JP6404636B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、エレクトロルミネセンス素子等の発光素子で構成される画素を有する表示装置に関する。特に、発光素子として、量子ドットを有する発光層を用いた表示装置に関する。

エレクトロルミネセンス（Electroluminescence：EL）現象を利用した発光素子として、エレクトロルミネセンス（以下「ＥＬ」ともいう）素子が知られている。ＥＬ素子は、発光層を構成する材料の選択により様々な波長の色で発光させることが可能であり、表示装置や照明器具への応用が進められている。

ＥＬ素子を表示装置に応用したＥＬ表示装置においては、マトリクス状に配置した各画素に、発光素子としてのＥＬ素子と、そのＥＬ素子の発光制御を行うスイッチング素子とが設けられている。そして、画素ごとにスイッチング素子のオン/オフ制御することにより、全体として任意の画像を表示することが可能である。

近年、ＥＬ表示装置に用いられる発光素子として、量子ドット（Quantum dot：QD）を利用したものが各種提案されている。量子ドットは、ｎｍオーダの半導体微粒子であって、外部からのエネルギーで発光を制御することの可能な発光材料であるとともに、外部からの電界で自ら発光させることも可能な発光材料である。従来の表示装置には、例えば、量子ドットを有する無機発光層を用いたもの（特許文献１）や、発光素子の光取り出し側に量子ドットを含む光散乱層を備えたもの（特許文献２）等が提案されている。

特表２０１０−５２０６０３号公報 特許第５２４３５３４号公報

しかし、上述した従来の表示装置は、量子ドットを含有する発光層や光散乱層を、光の取り出し方向である縦方向に重ねたスタック構造とするものが多く、微細な画素を有する高精細の小型表示パネルに適用すると、隣接画素に光が漏れるといった問題が生じる虞があった。特に、画素ごとにＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する発光素子を設けたＥＬ表示装置においては、隣接画素への光漏れにより混色が発生し、正確な画像表示が出来ない虞があった。

そこで、本発明は、隣接画素への光漏れを防止して画素間の混色を防ぐことにより、画質の改善された表示装置を提供することを目的の一つとする。

また、そのような表示装置を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構成で実現することを目的の一つとする。

本発明の一態様は、発光素子が設けられた第１基板と、複数のカラーフィルタが設けられた第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に設けられ、量子ドットを含み、且つ、透過率の異なる領域を含む充填層と、を備えた表示装置である。

前記量子ドットは、前記充填層に分散されていてもよい。

前記充填層における前記透過率の異なる領域は、前記充填層が変質した領域であってもよい。

前記充填層の一部は、互いに異なる色の光を発する画素の境界に位置していてもよい。

前記複数のカラーフィルタは、マトリクス状に配置され、前記充填層の一部は、前記マトリクス状に配置された各カラーフィルタの隙間に位置していてもよい。

本発明の一態様は、発光素子が設けられた第１基板と、複数のカラーフィルタが設けられた第２基板とを、量子ドットが分散する充填層を介して貼り合わせる工程と、前記充填層の一部にエネルギー線を照射して、該充填層の変質により他の部分に比べて透過率の低くなった領域を形成する工程と、を備えた表示装置の製造方法である。

前記充填層の一部は、互いに異なる色の光を発する画素の境界に位置していてもよい。

前記複数のカラーフィルタは、マトリクス状に配置され、前記充填層の一部は、前記マトリクス状に配置された各カラーフィルタの隙間に位置していてもよい。

前記エネルギー線の照射は、前記エネルギー線を走査して行ってもよいし、マスクを用いて前記エネルギー線を一括照射して行ってもよい。

前記エネルギー線の照射は、前記対向基板を介して行ってもよい。

前記エネルギー線は、レーザ光、紫外光、電子線及び赤外光から選択された少なくとも１つであればよい。

前記エネルギー線の照射により、前記他の部分に比べて透過率の低くなった領域の下方に位置する活性層を不活性化してもよい。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概略構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置における画素部の概略構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置における画素の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置における画素の概略構成を示す断面図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を
限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を省略することがある。

また、以下に示す実施形態では、基板上にスイッチング素子（例えば薄膜トランジスタ）及び発光素子が設けられたアクティブマトリクス型の表示装置を例示するが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板上に発光素子のみが設けられた単純マトリクス型の表示装置にも適用できる。

（第１の実施形態）
＜表示装置の構造＞
図１に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の概略構成を示す。本実施形態に示す表示装置１００は、発光素子の発光層として有機ＥＬ材料を用いた有機ＥＬ表示装置である。表示装置１００は、基板１０１上に形成された、画素部（表示領域）１０２、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０４、及びドライバＩＣ１０５を備えている。さらに、走査線駆動回路１０３及びデータ線駆動回路１０４に信号を与えるためのＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を備えていてもよい。

図１に示す画素部１０２には、複数の画素がマトリクス状に配置される。各画素には、データ線駆動回路１０４から画像データに応じた信号が与えられ、該信号を各画素に設けられたスイッチング素子を介して画素電極に与えることにより画像データに応じた画面表示を行うことができる。スイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の三端子素子やＭＩＭ等の二端子素子を用いることができる。

図２に、図１に示す表示装置１００における画素部１０２の概略構成を示す。本実施形態において、画素２０１は、赤（Ｒ）に対応するサブ画素２０１ａ、緑（Ｇ）に対応するサブ画素２０１ｂ及び青（Ｂ）に対応するサブ画素２０１ｃを含む。各サブ画素には、ＴＦＴ２０２が設けられ、各サブ画素２０１ａ〜２０１ｃの発光色を、ＴＦＴ２０２を用いてオン/オフ制御することにより、様々な色を表現できるようになっている。また、各画素２０１ａ〜２０１ｃは、一般的にバンクと呼ばれる絶縁層２０３で囲まれており、隣接する画素と区画されている。

図２では、サブ画素として、ＲＧＢの三原色を用いる構成を示したが、本実施の形態はそれに限定されるものではなく、ＲＧＢに白（Ｗ）又は黄（Ｙ）を加えた４つのサブ画素で画素２０１を構成することもできる。また、画素配列として、同一色に対応する画素がストライプ配列された例を示したが、その他デルタ配列やベイヤー配列、又はペンタイル構造を実現する配列であってもよい。

図３に、図２に示す画素部１０２をＡ−Ａ’で切断した断面の概略構成を示す。図３において、基板３０１上には、下地層３０２として絶縁層が設けられ、その上にＴＦＴ３０３が形成されている。ＴＦＴ３０３は、第１層間絶縁層３０４、第２層間絶縁層３０５によって覆われ、第２層間絶縁層３０５の上には、画素電極３０６が設けられている。下地層３０２や第１層間絶縁層３０４としては、酸化シリコン、窒化シリコンといった無機材料を用いることができる。また、第２層間絶縁層３０５としては、ＴＦＴによる第１層間絶縁層３０４の起伏を平坦化できるように、樹脂層を用いることが好ましい。樹脂材料としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等の有機材料を用いても良い。一方、第１層間絶縁層３０４の起伏を良好に平坦化できる限りにおいては、第２層間絶縁層３０５として、酸化シリコン等の無機材料を用いても良い。

本実施形態に示す表示装置１００は、発光素子３０７で発光した光を上方に出射する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。バンク３０８で区画された各画素には発光素子３０７が形成されている。発光素子３０７は、陽極として機能する画素電極３０６と陰極として機能する共通電極３０９で発光層３１０を挟み込んだ構造をとり、発光層３１０で発した光を画素電極３０６で上方に反射すると共に、共通電極３０９を透過させて矢印で示す方向に出射する構成となっている。

本実施形態の表示装置１００においては、画素電極３０６は、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましいが、仕事関数の高い透明導電膜であるＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）と金属膜との積層構造としてもよい。共通電極３０９は、透光性を有するＩＴＯやＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。なお、画素電極３０６の上に窒化シリコン膜等の保護膜を設けておくと、防水性の向上が期待できる。

発光層３１０は、低分子又は高分子の有機材料を用いて形成することができる。勿論、発光層だけでなく、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった各種機能層を設けることも可能であり、公知のあらゆる素子構造を採用することが可能である。また、発光層３１０として、有機材料のみならず、エレクトロルミネッセンス型の量子ドットを用いても良い。

本実施形態の表示装置１００は、共通電極３０９の上に封止膜３１１を設け、外部からの水分や大気の侵入を防ぎ、発光層３１０やＴＦＴ３０３の劣化を抑制している。そのため、封止膜３１１としては、緻密な膜質を備える窒化シリコン系の絶縁層を用いることが好ましい。さらに積層膜として、酸化シリコン系、酸化アルミニウム系の無機絶縁層や、樹脂系の有機絶縁層を設けても良い。

封止膜３１１の上方には、対向基板を接着するための接着材として機能する樹脂層３１２（以下「充填層」という）を介して対向基板が設けられている。充填層３１２に用いる樹脂としては、十分な透明性と、封止膜３１１との密着性が得られるものであれば特に限定しない。対向基板は、基板３１３と基板３１３に形成されたＲＧＢ各色に対応するカラーフィルタ３１４ａ〜３１４ｃとで構成される。なお、図３には、赤（Ｒ）に対応するカラーフィルタ３１４ａ、緑（Ｇ）に対応するカラーフィルタ３１４ｂ及び青（Ｂ）に対応するカラーフィルタ３１４ｃが示されている。

本実施形態において、充填層３１２は、発光素子３０７が形成された基板３０１と対向基板を構成する基板３１３とを貼り合わせるための接着層として機能すると共に、光増強層（Ｌｉｇｈｔ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｌａｙｅｒ：ＬＥＬ）としても機能する。

その際、量子ドットは、充填層３１２内に均一に分散させることが好ましい。これにより、充填層３１２に対してどのような角度で進行した光も効率的に波長変換できるからである。勿論、基板面に対して水平方向と垂直方向とで量子ドットの密度が異なっていてもよく、充填層３１２内に量子ドットが所定の密度で存在していれば色変換層としての機能を果たすことができる。

量子ドットとしては、数ｎｍ〜数十ｎｍの大きさを有する化合物半導体や酸化物半導体の微粒子を用いることができる。例えば、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ等の化合物半導体の微粒子が好ましい。また、微粒子の形状としては、略球体状のものが典型的であるが、一方に延びたロッド柱状とし、光学的に異方性をもたらすような形状であっても良い。これらの半導体微粒子は、量子井戸を形成することができ、外部から与えられた励起光を吸収して波長変換することにより、異なる波長の光を発することができるという特性をもつ。このような性質をもつ量子ドットは既に知られており、本実施形態の表示装置では、公知の量子ドットを用いることができる。

どのような波長を出力するか（すなわち、どのような色で発光するか）については、量子ドットの粒子の大きさによって調整することが可能である。したがって、粒子径の揃った量子ドットを充填層３１２内に分散させることで、スペクトルピークが鋭く、色純度の高い発光を得ることができる。この調整は、量子ドットを含む充填層３１２に対して、ＬＥＬとしての機能に加え、色変換層（Ｃｏｌｏｒ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌ：ＣＣＭ）としての機能ももたらす。そのため、充填層３１２内に量子ドットを分散させない構造に比べて、カラーフィルタの膜厚を薄くすることができる。

本実施形態の表示装置１００では、発光層３１０として、青色光を発する有機ＥＬ材料を用い、その青色光を用いて量子ドットを励起することにより、赤色光及び緑色光を生成している。具体的には、赤色光を発する粒子径の量子ドットと緑色光を発する粒子径の量子ドットを混在させて分散させ、それぞれの量子ドットを励起し、量子ドットを中心に全方位に赤色光及び緑色光を発生させる。そして、発光層３１０で生成された青色光と、量子ドットにより充填層３１２内で生成された赤色光及び緑色光が、各画素に設けられたカラーフィルタ３１４ａ〜３１４ｃを通過して図３に示すようにＲＧＢ各色の光として出射される。なお、発光層３１０として、青色光の代わりに紫外光を発する有機ＥＬ材料を用いることも可能である。すなわち、発光素子３０７として、量子ドットを励起させるだけのエネルギーを持つ波長域の光を発する発光素子を用いればよい。

また、本実施形態の表示装置１００において、充填層３１２は、その一部が変質しており、その変質した部分の透過率は、その周囲の変質していない部分に比べ相対的に低くなっている。すなわち、充填層３１２には、互いに透過率の異なる領域が少なくとも二箇所以上存在する。本明細書中では、その変質した部分（図３において、符号３１５で示される部分）を「光遮蔽領域」と呼ぶこととする。光遮蔽領域３１５は、充填層３１２の一部（好ましくは、バンク３０８の上方）に対して選択的にエネルギー線（レーザー光、紫外光、電子線、赤外線等）を照射して形成することができる。そのため、光遮蔽領域３１５における量子ドットの密度とその周囲の変質していない領域における量子ドットの密度は同じである。

光遮蔽領域３１５の透過率は、低ければ低いほど光遮蔽効果が高まるが、周囲の領域（エネルギー線が照射されていない領域）の透過率の１/２以下であることが好ましい。透過率は、エネルギー線照射の条件によって種々変更できるので、所望の透過率となるように制御すれば良い。また、すべての光遮蔽領域３１５の透過率が同じである必要はなく、互いに透過率が異なる光遮蔽領域が複数設けられてもよい。

以上のように、本実施形態の表示装置１００は、充填層３１２の一部に形成された光遮蔽領域３１５によって各画素が区画されるため、発光素子３０７から発した光のうち隣接画素へ向かう光が光遮蔽領域３１５によって遮られ、隣接する画素内に漏れることを防ぐことができる。したがって、隣接画素への迷光によって混色が生じるといった問題を防ぐことができ、画質の改善された表示装置を実現することができる。

以下、上述した構成を備える本実施形態の表示装置１００の製造工程について、図４を参照して述べる。

＜表示装置の製造方法＞
図４に、本実施形態の表示装置１００の製造工程を示す。図４（Ａ）において、基板３０１上に公知の技術によりＴＦＴ３０３を形成した後、第１層間絶縁層３０４、第２層間絶縁層３０５を形成し、陽極として機能する画素電極３０６を形成する。さらに、画素電極３０６を形成した後、ポリイミドやアクリル等の樹脂材料を成膜し、パターニングを行ってバンク３０８を形成する。バンク３０８は、各画素を区画する隔壁として機能し、バンク３０８を形成していない部分が各画素の表示領域を構成することとなる。なお、ＴＦＴ３０３の上方にバンク３０８を設けることにより、各画素の表示領域をできるだけ広く確保することが好ましい。

バンク３０８を形成した後、公知の方法により有機ＥＬ材料で構成される発光層３１０と、陰極として機能する共通電極３０９を形成する。本実施形態では、青色光を発する有機ＥＬ材料と、透光性を有する導電膜を順次成膜することにより、発光層３１０及び共通電極３０９を形成する。さらに、共通電極３０９上に封止膜３１１を形成してＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）が完成する。

ＴＦＴ基板に貼り合わせる対向基板は、予め基板３１３上にカラーフィルタ３１４ａ〜３１４ｃをマトリクス状にパターニング形成して作製しておく。そして、ＴＦＴ基板上（具体的には封止膜３１１上）に充填層３１２となるＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＴＦＴ基板と対向基板とを接着する。その状態で紫外光（ＵＶ光）を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させ、充填層３１２として機能させる。なお、本実施形態では、ＵＶ硬化樹脂を用いた例を示すが、接着層として機能する樹脂であれば、他の樹脂を用いることも可能である。

前述したように、充填層３１２には、量子ドット（ＱＤ）が分散している。充填層３１２内に量子ドットを分散させる方法としては、公知のＵＶ硬化樹脂に予め混ぜておけば良い。その際、量子ドットに対して凝集抑制機能を付加できるような有機化合物を適宜選択して結合させることにより、ＵＶ硬化樹脂内に均一に分散させることができる。

そして、充填層３１２を形成した後、図４（Ｂ）に示すように、充填層３１２の一部にエネルギー線４０１を照射して、充填層３１２の一部を変質させ、周囲の領域より透過率を低下させることにより光遮蔽領域３１５を形成する。エネルギー線としては、レーザ光、紫外光、電子線、赤外光等を用いることができる。

光遮蔽領域３１５は、バンク３０８上、すなわち画素と画素との間の境界に形成することが好ましい。これにより、互いに発光色の異なる画素を光遮蔽領域３１５によって区画できると共に、ＴＦＴ３０３の上方に形成することで表示領域を最大限に確保することができる。また、各カラーフィルタ３１４ａ〜３１４ｃの隙間をバンク３０８上に合わせ、その隙間に対してエネルギー線４０１を照射することで、精度良く画素間の境界にエネルギー線４０１を照射することができる。

このとき、充填層３１２には量子ドットが混在しているため、量子ドットが混在していない場合に比べ、励起現象を利用してより短時間に透過率を低下させることが可能である。また、光遮蔽領域３１５の幅（図４（Ｂ）における横方向の幅）や透過率の値は、照射するエネルギー線４０１の強度や照射深度によって適宜調整することが可能である。

エネルギー線４０１の照射パターンは、少なくとも発光色の異なる画素間に光遮蔽領域３１５が形成できるようにすれば良い。図５（Ａ）には、画素部に、ＲＧＢにそれぞれ対応する各画素５０１ａ〜５０１ｃをストライプ配列で形成した例を示す。この場合、ストライプに沿ってエネルギー線４０１を照射すれば隣接画素からの迷光による混色の問題を防ぐことができる。勿論、同一色の画素間に光遮蔽領域３１５を形成しても構わない。

図５（Ｂ）には、各画素５０１ａ〜５０１ｃをデルタ配列で形成した例を示す。この場合、すべての画素間に対してエネルギー線４０１を照射すれば、隣接画素からの迷光による混色の問題を防ぐことができる。

なお、図５（Ａ）、（Ｂ）には、１本ずつエネルギー線を走査する例を示しているが、複数本のエネルギー線を用いて複数列を同時に処理してもよいし、マスクを用いて列ごと又は全体を一括照射してもよい。これらの処理は、いずれも製造工程のスループットを向上させる上で有効である。

さらに、本実施形態では、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせた後にエネルギー線を照射する例を示したが、対向基板を貼り合わせる前に予め充填層にエネルギー線を照射して光遮蔽領域を形成しておいてもよい。このような例としては、例えば塗布された充填層に対し、対向基板の貼り合わせ前に、光遮蔽領域を形成すべき場所、つまり画素間の境界部分に対して局所的にエネルギー線の照射を行って予備硬化又は変質させた後で対向基板を貼り合わせ、その後全面に対してエネルギー線の照射を行って充填層を硬化させる等といった手順が挙げられる。

このように、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００は、充填層の一部にエネルギー線を照射して光遮蔽領域を形成することにより、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構成で隣接画素への光漏れを防止することができる。そのため、各画素間での混色を防ぎ、画質の改善された表示装置を実現することができる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。本実施の形態に係る表示装置は、図３に示す発光層３１０として、有機ＥＬ材料に代えて、量子ドットを含む樹脂材料を用いる。量子ドットについては、第１の実施形態で説明した量子ドットを用いれば良い。

本実施形態の表示装置における発光層は、公知の樹脂材料や無機材料に量子ドットを分散させた懸濁液を塗布した後、その懸濁液を硬化させて形成することができる。発光層は、電気エネルギーで量子ドットを励起し発光させるものでも、光エネルギーによって量子ドットを励起し発光させるものであっても良い。また、光エネルギーによって量子ドットを励起させる場合、量子ドットを分散させる材料としては、光が効率的に量子ドットに吸収されるように透光性材料を用いることが好ましい。

本実施形態の表示装置は、発光素子から発した光の隣接画素内への漏れを防ぐことにより画素間での混色を防止するという効果に加えて、化学的に安定した材料を用いて発光層を形成することにより、表示装置の長寿命化を図ることができるという効果を有する。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。図６に、本実施形態に係る表示装置６００における画素部の断面図を示す。図６において、図３と異なる点は、光遮蔽領域３１５の下方において発光層３１０に対してもエネルギー線の照射を行い、発光層を不活性化した不活性領域６０１を形成した点である。

なお、本明細書において、「発光層の不活性化」とは、発光層を変質させて高抵抗化することを意味する。すなわち、発光層３１０に対してエネルギー線を照射して、その照射部分を変質させ、照射部分以外の部分に比べて高抵抗な領域（不活性領域）を形成する。この場合、不活性領域６０１の電子移動度は、その他の部分（エネルギー線が照射されていない部分）の電子移動度に比べて低くなる。

不活性領域６０１の形成は、光遮蔽領域３１５の形成と同時に行うことが製造工程の簡素化の観点から好ましいが、別々の工程としても良い。光遮蔽領域３１５と不活性領域６０１を同時に形成する場合、エネルギー線の照射深度を調整することにより１度の照射で同時に両者を形成することも可能であるし、エネルギー線の照射中に照射深度を変更することにより、同一位置で二段階に分けて照射することにより形成することも可能である。

本実施形態の表示装置６００は、発光素子から発した光の隣接画素内への漏れを防ぐことにより画素間での混色を防止するという効果に加えて、発光層の一部に不活性領域を設けることにより、活性層を介した画素間のリーク電流を低減できるという効果を有する。

本発明の構造は、前述した量子ドットを含む充填層を用いた表示装置に適用するのみならず、量子ドットを含まない一般的な充填層を発光層と対向基板との間に設けた表示装置の充填層に対して実施することで、光学的および電気的な混色防止の効果を同様に得ることができる。

１００ 表示装置
１０２ 画素部
１０３ 走査線駆動回路
１０４ データ線駆動回路
１０５ ドライバＩＣ
２０１ 画素
２０１ａ Ｒに対応する画素
２０１ｂ Ｇに対応する画素
２０１ｃ Ｂに対応する画素
２０２ ＴＦＴ
２０３ バンク
３０１ ＴＦＴ基板
３０２ 下地層
３０３ ＴＦＴ
３０４ 第１層間絶縁層
３０５ 第２層間絶縁層
３０６ 画素電極
３０７ 発光素子
３０８ バンク
３０９ 共通電極
３１０ 発光層
３１１ 封止膜
３１２ 充填層
３１３ 基板
３１４ａ Ｒに対応するカラーフィルタ
３１４ｂ Ｇに対応するカラーフィルタ
３１４ｃ Ｂに対応するカラーフィルタ
３１５ 光遮蔽領域
４０１ エネルギー線
５０１ａ Ｒに対応する画素
５０１ｂ Ｇに対応する画素
５０１ｃ Ｂに対応する画素
６０１ 不活性領域

Claims (17)

1. 複数の発光素子が設けられた第１基板と、
   前記発光素子の前記第１基板とは反対の側に、複数の発光素子にまたがって位置し、量子ドットを含む樹脂層と、
   を備え、
   前記発光素子と重なる領域に位置する前記樹脂層は、第１透過率を有し、
   前記複数の発光素子の境界の少なくとも一部に位置する前記樹脂層は、前記第１透過率よりも透過率が低い第２透過率を有する表示装置。
2. 前記量子ドットは、前記樹脂層に分散されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数の発光素子の境界の、前記少なくとも一部とは異なる他の一部に位置する前記樹脂層は、前記第１透過率よりも透過率が低く、且つ前記第２透過率とは異なる第３透過率を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記樹脂層の前記第２透過率を有する領域は、互いに隣接し、且つ異なる色の光を発する前記発光素子の境界に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記樹脂層は、前記第１透過率を有する領域と前記第２透過率を有する領域との両方に、前記量子ドットが分散していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１透過率を有する領域における前記量子ドットの密度と、前記第２透過率を有する領域における前記量子ドットの密度とが、同じであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 複数のカラーフィルタが設けられた第２基板を有し、
   前記複数のカラーフィルタは、互いに隙間を介して離間しており、
   前記樹脂層の前記第２透過率を有する領域は、前記隙間に対向することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第２透過率を有する領域の一部は、前記隙間に位置することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記複数の発光素子の各々は、発光層を有し、
   前記発光層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子にまたがって位置し、且つ前記樹脂層の前記第２透過率を有する領域と対向する対向領域を有し、
   前記対向領域は、前記発光層の前記少なくとも一部の、前記対向領域とは異なる領域よりも、抵抗が高いことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 複数の発光素子が設けられた第１基板と、複数のカラーフィルタが設けられた第２基板とを、量子ドットが分散する樹脂層を介して貼り合わせる工程と、
    前記樹脂層の一部にエネルギー線を照射して、該樹脂層の変質により他の部分に比べて透過率の低くなった領域を形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
11. 前記樹脂層の前記一部は、互いに異なる色の光を発する発光素子の境界に位置することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記複数のカラーフィルタは、互いに隙間を介して離間しており、
    前記樹脂層の前記一部は、前記隙間に対向することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記エネルギー線の照射は、前記エネルギー線を走査することにより行われることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記エネルギー線の照射は、マスクを用いて前記エネルギー線を一括照射することにより行われることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記エネルギー線の照射は、前記第２基板を介して行われることを特徴とする請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記エネルギー線は、レーザ光、紫外光、電子線及び赤外光から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記複数の発光素子の各々は、発光層を有し、
    前記発光層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子にまたがって位置し、且つ前記樹脂層の前記一部と対向する領域を有し、
    前記エネルギー線の照射により、前記樹脂層の前記一部と対向する前記領域を高抵抗化することを特徴とする請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
    
    

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