的不同的高度所產生的高度差可以在微發光二極體元件160、170的轉置過程中，可以補償或降低轉印設備的形變所造成的影響，而可以使微發光二極體元件160、170與陣列基板600之間的電流分布較為均勻，進而使顯示器的亮度較為均勻，而提升顯示品質。

綜上所述，本發明的顯示器中，陣列基板於第一導電結構及第二導電結構的部份具有不同的對應厚度/高度，不同高度的形成方式可以為上述實施例之任一或混合使用，而前述的不同的厚度/高度所產生的厚度差/高度差可以對應於轉印頭或轉印製程可以產生的形變量。因此，在微發光二極體元件的轉置過程中，可以補償或降低轉印頭的形變所造成的影響，而可以使微發光二極體元件與陣列基板之間的電流分布較為均勻，進而使顯示器的亮度較為均勻，而提升顯示品質及製程良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60‧‧‧顯示器

11‧‧‧轉印頭

100、200、300、400、500、600‧‧‧陣列基板

110‧‧‧基板

110P‧‧‧中心

110a、130a、630a、140a、640a、530a‧‧‧上表面

120‧‧‧畫素陣列層

121‧‧‧驅動元件

122、432、442‧‧‧絕緣層

123、232、332、242、342‧‧‧導電層

130、230、330、430‧‧‧第一導電結構

130h、650h1‧‧‧第一厚度

131、141‧‧‧導電模塊

140、240、340、440‧‧‧第二導電結構

140h、650h2‧‧‧第二厚度

530‧‧‧導電結構

540‧‧‧導電柱

540b‧‧‧側壁

650‧‧‧高度補償結構

650a、650a1、650a2‧‧‧頂表面

651‧‧‧相對突出部

652‧‧‧相對凹陷部

160‧‧‧第一微發光二極體元件

170‧‧‧第二微發光二極體元件

160R、170R‧‧‧紅色微發光二極體元件

160G、170G‧‧‧綠色微發光二極體元件

160B、170B‧‧‧藍色微發光二極體元件

180、580‧‧‧導電黏著層

191‧‧‧第一導電層

192‧‧‧第一半導體層

193‧‧‧發光層

194‧‧‧第二半導體層

195‧‧‧第二導電層

PU‧‧‧畫素單元

PU1‧‧‧第一畫素單元

PU2‧‧‧第二畫素單元

SP1、SP2‧‧‧次畫素

Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9‧‧‧區塊

R1、R2、R3、R4‧‧‧區域

D1‧‧‧第一延伸方向

D2‧‧‧第二延伸方向

X、Y、Z‧‧‧方向

GE‧‧‧閘極

S‧‧‧源極

D‧‧‧汲極

CH‧‧‧半導體層

GI‧‧‧閘極絕緣層

630、640‧‧‧焊球

圖1A至圖1B是依照本發明的第一實施例的一種顯示器的製作方式的部分立體示意圖。圖1C至圖1F是依照本發明的第一實施例的一種顯示器的製作方式的部分剖面示意圖。圖1G至圖1H是依照本發明的第一實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。圖2A及圖2B是依照本發明的第二實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。圖3A及圖3B是依照本發明的第三實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。圖4A及圖4B是依照本發明的第四實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。圖5是依照本發明的第五實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。圖6A至圖6C是依照本發明的第六實施例的一種顯示器的部分剖面示意圖。

Claims

一種顯示器，包括：一陣列基板，具有多個區塊，至少一該區塊包含多個驅動元件、多個第一導電結構及多個第二導電結構設置於一基板的上表面，其中該些第一導電結構的上表面至該基板的該上表面之間的一第一厚度不同於該些第二導電結構的上表面至該基板的該上表面之間的一第二厚度；一第一畫素單元，包含至少兩個不同顏色的次畫素，各該次畫素具有至少一第一微發光二極體元件，其中該第一微發光二極體元件配置於該些第一導電結構之一者上且電性連接至對應的該些驅動元件之一；以及一第二畫素單元，包含至少兩個不同顏色的次畫素，各該次畫素具有至少一第二微發光二極體元件，其中該第二微發光二極體元件配置於該些第二導電結構之一者上且電性連接至對應的該些驅動元件之一，其中該第一厚度大於該第二厚度，該第二畫素單元設置於鄰近該基板之該區塊的一中心位置，該第一畫素單元設置於該基板自該中心向外延伸的位置。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第一畫素單元之該些第一微發光二極體元件為紅色微發光二極體元件、綠色微發光二極體元件或藍色微發光二極體元件。
如申請專利範圍第2項所述的顯示器，其中該第二畫素單元之該些第二微發光二極體元件為紅色微發光二極體元件、綠色微發光二極體元件或藍色微發光二極體元件。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該些第一導電結構及該些第二導電結構分別具有多個群組，每一組包含N個該第一導電結構或N個該第二導電結構，其中N為≧2的正整數，在一第一延伸方向上，任一組該些第二導電結構配置於至少兩組該些第一導電結構之間。
如申請專利範圍第4項所述的顯示器，其中在一第二延伸方向上，任一組該些第二導電結構配置於任至少兩組該些第一導電結構之間，且該第二延伸方向垂直於該第一延伸方向。
如申請專利範圍第4項所述的顯示器，其中該些第一畫素單元的數量為多個，該第二畫素單元的數量為多個，且該些第一畫素單元與該些第二畫素單元於該第一延伸方向上依據各該區塊排列而於該基板上交替排列。
如申請專利範圍第6項所述的顯示器，其中該些第一畫素單元與該些第二畫素單元於該第二延伸方向上依據各該區塊排列而於該基板上交替排列。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該些第一導電結構環繞該些第二導電結構設置。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該些第一微發光二極體元件與該些第二微發光二極體元件為垂直式發光二極體或覆晶式發光二極體。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第一畫素單元與該第二畫素單元分別具有多個發光頻譜相同的該第一微發光二極體元件及該第二微發光二極體元件。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該些第一導電結構與該些第二導電結構分別具有一導電模塊，且該些第一導電結構的該導電模塊的厚度與該些第二導電結構的該導電模塊的厚度不同。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該些第一導電結構與該些第二導電結構包括一導電層和一絕緣層，該導電層設置於該絕緣層的上方，且該些第一導電結構的該導電層的厚度與該些第二導電結構的該導電層的厚度相同，該些第一導電結構的該絕緣層的厚度與該些第二導電結構的該絕緣層的厚度不同。
如申請專利範圍第12項所述的顯示器，其中該些驅動元件為多個薄膜電晶體，該些薄膜電晶體分別電性連接對應的該導電層。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該陣列基板包括至少一導電層與至少一絕緣層，該導電層或該絕緣層具有多個第一凸出結構以及多個第二凸出結構，該些第一導電結構包括該些第一凸出結構，該些第二導電結構包括該些第二凸出結構，且該些第一凸出結構的厚度不同於該些第二凸出結構的厚度。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第一微發光二極體元件與該第一導電結構之間以及該第二微發光二極體元件與該第二導電結構之間分別具有一導電黏著層。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第一厚度與該第二厚度的差值大於等於1微米(μm)且小於等於5微米。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該陣列基板包括一高度補償結構，該高度補償結構的一頂表面為一連續凹面，且該些第一導電結構與該些第二導電結構位於該頂表面上。
如申請專利範圍第17項所述的顯示器，其中該些第二導電結構位於該連續凹面的一相對凹陷部，該些第一導電結構位於該連續凹面的一相對突出部。