WO2023013012A1

WO2023013012A1 - 電子デバイス、電子デバイスの製造方法

Info

Publication number: WO2023013012A1
Application number: PCT/JP2021/029248
Authority: WO
Inventors: 裕真矢口
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2021-08-06
Filing date: 2021-08-06
Publication date: 2023-02-09
Also published as: JPWO2023013012A1

Abstract

電子デバイス（２）は、ナノ粒子を含む機能層（１０）を有する。機能層は、主領域（１５Ｒ）と、機能層の外縁に形成され、外縁リガンド（２８Ｒ）含む外縁領域（１６Ｒ）と、を有する。主領域が主リガンドを含む場合、外縁リガンドは主リガンドと異なるリガンドである。外縁領域に含まれる単位体積当たりの外縁リガンドは、主領域における単位体積当たりの外縁リガンドよりも多い。

Description

電子デバイス、電子デバイスの製造方法

　本発明は、電子デバイス、および、当該電子デバイスの製造方法に関する。

　特許文献１は、量子ドットを含有する発光層を備えた発光素子、および当該発光素子の製造方法を開示する。

日本国特開２００９－８７７６０号公報

　特許文献１が開示する量子ドットを含む発光層は、例えば、洗浄工程等における水分の浸透等により、発光効率の低下、あるいは、発光寿命の減少が生じる場合がある。このように、ナノ粒子を含む機能層においては、水分の浸透等により機能が低下する場合がある。

　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る電子デバイスは、ナノ粒子を含む機能層を有する電子デバイスであって、前記機能層は、前記機能層の外縁に形成され、外縁リガンドを含む外縁領域と、前記外縁領域に内接する主領域と、を有し、前記外縁領域に含まれる単位体積当たりの前記外縁リガンドは、前記主領域における単位体積当たりの前記外縁リガンドよりも多い。

　また、上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る電子デバイスの製造方法は、第１ナノ粒子を含む第１機能層を成膜する第１機能層成膜工程と、前記第１機能層の上層に第１レジスト層を成膜する第１レジスト層成膜工程と、前記第１レジスト層に対して露光を行う第１露光工程と、前記第１レジスト層の現像により、前記第１レジスト層の一部を除去する第１現像工程と、前記第１機能層の一部を、前記第１レジスト層の側の表面からエッチングして第１外縁リガンドを導入し、前記第１機能層の少なくとも一部の外縁に、前記第１外縁リガンドおよび前記第１ナノ粒子を有する第１外縁領域を形成する第１エッチング工程とを含む。

　ナノ粒子を含む機能層への水分の浸透等を抑える。

実施形態１に係る表示装置の概略断面図、および当該断面の一部拡大図である。実施形態１に係る表示装置の概略平面図である。実施形態１に係る表示装置の断面の他の一部拡大図である。実施形態１に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。実施形態１に係る表示装置の製造工程における工程断面図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程における他の工程断面図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程における他の工程断面図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程における他の工程断面図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程における工程断面図の一部拡大図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程における工程平面図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程における他の工程平面図である。実施形態２に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。実施形態２に係る表示装置の製造工程における工程断面図である。実施形態２に係る表示装置の製造工程における他の工程断面図である。実施形態３に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。実施形態３に係る表示装置の製造工程における工程断面図である。実施形態３に係る表示装置の製造工程における他の工程断面図である。実施形態４に係る表示装置の概略断面図である。実施形態４に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。

　〔実施形態１〕
　＜表示装置の概要＞
　以下、実施形態１として、電子デバイスの一形態である表示装置について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置２の概略平面図である。図２に示すように、本実施形態に係る表示装置２は、後述する各サブ画素からの発光が取り出すことにより表示を行う表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、表示装置２の各発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されている。

　図１は、本実施形態に係る表示装置２の概略断面図、および当該断面の一部拡大図である。図１に示す表示装置２の概略断面図は、図２における、Ａ－Ｂ線矢視断面図である。

　平面視において表示領域ＤＡと重畳する位置において、本実施形態に係る表示装置２は複数の画素を備える。また、各画素は、複数のサブ画素を備える。各サブ画素は機能層を含み、機能層はナノ粒子を含む。サブ画素は、機能層に含まれるナノ粒子（例えば量子ドット）の種類が互いに異なる範囲である。図１に示す表示装置２の概略断面図には、表示装置２が備える複数の画素のうち、画素Ｐについて示している。特に、画素Ｐは、赤色サブ画素ＳＰＲと、緑色サブ画素ＳＰＧと、青色サブ画素ＳＰＢとを備える。

　図１に示すように、本実施形態に係る表示装置２は、基板４上に発光素子層６を備える。特に、表示装置２は、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）が形成された基板４上に、発光素子層６の各層が積層された構造を備える。なお、本明細書においては、後に詳述する、発光素子層６の発光層１０から画素電極８への方向を「下方向」、発光層１０から共通電極１２への方向を「上方向」として記載する。

　＜発光素子の概要＞
　発光素子層６は、基板４側から順に、第１電極としての画素電極８と、機能層としての発光層１０と、第２電極としての共通電極１２とを備える。換言すれば、発光素子層６は、発光層１０を、画素電極８と共通電極１２との間に備える。機能層はナノ粒子を含み、ナノ粒子は、例えば、量子ドットである。基板４の上層に形成された発光素子層６の画素電極８は、上述したサブ画素ごとに島状に形成され、基板４のＴＦＴのそれぞれと電気的に接続されている。例えば、画素電極８は陽極であり、共通電極１２は陰極である。なお、表示装置２においては、発光素子層６より上層において、発光素子層６を封止する、図示しない封止層が設けられていてもよい。

　本実施形態において、発光素子層６は、発光素子を複数備え、特に、サブ画素のそれぞれに１つずつ発光素子を備える。本実施形態においては、例えば、発光素子層６は、発光素子として、赤色サブ画素ＳＰＲに赤色発光素子６Ｒを、緑色サブ画素ＳＰＧに緑色発光素子６Ｇを、青色サブ画素ＳＰＢに青色発光素子６Ｂをそれぞれ備える。以降、本明細書において、特段の説明がない限り、『発光素子』とは、発光素子層６が含む、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ、および、青色発光素子６Ｂの何れかを指す。

　ここで、画素電極８、および発光層１０のそれぞれは、サブ画素ごとに個別に形成されている。特に、本実施形態においては、画素電極８は、赤色発光素子６Ｒ用の画素電極８Ｒ、緑色発光素子６Ｇ用の画素電極８Ｇ、および青色発光素子６Ｂ用の画素電極８Ｂを含む。また、発光層１０は、赤色発光素子６Ｒ用の赤色発光領域ＬＡＲ、緑色発光素子６Ｇ用の緑色発光領域ＬＡＧ、および青色発光素子６Ｂ用の青色発光領域ＬＡＢを含む。一方、共通電極１２は、複数のサブ画素に対し共通に形成されている。

　したがって、本実施形態において、赤色発光素子６Ｒは、画素電極８Ｒと、赤色発光領域ＬＡＲと、共通電極１２とを含む。また、緑色発光素子６Ｇは、画素電極８Ｇと、緑色色発光領域ＬＡＧと、共通電極１２とを含む。さらに、青色発光素子６Ｂは、画素電極８Ｂと、青色色発光領域ＬＡＢと、共通電極１２を含む。

　本実施形態において、赤色発光領域ＬＡＲは赤色に発光する領域であり、赤色光を発する赤色発光層１０Ｒを含む。緑色発光領域ＬＡＧは緑色に発光する領域であり、緑色光を発する緑色発光層１０Ｇを含む。青色発光領域ＬＡＢは青色に発光する領域であり、青色光を発する青色発光層１０Ｂを含む。換言すれば、赤色発光素子６Ｒと、緑色発光素子６Ｇと、青色発光素子６Ｂとは、それぞれ、赤色光と、緑色光と、青色光とを発する発光素子である。さらに換言すれば、発光層１０は、互いに発光色が異なる複数種の発光領域として、赤色光を発する赤色発光領域ＬＡＲと、緑色光を発する緑色発光領域ＬＡＧと、青色光を発する青色発光領域ＬＡＢとを備えている。

　ここで、青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。また、緑色光とは、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。また、赤色光とは、例えば、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。

　なお、本実施形態に係る発光素子層６は、上記構成に限られず、画素電極８および共通電極１２の間の機能層に、さらに追加の層を備えていてもよい。例えば、発光素子層６は、画素電極８と発光層１０との間の機能層として、発光層１０に加えて、正孔注入層、または、正孔輸送層の少なくとも一方をさらに備えていてもよい。また、発光素子層６は、発光層１０と共通電極１２との間に、電子輸送層、または電子注入層の少なくとも一方をさらに備えていてもよい。

　発光素子層６が、機能層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または電子注入層の何れかを、電荷輸送層として備える場合、当該電荷輸送層は、ナノ粒子として量子ドットを有していてもよい。この場合、電荷輸送層が含む量子ドットは、例えば、後述する、コアと該コアを覆うシェルとを含む、コア／シェル構造を有していてもよく、あるいは、コアのみの構造を有していてもよい。また、電荷輸送層は、量子ドットとして、ＺｎＯ、ＮｉＯ、またはＣｕＯ等を含むナノ粒子半導体を備えていてもよい。さらに、電荷輸送層が含む量子ドットには、リガンドが配位していてもよい。

　画素電極８および共通電極１２は導電性材料を含み、発光層１０と電気的に接続されている。画素電極８と共通電極１２とのうち、表示装置２の表示面に近い電極は半透明電極である。

　画素電極８は、例えばＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide，インジウムスズ酸化物）が積層された構成を有する。上記構成を有する画素電極８は、例えば、発光層１０から発せられた光を反射する反射性電極である。したがって、発光層１０から発せられた光のうち、下方向に向かう光が、画素電極８によって反射される。

　これに対して、共通電極１２は、例えば半透明のＭｇ‐Ａｇ合金によって構成されている。つまり、共通電極１２は、発光層１０から発せられた光を透過する透過性電極である。したがって、発光層１０から発せられた光のうち、上方向に向かう光が、共通電極１２を透過する。このように、表示装置２は、発光層１０から発せられた光を上方向に出射できる。

　以上のとおり、表示装置２においては、発光層１０から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、共通電極１２（上方向）へと向かわせることができる。すなわち、表示装置２は、トップエミッション型の表示装置として構成されている。

　また、本実施形態において、半透明電極である共通電極１２は、発光層１０から発せられた光を、一部反射する。この場合、反射電極である画素電極８と、半透明電極である共通電極１２との間において、発光層１０から発せられた光のキャビティが形成されてもよい。画素電極８と共通電極１２との間においてキャビティを形成することにより、発光層１０から発せられた光の色度を改善することができる。

　なお、上述した画素電極８と共通電極１２との構成は一例であり、別の構成を有していてもよい。例えば、表示装置２の表示面に近い電極が陽極であってもよい。この場合、当該陽極は半透明電極であってもよく、陰極が反射電極であってもよい。これにより、表示装置２は、発光層１０から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、陽極（下方向）へと向かわせることができる。すなわち、表示装置２は、ボトムエミッション型の表示装置として構成されていてもよい。

　発光層１０は、陽極から輸送された正孔と、陰極から輸送された電子との再結合が発生することにより、光を発する層である。発光層１０が含む材料等の詳細については後述する。

　なお、本実施形態に係る表示装置２は、基板４側に陽極を備えた発光素子を備えるが、これに限られない。例えば、本実施形態に係る表示装置２が備える発光素子層６は、基板４側から順に、陰極、発光層１０、および、陽極を、積層して備えていてもよい。この場合、陰極はサブ画素ごとに島状に形成された画素電極であり、陽極は複数のサブ画素に対し共通に形成された共通電極である。

　本実施形態に係る表示装置２は、さらに、基板４上に、バンク１４を備える。バンク１４は、平面視において、互いに隣接するサブ画素の境界を跨ぐ位置に形成される。特に、画素電極８は、バンク１４によって、画素電極８Ｒ、画素電極８Ｇ、および画素電極８Ｂに分離される。平面視においてバンク１４と重なる領域は、発光を意図していない領域である非発光領域ＮＬＡである。なお、バンク１４は、図１に示すように、画素電極８のそれぞれの周囲端部を覆う位置に形成されていてもよい。

　本実施形態において、バンク１４のそれぞれは、共通電極１２側に上面１４Ｓを有する。ここで、本実施形態においては、バンク１４のそれぞれは、上面１４Ｓが、互いに隣接するサブ画素の境界を跨ぐように形成されている。このため、バンク１４は、互いに発光色が異なるサブ画素を区画する。

　＜外縁領域＞
　上面１４Ｓを含む、バンク１４の外表面における、発光層１０の構成について、図１に示す、表示装置２の断面の一部拡大図を参照して説明する。図１に示す領域Ｃは、図１における表示装置２の概略断面図における、赤色サブ画素ＳＰＲと緑色サブ画素ＳＰＧとの境界を跨ぐ位置におけるバンク１４の上面１４Ｓの近傍に位置する領域である。また、図１に示す領域Ｃは、平面視においてバンク１４と重なる位置にあるため、非発光領域ＮＬＡに含まれる。

　表示装置２における少なくとも１つの機能層は、主領域と、機能層の外縁に形成される外縁領域と、を有している。換言すれば、主領域は外縁領域に内接している。主領域には主リガンドが含まれ、外縁領域には主リガンドとは異なる性質を有する外縁リガンドが含まれる。ここで異なる性質とは、例えば、極性溶媒に対する溶解度が異なることを指す。例えば、「２種のリガンドが互いに異なる性質を有する」とは、例えば、一方のリガンドは極性溶媒に可溶であり、他方のリガンドは極性溶媒に難溶であるといった、互いの極性が異なることを指す。

　主領域には外縁リガンドが含まれないことが好ましいが、外縁リガンドが含まれていてもよい。少なくとも、外縁領域に含まれる単位体積当たりの外縁リガンドは、主領域における単位体積当たりの外縁リガンドよりも多い。また、外縁領域には主リガンドが含まれていても含まれていなくてもよいが、主領域に含まれる単位体積当たりの主リガンドは、外縁領域における単位体積当たりの主リガンドよりも多い。

　図１における領域Ｃの拡大図に示すバンク１４の外表面には、赤色発光層１０Ｒと緑色発光層１０Ｇとが形成されている。ここで、赤色発光層１０Ｒは、赤色第１主領域１５Ｒと、赤色第１主領域１５Ｒの緑色発光層１０Ｇ側の端部の側面１０ＲＳに隣接して形成される赤色第１外縁領域１６Ｒとを有する。また、赤色第１外縁領域１６Ｒは、バンク１４の上面１４Ｓ上に形成され、緑色発光層１０Ｇの、赤色発光層１０Ｒ側の端部の側面１０ＧＳと接する。なお、赤色第１外縁領域１６Ｒがバンク１４の上面１４Ｓに形成されていることから、赤色第１外縁領域１６Ｒは、発光層１０の平面視において、バンク１４と重なる位置に形成されている。

　＜主発光材料＞
　赤色第１主領域１５Ｒ、および赤色第１外縁領域１６Ｒについて、さらに、図１に示す、表示装置２の断面の他の一部拡大図を参照して説明する。図１に示す領域Ｄは、領域Ｃにおける、赤色第１外縁領域１６Ｒと接する、赤色第１主領域１５Ｒの側面１０ＲＳの近傍に位置する領域である。

　図１における領域Ｄの拡大図に示すように、赤色第１主領域１５Ｒは、主発光材料として、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒを含む。本実施形態において、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒは、画素電極８からの正孔と共通電極１２からの電子とが注入され、当該正孔および当該電子との再結合が生じることにより、励起子を生成する。さらに、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒは、生成した励起子によって励起されることにより、赤色に発光する。

　赤色量子ドット１８Ｒのそれぞれは、例えば、コア２２Ｒと、当該コア２２Ｒの周囲を覆う、主シェルとしてのシェル２４Ｒとを備えた、一般に、コア／シェル型と呼ばれる構造を有する。赤色量子ドット１８Ｒにおける、電子と正孔との再結合および赤色光の生成は、主にコア２２Ｒにおいて生じる。シェル２４Ｒは、コア２２Ｒの欠陥またはダングリングボンド等の発生を抑制し、失活過程を経るキャリアの再結合を低減する機能を有する。この場合、赤色主リガンド２０Ｒは、シェル２４Ｒの外表面に配位する。

　赤色量子ドット１８Ｒは、コア２２Ｒおよびシェル２４Ｒのそれぞれの材料に、従来公知のコア／シェルを有する量子ドットのコア材およびシェル材に使用される材料を含んでいてもよい。また、本実施形態において、コア２２Ｒは、直径Ｒ２２Ｒを有し、シェル２４Ｒは、厚みＴ２４Ｒを有している。また、赤色主リガンド２０Ｒは、赤色量子ドット１８Ｒの凝集を低減する機能を有する、従来公知のリガンドに用いられる材料を含んでいてもよい。

　一方、図１における領域Ｄの拡大図に示すように、赤色第１外縁領域１６Ｒは、複数の赤色量子ドット１８Ｒと、当該赤色量子ドット１８Ｒのそれぞれに配位する、外縁リガンドとしての赤色第１外縁リガンド２８Ｒとを含む。

　本実施形態において、赤色第１主領域１５Ｒが有する赤色主リガンド２０Ｒと、赤色第１外縁領域１６Ｒが有する赤色第１外縁リガンド２８Ｒとは、互いに異なるリガンドである。例えば、赤色主リガンド２０Ｒは、非極性溶媒に可溶、換言すれば、極性溶媒に難溶であり、赤色第１外縁リガンド２８Ｒは、水を含む極性溶媒に可溶、換言すれば、非極性溶媒に難溶である。また、例えば、赤色主リガンド２０Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒは、極性溶媒に難溶であり、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒは、極性溶媒に可溶である。

　赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒは、赤色主リガンド２０Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒと比較して、発光寿命が短い、あるいは、注入されたキャリアの密度に対する発光効率が低い。さらに、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒは、発光しなくともよい。換言すれば、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒは、発光寿命が０であってもよい。

　上記の通り、本実施形態に係る発光層１０は、機能層である赤色発光層１０Ｒを含む。赤色発光層１０Ｒは、主領域である赤色第１主領域１５Ｒと、外縁領域である赤色第１外縁領域１６Ｒとを含む。本明細書において、主領域は、主に機能層の主機能を発揮できる領域であり、赤色発光層１０Ｒにおいては、主に赤色に発光する発光領域に形成される。また、主領域は、非発光領域ＮＬＡにも形成されてもよい。外縁領域は、機能層である赤色発光層１０Ｒの外縁に形成され、主領域に主に含まれる主リガンドとは異なる外縁リガンドを、リガンドとして主に含む領域である。外縁リガンドは、赤色発光層１０Ｒにおいては、非発光領域ＮＬＡに形成される。

　＜外縁領域の他の例＞
　バンク１４の外表面における、発光層１０の他の構成について、図３に示す、表示装置２の断面の他の一部拡大図を参照して説明する。図３に示す領域Ｅは、図１における表示装置２の概略断面図における、緑色サブ画素ＳＰＧと青色サブ画素ＳＰＢとの境界を跨ぐ位置におけるバンク１４の上面１４Ｓの近傍に位置する領域である。

　図３における領域Ｅの拡大図に示すバンク１４の外表面には、緑色第１主領域１５Ｇおよび緑色第１外縁領域１６Ｇを有する緑色発光層１０Ｇと、青色発光層１０Ｂとが形成されている。ここで、緑色第１主領域１５Ｇの、青色発光層１０Ｂ側の端部の側面１０ＧＳに隣接して、緑色第１外縁領域１６Ｇが形成されている。また、緑色第１外縁領域１６Ｇは、バンク１４の上面１４Ｓ上に形成され、青色発光層１０Ｂの、緑色発光層１０Ｇ側の端部の側面１０ＢＳと接する。

　緑色発光層１０Ｇは、緑色光を発する主発光材料を含む。緑色発光層１０Ｇは、主発光材料として、緑色主リガンドが配位した緑色量子ドットを含む。

　緑色第１外縁領域１６Ｇは、緑色発光層１０Ｇが含む緑色主リガンドが配位した緑色量子ドットと異なる、緑色第１外縁リガンドが配位した緑色量子ドットを含む。緑色第１外縁領域１６Ｇは、例えば、赤色第１外縁領域１６Ｒと同じく、緑色主リガンドが配位した緑色量子ドットよりも発光効率の低い、または発光寿命の短い、緑色第１外縁リガンドが配位した緑色量子ドットを含んでいてもよい。

　＜表示装置の奏する効果＞
　赤色発光層１０Ｒの赤色発光領域ＬＡＲは、赤色主リガンド２０Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒを有する。加えて、赤色発光層１０Ｒは、赤色発光層１０Ｒの外縁に位置し、赤色主リガンド２０Ｒとは異なる赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒを有する、赤色第１外縁領域１６Ｒを備える。

　ナノ粒子を含む機能層が発揮する機能は、水分の浸透等により低下する場合がある。例えば、赤色発光層１０Ｒは、製造工程において、または、表示装置の一部破損等により、水分に接する可能性がある。これらにより、赤色発光層１０Ｒにおいては、発光効率または発光寿命の劣化が生じる可能性がある。しかし、本実施形態に係る赤色発光層１０Ｒにおいては、赤色第１外縁領域１６Ｒが、赤色発光層１０Ｒの外縁から赤色第１主領域１５Ｒへの水分の浸透等を抑える。これにより、赤色発光層１０Ｒは、赤色発光領域ＬＡＲを水分から保護し、赤色発光層１０Ｒの機能の低下を抑え、発光効率または発光寿命の劣化を防ぐことができる。

　具体的には、例えば、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、極性溶媒に可溶である場合、赤色第１主領域１５Ｒが水分に接すると、水分が赤色第１主領域１５Ｒ全体に浸透する場合がある。これにより、赤色発光層１０Ｒにおいては、発光効率または発光寿命の劣化が生じる可能性がある。しかし、本実施形態においては、赤色第１外縁領域１６Ｒに、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒとは異なり、極性溶媒に難溶である、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが含まれる。この場合には、赤色発光層１０Ｒが、当該赤色発光層１０Ｒの外縁において水分に接した場合においても、赤色第１外縁領域１６Ｒにより赤色第１主領域１５Ｒが水分に接触することを防ぎ、赤色発光層１０Ｒの発光効率または発光寿命の劣化を防ぐことができる。

　また、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが極性溶媒に難溶である場合であっても、赤色第１主領域１５Ｒが水分に接した場合には水分が赤色第１主領域１５Ｒ全体に浸透する可能性がある。しかしながら、赤色第１外縁領域１６Ｒには、極性溶媒に可溶である赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが含まれる。これにより、赤色発光層１０Ｒの外縁において水分が保持されるために、当該水分が赤色第１主領域１５Ｒ全体に浸透し難くなり、赤色発光層１０Ｒの発光効率または発光寿命の劣化を防ぐことができる。

　緑色発光層１０Ｇにおいても、同様に、緑色第１外縁領域１６Ｇが、緑色発光層１０Ｇの外縁から緑色第１主領域１５Ｇへの水分の浸透等を抑える。これにより、緑色発光層１０Ｇは、緑色発光領域ＬＡＧを水分から保護し、緑色発光層１０Ｇの機能の低下を抑え、発光効率または発光寿命の劣化を防ぐことができる。

　なお、本実施形態において、青色発光層１０Ｂは主領域のみを備えていてもよい。換言すれば、本実施形態に係る表示装置２の発光層１０は、複数の発光層のうち、少なくとも一つの発光層が、主領域と、該発光層の外縁端部に形成された外縁領域とを有していればよい。

　上述の場合、発光層１０は、発光色が互いに異なる、赤色発光層１０Ｒと、緑色発光層１０Ｇと、青色発光層１０Ｂとの、３種の発光層を備える。さらに、発光層１０は、赤色発光層１０Ｒと、緑色発光層１０Ｇとの、２種の前記発光層のみが、それぞれ、主領域と外縁領域とを含む。

　なお、発光層１０は、赤色発光領域ＬＡＲを有する赤色発光層１０Ｒと、緑色発光領域ＬＡＧを有する緑色発光層１０Ｇと、青色発光領域ＬＡＢを有する青色発光層１０Ｂとを備える。ただし、発光層１０は、当該３種の発光層の他、黄色光を発する黄色発光領域を有する黄色発光層等を含む、他の発光層をさらに含んでいてもよい。例えば、発光層１０は、ｎを２以上の自然数として、発光色が互いに異なるｎ種の発光領域を備え、（ｎ－１）種の発光領域のみが、それぞれ、主領域と外縁領域とを含んでいてもよい。

　なお、本実施形態においては、表示装置２の赤色発光層１０Ｒと緑色発光層１０Ｇとのそれぞれが、主領域と外縁領域とを備える構成について説明したが、これに限られない。例えば、表示装置２が備える発光層のうち、赤色発光層１０Ｒのみが、主領域と外縁領域とを備え、緑色発光層１０Ｇは、主領域である緑色第１主領域１５Ｇのみを備えていてもよい。

　＜主発光材料の詳細＞
　本実施形態において、赤色第１主領域１５Ｒにおける赤色主リガンド２０Ｒと、赤色第１外縁領域１６Ｒにおける赤色第１外縁リガンド２８Ｒとは、互いに異なるリガンドである。このため、本実施形態に係る表示装置２は、赤色第１外縁領域１６Ｒに対し、赤色第１主領域１５Ｒと異なる機能を、含むリガンドの差異によって、より効率的に付与することができる。

　例えば、本実施形態において、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、非極性溶媒に可溶であり、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、極性溶媒に可溶であってもよい。赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが極性溶媒に可溶である場合、当該赤色量子ドット１８Ｒは、赤色第１外縁領域１６Ｒ側から赤色発光層１０Ｒに浸透した水分の少なくとも一部を保持することができる。これにより、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが極性溶媒に可溶である場合、赤色発光層１０Ｒは、赤色第１主領域１５Ｒへの水分の浸透を防ぐことができる。これにより、赤色第１主領域１５Ｒへの水分の浸透が低減し、赤色発光層１０Ｒの主発光材料の劣化が低減する。

　例えば、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが非極性溶媒に可溶であるとする。この場合、赤色主リガンド２０Ｒは、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、ホスホン基、ホスフィン基、およびホスフィンオキシド基からなる群から少なくとも１種を配位性官能基として含むリガンドであってもよい。

　上記配位性官能基としてチオール基を１つ有するリガンドとしては、例えば、オクタデカンチオール、ヘキサンデカンチオール、テトラデカンチオール、ドデカンチオール、デカンチオール、オクタンチオール等を含む、チオール系のリガンドが挙げられる。

　上記配位性官能基としてアミノ基を１つ有するリガンドとしては、例えば、オレイルアミン、ステアリル（オクタデシル）アミン、ドデシル（ラウリル）アミン、デシルアミン、オクチルアミン等を含む、第１級アミン系のリガンドが挙げられる。

　上記配位性官能基としてカルボキシル基を１つ有するリガンドとしては、例えば、オレイン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ミリスチン酸、ラウリル（ドデカン）酸、デカン酸、オクタン酸等を含む、脂肪酸系のリガンドが挙げられる。

　上記配位性官能基としてホスホン基を１つ有するリガンドとしては、例えば、ヘキサデシルスルホン酸等を含む、ホスホン酸系のリガンドが挙げられる。

　上記配位性官能基としてホスフィン基を１つ有するリガンドとしては、例えば、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン等を含む、ホスフィン系のリガンドが挙げられる。

　上記配位性官能基としてホスフィンオキシド基を１つ有するリガンドとしては、例えば、トリオクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド等を含む、ホスフィンオキシド系のリガンドが挙げられる。

　赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、非極性溶媒に可溶である場合、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒは、例えば、極性溶媒に可溶である。この場合、赤色第１外縁リガンド２８Ｒは、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、２－アミノエタンチオール塩酸塩、２－メタンアミノエタンチオール塩酸塩、２－エタンアミノエタンチオール塩酸、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩、２－メチルエチルアミノエタンチオール塩酸塩、および、２－ジエチルアミノエタンチオール塩酸塩を含む群から、少なくとも一種を含んでいてもよい。また、赤色第１外縁リガンド２８Ｒは、高極性溶媒に分散できる無機系リガンド（例えば、Ｓ２－，Ｃｌ－，Ｂｒ－，Ｉ－，Ｆ－等）を含んでいてもよい。

　一方、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、極性溶媒に可溶であり、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、非極性溶媒に可溶であってもよい。この場合、赤色主リガンド２０Ｒは、例えば、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、極性溶媒に可溶である場合の、赤色第１外縁リガンド２８Ｒと同様のリガンドである。また、上記の場合、赤色第１外縁リガンド２８Ｒは、例えば、赤色主リガンド２０Ｒが配位した赤色量子ドット１８Ｒが、非極性溶媒に可溶である場合の、赤色主リガンド２０Ｒと同様のリガンドである。

　なお、本実施形態においては、赤色発光層１０Ｒ、緑色発光層１０Ｇ、および青色発光層１０Ｂのそれぞれが、主発光材料として、無機の量子ドット材料を含む場合について説明した。しかしながら、これに限られず、本実施形態においては、赤色発光層１０Ｒ、緑色発光層１０Ｇ、および青色発光層１０Ｂのそれぞれが、主発光材料として、有機発光材料を含んでいてもよい。

　この場合、赤色第１外縁領域１６Ｒおよび緑色第１外縁領域１６Ｇのそれぞれは、赤色発光層１０Ｒおよび緑色発光層１０Ｇのそれぞれが含む有機発光材料の変質物である、第１有機材料をそれぞれ含んでいてもよい。なお、有機発光材料の変質物とは、当該有機発光材料の一部元素を置換した材料、または、当該有機発光材料の酸化物等を含む。

　＜表示装置の製造方法の概要＞
　本実施形態に係る表示装置２の製造方法について、図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法について説明するためのフローチャートである。なお、上述した変形例に係る表示装置２は、特に説明のない限り、本実施形態に係る表示装置２と同一の手法により製造することが可能である。

　本実施形態に係る表示装置２の製造方法において、はじめに、基板４を形成する（ステップＳ２）。基板４の形成は、表示装置２の各サブ画素を形成する位置に合わせて、ガラス基板にＴＦＴを形成することにより実行されてもよい。

　次いで、画素電極８を形成する（ステップＳ４）。画素電極８は、例えば、上述したように、スパッタ法等によって、導電性材料をサブ画素に対し共通に成膜したのち、当該導電性材料の薄膜をサブ画素ごとにパターニングすることにより形成してもよい。

　次いで、バンク１４を形成する（ステップＳ６）。バンク１４は、例えば、感光性材料を含む樹脂材料を基板４および画素電極８上に塗布した後、当該樹脂材料の、フォトリソグラフィによるパターニングを実行することにより形成してもよい。

　＜発光層の成膜およびエッチング＞
　ステップＳ６以降の、本実施形態に係る表示装置２の製造方法における各工程について、図５から図８を参照してより詳細に説明する。図５から図８は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法の一部工程における、表示装置２の工程断面図である。なお、図５から図８を含む、本明細書における工程断面図は、特に説明のない限り、図１に示す表示装置２の断面と対応する位置の断面について示す。

　ステップＳ６までの各工程を実行することにより、図５のステップＳ６に示すように、基板４上に、画素電極８とバンク１４とが形成された構造体が形成される。なお、画素電極８は、導電性材料のサブ画素ごとのパターニングにより形成された、赤色サブ画素ＳＰＲにおける画素電極８Ｒと、緑色サブ画素ＳＰＧにおける画素電極８Ｇと、青色サブ画素ＳＰＢにおける画素電極８Ｂとのそれぞれを、島状の画素電極として含む。また、バンク１４は、各サブ画素の境界と、各画素電極８の外周端部とを覆う位置に形成される。

　本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、バンク１４の形成に次いで、赤色発光層１０Ｒを成膜する（ステップＳ８）。ステップＳ８は、第１主リガンド（赤色主リガンド２０Ｒ）および第１ナノ粒子（赤色量子ドット１８Ｒ）を含む、第１機能層（赤色発光層１０Ｒ）を成膜する、第１機能層成膜工程である。赤色発光層１０Ｒは、複数のサブ画素に共通して形成される。赤色発光層１０Ｒの成膜は、例えば、塗布等を用いて実行してもよい。

　次いで、赤色発光層１０Ｒ上に、第１レジスト層３８を成膜する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０は、第１機能層（赤色発光層１０Ｒ）の上層に、第１レジスト層３８を成膜する、第１レジスト層成膜工程である。本実施形態に係る第１レジスト層３８は、感光性を有する樹脂材料を含む。特に、第１レジスト層３８は、例えば、紫外線を照射することにより、特定の現像液に対する溶解性が向上する、ポジ型のフォトレジストである。第１レジスト層３８は、例えば、紫外線を照射することにより、アルカリ性の溶媒に溶解する。第１レジスト層３８は、例えば、感光性を有する樹脂材料を含む溶液を、赤色発光層１０Ｒ上に、塗布することにより成膜する。

　また、第１レジスト層３８は、露光の有無に関わらず、特定の溶媒に可溶であってもよい。例えば、第１レジスト層３８は、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）に可溶であってもよい。加えて、第１レジスト層３８は、紫外線を照射することにより、特定の現像液に対する難溶性を獲得する、ネガ型のフォトレジストであってもよい。

　次いで、第１レジスト層３８の露光を実施する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２は、第１レジスト層３８に対する露光を行う、第１露光工程である。ステップＳ１２においては、例えば、第１レジスト層３８の一部を除去するための前段階として、第１露光工程を実行する。第１露光工程は、例えば、フォトマスクを用いて、第１レジスト層３８の一部のみに紫外線を照射することにより実行する。

　次いで、第１レジスト層３８の現像を実施する（ステップＳ１４）。ステップＳ１４は、第１レジスト層３８の現像を行う、第１現像工程である。ステップＳ１４においては、例えば、第１レジスト層３８を特定の現像液によって洗浄することにより、第１レジスト層３８の一部を除去する。

　本実施形態においては、緑色サブ画素ＳＰＧおよび青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置に形成された第１レジスト層３８のみを、ステップＳ１４において除去する。このため、ステップＳ１４の完了時点において、緑色サブ画素ＳＰＧおよび青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置において、赤色発光層１０Ｒが露出する。

　次いで、赤色発光層１０Ｒの一部を、第１レジスト層３８の側の表面からエッチングする（ステップＳ１６）、第１エッチング工程を実行する。第１エッチング工程は、例えば、赤色発光層１０Ｒが可溶である第１エッチング液により、第１レジスト層３８から露出した赤色発光層１０Ｒを洗浄することにより実施される。

　当該第１エッチング工程により、緑色サブ画素ＳＰＧおよび青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置において、第１レジスト層３８から露出した赤色発光層１０Ｒのみがエッチングされる。このために、ステップＳ１６においては、緑色サブ画素ＳＰＧおよび青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置に形成された赤色発光層１０Ｒが除去される。

　第１エッチング液は、例えば、赤色第１外縁リガンド２８Ｒと、溶媒である水と、を含む。赤色主リガンド２０Ｒが非極性溶媒に可溶であり、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが極性溶媒に可溶である場合、赤色第１主領域１５Ｒの赤色主リガンド２０Ｒは、第１エッチング液に接触することにより、赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換される。これにより、赤色発光層１０Ｒは水に溶けるようになり、赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換された赤色発光層１０Ｒは、第１エッチング液により除去される。

　＜外縁領域の形成工程＞
　図９は、本実施形態に係る表示装置２の製造過程における表示装置２の断面の拡大図である。図９に示す領域Ｆは、図６のステップＳ１６に示す領域Ｆの拡大図の一例である。ステップＳ１４においては、第１レジスト層３８から露出した赤色発光層１０Ｒの端面が第１エッチング液に触れる。これにより、当該端面を含む、赤色発光層１０Ｒの外縁が含む量子ドットに配位するリガンドは、赤色発光層１０Ｒが含む量子ドットに配位するリガンドと異なるリガンドに置換される。これによって、赤色発光層１０Ｒの外縁に赤色第１外縁リガンド２８Ｒが導入される。

　含むリガンドが赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換された赤色発光層１０Ｒは、第１レジスト層３８と重なるために、ステップＳ１６において、少なくとも一部が除去されない。このため、ステップＳ１６において、赤色発光層１０Ｒの外縁のリガンドが置換され、かつ、バンク１４の上面１４Ｓ上に残存することにより、赤色第１外縁領域１６Ｒが形成される。換言すれば、第１エッチング工程は、赤色発光層１０Ｒの少なくとも一部の外縁に、主リガンドと異なる第１外縁リガンドを有する第１外縁領域を形成することが含まれる。また、赤色第１外縁領域１６Ｒの形成の際に、第１レジスト層３８から露出した、赤色発光層１０Ｒの外縁が、第１エッチング液により一部除去されてもよい。

　第１エッチング液は、例えば、露光後の第１レジスト層を溶解するレジスト溶解成分と、第１外縁リガンドと、第１外縁リガンドを含む溶質が溶解する溶媒を含む。第１エッチング工程においては、例えば、第１ナノ粒子に第１外縁リガンドが配位するが、「第１外縁リガンドを含む溶質」は第１外縁リガンドが配位した状態の第１ナノ粒子を含んでいてもよい。

　一般的に知られていることだが、リガンド単体の溶媒への溶解性と、リガンドが量子ドットに配位したときの溶質の溶解性は完全に等しくはなく、一方の溶解性の範囲が狭くなる。具体的には、例えば、オレイン酸は単体では高極性溶媒のメタノールまたは非極性溶媒のトルエンに溶解することができる。一方、オレイン酸が量子ドットに配位することにより、オレイン酸の骨格に含まれる－ＣＯＯＨの極性部位が量子ドットとの配位で中和され、オレイン酸が配位した量子ドットの極性が低下する。よって、オレイン酸が配位した量子ドットは高極性のメタノールには溶解せず、トルエンなどの非極性溶媒にのみ溶解するようになる。このように、第１エッチング液は、第１外縁リガンドが配位した状態の第１ナノ粒子を溶解することができる溶媒を含んでいてもよい。

　なお、第１エッチング液に、水および当該水に溶解する赤色第１外縁リガンド２８Ｒを添加する例を説明したが、これに限られない。例えば、第１エッチング液は、極性を有する溶媒として、ＭｅＯＨ（メタノール）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、アセトニトリル、エチレングリコール、および、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）を含む群から、少なくとも１種を含んでいてもよい。

　また、第１エッチング液は、上述した極性を有する溶媒に溶解する赤色第１外縁リガンド２８Ｒを含んでいてもよい。例えば、第１エッチング液は、Ｓ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩを含むハロゲンを、赤色第１外縁リガンド２８Ｒとして含んでいてもよい。または、第１エッチング液は、Ｓ２－を含む無機系リガンドを含んでいてもよく、あるいは、極性分散用リガンドを含んでいてもよい。さらに、第１エッチング液は、赤色第１外縁リガンド２８Ｒとして、上述した、ＴＭＡＨ、または２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩を含んでいてもよい。

　赤色第１外縁リガンド２８Ｒを含む第１エッチング液が、赤色発光層１０Ｒの外縁と接すると、当該接する部分において、赤色量子ドット１８Ｒに配位するリガンドが、赤色主リガンド２０Ｒと赤色第１外縁リガンド２８Ｒとの間において平衡状態となる。ここで、第１エッチング液が含む赤色第１外縁リガンド２８Ｒの濃度が、赤色発光層１０Ｒが含む赤色主リガンド２０Ｒの濃度よりも高いとする。この場合、赤色発光層１０Ｒの外縁において、赤色量子ドット１８Ｒに配位するリガンドの多くが、赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置き換わる蓋然性が向上する。具体的には、第１エッチング液は、赤色第１外縁リガンド２８Ｒを、０．０１３ｍｏｌ／Ｌ以上含んでいてもよい。

　赤色発光層１０Ｒの外縁の変質は、赤色発光層１０Ｒの外縁における、赤色量子ドット１８Ｒに配位するリガンドの置換に相当する。このため、赤色発光層１０Ｒの外縁には、赤色量子ドット１８Ｒに配位するリガンドが、赤色主リガンド２０Ｒから赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換された赤色第１外縁領域１６Ｒが形成される。したがって、上述の場合には、赤色第１外縁領域１６Ｒが含む量子ドットは、配位するリガンドを除き、赤色量子ドット１８Ｒと同一の構成を備えていてもよい。

　＜レジスト層の現像と主発光材料層のエッチングとの関係＞
　第１現像工程および第１エッチング工程は、第１エッチング液により、同時に、または、この順に連続して行われてもよい。なお、本明細書において、「２つの工程が連続して行われる」とは、当該２つの工程のうち、一方の先の工程を開始した場合、特定の操作を行うことなく、先の工程が完了し、他方の後の工程が開始することを指す。換言すれば、本明細書において、「２つの工程が連続して行われる」とは、２つの工程を実行するための作業が同一の作業であり、当該作業により、当該２つの工程が連続して実行されることを指す。

　例えば、第１レジスト層３８がＰＧＭＥＡに溶解し、紫外線照射でアルカリに溶解する場合、第１エッチング液に、例えば、レジスト溶解成分と、赤色第１外縁リガンド２８Ｒと、溶媒である水と、を含み、アルカリ性である液を用いてもよい。これにより、第１エッチング液を、第１レジスト層３８の現像液としても利用することができる。赤色第１外縁リガンド２８Ｒは、例えばＴＭＡＨであり、第１エッチング液のレジスト溶解成分は、例えばＴＭＡＨ現像液（２．３８ｗｔ％）である。

　この場合、紫外線照射によりアルカリに溶解するようになった第１レジスト層３８は、第１エッチング液により現像される。また、第１レジスト層３８から露出した赤色発光層１０Ｒに含まれていた赤色主リガンド２０Ｒは、赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換される。赤色発光層１０Ｒは、赤色主リガンド２０Ｒが赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換されることにより、水に溶けるようになる。このため、含むリガンドが赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換された赤色発光層１０Ｒは、第１エッチング液により除去される。

　さらに、第１エッチング液は、赤色第１外縁リガンド２８Ｒを含む。このため、赤色発光層１０Ｒの端面が、第１エッチング液に触れた際に、赤色発光層１０Ｒの外縁において、赤色量子ドット１８Ｒに配位する赤色主リガンド２０Ｒは、赤色主リガンド２０Ｒと異なる赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換される。これにより、赤色発光層１０Ｒの外縁には、赤色第１外縁領域１６Ｒが形成される。すなわち、第１レジスト層３８の現像と、赤色発光層１０Ｒのエッチングと、赤色第１外縁領域１６Ｒの形成とが、第１エッチング液により、同時に、またはこの順に連続して実施されてもよい。

　第１エッチング液は、水溶液がアルカリ性を呈する溶質を個別に備えていてもよい。例えば、アルカリ性の第１エッチング液としては、例えば、ＫＯＨを含む水溶液を採用してもよい。また、第１エッチング液は、溶媒中に分散させた場合にアルカリ性を呈する赤色第１外縁リガンド２８Ｒを含んでいてもよい。例えば、上述したＴＭＡＨを、第１エッチング液が赤色第１外縁リガンド２８Ｒとして含む場合、当該第１エッチング液はアルカリ性を呈する。このように、溶媒中に分散させた場合にアルカリ性を呈する赤色第１外縁リガンド２８Ｒを、第１エッチング液が含む場合、第１エッチング液をアルカリ性とするための溶質を、個別に第１エッチング液に添加する必要がなく、材料コストが低減する。

　なお、第１エッチング液は、非極性有機溶媒および当該非極性有機溶媒に溶解する赤色第１外縁リガンド２８Ｒを含んでいてもよい。非極性有機溶媒に溶解する赤色第１外縁リガンド２８Ｒには、例えば、上述した、疎水性を有するリガンドを採用することができる。非極性有機溶媒は、例えば、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、トルエン、および、ドデカンを含む群から少なくとも１種を含んでいてもよい。

　この場合、ステップＳ１６において、赤色第１外縁リガンド２８Ｒが配位する赤色量子ドット１８Ｒは、第１エッチング液が含む非極性有機溶媒に可溶となる。このため、赤色量子ドット１８Ｒのリガンドが置換された赤色発光層１０Ｒのみが、非極性有機溶媒を含む第１エッチング液によって除去される。

　＜第１レジスト層の剥離による緑色主発光材料層のパターニング＞
　赤色発光層１０Ｒのエッチング工程に次いで、緑色発光層１０Ｇを成膜する（ステップＳ１８）。ステップＳ１８は、第２主リガンド（緑色主リガンド）が配位し、かつ、第１ナノ粒子（赤色量子ドット）と異なる第２ナノ粒子（緑色量子ドット）を含む、第２機能層（緑色発光層１０Ｇ）を成膜する、第２機能層成膜工程である。特に、緑色発光層１０Ｇは、緑色光を発する量子ドットを含み、主リガンドとして、当該量子ドットに配位するリガンドを含む。ここで、残存した第１レジスト層３８と重なる位置において、緑色発光層１０Ｇは、第１レジスト層３８上に形成される。なお、緑色発光層１０Ｇの成膜は、成膜する層が含む材料を除き、赤色発光層１０Ｒの成膜と同一の手法によって実行してもよい。

　＜第２エッチング工程＞
　次いで、緑色発光層１０Ｇ上に、第２レジスト層４０を成膜する（ステップＳ２０）。ステップＳ２０は、第２レジスト成膜工程である。本実施形態に係る第２レジスト層４０は、第１レジスト層３８と同一の構成を備えていてもよい。また、第２レジスト層４０の成膜は、ステップＳ１０と同一の手法により実施されてもよい。

　次いで、第２レジスト層４０の露光を実施する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２は、第２レジスト層４０に対して露光を行う、第２露光工程である。ステップＳ２２においては、例えば、第２レジスト層４０の一部を除去するための前段階として、第２露光工程を実行する。第２露光工程は、第１露光工程と同一の手法により、第２レジスト層４０に対する露光を実施することにより実行してもよい。

　次いで、第２レジスト層４０の現像を実施する（ステップＳ２４）。ステップＳ２４は、第２レジスト層４０の現像を行う、第２現像工程である。ステップＳ２４においては、例えば、第２レジスト層４０を特定の現像液によって洗浄することにより、第２レジスト層４０の一部を除去する。

　本実施形態においては、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置に形成された第２レジスト層４０のみを、ステップＳ２４において除去する。このため、ステップＳ２４の完了時点において、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置において、緑色発光層１０Ｇが露出する。

　次いで、緑色発光層１０Ｇ（第２機能層）の一部をエッチングする（ステップＳ２６）、第２エッチング工程を実行する。第２エッチング工程は、例えば、第２エッチング液により、第２レジスト層４０から露出した緑色発光層１０Ｇを洗浄することにより実施される。なお、第２エッチング液は、上述した第１エッチング液と同一の構成を備えていてもよい。

　当該第２エッチング工程により、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置において、緑色発光層１０Ｇがエッチングされる。このために、ステップＳ２６においては、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置に形成された緑色発光層１０Ｇが除去される。

　図９に示す領域Ｇは、図８のステップＳ２６に示す領域Ｇの拡大図の一例である。ステップＳ２６においては、第２レジスト層４０と重なる位置においても、第２レジスト層４０から露出した緑色発光層１０Ｇの外縁が第２エッチング液に触れる。これにより、当該端部の近傍が含む量子ドットに配位するリガンドが、緑色発光層１０Ｇが含む量子ドットに配位する主リガンドと異なる外縁リガンドに置換する。

　当該変質した緑色発光層１０Ｇは、第２レジスト層４０と重なるために、ステップＳ２６において除去されない。このため、ステップＳ２６において、緑色発光層１０Ｇの外縁が変質し、かつ、バンク１４の上面１４Ｓ上に残存することにより、緑色第１外縁領域１６Ｇが形成される。換言すれば、第２エッチング工程においては、第２機能層の少なくとも一部の側面に、第２主リガンドと異なる第２外縁リガンドを有する第２外縁領域を形成する工程が同時に実行される。

　これにより、ステップＳ２６の完了時点において、緑色サブ画素ＳＰＧと重なる位置への、緑色第１主領域１５Ｇと緑色第１外縁領域１６Ｇとを備えた緑色発光層１０Ｇの形成が完了する。加えて、ステップＳ２６の完了時点において、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置における緑色発光層１０Ｇが除去される。

　なお、緑色第１外縁領域１６Ｇの形成は、上述した、赤色第１外縁領域１６Ｒの形成と同一の手法により実施されてもよい。換言すれば、ステップＳ２４およびステップＳ２６における、第２レジスト層４０のパターニングと、緑色発光層１０Ｇのエッチングと、緑色第１外縁領域１６Ｇの形成とは、同時に実施されてもよい。また、緑色第１外縁領域１６Ｇの形成の際に、第２レジスト層４０から露出した、緑色発光層１０Ｇの外縁が、第２エッチング液により一部除去されてもよい。

　＜第２レジスト層の剥離による青色発光層のパターニング＞
　次いで、第３主リガンドが配位し、かつ、第１ナノ粒子（赤色量子ドット）および第２ナノ粒子（緑色量子ドット）の双方と異なる、第３ナノ粒子を含む青色発光層１０Ｂを、第３機能層として成膜する（ステップＳ２８）。ステップＳ２８は、第３機能層成膜工程である。特に、青色発光層１０Ｂは、第３ナノ粒子として、青色光を発する青色量子ドットを含み、第３主リガンドとして、当該青色量子ドットに配位する青色主リガンドを含む。ここで、残存した第２レジスト層４０と重なる位置において、青色発光層１０Ｂは、第２レジスト層４０上に形成される。なお、青色発光層１０Ｂの成膜は、成膜する層が含む材料を除き、赤色発光層１０Ｒまたは緑色発光層１０Ｇの成膜と同一の手法によって実行してもよい。

　次いで、残存した第１レジスト層３８および第２レジスト層４０の剥離を実行する（ステップＳ３０）。ステップＳ３０は、剥離工程である。第１レジスト層３８および第２レジスト層４０が、ＰＥＧＭＡを含む有機溶媒に可溶である場合、ステップＳ３０は、例えば、当該有機溶媒によって、第１レジスト層３８および第２レジスト層４０を洗浄することによって実施してもよい。これにより、第１レジスト層３８および第２レジスト層４０上に形成された青色発光層１０Ｂについても、第１レジスト層３８および第２レジスト層４０の剥離と同時に除去される。したがって、ステップＳ３０において、青色発光層１０Ｂは、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置のみに残存する。

　したがって、ステップＳ３０の完了時点において、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置への、青色発光層１０Ｂの形成が完了し、発光層１０の形成が完了する。なお、青色発光層１０Ｂの形成工程においては、青色発光層１０Ｂと隣接する層のエッチング工程が存在しない。このため、青色サブ画素ＳＰＢには、外縁領域が形成されない。上記に説明した製造方法においては、最後に形成される発光領域が、外縁領域を含まない。このため、発光色が互いに異なるｎ種の発光領域を、表示装置２が備える場合、（ｎ－１）種の発光領域のみが、それぞれ、主領域と第１外縁領域とを含むことになる。

　次いで、発光層１０の上層に、複数のサブ画素の共通の共通電極１２を成膜することにより、発光素子層６の形成が完了する。共通電極１２の成膜は、画素電極８の形成工程における、導電性材料の成膜と同一の手法により実施してもよい。なお、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、発光素子層６の形成工程の後に、発光素子層６の上層に、封止層を形成してもよい。以上により、本実施形態に係る表示装置２が製造される。

　＜サブ画素の形成パターンの例＞
　本実施形態に係る表示装置２が含む各サブ画素の形成パターンについて、図１０および図１１を参照して説明する。図１０および図１１は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法の一部工程における、表示装置２の工程平面図である。

　本明細書の工程平面図においては、それぞれ、紙面に向かって左右２画素分、上下３画素分の、計６つの画素Ｐを抜き出した平面図を示している。なお、本明細書の工程平面図には、画素Ｐ同士の境界を点線にて示している。さらに、本明細書の工程平面図においては、図示の簡単のために、外縁領域の図示を省略している。加えて、本明細書の工程平面図においては、図示の簡単のために、レジスト層の図示を省略し、当該レジスト層を透過して図示している。

　本実施形態においては、赤色発光層１０Ｒと、緑色発光層１０Ｇと、青色発光層１０Ｂとのそれぞれが、複数の画素に渡って共通に形成されていてもよい。この場合、本実施形態に係る製造方法におけるステップＳ１６、およびステップＳ３０のそれぞれは、例えば、図１０のステップＳ１６Ａ、およびステップＳ３０Ａに示す構造が得られるように実行される。

　また、本実施形態においては、赤色発光層１０Ｒと、緑色発光層１０Ｇと、青色発光層１０Ｂとの何れか１つが、全ての画素に渡って共通に形成されていてもよい。この場合、本実施形態に係る製造方法におけるステップＳ１６、およびステップＳ３０のそれぞれは、例えば、図１０のステップＳ１６Ｂ、およびステップＳ３０Ｂに示す構造が得られるように実行される。これにより、図１０のステップＳ３０Ｂに示すように、緑色発光層１０Ｇが全ての画素に共通して形成された表示装置２が製造できる。

　あるいは、本実施形態に係る製造方法におけるステップＳ１６、およびステップＳ３０のそれぞれは、例えば、図１１のステップＳ１６Ｃ、およびステップＳ３０Ｃに示す構造が得られるように実行されてもよい。これにより、図１１のステップＳ３０Ｃに示すように、赤色発光層１０Ｒが全ての画素に共通して形成された表示装置２が製造できる。

　さらに、本実施形態においては、１種の発光領域を全ての画素に共通して備え、かつ、残る２種の発光領域を、島状に備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る製造方法におけるステップＳ１６、およびステップＳ３０のそれぞれは、例えば、図１０のステップＳ１６Ｄ、およびステップＳ３０Ｄに示す構造が得られるように実行される。これにより、図１１のステップＳ３０Ｄに示すように、全ての画素に対し共通の赤色発光層１０Ｒに囲まれる位置に、島状の緑色発光層１０Ｇおよび青色発光層１０Ｂが形成された表示装置２が製造できる。

　なお、図１１のステップＳ３０Ｄに示す構造を表示装置２が備える場合、ステップＳ１６において、赤色発光層１０Ｒの端部のみが、第１レジスト層３８から露出する。このため、図１１のステップＳ３０Ｄに示す構造を表示装置２が備える場合、ステップＳ１６において、赤色発光層１０Ｒの端部にのみ、赤色第１外縁領域１６Ｒが形成される。ゆえに、図１１のステップＳ３０Ｄに示す構造を備えた表示装置２は、緑色発光層１０Ｇに、緑色第１主領域１５Ｇのみが形成され、緑色第１外縁領域１６Ｇが形成されない。

　＜製造方法に関わる効果＞
　本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、赤色発光層１０Ｒをエッチングする際、赤色発光層１０Ｒが含む赤色量子ドット１８Ｒに配位するリガンドを、赤色主リガンド２０Ｒから赤色第１外縁リガンド２８Ｒに置換する工程を含む。当該工程により、赤色発光層１０Ｒのエッチング工程と、赤色発光層１０Ｒの外縁への赤色第１外縁領域１６Ｒの形成とを、併せて実施することができる。

　このため、本実施形態に係る表示装置２の製造方法によれば、赤色発光層１０Ｒのエッチングを行った後、別途赤色第１外縁領域１６Ｒの形成を行う必要がない。したがって、当該製造方法によれば、製造工程のタクトタイムの短縮、および製造工程の簡素化を実現する。

　また、赤色発光層１０Ｒのエッチング工程と、赤色発光層１０Ｒの外縁への赤色第１外縁領域１６Ｒの形成とを、併せて実施することにより、製造工程における、水による洗浄等による外縁領域からの水分浸透から、主領域が保護される。このため、上記構成により、主領域への水分の浸透等により主領域の機能が低下することが防がれる。

　また、レジスト層のフォトリソグラフィの回数が低減するために、上記製造方法においては、各発光領域の位置合わせがより厳密に実施できるようになる。また、各発光領域の第１外縁領域の位置ズレは、主発光領域の位置ズレと比較すると表示装置２による表示に大きく影響を及ぼさない。このため、上記製造方法においては、各発光領域の位置ズレの許容範囲が広くなる。したがって、上記製造方法は、高精細の表示装置２の製造をより簡便とする点において有利である。

　加えて、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、各レジスト層の現像と、赤色発光層１０Ｒのエッチングと、赤色第１外縁領域１６Ｒの形成とを、同一の工程において実行できる。当該工程は、レジスト層の現像工程における現像液、および赤色発光層１０Ｒのエッチング液を適切に設計することにより実施することができる。上記工程により、本実施形態に係る表示装置２の製造方法は、必要な工程数および材料コストを低減することが可能である。

　なお、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、発光層のエッチング工程、またはレジスト層の剥離工程において、廃液から主発光材料のみを分離し、当該主発光材料を再利用してもよい。廃液からの主発光材料の分離は、例えば、当該廃液の遠心分離により実施してもよい。

　また、主発光材料が、主リガンドが配位する主量子ドットを含む場合、上記エッチング工程において得られる廃液が含む主量子ドットに配位するリガンドが、第１外縁リガンドに置換している場合がある。この場合、本実施形態においては、当該廃液から抽出した主量子ドットおよび第１外縁リガンドを含む溶液を、主リガンドが分散する溶液と撹拌することにより、主量子ドットに配位するリガンドを主リガンドに再度置換してもよい。

　具体的には、各エッチング工程に次いで、当該エッチング工程において用いたエッチング液から、量子ドットと、当該量子ドットに配位する外縁リガンドとを回収する回収工程を実行してもよい。また、回収工程に次いで、回収された量子ドットに配位するリガンドを、外縁リガンドから主リガンドに置換する置換工程をさらに実行してもよい。

　発光素子層６は、画素電極８と発光層１０との間に、機能層として、主リガンドが配位する量子ドットと、当該主リガンドとは異なる外縁リガンドが配位する量子ドットを有する正孔注入層、または正孔輸送層を備えていてもよい。この場合、当該量子ドットは、正孔輸送性を有する。

　上記構成において、正孔注入層、または正孔輸送層は、主リガンドが配位する量子ドットを主領域に備え、外縁リガンドが配位する量子ドットを、当該主領域の少なくとも一部の側面に隣接して位置する外縁領域に備える。ここで、主領域における正孔輸送効率は、外縁領域における正孔輸送効率よりも高くともよい。

　発光素子層６は、発光層１０と共通電極１２との間に、機能層として、主リガンドが配位する量子ドットと、当該主リガンドとは異なる外縁リガンドが配位する量子ドットを有する電子注入層、または電子輸送層を備えていてもよい。この場合、当該量子ドットは、電子輸送性を有する。

　上記構成において、電子注入層、または電子輸送層は、主リガンドが配位する量子ドットを主領域に備え、外縁リガンドが配位する量子ドットを、当該主領域の少なくとも一部の側面に隣接して位置する外縁領域に備える。ここで、主領域における電子輸送効率は、外縁領域における電子輸送効率よりも高くともよい。

　上述した、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、または電子輸送層は、発光層が含む量子ドットおよびリガンドの種類を除き、本実施形態に係る発光層１０と同一の手法により製造できる。

　〔実施形態２〕
　＜第３レジスト層＞
　本実施形態に係る表示装置２は、実施形態１に係る表示装置２と比較して、製造方法の差異を除き、同一の構成を備える。本実施形態に係る表示装置２の製造方法について、図１２から図１４を参照して説明する。図１２は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法について説明するためのフローチャートである。図１３および図１４は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法の一部工程における、表示装置２の工程断面図である。

　本実施形態に係る表示装置２の製造方法は、上述したステップＳ２６までは、実施形態１に係る表示装置２の製造方法と同一の手法により実行される。このため、本実施形態においては、ステップＳ２６の完了時点において、図１３のステップＳ２６に示す構造が得られる。

　本実施形態においては、ステップＳ２６に次いで、実施形態１に係るステップＳ３０と同一の手法により、第１レジスト層３８および第２レジスト層４０の剥離を実施する（ステップＳ３４）。ステップＳ３４は、第１剥離工程である。本実施形態に係るステップＳ３４により、緑色発光領域ＬＡＧの形成が完了する。

　次いで、画素電極８Ｂ、バンク１４、赤色発光層１０Ｒ、および緑色発光層１０Ｇの上層に、第３レジスト層４２を成膜する（ステップＳ３６）。ステップＳ３６は、第３レジスト成膜工程である。本実施形態に係る第３レジスト層４２は、第１レジスト層３８または第２レジスト層４０と同一の構成を備えていてもよい。また、第３レジスト層４２の成膜は、実施形態１におけるステップＳ１０と同一の手法により実施されてもよい。

　次いで、第３レジスト層４２の露光を実施する（ステップＳ３８）。ステップＳ３８においては、例えば、第３レジスト層４２の一部を除去するための前段階として、第３露光工程を実行する。第３露光工程は、上述した各実施形態に係る、第１露光工程または第２露光工程と同一の手法により、第３レジスト層４２に対する露光を実施することにより実行してもよい。

　次いで、第３レジスト層４２の現像を実施する（ステップＳ４０）。ステップＳ４０は、第３レジスト層４２の現像を行う、第３現像工程である。ステップＳ４０においては、例えば、第３レジスト層４２を特定の現像液によって洗浄することにより、第３レジスト層４２の一部を除去する。

　本実施形態においては、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置に形成された第３レジスト層４２のみを、ステップＳ４０において除去する。このため、ステップＳ４０の完了時点において、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置において、画素電極８Ｂおよびバンク１４が露出する。

　次いで、実施形態１に係るステップＳ２８と同一の手法により、青色発光層１０Ｂを成膜する（ステップＳ４２）。本実施形態に係るステップＳ４２において、赤色サブ画素ＳＰＲと緑色サブ画素ＳＰＧのそれぞれと重なる位置においては、第３レジスト層４２の上層に青色発光層１０Ｂが形成される。

　次いで、残存した第３レジスト層４２の剥離を実行する（ステップＳ４４）。ステップＳ４４は、第２剥離工程である。これにより、第３レジスト層４２上に形成された青色発光層１０Ｂについても、第３レジスト層４２の剥離と同時に除去される。したがって、ステップＳ４４において、青色発光層１０Ｂは、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置のみに残存する。

　本実施形態に係るステップＳ４２およびステップＳ４４のそれぞれは、実施形態１に係るステップＳ２８およびステップＳ３０のそれぞれと同一の手法により実施できる。次いで、実施形態１におけるステップＳ３２と同一の手法により、共通電極１２の成膜を実行することにより、本実施形態に係る表示装置２が製造される。

　本実施形態においても、赤色発光領域ＬＡＲは、他の発光領域のパターニングに使用するレジスト層を利用したエッチング工程により形成できる。このため、本実施形態に係る表示装置２の製造方法によれば、必要となる工程数を削減することができる。

　また、本実施形態に係る表示装置２の製造方法におけるステップＳ３４においては、ステップＳ３４の前のステップであるステップＳ２６において剥離する第１レジスト層３８の上層に緑色発光層１０Ｇが形成されている。しかしながら、ステップＳ３４においては、第２レジスト層４０の上層に青色発光層１０Ｂが形成されていない状態において、第１レジスト層３８および第２レジスト層４０の剥離を実行する。このため、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、実施形態１に係る表示装置２の製造方法と比較して、ステップＳ３４において除去する層が、青色発光層１０Ｂの厚みだけ薄くなる。したがって、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、ステップＳ３４における第１レジスト層３８および第２レジスト層４０の剥離がより容易に実行できる。

　〔実施形態３〕
　＜緑色発光層のパターニングの別法＞
　本実施形態に係る表示装置２は、前述の各実施形態に係る表示装置２と比較して、緑色発光領域ＬＡＧが、緑色発光層１０Ｇのみを備える点においてのみ構成が異なる。換言すれば、本実施形態に係る表示装置２は、緑色発光領域ＬＡＧが、緑色第１外縁領域１６Ｇを備えていない。

　本実施形態に係る表示装置２の製造方法について、図１５から図１７を参照して説明する。図１５は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法について説明するためのフローチャートである。図１６および図１７は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法の一部工程における、表示装置２の工程断面図である。

　本実施形態に係る表示装置２の製造方法は、上述したステップＳ１６までは、実施形態２に係る表示装置２の製造方法と同一の手法により実行される。このため、本実施形態においては、ステップＳ１６の完了時点において、図１６のステップＳ１６に示す構造が得られる。

　本実施形態においては、ステップＳ１６に次いで、実施形態２に係るステップＳ３４等と同一の手法により、第１レジスト層３８の剥離を実施する（ステップＳ４５）。次いで、前述した各実施形態に係るステップＳ２０と同一の手法により、第２レジスト層４０の成膜を実施する（ステップＳ４６）。

　次いで、前述した各実施形態に係るステップＳ２２と同一の手法により、第２レジスト層４０の露光工程を実施する（ステップＳ４８）。ステップＳ４８は、第２レジスト層４０に対する露光を行う、第２露光工程である。ステップＳ４８においては、例えば、第２レジスト層４０の一部を除去するための前段階として、第２露光工程を実行する。第２露光工程は、例えば、上述した第１露光工程と同一の手法により実行する。

　次いで、第２レジスト層４０の現像を実施する（ステップＳ５０）。ステップＳ５０は、第２レジスト層４０の現像を行う、第２現像工程である。ステップＳ５０においては、例えば、第２レジスト層４０を特定の現像液によって洗浄することにより、第２レジスト層４０の一部を除去する。

　本実施形態に係るステップＳ５０おいては、緑色サブ画素ＳＰＧと重なる位置における第２レジスト層４０のみを除去する。このため、本実施形態に係るステップＳ５０の完了時点においては、緑色サブ画素ＳＰＧと重なる位置における画素電極８Ｇおよびバンク１４のみが第２レジスト層４０から露出する。

　次いで、前述した各実施形態に係るステップＳ２６と同一の手法により、緑色発光層１０Ｇの成膜を実施する（ステップＳ５２）。本実施形態に係るステップＳ５２において、緑色発光層１０Ｇは、緑色サブ画素ＳＰＧと重なる位置の、画素電極８Ｂおよびバンク１４の上層に形成される。また、および、本実施形態に係るステップＳ５２において、緑色発光層１０Ｇは、赤色サブ画素ＳＰＲおよび青色サブ画素ＳＰＢのそれぞれと重なる位置に残存した、第２レジスト層４０の上層に形成される。

　次いで、実施形態２に係るステップＳ３４等と同一の手法により、第２レジスト層４０の剥離を実施する（ステップＳ５４）。ステップＳ５４の実行により、第２レジスト層４０が剥離されるとともに、第２レジスト層４０の上層に形成された緑色発光層１０Ｇが併せて除去される。これにより、緑色サブ画素ＳＰＧと重なる位置における緑色発光層１０Ｇが残存する。

　したがって、ステップＳ５４の完了時点においては、緑色発光層１０Ｇを含む緑色発光領域ＬＡＧの形成が完了する。なお、本実施形態においては、緑色発光領域ＬＡＧの形成に、緑色発光層１０Ｇと隣接する層のエッチングを実施しない。このため、緑色発光領域ＬＡＧには、緑色第１外縁領域１６Ｇが形成されていない。

　図１７のステップＳ５４に示す通り、ステップＳ５４の完了時点において得られる構造は、実施形態２に係るステップＳ３４の完了時点において得られる構造と同一である。したがって、ステップＳ５４に次いで、実施形態２に係るステップＳ３６から以降の各工程を順に実施することにより、本実施形態に係る表示装置２が得られる。

　また、本実施形態に係る表示装置２の製造方法におけるステップＳ５４においては、剥離する第２レジスト層４０の上層に緑色発光層１０Ｇが形成されているものの、第１レジスト層３８が形成されていない。このため、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、実施形態２に係る表示装置２の製造方法と比較して、ステップＳ５４において除去する層が、第１レジスト層３８の１層分の厚みだけ薄くなる。したがって、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、ステップＳ５４における第２レジスト層４０の剥離がより容易に実行できる。

　さらに、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、発光層のエッチングを実施する工程が、赤色発光層１０Ｒのエッチングを実施する工程のみを含む。換言すれば、本実施形態に係る表示装置２の製造方法においては、主発光材料層のエッチングを一回のみ実施する。このため、上記製造方法によれば、エッチング工程の工程数が低減し、タクトタイムが短縮する。加えて、上記製造方法によれば、エッチング工程において使用するエッチング液が１種のみにて完結するため、製造コストの低減が実現する。

　実施形態２に係る表示装置２の製造方法と同じく、本実施形態に係る表示装置２の製造方法において、青色サブ画素ＳＰＢと重なる位置には、緑色発光層１０Ｇが形成されない。このため、当該製造方法によれば、本来形成すべき位置とは異なる位置に形成される主発光材料の種類を１種のみとすることができ、混色が発生する蓋然性を低減する。

　〔実施形態４〕
　＜波長変換層を備えた表示装置＞
　図１８は、本実施形態に係る表示装置４４の概略断面図である。本実施形態に係る表示装置４４は、平面視において、図２に示す表示装置２と同じく、各サブ画素からの発光が取り出すことにより表示を行う表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。図１８は、図１に示す表示装置２の断面図と同じく、平面視において表示領域ＤＡと重畳する位置における断面の一部を示す。

　図１８に示すように、本実施形態に係る表示装置４４は、光源部４６と、当該光源部４６上のバンク１４と、光源部４６上およびバンク１４上の、機能層としての波長変換層４８とを備える。なお、本明細書においては、バンク１４からみて、光源部４６への方向を「下方向」、波長変換層４８への方向を「上方向」として記載する。

　光源部４６は、波長変換層４８に対して光を照射する。波長変換層４８は、光源部４６からの光を吸収し、当該光源部４６からの光と異なる波長の光を発する。本実施形態に係る波長変換層４８は、発光領域を複数備え、当該発光領域として、赤色発光領域ＬＡＲと、緑色発光領域ＬＡＧと、青色発光領域ＬＡＢとを備える。特に、波長変換層４８の各発光領域は、それぞれが吸収する光よりも長波長の光を発する。

　本実施形態において、表示装置４４は、サブ画素を複数備え、波長変換層４８は、サブ画素のそれぞれに１つずつ発光領域を備える。本実施形態においては、例えば、波長変換層４８は、発光領域として、赤色サブ画素ＳＰＲに赤色発光領域ＬＡＲを、緑色サブ画素ＳＰＧに緑色発光領域ＬＡＧを、青色サブ画素ＳＰＢに青色発光領域ＬＡＢをそれぞれ備える。

　本実施形態において、赤色発光領域ＬＡＲは、赤色光を発する赤色波長変換層４８Ｒを含み、緑色発光領域ＬＡＧは、緑色光を発する緑色波長変換層４８Ｇを含み、青色発光領域ＬＡＢは、青色光を発する青色波長変換層４８Ｂを含む。換言すれば、波長変換層４８は、互いに発光色が異なる複数種の発光領域として、赤色光を発する赤色発光領域ＬＡＲと、緑色光を発する緑色発光領域ＬＡＧと、青色光を発する青色発光領域ＬＡＢとを備えている。

　本実施形態に係る波長変換層４８の赤色発光領域ＬＡＲは、赤色発光層１０Ｒに代えて赤色波長変換層４８Ｒを備える点のみを除き、前述の何れかの実施形態に係る発光層１０の赤色発光領域ＬＡＲと同一の構成を備える。例えば、本実施形態に係る波長変換層４８の赤色発光領域ＬＡＲは、赤色波長変換層４８Ｒと、赤色波長変換層４８Ｒの少なくとも一部の側面上に位置する赤色第１外縁領域１６Ｒとを含む。

　また、赤色波長変換層４８Ｒは、前述の何れかの実施形態に係る赤色発光層１０Ｒと、同一の主発光材料を備えている。例えば、赤色波長変換層４８Ｒは、主発光材料として、図１に示す、赤色量子ドット１８Ｒと、当該赤色量子ドット１８Ｒに配位する赤色主リガンド２０Ｒとを備えている。

　さらに、本実施形態に係る赤色第１外縁領域１６Ｒは、前述の何れかの実施形態に係る赤色第１外縁領域１６Ｒと同一の構成を備える。例えば、本実施形態に係る赤色第１外縁領域１６Ｒは、図１に示す、赤色量子ドット１８Ｒと、当該赤色量子ドット１８Ｒに配位する赤色第１外縁リガンド２８Ｒとを備えている。

　本実施形態に係る波長変換層４８の緑色発光領域ＬＡＧは、緑色発光層１０Ｇに代えて緑色波長変換層４８Ｇを備える点のみを除き、前述の何れかの実施形態に係る発光層１０の緑色発光領域ＬＡＧと同一の構成を備える。例えば、本実施形態に係る波長変換層４８の緑色発光領域ＬＡＧは、緑色波長変換層４８Ｇと、緑色波長変換層４８Ｇの少なくとも一部の側面上に位置する緑色第１外縁領域１６Ｇとを含む。また、緑色波長変換層４８Ｇは、前述の何れかの実施形態に係る緑色発光層１０Ｇと、同一の主発光材料を備えている。

　本実施形態に係る波長変換層４８の青色発光領域ＬＡＢは、青色発光層１０Ｂに代えて青色波長変換層４８Ｂを備える点のみを除き、前述の何れかの実施形態に係る発光層１０の青色発光領域ＬＡＢと同一の構成を備える。青色波長変換層４８Ｂは、前述の何れかの実施形態に係る青色発光層１０Ｂと、同一の主発光材料を備えている。

　なお、本実施形態に係るバンク１４は、前述の各実施形態に係るバンク１４と同一の構成を備える。例えば、本実施形態に係るバンク１４は、平面視において、互いに隣接するサブ画素の境界を跨ぐ位置に形成される。また、波長変換層４８の、第１外縁領域を含む非発光領域ＮＬＡは、当該第１外縁領域を、平面視において、バンク１４と重なる位置に備える。本実施形態に係るバンク１４は、前述の各実施形態に係るバンク１４と同一の材料からなる。

　本実施形態において、光源部４６は、波長変換層４８のそれぞれの発光領域に対し、個別に光を照射してもよい。例えば、光源部４６は、サブ画素ごとに、紫外光を発する発光素子を備えていてもよく、当該発光素子が、サブ画素ごとに制御されてもよい。あるいは、光源部４６は、紫外光を発するバックライトユニットと、当該バックライトユニット上に形成され、バックライトユニットから波長変換層への光量をサブ画素ごとに制御する液晶素子とを備えていてもよい。

　本実施形態に係る波長変換層４８の主領域と第１外縁領域とは、互いに異なるリガンドが配位する量子ドットを含む。このため、本実施形態に係る表示装置４４は、波長変換層４８の発光領域が含む第１外縁領域に対し、当該発光領域の主領域と異なる機能を、含むリガンドの差異によって、より効率的に付与することができる。

　本実施形態に係る表示装置４４の製造方法について、図１９を参照して説明する。図１９は、本実施形態に係る表示装置４４の製造方法について説明するためのフローチャートである。

　本実施形態に係る表示装置４４の製造方法において、はじめに、光源部４６を形成する（ステップＳ５６）。光源部４６の形成は、表示装置４４の各サブ画素を形成する位置に合わせて、従来公知の手法により、紫外光を発する発光素子を形成することにより実行されてもよい。あるいは、光源部４６の形成は、紫外光を発するバックライトユニット上に、表示装置４４の各サブ画素を形成する位置に合わせて、従来公知の手法により、液晶素子を形成することにより実行されてもよい。

　本実施形態に係る表示装置４４の製造方法においては、光源部４６の形成に次いで、バンク１４を形成する（ステップＳ６）。本実施形態に係るバンク１４は、前述の各実施形態に係るバンク１４と比較して、同一の材料からなり、かつ、同一の位置に形成される。したがって、本実施形態に係るバンク１４は、前述の各実施形態に係るステップＳ６と同一の手法により製造できる。

　次いで、波長変換層４８の製造を実施する。ここで、上述したように、本実施形態に係る波長変換層４８は、前述の各実施形態に係る発光層１０と、同一の構成を備えている。したがって、本実施形態に係る波長変換層４８は、前述の各実施形態に係る発光層１０と同一の方法によって製造できる。例えば、図１９に示すように、ステップＳ６に次いで、実施形態１に係る表示装置２の製造方法における、ステップＳ８からステップＳ３０までを、発光層１０を波長変換層４８に代えて、順に実施することにより、本実施形態に係る波長変換層４８を形成できる。これにより、本実施形態に係る表示装置４４の製造が完了する。

　上述の通り、本実施形態における波長変換層４８は、前述の各実施形態に係る発光層１０と同一の方法によって製造できる。したがって、本実施形態においても、赤色発光領域ＬＡＲは、他の発光領域のパターニングに使用するレジスト層を利用したエッチング工程により形成できる。このため、本実施形態に係る表示装置４４の製造方法によれば、必要となる工程数を削減することができる。

　例えば、本実施形態に係る表示装置４４は、バンク１４を透明材料によって形成してもよく、あるいは、バンク１４を備えていなくともよい。

　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　例えば、上記各実施形態においては、主に機能層が発光層である場合について説明した。しかしながら、上記各実施形態において、機能層が電荷輸送層であり、電荷輸送層がナノ粒子を含んでいてもよい。また、上記各実施形態において、当該電荷輸送層は、主リガンドを含む主領域と、電荷輸送層の外縁に形成され、外縁リガンドを含む外縁領域と、を有していてもよい。さらに、上記各実施形態において、発光層と電荷輸送層との両方が、少なくとも一部に主リガンドを含む主領域と、外縁リガンドを含む外縁領域とを有していてもよく、電荷輸送層のみに、主領域と外縁領域とが形成されていてもよい。

　また、上記各実施形態においては、電子デバイスが表示装置である場合について説明した。しかしながら、上記各実施形態において、表示装置以外の電子デバイスが、ナノ粒子を含む機能層を有する構成としてもよい。この場合、上記各実施形態において、当該機能層が、主リガンドを含む主領域と、機能層の外縁に形成され、外縁リガンドを含む外縁領域と、を有し、外縁リガンドが主リガンドと異なるリガンドである構成が用いられてもよい。

　また、主領域には、リガンドが含まれなくてもよい。例えば、機能層である電荷輸送層が、主領域に、ＺｎＯ、ＮｉＯ、またはＣｕＯ等を含むナノ粒子を備える場合、これらのナノ粒子にはリガンドが配位していなくともよい。なお、機能層におけるリガンドの有無は、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）を使用したスペクトル分光により確認できる。例えば、上述した、リガンドを含まない機能層に対し、ＦＴ－ＩＲを使用したスペクトル分光を行った場合、リガンドが含む有機物に由来した、特定波長の光の吸収が観測されない。また、主領域にリガンドが含まれない場合、機能層成膜工程においては、リガンドが含まれない機能層が成膜される。

　表示装置以外の電子デバイスの例としては、例えば、ナノ粒子材料を含む、光センサ、太陽電池、またはトランジスタ等がある。

　また、上記各実施形態においては、ナノ粒子（例えば、量子ドット）にリガンドが配位した例を示した。しかしながら、上記各実施形態において、電子デバイスには、機能層に含まれるナノ粒子に配位しないリガンドが存在していてもよい。また、主領域と外縁領域とにおいて、リガンドの配位状態が異なっていてもよい。

　さらに、上記各実施形態においては、主にリフトオフにより機能層が形成されたが、リフトオフ以外の方法によって、主領域と外縁領域とを含む機能層を有する電子デバイスが形成されてもよい。

２　　　表示装置
６　　　発光素子層
８　　　画素電極
１０　　発光層（機能層）
１２　　共通電極
１４　　バンク
１５Ｒ　赤色第１主領域
１５Ｇ　緑色第１主領域
１６Ｒ　赤色第１外縁領域
１６Ｇ　緑色第１外縁領域
１８Ｒ　赤色量子ドット
２０Ｒ　赤色主リガンド
２８Ｒ　赤色第１外縁リガンド
４６　　光源部
４８　　波長変換層（機能層）

Claims

　ナノ粒子を含む機能層を有する電子デバイスであって、
　前記機能層は、前記機能層の外縁に形成され、外縁リガンドを含む外縁領域と、前記外縁領域に内接する主領域と、を有し、
　前記外縁領域に含まれる単位体積当たりの前記外縁リガンドは、前記主領域における単位体積当たりの前記外縁リガンドよりも多い電子デバイス。
　前記主領域には前記外縁リガンドとは異なる主リガンドが含まれ、
　前記主領域に含まれる単位体積当たりの前記主リガンドは、前記外縁領域における単位体積当たりの前記主リガンドよりも多い請求項１に記載の電子デバイス。
　前記主領域は、リガンドを含まない請求項１に記載の電子デバイス。
　ｎを２以上の自然数として、含有する前記ナノ粒子の種類が互いに異なるｎ種の範囲を備え、
　（ｎ－１）種の前記範囲のみが、それぞれ、前記主領域と、前記外縁領域とを含む請求項１から３の何れか１項に記載の電子デバイス。
　ｎを２以上の自然数として、含有する前記ナノ粒子の種類が互いに異なるｎ種の範囲を備え、
　１種の前記範囲のみが、前記主領域と、前記外縁領域とを含む請求項１から３の何れか１項に記載の電子デバイス。
　１種の前記範囲のみが、前記主領域のみを含む請求項４または５に記載の電子デバイス。
　前記外縁リガンドが極性を有する請求項１から６の何れか１項に記載の電子デバイス。
　前記外縁リガンドが、水酸化テトラメチルアンモニウム、２－アミノエタンチオール塩酸塩、２－メタンアミノエタンチオール塩酸塩、２－エタンアミノエタンチオール塩酸、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩、２－メチルエチルアミノエタンチオール塩酸塩、および、２－ジエチルアミノエタンチオール塩酸塩を含む群から、少なくとも一種を含む請求項７に記載の電子デバイス。
　前記外縁リガンドが非極性を有する請求項１から６の何れか１項に記載の電子デバイス。
　前記外縁リガンドが、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、ホスホン基、ホスフィン基、およびホスフィンオキシド基からなる群から少なくとも１種を含むリガンドである請求項９に記載の電子デバイス。
　前記ナノ粒子は量子ドットである請求項１から１０の何れか１項に記載の電子デバイス。
　前記ナノ粒子が、電子と正孔との再結合により生成される励起子によって発光する請求項１１に記載の電子デバイス。
　前記ナノ粒子が、正孔輸送性を有する請求項１１に記載の電子デバイス。
　前記ナノ粒子が、電子輸送性を有する請求項１１に記載の電子デバイス。
　前記ナノ粒子が、特定の波長の光を吸収することにより、当該波長とは異なる波長にて発光する請求項１１に記載の電子デバイス。
　それぞれが発光素子を備えた、複数のサブ画素を有する画素を複数備え、
　前記複数のサブ画素ごとに設けられた第１電極と、
　前記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間の発光層とを備え、
　前記発光層の少なくとも１層は前記機能層である請求項１２に記載の電子デバイス。
　それぞれが発光素子を備えた、複数のサブ画素を有する画素を複数備え、
　前記複数のサブ画素ごとに設けられた第１電極と、
　前記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間の発光層と、
　前記第１電極と前記発光層との間、または、前記第２電極と前記発光層との間の何れかに設けられた正孔輸送層とを備え、
　前記正孔輸送層の少なくとも１層は前記機能層である請求項１３に記載の電子デバイス。
　それぞれが発光素子を備えた、複数のサブ画素を有する画素を複数備え、
　前記複数のサブ画素ごとに設けられた第１電極と、
　前記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間の発光層と、
　前記第１電極と前記発光層との間、または、前記第２電極と前記発光層との間の何れかに設けられた電子輸送層とを備え、
　前記電子輸送層の少なくとも１層は前記機能層である請求項１４に記載の電子デバイス。
　赤色光を発する赤色発光素子と、緑色光を発する緑色発光素子と、青色光を発する青色発光素子とを、少なくとも一つずつ備えた請求項１６から１８の何れか１項に記載の電子デバイス。
　複数のサブ画素を有する画素を複数備え、
　前記サブ画素のそれぞれに設けられた波長変換層と、
　前記波長変換層に対して光を照射する光源部とを備え、
　前記波長変換層の少なくとも１層は前記機能層である請求項１５に記載の電子デバイス。
　前記サブ画素を区画するバンクを備え、
　前記外縁領域の少なくとも一部が、前記機能層の何れかの平面視において前記バンクと重なる請求項１６から２０の何れか１項に記載の電子デバイス。
　第１ナノ粒子を含む第１機能層を成膜する第１機能層成膜工程と、
　前記第１機能層の上層に第１レジスト層を成膜する第１レジスト層成膜工程と、
　前記第１レジスト層に対して露光を行う第１露光工程と、
　前記第１レジスト層の現像により、前記第１レジスト層の一部を除去する第１現像工程と、
　前記第１機能層の一部を、前記第１レジスト層の側の表面からエッチングして第１外縁リガンドを導入し、前記第１機能層の少なくとも一部の外縁に、前記第１外縁リガンドおよび前記第１ナノ粒子を有する第１外縁領域を形成する第１エッチング工程とを含む電子デバイスの製造方法。
　前記第１機能層成膜工程で成膜される前記第１機能層は前記第１外縁リガンドとは異なる第１主リガンドを含み、
　前記第１エッチング工程では、前記第１主リガンドを前記第１外縁リガンドに置換する請求項２２に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１機能層成膜工程で成膜される前記第１機能層はリガンドを含まない請求項２２に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１現像工程および前記第１エッチング工程を、第１エッチング液を用いて同時に、または、この順に連続して実行し、
　前記第１エッチング液は、露光後の前記第１レジスト層を溶解するレジスト溶解成分と、前記第１外縁リガンドと、前記第１外縁リガンドを含む溶質が溶解する溶媒とを含む請求項２２から２４の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１エッチング工程を、第１エッチング液を用いて実行し、
　前記第１エッチング液は、前記第１外縁リガンドと、前記第１外縁リガンドを含む溶質が溶解する溶媒とを含む請求項２２から２４の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１エッチング工程の後に、前記第１ナノ粒子と異なる第２ナノ粒子とを含む第２機能層を成膜する第２機能層成膜工程をさらに含む請求項２５または２６に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第２機能層は第２主リガンドを含み、
　前記第２機能層の上層に第２レジスト層を成膜する第２レジスト成膜工程と、
　前記第２レジスト層に対して露光を行う第２露光工程と、
　前記第２レジスト層の現像により、前記第２レジスト層の一部を除去する第２現像工程と、
　前記第２機能層の一部を、前記第２レジスト層の側の表面からエッチングし、前記第２機能層の少なくとも一部の外縁に、前記第２主リガンドと異なる第２外縁リガンドおよび前記第２ナノ粒子を有する第２外縁領域を形成する第２エッチング工程とをさらに含む請求項２７に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第２エッチング工程の後に、前記第１ナノ粒子および前記第２ナノ粒子の双方と異なる第３ナノ粒子とを含む第３機能層を成膜する第３機能層成膜工程と、
　前記第３機能層成膜工程の後に、残存する前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を剥離する剥離工程をさらに含む請求項２８に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第２エッチング工程の後に、残存する前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を剥離する第１剥離工程と、
　前記第１機能層および前記第２機能層の上層に第３レジスト層を成膜する第３レジスト成膜工程と、
　前記第３レジスト層に対して露光を行う第３露光工程と、
　前記第３レジスト層の現像により、前記第３レジスト層の一部を除去する第３現像工程と、
　前記第３現像工程の後に、第３主リガンドと、前記第１ナノ粒子および前記第２ナノ粒子の双方と異なる第３ナノ粒子とを含む第３機能層を成膜する第３機能層成膜工程と、
　前記第３機能層成膜工程の後に、残存する前記第３レジスト層を剥離する第２剥離工程をさらに含む請求項２８に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１エッチング液が、水酸化テトラメチルアンモニウム、２－アミノエタンチオール塩酸塩、２－メタンアミノエタンチオール塩酸塩、２－エタンアミノエタンチオール塩酸、２－ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩、２－メチルエチルアミノエタンチオール塩酸塩、および、２－ジエチルアミノエタンチオール塩酸塩を含む群から少なくとも１種を含む溶質を、溶媒中に含む溶液である請求項２５から３０の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記溶媒が、水、ＭｅＯＨ、ＰＧＭＥＡ、ＤＭＦ、アセトニトリル、エチレングリコール、および、ＤＭＳＯを含む群から少なくとも１種を含む請求項３１に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１エッチング液が、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、ホスホン基、ホスフィン基、およびホスフィンオキシド基からなる群から少なくとも１種を官能基として含む溶質を、溶媒中に含む溶液である請求項２５から３０の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記溶媒が、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、トルエン、および、ドデカンを含む群から少なくとも１種を含む請求項３３に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１エッチング液が、前記溶質を０．０１３ｍｏｌ／Ｌ以上含む請求項２５から３４の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
　露光後の前記第１レジスト層はアルカリに溶解し、
　前記第１エッチング液はアルカリ性である請求項２５から３５の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
　前記第１エッチング工程を、第１エッチング液を用いて実行し、
　前記第１エッチング工程の後に、前記第１ナノ粒子と前記第１外縁リガンドとを含む前記第１エッチング液を回収する回収工程と、
　前記回収工程において回収された前記第１エッチング液が含む第１外縁リガンドの少なくとも一部を前記第１主リガンドに置換する置換工程とをさらに含む請求項２３に記載の電子デバイスの製造方法。