KR20220075215A - 웨이퍼가공체, 웨이퍼가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법 - Google Patents

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wafer
temporary adhesive
layer
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wafer processing
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미츠오 무토
쇼헤이 타가미
미치히로 수고
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼가공용 가접착재로서, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층 중 적어도 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재이다. 이에 따라, 가열접합시의 웨이퍼 휨을 개선하고, 양호한 박리성과 세정제거성을 가지며, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하며, TSV형성공정 등에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가서는, 열프로세스내성이 우수하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼가공체, 웨이퍼가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.

Description

웨이퍼가공체, 웨이퍼가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법
본 발명은, 박형 웨이퍼를 효과적으로 얻는 것을 가능하게 하는 웨이퍼가공용 접착재, 웨이퍼가공체, 및 박형 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.
3차원의 반도체 실장은, 고밀도, 대용량화를 한층 더 실현하기 위해 필수시되고 있다. 3차원 실장기술이란, 하나의 반도체칩을 박형화하고, 다시 이것을 실리콘관통전극(TSV; through silicon via)에 의해 결선하면서 다층으로 적층해 가는 반도체제작기술이다. 이것을 실현하기 위해서는, 반도체회로를 형성한 기판을 비회로형성면(「이면」이라고도 한다) 연삭에 의해 박형화하고, 추가로 이면에 TSV를 포함하는 전극형성을 행하는 공정이 필요하다. 종래, 실리콘기판의 이면연삭공정에서는, 연삭면의 반대측에 이면보호테이프를 붙여, 연삭시의 웨이퍼 파손을 방지하고 있다. 그러나, 이 테이프는 유기 수지필름을 지지기재에 이용하고 있으며, 유연성이 있는 반면, 강도나 내열성이 불충분하여, TSV형성공정이나 이면에서의 배선층형성공정을 행하기에는 적합하지 않다.
이에, 반도체기판을 실리콘, 유리 등의 지지체에 접착층을 개재하여 접합함으로써, 이면연삭, TSV나 이면전극형성의 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있다. 이때 중요한 것이, 기판을 지지체에 접합할 때의 접착층이다. 이는 기판을 지지체에 간극없이 접합할 수 있고, 후의 공정에 견딜만한 충분한 내구성이 필요하고, 나아가 마지막에 박형 웨이퍼를 지지체로부터 간편하게 박리할 수 있는 것이 필요하다. 이처럼, 마지막에 박리하는 점에서, 본 명세서에서는, 이 접착층을 가접착층(또는 가접착재층)이라 부르기로 한다.
지금까지 공지의 가접착층과 그 박리방법으로는, 광흡수성 물질을 포함하는 접착재에 고강도의 광을 조사하고, 접착재층을 분해함으로써 지지체로부터 접착재층을 박리하는 기술(특허문헌 1), 및, 열용융성의 탄화수소계 화합물을 접착재에 이용하고, 가열용융상태에서 접합·박리를 행하는 기술(특허문헌 2)이 제안되어 있다. 전자의 기술은 레이저 등의 고가의 장치가 필요하며, 또한 기판 1매당 처리시간이 길어지는 등의 문제가 있었다. 또한 후자의 기술은 가열만으로 제어하기 때문에 간편한 반면, 200℃를 초과하는 고온에서의 열안정성이 불충분하기 때문에, 적용범위는 좁았다. 나아가 이들 가접착층에서는, 고단차기판의 균일한 막두께형성과, 지지체에 대한 완전접착에도 적합하지 않았다.
실리콘점착제를 가접착재층에 이용하는 기술이 제안되어 있는데, 이것은 기판을 지지체에 가열경화형의 실리콘점착제를 이용하여 접합하고, 박리시에는 실리콘 수지를 용해, 혹은 분해하는 것와 같은 약제에 침지하여 기판을 지지체로부터 분리하는 것이다(특허문헌 3). 그러므로 박리에 매우 장시간을 요해, 실제의 제조프로세스에의 적용은 곤란하다. 또한 박리 후, 기판 상에 잔사로서 남은 실리콘점착제를 세정하는 것에도 장시간이 필요해져, 세정제거성이라는 점으로부터도 과제를 갖고 있었다. 한편, 접합공정에 있어서는, 가열경화형의 실리콘의 경우 150℃ 정도의 가열이 필요하고, 특히 핫플레이트 상에서 가열을 행하는 경우에는 웨이퍼의 휨이 문제가 되는 일이 있었다. 그러므로, 웨이퍼의 휨을 억제하기 위해 저온에서 접합시키고자 한 경우에는, 경화의 완료에 장시간을 요한다는 문제가 있었다.
일본특허공개 2004-64040호 공보 일본특허공개 2006-328104호 공보 미국특허 제7541264호 공보
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 접합시의 웨이퍼 휨이 개선되고, 양호한 박리성과 세정제거성을 가지며, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하며, TSV형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가서는, CVD(화학적 기상성장)와 같은 웨이퍼 열프로세스내성이 우수하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼가공체, 웨이퍼가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼가공용 가접착재로서, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층의 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재를 제공한다.
본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재이면, 제2 가접착층에 광경화성 실록산 중합체층을 이용함으로써, 종래의 가열경화성 실록산 중합체층에 비해, 비가열로 단시간의 접합이 가능해지고, 이에 따라 접합시의 웨이퍼 휨의 경감과 접합공정시간의 단축을 달성할 수 있다. 또한 얻어지는 가접착재는, 기재와 지지체의 양호한 박리성, 세정제거성도 겸비하고 있다. 게다가, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하며, TSV형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가서는, CVD와 같은 웨이퍼 열프로세스내성이 우수하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)이,
(B-1)1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
(B-2)1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
(B-3)광활성형 하이드로실릴화 반응촉매: 상기 (B-1)성분 및 상기 (B-2)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm
를 함유하는 광경화성 실록산 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
이러한 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 웨이퍼가공용 가접착재이면, CVD내성이 보다 우수하다.
이 경우, 상기 광경화성 실록산 조성물이, 추가로, (B-4)성분으로서 하이드로실릴화 반응제어제를 함유하는 것이며, 또한, 상기 (B-3)성분의 첨가량이, 상기 (B-1)성분, 상기 (B-2)성분 및 상기 (B-4)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm인 것이 바람직하다.
이러한 웨이퍼가공용 가접착재이면, 경화 전에 처리액(광경화성 실록산 조성물)이 증점이나 겔화를 일으키기 어려워진다.
또한, 상기 광경화성 실록산 조성물에 있어서, 상기 (B-3)성분의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매가, (η5-시클로펜타디에닐)트리(σ-알킬)백금(IV)착체 및 β-디케토나토백금(II)착체 중 어느 하나 또는 둘 다인 것이 바람직하다.
이러한 웨이퍼가공용 가접착재이면, (B-3)성분의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매가, UV-B~UV-A의 UV광에서 촉매활성을 나타내므로, 웨이퍼에의 데미지를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재에서는, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 열가소성 수지층(A)에 대한 25mm폭 시험편의 180° 필박리력이 2gf(0.0196N) 이상 50gf(0.490N) 이하인 것이 바람직하다.
이러한 필박리력을 갖는 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 웨이퍼가공용 가접착재이면, 웨이퍼연삭시에 웨이퍼의 어긋남이 발생할 우려가 없고, 또한 박리가 용이해진다.
또한, 본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재에서는, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 저장탄성률이 1,000Pa 이상 1,000MPa 이하인 것이 바람직하다.
이러한 저장탄성률을 갖는 광경화성 실록산 중합체층(B)을 구비한 웨이퍼가공용 가접착재이면, 웨이퍼연삭시에 웨이퍼의 어긋남이 발생할 우려가 없고, 또한 웨이퍼에의 열프로세스시에도 안정적이다.
또한, 본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재에서는, 상기 열가소성 수지층(A)이 비실리콘 수지인 것이 바람직하다.
이러한 웨이퍼가공용 가접착재이면, 접합시의 웨이퍼 휨의 경감, 접합공정시간의 단축, 기재와 지지체의 양호한 박리성, 세정제거성 등의 특성이 양호해진다.
또한, 본 발명은, (a)표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로형성면을, 상기 웨이퍼가공용 가접착재에 이용되는 상기 열가소성 수지층(A)과, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 상기 지지체 상에 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 형성한 후, 상기 열가소성 수지층(A)이 형성된 회로부착웨이퍼와 진공하에서 접합하는 공정과,
(b)상기 중합체층(B)을 광경화시키는 공정과,
(c)상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
(d)상기 웨이퍼의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정과,
(e)상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, (a)표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로형성면을, 상기 웨이퍼가공용 가접착재에 이용되는 상기 열가소성 수지층(A)과, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 상기 열가소성 수지층(A)을 회로부착웨이퍼 상에 형성하고, 광조사를 행한 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 지지체 상에 형성하는 공정과,
(b)상기 열가소성 수지층(A)이 형성된 회로부착웨이퍼와 상기 중합체층(B)이 형성된 지지체를 진공하에서 접합하는 공정과,
(c)상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
(d)상기 웨이퍼의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정과,
(e)상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조방법도 제공한다.
이러한 박형 웨이퍼의 제조방법이면, 본 발명에 있어서의 적어도 2층 구조를 포함하는 가접착재층을 웨이퍼와 지지체의 접합에 사용함으로써, 이 가접착재층을 사용하여 관통전극구조나, 범프접속구조를 갖는 박형 웨이퍼를, 용이하게 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은, 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 또한 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼가공체로서, 상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착된 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층의 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체를 제공한다.
이러한 웨이퍼가공체이면, 비가열로 단시간의 가접착이 가능하므로, 가접착재경화시의 웨이퍼 휨의 문제가 해결되고, 또한 접합시간의 단축도 도모되며, 또한 박리성이나 세정제거성도 우수하므로, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있다. 또한 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하며, TSV형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가서는, CVD 등의 열프로세스내성도 양호하다는 특장을 갖는다.
이 경우, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)이,
(B-1)1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
(B-2)1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
(B-3)광활성형 하이드로실릴화 반응촉매: 상기 (B-1)성분 및 상기 (B-2)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm
를 함유하는 광경화성 실록산 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
이러한 웨이퍼가공체이면, CVD내성이 보다 우수하다.
또한, 이 경우, 상기 광경화성 실록산 조성물이, 추가로, (B-4)성분으로서 하이드로실릴화 반응제어제를 함유하는 것이며, 또한, 상기 (B-3)성분의 첨가량이, 상기 (B-1)성분, 상기 (B-2)성분 및 상기 (B-4)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm인 것이 바람직하다.
이러한 웨이퍼가공체이면, 경화 전에 처리액(광경화성 실록산 조성물)이 증점이나 겔화를 일으키기 어려워진다.
또한, 상기 광경화성 실록산 조성물에 있어서, 상기 (B-3)성분의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매가, (η5-시클로펜타디에닐)트리(σ-알킬)백금(IV)착체 및 β-디케토나토백금(II)착체 중 어느 하나 또는 둘 다인 것이 바람직하다.
이러한 웨이퍼가공체이면, (B-3)성분의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매가, UV-B~UV-A의 UV광에서 촉매활성을 나타내므로, 웨이퍼에의 데미지를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 열가소성 수지층(A)에 대한 25mm폭 시험편의 180° 필박리력이 2gf(0.0196N) 이상 50gf(0.490N) 이하인 것이 바람직하다.
이러한 필박리력을 갖는 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 웨이퍼가공체이면, 웨이퍼연삭시에 웨이퍼의 어긋남이 발생할 우려가 없고, 또한 박리가 용이해진다.
또한, 본 발명에서는, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 저장탄성률이 1,000Pa 이상 1,000MPa 이하인 것이 바람직하다.
이러한 저장탄성률을 갖는 광경화성 실록산 중합체층(B)을 구비한 웨이퍼가공체이면, 웨이퍼연삭시에 웨이퍼의 어긋남이 발생할 우려가 없고, 또한 웨이퍼에의 열프로세스시에도 안정적이다.
본 발명에 있어서의 가접착재층은, 적어도 2층 구조를 가지며, 특히 광경화성 실록산변성 수지(중합체층(B))를 기판접합용 가접착층으로서 사용함으로써, 비가열로 단시간의 기판접합이 가능해지고, 그 결과 접합시의 웨이퍼의 휨이 억제되며, 또한 접합시간의 단축도 가능해진다. 또한, 접합 후에 있어서도, 수지의 열분해가 발생하지 않음은 물론, 특히 200℃ 이상의 고온시에서의 수지의 유동도 발생하지 않고, 내열성이 우수하므로 CVD내성도 양호하며 폭넓은 반도체 성막프로세스에 적용할 수 있고, 단차를 갖는 웨이퍼에 대해서도, 막두께균일성이 높은 접착재층을 형성할 수 있으며, 이 막두께균일성으로 인해 용이하게 50μm 이하의 균일한 박형 웨이퍼를 얻는 것이 가능해지고, 더 나아가서는, 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터, 예를 들어 실온에서, 용이하게 박리할 수 있으므로, 깨지기 쉬운 박형 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼가공체의 일 예를 나타내는 단면도이다.
상기와 같이, 접합공정을 비가열이면서 단시간으로 행할 수 있고, 그에 수반하여 접합시의 웨이퍼 휨의 저감이나 접합시간 단축도 도모되며, 또한 박리성이나 박리 후의 세정제거성도 양호하며, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하고, TSV형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가서는, CVD와 같은 웨이퍼 열프로세스내성이 우수한 웨이퍼가공용 가접착재가 요구되고 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의검토를 행한 결과,
(A)의 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 가접착층과,
(B)의 광경화성 실록산 중합체를 함유하는 광경화성 가접착층
중 적어도 2층계를 갖는 복합 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 웨이퍼측으로부터 (A), (B)의 순으로 형성한 구조로서 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있고, 관통전극구조나, 범프접속구조를 갖는 박형 웨이퍼를, 간단히 제조할 수 있는 웨이퍼가공용 가접착재, 및 그것을 이용하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 발견하였다.
즉, 본 발명은, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼가공용 가접착재로서, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층 중 적어도 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
[웨이퍼가공용 가접착재]
본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재는, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착한다. 그리고, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층 중 적어도 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비하고 있다.
이하, 도면을 참조하면서 상기 웨이퍼가공용 가접착재에 대하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼가공체의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼가공체는, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼(디바이스웨이퍼)(1)와, 웨이퍼(1)의 가공시에 웨이퍼(1)를 지지하는 지지체(3)와, 이들 웨이퍼(1)와 지지체(3) 사이에 개재하는 가접착재층(2)을 구비하고, 이 가접착재층(2)이, 열가소성 수지층(A)(제1 가접착층)과, 광경화성 실록산 중합체층(B)(제2 가접착층)의 2층 구조로 이루어지며, 제1 가접착층이 웨이퍼(1)의 표면에 박리가능하게 접착되고, 제2 가접착층이 지지체(3)에 박리가능하게 접착되어 있는 것이다.
이처럼, 본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재는, 상기 (A) 및 (B)의 적층체로 이루어지는 것이다.
본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재는, 비가열로 단시간의 경화가 가능하므로, 접합시의 웨이퍼 휨이 개선되고, 또한 접합공정시간의 단축이 도모되며, 또한 양호한 박리성과 세정제거성을 가지고, 이 가접착재에 의해, 고단차기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하며, TSV형성, 웨이퍼 이면배선공정에 대한 공정적합성이 높고, 더 나아가서는, CVD와 같은 웨이퍼 열프로세스내성이 우수하여, 박리도 용이하고, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼가공체, 및 상기 웨이퍼가공용 가접착재를 사용하는 박형 웨이퍼의 제조방법을 제공할 수 있다.
[가접착재층]
-제1 가접착층/열가소성 수지층(A)(열가소성 중합체층)-
제1 가접착층은, 열가소성 수지(A)로 구성된다. 단차를 갖는 실리콘웨이퍼 등에의 적용성으로부터, 양호한 스핀코트성을 갖는 열가소성 수지가 제1 가접착층을 형성하는 재료로서 호적하게 사용되고, 특히 유리전이온도 -80~120℃ 정도의 열가소성 수지가 바람직하고, 비실리콘계 열가소성 수지가 더욱 바람직하고, 예를 들어 올레핀계 열가소성 엘라스토머, 폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머, 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 스티렌·부타디엔계 열가소성 엘라스토머, 스티렌·폴리올레핀계 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있고, 특히 내열성이 우수한 수소첨가 폴리스티렌계 엘라스토머가 호적하다. 구체적으로는 타프텍(아사히화성케미칼즈), 에스폴렉스SB시리즈(스미토모화학), 라바론(미쯔비시화학), 셉톤(쿠라레이), DYNARON(JSR) 등을 들 수 있다. 또한 제오넥스(일본제온)로 대표되는 시클로올레핀폴리머 및 TOPAS(일본폴리플라스틱)로 대표되는 환상 올레핀코폴리머를 들 수 있다.
제1 가접착층을, 비실리콘계 열가소성 수지로 구성하면, 접합시의 웨이퍼 휨의 경감, 접합공정시간의 단축, 기재와 지지체의 양호한 박리성, 세정제거성 등의 특성이 양호해진다.
상기와 같이, 열가소성 수지층(A)이, 열가소성 엘라스토머인 것이 바람직하다.
이러한 것이면, 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터, 용이하게 박리할 수 있으므로, 깨지기 쉬운 박형 웨이퍼를 보다 용이하게 취급할 수 있다.
이 열가소성 수지층은, 상기 열가소성 수지를 용제에 용해하여, 스핀코트나 스프레이코트법의 수법으로, 실리콘웨이퍼 등의 반도체기판 등의 위에 형성된다. 용제로는, 탄화수소계 용제, 바람직하게는, 노난, p-멘탄, 피넨, 이소옥탄 등을 들 수 있는데, 그의 코팅성으로부터, 노난, p-멘탄, 이소옥탄이 보다 바람직하다. 또한 희석에 사용하는 용제의 양으로는, 작업성이나 목표로 하는 막두께에 따라 적당히 조정하면 되는데, 상기 열가소성 수지 100질량부에 대해 100~2,000질량부 배합하는 것이 바람직하다. 형성하는 막두께에 제약은 없으나, 그 기판 상의 단차에 따라 수지피막을 형성하는 것이 바람직하고, 호적하게는, 0.5μm 내지 50μm, 더욱 바람직하게는 0.5~10μm의 막두께가 형성된다. 또한, 이 열가소성 수지에는, 그의 내열성 향상의 목적으로, 산화방지제나, 코팅성 향상을 위해, 계면활성제를 첨가할 수 있다. 산화방지제의 구체예로는, 공지의 산화방지제를 사용할 수 있는데, 디-t-부틸페놀 등이 호적하게 사용된다. 계면활성제의 예로는, 불소실리콘계 계면활성제 등을 사용할 수 있고, 예를 들어 X-70-1102(신에쓰화학공업주식회사제) 등이 호적하게 사용된다.
-제2 가접착층/광경화성 실록산 중합체층(B)(광경화성 실리콘중합체층)-
본 발명의 웨이퍼가공체 및 웨이퍼가공용 가접착재의 구성요소인 광경화성 실록산 중합체층(B)은, 광경화성의 실록산 중합체를 포함하는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 하기 (B-1)~(B-3)성분을 포함하고, 필요에 따라 후술하는 (B-4)성분을 함유하는 광경화성 실록산 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
(B-1)1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
(B-2)1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오가노하이드로젠폴리실록산: (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
(B-3)광활성형 하이드로실릴화 반응촉매.
이 경우, 광경화성 실록산 조성물이, 추가로, (B-4)성분으로서 반응제어제를 함유하는 것이 바람직하다. 그 함유량은, (B-1) 및 (B-2)성분의 합계 100질량부에 대해 0.1 내지 10질량부가 바람직하다.
이하, 상기 광경화성 실록산 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 설명한다.
[(B-1)성분]
(B-1)성분은, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산이다. (B-1)성분은, 바람직하게는, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 함유하는 직쇄상 또는 분지상의 디오가노폴리실록산이다. 특히 바람직하게는, 1분자 중에 0.3~10mol%, 특히 0.6mol%(알케닐기몰수/Si몰수)~9mol%의 알케닐기를 함유하는 디오가노폴리실록산이다. 상기 오가노폴리실록산은, 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
이러한 디오가노폴리실록산으로서, 구체적으로는 하기 식(1) 및/또는 (2)로 표시되는 것을 들 수 있다.
R1 (3-a)XaSiO-(R1XSiO)m-(R1 2SiO)n-SiR1 (3-a)Xa…(1)
R1 2(HO)SiO-(R1XSiO)m+2-(R1 2SiO)n-SiR1 2(OH)…(2)
(식 중, R1은 각각 독립적으로 지방족 불포화결합을 갖지 않는 1가탄화수소기, X는 각각 독립적으로 알케닐기함유 1가유기기, a는 0~3의 정수이다. 또한, 식(1)에 있어서, 2a+m은 1분자 중에 알케닐기함유량이 0.3~10mol%가 되는 수이다. 식(2)에 있어서, m+2는 1분자 중에 알케닐기함유량이 0.3~10mol%가 되는 수이다. m은 0 또는 10 이하의 양수이고, n은 1~1000의 양수이다.)
상기 식 중, R1로는, 탄소원자수 1~10의 1가탄화수소기가 바람직하고, 예시하면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 등이고, 특히 메틸기 등의 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다. R1은, 일반식(1) 또는 (2) 중, 독립적으로 각각 동일한 치환기여도 상이한 치환기여도 상관없다.
X의 알케닐기함유 1가유기기로는, 탄소원자수 2~10의 유기기가 바람직하고, 비닐기, 알릴기, 헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기; 아크릴로일프로필기, 아크릴로일메틸기, 메타크릴로일프로필기 등의 (메트)아크릴로일알킬기; 아크릴옥시프로필기, 아크릴옥시메틸기, 메타크릴옥시프로필기, 메타크릴옥시메틸기 등의 (메트)아크릴옥시알킬기; 시클로헥세닐에틸기, 비닐옥시프로필기 등의 알케닐기함유 1가탄화수소기를 들 수 있고, 특히, 공업적으로는 비닐기가 바람직하다.
상기 일반식(1) 중, a는 0~3의 정수인데, a가 1~3이면, 분자쇄말단이 알케닐기로 봉쇄되므로, 반응성이 좋은 이 분자쇄말단알케닐기에 의해, 단시간에 반응을 완결할 수 있으므로 바람직하다. 더 나아가서는, 비용면에 있어서, a=1이 공업적으로 바람직하다. 이 알케닐기함유 디오가노폴리실록산의 성상은 오일상 또는 생고무상인 것이 바람직하다. 이 알케닐기함유 디오가노폴리실록산은 직쇄상일 수도 분지상일 수도 있다.
[(B-2)성분]
(B-2)성분은 가교제이며, 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오가노하이드로젠폴리실록산이다. (B-2)성분은, 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자(SiH기)를 적어도 2개, 바람직하게는 3개 이상 갖는 것이며, 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 것을 사용할 수 있다.
(B-2)성분의 오가노하이드로젠폴리실록산의 25℃에 있어서의 점도는, 1~5,000mPa·s인 것이 바람직하고, 5~500mPa·s인 것이 더욱 바람직하다. 이 오가노하이드로젠폴리실록산은 2종 이상의 혼합물이어도 된다. 상기 점도는, JIS K 7117-1:1999에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
(B-2)성분은, (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비(SiH기/알케닐기)가 0.3 내지 10, 특히 1.0~8.0의 범위가 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 이 SiH기와 알케닐기와의 몰비가 0.3 이상이면, 가교밀도가 낮아질 일도 없고, 가접착재층이 경화되지 않는다는 문제도 일어나지 않는다. 10 이하이면, 가교밀도가 너무 높아질 일도 없고, 충분한 점착력 및 택성이 얻어진다. 또한, 상기 몰비가 10 이하이면, 처리액의 사용가능시간을 연장할 수 있다.
[(B-3)성분]
(B-3)성분은 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매이다. 이 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매는, 광, 특히 파장 300~400nm의 자외선의 조사에 의해 활성화되고, (B-1)성분 중의 알케닐기와, (B-2)성분 중의 Si-H기와의 부가반응을 촉진시키는 촉매이다. 이 촉진효과에는 온도의존성이 있으며, 높은 온도일수록 촉진효과는 높다. 따라서 바람직하게는, 광조사 후는 0~200℃, 보다 바람직하게는 10~100℃의 환경온도하에서 사용하는 것이, 적절한 반응시간 내에 반응을 완결시키는 점에서 바람직하다.
광활성형 하이드로실릴화 반응촉매는, 주로 백금족계 금속촉매 혹은 철족계 금속촉매가 이것에 해당하고, 백금족계 금속촉매로는 백금계, 팔라듐계, 로듐계의 금속착체, 철족계 금속촉매로는 니켈계, 철계, 코발트계의 철족 착체가 있다. 이 중에서도 백금계 금속착체는, 비교적 입수가 용이하면서 양호한 촉매활성을 나타내므로 바람직하며, 잘 이용된다.
또한 배위자로는 UV-B~UV-A의 중~장파장의 UV광에서 촉매활성을 나타내는 것이, 웨이퍼에의 데미지를 억제하는 점에서 바람직하다. 그러한 배위자로는 환상 디엔배위자, β-디케토나토배위자 등을 들 수 있다.
이상으로부터, 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매의 바람직한 예로서, 환상 디엔배위자형으로는, 예를 들어, (η5-시클로펜타디에닐)트리(σ-알킬)백금(IV)착체, 특히 구체적으로는 (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV), (시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV), (1,2,3,4,5-펜타메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV), (시클로펜타디에닐)디메틸에틸백금(IV), (시클로펜타디에닐)디메틸아세틸백금(IV), (트리메틸실릴시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV), (메톡시카르보닐시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV), (디메틸페닐실릴시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV) 등을 들 수 있고, 또한 β-디케토나토배위자형으로는, β-디케토나토백금(II) 혹은 백금(IV)착체, 특히 구체적으로는 트리메틸(아세틸아세토나토)백금(IV), 트리메틸(3,5-헵탄디오네이트)백금(IV), 트리메틸(메틸아세토아세테이트)백금(IV), 비스(2,4-펜탄디오나토)백금(II), 비스(2,4-헥산디오나토)백금(II), 비스(2,4-헵탄디오나토)백금(II), 비스(3,5-헵탄디오나토)백금(II), 비스(1-페닐-1,3-부탄디오나토)백금(II), 비스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오나토)백금(II), 비스(헥사플루오로아세틸아세토나토)백금(II) 등을 들 수 있다.
이들 촉매의 사용에 있어서는, 그것이 고체촉매일 때에는 고체상으로 사용하는 것도 가능한데, 보다 균일한 경화물을 얻기 위해서는 적절한 용제에 용해한 것을 (B-1)성분의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산에 상용시켜 사용하는 것이 바람직하다.
용매로는, 이소노난, 톨루엔, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸 등을 들 수 있다.
(B-3)성분의 첨가량은 유효량이면 되는데, 통상 (B-1), (B-2)의 합계(하기에 나타내는 (B-4)성분을 함유하는 경우에는, (B-1), (B-2) 및 (B-4)의 합계)질량에 대해, 백금분(금속원자량 환산)으로서 1~5,000ppm이고, 5~2,000ppm인 것이 바람직하다. 1ppm 이상이면 조성물의 경화성이 저하될 일도 없고, 가교밀도가 낮아질 일도, 유지력이 저하될 일도 없다. 0.5% 이하이면, 조성물의 보존안정성이나 가사(可使)시간이 극단적으로 짧아질 우려가 없다.
[(B-4)성분]
(B-4)성분은 반응제어제이며, 조성물을 조합 내지 기재에 도공할 때에, 경화 전에 처리액(광경화성 실록산 조성물)이 증점이나 겔화를 일으키지 않도록 하기 위해 필요에 따라 임의로 첨가하는 것이다.
구체예로는, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐시클로헥산올, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-부틴, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-펜틴, 3,5-디메틸-3-트리메틸실록시-1-헥신, 1-에티닐-1-트리메틸실록시시클로헥산, 비스(2,2-디메틸-3-부틴옥시)디메틸실란, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 등을 들 수 있고, 바람직한 것은 1-에티닐시클로헥산올, 및 3-메틸-1-부틴-3-올이다.
조성물 중에 (B-4)성분을 함유하는 경우, 그의 배합량은 그의 화학구조에 따라 제어능력이 상이하므로, 첨가량에 대해서는 각각 최적의 양으로 조정해야 하는데, 일반적으로 제어제의 첨가량이 너무 적으면 실온에서의 장기보존안정성을 얻지 못하고, 너무 많으면 경화성이 무뎌져 충분한 경화성을 얻지 못하게 될 가능성이 있다.
[기타 성분]
광경화성 실록산 조성물에는, 추가로 이하의 성분을, 필요에 따라 첨가할 수 있다.
(폴리오가노실록산)
광경화성 실록산 조성물에는 R2 3SiO0.5단위(식 중, R2는 독립적으로 탄소원자수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가의 탄화수소기) 및 SiO2단위를 함유하고, R2 3SiO0.5단위/SiO2단위의 몰비가 0.3~1.8인 폴리오가노실록산을 첨가할 수도 있다. 첨가량으로는 광경화성 실록산 중합체층(B) 중의 (B-1)성분의 0 내지 30질량%가 바람직하다.
(용매)
광경화성 실록산 조성물은, 이 조성물의 저점도화에 따른 작업성 향상이나 혼합성의 향상, 중합체층(B)의 막두께조정 등의 이유로부터, 가용인 용매로 용액화하고, 첩합 전의 프리베이크공정에서 용제제거를 행한 후, 첩합한다는 프로세스를 이용할 수 있다. 거기서 이용하는 용매는, 조성물이 가용이고, 또한 프리베이크공정에서 가열제거가능하면 특별히 한정은 없으나, 예를 들어 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 이소옥탄, 노난, 데칸, p-멘탄, 피넨, 이소도데칸, 리모넨 등의 탄화수소계 용제가 호적하게 사용된다.
용액화의 조작방법으로는, 광경화성 실록산 조성물을 조제한 후, 마지막에 용매를 첨가하여 원하는 점도로 조정할 수도 있고, 고점도의 (B-1) 및/또는 (B-2)를 미리 용매희석하고, 작업성이나 혼합성을 개선한 다음에 나머지 성분을 혼합하여, 광경화성 실록산 중합체층(B) 조성물로서 조제할 수도 있다. 또한, 용액화할 때의 혼합방법으로는 진탕혼합기나 마그네틱스터러, 각종 믹서 등, 조성물점도와 작업성으로부터 적당히 혼합방법을 선택하여 실시하면 된다.
용매의 배합량은, 조성물의 점도나 작업성, 광경화성 실록산 중합체층(B)의 막두께조정 등으로부터 적당히 설정하면 되는데, 예를 들어 광경화성 실록산 중합체층(B) 조성물 100질량부에 대해 10~900질량부, 바람직하게는 20~400질량부이다.
[광경화성 실록산 중합체층(B)의 형성방법 등]
광경화성 실록산 중합체층(B)은, 광경화성 실록산 조성물 또는 그의 용액을 스핀코트, 롤코터 등의 방법에 의해 지지체 상에 형성하여 사용할 수 있다. 이 중, 스핀코트 등의 방법에 의해, 광경화성 실록산 중합체층(B)을, 지지체 상에 형성하는 경우에는, 중합체층(B)을 용액으로 하여 코트하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 용액에는, 공지의 산화방지제를 내열성 향상을 위해 첨가할 수 있다.
또한, 광경화성 실록산 중합체층(B)은, 막두께가 0.1~30μm, 바람직하게는 1.0~15μm의 사이로 형성되어 사용되는 것이 바람직하다. 막두께가 0.1μm 이상이면, 지지체 상에 도포하는 경우에, 다 도포하지 못하는 부분이 생기는 일 없이 전체에 도포할 수 있다. 한편, 막두께가 30μm 이하이면, 박형 웨이퍼를 형성하는 경우의 연삭공정에 견딜 수 있다. 한편, 이 광경화성 실록산 중합체층(B)에는, 내열성을 더욱 높이기 위해, 실리카 등의 필러를 필요에 따라 첨가할 수도 있다.
또한, 광경화성 실록산 중합체층(B)은, 경화 후에 있어서의 25℃에서의 열가소성 수지층(A)에 대한 25mm폭의 시험편(예를 들어, 폴리이미드시험편)의 180° 필박리력이, 통상 2gf(0.0196N) 이상 또한 50gf(0.490N) 이하이고, 바람직하게는 3gf(0.0294N) 이상 30gf(0.294N) 이하이고, 더욱 바람직하게는 5gf(0.0490N) 이상 20gf(0.196N) 이하이다. 2gf 이상이면 웨이퍼연삭시에 웨이퍼의 어긋남이 발생할 우려가 없고, 50gf 이하이면 웨이퍼의 박리가 용이해지므로 바람직하다.
한편, 180° 필박리력은, 시험대상층(예를 들어 웨이퍼 상의 경화물층) 상에 150mm길이×25mm폭의 폴리이미드테이프를 5개 첩부하고, 테이프가 붙어 있지 않은 부분의 불필요한 층을 제거하고, 예를 들어 시마즈제작소사의 AUTOGRAPH(AG-1)를 이용하여 25℃, 300mm/분의 속도로 테이프의 일단으로부터 180° 박리로 120mm 벗기고, 그때에 가해지는 힘의 평균(120mm스트로크×5회)을, 시험대상층의 180° 필박리력으로 하였다.
또한, 광경화성 실록산 중합체층(B)은, 경화 후에 있어서의 25℃에서의 저장탄성률이 1,000Pa 이상 1000MPa 이하, 바람직하게는 10,000Pa 이상 500MPa 이하, 더욱 바람직하게는 100kPa~300MPa이다. 저장탄성률이 1,000Pa 이상이면 형성되는 막의 강도는 충분하고, 웨이퍼연삭시에 웨이퍼의 어긋남이나 그에 수반하는 웨이퍼 깨짐이 발생할 우려가 없고, 1000MPa 이하이면 CVD 등의 웨이퍼 열프로세스 중의 변형응력을 완화할 수 있으므로, 웨이퍼 깨짐이 발생할 우려가 없다.
한편, 저장탄성률은, 전단탄성을 측정할 수 있는 점탄성 측정장치(예를 들어, TA인스트루먼트사제 아레스 G2)를 이용하여 측정할 수 있다. 측정은, 시험대상층을 포함하는 기판을, 점탄성 측정장치를 사용하여 시험대상층에 소정의 하중(예를 들어, 50gf)이 가해지도록 플레이트로 끼우면서, 25℃에 있어서의 탄성률 측정을 행하고, 얻어진 저장탄성률의 값을 시험대상층의 막탄성률로 하였다.
[박형 웨이퍼의 제조방법]
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조방법은, 반도체회로 등을 갖는 웨이퍼와 지지체의 접착층으로서, 열가소성 수지층(A)과 광경화성 실록산 중합체층(B)의 2층을 포함하는 복합 가접착재층을 이용하는 것을 특징으로 하는 것이며, 여기에 2개의 태양을 나타낸다. 어느 태양에 있어서도 본 발명의 제조방법에 의해 얻어지는 박형 웨이퍼의 두께는, 전형적으로는 5~300μm, 보다 전형적으로는 10~100μm이다.
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조방법은 제1의 태양으로서 이하의 (a1)~(e)의 공정을 갖는다. 또한, 필요에 따라, (f)~(i)의 공정을 갖는다.
[공정(a1)]
공정(a1)은, 표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 회로형성면을, 상기 본 발명의 웨이퍼가공용 가접착재에 이용되는 열가소성 수지층(A)과, 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 지지체 상에 광경화성 실록산 중합체층(B)을 형성한 후, 이 중합체층(B)이 형성된 지지체와, 열가소성 수지층(A)이 형성된 회로부착웨이퍼를 진공하에서 첩합하는 공정이다.
회로형성면 및 회로비형성면을 갖는 웨이퍼는, 일방의 면이 회로형성면이고, 타방의 면이 회로비형성면인 웨이퍼이다. 본 발명이 적용가능한 웨이퍼는, 통상, 반도체웨이퍼이다. 이 반도체웨이퍼의 예로는, 실리콘웨이퍼뿐만 아니라, 게르마늄웨이퍼, 갈륨-비소웨이퍼, 갈륨-인웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄웨이퍼 등을 들 수 있다. 이 웨이퍼의 두께는, 특별히 제한은 없으나, 전형적으로는 600~800μm, 보다 전형적으로는 625~775μm이다.
본 발명의 제1의 태양에 있어서, 광경화성 실록산 중합체층(B)에의 광조사는 지지체를 통과하여 행해지므로, 지지체로는 유리판, 석영판, 아크릴판, 폴리카보네이트판, 폴리에틸렌테레프탈레이트판 등의 광투과성이 있는 기판을 사용할 수 있다. 이 중에서도 유리판이 자외선의 광투과성이 있고, 또한 내열성이 우수하므로 바람직하다.
가접착층(A) 및 (B)는, 각각 필름으로, 웨이퍼나 지지체에 형성할 수도 있고, 혹은, 각각의 층을 부여하는 조성물 또는 그의 용액을 스핀코트, 롤코터 등의 방법에 의해 웨이퍼나 지지체에 형성할 수도 있다. 용액으로서 사용하는 경우, 스핀코트 후, 그의 용제의 휘발조건에 따라, 20~200℃, 바람직하게는 30~150℃의 온도에서, 미리 프리베이크를 행한 후, 사용에 제공된다.
가접착층(A)층과 (B)층이 형성된 웨이퍼 및 지지체는, (A) 및 (B)층을 개재하여, 접합된 기판으로서 형성된다. 이때, 바람직하게는 0~200℃, 보다 바람직하게는 10~100℃의 온도영역에서, 이 온도에서 감압하, 이 기판을 균일하게 압착함으로써, 웨이퍼가 지지체와 접합한 웨이퍼가공체(적층체기판)가 형성된다.
웨이퍼첩합장치로는, 시판의 웨이퍼접합장치, 예를 들어 EVG사의 EVG520IS, 850TB, SUSS사의 XBS300 등을 들 수 있다.
[공정(b1)]
공정(b1)은, 광경화성 실록산 중합체층(B)을 광경화시키는 공정이다. 상기 웨이퍼가공체(적층체기판)가 형성된 후, 광투과성이 있는 지지체측으로부터 광조사를 행해 중합체층(B)을 광경화시킨다. 그때의 활성광선종은 특별히 한정되지는 않으나, 자외선이 바람직하고, 파장 300-400nm의 자외선인 것이 더욱 바람직하다. 자외선조사량(조도)은, 적산광량으로서 100mJ/cm2~100,000mJ/cm2, 바람직하게는 500mJ/cm2~10,000mJ/cm2, 보다 바람직하게는 1,000~5,000mJ/cm2인 것이 양호한 경화성을 얻는 데에 있어 바람직하다. 자외선조사량(조도)이 상기 범위 이상이면, 중합체층(B) 중의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매를 활성화하기에 충분한 에너지가 얻어지고, 충분한 경화물을 얻을 수 있다. 한편, 자외선조사량(조도)이 상기 범위 이하이면, 조성물에 충분한 에너지가 조사되고, 중합체층 중의 성분의 분해가 일어나거나, 촉매의 일부가 실활(失活)되거나 하는 일 없이, 충분한 경화물을 얻을 수 있다.
자외선조사는 복수의 발광스펙트럼을 갖는 광일 수도, 단일의 발광스펙트럼을 갖는 광일 수도 있다. 또한, 단일의 발광스펙트럼은 300nm 내지 400nm의 영역에 브로드한 스펙트럼을 갖는 것일 수도 있다. 단일의 발광스펙트럼을 갖는 광은, 300nm 내지 400nm, 바람직하게는 350nm 내지 380nm의 범위에 피크(즉, 최대피크파장)를 갖는 광이다. 이러한 광을 조사하는 광원으로는, 자외선발광 다이오드(자외선LED)나, 자외선발광 반도체레이저 등의 자외선발광 반도체소자광원을 들 수 있다.
복수의 발광스펙트럼을 갖는 광을 조사하는 광원으로는, 메탈할라이드램프, 크세논램프, 카본아크등, 케미칼램프, 나트륨램프, 저압수은램프, 고압수은램프, 초고압수은램프 등의 램프 등, 질소 등의 기체레이저, 유기색소용액의 액체레이저, 무기단결정에 희토류이온을 함유시킨 고체레이저 등을 들 수 있다.
상기 광이 발광스펙트럼에 있어서 300nm보다 짧은 파장영역에 피크를 갖는 경우, 혹은, 300nm보다 짧은 파장영역에 상기 발광스펙트럼에 있어서의 최대피크파장의 방사조도의 5%보다 큰 방사조도를 갖는 파장이 존재하는 경우(예를 들어, 발광스펙트럼이 광역파장영역에 걸쳐 브로드한 경우), 또한 지지체에 석영웨이퍼 등의 300nm보다 짧은 파장에 대해서도 광투과성을 갖는 기판을 이용하는 경우, 광학필터에 의해 300nm보다 짧은 파장영역에 있는 파장의 광을 제거하는 것이, 충분한 경화물을 얻는 데에 있어 바람직하다. 이에 따라, 300nm보다 짧은 파장영역에 있는 각 파장의 방사조도를 최대피크파장의 방사조도의 5% 이하, 바람직하게는 1% 이하, 보다 바람직하게는 0.1% 이하, 더욱 바람직하게는 0%로 한다. 한편, 발광스펙트럼에 있어서 300nm 내지 400nm의 파장영역에 복수의 피크가 존재하는 경우에는, 그 중에서 최대의 흡광도를 나타내는 피크파장을 최대피크파장으로 한다. 광학필터는 300nm보다 짧은 파장을 커트하는 것이면 특별히 제한되지 않으며 공지의 것을 사용하면 된다. 예를 들어 365nm밴드패스필터 등을 사용할 수 있다. 한편, 자외선의 조도, 스펙트럼분포는 분광방사조도계, 예를 들어 USR-45D(우시오전기)로 측정할 수 있다.
광조사장치로는, 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들어 스폿식 조사장치, 면식 조사장치, 라인식 조사장치, 컨베이어식 조사장치 등의 조사장치를 사용할 수 있다.
본 발명의 광경화성 실록산 중합체층(B)을 경화시킬 때, 광조사시간은 조도에 따르기도 하므로 일괄적으로 규정은 할 수 없으나, 예를 들어 1~300초, 바람직하게는 10~200초, 보다 바람직하게는 20~150초가 되도록 조도조정을 행하면, 조사시간도 적당히 짧아지고, 작업공정상 특별히 문제가 될 일은 없다. 또한, 광조사를 행한 광경화성 실록산 중합체층(B)은, 조사의 1~120분 후, 특히는 5~60분 후에는 겔화된다. 한편, 본 발명에 있어서 겔화란 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화반응이 일부 진행되어 조성물이 유동성을 잃은 상태를 의미한다.
또한, 광조사를 행한 웨이퍼가공체(적층체기판)를 40~200℃, 바람직하게는 40~100℃의 온도영역에서 추가의 열처리공정을 마련할 수도 있다. 이에 따라 광조사 후의 광경화성 실록산 중합체층의 경화를 촉진할 수 있고, 보다 단시간에 경화반응을 완결시킬 수 있다. 추가열처리의 시간은, 온도에 따라서도 다르므로 적당히 설정하면 되는데, 바람직하게는 10초~60분, 보다 바람직하게는 1분~30분이다. 높은 온도로 하면 빠르게 경화가 완료되므로 공정의 단축으로 이어지는데, 너무 높으면 웨이퍼 휨이 발생할 가능성이 있다.
[공정(c)]
공정(c)은, 지지체와 접합한 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정, 즉, 공정(a1)과 (b1)을 거쳐 첩합하여 얻어진 웨이퍼가공체의 웨이퍼이면측을 연삭하여, 이 웨이퍼의 두께를 얇게 해 가는 공정이다. 웨이퍼이면의 연삭가공의 방식에는 특별히 제한은 없고, 공지의 연삭방식이 채용된다. 연삭은, 웨이퍼와 지석(다이아몬드 등)에 물을 뿌려 냉각하면서 행하는 것이 바람직하다. 웨이퍼이면을 연삭가공하는 장치로는, 예를 들어 (주)디스코제 DAG-810(상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 웨이퍼이면측을 CMP연마할 수도 있다.
[공정(d)]
공정(d)은, 회로비형성면을 연삭한 웨이퍼가공체, 즉, 이면연삭에 의해 박형화된 웨이퍼가공체의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정이다. 이 공정에는 웨이퍼레벨로 이용되는 다양한 프로세스가 포함된다. 예로는, 전극형성, 금속배선형성, 보호막형성 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 전극 등의 형성을 위한 금속스퍼터링, 금속스퍼터링층을 에칭하는 웨트에칭, 금속배선형성의 마스크로 하기 위한 레지스트의 도포, 노광, 및 현상에 의한 패턴의 형성, 레지스트의 박리, 드라이에칭, 금속도금의 형성, TSV형성을 위한 실리콘에칭, 실리콘 표면의 산화막형성 등, 종래 공지의 프로세스를 들 수 있다.
[공정(e)]
공정(e)은, 공정(d)에서 가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정, 즉, 박형화한 웨이퍼에 다양한 가공을 실시한 후, 다이싱하기 전에 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정이다. 이 박리공정은, 웨이퍼가공체의 웨이퍼 또는 지지체의 일방을 수평으로 고정해 두고, 필요에 따라서는 100℃ 정도로 가온하고, 타방을 수평방향으로부터 일정한 각도를 주어 필하는 방법, 사전에 웨이퍼가공체를 용제에 침지시켜 가접착재층을 팽윤시킨 후, 상기와 마찬가지로 필박리에 처리하는 방법, 연삭된 웨이퍼의 연삭면에 보호필름을 붙여, 웨이퍼와 보호필름을 필하는 방법, 웨이퍼가공체의 웨이퍼 또는 지지체의 일방을 수평으로 고정하고, 100℃ 정도로 가온하고, 열가소성 수지층(A)의 소성을 이용하여 타방을 슬라이드시키는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명에는, 이들 박리방법 중 어느 것이나 적용가능하고, 물론 상기의 방법에는 한정되지 않는다.
또한, 상기 (e)가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정은, 특히 이하의 공정을 포함하는 것이, 가공을 실시한 웨이퍼로부터 지지체의 박리를 용이하게 하고, 박리시의 웨이퍼에의 데미지를 줄일 수 있고, 박리 후 다이싱공정으로 용이하게 진행될 수 있는 등의 이유로부터 바람직하다.
(f)가공을 실시한 웨이퍼의 웨이퍼면에 다이싱테이프를 접착하는 공정
(g)다이싱테이프면을 흡착면에 진공흡착하는 공정
(h)흡착면의 온도가 10℃ 내지 100℃인 온도범위에서, 지지체를, 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프로 박리하는 공정
또한, 상기 (e)가공을 실시한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정 후에, (i)박리한 웨이퍼의 회로형성면에 잔존하는 가접착재층을 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다. 공정(e)에 의해 지지체로부터 박리된 웨이퍼의 회로형성면에는, 가접착층(A)이 일부 잔존해 있는 경우가 있으며, 이 가접착층(A)의 제거는, 예를 들어, 웨이퍼를 세정함으로써 행할 수 있다.
이 공정(i)에서는, 가접착재층 중의 (A)층인 열가소성 수지층을 용해하는 바와 같은 세정액이면 모두 사용가능하며, 구체적으로는, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 데칸, 이소노난, p-멘탄, 피넨, 이소도데칸, 리모넨 등을 들 수 있다. 이들 용제는, 1종 단독으로도 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다. 또한, 제거하기 어려운 경우는, 상기 용제에, 염기류, 산류를 첨가할 수도 있다. 염기류의 예로는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 암모니아 등의 아민류, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 암모늄염류를 사용할 수 있다. 산류로는, 아세트산, 옥살산, 벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산 등의 유기산을 사용할 수 있다. 첨가량은, 세정액 중 농도로, 0.01~10질량%, 바람직하게는 0.1~5질량%이다. 또한, 잔존물의 제거성을 향상시키기 위해, 기존의 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 세정방법으로는, 상기 액을 이용하여 패들로의 세정을 행하는 방법, 스프레이분무로의 세정방법, 세정액조에 침지하는 방법이 가능하다. 온도는 10~80℃, 바람직하게는 15~65℃가 호적하며, 필요에 따라서, 이들 용해액으로 (A)층을 용해한 후, 최종적으로 수세 또는 알코올에 의한 린스를 행하고, 건조처리시켜, 박형 웨이퍼를 얻는 것도 가능하다.
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조방법의 제2의 태양으로서, 이하 (a2), (b2)의 공정의 공정을 나타낸다. (b2)이하의 공정, 즉 (c)~(e), 바람직하게는 (c)~(h) 또는 (c)~(i)의 공정에 관해서는 상기 서술한 제1의 태양과 마찬가지이다.
[공정(a2)]
공정(a2)은, 열가소성 수지층(A)을 회로부착웨이퍼 상에 형성하고, 광조사를 행한 광경화성 실록산 중합체층(B)을 지지체 상에 형성하는 공정이다.
웨이퍼와 지지체를 접합한 후에 광조사를 행하는 제1의 태양과는 달리, 접합 전에 광경화성 실록산 중합체층(B) 조성물에 광조사를 행함으로써 지지체 너머의 광조사공정이 불필요해지고, 그 결과 지지체에는 광투과성이 불필요해진다. 따라서 이 태양에 따르면, 상기 지지체에 추가하여 실리콘, 알루미늄, SUS, 구리, 게르마늄, 갈륨-비소, 갈륨-인, 갈륨-비소-알루미늄 등의 광을 투과하지 않는 기판도 지지체로서 적용할 수 있다.
접합 전에 광경화성 실록산 중합체층(B) 조성물에 광조사를 행하는 방법에 대해서는, 조성물에 광조사를 행하면서 지지체 상에 도포하는 방법, 조성물 전체에 광조사를 행한 후, 지지체 상에 도포하는 방법, 지지체 상에 조성물을 도포한 후에 광조사를 행하는 방법 등을 예시할 수 있는데, 특별히 한정은 없고, 작업성을 감안하여 적당히 선택하여 행하면 된다. 또한 광조사에 있어서의 활성광선종, 자외선조사량(조도), 광원, 발광스펙트럼, 광조사장치, 광조사시간에 대해서는, 제1의 태양의 [공정(b1)]에 든 방법을 이용할 수 있다.
제1 및 제2 가접착층의 형성방법은 제1의 태양과 동일하게 행할 수 있으며, 각각 필름, 혹은 대응하는 조성물 또는 그의 용액을 스핀코트, 롤코터 등의 방법에 의해 웨이퍼나 지지체에 형성할 수 있다. 용액으로서 사용하는 경우, 스핀코트 후, 그 용제의 휘발조건에 따라, 20~200℃, 바람직하게는 30~150℃의 온도에서, 미리 프리베이크를 행한 후, 사용에 제공된다.
[공정(b2)]
공정(b2)은, 공정(a2)에서 제작된 열가소성 수지층(A)이 형성된 회로부착웨이퍼와 광경화성 실록산 중합체층(B)이 형성된 지지체를 진공하에서 접합하는 공정이다. 이때, 바람직하게는 0~200℃, 보다 바람직하게는 20~100℃의 온도영역에서, 이 온도로 감압(진공)하, 이 기판을 균일하게 압착함으로써, 웨이퍼가 지지체와 접합한 웨이퍼가공체(적층체기판)가 형성된다.
또한, 웨이퍼첩합장치로는 제1의 태양과 동일한 것을 사용할 수 있다.
웨이퍼가공체(적층체기판) 형성 후는, 공정(b1)과 마찬가지로, 40~200℃, 바람직하게는 40~100℃의 온도영역에서, 10초~60분, 보다 바람직하게는 1분~30분의 추가의 열처리공정을 마련하여, 경화촉진을 행할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[수지용액제작예 1]
수소첨가 폴리스티렌계 열가소성 수지 셉톤 4033(쿠라레이제) 24g을 이소노난 176g에 용해하고, 12질량퍼센트의 셉톤 4033의 이소노난용액을 얻었다. 얻어진 용액을, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 열가소성 수지의 이소노난용액(A-1)을 얻었다.
[수지용액제작예 2]
0.5몰%(알케닐기몰수/Si몰수)의 비닐기를 분자측쇄에 가지며, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어지는 용액에 하기 식(M-6)으로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록산을 3.0질량부, 에티닐시클로헥산올의 이소노난용액(1.0질량%) 0.3질량부를 첨가하여 혼합하였다. 추가로 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매; (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV)의 이소노난용액(백금농도 1.0질량%)을 0.5질량부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 광경화성 실록산 중합체용액(B-a)을 얻었다.
[화학식 1]
Figure pct00001
[수지용액제작예 3]
0.5몰%의 비닐기를 분자측쇄에 가지며, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 60질량부, 및 0.15몰%의 비닐기를 양 말단쇄에 가지며, 수평균분자량(Mn)이 6만인 폴리디메틸실록산 20질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어지는 용액에 (M-6)으로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록산을 2.5질량부, 에티닐시클로헥산올의 이소노난용액(1.0질량%) 0.3질량부를 첨가하여 혼합하였다. 추가로 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매; (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV)의 이소노난용액(백금농도 1.0질량%)을 0.5질량부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 광경화성 실록산 중합체용액(B-b)을 얻었다.
「수지용액제작예 4」
5몰%의 비닐기를 양 말단 및 측쇄에 가지며, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어지는 용액에 (M-6)으로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록산 7.5질량부, 에티닐시클로헥산올의 이소노난용액(1.0질량%) 0.3질량부를 첨가하여 혼합하였다. 추가로 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매; (메틸시클로펜타디에닐)트리메틸백금(IV)의 이소노난용액(백금농도 1.0질량%)을 0.5질량부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 광경화성 실록산 중합체용액(B-c)을 얻었다.
[수지용액제작예 5]
0.5몰%의 비닐기를 분자측쇄에 가지며, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어지는 용액에 (M-6)으로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록산을 3.0질량부, 에티닐시클로헥산올의 이소노난용액(1.0질량%) 0.3질량부를 첨가하여 혼합하였다. 추가로 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매; 비스(2,4-헵탄디오나토)백금(II)의 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸용액(백금농도 0.5질량%) 1.0질량부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 광경화성 실록산 중합체용액(B-d)을 얻었다.
[수지용액제작예 6]
0.5몰%의 비닐기를 분자측쇄에 가지며, 수평균분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80질량부 및 이소도데칸 400질량부로 이루어지는 용액에 (M-6)으로 표시되는 오가노하이드로젠폴리실록산을 3.0질량부, 에티닐시클로헥산올 0.7질량부를 첨가하여 혼합하였다. 추가로 백금촉매; PL-5(신에쓰화학공업주식회사제, 백금농도 1.0질량%) 0.5질량부 첨가하고, 0.2μm의 멤브레인필터로 여과하여, 열경화성 실록산 중합체용액(B-e)을 얻었다.
상기 열가소성 수지용액, 열경화성 실록산 중합체용액의 조성 등을 표 1, 2에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00002
[표 2]
Figure pct00003
한편, 수평균분자량은, 용매로서 톨루엔을 사용하고, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 겔퍼미에이션크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 결과이다.
[실시예 1~7 및 비교예 1~4]
표면에 높이 10μm, 직경 40μm의 구리포스트가 전체면에 형성된 직경 200mm 실리콘웨이퍼(두께: 725μm)에 (A)층에 대응하는 재료(A-1)를 스핀코트 후, 핫플레이트에서, 150℃에서 5분간 가열함으로써, (A)층을 표 3에 나타내는 막두께로, 웨이퍼범프형성면에 성막하였다. 한편, 직경 200mm(두께: 500μm)의 유리판을 지지체로 하고, 이 지지체에 (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 조성물의 용액을 스핀코트하고, 그 후 70℃에서 2분간, 핫플레이트 상에서 가열함으로써 표 3에 나타내는 막두께로 지지체 상에 (B)층을 형성하였다. 이와 같이 하여 제작한 열가소성 수지층(A)을 갖는 실리콘웨이퍼 및, 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 유리판을 각각, 수지면이 맞추어지도록, EVG사의 웨이퍼접합장치 EVG520IS를 이용하여 25℃, 10-3mbar 이하, 하중 5kN으로 진공첩합을 행하였다. 그 후, 실온 중, 면조사타입 UV-LED(파장 365nm) 조사기를 이용하여, 표 3에 나타내는 조건으로 광경화성 실록산 중합체층(B)에 광조사를 행하여, 웨이퍼가공체를 제작하였다.
하기, 각종 시험에 의해 웨이퍼가공에 있어서의 평가를 행하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
-웨이퍼 휨 확인시험-
상기 웨이퍼가공체의 제작에 있어서, (B)층경화시의 웨이퍼의 휨상태를 육안관찰에 의해 확인하였다. 휨이 전혀 없었던 경우를 「○」, 휨이 발생한 경우를 「×」로 평가하였다.
-접착성 시험-
상기 웨이퍼가공체의 샘플을 180℃에서 1시간 오븐을 이용하여 가열하고, 실온까지 냉각 후, 웨이퍼계면의 접착상황을 육안으로 확인하고, 계면에서의 기포 등의 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타내었다.
-이면연삭내성 시험-
상기 웨이퍼가공체의 샘플에서 휨이 발생하지 않은 것에 있어서, 그라인더(DISCO제, DAG810)로 다이아몬드지석을 이용하여 실리콘웨이퍼의 이면연삭을 행하였다. 최종기판두께 50μm까지 그라인드한 후, 광학현미경(100배)으로 크랙, 박리 등의 이상의 유무를 조사하였다. 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타내었다.
-CVD내성 시험-
실리콘웨이퍼를 이면연삭한 후의 가공체를 CVD장치에 도입하고, 2μm의 SiO2막의 성막실험을 행하여, 그때의 외관이상의 유무를 육안관찰에 의해 조사하였다. 외관이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 보이드, 웨이퍼 팽창, 웨이퍼 파손 등의 외관이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타내었다. CVD내성 시험의 조건은, 이하와 같다.
장치명: 플라즈마 CVD PD270STL(삼코사제)
RF 500W, 내압 40Pa
TEOS(테트라에틸오르토실리케이트):O2=20sccm:680sccm
-박리성 시험-
기판의 박리성은, 먼저, 상기 CVD내성 시험을 마친 웨이퍼가공체의 웨이퍼두께를 50μm까지 박형화한 웨이퍼측에 다이싱프레임을 이용하여 다이싱테이프를 붙이고, 이 다이싱테이프면을 진공흡착에 의해, 흡착판에 세트하였다. 그 후, 실온에서, 유리의 1점을 핀셋으로 들어올림으로써, 유리기판을 박리하였다. 50μm두께의 웨이퍼를 깨는 일 없이 박리가 가능했던 경우를 「○」로 나타내고, 깨짐 등의 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타내었다.
-세정제거성 시험-
상기 박리성 시험종료 후의 다이싱테이프를 통해 다이싱프레임에 장착된 직경 200mm 웨이퍼(CVD내성 시험조건에 노출된 것)를, 접착층을 위로 하여 스핀코터에 세트하고, 세정용제로서 p-멘탄을 5분간 분무한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 이소프로필알코올(IPA)을 분무로 린스를 행하였다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착재 수지의 유무를 육안으로 체크하였다. 수지의 잔존이 확인되지 않는 것을 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 수지의 잔존이 확인된 것을 불량으로 평가하여 「×」로 나타내었다.
-필박리력 시험-
직경 200mm 실리콘웨이퍼(두께: 725μm) 상에 (A)층에 대응하는 재료를 스핀코트 후, 핫플레이트에서, 150℃에서 5분간 가열함으로써 표 3에 나타내는 막두께로 (A)층을 형성하였다. 그 후, (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 중합체의 용액을, 실리콘웨이퍼 상에 형성된 (A)층 상에 스핀코트하고, 다시 그 후, 핫플레이트 상에서 70℃, 2분간의 가열에 의해 용매를 제거함으로써, (B)층을 표 3에 나타내는 막두께로 형성하였다. 그 후, 실온 중 (B)층에 면조사타입 UV-LED(365nm) 조사기를 이용하여 광조사, 또는 핫플레이트 상에서의 가열처리를 행하여 (B)층을 경화시켰다.
그 후, 상기 웨이퍼 상의 (B)층 상에 150mm길이×25mm폭의 폴리이미드테이프를 5개 첩부하고, 테이프가 붙어 있지 않은 부분의 가접착재층을 제거하였다. 이어서 시마즈제작소사의 AUTOGRAPH(AG-1)를 이용하여 25℃, 300mm/분의 속도로 테이프의 일단으로부터 180° 박리로 120mm 벗기고, 그때에 가해지는 힘의 평균(120mm스트로크×5회)을 그 (B)가접착층의 박리력으로 하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
-광경화성 실록산 중합체(B)층의 막탄성률 측정-
유리기판 상에 (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 중합체의 용액을 스핀코트하고 70℃에서 2분간의 가열에 의해 용매를 제거하여, 표 3 중의 막두께로 유리기판 상에 (B)층을 형성하였다. 그 후, 실온 중에서 면조사타입 UV-LED(365nm) 조사기를 이용하고, 표 3에 나타내는 조건으로 광경화성 실록산 중합체층(B)에 광조사, 또는 핫플레이트 상에서의 가열처리를 행해, 유리기판 상에 (B)층의 경화막을 형성하였다. 얻어진 (B)층을 포함하는 유리기판을, TA인스트루먼트사제 아레스 G2를 사용하여 (B)층에 50gf의 하중이 가해지도록 25mm 알루미늄플레이트로 샌드하여, 25℃에 있어서의 탄성률 측정을 행하여 얻어진 저장탄성률의 값을 (B)층의 막탄성률로 하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00004
표 3에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 요건을 만족하는 실시예 1~7에서는, 가접착재층이 비가열이면서 단시간에 경화가 가능하므로, 경화시의 웨이퍼 휨이 저감되고 있다. 또한 충분한 가공내구성을 갖고 있으며, 박리성도 우수하므로, 박리 후의 세정제거성이 양호한 것도 확인되었다. 한편 (B)층을 갖지 않는 비교예 1에서는 회로부착웨이퍼와 지지체의 접착력이 불충분해져, 이면연삭공정에서 웨이퍼의 탈리가 일어났다. 또한 (A)층을 갖지 않는 비교예 2에서는 웨이퍼와 (B)층의 밀착성이 강해, 박리시에 웨이퍼의 깨짐이 발생하였다. 비교예 3에서는, (B)층에 종래 공지의 가열경화형의 촉매를 사용하였으나, 150℃×10min의 경화조건으로는 경화가 불충분해져, 필박리력이 크고, 또한 막탄성률이 낮은 값을 나타내었다. 또한 가열경화시의 웨이퍼 휨도 발생하여, 그 후의 웨이퍼가공공정으로 진행될 수 없었다. 또한 비교예 4에서는, 비교예 3과 마찬가지로, (B)층에 종래 공지의 가열경화형의 촉매를 사용하고, 경화조건을 150℃×60min로 변경하였다. 그 경우, 경화는 충분히 진행되어, 필박리력의 저하가 확인되었으나, 가열경화시의 웨이퍼 휨이 발생하여, 웨이퍼가공공정으로 진행될 수는 없었다.
[실시예 8~10]
표면에 높이 10μm, 직경 40μm의 구리포스트가 전체면에 형성된 직경 200mm 실리콘웨이퍼(두께: 725μm)에 (A)층에 대응하는 재료(A-1)를 스핀코트 후, 핫플레이트에서, 150℃에서 5분간 가열함으로써, 표 4에 나타내는 막두께로 (A)층을 웨이퍼범프형성면에 성막하였다. 한편, (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 조성물의 용액을, 지지체로서 사용하는 직경 200mm(두께: 500μm)의 실리콘웨이퍼 상에 스핀코트하고, 그 후 70℃에서 2분간, 핫플레이트 상에서 가열하여 표 4에 나타내는 막두께로 지지체 상에 (B)층을 형성하였다. 이어서 면조사타입 UV-LED(파장 365nm) 조사기를 이용하여, 표 4에 나타내는 조건으로 (B)층에 광조사를 행하였다. 이와 같이 하여 제작한 열가소성 수지층(A)을 갖는 실리콘웨이퍼 및, 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 실리콘웨이퍼를 각각, 수지면이 맞추어지도록, EVG사의 웨이퍼접합장치 EVG520IS를 이용하여 40℃, 10-3mbar 이하, 하중 5kN으로 진공첩합을 행하여, 웨이퍼가공체를 제작하였다.
필박리력 시험, 막탄성률 측정 이외의 항목에 대해서는, 상기와 동일한 조작에 의해 웨이퍼가공에 있어서의 평가를 행하였다. 필박리력 시험, 막탄성률 측정의 방법에 대해서는 이하에 나타낸다. 또한 평가결과에 대해서는 표 4에 나타낸다.
-필박리력 시험-
직경 200mm 실리콘웨이퍼(두께: 725μm) 상에 (A)층에 대응하는 재료를 스핀코트 후, 핫플레이트에서, 150℃에서 5분간 가열함으로써 표 4에 나타내는 막두께로 (A)층을 형성하였다. 이어서 (A)층 상에 (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 중합체의 용액을 스핀코트하고, 핫플레이트 상에서 70℃, 2분간 가열함으로써 용매제거하여, 표 4에 나타내는 막두께로 (B)층을 형성하였다. 그 후, 면조사타입 UV-LED(365nm) 조사기를 이용하여, 표 4에 나타내는 조건으로 광조사를 행하고, 다시 그 후 핫플레이트 상에서 40℃, 5분간 가열함으로써 (B)층을 경화시켰다.
그 후, 상기 웨이퍼 상의 (B)층 상에 150mm길이×25mm폭의 폴리이미드테이프를 5개 첩부하고, 테이프가 붙어 있지 않은 부분의 가접착재층을 제거하였다. 시마즈제작소사의 AUTOGRAPH(AG-1)를 이용하여 25℃, 300mm/분의 속도로 테이프의 일단으로부터 180° 박리로 120mm 벗기고, 그때에 가해지는 힘의 평균(120mm스트로크×5회)을, 그 (B)가접착층의 박리력으로 하였다.
-광경화성 실록산 중합체(B)층의 막탄성률 측정-
유리기판 상에 (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 중합체의 용액을 스핀코트한 후, 70℃, 2분간의 가열에 의해 용매제거하여, 표 4에 나타내는 막두께로 유리기판 상에 (B)층을 형성하였다. 이어서 표 4에 나타내는 조건으로 광조사를 행하고, 그 후 핫플레이트 상에서 40℃, 5분간의 가열처리를 행하여 (B)층을 경화시켰다. 얻어진 (B)층을 포함하는 유리기판을, TA인스트루먼트사제 아레스 G2를 사용하여 (B)층에 50gf의 하중이 가해지도록 25mm 알루미늄플레이트로 샌드하여, 25℃에 있어서의 탄성률 측정을 행하고, 얻어진 저장탄성률의 값을 (B)층의 막탄성률로 하였다. 그 결과를 표 4에 나타낸다.
[표 4]
Figure pct00005
표 4에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 요건을 만족하는 실시예 8~10에서는, 웨이퍼접합 전에 (B)층에 상당하는 광경화성 실록산 중합체의 조성물에 광조사를 행해 웨이퍼적층체를 제작하였으나, 웨이퍼접합 후에 광조사를 실시한 실시예 1~7과 동등한 웨이퍼가공성능이 얻어지는 것을 확인하였다.
실시예 8~10(제2의 태양)에서는, 웨이퍼와 지지체를 접합한 후에 광조사를 행하는 실시예 1~7(제1의 태양)과는 달리, 접합 전에 광경화성 실록산 중합체층(B) 조성물에 광조사를 행함으로써 지지체 너머의 광조사공정이 불필요해지고, 지지체로서 광불투과성의 실리콘웨이퍼를 이용할 수 있다. 게다가, 상기와 같이, 실시예 1~7과 동등한 웨이퍼가공성능을 얻을 수 있는 점에서, 본 발명이면, 광을 투과하지 않는 기판도 지지체로서 적용가능한 것이 확인되었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (15)

  1. 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼가공용 가접착재로서,
    상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층의 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 중합체층(B)이,
    (B-1)1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
    (B-2)1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
    (B-3)광활성형 하이드로실릴화 반응촉매: 상기 (B-1)성분 및 상기 (B-2)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm
    를 함유하는 광경화성 실록산 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 조성물이, 추가로, (B-4)성분으로서 하이드로실릴화 반응제어제를 함유하는 것이며, 또한, 상기 (B-3)성분의 첨가량이, 상기 (B-1)성분, 상기 (B-2)성분 및 상기 (B-4)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 (B-3)성분의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매가, (η5-시클로펜타디에닐)트리(σ-알킬)백금(IV)착체 및 β-디케토나토백금(II)착체 중 어느 하나 또는 둘 다인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 열가소성 수지층(A)에 대한 25mm폭 시험편의 180° 필박리력이 2gf(0.0196N) 이상 50gf(0.490N) 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 저장탄성률이 1,000Pa 이상 1,000MPa 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공용 가접착재.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열가소성 수지층(A)이 비실리콘 수지인 웨이퍼가공용 가접착재.
  8. (a)표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로형성면을, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼가공용 가접착재에 이용되는 상기 열가소성 수지층(A)과, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 상기 지지체 상에 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 형성한 후, 상기 열가소성 수지층(A)이 형성된 회로부착웨이퍼와 진공하에서 접합하는 공정과,
    (b)상기 중합체층(B)을 광경화시키는 공정과,
    (c)상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
    (d)상기 웨이퍼의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정과,
    (e)상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조방법.
  9. (a)표면에 회로형성면 및 이면에 회로비형성면을 갖는 웨이퍼의 상기 회로형성면을, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼가공용 가접착재에 이용되는 상기 열가소성 수지층(A)과, 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 갖는 가접착재층을 개재하여, 지지체에 접합할 때에, 상기 열가소성 수지층(A)을 회로부착웨이퍼 상에 형성하고, 광조사를 행한 상기 광경화성 실록산 중합체층(B)을 지지체 상에 형성하는 공정과,
    (b)상기 열가소성 수지층(A)이 형성된 회로부착웨이퍼와 상기 중합체층(B)이 형성된 지지체를 진공하에서 접합하는 공정과,
    (c)상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
    (d)상기 웨이퍼의 회로비형성면에 가공을 실시하는 공정과,
    (e)상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조방법.
  10. 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 또한 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 할 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼가공체로서,
    상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착된 열가소성 수지층(A)으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 광경화성 실록산 중합체층(B)으로 이루어지는 제2 가접착층의 2층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 중합체층(B)이,
    (B-1)1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
    (B-2)1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(Si-H기)를 함유하는 오가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (B-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2)성분 중의 Si-H기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,
    (B-3)광활성형 하이드로실릴화 반응촉매: 상기 (B-1)성분 및 상기 (B-2)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm
    를 함유하는 광경화성 실록산 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 조성물이, 추가로, (B-4)성분으로서 하이드로실릴화 반응제어제를 함유하는 것이며, 또한, 상기 (B-3)성분의 첨가량이, 상기 (B-1)성분, 상기 (B-2)성분 및 상기 (B-4)성분의 합계질량에 대해 금속원자량 환산으로 1~5,000ppm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 (B-3)성분의 광활성형 하이드로실릴화 반응촉매가, (η5-시클로펜타디에닐)트리(σ-알킬)백금(IV)착체 및 β-디케토나토백금(II)착체 중 어느 하나 또는 둘 다인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 열가소성 수지층(A)에 대한 25mm폭 시험편의 180° 필박리력이 2gf(0.0196N) 이상 50gf(0.490N) 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체.
  15. 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광경화성 실록산 중합체층(B)의 경화 후, 25℃에서의 저장탄성률이 1,000Pa 이상 1,000MPa 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공체.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2023008204A1 (ko) * 2021-07-26 2023-02-02
CN117716474A (zh) * 2021-07-26 2024-03-15 日产化学株式会社 层叠体的制造方法和粘接剂组合物的套组
US20240170444A1 (en) * 2022-11-17 2024-05-23 Tokyo Electron Limited Bonding layer and process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
US7541264B2 (en) 2005-03-01 2009-06-02 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4789663B2 (ja) * 2006-03-17 2011-10-12 信越化学工業株式会社 熱硬化性組成物及び該組成物から得られる層を備えたフィルム
JP2013071984A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Kaneka Corp 硬化性組成物
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6224509B2 (ja) * 2013-05-14 2017-11-01 信越化学工業株式会社 ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
JP6188495B2 (ja) * 2013-08-30 2017-08-30 富士フイルム株式会社 積層体及びその応用
JP6156251B2 (ja) * 2014-05-09 2017-07-05 信越化学工業株式会社 熱可塑性樹脂基板とオルガノポリシロキサン樹脂とを接着する方法
JP6193813B2 (ja) * 2014-06-10 2017-09-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
JP6404787B2 (ja) * 2014-09-26 2018-10-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2017050322A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法
CN108603028B (zh) * 2016-02-08 2021-05-07 东丽株式会社 树脂组合物、树脂层、临时粘贴粘接剂、层叠膜、晶片加工体及其应用
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US7541264B2 (en) 2005-03-01 2009-06-02 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物

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