CN109449185B - 显示基板、显示方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板、显示方法、显示装置，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的发光二极管型的显示装置随时间推移而颜色和亮度的均匀性变差的问题。本发明的显示基板包括反射结构以及多个发光二极管，反射结构具有反光区，反光区用于将发光二极管发出的光朝第一方向反射出去以进行显示，反射结构还具有透光区，至少部分发光二极管为第一类发光二极管，第一类发光二极管发出的部分光能透过透光区，透过透光区的光用于检测该第一类发光二极管的光强。

Description

显示基板、显示方法、显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、一种显示方法和一种显示装置。

背景技术

现有的一类显示装置中的发光元件为发光二极管，包括有机发光二极管(OLED)和无机微发光二极管(Micro LED)。随着使用时间的推移，各个发光二极管会发生老化，老化的程度各异，此外各个发光二极管的阈值电压也会发生漂移，漂移的程度也是各异的。这就导致了显示装置显示的颜色和亮度不均匀。

发明内容

本发明至少部分解决现有的发光二极管类的显示装置随使用时间的推移颜色和亮度不均匀的问题，提供一种显示基板、一种显示方法和一种显示装置。

根据本发明的第一方面，提供一种显示基板，包括反射结构以及多个发光二极管，反射结构具有反光区，反光区用于将发光二极管发出的光朝第一方向反射出去以进行显示，反射结构还具有透光区，至少部分发光二极管为第一类发光二极管，第一类发光二极管发出的部分光能透过透光区，透过透光区的光用于检测该第一类发光二极管的光强。

可选地，所述显示基板还包括光强检测结构，光强检测结构用于检测从所述透光区透过的光的强度。

可选地，所述发光二极管包括相对的第一电极和第二电极，所述反射结构由第一电极构成。

可选地，所述第一电极包括叠置的透明氧化物导体层、反光金属层、透明氧化物导体层，对应所述透光区的位置处反光金属层空缺设置。

可选地，所述光强检测结构包括光敏二极管或光敏三极管。

可选地，所述显示基板包括第一基底，所述发光二极管设置在第一基底上，所述第一电极比所述第二电极更靠近第一基底。

可选地，所述光强检测结构设置在所述第一基底与所述第一电极之间。

可选地，所述显示基板还包括与所述第一基底叠置的第二基底，所述发光二极管设置在所述第一基底的远离第二基底的表面上，所述光强检测结构设置在第二基底的朝向所述第一基底的表面上。

可选地，所述显示基板还包括黑矩阵，黑矩阵设置在所述第二电极远离所述第一电极的一侧，黑矩阵的位置与所述透光区相对。

可选地，所述发光二极管包括有机发光二极管或无机微发光二极管。

可选地，所述发光二极管分为不同颜色的发光二极管，对应每种颜色的发光二极管中，至少有一个为第一类发光二极管。

可选地，至少部分区域内的多个发光二极管均为第一类发光二极管。

根据本发明的第二方面，提供一种显示方法，应用于根据本发明第一方面的显示基板，该显示方法包括：

获取所述第一类发光二极管的显示检测数据以及对应的透光区中透过的光的预期光强；

按照该显示检测数据驱动所述第一类发光二极管发光；

检测所述第一类发光二极管从所述透光区透过的光的实测光强；

根据预期光强与实测光强对显示数据进行修正。

根据本发明的第三方面，提供一种显示装置，包括驱动模块和根据权本发明第一方面的显示基板，驱动模块包括存储器和处理器，存储器用于存储指令，处理器用于运行该指令以执行根据本发明第二方面的方法。

根据本发明的第四方面提供一种显示装置，包括驱动模块和根据本发明第一方面的显示基板，驱动模块包括：

获取子模块，用于获取所述第一类发光二极管的显示检测数据以及对应的透光区中透过的光的预期光强；

显示子模块，用于按照该显示检测数据驱动所述第一类发光二极管发光；

检测子模块，用于检测所述第一类发光二极管从所述透光区透过的光的实测光强；

修正子模块，用于根据显示检测数据与实测光强对显示数据进行修正。

附图说明

图1为本发明的实施例的一种显示基板的结构示意图；

图2为本发明的实施例的另一种显示基板的结构图；

图3为本发明的实施例的一种反射结构的剖面图；

图4为本发明的实施例的驱动模块的框图；

图5为本发明的实施例的另一种驱动模块的框图；

其中，附图标记为：10、第一基底；111、反光区；1111、透明氧化物导体层；1112、反光光金属层；112、透光区；121、第一电极；122、发光功能层；123、第二电极；13、驱动晶体管；14、光学调整层；15、无机封装层；16、有机封装层；17、像素界定层；20、第二基底；21、光强检测结构；22、黑矩阵；200、存储器；300、处理器；401、获取子模块；402、显示子模块；403、检测子模块；404、修正子模块。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

实施例1：

本实施例提供一种显示基板，包括反射结构以及多个发光二极管，反射结构具有反光区111，反光区111用于将发光二极管发出的光朝第一方向反射出去以进行显示，反射结构还具有透光区112，至少部分发光二极管为第一类发光二极管，第一类发光二极管发出的部分光能透过透光区112，透过透光区112的光用于检测该第一类发光二极管的光强。

发光二极管可以是有机发光二极管(OLED)，其中包括多个发光功能层122，也可以是无机微发光二极管(Micro LED)，包括横向无机微发光二极管或者纵向无机微发光二极管。

如图1和图2所示，在有机发光二极管中，像素界定层17将部分发光功能层122分开，从而形成不同的子像素。有机发光二极管中包含多个发光功能层122，例如在图1和图2中从下到上的方向依次为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光复合层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。以上各有机发光二极管可以是分别发出不同颜色的有机发光二极管，每个有机发光二极管参与形成一个子像素；也可以是均为发出白光的有机发光二极管，这种情况下需要配合彩膜形成不同的子像素。

发光二极管发出的光是朝各个方向发射出去，为了进行显示，需要反射结构中的反光区111将这些光朝一个方向(此处称第一方向)反射出去。第一方向也即是该显示基板用于显示的出光方向。

本实施例提出的反射结构具有透光区112，从而可以使发光二极管发出的光中有少量可以透过这个透光区112。透过透光区112的光可以被检测出来，而这部分光的光强是与该发光二极管的用于显示的光的光强是呈正比的。从而可以通过检测这部分透过的光的光强(实测光强)而得到该发光二极管用于显示的光的光强。对于一个确定的显示基板，在输出该显示基板的显示数据确定的情况下，上述发光二极管透过透光区112的光的光强(预期光强)也是可以确定的。如果发现上述的实测光强比预期光强弱，那么可通过调整显示数据的方式对这部分差异进行补偿，使该发光二极管发出的光的光强仍为预期光强。从而避免了显示基板中亮度和颜色的不均匀。

需要说明的是，各个发光二极管中可以是部分发光二极管发出的光能从透光区112透过(也即是后续只检测部分发光二极管从透光区112透过的光的光强)，当然也可以是全部发光二极管发出的光都能从透光区112透过(也即是后续检测全部发光二极管从透光区112透过的光的光强)。本文中特将发出的光能从透光区112透过的发光二极管定义为第一类发光二极管。

可选地，显示基板还包括光强检测结构21，光强检测结构21用于检测从透光区112透过的光的强度。

也即是将用于检测第一类发光二极管从透光区112透过的光的光强的该光强检测结构21集成在显示基板中。从而显示基板同时具备发出用于显示的光和检测自身的第一类发光二极管的光强的功能。

可选地，发光二极管包括相对的第一电极121和第二电极123，反射结构由第一电极121构成。

也即是由发光二极管的第一电极121兼作为反射结构。如此结构适用于有机发光二极管(因为它的第一电极121、第二电极123、各发光功能层122是叠置的关系)，当然也适用于纵向无机微发光二极管。

对于横向无机微发光二极管，它的两个电极位于同侧。如果它的出光面在其电极一侧，则需要独立的反射结构，而不能由电极兼作。

可选地，如图3所示，第一电极121包括叠置的透明氧化物导体层1111、反光金属层1112、透明氧化物导体层1111，对应透光区112的位置处反光金属层1112空缺设置。

如此，具有反光金属层1112的区域便形成了前述的反光区111，而没有反光金属层1112的区域便形成了前述的透光区112。

当然第一电极121兼作为反射结构的情况下，第一电极121的结构并不限于此。例如第一电极121仅包括其中的一个透明氧化物导体层1111，以及通过构图工艺在这个透明氧化物导体层1111上形成的反光金属层1112。

具体地，透明氧化物导体层1111的材料例如是氧化铟锡(ITO)等。金属反光层的材料例如是银(Ag)等。

可选地，光强检测结构21包括光敏二极管或光敏三极管。也即是具体选用光敏二极管或光敏三极管作为检测从透光区112透过的光的光强。当然，本发明并不限于这两种器件。

可选地，参加图1和图2，显示基板包括第一基底10，发光二极管设置在第一基底10上，第一电极121比第二电极123更靠近第一基底10。

也即是用于显示的光从发光二极管的靠近第一基底10的第一电极121向远离第一基底10的第二电极123的方向射出。工程上也称为顶发射型发光二极管。

当然，对于底发射型发光二极管，本发明也同样适用。例如如将图2中的第一电极和第二电极对调位置，那么将图2中的第二基底20以及光强检测结构21调整到图2中上部区域所示的位置即可。

可选地，如图1所示，光强检测结构21设置在第一基底10与第一电极121之间。

也即是将光强检测机构与发光二极管制作在同一个第一基底10上。优选首先制作光强检测结构21，这是由于它的工艺与驱动晶体管13(用于驱动发光二极管发光的器件)兼容，可以与驱动晶体管13一起制作在第一基底10上。随后，制作发光二极管。

具体地，第一基底10的选材例如是硬质的基底，如玻璃(Glass)，或柔性的基底，例如是聚酰亚胺树脂(PI)。以上选材也适用于后述的第二基底20。

可选地，如图2所示，显示基板还包括与第一基底10叠置的第二基底20，发光二极管设置在第一基底10的远离第二基底20的表面上，光强检测结构21设置在第二基底20的朝向第一基底10的表面上。

也即是将光强检测结构21与发光二极管制作在不同的两个基底上(第一基底10和第二基底20)。再将两个基底通过贴合等的方式固定在一起。

可选地，参见图1和图2，显示基板还包括黑矩阵22，黑矩阵22设置在第二电极123远离第一电极121的一侧，黑矩阵22的位置与透光区112相对。

黑矩阵22的作用是防止外界的光线透过第二电极123射到光强检测结构21上，从而避免外界光线对光强检测结构21的干扰。

可选地，发光二极管为不同的颜色的发光二极管，对应每种颜色的发光二极管中，至少有一个为第一类发光二极管。

发光二极管为不同的颜色的发光二极管，例如是部分发光二极管能发出红光，部分发光二极管能发出绿光，其余发光二极管能发出蓝光。

对每一种颜色的发光二极管都选取其中一个作为第一类发光二极管，从而可以检测出每一种颜色的发光二极管的实测光强。如果不同颜色的发光二极管因其工艺和材料的差异，其发光强度退化的程度不同，那么对于这种情况，如上设置可以有效地避免因此造成的颜色的不均匀。

可选地，至少部分区域内的多个发光二极管均为第一类发光二极管。

也即是在显示基板中，需要检测部分区域内的多个发光二极管的实际光强。这是由于工艺制程的差异，同一显示基板中不同区域的发光二极管退化的程度可能是不同的。如此设置，可实现对退化程度更大的区域内的发光二极管发出的光进行补偿，或者分区域，对不同区域的发光二极管的光做出不同程度的补偿。

当然，本领域技术人员可以将所有发光二极管设置为第一类发光二极管，即每一个发光二极管都对应一个光强检测结构21。从而可对每一个发光二极管发出的光进行补偿。

在图1和图2所示的显示基板中，还示出了光学调整层(CPL)14、无机封装层15、有机封装层(IJP)16。其中，无机封装层15的选材例如是硅的氮化物或硅的氧化物。

实施例2：

本实施例提供一种显示方法，应用于根据本发明实施例1的显示基板。该显示方法包括：

第一步：获取第一类发光二极管的显示检测数据以及对应的透光区112中透过的光的预期光强。

显示检测数据来源于显示基板需要进行显示的图像数据。此时的图像数据可以是对应特定的检测图像，也可以是对应任意的显示图像。第一类发光二极管的坐标是确定的，从而可以从该图像数据中可以得到第一类发光二极管的显示检测数据，当然也就知道该第一类发光二极管从透光区112透过的光的预期光强。

第二步：按照该显示检测数据驱动第一类发光二极管发光。

也即是使显示基板根据图像数据进行显示。此时第一类发光二极管便也会根据图像数据中的显示检测数据进行发光。

第三步：检测第一类发光二极管从透光区112透过的光的实测光强。

实测光强的检测通过光强检测结构21实现。

第四步：根据预期光强与实测光强对显示数据进行修正。

如果实测光强比预期光强弱，那么需要对显示数据中对应该第一类发光二极管的坐标位置处的显示数据进行适当的调整(往发光亮度变大的方向调整)。

具体的修正方法还可以是对该第一类发光二极管发光颜色相同的所有发光二极管或者该第一类发光二极管附近区域内的所有发光二极管的发光亮度进行等幅或非等幅的修正。

本发明对具体修正的算法不做特殊限定。

实施例3：

本实施例提供一种显示装置，包括驱动模块和根据权本发明实施例1的显示基板。如图4所示，驱动模块包括存储器200和处理器300，存储器200用于存储指令，处理器300用于运行该指令以执行根据本发明实施例2的方法。

具体的，该显示装置可为有机发光二极管(OLED)显示模组、无机微发光二极管(Micro LED)显示模组、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

具体地，存储器200例如是随机存储器(RAM)或只读存储器(ROM)，处理器300例如是中央处理器(CPU)。当然上述存储器200和处理器300也可是集成在一个部件内，例如集成在图形处理器(GPU)中。

实施例4：

本实施例提供一种显示装置，包括驱动模块和根据本发明实施例1的显示基板。如图5所示，驱动模块包括：

获取子模块401，用于获取第一类发光二极管的显示检测数据以及对应的透光区112中透过的光的预期光强；

显示子模块402，用于按照该显示检测数据驱动第一类发光二极管发光；

检测子模块403，用于检测第一类发光二极管从透光区112透过的光的实测光强；

修正子模块404，用于根据显示检测数据与实测光强对显示数据进行修正。

各子模块的工作方式参照实施例1。

具体的，该显示装置可为有机发光二极管(OLED)显示模组、无机微发光二极管(Micro LED)显示模组、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括反射结构以及多个发光二极管，反射结构具有反光区，反光区用于将发光二极管发出的光朝第一方向反射出去以进行显示，其特征在于，反射结构还具有透光区，至少部分发光二极管为第一类发光二极管，第一类发光二极管发出的部分光能透过透光区，透过透光区的光用于检测该第一类发光二极管的光强；

所述发光二极管包括相对的第一电极和第二电极，所述反射结构由第一电极构成；所述第一电极包括叠置的透明氧化物导体层、反光金属层、透明氧化物导体层，对应所述透光区的位置处反光金属层空缺设置；

所述显示基板还包括光强检测结构，光强检测结构用于检测从所述透光区透过的光的强度，所述光强检测结构设置在所述发光二极管的背光侧；

所述显示基板包括第一基底，所述发光二极管设置在第一基底上，所述第一电极比所述第二电极更靠近第一基底；

所述显示基板还包括黑矩阵，黑矩阵设置在所述第二电极远离所述第一电极的一侧，所述黑矩阵的位置与所述透光区相对，且所述透光区在所述第一基底上的正投影位于所述黑矩阵在所述第一基底上的正投影中。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光强检测结构包括光敏二极管或光敏三极管。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光强检测结构设置在所述第一基底与所述第一电极之间。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述第一基底叠置的第二基底，所述发光二极管设置在所述第一基底的远离第二基底的表面上，所述光强检测结构设置在第二基底的朝向所述第一基底的表面上。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光二极管包括有机发光二极管或无机微发光二极管。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光二极管分为不同颜色的发光二极管，对应每种颜色的发光二极管中，至少有一个为第一类发光二极管。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，至少部分区域内的多个发光二极管均为第一类发光二极管。

8.一种显示方法，其特征在于，应用于根据权利要求1-7任意一项所述的显示基板，该显示方法包括：

获取所述第一类发光二极管的显示检测数据以及对应的透光区中透过的光的预期光强；

按照该显示检测数据驱动所述第一类发光二极管发光；

检测所述第一类发光二极管从所述透光区透过的光的实测光强；

根据预期光强与实测光强对显示数据进行修正。

9.一种显示装置，其特征在于，包括驱动模块和根据权利要求1-7任意一项所述的显示基板，驱动模块包括存储器和处理器，存储器用于存储指令，处理器用于运行该指令以执行根据权利要求8所述的方法。

10.一种显示装置，其特征在于，包括驱动模块和根据权利要求1-7任意一项所述的显示基板，驱动模块包括：

获取子模块，用于获取所述第一类发光二极管的显示检测数据以及对应的透光区中透过的光的预期光强；

显示子模块，用于按照该显示检测数据驱动所述第一类发光二极管发光；

检测子模块，用于检测所述第一类发光二极管从所述透光区透过的光的实测光强；

修正子模块，用于根据显示检测数据与实测光强对显示数据进行修正。

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