JPH01268031A - 半導体ウエハの保持方法 - Google Patents

半導体ウエハの保持方法

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Publication number
JPH01268031A
JPH01268031A JP9640388A JP9640388A JPH01268031A JP H01268031 A JPH01268031 A JP H01268031A JP 9640388 A JP9640388 A JP 9640388A JP 9640388 A JP9640388 A JP 9640388A JP H01268031 A JPH01268031 A JP H01268031A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
film
semiconductor wafer
holding jig
plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP9640388A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Nakagawa
哲郎 中川
Akitetsu Takahashi
高橋 昭哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH01268031A publication Critical patent/JPH01268031A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体ウェハ(以下、ウェハと略称する。)
の加工、特に表面研磨の際におけるウニへの保持方法に
関する。
[従来の技術] ウェハの加工、特に表面研磨においては、ウェハの保持
治具としてプレートを使用し、これにワックスを用いて
ウェハを貼り付けるのが普通である。第2図は従来のウ
ェハ保持治具の断面図で、以下同図を参照してウェハの
表面研磨等の加工工程を説明する。
(1)  プレート2を加熱する。
(2)溶融ワックス3をプレート2の表面に滴下する。
(3)  ウェハ1をワックス3上に貼り付ける。
(4)プレート2を徐冷し、ワックス3を固化させてウ
ェハ1をプレート2上に固着する。
(5)ウェハ1の表面研磨を行う。
(6)研磨完了後、プレート2を再加熱11、ワックス
3を溶融してウェハ1を取り外す。
(7)プレート2を冷却する。
(8)プレート2を洗浄し、プレート2に付着したワッ
クス3を除去する。
以上の如く、接着にワックス3を用いた従来法では、ワ
ックス3を溶融、固化させるために加熱。
冷却を繰り返していた。
[発明が解決しようとする課8] 上記従来法による場合、下記問題があった。
(1)  ウェハの貼り付けおよび取り外し時における
加熱、冷却並びにプレート洗浄のために大規模な設備が
必要となる。
(2)加熱、冷却を繰り返すためプレートが劣化したり
、あるいは寸法変化を起こすが、これを避けるためにプ
レートにセラミックスを使用すると高価になる。
(3)プレートの破損、変形を防ぐために加熱。
冷却は急速に行うことができない。そのため所要時間が
長くなる。
(4)ウェハをプレートから剥がすのに熟練を要する。
本発明は、従来技術の欠点を解消し、保持治具を劣化さ
せることなく、保持治具へのウェハの貼り付け、固着お
よび取り外しを短時間に、かつ簡便な方法で実施するこ
とができるウェハの保持方法を提供することを目的とす
る。
[課題を解決するための手段] 本発明では、ウェハ加工時における保持治具として透明
プレートを使用し、該プレートに表面と裏面に粘接着剤
を塗布したフィルムを貼付し、該フィルムの表面に上記
ウェハを貼付、固着して加工を行ない、加工完了後、紫
外線を照射して上記粘接着剤を硬化させ、粘着力の低下
により上記ウェハを上記保持治具から取り外すようにし
たことを特徴とする。
[作用] 本発明では、ワックスによるウェハの貼り付け、固着の
代りに、表面および裏面に粘接着剤を塗布したフィルム
を用いるようにしたので、加熱、冷却を繰り返すことな
くウェハを保持治具に短時間に、かつ容易に貼り付け、
固着することができ、また紫外線の照射により簡単にウ
ェハを取り外すことができる。そして、加熱、冷却に伴
う保持冶具の劣化および寸法変化も防止できる。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
第1図は本実施例によるウェハ保持治具の断面図で、図
において1はウェハ、4は透明なガラスまたはプラスチ
ック製のプレート、5はプラスチックのフィルムで、そ
の表面および裏面には粘接着剤6,6′が塗布されてい
る。
本実施例においては保持治具として透明プレート4を使
用し、それに表面および裏面に粘接着剤を塗布したフィ
ルム5を貼付し、フィルム5の表面にウェハ1を貼付、
固着するようにしたので、従来のように、貼り付けのた
めに保持治具を加熱。
冷却する必要がない。
研磨等の加工完了後、紫外線ランプを用いて紫外線を保
持治具に照射するとフィルム5の表面および裏面に塗布
した粘接着剤6,6゛は硬化し、粘着力が1/10〜1
/20に低下して容易にウェハ1を保持治具から取り外
すことができ、そのとき同時にフィルム5もプレート4
より剥がすことができる。
なお、上記において使用されるフィルム5および粘接着
剤6.6゛は超精密加工となるので、極力薄くて、かつ
均一な厚みのものが要求される。
また、上記実施例においてはフィルム5の表面および裏
面に塗布する粘接着剤6.6′は同じものを使用してい
るが、紫外線照射時における低下粘着力に差異をつけ、
例えば粘接着剤6の方を粘接着剤6′に比べ強い粘着力
となるようにすれば、先ず、フィルム5をプレート4よ
り取り外し、次にウェハ1をフィルム5より取り外すこ
とになり、取り外しが上記実施例より一層容易となる。
また、粘着力の低下を上記と逆にしておけば、逆の手順
で取り外すことができる。
以上の如く、本実施例によれば保持軸を加熱。
冷却する必要がなくなるので、次のような効果を得るこ
とができる。
(1)保持治具の加熱、冷却および洗浄のための従来設
備が不要となる。
(2)従来の如き保持治具の劣化および寸法変化を防止
することができる。
(3)  ウェハの保持治具への貼り付け、固着および
取り外しを短時間に、かつ熟練を要することなく容易に
できる。
[発明の効果] 本発明によるウェハの保持方法によれば、従来技術の欠
点を解消し、保持治具を劣化させることなく、保持治具
へのウェハの貼り付け、固芒および取り外しを短時間に
、かつ簡便な方法で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるウェハ保持治具の断面
図、第2図は従来のウェハ保持治具の断面図である。 1:ウェハ、 4ニブレート、 5:フィルム、 e、a−:粘接着剤、 県 1 回 尾 2 国

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体ウェハ加工時における保持治具として透明プ
    レートを使用し、該プレートの上に粘接着剤が両面に塗
    布された透明フィルムの裏面を貼付し、該フィルムの表
    面に上記半導体ウェハを貼付、固着した状態で加工を行
    ない、加工完了後、紫外線を照射して上記粘接着剤を硬
    化させ、粘着力の低下により上記半導体ウェハを上記保
    持治具から取り外すようにしたことを特徴とする半導体
    ウェハの保持方法。 2、上記フィルムの表面と裏面とで粘着力の低下に差異
    が生ずるようにした特許請求の範囲第1項記載の半導体
    ウェハの保持方法。
JP9640388A 1988-04-19 1988-04-19 半導体ウエハの保持方法 Pending JPH01268031A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) * 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置

Cited By (2)

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JP2004064040A (ja) * 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
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