KR102657536B1 - 표시패널 및 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법 - Google Patents

표시패널 및 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표시패널 및 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 의한 표시패널은 서브화소 내에 배치되며 둘 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역과, 상기 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자에 각각 연결되며 어느 하나 이상 단선된 둘 이상의 이퓨즈와 상기 둘 이상의 이퓨즈에 각각 연결된 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터를 포함한다.

Description

표시패널 및 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF DEACTIVATING LIGHT EMITTING DIODE IN DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시패널 및 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법에 관한 기술이다.
표시장치(디스플레이 장치)는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이자 그 외의 부가적인 기능을 제공하는 장치를 지칭한다. 휴대폰, 태블릿 등과 같은 장치들에 다양한 종류의 표시패널들이 결합될 수 있다.
표시패널의 종류를 살펴보면, 액정표시패널(Liquid Crystal Display Panel), 전기영동 표시패널(Electrophoretic Display Panel), 유기 발광 표시패널(Organic Light Emitting Display Panel), 전계 발광 표시장치(Electro Luminescent Display Panel), 전계 방출 표시 패널(Field Emission Display Panel), 표면 전도 전자 방출 표시패널(Surface-conduction Electron-emitter Display Panel), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel), 마이크로 LED(micro LED) 등이 있다.
이들 표시장치 중에서 유기발광 표시장치는 유기 화합물을 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시장치로, LCD에서 사용되는 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다. 다만, 유기발광 표시장치는 유기 재료로 이루어지는 유기발광 다이오드(Organic Light [0004] Emitting Diode) 소자를 이용하기 때문에, 수분 및 산소의 유입에 취약하다. 이를 개선하기 위해, 밀봉(encapsulation) 기술을 적용하고 있으나, 요구되는 정도의 충분한 밀봉이 어렵기 때문에 제품 신뢰성을 확보하는 데 어려움이 있다.
최근, 무기 재료 등으로 이루어지는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED) 소자를 이용한 발광 다이오드 표시장치에 관한 연구가 진행되고 있다. LED 소자는 광 변환 효율이 높기 때문에, 에너지 소비량이 매우 적으며 수명이 반영구적이고 환경 친화적인 소자이다.
본 발명에서 지칭되는 발광 다이오드 표시장치는, 박막 트랜지스터 기판 상에서 픽셀 당 적어도 하나 이상의 LED 소자(마이크로 LED 소자)를 배치함으로써 구현되는 표시장치이다. 이러한 표시장치는 발광 효율이 저하됨이 없이 LED 소자의 장점을 그대로 이용할 수 있다는 데 장점이 있는 바, 이를 상용화하고자 하는 노력이 진행되고 있다.
한편, 발광 다이오드 표시장치의 제조에서 불량 픽셀의 발생을 억제하기 위해 마이크로 LED 소자를 한 픽셀 당 두 개 이상 배치하는 리던던시 구조를 채택할 수 있는데, 이러한 리던던시 구조에서 구동 회로의 수가 증가하는 문제가 있다. 이는 배선의 구조를 복잡하게 만들며, 전체 패널의 투과도를 낮추는 등의 문제가 있다.
본 명세서에서는 발광 다이오드 소자를 중복 배치하여 표시패널 내의 불량 화소를 제거하고 표시패널의 성능을 향상시키고자 한다.
본 명세서에서는 리던던시 구조의 마이크로 LED 표시 패널의 개구율을 높이고자 한다.
본 명세서에서는 리던던시 구조에서도 패널 상에 배선과 트랜지스터를 최소한으로 배치하여 제조 비용과 회로 복잡성을 낮추고자 한다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 표시패널은 서브화소 내에 배치되며 둘 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역과, 상기 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자에 각각 연결되며 어느 하나 이상 단선된 둘 이상의 이퓨즈와 상기 둘 이상의 이퓨즈에 각각 연결된 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터를 포함한다.
본 발명의 실시예에 의한 표시패널은 이퓨즈 트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선 또는 상기 발광 제어신호선 또는 선택적으로 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 각각 연결되며, 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 모두 제2방향으로 배치된 신호선에 연결된다.
본 발명의 실시예에 의한 표시패널은 서브화소에 퓨징 트랜지스터가 배치되며, 상기 퓨징 트랜지스터의 게이트 노드에 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 제어신호선이 연결되며, 상기 퓨징 트랜지스터의 소스 노드는 상기 데이터 배선이 연결되며, 상기 퓨징 트랜지스터의 드레인 노드는 상기 제1 및 제2이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드들이 연결된다.
본 발명의 실시예에 의한 표시패널은 서브화소 내에 배치되며 둘 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역과, 상기 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자에 각각 연결되며 어느 하나 이상 단선된 둘 이상의 이퓨즈와 상기 둘 이상의 이퓨즈에 각각 연결된 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터와 상기 소자 영역에서 하나의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 스페어 영역을 포함한다.
본 발명의 실시예에 의한 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법은 타이밍 컨트롤러가 서브화소들 내의 두 개의 발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 메모리에서 독출하는 단계와, 타이밍 컨트롤러가 제1스캔신호선에 제1이퓨즈가 전기적으로 연결된 다수의 제1발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 배치된 서브 화소의 데이터 배선에 제1이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가하며 제1스캔신호선에 제1이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하고 제1이퓨즈 제어 신호선에 제1퓨징 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하는 제1단계와, 타이밍 컨트롤러가 제1발광 제어신호선에 제2이퓨즈가 전기적으로 연결된 다수의 제2발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 배치된 서브 화소의 데이터 배선에 제2이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가하며 제1발광 제어신호선에 제2이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하고 제2이퓨즈 제어 신호선에 제2퓨징 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하는 제2단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 의한 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법은 타이밍 컨트롤러가 서브화소들 내의 다수의 발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 메모리에서 독출하는 단계와, 타이밍 컨트롤러가 독출한 정보에 따라 제1스캔신호선, 제1발광제어신호선, 또는 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 신호를 인가시켜 독출한 정보에 대응하는 발광 다이오드에 연결된 이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 단계와, 독출한 정보에 따라 이퓨즈 트랜지스터가 연결된 이퓨즈를 단선시킬 신호를 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드에 연결된 신호선에 인가하여 이퓨즈를 단선시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예를 적용할 경우, 발광 다이오드 소자를 중복 배치하여 표시패널 내의 불량 화소를 제거하고 표시패널의 성능을 극대화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예를 적용할 경우, 서브화소별로 복수로 배치되는 발광 다이오드 소자의 수에 독립적으로 구동 회로를 배치함으로써 표시패널의 개구율을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예를 적용할 경우, 리던던시 구조에서도 패널 상에 배선과 트랜지스터를 최소한으로 배치하여 제조 비용과 회로 복잡성을 낮출 수 있다.
본 발명의 효과는 전술한 효과에 한정되지 않으며, 본 발명의 당업자들은 본 발명의 구성에서 본 발명의 다양한 효과를 쉽게 도출할 수 있다.
도 1은 마이크로 LED 소자를 기판에 전사하는 과정을 도식화한 도면이다.
도 2는 구동 회로를 각각의 리던던시 구조에 배치한 경우와 본 발명의 실시예에 의한 구동 회로를 하나의 화소에 배치한 경우를 비교한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 하나의 서브화소 내에 배치되는 구동회로 및 둘 이상의 발광 다이오드 소자의 연결 구조를 보여주는 도면이다.
도 4는 소자 영역에 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치된 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 발광 다이오드 소자 중에서 제1발광 다이오드 소자를 비활성화 시키는 동작을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 발광 다이오드 소자 중에서 제2발광 다이오드 소자를 비활성화 시키는 동작을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 이퓨즈의 구성을 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의한 두 개의 이퓨즈 및 스페어 영역으로 구성된 서브화소의 구성을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 3개의 이퓨즈 및 3 개의 발광 다이오드로 구성된 서브화소의 구성을 보여주는 도면이다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 이퓨즈 단선을 위한 메모리 정보 및 표시패널의 구성, 그리고 이퓨즈를 단선시키는 과정을 보여주는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
이하에서 기재의 "상부 (또는 하부)" 또는 기재의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 구비 또는 배치된다는 것은, 임의의 구성이 기재의 상면 (또는 하면)에 접하여 구비 또는 배치되는 것을 의미할 뿐만 아니라, 기재와 기재 상에 (또는 하에) 구비 또는 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성을 포함하지 않는 것으로 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 이하 표시장치에 배치되는 발광 다이오드 소자는 마이크로 LED 칩 또는 줄여서 LED 칩 등으로도 지칭될 수 있으나 모두 동일한 구성을 지시한다. 또한, 본 명세서에서 제시하는 실시예들은 다양한 방식으로 구현되는 표시패널들에 적용할 수 있다. 따라서, 리던던시 구조를 가지는 다양한 표시패널에 이퓨즈 구성을 적용하여 특정한 발광 영역만을 선택하여 동작할 수 있다.
도 1은 발광 다이오드 표시장치의 발광 다이오드 소자를 기판에 전사하는 과정을 보여주는 도면이다.
1은 웨이퍼 상에 각각의 R/G/B 광을 발광하는 발광 다이오드 소자가 배치된 구성이다. 웨이퍼는 사파이어 외에도 다양한 재질의 웨이퍼를 사용할 수 있다. R(적색광), G(녹색광), B(청색광)으로 나뉘어져 웨이퍼 상에 배치되며, 이들은 2에 도시된 바와 같이 스탬프와 같은 전사 장치를 이용하여 3에 도시된 기판 상에 전사된다. 3은 글래스 기판을 일 실시예로 하는 기판(10) 상에 R/G/B 광을 각각 출광하는 발광 다이오드 소자가 배치된 구성을 보여준다.
도 1과 같이 발광 다이오드 소자를 이용하여 픽셀을 설계하는 표시장치를 마이크로 LED 표시장치(MicroLED Display Device)라 지시할 수 있다. 제조 공정 과정에서 미세 크기의 발광 다이오드 소자를 기판(Backplane)에 전사하여 화소를 구성하는데 이 과정에서 소자(Chip)의 불량이 발생하거나, 소자를 기판 상에 전사하는 과정에서 불량이 발생할 수 있으며, 이는 불량 화소로 나타난다. 따라서, 이러한 불량 화소의 발생을 억제하기 위해 리페어(repair) 구조 또는 리던던시(redundancy) 구조를 채택한다.
이를 해소하기 위해, 본 명세서에서는 발광 다이오드 소자를 서브화소 당 두 개 이상 전사하는 리던던시 구조에서 서브화소 당 하나의 구동회로만을 배치하여 구동 회로의 중복 생성으로 인한 코스트를 절감하고 투과도를 향상시키는 방식을 구현한다.
이를 위해, 발광 다이오드 소자를 기판 상에 전사한 후 각각의 소자들에 대해 테스트하여 동작 가능한 발광 다이오드의 소자 외에 불량 소자 또는 비구동 소자는 구동 회로와의 연결을 끊어 전원 인가를 차단하는 구성에 대해 살펴본다. 연결을 끊는 방식은 이-퓨즈(E-fuse)를 각 발광 다이오드 소자에 연결한다.
도 2는 구동 회로를 각각의 리던던시 구조에 배치한 경우와 본 발명의 실시예에 의한 구동 회로를 하나의 화소에 배치한 경우를 비교한 도면이다.
21 및 22는 발광 다이오드 소자가 전사되는 기판(예를 들어 글래스 기판)에 회로 구성을 보여준다. R, G, B는 각각의 색상의 발광 다이오드 소자가 배치되는 영역이며, 발광 다이오드 소자는 "chip"이라 표시된 영역에 전사된다. 하나의 서브화소에 대해 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치되는 구조로 각각 S1 및 S2 영역에 배치된다.
21은 구동 회로를 각각의 발광 다이오드 소자가 배치되는 영역에 각각 배치한 구조이다. 22는 발광 다이오드 소자가 2개가 배치되는 영역에도 하나의 구동 회로만 배치된 구조이다. 21의 경우에는 R/G/B 각각 S1 또는 S2 중 어느 하나의 영역에 배치된 발광 다이오드만이 최종적으로 동작하므로, S1 또는 S2 중 어느 하나의 영역에 배치된 구동 회로만이 동작한다.
즉, 21은 RGB 각각의 서브화소 영역에 발광 다이오드를 2개씩 전사하여 RGB 각각을 서브화소로 포함하는 화소에는 6개의 발광 다이오드가 배치되며, 이에 따라 하나의 화소 당 6개의 구동 회로가 배치된다. 그러나, 리던던시 구조이므로, 실제 동작하는 구동 회로는 3개가 된다.
이로 인해 구동하지 않는 구동 회로는 코스트 증가 요인이 된다. 뿐만 아니라 각 구동회로들과 연결되는 데이터 IC(D-IC)의 코스트 증가 요인도 된다. 뿐만 아니라 6개의 LED 모두에 구동 회로를 적용하여 투과율이 저하되는 문제가 있다.
반면, 본 발명의 실시예가 적용되는 22의 구조에서는 발광 다이오드 소자는 21과 동일하게 RGB 각각에 2개씩 전사한다. 그러나, 구동 회로는 하나씩 배치하여 RGB에서 3개의 구동 회로가 배치된다. 대신 각각의 발광 다이오드 소자들은 구동 회로나 전원에 연결되는 지점에 이-퓨즈를 배치한다.
그리고 비발광 또는 비동작 발광 다이오드로 결정된 경우, 이 퓨즈를 끊어 냄으로써, 구동 회로 또는 전원과의 연결을 단절시켜 실제 구동과정에서 비발광/비동작 발광 다이오드는 동작하지 않는다. 이로 인하여 하나의 구동회로만이 배치되므로 D-IC 비용을 저감하고, 하나의 RGB 화소에는 RGB 개수에 대응하도록 3개의 구동회로만 적용하여 투과율을 확보할 수 있다.
따라서, 공정 감소를 통한 저비용의 표시장치를 구현할 수 있으며, 개구율 확보를 통한 고투과의 투명 마이크로 LED 표시패널을 구현할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 하나의 서브화소 내에 배치되는 구동회로 및 둘 이상의 발광 다이오드 소자의 연결 구조를 보여주는 도면이다.
하나의 서브화소 구조 내에는 구동 회로(DR)가 배치되는 영역, 둘 이상의 발광 다이오드 소자가 배치되는 영역(L), 발광 다이오드 소자 중 어느 하나만 동작하도록 이퓨즈(eFuse, Electrical Fuse)가 배치된 영역(EF), 그리고 이들 이퓨즈를 끊는 신호를 인가하는 영역(SF)으로 구성된다. 구동 회로(DR)은 다양한 방식으로 구성될 수 있으며, 도 3의 구조에 한정되지 않는다. 이퓨즈는 회로 내에 배치되어 퓨즈와 같이 동작하는 구성요소이다.
도 3은 하나의 서브 화소를 보여주는 구성으로, 하나의 서브화소는 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한다. 그리고 도 3의 서브화소는 마이크로 엘이디 표시패널 내에 가로 세로로 다수 배치된다. 또한, 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향(도 3의 경우 좌우방향)으로 스캔 신호선(Scan)들 및 발광 제어신호선(EM)들이 배치된다.
그리고 서브화소들 각각에 연결되며 상기 표시패널의 제2방향(도 3의 경우 상하방향)으로 데이터 배선들(Vdata)이 배치된다. 또한 VDD 역시 제2방향으로 배치될 수 있다.
발광 다이오드 소자가 배치되는 영역(L)은 서브화소 내에 배치되며 둘 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 구조이다. 일 실시예로 도 3의 구조는 하나의 구동 회로에 3개의 발광 다이오드 소자가 배치 가능한 구조이다.
점선으로 표시된 영역은 추후 발광 다이오드 소자를 전사할 수 있는 스페어(spare) 공간으로 할 수 있다. 또는 애초에 3개의 발광 다이오드 소자를 동시에 배치한 후 3개 중 하나의 발광 다이오드 소자만 동작하도록 구성할 수도 있다. 물론, 도 3에서 3개 대신 2개의 발광 다이오드 소자가 배치되는 구조로도 구성할 수 있으며 이에 대해서는 후술한다.
그러나 이들 복수의 발광 다이오드 소자들 중에서 실제 구동하는 것은 하나이므로, 구동 가능한 발광 다이오드 소자의 선별은 이퓨즈를 통해 가능하다. 예를 들어, 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자에 각각 연결된 이퓨즈들이 배치될 수 있다. 도 3의 EF 영역에는 3개의 발광 다이오드 소자에 대응하여 3개의 이퓨즈가 배치된다.
그리고 이들 중에서 실제 표시패널에서 동작하는 것으로 선별된 발광 다이오드 소자에 연결된 이퓨즈를 제외하고 다른 이퓨즈들은 단선된 상태가 된다. 도 3은 단선되지 않은 상태를 보여주지만, 1차로 기판 상에 발광 다이오드 소자와 구동 회로 등을 배치한 후, 테스트 과정에서 불필요한 발광 다이오드 소자를 선별하고, 선별된 발광 다이오드 소자에 연결된 이퓨즈는 단선시킨다. 그 결과 하나의 서브화소 내에 하나 이상의 이퓨즈가 단선된 상태가 된다.
이퓨즈를 단선시키기 위한 신호를 인가하기 위해 각각의 이퓨즈들은 각각 이퓨즈 트랜지스터에 연결될 수 있다. 도 3은 3개의 이퓨즈 트랜지스터(ET)의 드레인 노드가 이퓨즈의 한쪽 끝단(또는 발광 다이오드 소자의 다른 끝단, NE1, NE2, NE3)에 연결된 구조를 보여준다.
이퓨즈 트랜지스터(ET)의 소스 노드는 이퓨즈를 단선시키는 신호선(Vf1)에 연결되며, 각각의 이퓨즈 트랜지스터(ET)의 게이트 노드들은 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf1, Scanf2, Scanf3)에 각각 연결된다. 여기서 이퓨즈 스캔 신호선은 제1방향으로 배치될 수 있다.
여기서 이퓨즈 트랜지스터(ET)의 소스 노드에 연결되는 신호선(Vf1)은 제2방향으로 배치될 수 있다. 또는 신호선들을 줄이기 위해 데이터 배선(Vdata)을 Vf1으로 연결할 수도 있다. 이에 대해서 도 4에서 살펴본다.
또한, 신호선들을 줄이기 위해, 일부 이퓨즈 트랜지스터(ET)의 게이트 노드들은 스캔 신호선(Scan) 또는 발광 제어신호선(EM)에 연결될 수 있다. 즉, 이퓨즈 트랜지스터(ET)의 게이트 노드 각각은 스캔 신호선(Scan) 또는 발광 제어신호선(EM), 또는 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 선택적으로 연결될 수 있다. 이에 대해서는 도 4에서 보다 상세히 살펴본다.
이들 3개의 발광 다이오드 소자들 중에서 어느 하나의 소자만 표시패널에서 정상 동작하기 위해서는 다른 발광 다이오드 소자에는 VSS의 연결을 차단할 수 있다. 예를 들어, 동작하지 않거나 불필요한 것으로 선별된 발광 다이오드 소자에 VSS와 연결된 이퓨즈(E-fuse)를 끊도록 Scanf1, Scanf2, Scanf3 중 어느 두 개에 신호가 인가될 수 있다.
일 실시예로 Scanf2, Scanf3에 신호가 인가되는 실시예를 살펴본다. 이퓨즈 스캔 신호선들(Scanf2, Scanf3)에 로우 신호가 인가되고, 이는 도 3의 3개의 이퓨즈 트랜지스터 중 어느 두 개의 게이트 노드에 신호가 인가되며, 그 결과 Vf1에 인가된 고전류 또는 고전압이 두 개의 이퓨즈의 일단(NE2, NE3)에 인가된다.
즉, Vf1에 퓨즈가 끊어질 정도의 높은 전류 또는 높은 전압을 인가하고 Scanf2, Scanf3에 로우 신호를 인가하면, NE2, NE3에 고전류나 고전압이 인가되고, 그 결과 EF 영역의 두 개의 이퓨즈(NE2에 연결된 이퓨즈 및 NE3에 연결된 이퓨즈)가 끊어짐으로써 결과적으로 하나의 발광 다이오드 소자(NE1에 연결된 발광 다이오드 소자)만 정상적으로 동작한다.
도 3의 구조를 적용할 경우, 별도의 구동 회로를 배치하지 않고, 하나의 구동 회로만으로도 발광 다이오드 소자의 리던던시 구조가 가능하다. 어느 하나의 발광 다이오드 소자만이 VSS에 연결되므로 구동 회로는 어느 발광 다이오드 소자인지 구분하지 않고 동작할 수 있다.
또한, 구동 회로가 하나만 배치되므로 개구부 영역이 높아져 투과율이 높아진다. 특히, 구동 회로가 서브화소 당 하나만 배치되므로 D-IC 역시 하나만 배치된다는 점에서 D-IC의 구조는 리던던시 구조를 채택하지 않은 표시패널과 동일하게 가져갈 수 있으므로, D-IC의 구현 상의 문제를 해결할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 스캔 방향으로 하나의 신호선을 추가하여 이퓨즈를 선택적으로 제거하는 구성을 보여주는 도면이다. 전술한 도 3의 구조에서 SF 영역의 신호들 및 Vf1을 기존의 구동 회로의 배선들과 결합하여 회로 구성의 복잡성을 낮춘 실시예이다.
도 4는 소자 영역에 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치된 도면이다. R/G/B 모두 동일한 구조이다. R 서브화소를 중심으로 살펴본다.
화소를 구성하는 서브화소들(R, G, B)에는 스캔 방향으로 이퓨즈 제어신호선(ScanVf)이 배치된다. 서브화소들에는 각각 두 개의 발광 다이오드 소자들이 리던던시 구조로 배치되며, 각각의 발광 다이오드 소자들에 각각 이퓨즈가 배치된 구성이다.
도 4의 각 서브화소에서 좌측에 배치된 발광 다이오드 소자를 제1발광 다이오드 소자(L1)라고 지시하며, 우측에 배치된 발광 다이오드 소자(L2)를 제2발광 다이오드 소자라고 지시한다.
각 서브화소 내의 구성요소를 살펴본다. 제1발광 다이오드 소자(L1)는 제1이퓨즈 트랜지스터(ET1) 및 제1이퓨즈(EF1)에 전기적으로 연결된다. 제2발광 다이오드 소자(L2)는 제2이퓨즈 트랜지스터(ET2) 및 제2이퓨즈(EF2)에 전기적으로 연결된다.
그리고, 제1이퓨즈트랜지스터(ET1)의 게이트 노드는 스캔 신호선(Scan)에 전기적으로 연결된다. 제2이퓨즈트랜지스터(ET1)의 게이트 노드는 발광 제어신호선(EM)에 전기적으로 연결된다.
퓨징 트랜지스터(FT)가 배치되며, 퓨징 트랜지스터(FT)의 게이트 노드에 제1방향으로 배치된 이퓨즈 제어신호선(ScanVf)이 연결된다. 그리고 퓨징 트랜지스터(FT)의 소스 노드는 데이터 배선(Vdata)에 연결된다. 데이터 배선을 통해 이퓨즈를 제거할 수 있도록 퓨징 트랜지스터(FT)의 드레인 노드는 제1 및 제2이퓨즈 트랜지스터(ET1, ET2)의 소스노드에 연결된다.
그리고 각 서브화소에 배치되는 데이터 배선(Vdata)은 이퓨즈(ET1 또는 ET2)를 단선시키는 퓨징 구간(Fusing Time)에서 이퓨즈(ET1 또는 ET2)를 제거할 정도의 전압 또는 전류가 인가된다. 또한, 발광 제어신호선(EM)과 스캔 신호선(SCAN)은 퓨징 구간에서 두 개의 발광 다이오드 소자 중 어느 하나를 비활성화 시키도록 각각의 트랜지스터에 선택 신호를 인가할 수 있다.
도 4의 구성은 각 서브화소별로 배치된 두 개의 발광 다이오드 소자 중에서 어느 하나(L1 또는 L2)를 비활성화 시키도록 이퓨즈(ET1 또는 ET2)를 제거하는데 필요한 신호선을 최소화하여 패널의 투과도를 향상시킨다.
퓨징 구간 외에 사용되지 않는 신호선을 최소한으로 하고, 퓨징 구간에서 사용하는 신호를 구동 회로의 신호선을 통해 인가되도록 함으로써 패널의 배선 복잡성을 낮출 수 있다.
도 4와 같이 구성된 화소들에 대해 테스트를 한 후, 불량이 발생한 발광 다이오드 소자 또는 불필요한 발광 다이오드 소자를 구분한다. 하나의 서브화소 내에 모든 발광 다이오드 소자가 정상 구동하는 경우, 어느 하나의 발광 다이오드 소자의 이퓨즈를 제거하여 비활성화 시킬 수 있다. 이 과정에 대해 보다 상세히 살펴본다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 발광 다이오드 소자 중에서 제1발광 다이오드 소자를 비활성화 시키는 동작을 보여주는 도면이다. 51은 제1발광 다이오드 소자(L1)를 비활성화 시키기 위해 신호가 인가되는 배선을 표시한 도면이다. 52는 퓨징 구간에서 각 신호 배선에 신호가 인가된 타이밍 도이다.
서브화소에 데이터 신호를 인가하는 Vdata 라인에는 제1발광 다이오드 소자(L1)에 연결된 제1이퓨즈(EF1)를 단선시키는데 필요한 Vf가 인가된다. Vf는 제1이퓨즈(EF1)를 단선 또는 제거할 정도의 전류 혹은 전압을 가지는 신호이다.
그리고 제1발광 다이오드 소자(L1)에 연결된 제1이퓨즈(EF1)에 Vf가 인가될 수 있도록 이퓨즈 제어신호(ScanVf) 및 스캔 신호선(SCAN)에 신호(로우 신호)가 인가된다. 그 결과, Vf가 제1발광다이오드 소자(L1)에 연결된 제1이퓨즈(EF1)에 인가되어 제1이퓨즈(EF1)가 단선되어 제1발광 다이오드 소자(L1)는 저전위 구동 전압(VSS)와의 연결이 차단되며 비활성화된다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 발광 다이오드 소자 중에서 제2발광 다이오드 소자를 비활성화 시키는 동작을 보여주는 도면이다. 61은 제2발광 다이오드 소자(L2)를 비활성화 시키기 위해 신호가 인가되는 배선을 표시한 도면이다. 62는 퓨징 구간에서 각 신호 배선에 신호가 인가된 타이밍 도이다.
서브화소에 데이터 신호를 인가하는 Vdata 라인에는 제2발광 다이오드 소자(L2)에 연결된 제2이퓨즈(EF2)를 제거하는데 필요한 Vf가 인가된다. Vf는 제2이퓨즈(EF2)를 제거할 정도의 전류 혹은 전압을 가지는 신호이다.
그리고 제2발광 다이오드 소자(L2)에 연결된 제2이퓨즈(EF2)에 Vf가 인가될 수 있도록 이퓨즈 제어신호(ScanVf) 및 발광 제어신호선(EM)에 신호(로우 신호)가 인가된다. 그 결과, Vf가 제2발광다이오드 소자(L2)에 연결된 제2이퓨즈(EF2)에 인가되어 제2이퓨즈(EF2)가 단선되어 제2발광 다이오드 소자(L2)는 저전위 구동 전압(VSS)와의 연결이 차단되며 비활성화된다.
도 5 또는 도 6의 과정을 거치면 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치된 리던던시 구조의 서브화소에 배치된 두 개의 이퓨즈(EF1, EF2) 중 어느 하나가 단선된 상태가 된다. 그리고 해당 서브화소는 단선되지 않은 이퓨즈에 연결된 발광 다이오드 소자가 정상적인 발광 동작을 수행한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 이퓨즈의 구성을 도시한 도면이다. 전술한 퓨징 구간에서 단선되지 않은 이퓨즈는 발광 다이오드 소자가 동작할 수 있는 배선의 기능을 수행한다. 이를 위해 이퓨즈(90)는 도 7과 같이 일부 영역의 폭이 좁게 구성될 수 있다.
도 7에서 단선되지 않은 이퓨즈는 좁은 폭을 가지는 영역을 포함하고, 단선된 이퓨즈는 좁은 폭 부분이 단선되거나 제거된다. 발명의 실시예에 따라서는 95 부분만이 이퓨즈로 지시될 수도 있고, 90 부분이 이퓨즈로 지시될 수도 있다.
이퓨즈(90)를 세 영역으로 나누면, 발광 다이오드 소자에 연결되는 영역(91), VSS에 연결되는 영역(92), 그리고 이 두 영역 사이의 퓨징 영역(95)으로 구성된다. 그리고 퓨징 영역(95)의 배선의 폭(W1)과 다른 두 영역의 배선의 폭(W2, W3)은 다음과 같은 관계를 만족한다.
[수학식 1]
W1 < W2
W1 < W3
퓨징 영역은 퓨징 구간에서 끊어질 수 있는 구간이다. 따라서, 일반적인 구동 신호(예를 들어 데이터 신호)에서는 안전하게 연결되며 퓨징 구간에서 선택된 이퓨즈는 단선될 수 있도록 퓨징 영역(95)의 배선의 폭(W1)은 발광 다이오드 소자에 연결되는 영역(91)의 배선 폭(W2) 보다 좁게 구성할 수 있다.
마찬가지로, 퓨징 영역(95)의 배선의 폭(W1)은 VSS에 연결되는 영역(92)의 배선 폭(W3) 보다 좁게 구성할 수 있다. 또한, 좁은 배선의 폭을 적용하여 퓨징 구간동안 이퓨즈가 단선되고 구동 시에는 연결이 단선되지 않는 Cu, Al, W, PtSi, TiSi2, WSi2, CoSi2, NiSi, Ti30W70, Polysilocon(heavily doped) 등을 이퓨즈에 적용할 수 있다. 도 7과 같은 구성의 이퓨즈는 도 8, 도 9, 도 10에도 적용가능하다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의한 두 개의 이퓨즈 및 스페어 영역으로 구성된 서브화소의 구성을 보여주는 도면이다. 도 8의 다른 구성은 도 4와 동일하다. 따라서, 도 8 및 도9 역시 서브화소들이 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 구조로, 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향으로 스캔 신호선들(Scan) 및 발광 제어신호선들(EM)이 배치된다.
그리고 상기 서브화소 내에 배치되며 셋 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역을 포함하는데, 도 8에서는 소자 영역에 두 개의 발광 다이오드 소자(L1, L2)가 배치된다. 소자 영역에는 총 3개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있으므로, 도 8의 구성에서 하나의 발광 다이오드 소자가 더 배치될 수 있다. 이는 스페어 영역(71)으로 아직 발광 다이오드 소자가 배치되지 않은 상태이다. 이는 도 9에서 L3로 지시되는 하나의 발광 다이오드 소자가 스페어 영역(71)에 배치됨을 확인할 수 있다.
그리고 두 개의 발광 다이오드 소자(L1, L2)는 이퓨즈(EF1, EF2)가 연결된다. 이퓨즈의 구성은 앞서 도 7의 구성을 참조한다. 만약 두 개의 발광 다이오드 소자(L1, L2) 중 어느 하나가 정상 구동하는 경우, 나머지 발광 다이오드 소자에 연결된 이퓨즈(EF1 또는 EF2 중 어느 하나)가 단선된 형태가 된다. 이는 도 4 내지 도 6에서 살펴보았다.
제1발광 다이오드 소자(L1)는 제1이퓨즈 트랜지스터(ET1) 및 제1이퓨즈(EF1)에 전기적으로 연결된다. 제2발광 다이오드 소자(L2)는 제2이퓨즈 트랜지스터(ET2) 및 제2이퓨즈(EF2)에 전기적으로 연결된다.
그리고, 제1이퓨즈트랜지스터(ET1)의 게이트 노드는 스캔 신호선(Scan)에 전기적으로 연결된다. 제2이퓨즈트랜지스터(ET1)의 게이트 노드는 발광 제어신호선(EM)에 전기적으로 연결된다.
이퓨즈(EF1, EF2)에는 각각 이퓨즈 트랜지스터들(ET1, ET2)가 배치되며 이들에 연결되는 배선의 구조, 이퓨즈 제어 신호의 배치(ScanVf) 및 이퓨즈를 단선시키는 과정은 도 4, 도 5 및 도 6에서 살펴본 바와 동일하므로 전술한 내용을 참조한다. 만약 4개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 구조이고, 스페어 영역에 하나의 발광 다이오드 소자가 배치되는 경우라면, 이퓨즈 스캔 신호선을 제1방향으로 배치할 수 있다.
그리고 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 제2방향으로 배치된 신호선에 연결된다. 도 8 및 도 9에서 데이터 배선(Vdata)에 연결된 실시예를 확인할 수 있다.
한편, 두 개의 발광 다이오드 소자(L1, L2) 모두 정상 구동하지 못할 경우, 이들에 연결된 이퓨즈(EF1, EF2) 모두 단선된다. 그리고 스페어 영역(71)에 새로운 발광 다이오드 소자(L3)를 배치한다.
즉, 스페어 영역(71)은 도 8에 배치된 두 개의 발광 다이오드 소자들(L1, L2)이 모두 불량이 발생하여, 두 개의 이퓨즈(EF1, EF2)가 모두 단선된 경우에, 새로운 발광 다이오드 소자를 배치하기 위해 남겨둔 스페어 영역이다. 따라서, 도 8의 두 개의 발광 다이오드 소자 중 어느 하나 이상 정상 구동할 경우, 스페어 영역(71)에는 별도의 발광 다이오드 소자가 배치되지 않는다.
반면, 도 8의 두 개의 발광 다이오드 소자 모두 동작하지 않을 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 스페어 영역(71)에 별도의 발광 다이오드 소자가 배치된다. 도 9를 살펴보면, 이퓨즈들이 모두 단선되었음을 확인할 수 있다. 그리고 스페어 영역(71)에 발광 다이오드 소자가 새로이 배치된다.
71 영역은 1차 전사 시에는 발광 다이오드 소자가 배치되지 않고, 이후 2차 전사 과정에서 일부 서브 화소들에만 선택적으로 발광 다이오드 소자가 배치되므로, 별도의 이퓨즈를 배치하지 않는 구성을 채택할 수 있다.
정리하면, 도 8의 구성에서 두 개의 발광 다이오드 소자 중 어느 하나 이상 정상 동작할 경우, 도 5 또는 도 6의 과정을 통해 어느 하나의 이퓨즈(EF1 또는 EF2)가 단선된다.
도 9는 두 개의 발광 다이오드 소자(L1, L2)가 동작하지 않는 경우 스페어 영역(71)에 발광 다이오드 소자가 배치된 구성이다.
제1발광 다이오드 소자(L1)에 연결되었던 제1이퓨즈(EF1)는 단선된 상태이다. 마찬가지로, 제2발광 다이오드 소자(L2)에 연결되었던 제2이퓨즈(EF2) 역시 단선된 상태이다.
그리고 스페어 영역(71)에는 제3발광 다이오드 소자(L3)가 배치된다. 제3발광 다이오드 소자(L3)는 선택적으로 배치되므로 별도의 이퓨즈에 연결될 필요 없이 바로 VSS에 연결될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 3개의 이퓨즈 및 3 개의 발광 다이오드로 구성된 서브화소의 구성을 보여주는 도면이다. 도 3의 실시예를 변형하여 3개의 이퓨즈 중에서 두 개의 이퓨즈는 각각 발광 제어신호선(EM)과 스캔 신호선(SCAN)에 연결되고, 하나의 이퓨즈는 별도의 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf)에 연결되는 구성이다. 도 3 내지 도 6과 중첩되는 구성에 대해서는 전술한 설명을 참조한다.
N개의 발광 다이오드 소자가 서브 화소 내에 배치되며, 이들 발광 다이오드 소자에 N개의 이퓨즈 및 이퓨즈 트랜지스터가 배치된 구성으로, 배선의 일부를 줄이기 위해, 이퓨즈 트랜지스터에 연결된 일부 배선은 스캔 신호선(Scan)과 발광 제어신호선(EM)에 전기적으로 연결된다. 그리고 나머지 이퓨즈 트랜지스터는 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf)에 연결된다.
도 10에 제시된 바와 같이, 3개의 발광 다이오드 소자들(L1, L2, L3)은 각각 3개의 이퓨즈(EF1, EF2, EF3)에 연결된다. 그리고 이들 이퓨즈의 일측은 3개의 이퓨즈 트랜지스터(ET1, ET2, ET3)에 전기적으로 연결된다. 정리하면, 제1발광 다이오드 소자(L1)는 제1이퓨즈 트랜지스터(ET1) 및 제1이퓨즈(EF1)에 전기적으로 연결된다. 제2발광 다이오드 소자(L2)는 제2이퓨즈 트랜지스터(ET2) 및 제2이퓨즈(EF2)에 전기적으로 연결된다. 제3발광 다이오드 소자(L3)는 제3이퓨즈 트랜지스터(ET3) 및 제2이퓨즈(EF3)에 전기적으로 연결된다.
그리고, 제1이퓨즈트랜지스터(ET1)의 게이트 노드는 스캔 신호선(Scan)에 전기적으로 연결된다. 제2이퓨즈트랜지스터(ET1)의 게이트 노드는 발광 제어신호선(EM)에 전기적으로 연결된다. 그리고 제3이퓨즈 트랜지스터(ET3)의 게이트 노드는 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf)에 전기적으로 연결된다.
도 7과 같은 구조의 이퓨즈를 도 3 내지 도 6 및 도 8 내지 도 10에 적용할 경우, 리던던시 구조의 발광 다이오드 소자가 배치되는 표시패널에서 중복하여 배치된 특정 소자의 전류 공급을 이퓨즈 단선을 통해 차단할 수 있다. 이는 구동 회로를 서브 화소당 하나만 배치되도록 하여 투과도를 향상시킬 수 있다.
따라서, 표시패널을 제조한 후, 출하 전에 모니터링을 수행하여 각 서브화소 별로 전류 공급을 차단할 발광 다이오드 소자를 선별하고, 이들에 대한 신호를 프로그래밍 방식으로 표시패널에 인가하고, 이퓨즈를 단선시킴으로써, 효과적으로 리던던시 구조 내에서 하나의 발광 다이오드 소자만 동작할 수 있도록 한다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 이퓨즈 단선을 위한 메모리 정보 및 표시패널의 구성, 그리고 이퓨즈를 단선시키는 과정을 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 비활성화시킬 발광 다이오드 소자를 지시하는 메모리 구조를 보여주는 도면이다.
n개의 행과 m개의 열로 이루어진 서브화소 내에서 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 메모리 내에 저장할 수 있다. 141은 두 개의 발광 다이오드가 하나의 서브화소 내에 배치된 실시예로, 비활성화 시킬 발광 다이오드 소자는 서브화소 별로 1개이다. 물론, 발광 다이오드 모두 동작을 하지 않거나 두 개의 발광 다이오드 중 어느 하나만 동작을 하는 경우, 별도로 비활성화시키지 않을 수 있다.
142는 세 개의 발광 다이오드가 하나의 서브화소 내에 배치된 실시예로, 비활성화 시킬 발광 다이오드 소자는 서브화소 별로 2개이다. 마찬가지로 비활성화 시킬 발광 다이오드 소자는 서브화소 별로 2개이다. 물론, 발광 다이오드 모두 동작을 하지 않거나 세 개의 발광 다이오드 중 어느 하나만 동작을 하는 경우, 별도로 비활성화시키지 않을 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 서브화소들이 배치된 표시패널 및 여기에 배치된 배선의 구조를 보여주는 도면이다. 도 11에서 언급한 n개의 행과 m개의 열로 구성되는 서브화소들이 표시패널에 배치된다.
도 12 및 도 13 모두 타이밍 컨트롤러(150), 게이트 드라이버(151), 데이터 드라이버(155)이 배치된다. 타이밍 컨트롤러(150)가 게이트 드라이버(151) 및 데이터 드라이버(155)를 제어하여 서브화소 내의 발광 다이오드의 동작을 제어한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(150)가 게이트 드라이버(151) 및 데이터 드라이버(155)는 비활성시킬 발광 다이오드 소자를 비활성화 시키기 위해 발광 다이오드 소자에 연결된 이퓨즈를 단선시키는 신호를 인가한다. 이를 위한 세부적인 구성을 살펴본다.
도 12는 하나의 서브화소 내에 두 개의 발광 다이오드가 배치되는 구조로 앞서 도 4와 같은 구성을 포함한다. 도 4와 같이 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 서브화소들이 표시패널(100) 내에 배치된다. 그리고 이들 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향으로 스캔 신호선(Scan(0)~Scan(n))들 및 발광 제어신호선들(EM(0)~EM(n))이 배치된다. 그리고 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제2방향으로 데이터 배선들(Vdata(0)~Vdata(m))이 배치된다.
그리고, 서브화소 별로 두 개씩 배치된 발광 다이오드 소자들과 이들 발광 다이오드 소자에 각각 연결된 이퓨즈들과, 이퓨즈에 각각 연결된 이퓨즈 트랜지스터들의 구성은 도 4에서 살펴보았다.
보다 상세히, 서브화소 내의 제1발광 다이오드 소자는 제1이퓨즈 트랜지스터 및 제1이퓨즈에 전기적으로 연결되며, 상기 서브화소 내의 제2발광 다이오드 소자는 제2이퓨즈 트랜지스터 및 제2이퓨즈에 전기적으로 연결된다.
제1이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 스캔 신호선에 전기적으로 연결되며, 제2이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 발광 제어신호선에 전기적으로 연결된다. 그리고 서브화소는 퓨징 트랜지스터가 배치되어, 상기 퓨징 트랜지스터의 게이트 노드에 제1방향으로 배치된 이퓨즈 제어신호선(ScanVf(0)~ScanVf(n))들이 연결된다.
그리고 퓨징 트랜지스터의 소스 노드는 전술한 데이터 배선이 연결되며, 퓨징 트랜지스터의 드레인 노드는 제1 및 제2이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드들이 연결된다.
도 13은 하나의 서브화소 내에 세 개 이상의 발광 다이오드가 배치되는 구조로 앞서 도 3 또는 도 10과 같은 구성을 포함한다.
도 3 또는 도 10에서 살펴본 바와 같이, 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 서브화소들과, 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향으로 스캔 신호선들(Scan(0)~Scan(n))들 및 발광 제어신호선들(EM(0)~EM(n))이 배치된다.
또한, 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제2방향으로 데이터 배선들(Vdata(0)~Vdata(m))이 배치된다.
그리고, 서브화소 내에 배치되며 N 개의 발광 다이오드 소자가 배치되며 발광 다이오드 소자에 각각 연결된 N개의 이퓨즈가 배치된다. 이들 N개의 이퓨즈에는 각각 N개의 이퓨즈트랜지스터가 연결되며, 이들 이퓨즈 트랜지스터를 제어하여 이퓨즈를 단선시킬 수 있다.
예를 들어, 각각의 이퓨즈 트랜지스터의 게이트 노드는 스캔 신호선 또는 발광 제어신호선 또는 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf(0)~ Scanf(n)) 중 어느 하나에 각각 연결된다.
그리고 또한 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 모두 제2방향으로 배치된 신호선(VF(0)~(VF(m))에 연결된다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 도 12 또는 도 13과 같은 구성에서 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 과정을 보여준다.
우선, 타이밍 컨트롤러가 서브화소들 내의 N 개의 발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 메모리에서 독출(read out)한다(S161). 도 12 및 도 4의 실시예에서는 서브화소 별로 2개의 발광 다이오드 소자 중 1개 혹은 0개가 될 수 있다.
도 13 및 도 10, 도 3의 실시예에서는 서브화소 별로 N개의 발광 다이오드 소자 중 (N-1)개 ~ 0개 사이가 될 수 있다.
그리고 타이밍 컨트롤러(150)는 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 연결된 이퓨즈를 단선시키기 위해, 여기에 연결된 이퓨즈 트랜지스터에 신호를 인가한다(S162).
이후 타이밍 컨트롤러(150)는 단선시킨 영역, 즉 비활성화된 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 메모리 상에서 업데이트한다. 도 11의 메모리 정보에서 비활성화가 완료된 발광 다이오드 소자의 정보는 제거할 수 있다(S163).
그리고 비활성화가 필요한 발광 다이오드 소자에 대한 정보가 메모리 내에 잔존하는지 확인하고(S164), 확인 결과 잔존하는 경우 S161~S163 단계를 진행한다. 비활성화가 필요한 발광 다이오드 소자에 대한 정보가 메모리 내에 잔존하지 않는 경우 종료한다.
S162 과정을 보다 상세히 살펴본다. 도 11 및 도 12의 실시예를 살펴보면, 141에서 지시되는 메모리 정보 내에 저장된 "1"의 값이 해당 서브화소의 제1발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 것이며 "2"의 값이 해당 서브화소의 제2발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 것이다. 이 경우 "1"로 저장된 서브화소들에 대해 다음의 과정을 진행한다.
타이밍 컨트롤러(150)가 제1스캔신호선에 제1이퓨즈가 전기적으로 연결된 다수의 제1발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 배치된 서브 화소의 데이터 배선에 제1이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가한다. 그리고 동시에, 또는 일정 시간 간격을 가지고 제1스캔신호선에 제1 이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하고 상기 제1이퓨즈 제어 신호선에 제1퓨징 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가한다. 이의 상세한 동작은 앞서 도 5에서 살펴보았다.
앞서 도 11의 141에서 지시되는 메모리 정보 내에 "2"로 저장된 서브화소들에 대해 다음의 과정을 진행한다.
타이밍 컨트롤러(150)가 제1발광 제어신호선에 제2이퓨즈가 전기적으로 연결된 다수의 제2발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 배치된 서브 화소의 데이터 배선에 제2이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가한다. 그리고, 동시에, 또는 일정 시간 간격을 가지고 제1발광 제어신호선에 상기 제2 이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하고 제2이퓨즈 제어 신호선에 제2퓨징 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가한다. 이의 상세한 동작은 앞서 도 6에서 살펴보았다.
여기서 i번째 행과 i+1번째 행의 메모리 정보값이 동일한 경우가 있다. 예를 들어, 도 11의 141의 1번째 행과 2번째 행은 143이 지시하는 바와 같이 동일한 메모리 값을 가진다. 이 경우, 1번째와 2번째에 대해 동시에 스캔 신호 또는 발광 제어 신호를 인가하여 2개의 행에 동일한 발광 다이오드 소자를 비활성화시킬 수 있다.
S162 과정을 도 11 및 도 13의 실시예에 기반하여 보다 상세히 살펴본다. 도 11 및 도 13의 실시예를 살펴보면, 142에서 지시되는 메모리 정보 내에 저장된 "1"의 값이 해당 서브화소의 제1발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 것이며 "2"의 값이 해당 서브화소의 제2발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 것이다. "3"의 값이 해당 서브화소의 제3발광 다이오드 소자를 비활성시키는 것이다. 이는 서브화소당 총 발광 다이오드 소자의 개수인 N개까지 증가할 수 있다.
이 경우, 도 13의 타이밍 컨트롤러(150)가 메모리에서 독출한 정보에 따라 제1스캔신호선(Scan(0)~Scan(n) 중 어느 하나), 제1발광 제어신호선들(EM(0)~EM(n) 중 어느 하나), 또는 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf(0) Scanf(n) 중 어느 하나) 중 어느 하나에 신호를 인가시켜 독출한 정보에 대응하는 발광 다이오드에 연결된 이퓨즈 트랜지스터를 동작시킨다.
그리고 독출한 정보에 따라 동작된 이퓨즈 트랜지스터가 연결된 이퓨즈를 단선시킬 신호를 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드에 연결된 신호선(VF(0) 내지 VF(m) 중 일부 또는 전부)에 이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가하여 이퓨즈를 단선시킨다.
도 11 내지 도 14에서 143에서 지시하는 바와 같이 각 스캔 신호선에 연결된 서브화소들 중에서 비활성화 시킬 발광 다이오드 소자들이 동일한 서브화소에 위치할 경우에 동시에 비활성화를 시킬 수 있다.
예를 들어 제1스캔신호선에 연결된 서브화소들 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들과 제2스캔 신호선에 연결된 서브화소들 각각에 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들이 동일할 수 있다. 이들 두 스캔 신호선은 반드시 인접할 필요가 없다. 그리고 이러한 스캔 신호선은 둘 이상 다수가 될 수도 있다.
동일하다는 의미는 동일한 데이터배선에 연결된 서브화소 별로 단선시킬, 즉 비활성화 시킬 발광 다이오드가 동일한 경우를 의미하며 143에서 지시되는 바와 같다.
이 경우, 타이밍 컨트롤러(150)는 제1스캔 신호선 및 상기 제2스캔 신호선에 배치된 서브화소들 내의 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들을 동시에 비활성화시킬 수 있다.
예를 들어, 대부분의 발광 다이오드 소자가 정확하게 장착 및 동작하는 경우, 두 번째 또는 세번째 발광 다이오드 소자를 비활성화시킬 수 있다. 이 경우, 타이밍 컨트롤러(150)는 메모리 내에 배치된 값을 비교하여 각 스캔신호선 별로 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 동일한 경우, 해당 스캔신호선에 연결된 서브화소별로 동일하게 스캔신호선들(Scan(0)~Scan(n)) 중 어느 둘 이상에 신호를 인가하여 이퓨즈를 단선시킨다. 마찬가지로 발광 제어신호선들(EM(0)~EM(n)) 중 어느 둘 이상에 신호를 인가하여 이퓨즈를 단선시킨다. 그리고, 마찬가지 방식으로 이퓨즈 스캔 신호선(Scanf(0) Scanf(n)) 중 어느 둘 이상에 신호를 인가하여 이퓨즈를 단선시킨다.
이퓨즈를 구성하는 재료로는 발광 다이오드 소자를 구동할 경우에는 유지되며, 높은 전류나 전압을 인가할 경우 단선되는 물질을 적용할 수 있다. 또한 이퓨즈를 단선시키는데 필요한 신호선으로 스캔 신호선과 발광 제어신호선, 그리고 데이터 배선 등을 이용함으로써, 데이터 드라이버 IC(D-IC)와 게이트 드라이버 IC(G-IC)를 이용하여 특정 서브화소의 특정 이퓨즈를 단선시킬 수 있다.
그리고, 이퓨즈를 배치함에 있어서, 다른 배선들의 물질과 동일하게 배치할 수 있으므로, 별도의 배선 물질의 변경 없이 표시패널을 제조할 수 있다. 그리고, 리페어 공정 과정에서 특정한 배선 수정(이퓨즈 단선)을 회로적으로 구현할 수 있다.
이는 리페어 공정을 통해 중복적으로 배치된 발광 다이오드 소자를 제거하여 표시패널의 품질을 증가시킬 수 있다. 또한, 리던던시 구조를 채택하되 발광 다이오드 소자만을 다수 배치하므로, 생선상 향상 및 코스트 저감 효과를 가져온다.
특히, 리던던시 구조에서도 각 서브화소 당 구동 회로에 필요한 트랜지스터나 캐패시터는 증가하지 않으므로, D-IC, G-IC 등과 같은 회로 구성의 복잡도를 낮추며 패널 투과도를 향상시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 통상의 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 따라서, 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 이해할 수 있을 것이다.
10: 기판
L1, L2, L3: 발광 다이오드 소자
EF1, EF2, EF3: 이퓨즈
ET1, ET2, ET3: 이퓨즈 트랜지스터
71: 스페어 영역
90: 이퓨즈

Claims (17)

  1. 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 서브화소들;
    상기 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향으로 배치된 스캔 신호선들 및 발광 제어신호선들;
    상기 서브화소들 각각에 연결되며 상기 표시패널의 제2방향으로 배치된 데이터 배선들;
    상기 서브화소 내에 배치되며 둘 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역;
    상기 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자의 캐소드에 VSS와 각각 연결되며 어느 하나 이상 단선된 둘 이상의 이퓨즈; 및
    상기 둘 이상의 이퓨즈에 각각 연결된 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터를 포함하며,
    상기 각각의 이퓨즈 트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선 또는 상기 발광 제어신호선 또는 선택적으로 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 각각 연결되며,
    상기 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 모두 제2방향으로 배치된 신호선에 연결되고,
    상기 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 드레인 노드는 각각 상기 둘 이상의 발광 다이오드 소자의 캐소드와 각각 연결된 상기 둘 이상의 이퓨즈와 각각 연결된, 표시패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소자 영역에는 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있으며,
    제1발광 다이오드 소자는 제1이퓨즈 트랜지스터 및 제1이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    제2발광 다이오드 소자는 제2이퓨즈 트랜지스터 및 제2이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    상기 제1이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선에 전기적으로 연결되며,
    상기 제2이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 발광 제어신호선에 전기적으로 연결되는, 표시패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 서브화소는 퓨징 트랜지스터가 배치되며,
    상기 퓨징 트랜지스터의 게이트 노드에 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 제어신호선이 연결되며,
    상기 퓨징 트랜지스터의 소스 노드는 상기 데이터 배선이 연결되며,
    상기 퓨징 트랜지스터의 드레인 노드는 상기 제1 및 제2이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드들이 연결된, 표시패널.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1이퓨즈 또는 상기 제2이퓨즈 중 어느 하나가 단선된 상태인, 표시패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이퓨즈 중 단선되지 않은 이퓨즈는 좁은 폭을 가지는 영역을 포함하는, 표시패널.
  6. 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 서브화소들;
    상기 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향으로 배치된 스캔 신호선들 및 발광 제어신호선들;
    상기 서브화소들 각각에 연결되며 상기 표시패널의 제2방향으로 배치된 데이터 배선들;
    상기 서브화소 내에 배치되며 셋 이상의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역;
    상기 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자의 캐소드에 VSS와 각각 연결되며 어느 하나 이상 단선된 둘 이상의 이퓨즈;
    상기 소자 영역에서 하나의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 스페어 영역; 및
    상기 둘 이상의 이퓨즈에 각각 연결된 둘 이상의 이퓨즈트랜지스터를 포함하며,
    상기 각각의 이퓨즈 트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선 또는 상기 발광 제어신호선 또는 선택적으로 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 각각 연결되며,
    상기 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 모두 제2방향으로 배치된 신호선에 연결되고,
    상기 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 드레인 노드는 각각 상기 둘 이상의 발광 다이오드 소자의 캐소드와 각각 연결된 상기 둘 이상의 이퓨즈와 각각 연결된, 표시패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소자 영역에는 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있으며,
    제1발광 다이오드 소자는 제1이퓨즈 트랜지스터 및 제1이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    제2발광 다이오드 소자는 제2이퓨즈 트랜지스터 및 제2이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    상기 제1이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선에 전기적으로 연결되며,
    상기 제2이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 발광 제어신호선에 전기적으로 연결되며,
    상기 스페어 영역에는 발광 다이오드 소자가 배치되지 않은 빈 영역이며,
    상기 제1이퓨즈 또는 상기 제2이퓨즈 중 어느 하나가 단선된 상태인, 표시패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 소자 영역에는 두 개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있으며,
    상기 제1발광 다이오드 소자에 연결된 제1이퓨즈 및 상기 제2발광 다이오드 소자에 연결된 제2이퓨즈는 단선된 상태이며,
    상기 스페어 영역에는 발광 다이오드 소자가 배치된 상태인, 표시패널.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 서브화소는 퓨징 트랜지스터가 배치되며,
    상기 퓨징 트랜지스터의 게이트 노드에 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 제어신호선이 연결되며,
    상기 퓨징 트랜지스터의 소스 노드는 상기 데이터 배선이 연결되며,
    상기 퓨징 트랜지스터의 드레인 노드는 상기 제1 및 제2이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드들이 연결된, 표시패널.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 이퓨즈 중 단선되지 않은 이퓨즈는 좁은 폭을 가지는 영역을 포함하는, 표시패널.
  11. 발광 다이오드 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 서브화소들;
    상기 서브화소들 각각에 연결되며 표시패널의 제1방향으로 배치된 스캔 신호선들 및 발광 제어신호선들;
    상기 서브화소들 각각에 연결되며 상기 표시패널의 제2방향으로 배치된 데이터 배선들;
    상기 서브화소 내에 배치되며 N 개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있는 소자 영역;
    상기 소자 영역에서 상기 발광 다이오드 소자의 캐소드에 VSS와 각각 연결되며 N-1개가 단선된 N개의 이퓨즈;
    상기 N개의 이퓨즈에 각각 연결된 N개의 이퓨즈트랜지스터를 포함하며,
    상기 각각의 이퓨즈 트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선 또는 상기 발광 제어신호선 또는 선택적으로 상기 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 각각 연결되며,
    상기 각각의 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 모두 제2방향으로 배치된 신호선에 연결되고,
    상기 N개의 이퓨즈 트랜지스터의 드레인 노드는 각각 상기 N개의 발광 다이오드 소자의 캐소드와 각각 연결된 상기 N개의 이퓨즈와 각각 연결된, 표시패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 소자 영역에는 세 개의 발광 다이오드 소자가 배치될 수 있으며,
    제1발광 다이오드 소자는 제1이퓨즈 트랜지스터 및 제1이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    제2발광 다이오드 소자는 제2이퓨즈 트랜지스터 및 제2이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    제3발광 다이오드 소자는 제3이퓨즈 트랜지스터 및 제3이퓨즈에 전기적으로 연결되며,
    상기 제1이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 스캔 신호선에 전기적으로 연결되며,
    상기 제2이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 발광 제어신호선에 전기적으로 연결되며,
    상기 제3이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 상기 이퓨즈 스캔 신호선에 전기적으로 연결된, 표시패널.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 이퓨즈들 중 단선되지 않은 이퓨즈는 좁은 폭을 가지는 영역을 포함하는, 표시패널.
  14. 제1이퓨즈 트랜지스터 및 제1이퓨즈에 전기적으로 연결된 제1발광 다이오드 소자와 제2이퓨즈 트랜지스터 및 제2이퓨즈에 전기적으로 연결된 제2발광 다이오드 소자를 포함하고, 상기 제1이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 제1스캔신호선에 전기적으로 연결되고, 상기 제2이퓨즈트랜지스터의 게이트 노드는 제1발광 제어신호선에 전기적으로 연결되고, 제1퓨징 트랜지스터가 배치되며, 상기 제1퓨징 트랜지스터의 게이트 노드에 제1이퓨즈 제어신호선이 연결되고, 상기 제1퓨징 트랜지스터의 소스 노드는 데이터 배선에 연결되며, 상기 제1퓨징 트랜지스터의 드레인 노드는 상기 제1이퓨즈트랜지스터 및 상기 제2이퓨즈 트랜지스터의 소스노드에 연결되고, 상기 제1발광 다이오드 소자 및 상기 제2발광 다이오드 소자의 각 캐소드에 VSS와 상기 제1이퓨즈 및 상기 제2이퓨즈가 각각 연결되며, 상기 제1이퓨즈트랜지스터 및 상기 제2이퓨즈트랜지스터의 드레인 노드가 상기 제1발광 다이오드 소자 및 상기 제2발광 다이오드 소자의 캐소드와 각각 연결된 상기 제1이퓨즈 및 상기 제2이퓨즈와 각각 연결되는 표시 패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법으로서,
    타이밍 컨트롤러가 서브화소들 내의 두 개의 발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 독출하는 단계;
    상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1스캔신호선에 상기 제1이퓨즈가 전기적으로 연결된 다수의 제1발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 배치된 서브 화소의 데이터 배선에 상기 제1이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가하는 단계;
    상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1스캔신호선에 상기 제1이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하고 상기 제1이퓨즈 제어 신호선에 상기 제1퓨징 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하는 단계;
    상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1발광 제어신호선에 상기 제2이퓨즈가 전기적으로 연결된 다수의 제2발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자가 배치된 서브 화소의 데이터 배선에 상기 제2이퓨즈를 단선시킬 신호를 인가하는 단계; 및
    상기 타이밍 컨트롤러가 상기 제1발광 제어신호선에 상기 제2이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하고 상기 제1이퓨즈 제어 신호선에 상기 제1퓨징 트랜지스터를 동작시키는 신호를 인가하는 단계를 포함하는, 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1스캔 신호선에 연결된 서브화소들 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들과,
    제2스캔 신호선에 연결된 서브화소들 각각에 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들이 각각 동일한 데이터배선에 연결된 서브화소들에 위치하는 경우,
    상기 타이밍 컨트롤러는 상기 제1스캔 신호선 및 상기 제2스캔 신호선에 배치된 서브화소들 내의 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들을 동시에 비활성화 시키는 단계를 더 포함하는, 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법.
  16. 둘 이상의 발광 다이오드 소자의 캐소드에 VSS와 둘 이상의 이퓨즈가 각각 연결되고, 상기 둘 이상의 이퓨즈에 각각 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터가 연결되고, 상기 각각의 이퓨즈 트랜지스터의 게이트 노드는 제1스캔신호선 또는 제1 발광제어신호선 또는 선택적으로 제1방향으로 배치된 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 각각 연결되며, 상기 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드는 모두 제2방향으로 배치된 신호선에 연결되고, 상기 둘 이상의 이퓨즈 트랜지스터의 드레인 노드는 각각 상기 둘 이상의 발광 다이오드 소자의 캐소드와 각각 연결된 상기 둘 이상의 이퓨즈와 각각 연결되는 표시 패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법으로서,
    타이밍 컨트롤러가 서브화소들 내의 다수의 발광 다이오드 소자 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자에 대한 정보를 독출하는 단계;
    상기 타이밍 컨트롤러가 상기 독출한 정보에 따라 상기 제1스캔신호선, 상기 제1발광제어신호선, 또는 상기 이퓨즈 스캔 신호선 중 어느 하나에 신호를 인가시켜 상기 독출한 정보에 대응하는 발광 다이오드에 연결된 이퓨즈 트랜지스터를 동작시키는 단계;
    상기 독출한 정보에 따라 상기 이퓨즈 트랜지스터가 연결된 이퓨즈를 단선시킬 신호를 상기 이퓨즈 트랜지스터의 소스 노드에 연결된 신호선에 인가하여 상기 이퓨즈를 단선시키는 단계를 포함하는, 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    제1스캔 신호선에 연결된 서브화소들 중 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들과,
    제2스캔 신호선에 연결된 서브화소들 각각에 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들이 각각 동일한 데이터배선에 연결된 서브화소들에 위치하는 경우,
    상기 타이밍 컨트롤러는 상기 제1스캔 신호선 및 상기 제2스캔 신호선에 배치된 서브화소들 내의 비활성화시킬 발광 다이오드 소자들을 동시에 비활성화 시키는 단계를 더 포함하는, 표시패널의 발광 다이오드 소자를 비활성화시키는 방법.
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