KR20100121687A - 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치 - Google Patents

적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100121687A
KR20100121687A KR1020107022239A KR20107022239A KR20100121687A KR 20100121687 A KR20100121687 A KR 20100121687A KR 1020107022239 A KR1020107022239 A KR 1020107022239A KR 20107022239 A KR20107022239 A KR 20107022239A KR 20100121687 A KR20100121687 A KR 20100121687A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
conversion layer
support
light
layer
Prior art date
Application number
KR1020107022239A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101084439B1 (ko
Inventor
가즈끼 노다
마사루 이와사와
Original Assignee
쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 filed Critical 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Publication of KR20100121687A publication Critical patent/KR20100121687A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101084439B1 publication Critical patent/KR101084439B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93—Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111—Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158—Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y10T156/1917—Electromagnetic radiation delaminating means [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

연삭 대상 기판과 지지체를 포함하고, 기판이 매우 작은 두께로 연삭되며, 그후, 기판을 손상시키지 않고 지지체로부터 분리될 수 있는 적층체가 제공된다. 본 발명의 일 실시예는 연삭 대상 기판, 연삭 대상 기판과 접촉하는 결합층, 흡광제 및 열 분해성 수지를 포함하는 광열 변환층 및 투광성 지지체를 포함하는 적층체이다. 결합층과 접촉하는 표면에 대향한 지지체 표면을 연삭한 이후, 적층체는 투광층을 통해 조사되며, 투광성 지지체와 기판을 분리시키도록 광열 변환층이 분해된다.

Description

적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치{LAMINATE BODY, METHOD, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING ULTRATHIN SUBSTRATE USING THE LAMINATE BODY}
본 발명은 지지체상에 고착된 실리콘 웨이퍼 같은 연삭 대상 기판이 지지체로부터 쉽게 분리될 수 있는 적층체에 관련하며, 또한, 이 적층체를 제조하기 위한 방법 및 장치와 초박형 기판을 생산하기 위한 방법 및 장치에 관련한다.
다양한 분야에서, 기판의 두께를 감소시키는 것이 바람직한 경우가 많다. 예로서, 석영 디바이스의 분야에서, 발진 주파수를 증가시키도록 석영 웨이퍼의 두께를 감소시키는 것이 바람직하다. 특히, 반도체 산업에서, 칩 적층 기술에 의한 고밀도 제조 및 반도체 패키지의 두께 저감의 목적에 응하여, 반도체 웨이퍼의 두께를 보다 감소시키기 위한 노력이 진행중이다. 두께 저감은 패턴-형성된 회로를 포함하는 표면 반대쪽 표면상의 반도체 웨이퍼의 소위 이면측 연삭에 의해 수행된다. 일반적으로, 웨이퍼의 이면측 또는 표면을 연삭하고, 이면 연삭 보호 테이프만으로 웨이퍼를 유지하면서 이를 이송하는 종래 기술에서, 연삭된 웨이퍼의 평탄하지 않은 두께 또는 연삭 이후에 보호 테이프를 가진 웨이퍼의 왜곡 같은 문제 때문에, 실제로는 단지 약 150마이크로미터(㎛)의 두께까지만 두께 저감이 달성될 수 있다. 예로서, 일본 특개평 제6-302569호(Kokai)는 압력-감응 접착 테이프를 통해 링-형상 프레임상에 웨이퍼가 유지되고, 프레임상에 유지된 이 웨이퍼의 이면이 연삭되며, 웨이퍼가 다음 단계로 이송되는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 이 방법은 상술한 비균일성 또는 왜곡의 문제점을 겪지 않고 달성될 수 있는 현재의 웨이퍼 두께 수준 보다 현저한 진보를 아직 달성하지 못한다.
접착제를 통해 경질 지지체상에 웨이퍼를 견고히 고착한 상태로, 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 이를 이송하는 방법도 제안되었다. 이는 이런 지지체를 사용하여 웨이퍼를 지지함으로써 이면 연삭 및 이송 동안 웨이퍼의 파괴를 방지하는 것을 목적으로 한다. 이 방법에 따라서, 웨이퍼는 상술한 방법에 비해 보다 낮은 두께 수준으로 가공될 수 있으나, 초박형 웨이퍼는 웨이퍼를 파손시키지 않고서는 이 지지체로부터 분리될 수 없으며, 따라서, 이 방법은 반도체 웨이퍼의 박화 방법으로서는 실질적으로 사용될 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 연삭 대상 기판이 지지체상에 고착되고, 연삭 대상 기판이 지지체로부터 쉽게 박리될 수 있는 적층체를 제공하는 것이다. 본 발명의 목적은 이 적층체를 제조하는 방법과, 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치를 제공하는 것을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 적층체가 제공되며, 이 적층체는 연삭 대상 기판, 상기 연삭 대상 기판과 접촉하는 결합층, 흡광제 및 열 분해성 수지를 포함하는 광열 변환층 및 투광성 지지체를 포함한다. 결합층과 접촉하는 기판 표면에 대향한 기판 표면을 연삭한 이후, 광열 변환층을 분해시키고, 기판과 투광성 지지체를 분리시키기 위해 투광층을 통해 기판이 조사될 수 있다. 이 적층체에서, 매우 작은 두께로 연삭된 기판이 기판 파괴 없이 지지체로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 상술한 적층체 제조 방법이 제공되며, 이 방법은 흡광제와 열 분해성 수지 용액이나 열 분해성 수지의 전구체 재료로서의 단량체(monomer) 또는 저중합체(oligomer)를 포함하는 광열 변환층 전구체를 투광성 지지체상에 코팅하는 단계, 투광성 지지체상에 광열 변환층을 형성하도록 광열 변환층 전구체를 응고 또는 경화하도록 건조하는 단계, 결합층을 형성하도록 광열 변환층에 또는 연삭 대상 기판에 접착제를 도포하는 단계, 및 적층체를 형성하도록 감압하에 결합층에 의해 광열 변환층과 연삭 대상 기판을 결합하는 단계를 포함한다.
연삭 대상 기판과 투광성 지지체를 감압하에 결합층을 통해 결합시킴으로써, 적층체 내측에 기포 또는 먼지 오염물이 형성되는 것이 방지되며, 그래서, 수평면이 형성될 수 있고, 기판이 연삭 이후 두께의 평탄성을 유지할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 투광성 지지체상에 형성된 광열 변환층이 감압하에 결합층을 통해 연삭 대상 기판상에 적층되는 상술한 적층체를 제조하기 위한 장치가 제공되며, 이 장치는 (1) 사전지정된 압력으로 감압될 수 있는 진공 챔버, (2) 진공 챔버내에 제공되며, (i) 연삭 대상 기판 또는 (ii) 광열 변환층이 그 위에 형성되어 있는 투광성 지지체 중 어느 한쪽이 그 위에 배치되는 지지부, 및 (3) 진공 챔버내에 제공되며, 지지부의 상부 부분에서 수직 방향으로 이동할 수 있는 유지/결합해제 수단을 포함하며, 이 유지/결합해제 수단은 그 외주 가장자리에서 광열 변환층이 그 위에 형성되어 있는 투광성 지지체 또는 연삭 대상 기판 중 나머지 하나를 유지할 수 있으며, 또한, 연삭 대상 기판과 광열 변환층이 밀접할 때, 이를 결합해제할 수 있다.
이 장치가 사용될 때, 감압하에 적층체가 제조되기 때문에, 기포 및 먼지 오염물이 적층체내에 형성되는 것이 방지될 수 있으며, 또한, 유지/결합해제 수단에 의해 적층 대상 표면이 손상되지 않는다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 감소된 두께의 기판을 제조하는 방법이 제공되며, 이 방법은 상술된 적층체를 준비하는 단계, 기판을 원하는 두께로 연삭하는 단계, 연삭 이후, 광열 변환층을 분해시켜 투광성 지지체로부터 기판을 분리시키도록 투광성 지지체를 통해 광열 변환층을 조사하는 단계, 및 연삭 이후 기판으로부터 결합층을 박리시키는 단계를 포함한다. 이 방법에서, 기판은 기지체상에서 원하는 두께(예로서, 150㎛ 이하, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 25㎛ 이하)로 연삭될 수 있으며, 연삭 이후, 방사 에너지에 대한 노출을 사용하여 기판으로부터 지지체가 분리되며, 그래서, 연삭 이후 기판상에 잔류하는 결합층이 기판으로부터 쉽게 박리될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 연삭된 기판을 제조하는 장치를 제공하며, 이 장치는 상술된 바 및 보다 상세히 후술된 바와 같이, 적층체의 기판을 연삭하도록 적용되는 연삭기, 연삭 이후, 상기 광열 변환층을 분해시켜 상기 기판과 상기 투광성 지지체를 분리시키도록 상기 투광성 지지체를 통해 상기 광열 변환층에 충분히 높은 방사 에너지를 제공할 수 있는 방사 에너지원, 및 상기 기판으로부터 상기 결합층을 제거하도록 적용되는 분리기를 포함한다.
본 발명의 적층체는 기판을 손상시키지 않고, 매우 작은 두께로 연삭된 기판을 지지체로부터 분리할 수 있게 한다. 지지체 및 기판은 레이저 빔 같은 방사 에너지에 의해 분리되며, 그래서, 결합층이 박리에 의해 기판으로부터 쉽게 분리될 수 있고, 초박형 기판이 기판 손상 없이 제조될 수 있다.
도1a 내지 도1f는 본 발명의 몇몇 실시예를 도시하는 단면도이다.
도2a 및 도2b는 본 발명에 유용한 진공 접착 디바이스를 도시하는 단면도이다.
도3은 본 발명의 방법에 유용한 연삭 디바이스의 부분 단면도이다.
도4a 내지 도4e는 지지체를 분리하고, 결합층을 박리하는 단계를 도시하는 도면이다.
도5는 레이저 빔 조사 단계에 사용될 수 있는 적층체 고착 디바이스의 단면도이다.
도6a 내지 도6f는 레이저 조사 디바이스의 사시도이다.
도7a 및 도7b는 웨이퍼와 지지체를 분리하는 작업에 사용되는 픽-업(pick-up)의 개략도이다.
도8은 웨이퍼로부터 결합층이 박리되는 방식을 도시하는 개략도이다.
도9는 결합층의 접착 강도를 측정하기 위한 장치의 개략도이다.
본 발명의 적층체의 한 가지 중요한 구성 특징은 연삭 대상 기판과 투광성 지지체 사이에 광열 변환층이 제공된다는 것이다. 광열 변환층은 레이저 빔 같은 방사 에너지로 조사시 분해되어 기판이 어떠한 파괴도 유발하지 않고 지지체로부터 분리될 수 있다. 따라서, 본 발명은 종래의 방법에 의해 달성될 수 없는 두께 범위로 박화된 기판을 제공한다.
도1a 내지 도1f는 본 발명의 적층체의 일부 실시예를 도시한다. 도1a의 적층체(1)에서, 연삭 대상 기판(2), 결합층(3), 광열 변환층(4) 및 지지체(5)가 이 순서로 적층되어 있다. 또한, 도1b에 도시된 바와 같이, 결합층(3)은 그 양면상에 압력-감응 접착제(7)가 제공되어 있는 제1 중간층(막)(6)을 포함하는 양면 접착 테이프(8)일 수 있다. 또한, 도1c 및 도1d에 도시된 바와 같이, 결합층(3)은 광열 변환층(4)과 일체인 양면 접착 테이프(8)일 수 있다. 또한, 도1e에 도시된 바와 같이, 결합층(3)은 광열 변환층(4) 자체가 압력-감응 접착 특성을 가지는 압력-감응 접착 광열 변환층(4')을 포함하는 양면 접착 테이프(8)일 수 있다. 도1f에 도시된 바와 같이, 제1 중간층(6)이 결합층(3)과 광열 변환층(4) 사이에 제공되고, 제2 중간층(9)이 광열 변환층(4)과 지지체(5) 사이에 제공되며, 제2 중간층(9)과 지지체(5)는 다른 결합층(3')을 통해 결합된다.
본 발명의 적층체를 포함하는 요소를 보다 상세히 후술한다.
기판
기판은 예로서, 종래의 방법에 의한 박화가 곤란한 취성 재료일 수 있다. 그 예는 실리콘 및 갈륨 비화물 같은 반도체 웨이퍼, 수정 웨이퍼, 사파이어 및 유리를 포함한다.
투광성 지지체
투광성 지지체는 본 발명에 사용되는 레이저 빔 같은 방사 에너지를 투과시킬 수 있는 재료이며, 이 재료는 연삭체를 평탄한 상태로 유지하고, 연삭 및 이송 동안 파괴되지 않도록 하기 위해 필요하다. 지지체의 투광성은 광열 변환층의 분해를 가능하게 하기 위해 실용적 강도 수준의 방사 에너지의 광열 변환층내로의 투과를 방지하지 않는 한 제한되지 않는다. 그러나, 투과율은 예로서, 50% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 연삭 동안 연삭체가 왜곡되는 것을 방지하기 위해, 투광성 지지체는 충분히 높은 강성을 가지는 것이 바람직하며, 지지체의 굴곡 강도는 바람직하게는 2 x 10-3(Pa·m3) 이상, 보다 바람직하게는 3 x 10-2(Pa·m3) 이상이다. 유용한 지지체의 예는 유리판 및 아크릴판을 포함한다. 또한, 광열 변환층 같은 인접층에 대한 접착 강도를 향상시키기 위해, 지지체는 필요시, 시레인 결합제 등으로 표면 처리될 수 있다. UV-경화성 광열 변환층 또는 결합층을 사용하는 경우, 지지체는 자외선을 투과시킬 수 있는 것이 바람직하다.
광열 변환층이 조사될 때, 또는, 연삭 동안 마찰열로 인해 높은 온도가 형성될 때, 광열 변환층내에 발생된 열에 지지체가 종종 노출된다. 또한, 지지체상에 금속 막을 형성할 목적으로, 지지체로부터 연삭된 기판을 분리하기 이전에 기상 증착, 도금 또는 에칭 같은 처리가 부가적으로 제공될 수 있다. 특히, 실리콘 웨이퍼의 경우에, 지지체는 종종 산화막을 형성하기 위한 고온 처리를 받게 된다. 따라서, 내열성, 내화학성 및 낮은 열 팽창 계수를 가지는 지지체가 선택된다. 이들 특성을 갖는 지지체 재료의 예는 PyrexTM 및 TenpaxTM으로서 입수할 수 있는 붕규산 유리(borosilicate glass) 및 CorningTM #1737 및 #7059 같은 알칼리 토류 붕소-알루미노규산염 유리(alkaline earth boro-aluminosilicate glass)를 포함한다.
기판의 연삭 이후 원하는 두께 균일성을 획득하기 위해, 지지체의 두께는 균일한 것이 바람직하다. 예로서, 실리콘 웨이퍼를 50㎛으로 연삭하여 ±10% 이하의 평탄도를 얻기 위해, 지지체의 두께의 변이성(variability)은 ±2㎛ 이하로 감소되어야만 한다. 지지체가 반복적으로 사용되는 경우, 지지체는 또한 긁힘 내성을 가지는 것이 바람직하다. 지지체를 반복적으로 사용하기 위해서, 방사 에너지의 파장 및 지지체는 방사 에너지에 의한 지지체에 대한 손상을 억제하도록 선택되어야만 한다. 예로서, Pyrex 유리가 지지체로서 사용되고, 제3 조화파 생성 YAG 레이저(355nm)가 사용될 때, 지지체와 기판의 분리가 수행될 수 있지만, 그러나, 이런 지지체는 이 레이저의 파장에서 낮은 투과율을 나타내고 방사 에너지를 흡수하며, 결과적으로 지지체는 열적으로 손상되고, 일부 경우에는 재사용될 수 없다.
광열 변환층
광열 변환층은 흡광제 및 열 분해성 수지를 포함한다. 레이저 빔 등의 형태로 광열 변환층에 인가되는 방사 에너지는 흡광제에 의해 흡수되고, 열 에너지로 변환된다. 발생된 열 에너지는 광열 변환층의 온도를 급격히 상승시키고, 온도는 광열 변환층내의 열 분해 수지(유기 성분)의 열 분해 온도에 도달하여 수지의 열 분해를 초래한다. 열 분해에 의해 발생된 가스는 열 변환층내에 공극층(공간 같은)을 형성하고, 광열 변환층을 두 부분으로 분할하는 것으로 믿어지며, 그에 의해 지지체와 기판이 분리된다.
흡광제는 사용되는 파장의 방사 에너지를 흡수한다. 방사 에너지는 일반적으로 300 내지 11,000나노미터(nm), 바람직하게는 300 내지 2,000nm의 파장을 가지는 레이저 빔이며, 그 구체적인 예는 1,064nm의 파장으로 광을 방출하는 YAG 레이저, 532nm의 파장의 제2 조화파 생성 YAG 레이저, 및, 780 내지 1,300nm의 파장의 반도체 레이저를 포함한다. 비록, 흡광제가 레이저 빔의 파장에 의존하여 변하지만, 사용될 수 있는 흡광제의 예는 카본 블랙, 흑연 분말, 극소입자 금속 분말로서 철, 알루미늄, 구리, 니켈, 코발트, 망간, 크롬, 아연 및 텔루르 같은 극소입자 금속 분말, 금속 산화물 분말로서 블랙 티타늄 산화물 같은 금속 산화물 분말 및 염료 및 안료로서 방향성 디아미노-기반 금속 합성체(aromatic diamino-based metal complex), 지방성 디아민-기반 금속 합성체(aliphatic diamine-based metal complex), 방향성 디티올-기반 금속 합성체(aromatic dithiol-base metal complex), 머캅토페놀-기반 금속 합성체(mercaptophenol-based metal complex), 스쿠아릴륨-기반 화합물(squarylium-based compound), 시아닌-기반 염료(acyanine-based dye), 메틴-기반 염료(methine-based dye), 나프토퀴논-기반 염료(naphthoquinone-based dye) 및 안스스라퀴논-기반 염료(anthraquinone-based dye) 같은 염료 및 안료를 포함한다. 흡광제는 기상 증착된 금속막을 포함하는 막의 형태일 수 있다. 이들 흡광제 중에서, 카본 블랙이 특히 유용하며, 그 이유는, 카본 블랙이 조사 이후 지지체로부터 기판을 분리시키기 위해 필요한 힘을 현저히 감소시키고, 분리를 가속하기 때문이다.
광열 변환층내의 흡광제의 농도는 흡광제의 종류, 입자 상태(구조) 및 분산도에 따라 변하지만, 농도는 약 5 내지 500nm의 입자 크기를 가지는 일반적인 카본 블랙의 경우에, 일반적으로 5 내지 70vol%이다. 농도가 5vol% 미만인 경우, 광열 변환층의 열 발생이 열 분해성 수지의 분해에 불충분할 수 있으며, 70vol%를 초과하는 경우, 광열 변환층의 성막 특성이 열악해지고, 다른 층에 대한 접합부의 손상을 쉽게 유발할 수 있다. 결합층으로서 사용되는 접착제가 UV-경화성 접착제인 경우, 카본 블랙의 양이 과도하게 많으면, 접착제를 경화시키기 위한 자외선의 투과율이 감소한다. 따라서, 결합층으로서 UV-경화성 접착제를 사용하는 경우, 카본 블랙의 양은 60vol% 이하여야 한다. 조사 이후 지지체 제거시의 힘을 감소시켜 연삭 동안의 광열 변환층의 마모(세척수내의 연마제로 인한 마모 같은)를 방지하기 위해, 카본 블랙은 20 내지 60vol%의 양으로, 보다 바람직하게는 35 내지 55vol%의 양으로 광열 변환층내에 포함되는 것이 바람직하다.
사용될 수 있는 열 분해성 수지의 예는 젤라틴(gelatin), 셀룰로스(cellulose), 셀룰로스 에스터(cellulose ester)(예로서, 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 니트로셀룰로스(nitrocellulose)), 폴리페놀(polyphenol), 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral), 폴리 비닐 아세탈(polyvinyl acetalc), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리에스터(polyester), 폴리오르소에스터(polyorthoester), 폴리아세틸(polyacetal), 폴리비닐 알콜polyvinyl alcohol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 비닐리덴 클로라이드(vinylidene chloride)와 아크릴로니트릴(acrylonitrile)의 공중합체, 폴리(메쓰)아크릴레이트(poly (meth) acrylate), 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl chloride), 실리콘 수지 및 블록 공중합체로서 폴리우레탄 단위체를 포함하는 블록 공중합체를 포함한다. 이들 수지는 개별적으로 또는 둘 이상의 그 조합으로 사용될 수 있다. 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 열 분해성 수지의 열 분해의 결과로서 공극층의 형성으로 인해 분리되고 나면 광열 변환층의 재접착을 방지하도록 실온(20℃) 이상인 것이 바람직하며, Tg는 재접착을 방지하도록 100℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 투광성 지지체가 유리인 경우에, 유리와 광열 변환층 사이의 접착력을 증가시키기 위해, 유리 표면상의 실라놀기(silanol group)에 수소-결합할 수 있는 극성기(polar group)(예로서, -COOH, -OH)를 분자내에 가지는 열 분해성 수지가 사용될 수 있다. 또한, 화학 에칭 같은 화학액 처리를 필요로하는 응용분야에서, 광열 변환층에 내화학성을 부여하기 위해, 열처리시 자가-교차결합(self-crosslinking)할 수 있는 기능기를 분자내에 가지는 열분해성 수지, 자외선 또는 가시광에 의해 교차 결합될 수 있는 열 분해성 수지 또는 그 전구체(예로서, 단량체 및/또는 저중합체의 혼합물)가 사용될 수 있다. 도1e에 도시된 바와 같이, 압력-감응 접착제 광열 변환층으로서 광열 변환층을 형성하기 위해, 열 분해서 수지를 위해 사용될 수 있는 폴리(메쓰)아크릴레이트 등으로부터 형성된 압력-감응 접착제 폴리머가 사용된다.
투명 충전재
광열 변환층은 필요시 투명 충전재를 포함할 수 있다. 투명 충전재는 열 분해성 수지의 열 분해의 결과로서의 공극층의 형성으로 인해 분리되고 나면 광열 변환층의 재접착을 방지하도록 기능한다. 따라서, 기판의 연삭 및 후속 조사 이후, 기판과 지지체의 분리를 위해 필요한 힘이 추가로 감소될 수 있다. 또한, 재접착이 방지될 수 있기 때문에, 열 분해성 수지의 선택의 범위가 확장된다. 투명 충전재의 예는 실리카, 운모(talc) 및 바륨 황산염을 포함한다. 투명 충전재의 사용은 UV-경화성 접착제가 결합층으로서 사용될 때 특히 유리하다. 이는 현재 하기의 이유에 기인한 것으로 믿어진다. 카본 블랙 같은 입상 흡광제가 사용될 때, 흡광제는 분리를 위한 힘을 감소시키는 기능을 가지며, 또한, 자외광의 투과를 방해하도록 기능한다. 따라서, UV-경화성 접착제가 결합층으로서 사용될 때, 경화가 만족스럽게 진행되지 않거나, 매우 긴 시간을 소요할 수 있다. 이런 경우에, 투명 충전재가 사용될 때, 기판 및 지지체는 UV-경화성 접착제의 경화를 방해하지 않고 조사 이후 쉽게 분리될 수 있다. 카본 블랙 같은 입상 흡광제가 사용될 때, 투명 충전재의 양은 흡광제의 총 양에 의해 결정될 수 있다. 광열 변환층내의 투명 충전재 및 입상 흡광제(예로서, 카본 블랙)의 총 양은 광열 변환층의 체적에 기초하여 5 내지 70vol%인 것이 바람직하다. 이 범위의 총 양에서, 기판과 지지체의 분리를 위한 힘이 현저히 감소될 수 있다. 그러나, 분리를 위한 힘은 또한 입상 흡광제 및 투명 충전재의 형상에 의해 영향을 받는다. 보다 구체적으로, 분리를 위한 힘은 거의 구형 같은 입자 형상이 비교적 단순한 경우 보다 입자 형상이 복잡한 경우(보다 복잡한 구조로부터 초래되는 입자 상태)에 때때로 작은 충전재 양으로 보다 효과적으로 감소된다.
따라서, 입상 흡광제와 투명 충전재의 총 양은 일부 경우에 "최고 충전재 체적 농도"(TFVC; top filler volume concentration)에 기초하여 사전지정된다. 이는 입상 흡광제 및 투명 충전재의 혼합물이 마른 상태로 남아있고, 열 분해성 수지가 공극의 체적을 꼭 맞게 충전하는 양의 충전재와 혼합될 때의 충전재 체적 농도를 의미한다. 즉, 열 분해성 수지가 입상 흡광제와 투명 충전재의 혼합물내의 공극의 체적을 꼭 맞게 충전하는 양의 충전재와 혼합될 때의 TFVC가 최고 충전재 체적 농도의 100%이다. 광열 변환층내의 투명 충전재 및 입상 흡광제의 총 양은 바람직하게는 최고 충전재 체적 농도의 80% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상이다. 추가 설명으로, 충전재(예로서, 카본 블랙 및 투명 충전재)의 총 체적 백분율은 "A"로 표시되고, 최고 충전재 체적 농도(TFVC)(충전재의 공극 체적을 충전하는 수지와의 충전재의 총 체적 백분율)는 "B"로 표시되며, 이때, A/B는 약 80% 이상인 것이 바람직하다(보다 바람직하게는 A/B>90%).
충전재의 공극 체적은 단위 중량의 충전재의 공극 체적을 충전하기 위해 필요한 액체 양의 오일 흡수로서 나타내질 수 있다. 카본 블랙에 관하여, 판매상 카달로그의 측정된 수치가 사용되며, 투명 충전재(예로서, 실리카)에 관하여, 이 종류의 실리카의 일반적 수치(200g/cc)가 사용된다.
어떠한 이론으로도 정립되지는 않았지만, 현재로서는 광열 변환층내의 흡광제(예로서, 카본 블랙)는 투명 지지체를 통해 조사된 레이저 에너지를 흡수하고, 이를 열로 변환하며, 이 열이 매트릭스-수지를 분해하고, 가스 또는 공극을 형성하는 것으로 믿어진다. 결과적으로, 공극은 이 층을 2개의 층 같은 부분으로 분리하며, 그후, 반도체 웨이퍼가 지지체로부터 결합해제된다. 공극에 의해 분리된 표면은 소정 시간에 표면에 재접촉할 수 있다. 표면은 카본 블랙 입자 및 잔류 수지를 가지며, 이 수지는 열 분해에 의해 분자량이 감소되어 있다. 재접촉(예로서, 재접착)시, 이 잔류 수지는 접착을 증가시킬 수 있다. 한편, 광열 변환층 뿐만 아니라, 접착제층도 연성일 때, 재접촉 면적은 비교적 클 수 있으며, 이는 접착을 보다 커지게 하며, 손상 또는 파손 없이 지지체로부터 초박형 웨이퍼를 결합해제시키는 것을 매우 곤란하게 한다. 본 발명에서, A/B>80%, 바람직하게는 A/B>90%로 설정함으로써, 결합해제면상의 잔류 접착제가 감소된다. 그에 의해, 재접촉에 의해 생성되는 접착이 최소화될 수 있다. 또한, A/B>80% 또는 90%를 충족하도록 투명 충전재와 함께 카본 블랙의 양을 상승시킴으로써, 적어도 광열 변환층을 위해 바람직한 두께가 유지될 수 있으며, 동시에, 접착제층이 UV 경화형으로 이루어질 때 필요한 바와 같은 UV 투과성이 유지될 수 있다.
따라서, 총 양이 이 범위일 때, 기판과 지지체는 조사 이후 쉽게 분리된다.
광열 변환층의 두께는 일반적으로 약 0.5㎛이다. 두께가 낮을 때, 결합해제면에 대한 인접 접착제층의 부분적 노출이 발생하며, 이는 특히 접착제층이 비교적 연성일 때 결합해제면의 접착을 향상시킬 수 있으며, 이는 초박형 웨이퍼의 제거(파괴 없이)를 곤란하게 할 수 있다.
광열 변환층은 필요시 다른 첨가제를 포함할 수 있다. 예로서, 단량체 또는 저중합체의 형태의 열 분해성 수지를 코팅함으로써 층을 형성하고, 그후 이 수지를 중합 또는 경화하는 경우, 층은 광-중합 개시제를 포함할 수 있다. 또한, 유리와 광열 변환층 사이의 접착력을 증가시키기 위한 결합제의 추가(통합 혼합법, 즉, 결합제가 사전-표면-처리제로서가 아니라 조성물내의 첨가제로서 사용됨) 및 내화학성을 향상시키기 위한 교차 결합 보조제의 추가가 그 각각의 목적을 달성할 수 있다. 또한, 광열 변환층의 분해에 의한 분리를 촉진하기 위해, 저온 가스 생성자가 포함될 수 있다. 사용할 수 있는 저온 가스 생성자의 대표적 예는 발포제 및 승화제를 포함한다. 발포제의 예는 소듐 하이드로겐카보네이트(sodium hydrogencarbonate), 암모늄 카보네이트(ammonium carbonate), 암모늄 하이드로겐카보네이트(ammonium hydrogencarbonate), 아연 카보네이트(zinc carbonate), 아조디카본아미드(azodicarbonamide),아조비시조부틸로니트릴(azobisisobutylonitrile), N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민(N, N'-dinitrosopentamethylenetetramine), p-톨루엔설포닐하이드라진(p-toluenesulfonylhydrazine) 및 p,p-옥시비스(p,p-oxy bis)(벤젠설포닐하이드라지드(benzenesulfonylhydrazide))를 포함한다. 승화제의 예는 2-디아조-5,5-디메틸사이클로헥산-1,3-디온(2-diazo-5,5-dimethylcyclohexane -1,3-dione), 캠퍼(camphor), 나프탈렌(naphthalene), 보르네올(borneol), 부티르아미드(butyramide), 발레르아미드(valeramide), 4-테르트-부틸페놀(4-tert-butylphenol), 푸란-2-카르복실 산(furan-2-carboxylic acid), 수시닉 안하이드리드(succinic anhydride), 1-아다만타놀(1-adamantanol) 및 2-아다만타논(2-adama ntanone)을 포함한다.
광열 변환층은 전구체 코팅 용액을 준비하도록 카본 블랙 같은 흡광제, 열 분해성 수지 및 솔벤트를 혼합하고, 이 용액을 지지체상에 코팅하고, 이를 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 또한, 광열 변환층은 흡광제, 열 분해성 수지를 위한 전구체 재료로서의 단량체 또는 저중합체, 및 선택적으로, 광-중합 개시제 같은 첨가제와 필요시 솔벤트를 혼합하여 열 분해성 수지 용액 대신 전구체 코팅 용액을 준비하고, 이 용액을 지지체상에 코팅하고, 이를 건조 및 중합/경화함으로서 형성될 수 있다. 코팅을 위해, 스핀 코팅, 다이 코팅 및 롤 코팅 같은 경질 지지체상의 코팅에 적합한 일반적 코팅 방법이 사용될 수 있다. 도1c 내지 도1e에 도시된 바와 같이 양면 테이프에 광열 변환층을 형성하는 경우에, 광열 변환층은 다이 코팅, 그라비어 코팅(gravure coating) 및 나이프 코팅(knife coating) 같은 코팅 방법을 사용함으로써 막상에 형성될 수 있다.
일반적으로, 지지체와 기판의 분리를 허용하는 한, 광열 변환층의 두께는 제한적이지 않지만, 일반적으로 0.1㎛ 이상이다. 두께가 0.1㎛ 미만인 경우에, 충분한 흡광을 위해 필요한 흡광제의 농도가 높아지고, 이는 성막 특성을 열화시키며, 결과적으로, 인접 층에 대한 접착이 불량이 될 수 있다. 한편, 광열 변환층의 열 분해에 의한 분리를 허용하기 위해 필요한 일정한 흡광제 농도를 유지하면서, 광열 변환층의 두께가 5㎛ 이상인 경우, 광열 변환층(또는 그 전구체)의 광 투과율이 낮아진다. 결과적으로, 광-경화성, 예로서, 자외선(UV)-경화성 광열 변환층 및 결합층이 사용될 때, 종종, 경화 프로세스가 충분히 경화된 제품을 얻을 수 없는 범위로 억제된다. 따라서, 광열 변환층이 예로서, 자외선-경화성인 경우, 조사 이후 지지체로부터의 기판의 분리를 위해 필요한 힘을 최소화하고, 연삭 동안 광열 변환층의 마모를 방지하기 위해, 광열 변환층의 두께는 바람직하게는 약 0.3 내지 3㎛, 보다 바람직하게는 약 0.5 내지 약 2.0㎛이다.
결합층
연삭 대상 기판을 광열 변환층을 통해 지지체에 고착하기 위해 결합층이 사용된다. 광열 변환층의 분해에 의한 기판과 지지체의 분리 이후, 결합층을 그 위에 가지는 기판이 얻어진다. 따라서, 결합층은 박리 등에 의해 기판으로부터 쉽게 분리되어야만 한다. 따라서, 결합층은 지지체에 기판을 고착하기에 충분히 높지만 기판으로부터의 분리를 허용하기에 충분하게 낮은 접착 강도를 갖는다. 본 발명에서 결합층으로서 사용될 수 있는 접착제의 예는 고무, 엘라스토머 등을 솔벤트에 용해시킴으로써 얻어진 고무-기반 접착제, 에폭시, 우레탄 등에 기초한 1-부분 열경화성 접착제, 에폭시, 우레탄, 아크릴 등에 기초한 2-부분 열경화성 접착제, 고온 용융 접착제, 아크릴, 에폭시 등에 기초한 자외선(UV) 또는 전자 빔 경화성 접착제, 및 수성 접착제를 포함한다. (1) 우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 또는 폴리에스터 아크릴레이트 같은 중합형 비닐기를 가지는 저중합체 및/또는 (2) 아크릴 또는 메타크릴 단량체에 대한 첨가제에 광-중합성 개시제 및 필요시 첨가제를 추가함으로써 얻어진 UV-경화성 접착제가 적절히 사용된다. 첨가제의 예는 농후제, 가소제, 분산제, 충전재, 방화제 및 열 안정제를 포함한다.
특히, 실리콘 웨이퍼 같은 연삭 대상 기판은 일반적으로, 일 측부상에 회로 패턴 같은 울퉁불퉁한 부분을 가진다. 결합층에 대하여, 연삭 대상 기판의 울퉁불퉁한 부분을 메우고, 결합층의 두께를 정제하기 위해, 결합층을 위해 사용되는 접착제는 코팅 및 적층 동안 액체 상태인 것이 바람직하며, 코팅 및 적층 작업의 온도(예로서, 25℃)에서 10,000 센티푸아즈(cps) 미만의 점도를 갖는 것이 바람직하다. 이 액체 접착제는 후술된 다양한 방법 중 스핀 코팅법에 의해 코팅되는 것이 바람직하다. 이런 접착제로서, UV-경화성 접착제 및 가시광-경화성 접착제가 특히 바람직하며, 그 이유는 결합층의 두께가 균일해질 수 있으며, 또한, 상술한 이유로 처리 속도가 높기 때문이다.
접착제의 저장 계수는 솔벤트형 접착제의 경우에는 접착제의 솔벤트의 제거 이후, 경화성 접착제의 경우에는 경화 이후, 또는 고온 용융 접착제의 경우에는 상온 응고 이후의 사용 상태하에서, 25℃에서 100MPa 이상, 50℃에서 10MPa 이상인 것이 바람직하다. 이 탄성 계수에서, 연삭 대상 기판은 연삭 동안 부여되는 응력으로 인한 왜곡 또는 변형이 방지될 수 있으며, 초박형 기판으로 균일하게 연삭될 수 있다. 본 명세서에서 사용될 때, 저장 계수 또는 탄성 계수는 예로서, 5℃/min의 온도 구배율, 0.04%의 변형 및 1Hz의 주파수의 인장 모드에서 22.7mm x 10mm x 50㎛의 접착제 샘플 크기에 대하여 측정된다. 이 저장 계수는 Rheometrics, Inc.에 의해 제조된 SOLIDS ANALYZER RSA II(상표명)를 사용하여 측정될 수 있다.
결합층으로서, 도1b 및 도1e에 도시된 양면 접착 테이프가 사용될 수 있다. 이런 양면 접착 테이프에서, 일반적으로, 배킹 재료의 양 표면상에 압력 감지 접착제층이 제공된다. 일반적인 압력-감응 접착제는 아크릴, 우레탄, 천연 고무 등을 주로 포함하는 것들 및 교차결합 보조제를 추가로 포함하는 것들을 포함한다. 이들 중, 주 성분으로서 2-에틸헥실아크릴레이트(2-ethylhexylacrylate) 또는 부틸 아크릴레이트(butyl acrylate)를 포함하는 접착제가 바람직하다. 배킹 재료를 위해, 종이 또는 플라스틱 막 등이 사용된다. 여기서, 배킹은 박리에 의한 기판으로부터의 결합층의 분리를 가능하게 하도록 충분히 높은 가요성을 가져야만 한다.
또한, 기판을 초박 두께로 연삭하는 경우에, 특정 광경화성 접착제가 바람직하게 사용된다는 것이 판명되었다. 50㎛ 이하의 초박 두께로의 기판의 연삭은 종종 기판과 결합층 사이의 경계면내로의 물의 침투, 기판의 가장자리 파손 또는 기판의 중앙부의 손상 같은 문제를 유발하는 경우가 많다. 이들 문제점을 피하기 위해, 연삭은 일반적으로 보다 느린 속도로 수행된다. 이는 150㎛ 이상의 통상적인 최종 두께를 위해 사용되는 것들의 2배 만큼 많은 연삭 시간을 초래한다. 이는 예로서, 손상을 방지하기 위해 연삭 휠의 회전수를 감소시킴으로써 이루어진다. 일반적으로, 초박형 반도체 웨이퍼는 이면 연삭 이후 잔류하는 손상층(단결정이 아닌 연삭에 의해 손상된 층)을 제거하는 연마 단계를 받게 된다. 연삭 또는 연마 단계에서, 연삭 속도, 기판과 결합층 사이의 경계면내로의 물의 침투, 기판의 가장자리 파손 또는 기판의 중앙부의 손상 같은 문제를 연삭 속도를 희생시키지 않고 회피하기 위해, 실시예에 후술되어 있는 바와 같이 측정할 때, 연삭 대상 기판에 대한 결합층의 접착 강도(인열 모드, 도9 및 하기의 설명 참조)는 적어도 약 2.0(N/3.5cm2)이다.
광경화성 접착제가 연삭 대상 기판상에서 경화될 때, 경화 수축으로 인해 접착 면적이 감소되며, 기판에 대한 접착력이 감소되기 쉽다, 상술한 접착 강도를 보증하기 위해, 광경화성 접착제는 유리 전이 온도(Tg) 보다 높은 온도로의 가열하에서 접착 강도가 복원될 수 있는 접착제인 것이 바람직하다. 이런 접착제는 25 내지 180℃의 온도에서 측정시 3.0x107 내지 7.0x107Pa의 최소 저장 계수를 갖는다. 최소 저장 계수가 너무 높은 경우, 충분히 큰 접착 강도가 얻어질 수 없으며, 이는 기판과 결합층 사이의 경계면으로의 물의 침투, 기판의 가장자리 파손 또는 기판의 중앙부의 손상을 발생시킬 수 있다. 한편, 최소 저장 계수가 과도하게 낮은 경우, 다이 접합 테이프에 대한 적층 같은 가열 단계 이후의 결합층(접착제층)의 분리가 곤란할 수 있다.
또한, 연삭 동안 결합층과 기판의 경계면에서의 최대 달성가능 온도(일반적으로, 40 내지 70℃, 예로서, 50℃)에서의 저장 계수는 9.0x107Pa 이상, 보다 바람직하게는 3.0x108Pa 이상이다. 이 범위의 저장 계수에서, 연삭 동안의 연삭 공구에 의한 수직 방향 가압이 연삭 대상 기판(실리콘 웨이퍼)을 손상시키는 범위로 결합층의 국지적 변형을 유발하는 것이 방지된다.
이들 조건 모두를 충족시키는 광경화성 접착제의 예로서, 3,000 이상의 분자량을 가지는 쌍기능성 우레탄(메쓰)아크릴레이트 저중합체의 총량이 40wt% 이상이며, 쌍기능성 (메쓰)아크릴 단량체의 총량이 25wt% 이상인 접착제가 알려져 있으며, 적합하게 사용할 수 있다. 그러나, 접착제는 필요한 특성(접착 강도, 기능 특성)을 나타내는 한, 특정하게 제한되지 않는다.
결합층의 두께는 연삭 대상 기판의 연삭을 위해 필요한 두께 균일성 및 적층체로부터의 지지체의 제거 이후 웨이퍼로부터의 결합층의 박리를 위해 필요한 인열 강도를 보증할 수 있으면서 기판 표면상의 울퉁불퉁한 부분을 충분히 흡수할 수 있는 한, 특정하게 제한되지 않는다. 결합층의 두께는 통상 약 10 내지 약 150㎛, 바람직하게는 약 25 내지 약 100㎛이다.
기타 유용한 첨가제
본 발명의 적층체의 연삭 대상 기판이 회로가 그 위에 형성되어 있는 웨이퍼일 수 있기 때문에, 웨이퍼 회로는 투광성 지지체, 광열 변환층 및 결합층을 통해 웨이퍼에 도달하는 레이저 빔 같은 방사 에너지에 의해 손상될 수 있다. 이런 회로 손상을 피하기 위해, 방사 에너지의 파장의 광을 흡수할 수 있는 흡광성 염료 또는 광을 반사할 수 있는 광 반사성 안료가 적층체를 구성하는 소정의 층내에 포함될 수 있거나, 웨이퍼와 광열 변환층 사이에 별개의 층으로 포함될 수 있다. 흡광성 염료의 예는 사용되는 레이저 빔의 파장 부근의 흡수 정점을 가지는 염료(예로서, 프탈로시아닌-기반 염료 및 시아닌-기반 염료)를 포함한다. 광 반사성 안료의 예는 산화티타늄 같은 무기 백색 안료를 포함한다.
부가적인 유용한 층
본 발명의 적층체는 연삭 대상 기판, 연삭 대상 기판과 접촉하는 결합층, 광열 변환층 및 투광성 지지체 이외의 부가적 층을 포함할 수 있다. 부가적인 층의 예는 도1f에 도시된 바와 같이, 결합층(3)과 광열 변환층(4) 사이에 제공되는 제1 중간층(6) 및/또는 광열 변환층(4)과 지지체(5) 사이에 제공되는 제2 중간층(9)을 포함한다. 제2 중간층(9)은 결합층(3')(예로서, 압력-감응 접착제)을 통해 지지체(5)에 결합되는 것이 바람직하다.
제1 중간층(6)이 제공되는 경우에, 적층체(1)는 조사 이후 광열 변환층(4)에서 분리되며, 제1 중간층(6)/결합층(3)/기판(2)의 적층체가 얻어진다. 따라서, 제1 중간층(6)은 기판(2)으로부터의 결합층(3)의 분리 동안 배킹으로서 작용하며, 둘의 쉬운 분리를 가능하게 한다. 제1 중간층(6)은 다층 광학적 막인 것이 바람직하다. 또한, 제1 중간층(6)은 YAG 레이저(근 적외 파장 광) 같은 분리를 가능하게 위해 사용되는 방사 에너지를 선택적으로 반사하는 막인 것이 바람직하다. 이 막은 제1 중간층(6)이 방사 에너지를 투과시키지 않고 반사할 때, 방사 에너지가 회로가 존재하는 웨이퍼 표면에 도달하는 것이 방지되며, 이것이 회로에 대한 손상의 가능성을 제거하기 때문에 바람직하다. 결합층(3)으로서, 광경화성 접착제를 사용하는 경우에, 자외광 같은 경화 광에 대한 충분히 높은 투과율을 갖는 막이 바람직하다. 따라서, 다층 광학 막은 자외광에 대해 투과성이며, 선택적으로 근 적외 광을 반사하는 것이 바람직하다. 자외광에 대해 투과성이면서 근 적외 광을 반사하는 양호한 다층 광학 막은 3MTM 솔라 리플렉팅 필름(3MTM Solar Reflecting Film)(미네소타, 세인트 폴의 3M Company)으로서 입수할 수 있다. 제1 중간층(6)은 박리에 의한 기판(2)으로부터의 결합층(3)의 제거를 위한 기판으로서 기능하며, 따라서, 20㎛ 이상, 보다 바람직하게는 30㎛ 이상의 두께 및 20MPa 이상, 보다 바람직하게는 30MPa 이상, 보다 더 바람직하게는 50MPa 이상의 파괴 강도를 갖는 것이 바람직하다.
상술한 제2 중간층(9)이 제공되는 경우에, 적층체(1)의 조사 이후, 제2 중간층(9)/결합층(3')/투광성 지지체(5)의 적층체가 얻어진다. 따라서, 제2 중간층(9)은 결합층(3')과 지지체(5)의 분리 동안 배킹으로서 작용하며, 둘의 용이한 분리를 가능하게 한다. 이와 같이, 제2 중간층을 제공함으로써, 광열 변환층(4) 또는 결합층(3')(압력-감응 접착제)이 투광성 지지체(5)상에 잔류하는 것이 방지되며, 지지체(5)는 쉽게 재생될 수 있다. 레이저 조사 이후, 파열 없이 그들을 박리시킴으로써 지지체(5)로부터 결합층(3')의 제거를 가능하게 하기 위해, 제2 중간층(9)은 20㎛ 이상, 보다 바람직하게는 30㎛ 이상의 두께 및 20MPa 이상, 보다 바람직하게는 30MPa 이상, 보다 더 바람직하게는 50MPa 이상의 파괴 강도를 갖는 것이 바람직하다. 일부 경우에, 제2 중간층(9)의 수지는 제2 중간층이 광경화성 저중합체 및 단량체의 혼합물로 코팅되고, UV로 경화될 때(예로서, 막 기판상에 광열 변환층을 코팅하고, 광열 변환층상에 제2 중간층을 코팅 및 경화하고, 제2 중간층상에 결합층을 코팅함으로써 시트가 형성될 때), 광열 변환층(4)내로 침투한다. 이런 경우에, 레이저 조사에 의해 형성된 공간으로 분리된 표면의 재접착을 방지하기 위해, 수지의 Tg(광경화성 수지의 경우, 경화된 수지의 Tg)는 40℃ 이상이어야만 한다.
적층체의 제조
적층체의 제조시, 층 사이에 공기 같은 바람직하지 못한 이물질이 도입되는 것을 방지하는 것이 중요하다. 예로서, 공기가 층 사이에 도입될 때, 적층체의 두께 균일성이 저지되고, 연삭 대상 기판이 얇은 기판으로 연삭될 수 없다. 도1a에 도시된 적층체 제조의 경우에, 예로서 하기의 방법이 고려될 수 있다. 먼저, 광열 변환층의 전구체 코팅 용액이 상술된 방법 중 소정의 하나에 의해 지지체상에 코팅되고, 자외광 등을 사용한 조사에 의해 건조 및 경화된다. 그후, 결합층이 경화된 광열 변환층의 표면 및 비연삭측의 기판의 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두상에 코팅된다. 광열 변환층 및 기판이 결합층을 통해 부착되고, 그후, 결합층이 예로서, 지지체측으로부터 자외광으로 조사함으로써 경화되며, 그에 의해, 적층체가 형성될 수 있다. 이런 적층체의 형성은 층 사이에 공기가 도입되는 것을 방지하기 위해 진공하에서 수행되는 것이 바람직하다. 이는 예로서, 일본 특개평 제11-283279호(Kokai)에 기술된 것 같은 진공 접착 디바이스를 변형함으로써 얻어질 수 있다. 도1b 내지 도1e에 도시된 바와 같은 적층체를 제조하는 경우에, 적층체는 통상적인 방식으로 미리 형성된 양면 테이프를 사용하여 지지체와 연삭 대상 기판을 적층함으로써 쉽게 형성될 수 있다. 이 또한 상술한 경우와 유사하게 진공하에 수행되는 것이 바람직하다. 결합층(3, 3')이 압력-감응 접착제인 도1f에 도시된 바와 같은 적층체는 제1 중간층/광열변환층/제2 중간층의 양 표면상에 압력-감응 접착제를 가지는 이중 코팅 접착 테이프를 형성하고, 연삭 대상 기판과 지지체를 그에 적층함으로써 도1b 내지 도1e의 적층체와 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 중간층은 광열 변환층상에 직접적으로 코팅되며, 결합층(3')(압력-감응 접착제 또는 광경화성 접착제)으로 지지체에 유지된다. 결합층(3, 3')이 광경화성 접착제인 경우에, 적층체는 도1a에 도시된 적층체와 동일한 방식으로 형성될 수 있다. 적층체를 형성하기 위해 사용될 수 있는 진공 접착 디바이스가 후술되어 있다.
적층체는 기판의 연삭동안 사용되는 물의 침투가 없고, 기판이 떨어지지 않도록 하는 층 사이의 접착 강도를 가지며, 연삭된 기판의 먼지를 포함하는 물 흐름(슬러리)에 의해 광열 변환층이 마모되는 것을 방지하도록 내마모성을 갖도록 설계되는 것이 바람직하다.
박화된 기판의 제조
박화된 기판은 상술한 바와 같이 형성된 적층체를 준비하고, 기판을 원하는 두께로 연삭하고, 투광성 지지체를 통해 광열 변환층에 방사 에너지를 인가하여 광열 변환층을 분해하여 투광성 지지체로부터 연삭된 기판을 분리하며, 기판으로부터 결합층을 박리시키는 것을 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다.
일 태양에서, 본 발명의 방법이 도면을 참조로 후술된다. 이하에서, 방사 에너지원으로서 레이저 빔이 사용되고, 연삭 대상 기판으로서 실리콘 웨이퍼가 사용되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도2a 및 도2b는 본 발명의 일 실시예의 적층체의 제조에 적합한 진공 접착 디바이스의 단면도를 도시한다. 진공 접착 디바이스(20)는 진공 챔버(21), 진공 챔버(21)상에 제공되며 그 위에 연삭 대상 기판(2)(실리콘 웨이퍼) 또는 지지체(5) 중 어느 하나가 배치되는 지지부(22), 및 진공 챔버(21)내에 제공되고 지지부(22)의 상부에서 수직방향으로 이동할 수 있으면서 지지체(5) 또는 실리콘 웨이퍼(2) 중 다른 하나를 유지하는 유지/결합해제 수단(23)을 포함한다. 진공 챔버(21)는 진공 챔버(21) 내측의 압력이 감소될 수 있도록 파이프(24)를 경유하여 감압 디바이스(25)에 연결된다. 유지/결합해제 수단(23)은 수직방향으로 상하로 이동가능한 샤프트(26), 샤프트(26)의 말단 단부에 제공된 접촉면부(27), 접촉면부(27)의 외주에 제공된 판 스프링(28) 및 각 판 스프링(28)으로부터 연장하는 유지 고리(29)를 갖는다. 도2a에 도시된 바와 같이, 판 스프링이 진공 챔버(21)의 상부면과 접촉할 때, 판 스프링은 압축되고, 유지 고리(29)는 웨이퍼(2) 또는 지지체(5)를 외주 가장자리에서 유지하도록 수직 방향을 향해 안내된다. 한편, 도2b에 도시된 바와 같이, 샤프트(26)는 하향 가압되고, 지지체(5) 또는 웨이퍼(2)가 지지부상에 각각 배치된 웨이퍼(2) 또는 지지체(5)에 밀접하며, 유지 고리(29)가 판 스프링(28)과 함께 풀려져서 지지체(5)와 웨이퍼(2)를 중첩한다.
이 진공 접착 디바이스(20)를 사용하여, 하기와 같이 적층체가 제조될 수 있다. 먼저, 상술된 바와 같이, 광열 변환층이 지지체(5)상에 제공된다. 별개로, 적층 대상 웨이퍼가 준비된다. 지지체(5)의 광열 변환층 및 웨이퍼(2) 중 어느 하나 또는 양자 모두상에 결합층을 형성하기 위한 접착제가 도포된다. 이렇게 준비된 지지체(5) 및 웨이퍼(2)는 도2a에 도시된 바와 같이 진공 접착 디바이스(20)의 진공 챔버(21)내에 배치되고, 감압 디바이스에 의해 압력이 감소되며, 샤프트(26)가 하향 가압되어 도2b에 도시된 바와 같이 웨이퍼를 적층하며, 대기에 대한 개방 이후, 필요시 접착제가 경화되어 적층체를 얻는다.
도3은 본 발명의 실시예에 유용한 연삭 디바이스의 부분 단면도를 도시한다. 연삭 디바이스(30)는 받침대(31) 및 스핀들(32)의 저단부에 회전가능하게 장착된 연삭 휠(33)을 포함한다. 흡입 포트(34)가 받침대(31) 아래에 제공되며, 흡입 포트(34)는 감압 디바이스(미도시)에 연결되고, 그에 의해, 연삭 대상 재료가 흡입되어 연삭 디바이스(30)의 받침대(31)에 고착된다. 도1a 내지 도1f에 도시된 바와 같은 본 발명의 적층체(1)가 준비되고, 연삭 대상 재료로서 사용된다. 적층체(1)의 지지체측은 연삭 디바이스(30)의 받침대(31)상에 장착되고, 감압 디바이스를 사용한 흡입에 의해 고착된다. 그후, 유체 흐름(물 또는 웨이퍼 연삭에 유용한 공지된 소정의 용액)을 공급하면서 회전하의 연삭 휠(33)이 적층체(1)와 접촉되어 연삭을 수행한다. 연삭은 150㎛ 이하, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 25㎛ 이하의 초박 수준으로 수행될 수 있다.
원하는 수준의 연삭 이후, 적층체가 제거되고, 후속 단계로 이송되며, 이 후속 단계에서는 레이저 빔 조사에 의한 지지체와 웨이퍼의 분리 및 웨이퍼로부터의 결합층의 박리가 수행된다. 도4a 내지 도4e는 지지체의 분리 및 결합층의 박리 단계의 도면을 도시한다. 먼저, 다이싱의 최종 단계를 고려하여, 필요시 적층체(1)의 웨이퍼측의 연삭된 표면상에 다이 접합 테이프(41)가 배치(도4a)되거나, 다이 접합 테이프(41)가 배치되지 않으며(도4aa), 그후, 다이싱 테이프(42) 및 다이싱 프레임(43)이 배치된다(도4b). 후속하여, 적층체(1)의 지지체측으로부터 레이저 빔(44)이 조사된다(도4c). 레이저 빔 조사 이후, 지지체(5)가 픽업되어 웨이퍼(2)로부터 지지체(5)를 분리시킨다(도4d). 마지막으로, 결합층(3)이 박리에 의해 분리되어 박화된 실리콘 웨이퍼(2)를 획득한다(도4e).
일반적으로, 실리콘 웨이퍼 같은 반도체 웨이퍼는 가장자리가 충격으로 인해 손상되는 것을 방지하도록 베벨링(beveling)이라 지칭되는 모따기(chamfering)를 받게된다. 즉, 실리콘 웨이퍼의 가장자리부의 모서리는 라운딩된다. 액체 접착제가 결합층으로서 사용되어 스핀 코팅에 의해 코팅될 때, 결합층은 가장자리부로 확산되며, 접착제가 연삭면의 가장자리부에 노출된다. 결과적으로, 다이싱 테이프의 배치시, 연삭된 웨이퍼 뿐만 아니라, 노출된 접착제도 다이싱 테이프의 압력-감응 접착제와 접촉하게 된다. 사용되는 다이싱 테이프의 접착력이 강할 때, 결합층은 때때로 분리가 곤란해진다. 이런 경우에, 다이싱 테이프 및 다이싱 프레임을 배치하기 이전에 노출된 접착제의 일부를 미리 제거하는 것이 바람직하다. 가장자리부의 노출된 접착제의 제거를 위해, 접착제가 충분히 흡수할 수 있는 방사 에너지 또는 CO2 레이저(10.6㎛의 파장)를 사용하는 것이 효과적이다.
도5는 예로서, 본 발명의 일 태양의 레이저 빔을 사용하는 것 같은 조사 단계에서, 사용될 수 있는 적층체 고착 디바이스의 단면도를 도시한다. 적층체(1)는 지지체가 고착 디바이스(50)에 관하여 상부면이 되도록 고착판(51)상에 장착된다. 고착판(51)은 표면 조면부(roughness)를 가지는 금속 또는 소결 금속 같은 다공성 금속으로 이루어진다. 압력은 진공 디바이스(미도시)에 의해 고착판(51)의 하부로부터 감소되며, 그에 의해, 적층체(1)가 고착판(51)상에 흡입에 의해 고착된다. 진공 흡입력은 지지체 분리 및 결합층 박리로 이루어지는 후속 단계에서 떨어지지 않도록 충분한 힘인 것이 바람직하다. 이 방식으로 고착된 적층체를 조사하기 위해, 레이저 빔이 사용된다. 레이저 빔 방출에 관하여, 분해 가스가 생성되고 지지체와 웨이퍼가 분리될 수 있도록, 광열 변환층에 의해 흡수되는 광의 파장에서 광열 변환층의 열 분해성 수지의 분해를 유발하기에 충분히 높은 출력을 가지는 레이저 빔 소스가 선택된다. 예로서, YAG 레이저(1,064nm의 파장), 제2 조화파 YAG 레이저(파장 : 532nm) 및 반도체 레이저(파장 : 780 내지 1,300nm)가 사용될 수 있다.
레이저 조사 디바이스로서, 조사된 표면상에 원하는 패턴을 형성하도록 레이저 빔을 주사할 수 있으면서, 빔 이동 속도 및 레이저 출력을 설정할 수 있는 디바이스가 선택된다. 또한, 조사된 재료(적층체)의 처리 품질을 안정화하기 위해서, 큰 초점 깊이를 가지는 디바이스가 선택된다. 초점 깊이는 디바이스의 디자인의 치수 정밀도에 따라 변하며, 특정히 제한되지는 않지만, 초점 깊이는 30㎛ 이상인 것이 바람직하다. 도6a 내지 도6f는 본 발명에 사용될 수 있는 레이저 조사 디바이스의 사시도를 도시한다. 도6a의 레이저 조사 디바이스(60)는 X 축 및 Y 축으로 구성된 쌍축 구성을 가지는 갈바노메터를 구비하며, 레이저 발진기(61)로부터 발진되는 레이저 빔이 Y 축 갈바노메터(62)에 의해 반사되고, X 축 갈바노메터(63)에 의해 추가 반사되며, 고착판상의 적층체(1)상에 조사되도록 설계되어 있다. 조사 위치는 갈바노메터(62, 63)의 방향에 의해 결정된다. 도6b의 레이저 조사 디바이스는 단축 갈바노메터 또는 다각체 거울(64)과 주사 방향에 직교한 방향으로 이동할 수 있는 스테이지(66)를 구비한다. 레이저 발진기(61)로부터의 레이저 빔은 갈바노메터 또는 다각체(64)에 의해 반사되며, 유지 거울(65)에 의해 추가 반사되고, 가동성 스테이지(66)상의 적층체(1)상에 조사된다. 조사 위치는 갈바노메터 또는 다각체(64)의 방향과 가동성 스테이지(66)의 위치에 의해 결정된다. 도6c의 디바이스에서, 레이저 발진기(61)는 X 및 Y 양방향으로 이동하는 가동성 스테이지(66)상에 장착되며, 레이저는 적층체(1)의 전체 표면상에 조사된다. 도6d의 디바이스는 고정형 레이저 발진기(61) 및 X 및 Y의 양방향으로 이동할 수 있는 가동성 스테이지(66)를 포함한다. 도6e의 디바이스는 레이저 발진기(61)가 단축으로 이동할 수 있는 가동성 스테이지(66')상에 장착되고, 적층체(1)가 가동성 스테이지(66')에 직교하는 방향으로 이동할 수 있는 가동성 스테이지(66")상에 장착되는 구성을 갖는다.
레이저 조사에 의한 적층체(1)의 웨이퍼 손상에 대해 고려하여야 할 때, 매우 감소된 인접 영역으로의 에너지 누설 및 급준한 에너지 분포를 가지는 상단 모자 형상부(도6f 참조)가 형성되는 것이 바람직하다. 빔 형태는 소정의 공지된 방법에 의해, 예로서, 음향-광학 디바이스에 의한 (a) 빔 편향법, 회절/굴절을 사용한 빔 형성법 또는 (b) 개구 또는 슬릿을 사용하여 양 가장자리에서 확장부를 절삭하는 방법에 의해 변경될 수 있다.
레이저 조사 에너지는 레이저 출력, 빔 주사 속도 및 빔 직경에 의해 결정된다. 예로서, 사용될 수 있는 레이저 출력은 0.3 sow 100와트(W)이고, 주사 속도는 0.1 내지 40미터/초(m/s)이며, 빔 직경은 5 내지 300㎛ 이상이지만, 이에 한정되지는 않는다. 이 단계의 속도를 증가시키기 위해, 레이저 출력이 향상되며, 그에 의해, 주사 속도가 증가된다. 주사 횟수는 빔 직경이 커질 때, 추가로 감소될 수 있으며, 빔 직경은 레이저 출력이 충분히 높을 때 증가될 수 있다.
광열 변환층내의 열 분해성 수지는 레이저 조사에 의해 분해되어 광열 변환층 자체를 분리시키도록 층 내측에 균열을 형성한다. 공기가 균열 사이로 들어가는 경우, 균열의 재접착이 방지될 수 있다. 따라서, 공기의 진입을 촉진하기 위해, 적층체의 가장자리부로부터 적층체의 내부로 빔 주사를 수행하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 광열 변환층의 유리 전이 온도(Tg)는 실온(20℃) 이상인 것이 바람직하다. 이는 분해된 수지의 냉각 동안 분리된 균열이 서로 재접착되어 분리를 불가능하게 할 수 있기 때문이다. 재접착은 광열 변환층의 균열이 지지체의 중량하에 서로 부착된다는 사실에 기인하여 발생하는 것으로 고려된다. 따라서, 하부 부분으로부터 상부 부분으로 수직 방향으로 레이저 조사를 수행(즉, 지지체가 저면측이 되는 구조로 레이저 조사를 수행) 또는 웨이퍼와 광열 변환층 사이에 가장자리부로부터 고리를 삽입하여 층을 들어올림으로써, 지지체의 자중이 부여되지 않도록 조사 프로세스를 설계할 때 재접착이 방지될 수 있다.
적층체의 가장자리부로부터 레이저를 사용하기 위해 가장자리부로부터 웨이퍼의 접선 방향으로 이를 선형으로 왕복시키면서 레이저 빔을 인가하는 방법 또는, 대안적으로, 축음기처럼 가장자리부로부터 중심으로 레이저 빔을 나선형으로 조사하는 방법이 사용될 수 있다.
레이저 조사 이후, 지지체는 웨이퍼로부터 분리되며, 이 작업을 위해, 진공을 사용하는 일반적인 픽-업이 사용된다. 픽-업은 말단 단부에 흡입 디바이스를 가지는 진공 디바이스에 연결된 원통형 부재이다. 도7a 및 도7b는 웨이퍼와 지지체의 분리 작업에 사용하기 위한 픽-업의 개략도를 도시한다. 도7a에서, 픽-업(70)은 지지체(5)의 중심에 있으며, 수직 방향으로 픽업되어 지지체를 박리한다. 또한, 도7b에 도시된 바와 같이, 픽-업(70)은 지지체(5)의 가장자리부에 있으며, 웨이퍼(2)와 지지체(5) 사이에 공기를 진입시키도록 측부로부터 압축 공기(A)를 송풍하면서 박리시킴으로써 지지체가 보다 쉽게 박리될 수 있다.
지지체 제거 이후, 웨이퍼상의 결합층이 제거된다. 도8은 결합층이 박리되는 방식을 도시하는 개략도이다. 결합층(3)의 제거를 위해, 웨이퍼(2)와 결합층(3) 사이의 접착제 접합 보다 결합층(3)과 보다 강한 접착제 접합을 형성할 수 있는 결합층을 제거하기 위한 접착 테이프(80)가 사용되는 것이 바람직하다. 이런 접착 테이프(80)는 결합층(3)상에 접착하도록 배치되며, 그후, 화살표 방향으로 박리되어 결합층(3)이 제거된다.
마지막으로, 박화된 웨이퍼는 다이 접합 테이프 없이 또는 다이 접합 테이프로 다이싱 테이프 또는 다이 프레임에 고착된 상태로 남아 있는다. 이 웨이퍼는 통상적인 방식으로 다이싱되어 칩을 완성한다. 그러나, 다이싱은 레이저 조사 이전에 수행될 수 있다. 이 경우에, 웨이퍼가 지지체에 부착된 상태로 다이싱 단계를 수행하고, 그후, 다이싱된 영역만을 레이저 조사되게 하하고 다이싱된 부분에서만 지지체를 분리시키는 것도 가능하다. 또한, 본 발명은 광열 변환층이 그 위에 제공되어 있는 투광성 지지체상으로 결합층을 통해 연삭된 웨이퍼를 재전송함으로써 다이싱 테이프를 사용하지 않고 다이싱 단계가 개별적으로 적용될 수도 있다.
본 발명은 예로서, 하기의 응용분야에 효과적이다.
1. 고-밀도 패키징을 위한 적층형 CSP(칩 크기 패키지)
본 발명은 예로서, 복수의 대규모 집적(LSI) 디바이스 및 수동 부분이 단일 패키지내에 수납되어 다기능 또는 고성능을 실현하는, 적층형 다중-칩 패키지라 지칭되는 소위 시스템-인-패키지를 형성하는 디바이스에 유용하다. 본 발명에 따라서, 25㎛ 이하의 웨이퍼가 이들 디바이스를 위한 높은 산출량으로 신뢰성있게 제조될 수 있다.
2. 고 기능 및 고속 처리를 필요로하는 관통형 CSP
이 디바이스에서, 칩은 관통 전극에 의해 접속되며, 그에 의해, 배선 길이가 단축되고 전기적 특성이 향상된다. 관통 전극을 형성하고, 관통 구멍내에 구리를 매설하기 위한 관통 구멍의 형성 같은 기술적 문제를 해결하기 위해서, 칩은 두께가 보다 더 감소되어야 한다. 본 발명의 적층체를 사용하여 이런 구조를 가지는 칩을 순차 형성하는 경우에, 절연막 및 범프(전극)가 웨이퍼의 이면상에 형성되어야 하며, 적층체는 열 및 화학제에 대한 내성이 필요하다. 이런 경우에도, 상술된 지지체, 광열 변환층 및 결합층이 선택될 때, 본 발명이 효과적으로 적용될 수 있다.
3.방열 효율, 전기적 특성 및 안정성이 향상된 초박형 합성 반도체(예로서, GaAs)
갈륨 비화물 같은 합성 반도체는 그 실리콘 보다 유리한 전기적 특성(높은 전자 이동도, 직접 전이형 대역 구조) 때문에 고성능 이산 칩, 레이저 다이오드 등을 위해 사용되고 있다. 본 발명의 적층체를 사용하여 칩의 두께를 감소시키는 것은 그 열 소산 효율을 증가시키고, 성능을 향상시킨다. 현재, 전극의 형성 및 두께 감소를 위한 연삭 작업은 그리스 또는 레지스트 재료를 사용하여 지지체로서의 유리 기판에 반도체 웨이퍼를 결합시킴으로써 수행된다. 따라서, 결합 재료는 처리의 완료 이후 유리 기판으로부터 웨이퍼의 분리를 위해 솔벤트에 용해되어야 한다. 이는 분리에 수일 이상의 시간이 소요되며, 폐기액이 처리되어야 한다는 문제가 동반된다. 본 발명의 적층체가 사용될 때, 이 문제가 해결될 수 있다.
4. 생산성 향상을 위한 대형 웨이퍼에 대한 응용
대형 웨이퍼(예로서, 12in-직경 실리콘 웨이퍼)의 경우에, 웨이퍼와 기판을 쉽게 분리시키는 것이 매우 중요하다. 본 발명의 적층체가 사용될 때, 분리가 쉽게 수행될 수 있으며, 따라서, 본 발명은 이 분야에도 적용될 수 있다.
5. 초박형 수정 웨이퍼
수정 웨이퍼의 분야에서, 발진 주파수의 증가를 위해 웨이퍼의 두께 감소가 필요하다. 본 발명의 적층체가 사용될 때, 분리가 쉽게 수행될 수 있으며, 따라서, 본 발명은 이 분야에도 적용될 수 있다.
실시예
실시예를 참조로 본 발명을 하기에 보다 상세히 설명한다.
먼저, 레이저 조사의 다양한 조건을 사용함으로써, 지지체와 웨이퍼의 분리를 위해 선호되는 특성이 평가되었다. 분리를 위한 특성이 레이저 조사에 의한 광열 변환층의 분해도에 의존하기 때문에, 연삭된 웨이퍼 대신 유리 기판이 사용되었다. 투광성 지지체로서, 127밀리미터(mm) x 94mm x 0.7mm의 유리 지지체가 사용되었으며, 웨이퍼 대신 상술한 바와 동일한 유리 기판이 사용되었다. 하기의 표1에 예시된 조성을 갖는 광열 변환층 전구체의 10% 용액이 스핀 코팅에 의해 유리 기판상에 코팅되었다.
Figure pat00001
EC600JD (Ketjen Black International Co.) : 카본 블랙, 평균 입경 30nm ; Solsperse 5000(Zeneca Co., Ltd.) : 분산 보조제; Disperbyk 161(BYK Chemie Japan Co., Ltd.) : 분산제(부틸 아세테이트에서 30%); UR8300(Toyobo Co., Ltd.) : 우레탄 변형 폴리에스터 수지(톨루엔/메틸 에틸 케톤에서 30%), MW=30000, Tg=23℃400kg/cm2의 파괴 강도, 500%의 파괴시 신장; Ebecryl EB629(Daicel UCB Co. Ltd. ) : 단량체(TMPTA)로 33% 희석된 노볼락 에폭시 아크릴레이트, 저중합체 MW=550.
TMPTA-N(Daicel UCB Co. Ltd. ) : 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate); Irgacure 369(Ciba Specialty Chemicals K.K.) : 2-벤질-2-N,N-디메틸아미노-1-(4-몰폴리노페닐)-1-부타논(2-benzyl-2-N, N-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-1-butanone); 및 Irgacure 184(Ciba Specialty Chemicals K. K.) : 1-하이드록시클로헥실 페닐 케톤(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone).
이는 가열(80℃, 2분)에 의해 건조되었으며, 그후, 지지체상에 광열 변환층을 형성하도록 자외선(UV) 조사에 의해 경화되었다. 하기의 표2에 도시된 조성을 가지는 결합층 전구체가 다른 유리 기판상에서 적하 방식으로 코팅되었다. 이들 기판은 서로 적층되고, UV가 그 위에 조사되어 결합층 전구체를 경화하여 적층체를 획득하였다.
Figure pat00002
UV-6100B(Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd): 아크릴레이티드 우레탄 저중합체, MW=6700, UV 경화 이후 Tg 0℃; HDODA(Daicel UCB) : 1,6-헥사네디올 디아크릴레이트(1,6-hexanediol diacrylate); Darocurel 173(Ciba Specialty Chems.) : 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-원(2-hydroxy-2-methyl-1-phenylp ropan-1-one).
이 적층체는 유리 기판/광열 변환층/결합층/유리 기판의 구조를 가지며, 광열 변환층의 두께는 0.9㎛이고, 결합층의 두께는 100㎛이다. 이 적층체는 도4a 내지 도4e에 도시된 바와 같이 적층체 고착 디바이스의 고착판상에 배치되었으며, 고착판상에 흡입에 의해 적층체를 고착하기 위해 진공 디바이스에 의해 하부측으로부터 감압되었다. 방사 에너지를 위한 레이저 빔 소스로서, YAG 레이저(파장 : 1,064nm)가 사용되었다. 레이저 출력은 0.52 내지 8W의 범위내에서 변화되었으며, 빔 직경 및 주사 피치는 동일하고, 90 내지 200㎛의 범위내에서 변하였고, 레이저 주사 속도는 0.2 내지 5m/s의 범위내에서 변화되었으며, 레이저 빔이 적층체의 가장자리부로부터 이를 선형으로 왕복함으로써 인가되고, 레이저 빔이 적층체 전체 표면 위에 조사되었다.
압력-감응 접착 테이프(미네소타 세인트 폴의 3M사로부터 #3305로 입수할 수 있는 SCOTCHTM 압력-감응 접착 테이프)가 이렇게 레이저 빔으로 조사된 적층체의 유리 기판에 부착되고, 그후, 픽업되었다.
이 사전 테스트에 의해, 레이저 출력이 6.0 내지 8.0W이고, 빔 직경 및 주사 피치가 100 내지 200㎛이며, 레이저 주사 속도가 0.2 내지 2.0m/s일 때 유리 기판이 양호한 상태로 분리될 수 있다는 것이 발견되었다.
실시예1 :
투광성 지지체로서 220mm(직경) x 1.0mm(두께)의 유리 기판이 사용되었으며, 웨이퍼로서, 200mm(직경) x 750㎛(두께)의 실리콘 웨이퍼가 사용되었다. 상기 표1의 조성을 갖는 광열 변환층 전구체의 10% 용액(프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트 솔벤트에서)이 스핀 코팅에 의해 유리 기판상에 코팅되었다. 이는 가열에 의해 건조되고, 그후, 자외선(UV) 조사에 의해 경화되어 지지체상에 광열 변환층을 형성하였다. 상기 표2에 예시된 조성을 갖는 결합층 전구체가 스핀 코팅에 의해 유사하게 웨이퍼상에 코팅되었다. 유리 기판 및 웨이퍼는 도2a 및 도2b에 도시된 진공 접착 디바이스에서 서로 적층되고, 그 위에 결합층 전구체를 경화시키기 위해 UV광으로 조사되어 적층체를 획득하였다. 이 적층체는 유리 기판/광열 변환층/결합층/실리콘 웨이퍼의 구조를 가지며, 광열 변환층의 두께는 0.9㎛, 결합층의 두께는 100㎛, 접착 면적은 314cm2이었다.
얻어진 적층체가 도3에 도시된 연삭 디바이스상에 배치되고, 물을 공급하면서 회전하는 연삭 휠이 적층체와 접촉하여 연삭을 수행하였다. 연삭은 50㎛의 웨이퍼 두께를 제공하도록 수행되었다. 그후, 다이싱 테이프 및 다이싱 프레임이 웨이퍼의 연삭된 표면상에 배치되고, 적층체가 도5에 도시된 바와 같은 적층체 고착 디바이스의 고착판상으로 이송되었으며, 여기서, 진공 디바이스에 의해 하부측으로부터 압력이 감소되어 고착판상에 흡입에 의해 적층체를 고착하였다.
상기 사전 테스트의 결과에 기초하여, 레이저 출력이 6.0W이고, 빔 직경 및 주사 피치가 각각 100㎛이며, 레이저 주사 속도가 1.0m/s인 YAG 레이저(파장 : 1,064nm)를 사용하여 레이저 조사가 수행되었다. 레이저 빔은 적층체의 가장자리부로부터 접선 방향으로 선형으로 왕복시킴으로써 적층체를 조사하였다. 이 방식으로, 적층체의 전체 표면이 조사되었다. 흡입 디바이스는 조사된 적층체의 유리판에 고착되었고, 그후, 조사된 적층체가 픽업되어 유리판이 웨이퍼로부터 쉽게 분리되었고, 그 위에 결합층을 가지는 웨이퍼가 획득되었다.
웨이퍼로부터 결합층을 박리하기 위해, 압력-감응 접착 테이프(3M으로부터의 SCOTCHTM #3305 웨이퍼 테이프제거 테이프)가 결합층의 표면에 부착되고, 180°방향으로 박리되어 50㎛의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼가 웨이퍼 손상 없이 얻어졌다.
실시예2 :
본 실시예에서, 하기의 변경을 제외하면 실시예1과 동일한 방식으로 테스트가 수행되었다. 광열 변환층 전구체로서, 하기의 표3에 예시된 고체 함량비의 조성을 가지는 20% 용액(프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트)이 사용되었다. 또한, 레이저 조사 동안 유리 기판의 중량으로 인한 재접착을 방지하기 위해, L-형 고리가 유리 기판의 가장자리부내로 삽입되고 스프링으로 현수되어 레이저 빔 조사 동안의 유리 기판의 중량으로 인한 재접착이 방지되었다. 실시예1과 마찬가지로, 50㎛의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼가 웨이퍼 손상 없이 얻어질 수 있다.
Figure pat00003
Raven 760(Columbian Carbon Japan Ltd.) : 카본 블랙; Disperbyk 161(BYK Chemie) : 분산제(부틸 아세테이트내에서 30%); Ebecryl 8804(Daicel UCB) : 지방성 우레탄 디아클리레이트(Aliphatic urethane diacrylate), MW=1400(톨루엔내에서 30%); Irgacure 369(Ciba Specialty Chemicals K.K.) : 2-벤질-2-N,N-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-1-부타논(2-benzyl-2-N,N-dimethylamino-1- (4-morpholinop henyl)-1-butanone) ; Irgacure 184(마찬가지로 Ciba로부터 입수) : 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤(1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone).
실시예3 :
본 실시예에서, 하기의 표4에 도시된 고체 함량비의 조성을 가지는 10% 용액(프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트)이 광열 변환층 전구체로서 사용되는 것을 제외하면, 실시예2와 동일한 방식으로 테스트가 수행되었다. 이 광열 변환층 전구체는 카본 블랙을 함유하는 폴리머 용액이며, 따라서, 광열 변환층은 단지 건조만에 의해서 형성된다.
Figure pat00004
Raven 760 카본 블랙; Disperbyk 161 분산제; UR8300 폴리우레탄 폴리에스터(polyurethane polyester).
50㎛의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼가 실시예1과 마찬가지로 동일한 작업에 의해 웨이퍼 손상 없이 얻어질 수 있다.
비교예1
실리콘 웨이퍼/압력-감응 접착 테이프/유리 기판으로 구성된 적층체가 어떠한 광열 변환층도 사용하지 않고, 결합층 대신 양면 압력-감응 접착 테이프(SCOTCHTM #9415 고 점착성/저 점착성)를 웨이퍼와 보다 낮은 점착성의 접착제가 웨이퍼와 접촉하는 상태로 사용하여 준비되는 것을 제외하면 실시예1과 동일한 방식으로 테스트가 수행되었다. 실리콘 웨이퍼는 박리될 수 없었다.
실시예4 내지 10 :
이하에서, 하기의 조성을 가지는 접착제(저 탄성 계수형 접착제) 또는 실시예1 내지 3에 사용된 바와 동일한 조성을 가지는 접착제(고 탄성 계수형 접착제)를 사용하여, 광열 변환층의 조성 및 두께를 다양하게 변경함으로써 실시예1 내지 3과 동일한 방식으로 테스트가 수행되었다. 결합층의 두께는 50㎛이었다. 실리콘 웨이퍼는 25㎛까지 연삭되었다. 각 실시예의 광열 변환층의 조성 및 두께와 결합층의 조성이 표5 및 표6에 예시되어 있다. 실시예4 내지 6에서, 실리카가 투명 충전재로서 포함되었다.
Figure pat00005
광열 변환층 B(실리카 함유)
Figure pat00006
광열 변환층 C(실리카 함유)
Figure pat00007
광열 변환층 D
Figure pat00008
광열 변환층 E
Figure pat00009
결합층 A(저 탄성 계수)
Figure pat00010
결합층 B(고 탄성 계수)
Figure pat00011
광열 변환층 재료 :
Black Pearls 130(Cabot Corporation) 카본 블랙; EC600JD 카본 블랙; AEROSIL 380(Nippon Aerosil Co.) 실리카 충전재; Joncryl 690(Johnson Polymer Co.) : 폴리아크릴레이트 수지(polyacrylate resin), 산 번호(acid number)=240, MW=15500, Tg=102 C ; Disperbyk 161(BYK Chemie Japan Co., Ltd): 분산제; Solsperse 5000(Zeneca Co., Ltd): 분산제.
결합층 재료 :
UV-6100B(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd): 아크릴레이티드 우레탄 저중합체(acrylated urethane oligomer), MW=6700, UV 경화 이후 Tg 0℃; HDODA(Daicel UCB Company Ltd.) : 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(1,6-hexanediol diacrylate); HOA-MS(Kyoeisha Chemical Co., Ltd) 2-아크릴로일록시 에틸수시닉 산(2-acryloyloxy ethylsuccinic acid); Irgacure 369(Ciba Specialty Chemicals K.K.) 2-벤질-2-N,N-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-1-부타논(2-benzyl-2-N,N-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-1-butanone).
Figure pat00012
각 실시예에서, 결합층으로서 고 탄성 계수 접착제를 사용하는 하나와 결합층으로서 저 탄성계수 접착제를 사용하는 나머지의 두 종류의 샘플이 준비되었다.
이 테스트에서, 웨이퍼와 유리 기판의 분리는 실시예 1에 기술된 절차를 통해 수행되었다. 테스트 결과가 하기의 표7에 예시되어 있다.
Figure pat00013
*1 : 365nm의 파장에서의 측정값.
*2 : 25℃에서의 탄성 계수는 320MPa임.
*3 : 25℃에서의 탄성 계수는 10MPa임.
*4 : PVC(충전재 체적 농도); 상술된 바와 같이 충전재 공극을 충전하기 위해 필요한 액체의 양(오일 흡수량)을 사용하여 건조 상태의 충전재의 공극 체적으로부터 결정될 수 있는 TFVC(최고 충전재 체적 농도).
*5 : 웨이퍼와 지지체는 재접착 방지 메카니즘을 사용함으로써 쉽게 분리될 수 있음.
위에서 알 수 있는 바와 같이, 고 탄성 계수형 결합층이 사용될 때, 유리 기판과 25㎛ 웨이퍼는 실시예4 내지 10 모두에서 쉽게 분리될 수 있다. 저 탄성 계수형 결합층이 사용될 때, 유리 기판과 웨이퍼는 FVC/TFVC가 80% 이하인 실시예6 및 8 내지 10에서 쉽게 분리될 수 없었다. 실시예8에서, FVC/TFVC는 80% 이상이지만, 광열 변환층의 두께가 낮기 때문에(0.3㎛) 분리면에 대한 결합층의 국지적 노출로 인해 재접착이 발생하였으며, 큰 힘이 필요하였다. 실시예6 및 8 내지 10에서, 실시예2 및 3에 기술된 바와 같은 재접착 방지 메카니즘(L-형 고리 및 스프링을 사용하는 현수 메카니즘)을 사용하여 실시예2 및 3에서와 동일한 방식으로 다시 제조 및 테스트되었다. 이 경우, 유리 기판과 25㎛ 웨이퍼는 쉽게 분리되었다. 카본 블랙 뿐만 아니라 실리카도 사용된 실시예4 및 5에서, FVC/TFVC가 80% 이상인 경우에도, 약 2%의 자외선(365nm) 투과율이 보증되며, UV 경화성 접착제를 사용하는 결합층은 짧은 시간내에 경화될 수 있다.
실시예11 내지 14(일부 실시예의 양호한 결합층)
이들 실시예에서, 본 발명의 적층체는 아래의 표에 예시된 접착제 및 광열 변환층을 위한 조성의 재료를 사용하여 제조되었다.
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
접착제 재료 :
UV-6100B(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.) 아크릴레이티드 우레탄 저중합체, MW=6700, UV 경화 이후 Tg = 0℃ 및 UV-7000B(역시 Nippon Synthetic Chem.) 아크릴레이티드 우레탄 저중합체, MW=3500, UV 경화 이후 Tg 52℃; 1.6-HX-A(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.); FA513A(Hitachi Chemical Co., Ltd.); HOA-MS(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.); DCPA(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) ; Irgacure 369(Ciba Specialty Chemicals K.K.).
광열 변환층 재료 :
Sevacarb(Columbian Carbon Japan Ltd.); Aerosil 200(Nippon Aerosil Co.) ; Joncryl 690(Johnson Polymer Co.) ; Disperbyk 161(BYK Chemie Japan Co., Ltd.).
접착제1 내지 3이 Rheometrics, Inc.로부터의 SOLID ANALYZER RAS II를 사용하여 5℃/min의 온도 구배율, 0.04%의 변형 및 1Hz의 주파수의 인장 모드에서 22.7mm x 10mm x 50㎛의 크기를 가지는 샘플을 사용하여 저장 계수에 대하여 측정되었다. 결과가 표 11에 예시되어 있다. 표에서, 연삭 동안 겪는 최대 온도가 50℃인 것을 가정하여 50℃에서의 탄성 계수가 예시되어 있다. 또한, 25℃ 내지 180℃에서 측정된 최소 탄성 계수도 예시되어 있다.
결합층으로서의 접착제 접합 강도를 확인하기 위해서, 각 접착제가 하기의 방법에 의해 접합 강도(인열 모드)에 대하여 측정되었다. 도9에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(92)는 강한 압력-감응 접착제 이중 코팅 테이프를 통해 수평 지지테이블(91)상에 고착되었다. 실리콘 웨이퍼(92)상에는 결합층(접착제1)이 3.5cm2의 면적으로 코팅되었고, 건조 및 광경화되어 50㎛의 두께를 갖는 결합층(93)을 획득하였다. 경화된 결합층(93)에 대하여, 3.5cm2의 접촉 면적을 갖는 L-형 측정 지그(94)가 압력 감응 접착제 이중 코팅 테이프를 통해 접합되었다. L-형 측정 지그(94)의 수직 단부에 와이어가 연결되고, 추(95)가 현수되어 수평 방향으로 인장력을 인가하며, 추는 20mm/min의 인장 속도로 이동되었다. 파괴시의 하중이 표 11에 접착제 접합 강도(인열 모드)로서 예시되어 있다. 또한, 접착 강도를 복원하기 위한 예열 처리(140℃, 3분)가 수행되었다. 예열 처리 이후 접착 강도가 표 11에 함께 예시되어 있다.
실시예11 :
광열 변환층이 그 위에 코팅되어 있는 유리 기판이 50㎛의 두께를 가지는 접착제1을 통해 실리콘 웨이퍼와 적층되고, 자외광으로 경화되었다. 접착 면적은 314cm2이었다. 적층된 샘플의 웨이퍼 표면이 연삭수(grinding water)를 공급하면서 연삭기를 사용하여 25㎛의 웨이퍼 두께를 제공하도록 연삭되고, 그후, 손상층(약 2㎛)이 건식 연마 디바이스에 의해 제거되었다. 다이 접합 테이프를 사용한 열 압력-접합의 모의실험시, 얻어진 샘플이 3분 동안 180℃에서 열판상에 유지되었다. 또한, 레이저 조사가 유리측으로부터 수행되어 유리 판을 제거하고, 그후, 접착제가 박리에 의해 제거되었다. 연삭 조건은 하기와 같다.
(1) 연삭 디바이스 : DISCO에 의해 제조된 모델 DFG850E
(2) 연삭 조건 :
Figure pat00017
실시예12 :
접착제2가 사용되고 적층 이후, 연삭 이전에 샘플이 예열 처리로서, 3분 동안 140℃의 오븐내에서 유지되는 것을 제외하면, 실시예11과 동일한 절차에 의해 테스트가 수행되었다.
실시예13 :
접착제3이 사용되고, 접착제 두께가 25㎛으로 변경된 것을 제외하면 실시예11과 동일한 절차에 의해 테스트가 수행되었다.
실시예14 :
접착제3이 사용되고, 웨이퍼의 연삭 마감 두께가 50㎛으로 변경된 것을 제외하면 실시예11과 동일한 절차에 의해 테스트가 수행되었다.
Figure pat00018
*예열 처리(140℃, 3분)
표11로부터 명백한 바와 같이, 150㎛ 까지의 통상적인 연삭에서와 동일한 조건하에서 연삭이 수행될 때에도, 연삭 동안 가장자리 파손 또는 웨이퍼와 결합층 사이의 경계면내로의 물의 침투 같은 문제가 발생하지 않았다. 예열 처리 이후 충분히 높은 접착 강도가 얻어졌으며, 이는 예열 처리 이후 결합층의 접착 강도를 증가시키는 것으로 인해 웨이퍼로부터 결합층을 분리시킬 수 없게되는 문제를 발생하지 않고 달성되었다. 이는 연삭 이후 웨이퍼상에 잔류하는 손상층(단결정이 아닌, 연삭에 의해 손상된 층)의 제거(예로서, 화학제를 사용한 화학 에칭 방법, 슬러리를 사용하여 화학적 기계적으로 연마를 수행하는 CMP법 또는 화학제를 전혀 사용하지 않고 연마를 사용하는 건식 연마법)시에도 가장자리 파손 또는 벗겨짐이 발생하지 않는다는 것을 나타낸다.
실시예15 및 16(부가적 층을 포함하는 적층체) :
이들 실시예에서, 제1 중간층 및 제2 중간층을 포함하는 적층체가 제조되었다.
광열 변환층, 제2 중간층, 압력-감응 접착제, 광경화성 접착제, 투광성 지지체(유리 기판) 및 연삭 대상 기판으로서 하기의 것이 사용되었다.
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
유리 기판 : TENPAX 내열성 유리
Figure pat00022
연삭 대상 재료 : 750㎛의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼
원료(전구체) :
Sevacarb(Columbian Carbon Japan Ltd.); Aerosil 200(Nippon Aerosil Co.); Disperbyk 161(BYK Chemie Japan Co., Ltd.); Joncryl 690(Johnson Polymer Co.); UV7000B, W6100B(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.); FA513A (Hitachi Chemical Co., Ltd.); 1.6-HX-A(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.); Irgacure 369(Ciba Specialty Chemicals K.K.); UR8700 : 우레탄 변형 폴리에스터 수지, MW=32000,Tg=-22℃. 파괴 강도 < 100kg/cm2, 파괴시의 신장 1000%; UR3200: 우레탄 변형 폴리머 수지, MW=40000, Tg=-3℃. 파괴 강도 < 100kg/cm2, 파괴시의 신장 700% (양자 모두 Toyobo Co., Ltd.로부터 입수).
실시예15 :
a) 적층체의 준비
광열 변환층(1㎛)이 50㎛ 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 막(Tejin Ltd.에 의해 생산된 TEIJIN O 막)(도1f의 제1 중간층에 대응)상에 코팅 및 건조되고, 그 위에, 중간층(도1f의 제2 중간층(9)에 대응)(30㎛)이 코팅 및 건조되었다. 또한, 압력-감응 접착제(10㎛)가 그 위에 코팅되어 압력-감응 접착제 단일-코팅 테이프를 준비하였다. 후속하여, 이 테이프가 롤러를 사용하여 유리 기판과 적층되어 유리 기판/압력-감응 접착제층/제2 중간층/광열 변환층/PET 막(제1 중간층)을 획득하였다.
별도로, 광경화성 접착제가 실리콘 웨이퍼상에 코팅되었다. 그후, 이 실리콘 웨이퍼가 광경화성 접착제에 의해 유리 기판/압력-감응 접착제층/제2 중간층/광열 변환층/PET 막(제1 중간층) 물품의 노출된 PET 막 표면에 적층되고, 유리 기판측으로부터의 UV광으로 조사되어 접착제를 경화하였다. 적층체의 접착 면적은 314cm2 이었다.
b) 이면 연삭
적층체 상태의 실리콘 웨이퍼의 이면이 50㎛까지 연삭되었다.
c) 유리 기판의 분리
결과적인 적층체의 연삭된 웨이퍼 표면이 다이싱 테이프에 부착되고, 그후, 진공 척 테이블상에 고착되었다. 그후, YAG 레이저(출력 : 7W, 파장 : 1,064nm)가 유리 기판측으로부터 전체 표면을 조사하도록 사용되었으며, 그에 의해, 유리 기판이 PET 막(제1 중간층)으로부터 압력 감응 접착제/제2 중간층과 함께 분리되었다.
d) 결합층의 분리
압력-감응 접착 테이프(3M으로부터의 SCOTCHTM #3305)가 제1 중간층(PET 막)의 노출된 표면에 부착되고, 웨이퍼 기판으로부터 결합층과 막을 제거하도록 당겨졌다.
e) 압력-감응 접착제와 제2 중간층의 분리
압력-감응 접착 테이프(#3305)가 제2 중간층의 노출면에 부착되고, 유리 기판으로부터 압력-감응 접착제 및 중간층을 일괄적으로 제거하도록 당겨졌다.
결과 :
접착제층은 접착제층의 파열을 유발하지 않고 웨이퍼 표면으로부터 막과 함께 제거된다는 것이 확인되었다. 웨이퍼 표면상에서 잔류 접착제 등이 관찰되지 않았다.
또한, 유리 기판 표면으로부터 중간층 및 압력-감응 접착제가 일괄적으로 제거된다는 것도 확인되었다. 유리 기판은 에틸 알콜 및 순수로 이를 세척함으로써 재생될 수 있다.
실시예16 :
다층 광학 막(3M으로부터의 3MTM Solar Refleting Film)이 PET 막 대신 사용된 것을 제외하면, 실시예15와 동일한 방식으로 적층체가 제조 및 테스트되었다.
결과 :
접착제층은 접착제층의 파열을 유발하지 않고 웨이퍼 표면으로부터 막과 함께 제거된다는 것이 확인되었다. 웨이퍼 표면상에서, 잔류 접착제 등이 관찰되지 않았다.
또한, 중간층 및 압력-감응 접착제가 유리 기판 표면으로부터 일괄적으로 제거된다는 것도 확인되었다. 유리 기판은 에틸 알콜 및 순수로 이를 세척함으로써 재생될 수 있다. 또한, 결합층을 형성하기 위해 광경화성 접착제를 경화시키기 위해 필요한 광을 투과시키고, 방사 에너지 처리를 위해 필요한 레이저광을 반사하는 다층 광학 막이 사용되었기 때문에, 결합층은 어떠한 손상도 없이 경화될 수 있으며, 동시에, 웨이퍼상의 회로 패턴이 레이저광에 의한 손상으로부터 보호될 수 있다.
본 발명의 적층체는 기판을 손상시키지 않고, 매우 작은 두께로 연삭된 기판을 지지체로부터 분리할 수 있게 한다. 지지체 및 기판은 레이저 빔 같은 방사 에너지에 의해 분리되며, 그래서, 결합층이 박리에 의해 기판으로부터 쉽게 분리될 수 있고, 초박형 기판이 기판 손상 없이 제조될 수 있다.

Claims (5)

  1. 열 분해성 수지의 전구체 재료로서의 단량체나 저중합체 또는 열 분해성 수지 용액 및 흡광제를 함유하는 광열 변환층 전구체를 투광성 지지체 상에 코팅하는 단계와,
    상기 투광성 지지체 상에 광열 변환층을 형성하기 위해 상기 광열 변환층 전구체를 응고 또는 경화 시키도록 건조하는 단계와,
    결합층을 형성하기 위해 상기 광열 변환층 또는 연삭 대상 기판에 접착제를 도포하는 단계와,
    적층체를 형성하기 위해 감압하에 상기 결합층을 통해 상기 광열 변환층과 상기 연삭 대상 기판을 결합하는 단계를 포함하고,
    상기 광열 변환층은 상기 결합층과 접촉하고 상기 결합층 아래에 배치되는 흡광제 및 열 분해성 수지를 포함하고,
    상기 결합층은, 고무 기제 접착제, 에폭시 또는 우레탄 기제 1-부분 열경화성 접착제, 에폭시, 우레탄, 또는 아크릴 기제 2-부분 열경화성 접착제, 아크릴 또는 에폭시 기제 고온 용융 접착제, 아크릴 또는 에폭시 기제 자외선(UV) 경화성 접착제, 아크릴 또는 에폭시 기제 가시광 경화성 접착제, 아크릴 또는 에폭시 기제 전자 빔 경화성 접착제, 및 수성 접착제로 이뤄진 그룹에서 선택된 접착제인, 적층체 제조 방법.
  2. 투광성 지지체 상에 제공되는 광열 변환층이 감압하에 결합층을 통해 연삭 대상 기판에 적층되는 적층체를 제조하기 위한 장치이며,
    사전결정된 압력으로 감소될 수 있는 진공 챔버와,
    (i) 연삭 대상 기판 또는 (ii) 광열 변환층이 위에 형성되는 투광성 지지체가 위에 배치되어 있는, 상기 진공 챔버 내에 제공된 지지부와,
    상기 진공 챔버 내에 제공되고 상기 지지부의 상부 부분에서 수직 방향으로 이동할 수 있는 유지 및 결합해제 수단을 포함하고,
    상기 유지 및 결합해제 수단은 외주 가장자리에서 광열 변환층이 위에 형성되어 있는 상기 투광성 지지체 또는 상기 연삭 대상 기판 중 다른 하나를 유지할 수 있으며, 또한 상기 연삭 대상 기판과 상기 광열 변환층이 인접한 경우 이를 결합해제할 수 있는, 적층체 제조 장치.
  3. 제1 면 및 제2 면을 갖는 연삭 대상 기판, 상기 기판의 제1 면과 접촉하는 결합층, 상기 결합층 상에 배치되는 흡광제와 열 분해성 수지를 포함하는 광열 변환층, 및 상기 광열 변환층 상에 배치된 투광성 지지체를 포함하는 적층체를 제공하는 단계와,
    상기 기판의 제2 면 상에 다이싱 테이프와 다이싱 프레임을 배치하는 단계와,
    상기 다이싱 테이프를 통해 상기 기판을 다이싱하는 단계와,
    상기 투광성 지지체를 통해 상기 적층체를 조사하여 상기 광열 변환층을 분해하고 상기 기판과 상기 투광성 지지체를 분리시키는 단계를 포함하는, 적층체 가공 방법.
  4. 제1 면 및 제2 면을 갖는 연삭 기판, 상기 기판의 제1 면과 접촉하는 결합층, 상기 결합층 상에 배치되는 흡광제와 열 분해성 수지를 포함하는 광열 변환층, 및 상기 광열 변환층 상에 배치된 투광성 지지체를 포함하는 적층체와,
    다이 접합 테이프 또는 다이싱 테이프와 다이싱 프레임의 조합과,
    조사 광원을 포함하는, 적층체 가공 장치.
  5. 제1 면 및 제2 면을 갖는 연삭 기판, 상기 기판의 제1 면과 접촉하는 결합층, 상기 결합층 상에 배치되는 흡광제와 열 분해성 수지를 포함하는 광열 변환층, 및 상기 광열 변환층 상에 배치되는 가장자리부를 포함하는 투광성 지지체를 포함하는 적층체를 제공하는 단계와,
    상기 적층체의 연삭 기판측 상에 다이싱 테이프와 다이싱 프레임을 배치하는 단계와,
    상기 적층체로부터 상기 투광성 지지체를 분리시키는 단계를 포함하는, 적층체로부터 연삭 기판을 제거하는 방법.
KR1020107022239A 2002-06-03 2003-06-02 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치 KR101084439B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002161846 2002-06-03
JPJP-P-2002-161846 2002-06-03
JP2002350247A JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2002-12-02 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JPJP-P-2002-350247 2002-12-02
PCT/US2003/017236 WO2004006296A2 (en) 2002-06-03 2003-06-02 Laminate body and corresponding methods and apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047019583A Division KR101017474B1 (ko) 2002-06-03 2003-06-02 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100121687A true KR20100121687A (ko) 2010-11-18
KR101084439B1 KR101084439B1 (ko) 2011-11-21

Family

ID=30117355

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107022239A KR101084439B1 (ko) 2002-06-03 2003-06-02 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치
KR1020047019583A KR101017474B1 (ko) 2002-06-03 2003-06-02 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는방법 및 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047019583A KR101017474B1 (ko) 2002-06-03 2003-06-02 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는방법 및 장치

Country Status (9)

Country Link
US (3) US8789569B2 (ko)
EP (1) EP1550156B1 (ko)
JP (1) JP4565804B2 (ko)
KR (2) KR101084439B1 (ko)
CN (1) CN102420114B (ko)
AU (1) AU2003278696A1 (ko)
MY (1) MY141078A (ko)
TW (1) TWI282753B (ko)
WO (1) WO2004006296A2 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101304282B1 (ko) * 2011-05-31 2013-09-11 코스텍시스템(주) 임시 본딩된 디바이스 웨이퍼의 디본딩 방법
WO2013142054A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
KR20140070359A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
KR20150064208A (ko) * 2012-10-11 2015-06-10 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 개선된 핸들러 웨이퍼 탈착 방법
KR20190088384A (ko) * 2018-01-18 2019-07-26 포항공과대학교 산학협력단 유연 기판, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 유연 전자 장치
KR20200118536A (ko) * 2019-04-08 2020-10-16 한국화학연구원 신축성 기판 및 이를 포함하는 신축성 인쇄 회로기판

Families Citing this family (204)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1703773B (zh) * 2002-06-03 2011-11-16 3M创新有限公司 层压体以及用该层压体制造超薄基片的方法和设备
CN100383929C (zh) * 2005-02-01 2008-04-23 矽品精密工业股份有限公司 一种半导体处理制程
JP4613709B2 (ja) * 2005-06-24 2011-01-19 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP5275553B2 (ja) 2006-06-27 2013-08-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 分割チップの製造方法
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
US20080014532A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
JP5202832B2 (ja) * 2006-10-12 2013-06-05 東京応化工業株式会社 ウエハ回路面の保護方法及びウエハ薄化方法
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
JP4289630B2 (ja) * 2007-07-24 2009-07-01 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 ウエハ支持ガラス
DE202009018064U1 (de) 2008-01-24 2010-12-02 Brewer Science, Inc. Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
KR101500689B1 (ko) * 2008-05-15 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 전기영동 입자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전기영동디스플레이
JP2011040419A (ja) 2008-05-22 2011-02-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法及びそのための装置
JP5252283B2 (ja) * 2008-10-15 2013-07-31 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法及びそのための装置
JP4725638B2 (ja) * 2008-12-09 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
US7867876B2 (en) * 2008-12-23 2011-01-11 International Business Machines Corporation Method of thinning a semiconductor substrate
JP5428362B2 (ja) 2009-02-04 2014-02-26 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
EP2419928A2 (en) 2009-04-16 2012-02-22 Süss Microtec Lithography GmbH Improved apparatus for temporary wafer bonding and debonding
US8366873B2 (en) * 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
US8871609B2 (en) 2009-06-30 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling structure and method
US9305769B2 (en) 2009-06-30 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling method
JP5257314B2 (ja) 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
JP5547954B2 (ja) * 2009-12-14 2014-07-16 日東電工株式会社 粘着テープ剥離方法およびその装置
JP5535610B2 (ja) * 2009-12-22 2014-07-02 三菱重工業株式会社 Ｓｏｉ半導体基板製造方法
KR101856429B1 (ko) 2010-03-31 2018-05-09 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 양면에 칩이 장착되는 웨이퍼를 제작하기 위한 방법
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
JP5570298B2 (ja) * 2010-05-21 2014-08-13 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US8742009B2 (en) 2010-06-04 2014-06-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Temporary adhesive composition, and method of producing thin wafer
WO2011159456A2 (en) * 2010-06-16 2011-12-22 3M Innovative Properties Company Optically tuned metalized light to heat conversion layer for wafer support system
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP5902406B2 (ja) * 2010-06-25 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 分離方法および半導体装置の作製方法
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
WO2012029718A1 (ja) * 2010-09-01 2012-03-08 電気化学工業株式会社 接合体の解体方法及び接着剤
US8963337B2 (en) * 2010-09-29 2015-02-24 Varian Semiconductor Equipment Associates Thin wafer support assembly
JP5611751B2 (ja) * 2010-09-30 2014-10-22 芝浦メカトロニクス株式会社 支持基板、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
JP5735774B2 (ja) * 2010-09-30 2015-06-17 芝浦メカトロニクス株式会社 保護体、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
TW201241941A (en) * 2010-10-21 2012-10-16 Sumitomo Bakelite Co A method for manufacturing an electronic equipment, and the electronic equipment obtained by using the method, as well as a method for manufacturing electronics and electronic parts, and the electronics and the electronic parts obtained using the method
JP2012109538A (ja) * 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
JP5580800B2 (ja) * 2010-10-29 2014-08-27 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
JP6121643B2 (ja) 2010-10-29 2017-04-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フィルム成型装置及びフィルム成型方法
JP5756334B2 (ja) 2010-10-29 2015-07-29 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
JP5802106B2 (ja) * 2010-11-15 2015-10-28 東京応化工業株式会社 積層体、および分離方法
JP5348147B2 (ja) 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP5409695B2 (ja) 2011-04-26 2014-02-05 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンを含む仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
JP6009812B2 (ja) * 2011-06-17 2016-10-19 日東電工株式会社 粘着フィルム
JP2013001888A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Three M Innovative Properties Co 部材接合方法及び部材接合装置
US10094024B2 (en) 2011-06-24 2018-10-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of manufacturing multilayer body, method of processing substrate, and multilayer body
FR2980280B1 (fr) * 2011-09-20 2013-10-11 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'une couche dans une structure composite
JP5846060B2 (ja) 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5592330B2 (ja) 2011-10-07 2014-09-17 信越化学工業株式会社 仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6060479B2 (ja) * 2011-11-24 2017-01-18 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物
JP5875850B2 (ja) * 2011-12-16 2016-03-02 東京応化工業株式会社 積層体及び分離方法
JP5722807B2 (ja) * 2012-01-17 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
JP2013152986A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US8696864B2 (en) 2012-01-26 2014-04-15 Promerus, Llc Room temperature debonding composition, method and stack
EP2810300A4 (en) * 2012-01-30 2016-05-11 3M Innovative Properties Co DEVICE, HYBRID LAMINATED BODY, METHOD AND MATERIALS FOR TEMPORARY SUBSTRATE CARRIER
WO2013118536A1 (ja) * 2012-02-07 2013-08-15 東京応化工業株式会社 処理方法及び処理装置
JP5631343B2 (ja) 2012-02-08 2014-11-26 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法
US8999817B2 (en) 2012-02-28 2015-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer
JP2013208886A (ja) 2012-02-29 2013-10-10 Canon Inc インクジェットヘッドの製造方法
JP2013211505A (ja) * 2012-03-02 2013-10-10 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
JP5591859B2 (ja) * 2012-03-23 2014-09-17 株式会社東芝 基板の分離方法及び分離装置
TWI534238B (zh) 2012-04-24 2016-05-21 信越化學工業股份有限公司 Wafer processing body, wafer processing member, temporary processing material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer
JP5767161B2 (ja) 2012-05-08 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法
JP2014011242A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Nitto Denko Corp Ｌｅｄの製造方法
KR101382601B1 (ko) * 2012-07-02 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 장치 및 그 방법
JP6030358B2 (ja) * 2012-07-03 2016-11-24 東京応化工業株式会社 積層体
JP2014049537A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US8895865B2 (en) 2012-09-07 2014-11-25 Conor P. Lenahan Conductive connections allowing XYZ translation
JP6006600B2 (ja) * 2012-09-28 2016-10-12 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法および積層体
JP6088835B2 (ja) * 2012-09-28 2017-03-01 東京応化工業株式会社 貼合装置および貼り合わせ方法
KR101276487B1 (ko) * 2012-10-05 2013-06-18 주식회사 이녹스 웨이퍼 적층체 및 디바이스 웨이퍼 및 캐리어 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 처리 방법
JP5975528B2 (ja) 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
US9586291B2 (en) 2012-11-28 2017-03-07 Globalfoundries Inc Adhesives for bonding handler wafers to device wafers and enabling mid-wavelength infrared laser ablation release
US20140144593A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 International Business Machiness Corporation Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation
KR102015400B1 (ko) * 2012-11-29 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 캐리어 기판의 박리 장치, 캐리어 기판의 박리 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR102046534B1 (ko) * 2013-01-25 2019-11-19 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
KR102070091B1 (ko) * 2013-02-20 2020-01-29 삼성전자주식회사 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법
JP5610328B1 (ja) 2013-03-14 2014-10-22 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6053150B2 (ja) * 2013-03-15 2016-12-27 リンテック株式会社 光照射装置および照射方法
JP5975918B2 (ja) * 2013-03-27 2016-08-23 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
WO2014157082A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 東京応化工業株式会社 貼付方法
WO2014163188A1 (ja) * 2013-04-04 2014-10-09 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6224509B2 (ja) 2013-05-14 2017-11-01 信越化学工業株式会社 ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
JP6118404B2 (ja) * 2013-05-31 2017-04-19 三井化学東セロ株式会社 電子部材の剥離方法
KR101503326B1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-18 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 디본딩 방법 및 장치
US9184083B2 (en) * 2013-07-29 2015-11-10 3M Innovative Properties Company Apparatus, hybrid laminated body, method and materials for temporary substrate support
TWI610374B (zh) 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
US10046550B2 (en) 2013-08-22 2018-08-14 Massachusetts Institute Of Technology Carrier-substrate adhesive system
US9359198B2 (en) * 2013-08-22 2016-06-07 Massachusetts Institute Of Technology Carrier-substrate adhesive system
JP6120748B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9315696B2 (en) 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
JP6244183B2 (ja) * 2013-11-20 2017-12-06 東京応化工業株式会社 処理方法
JP2015122370A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 部材剥離方法、部材処理方法及び半導体チップ作製方法
KR102239643B1 (ko) 2013-12-26 2021-04-12 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 가고정용 필름, 가고정용 필름 시트 및 반도체 장치
TWI549578B (zh) * 2013-12-26 2016-09-11 鴻海精密工業股份有限公司 電子裝置之重工方法
KR102268248B1 (ko) 2014-01-29 2021-06-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법
JP6023737B2 (ja) 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US10157766B2 (en) 2014-03-19 2018-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device
JP6446290B2 (ja) 2014-04-22 2018-12-26 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、積層体及び剥離方法
JP2015214681A (ja) 2014-04-24 2015-12-03 セントラル硝子株式会社 硬化性組成物、仮接着材およびこれらを用いた部材と基材の仮接着方法
JP6216727B2 (ja) * 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
JP6242295B2 (ja) * 2014-05-29 2017-12-06 デンカ株式会社 仮固定用接着剤組成物、それを用いた部材の仮固定方法
JP6193813B2 (ja) 2014-06-10 2017-09-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
KR102404034B1 (ko) * 2014-07-22 2022-05-31 브레우어 사이언스, 인코포레이션 3차원 ic 적용용 레이저 박리 재료로서의 폴리이미드
JP6404787B2 (ja) 2014-09-26 2018-10-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9475272B2 (en) 2014-10-09 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. De-bonding and cleaning process and system
US9324601B1 (en) * 2014-11-07 2016-04-26 International Business Machines Corporation Low temperature adhesive resins for wafer bonding
US9991150B2 (en) 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
CN104485294A (zh) 2014-12-12 2015-04-01 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆临时键合及分离方法
JP6225894B2 (ja) 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6325432B2 (ja) 2014-12-25 2018-05-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6404723B2 (ja) * 2015-01-27 2018-10-17 デンカ株式会社 仮固定用接着剤組成物、それを用いた部材の仮固定方法及び硬化体残渣の除去方法
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
JP2016174102A (ja) 2015-03-17 2016-09-29 株式会社東芝 半導体製造方法および積層体
JP6486735B2 (ja) 2015-03-17 2019-03-20 東芝メモリ株式会社 半導体製造方法および半導体製造装置
US10522383B2 (en) * 2015-03-25 2019-12-31 International Business Machines Corporation Thermoplastic temporary adhesive for silicon handler with infra-red laser wafer de-bonding
WO2016171221A1 (ja) 2015-04-22 2016-10-27 デンカ株式会社 組成物
JP6465743B2 (ja) * 2015-05-14 2019-02-06 東京応化工業株式会社 分離層形成用組成物、分離層、分離層を含む積層体、積層体の製造方法および積層体の処理方法
CN104979262B (zh) * 2015-05-14 2020-09-22 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆分离的方法
TW201641282A (zh) * 2015-05-25 2016-12-01 中華映管股份有限公司 疊層結構的脫層方法
JP6443241B2 (ja) 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
KR101950157B1 (ko) * 2015-08-11 2019-02-19 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 지지체 분리 장치 및 지지체 분리 방법
JP6589766B2 (ja) 2015-08-18 2019-10-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法
US11830756B2 (en) * 2020-04-29 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Temporary die support structures and related methods
CN108290321A (zh) * 2015-10-08 2018-07-17 麻省理工学院 载体-衬底粘附系统
JP6588404B2 (ja) * 2015-10-08 2019-10-09 信越化学工業株式会社 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6502824B2 (ja) 2015-10-19 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR101898121B1 (ko) * 2015-10-22 2018-09-12 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 워크피스 처리 방법 및 그러한 방법을 위해 설계된 장치
JP6463664B2 (ja) 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
JP6649111B2 (ja) * 2016-02-16 2020-02-19 東京応化工業株式会社 積層体、積層体の製造方法、及び基板の処理方法
JP6612648B2 (ja) * 2016-02-17 2019-11-27 東京応化工業株式会社 支持体分離装置及び支持体分離方法
JP6722001B2 (ja) 2016-03-03 2020-07-15 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、積層体、及び、積層体の製造方法
JP6681762B2 (ja) * 2016-03-25 2020-04-15 東京応化工業株式会社 積層体、及び積層体の製造方法
EP3235558A1 (en) * 2016-04-21 2017-10-25 3M Innovative Properties Company of 3M Center Hollow fiber membrane for use in an anesthetic circuit
JP6926070B2 (ja) 2016-05-02 2021-08-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 仮固定用樹脂フィルム
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method
KR102652732B1 (ko) * 2016-12-15 2024-03-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 점착 필름
TW201837009A (zh) * 2017-03-30 2018-10-16 日商日本碍子股份有限公司 暫時固定基板及電子元件的模塑方法
JP6788549B2 (ja) 2017-06-05 2020-11-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
US10522526B2 (en) * 2017-07-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LTHC as charging barrier in InFO package formation
US10875275B2 (en) 2017-08-10 2020-12-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Composition for forming separation layer, support base provided with separation layer, laminate and method of producing same, and method of producing electronic component
KR102426365B1 (ko) 2017-08-21 2022-07-29 삼성전자 주식회사 안테나를 포함하는 전자 장치
KR20240035894A (ko) 2017-11-01 2024-03-18 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 노볼락 수지를 박리층으로서 포함하는 적층체
CN107946407A (zh) * 2017-11-29 2018-04-20 北京创昱科技有限公司 一种新型独立驱动的薄膜分离机构
WO2019106846A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
TWI782169B (zh) * 2018-01-23 2022-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 接合系統及接合方法
JP7045765B2 (ja) 2018-04-16 2022-04-01 信越化学工業株式会社 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法
JP6998838B2 (ja) 2018-06-04 2022-01-18 信越化学工業株式会社 薄型基板の製造方法
JP7220135B2 (ja) 2018-11-01 2023-02-09 信越化学工業株式会社 積層体の製造方法、及び基板の製造方法
EP3882323B1 (en) * 2018-11-14 2023-02-15 Denka Company Limited Composition
KR102669588B1 (ko) 2018-11-19 2024-05-29 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 광조사 박리용 접착제 조성물 및 적층체, 그리고 적층체의 제조 방법 및 박리 방법
KR102602153B1 (ko) * 2018-11-22 2023-11-15 (주)이녹스첨단소재 Rdl 형성 공정용 양면 접착 테이프, 이를 포함하는 적층체 및 이를 이용한 팬-아웃 패키지 제작 공정
JP7414005B2 (ja) * 2018-11-29 2024-01-16 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
JP7319044B2 (ja) * 2018-12-14 2023-08-01 Tdk株式会社 素子アレイの製造装置と特定素子の除去装置
WO2020129917A1 (ja) 2018-12-20 2020-06-25 日立化成株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法
EP3907074A4 (en) 2018-12-27 2022-09-14 Nissan Chemical Corporation ADHESIVE COMPOSITION FOR REMOVING BY OPTICAL RADIATION, LAMINATE BODY, METHOD OF MANUFACTURE AND PEEL PROCESS
JP2020107754A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 東京応化工業株式会社 電子部品の製造方法、及びキット
CN113439112B (zh) 2019-01-22 2024-01-05 布鲁尔科技公司 用于3-d ic用途的可激光剥离的结合材料
JP7454922B2 (ja) 2019-07-11 2024-03-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着材料及び積層体の製造方法
JPWO2021015057A1 (ko) * 2019-07-25 2021-01-28
KR20220037436A (ko) * 2019-07-25 2022-03-24 에이지씨 가부시키가이샤 적층 부재
JP7382171B2 (ja) * 2019-08-09 2023-11-16 株式会社ディスコ 樹脂シートの剥離方法
JP7345322B2 (ja) * 2019-09-03 2023-09-15 株式会社ディスコ 樹脂の被覆方法及び樹脂被覆装置
KR20220075215A (ko) 2019-09-30 2022-06-07 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼가공체, 웨이퍼가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법
KR20210046382A (ko) * 2019-10-18 2021-04-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 접착 필름
KR20210046381A (ko) * 2019-10-18 2021-04-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 접착 필름
JP2021072375A (ja) 2019-10-31 2021-05-06 昭和電工マテリアルズ株式会社 基板搬送用サポートテープ及び電子機器装置の製造方法
US20220289920A1 (en) * 2019-10-31 2022-09-15 Showa Denko Materials Co., Ltd. Resin composition for temporary fixation, substrate-conveying support tape, and electronic equipment device manufacturing method
TW202134386A (zh) 2019-12-02 2021-09-16 日商信越化學工業股份有限公司 晶圓加工用假性接著劑、晶圓積層體及薄型晶圓的製造方法
US11667815B2 (en) * 2019-12-09 2023-06-06 3M Innovative Properties Company Adhesive film
JP6802348B1 (ja) * 2019-12-27 2020-12-16 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び電子部品の製造方法
CN114729254A (zh) * 2019-12-27 2022-07-08 东京应化工业株式会社 粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法及电子部件的制造方法
US11295973B2 (en) * 2020-02-11 2022-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for automated wafer carrier handling
US20230143007A1 (en) 2020-02-21 2023-05-11 Nissan Chemical Corporation Multilayer object and release agent composition
EP4144808A4 (en) 2020-04-30 2024-06-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. TEMPORARY ADHESIVE FOR WAFER PROCESSING, WAFER LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING THIN WAFER
KR20210135111A (ko) 2020-05-04 2021-11-12 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
EP4148096A4 (en) 2020-05-21 2023-11-01 Denka Company Limited COMPOSITION
KR20230022856A (ko) 2020-06-12 2023-02-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 가접착방법, 디바이스 웨이퍼 가공방법, 가접착용 적층체 및 디바이스 웨이퍼 가공용 적층체
CN115702204A (zh) 2020-06-15 2023-02-14 日产化学株式会社 层叠体、剥离剂组合物及经加工的半导体基板的制造方法
CN116157898A (zh) 2020-07-22 2023-05-23 日产化学株式会社 层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
CN111834280A (zh) * 2020-07-24 2020-10-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 临时键合方法
JPWO2022045026A1 (ko) 2020-08-27 2022-03-03
US11889742B2 (en) * 2020-11-04 2024-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of manufacturing display device and method of manufacturing display device
CN112908922A (zh) * 2021-01-28 2021-06-04 蔡德昌 一种重复使用的透明硬质载具与待减薄晶圆片之贴合及剥离工艺
US20240208179A1 (en) 2021-03-31 2024-06-27 Nissan Chemical Corporation Laminate, release agent composition, and method for manufacturing processed semiconductor substrate
WO2022210262A1 (ja) 2021-03-31 2022-10-06 日産化学株式会社 積層体、剥離剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法
CN117157738A (zh) 2021-03-31 2023-12-01 日产化学株式会社 层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
US11358381B1 (en) * 2021-03-31 2022-06-14 PulseForge Corp. Method for attaching and detaching substrates during integrated circuit manufacturing
JP7434666B2 (ja) 2021-04-26 2024-02-20 デンカ株式会社 組成物
WO2023032165A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 昭和電工マテリアルズ株式会社 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、及び半導体装置の製造方法
JP2023049530A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 日東電工株式会社 電子部品仮固定用粘着シートおよび電子部品の処理方法
JP2023049529A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 日東電工株式会社 電子部品仮固定用粘着シートおよび電子部品の処理方法
CN118160066A (zh) 2021-10-29 2024-06-07 日产化学株式会社 层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
JP2023087510A (ja) 2021-12-13 2023-06-23 東京応化工業株式会社 分離層形成用組成物、分離層付き支持基体、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法
WO2023232264A1 (de) * 2022-06-03 2023-12-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Mehrschichtsystem aus dünnen schichten zum temporärbonden
WO2023243488A1 (ja) * 2022-06-13 2023-12-21 日東電工株式会社 電子部品仮固定用粘接着シート
WO2023243487A1 (ja) * 2022-06-13 2023-12-21 日東電工株式会社 電子部品仮固定用粘着シート
CN117810132B (zh) * 2023-12-29 2024-06-18 兰陵县乐纯木业有限公司 一种适用于面板的uv胶压合固化装置

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189230A (en) * 1977-10-26 1980-02-19 Fujitsu Limited Wafer holder with spring-loaded wafer-holding means
US4316757A (en) * 1980-03-03 1982-02-23 Monsanto Company Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing
JPS6258654A (ja) * 1985-09-09 1987-03-14 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0721131B2 (ja) * 1986-07-25 1995-03-08 日東電工株式会社 接着力消失型感圧性接着剤
US4818323A (en) * 1987-06-26 1989-04-04 Motorola Inc. Method of making a void free wafer via vacuum lamination
JPH01241493A (ja) * 1988-03-24 1989-09-26 Tomoegawa Paper Co Ltd カラー転写記録方法
JPH01268031A (ja) * 1988-04-19 1989-10-25 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの保持方法
US5414297A (en) * 1989-04-13 1995-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device chip with interlayer insulating film covering the scribe lines
JPH0432229A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Mitsubishi Electric Corp ウエハ貼付方法
EP0571649A1 (en) * 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
US5256599A (en) * 1992-06-01 1993-10-26 Motorola, Inc. Semiconductor wafer wax mounting and thinning process
JPH05335411A (ja) 1992-06-02 1993-12-17 Toshiba Corp ペレットの製造方法
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JP2922066B2 (ja) 1992-10-15 1999-07-19 松下電子工業株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0737768A (ja) * 1992-11-26 1995-02-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェハの補強方法及び補強された半導体ウェハ
CA2115947A1 (en) * 1993-03-03 1994-09-04 Gregory C. Smith Wafer-like processing after sawing dmds
JP3325650B2 (ja) 1993-04-15 2002-09-17 株式会社ディスコ ウェーハの研磨方法
JPH07145357A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Nitto Denko Corp 加熱剥離シート及び剥離方法
US5729038A (en) * 1995-12-15 1998-03-17 Harris Corporation Silicon-glass bonded wafers
JPH07290828A (ja) * 1994-04-21 1995-11-07 Fuji Photo Film Co Ltd 色材シートの製造方法
JP3364318B2 (ja) * 1994-04-22 2003-01-08 富士写真フイルム株式会社 画像形成方法
US5534383A (en) * 1995-08-09 1996-07-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image transfer sheet, its laminate and image forming method
US6399143B1 (en) * 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US5872046A (en) * 1996-04-10 1999-02-16 Texas Instruments Incorporated Method of cleaning wafer after partial saw
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
JP3511346B2 (ja) * 1996-12-05 2004-03-29 三井化学株式会社 半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム
JPH1120309A (ja) * 1997-07-03 1999-01-26 Dainippon Printing Co Ltd 一体型熱転写シートおよびその製造方法
JPH1126404A (ja) 1997-07-08 1999-01-29 Canon Inc 研磨装置
JP3993918B2 (ja) * 1997-08-25 2007-10-17 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH1174230A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜半導体装置の製造方法
KR100278137B1 (ko) * 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
JPH11142633A (ja) * 1997-11-05 1999-05-28 Alps Electric Co Ltd カラーフィルタの製造方法
JPH11156710A (ja) * 1997-12-02 1999-06-15 Fujikoshi Mach Corp ウェーハの接着方法及び接着装置
JPH11283279A (ja) 1998-01-30 1999-10-15 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 貼り合わせ型光ディスク並びにその製造方法及び装置
JP3739570B2 (ja) * 1998-06-02 2006-01-25 リンテック株式会社 粘着シートおよびその利用方法
JP2000038556A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
JP2000040677A (ja) 1998-07-23 2000-02-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体素子の製造方法
JP3669196B2 (ja) * 1998-07-27 2005-07-06 日東電工株式会社 紫外線硬化型粘着シート
JP3383227B2 (ja) 1998-11-06 2003-03-04 リンテック株式会社 半導体ウエハの裏面研削方法
TWI255934B (en) * 1998-12-04 2006-06-01 Samsung Electronics Co Ltd A substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
JP3504543B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP4275254B2 (ja) * 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
WO2001035457A1 (en) * 1999-11-08 2001-05-17 Amerasia International Technology, Inc. Wafer level application of tack-free die-attach adhesive film
US6284425B1 (en) * 1999-12-28 2001-09-04 3M Innovative Properties Thermal transfer donor element having a heat management underlayer
JP2000195826A (ja) 2000-01-01 2000-07-14 Toshiba Corp ウェ―ハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP3526802B2 (ja) * 2000-01-21 2004-05-17 旭化成ケミカルズ株式会社 半導体ウエハー固定用の粘着剤ならびに加工方法
JP4301683B2 (ja) * 2000-03-06 2009-07-22 大日本印刷株式会社 積層体の製造装置
JP4253423B2 (ja) * 2000-06-14 2009-04-15 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト積層物
EP1167483A1 (en) 2000-06-20 2002-01-02 Saehan Industries, Inc. Adhesive tape for electronic parts
JP3485525B2 (ja) * 2000-07-06 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6358664B1 (en) * 2000-09-15 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
CN1315615C (zh) * 2000-09-27 2007-05-16 斯特拉斯保 用于设置弹性带的工具及相关方法
DE10051938A1 (de) * 2000-10-19 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Anordnung mit einem Substrat und einem Träger
JP2002231600A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Nitto Denko Corp レジスト除去用接着テープとレジスト除去方法
JP4757398B2 (ja) * 2001-04-24 2011-08-24 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002353170A (ja) 2001-05-28 2002-12-06 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分離システム、分離方法及びダイシング装置
JP4869517B2 (ja) 2001-08-21 2012-02-08 リンテック株式会社 粘接着テープ
US6939741B2 (en) * 2002-01-15 2005-09-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. IC chip manufacturing method
CN100334690C (zh) * 2002-03-27 2007-08-29 三井化学株式会社 半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法
AU2003236002A1 (en) 2002-04-11 2003-10-20 Disco Corporation Method for manufacturing semiconductor chip
CN1703773B (zh) * 2002-06-03 2011-11-16 3M创新有限公司 层压体以及用该层压体制造超薄基片的方法和设备
US6922293B2 (en) * 2002-07-02 2005-07-26 Nikon Corporation Kinematic optical mounting assembly with flexures

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101304282B1 (ko) * 2011-05-31 2013-09-11 코스텍시스템(주) 임시 본딩된 디바이스 웨이퍼의 디본딩 방법
WO2013142054A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
KR20150064208A (ko) * 2012-10-11 2015-06-10 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 개선된 핸들러 웨이퍼 탈착 방법
KR20140070359A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
KR20190088384A (ko) * 2018-01-18 2019-07-26 포항공과대학교 산학협력단 유연 기판, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 유연 전자 장치
KR20200118536A (ko) * 2019-04-08 2020-10-16 한국화학연구원 신축성 기판 및 이를 포함하는 신축성 인쇄 회로기판

Also Published As

Publication number Publication date
KR101084439B1 (ko) 2011-11-21
WO2004006296A2 (en) 2004-01-15
KR101017474B1 (ko) 2011-02-25
CN102420114A (zh) 2012-04-18
KR20050004904A (ko) 2005-01-12
WO2004006296A3 (en) 2005-04-07
US20110297771A1 (en) 2011-12-08
AU2003278696A1 (en) 2004-01-23
EP1550156B1 (en) 2018-12-05
US8800631B2 (en) 2014-08-12
AU2003278696A8 (en) 2004-01-23
TW200402352A (en) 2004-02-16
EP1550156A2 (en) 2005-07-06
US8789569B2 (en) 2014-07-29
US20100041211A1 (en) 2010-02-18
MY141078A (en) 2010-03-15
CN102420114B (zh) 2015-04-22
TWI282753B (en) 2007-06-21
US20100038035A1 (en) 2010-02-18
US8038839B2 (en) 2011-10-18
JP4565804B2 (ja) 2010-10-20
JP2004064040A (ja) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101084439B1 (ko) 적층체 및 이 적층체를 사용하여 초박형 기판을 제조하는 방법 및 장치
US7534498B2 (en) Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP5048707B2 (ja) 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
KR101128135B1 (ko) 반도체 칩의 제조 방법
US8021964B2 (en) Method of producing segmented chips
KR20140128355A (ko) 임시 기판 지지체를 위한 장치, 하이브리드 적층체, 방법 및 재료
WO2010025047A2 (en) Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181018

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 9