JP7144567B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
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Description
ャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタ(以下、TFTという)で構
成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネル
に代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電
子機器に関する。
のシリコン層をチャネル層として用いた薄膜トランジスタ(TFT)が広く用いられてい
る。アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果移動度が低いもののガ
ラス基板の大面積化に対応することができるという利点を有している。
イスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、金属酸化物の中で、酸化タ
ングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などは半導体特性を示すことが知られて
いる。このような金属酸化物で構成される透明半導体層をチャネル形成領域とする薄膜ト
ランジスタが開示されている(特許文献1)。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極も透光性を有する透明導電膜で形成することによ
って、開口率を向上させる技術が検討されている(特許文献2)。
成することが可能となる。その一方で、表示装置の大型化や、携帯機器への応用の観点か
らは、開口率の向上と共にさらなる消費電力の低減が求められている。
どちらかで、透明電極と導通がとれるように金属補助配線と透明電極が重なるように配線
されるものが知られている(例えば、特許文献3参照)。
明導電膜からなるものとし、付加容量用電極の電気抵抗を小さくするため、金属膜から成
る補助配線を付加容量用電極に接して設ける構成が知られている(例えば、特許文献4参
照)。
-ス電極及びドレイン電極の各電極を形成する材料は、インジウム錫酸化物(ITO),
インジウム亜鉛酸化物,ZnO,SnO2などの透明電極や、Al,Ag,Cr,Ni,
Mo,Au,Ti,Taなどの金属電極、又はこれらを含む合金の金属電極などを用いる
ことができ、それらを2層以上積層して接触抵抗を低減し、又は界面強度を向上させても
よいことは知られている(例えば、特許文献5参照)。
びゲート電極、補助容量電極の材料として、インジウム(In)、アルミ(Al)、金(
Au)、銀(Ag)等の金属や、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)
、酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム(CdO)、酸化インジウムカドミウム(CdI
n2O4)、酸化カドミウムスズ(Cd2SnO4)、酸化亜鉛スズ(Zn2SnO4)
等の酸化物材料を用いることができ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の材料は
、全て同じでもよく、異なっても良いことが知られている(例えば、特許文献6、7参照
)。
発明の一態様は、配線抵抗の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、本発
明の一態様は、コストを低減する半導体装置を提供することを課題とする。または、本発
明の一態様は、透過率の高い半導体装置を提供することを課題とする。または、本発明の
一態様は、高精細な半導体装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は
、開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、大
きな保持容量を有する半導体装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様
は、光漏れが低減した半導体装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様
は、フィードスルー電圧の低減した半導体装置を提供することを課題とする。または、本
発明の一態様は、空乏層を形成しやすい半導体装置を提供することを課題とする。
接続された第1の電極を含む第1の配線と、半導体層と第1の電極を覆うように形成され
た絶縁膜と、半導体層上に絶縁膜を介して設けられた第2の電極を含む第2の配線とを有
し、第1の電極は、第1の導電層を有し、第1の配線は、第1の導電層と第2の導電層を
有し、第2の電極は、第3の導電層を有し、第2の配線は、第3の導電層と第4の導電層
とを有することを特徴とする半導体装置である。
続された第1の電極を含む第1の配線と、半導体層と第1の電極を覆うように形成された
絶縁膜と、半導体層上に絶縁膜を介して設けられた第2の電極を含む第2の配線と、第3
の配線とを有し、第1の電極は、第1の導電層を有し、第1の配線は、第1の導電層と第
2の導電層を有し、第2の電極は、第3の導電層を有し、第2の配線は、第3の導電層と
第4の導電層を有し、第3の配線は、第5の導電層と第6の導電層とを有することを特徴
とする半導体装置である。
、第2の導電層及び第4の導電層は、第1の導電層又は第3の導電層又は透光性を有する
導電層の導電率より高いことが好ましい。また、第2の導電層及び第4の導電層は、遮光
性を有することが好ましい。
層であることが好ましい。
(m>0)で表記されるものがある。ここで、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニ
ッケル(Ni)、マンガン(Mn)及びコバルト(Co)から選ばれた一の金属元素又は
複数の金属元素を示す。例えば、MとしてGaが選択される場合には、Gaのみの場合の
他に、GaとNiや、GaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が選択される場合を含む
。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素とし
てFe、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある
。本明細書においては、上記酸化物半導体のうち、Mとして少なくともガリウムを含むも
のをIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体と呼び、当該材料を用いた薄膜をIn-Ga-
Zn-O系非単結晶膜と呼ぶことがある。
、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-
Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O
系の酸化物半導体を適用することができる。これらの酸化物半導体に、結晶化を抑制し非
晶質状態を保持させる不純物を加えることによって、薄膜トランジスタの特性を安定化さ
せることができる。
半導体層として、例えば、酸化物半導体を用いることができる。また、酸化物半導体以外
に、結晶性半導体(単結晶半導体若しくは多結晶半導体)、非晶質半導体、微結晶半導体
、マイクロクリスタル半導体、有機半導体等のいずれを用いてもよい。
いることにより、1枚のマスク(レチクル)で、透光性を有する領域(光透過率の高い領
域)と、遮光性を有する領域(光透過率の低い領域)と、を形成することができる。これ
により、マスク数を増加させることなく、透光性を有する領域(光透過率の高い領域)と
、遮光性を有する領域(光透過率の低い領域)とを形成することができる。
全般を指し、半導体回路、表示装置、電気光学装置、発光表示装置及び電子機器は全て半
導体装置に含まれる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、及び表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路
)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
チや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、
特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ(例えば、バイポー
ラトランジスタ、MOSトランジスタなど)、ダイオード(例えば、PNダイオード、P
INダイオード、ショットキーダイオード、MIM(Metal Insulator
Metal)ダイオード、MIS(Metal Insulator Semicond
uctor)ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど)などを用いることができ
る。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることができる。
MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)技術を用いたスイッチがある
。そのスイッチは、機械的に動かすことができる電極を有し、その電極が動くことによっ
て、導通と非導通とを制御して動作する。
動作するため、トランジスタの極性(導電型)は特に限定されない。ただし、オフ電流を
抑えたい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ
電流が少ないトランジスタとしては、LDD領域を有するトランジスタやマルチゲート構
造を有するトランジスタ等がある。または、スイッチとして動作させるトランジスタのソ
ース端子の電位が、低電位側電源(Vss、GND、0Vなど)の電位に近い値で動作す
る場合はNチャネル型トランジスタを用いることが望ましい。反対に、ソース端子の電位
が、高電位側電源(Vddなど)の電位に近い値で動作する場合はPチャネル型トランジ
スタを用いることが望ましい。なぜなら、Nチャネル型トランジスタではソース端子が低
電位側電源の電位に近い値で動作するとき、Pチャネル型トランジスタではソース端子が
高電位側電源の電位に近い値で動作するとき、ゲートとソースの間の電圧の絶対値を大き
くできるため、スイッチとして、より正確な動作を行うことができるからである。さらに
、トランジスタがソースフォロワ動作をしてしまうことが少ないため、出力電圧の大きさ
が小さくなってしまうことが少ないからである。
型のスイッチをスイッチとして用いてもよい。CMOS型のスイッチにすると、Pチャネ
ル型トランジスタまたはNチャネル型トランジスタのどちらか一方のトランジスタが導通
すれば電流が流れるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力
信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることができる。さら
に、スイッチをオンまたはオフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることができる
ので、消費電力を小さくすることもできる。
たはドレイン端子の一方)と、出力端子(ソース端子またはドレイン端子の他方)と、導
通を制御する端子(ゲート端子)とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用
いる場合、スイッチは、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、トラ
ンジスタよりもダイオードをスイッチとして用いた方が、端子を制御するための配線を少
なくすることができる。
されている場合と、AとBとが機能的に接続されている場合と、AとBとが直接接続され
ている場合とを含むものとする。ここで、A、Bは、対象物(例えば、装置、素子、回路
、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。したがって、所定の接続関係、
例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関
係以外のものも含むものとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オードなど)が、AとBとの間に1個以上接続されていてもよい。あるいは、AとBとが
機能的に接続されている場合として、AとBとの機能的な接続を可能とする回路(例えば
、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変換回路(DA変換回
路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電源回路(昇圧回路、
降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)、電圧源、電流源、
切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きくできる回路、オペアンプ、
差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成回路、記憶回路、制
御回路など)が、AとBとの間に1個以上接続されていてもよい。例えば、AとBとの間
に別の回路を挟んでいても、Aから出力された信号がBへ伝達される場合は、AとBとは
機能的に接続されているものとする。
的に接続されている場合(つまり、AとBとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続され
ている場合)と、AとBとが機能的に接続されている場合(つまり、AとBとの間に別の
回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、AとBとが直接接続されている場合(つ
まり、AとBとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合)とを含むもの
とする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続され
ている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
置である発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子を有することができる。例えば
、表示素子、表示装置、発光素子または発光装置としては、EL(エレクトロルミネッセ
ンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED
(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じ
て発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレ
ーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、デジタル
マイクロミラーデバイス(DMD)、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチュー
ブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する
表示媒体を有することができる。なお、EL素子を用いた表示装置としてはELディスプ
レイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ(F
ED)やSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface-conductio
n Electron-emitter Disply)など、液晶素子を用いた表示装
置としては液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反
射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)、電子イン
クや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
子である。なお、EL層としては、1重項励起子からの発光(蛍光)を利用するもの、3
重項励起子からの発光(燐光)を利用するもの、1重項励起子からの発光(蛍光)を利用
するものと3重項励起子からの発光(燐光)を利用するものとを含むもの、有機物によっ
て形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無
機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材料
と低分子の材料とを含むものなどを有することができる。ただし、これに限定されず、E
L素子として様々なものを有することができる。
電子放出素子として、スピント型、カーボンナノチューブ(CNT)型、金属-絶縁体-
金属を積層したMIM(Metal-Insulator-Metal)型、金属-絶縁
体-半導体を積層したMIS(Metal-Insulator-Semiconduc
tor)型、MOS型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤモンド型、金属-絶縁体
-半導体-金属型等の薄膜型、HEED型、EL型、ポーラスシリコン型、表面伝導(S
CE)型などを有することができる。ただし、これに限定されず、電子放出素子として様
々なものを有することができる。
子であり、一対の電極、及び液晶により構成される。なお、液晶の光学的変調作用は、液
晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む)によって制御
される。なお、液晶素子としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック
液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、
高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、
側鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶(PALC)、バナナ型液晶などを挙げること
ができる。また、液晶の駆動方式としては、TN(Twisted Nematic)モ
ード、STN(Super Twisted Nematic)モード、IPS(In-
Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field Swi
tching)モード、MVA(Multi-domain Vertical Ali
gnment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignm
ent)モード、ASV(Advanced Super View)モード、ASM(
Axially Symmetric aligned Micro-cell)モード
、OCB(Optically Compensated Birefringence
)モード、ECB(Electrically Controlled Birefri
ngence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crys
tal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Cr
ystal)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid
Crystal)モード、ゲストホストモード、ブルー相(Blue Phase)モー
ドなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式と
して様々なものを用いることができる。
ど)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化など)、フィ
ルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により表示される
もの、分子の光吸収により表示されるもの、電子とホールが結合して自発光により表示さ
れるものなどのことをいう。例えば、電子ペーパーの表示方法として、マイクロカプセル
型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイ
ストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体(株式会社ブリヂストン
の登録商標)、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッテイング、光散乱(透明/白
濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液
晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、
フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機
ELなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示
方法として様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用
いることによって、電気泳動方式の欠点である泳動粒子の凝集、沈殿を解決することがで
きる。電子粉流体は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメ
リットを有する。
を表面に形成し且つ溝内に蛍光体層を形成した基板とを狭い間隔で対向させて、希ガスを
封入した構造を有する。あるいは、プラズマディスプレイパネルは、プラズマチューブを
上下からフィルム状の電極で挟み込んだ構造とすることも可能である。プラズマチューブ
とは、ガラスチューブ内に、放電ガス、RGBそれぞれの蛍光体などを封止したものであ
る。なお、電極間に電圧をかけることによって紫外線を発生させ、蛍光体を光らせること
で、表示を行うことができる。なお、プラズマディスプレイパネルとしては、DC型PD
P、AC型PDPでもよい。ここで、プラズマディスプレイパネルの駆動方式としては、
AWS(Address While Sustain)駆動、サブフレームをリセット
期間、アドレス期間、維持期間に分割するADS(Address Display S
eparated)駆動、CLEAR(HI‐CONTRAST&LOW ENERGY
ADDRESS&REDUCTION OF FALSE CONTOUR SEQU
ENCE)駆動、ALIS(Alternate Lighting of Surfa
ces)方式、TERES(Technology of Reciprocal Su
stainer)駆動などを用いることができる。ただし、これに限定されず、プラズマ
ディスプレイパネルの駆動方式として様々なものを用いることができる。
、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射
型液晶ディスプレイ)、グレーティングライトバルブ(GLV)を用いた表示装置、デジ
タルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた表示装置などの光源としては、エレクト
ロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、LED、レーザー光源、水銀ランプなどを用い
ることができる。ただし、これに限定されず、光源として様々なものを用いることができ
る。
用いるトランジスタの種類に限定はない。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微
結晶(マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファスとも言う)シリコンなど
に代表される非単結晶半導体膜及び単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ(TFT)
などを用いることができる。TFTを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結
晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の
大型化を図ることができる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そ
のため、同時に多くの個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。さらに
、製造温度が低いため、耐熱性の低い基板を用いることができる。そのため、透光性を有
する基板上にトランジスタを製造できる。そして、透光性を有する基板上のトランジスタ
を用いて表示素子での光の透過を制御することができる。あるいは、トランジスタの膜厚
が薄いため、トランジスタを構成する膜の一部は、光を透過させることができる。そのた
め、開口率を向上させることができる。
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その
結果、ゲートドライバ回路(走査線駆動回路)やソースドライバ回路(信号線駆動回路)
、信号処理回路(信号生成回路、ガンマ補正回路、DA変換回路など)を基板上に一体形
成することができる。
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。この
とき、レーザー照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させることも
可能である。その結果、ソースドライバ回路の一部(アナログスイッチなど)およびゲー
トドライバ回路(走査線駆動回路)を基板上に一体形成することができる。さらに、結晶
化のためにレーザー照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができ
る。そのため、画質の向上した画像を表示することができる。
ことは可能である。
で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリ
コンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を選
択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域
にのみ、レーザー光を照射してもよい。または、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回
路等の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。あるいは、ソースドライバ回路の一部
(例えば、アナログスイッチ)の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。その結果、
回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向上させることがで
きる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上されなくても、問
題なく画素回路を動作させることができる。結晶性を向上させる領域が少なくて済むため
、製造工程も短くすることができ、スループットが向上し、製造コストを低減させること
ができる。必要とされる製造装置の数も少ない数で製造できるため、製造コストを低減さ
せることができる。
れらにより、特性やサイズや形状などのバラツキが少なく、電流供給能力が高く、サイズ
の小さいトランジスタを製造することができる。これらのトランジスタを用いると、回路
の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
TiO、AlZnSnO(AZTO)などの化合物半導体または酸化物半導体を有するト
ランジスタや、さらに、これらの化合物半導体または酸化物半導体を薄膜化した薄膜トラ
ンジスタなどを用いることができる。これらにより、製造温度を低くでき、例えば、室温
でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラ
スチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成することができる。なお、これら
の化合物半導体または酸化物半導体を、トランジスタのチャネル形成領域に用いるだけで
なく、それ以外の用途で用いることもできる。例えば、これらの化合物半導体または酸化
物半導体を抵抗素子、画素電極、透光性を有する電極として用いることができる。さらに
、それらをトランジスタと同時に成膜又は形成できるため、コストを低減できる。
る。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができ
る。マスク(レチクル)を用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタの
レイアウトを容易に変更することができる。さらに、レジストを用いる必要がないので、
材料費が安くなり、工程数を削減できる。さらに、必要な部分にのみ膜を付けるため、全
面に成膜した後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コストに
できる。
る。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することができる。
このような基板を用いた半導体装置は、衝撃に強くすることができる。
タ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどをトランジスタとして用いること
ができる。MOS型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくす
ることができる。よって、複数のトランジスタを搭載することができる。バイポーラトラ
ンジスタを用いることにより、大きな電流を流すことができる。よって、高速に回路を動
作させることができる。
成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することができる
。
のものに限定されることはない。その基板としては、例えば、単結晶基板(例えばシリコ
ン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレ
ス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タング
ステン・ホイルを有する基板、可撓性基板などを用いることができる。ガラス基板の一例
としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどがある。可撓性基
板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、又はアクリ
ル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。他にも、貼り合わせフィルム(ポリプロピレ
ン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなど)、繊維状な材料を含む
紙、基材フィルム(ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着フィルム、紙類等
)などがある。または、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にト
ランジスタを転置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置
される基板としては、単結晶基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基
板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、
合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊維(アセテート、キ
ュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、皮革基板、ゴム基板、ステンレス
・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あ
るいは、人などの動物の皮膚(表皮、真皮)又は皮下組織を基板として用いてもよい。ま
たは、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その基板を研磨して薄くしてもよい。研
磨される基板としては、単結晶基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック
基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いる
ことができる。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費
電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は
薄型化を図ることができる。
。例えば、ゲート電極が2個以上のマルチゲート構造を適用することができる。マルチゲ
ート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に
接続された構成となる。マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧
向上(信頼性の向上)を図ることができる。あるいは、マルチゲート構造により、飽和領
域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があ
まり変化せず、電圧・電流特性の傾きをフラットにすることができる。電圧・電流特性の
傾きがフラットである特性を利用すると、理想的な電流源回路や、非常に高い抵抗値をも
つ能動負荷を実現することができる。その結果、特性のよい差動回路やカレントミラー回
路を実現することができる。
る。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域
が増えるため、電流値の増加を図ることができる。または、チャネルの上下にゲート電極
が配置されている構造にすることにより、空乏層ができやすくなるため、S値の改善を図
ることができる。なお、チャネルの上下にゲート電極が配置される構成にすることにより
、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
配置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構造、チャネル領域を複数の領域に分けた
構造、チャネル領域を並列に接続した構造、またはチャネル領域が直列に接続する構成も
適用できる。さらに、チャネル領域(もしくはその一部)にソース電極やドレイン電極が
重なっている構造も適用できる。チャネル領域(もしくはその一部)にソース電極やドレ
イン電極が重なる構造にすることによって、チャネル領域の一部に電荷が溜まることによ
り動作が不安定になることを防ぐことができる。あるいは、LDD領域を設けた構造を適
用できる。LDD領域を設けることにより、オフ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向
上(信頼性の向上)を図ることができる。あるいは、LDD領域を設けることにより、飽
和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流
があまり変化せず、電圧・電流特性の傾きをフラットにすることができる。
ることができる。したがって、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てを、同一
の基板に形成することも可能である。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路
の全てを、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、またはSOI基板などの様々な
基板を用いて形成することも可能である。所定の機能を実現させるために必要な回路の全
てが同じ基板を用いて形成されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、
又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、所
定の機能を実現させるために必要な回路の一部が、ある基板に形成され、所定の機能を実
現させるために必要な回路の別の一部が、別の基板に形成されていることも可能である。
つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されて
いなくてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガラス基
板上にトランジスタにより形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一
部は、単結晶基板に形成され、単結晶基板を用いて形成されたトランジスタで構成された
ICチップをCOG(Chip On Glass)でガラス基板に接続して、ガラス基
板上にそのICチップを配置することも可能である。あるいは、そのICチップをTAB
(Tape Automated Bonding)やプリント基板を用いてガラス基板
と接続することも可能である。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていること
により、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信
頼性の向上を図ることができる。あるいは、駆動電圧が高い部分及び駆動周波数が高い部
分の回路は、消費電力が大きくなってしまうので、そのような部分の回路は同じ基板に形
成せず、そのかわりに、例えば、単結晶基板にその部分の回路を形成して、その回路で構
成されたICチップを用いるようにすれば、消費電力の増加を防ぐことができる。
ては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。
従って、そのときは、R(赤)G(緑)B(青)の色要素からなるカラー表示装置の場合
には、画像の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるもの
とする。なお、色要素は、三色に限定されず、三色以上を用いても良いし、RGB以外の
色を用いても良い。例えば、白色を加えて、RGBW(Wは白)とすることも可能である
。あるいは、RGBに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱
色などを一色以上追加することも可能である。あるいは、例えば、RGBの中の少なくと
も一色に類似した色を、RGBに追加することも可能である。例えば、R、G、B1、B
2としてもよい。B1とB2とは、どちらも青色であるが、少し波長が異なっている。同
様に、R1、R2、G、Bとすることも可能である。このような色要素を用いることによ
り、より実物に近い表示を行うことができる。このような色要素を用いることにより、消
費電力を低減することができる。別の例としては、一つの色要素について、複数の領域を
用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とすることも可能である。よっ
て、一例として、面積階調を行う場合または副画素(サブ画素)を有している場合、一つ
の色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するが、明る
さを制御する領域の一つ分を一画素とすることも可能である。よって、その場合は、一つ
の色要素は、複数の画素で構成されることとなる。あるいは、明るさを制御する領域が一
つの色要素の中に複数あっても、それらをまとめて、一つの色要素を1画素としてもよい
。よって、その場合は、一つの色要素は、一つの画素で構成されることとなる。あるいは
、一つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合、画素によって、表
示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。あるいは、一つの色要素につき複
数ある、明るさを制御する領域において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるように
して、視野角を広げるようにしてもよい。つまり、一つの色要素について、複数個ある領
域が各々有する画素電極の電位が、各々異なっていることも可能である。その結果、液晶
分子に加わる電圧が各画素電極によって各々異なる。よって、視野角を広くすることがで
きる。
える場合であるとする。一画素(一色分)と明示的に記載する場合は、一つの色要素につ
き、複数の領域がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
リクスに配置(配列)されているとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に
並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含む。よって、
例えば三色の色要素(例えばRGB)でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置さ
れている場合、又は三つの色要素のドットがデルタ配置されている場合も含む。さらに、
ベイヤー配置されている場合も含む。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが
異なっていてもよい。これにより、低消費電力化、又は表示素子の長寿命化を図ることが
できる。
しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
ができる。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)やTFD(
Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は、製
造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。さら
に、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度
化をはかることができる。
素子)を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティ
ブ素子、非線形素子)を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いないた
め、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレ
イン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことができる。ここで、ソー
スとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソー
スまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソース及びドレインと
して機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例と
しては、それぞれを第1端子、第2端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを第
1電極、第2電極と表記する場合がある。あるいは、第1領域、第2領域と表記する場合
がある。
する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第1端子、第2
端子などと表記する場合がある。
号線等とも言う)とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極と
は、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部
分の導電膜のことを言う。なお、ゲート電極の一部は、LDD(Lightly Dop
ed Drain)領域またはソース領域(またはドレイン領域)と、ゲート絶縁膜を介
してオーバーラップしている場合もある。ゲート配線とは、各トランジスタのゲート電極
の間を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配線、又は
ゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
電層、配線など)も存在する。そのような部分(領域、導電層、配線など)は、ゲート電
極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが
、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配
線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分(領域、導電層、配線
など)はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる
。よって、そのような部分(領域、導電層、配線など)は、ゲート電極と呼んでも良いし
、ゲート配線と呼んでも良い。
つながっている部分(領域、導電層、配線など)も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に
、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつな
がっている部分(領域、導電層、配線など)も、ゲート配線と呼んでも良い。このような
部分(領域、導電層、配線など)は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップし
ていない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし
、製造時の仕様などの関係で、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲー
ト電極またはゲート配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている部分(領域、
導電層、配線など)がある。よって、そのような部分(領域、導電層、配線など)もゲー
ト電極またはゲート配線と呼んでも良い。
電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電層で接続される場合が多い。そのよう
な部分(領域、導電層、配線など)は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための部
分(領域、導電層、配線など)であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲート
のトランジスタを1つのトランジスタと見なすこともできるため、ゲート電極と呼んでも
良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲ
ート配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている部分(領域、導電層、配線な
ど)は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。さらに、例えば、ゲート電極とゲート
配線とを接続させている部分の導電層であって、ゲート電極またはゲート配線とは異なる
材料で形成された導電層も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
極と電気的に接続されている部分(領域、導電層、配線など)について、その一部分のこ
とを言う。
ぶ場合、その配線にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場合、ゲ
ート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線は、トランジスタのゲートと同
じ層で形成された配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線またはトラン
ジスタのゲートと同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容
量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。
ータ線、データ信号線等とも言う)とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言
う。ソース領域とは、P型不純物(ボロンやガリウムなど)やN型不純物(リンやヒ素な
ど)が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけP型不純物やN型不純物
が含まれる領域、いわゆる、LDD(Lightly Doped Drain)領域は
、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソ
ース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソー
ス電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各トラン
ジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極の間を接続す
るための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
域、導電層、配線など)も存在する。そのような部分(領域、導電層、配線など)は、ソ
ース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配
線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソ
ース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分(領域、導電層
、配線など)はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していること
になる。よって、そのような部分(領域、導電層、配線など)は、ソース電極と呼んでも
良いし、ソース配線と呼んでも良い。
つながっている部分(領域、導電層、配線など)や、ソース電極とソース電極とを接続す
る部分(領域、導電層、配線など)も、ソース電極と呼んでも良い。さらに、ソース領域
とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同
じ材料で形成され、ソース配線と同じ島(アイランド)を形成してつながっている領域も
、ソース配線と呼んでも良い。このような部分(領域、導電層、配線など)は、厳密な意
味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の
仕様などの関係で、ソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極また
はソース配線とつながっている部分(領域、導電層、配線など)がある。よって、そのよ
うな部分(領域、導電層、配線など)もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。
ス電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電層も、ソース電極と呼んでも良
いし、ソース配線と呼んでも良い。
いる部分(領域、導電層、配線など)について、その一部分のことを言う。
と呼ぶ場合、その配線にトランジスタのソース(ドレイン)が接続されていない場合もあ
る。この場合、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、トラ
ンジスタのソース(ドレイン)と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース(ドレ
イン)と同じ材料で形成された配線またはトランジスタのソース(ドレイン)と同時に成
膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電
位供給配線などがある。
回路を有する装置のことをいう。さらに、半導体特性を利用することで機能しうる装置全
般を半導体装置と呼んでもよい。または、半導体材料を有する装置のことを半導体装置と
言う。
を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周辺
駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の画
素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプな
どによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス(COG)で
接続されたICチップ、または、TABなどで接続されたICチップを含んでいても良い
。なお、表示装置は、ICチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなど
が取り付けられたフレキシブルプリントサーキット(FPC)を含んでもよい。なお、表
示装置は、フレキシブルプリントサーキット(FPC)などを介して接続され、ICチッ
プ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配線
基板(PWB)を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの光
学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、光
センサなどを含んでいても良い。
シート、光源(LED、冷陰極管など)、冷却装置(水冷式、空冷式)などを有していて
も良い。
素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。
をいう。
視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。
ば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ(選択用トランジス
タ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある)、画素電極に電圧または電流を
供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆動
装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路(ゲートドライバ、ゲー
ト線駆動回路などと呼ぶことがある)、ソース信号線に信号を供給する回路(ソースドラ
イバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある)などは、駆動装置の一例である。
は、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発光
装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有し
ている場合がある。
記載する場合は、Aの上にBが直接接して形成されていることに限定されない。直接接し
てはいない場合、つまり、AとBと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。こ
こで、A、Bは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、
など)であるとする。
載されている場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直
接接して別の層(例えば層Cや層Dなど)が形成されていて、その上に直接接して層Bが
形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば層Cや層Dなど)は、単
層でもよいし、複層でもよい。
であり、Aの上にBが直接接していることに限定されず、AとBとの間に別の対象物が介
在する場合も含むものとする。従って例えば、層Aの上方に、層Bが形成されている、と
いう場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直接接して
別の層(例えば層Cや層Dなど)が形成されていて、その上に直接接して層Bが形成され
ている場合とを含むものとする。なお、別の層(例えば層Cや層Dなど)は、単層でもよ
いし、複層でもよい。
成されている、と明示的に記載する場合、斜め上にBが形成される場合も含むこととする
。
ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として
記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず
、単数であることも可能である。
がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
れない。例えば、製造技術による形状のばらつき、誤差による形状のばらつき、ノイズに
よる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、
若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
多く、これに限定されない。
常の当業者が理解する一般的な意味と同等の意味として用いることが可能である。辞書等
により定義されている文言は、関連技術の背景と矛盾がないような意味に解釈されること
が好ましい。
区別して記述するために用いられる。よって、第1、第2、第3などの語句は、要素、部
材、領域、層、区域などの数を限定するものではない。さらに、例えば、「第1の」を「
第2の」又は「第3の」などと置き換えることが可能である。
「斜めに」、「奥に」、又は、「手前に」、などの空間的配置を示す語句は、ある要素又
は特徴と、他の要素又は特徴との関連を、図によって簡単に示すために用いられる場合が
多い。ただし、これに限定されず、これらの空間的配置を示す語句は、図に描く方向に加
えて、他の方向を含むことが可能である。例えば、Aの上にB、と明示的に示される場合
は、BがAの上にあることに限定されない。図中のデバイスは反転、又は180°回転す
ることが可能なので、BがAの下にあることを含むことが可能である。このように、「上
に」という語句は、「上に」の方向に加え、「下に」の方向を含むことが可能である。た
だし、これに限定されず、図中のデバイスは様々な方向に回転することが可能なので、「
上に」という語句は、「上に」、及び「下に」の方向に加え、「横に」、「右に」、「左
に」、「斜めに」、「奥に」、又は、「手前に」などの他の方向を含むことが可能である
。
成することができる。そのため、画素内にトランジスタや容量素子を配置する場合であっ
ても、トランジスタや容量素子が形成された部分においても光を透過させることができる
ため、開口率を向上させることができる。さらに、トランジスタと素子(例えば、別のト
ランジスタ)とを接続する配線、または容量素子と素子(例えば、別の容量素子)とを接
続する配線は、抵抗率が低く導電率が高い材料を用いて形成することができるため、信号
の波形なまりを低減し、配線抵抗による電圧降下を低減することができる。
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態お
よび詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本
発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
。そして、「層」とは、レジストマスク等により所望の形状にパターン形成されたものを
いう。なお、前述のような「膜」と「層」の区別は便宜的に行うものであり、膜と層を特
に区別することなく用いることがある。また、積層膜の各層についても、膜と層を特に区
別することなく用いることがある。
素を区別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、ま
た配置及び段階の順序を限定するものでもない。
態で述べる別の内容(一部の内容でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容(一部の内容でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
その実施の形態において述べる別の図(一部でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図(一部でもよい)に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。
して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図また
は文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の一
態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるものと
する。そのため、例えば、能動素子(トランジスタ、ダイオードなど)、配線、受動素子
(容量素子、抵抗素子など)、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、
基板、モジュール、装置、固体、液体、気体、動作方法、製造方法などが単数又は複数記
載された図面(断面図、平面図、回路図、ブロック図、フローチャート、工程図、斜視図
、立面図、配置図、タイミングチャート、構造図、模式図、グラフ、表、光路図、ベクト
ル図、状態図、波形図、写真、化学式など)または文章において、その一部分を取り出し
て、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。
本実施の形態では、半導体装置及びその作製工程について、図1乃至図15を用いて説明
する。
1(A)におけるA-Bで切断した断面図である。
及び容量配線)と、2の方向に配置された複数の配線(例えば、ソース配線)と、それら
の配線の交差部付近の複数のトランジスタと、を有する画素部を含んでいる。なお、1の
方向に配置された配線と2の方向に配置された配線とは直交していることが望ましい。な
お、本明細書において、画素部とは、複数のゲート配線及び複数のソース配線に囲まれた
領域のことを指す。
、半導体層103a上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層1
06a、106bと、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層106a、10
6b上に設けられたゲート絶縁膜110と、ゲート絶縁膜110上に設けられ、かつ、導
電層106a、106bの間に設けられたゲート電極として機能する導電層113aとで
構成されている。よって、トランジスタ150は、いわゆるトップゲート型のトランジス
タである。ただし、チャネル(半導体層103a)の下側に、ゲート電極が配置されても
よい。半導体層103aは、酸化物を有することが好ましい。ただし、これに限定されず
、半導体層が酸化物を有していなくてもよい。例えば、半導体層103aとして、シリコ
ン、ガリウムヒ素、化合物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブなどを用いて形成
することが可能である。
電層113aと、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層106a、106b
等のうちの一部又は全部を、透光性を有する材料を用いて形成している。このように、ト
ランジスタ150を構成する半導体層と導電層等のうちの一部又は全部を、透光性を有す
る材料を用いて形成することにより、トランジスタが形成された部分において光を透過さ
せることができるため、画素部の開口率を向上させることができる。
と比較して、可視域(400nm~800nm程度)における光の透過率が高いことを意
味する。
極、ソース電極又はドレイン電極を構成する導電層をそのまま引き延ばし、同じ島(アイ
ランド)で形成される場合が多い。したがって、トランジスタのゲートと、別のトランジ
スタのゲートと、を接続する配線(ゲート配線と呼ぶ)は、トランジスタのゲート電極と
同じ層構造や同じ材料で形成されていることが多く、トランジスタのソースと別のトラン
ジスタのソースとを接続する配線(ソース配線と呼ぶ)は、トランジスタのソース電極と
同じ層構造や同じ材料で形成されていることが多い。したがって、ゲート電極並びにソー
ス電極もしくはドレイン電極として、透光性を有する材料を用いて形成した場合、ゲート
配線およびソース配線はゲート電極並びにソース電極もしくはドレイン電極と同様、透光
性を有する材料を用いて形成されることとなる。
ムスズ亜鉛酸化物などは、遮光性及び反射性を有する材料、例えば、アルミニウム、モリ
ブデン、チタン、タングステン、ネオジム、銅、銀、クロムなどと比較して、導電率が低
い傾向がある。したがって、透光性を有する材料を用いて配線を形成すると、配線抵抗が
高くなってしまう。例えば、大型の表示装置を製造する場合、配線が長くなるため、配線
抵抗が非常に高くなる。配線抵抗が高くなると、その配線を伝搬していく信号の波形なま
りが生じ、配線抵抗による電圧降下によって、供給される電圧が小さくなる。そのため、
正確な電圧や電流を供給することが困難となってしまい、正常な表示や動作を行うことが
困難となるおそれがある。
有する導電層113aと、遮光性を有する導電層116aとで積層する。そして、トラン
ジスタ150のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続されるソース配線は、透光性
を有する導電層106aと、遮光性を有する導電層109aとで積層する。つまり、トラ
ンジスタ150のゲート電極は、透光性を有する導電層113aの一部で形成されている
。そして、トランジスタ150のソース電極又はドレイン電極は、透光性を有する導電層
106aの一部で形成されている。
過率は、導電層116aの光透過率よりも高いことが望ましい。
、導電層116aの抵抗率は、導電層113aの抵抗率よりも低いことが望ましい。ただ
し、導電層116aは、導電層として機能するため、導電層116aの抵抗率は、絶縁層
の抵抗率よりも低いことが望ましい。
ることにより、配線抵抗を低減させることができる。また、配線抵抗を低減させることに
よって、信号の波形なまりを低減し、配線抵抗による電圧降下を低減させることができる
。また、配線抵抗による電圧降下を低減させることにより、正確な電圧や電流を供給する
ことができる。これにより、大型の表示装置を製造することが可能となる。また、ゲート
配線又はソース配線は、遮光性を有する導電層を用いて構成されているため、画素間を遮
光することができる。つまり、行方向に配置されたゲート配線と、列方向に配置されたソ
ース配線とによって、ブラックマトリクスを用いることなく画素間の隙間を遮光すること
ができる。ただし、ブラックマトリクスを用いることは可能である。
められている。各画素が高い開口率を持つことにより光利用効率が向上し、表示装置の省
電力化および小型化が達成できる。近年、画素サイズの微細化が進み、より高精細な画像
が求められている。しかし、画素サイズの微細化によって、1つの画素に占めるトランジ
スタ及び配線の形成面積が大きくなり、画素の開口率を低減させている。そこで、規定の
画素サイズの中で高開口率を得るためには、画素の回路構成に必要な要素を効率よくレイ
アウトすることが不可欠である。
域では、透光性を有する導電層113bで形成することが望ましい。そして、ソース配線
と重なる領域では、導電率を高くするために透光性を有する導電層113bと、遮光性を
有する導電層116bとを積層させてもよい。また、容量配線には、保持容量部160が
形成されている。保持容量部160は、トランジスタ150のソース電極又はドレイン電
極のいずれか一方(導電層106b)に接続されている。保持容量部160は、ゲート絶
縁膜110を誘電体として、電極として機能する導電層106bと導電層113bとで構
成されている。なお、画素電極と導電層113bとの間にも容量が形成されるため、その
容量も保持容量とすることができる。
が、容量配線の幅とゲート配線の幅が異なるように形成してもよい。容量配線の幅は、ゲ
ート配線の幅よりも広くすることが好ましい。容量配線の幅を広くすることにより、保持
容量部160の面積を大きくすることができる。
とで構成することにより、保持容量部160が形成された部分においても光を透過させる
ことができるため、開口率を向上させることができる。また、保持容量部160を、透光
性を有する導電層で構成することにより、開口率を下げることなく保持容量部160を大
きくすることができるため、トランジスタがオフになったときでも、画素電極の電位保持
特性が向上し、表示品質が向上する。また、フィードスルー電位を小さくすることができ
る。または、ノイズに対する耐性が向上するため、クロストークを低減することが可能と
なる。また、正確な電圧にできるので、ちらつきも低減することが可能となる。画素の回
路構成に必要な回路要素を効率よくレイアウトすることができる。
る発光表示装置の画素部に設けられる画素トランジスタに適用することができる。そのた
め、図1では、ゲート絶縁膜110、絶縁膜117にコンタクトホール130が設けられ
、絶縁膜117上に画素電極層(透光性を有する導電層119a、119c)が設けられ
、ゲート絶縁膜110、絶縁膜117に設けられたコンタクトホール130を介して、画
素電極層(透光性を有する透明導電層119a)と、導電層106bと、が接続されてい
る。
、(B)参照)。
性を有するガラス基板を用いることができる。上記のガラス基板は無アルカリガラス基板
であることが好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス
、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられて
いる。他にも、絶縁面を有する基板100として、セラミック基板、石英基板やサファイ
ア基板などの絶縁体でなる絶縁性基板、珪素などの半導体材料でなる半導体基板の表面を
絶縁材料で被覆したもの、金属やステンレスなどの導電体でなる導電性基板の表面を絶縁
材料で被覆したもの、などを用いることができる。なお、PET(polyethyle
ne terephthalate ポリエチレンテレフタレート)等のプラスチック基
板も用いることができる。
00からのアルカリ金属(Li、Cs、Na等)やアルカリ土類金属(Ca、Mg等)や
他の金属元素などの不純物の拡散を防止する機能を有する。なお、Naは、5×1019
/cm3以下、好ましくは1×1018/cm3以下とする。絶縁膜は、窒化シリコン膜
、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒
化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜から選ばれた単層
構造または複数の膜による積層構造により形成することができる。より好ましくは、窒化
シリコン膜上に酸化シリコン膜を設けることが望ましい。窒化シリコン膜を用いることに
より、不純物の拡散を十分に防止することができる。また、その上に酸化シリコン膜を設
けることにより、窒化シリコン膜が半導体層と接することを避けることが可能となる。窒
化シリコン膜と半導体層とが接すると、半導体層が水素化される可能性があるためである
。ただし、これに限定されず、窒化シリコン膜と半導体層とが接することは可能である。
0)で表記される構造の酸化物半導体を用いるのが好ましく、特にIn-Ga-Zn-O
系酸化物半導体を用いるのが好ましい。なお、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニ
ッケル(Ni)、マンガン(Mn)及びコバルト(Co)から選ばれた一の金属元素又は
複数の金属元素を示す。例えばMとして、Gaの場合があることの他、GaとNi又はG
aとFeなど、Ga以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体
において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の遷移
金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。本明細書においては、I
nMO3(ZnO)m(m>0)で表記される構造の酸化物半導体のうち、Mとして少な
くともGaを含む構造の酸化物半導体をIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体と呼び、該
薄膜をIn-Ga-Zn-O系非単結晶膜とも呼ぶ。
ルファス構造が観察される。なお、分析に用いたサンプルのIn-Ga-Zn-O系非単
結晶膜は、スパッタ法で成膜した後、熱処理を200℃~500℃、代表的には、300
℃~400℃で10分~100分行っている。
、ゲート電圧±20Vにおいて、オンオフ比が109以上、移動度が10cm2/V・s
以上の電気的特性を有する薄膜トランジスタを作製することができる。
の酸化物半導体膜に限られるものではない。例えば、酸化インジウム(InOx)、酸化
亜鉛(ZnOx)、酸化錫(SnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウム
スズ(Indium Tin Oxide:ITO)、酸化シリコンを含む酸化インジウ
ムスズ(ITSO)、ガリウムを添加した酸化亜鉛(GZO)等を有する酸化物半導体膜
を用いてもよい。
する。また、酸化物半導体膜101は、後に形成されるソース電極又はドレイン電極とし
て機能する導電層106a、106bの間に、導電層106a、106bと重なる領域よ
りも膜厚の薄い領域を有する場合がある。これは、導電層106a、106bをエッチン
グするときに、半導体層103aの一部もエッチングされることにより生ずるものである
。よって、酸化物半導体膜101の膜厚を50nm以上とすることにより、チャネル形成
領域がエッチングによりなくなってしまうことを防止できる。
1×1011/cm3以上)が好ましい。酸化物半導体膜101のキャリア濃度範囲が上
記の範囲を超えると、薄膜トランジスタがノーマリーオンとなる恐れがある。
シリコン、酸化ゲルマニウム、酸化アルミニウムなどに代表される絶縁性酸化物、窒化シ
リコン、窒化アルミニウムなどに代表される絶縁性窒化物、または酸窒化シリコン、酸窒
化アルミニウムなどの絶縁性酸窒化物が適用される。
性を損なわない濃度で酸化物半導体に添加される。
の結晶化を抑制することができる。酸化物半導体膜101の結晶化を抑制することにより
、薄膜トランジスタの特性を安定化することが可能となる。
くことで、300℃乃至600℃の熱処理を行っても、該酸化物半導体の結晶化又は微結
晶粒の生成を防ぐことができる。
過程では、熱処理を行うことでS値(subthreshold swing valu
e)や電界効果移動度を向上させることが可能であるが、そのような場合でも薄膜トラン
ジスタがノーマリーオンになってしまうのを防ぐことができる。また、当該薄膜トランジ
スタに熱ストレス、バイアスストレスが加わった場合でも、しきい値電圧の変動を防ぐこ
とができる。
O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、S
n-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In
-O系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体を適用することができる。また、これら
の酸化物半導体に結晶化を抑制し非晶質状態を保持させる不純物を加えることによって、
薄膜トランジスタの特性を安定化させることができる。
結晶性半導体(単結晶半導体若しくは多結晶半導体)、非晶質半導体、微結晶半導体、マ
イクロクリスタル半導体、有機半導体等のいずれを用いてもよい。
縁膜の表面にプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行うことにより、絶縁膜の表
面に付着しているゴミ(パーティクルなど)を除去することができる。
布も均一となるため好ましい。また、上述したプラズマ処理を行った後、大気に曝すこと
なく酸化物半導体膜101を形成することにより、絶縁膜と酸化物半導体膜101の界面
にゴミや水分が付着することを抑制することができる。
を用いてもよい。多元スパッタ装置では、同一チャンバーで異なる膜を積層形成すること
も、同一チャンバーで複数種類の材料を同時にスパッタして一の膜を形成することもでき
る。さらに、チャンバー内部に磁界発生機構を備えたマグネトロンスパッタ装置を用いる
方法(マグネトロンスパッタ法)や、マイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるE
CRスパッタ法等を用いてもよい。また、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分と
を化学反応させてそれらの化合物を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板に
も電圧をかけるバイアススパッタ法等を用いてもよい。
02を用いて酸化物半導体膜101を選択的にエッチングして、島状の半導体層103a
を形成する(図2(C)、(D)参照)。レジストマスクの形成にスピンコート法を用い
る場合、レジスト膜の均一性の向上のため、大量のレジスト材料や、大量の現像液が使用
され、余分な材料の消費量が多い。特に基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成
膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロス及び廃液量が
多い点で、大量生産上不利である。また、矩形の基板をスピンコートさせると回転軸を中
心とする円形のムラが塗布膜に生じやすい。そこで、インクジェット法などの液滴吐出法
やスクリーン印刷法などを用いて選択的にレジスト材料膜を形成し、露光を行ってレジス
トマスクを形成することが好ましい。選択的にレジスト材料膜を形成することによって、
レジスト材料の使用量の削減が図れるため大幅なコストダウンが実現でき、1000mm
×1200mm、1100mm×1250mm、1150mm×1300mmのような大
面積基板にも対応できる。ただし、これに限定されない。
ができる。ここでは、酢酸と硝酸と燐酸との混合液を用いたウエットエッチングにより、
酸化物半導体膜101の不要な部分を除去して、島状の半導体層103aを形成する。な
お、上記エッチングの後にはレジストマスク102は除去する。また、ウエットエッチン
グに用いるエッチャントは酸化物半導体膜101をエッチングできるものであればよく、
上述したものに限られない。ドライエッチングを行う場合は、塩素を含有するガス、又は
塩素を含有するガスに酸素が添加されたガスを用いることが好ましい。塩素と酸素を含有
するガスを用いることで、下地膜として機能する絶縁膜と、酸化物半導体膜101とのエ
ッチング選択比がとりやすく、絶縁膜へのダメージを十分に低減できるためである。
RIE法)を用いたエッチング装置や、ECR(Electron Cyclotron
Resonance)やICP(Inductively Coupled Plas
ma)などの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。ま
た、ICPエッチング装置と比べて広い面積に渡って一様な放電が得られやすいドライエ
ッチング装置としては、上部電極を接地させ、下部電極に13.56MHzの高周波電源
を接続し、さらに下部電極に3.2MHzの低周波電源を接地したECCP(Enhan
ced Capacitively Coupled Plasma)モードのエッチン
グ装置がある。このECCPモードのエッチング装置であれば、例えば、基板として第1
0世代の3mを超えるサイズの基板を用いる場合にも対応することができる。
こでは、窒素雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行う。この熱処理により半導体層1
03aを構成するIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体の原子レベルの再配列が行われる
。この熱処理(光アニール等も含む)は、半導体層103a中におけるキャリアの移動を
阻害する歪みを解放できる点で重要である。なお、上記の熱処理を行うタイミングは、半
導体層103aの形成後であれば特に限定されない。
)。
物(ITSO)、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛(ZnO)、窒化チタン等を用い
ることができる。また、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc
Oxide:IZO)、ガリウム(Ga)を含む酸化亜鉛、酸化スズ(SnO2)、酸
化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物
、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物なども用い
てもよい。導電膜104は、上述の材料をスパッタリング法により、単層構造又は2層以
上の積層構造で形成することができる。ただし、積層構造とする場合には、複数の膜の全
ての光透過率が十分に高いことが望ましい。
ク105a、105bを用いて導電膜104を選択的にエッチングして、ソース電極又は
ドレイン電極として機能する導電層106a、106bを形成する(図2(G)、(H)
参照)。なお、上記エッチングの後にはレジストマスク105a、105bは除去する。
この際、後に形成されるゲート絶縁膜110の被覆性を向上し、段切れを防止するために
、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層106a、106bの端部がテーパ
ー形状となるようエッチングすることが好ましい。なお、ソース電極又はドレイン電極に
はソース配線等、上記導電膜によって形成される電極や配線が含まれる。
(図3(A)、(B)参照)。
ル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(
Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジム(Nd)、クロム(Cr)、アンチモ
ン(Sb)、ニオブ(Nb)、セリウム(Ce)などの金属材料、またはこれらの金属材
料を主成分とする合金材料、またはこれらの金属材料を成分とする窒化物を用いて、単層
又は積層で形成することができる。アルミニウムなどの低抵抗導電性材料で形成すること
が望ましい。
者の膜が反応を起こしてしまう場合がある。例えば、導電層106a、106bにITO
を用い、導電膜107にアルミニウムを用いた場合、化学反応が起きてしまう場合がある
。したがって、化学反応が起きることを避けるために、導電層106a、106bと導電
膜107との間に、高融点材料を用いることが望ましい。例えば、高融点材料の例として
は、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、クロムなどが挙げられる。そして、
高融点材料を用いた膜の上に、導電率が高い材料を用いて、導電層106a、106bを
多層膜とすることは、好適である。導電率が高い材料としては、アルミニウム、銅、銀な
どがあげられる。例えば、導電層106a、106bを積層構造で形成する場合には、1
層目をモリブデン、2層目をアルミニウム、3層目をモリブデンの積層、若しくは、1層
目をモリブデン、2層目にネオジムを微量に含むアルミニウム、3層目をモリブデンの積
層で形成することができる。このような構成とすることで、ヒロック発生を防止すること
ができる。なお、遮光性を有する導電層よりも透光性を有する導電層の方が、膜厚が薄い
ことが望ましい。ただしこれに限定されない。
いて導電膜107をエッチングして、導電層109aを形成する(図3(C)、(D)参
照)。上記エッチングの後にはレジストマスク108は除去する。その結果、導電膜10
7は、レジストマスク108が形成されている部分を残して除去され、導電層106aが
露出する。これにより、導電層109aと導電層106aとは、それぞれの層が有する表
面積が異なる。つまり、導電層106aが有する表面積は、導電層109aが有する表面
積よりも大きい。または、導電層109aと導電層106aとは、導電層109aと導電
層106aとが重なった領域と、導電層109aと導電層106aとが重なっていない領
域とを有する。
はソース配線として機能し、導電層106aと導電層109aとが重ならない領域では、
導電層106aはソース電極又はドレイン電極として機能する。ソース電極又はドレイン
電極として機能する導電層106aを、透光性を有する材料で形成することにより、ソー
ス電極又はドレイン電極が形成された部分においても光を透過させることができるため、
画素の開口率を向上させることができる。また、導電層109aを、導電層106aより
も導電率が高い材料で形成することにより、ソース配線の配線抵抗を低減し、消費電力を
低減することができる。また、ソース配線は、遮光性を有する導電層を用いて構成されて
いるため、画素間を遮光することができる。また、コントラストを向上させることができ
る。
説明したが、形成する順番を逆としてもよい。つまり、ソース配線の一部である導電層1
09aを形成した後に、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層106a、1
06bを形成することもできる(図7参照)。
膜111を形成する(図3(E)、(F)参照)。
化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒
化酸化アルミニウム膜、又は酸化タンタル膜の単層または積層で設けることができる。ゲ
ート絶縁膜110は、スパッタ法、CVD法等を用いて膜厚を50nm以上250nm以
下で形成することができる。例えば、ゲート絶縁膜110として、スパッタ法により酸化
シリコン膜を100nmの厚さで形成することができる。または、スパッタ法により酸化
アルミニウム膜を100nmの厚さで形成することができる。
aに水分や酸素が侵入することを防止することができる。また、基板100に含まれるア
ルカリ金属(Li、Cs、Na等)やアルカリ土類金属(Ca、Mg等)や他の金属元素
などの不純物が半導体層103aに侵入することを防止することができる。なお、Naは
、5×1019/cm3以下、好ましくは1×1018/cm3以下とする。したがって
、酸化物半導体を用いた半導体装置の半導体特性の変動を抑制することができる。また、
半導体装置の信頼性を向上させることができる。
コン等の酸素又は窒素を有する絶縁膜、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)等の炭素
を含む膜や、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロ
ブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる膜を単
層又は積層構造で設けることができる。
い。ただし、これに限定されない。概ね同じ材料とは、主成分の元素が同じ材料のことで
あり、不純物レベルでは、含まれる元素の種類や濃度などが異なっている場合がある。こ
のように、概ね同じ材料を用いることにより、スパッタや蒸着などで導電膜111を形成
する場合、導電膜104と材料を共有できるというメリットがある。導電膜111と導電
膜104の材料を共有することにより、同じ製造装置を用いることができ、製造工程をス
ムーズに流すことができ、スループットを向上させることが可能となり、低コスト化を実
現することが可能となる。
ク112a、112bを用いて導電膜111を選択的にエッチングして、導電層113a
、113bを形成する(図4(A)、(B)参照)。なお、上記エッチングの後にはレジ
ストマスク112a、112bは除去する。
4(C)、(D)参照)。
ル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(
Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジム(Nd)、クロム(Cr)、アンチモ
ン(Sb)、ニオブ(Nb)、セリウム(Ce)などの金属材料、またはこれらの金属材
料を主成分とする合金材料、またはこれらの金属材料を成分とする窒化物を用いて、単層
又は積層で形成することができる。アルミニウムなどの低抵抗導電性材料で形成すること
が望ましい。
ましい。または、導電膜114は、導電膜107とは異なる積層構造で形成されることが
望ましい。なぜなら、半導体装置の作製工程において、加えられる温度が導電膜114と
導電膜107とでは異なる場合が多いからである。通常、導電膜107の方が、高温な状
態になることが多い。したがって、導電膜107の方が融点の高い材料または積層構造を
用いることが望ましい。または、導電膜107の方が、ヒロックがおきにくい材料または
積層構造を用いることが望ましい。または、導電膜114は、映像信号が供給される信号
線を構成する場合があるため、導電膜107よりも配線抵抗が小さい材料又は積層構造を
用いることが望ましい。なお、遮光性を有する導電層よりも透光性を有する導電層の方が
、膜厚が薄いことが望ましい。
様に、導電層113a、113b(又は導電膜111)の上に導電膜114を形成する場
合、両者の膜が反応を起こしてしまう場合がある。したがって、導電層113a、113
b上に導電膜114を形成する場合においても、導電層113a、113bと導電膜11
4との間に、高融点材料を用いることが望ましい。例えば、高融点材料の例としては、モ
リブデン、チタン、タングステン、タンタル、クロムなどがあげられる。そして、高融点
材料を用いた膜の上に、導電率が高い材料を用いて、導電膜114を多層膜で形成するこ
とは、好適である。導電率が高い材料としては、アルミニウム、銅、銀などがあげられる
。
いて導電膜114をエッチングして、導電層116aを形成する(図4(E)、(F)参
照)。上記エッチングの後にはレジストマスク115は除去する。その結果、導電膜11
4は、レジストマスク115が形成されている部分を残して除去され、導電層113aが
露出する。これにより、導電層116aと導電層113aとは、それぞれの層が有する表
面積が異なる。つまり、導電層113aが有する表面積は、導電層116aが有する表面
積よりも大きい。または、導電層116aと113aとは、導電層113aと導電層11
6aとが重なった領域と、導電層116aと導電層113aとが重なっていない領域とを
有する。
はゲート配線として機能し、導電層113aと導電層116aとが重ならない領域では、
導電層113aはゲート電極として機能する。ゲート電極として機能する導電層113a
を、透光性を有する材料で形成することにより、ゲート電極が形成された部分においても
光を透過させることができるため、画素の開口率を向上させることができる。また、ゲー
ト配線として機能する導電層116aを、導電層113aよりも導電率が高い材料で形成
することにより、配線抵抗を低減し、消費電力を低減することができる。また、ソース配
線は、遮光性を有する導電層116aを用いて構成されているため、画素間を遮光するこ
とができる。つまり、行方向に配置されたゲート配線と、列方向に配置されたソース配線
とによって、ブラックマトリクスを用いることなく画素間の隙間を遮光することができる
。
説明したが、形成する順番を逆としてもよい。つまり、ゲート配線として機能する導電層
116aを形成した後に、ゲート電極として機能する導電層113aを形成することもで
きる(図7参照)。
透光性を有する導電層113bで形成することが望ましいが、ソース配線と重なる領域で
は導電層113bと、導電層116bとで積層させてもよい。導電層113bと、導電層
113bよりも導電率が高い導電層116bとで積層させることにより、抵抗を下げるこ
とができる(図1(A)参照)。
が、容量配線の幅とゲート配線の幅が異なるように形成してもよい。容量配線の幅は、ゲ
ート配線の幅よりも広くすることが好ましい。保持容量部160の表面積を大きくするこ
とができる。
持容量部160が形成された部分においても光を透過させることができるため、開口率を
向上させることができる。また、保持容量部160を、透光性を有する材料で構成するこ
とにより、保持容量部160を大きくすることもできるため、トランジスタがオフになっ
たときでも、画素電極の電位保持特性が向上し、表示品質が向上する。また、フィードス
ルー電位を小さくすることができる。
ランジスタ150、保持容量部160を、透光性を有する素子とすることができる。
形成後、又はゲート電極、ゲート配線の形成後のいずれかにおいて、半導体層103aの
一部の領域または全部の領域の導電率を高める処理を行っても良い。例えば、導電率を高
める処理として、水素化処理などが挙げられる。水素を含んだ窒化シリコンを半導体層1
03aの上層に配置し、熱を加えることにより、半導体層103aの水素化処理を行うこ
とができる。または、水素雰囲気中で熱を加えることにより、水素化することも可能であ
る。また、図6(A)に示すように、トランジスタ151の半導体層103aのチャネル
形成領域と重なる領域に、チャネル保護層120aを形成することにより、半導体層10
3aに、選択的に導電率が高められた領域121a、121bを形成することができる。
導体層103aのチャネル形成領域に、水素が入ることを低減することができる。なお、
チャネル保護層120aは、導電率を高める処理を行った後、除去してもよい。または、
チャネル保護層120bは、レジストで形成することも可能である(図6(B)参照)。
その場合は、水素化処理の後、レジストを除去することが好ましい。このように、酸化物
半導体層に対し、導電率を高める処理を行うことにより、トランジスタに電流を流れやす
くし、容量素子の抵抗を下げることができる。
aに接して設ける例を示したが、ゲート絶縁膜110上に設けてもよい。また、チャネル
保護層と、ゲート電極として機能する導電層の形を調整して、導電層よりもチャネル保護
層の方を大きくすることにより、オフセット領域を形成することができる。
導体層103aもエッチングされてしまうことを防止することができる。そのため、半導
体層103aの厚さを薄くすることができる。半導体層103aが薄いと空乏層ができや
すい。そのため、S値を小さくすることができる。オフ電流も小さくできる。
率が高められた領域121a、121bを設けたトランジスタ152を形成することもで
きる。
し、該レジストマスクを用いて、絶縁膜117をエッチングし、絶縁膜117にコンタク
トホール130を形成する(図5(A)、(B)参照)。絶縁膜117は、トランジスタ
150、保持容量部160、又は配線などが形成された表面を平坦にする絶縁膜として機
能する。トランジスタ150、保持容量部160を、透光性を有する素子として形成する
ことができるため、それらが配置されている領域も、開口領域として利用することができ
る。そのため、トランジスタ150、保持容量部160、又は配線などによる凹凸を緩和
して、これらの素子が形成された上部を平坦にすることは有益である。
する。絶縁膜117は、例えば、窒化シリコンを有する膜で形成することができる。窒化
シリコンを有する膜は、不純物をブロッキングする効果が高いため好適である。または、
絶縁膜117は、有機材料を有する膜で形成することができる。有機材料の例として、ア
クリル、ポリイミド、ポリアミドなどが好適である。これらの有機材料は、凹凸を平坦に
する機能が高いため好適である。したがって、絶縁膜117を、窒化シリコンを有する膜
と、有機材料を有する膜とで積層構造とする場合には、下側に窒化シリコンを有する膜を
配置し、上側に有機材料を有する膜を配置することが好適である。なお、絶縁膜117を
積層構造で形成する場合には、それぞれの膜の透光性が十分に高いことが望ましい。また
、感光性材料も用いることができる。その場合には、絶縁膜117にエッチングを行い、
コンタクトホールを形成することがなくなる。
にカラーフィルタを設けることにより、対向基板側にカラーフィルタを設ける必要がなく
なり、2つの基板の位置を調整するためのマージンが必要なくなるため、パネルの製造を
容易にすることができる。なお、絶縁膜117は、形成しなくてもよい。ゲート電極、ゲ
ート配線と同じ層上に画素電極があってもよい。
)、(D)参照)。導電膜118は、導電膜104、導電膜111を形成した材料と概ね
同じ材料を有して構成されることが望ましい。このように、概ね同じ材料を用いることに
より、スパッタや蒸着などで導電膜118を形成する場合、導電膜104、導電膜111
と材料を共有できるというメリットがある。材料を共有できることにより、同じ製造装置
を用いることができ、製造工程をスムーズに流すことができ、スループットを向上させる
ことが可能となり、低コスト化を実現することが可能となる。但し、導電膜118は、導
電膜104、導電膜111と異なる材料を用いて形成してもよい。
て導電膜118を選択的にエッチングして、導電層119a、119b、119cを形成
する(図5(E)、(F)参照)。なお、上記エッチングの後にはレジストマスクは除去
する。
a、119b、119cは、コンタクトホール130を介して、ソース配線、ソース電極
、ゲート配線、ゲート電極、画素電極、容量配線、保持容量部の電極などを互いに接続さ
せることができる。したがって、導電層119a~119cは、導体と導体とを接続する
ための配線として機能させることができる。導電層119a~119cの膜厚は、ソース
電極を含むソース配線に用いる透光性を有する導電層、又はゲート電極を含むゲート配線
に用いる透光性を有する導電層よりも薄いことが望ましいが、本発明の一態様は、これに
限定されず、導電層119a~119cの膜厚は、ソース電極を含むソース配線に用いる
透光性を有する導電層、又はゲート電極を含むゲート配線に用いる透光性を有する導電層
よりも厚くてもよい。
態で示す作製方法により、透光性を有するトランジスタ150及び透光性を有する保持容
量部160を形成することができる。そのため、画素内に、トランジスタや容量素子を配
置する場合であっても、トランジスタや容量素子が形成された部分においても光を透過さ
せることができるため、開口率を向上させることができる。さらに、トランジスタと素子
(例えば、別のトランジスタ)とを接続する配線は、抵抗率が低く導電率が高い材料を用
いて形成することができるため、信号の波形なまりを低減し、配線抵抗による電圧降下を
低減することができる。
15に示す半導体装置は、多くの部分で図1と共通している。したがって、以下において
は、重複する部分は省略し、異なる点について説明する。
図、図7(C)は、図7(A)におけるC-Dで切断した断面図である。図1では、ゲー
ト配線及びソース配線を、透光性を有する導電層上に遮光性を有する導電層との順で積層
する例を示したが、遮光性を有する導電層と透光性を有する導電層との順で形成すること
もできる(図7参照)。ゲート電極として機能する透光性を有する導電層113aが、ゲ
ート配線として機能する遮光性を有する導電層116aと接続されていればよい。また、
ソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層106aが、ソース配
線として機能する遮光性を有する導電層109aと接続されていればよい。
図、図8(C)は、図8(A)におけるC-Dで切断した断面図である。図1では、ゲー
ト配線及びソース配線を、透光性を有する導電層と遮光性を有する導電層との順で積層す
る例を示したが、ゲート配線及びソース配線は、遮光性を有する導電層で形成することも
できる(図8参照)。ゲート電極として機能する透光性を有する導電層113aと、ゲー
ト配線として機能する遮光性を有する導電層116aとが接続されていればよい。また、
ソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層106aと、ソース配
線として機能する遮光性を有する導電層109aとが接続されていればよい。なお、図7
は、遮光性を有する導電層と透光性を有する導電層との順で形成する場合について、図8
は、ゲート配線及びソース配線は、遮光性を有する導電層で形成する場合について説明し
たが、透光性を有する導電層と遮光性を有する導電層との順で形成することもできる。
スタを大きく形成することができる。例えば、図9に示すように、ゲート配線幅よりもト
ランジスタのチャネル幅Wの方が長い、又はチャネル長Lの方が長いトランジスタ153
を作製することができる。トランジスタを大きくすることにより、その電流能力を十分上
げることができ、画素への信号書き込み時間を短縮することができる。または、オフ電流
を低減することができ、ちらつきなどを低減することができる。よって、高精細な表示装
置を提供することができる。
ジスタ部分において光が透過する必要がない。よって、画素部はトランジスタや容量素子
を、透光性を有する材料で形成して、周辺駆動回路部分では、遮光性を有する材料で形成
してもよい(図25(A)参照)。
面図である。図10の図1と異なる点は、導電層106cと導電層113cの表面積を導
電層106bと導電層113bよりも大きくすることにある。保持容量部161の大きさ
は、画素ピッチの7割以上、又は8割以上とすることが好ましい。また、画素電極とのコ
ンタクトは、導電層106c上の導電層109b上でとることとしている。以下、図1で
示した構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。
とができる。保持容量部161を大きくすることによって、トランジスタがオフになった
ときでも、画素電極の電位保持特性が向上し、表示品質が向上する。また、フィードスル
ー電位を小さくすることができる。また、保持容量部161を大きく形成する場合であっ
ても、保持容量部161が形成された部分においても光を透過させることができるため、
開口率を高めることができ、消費電力を低減することができる。また、画素電極のコンタ
クトホールによる凹凸で、液晶の配向乱れがあったとしても、遮光性を有する導電層10
9bにより、光漏れを防止することができる。
面図である。
記す)を設けると共に、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層106a、1
06bをゲート電極と重畳させないように設けた構成を示している。導電率が高い領域は
、半導体層103aにおいて、導電層106a、106bと接続する領域に設けることが
できる。なお、導電率が高い領域は、ゲート電極(導電層113a)と重畳させるように
設けてもよいし、重畳させないように設けてもよい。
ることにより形成することができる。水素は、半導体層103aにおいて、導電率を高く
したい部分に添加すればよい。
って、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極の間に生じる寄生容量を抑制すること
ができる。そのため、フィードスルーを低減することができる。
ることによって、トランジスタ154では、ゲート電極とソース電極又はドレイン電極と
をオーバーラップさせる必要がなくなる。
の積層になっているが、これに限定されない。ソース配線及びゲート配線が、遮光性を有
する導電層のみ、又はソース電極及びドレイン電極が、透光性を有する導電層のみとなっ
ていてもよい。例えば、ゲート配線が遮光性を有する導電層のみでソース配線が遮光性を
有する導電層のみで、ドレイン電極が透光性を有する導電層のみの場合を図12に示す。
ソース配線は遮光性を有する導電層のみで形成され、ゲート配線も遮光性を有する導電層
のみで形成されている。容量配線は遮光性を有する導電層で形成しても良いし、透光性を
有する導電層で形成してもよい。なお、ソース電極を形成する透光性を有する導電層とゲ
ート配線とオーバーラップしている領域は遮光性を有する導電層が形成されていてもよい
。
3(A)に示す画素は、導電層106aと導電層109aの順で積層されるゲート配線と
、導電層113a、116aの順で積層されるソース配線と、スイッチング用のトランジ
スタ150、駆動用のトランジスタ155、保持容量部162、導電層106dと導電層
109cの順で積層される電源線を有している。また、図14(A)に示す画素は、導電
層106aと導電層109aの順で積層されるゲート配線と、導電層113a、116a
の順で積層されるソース配線と、スイッチング用のトランジスタ150、駆動用のトラン
ジスタ156、保持容量部164、導電層106dと導電層109cの順で積層される電
源線を有している。
上に、半導体層103aと、半導体層103a上に設けられたソース電極又はドレイン電
極として機能する導電層106a、106cと、導電層106a、106c上に設けられ
たゲート絶縁膜110と、ゲート絶縁膜110上に設けられ、かつ、導電層106a、1
06cの間に設けられたゲート電極として機能する導電層113aとで構成されている。
また、駆動用のトランジスタ155及び駆動用のトランジスタ156は、絶縁表面を有す
る基板100上に半導体層103bと、半導体層103b上に設けられたソース電極又は
ドレイン電極として機能する導電層106d、106eと、導電層106d、106e上
に設けられたゲート絶縁膜110と、ゲート絶縁膜110上に設けられ、かつ、導電層1
06d、106eの間に設けられたゲート電極として機能する導電層113cまたは11
3dとで構成されている。また、図13において、保持容量部162は、導電層106e
と導電層113cとで構成されており、図14において、保持容量部164は、導電層1
06eと導電層113dとで構成されている。
ル132、133を介して一番上のITOを介して接続されているが、図14(B)に示
すように、ゲートとドレインとを直接コンタクトホール131を介して接続させてもよい
。その場合、画素電極の面積を大きくできるので、開口率が向上する。また、抵抗値を小
さくできる。
ランジスタ155または156の2つのトランジスタを有する場合について説明したが、
1つの画素に3つ以上のトランジスタを設けることもできる。
っても、トランジスタが形成された部分において光を透過させることができるため、開口
率を高めることができる。
、U字型又はC字型)の場合の平面図である。
と、半導体層103c上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層
106a、106bと、導電層106a、106b上に設けられたゲート絶縁膜110と
、ゲート絶縁膜110上に設けられたゲート電極として機能する導電層113aとで構成
される。このように、ソース電極及びドレイン電極の一方はソース電極及びドレイン電極
の他方を囲む形状(例えば、U字型、C字型)であることで、ソース電極とドレイン電極
との距離はほぼ一定に保たれている。
くすることができ、キャリアが移動する領域の面積を増加させることが可能であるため、
電流量を増やすことが可能であり、トランジスタの面積を縮小することができる。また、
電気的特性のばらつきを低減することができる。
、画素電極を隣り合うゲート配線と絶縁膜を介して重ねて保持容量を設けることもできる
(図36参照)。
本実施の形態では、半導体装置の作製工程の一例について図16乃至図23を用いて説明
する。なお、本実施の形態における半導体装置及びその作製工程は、多くの部分で実施の
形態1と共通している。したがって、以下においては、重複する部分は省略し、異なる点
について詳細に説明する。
B)は、図16(A)におけるA-Bで切断した断面図である。
明する。また、本実施の形態では、多階調マスクを用いて半導体装置を作製する場合につ
いて説明する。
(B)参照)。
板100、半導体層103aを参照することができる。また、絶縁表面を有する基板20
0上に下地膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
)参照)。導電膜204、導電膜205の材料及び作製方法については、実施の形態1に
示す導電膜104、導電膜107を参照することができる。
206a、206bは、多階調マスクを用いることにより、厚さの異なる領域を有するレ
ジストマスクを形成することができる。多階調マスクを用いることで、使用するフォトマ
スクの枚数が低減され、作製工程が減少するため好ましい。本実施の形態において、導電
膜204、205のパターンを形成する工程と、導電膜212、213のパターンを形成
する工程(図19(C)、(D)参照)において、多階調マスクを用いることができる。
露光領域、半露光領域及び未露光領域の3段階の光量で露光を行う。多階調マスクを用い
ることで、一度の露光及び現像工程によって、複数(代表的には二種類)の厚さを有する
レジストマスクを形成することができる。そのため、多階調マスクを用いることで、フォ
トマスクの枚数を削減することができる。
(A-1)には、グレートーンマスク403を示し、図22(B-1)にはハーフトーン
マスク414を示す。
層により形成された遮光部401、及び遮光層のパターンにより設けられた回折格子部4
02で構成されている。
ット又はメッシュ等を有することで、光の透過率を制御する。なお、回折格子部402に
設けられるスリット、ドット又はメッシュは周期的なものであってもよいし、非周期的な
ものであってもよい。
折格子部402を構成する遮光層は、金属膜を用いて形成すればよく、好ましくはクロム
又は酸化クロム等により設けられる。
ように、遮光部401に重畳する領域における透光率は0%となり、遮光部401も回折
格子部402も設けられていない領域における透光率は100%となる。また、回折格子
部402における透光率は、概ね10%~70%の範囲であり、回折格子のスリット、ド
ット又はメッシュの間隔等により調節可能である。
透光層により形成された半透光部412及び遮光層により形成された遮光部413で構成
されている。
を用いて形成することができる。遮光部413は、グレートーンマスクの遮光層と同様の
金属膜を用いて形成すればよく、好ましくはクロム又は酸化クロム等により設けられる。
ように、遮光部413に重畳する領域における透光率は0%となり、遮光部413も半透
光部412も設けられていない領域における透光率は100%となる。また、半透光部4
12における透光率は、概ね10%~70%の範囲であり、形成する材料の種類又は形成
する膜厚等により調整可能である。
光レベルのマスクを形成することができ、一度の露光及び現像工程により、複数(代表的
には二種類)の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することができる。このため、
多階調マスクを用いることで、フォトマスクの枚数を削減することができる。
層301a、301b及び遮光層301cで構成されている。したがって、導電膜205
上に後にソース配線となる箇所のレジストマスクは膜厚が厚く、後にソース電極又はドレ
イン電極となる箇所のレジストマスクは膜厚が薄く形成される(17(E)、(F)参照
)。
的にエッチングして除去し、導電層207a、208a、導電層207b、208bを形
成する(図18(A)、(B)参照)。
う。レジストマスク206a、206bに対して酸素プラズマによるアッシングを行うこ
とにより、レジストマスク206bは除去され、導電層207bが露出する。また、レジ
ストマスク206aは縮小し、レジストマスク209として残存する(図18(C)、(
D)参照)。このように、多階調マスクで形成したレジストマスクを用いることにより、
追加のレジストマスクを用いることがなくなるため、工程を簡略化することができる。
て、導電層210aを形成する(図18(E)、(F)参照)。上記エッチングの後には
レジストマスク209は除去する。その結果、導電層207bは除去され、導電層208
bが露出する。また、導電層207aは、レジストマスク209が形成されている部分を
残して除去され、導電層208aが露出する。エッチングすることにより形成された導電
層210aと、導電層208aとは、それぞれの層が有する表面積が大きく異なる。つま
り、導電層208aが有する表面積は、導電層210aが有する表面積よりも大きい。ま
たは、導電層210aと導電層208aとは、導電層210aと導電層208aとが重な
った領域と、導電層210aと導電層208aとが重なっていない領域とを有する。
aはソース配線として機能し、導電層208aと、導電層210aとが重ならない領域で
は、導電層208aはソース電極又はドレイン電極として機能する。ソース電極又はドレ
イン電極として機能する導電層208aを、透光性を有する材料で形成することにより、
画素の開口率を向上させることができる。また、ソース配線として機能する導電層を、導
電層208aと導電層208aよりも導電率が高い導電層210aとで積層することによ
り、配線抵抗を低減し、消費電力を低減することができる。また、ソース配線は、遮光性
を有する導電層210aを用いて構成されているため、画素間を遮光することができる。
光透過率の高い領域)と、遮光性を有する領域(光透過率の低い領域)とを形成すること
ができる。これにより、マスクを増加させることなく、透光性を有する領域(光透過率の
高い領域)と、遮光性を有する領域(光透過率の低い領域)とを形成することができる。
に導電膜212、導電膜213を形成する(図19(A)、(B)参照)。導電膜212
、導電膜213の材料及び作製方法については、実施の形態1に示すゲート絶縁膜110
、導電膜111、導電膜114を参照することができる。
bを形成する。ハーフトーンマスクは、光を透過する基板302上に半透過層303a、
303b及び遮光層303c、303dで構成されている。したがって、導電膜213上
には、後にゲート配線となる箇所のレジストマスクは膜厚が厚く、後にゲート電極となる
箇所のレジストマスクは膜厚が薄く形成される(図19(C)、(D)参照)。
的にエッチングして除去し、導電層215a、216a、導電層215b、216bを形
成する(図20(A)、(B)参照)。
う。レジストマスク214a、214bに対して酸素プラズマによるアッシングを行うこ
とにより、レジストマスク214a、214bは縮小し、レジストマスク217a、21
7bとして残存する(図20(C)、(D)参照)。このように、多階調マスクで形成し
たレジストマスクを用いることにより、追加のレジストマスクを用いることがなくなるた
め、工程を簡略化することができる。
エッチングする(図20(E)、(F)参照)。その結果、導電層215a、215bは
、レジストマスク217a、217bが形成されている部分を残して除去され、導電層2
16a、216bが露出する。これにより形成された導電層218a、218bは、導電
層216a、216bとそれぞれの層が有する表面積が大きく異なる。つまり、導電層2
16a、216bが有する表面積は、導電層218a、218bが有する表面積よりも大
きい。または、導電層216aと導電層218aとは、導電層216aと導電層218a
とが重なった領域と、導電層216aと導電層218aとが重なっていない領域とを有す
る。なお、上記エッチングの後には、レジストマスク217a、217bは除去する。
ある領域では、ゲート電極として機能する。ゲート電極として機能する導電層216aを
、透光性を有する導電層で形成することにより、画素の開口率を向上させることができる
。また、ゲート配線として機能する導電層216aと導電層218aとを、導電層216
aと、導電層216aよりも導電率が高い導電層218aとで積層することにより、配線
抵抗を低減し、消費電力を低減することができる。また、ゲート配線は、遮光性を有する
導電層218aを用いて構成されているため、画素間を遮光することができる。つまり、
行方向に配置されたゲート配線と、列方向に配置されたソース配線とによって、ブラック
マトリクスを用いることなく画素間の隙間を遮光することができる。
と、導電層216bよりも導電率が高い導電層218bとで形成されている。このように
して形成することにより、配線抵抗を低減し、消費電力を低減することができる。また、
導電層216bは、保持容量部260の電極としても機能する。容量配線には、保持容量
部260が、ゲート絶縁膜211を誘電体として、電極として機能する導電層208bと
導電層216bとで構成される。
持容量部260が形成された部分においても光を透過させることができるため、開口率を
向上させることができる。また、保持容量部260を、透光性を有する材料で構成するこ
とにより、保持容量部260を大きくすることもできるため、トランジスタがオフになっ
たときでも、画素電極の電位保持特性が向上し、表示品質が向上する。また、フィードス
ルー電位を小さくすることができる。
る。
し、該レジストマスクを用いて、絶縁膜219をエッチングし、絶縁膜219にコンタク
トホールを形成する(図21(A)、(B)参照)。次に、絶縁膜219及びコンタクト
ホール上に導電膜220を形成する。絶縁膜219、導電膜220の材料及び作製方法は
、実施の形態1の絶縁膜117、導電膜118を参照することができる。なお、絶縁膜2
19は、形成しなくてもよい。ゲート電極、ゲート配線と同じ層上に画素電極があっても
よい。
て導電膜220を選択的にエッチングして、導電層221a、221b、221cを形成
する(図21(C)、(D)参照)。導電層221a、221b、221cは、画素電極
として機能する。なお、上記エッチングの後にはレジストマスクは除去する。
露光部分、中間露光部分、及び未露光部分の3つの露光レベルのマスクを形成することが
でき、一度の露光及び現像工程により、複数(代表的には二種類)の厚さの領域を有する
レジストマスクを形成することができる。このため、多階調マスクを用いることで、フォ
トマスクの枚数を削減することができる。また、本実施の形態で示す作製方法により、透
光性を有するトランジスタ250及び透光性を有する保持容量部260を形成することが
できる。そのため、画素内に、トランジスタと素子(例えば、別のトランジスタ)とを接
続する配線は、抵抗率が低く導電率が高い材料を用いて形成することができるため、信号
の波形なまりを低減し、配線抵抗による電圧降下を低減することができる。
ジスタ部分で光が透過する必要がない。よって、画素部はトランジスタや容量素子を、透
光性を有する材料で形成して、周辺駆動回路部分では、遮光性を有する材料で形成しても
よい(図25(B)参照)。
多階調マスクを用いる場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。
例えば、半導体膜、ソース配線、ソース電極の形成においても多階調マスクを用いること
ができる。本実施の形態では、ゲート配線を形成する工程と、ソース配線を形成する工程
の両方の工程で多階調マスクを用いる場合について説明したが、ゲート配線を形成する工
程と、ソース配線を形成する工程のどちらか一方で用いてもよい。また、半導体層とソー
ス配線を形成する工程においても多階調マスクを用いることができる。半導体層と、ソー
ス配線及びソース電極を、多階調マスクを用いて形成した場合を図23(A)に示す。
部を形成した場合を図23(B)に示す。また、半導体膜のチャネル形成領域上にチャネ
ル保護膜が形成された場合においても、多階調マスクを用いることができる(図23(C
)参照)。図23(B)、(C)において、トランジスタ250の半導体層と保持容量部
260の酸化物半導体層を一つのアイランドにしたため、酸化物半導体層を形成するため
のレイアウトが容易となる。また、コンタクトホールの数を低減することができるため、
コンタクト抵抗を低減することができる。また、コンタクト不良を低減することができる
。
形成した場合を図35(A)に示す。また、半導体層203b及びソース電極又はドレイ
ン電極として機能する導電層208c、208dを、多階調マスクを用いて形成した場合
を図35(B)に示す。
本実施の形態では、表示装置において、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素
部に配置する薄膜トランジスタを作製する例について以下に説明する。
(A)に示す。図24(A)に示す表示装置は、基板5300上に表示素子を備えた画素
を複数有する画素部5301と、各画素を選択する走査線駆動回路5302と、選択され
た画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5303とを有する。
る画素部5401と、各画素を選択する第1の走査線駆動回路5402及び第2の走査線
駆動回路5404と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5
403とを有する。
合、画素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態と
なる。よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面
積階調法は、1画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆
動させることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光す
る期間を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
している。時間階調法で表示を行なう場合、1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に
分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素子を発光
または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、1フレー
ム期間中に画素が発光する期間の合計の長さを、ビデオ信号により制御することができ、
階調を表示することができる。
を配置する場合であって、一方のスイッチング用TFTのゲート配線である第1の走査線
に入力される信号を第1走査線駆動回路5402で生成し、他方のスイッチング用TFT
のゲート配線である第2の走査線に入力される信号を第2の走査線駆動回路5404で生
成する例を示しているが、第1の走査線に入力される信号と、第2の走査線に入力される
信号とを、共に1つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、1つ
の画素が有するスイッチング用TFTの数によって、スイッチング素子の動作を制御する
ために用いられる走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、複数の
走査線に入力される信号を、全て1つの走査線駆動回路で生成しても良いし、複数の各走
査線駆動回路で生成しても良い。
に従って形成する。また、実施の形態1および実施の形態2に示す薄膜トランジスタはn
チャネル型TFTであるため、駆動回路のうち、nチャネル型TFTで構成することがで
きる駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成する。
できる駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる
。また、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態1、2に示すnチャネル型TF
Tのみで作製することも可能である。
ジスタにおいて、光を透過させる必要がない。よって、画素部はトランジスタや容量素子
において光を透過させて、周辺駆動回路部分では、トランジスタにおいて光を透過させな
くてもよい。
)は、多階調マスクを用いて薄膜トランジスタを形成した場合である。多階調マスクを用
いずに形成された薄膜トランジスタは、絶縁表面を有する基板100上に設けられた半導
体層171と、半導体層171上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能す
る導電層172と、導電層172上に設けられたゲート絶縁膜110と、ゲート絶縁膜1
10上に設けられたゲート電極として機能する導電層174とで構成されている。ゲート
電極として機能する導電層174、ソース電極又はドレイン電極として機能する導電層1
72を、遮光性を有する導電層で形成することができる(図25(A)参照)。また、ゲ
ート電極として機能する導電層174上に絶縁膜175が形成されている。
設けられた半導体層271と、半導体層271上に設けられたソース電極又はドレイン電
極として機能する導電層272、273と、導電層273上に設けられたゲート絶縁膜、
ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極として機能する導電層275、276とで構成さ
れている。ゲート電極、ソース電極又はドレイン電極は、それぞれ、透光性を有する導電
層と遮光性を有する導電層とを積層して形成することができる(図25(B)参照)。ま
た、ゲート電極として機能する導電層275、276上に絶縁膜277が形成されている
。
において、光を透過させる必要がない。したがって、本発明の一態様で用いる半導体層は
、酸化物半導体以外に、結晶性半導体(単結晶半導体若しくは多結晶半導体)、非晶質半
導体、微結晶半導体、マイクロクリスタル半導体、有機半導体等のいずれを用いてもよい
。
電気的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。
電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)などがあり、紙と同じ読み
やすさを実現し、他の表示装置に比べ消費電力を抑え、且つ、薄型、軽量とすることが可
能である。
である。
次に、半導体装置の一形態である表示装置の構成について説明する。本実施の形態では、
表示装置として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を有する発光表示装置に
ついて説明する。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合
物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後
者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
26は、デジタル時間階調駆動を適用可能な画素構成の一例を示す図である。ここでは半
導体層をチャネル形成領域に用いるnチャネル型のトランジスタを1つの画素に2つ用い
る例を示す。
ンジスタ6402、発光素子6404及び容量素子6403を有している。スイッチング
用トランジスタ6401はゲートが走査線6406に接続され、第1電極(ソース電極及
びドレイン電極の一方)が信号線6405に接続され、第2電極(ソース電極及びドレイ
ン電極の他方)が駆動用トランジスタ6402のゲートに接続されている。駆動用トラン
ジスタ6402は、ゲートが容量素子6403を介して電源線6407に接続され、第1
電極が電源線6407に接続され、第2電極が発光素子6404の第1電極(画素電極)
に接続されている。発光素子6404の第2電極は共通電極6408に相当する。
る。なお、低電源電位とは、電源線6407に設定される高電源電位を基準にして低電源
電位<高電源電位を満たす電位であり、低電源電位としては例えばGND、0Vなどが設
定されていても良い。この高電源電位と低電源電位との電位差を発光素子6404に印加
して、発光素子6404に電流を流して発光素子6404を発光させるため、高電源電位
と低電源電位との電位差が発光素子6404の順方向しきい値電圧(Vth)以上となる
ようにそれぞれの電位を設定する。
ことも可能である。駆動用トランジスタ6402のゲート容量については、チャネル領域
とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
駆動用トランジスタ6402が十分にオンするか、オフするかの二つの状態となるような
ビデオ信号を入力する。つまり、駆動用トランジスタ6402は線形領域で動作させる。
駆動用トランジスタ6402は線形領域で動作させるため、電源線6407の電圧よりも
高い電圧を駆動用トランジスタ6402のゲートにかける。なお、信号線6405には、
(電源線電圧+駆動用トランジスタ6402のVth)以上の電圧をかける。
らせることで、図26(A)と同じ画素構成を用いることができる。
の順方向電圧+駆動用トランジスタ6402のVth以上の電圧をかける。発光素子64
04の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向し
きい値電圧を含む。なお、駆動用トランジスタ6402が飽和領域で動作するようなビデ
オ信号を入力することで、発光素子6404に電流を流すことができる。駆動用トランジ
スタ6402を飽和領域で動作させるため、電源線6407の電位は、駆動用トランジス
タ6402のゲート電位よりも高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子
6404にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
す画素に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は論理回路などを追加し
てもよい。例えば、図26(B)に示す構成としてもよい。図26(B)に示す画素64
10は、スイッチング用トランジスタ6401、駆動用トランジスタ6402、発光素子
6404及び容量素子6403を有している。スイッチング用トランジスタ6401はゲ
ートが走査線6406に接続され、第1電極(ソース電極及びドレイン電極の一方)が信
号線6405に接続され、第2電極(ソース電極及びドレイン電極の他方)が駆動用トラ
ンジスタ6402のゲートに接続されている。駆動用トランジスタ6402は、ゲートが
容量素子6403を介して発光素子6404の第1の電極(画素電極)に接続され、第1
電極がパルス電圧を印加する配線6426に接続され、第2電極が発光素子6404の第
1電極に接続されている。発光素子6404の第2電極は共通電極6408に相当する。
もちろん、この構成に対して、新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ又は
論理回路などを追加してもよい。
明する。ここでは、駆動用TFTが図10に示すトランジスタ150の場合を例に挙げて
、画素の断面構造について説明する。図27(A)、図27(B)、図27(C)の半導
体装置に用いられる駆動用TFTであるTFT7001、7011、7021は、実施の
形態1、2で示すトランジスタと同様に作製でき、酸化物半導体を半導体層として含む高
い電気特性を有する薄膜トランジスタである。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、図26に示す画素構成はどの
射出構造の発光素子にも適用することができる。
であり、発光素子7002から発せられる光が陽極7005側に抜ける場合の、画素の断
面図を示す。図27(A)では、発光素子7002の陰極7003と駆動用TFTである
TFT7001が電気的に接続されており、陰極7003上に発光層7004、陽極70
05が順に積層されている。陰極7003は仕事関数が小さく、なおかつ光を反射する導
電膜であれば様々の材料を用いることができる。例えば、Ca、Al、MgAg、AlL
i等が望ましい。そして発光層7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積
層されるように構成されていてもどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極
7003上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層
する。なお、これらの層を全て設ける必要はない。陽極7005は光を透過する透光性を
有する導電性材料を用いて形成し、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、
酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸
化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導
電性導電膜を用いても良い。
相当する。図27(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
成すると工程を簡略化できるため好ましい。陽極の上に、絶縁膜を形成してもよい。例え
ば、SiNx、SiOxには吸湿性があるので、EL素子の劣化を防止することができる
。また、陰極を半透過膜(透過率30~80%、反射率30~60%)にして、マイクロ
キャビティー構造(微小共振器)とすることにより、色純度を向上させることができる。
、駆動用TFT7011が図10に示すトランジスタ150であり、発光素子7012か
ら発せられる光が陰極7013側に射出する場合の、画素の断面図を示す。図27(B)
では、駆動用TFT7011と電気的に接続された透光性を有する導電層7017上に、
発光素子7012の陰極7013が成膜されており、陰極7013上に発光層7014、
陽極7015が順に積層されている。なお、陽極7015が透光性を有する場合、陽極上
を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽膜7016が成膜されていてもよい。
陰極7013は、図27(A)の場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料であれば様
々な材料を用いることができる。ただし、その膜厚は、光を透過する程度(好ましくは、
5nm~30nm程度)とする。例えば20nmの膜厚を有するアルミニウム膜を、陰極
7013として用いることができる。そして、発光層7014は、図27(A)と同様に
、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらで
も良い。陽極7015は光を透過する必要はないが、図27(A)と同様に、透光性を有
する導電性材料を用いて形成することができる。そして、遮蔽膜7016は、例えば、光
を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定されない。例えば、黒の顔料を
添加した樹脂等を用いることもできる。
に相当する。図27(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
成すると工程を簡略化できるため好ましい。
では、駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電層7027上に、
発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7024、
陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図27(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極7023として
用いることができる。そして発光層7024は、図27(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極70
25は、図27(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができ
る。
22に相当する。図27(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
形成すると工程を簡略化できるため好ましい。また、駆動回路において半導体層上に設け
るゲート電極は、導電層7027及び陰極7023と同じ材料を用いて積層させると、工
程を簡略化できることに加え、積層することにより配線抵抗を低下させることができ、好
ましい。
L素子を設けることも可能である。陽極を全画素共通にして、陰極をパターニングして、
画素電極にしてもよい。
と発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電
流制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
示した構成に限定されるものではなく、開示した技術的思想に基づく各種の変形が可能で
ある。
断面について、図28(A)、図28(B)を用いて説明する。図28(A)は、第1の
基板上に形成された薄膜トランジスタ及び発光素子を、第2の基板との間にシール材によ
って封止した、パネルの上面図であり、図28(B)は、図28(A)のH-Iにおける
断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。このように外気に曝されないように気
密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィル
ム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
4503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有
しており、図28(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、
信号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。薄膜
トランジスタ4509、4510は、酸化物半導体を半導体層として含む信頼性の高い実
施の形態1、2に示す薄膜トランジスタを適用することができる。
ジスタ部分において光を透過させる必要がない。よって、画素部4502ではトランジス
タや容量素子を、透光性を有する材料で形成し、周辺駆動回路部分では、遮光性を有する
材料で形成してもよい。
極層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気
的に接続されている。なお、発光素子4511の構成は、第1の電極層4517、電界発
光層4512、第2の電極層4513の積層構造であるが、本実施の形態に示した構成に
限定されない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子451
1の構成は適宜変えることができる。
特に感光性の材料を用い、第1の電極層4517上に開口部を形成し、その開口部の側壁
が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4513及び隔壁4520上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
から形成され、端子電極4516は、薄膜トランジスタ4509、4510が有するソー
ス電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜から形成されていてもよい。
して電気的に接続されている。
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリル
フィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された単結晶半導体基板、或いは絶縁基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導
体膜によって形成された駆動回路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、
或いは一部、又は走査線駆動回路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、
本実施の形態は図28(A)及び図28(B)の構成に限定されない。
である。
次に、半導体装置の一形態である表示装置の他の構成について説明する。本実施の形態で
は、表示装置として液晶素子を有する液晶表示装置について説明する。
面について、図29(A1)、図29(A2)、図29(B)を用いて説明する。図29
(A1)、図29(A2)は、第1の基板4001上に形成された実施の形態1、2で示
した酸化物半導体を半導体層として含む薄膜トランジスタ4010、4011、及び液晶
素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によって封止した、パネ
ルの上面図であり、図29(B)は、図29(A1)、図29(A2)のM-Nにおける
断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図29(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図29(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
、薄膜トランジスタを複数有しており、図29(B)では、画素部4002に含まれる薄
膜トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ401
1とを例示している。薄膜トランジスタ4010、4011上には絶縁層4021が設け
られている。薄膜トランジスタ4010、4011は、酸化物半導体を半導体層として含
む実施の形態1、2に示す薄膜トランジスタを適用することができる。
ジスタ部分において光を透過させる必要がない。よって、画素部4002ではトランジス
タや容量素子を、透光性を有する材料で形成し、周辺駆動回路部分では、遮光性を有する
材料で形成してもよい。
的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板400
6上に形成されている。画素電極4030と対向電極層4031と液晶層4008とが重
なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極4030、対向電極層
4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、絶縁層
4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
せることができるため、開口率を向上させることができる。さらに、各画素電極間には隙
間が必要であり、隙間部分には液晶に電界が加わらない。そのため、その隙間部分は、光
を透過させないことが望ましい。そこで、格子状の配線部分をブラックマトリクスとして
利用することができる。
テンレス)、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィ
ルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステル
フィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
画素電極4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するために
設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。また、対向電極層4031は
、薄膜トランジスタ4010と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される
。共通接続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電極層403
1と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシール材400
5に含有させる。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層4008に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs~
100μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さ
い。
表示装置でも半透過型液晶表示装置でも適用できる。
に着色層、表示素子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に
設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板及
び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクス
として機能する遮光膜を設けてもよい。
ジスタの信頼性を向上させるため、実施の形態1、2で得られた薄膜トランジスタを保護
膜や平坦化絶縁膜として機能する絶縁層4021で覆う構成となっている。絶縁層402
1は、1層又は2層以上の積層構造で形成することができる。なお、保護膜は、大気中に
浮遊する有機物や金属、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な
膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化
窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
本実施の形態では保護膜をスパッタ法で形成する例を示すが、特に限定されずプラズマC
VD法などの種々の方法で形成すればよい。
合は、保護膜の一層目として、例えばスパッタ法を用いて酸化シリコン膜を形成する。保
護膜として酸化シリコン膜を用いると、ソース電極層及びドレイン電極層として用いるア
ルミニウム膜のヒロック防止に効果がある。
護膜として窒化シリコン膜を用いると、ナトリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入
して、TFTの電気特性を変化させることを抑制することができる。
い。
ミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機
材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)
、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いる
ことができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層
4021を形成してもよい。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアルキ
ル基やアリール基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。絶縁層4021を、材料液を用いて形成する場合、
ベークする工程で同時に、半導体層のアニール(300℃~400℃)を行ってもよい。
絶縁層4021の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく半導体装置を作
製することが可能となる。
酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸
化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導
電性材料を用いることができる。
もいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成
した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が
70%以上であることが好ましい。シート抵抗は、より低いことが好ましい。また、導電
性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のソース電極層及
びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されていてもよい。
て電気的に接続されている。
し、第1の基板4001に実装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限
定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部ま
たは走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605、偏光板2606が設けられ表示領域を形成している
。着色層2605はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、
青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対
向基板2601の外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設され
ている。光源は冷陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は
、フレキシブル配線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続
され、コントロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、
液晶層との間に位相差板を有した状態で積層してもよい。
n-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi-domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro-cell)モード、OCB(Optically Compensated
Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liq
uid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric L
iquid Crystal)などを用いることができる。
である。
次に、半導体装置の一形態である電子ペーパーについて説明する。電子ペーパーは、紙と
同じ読みやすさを実現し、他の表示装置に比べ消費電力を抑え、且つ、薄型、軽量とする
ことが可能である。
導体装置の画素部に用いられる薄膜トランジスタ581としては、上記の実施形態で示す
画素部の薄膜トランジスタと同様に作製でき、酸化物半導体を半導体層として含む薄膜ト
ランジスタである。
イストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層
である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電
位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
タであり、ソース電極層又はドレイン電極層は第1の電極層587と、絶縁層585に形
成する開口で接しており電気的に接続している。第1の電極層587と基板586に設け
られた第2の電極層588との間には黒色領域590a及び白色領域590bを有し、周
りに液体で満たされているキャビティ594を含む球形粒子589が設けられており、球
形粒子589の周囲は樹脂等の充填材595で充填されている(図31参照)。
液体と、正または負に帯電した白い微粒子と白い微粒子と逆の極性に帯電した黒い微粒子
とを封入した直径10μm~200μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層
と第2の電極層との間に設けられるマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層に
よって、電場が与えられると、白い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または
黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電
気泳動表示素子は、液晶素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また
消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に
電源が供給されない場合であっても、一度表示した画像を保持することが可能であるため
、電源供給源(例えば、電波発信源)から電子ペーパーを遠ざけた場合であっても、表示
された画像を保存しておくことが可能となる。
である。
本実施の形態に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型
ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられ
る。
00は、コンピュータを内蔵しており、様々なデータ処理を行うことが可能である。この
ような携帯情報端末機器9200としては、PDA(Personal Digital
Assistance)が挙げられる。
ている。筐体9201と筐体9203は、連結部9207で折りたたみ可能に連結されて
いる。筐体9201には表示部9202が組み込まれており、筐体9203はキーボード
9205を備えている。もちろん、携帯情報端末機器9200の構成は上述のものに限定
されず、少なくとも実施の形態1又は2で説明した薄膜トランジスタを備えた構成であれ
ばよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。同一基板上に駆動回
路と画素部を形成することにより製造コストが低減され、電気特性の高い薄膜トランジス
タを有する携帯情報端末機器を実現できる。
メラ9500は、筐体9501に表示部9503が組み込まれ、その他に各種操作部が設
けられている。なお、デジタルビデオカメラ9500の構成は特に限定されず、少なくと
も実施の形態1又は2で説明した薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付
属設備が適宜設けられた構成とすることができる。同一基板上に駆動回路と画素部を形成
することにより製造コストが低減され、電気特性の高い薄膜トランジスタを有するデジタ
ルビデオカメラを実現できる。
9104および筐体9101の2つの筐体で構成されており、連結部9103により折り
たたみ可能に連結されている。筐体9104には表示部9102が組み込まれており、筐
体9101には操作キー9106が設けられている。なお、携帯電話機9100の構成は
特に限定されず、少なくとも実施の形態1又は2で説明した薄膜トランジスタを備えた構
成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。同一基板上
に駆動回路と画素部を形成することにより製造コストが低減され、電気特性の高い薄膜ト
ランジスタを有する携帯電話機を実現できる。
800は、開閉可能に連結された筐体9801と筐体9804を備えている。筐体980
4には表示部9802が組み込まれ、筐体9801はキーボード9803などを備えてい
る。なお、コンピュータ9800の構成は特に限定されず、少なくとも実施の形態1又は
2で説明した薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けら
れた構成とすることができる。同一基板上に駆動回路と画素部を形成することにより製造
コストが低減され、電気特性の高い薄膜トランジスタを有するコンピュータを実現できる
。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
している。携帯電話機1000は、筐体1001に組み込まれた表示部1002の他、操
作ボタン1003、外部接続ポート1004、スピーカ1005、マイク1006などを
備えている。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つ操作は、表示部1
002を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、表
示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
、表示部9412、及び操作ボタン9413を含む表示装置9410と、筐体9401に
操作ボタン9402、外部入力端子9403、マイク9404、スピーカ9405、及び
着信時に発光する発光部9406を含む通信装置9400とを有しており、表示機能を有
する表示装置9410は電話機能を有する通信装置9400と矢印の2方向に脱着可能で
ある。よって、表示装置9410と通信装置9400の短軸同士を取り付けることも、表
示装置9410と通信装置9400の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機
能のみを必要とする場合、通信装置9400より表示装置9410を取り外し、表示装置
9410を単独で用いることもできる。通信装置9400と表示装置9410とは無線通
信又は有線通信により画像又は入力情報を授受することができ、それぞれ充電可能なバッ
テリーを有する。
本実施の形態においては、液晶表示装置に適用できる画素の構成及び画素の動作について
説明する。なお、本実施の形態における液晶素子の動作モードとして、TN(Twist
ed Nematic)モード、IPS(In-Plane-Switching)モー
ド、FFS(Fringe Field Switching)モード、MVA(Mul
ti-domain Vertical Alignment)モード、PVA(Pat
terned Vertical Alignment)モード、ASM(Axiall
y Symmetric aligned Micro-cell)モード、OCB(O
ptically Compensated Birefringence)モード、F
LC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC
(AntiFerroelectric Liquid Crystal)などを用いる
ことができる。
0は、トランジスタ5081、液晶素子5082及び容量素子5083を有している。ト
ランジスタ5081のゲートは配線5085と電気的に接続される。トランジスタ508
1の第1端子は配線5084と電気的に接続される。トランジスタ5081の第2端子は
液晶素子5082の第1端子と電気的に接続される。液晶素子5082の第2端子は配線
5087と電気的に接続される。容量素子5083の第1端子は液晶素子5082の第1
端子と電気的に接続される。容量素子5083の第2端子は配線5086と電気的に接続
される。なお、トランジスタの第1端子とは、ソースまたはドレインのいずれか一方であ
り、トランジスタの第2端子とは、ソースまたはドレインの他方のことである。つまり、
トランジスタの第1端子がソースである場合は、トランジスタの第2端子はドレインとな
る。同様に、トランジスタの第1端子がドレインである場合は、トランジスタの第2端子
はソースとなる。
れた信号電圧を画素5080に伝達するための配線である。配線5085は走査線として
機能させることができる。走査線は、トランジスタ5081のオンオフを制御するための
配線である。配線5086は容量線として機能させることができる。容量線は、容量素子
5083の第2端子に所定の電圧を加えるための配線である。トランジスタ5081は、
スイッチとして機能させることができる。容量素子5083は、保持容量として機能させ
ることができる。保持容量は、スイッチがオフの状態においても、信号電圧が液晶素子5
082に加わり続けるようにするための容量素子である。配線5087は、対向電極とし
て機能させることができる。対向電極は、液晶素子5082の第2端子に所定の電圧を加
えるための配線である。なお、それぞれの配線が持つことのできる機能はこれに限定され
ず、様々な機能を有することができる。例えば、容量線に加える電圧を変化させることで
、液晶素子に加えられる電圧を調整することもできる。なお、トランジスタ5081はス
イッチとして機能すればよいため、トランジスタ5081の極性はPチャネル型でもよい
し、Nチャネル型でもよい。
)に示す画素構成例は、図37(A)に示す画素構成例と比較して、配線5087が省略
され、かつ、液晶素子5082の第2端子と容量素子5083の第2端子とが電気的に接
続されている点が異なっている以外は、図37(A)に示す画素構成例と同様な構成であ
るとしている。図37(B)に示す画素構成例は、特に、液晶素子が横電界モード(IP
Sモード、FFSモードを含む)である場合に適用できる。なぜならば、液晶素子が横電
界モードである場合、液晶素子5082の第2端子および容量素子5083の第2端子を
同一基板上に形成させることができるため、液晶素子5082の第2端子と容量素子50
83の第2端子とを電気的に接続させることが容易であるからである。図37(B)に示
すような画素構成とすることで、配線5087を省略できるので、製造工程を簡略なもの
とすることができ、製造コストを低減できる。
ができる。こうすることで、液晶表示装置の表示部が形成され、様々な画像を表示するこ
とができる。図37(C)は、図37(A)に示す画素構成がマトリクス状に複数配置さ
れている場合の回路構成を示す図である。図37(C)に示す回路構成は、表示部が有す
る複数の画素のうち、4つの画素を抜き出して示した図である。そして、i列j行(i,
jは自然数)に位置する画素を、画素5080_i,jと表記し、画素5080_i,j
には、配線5084_i、配線5085_j、配線5086_jが、それぞれ電気的に接
続される。同様に、画素5080_i+1,jについては、配線5084_i+1、配線
5085_j、配線5086_jと電気的に接続される。同様に、画素5080_i,j
+1については、配線5084_i、配線5085_j+1、配線5086_j+1と電
気的に接続される。同様に、画素5080_i+1,j+1については、配線5084_
i+1、配線5085_j+1、配線5086_j+1と電気的に接続される。なお、各
配線は、同じ列または行に属する複数の画素によって共有されることができる。なお、図
37(C)に示す画素構成において配線5087は対向電極であり、対向電極は全ての画
素において共通であることから、配線5087については自然数iまたはjによる表記は
行なわないこととする。なお、図37(B)に示す画素構成を用いることも可能であるた
め、配線5087が記載されている構成であっても配線5087は必須ではなく、他の配
線と共有されること等によって省略されることができる。
流駆動と呼ばれる方法によって駆動されることによって、液晶素子の劣化(焼き付き)を
抑制することができる。図37(D)は、交流駆動の1つである、ドット反転駆動が行な
われる場合の、図37(C)に示す画素構成における各配線に加えられる電圧のタイミン
グチャートを表す図である。ドット反転駆動が行なわれることによって、交流駆動が行な
われる場合に視認されるフリッカ(ちらつき)を抑制することができる。
におけるスイッチは、1フレーム期間中の第jゲート選択期間において選択状態(オン状
態)となり、それ以外の期間では非選択状態(オフ状態)となる。そして、第jゲート選
択期間の後に、第j+1ゲート選択期間が設けられる。このように順次走査が行なわれる
ことで、1フレーム期間内に全ての画素が順番に選択状態となる。図37(D)に示すタ
イミングチャートでは、電圧が高い状態(ハイレベル)となることで、当該画素における
スイッチが選択状態となり、電圧が低い状態(ローレベル)となることで非選択状態とな
る。なお、これは各画素におけるトランジスタがNチャネル型の場合であり、Pチャネル
型のトランジスタが用いられる場合、電圧と選択状態の関係は、Nチャネル型の場合とは
逆となる。
ゲート選択期間において、信号線として用いる配線5084_iに正の信号電圧が加えら
れ、配線5084_i+1に負の信号電圧が加えられる。そして、第kフレームにおける
第j+1ゲート選択期間において、配線5084_iに負の信号電圧が加えられ、配線5
084_i+1に正の信号電圧が加えられる。その後も、それぞれの信号線は、ゲート選
択期間ごとに極性が反転した信号が交互に加えられる。その結果、第kフレームにおいて
は、画素5080_i,jには正の信号電圧、画素5080_i+1,jには負の信号電
圧、画素5080_i,j+1には負の信号電圧、画素5080_i+1,j+1には正
の信号電圧が、それぞれ加えられることとなる。そして、第k+1フレームにおいては、
それぞれの画素において、第kフレームにおいて書き込まれた信号電圧とは逆の極性の信
号電圧が書き込まれる。その結果、第k+1フレームにおいては、画素5080_i,j
には負の信号電圧、画素5080_i+1,jには正の信号電圧、画素5080_i,j
+1には正の信号電圧、画素5080_i+1,j+1には負の信号電圧が、それぞれ加
えられることとなる。このように、同じフレームにおいては隣接する画素同士で異なる極
性の信号電圧が加えられ、さらに、それぞれの画素においては1フレームごとに信号電圧
の極性が反転される駆動方法が、ドット反転駆動である。ドット反転駆動によって、液晶
素子の劣化を抑制しつつ、表示される画像全体または一部が均一である場合に視認される
フリッカを低減することができる。なお、配線5086_j、配線5086_j+1を含
む全ての配線5086に加えられる電圧は、一定の電圧とすることができる。なお、配線
5084のタイミングチャートにおける信号電圧の表記は極性のみとなっているが、実際
は、表示された極性において様々な信号電圧の値をとり得る。なお、ここでは1ドット(
1画素)毎に極性を反転させる場合について述べたが、これに限定されず、複数の画素毎
に極性を反転させることもできる。例えば、2ゲート選択期間毎に書き込む信号電圧の極
性を反転させることで、信号電圧の書き込みにかかる消費電力を低減させることができる
。他にも、1列毎に極性を反転させること(ソースライン反転)もできるし、1行ごとに
極性を反転させること(ゲートライン反転)もできる。
一定の電圧が加えられていれば良い。ここで、走査線として用いる配線5085に加えら
れる電圧は1フレーム期間の大半においてローレベルであり、ほぼ一定の電圧が加えられ
ていることから、画素5080における容量素子5083の第2端子の接続先は、配線5
085でも良い。図37(E)は、液晶表示装置に適用できる画素構成の一例を示す図で
ある。図37(E)に示す画素構成は、図37(C)に示す画素構成と比較すると、配線
5086が省略され、かつ、画素5080内の容量素子5083の第2端子と、一つ前の
行における配線5085とが電気的に接続されていることを特徴としている。具体的には
、図37(E)に表記されている範囲においては、画素5080_i,j+1および画素
5080_i+1,j+1における容量素子5083の第2端子は、配線5085_jと
電気的に接続される。このように、画素5080内の容量素子5083の第2端子と、一
つ前の行における配線5085とを電気的に接続させることで、配線5086を省略する
ことができるので、画素の開口率を向上できる。なお、容量素子5083の第2端子の接
続先は、一つ前の行における配線5085ではなく、他の行における配線5085でも良
い。なお、図37(E)に示す画素構成の駆動方法は、図37(C)に示す画素構成の駆
動方法と同様のものを用いることができる。
用いて、信号線として用いる配線5084に加える電圧を小さくすることができる。この
ときの画素構成および駆動方法について、図37(F)および図37(G)を用いて説明
する。図37(F)に示す画素構成は、図37(A)に示す画素構成と比較して、配線5
086を1画素列あたり2本とし、かつ、画素5080における容量素子5083の第2
端子との電気的な接続を、隣接する画素で交互に行なうことを特徴としている。なお、2
本とした配線5086は、それぞれ配線5086-1および配線5086-2と呼ぶこと
とする。具体的には、図37(F)に表記されている範囲においては、画素5080_i
,jにおける容量素子5083の第2端子は、配線5086-1_jと電気的に接続され
、画素5080_i+1,jにおける容量素子5083の第2端子は、配線5086-2
_jと電気的に接続され、画素5080_i,j+1における容量素子5083の第2端
子は、配線5086-2_j+1と電気的に接続され、画素5080_i+1,j+1に
おける容量素子5083の第2端子は、配線5086-1_j+1と電気的に接続される
。
jに正の極性の信号電圧が書き込まれる場合、配線5086-1_jは、第jゲート選択
期間においてはローレベルとさせ、第jゲート選択期間の終了後、ハイレベルに変化させ
る。そして、1フレーム期間中はそのままハイレベルを維持し、第k+1フレームにおけ
る第jゲート選択期間に負の極性の信号電圧が書き込まれた後、ローレベルに変化させる
。このように、正の極性の信号電圧が画素に書き込まれた後に、容量素子5083の第2
端子に電気的に接続される配線の電圧を正の方向に変化させることで、液晶素子に加えら
れる電圧を正の方向に所定の量だけ変化させることができる。すなわち、その分画素に書
き込む信号電圧を小さくすることができるため、信号書き込みにかかる消費電力を低減さ
せることができる。なお、第jゲート選択期間に負の極性の信号電圧が書き込まれる場合
は、負の極性の信号電圧が画素に書き込まれた後に、容量素子5083の第2端子に電気
的に接続される配線の電圧を負の方向に変化させることで、液晶素子に加えられる電圧を
負の方向に所定の量だけ変化させることができるので、正の極性の場合と同様に、画素に
書き込む信号電圧を小さくすることができる。つまり、容量素子5083の第2端子に電
気的に接続される配線は、同じフレームの同じ行において、正の極性の信号電圧が加えら
れる画素と、負の極性の信号電圧が加えられる画素とで、それぞれ異なる配線であること
が好ましい。図37(F)は、第kフレームにおいて正の極性の信号電圧が書き込まれる
画素には配線5086-1が電気的に接続され、第kフレームにおいて負の極性の信号電
圧が書き込まれる画素には配線5086-2が電気的に接続される例である。ただし、こ
れは一例であり、例えば、正の極性の信号電圧が書き込まれる画素と負の極性の信号電圧
が書き込まれる画素が2画素毎に現れるような駆動方法の場合は、配線5086-1およ
び配線5086-2の電気的接続もそれに合わせて、2画素毎に交互に行なわれることが
好ましい。さらに言えば、1行全ての画素で同じ極性の信号電圧が書き込まれる場合(ゲ
ートライン反転)も考えられるが、その場合は、配線5086は1行あたり1本でよい。
つまり、図37(C)に示す画素構成においても、図37(F)および図37(G)を用
いて説明したような、画素に書き込む信号電圧を小さくする駆動方法を用いることができ
る。
モードである場合に特に好ましい画素構成およびその駆動方法について述べる。VAモー
ドは、製造時にラビング工程が不要、黒表示時の光漏れが少ない、駆動電圧が低い等の優
れた特徴を有するが、画面を斜めから見たときに画質が劣化してしまう(視野角が狭い)
という問題点も有する。VAモードの視野角を広くするには、図38(A)および図38
(B)に示すように、1画素に複数の副画素(サブピクセル)を有する画素構成とするこ
とが有効である。図38(A)および図38(B)に示す画素構成は、画素5080が2
つの副画素(副画素5080-1,副画素5080-2)を含む場合の一例を表すもので
ある。なお、1つの画素における副画素の数は2つに限定されず、様々な数の副画素を用
いることができる。副画素の数が大きいほど、より視野角を広くすることができる。複数
の副画素は互いに同一の回路構成とすることができ、ここでは、全ての副画素が図37(
A)に示す回路構成と同様であるとして説明する。なお、第1の副画素5080-1は、
トランジスタ5081-1、液晶素子5082-1、容量素子5083-1を有するもの
とし、それぞれの接続関係は図37(A)に示す回路構成に準じることとする。同様に、
第2の副画素5080-2は、トランジスタ5081-2、液晶素子5082-2、容量
素子5083-2を有するものとし、それぞれの接続関係は図37(A)に示す回路構成
に準じることとする。
いる配線5085を2本(配線5085-1,配線5085-2)有し、信号線として用
いる配線5084を1本有し、容量線として用いる配線5086を1本有する構成を表す
ものである。このように、信号線および容量線を2つの副画素で共用することにより、開
口率を向上させることができ、さらに、信号線駆動回路を簡単なものとすることができる
ので製造コストが低減でき、かつ、液晶パネルと駆動回路ICの接続点数を低減できるの
で、歩留まりを向上できる。図38(B)に示す画素構成は、1画素を構成する2つの副
画素に対し、走査線として用いる配線5085を1本有し、信号線として用いる配線50
84を2本(配線5084-1,配線5084-2)有し、容量線として用いる配線50
86を1本有する構成を表すものである。このように、走査線および容量線を2つの副画
素で共用することにより、開口率を向上させることができ、さらに、全体の走査線本数を
低減できるので、高精細な液晶パネルにおいても1つあたりのゲート線選択期間を十分に
長くすることができ、それぞれの画素に適切な信号電圧を書き込むことができる。
画素電極の形状に置き換えた上で、各素子の電気的接続状態を模式的に表した例である。
図38(C)および図38(D)において、5088-1は第1の画素電極を表し、50
88-2は第2の画素電極を表すものとする。図38(C)において、第1画素電極50
88-1は、図38(B)における液晶素子5082-1の第1端子に相当し、第2画素
電極5088-2は、図38(B)における液晶素子5082-2の第1端子に相当する
。すなわち、第1画素電極5088-1は、トランジスタ5081-1のソースまたはド
レインの一方と電気的に接続され、第2画素電極5088-2は、トランジスタ5081
-2のソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。一方、図38(D)において
は、画素電極とトランジスタの接続関係を逆にする。すなわち、第1画素電極5088-
1は、トランジスタ5081-2のソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第
2画素電極5088-2は、トランジスタ5081-1のソースまたはドレインの一方と
電気的に接続されるものとする。
することで、特別な効果を得ることができる。このような画素構成およびその駆動方法の
一例を、図39(A)および図39(B)に示す。図39(A)に示す画素構成は、画素
5080_i,jおよび画素5080_i+1,j+1に相当する部分を図38(C)に
示す構成とし、画素5080_i+1,jおよび画素5080_i,j+1に相当する部
分を図38(D)に示す構成としたものである。この構成において、図39(B)に示す
タイミングチャートのように駆動すると、第kフレームの第jゲート選択期間において、
画素5080_i,jの第1画素電極および画素5080_i+1,jの第2画素電極に
正の極性の信号電圧が書き込まれ、画素5080_i,jの第2画素電極および画素50
80_i+1,jの第1画素電極に負の極性の信号電圧が書き込まれる。さらに、第kフ
レームの第j+1ゲート選択期間において、画素5080_i,j+1の第2画素電極お
よび画素5080_i+1,j+1の第1画素電極に正の極性の信号電圧が書き込まれ、
画素5080_i,j+1の第1画素電極および画素5080_i+1,j+1の第2画
素電極に負の極性の信号電圧が書き込まれる。第k+1フレームにおいては、各画素にお
いて信号電圧の極性が反転される。こうすることによって、副画素を含む画素構成におい
てドット反転駆動に相当する駆動を実現しつつ、信号線に加えられる電圧の極性を1フレ
ーム期間内で同一なものとすることができるので、画素の信号電圧書込みにかかる消費電
力を大幅に低減することができる。なお、配線5086_j、配線5086_j+1を含
む全ての配線5086に加えられる電圧は、一定の電圧とすることができる。
画素に書き込まれる信号電圧の大きさを小さくすることができる。これは、それぞれの画
素が有する複数の副画素に電気的に接続される容量線を、副画素毎に異ならせるものであ
る。すなわち、図39(C)および図39(D)に示す画素構成およびその駆動方法によ
って、同一のフレーム内で同一の極性が書き込まれる副画素については、同一行内で容量
線を共通とし、同一のフレーム内で異なる極性が書き込まれる副画素については、同一行
内で容量線を異ならせる。そして、各行の書き込みが終了した時点で、それぞれの容量線
の電圧を、正の極性の信号電圧が書き込まれた副画素では正の方向、負の極性の信号電圧
が書き込まれた副画素では負の方向に変化させることで、画素に書き込まれる信号電圧の
大きさを小さくすることができる。具体的には、容量線として用いる配線5086を各行
で2本(配線5086-1,配線5086-2)とし、画素5080_i,jの第1画素
電極と、配線5086-1_jとが、容量素子を介して電気的に接続され、画素5080
_i,jの第2画素電極と、配線5086-2_jとが、容量素子を介して電気的に接続
され、画素5080_i+1,jの第1画素電極と、配線5086-2_jとが、容量素
子を介して電気的に接続され、画素5080_i+1,jの第2画素電極と、配線508
6-1_jとが、容量素子を介して電気的に接続され、画素5080_i,j+1の第1
画素電極と、配線5086-2_j+1とが、容量素子を介して電気的に接続され、画素
5080_i,j+1の第2画素電極と、配線5086-1_j+1とが、容量素子を介
して電気的に接続され、画素5080_i+1,j+1の第1画素電極と、配線5086
-1_j+1とが、容量素子を介して電気的に接続され、画素5080_i+1,j+1
の第2画素電極と、配線5086-2_j+1とが、容量素子を介して電気的に接続され
る。ただし、これは一例であり、例えば、正の極性の信号電圧が書き込まれる画素と負の
極性の信号電圧が書き込まれる画素が2画素毎に現れるような駆動方法の場合は、配線5
086-1および配線5086-2の電気的接続もそれに合わせて、2画素毎に交互に行
なわれることが好ましい。さらに言えば、1行全ての画素で同じ極性の信号電圧が書き込
まれる場合(ゲートライン反転)も考えられるが、その場合は、配線5086は1行あた
り1本でよい。つまり、図39(A)に示す画素構成においても、図39(C)および図
39(D)を用いて説明したような、画素に書き込む信号電圧を小さくする駆動方法を用
いることができる。
次に、表示装置の別の構成例およびその駆動方法について説明する。本実施の形態におい
ては、信号書込みに対する輝度の応答が遅い(応答時間が長い)表示素子を用いた表示装
置の場合について述べる。本実施の形態においては、応答時間が長い表示素子として液晶
素子を例として説明するが、本実施の形態における表示素子はこれに限定されず、信号書
込みに対する輝度の応答が遅い様々な表示素子を用いることができる。
圧を加え続けた場合でも、応答が完了するまで1フレーム期間以上の時間がかかることが
ある。このような表示素子で動画を表示しても、動画を忠実に再現することはできない。
さらに、アクティブマトリクス駆動の場合、一つの液晶素子に対する信号書込みの時間は
、通常、信号書込み周期(1フレーム期間または1サブフレーム期間)を走査線数で割っ
た時間(1走査線選択期間)に過ぎず、液晶素子はこのわずかな時間内に応答しきれない
ことが多い。したがって、液晶素子の応答の大半は、信号書込みが行われない期間で行わ
れることになる。ここで、液晶素子の誘電率は、当該液晶素子の透過率に従って変化する
が、信号書込みが行われない期間において液晶素子が応答するということは、液晶素子の
外部と電荷のやり取りが行われない状態(定電荷状態)で液晶素子の誘電率が変化するこ
とを意味する。つまり、(電荷)=(容量)・(電圧)の式において、電荷が一定の状態
で容量が変化することになるため、液晶素子に加わる電圧は、液晶素子の応答にしたがっ
て、信号書込み時の電圧から変化してしまうことになる。したがって、信号書込みに対す
る輝度の応答が遅い液晶素子をアクティブマトリクスで駆動する場合、液晶素子に加わる
電圧は、信号書込み時の電圧に原理的に到達し得ない。
せるために、信号書込み時の信号レベルを予め補正されたもの(補正信号)とすることで
、上記の問題点を解決することができる。さらに、液晶素子の応答時間は信号レベルが大
きいほど短くなるので、補正信号を書き込むことによって、液晶素子の応答時間を短くす
ることもできる。このような補正信号を加える駆動方法は、オーバードライブとも呼ばれ
る。本実施の形態におけるオーバードライブは、信号書込み周期が、表示装置に入力され
る画像信号の周期(入力画像信号周期Tin)よりも短い場合であっても、信号書込み周
期に合わせて信号レベルが補正されることで、信号書込み周期内に表示素子を所望の輝度
まで応答させることができる。信号書込み周期が、入力画像信号周期Tinよりも短い場
合とは、例えば、1つの元画像を複数のサブ画像に分割し、当該複数のサブ画像を1フレ
ーム期間内に順次表示させる場合が挙げられる。
る方法の例について、図40(A)および(B)を参照して説明する。図40(A)は、
横軸を時間、縦軸を信号書込み時の信号レベルとし、ある1つの表示素子における信号書
込み時の信号レベルの輝度の時間変化を模式的に表したグラフである。図40(B)は、
横軸を時間、縦軸を表示レベルとし、ある1つの表示素子における表示レベルの時間変化
を模式的に表したグラフである。なお、表示素子が液晶素子の場合は、信号書込み時の信
号レベルは電圧、表示レベルは液晶素子の透過率とすることができる。これ以降は、図4
0(A)の縦軸は電圧、図40(B)の縦軸は透過率であるとして説明する。なお、本実
施の形態におけるオーバードライブは、信号レベルが電圧以外(デューティー比、電流等
)である場合も含む。なお、本実施の形態におけるオーバードライブは、表示レベルが透
過率以外(輝度、電流等)である場合も含む。なお、液晶素子には、電圧が0である時に
黒表示となるノーマリーブラック型(例:VAモード、IPSモード等)と、電圧が0で
ある時に白表示となるノーマリーホワイト型(例:TNモード、OCBモード等)がある
が、図40(B)に示すグラフはどちらにも対応しており、ノーマリーブラック型の場合
はグラフの上方へ行くほど透過率が大きいものとし、ノーマリーホワイト型の場合はグラ
フの下方へ行くほど透過率が大きいものとすればよい。すなわち、本実施の形態における
液晶モードは、ノーマリーブラック型でも良いし、ノーマリーホワイト型でも良い。なお
、時間軸には信号書込みタイミングが点線で示されており、信号書込みが行われてから次
の信号書込みが行われるまでの期間を、保持期間Fiと呼ぶこととする。本実施形態にお
いては、iは整数であり、それぞれの保持期間を表すインデックスであるとする。図40
(A)および(B)においては、iは0から2までとして示しているが、iはこれ以外の
整数も取り得る(0から2以外については図示しない)。なお、保持期間Fiにおいて、
画像信号に対応する輝度を実現する透過率をTiとし、定常状態において透過率Tiを与
える電圧をViとする。なお、図40(A)中の破線5101は、オーバードライブを行
わない場合の液晶素子にかかる電圧の時間変化を表し、実線5102は、本実施の形態に
おけるオーバードライブを行う場合の液晶素子にかかる電圧の時間変化を表している。同
様に、図40(B)中の破線5103は、オーバードライブを行わない場合の液晶素子の
透過率の時間変化を表し、実線5104は、本実施の形態におけるオーバードライブを行
う場合の液晶素子の透過率の時間変化を表している。なお、保持期間Fiの末尾における
、所望の透過率Tiと実際の透過率との差を、誤差αiと表記することとする。
2ともに所望の電圧V0が加えられており、図40(B)に示すグラフにおいても、破線
5103と実線5104ともに所望の透過率T0が得られているものとする。そして、オ
ーバードライブが行われない場合、破線5101に示すように、保持期間F1の初頭にお
いて所望の電圧V1が液晶素子に加えられるが、既に述べたように信号が書込まれる期間
は保持期間に比べて極めて短く、保持期間のうちの大半の期間は定電荷状態となるため、
保持期間において液晶素子にかかる電圧は透過率の変化とともに変化していき、保持期間
F1の末尾においては所望の電圧V1と大きく異なった電圧となってしまう。このとき、
図40(B)に示すグラフにおける破線5103も、所望の透過率T1と大きく異なった
ものとなってしまう。そのため、画像信号に忠実な表示を行うことができず、画質が低下
してしまう。一方、本実施の形態におけるオーバードライブが行われる場合、実線510
2に示すように、保持期間F1の初頭において、所望の電圧V1よりも大きな電圧V1´
が液晶素子に加えられるようにする。つまり、保持期間F1において徐々に液晶素子にか
かる電圧が変化することを見越して、保持期間F1の末尾において液晶素子にかかる電圧
が所望の電圧V1近傍の電圧となるように、保持期間F1の初頭において所望の電圧V1
から補正された電圧V1´を液晶素子に加えることで、正確に所望の電圧V1を液晶素子
にかけることが可能となる。このとき、図40(B)に示すグラフにおける実線5104
に示すように、保持期間F1の末尾において所望の透過率T1が得られる。すなわち、保
持期間うちの大半の期間において定電荷状態となるにも関わらず、信号書込み周期内での
液晶素子の応答を実現できる。次に、保持期間F2においては、所望の電圧V2がV1よ
りも小さい場合を示しているが、この場合も保持期間F1と同様に、保持期間F2におい
て徐々に液晶素子にかかる電圧が変化することを見越して、保持期間F2の末尾において
液晶素子にかかる電圧が所望の電圧V2近傍の電圧となるように、保持期間F2の初頭に
おいて所望の電圧V2から補正された電圧V2´を液晶素子に加えればよい。こうするこ
とで、図40(B)に示すグラフにおける実線5104に示すように、保持期間F2の末
尾において所望の透過率T2が得られる。なお、保持期間F1のように、ViがVi-1
と比べて大きくなる場合は、補正された電圧Vi´は所望の電圧Viよりも大きくなるよ
うに補正されることが好ましい。さらに、保持期間F2のように、ViがVi-1と比べ
て小さくなる場合は、補正された電圧Vi´は所望の電圧Viよりも小さくなるように補
正されることが好ましい。なお、具体的な補正値については、予め液晶素子の応答特性を
測定することで導出することができる。装置に実装する方法としては、補正式を定式化し
て論理回路に組み込む方法、補正値をルックアップテーブルとしてメモリに保存しておき
、必要に応じて補正値を読み出す方法、等を用いることができる。
様々な制約が存在する。例えば、電圧の補正は、ソースドライバの定格電圧の範囲内で行
われなければならない。すなわち、所望の電圧が元々大きな値であって、理想的な補正電
圧がソースドライバの定格電圧を超えてしまう場合は、補正しきれないこととなる。この
ような場合の問題点について、図40(C)および(D)を参照して説明する。図40(
C)は、図40(A)と同じく、横軸を時間、縦軸を電圧とし、ある1つの液晶素子にお
ける電圧の時間変化を実線5105として模式的に表したグラフである。図40(D)は
、図40(B)と同じく、横軸を時間、縦軸を透過率とし、ある1つの液晶素子における
透過率の時間変化を実線5106として模式的に表したグラフである。なお、その他の表
記方法については図40(A)および(B)と同様であるため、説明を省略する。図40
(C)および(D)は、保持期間F1における所望の透過率T1を実現するための補正電
圧V1´がソースドライバの定格電圧を超えてしまうため、V1´=V1とせざるを得な
くなり、十分な補正ができない状態を表している。このとき、保持期間F1の末尾におけ
る透過率は、所望の透過率T1と誤差α1だけ、ずれた値となってしまう。ただし、誤差
α1が大きくなるのは、所望の電圧が元々大きな値であるときに限られるため、誤差α1
の発生による画質低下自体は許容範囲内である場合も多い。しかしながら、誤差α1が大
きくなることによって、電圧補正のアルゴリズム内の誤差も大きくなってしまう。つまり
、電圧補正のアルゴリズムにおいて、保持期間の末尾に所望の透過率が得られていると仮
定している場合、実際は誤差α1が大きくなっているのにも関わらず、誤差α1が小さい
として電圧の補正を行うため、次の保持期間F2における補正に誤差が含まれることとな
り、その結果、誤差α2までも大きくなってしまう。さらに、誤差α2が大きくなれば、
その次の誤差α3がさらに大きくなってしまうというように、誤差が連鎖的に大きくなっ
ていき、結果的に画質低下が著しいものとなってしまう。本実施の形態におけるオーバー
ドライブにおいては、このように誤差が連鎖的に大きくなってしまうことを抑制するため
、保持期間Fiにおいて補正電圧Vi´がソースドライバの定格電圧を超えるとき、保持
期間Fiの末尾における誤差αiを推定し、当該誤差αiの大きさを考慮して、保持期間
Fi+1における補正電圧を調整できる。こうすることで、誤差αiが大きくなってしま
っても、それが誤差αi+1に与える影響を最小限にすることができるため、誤差が連鎖
的に大きくなってしまうことを抑制できる。本実施の形態におけるオーバードライブにお
いて、誤差α2を最小限にする例について、図40(E)および(F)を参照して説明す
る。図40(E)に示すグラフは、図40(C)に示すグラフの補正電圧V2´をさらに
調整し、補正電圧V2´´とした場合の電圧の時間変化を、実線5107として表してい
る。図40(F)に示すグラフは、図40(E)に示すグラフによって電圧の補正がなさ
れた場合の透過率の時間変化を表している。図40(D)に示すグラフにおける実線51
06では、補正電圧V2´によって過剰補正が発生しているが、図40(F)に示すグラ
フにおける実線5108では、誤差α1を考慮して調整された補正電圧V2´´によって
過剰補正を抑制し、誤差α2を最小限にしている。なお、具体的な補正値については、予
め液晶素子の応答特性を測定することで導出することができる。装置に実装する方法とし
ては、補正式を定式化して論理回路に組み込む方法、補正値をルックアップテーブルとし
てメモリに保存しておき、必要に応じて補正値を読み出す方法、等を用いることができる
。そして、これらの方法を、補正電圧Vi´を計算する部分とは別に追加する、または補
正電圧Vi´を計算する部分に組み込むことができる。なお、誤差αi―1を考慮して調
整された補正電圧Vi´´の補正量(所望の電圧Viとの差)は、Vi´の補正量よりも
小さいものとすることが好ましい。つまり、|Vi´´-Vi|<|Vi´-Vi|とす
ることが好ましい。
は、信号書込み周期が短いほど大きくなる。なぜならば、信号書込み周期が短いほど液晶
素子の応答時間も短くする必要があり、その結果、より大きな補正電圧が必要となるため
である。さらに、必要とされる補正電圧が大きくなった結果、補正電圧がソースドライバ
の定格電圧を超えてしまう頻度も大きくなるため、大きな誤差αiが発生する頻度も大き
くなる。したがって、本実施の形態におけるオーバードライブは、信号書込み周期が短い
場合ほど有効であるといえる。具体的には、1つの元画像を複数のサブ画像に分割し、当
該複数のサブ画像を1フレーム期間内に順次表示させる場合、複数の画像から画像に含ま
れる動きを検出して、当該複数の画像の中間状態の画像を生成し、当該複数の画像の間に
挿入して駆動する(いわゆる動き補償倍速駆動)場合、またはこれらを組み合わせる場合
、等の駆動方法が行われる場合に、本実施の形態におけるオーバードライブが用いられる
ことは、格段の効果を奏することになる。
圧0よりも小さい電圧が加えられない場合が挙げられる。このとき、上述した上限の場合
と同様に、理想的な補正電圧が加えられないこととなるため、誤差αiが大きくなってし
まう。しかしながら、この場合でも、上述した方法と同様に、保持期間Fiの末尾におけ
る誤差αiを推定し、当該誤差αiの大きさを考慮して、保持期間Fi+1における補正
電圧を調整することができる。なお、ソースドライバの定格電圧として電圧0よりも小さ
い電圧(負の電圧)を加えることができる場合は、補正電圧として液晶素子に負の電圧を
加えても良い。こうすることで、定電荷状態による電位の変動を見越して、保持期間Fi
の末尾において液晶素子にかかる電圧が所望の電圧Vi近傍の電圧となるように調整でき
る。
る、いわゆる反転駆動を、オーバードライブと組み合わせて実施することができる。すな
わち、本実施の形態におけるオーバードライブは、反転駆動と同時に行われる場合も含む
。例えば、信号書込み周期が入力画像信号周期Tinの1/2である場合に、極性を反転
させる周期と入力画像信号周期Tinとが同程度であると、正極性の信号の書込みと負極
性の信号の書込みが、2回毎に交互に行われることになる。このように、極性を反転させ
る周期を信号書込み周期よりも長くすることで、画素の充放電の頻度を低減できるので、
消費電力を低減できる。ただし、極性を反転させる周期をあまり長くすると、極性の違い
による輝度差がフリッカとして認識される不具合が生じることがあるため、極性を反転さ
せる周期は入力画像信号周期Tinと同程度か短いことが好ましい。
次に、表示装置の別の構成例およびその駆動方法について説明する。本実施の形態におい
ては、表示装置の外部から入力される画像(入力画像)の動きを補間する画像を、複数の
入力画像を基にして表示装置の内部で生成し、当該生成された画像(生成画像)と、入力
画像とを順次表示させる方法について説明する。なお、生成画像を、入力画像の動きを補
間するような画像とすることで、動画の動きを滑らかにすることができ、さらに、ホール
ド駆動による残像等によって動画の品質が低下する問題を改善できる。ここで、動画の補
間について、以下に説明する。動画の表示は、理想的には、個々の画素の輝度をリアルタ
イムに制御することで実現されるものであるが、画素のリアルタイム個別制御は、制御回
路の数が膨大なものとなる問題、配線スペースの問題、および入力画像のデータ量が膨大
なものとなる問題等が存在し、実現が困難である。したがって、表示装置による動画の表
示は、複数の静止画を一定の周期で順次表示することで、表示が動画に見えるようにして
行なわれている。この周期(本実施の形態においては入力画像信号周期と呼び、Tinと
表す)は規格化されており、例として、NTSC規格では1/60秒、PAL規格では1
/50秒である。この程度の周期でも、インパルス型表示装置であるCRTにおいては動
画表示に問題は起こらなかった。しかし、ホールド型表示装置においては、これらの規格
に準じた動画をそのまま表示すると、ホールド型であることに起因する残像等により表示
が不鮮明となる不具合(ホールドぼけ:hold blur)が発生してしまう。ホール
ドぼけは、人間の目の追従による無意識的な動きの補間と、ホールド型の表示との不一致
(discrepancy)で認識されるものであるので、従来の規格よりも入力画像信
号周期を短くする(画素のリアルタイム個別制御に近づける)ことで低減させることがで
きるが、入力画像信号周期を短くすることは規格の変更を伴い、さらに、データ量も増大
することになるので、困難である。しかしながら、規格化された入力画像信号を基にして
、入力画像の動きを補間するような画像を表示装置内部で生成し、当該生成画像によって
入力画像を補間して表示することで、規格の変更またはデータ量の増大なしに、ホールド
ぼけを低減できる。このように、入力画像信号を基にして表示装置内部で画像信号を生成
し、入力画像の動きを補間することを、動画の補間と呼ぶこととする。
実施の形態における動画の補間方法は、画像生成方法と画像表示方法に分けることができ
る。そして、特定のパターンの動きについては別の画像生成方法および/または画像表示
方法を用いることで、効果的に動画ぼけを低減させることができる。図41(A)および
(B)は、本実施の形態における動画の補間方法の一例を説明するための模式図である。
図41(A)および(B)において、横軸は時間であり、横方向の位置によって、それぞ
れの画像が扱われるタイミングを表している。「入力」と記された部分は、入力画像信号
が入力されるタイミングを表している。ここでは、時間的に隣接する2つの画像として、
画像5121および画像5122に着目している。入力画像は、周期Tinの間隔で入力
される。なお、周期Tin1つ分の長さを、1フレームもしくは1フレーム期間と記すこ
とがある。「生成」と記された部分は、入力画像信号から新しく画像が生成されるタイミ
ングを表している。ここでは、画像5121および画像5122を基にして生成される生
成画像である、画像5123に着目している。「表示」と記された部分は、表示装置に画
像が表示されるタイミングを表している。なお、着目している画像以外の画像については
破線で記しているのみであるが、着目している画像と同様に扱うことによって、本実施の
形態における動画の補間方法の一例を実現できる。
に隣接した2つの入力画像を基にして生成された生成画像を、当該2つの入力画像が表示
されるタイミングの間隙に表示させることで、動画の補間を行うことができる。このとき
、表示画像の表示周期は、入力画像の入力周期の1/2とすることが好ましい。ただし、
これに限定されず、様々な表示周期とすることができる。例えば、表示周期を入力周期の
1/2より短くすることで、動画をより滑らかに表示できる。または、表示周期を入力周
期の1/2より長くすることで、消費電力を低減できる。なお、ここでは、時間的に隣接
した2つの入力画像を基にして画像を生成しているが、基にする入力画像は2つに限定さ
れず、様々な数を用いることができる。例えば、時間的に隣接した3つ(3つ以上でも良
い)の入力画像を基にして画像を生成すれば、2つの入力画像を基にする場合よりも、精
度の良い生成画像を得ることができる。なお、画像5121の表示タイミングを、画像5
122の入力タイミングと同時刻、すなわち入力タイミングに対する表示タイミングを1
フレーム遅れとしているが、本実施の形態における動画の補間方法における表示タイミン
グはこれに限定されず、様々な表示タイミングを用いることができる。例えば、入力タイ
ミングに対する表示タイミングを1フレーム以上遅らせることができる。こうすることで
、生成画像である画像5123の表示タイミングを遅くすることができるので、画像51
23の生成にかかる時間に余裕を持たせることができ、消費電力および製造コストの低減
につながる。なお、入力タイミングに対する表示タイミングをあまりに遅くすると、入力
画像を保持しておく期間が長くなり、保持にかかるメモリ容量が増大してしまうので、入
力タイミングに対する表示タイミングは、1フレーム遅れから2フレーム遅れ程度が好ま
しい。
な生成方法の一例について説明する。動画を補間するためには入力画像の動きを検出する
必要があるが、本実施の形態においては、入力画像の動きの検出のために、ブロックマッ
チング法と呼ばれる方法を用いることができる。ただし、これに限定されず、様々な方法
(画像データの差分をとる方法、フーリエ変換を利用する方法等)を用いることができる
。ブロックマッチング法においては、まず、入力画像1枚分の画像データ(ここでは画像
5121の画像データ)を、データ記憶手段(半導体メモリ、RAM等の記憶回路等)に
記憶させる。そして、次のフレームにおける画像(ここでは画像5122)を、複数の領
域に分割する。なお、分割された領域は、図41(A)のように、同じ形状の矩形とする
ことができるが、これに限定されず、様々なもの(画像によって形状または大きさを変え
る等)とすることができる。その後、分割された領域毎に、データ記憶手段に記憶させた
前のフレームの画像データ(ここでは画像5121の画像データ)とデータの比較を行い
、画像データが似ている領域を探索する。図41(A)の例においては、画像5122に
おける領域5124とデータが似ている領域を画像5121の中から探索し、領域512
6が探索されたものとしている。なお、画像5121の中を探索するとき、探索範囲は限
定されることが好ましい。図41(A)の例においては、探索範囲として、領域5124
の面積の4倍程度の大きさである、領域5125を設定している。なお、探索範囲をこれ
より大きくすることで、動きの速い動画においても検出精度を高くすることができる。た
だし、あまりに広く探索を行なうと探索時間が膨大なものとなってしまい、動きの検出の
実現が困難となるため、領域5125は、領域5124の面積の2倍から6倍程度の大き
さであることが好ましい。その後、探索された領域5126と、画像5122における領
域5124との位置の違いを、動きベクトル5127として求める。動きベクトル512
7は領域5124における画像データの1フレーム期間の動きを表すものである。そして
、動きの中間状態を表す画像を生成するため、動きベクトルの向きはそのままで大きさを
変えた画像生成用ベクトル5128を作り、画像5121における領域5126に含まれ
る画像データを、画像生成用ベクトル5128に従って移動させることで、画像5123
における領域5129内の画像データを形成させる。これらの一連の処理を、画像512
2における全ての領域について行なうことで、画像5123を生成することができる。そ
して、入力画像5121、生成画像5123、入力画像5122を順次表示することで、
動画を補間することができる。なお、画像中の物体5130は、画像5121および画像
5122において位置が異なっている(つまり動いている)が、生成された画像5123
は、画像5121および画像5122における物体の中間点となっている。このような画
像を表示することで、動画の動きを滑らかにすることができ、残像等による動画の不鮮明
さを改善できる。
決めることができる。図41(A)の例においては、画像5123の表示タイミングは画
像5121および画像5122の表示タイミングの中間点(1/2)としているため、画
像生成用ベクトル5128の大きさは動きベクトル5127の1/2としているが、他に
も、例えば、表示タイミングが1/3の時点であれば、大きさを1/3とし、表示タイミ
ングが2/3の時点であれば、大きさを2/3とすることができる。
像を作る場合は、移動先の領域内に他の領域が既に移動している部分(重複)や、どこの
領域からも移動されてこない部分(空白)が生じることもある。これらの部分については
、データを補正することができる。重複部分の補正方法としては、例えば、重複データの
平均をとる方法、動きベクトルの方向等で優先度をつけておき、優先度の高いデータを生
成画像内のデータとする方法、色(または明るさ)はどちらかを優先させるが明るさ(ま
たは色)は平均をとる方法、等を用いることができる。空白部分の補正方法としては、画
像5121または画像5122の当該位置における画像データをそのまま生成画像内のデ
ータとする方法、画像5121または画像5122の当該位置における画像データの平均
をとる方法、等を用いることができる。そして、生成された画像5123を、画像生成用
ベクトル5128の大きさに従ったタイミングで表示させることで、動画の動きを滑らか
にすることができ、さらに、ホールド駆動による残像等によって動画の品質が低下する問
題を改善できる。
的に隣接した2つの入力画像を基にして生成された生成画像を、当該2つの入力画像が表
示されるタイミングの間隙に表示させる際に、それぞれの表示画像をさらに複数のサブ画
像に分割して表示することで、動画の補間を行うことができる。この場合、画像表示周期
が短くなることによる利点だけでなく、暗い画像が定期的に表示される(表示方法がイン
パルス型に近づく)ことによる利点も得ることができる。つまり、画像表示周期が画像入
力周期に比べて1/2の長さにするだけの場合よりも、残像等による動画の不鮮明さをさ
らに改善できる。図41(B)の例においては、「入力」および「生成」については図4
1(A)の例と同様な処理を行なうことができるので、説明を省略する。図41(B)の
例における「表示」は、1つの入力画像または/および生成画像を複数のサブ画像に分割
して表示を行うことができる。具体的には、図41(B)に示すように、画像5121を
サブ画像5121aおよび5121bに分割して順次表示することで、人間の目には画像
5121が表示されたように知覚させ、画像5123をサブ画像5123aおよび512
3bに分割して順次表示することで、人間の目には画像5123が表示されたように知覚
させ、画像5122をサブ画像5122aおよび5122bに分割して順次表示すること
で、人間の目には画像5122が表示されたように知覚させる。すなわち、人間の目に知
覚される画像としては図41(A)の例と同様なものとしつつ、表示方法をインパルス型
に近づけることができるので、残像等による動画の不鮮明さをさらに改善できる。なお、
サブ画像の分割数は、図41(B)においては2つとしているが、これに限定されず様々
な分割数を用いることができる。なお、サブ画像が表示されるタイミングは、図41(B
)においては等間隔(1/2)としているが、これに限定されず様々な表示タイミングを
用いることができる。例えば、暗いサブ画像(5121b、5122b、5123b)の
表示タイミングを早くする(具体的には、1/4から1/2のタイミング)ことで、表示
方法をよりインパルス型に近づけることができるため、残像等による動画の不鮮明さをさ
らに改善できる。または、暗いサブ画像の表示タイミングを遅くする(具体的には、1/
2から3/4のタイミング)ことで、明るい画像の表示期間を長くすることができるので
、表示効率を高めることができ、消費電力を低減できる。
し、動いている物体の形状によって異なる処理を行なう例である。図41(C)に示す例
は、図41(B)の例と同様に表示のタイミングを表しているが、表示されている内容が
、動く文字(スクロールテキスト、字幕、テロップ等とも呼ばれる)である場合を示して
いる。なお、「入力」および「生成」については、図41(B)と同様としても良いため
、図示していない。ホールド駆動における動画の不鮮明さは、動いているものの性質によ
って程度が異なることがある。特に、文字が動いている場合に顕著に認識されることが多
い。なぜならば、動く文字を読む際にはどうしても視線を文字に追従させてしまうので、
ホールドぼけが発生しやすくなるためである。さらに、文字は輪郭がはっきりしているこ
とが多いため、ホールドぼけによる不鮮明さがさらに強調されてしまうこともある。すな
わち、画像内を動く物体が文字かどうかを判別し、文字である場合はさらに特別な処理を
行なうことは、ホールドぼけの低減のためには有効である。具体的には、画像内を動いて
いる物体に対し、輪郭検出または/およびパターン検出等を行なって、当該物体が文字で
あると判断された場合は、同じ画像から分割されたサブ画像同士であっても動き補間を行
い、動きの中間状態を表示するようにして、動きを滑らかにすることができる。当該物体
が文字ではないと判断された場合は、図41(B)に示すように、同じ画像から分割され
たサブ画像であれば動いている物体の位置は変えずに表示することができる。図41(C
)の例では、文字であると判断された領域5131が、上方向に動いている場合を示して
いるが、サブ画像5121aとサブ画像5121bとで、領域5131の位置を異ならせ
ている。サブ画像5123aとサブ画像5123b、サブ画像5122aとサブ画像51
22bについても同様である。こうすることで、ホールドぼけが特に認識されやすい動く
文字については、通常の動き補償倍速駆動よりもさらに動きを滑らかにすることができる
ので、残像等による動画の不鮮明さをさらに改善できる。
101 半導体膜
102 レジストマスク
103a 半導体層
103b 半導体層
103c 半導体層
104 導電膜
105a レジストマスク
106a 導電層
106b 導電層
106c 導電層
106d 導電層
106e 導電層
107 導電膜
108 レジストマスク
109a 導電層
109b 導電層
109c 導電層
110 ゲート絶縁膜
111 導電膜
112a レジストマスク
113a 導電層
113b 導電層
113c 導電層
113d 導電層
114 導電膜
115 レジストマスク
116a 導電層
116b 導電層
117 絶縁膜
118 導電膜
119a 導電層
120a チャネル保護層
120b チャネル保護層
121a 領域
130 コンタクトホール
131 コンタクトホール
132 コンタクトホール
150 トランジスタ
151 トランジスタ
152 トランジスタ
153 トランジスタ
154 トランジスタ
155 トランジスタ
156 トランジスタ
160 保持容量部
161 保持容量部
162 保持容量部
164 保持容量部
170 基板
171 半導体層
172 導電層
173 ゲート絶縁膜
174 導電層
175 絶縁膜
200 基板
203 半導体層
203a 半導体層
203b 半導体層
204 導電膜
205 導電膜
206a レジストマスク
206b レジストマスク
207a 導電層
207b 導電層
208a 導電層
208b 導電層
208c 導電層
209 レジストマスク
210a 導電層
211 ゲート絶縁膜
212 導電膜
213 導電膜
214a レジストマスク
215a 導電層
215b 導電層
216a 導電層
216b 導電層
217a レジストマスク
218a 導電層
218b 導電層
219 絶縁膜
220 導電膜
221a 導電層
250 トランジスタ
260 保持容量部
270 基板
271 半導体層
272 導電層
273 導電層
274 ゲート絶縁膜
275 導電層
276 導電層
277 絶縁膜
300 基板
301a 半透過層
301c 遮光層
302 基板
303a 半透過層
303c 遮光層
400 基板
401 遮光部
402 回折格子部
403 グレートーンマスク
411 基板
412 半透光部
413 遮光部
414 ハーフトーンマスク
580 基板
581 薄膜トランジスタ
585 絶縁層
586 基板
587 電極層
588 電極層
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4518a FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
5080 画素
5081 トランジスタ
5082 液晶素子
5083 容量素子
5088 画素電極
5124 領域
5125 領域
5126 領域
5129 領域
5131 領域
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 信号線駆動回路
5400 基板
5401 画素部
5402 走査線駆動回路
5403 信号線駆動回路
5404 走査線駆動回路
6400 画素
6401 スイッチング用トランジスタ
6402 駆動用トランジスタ
6403 容量素子
6404 発光素子
6405 信号線
6406 走査線
6407 電源線
6408 共通電極
6410 画素
7001 TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電層
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電層
9100 携帯電話機
9101 筐体
9102 表示部
9103 連結部
9104 筐体
9106 操作キー
9200 携帯情報端末機器
9201 筐体
9202 表示部
9203 筐体
9205 キーボード
9207 連結部
9400 通信装置
9401 筐体
9402 操作ボタン
9403 外部入力端子
9404 マイク
9405 スピーカ
9406 発光部
9410 表示装置
9411 筐体
9412 表示部
9413 操作ボタン
9500 デジタルビデオカメラ
9501 筐体
9503 表示部
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9800 コンピュータ
9801 筐体
9802 表示部
9803 キーボード
9804 筐体
Claims (2)
- チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
前記半導体層上及び前記第1の電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜を介して、前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第2の電極と、
前記第1の絶縁膜上と接する領域と前記第2の電極下と接する領域を有する第3の電極と、
前記第2の電極上及び前記第3の電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に接し、前記第2の電極を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第4の電極と、
前記第2の絶縁膜上に接し、且つ前記第4の電極と同じ材料を有する第5の電極と、を有し、
前記第2の電極は、前記第5の電極と重なる領域を有し、
前記第4の電極は、前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記第1の電極と接する領域を有し、
前記開口部は、前記半導体層と重ならず、
前記第2の電極は、透光性を有し、
前記第3の電極は、遮光性を有し、
前記第4の電極は、透光性を有する半導体装置。 - チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
前記半導体層上及び前記第1の電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜を介して、前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第2の電極と、
前記第1の絶縁膜上と接する領域と前記第2の電極下と接する領域を有する第3の電極と、
前記第2の電極上及び前記第3の電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に接し、前記第2の電極を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第4の電極と、
前記第2の絶縁膜上に接し、且つ前記第4の電極と同じ材料を有する第5の電極と、を有し、
前記第2の電極は、前記第5の電極と重なる領域を有し、
前記第3の電極は、前記半導体層と重ならず、
前記第4の電極は、前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記第1の電極と接する領域を有し、
前記開口部は、前記半導体層と重ならず、
前記第2の電極は、透光性を有し、
前記第3の電極は、遮光性を有し、
前記第4の電極は、透光性を有する半導体装置。
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