TWI645394B - 顯示裝置及其驅動方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種顯示裝置及其驅動方法。顯示裝置包括多個次像素，其至少一者包括彼此並聯的第一與第二發光元件，且包括波長轉換層。第一發光元件具有第一啟動電流，第二發光元件具有大於第一啟動電流的第二啟動電流。波長轉換層覆蓋第一發光元件且未覆蓋第二發光元件。波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光在第一模式下具有第一CIE色座標值（X1，Y1），第二發光元件在第二模式下發出的光具有第二CIE色座標值（X2，Y2）。X1與X2的差值小於0.05，Y1與Y2的差值小於0.1。在第一模式與第二模式下至少一次像素的灰階範圍分別為1至127以及128至255。

Description

顯示裝置及其驅動方法

本發明是有關於一種顯示裝置及其驅動方法，且特別是有關於一種發光二極體顯示裝置及其驅動方法。

由於發光二極體（light emitting diode，LED）顯示裝置具有主動式發光、高亮度、高對比、低功耗等優點，為了滿足高解析度的需求，由主動元件陣列基板與陣列排列的微米發光二極體（micro-LED）組成的發光二極體顯示裝置是目前發展的方向之一。

然而，發光二極體顯示裝置在低灰階（亦即低亮度）的操作模式與高灰階（亦即高亮度）的操作模式之間的國際照明學會（International Commission on Illumination，CIE）色座標的偏移相當大。如此一來，使得發光二極體顯示裝置在不同灰階亮度的操作模式之間產生顏色的變化，即出現所謂的色偏問題。

本發明提供一種顯示裝置的驅動方法，使得顯示裝置在不同灰階的操作模式之間具有較小的色域變化。

本發明提供一種顯示裝置，其次像素在不同灰階的操作模式之間具有較小的CIE色座標偏移。

本發明實施例的顯示裝置的驅動方法包括：提供顯示裝置，包括多個次像素，其中至少一次像素包括第一發光元件、第二發光元件以及波長轉換層，第一發光元件與第二發光元件並聯，第一發光元件具有第一啟動電流且第二發光元件具有第二啟動電流，第一啟動電流小於第二啟動電流，波長轉換層覆蓋第一發光元件且未覆蓋第二發光元件；在第一模式下對顯示裝置的至少一次像素施加第一電流，以啟動第一發光元件，其中第一電流大於或等於第一啟動電流且小於第二啟動電流；以及在第二模式下對至少一次像素施加第二電流，以同時啟動第一發光元件與第二發光元件，其中第二電流大於或等於第二啟動電流。

在本發明的一實施例中，第一電流可大於0微安培且小於或等於0.75微安培，第二電流可大於0.76微安培且小於或等於3.5微安培。

在本發明的一實施例中，第一電流可大於0微安培且小於或等於0.5微安培，第二電流可大於0.76微安培且小於或等於1.5微安培。

在本發明的一實施例中，顯示裝置的最高驅動灰階為第L階灰階，在第一模式下至少一次像素的灰階可大於或等於第1階且小於第L/2階，且在第二模式下至少一次像素的灰階可大於或等於第L/2階且小於或等於第L階。

在本發明的一實施例中，在第一模式以第一電流驅動至少一次像素時，第一發光元件發出的光之主波長範圍可為254 nm至470 nm，且波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍可為510 nm至560 nm。

在本發明的一實施例中，在第二模式以第二電流驅動至少一次像素時，第二發光元件所發出的光的主波長範圍可為510 nm至560 nm。

在本發明的一實施例中，在第一模式以第一電流驅動至少一次像素時，第一發光元件發出的光之主波長範圍可為254 nm至470 nm，且波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍可為610 nm至670 nm。

在本發明的一實施例中，在第二模式以第二電流驅動至少一次像素時，第二發光元件所發出的光的主波長範圍可為610 nm至670 nm。

在本發明的一實施例中，在第一模式以第一電流驅動至少一次像素時，波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光具有第一CIE色座標值（X1，Y1），在第二模式以第二電流驅動時，第二發光元件所發出的光具有第二CIE色座標值（X2，Y2），X1與X2的差值可小於0.05，且Y1與Y2的差值可小於0.1。

在本發明的一實施例中，Y1與Y2的差值可小於0.03。

本發明實施例的顯示裝置包括多個次像素。多個次像素中的至少一者包括第一發光元件、第二發光元件以及波長轉換層。第一發光元件具有第一啟動電流，第二發光元件並聯於第一發光元件，且具有第二啟動電流，第一啟動電流小於第二啟動電流。波長轉換層覆蓋第一發光元件且未覆蓋第二發光元件。波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光在第一模式下具有第一CIE色座標值（X1，Y1），第二發光元件在第二模式下所發出的光具有第二CIE色座標值（X2，Y2）。X1與X2的差值小於0.05，且Y1與Y2的差值小於0.1。第一模式下至少一次像素的灰階範圍為1至127，且第二模式下至少一次像素的灰階範圍為128至255。

在本發明的一實施例中，波長轉換層可包括磷光粉、螢光粉、量子點、有機發光材料或其組合。

在本發明的一實施例中，第一發光元件與第二發光元件可分別包括發光二極體。

在本發明的一實施例中，發光二極體的尺寸範圍可為1 μm至100 μm。

在本發明的一實施例中，Y1與Y2的差值可小於0.03。

在本發明的一實施例中，第二發光元件發出的光之主波長範圍可為510 nm至560 nm，第一發光元件發出的光之主波長範圍可為254 nm至470 nm，且波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍可為510 nm至560 nm。

在本發明的一實施例中，第二發光元件發出的光之主波長範圍可為610 nm至670 nm，第一發光元件發出的光之主波長範圍可為254 nm至470 nm，且波長轉換層受第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍可為610 nm至670 nm。

在本發明的一實施例中，其中多個次像素的相鄰二個次像素可分別包括第一發光元件、第二發光元件以及波長轉換層，且兩個次像素發出的光可分別具有不同的主波長範圍。

在本發明的一實施例中，兩個次像素發出的光的主波長範圍可分別為510 nm至560 nm以及610 nm至670 nm。

基於上述，在本發明實施例的顯示裝置中，至少一次像素的波長轉換層覆蓋具有較小啟動電流的第一發光元件，且未覆蓋具有較大啟動電流的第二發光元件。如此一來，在低灰階的操作模式下，次像素中之發光元件所顯示出來的光源之CIE色座標由波長轉換層決定。另一方面，在高灰階的操作模式下，次像素中之發光元件所顯示出來的光源之CIE色座標由第二發光元件以及波長轉換層共同決定。由於波長轉換層受到第一發光元件激發而發出的光的第一CIE色座標值相當接近於第二發光元件發出的光的第二CIE色座標值，故次像素在低灰階模式與高灰階模式之間的CIE色座標偏移狀況可有效地降低且不影響影像的顯示品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明一些實施例的顯示裝置10的像素100的上視示意圖。

請參照圖1A，顯示裝置10包括像素100。像素100包括多個次像素。在一些實施例中，多個次像素包括紅光次像素、綠光次像素以及藍光次像素。舉例而言，多個次像素可包括次像素100a、次像素100b以及次像素100c。次像素100a可為紅光次像素，且次像素100a發出的光的主波長範圍可為610 nm至670 nm。次像素100b可為綠光次像素，且次像素100b發出的光的主波長範圍可為510 nm至560 nm。次像素100c可為藍光次像素，且次像素100c發出的光的主波長範圍可為254 nm至470 nm。在其他實施例中，多個次像素更可包括黃光次像素（未繪示），其發出的光的主波長範圍可為560 nm至600 nm 。

多個次像素中的至少一者可包括至少兩個啟動電流與主波長範圍不同的發光元件，且包括波長轉換層。波長轉換層覆蓋上述至少兩個不同的發光元件的其中一者。具體而言，至少兩個發光元件彼此並聯，且其啟動電流以及發出的光的主波長範圍分別彼此相異。

以次像素100a為例，次像素100a包括彼此並聯的第一發光元件BD以及第二發光元件RD。在一些實施例中，第一發光元件BD與第二發光元件RD分別包括發光二極體。在一些實施例中，發光二極體的尺寸（亦即長、寬或高）的範圍可為1 μm至100 μm。換言之，第一發光元件BD與第二發光元件RD可分別為微米發光二極體（micro-LED）或毫米發光二極體（mini-LED）。在一些實施例中，第一發光元件BD可為藍光發光元件，其發出的光的主波長範圍為254 nm至470 nm。第二發光元件RD可為紅光發光元件，其發出的光的主波長範圍為610 nm至670 nm。第一發光元件BD具有第一啟動電流，且第二發光元件RD具有大於第一啟動電流的第二啟動電流。在一些實施例中，第一發光元件BD的第一啟動電流可大於0微安培且小於或等於5微安培，而第二發光元件RD的第二啟動電流的範圍可為0.01微安培至5微安培。

在第一模式下，對次像素100a施加的電流大於或等於第一啟動電流但小於第二啟動電流。換言之，在第一模式下，僅會導通第一發光元件BD。在第一模式下，次像素100a接受到的電流可為第N階灰階電流。上述第N階灰階電流代表次像素100a的亮度（灰階）為第N階灰階所對應到的電流。在一些實施例中，N的範圍可為1至127。在第二模式下，對次像素100a施加的電流大於或等於第二啟動電流。由此可知，在第二模式下，第一發光元件BD與第二發光元件RD兩者均會被導通。在第二模式下，次像素100a接受到的電流可為第M階灰階電流。第M階灰階電流代表次像素100a的亮度（灰階）為第M階灰階所對應到的電流。在一些實施例中，M的範圍可為128至255。

次像素100a更包括波長轉換層102a。波長轉換層102a覆蓋第一發光元件BD，而未覆蓋第二發光元件RD。換言之，波長轉換層102a覆蓋第一發光元件BD，且暴露出第二發光元件RD。第一發光元件BD導通時，第一發光元件BD所發出的光會激發波長轉換層102a中的波長轉換材料，以使第一發光元件BD所發出的光產生光頻譜上的偏移，亦即光顏色發生變化。由於在第一模式下僅導通第一發光元件BD，故次像素100a的發光波長特性由波長轉換層102a決定。在第二模式下，會導通第一發光元件BD與第二發光元件RD兩者。因此，在第二模式下，次像素100a的發光特性由第二發光元件RD與波長轉換層102a共同決定。在一些實施例中，波長轉換層102a可包括磷光粉、螢光粉、量子點、有機發光材料或其組合，亦或包括其他具波長轉換特性的膜層或元件結構。此外，所屬領域中具有通常知識者可依據設計需求選用具有不同主波長範圍的波長轉換層，本發明並不以此為限。

經由波長轉換層102a所激發的光的主波長範圍可相異於第一發光元件BD發出的光的主波長範圍，且相同於或近似於第二發光元件RD發出的光的主波長範圍。如此一來，在第一模式與第二模式下，次像素100a發出的光具有相同或近似的主波長範圍。在一些實施例中，波長轉換層102a與第二發光元件RD所發出的光的主波長範圍均為610 nm至670 nm，而第一發光元件BD發出的光的主波長範圍為254 nm至470 nm。

在第一模式下，經由波長轉換層102a所激發的光具有第一CIE色座標值（X1，Y1）。在第二模式下，第二發光元件RD發出的光具有第二CIE色座標值（X2，Y2）。此外，在第二模式下，波長轉換層102a受第一發光元件BD的光激發而發出的光仍具有第一CIE色座標值（X1，Y1）。特別來說，X1與X2的差值小於0.05，且Y1與Y2的差值小於0.1；在一些實施例中，Y1與Y2的差值更可小於0.03。由於高低灰階之間的光能夠有較小的色座標差異，且如此小的顏色差異較不易被人眼所辨識，因此可確保良好的顯示品質。由於經由波長轉換層102a發出的光的第一CIE色座標值相當接近於第二發光元件RD發出的光的第二CIE色座標值，故次像素100a在第一模式與第二模式下的CIE色座標值相當接近。換言之，次像素100a在不同灰階的操作模式之間可具有較小的CIE色座標偏移。

一般而言，在低灰階模式（第一模式）下，紅光發光二極體（例如是第二發光元件RD）的量子效率低於藍光發光二極體（例如是第一發光元件BD）的量子效率。藉由在低灰階模式下使用藍光發光二極體（例如是第一發光元件BD）激發主波長範圍在紅光範圍的波長轉換層（例如是波長轉換層102a），則可提高紅光次像素（例如是次像素100a）在低灰階模式下的量子效率。

在一些實施例中，相鄰於次像素100a的次像素100b亦可包括兩個啟動電流及主波長範圍不同的第一發光元件BD與第二發光元件GD。此外，次像素100b亦包括波長轉換層102b。波長轉換層102b覆蓋第一發光元件BD，而並未覆蓋第二發光元件GD。次像素100b相似於次像素100a，以下僅敘述兩者的差異處，相同或相似處則不再贅述。在次像素100b中，第一發光元件BD發出的光的主波長範圍為254 nm至470 nm，而第二發光元件GD與波長轉換層102b發出的光的主波長範圍均為510 nm至560 nm。除此之外，第一發光元件BD的第一啟動電流可大於0微安培且小於或等於5微安培，而第二發光元件GD的第二啟動電流的範圍可為0.01微安培至5微安培。

在一些實施例中，像素100中的一或多個次像素可不包括波長轉換層，且具有一或多個相同的發光元件。舉例而言，次像素100c包括兩個相同的第一發光元件BD，且並未包括波長轉換層。如此一來，次像素100c的發光特性單獨地由第一發光元件BD決定。此外，所屬領域中具有通常知識者可依據設計需求選用具有相近主波長範圍但為不同啟動電流的發光元件，且兩發光元件皆未被波長轉換層覆蓋。

請繼續參照圖1A，接下來，將以顯示裝置10為例說明本發明實施例的顯示裝置的驅動方法。

本發明實施例的顯示裝置的驅動方法包括下列步驟。首先，提供如上所述的顯示裝置（例如是顯示裝置10）。

在第一模式下，對至少一次像素（例如是次像素100a及/或次像素100b）施加第一電流。第一電流大於或等於第一發光元件（例如是第一發光元件BD）的第一啟動電流，且小於第二發光元件（例如是第二發光元件RD及/或第二發光元件GD）的第二啟動電流。在一些實施例中，第一電流可大於0微安培，且小於或等於0.75微安培。在其他實施例中，第一電流可大於0微安培，且小於或等於0.5微安培。

在第二模式下，對至少一次像素（例如是次像素100a及/或次像素100b）施加第二電流。第二電流大於或等於第二發光元件（例如是第二發光元件RD及/或第二發光元件GD）的第二啟動電流。在一些實施例中，第二電流可大於0.76微安培，且小於或等於3.5微安培。在其他實施例中，第二電流可大於0.76微安培，且小於或等於1.5微安培。

在一些實施例中，顯示裝置（例如是顯示裝置10）的最高驅動灰階為第L階灰階。在第一模式下，至少一次像素（例如是次像素100a及/或次像素100b）的灰階大於或等於第1階且小於第2/L階。另一方面，在第二模式下，至少一次像素（例如是次像素100a及/或次像素100b）的灰階大於或等於第L/2階且小於等於第L階。舉例而言，顯示裝置10的最高驅動灰階為第255階。在第一模式下，次像素100a的灰階範圍為第1階至第127階。此外，在第二模式下，次像素100a的灰階範圍為第128階至第255階。

在一些實施例中，在第一模式以第一電流驅動至少一次像素（例如是次像素100a及/或次像素100b）時，經由波長轉換層（例如是波長轉換層102a及/或波長轉換層102b）所激發的光具有第一CIE色座標（X1，Y1）。在第二模式以第二電流驅動至少一次像素（例如是次像素100a及/或次像素100b）時，第二發光元件（例如是第二發光元件RD及/或第二發光元件GD）所發出的光具有第二CIE色座標值（X2，Y2），且經由波長轉換層（例如是波長轉換層102a及/或波長轉換層102b）所激發的光仍具有第一CIE色座標值（X1，Y1）。X1與X2的差值小於0.05，且Y1與Y2的差值小於0.1。由於高低灰階之間的光能夠有較小的色座標差異，如此小的顏色差異較不易被人眼所辨識，因此可確保良好的顯示品質。在一些實施例中，Y1與Y2的差值可更小於0.03，此時更能保持顏色顯示上的一致性。

基於上述，在本發明實施例的至少一次像素中，波長轉換層覆蓋具有較小啟動電流的第一發光元件，且未覆蓋具有較大啟動電流的第二發光元件。如此一來，在低灰階的操作模式下，上述至少一次像素的光的CIE色座標由覆蓋第一發光元件的波長轉換層決定。另一方面，在高灰階的操作模式下，上述至少一次像素的光的CIE色座標由第二發光元件以及覆蓋第一發光元件的波長轉換層共同決定。由於波長轉換層受到第一發光元件激發而發出的光的第一CIE色座標值相當接近於第二發光元件發出的光的第二CIE色座標值，故可有效地降低上述至少一次像素在低灰階模式與高灰階模式之間的CIE色座標偏移。換句話說，可降低顯示裝置在不同灰階的操作模式下的色域變化。

基於發光二極體製作過程中摻雜（doping）材料與製程之影響，綠色發光二極體（例如是第二發光元件GD）與紅色發光二極體（例如是第二發光元件RD）於低電流操作時的電流雜訊頻譜影響力相對大於藍色發光二極體（例如是第一發光元件BD），這也導致了在低灰階操作狀況下，綠色發光二極體與紅色發光二極體的整體顏色偏移情況變大。故其中又以第二發光元件RD所發出的光之主波長範圍為610 nm至670 nm的紅色光以及第二發光元件GD所發出的光之主波長範圍為510 nm至560 nm的綠光更為需要。

圖1B是依照本發明一些實施例的次像素的剖視示意圖。請參照圖1B，接下來，將以次像素100b為例來更詳盡地說明本發明一些實施例的次像素的剖面結構。

次像素100b包括第一發光元件BD、第二發光元件GD以及波長轉換層102b。第一發光元件BD、第二發光元件GD以及波長轉換層102b皆設置於基板202上。舉例而言，基板202可為玻璃基板。此外，基板202上可設置有主動陣列204。主動陣列204可包括排列為陣列的多個電晶體（未繪示）。主動陣列204上可設置有絕緣層206，且第一發光元件BD、波長轉換層102b與第二發光元件GD可設置於絕緣層206上。舉例而言，絕緣層206的材料可包括光阻材料。

在一些實施例中，絕緣層206可經形成為階梯形。階梯形的絕緣層206可具有第一表面S1以及第二表面S2，且第一表面S1低於第二表面S2。第一發光元件BD與波長轉換層102b可設置於第一表面S1上，且第二發光元件GD可設置於第二表面S2上。次像素100b的發光場型更可依混光及視角等不同之需求分別調整第一表面S1與第二表面S2對於基板202的表面傾斜角度，本發明並不以此為限。在一些實施例中，更可於基板202上設置擴散層（未繪示），以覆蓋波長轉換層102b與第二發光元件GD。如此一來，可使次像素100b的發光場型更為均勻。在其他實施例中，絕緣層206亦可具有相對均勻的厚度。換言之，第一發光元件BD、波長轉換層102b以及第二發光元件GD皆可設置於絕緣層206的實質上等高的表面上。

在一些實施例中，次像素100b更可包括連接結構208。連接結構208延伸於絕緣層206的表面上，且連接於第一發光元件BD與第二發光元件GD之間。此外，連接結構208更可貫穿絕緣層206，以連接至主動陣列204。在一些實施例中，間隔結構210可設置於次像素100b的相對的兩側的基板202上，以定義各次像素的像素範圍。在其他實施例中，間隔結構210更可環繞次像素100b。舉例而言，間隔結構210的材料可包括感光材料、高分子膠材、金屬、陶瓷或其組合。

圖2是依照本發明另一些實施例的顯示裝置20的像素的上視示意圖。請參照圖1A與圖2，顯示裝置20相似於顯示裝置10，以下僅說明差異處，相同或相似處則不再贅述。除此之外，在圖1A與圖2中，相同或相似的元件以相似的元件符號標示（例如波長轉換層102a與波長轉換層202a）。

顯示裝置20的像素200包括次像素200a、次像素200b以及次像素200c，其分別為紅光次像素、綠光次像素以及藍光次像素。次像素200a、次像素200b以及次像素200c分別包括至少兩個不同的第一發光元件與第二發光元件，且更包括波長轉換層。舉例而言，次像素200a包括第一發光元件UD、第二發光元件RD以及波長轉換層202a。波長轉換層202a覆蓋第一發光元件UD，且並未覆蓋第二發光元件RD。第一發光元件UD為紫外光發光元件，其發出的光的主波長範圍為230 nm至365 nm。在一些實施例中，第一發光元件UD的啟動電流的大於0微安培且小於或等於5微安培。

相似地，次像素200b包括第一發光元件UD、第二發光元件GD以及波長轉換層202b。次像素200c包括第一發光元件UD、第二發光元件BD1以及波長轉換層202c。第二發光元件BD1相似於圖1A所示的第一發光元件BD，惟第二發光元件BD1未被波長轉換層202c覆蓋。在一些實施例中，波長轉換層202c受第一發光元件BD激發而發出的光的主波長範圍為254 nm至470 nm。

在本實施例的顯示裝置20的驅動方法中，在第一模式下以第一電流驅動至少一次像素（例如示次像素200a、次像素200b及/或次像素200c）的第一發光元件UD。第一電流可大於0微安培且小於或等於5微安培。另一方面，在第二模式下以第二電流來驅動至少一次像素（例如示次像素200a、次像素200b及/或次像素200c）的兩個發光元件。第二電流的範圍可為0.01微安培至5微安培。

相似於圖1A所示的顯示裝置10，本實施例的顯示裝置20亦可降低在不同灰階的操作模式之間光的CIE色座標偏移。此外，亦可降低顯示裝置20在不同灰階的操作模式下的色域變化，亦即可有效改善色偏的問題。

綜上所述，在本發明實施例的顯示裝置中，至少一次像素的波長轉換層覆蓋具有較小啟動電流的第一發光元件，且未覆蓋具有較大啟動電流的第二發光元件。如此一來，在低灰階的操作模式下，次像素的顯示光源之CIE色座標由波長轉換層決定。另一方面，在高灰階的操作模式下，次像素的顯示光源之CIE色座標由第二發光元件以及波長轉換層共同決定。由於波長轉換層受到第一發光元件激發而發出的光的第一CIE色座標值相當接近於第二發光元件發出的光的第二CIE色座標值，故次像素在低灰階模式與高灰階模式之間的CIE色座標偏移可有效地降低。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20‧‧‧顯示裝置

100、200‧‧‧像素

100a、100b、100c、200a、200b、200c‧‧‧次像素

102a、102b、202a、202b、202c‧‧‧波長轉換層

202‧‧‧基板

204‧‧‧主動陣列

206‧‧‧絕緣層

208‧‧‧連接結構

210‧‧‧間隔結構

BD、UD‧‧‧第一發光元件

RD、GD、BD1‧‧‧第二發光元件

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

圖1A是依照本發明一些實施例的顯示裝置的像素的上視示意圖。 圖1B是依照本發明一些實施例的次像素的剖視示意圖。 圖2是依照本發明另一些實施例的顯示裝置的像素的上視示意圖。

Claims (20)

1. 一種顯示裝置的驅動方法，包括： 提供一顯示裝置，包括多個次像素，其中至少一次像素包括一第一發光元件、一第二發光元件以及一波長轉換層，該第一發光元件與該第二發光元件並聯，該第一發光元件具有一第一啟動電流且該第二發光元件具有一第二啟動電流，該第一啟動電流小於該第二啟動電流，且該波長轉換層覆蓋該第一發光元件且未覆蓋該第二發光元件； 在一第一模式下對該顯示裝置的該至少一次像素施加一第一電流，以啟動該第一發光元件，其中該第一電流大於或等於該第一啟動電流且小於該第二啟動電流；以及 在一第二模式下對該至少一次像素施加一第二電流，以同時啟動該第一發光元件與該第二發光元件，其中該第二電流大於或等於該第二啟動電流。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置的驅動方法，其中該第一電流大於0微安培且小於或等於0.75微安培，該第二電流大於0.76微安培且小於或等於3.5微安培。
3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置的驅動方法，其中該第一電流大於0微安培且小於或等於0.5微安培，該第二電流大於0.76微安培且小於或等於1.5微安培。
4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置的驅動方法，其中該顯示裝置的一最高驅動灰階為第L階灰階，在該第一模式下該至少一次像素的灰階大於或等於第1階且小於第L/2階，且在該第二模式下該至少一次像素的灰階大於或等於第L/2階且小於或等於第L階。
5. 如申請專利範圍第1項所述顯示裝置的驅動方法，其中在該第一模式以該第一電流驅動該至少一次像素時，該第一發光元件發出的光之主波長範圍為254 nm至470 nm，且該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍為510 nm至560 nm。
6. 如申請專利範圍第5項所述顯示裝置的驅動方法，其中在該第二模式以該第二電流驅動該至少一次像素時，該第二發光元件所發出的光的主波長範圍為510 nm至560 nm。
7. 如申請專利範圍第6項所述顯示裝置的驅動方法，其中在該第一模式以該第一電流驅動該至少一次像素時，該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光具有一第一CIE色座標值（X1，Y1），在第二模式以該第二電流驅動時，該第二發光元件所發出的光具有一第二CIE色座標值（X2，Y2），X1與X2的差值小於0.05，且Y1與Y2的差值小於0.1。
8. 如申請專利範圍第1項所述顯示裝置的驅動方法，其中在該第一模式以該第一電流驅動該至少一次像素時，該第一發光元件發出的光之主波長範圍為254 nm至470 nm，且該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍為610 nm至670 nm。
9. 如申請專利範圍第8項所述顯示裝置的驅動方法，其中在該第二模式以該第二電流驅動該至少一次像素時，該第二發光元件所發出的光的主波長範圍為610 nm至670 nm。
10. 如申請專利範圍第9項所述顯示裝置的驅動方法，其中在該第一模式以該第一電流驅動時，該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光具有一第一CIE色座標值（X1，Y1），在該第二模式以該第二電流驅動時，該第二發光元件所發出的光具有一第二CIE色座標值（X2，Y2），X1與X2的差值小於0.05，且Y1與Y2的差值小於0.1。
11. 如申請專利範圍第10項所述顯示裝置的驅動方法，其中Y1與Y2的差值小於0.03。
12. 一種顯示裝置，包括： 多個次像素，該些次像素中的至少一者包括： 一第一發光元件，具有一第一啟動電流； 一第二發光元件，並聯於該第一發光元件，且具有一第二啟動電流，其中該第一啟動電流小於該第二啟動電流；以及 一波長轉換層，覆蓋該第一發光元件且未覆蓋該第二發光元件，其中該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光在一第一模式下具有一第一CIE色座標值（X1，Y1），該第二發光元件在一第二模式下所發出的光具有一第二CIE色座標值（X2，Y2），X1與X2的差值小於0.05，Y1與Y2的差值小於0.1，其中該第一模式下該至少一次像素的灰階範圍為1至127，且該第二模式下該至少一次像素的灰階範圍為128至255。
13. 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置，其中該波長轉換層包括磷光粉、螢光粉、量子點、有機發光材料或其組合。
14. 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置，其中該第一發光元件與該第二發光元件分別包括發光二極體。
15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示裝置，其中該發光二極體的尺寸範圍為1 μm至100 μm。
16. 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置，其中Y1與Y2的差值小於0.03。
17. 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置，其中該第二發光元件發出的光之主波長範圍為510 nm至560 nm，該第一發光元件發出的光之主波長範圍為254 nm至470 nm，且該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍為510 nm至560 nm。
18. 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置，其中該第二發光元件發出的光之主波長範圍為610 nm至670 nm，該第一發光元件發出的光之主波長範圍為254 nm至470 nm，且該波長轉換層受該第一發光元件激發而發出的光的主波長範圍為610 nm至670 nm。
19. 如申請專利範圍第12項所述的顯示裝置，其中該些次像素中的相鄰兩個次像素分別包括該第一發光元件、該第二發光元件以及該波長轉換層，且該兩個次像素發出的光分別具有不同的主波長範圍。
20. 如申請專利範圍第19項所述的顯示裝置，其中該兩個次像素發出的光的主波長範圍分別為510 nm至560 nm以及610 nm至670 nm。