CN111179767A - 显示面板和用于电隔离显示面板中的发光二极管的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示面板和用于电隔离显示面板中的发光二极管的方法。在一个实施方式中，显示面板包括：包含在每个子像素中的元件区域，其中，两个或更多个发光二极管被布置在元件区域中；以及分别连接至两个或更多个发光二极管的两个或更多个电熔丝，其中，两个或更多个电熔丝中的至少一个电熔丝已熔断；以及分别连接至两个或更多个电熔丝的两个或更多个电熔丝晶体管。

Description

显示面板和用于电隔离显示面板中的发光二极管的方法
技术领域
本公开内容涉及显示面板、以及用于显示面板中的发光二极管的优选地在显示面板中进行的电隔离的方法。
背景技术
显示装置是指通过使用显示面板来直观地显示数据并且提供其他附加功能的装置。各种类型的显示面板可以与诸如移动电话、平板电脑、电视机等的装置组合。
各种类型的显示面板可以包括液晶显示器、LCD面板、电泳显示面板、有机发光显示面板、电致发光显示面板、场致发射显示面板、表面传导电子发射器显示器面板、等离子体显示面板、微型LED面板等。
在这些显示面板中，有机发光显示面板是有机化合物被激发而发光的自发光显示面板。有机发光显示面板不需要例如LCD面板中使用的背光。这是有利的，因为与其他面板技术相比，可以使OLED面板更轻，更薄，并且可以简化其生产过程。然而，由于有机发光显示面板使用包括有机材料的有机发光二极管(简称为OLED)，所以OLED面板容易受到水分和氧气的侵入。为了解决这个问题，应用了封装技术。然而，密封性可能无法满足要求的水平，从而可能无法确保产品的可靠性。
近年来，已经对使用发光二极管(LED，由无机材料等制成的元件)的发光二极管显示装置进行了研究。LED元件具有高的光转换效率，因此具有非常低的能耗。此外，LED元件是半永久性的并且是环境友好的并且具有长的使用寿命。
本文所指的发光二极管显示装置是通过在薄膜晶体管衬底上每个像素放置至少一个LED元件(例如微型LED元件)而实现的显示装置。这样的LED显示装置的优点在于，它可以利用LED元件的上述优点而不会降低发光效率。当前，正在努力使基于微型LED元件的显示装置商业化。
为了在制造这样的发光二极管显示装置时抑制缺陷像素，可以采用其中每个像素布置两个或更多个微型LED元件的冗余结构。然而，存在这样的冗余结构中的驱动电路的数目增加的问题。此外，这种冗余结构使布线的结构复杂化，并使整个面板的透射率降低。
发明内容
本公开内容的一个目的是提供一种显示面板，其中发光二极管彼此重复以消除显示面板中的缺陷像素，从而提高显示面板的性能和/或质量。
本公开内容的另一目的是提供一种冗余的微型LED显示面板，其中，冗余的微型LED显示面板中的开口率增大。
本公开内容的又一目的是提供一种冗余LED显示面板，其中，面板上的布线和晶体管的数目被最小化以使显示面板的制造成本和电路复杂性最小化。
本公开内容的目的不限于上述目的。通过以下描述可以理解本公开内容的未提及的其他目的和优点，并且通过本公开内容的实施方式将更加清楚地理解本公开内容的其他目的和优点。还应理解，可以通过所附权利要求中记载的手段及其组合来实现和获得本公开内容的目的和优点。
上述问题通过本公开内容的实施方式来解决。特别地，提供了本公开内容的有利实施方式。在本公开内容的一个实施方式中，一种显示面板包括：包含在每个子像素中的元件区域，其中，两个或更多个发光二极管被布置在该元件区域中；以及分别连接至两个或更多个发光二极管的两个或更多个电熔丝，其中，两个或更多个电熔丝中的至少一个电熔丝已熔断；以及分别连接至两个或更多个电熔丝的两个或更多个电熔丝晶体管。
根据本公开内容的一个实施方式，每个电熔丝晶体管的栅极节点连接至扫描信号线、发光控制信号线、或在第一方向上延伸的可选的电熔丝扫描信号线中的一个，其中，两个或更多个电熔丝晶体管的源极节点连接至在第二方向上延伸的、其中用于熔断所述两个或更多个电熔丝中的未熔断的电熔丝的信号流过的信号线。
根据本公开内容的一个实施方式，熔融晶体管被放置在每个子像素中，并且在第一方向上延伸的电熔丝控制信号线连接至熔融晶体管的栅极节点，并且熔融晶体管的源极节点连接至数据线，并且熔融晶体管的漏极节点连接至第一电熔丝晶体管和第二电熔丝晶体管的源极节点。
根据本公开内容的一个实施方式，显示面板包括：包含在每个子像素中的元件区域，其中，两个或更多个发光二极管被布置在元件区域中；以及分别连接至两个或更多个发光二极管的两个或更多个电熔丝，其中，两个或更多个电熔丝中的至少一个电熔丝已熔断；分别连接至两个或更多个电熔丝的两个或更多个电熔丝晶体管；以及其中一个发光二极管当前不存在但随后存在的备用区域。
根据本公开内容的一个实施方式，一种用于电隔离显示面板中的发光二极管的方法包括：由时序控制器读取关于每个子像素内的两个发光二极管中要被电隔离的发光二极管的信息；由时序控制器将用于熔融第一电熔丝的信号施加于数据线至其中要被电隔离的第一发光二极管连接至第一电熔丝并且第一扫描信号线连接至第一电熔丝的每个子像素；由时序控制器将用于接通连接至第一电熔丝的第一电熔丝晶体管的信号施加于第一扫描信号线，并且将用于激活第一熔融晶体管的信号施加于第一电熔丝控制信号线；由时序控制器将用于熔融第二电熔丝的信号施加于数据线至其中要被电隔离的第二发光二极管连接至第二电熔丝并且第一发光控制信号线连接至第二电熔丝的每个子像素；以及由时序控制器将用于接通连接至第二电熔丝的第二电熔丝晶体管的信号施加于第一发光控制信号线，并且将用于激活第二熔融晶体管的信号施加于第二电熔丝控制信号线。
根据本公开内容的一个实施方式，一种用于电隔离显示面板中的发光二极管的方法包括：由时序控制器读取关于在每个子像素中的多个发光二极管中要被电隔离的发光二极管的信息；由时序控制器基于读出的信息将信号施加于第一扫描信号线、第一发光控制信号线或电熔丝扫描信号线，以接通对应于要被电隔离的发光二极管的电熔丝晶体管；以及由时序控制器将用于熔断连接至电熔丝晶体管的电熔丝的信号施加于连接至电熔丝晶体管的源极节点的信号线，从而熔断电熔丝。
在本文中，电熔丝可以指代电气熔丝。在电子和电气工程中，电熔丝可以是工作以提供对电路的过流保护的电气安全器件。然而，在本公开内容中，电气熔丝(电熔丝)可以用于保持或中断电连接，使得其可以具有永久开关的功能。
优选地，每个电熔丝具有连接至显示面板的一个子像素的元件的两个端子。电熔丝的第一端子可以连接至发光二极管，优选地连接至其阴极。电熔丝的第二端子可以连接至电压线，优选地连接至供应低电压电源信号的电压线。可替选地，电熔丝的第一端子可以连接至发光二极管，优选地连接至其阳极。电熔丝的第二端子可以连接至电压线，优选地连接至供应高电压电源信号的电压线。
电熔丝具有第一状态(熔断状态，断开状态)和第二状态(未熔断状态，连接状态)。在未熔断状态下，电熔丝在显示面板中提供其两个端子之间的电连接。在未熔断状态下，电信号因所建立的电连接而可以在电熔丝的两个端子之间直接传递。然而，在熔断状态(在本文中也被称为“电熔丝已熔断”)中，电连接被永久中断。由此，在熔断状态下，电信号因电连接的中断而无法在电熔丝的两个端子之间转移。
所以，电熔丝可以处于未熔断状态并且在向电熔丝提供熔断信号之后，电熔丝可以永久地切换至熔断状态(有目的地)。所以，每个电熔丝仅可以发生一次电熔丝向熔断状态的切换，并且该切换是不可逆的。
根据本公开内容，发光二极管可以被冗余地放置，以消除显示面板中的缺陷像素并最大化显示面板的性能。
此外，根据本公开内容，可以通过独立于被布置在每个子像素中的发光二极管的数目来布置驱动电路，来提高显示面板的开口率。
此外，根据本公开内容，可以在具有冗余LED结构的显示面板上最小化布线和晶体管的数目，以降低其制造成本和电路复杂性。
将结合用于实施本发明的具体细节的说明来描述本公开内容的其他具体效果以及如上所述的效果。
附图说明
图1示出了将微型LED元件转移至衬底的过程。
图2示出了根据本公开内容的实施方式的在每个冗余结构中放置驱动电路的情况与在单个像素中布置单个驱动电路的情况之间的比较。
图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的设置在一个子像素中的单个驱动电路与两个或更多个发光二极管之间的连接结构的图。
图4示出了在元件区域中的两个发光二极管的布置。
图5示出了根据本公开内容的一个实施方式的两个发光二极管中的第一发光二极管的电隔离。
图6示出了根据本公开内容的一个实施方式的两个发光二极管中的第二发光二极管的电隔离。
图7示出了根据本公开内容的一个实施方式的电熔丝的配置。
图8和图9示出了根据本公开内容的另一实施方式的由两个电熔丝和备用区域组成的子像素的配置。
图10示出了根据本公开内容的又一实施方式的由三个电熔丝和三个发光二极管组成的子像素的配置。
图11示出了根据本公开内容的一个实施方式的存储器信息。
图12和图13示出了根据本公开内容的一个实施方式的用于电熔丝熔断的显示面板的配置。
图14示出了根据本公开内容的一个实施方式的电熔丝的熔断过程。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述根据本公开内容的显示面板和其中的发光二极管的电隔离的方法。
为了图示的简单和清楚起见，附图中的元件不一定按比例绘制。不同附图中的相同附图标记表示相同或相似的元件，并因此执行相似的功能。此外，为了描述的简单，省略了公知的步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开内容的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开内容的透彻理解。然而，应理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容。在其他情况下，未详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地使本公开内容的各方面不清楚。
足够详细地描述实施方式以使本领域技术人员能够容易地实践本公开内容的技术构思。旨在覆盖可以包括在由所附权利要求书限定的本公开内容的范围内的替代、修改和等同形式。
除非另有定义，否则本文所用的所有术语具有与本领域普通技术人员通常所理解的相同的含义。当本文使用的术语与该术语的一般含义冲突时，该术语的含义与本文使用的定义一致。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制本公开内容。如本文所使用的，单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地另外指出。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和“包括(including)”指定存在所述特征、整数、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一个或更多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其一部分。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。当处在元件列表之前时，诸如“……中的至少一个”的表达可以修改整个元件列表，并且可以不修改列表中的各个元件。
应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开内容的范围的情况下，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
另外，还应理解，当第一元件或层被称为在第二元件或层“上”时，第一元件或层可以直接设置在第二元件或层上，或者可以间接设置在第二元件或层上，其中第三元件或层设置在第一元件或层与第二元件或层之间。应理解，当一个元件或层被称为“连接至”另一元件或层或“耦接至”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、连接至另一元件或层、或耦接至另一元件或层、或可以存在一个或更多个中间元件或层。另外，还应理解，当一个元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
在下文中，布置在显示装置中的发光二极管LED可以简称为微型LED芯片或LED芯片。这些术语可以彼此互换并且指代相同的配置。此外，本文提出的实施方式可以应用于以各种方式实现的显示面板。因此，可以将电熔丝配置应用于具有LED冗余结构的各种显示面板，以仅选择并接通特定的发光区域。
图1示出了将发光二极管显示装置的发光二极管转移至衬底的过程。
图1中的附图标记1示出其中用于分别发射R/G/B光束的发光二极管被设置在晶片上的配置。不仅可以使用由蓝宝石制成的晶片，而且可以使用由各种材料中的每一种制成的晶片。用于发射R/G/B光束的每个发光二极管可以设置在晶片上的相应区域上。使用诸如附图标记2所示的印模之类的转移装置将发光二极管转移至附图标记3所示的衬底上。作为示例，附图标记3示出其中用于分别发射R/G/B光束的发光二极管被设置在作为玻璃衬底的衬底10上的配置。
其中使用如图1所示的发光二极管配置像素的显示装置可以被称为微型LED显示装置。在显示面板的制造过程中，将具有微尺寸的发光二极管转移至衬底(背板)以配置像素。关于这一点，在将LED元件转移至衬底的过程中可能发生芯片或元件缺陷。此缺陷可能导致缺陷像素。因此，采用修复结构或冗余结构来应对这种缺陷像素。
为了解决该缺陷，本公开内容的一个目的是在两个或更多个发光二极管被转移至每个子像素的冗余结构中仅在每个子像素上放置一个驱动电路。这可以降低生产成本并增大透光率，否则在每个子像素上的双驱动元件中可能不能降低生产成本并增大透光率。
为此，将发光二极管转移至衬底上。然后，可以通过测试来检测故障或不工作的LED元件。然后，可以执行故障或不工作或不必要的LED元件与驱动电路之间的断开。电熔丝连接至每个发光二极管以实现断开。电熔丝的示例如图7所示。
图2示出了根据本公开内容的实施方式的在每个冗余结构中放置驱动电路的情况与在单个像素中布置单个驱动电路的情况之间的比较。
附图标记21和22示出了在其上转移有发光二极管的衬底(例如，玻璃衬底)上的各个电路配置。R、G和B是指分别布置用于呈现各种颜色的发光二极管的区域。每个发光二极管被转移至标记为“芯片”的区域。在该配置中，两个呈现相同颜色的发光二极管分别布置在一个子像素中的区域S1和S2中。
附图标记21表示其中在设置每个发光二极管的区域中设置驱动电路的结构。附图标记22表示在其中布置有两个发光二极管的区域中仅设置一个驱动电路的结构。在附图标记21的配置中，针对R、G和B中的每一个分别设置在区域S1和S2中的两个发光二极管中的仅一个发光二极管可以实际工作。因此，设置在区域S1和S2中的一个中的仅一个驱动电路可以实际工作。
即，在附图标记21的配置中，通过将两个发光二极管转移至与R、G和B中的每一个对应的每个子像素区域，在一个像素中布置六个发光二极管。因此，每个像素布置了六个驱动电路。然而，由于这是冗余结构，因此仅三个驱动电路可以实际工作。
由于包括实际不工作的驱动电路，这导致成本增加。另外，这可能是增加连接至每个驱动电路的数据IC(D-IC)的成本的因素。另外，由于与六个LED对应的六个驱动电路的存在，存在透射率降低的问题。
在根据本公开内容的实施方式的附图标记22的结构中，两个发光二极管被转移至R、G和B中的每一个，即，每个R、G和B中的每个子像素与配置21相同的方式。然而，根据本公开内容，在R、G和B的每一个中即每个R、G和B的每个子像素中仅设置单个驱动电路。因此，在RGB像素中总共布置了三个驱动电路。在该实施方式中，每个发光二极管和每个驱动电路或电源可以经由每个电熔丝彼此连接。
当检测到不发光或不工作的发光二极管时，熔断相应的电熔丝可以禁用相应的驱动电路或电源与不发光或不工作的LED之间的连接。因此，在实际工作过程中，不发光或不工作的LED不工作。结果，在单个子像素中仅设置一个驱动电路，从而降低了D-IC的成本，并确保了透光率。即，可以通过仅将分别对应于R、G和B的三个驱动电路设置在一个RGB像素上来确保透射率。
因此，本方法可以通过减少生产过程来实现低成本的显示装置，并且可以通过确保提高的开口率来实现高透明的微型LED显示面板。
图3是示出了根据本公开内容的一个实施方式的设置在一个子像素中的驱动电路与两个或更多个发光二极管之间的连接结构的图。
一个子像素区域包括设置有驱动电路DR的区域、设置有两个或更多个发光二极管的区域L、设置有电熔丝使得两个发光二极管中的仅一个被接通的区域(指示为EF)、以及施加使电熔丝熔断的信号的区域(由SF表示)。可以以各种方式配置驱动电路(指示为DR)。DR的配置不限于图3的结构。电熔丝被放置在电路中，其作用类似于物理保险丝。
图3示出了一个子像素的配置，其中一个子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管。各自在图3中示出的子像素可以在微型LED显示面板中垂直和水平地布置。此外，扫描信号线SCAN和发光控制信号线EM中的每一个在显示面板的第一方向(图3中的左右方向)上延伸，并且连接至每个子像素。
此外，每个数据线Vdata在显示面板的第二方向上(在图3中在垂直方向上)延伸并且连接至每个子像素。此外，VDD线在第二方向上延伸并且连接至每个子像素。
区域L包括在子像素中，并且两个或更多个发光二极管被布置在区域L中。在示例中，在图3的结构中，三个发光二极管可以对应于一个驱动电路。
如虚线所示的区域可以是发光二极管被转移至的备用空间。可替选地，可以同时放置三个发光二极管，然后，三个发光二极管中的仅一个可以实际工作。在一个示例中，可以考虑其中放置两个发光二极管而不是图3中的三个二极管的配置，这将在后面描述。
然而，由于多个发光二极管中的仅一个实际工作，因此可以通过电熔丝来选择实际工作的发光二极管。例如，每个电熔丝可以在元件区域中连接至每个发光二极管。在图3中，与三个发光二极管对应的三个电熔丝被放置在EF区域中。
此外，除了连接至被选择为在显示面板中实际工作的发光二极管的电熔丝之外，其他电熔丝熔断。图3示出了未熔断状态。首先，将发光二极管和驱动电路放置在衬底上，然后在测试过程中选择不必要的发光二极管。然后，本方法可以使连接至所选发光二极管的电熔丝熔断。结果，在一个子像素中至少一个电熔丝熔断。
每个电熔丝可以连接至电熔丝晶体管，以施加用于电熔丝的熔断的信号。图3示出了其中三个电熔丝晶体管ET的漏极节点中的每一个连接至对应的电熔丝的一端(或者对应的发光二极管NE1、NE2或NE3的另一端)的结构。
电熔丝晶体管ET的源极节点连接至其中用于熔断电熔丝的信号流过的信号线Vf1。每个电熔丝晶体管ET的栅极节点连接至对应的电熔丝扫描信号线Scanf1、Scanf2或Scanf3。关于这一点，电熔丝扫描信号线可以在第一方向上延伸。
关于这一点，连接至电熔丝晶体管ET的源极节点的信号线Vf1可以在第二方向上延伸。可替选地，电熔丝晶体管ET的源极节点连接至其中用于熔断电熔丝的信号也可以在其中流动的数据线Vdata。因此，数据线Vdata可以用于提供至子像素的数据以及用于熔断电熔丝的信号。在该可替选结构中，减少了显示面板中的线的数目。这将在图4中示出。
此外，为了减少信号线的数目，一些电熔丝晶体管ET的栅极节点可以分别连接至扫描信号线SCAN或发光控制信号线EM。即，电熔丝晶体管ET的每个栅极节点可以选择性地连接至扫描信号线SCAN、发光控制信号线EM和电熔丝扫描信号线中的一个。这将在图4中更详细地讨论。
为了使这三个发光二极管NE1、NE2，NE3中的仅一个在显示面板中正常工作，可以将其他发光二极管与VSS断开。例如，可以将控制信号施加于Scanf1、Scanf2和Scanf3中的两个，以使连接至VSS的两个电熔丝熔断。这种熔断分别导致确定不工作的两个另外的发光二极管的电隔离，因此其被选择为不必要的。
在一个实施方式中，控制信号可以被施加于Scanf2和Scanf3两者。在此情况下，低信号可以被施加于电熔丝扫描信号线Scanf2和Scanf3。因此，该信号被施加于图3中的三个电熔丝晶体管中的两个的栅极节点。结果，施加于Vf1的高电流或高电压被施加于两个电熔丝的一端NE2和NE3。
即，当向Vf1施加高电流或高电压，从而使电熔丝熔断，并且向Scanf2和Scanf3施加低信号时，高电流或高电压被施加于NE2和NE3，并且结果，两个电熔丝(连接至NE2的电熔丝和连接至NE3的电熔丝)在EF区域熔断。结果，只有一个发光二极管(连接至NE1的发光二极管)正常工作。
当采用图3的结构时，仅使用一个驱动电路就可以实现发光二极管的冗余。由于仅一个发光二极管连接至VSS，因此驱动电路可以驱动一个发光二极管，而不管三个二极管中的哪个发光二极管是该一个发光二极管。
此外，由于在单个子像素中仅设置了一个驱动电路，所以开口率增大，因此透射率增大。特别地，由于每个子像素仅设置一个驱动电路，因此每个子像素仅设置一个D-IC。以这种方式，D-IC的结构可以与不采用冗余结构的显示面板中的D-IC的结构相同。这可以简化D-IC的配置和实施。
图4示出根据本公开内容的一个实施方式的用于通过在扫描方向上添加一条信号线来选择性地去除电熔丝的配置。在图3的上述结构中，SF区域和Vf1中的信号连接至现有驱动电路的布线，以降低电路配置的复杂性。
图4示出了在元件区域中的两个发光二极管的布置。R/G/B子像素具有相同的结构。因此，将通过示例来描述R子像素。
电熔丝控制信号线Scan Vf(也称为Scanf)在构成单个像素的子像素(R，G，B)中的每一个上沿扫描方向延伸。每个子像素具有限定冗余结构的两个发光二极管。每个发光二极管连接至一个电熔丝。
在图4的每个子像素中，将位于左侧的发光二极管称为第一发光二极管L1，将位于右侧的发光二极管称为第二发光二极管L2。
第一发光二极管L1电连接至第一电熔丝晶体管ET1和第一电熔丝EF1。第二发光二极管L2电连接至第二电熔丝晶体管ET2和第二电熔丝EF2。
此外，第一电熔丝晶体管ET1的栅极节点电连接至扫描信号线SCAN。第二电熔丝晶体管ET2的栅极节点电连接至发光控制信号线EM。
在该实施方式中，熔融晶体管FT被设置在每个子像素中。沿第一方向延伸的电熔丝控制信号线Scan Vf连接至熔融晶体管FT的栅极节点。此外，熔融晶体管FT的源极节点连接至数据线Vdata。熔融晶体管FT的漏极节点连接至第一电熔丝晶体管ET1和第二电熔丝晶体管ET2的每一个的源极节点，从而可以使用数据线去除该电熔丝。
此外，设置在每个子像素中的数据线Vdata在电熔丝ET1或ET2熔断的熔融持续时间(熔融时间或熔融时段)中接收足以去除电熔丝ET1或ET2的电压或电流。因此，数据线VData还被配置成承载用于使电熔丝ET1或ET2熔断的信号，以将电熔丝ET1或ET2永久地切换到熔断状态。此外，发光控制信号线EM和扫描信号线SCAN可以将选择信号施加于第一晶体管和第二晶体管中的每一个，以在熔融持续时间内电隔离两个发光二极管中的一个。
图4的配置最小化了去除电熔丝ET1或ET2以电隔离每个子像素中的两个发光二极管L1或L2中的一个所需的信号线的数目，从而提高了面板的透明度。
除了熔融持续时间之外，未使用的信号线的数目也可以被最小化。此外，可以通过驱动电路的信号线来施加在熔融持续时间中使用的信号。因此，可以降低面板的布线复杂度。
在如图4所示测试子像素之后，本方法可以检测出故障的发光二极管或不需要的发光二极管。当一个子像素内的所有发光二极管正常工作时，任何一个发光二极管的电熔丝可能熔断，因此对应的二极管可能被电隔离。将对该过程进行更详细的讨论。
图5示出了根据本公开内容的一个实施方式的两个发光二极管中的第一发光二极管的电隔离。附图标记51表示其被施加信号以使第一发光二极管L1电隔离的布线。附图标记52指的是其中在熔融持续时间中将信号施加于每个信号布线的时序图。
用于将数据信号施加于子像素的Vdata线接收熔融连接至第一发光二极管L1的第一电熔丝EF1所需的Vf。Vf指的是具有足以熔融或去除第一电熔丝EF1的电流或电压的信号。
此外，信号(低信号)被施加于电熔丝控制信号(Scan Vf)和扫描信号线SCAN，使得Vf可以被施加于连接至第一发光二极管L1的第一电熔丝EF1。结果，Vf被施加于连接至第一发光二极管元件L1的第一电熔丝EF1，使得第一电熔丝EF1熔融。因此，第一发光二极管L1与低电势驱动电压VSS断开并且因此被电隔离。
图6示出了根据本公开内容的一个实施方式的两个发光二极管中的第二发光二极管的电隔离。附图标记61指的是其被施加信号以使第二发光二极管L2电隔离的布线。附图标记62指的是其中在熔融持续时间中将信号施加于每个信号布线的时序图。
用于将数据信号施加于子像素的Vdata线可以接收用于去除连接至第二发光二极管L2的第二电熔丝EF2所需的Vf。Vf是指具有足以去除第二电熔丝EF2的电流或电压的信号。
此外，信号(低信号)被施加于电熔丝控制信号Scan Vf和发光控制信号线EM，使得Vf可以被施加于连接至第二发光二极管L2的第二电熔丝EF2。结果，Vf被施加于连接至第二发光二极管L2的第二电熔丝EF2，使得第二发光二极管L2与低电势驱动电压VSS断开并且因此被电隔离。
在图5或图6的过程中，放置在限定冗余配置的具有两个发光二极管的子像素中的两个电熔丝EF1和EF2中的一个熔断。然后，在该子像素中，连接至未熔断的电熔丝的发光二极管执行正常的发光操作。
图7示出了根据本公开内容的一个实施方式的电熔丝的配置。在上述熔融持续时间内未熔断的电熔丝用作使得发光二极管能够工作的布线。为此，如图7所示，电熔丝90可以被构造成在其某些部分具有较小的宽度W1。
在图7中，电熔丝90具有三个部分91、92和95，但不限于此。未熔断的电熔丝90包括具有窄宽度W1的区域。在熔断了的电熔丝中，窄宽度的部分熔断。即，电熔丝90在窄宽度部分处熔断。由此，部分91和92被电隔离。这里，窄意味着宽度W1小于宽度W2和/或宽度W3。根据本发明的一个实施方式，仅部分95可以限定电熔丝90。在另一实施方式中，整个部分90例如所有部分91、95和92可以限定电熔丝。
当电熔丝90被分成三个部分时，电熔丝90可以包括连接至发光二极管的部分91、连接至VSS的部分92以及在这两个部分91与92之间的熔融部分95。此外，熔融部分95的宽度W1是窄的宽度部分，而部分91和92的宽度W2和W3可以满足以下关系：
[等式1]
W1<W2
W1<W3
熔融部分例如宽度为W1的窄宽度部分可能在熔融持续时间中熔断。因此，当一般的驱动信号例如数据信号被施加于熔融部分时，该熔融部分不会熔断并且用作布线。然而，熔融部分可能在熔融时间内熔断。为此，熔融部分95的宽度W1可以小于连接至发光二极管的部分91的宽度W2。
类似地，熔融部分95的宽度W1可以小于连接至VSS的部分92的宽度W3。为了在将一般的驱动信号(例如数据信号)施加于熔融部分时，熔融部分不熔断并且用作布线，而熔融部分在熔融持续时间中熔断，包括熔融部分的电熔丝可以由选自于由Cu、Al、W、PtSi、TiSi2、WSi2、CoSi2、NiSi、Ti30W70和多晶硅(重掺杂)组成的组中的至少一种制成。具有图7中所示的配置的电熔丝可以适用于图8、图9和图10。
图8和图9示出根据本公开内容的另一实施方式的包括两个电熔丝和备用区域的子像素的配置。除了子像素包括两个电熔丝和备用区域之外，图8中的配置与图4相同。因此，在图8和图9中，子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管。扫描信号线SCAN和发光控制信号线EM在显示面板的第一方向上延伸，并且连接至每个子像素。
此外，每个子像素包括其中可以布置多于两个的发光二极管的元件区域。在图8中，两个发光二极管L1和L2被放置在元件区域中。可以在图8的配置中放置一个另外的发光二极管。因此，可以在元件区域中放置总共三个发光二极管。该另外的发光二极管可以设置在备用区域71中。关于这一点，另外的发光二极管还没有设置在备用区域71中。在图9中，标记为L3的另外的单个发光二极管被放置在备用区域71中。
此外，两个发光二极管L1和L2分别连接至电熔丝EF1和EF2。电熔丝的配置可以与以上图7中的配置相同。当两个发光二极管L1和L2中的一个处于正常工作状态时，连接至另一个发光二极管的电熔丝EF1或EF2熔断。已经参照图4至图6对此进行了说明。
第一发光二极管L1电连接至第一电熔丝晶体管ET1和第一电熔丝EF1。第二发光二极管L2电连接至第二电熔丝晶体管ET2和第二电熔丝EF2。
此外，第一电熔丝晶体管ET1的栅极节点电连接至扫描信号线SCAN。第二电熔丝晶体管ET2的栅极节点电连接至发光控制信号线EM。
电熔丝晶体管ET1和ET2分别连接至电熔丝EF1和EF2。用于连接电熔丝晶体管ET1和ET2以及电熔丝EF1和EF2的布线的结构、电熔丝控制信号Scan Vf的分布以及用于熔断电熔丝的过程与图4、图5和图6所示的相同。在可替选实施方式中，当在单个子像素中布置四个发光二极管并且在备用区域中放置一个发光二极管时，电熔丝扫描信号线可以在第一方向上延伸。
此外，电熔丝晶体管的源极节点连接至在第二方向上延伸的信号线。在图8和图9中，电熔丝晶体管的源极节点连接至数据线Vdata。
在一个示例中，当发光二极管L1和L2二者均不能正常工作时，连接至它们的所有电熔丝EF1和EF2都熔断。然后，可以在备用区域71中设置新的发光二极管L3。
当在图8中布置的两个发光二极管L1和L2有缺陷并且因此电熔丝EF1和EF2二者都熔断时，可以在备用区域71中设置新的发光二极管。换句话说，备用区域71可以保留以用于应对图8中布置的两个发光二极管L1和L2有缺陷并且因此电熔丝EF1和EF2二者都烧断的情况。因此，当图8所示的两个发光二极管中的任何一个被正常驱动时，在备用区域71中不设置备用发光二极管。
相反，当图8中的两个发光二极管都不工作时，将单独的发光二极管放置在备用区域71中，如图9所示。参照图9，所有电熔丝都熔断。此外，新的发光二极管被设置在备用区域71中。
在第一转移过程中，没有发光二极管被转移至备用区域71。然后，在第二转移过程中，发光二极管被选择性地布置在子像素的仅某些区域中。因此，可以采用不设置单独的电熔丝的配置。
总之，当在图8的配置中两个发光二极管中的一个正常工作时，电熔丝EF1和EF2中的一个通过图5或图6的过程熔断。
图9示出了当两个发光二极管L1和L2不工作时在备用区域71中放置另外的发光二极管的配置。
连接至第一发光二极管L1的第一电熔丝EF1处于熔断状态。同样，连接至第二发光二极管L2的第二电熔丝EF2也熔断。
然后，备用区域71容置第三发光二极管L3。选择性地放置第三发光二极管L3。因此，第三二极管L3可以直接连接至VSS，而无需连接至单独的电熔丝。
图10示出根据本公开内容的另一实施方式的包括三个电熔丝和三个发光二极管的子像素的配置。在图3的实施方式的变型中，三个电熔丝中的两个电熔丝分别连接至发光控制信号线EM和扫描信号线SCAN，而三个电熔丝中的一个电熔丝连接至单独的电熔丝扫描信号线Scanf。将省略图10与图3至图6之间的重复配置。
N个发光二极管被布置在单个子像素中。关于这一点，N个电熔丝和N个电熔丝晶体管被分别连接至这N个发光二极管。连接至电熔丝晶体管的一些布线被电连接至扫描信号线SCAN和发光控制信号线EM。此外，其余的电熔丝晶体管连接至在第一方向上延伸的电熔丝扫描信号线Scanf。
如图10所示，三个发光二极管L1、L2和L3分别连接至三个电熔丝EF1、EF2和EF3。此外，这些电熔丝中的每一个的一端电连接至三个电熔丝晶体管ET1、ET2和ET3中的每一个。总之，第一发光二极管L1电连接至第一电熔丝晶体管ET1和第一电熔丝EF1。第二发光二极管L2电连接至第二电熔丝晶体管ET2和第二电熔丝EF2。第三发光二极管L3电连接至第三电熔丝晶体管ET3和第三电熔丝EF3。
此外，第一电熔丝晶体管ET1的栅极节点电连接至扫描信号线SCAN。第二电熔丝晶体管ET2的栅极节点电连接至发光控制信号线EM。此外，第三电熔丝晶体管ET3的栅极节点电连接至电熔丝扫描信号线Scanf。
当应用具有图7至图3至图6以及图8至图10所示的结构的电熔丝时，可以通过在其中限定冗余结构的发光二极管被布置在单个子像素中的显示面板中熔断的电熔丝来阻断至特定LED元件的电流供应。因此，仅将一个驱动电路包括在单个子像素中可以改善面板的透射率。
因此，在制造显示面板之后，在装运面板之前进行监测，以选择每个子像素中的不接收电流的发光二极管。然后，将指示所选择的LED的信号和用于使所选择的LED熔断的控制信号编程到显示面板中。然后，基于信号的电熔丝的熔断可以仅使限定冗余结构的发光二极管中的一个有效地工作。
图11至图14示出了根据本公开内容的一个实施方式的存储器信息，用于电熔丝熔断的显示面板的配置以及电熔丝熔断的过程。
图11示出了根据本公开内容的一个实施方式的存储结构，该存储结构指示要被电隔离的发光二极管。
关于在由n行和m列组成的每个子像素中要被电隔离的发光二极管的信息可以被存储在存储器中。附图标记141表示这样的实施方式，其中在一个子像素中布置两个发光二极管，并且每个子像素要电隔离一个发光二极管。在另一示例中，当所有发光二极管都不工作时，可以不需要电隔离。此外，当两个二极管中仅一个工作时，可以不需要电隔离。
附图标记142表示一个实施方式，其中在一个子像素中布置三个发光二极管，并且每个子像素要电隔离两个发光二极管。类似地，在另一示例中，当所有发光二极管都不工作时，可以不需要电隔离。此外，当三个二极管中仅一个工作时，可以不需要电隔离。
图12和图13示出根据本公开内容的一个实施方式的具有子像素的布置和在其中设置的布线的结构的显示面板。如图11所示以n行和m列布置的子像素被放置在显示面板中。
在图12和图13中，显示面板包括时序控制器150、栅极驱动器151和数据驱动器155。时序控制器150控制栅极驱动器151和数据驱动器155以控制子像素中的发光二极管的工作。此外，时序控制器150将信号施加于栅极驱动器151和数据驱动器155，以使连接至目标发光二极管的电熔丝熔断以被电隔离。将对此进行详细描述。
图12示出了在一个子像素中布置两个发光二极管的结构。该结构包含如图4所示的结构。在显示面板100中设置有包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管的子像素。此外，扫描信号线Scan(0)至Scan(n)和发光控制信号线EM(0)至EM(n)分别连接至这些子像素并且在显示面板的第一方向上延伸。此外，数据线Vdata(0)至Vdata(m)在显示面板的第二方向上延伸，并且分别连接至子像素。
此外，如上参照图4描述以下配置：每个子像素布置两个发光二极管，并且电熔丝分别连接至这些发光二极管，并且电熔丝晶体管分别连接至电熔丝。
更具体地，子像素中的第一发光二极管电耦接至第一电熔丝晶体管和第一电熔丝。子像素中的第二发光二极管电连接至第二电熔丝晶体管和第二电熔丝。
第一电熔丝晶体管的栅极节点电连接至扫描信号线。第二电熔丝晶体管的栅极节点电连接至发光控制信号线。此外，每个子像素具有熔融晶体管。电熔丝控制信号线ScanVf(0)至Scan Vf(n)在第一方向上延伸并连接至熔融晶体管的栅极节点。
此外，熔融晶体管的源极节点连接至上述数据线。熔融晶体管的漏极节点连接至第一电熔丝晶体管和第二电熔丝晶体管的源极节点。
图13示出了在一个子像素中布置三个或更多个发光二极管的结构。该结构包括图3或图10所示的结构。
如图3或图10所示，面板包括：子像素，每个子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管；扫描信号线Scan(0)至Scan(n)和发光控制信号线EM(0)至EM(n)，其在显示面板的第一方向上延伸并分别连接至子像素。
此外，数据线Vdata(0)至Vdata(m)在显示面板的第二方向上延伸，并且分别连接至子像素。
此外，N个发光二极管被布置在单个子像素中，并且N个电熔丝分别连接至N个发光二极管。N个电熔丝晶体管分别连接至N个电熔丝。可以控制这些N个电熔丝晶体管以分别熔断N个电熔丝。
例如，每个电熔丝晶体管的栅极节点连接至在第一方向上延伸的扫描信号线、发光控制信号线和电熔丝扫描信号线中的每一个中的一个。
此外，两个或更多个电熔丝晶体管的所有源极节点连接至在第二方向上延伸的信号线VF(0)至VF(m)。
图14示出了根据本公开内容的一个实施方式的如图12或图13的配置中的发光二极管的电隔离的过程。
首先，时序控制器从存储器中读出关于每个子像素中的N个发光二极管中要被电隔离的发光二极管的信息S161。在图12和图4的示例中，每个子像素可以电隔离两个发光二极管中的一个或零个。
在图13和图10以及图3的示例中，每个子像素要被电隔离的发光二极管的数目可以在N-1和0之间。
然后，时序控制器150将信号施加于连接至与要被电隔离的发光二极管对应的电熔丝的电熔丝晶体管，从而熔融电熔丝S162。
然后，时序控制器150在存储器中更新关于熔断的电熔丝即被电隔离的发光二极管的信息。可以从图11的存储器信息中去除被电隔离的发光二极管S163。
此外，在S164中确定关于要经受电隔离的发光二极管的信息是否保留在存储器中，当确定结果为肯定时，过程进行到S161、S162和S163。当在存储器中不存在关于要经受电隔离的发光二极管的信息时，即，当确定结果为否定时，该方法终止。
将更详细地描述操作S162。参照图11和图12的实施方式，由附图标记141指示的存储在存储器信息中的值1指示在相应的子像素中的第一发光二极管的电隔离。值2指示电隔离相应的子像素中的第二发光二极管。关于这一点，对于存储在存储器信息中的值为1的子像素，可以执行以下过程。
时序控制器150将用于熔融第一电熔丝的信号施加于数据线至其中要被电隔离的第一发光二极管连接至第一电熔丝并且第一扫描信号线连接至第一电熔丝的每个子像素。同时或以预定时间间隔，控制器150将用于接通连接至第一电熔丝的第一电熔丝晶体管的信号施加于第一扫描信号线，并且将激活第一熔融晶体管的信号施加于第一电熔丝控制信号线。其详细工作如以上参照图5所述。
对于存储在存储器信息中的值为2的子像素，可以执行以下过程。
时序控制器150将用于熔融第二电熔丝的信号施加于数据线至其中要被电隔离的第二发光二极管连接至第二电熔丝并且第一发光控制信号线连接至第二电熔丝的子像素。同时或在预定时间间隔中，控制器150将用于接通连接至第二电熔丝的第二电熔丝晶体管的信号施加于第一发光控制信号线，并且将激活第二熔融晶体管的信号施加于第二电熔丝控制信号线。其详细工作如以上参照图6所述。
关于这一点，存储器信息值或第i行和第(i+1)行可以相同。例如，如箭头143所示，图11中的表141的第一行和第二行具有相同的存储值。在此情况下，将扫描信号或发光控制信号同时施加于与第一行和第二行对应的子像素可以使得这两行中的发光二极管同时被电隔离。
将参照图11和图13的实施方式来更详细地描述操作S162。参照图11和图13的示例，由附图标记142指示的存储在存储器信息中的值1指示电隔离相应的子像素中的第一发光二极管。值2指示电隔离相应的子像素中的第二发光二极管。值3指示子像素中的第三发光二极管的电隔离。当每个子像素的总发光二极管的数目为N时，可以将其应用于N的值。
在此情况下，图13的时序控制器150可以将信号施加于第一扫描信号线(Scan(0)至Scan(n)之一)、第一发光控制信号线(EM(0)至EM(n)之一)或电熔丝扫描信号线(Scanf(0)至Scanf(n)之一)以接通连接至与读取信息对应的发光二极管的电熔丝晶体管。
然后，控制器150可以将用于使连接至接通的电熔丝晶体管的电熔丝熔融的信号施加于连接至接通的电熔丝晶体管的源极节点的信号线(VF(0)至VF(m)的一些或全部)，从而使电熔丝熔融。
如图11至图14所示，当位于连接至每个扫描信号线的子像素中的要被电隔离的发光二极管具有与附图标记143所指示相同的信息值时，发光二极管可以同时被电隔离。
在一个示例中，连接至第一扫描信号线的子像素中的要被电隔离的发光二极管可以具有与连接至第二扫描信号线的子像素中的要被电隔离的发光二极管相同的信息值。关于这一点，第一扫描信号线和第二扫描信号线可以不彼此紧邻。此外，这可以应用于两个或更多个扫描信号线之间。
换句话说，连接至同一数据线的子像素之间的要被电隔离的发光二极管可以具有与附图标记143所指示相同的信息值。
在此情况下，时序控制器150可以同时电隔离在连接至第一扫描信号线和第二扫描信号线的子像素之间具有相同信息值的要被电隔离的发光二极管。
在一个示例中，当大多数发光二极管被正确地安装并工作时，第二发光二极管或第三发光二极管可以被电隔离。在此情况下，时序控制器150比较存储在存储器中的值。当在连接至每个扫描信号线的子像素之间要被电隔离的发光二极管具有相同的信息值时，控制器可以将信号施加于扫描信号线(Scan(0)至Scan(n))中的任何两个或更多个，以将相同的信号施加于连接至相应扫描信号线的子像素。类似地，当在连接至每个发光控制信号线的子像素之间要被电隔离的发光二极管具有相同的信息值时，控制器可以将信号施加于发光控制信号线(EM(0)至EM(n))中的任何两个或更多个，以将相同的信号施加于连接至对应的发光控制信号线的子像素。类似地，当在连接至每个电熔丝扫描信号线的子像素之间要被电隔离的发光二极管具有相同的信息值时，控制器可以将信号施加于电熔丝扫描信号线(Scanf(0)至Scanf(n))中的任何两个或更多个，以将相同的信号施加于连接至相应电熔丝扫描信号线的子像素。
构成电熔丝的材料可以具有如下特性：当驱动发光二极管时，电熔丝可能不会熔断，而当向其施加高电流或高电压时，电熔丝可能熔断。扫描信号线、发光控制信号线和数据线可以用作电熔丝熔断所需的线。因此，数据驱动器IC(D-IC)和栅极驱动器IC(G-IC)可以用于熔断特定子像素中的特定电熔丝。
此外，电熔丝可以采用与其他布线相同的材料。因此，可以以简单的方式制造显示面板，而无需单独选择和沉积电熔丝材料。此外，可以在修复过程中以电路方式实现特定的布线修改(电熔丝熔断)。
这可以通过修复过程去除冗余设置的发光二极管，以提高显示面板的质量。此外，冗余结构仅包括多个发光二极管，从而导致产率的提高和制造成本的降低。
特别地，在冗余结构中，每个子像素用于驱动电路所需的晶体管或电容器的数目可以不增加。这可以通过降低电路部件例如D-IC和G-IC的复杂性来改善面板透射率。
尽管前述内容针对本公开内容的实施方式，但是本领域技术人员可以进行各种修改和变型。因此，这些改变和修改可以包括在本公开内容的范围内。
发明构思
本发明提供了以下发明构思：
1.一种显示面板，包括：
子像素，所述子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管；
扫描信号线和发光控制信号线，所述扫描信号线和所述发光控制信号线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第一方向上延伸；
数据线，所述数据线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第二方向上延伸；
元件区域，其中，每个子像素具有每个元件区域，其中，至少两个发光二极管被布置在每个元件区域中；
多个电熔丝，其中，至少两个电熔丝被布置在每个元件区域中并且分别连接至所述至少两个发光二极管，其中，所述至少两个电熔丝中的至少一个电熔丝已熔断；以及
多个电熔丝晶体管，其中，至少两个电熔丝晶体管分别连接至所述至少两个电熔丝，
其中，每个电熔丝晶体管的栅极节点连接至所述扫描信号线、所述发光控制信号线、或在所述第一方向上延伸的可选的电熔丝扫描信号线中的一个；并且
其中，所述至少两个电熔丝晶体管的所有源极节点连接至在所述第二方向上延伸的、其中用于熔断所述至少两个电熔丝中的未熔断的电熔丝的信号流过的信号线。
2.根据发明构思1所述的显示面板，其中，两个发光二极管被放置在每个元件区域中，
其中，所述两个发光二极管中的第一发光二极管电连接至第一电熔丝晶体管和第一电熔丝，
其中，所述两个发光二极管中的第二发光二极管电连接至第二电熔丝晶体管和第二电熔丝，
其中，所述第一电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述扫描信号线，
其中，所述第二电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述发光控制信号线。
3.根据发明构思2所述的显示面板，其中，熔融晶体管被放置在每个子像素中，
其中，在所述第一方向上延伸的电熔丝控制信号线连接至所述熔融晶体管的栅极节点，
其中，所述熔融晶体管的源极节点连接至所述数据线，
其中，所述熔融晶体管的漏极节点连接至所述第一电熔丝晶体管和所述第二电熔丝晶体管的源极节点。
4.根据发明构思2所述的显示面板，其中，所述第一电熔丝或所述第二电熔丝已熔断。
5.根据发明构思1所述的显示面板，其中，所述未熔断的电熔丝包含比与其相邻的部分窄的部分。
6.根据发明构思1所述的显示面板，其中，每个元件区域具有其中要设置一个发光二极管的备用区域。
7.根据发明构思6所述的显示面板，其中，所述备用区域当前没有发光二极管，
其中，所述第一电熔丝或所述第二电熔丝已熔断。
8.根据发明构思6所述的显示面板，其中，两个发光二极管被放置在每个元件区域中，其中，所述两个发光二极管包括第一发光二极管和第二发光二极管，
其中，连接至所述第一发光二极管的第一电熔丝和连接至所述第二发光二极管的第二电熔丝二者已熔断，其中，另外的发光二极管被设置在所述备用区域中。
9.根据发明构思7所述的显示面板，其中，熔融晶体管被放置在每个子像素中，
其中，在所述第一方向上延伸的电熔丝控制信号线连接至所述熔融晶体管的栅极节点，
其中，所述熔融晶体管的源极节点连接至所述数据线，
其中，所述熔融晶体管的漏极节点连接至所述第一电熔丝晶体管和所述第二电熔丝晶体管的源极节点。
10.根据发明构思6所述的显示面板，其中，所述未熔断的电熔丝包含比与其相邻的部分窄的部分。
11.一种显示面板，包括：
子像素，所述子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管；
扫描信号线和发光控制信号线，所述扫描信号线和所述发光控制信号线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第一方向上延伸；
数据线，所述数据线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第二方向上延伸；
元件区域，其中，每个子像素具有每个元件区域，其中，N个发光二极管被布置在每个元件区域中；
多个电熔丝，其中，N个电熔丝被布置在每个元件区域中并且分别连接至所述N个发光二极管，其中，所述N个电熔丝中的N-1个电熔丝已熔断；以及
多个电熔丝晶体管，其中，N个电熔丝晶体管分别连接至所述N个电熔丝，
其中，每个电熔丝晶体管的栅极节点连接至所述扫描信号线、所述发光控制信号线、或在所述第一方向上延伸的可选的电熔丝扫描信号线中的一个；并且
其中，所述N个电熔丝晶体管的所有源极节点连接至在所述第二方向上延伸的、其中用于熔断所述N个电熔丝中的未熔断的电熔丝的信号流过的信号线。
12.根据发明构思11所述的显示面板，其中，N为三，其中，所述三个发光二极管包括第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，
其中，所述第一发光二极管电连接至第一电熔丝晶体管和第一电熔丝，
其中，所述第二发光二极管电连接至第二电熔丝晶体管和第二电熔丝，
其中，所述第三发光二极管电连接至第三电熔丝晶体管和第三电熔丝，
其中，所述第一电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述扫描信号线，
其中，所述第二电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述发光控制信号线，
其中，所述第三电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述电熔丝扫描信号线。
13.根据发明构思11所述的显示面板，其中，所述未熔断的电熔丝包含比与其相邻的部分窄的部分。
14.一种用于电隔离显示面板中的发光二极管的方法，其中，所述方法包括：
由时序控制器读取关于每个子像素中的多个发光二极管中要被电隔离的发光二极管的信息；
由所述时序控制器基于所读出的信息将信号施加于第一扫描信号线、第一发光控制信号线或电熔丝扫描信号线，以接通对应于所述要被电隔离的发光二极管的电熔丝晶体管；以及
由所述时序控制器将用于熔断连接至所述电熔丝晶体管的电熔丝的信号施加于连接至所述电熔丝晶体管的源极节点的信号线，从而熔断所述电熔丝。
15.根据发明构思14所述的方法，其中，所述方法还包括：当连接至所述第一扫描信号线的子像素中的要被电隔离的第一组发光二极管以及连接至第二扫描信号线的子像素中的要被电隔离的第二组发光二极管被设置在连接至同一数据线的子像素中时，由所述时序控制器同时电隔离所述第一组发光二极管和所述第二组发光二极管。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
子像素，所述子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管；
扫描信号线和发光控制信号线，所述扫描信号线和所述发光控制信号线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第一方向上延伸；
数据线，所述数据线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第二方向上延伸；
元件区域，其中，每个子像素具有每个元件区域，其中，至少两个发光二极管被布置在每个元件区域中；
多个电熔丝，其中，至少两个电熔丝被布置在每个元件区域中并且分别连接至所述至少两个发光二极管，其中，所述至少两个电熔丝中的至少一个电熔丝已熔断；以及
多个电熔丝晶体管，其中，至少两个电熔丝晶体管分别连接至所述至少两个电熔丝，
其中，每个电熔丝晶体管的栅极节点连接至所述扫描信号线、所述发光控制信号线、或在所述第一方向上延伸的可选的电熔丝扫描信号线中的一个；并且
其中，所述至少两个电熔丝晶体管的所有源极节点连接至在所述第二方向上延伸的、其中用于熔断所述至少两个电熔丝中的未熔断的电熔丝的信号流过的信号线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，两个发光二极管被放置在每个元件区域中，
其中，所述两个发光二极管中的第一发光二极管电连接至第一电熔丝晶体管和第一电熔丝，
其中，所述两个发光二极管中的第二发光二极管电连接至第二电熔丝晶体管和第二电熔丝，
其中，所述第一电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述扫描信号线，
其中，所述第二电熔丝晶体管的栅极节点电连接至所述发光控制信号线。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，熔融晶体管被放置在每个子像素中，
其中，在所述第一方向上延伸的电熔丝控制信号线连接至所述熔融晶体管的栅极节点，
其中，所述熔融晶体管的源极节点连接至所述数据线，
其中，所述熔融晶体管的漏极节点连接至所述第一电熔丝晶体管和所述第二电熔丝晶体管的源极节点。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一电熔丝或所述第二电熔丝已熔断。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述未熔断的电熔丝包含比与其相邻的部分窄的部分。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，每个元件区域具有其中要设置一个发光二极管的备用区域。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述备用区域当前没有发光二极管，
其中，所述第一电熔丝或所述第二电熔丝已熔断。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，两个发光二极管被放置在每个元件区域中，其中，所述两个发光二极管包括第一发光二极管和第二发光二极管，
其中，连接至所述第一发光二极管的第一电熔丝和连接至所述第二发光二极管的第二电熔丝二者已熔断，其中，另外的发光二极管被设置在所述备用区域中。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，熔融晶体管被放置在每个子像素中，
其中，在所述第一方向上延伸的电熔丝控制信号线连接至所述熔融晶体管的栅极节点，
其中，所述熔融晶体管的源极节点连接至所述数据线，
其中，所述熔融晶体管的漏极节点连接至所述第一电熔丝晶体管和所述第二电熔丝晶体管的源极节点。
10.一种显示面板，包括：
子像素，所述子像素包括用于驱动发光二极管的驱动晶体管；
扫描信号线和发光控制信号线，所述扫描信号线和所述发光控制信号线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第一方向上延伸；
数据线，所述数据线分别连接至所述子像素并且在所述显示面板的第二方向上延伸；
元件区域，其中，每个子像素具有每个元件区域，其中，N个发光二极管被布置在每个元件区域中；
多个电熔丝，其中，N个电熔丝被布置在每个元件区域中并且分别连接至所述N个发光二极管，其中，所述N个电熔丝中的N-1个电熔丝已熔断；以及
多个电熔丝晶体管，其中，N个电熔丝晶体管分别连接至所述N个电熔丝，
其中，每个电熔丝晶体管的栅极节点连接至所述扫描信号线、所述发光控制信号线、或在所述第一方向上延伸的可选的电熔丝扫描信号线中的一个；并且
其中，所述N个电熔丝晶体管的所有源极节点连接至在所述第二方向上延伸的、其中用于熔断所述N个电熔丝中的未熔断的电熔丝的信号流过的信号线。
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