JP6842469B2 - 相変化材料 - Google Patents

相変化材料 Download PDF

Info

Publication number
JP6842469B2
JP6842469B2 JP2018546699A JP2018546699A JP6842469B2 JP 6842469 B2 JP6842469 B2 JP 6842469B2 JP 2018546699 A JP2018546699 A JP 2018546699A JP 2018546699 A JP2018546699 A JP 2018546699A JP 6842469 B2 JP6842469 B2 JP 6842469B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
micron
amine
thermal interface
interface material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018546699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019515968A (ja
Inventor
チャン，ブライト
ワン，ウェイ・ジュン
リウ，ヤー・クン
ファン，ホン・ミン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell International Inc
Original Assignee
Honeywell International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell International Inc filed Critical Honeywell International Inc
Publication of JP2019515968A publication Critical patent/JP2019515968A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6842469B2 publication Critical patent/JP6842469B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02—Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/06—Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to solid or vice versa
    • C09K5/063—Materials absorbing or liberating heat during crystallisation; Heat storage materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0542—12th Group

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

[0001]本発明は、概して熱界面材料に関し、より詳しくは相変化材料を含む熱界面材料に関する。
[0002]熱界面材料は、中央処理装置、ビデオグラフィックスアレイ、サーバー、ゲームコンソール、スマートホン、ＬＥＤ基板などのような電子コンポーネントから熱を放散させるために広く用いられている。熱界面材料は、通常は、過剰の熱を電子コンポーネントからヒートスプレッダーに移動させ、次に熱をヒートシンクに移動させるために用いられる。
[0003]図１は、シリコンダイ１２、印刷回路基板１４、及び印刷回路基板１４上の複数のフリップチップ接続部１６を含む電子チップ１０を図示する。電子チップ１０は、例として、１以上の第１の熱界面材料（ＴＩＭ）２２によってヒートスプレッダー１８及びヒートシンク２０に接続されている。図１に示されるように、第１のＴＩＭ２２Ａはヒートシンク２０とヒートスプレッダー１８を接続し、第２のＴＩＭ２２Ｂはヒートスプレッダー１８と電子チップ１０のシリコンダイ１２を接続している。熱界面材料２２Ａ及び２２Ｂの一方又は両方を下記に記載する熱界面材料にすることができる。
[0004]ＴＩＭ２２ＡはＴＩＭ２と呼ばれ、ヒートスプレッダー１８とヒートシンク２０の間に配置されて、ＴＩＭ２２Ａの第１の表面がヒートスプレッダー１８の表面と接触し、ＴＩＭ２２Ａの第２の表面がヒートシンク２０の表面と接触するようになっている。
[0005]ＴＩＭ２２ＢはＴＩＭ１と呼ばれ、電子チップ１０とヒートスプレッダー１８の間に配置されて、ＴＩＭ２２Ｂの第１の表面がシリコンダイ１２の表面のような電子チップの表面３４と接触し、ＴＩＭ２２Ｂの第２の表面がヒートスプレッダー１８の表面と接触するようになっている。
[0006]幾つかの態様（図示せず）においては、ＴＩＭ２２はＴＩＭ１．５と呼ばれ、電子チップ１０とヒートシンク２０の間に配置されて、ＴＩＭ２２の第１の表面がシリコンダイ１２の表面のような電子チップ１０の表面と接触し、ＴＩＭ２の第２の表面がヒートシンク２２の表面と接触するようになっている。
[0007]熱界面材料としては、サーマルグリース、グリース様材料、エラストマーテープ、及び相変化材料が挙げられる。伝統的な熱界面材料としては、ギャップパッド及びサーマルパッドのような構成材が挙げられる。代表的な熱界面材料は、次の特許及び出願：ＣＮ−１０３２５４６４７、ＣＮ−１０３２５４６４７、ＪＰ−０５４３１１６、ＵＳ−６，２３８，５９６、ＵＳ−６，４５１，４２２、ＵＳ−６，５００，８９１、ＵＳ−６，６０５，２３８、ＵＳ−６，６７３，４３４、ＵＳ−６，７０６，２１９、ＵＳ−６，７９７，３８２、ＵＳ−６，８１１，７２５、ＵＳ−６，８７４，５７３、ＵＳ−７，１７２，７１１、ＵＳ−７，１４７，３６７、ＵＳ−７，２４４，４９１、ＵＳ−７，８６７，６０９、ＵＳ−８，３２４，３１３、ＵＳ−８，５８６，６５０、ＵＳ−２００５／００７２３３４、ＵＳ−２００７／００５１７７３、ＵＳ−２００７／０１７９２３２、ＵＳ−２００８／００４４６７０、ＵＳ−２００９／０１１１９２５、ＵＳ−２０１０／００４８４３８、ＵＳ−２０１０／０１２９６４８、ＵＳ−２０１１／０３０８７８２、ＵＳ−２０１３／０２４８１６３、ＷＯ−２００８／１２１４９１、及びＰＣＴ／ＣＮ２０１４／０９３１３８において開示されている。
ＣＮ−１０３２５４６４７ ＪＰ−０５４３１１６ ＵＳ−６，２３８，５９６ ＵＳ−６，４５１，４２２ ＵＳ−６，５００，８９１ ＵＳ−６，６０５，２３８ ＵＳ−６，６７３，４３４ ＵＳ−６，７０６，２１９ ＵＳ−６，７９７，３８２ ＵＳ−６，８１１，７２５ ＵＳ−６，８７４，５７３ ＵＳ−７，１７２，７１１ ＵＳ−７，１４７，３６７ ＵＳ−７，２４４，４９１ ＵＳ−７，８６７，６０９ ＵＳ−８，３２４，３１３ ＵＳ−８，５８６，６５０ ＵＳ−２００５／００７２３３４ ＵＳ−２００７／００５１７７３ ＵＳ−２００７／０１７９２３２ ＵＳ−２００８／００４４６７０ ＵＳ−２００９／０１１１９２５ ＵＳ−２０１０／００４８４３８ ＵＳ−２０１０／０１２９６４８ ＵＳ−２０１１／０３０８７８２ ＵＳ−２０１３／０２４８１６３ ＷＯ−２００８／１２１４９１ ＰＣＴ／ＣＮ２０１４／０９３１３８
[0008]サーマルグリース及び相変化材料は、非常に薄い層で拡がって隣接する表面の間に密な接触を与える能力のために、他のタイプの熱界面材料より低い熱抵抗を有する。しかしながら、幾つかの状況においては、電子チップ１０とヒートシンク２０及び／又はヒートスプレッダー１８は、図２に示すように垂直配向で配置される。かかる垂直配向においては、ＴＩＭ２２Ａ及び／又はＴＩＭ２２Ｂの直ぐ下に空隙２４が配されて、ＴＩＭが下端において支持されないようになる。より高い温度においては、ＴＩＭ２２Ａ、２２Ｂのような熱界面材料は、空隙２４を通って界面から電子コンポーネントの他の部品の上に垂れる可能性がある。
[0009]上記における改良が望まれている。
[0010]本発明は、コンピューターチップのような熱を発生する電子デバイスから、ヒートスプレッダー及びヒートシンクのような熱放散構造体へ熱を移動させるのに有用な熱界面材料を提供する。本熱界面材料は、例として、少なくとも１種類の相変化材料、少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、１種類以上の熱伝導性フィラー、及び少なくとも１種類の架橋剤を含み、熱伝導性フィラーは熱界面材料の全重量の少なくとも８０重量％を構成し、熱伝導性フィラーは、１ミクロン未満の粒径を有する第１の複数の粒子を含む。より特定の態様においては、熱伝導性フィラーは、熱界面材料の全重量の少なくとも９０重量％、９１重量％、９２重量％、９３重量％、又は９５重量％を構成する。
[0011]上記の態様のいずれかの１つのより特定の態様においては、熱界面材料は、１重量％〜１６重量％の少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料；０．５重量％〜８重量％の少なくとも１種類の相変化材料；及び０．１重量％〜１重量％の少なくとも１種類のアミン又はアミンベースの架橋剤を含む。より特定の態様においては、熱界面材料は、１重量％〜８重量％の少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料；０．５重量％〜５重量％の少なくとも１種類の相変化材料；及び０．１重量％〜１重量％の少なくとも１種類のアミン又はアミンベースの架橋剤を含む。
[0012]上記の態様のいずれかの１つのより特定の態様においては、第１の複数の粒子は酸化亜鉛の粒子を含む。更により特定の態様においては、酸化亜鉛の粒子は０．１ミクロン〜約１ミクロンの粒径を有する。他のより特定の態様においては、酸化亜鉛の粒子は０．９ミクロン以下の粒径を有する。
[0013]上記の態様のいずれかの１つのより特定の態様においては、熱伝導性フィラーは、１ミクロンより大きい粒径を有する第２の複数の粒子を更に含む。更により特定の態様においては、第２の複数の粒子はアルミニウムの粒子を含む。更により特定の態様においては、第２の複数の粒子は約３ミクロン〜約１５ミクロンの粒径を有するアルミニウム粒子を含む。更により特定の態様においては、第２の複数の粒子は、約３ミクロンの粒径を有するアルミニウム粒子の第１の部分、及び約１０ミクロンの粒径を有するアルミニウム粒子の第２の部分を含む。
[0014]上記の態様のいずれかの１つのより特定の態様においては、架橋剤はアミン又はアミンベースの架橋剤である。
[0015]上記の態様のいずれかの１つのより特定の態様においては、熱伝導性フィラーは熱界面材料の全重量の９１重量％〜９５重量％を構成する。更により特定の態様においては、熱伝導性フィラーは熱界面材料の全重量の９２重量％〜９４重量％を構成する。
[0016]上記の態様のいずれかの１つのより特定の態様においては、熱界面材料は、チタネートカップリング剤のような少なくとも１種類のカップリング剤を更に含む。上記の態様のいずれかの他のより特定の態様においては、熱界面材料は少なくとも１種類の酸化防止剤を更に含む。上記の態様のいずれかの他のより特定の態様においては、熱界面材料は少なくとも１種類のイオンスキャベンジャーを更に含む。上記の態様のいずれかの他のより特定の態様においては、熱界面材料は少なくとも１種類のチクソトロピック剤を更に含む。
[0017]他の態様においては、熱界面材料を形成するための配合物が提供される。この配合物は、溶媒、少なくとも１種類の相変化材料、少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、１種類以上の熱伝導性フィラー、及び少なくとも１種類の架橋剤を含み、熱伝導性フィラーは熱界面材料の乾燥重量（溶媒を含まない重量）の少なくとも８０重量％を構成し、熱伝導性フィラーは１ミクロン未満の粒径を有する第１の複数の粒子を含む。
[0018]他の態様においては、電子コンポーネントが提供される。本電子コンポーネントは、ヒートシンク、電子チップ、及びヒートシンクと電子チップの間に配置されている熱界面材料を含み、熱界面材料は、少なくとも１種類の相変化材料、少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、１種類以上の熱伝導性フィラー、及び少なくとも１種類の架橋剤を含み、熱伝導性フィラーは熱界面材料の全重量の少なくとも９１重量％を構成し、熱伝導性フィラーは１ミクロン未満の粒径を有する第１の複数の粒子を含む。電子チップとヒートシンクは垂直配向で配置され、熱界面材料は垂直に配向された電子チップとヒートシンクの間に垂直配向で配置される。
[0019]より特定の態様においては、熱界面材料の第１の表面は電子チップの表面と接触しており、熱界面材料の第２の表面はヒートシンクと接触している。他のより特定の態様においては、電子コンポーネントはヒートシンクと電子チップの間に配置されているヒートスプレッダーを含み、熱界面材料の第１の表面は電子チップの表面と接触しており、熱界面材料の第２の表面はヒートスプレッダーと接触している。更に他のより特定の態様においては、電子コンポーネントはヒートシンクと電子チップの間に配置されているヒートスプレッダーを含み、熱界面材料の第１の表面はヒートスプレッダーの表面と接触しており、熱界面材料の第２の表面はヒートシンクと接触している。
[0020]本発明の幾つかの態様の以下の記載を添付の図面と組み合わせて参照することによって、本発明の上述及び他の特徴及び有利性、並びにそれらを達成する方法がより明らかになり、本発明それ自体がより良好に理解されるであろう。
[0021]図１は、電子チップ、ヒートスプレッダー、ヒートシンク、並びに第１及び第２の熱界面材料を図示する。 [0022]図２は、垂直配向の図１の電子チップ、ヒートスプレッダー、ヒートシンク、並びに第１及び第２の熱界面材料を図示する。
[0023]幾つかの図面全体にわたって、対応する参照記号は対応する部品を示す。ここに示す例示は発明の代表的な態様を示すものであり、かかる例示はいかなるようにも発明の範囲を限定するように解釈すべきではない。
[0024]本発明は、電子コンポーネントから熱を逃がすのに有用な熱界面材料に関する。
Ａ．熱界面材料：
[0025]１つの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２が熱界面材料である。幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は、１種類以上の相変化材料、１種類以上のポリマーマトリクス材料、１種類以上の熱伝導性フィラー、１種類以上の架橋剤、及び場合によっては１種類以上の添加剤を含む。
ａ．熱伝導性フィラー：
[0026]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は少なくとも１種類の熱伝導性フィラーを含む。
[0027]代表的な熱伝導性フィラーとしては、金属、合金、非金属、金属酸化物、金属窒化物、及びセラミック、並びにこれらの組合せが挙げられる。代表的な金属としては、アルミニウム、銅、銀、亜鉛、ニッケル、スズ、インジウム、鉛、銀被覆銅又は銀被覆アルミニウムのような銀被覆金属、金属被覆炭素繊維、及びニッケル被覆繊維が挙げられるが、これらに限定されない。代表的な非金属としては、カーボン、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブ、炭素繊維、グラフェン、粉末状ダイヤモンド、ガラス、シリカ、窒化ケイ素、及びホウ素被覆粒子が挙げられるが、これらに限定されない。代表的な金属酸化物、金属窒化物、及びセラミックとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、及び酸化スズが挙げられるが、これらに限定されない。
[0028]ＴＩＭ２２には、ＴＩＭ２２の全重量を基準として８０重量％、８５重量％、９０重量％、９１重量％、９１．５重量％、９２重量％、９２．５重量％、９３重量％のような小さい値、９３．５重量％、９４重量％、９５重量％、９６重量％、９７重量％、９８重量％、９９重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば８０重量％〜９９重量％、９１重量％〜９９重量％、９１重量％〜９５重量％、又は９２重量％〜９４重量％の合計量の１種類以上の熱伝導性フィラーを含ませることができる。
[0029]熱伝導性フィラーは粒子として与えることができる。粒径を測るためには通常は平均粒径（Ｄ５０）が用いられる。代表的な粒子は、１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ、０．１ミクロン、０．２ミクロン、０．５ミクロン、１ミクロン、２ミクロン、３ミクロンのような小さい値、５ミクロン、８ミクロン、１０ミクロン、１２ミクロン、１５ミクロン、２０ミクロン、２５ミクロン、５０ミクロン、１００ミクロンのような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば１０ｎｍ〜１００ミクロン、０．１ミクロン〜２０ミクロン、又は０．５ミクロン〜１２ミクロンの平均粒径を有する。
[0030]一態様においては、第１の熱伝導性フィラーは、１ミクロン、０．９ミクロン、０．８ミクロン、０．６ミクロン、０．５ミクロン、０．２ミクロン、０．１ミクロン、又はそれ以下のような小さい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば１ミクロン〜０．１ミクロン、１ミクロン〜０．２ミクロン、又は１ミクロン〜０．８ミクロンの粒径を有する。より特定の態様においては、第１の熱伝導性フィラーは、１ミクロン以下の粒径を有する複数の酸化亜鉛粒子を含む。
[0031]一態様においては、第１の熱伝導性フィラーと共に与えられる第２の熱伝導性フィラーは、１ミクロン、２ミクロン、３ミクロン、４ミクロンのような小さい値、６ミクロン、８ミクロン、１０ミクロン、又は１２ミクロンのような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば１ミクロン〜１２ミクロン、３ミクロン〜１０ミクロン、２ミクロン〜４ミクロン、又は８ミクロン〜１２ミクロンの粒径を有する。より特定の態様においては、第２の熱伝導性フィラーは、１ミクロンより大きな粒径の混合物を有する粒子、例えば２ミクロン、３ミクロン、４ミクロンのような小さい値、６ミクロン、８ミクロン、１０ミクロン、又は１２ミクロンのような大きい値の粒径を有する粒子、或いはこれらの混合物を含む。より特定の態様においては、第１の熱伝導性フィラーは１ミクロンより大きな粒径を有する複数のアルミニウム粒子を含む。
[0032]より特定の態様においては、第２の熱伝導性フィラーは１ミクロンより大きな粒径を有する複数の粒子を含み、第１の熱伝導性フィラーは１ミクロン以下の粒径を有する複数の粒子を含み、第２の熱伝導性フィラーと第１の熱伝導性フィラーとの重量比は、０．５：１、１：１、１．２５：１、１．５：１、２：１、２．５：１のような小さい値、２．７５：１、３：１、５：１、１０：１、２０：１のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．５：１〜２０：１、１：１〜１０：１、１．２５：１〜５：１、又は２．５：１〜３：１である。
[0033]より特定の態様においては、熱伝導性フィラーは、１ミクロン、２ミクロン、３ミクロンのような小さい値、５ミクロン、８ミクロン、１０ミクロン、１２ミクロン、１５ミクロンのような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば１ミクロン〜１５ミクロン、又は２ミクロン〜１２ミクロン、或いは３ミクロン〜１０ミクロンの粒径を有する複数のアルミニウム粒子、及び１ミクロン以下の粒径を有する複数の酸化亜鉛粒子を含む。
ｂ．ポリマーマトリクス材料：
[0034]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２はポリマーマトリクス材料を含む。幾つかの代表的な態様においては、ポリマーマトリクス材料は、熱伝導性フィラーを導入するためのマトリクス与え、加熱及び加圧下でプレスした際に流動性を与える。
[0035]１つの代表的な態様においては、ポリマーマトリクス材料は、炭化水素ゴム化合物、又は複数のゴム化合物のブレンドを含む。代表的な材料としては、飽和及び不飽和ゴム化合物が挙げられる。幾つかの態様においては、飽和ゴムは、不飽和ゴム化合物よりも熱酸化分解に対して感受性がより低い可能性がある。代表的な飽和ゴム化合物としては、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＲ、ＥＰＤＭ）、ポリエチレン／ブチレン、ポリエチレン−ブチレン−スチレン、ポリエチレン−プロピレン−スチレン、水素化ポリアルキルジエン「モノオール」（例えば、水素化ポリブタジエンモノオール、水素化ポリプロパジエンモノオール、水素化ポリペンタジエンモノオール）、水素化ポリアルキルジエン「ジオール」（例えば、水素化ポリブタジエンジオール、水素化ポリプロパジエンジオール、水素化ポリペンタジエンジオール）、及び水素化ポリイソプレン、ポリオレフィンエラストマー、或いは任意の他の好適な飽和ゴム、或いはこれらのブレンドが挙げられる。一態様においては、ポリマーマトリクス材料は、特殊モノオールである水素化ポリブタジエンモノオール（ヒドロキシ末端エチレンブチレンコポリマーと呼ぶこともできる）である。
[0036]１つの代表的な態様においては、ポリマーマトリクス材料は、シリコーンゴム、シロキサンゴム、シロキサンコポリマー、又は任意の他の好適なシリコーン含有ゴムを含む。
[0037]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２には、ＴＩＭ２２の全重量を基準として、０．５重量％、１重量％、２重量％、３重量％、４重量％のような小さい値、５重量％、６重量％、７重量％、８重量％、１０重量％、１２重量％、１６重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば１重量％〜１６重量％、１重量％〜８重量％、又は４重量％〜６重量％の量のポリマーマトリクス材料を含ませることができる。
ｃ．相変化材料：
[0038]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は１種類以上の相変化材料を含む。相変化材料は、その中でＴＩＭ２２を用いる電子デバイスの部分の運転温度か又はそれよりも低い融点又は融点範囲を有する材料である。代表的な相変化材料は、パラフィンワックスのようなワックスである。パラフィンワックスは、一般式：ＣｎＨ２ｎ＋２を有し、約２０℃〜１００℃の範囲の融点を有する固体炭化水素の混合物である。ポリマーワックスとしてはポリエチレンワックス及びポリプロピレンワックスが挙げられ、通常は約４０℃〜１６０℃の範囲の融点を有する。他の代表的な相変化材料としては、ウッドメタル、フィールドメタルのような低融点合金、又は約２０℃〜９０℃の間の融点を有する金属若しくは合金が挙げられる。
[0039]幾つかの態様においては、ＴＩＭ２２の硬度を調節するために所定量の相変化材料を用いることができる。例えば、相変化材料の装填量が少ない幾つかの態様においては、組成物は軟質ゲルの形態にすることができ、相変化材料の装填量が多い幾つかの態様においては、組成物は硬質の固体にすることができる。ＴＩＭ２２には、ＴＩＭ２２の全重量を基準として、０．１重量％、０．２重量％、０．５重量％、１重量％、２重量％のような小さい値、３重量％、３．５重量％、４重量％、５重量％、７重量％、８重量％、１０重量％、１２重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．１重量％〜１０重量％、０．５重量％〜８重量％、又は０．５重量％〜５重量％の量の１種類以上の相変化材料を含ませることができる。
ｄ．カップリング剤：
[0040]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は１種類以上のカップリング剤を含む。幾つかの代表的な態様においては、カップリング剤を含ませると、ポリマーマトリクスと熱伝導性フィラーの間に界面を与えることによって、比較的高い温度における特性のような熱特性を向上させることができる。代表的なカップリング剤としては、米国特許出願公開２０１１／０３０８７８２（その開示事項はその全部を参照として本明細書中に包含する）に開示されているもののようなチタネートカップリング剤が挙げられる。代表的なカップリング剤としては、
[0041]チタン（ＩＶ）２，２(ビス２−プロペノラトメチル）ブタノラト，トリス（ジオクチル）ピロホスファト−Ｏ：
Figure 0006842469
[0042]ジルコニウム（ＩＶ）２，２（ビス２−プロペノラトメチル）ブタノラト，トリス（ジイソオクチル）ピロホスファト−Ｏ：
Figure 0006842469
[0043]１モルのジイソオクチルホスファイトを有するチタン（ＩＶ）２−プロパノラト，トリス（ジオクチル）ピロホスファト−Ｏ：付加体：
Figure 0006842469
[0044]チタン（ＩＶ）ビス（ジオクチル）ピロホスファト−Ｏ，オキソエチレンジオラト，(付加体），ビス（ジオクチル）（水素）ホスファイト−Ｏ：
Figure 0006842469
[0045]チタン（ＩＶ）ビス（ジオクチル）ピロホスファト−Ｏ，エチレンジオラト（付加体），ビス（ジオクチル）ハイドロジェンホスファイト：
Figure 0006842469
[0046]及び、ジルコニウム（ＩＶ）２，２−ビス（２−プロペノラトメチル）ブタノラト，シクロジ［２，２−（ビス２−プロペノラトメチル）ブタノラト］，ピロホスファト−Ｏ，Ｏ：
Figure 0006842469
が挙げられる。
[0047]１つの代表的な態様においては、カップリング剤はチタン（ＩＶ）２，２（ビス２−プロペノラトメチル）ブタノラト，トリス（ジオクチル）ピロホスファト−Ｏである。
[0048]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２には、ＴＩＭ２２の全重量を基準として、０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．５重量％のような小さい値、１重量％、２重量％、３重量％、５重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．１重量％〜５重量％、０．２重量％〜２重量％、又は０．２重量％〜１重量％の量の１種類以上のカップリング剤を含ませることができる。
ｅ．架橋剤：
[0049]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は、アミン又はアミンベースの樹脂のような１種類以上の架橋剤を含む。架橋剤は、架橋剤と、ポリマーマトリクス材料の少なくとも１つの上の第１級又は末端ヒドロキシル基との間の架橋反応を促進させるために熱界面材料組成物中に加えるか又は導入する。代表的な架橋剤は米国特許７，２４４，４９１（その開示事項はその全部を参照として本明細書中に包含する）に開示されている。
[0050]１つの代表的な態様においては、架橋剤は、アミン、又は樹脂骨格の任意の部分の上に少なくとも１つのアミン置換基を含むアミンベースの樹脂である。代表的なアミン及びアミンベースの樹脂としては、アルキル化メラミン樹脂、並びに尿素、チオ尿素、メラミン又は同類の化合物と、アルデヒド、特にホルムアルデヒドとの反応から誘導される合成樹脂が挙げられる。より特定の態様においては、架橋剤は、第１級アミン樹脂、第２級アミン樹脂、第３級アミン樹脂、グリシジルアミンエポキシ樹脂、アルコキシベンジルアミン樹脂、エポキシアミン樹脂、メラミン樹脂、アルキル化メラミン樹脂、及びメラミン−アクリル樹脂からなる群から選択される樹脂である。
[0051]１つの代表的な態様においては、架橋剤は、メラミン樹脂、例えばアルキル化メラミン樹脂、又は更により特にはブチル化メラミン樹脂である。メラミン樹脂は、環が３つの炭素及び３つの窒素原子を含む環系化合物である。メラミン樹脂は、通常は縮合反応によって他の化合物及び分子と容易に結合する。メラミン樹脂は、通常は他の分子及び化合物と反応させて連鎖成長及び架橋を促進させることができ、尿素樹脂よりも耐水性及び耐熱性であり、水溶性シロップとしてか又は水中に分散性の不溶性粉末として用いることができ、高い融点（３２５℃より高い）を有し、比較的不燃性である。ブチル化メラミン樹脂のようなアルキル化メラミン樹脂は、樹脂形成中にアルキルアルコールを導入することによって形成される。これらは塗料及びエナメル溶剤中、並びに表面被覆中に可溶である。
[0052]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２には、ＴＩＭ２２の全重量を基準として、０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．５重量％のような小さい値、１重量％、２重量％、３重量％、５重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．１重量％〜５重量％、０．２重量％〜２重量％、又は０．２重量％〜１重量％の量の１種類以上の架橋剤を含ませることができる。
ｆ．添加剤：
[0053]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は１種類以上の添加剤を含む。代表的な添加剤としては、酸化防止剤、イオンスキャベンジャー、及びチクソトロピック剤が挙げられる。
[0054]１つの代表的な態様においては、酸化防止剤は、フリーラジカルの電子を酸化剤へ移動させることによってポリマーマトリクスの熱劣化を抑止する。代表的な酸化防止剤としては、フェノールタイプの酸化防止剤、アミンタイプの酸化防止剤、又は立体障害フェノール又はアミンタイプの酸化防止剤のような任意の他の好適なタイプの酸化防止剤、或いはこれらの組合せが挙げられる。代表的な酸化防止剤としては、Irganox（登録商標）1076又はオクタデシル３−（３，５−ジ（ｔｅｒｔ）−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートのようなフェノールタイプの酸化防止剤；Irganox（登録商標）565又は２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（４，６−ビス（オクチルチオ）−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ）フェノールのようなアミンタイプの酸化防止剤；及び立体障害イオウ含有フェノール系酸化防止剤のようなイオウ含有フェノール系酸化防止剤が挙げられる。他の代表的な酸化防止剤としては、
[0055]Irganox（登録商標）1010：
Figure 0006842469
[0056]Irgafos 168（登録商標）：
Figure 0006842469
[0057]及び、Irganox（登録商標）802：
Figure 0006842469
が挙げられる。
[0058]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２には、ＴＩＭの全重量を基準として、０．０５重量％、０．１重量％、０．２重量％、０．５重量％のような小さい値、１重量％、１．５重量％、２重量％、５重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．０５重量％〜５重量％、０．１重量％〜２重量％、又は０．１重量％〜１重量％の量の１種類以上の酸化防止剤を含ませることができる。
[0059]１つの代表的な態様においては、イオンスキャベンジャーは、金属イオンを捕捉及び結合して、それらがポリマー中においてフリーラジカルの形成を開始することができないようにすることによってポリマーマトリクスの熱劣化を抑止する。代表的なイオンスキャベンジャーは、ＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＣＮ２０１４／０８１７２４（その開示事項はその全部を参照として本明細書中に包含する）に開示されている。代表的なイオンスキャベンジャーとしては、
[0060]Ｎ−サリチリデン−Ｎ’−サリチロイルヒドラジド：
Figure 0006842469
[0061]オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）：
Figure 0006842469
[0062]Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチロイル）ヒドラジン：
Figure 0006842469
[0063]３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾール：
Figure 0006842469
[0064]２，２’−オキサミドビス［エチル３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］：
Figure 0006842469
[0065]Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）エチレンジアミン：
Figure 0006842469
[0066]２’、３−ビス［［３−［３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル］プロピオニック］］プロピオニルヒドラジド：
Figure 0006842469
[0067]オキサニリド：
Figure 0006842469
[0068]メチルマロン酸ジアニリド：
Figure 0006842469
[0069]Ｎ−ホルミル−Ｎ’−サリチロイルヒドラジン：
Figure 0006842469
[0070]デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド：
Figure 0006842469
[0071]及び、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリトリトール−ジホスファイト：
Figure 0006842469
が挙げられる。
[0072]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２には、ＴＩＭの全重量を基準として、０．０５重量％、０．１重量％、０．２重量％、０．５重量％のような小さい値、０．６重量％、１重量％、１．５重量％、２重量％、５重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．０５重量％〜５重量％、０．１重量％〜１重量％、又は０．１重量％〜０．６重量％の量の１種類以上のイオンスキャベンジャーを含ませることができる。
[0073]代表的なチクソトロピック剤としては、ヒュームドシリカ及びセルロースが挙げられる。幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２には、ＴＩＭ２２の全重量を基準として、０．１重量％、０．２重量％、０．３重量％、０．５重量％のような小さい値、１重量％、２重量％、３重量％、５重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．１重量％〜５重量％、０．２重量％〜２重量％、又は０．２重量％〜１重量％の量の１種類以上のチクソトロピック剤を含ませることができる。
Ｂ．熱界面材料を形成する方法：
[0074]幾つかの態様においては、ＴＩＭ２２は、１種類以上のポリマーマトリクス材料、１種類以上の相変化材料、２種類以上の熱伝導性フィラー、１種類以上の溶媒、及び場合によっては１種類以上の添加剤を含む塗布可能な配合物から形成される。
[0075]代表的な溶媒は、米国特許出願公開２００７／０５１７７３３（その開示事項はその全部を参照として本明細書中に包含する）に記載されている。好適な溶媒としては、臨界温度のような所望の温度において揮発するか、或いは上述の設計目標又はニーズのいずれかを容易にすることができ、相変化材料と相互作用して上述の目標を達成するという点で相変化材料と適合性である純粋な溶媒或いは有機又は無機溶媒の混合物が挙げられる。幾つかの態様においては、溶媒、溶媒混合物、又はその組合せによって相変化材料を溶媒和して、それを印刷技術によって施すことができるようにする。幾つかの代表的な態様においては、溶媒又は２種類以上の溶媒の混合物は、炭化水素系溶媒から選択される。炭化水素溶媒は炭素及び水素を含む。炭化水素溶媒の大部分は非極性であるが、極性とみなされる小数の炭化水素溶媒が存在する。
[0076]炭化水素溶媒は一般に３つのクラス：脂肪族、環式、及び芳香族に分類される。脂肪族炭化水素溶媒は、直鎖化合物、及び分岐していて、場合によっては架橋している化合物の両方を含むが、脂肪族炭化水素溶媒は通常は環式とは考えられない。環式炭化水素溶媒は、環構造中に配されている少なくとも３つの炭素原子を含み、脂肪族炭化水素溶媒と同様の特性を有する溶媒である。芳香族炭化水素溶媒は、一般に３つ以上の不飽和結合を含み、単一の環、若しくは共有結合(common bond)によって結合している複数の環、及び／又は融合している複数の環を有する溶媒である。幾つかの代表的な態様においては、溶媒又は２種類以上の溶媒の混合物は、ケトン、アルコール、エステル、エーテル、及びアミンのように、炭化水素溶媒類の化合物の一部とはみなされない溶媒から選択される。更に他の意図される態様においては、溶媒又は溶媒混合物には、ここで言及する任意の複数の溶媒の組合せを含ませることができる。
[0077]代表的な炭化水素溶媒としては、トルエン、キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、メシチレン、溶剤ナフサＨ、溶剤ナフサＡ、Isopar H、並びに他のパラフィン油及びイソパラフィン液、アルカン、例えばペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、ノナン、オクタン、ドデカン、２−メチルブタン、ヘキサデカン、トリデカン、ペンタデカン、シクロペンタン、２，２，４−トリメチルペンタン、石油エーテル、ハロゲン化炭化水素、例えば塩素化炭化水素、ニトロ化炭化水素、ベンゼン、１，２−ジメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、ミネラルスピリット、ケロシン、イソブチルベンゼン、メチルナフタレン、エチルトルエン、リグロインが挙げられる。代表的なケトン溶媒としては、アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトンなどが挙げられる。
[0078]１つの代表的な態様において、溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、パラフィン油、イソパラフィン液、ベンゼン、トルエン、キシレン、及びこれらの混合物又は組合せから選択される１種類以上の溶媒が挙げられる。
[0079]幾つかの代表的な態様においては、配合物には、配合物の全重量を基準として、０．１重量％、０．５重量％、１重量％のような小さい値、５重量％、１０重量％、２０重量％のような大きい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内の量の１種類以上の溶媒を含ませることができる。
[0080]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２を形成する方法が提供される。幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２の形成には、ＴＩＭ２２を加熱処理及び乾燥するようなプロセスが含まれる。
[0081]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２の加熱処理は、２５℃、５０℃、７５℃、８０℃のような低い値、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７０℃のような高い値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内の温度で加熱処理することを含む。幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は、０．５分、１分、３０分、１時間、２時間のような短い時間、８時間、１２時間、２４時間、３６時間、４８時間のような長い時間、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内の時間加熱処理する。
Ｃ．熱界面材料の特性：
[0082]幾つかの態様においては、ＴＩＭ２２は、０．０５℃・ｃｍ２／Ｗ、０．０６℃・ｃｍ２／Ｗ、０．０７℃・ｃｍ２／Ｗのような低い値、０．０８℃・ｃｍ２／Ｗ、０．０９℃・ｃｍ２／Ｗ、０．１℃・ｃｍ２／Ｗ、０．１２℃・ｃｍ２／Ｗのような高い値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば０．０５℃・ｃｍ２／Ｗ〜０．１２℃・ｃｍ２／Ｗ、０．０６℃・ｃｍ２／Ｗ〜０．１℃・ｃｍ２／Ｗ、又は０．０６℃・ｃｍ２／Ｗ〜０．０８℃・ｃｍ２／Ｗの熱インピーダンスを有する。
[0083]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は、１３０℃の温度及び８５％の相対湿度において９６時間コンディショニングした後に、コンディショニングの前のＴＩＭ２２の熱インピーダンスよりも２０％以下高く、１０％以下高く、５％以下高く、又はそれ以下である熱インピーダンスを有する。
[0084]幾つかの代表的な態様においては、ＴＩＭ２２は、１５０℃の温度において１０００時間コンディショニングした後に、コンディショニングの前のＴＩＭ２２の熱インピーダンスよりも２０％以下高く、１０％以下高く、５％以下高く、又はそれ以下である熱インピーダンスを有する。
[0085]熱発生コンポーネントと熱消散コンポーネントの間に適用した後の適用されたＴＩＭの最終厚さは、ボンドライン厚（ＢＬＴ）と呼ばれる。ＢＬＴの値は、部分的に熱発生コンポーネントによって加熱された際のＴＩＭの流動性によって求められる。相変化材料（ＰＣＭ）には、熱発生コンポーネントによって加熱された際にＴＩＭの流動性を増加させ、それによってＢＬＴを減少させるワックス又は他の材料が含まれる。ＢＬＴは、式：ＴＩ＝ＢＬＴ／ＴＣによって熱インピーダンス（ＴＩ）及び熱伝導率（ＴＣ）に相関し、より低いＢＬＴは、同じ熱伝導率においてより低い熱インピーダンスをもたらす。いかなる特定の理論によっても縛られることは望まないが、複数の寸法の熱伝導性フィラーを含ませることによって、より小さい粒径がより大きな粒径の間に存在する間隙を充填して、ＴＩＭの流動性を増加させ、ＢＬＴを減少させると考えられる。低いＢＬＴを有するＴＩＭ配合物は、低い熱インピーダンスを有する傾向がある。
[0086]幾つかの態様においては、ＴＩＭ２２は、４０ｐｓｉの圧力にかけて８０℃に加熱した際に、８０ミクロン、７０ミクロン、６０ミクロン、５０ミクロン、４０ミクロンのような大きい値、３０ミクロン、２５ミクロン、２０ミクロン、１５ミクロン、１０ミクロン、５ミクロン、又はそれ以下のような小さい値、或いは上記の値の任意の２つの間で規定される任意の範囲内、例えば８０ミクロン〜５ミクロン、６０ミクロン〜１０ミクロン、又は３０〜２０ミクロンのボンドライン厚を有する。
[0087]幾つかの態様においては、ＴＩＭ２２は昇温温度における垂れに抵抗する。１つの代表的な垂れ試験においては、ＴＩＭ２２組成物を２つの金属棒の間に約０．６ｍｍの厚さで適用し、約３０ｐｓｉの圧力にかける。金属の間のＴＩＭ２２界面を垂直に配置し、１２０℃の温度に２日間かける。２日間の間に界面から垂れたＴＩＭ２２材料は、加熱試験の不合格を示す。次に、試料を−５５℃〜１２５℃の間で９０回サイクルさせる。サイクル試験中に界面から垂れたＴＩＭ２２材料は、サイクル試験の不合格を示す。
[0088]表１に示す組成にしたがって実施例を調製した。表１に示すように、実施例１は、メラミン樹脂架橋剤、並びに１ミクロンより大きい粒径を有するアルミニウム粒子及び１ミクロン未満の粒径を有する酸化亜鉛粒子を含む合計で約９１．９重量％の熱伝導性フィラーを含んでいた。比較例１はメラミン樹脂架橋剤を含んでおらず、合計で約９０．８重量％の熱伝導性フィラーしか含んでおらず、１ミクロン未満の粒径を有する粒子は含んでいなかった。比較例２はメラミン樹脂架橋剤を含んでいたが、合計で約８９．８重量％の熱伝導性フィラーしか有しておらず、１ミクロン未満の粒径を有する粒子は含んでいなかった。比較例３はメラミン樹脂架橋剤を含んでいなかったが、１ミクロンより大きい粒径を有するアルミニウム粒子及び１ミクロン未満の粒径を有する酸化亜鉛粒子を含む合計で約９３．０重量％の熱伝導性フィラーを含んでいた。
Figure 0006842469
[0089]それぞれのＴＩＭを、界面を垂直方向に配向した２つの金属プレートの間にサンドイッチし、３０ｐｓｉにかけた。それぞれの試料に関する元の厚さは、表２に示すように約０．６ｍｍであった。
[0090]それぞれの試料を、１２０℃の温度の加熱試験に２日間かけた。２日間の間に界面から垂れたＴＩＭ材料は、加熱試験の不合格を示す。次に、それぞれの試料を、２日半かけて−５５℃〜１２５℃の９０回の温度サイクルの熱サイクル試験にかけた。サイクル試験中に界面から垂れたＴＩＭ材料は、熱サイクル試験の不合格を示す。
Figure 0006842469
[0091]表２に示すように、サブミクロンの熱伝導性フィラー及び架橋剤を含んでいた実施例１のみが、加熱試験及び熱サイクル温度サイクル試験の両方に合格した。架橋剤を含んでいたが、サブミクロンのフィラーを含んでいなかった比較例１及び２は、加熱試験及び熱サイクル試験の両方に不合格であった。サブミクロンのフィラーを含んでいたが、架橋剤を含んでいなかった比較例３は、加熱試験には合格したが、熱サイクル試験には不合格であった。実施例１はいずれの比較例よりも良好な垂れ防止特性を有していた。
[0092]次に、それぞれのＴＩＭを熱的信頼性試験にかけた。それぞれの試料を９０℃の金型内に１時間サンドイッチし、元の熱インピーダンス及び厚さ（ボンドライン厚）を測定した。比較例１、比較例２、及び実施例１に関して、それぞれの材料の最初の２つの試料は３５ｐｓｉでプレスし、一方で３番目の試料は加圧なしで加熱した。比較例３に関しては、３つの試料のいずれにも圧力を加えなかった。
[0093]それぞれの試料を２６０℃において１０分間加熱し、その時間の後に試料を清浄にし、再び熱インピーダンス試験した。実施例１に関しては、試料をまた２０分間加熱し、その後にそれらを清浄にし、再び熱インピーダンスを試験した。加熱後に熱インピーダンスの変化がより小さいことが望ましい。
Figure 0006842469
[0094]表３において示されるように、サブミクロンの熱伝導性フィラー及び架橋剤を含んでいた実施例１のみが、加圧（３５ｐｓｉ）及び非加圧（０ｐｓｉ）の結果の両方において良好な結果を与えた。実施例１の熱インピーダンスは、２６℃で２０分後においても比較的一定であることが示された。架橋剤を含んでいたが、サブミクロンのフィラーを含んでいなかった比較例１及び２は、加圧（３５ｐｓｉ）に関して熱インピーダンスの増加、及び非加圧（０ｐｓｉ）に関して熱インピーダンスの相当な増加を示した。サブミクロンのフィラーを含んでいたが、架橋剤を含んでいなかった比較例３は、非加圧（０ｐｓｉ）に関して熱インピーダンスの相当な増加を示した。したがって、実施例１はいずれの比較例よりも良好な信頼性を与えた。
[0095]本発明を代表的なデザインを有するものとして記載したが、本発明は本開示の精神及び範囲内で更に修正することができる。したがって本出願は、その一般原理を用いる発明の任意の変更、使用、又は適合をカバーすると意図される。更に、本出願は、本発明が属する技術における公知又は慣習的な実施の範囲内に含まれる本発明からのかかる逸脱をカバーすると意図され、これは添付の特許請求の範囲の限界内である。

Claims (7)

  1. １重量％〜１２重量％の、水素化ポリアルキルジエンモノオール及び水素化ポリアルキルジエンジオールから選択される、少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、
    ０．５重量％〜８重量％の、２０℃〜１００℃の範囲の融点を有するパラフィンワックス及び４０℃〜１６０℃の範囲の融点を有するポリマーワックスから選択される、少なくとも１種類の相変化材料、
    ０．１重量％〜１重量％の少なくとも１種類のアミン又はアミンベースの架橋剤、及び
    ０．１ミクロン〜１ミクロンの粒径を有する酸化亜鉛の粒子及び２ミクロン〜１２ミクロンの粒径を有するアルミニウムの粒子からなり、熱界面材料の全重量の少なくとも８５重量％を構成する熱伝導性フィラー、
    を含み、
    前記酸化亜鉛の粒子の前記アルミニウムの粒子の重量比が１：２．５乃至１：３である、
    熱界面材料。
  2. アミン又はアミンベースの架橋剤がアルキル化メラミン樹脂である、請求項１に記載の熱界面材料。
  3. 熱界面材料が、熱界面材料の全重量を基準として、１重量％〜８重量％の少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、０．５重量％〜５重量％の少なくとも１種類の相変化材料、０．１重量％〜１重量％の少なくとも１種類のアミン又はアミンベースの架橋剤、及び９１重量％〜９５重量％の熱伝導性フィラーを含む、請求項１に記載の熱界面材料。
  4. 少なくとも１種類のカップリング剤、酸化防止剤、イオンスキャベンジャー、又はチクソトロピック剤を更に含む、請求項１に記載の熱界面材料。
  5. ヒートシンク；
    電子チップ；
    垂直配向のヒートシンクと電子チップの間に配置されており、
    １重量％〜１２重量％の、水素化ポリアルキルジエンモノオール及び水素化ポリアルキルジエンジオールから選択される、少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、
    ０．５重量％〜８重量％の、２０℃〜１００℃の範囲の融点を有するパラフィンワックス及び４０℃〜１６０℃の範囲の融点を有するポリマーワックスから選択される、少なくとも１種類の相変化材料、
    ０．１重量％〜１重量％の少なくとも１種類のアミン又はアミンベースの架橋剤、及び
    ０．１ミクロン〜１ミクロンの粒径を有する酸化亜鉛の粒子及び２ミクロン〜１２ミクロンの粒径を有するアルミニウムの粒子からなり、熱界面材料の全重量の少なくとも８５重量％を構成する熱伝導性フィラーを含み、前記酸化亜鉛の粒子の前記アルミニウムの粒子の重量比が１：２．５乃至１：３である、熱界面材料、
    を含む電子コンポーネント。
  6. アミン又はアミンベースの架橋剤がアルキル化メラミン樹脂である、請求項５に記載の電子コンポーネント。
  7. 前記熱界面材料が、熱界面材料の全重量を基準として、１重量％〜８重量％の少なくとも１種類のポリマーマトリクス材料、０．５重量％〜５重量％の少なくとも１種類の相変化材料、０．１重量％〜１重量％の少なくとも１種類のアミン又はアミンベースの架橋剤、及び９１重量％〜９５重量％の熱伝導性フィラーを含む、請求項５に記載の電子コンポーネント。
JP2018546699A 2016-03-08 2016-03-08 相変化材料 Active JP6842469B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2016/075827 WO2017152353A1 (en) 2016-03-08 2016-03-08 Phase change material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019515968A JP2019515968A (ja) 2019-06-13
JP6842469B2 true JP6842469B2 (ja) 2021-03-17

Family

ID=59789972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018546699A Active JP6842469B2 (ja) 2016-03-08 2016-03-08 相変化材料

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10781349B2 (ja)
EP (1) EP3426746B1 (ja)
JP (1) JP6842469B2 (ja)
KR (1) KR102554661B1 (ja)
CN (1) CN109072051B (ja)
BR (1) BR112018067991A2 (ja)
MX (1) MX2018010819A (ja)
TW (1) TWI718266B (ja)
WO (1) WO2017152353A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112016029690A2 (pt) 2014-07-07 2017-08-22 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US10567084B2 (en) * 2017-12-18 2020-02-18 Honeywell International Inc. Thermal interface structure for optical transceiver modules
US11162744B2 (en) * 2018-01-08 2021-11-02 Hamilton Sundstrand Corporation Heat sink phase change material
CN108365034B (zh) * 2018-01-19 2020-07-31 合肥晶澳太阳能科技有限公司 含相变材料的散热层及其制备方法及太阳能光伏组件
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
EP3857597A4 (en) * 2018-09-27 2022-10-05 Henkel AG & Co. KGaA ABRASION RESISTANT COATINGS FOR THERMAL INTERFACES
US10679923B1 (en) * 2019-01-09 2020-06-09 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Encapsulated phase change porous layer
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
US11037860B2 (en) * 2019-06-27 2021-06-15 International Business Machines Corporation Multi layer thermal interface material
JP7347273B2 (ja) * 2020-03-11 2023-09-20 住友金属鉱山株式会社 熱伝導性組成物
CN111303821A (zh) * 2020-03-14 2020-06-19 广东力王新材料有限公司 单组分储热灌封材料
US11774190B2 (en) 2020-04-14 2023-10-03 International Business Machines Corporation Pierced thermal interface constructions
US20220025241A1 (en) * 2020-07-27 2022-01-27 Google Llc Thermal interface material and method for making the same
WO2022031654A1 (en) * 2020-08-03 2022-02-10 Henkel IP & Holding GmbH Hydrosilation curable compositions
CN111987266A (zh) * 2020-09-02 2020-11-24 博罗县矩之阵新能源有限公司 基于相变材料储热支架及电池模组

Family Cites Families (399)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1655133A (en) 1926-11-09 1928-01-03 Charles A Clase Inside micrometer gauge
US2451600A (en) 1945-02-03 1948-10-19 Atlantic Refining Co Tube gauge
US2810203A (en) 1954-08-06 1957-10-22 Sun Oil Co Tube calipering device
GB989845A (en) 1963-05-03 1965-04-22 Polymer Corp Improved butyl rubber-polyolefine blends
US4006530A (en) 1974-04-09 1977-02-08 Schlumberger Technology Corporation Apparatus for measuring the diameter of a well bore
JPS5314131A (en) 1975-05-02 1978-02-08 Nobuyasu Doi Luster tinnlead alloy electroplating method
CH588683A5 (ja) 1975-07-28 1977-06-15 Concast Ag
US4180498A (en) 1976-07-30 1979-12-25 Ciba-Geigy Corporation Hindered phenyl phosphites
CH630174A5 (de) 1978-04-05 1982-05-28 Hans Meyer Innenmessgeraet.
DE2933870A1 (de) 1979-08-21 1981-03-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München N.n'-bis-salicyloyl-hydrazin als metalldesaktivator.
FR2518738B1 (fr) 1981-12-23 1985-10-18 Flopetrol Etu Fabrications Dispositif pour la mesure de dimensions internes d'un tube, notamment dans un puits et procede de mesure de deplacement applicable a un tel dispositif
IT1157405B (it) 1982-01-15 1987-02-11 Finike Italiana Marposs Comparatore per il controllo delle dimensioni lineari di pezzi meccanici
JPS5967387A (ja) 1982-10-08 1984-04-17 Hiyougoken すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴
US4565610A (en) 1983-12-22 1986-01-21 Learonal, Inc. Bath and process for plating lead and lead/tin alloys
US4604424A (en) 1986-01-29 1986-08-05 Dow Corning Corporation Thermally conductive polyorganosiloxane elastomer composition
EP0267282A1 (en) 1986-04-23 1988-05-18 Battelle Development Corporation Chromatographic apparatus and process
FR2607431B1 (fr) 1986-12-02 1989-03-10 Clextral Procede et installation de montage et demontage des vis d'une machine d'extrusion
US4832781A (en) 1988-01-07 1989-05-23 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum
US4816086A (en) 1988-04-25 1989-03-28 Armstrong World Industries, Inc. Compositions useful in copper oxidation, and a method to prepare copper oxidation solutions
US4910050A (en) 1988-08-04 1990-03-20 Hughes Aircraft Company Method and composition for providing electrostatic discharge protection for spacecraft
JP2611364B2 (ja) 1988-08-26 1997-05-21 上村工業株式会社 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法
EP0433816B1 (de) 1989-12-18 1994-04-20 Riedel-De Haen Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lösung eines Buntmetallsulfonats
JP2745438B2 (ja) * 1990-07-13 1998-04-28 株式会社荏原製作所 加熱用伝熱材料及び発熱体とそれを用いた加熱装置
US5403580A (en) 1991-01-22 1995-04-04 Dow Corning Corporation Organosilicon gels and method of making
US5167851A (en) 1991-04-22 1992-12-01 Thermoset Plastics, Inc. Hydrophilic thermally conductive grease
US5084099A (en) * 1991-06-17 1992-01-28 Tektronix, Inc. Phase change ink colorants and phase change inks produced therefrom
JPH0543116A (ja) 1991-08-15 1993-02-23 Ricoh Co Ltd コピートレイ
US5294923A (en) 1992-01-31 1994-03-15 Baker Hughes Incorporated Method and apparatus for relaying downhole data to the surface
JP3175979B2 (ja) 1992-09-14 2001-06-11 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US6197859B1 (en) 1993-06-14 2001-03-06 The Bergquist Company Thermally conductive interface pads for electronic devices
WO1995002313A1 (en) 1993-07-06 1995-01-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat dissipating sheet
US6090484A (en) 1995-05-19 2000-07-18 The Bergquist Company Thermally conductive filled polymer composites for mounting electronic devices and method of application
US5562814A (en) 1995-09-01 1996-10-08 Dale Electronics, Inc. Sludge-limiting tin and/or lead electroplating bath
CA2243852C (en) 1996-01-22 2006-11-07 The Dow Chemical Company Polyolefin elastomer blends exhibiting improved properties
EP0956590A1 (en) 1996-04-29 1999-11-17 Parker-Hannifin Corporation Conformal thermal interface material for electronic components
US5950066A (en) 1996-06-14 1999-09-07 The Bergquist Company Semisolid thermal interface with low flow resistance
US5738936A (en) 1996-06-27 1998-04-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive polytetrafluoroethylene article
US5930115A (en) 1996-08-26 1999-07-27 Compaq Computer Corp. Apparatus, method and system for thermal management of a semiconductor device
US5816699A (en) 1997-06-13 1998-10-06 Entek Manufacturing Inc. Twin screw extruder barrel with an easily removable seamless insert having a wear and corrosion resistant lining
JP3662715B2 (ja) 1997-06-16 2005-06-22 アルプス電気株式会社 導電性材料および導電ペーストと電子機器
JP4015722B2 (ja) 1997-06-20 2007-11-28 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性ポリマー組成物
US6432497B2 (en) 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
US6096414A (en) 1997-11-25 2000-08-01 Parker-Hannifin Corporation High dielectric strength thermal interface material
FR2775481B1 (fr) 1998-02-27 2003-10-24 Rhodia Chimie Sa Composition silicone adhesive reticulable et utilisation de cette composition pour le collage de substrats divers
JP3948642B2 (ja) 1998-08-21 2007-07-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置
US6432320B1 (en) 1998-11-02 2002-08-13 Patrick Bonsignore Refrigerant and heat transfer fluid additive
US20040069454A1 (en) 1998-11-02 2004-04-15 Bonsignore Patrick V. Composition for enhancing thermal conductivity of a heat transfer medium and method of use thereof
JP2000143808A (ja) 1998-11-17 2000-05-26 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 熱伝導性・電気絶縁性シリコーンゲル組成物
US6299721B1 (en) 1998-12-14 2001-10-09 Gould Electronics Incl Coatings for improved resin dust resistance
CN1206892C (zh) 1998-12-15 2005-06-15 帕克-汉尼芬有限公司 相变热界面材料的施涂方法
US6238596B1 (en) * 1999-03-09 2001-05-29 Johnson Matthey Electronics, Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US6165612A (en) 1999-05-14 2000-12-26 The Bergquist Company Thermally conductive interface layers
US6391442B1 (en) 1999-07-08 2002-05-21 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Phase change thermal interface material
US20070241303A1 (en) 1999-08-31 2007-10-18 General Electric Company Thermally conductive composition and method for preparing the same
US6605238B2 (en) 1999-09-17 2003-08-12 Honeywell International Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US6706219B2 (en) 1999-09-17 2004-03-16 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
US6975944B1 (en) 1999-09-28 2005-12-13 Alpha Mos Method and apparatus for monitoring materials used in electronics
US6496373B1 (en) 1999-11-04 2002-12-17 Amerasia International Technology, Inc. Compressible thermally-conductive interface
US6395811B1 (en) * 1999-11-11 2002-05-28 3D Systems, Inc. Phase change solid imaging material
JP2001139818A (ja) 1999-11-12 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーンゴム組成物
US6797382B2 (en) * 1999-12-01 2004-09-28 Honeywell International Inc. Thermal interface materials
US6673434B2 (en) 1999-12-01 2004-01-06 Honeywell International, Inc. Thermal interface materials
US6451422B1 (en) 1999-12-01 2002-09-17 Johnson Matthey, Inc. Thermal interface materials
DE19959262A1 (de) 1999-12-09 2001-06-21 Altoflex S A Leitfähiges pastöses Material und dessen Verwendung
US7078109B2 (en) 2000-02-25 2006-07-18 Thermagon Inc. Heat spreading thermal interface structure
US6940721B2 (en) 2000-02-25 2005-09-06 Richard F. Hill Thermal interface structure for placement between a microelectronic component package and heat sink
US6372997B1 (en) 2000-02-25 2002-04-16 Thermagon, Inc. Multi-layer structure and method for forming a thermal interface with low contact resistance between a microelectronic component package and heat sink
US7369411B2 (en) 2000-02-25 2008-05-06 Thermagon, Inc. Thermal interface assembly and method for forming a thermal interface between a microelectronic component package and heat sink
US6984685B2 (en) 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
US6339120B1 (en) 2000-04-05 2002-01-15 The Bergquist Company Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US6649325B1 (en) 2001-05-25 2003-11-18 The Bergquist Company Thermally conductive dielectric mounts for printed circuitry and semi-conductor devices and method of preparation
US6797758B2 (en) 2000-04-05 2004-09-28 The Bergquist Company Morphing fillers and thermal interface materials
US20030207128A1 (en) 2000-04-10 2003-11-06 Tomoaki Uchiya Thermally conductive sheet
US6400565B1 (en) 2000-04-21 2002-06-04 Dell Products L.P. Thermally conductive interface member
EP1149864A1 (en) 2000-04-28 2001-10-31 STMicroelectronics S.r.l. Polymeric composition for packaging a semiconductor electronic device and packaging obtained therefrom
US6616999B1 (en) 2000-05-17 2003-09-09 Raymond G. Freuler Preapplicable phase change thermal interface pad
US6500891B1 (en) 2000-05-19 2002-12-31 Loctite Corporation Low viscosity thermally conductive compositions containing spherical thermally conductive particles
US6506332B2 (en) 2000-05-31 2003-01-14 Honeywell International Inc. Filling method
JP2003535465A (ja) 2000-05-31 2003-11-25 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 充填装置
GB0014622D0 (en) 2000-06-16 2000-08-09 D C Heat Limited Clothing or footwear with heating element
JP2002003830A (ja) 2000-06-26 2002-01-09 Denki Kagaku Kogyo Kk 高熱伝導性組成物とその用途
US6610635B2 (en) 2000-09-14 2003-08-26 Aos Thermal Compounds Dry thermal interface material
US6475962B1 (en) 2000-09-14 2002-11-05 Aos Thermal Compounds, Llc Dry thermal grease
US20040206941A1 (en) 2000-11-22 2004-10-21 Gurin Michael H. Composition for enhancing conductivity of a carrier medium and method of use thereof
US20030151030A1 (en) 2000-11-22 2003-08-14 Gurin Michael H. Enhanced conductivity nanocomposites and method of use thereof
US6573328B2 (en) 2001-01-03 2003-06-03 Loctite Corporation Low temperature, fast curing silicone compositions
MXPA03006498A (es) 2001-01-22 2003-10-15 Parker Hannifin Corp Entrecara termica de cambio de fase, de liberacion limpia.
US20020187364A1 (en) 2001-03-16 2002-12-12 Shipley Company, L.L.C. Tin plating
US7060747B2 (en) 2001-03-30 2006-06-13 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
US6469379B1 (en) 2001-03-30 2002-10-22 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
JP3580366B2 (ja) 2001-05-01 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
EP1401641A4 (en) 2001-05-30 2007-12-12 Honeywell Int Inc BONDING MATERIALS AND MANUFACTURING METHOD AND USE THEREOF
US7608324B2 (en) 2001-05-30 2009-10-27 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
US6818301B2 (en) 2001-06-01 2004-11-16 Psiloquest Inc. Thermal management with filled polymeric polishing pads and applications therefor
US7038009B2 (en) 2001-08-31 2006-05-02 Cool Shield, Inc. Thermally conductive elastomeric pad and method of manufacturing same
CN1260399C (zh) 2001-08-31 2006-06-21 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 电解镀锡溶液和用于电镀的方法
FR2831548B1 (fr) 2001-10-31 2004-01-30 Rhodia Chimie Sa Composition silicone adhesive reticulable comprenant comme agent thixotropant un compose a fonction amine cyclique portee par une chaine siloxanique
US20030112603A1 (en) 2001-12-13 2003-06-19 Roesner Arlen L. Thermal interface
US6620515B2 (en) 2001-12-14 2003-09-16 Dow Corning Corporation Thermally conductive phase change materials
KR100479857B1 (ko) 2001-12-28 2005-03-30 제일모직주식회사 반도체 패키지용 실리콘 수지 조성물
US6597575B1 (en) 2002-01-04 2003-07-22 Intel Corporation Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
JP3844125B2 (ja) * 2002-01-22 2006-11-08 信越化学工業株式会社 放熱部材、その製造方法及びその敷設方法
US6946190B2 (en) 2002-02-06 2005-09-20 Parker-Hannifin Corporation Thermal management materials
DE60229072D1 (de) 2002-02-06 2008-11-06 Parker Hannifin Corp Wärmesteuerungsmaterialien mit phasenumwandlungsdispersion
US7846778B2 (en) 2002-02-08 2010-12-07 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US6926955B2 (en) 2002-02-08 2005-08-09 Intel Corporation Phase change material containing fusible particles as thermally conductive filler
US20040149587A1 (en) 2002-02-15 2004-08-05 George Hradil Electroplating solution containing organic acid complexing agent
US20030159938A1 (en) 2002-02-15 2003-08-28 George Hradil Electroplating solution containing organic acid complexing agent
EP1342817A3 (en) 2002-03-05 2006-05-24 Shipley Co. L.L.C. Limiting the loss of tin through oxidation in tin or tin alloy electroplating bath solutions
US6913686B2 (en) 2002-12-10 2005-07-05 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for analyzing solder plating solutions
US20030171487A1 (en) 2002-03-11 2003-09-11 Tyco Electronics Corporation Curable silicone gum thermal interface material
US6815486B2 (en) 2002-04-12 2004-11-09 Dow Corning Corporation Thermally conductive phase change materials and methods for their preparation and use
US7208191B2 (en) 2002-04-23 2007-04-24 Freedman Philip D Structure with heat dissipating device and method
US20030203181A1 (en) 2002-04-29 2003-10-30 International Business Machines Corporation Interstitial material with enhanced thermal conductance for semiconductor device packaging
US7147367B2 (en) 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
US20030230403A1 (en) 2002-06-14 2003-12-18 Webb Brent J. Conductive thermal interface and compound
US6791839B2 (en) 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
JP2005538535A (ja) * 2002-07-15 2005-12-15 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 熱的インターコネクトおよびインターフェースシステム、製造方法およびその使用
JP4016326B2 (ja) 2002-08-02 2007-12-05 石原薬品株式会社 無電解スズメッキ浴
US6657297B1 (en) 2002-08-15 2003-12-02 The Bergquist Company Flexible surface layer film for delivery of highly filled or low cross-linked thermally conductive interface pads
US6761932B2 (en) 2002-08-23 2004-07-13 Basf Corporation Method to improve adhesion of primers to substrates
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6908682B2 (en) 2002-09-12 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic
WO2004028994A2 (en) 2002-09-25 2004-04-08 The Intertech Group, Inc. Fiber reinforced cementitious material
US6783692B2 (en) 2002-10-17 2004-08-31 Dow Corning Corporation Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation
WO2004037447A1 (en) 2002-10-21 2004-05-06 Laird Technologies, Inc. Thermally conductive emi shield
US6956739B2 (en) 2002-10-29 2005-10-18 Parker-Hannifin Corporation High temperature stable thermal interface material
CN1296994C (zh) 2002-11-14 2007-01-24 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
FR2848215B1 (fr) 2002-12-04 2006-08-04 Rhodia Chimie Sa Composition elastomere silicone, adhesive, monocomposante et reticulable par polyaddition
US7326042B2 (en) 2002-12-24 2008-02-05 Bostik Findley, Inc. Apparatus for packaging hot melt adhesives using a mold and carrier
JP4288469B2 (ja) 2003-03-12 2009-07-01 石原薬品株式会社 銅侵食防止用の無電解スズメッキ浴、及び銅侵食防止方法
US6924027B2 (en) 2003-03-31 2005-08-02 Intel Corporation Phase change thermal interface materials including exfoliated clay
CN1799107A (zh) * 2003-04-02 2006-07-05 霍尼韦尔国际公司 热互连和界面系统,其制备方法和应用
US7013965B2 (en) 2003-04-29 2006-03-21 General Electric Company Organic matrices containing nanomaterials to enhance bulk thermal conductivity
US6901675B2 (en) 2003-05-27 2005-06-07 Bristol Compressors, Inc. System and method for sizing a center bore of a laminated rotor
US7744991B2 (en) 2003-05-30 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Thermally conducting foam interface materials
US7229683B2 (en) 2003-05-30 2007-06-12 3M Innovative Properties Company Thermal interface materials and method of making thermal interface materials
TWI251320B (en) 2003-07-04 2006-03-11 Fuji Polymer Ind Thermal conductive composition, a heat-dissipating putty sheet and heat-dissipating structure using the same
JP4337433B2 (ja) 2003-07-08 2009-09-30 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルのエージング方法およびエージング装置
KR100981571B1 (ko) 2003-07-26 2010-09-10 삼성전자주식회사 다중 입력 다중 출력 적응 안테나 어레이 방식을 사용하는이동 통신 시스템에서 신호 송수신 시스템 및 방법
US6951182B2 (en) 2003-07-29 2005-10-04 Onweller Arthur E Marine Mooring Line Vermin Shield
US7253523B2 (en) 2003-07-29 2007-08-07 Intel Corporation Reworkable thermal interface material
US7408787B2 (en) * 2003-07-30 2008-08-05 Intel Corporation Phase change thermal interface materials including polyester resin
US6874573B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermal interface material
US6985690B2 (en) 2003-07-31 2006-01-10 Xerox Corporation Fuser and fixing members containing PEI-PDMS block copolymers
JP2005060822A (ja) 2003-08-08 2005-03-10 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 複合基体の電気メッキ
CN1580116A (zh) 2003-08-15 2005-02-16 台盐实业股份有限公司 散热界面材料组成
US8039961B2 (en) 2003-08-25 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite carbon nanotube-based structures and methods for removing heat from solid-state devices
US20050049350A1 (en) 2003-08-25 2005-03-03 Sandeep Tonapi Thin bond-line silicone adhesive composition and method for preparing the same
US7550097B2 (en) 2003-09-03 2009-06-23 Momentive Performance Materials, Inc. Thermal conductive material utilizing electrically conductive nanoparticles
US20050072334A1 (en) 2003-10-07 2005-04-07 Saint-Gobain Performance Plastics, Inc. Thermal interface material
DE10347378A1 (de) 2003-10-07 2005-05-12 Huhtamaki Alf Zweigniederlassu Behälter
WO2005047378A2 (en) 2003-11-05 2005-05-26 Dow Corning Corporation Thermally conductive grease and methods and devices in which said grease is used
JP4219793B2 (ja) 2003-11-25 2009-02-04 信越化学工業株式会社 放熱用シリコーングリース組成物
US7306823B2 (en) 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
US7119143B2 (en) 2004-03-04 2006-10-10 Laird Technologies, Inc. Silicone pads for electronics thermal management
US20050228097A1 (en) 2004-03-30 2005-10-13 General Electric Company Thermally conductive compositions and methods of making thereof
WO2005097906A1 (ja) 2004-04-01 2005-10-20 Kaneka Corporation 一液型硬化性組成物
CN1950459B (zh) 2004-05-07 2011-05-25 株式会社钟化 改善了固化性和粘接性的固化性组合物
JP4501526B2 (ja) 2004-05-14 2010-07-14 住友化学株式会社 高熱伝導性樹脂組成物
WO2005111146A1 (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Techno Polymer Co., Ltd. 熱伝導性樹脂組成物及びその製造方法並びにハウジング
JP4480457B2 (ja) 2004-05-17 2010-06-16 株式会社カネカ 硬化性組成物
CN100578769C (zh) 2004-05-20 2010-01-06 通用电气公司 含有纳米材料以增强体积导热率的有机基体
US20050287362A1 (en) 2004-06-23 2005-12-29 3M Innovative Properties Company Halogen free tapes & method of making same
WO2006017193A1 (en) 2004-07-13 2006-02-16 Henkel Corporation Novel packaging solution for highly filled phase-change thermal interface material
KR101261064B1 (ko) 2004-08-23 2013-05-06 제너럴 일렉트릭 캄파니 열 전도성 조성물 및 그의 제조 방법
ES2367796T3 (es) 2004-08-31 2011-11-08 Basf Se Estabilización de materiales orgánicos.
US20060060980A1 (en) 2004-09-22 2006-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ic package having ground ic chip and method of manufacturing same
JP5478827B2 (ja) 2004-10-28 2014-04-23 ダウ・コーニング・コーポレイション 硬化可能な伝導組成物
US7328547B2 (en) 2004-10-29 2008-02-12 Bostik, Inc. Process for packaging plastic materials like hot melt adhesives
US20060094809A1 (en) 2004-11-02 2006-05-04 Simone Davide L Electrically and thermally conductive silicone adhesive compositions
CN101056945B (zh) 2004-11-10 2011-04-13 株式会社钟化 固化性组合物
WO2006083339A1 (en) 2005-02-01 2006-08-10 Dow Corning Corporation Curable coating compositions
US7241707B2 (en) 2005-02-17 2007-07-10 Intel Corporation Layered films formed by controlled phase segregation
CN100543103C (zh) 2005-03-19 2009-09-23 清华大学 热界面材料及其制备方法
US20060228542A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material having spheroidal particulate filler
US20060260948A2 (en) 2005-04-14 2006-11-23 Enthone Inc. Method for electrodeposition of bronzes
CN100404242C (zh) 2005-04-14 2008-07-23 清华大学 热界面材料及其制造方法
WO2006117920A1 (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Meltex Inc. スズめっき液、そのスズめっき液を用いためっき方法、スズめっき液調整方法及びそのスズめっき液を用いてスズめっき層を形成したチップ部品
US20070116626A1 (en) 2005-05-11 2007-05-24 Molecular Nanosystems, Inc. Methods for forming carbon nanotube thermal pads
US20060264566A1 (en) 2005-05-19 2006-11-23 Wacker Chemical Corporation HCR room temperature curable rubber composition
EP2112249A1 (en) 2005-05-26 2009-10-28 Nanocomp Technologies, Inc. Systems and methods for thermal management of electronic components
JP2007002002A (ja) 2005-06-21 2007-01-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 伝熱性樹脂組成物
US20070013054A1 (en) 2005-07-12 2007-01-18 Ruchert Brian D Thermally conductive materials, solder preform constructions, assemblies and semiconductor packages
US20070051773A1 (en) 2005-09-02 2007-03-08 Ruchert Brian D Thermal interface materials, methods of preparation thereof and their applications
JP4860229B2 (ja) 2005-10-11 2012-01-25 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性グリース組成物
US20070097651A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Techfilm, Llc Thermal interface material with multiple size distribution thermally conductive fillers
JP2007131798A (ja) 2005-11-14 2007-05-31 Kaneka Corp 硬化性組成物
CN1970666A (zh) 2005-11-24 2007-05-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 导热胶
CN1978582A (zh) 2005-12-09 2007-06-13 富准精密工业(深圳)有限公司 导热膏及使用该导热膏的电子装置
US7465605B2 (en) 2005-12-14 2008-12-16 Intel Corporation In-situ functionalization of carbon nanotubes
US7262369B1 (en) 2006-03-09 2007-08-28 Laird Technologies, Inc. Combined board level EMI shielding and thermal management
JP4933094B2 (ja) 2005-12-27 2012-05-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
US7964542B2 (en) 2006-01-12 2011-06-21 International Business Machines Corporation Enhanced thermo-oxidative stability thermal interface compositions and use thereof in microelectronics assembly
US20070166554A1 (en) 2006-01-18 2007-07-19 Ruchert Brian D Thermal interconnect and interface systems, methods of production and uses thereof
US20070179232A1 (en) 2006-01-30 2007-08-02 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermal Interface Material
US7440281B2 (en) 2006-02-01 2008-10-21 Apple Inc. Thermal interface apparatus
WO2007106209A2 (en) * 2006-02-23 2007-09-20 Dow Corning Corporation Thermally conductive grease and methods and devices in which said grease is used
US7463496B2 (en) 2006-03-09 2008-12-09 Laird Technologies, Inc. Low-profile board level EMI shielding and thermal management apparatus and spring clips for use therewith
US20070219312A1 (en) 2006-03-17 2007-09-20 Jennifer Lynn David Silicone adhesive composition and method for preparing the same
US7955900B2 (en) 2006-03-31 2011-06-07 Intel Corporation Coated thermal interface in integrated circuit die
TWI313695B (en) 2006-04-20 2009-08-21 Taiwan Textile Res Inst Melted-spinning grains containing thermal-stable phase-change polymer and preparation method thereof
US7514485B2 (en) 2006-06-20 2009-04-07 Chemtura Corporation Compatibilizers for composites of PVC and cellulosic materials
JP2008050555A (ja) 2006-07-24 2008-03-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 熱伝導性樹脂組成物およびその用途
US20080023665A1 (en) 2006-07-25 2008-01-31 Weiser Martin W Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US20100197533A1 (en) 2006-09-05 2010-08-05 3M Innovative Properties Company Thermally conductive grease
JP2008063412A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Showa Denko Kk 熱伝導性樹脂組成物およびシート
JP5231236B2 (ja) 2006-10-17 2013-07-10 電気化学工業株式会社 グリース
KR100820902B1 (ko) 2006-11-08 2008-04-11 조인셋 주식회사 다층 열 전도성 패드
TWI344196B (en) * 2006-11-15 2011-06-21 Ind Tech Res Inst Melting temperature adjustable metal thermal interface materials and use thereof
US7554793B2 (en) 2006-11-16 2009-06-30 Kemet Electronics Corporation Low temperature curable conductive adhesive and capacitors formed thereby
US8431647B2 (en) 2006-12-27 2013-04-30 Bluestar Silicones France Sas Adhesive silicone compositions and adhesive bonding/seaming therewith
US8247357B2 (en) 2007-02-20 2012-08-21 Dow Corning Corporation Filler treating agents based on hydrogen bonding polyorganosiloxanes
CN101067030A (zh) 2007-03-30 2007-11-07 广东华南精细化工研究院有限公司 新型聚烯烃高效耐热氧化复合型抗氧剂及其生产工艺和应用
US20100075135A1 (en) 2007-04-02 2010-03-25 Kendall Philip E Thermal grease article and method
US8431655B2 (en) 2007-04-09 2013-04-30 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy compositions
GB0707176D0 (en) 2007-04-16 2007-05-23 Dow Corning Hydrosilylation curable compositions
US7462294B2 (en) 2007-04-25 2008-12-09 International Business Machines Corporation Enhanced thermal conducting formulations
US7646778B2 (en) 2007-04-27 2010-01-12 Cisco Technology, Inc. Support of C-tagged service interface in an IEEE 802.1ah bridge
WO2008147825A2 (en) 2007-05-22 2008-12-04 Honeywell International Inc. Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US7765811B2 (en) 2007-06-29 2010-08-03 Laird Technologies, Inc. Flexible assemblies with integrated thermoelectric modules suitable for use in extracting power from or dissipating heat from fluid conduits
FR2919615A1 (fr) 2007-08-02 2009-02-06 Bluestar Silicones France Soc Composition elastomere silicone adhesive
DE102007037435B4 (de) 2007-08-08 2012-03-22 Sgl Carbon Se Schichtstoff
JP5269366B2 (ja) 2007-08-22 2013-08-21 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 耐熱型熱伝導性グリース
CN101372614B (zh) 2007-08-24 2011-06-08 清华大学 碳纳米管阵列复合导热片及其制备方法
US20090068441A1 (en) 2007-08-31 2009-03-12 Swaroop Srinivas H Thermal interface materials
WO2009035393A1 (en) 2007-09-12 2009-03-19 Smoltek Ab Connecting and bonding adjacent layers with nanostructures
US8586650B2 (en) 2007-09-14 2013-11-19 Henkel US IP LLC Thermally conductive composition
US8112884B2 (en) 2007-10-08 2012-02-14 Honeywell International Inc. Method for providing an efficient thermal transfer through a printed circuit board
EP2489505A1 (en) 2007-10-22 2012-08-22 Flexible Ceramics, Inc. Fire resistant flexible ceramic resin blend and composite products formed therefrom
JP2009102577A (ja) 2007-10-25 2009-05-14 Polymatech Co Ltd 熱伝導性組成物
US20090111925A1 (en) 2007-10-31 2009-04-30 Burnham Kikue S Thermal interface materials, methods of production and uses thereof
US9795059B2 (en) 2007-11-05 2017-10-17 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with thin film or metallization
US8445102B2 (en) 2007-11-05 2013-05-21 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material with thin transfer film or metallization
JP5137538B2 (ja) 2007-11-28 2013-02-06 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2009138036A (ja) 2007-12-04 2009-06-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 熱伝導性シリコーングリース組成物
US8076773B2 (en) 2007-12-26 2011-12-13 The Bergquist Company Thermal interface with non-tacky surface
US20110121435A1 (en) 2008-01-16 2011-05-26 Kazuyuki Mitsukura Photosensitive adhesive composition, filmy adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device, and process for producing semiconductor device
US20090184283A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Deborah Duen Ling Chung Antioxidants for phase change ability and thermal stability enhancement
US7732829B2 (en) 2008-02-05 2010-06-08 Hymite A/S Optoelectronic device submount
US20090215225A1 (en) 2008-02-24 2009-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials
JP4656340B2 (ja) 2008-03-03 2011-03-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
US8519273B2 (en) * 2008-04-10 2013-08-27 Sankar Paul Circuit materials with improved bond, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
WO2009131913A2 (en) 2008-04-21 2009-10-29 Honeywell International Inc. Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US10358535B2 (en) 2008-04-25 2019-07-23 The University Of Kentucky Research Foundation Thermal interface material
US8632879B2 (en) 2008-04-25 2014-01-21 The University Of Kentucky Research Foundation Lightweight thermal management material for enhancement of through-thickness thermal conductivity
WO2009136508A1 (ja) 2008-05-08 2009-11-12 富士高分子工業株式会社 熱伝導性樹脂組成物
US8115303B2 (en) 2008-05-13 2012-02-14 International Business Machines Corporation Semiconductor package structures having liquid coolers integrated with first level chip package modules
JP5607298B2 (ja) 2008-07-29 2014-10-15 株式会社カネカ 熱伝導材料
JP5445455B2 (ja) 2008-08-04 2014-03-19 日立化成株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
US8449679B2 (en) 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
US8394746B2 (en) 2008-08-22 2013-03-12 Exxonmobil Research And Engineering Company Low sulfur and low metal additive formulations for high performance industrial oils
JP6014299B2 (ja) * 2008-09-01 2016-10-25 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
EP2194165A1 (en) 2008-10-21 2010-06-09 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method for replenishing tin and its alloying metals in electrolyte solutions
US20100129648A1 (en) 2008-11-26 2010-05-27 Jun Xu Electronic packaging and heat sink bonding enhancements, methods of production and uses thereof
CN101445627A (zh) 2008-12-11 2009-06-03 上海交通大学 高压直流电缆绝缘材料及其制备方法
US8138239B2 (en) 2008-12-23 2012-03-20 Intel Corporation Polymer thermal interface materials
JP5390202B2 (ja) 2009-01-21 2014-01-15 株式会社カネカ 放熱構造体
US7816785B2 (en) 2009-01-22 2010-10-19 International Business Machines Corporation Low compressive force, non-silicone, high thermal conducting formulation for thermal interface material and package
EP2393855B1 (en) 2009-02-04 2015-06-17 Dow Corning Corporation Method of forming a non-random copolymer
CN102341474B (zh) 2009-03-02 2014-09-24 霍尼韦尔国际公司 热界面材料及制造和使用它的方法
US8440312B2 (en) 2009-03-12 2013-05-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
JP5651676B2 (ja) 2009-03-16 2015-01-14 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 熱伝導性グリース、並びに、該グリースを用いる方法及びデバイス
DE102009001722B4 (de) 2009-03-20 2012-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine Wärmeableitfläche
WO2010115173A1 (en) 2009-04-03 2010-10-07 Vorbeck Materials Corp Polymer compositions containing graphene sheets and graphite
US20100256280A1 (en) 2009-04-07 2010-10-07 Laird Technologies, Inc. Methods of forming resin and filler composite systems
JP2010248277A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Panasonic Corp 熱伝導性樹脂ペーストおよびそれを用いた光ディスク装置
JP5562574B2 (ja) 2009-04-14 2014-07-30 信越化学工業株式会社 熱伝導性接着剤
JP2012526397A (ja) 2009-05-05 2012-10-25 パーカー．ハニフィン．コーポレイション 熱伝導性フォーム生成物
JP5577553B2 (ja) 2009-05-27 2014-08-27 協同油脂株式会社 放熱コンパウンド組成物
US8362607B2 (en) 2009-06-03 2013-01-29 Honeywell International Inc. Integrated circuit package including a thermally and electrically conductive package lid
KR100953679B1 (ko) 2009-06-15 2010-04-20 두성산업 주식회사 방열재 및 그 제조 방법
US8081468B2 (en) 2009-06-17 2011-12-20 Laird Technologies, Inc. Memory modules including compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies
US8633478B2 (en) 2009-06-19 2014-01-21 Dow Corning Corporation Use of ionomeric silicone thermoplastic elastomers in electronic devices
US8535787B1 (en) 2009-06-29 2013-09-17 Juniper Networks, Inc. Heat sinks having a thermal interface for cooling electronic devices
CN101942197B (zh) 2009-07-09 2012-06-27 昆山伟翰电子有限公司 导热硅橡胶复合材料及其制作方法
US20120174956A1 (en) 2009-08-06 2012-07-12 Laird Technologies, Inc. Thermoelectric Modules, Thermoelectric Assemblies, and Related Methods
US20130199724A1 (en) 2009-10-09 2013-08-08 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy compositions
JP5463116B2 (ja) 2009-10-14 2014-04-09 電気化学工業株式会社 熱伝導性材料
US9593209B2 (en) 2009-10-22 2017-03-14 Dow Corning Corporation Process for preparing clustered functional polyorganosiloxanes, and methods for their use
US8223498B2 (en) 2009-11-11 2012-07-17 Juniper Networks, Inc. Thermal interface members for removable electronic devices
TWI370532B (en) 2009-11-12 2012-08-11 Ind Tech Res Inst Chip package structure and method for fabricating the same
JP5318733B2 (ja) 2009-11-26 2013-10-16 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 熱伝導性グリース
GB2508320B (en) 2009-12-09 2014-07-23 Intel Corp Polymer thermal interface materials
TWI475103B (zh) 2009-12-15 2015-03-01 Ind Tech Res Inst 散熱結構
WO2011084804A2 (en) 2009-12-21 2011-07-14 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermally conductive foam material
KR101023241B1 (ko) 2009-12-28 2011-03-21 제일모직주식회사 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
CN101735619B (zh) 2009-12-28 2011-11-09 华南理工大学 一种无卤阻燃导热有机硅电子灌封胶及其制备方法
JP2011165792A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Teijin Dupont Films Japan Ltd 放熱性二軸延伸フィルム
US9771508B2 (en) 2010-02-23 2017-09-26 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials including thermally reversible gels
US9260645B2 (en) 2010-02-23 2016-02-16 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials including thermally reversible gels
US7990711B1 (en) 2010-02-24 2011-08-02 International Business Machines Corporation Double-face heat removal of vertically integrated chip-stacks utilizing combined symmetric silicon carrier fluid cavity and micro-channel cold plate
WO2011114665A1 (ja) 2010-03-15 2011-09-22 日本化薬株式会社 耐熱用接着剤
US8009429B1 (en) 2010-03-22 2011-08-30 Honeywell International Inc. Electrical component thermal management
US20110265979A1 (en) 2010-04-30 2011-11-03 Sihai Chen Thermal interface materials with good reliability
US8308861B2 (en) 2010-05-13 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Phase change material compositions
US8647752B2 (en) 2010-06-16 2014-02-11 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material assemblies, and related methods
CN102134474B (zh) 2010-12-29 2013-10-02 深圳市优宝惠新材料科技有限公司 导热硅脂组合物
US8917510B2 (en) 2011-01-14 2014-12-23 International Business Machines Corporation Reversibly adhesive thermal interface material
CN103298887A (zh) 2011-01-26 2013-09-11 道康宁公司 高温稳定的导热材料
US8277774B2 (en) 2011-01-27 2012-10-02 Honeywell International Method for the preparation of high purity stannous oxide
HUE032290T2 (en) 2011-03-30 2017-09-28 Infacare Pharmaceutical Corp Methods for producing metal mesoporphyrins
KR101800437B1 (ko) 2011-05-02 2017-11-22 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US20120285673A1 (en) 2011-05-11 2012-11-15 Georgia Tech Research Corporation Nanostructured composite polymer thermal/electrical interface material and method for making the same
JP2012241063A (ja) 2011-05-17 2012-12-10 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用の接着シート
CN102250588B (zh) * 2011-05-18 2013-09-25 杨福河 一种高性能相变导热材料及其制备方法
US20120292005A1 (en) 2011-05-19 2012-11-22 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials and methods for processing the same
JP5844371B2 (ja) 2011-08-10 2016-01-13 株式会社Adeka ケイ素含有硬化性組成物及びその硬化物
JP5687167B2 (ja) 2011-09-27 2015-03-18 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 耐熱型熱伝導性グリース
CN103102689B (zh) 2011-11-15 2015-04-01 佛山市金戈消防材料有限公司 一种高导热有机硅灌封胶组合物及其应用
WO2013074920A1 (en) 2011-11-17 2013-05-23 Reliabulb, Llc Low thermal impedance interface for an led bulb
US20130127069A1 (en) 2011-11-17 2013-05-23 International Business Machines Corporation Matrices for rapid alignment of graphitic structures for stacked chip cooling applications
CN103131138B (zh) 2011-11-23 2016-05-11 合肥杰事杰新材料股份有限公司 一种热塑性聚酯组合物及其制备方法
CN103254647A (zh) 2012-02-20 2013-08-21 深圳德邦界面材料有限公司 一种导热缝隙界面材料及其制备方法
CN102627943A (zh) 2012-04-11 2012-08-08 北京化工大学常州先进材料研究院 一种湿气/紫外光双固化有机硅胶粘剂
CN102634212B (zh) 2012-04-23 2015-11-25 湖州明朔光电科技有限公司 一种导热硅脂组合物
JP5783128B2 (ja) 2012-04-24 2015-09-24 信越化学工業株式会社 加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物
US8937384B2 (en) 2012-04-25 2015-01-20 Qualcomm Incorporated Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders
TWI598385B (zh) 2012-05-10 2017-09-11 國立清華大學 絕緣化熱介面材料
JP2014003152A (ja) 2012-06-18 2014-01-09 Dow Corning Toray Co Ltd サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体
KR102020257B1 (ko) 2012-07-04 2019-09-10 디아이씨 가부시끼가이샤 히트 시일제, 그것을 사용한 적층체 및 태양 전지 모듈
US8587945B1 (en) 2012-07-27 2013-11-19 Outlast Technologies Llc Systems structures and materials for electronic device cooling
KR102041096B1 (ko) 2012-07-30 2019-11-07 다우 실리콘즈 코포레이션 열 전도성 축합 반응 경화성 폴리오가노실록산 조성물 및 조성물의 제조 방법 및 사용 방법
US20150232664A1 (en) * 2012-09-07 2015-08-20 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Thermally conductive blended polymer compositions with improved flame retardancy
GB201220099D0 (en) 2012-09-19 2012-12-26 Dow Corning Production of blend of polyolefin and organopolysiloxane
JP2014105283A (ja) 2012-11-28 2014-06-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーングリース組成物
FR3000090A1 (fr) 2012-12-20 2014-06-27 Bluestar Silicones France Procede et compositions utiles pour l'etancheification et l'assemblage de composants d'un groupe moto-propulseur
JP5944306B2 (ja) 2012-12-21 2016-07-05 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 高熱伝導性グリース
CN103087389B (zh) 2013-01-31 2015-06-10 合肥工业大学 一种高导热高韧性复合材料及其制备方法
WO2014124382A1 (en) 2013-02-11 2014-08-14 Dow Corning Corporation In situ method for forming thermally conductive thermal radical cure silicone composition
JP5372270B1 (ja) 2013-02-19 2013-12-18 ビッグテクノス株式会社 熱放射性フィルム及び熱放射性粘着テープ
JP6263042B2 (ja) * 2013-02-28 2018-01-17 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 基油拡散防止性能を有する熱伝導性グリース
CN103102552A (zh) 2013-03-12 2013-05-15 泰山体育产业集团有限公司 一种相变保温聚烯烃泡沫材料及其制备方法
WO2014160067A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Dow Corning Corporation Thermally curable silicone compositions as temporary bonding adhesives
US9070660B2 (en) 2013-03-15 2015-06-30 Intel Corporation Polymer thermal interface material having enhanced thermal conductivity
JP2014208728A (ja) * 2013-04-16 2014-11-06 富士高分子工業株式会社 蓄熱性シリコーン材料及びその製造方法
CN103214848B (zh) 2013-04-28 2015-07-22 深圳市新亚新材料有限公司 一种用于cpu散热的相变导热硅脂组合物及其制备方法
CN103333447A (zh) 2013-06-26 2013-10-02 苏州天脉导热科技有限公司 一种相变化热界面材料及其制备方法
US9464879B2 (en) 2013-06-28 2016-10-11 Buhler, Inc. Barrel measuring device
KR20160032009A (ko) 2013-07-16 2016-03-23 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
CN104341772A (zh) * 2013-07-30 2015-02-11 霍尼韦尔国际公司 用于led散热器应用的导热聚酰胺组合物
CN103409116B (zh) 2013-07-30 2015-07-22 深圳德邦界面材料有限公司 一种绝缘增强型导热界面材料及其制备方法
CN103436027B (zh) 2013-09-09 2015-10-28 北京化工大学 一种导热电绝缘硅橡胶热界面材料及其制备方法
US20150069290A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-12 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate based ductile thermally conductive polymer compositions and uses
KR101917164B1 (ko) 2013-10-30 2018-11-09 에스케이이노베이션 주식회사 열전도성 폴리머의 제조방법
US20150125646A1 (en) 2013-11-05 2015-05-07 Espci Innov Self-Healing Thermally Conductive Polymer Materials
WO2015068551A1 (ja) 2013-11-08 2015-05-14 リンテック株式会社 保護膜形成用組成物、保護膜形成用シート、及び保護膜付きチップ
JP2015097134A (ja) 2013-11-15 2015-05-21 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板
CN103756631B (zh) 2013-11-28 2015-06-03 常熟市恒信粘胶有限公司 双组份自粘性加成型阻燃导热室温固化有机硅灌封胶
KR20160094385A (ko) 2013-12-05 2016-08-09 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 조절된 pH를 갖는 주석(II) 메탄술포네이트 용액
CN104152103B (zh) 2013-12-23 2016-08-17 郑州中原应用技术研究开发有限公司 一种加成型双组分导热灌封胶及其制备方法
CN103709757A (zh) 2013-12-30 2014-04-09 无锡中石油润滑脂有限责任公司 一种绝缘导热硅脂及其制备方法
CN104449550B (zh) 2013-12-31 2016-08-17 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 有机硅组合物及其应用
CN103773322A (zh) 2014-02-08 2014-05-07 中国电子科技集团公司第三十三研究所 一种相变微胶囊导热材料及其制备方法
US10068830B2 (en) 2014-02-13 2018-09-04 Honeywell International Inc. Compressible thermal interface materials
CN103849356A (zh) * 2014-03-20 2014-06-11 中国电子科技集团公司第三十三研究所 一种电气绝缘相变导热材料及其制备方法
CN103865271B (zh) 2014-03-20 2017-04-05 北京化工大学 一种纳米杂化材料改性的有机硅导热电子灌封胶的制备方法
JP6348434B2 (ja) 2014-03-28 2018-06-27 信越化学工業株式会社 シリコーン粘着剤組成物、その製造法及び粘着フィルム
JP2015212318A (ja) * 2014-05-01 2015-11-26 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
US20150334871A1 (en) 2014-05-19 2015-11-19 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with thin film sealants
CN104140678B (zh) 2014-06-29 2017-04-12 惠州市永卓科技有限公司 一种具有自粘性的导热硅脂及其制备方法
CN104098914B (zh) 2014-07-02 2017-09-29 深圳市安品有机硅材料有限公司 有机硅导热界面材料
BR112016029690A2 (pt) 2014-07-07 2017-08-22 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
CN106605310B (zh) 2014-09-01 2019-11-01 株式会社钟化 汽车用led灯散热器
CN107075400B (zh) 2014-09-22 2020-06-23 陶氏环球技术有限责任公司 基于超支化烯烃流体的导热油脂
CN107078200B (zh) 2014-10-23 2018-12-07 株式会社钟化 Led灯散热器
EP3211041B1 (en) 2014-10-24 2020-02-12 Namics Corporation Conductive composition and electronic component using same
CN104479623B (zh) 2014-12-03 2016-05-18 湖南皓志科技股份有限公司 一种高导热常温固化有机硅灌封胶
MY183994A (en) 2014-12-05 2021-03-17 Honeywell Int Inc High performance thermal interface materials with low thermal impedance
CN104513487B (zh) 2014-12-10 2017-05-10 东莞兆舜有机硅科技股份有限公司 一种双组分导热硅凝胶及其用途
CN104497574A (zh) 2014-12-10 2015-04-08 深圳市博恩实业有限公司 多功能有机硅热界面材料
DE112014007281B4 (de) 2014-12-25 2022-07-07 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Silikonzusammensetzung
US10431858B2 (en) 2015-02-04 2019-10-01 Global Web Horizons, Llc Systems, structures and materials for electrochemical device thermal management
CN104804705A (zh) 2015-05-06 2015-07-29 成都拓利化工实业有限公司 低释气量加成型无卤阻燃导热有机硅灌封胶及其制备方法
CN104861661A (zh) 2015-05-13 2015-08-26 浙江中天氟硅材料有限公司 一种低密度导热灌封胶及其制备方法
JP7149074B2 (ja) 2015-06-03 2022-10-06 株式会社カネカ 金属樹脂複合体、及び、その製造方法
JP6323398B2 (ja) 2015-06-10 2018-05-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンパテ組成物
US10692797B2 (en) * 2015-06-30 2020-06-23 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with low secant modulus of elasticity and high thermal conductivity
CN106467668B (zh) 2015-08-19 2021-07-30 广东生益科技股份有限公司 一种有机硅树脂铝基覆铜板及其制备方法
EP3348618B1 (en) 2015-09-09 2021-12-29 Kaneka Corporation Heat-conductive resin composition
CN105111750A (zh) 2015-09-09 2015-12-02 蓝星（成都）新材料有限公司 一种led灌封用有机硅密封胶
JP6497291B2 (ja) 2015-10-14 2019-04-10 信越化学工業株式会社 絶縁放熱シート
CN105349113A (zh) 2015-10-14 2016-02-24 文雪烽 一种导热界面材料
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
CN105419339A (zh) 2015-12-01 2016-03-23 江苏晶河电子科技有限公司 一种高性能硅基导热凝胶及其制备方法
CN105566920A (zh) 2015-12-24 2016-05-11 平湖阿莱德实业有限公司 低渗油超软导热硅胶组合物及导热硅胶垫片及其制备方法
CN105670555A (zh) 2016-01-22 2016-06-15 何挺 一种高导热型的有机硅灌封胶
CN105925243A (zh) 2016-05-23 2016-09-07 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种室温固化型高导热柔性硅胶
CN105838322A (zh) 2016-05-26 2016-08-10 张学健 一种新型有机硅灌封胶
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
CN106221236B (zh) 2016-07-26 2019-09-10 深圳市金无曼工业新材料有限公司 可常温或加温凝胶化制备的双组份导热硅脂及其制备方法
US20180030328A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
MX2019004236A (es) 2016-10-12 2019-07-04 Honeywell Int Inc Materiales de interfaz termica que incluyen un agente colorante.
JP7129181B2 (ja) 2017-03-17 2022-09-01 旭化成株式会社 ヘッドマウントディスプレイ用部材
CN107057370A (zh) 2017-05-18 2017-08-18 平湖阿莱德实业有限公司 一种高导热填隙界面材料及其制备方法
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10344194B2 (en) 2017-09-27 2019-07-09 Momentive Performance Materials Inc. Thermal interface composition comprising ionically modified siloxane
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material

Also Published As

Publication number Publication date
EP3426746B1 (en) 2021-07-14
EP3426746A1 (en) 2019-01-16
JP2019515968A (ja) 2019-06-13
CN109072051B (zh) 2023-12-26
KR102554661B1 (ko) 2023-07-13
TW201803928A (zh) 2018-02-01
TWI718266B (zh) 2021-02-11
US20190085225A1 (en) 2019-03-21
KR20180120248A (ko) 2018-11-05
EP3426746A4 (en) 2019-10-23
MX2018010819A (es) 2019-01-14
BR112018067991A2 (pt) 2019-01-15
CN109072051A (zh) 2018-12-21
US10781349B2 (en) 2020-09-22
WO2017152353A1 (en) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6842469B2 (ja) 相変化材料
JP6542891B2 (ja) 低い熱インピーダンスを有する高性能熱界面材料
JP6401310B2 (ja) イオンスカベンジャーを有する熱界面材料
TWI648388B (zh) 可壓縮之熱介面材料
EP3354707B1 (en) Thermosoftening and heat conductive silicone grease composition, heat conductive film formation method, heat dissipation structure, and power module device
KR20050014749A (ko) 열 계면 재료
KR20070078792A (ko) 방열 재료
WO2022163192A1 (ja) 熱伝導性シート、その装着方法及び製造方法
JP2024500690A (ja) 熱界面材料
TW202403010A (zh) 熱傳導性聚合物組成物、熱傳導性聚合物組成物形成材料、熱傳導性聚合物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200604

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200716

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6842469

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250