JP2014003152A - サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体 - Google Patents

サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP2014003152A
JP2014003152A JP2012137353A JP2012137353A JP2014003152A JP 2014003152 A JP2014003152 A JP 2014003152A JP 2012137353 A JP2012137353 A JP 2012137353A JP 2012137353 A JP2012137353 A JP 2012137353A JP 2014003152 A JP2014003152 A JP 2014003152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
group
mass
interface material
thermal interface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012137353A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumi Nakayoshi
和己 中吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Co Ltd filed Critical Dow Corning Toray Co Ltd
Priority to JP2012137353A priority Critical patent/JP2014003152A/ja
Priority to PCT/JP2013/066540 priority patent/WO2013191116A1/en
Priority to TW102121423A priority patent/TW201406840A/zh
Publication of JP2014003152A publication Critical patent/JP2014003152A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/14Solid materials, e.g. powdery or granular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/005Additives being defined by their particle size in general
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/14Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

【課題】 電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるサーマルインターフェース材の形成方法、およびそのサーマルインターフェース材を有する放熱構造体を提供する。
【解決手段】 (A)熱硬化性ポリマー、(B)前記(A)成分の硬化温度より低い温度で溶融し、平均粒径が1〜100μmであるビスマス・錫系合金粉末、および(C)前記(A)成分の硬化温度では溶融しない、平均粒径が0.1〜50μmである略球状熱伝導性粉末から少なくともなる熱硬化性ポリマー組成物を、電子部品と放熱体の間で、加圧下、加熱により硬化させることを特徴とするサーマルインターフェース材の形成方法。
【選択図】 図1

Description

本発明は、サーマルインターフェース材の形成方法、およびそのサーマルインターフェース材を有する放熱構造体に関する。
動作時に電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるため、前記電子部品と前記放熱体の間にサーマルインターフェース材が用いられることが知られている。また、低融点金属を含有する熱硬化性ポリマーにより、サーマルインターフェース材を形成することも知られている。
例えば、特開平7−207160号公報には、オルガノポリシロキサン、微粉末充填剤、および低融点金属あるいは合金からなるシリコーン組成物を、前記低融点金属あるいは合金の融点以上の温度に加熱して硬化することが開示されている。また、特開2005−112961号公報には、1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、融点が0〜70℃であるガリウムおよび/またはその合金、平均粒径が0.1〜100μmの熱伝導性充填剤、白金系触媒、および反応抑制剤を含む硬化性オルガノポリシロキサン組成物を、電子部品と放熱材の間で、加圧下、80〜180℃に加熱して硬化させることが開示されている。
さらに、特開2003−176414号公報には、1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、溶融温度が40〜250℃であり、平均粒径が0.1〜100μmである低融点金属粉末、および溶融温度が250℃を超え、平均粒径が0.1〜100μmである高熱伝導性充填剤、白金及び白金化合物からなる群から選択される触媒、およびその触媒活性を抑制する制御剤からなる熱伝導性シリコーン組成物を、前記低融点金属粉末の融点以下の温度で加熱して硬化させた後、前記低融点金属粉末の融点以上の温度に加熱して前記低融点金属粉末を溶融することが開示されている。
しかし、特開平7−207160号公報および特開2005−112961号公報により開示された方法では、電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるための熱伝導パスの形成が困難であるという課題がある。また、特開2003−176414号公報により開示された方法では、低融点金属粉末の融点以下の温度で硬化した硬化物の厚みを、その後、加圧下、融点以上に加熱しても薄くすることができず、熱抵抗率は加熱前後で低下するものの、硬化物の厚みが薄くならず、熱抵抗率を十分低くすることができないという課題がある。
また、特表2005−530887号公報には、熱硬化性マトリックス、スペーサー、および前記マトリックスの硬化温度より低い軟化温度を有し、前記スペーサーより大きい平均粒径を有する低融点金属フィラーからなる熱硬化性組成物を、第1基板と第2基板の間に配置し、前記マトリックスの硬化温度より低く、かつ前記低融点金属フィラーの軟化温度以上の温度に加熱し、次いで、前記組成物を前記マトリックスの硬化温度以上の温度に加熱することが開示されている。
さらに、特開2007−51227号公報には、1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、熱伝導性充填剤、白金系触媒、および反応抑制剤を含有し、熱伝導性充填剤が平均粒径0.1〜100μmであるインジウム粉末を90質量%を超え100質量%以下含む熱伝導性シリコーングリース組成物を、加圧下、インジウム粉末の融点以上の温度で加熱することが開示されている。
しかし、特表2005−530887号公報により開示された方法では、2段階の加熱が必要であり、工程が煩雑となるという課題があり、特開2007−51227号公報により開示された方法では、インジウム粉末の融点が比較的高いため、硬化時に電子部品に与える熱ストレスが大きくなるという課題がある。
特開平7−207160号公報 特開2005−112961号公報 特開2003−176414号公報 特表2005−530887号公報 特開2007−51227号公報
本発明の目的は、電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるサーマルインターフェース材の形成方法、およびそのサーマルインターフェース材を有する放熱構造体を提供することにある。
本発明のサーマルインターフェース材の形成方法は、
(A)熱硬化性ポリマー、
(B)前記(A)成分の硬化温度より低い温度で溶融し、平均粒径が1〜100μmであるビスマス・錫系合金粉末、および
(C)前記(A)成分の硬化温度では溶融しない、平均粒径が0.1〜50μmである略球状熱伝導性粉末
から少なくともなり、前記(B)成分と前記(C)成分の含有量の合計が、前記(A)成分100質量部に対して800〜2,200質量部であり、前記(B)成分の含有量が、前記(B)成分と前記(C)成分の合計量の30〜90質量%であり、かつ、前記(B)成分の平均粒径が前記(C)成分の平均粒径と同じかまたはそれより大きい熱硬化性ポリマー組成物を、電子部品と放熱体の間で、加圧下、加熱により硬化させることを特徴とする。
また、本発明の放熱構造体は、上記の方法により形成される、電子部品、サーマルインターフェース材、および放熱体から少なくとも構成されることを特徴とする。
本発明のサーマルインターフェース材の形成方法は、電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるサーマルインターフェース材を効率良く形成するという特徴がある。また、本発明の放熱構造体は、電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えることができるという特徴がある。
実施例1で作製した放熱構造体の断面のSEM写真である。 実施例2で作製した放熱構造体の断面のSEM写真である。 比較例1で作製した放熱構造体の断面のSEM写真である。 比較例3で作製した放熱構造体の断面のSEM写真である。 比較例5で作製した放熱構造体の断面のSEM写真である。
はじめに、本発明のサーマルインターフェース材の形成方法を詳細に説明する。
(A)成分の熱硬化性ポリマーは、サーマルインターフェース材のマトリックスを形成する成分である。(A)成分としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、熱硬化性エポキシ樹脂、熱硬化性フェノール樹脂、熱硬化性ノボラック樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂が挙げられ、特に、熱硬化性シリコーンが好ましい。この熱硬化性シリコーン樹脂としては、例えば、付加反応硬化性シリコーン組成物、縮合反応硬化性シリコーン組成物、過酸化物反応硬化性シリコーン組成物が挙げられ、特に、付加反応硬化性シリコーン組成物が好ましい。この付加反応硬化性シリコーン組成物としては、(a)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(b)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および(c)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなり、必要に応じて、反応抑制剤、接着性付与剤を含むものが例示される。
(a)成分のオルガノポリシロキサンは、上記硬化性シリコーン組成物の主成分であり、一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有する。(a)成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示され、特に、ビニル基が好ましい。また、(a)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等のアルケニル基を除くハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基;水酸基が例示され、特に、メチル基、フェニル基が好ましい。また、(a)成分の粘度は限定されないが、得られるサーマルインターフェース材の機械的強度が優れることから、25℃における粘度は50〜500,000mPa・sの範囲内であることが好ましい。
(b)成分のオルガノポリシロキサンは、上記硬化性シリコーン組成物の硬化剤であり、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有する。(b)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の脂肪族不飽和結合を有さないハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のアルコキシ基;水酸基が例示され、特に、メチル基、フェニル基が好ましい。また、(b)成分の粘度は限定されないが、得られるサーマルインターフェース材の機械的強度が優れることから、25℃における粘度は1〜50,000mPa・sの範囲内であることが好ましい。
(b)成分の含有量は、上記硬化性シリコーン組成物を硬化させるに十分な量であり、得られるサーマルインターフェース材の耐熱性が良好であることから、上記(a)成分中のアルケニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルの範囲内となる量であることが好ましい。
(c)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、上記硬化性シリコーン組成物の硬化を促進するための触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、好ましくは、白金系触媒である。この白金系触媒としては、白金黒、白金担持のアルミナ粉末、白金担持のシリカ粉末、白金担持のカーボン粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体が例示され、さらにはこれらの白金系触媒を含有する、メチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、シリコーン樹脂等の熱可塑性樹脂微粒子が例示される。
(c)成分の含有量は、上記硬化性シリコーン組成物の硬化を促進するために十分な量であり、具体的には、本成分中の触媒金属が、上記(a)成分に対して、質量単位で、0.1〜1,000ppmの範囲内となる量であることが好ましく、特に、1〜500ppmの範囲内となる量であることが好ましい。
また、上記硬化性シリコーン組成物には、その他任意の成分として、接着促進剤を含有してもよい。この接着促進剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシラン化合物;一分子中にケイ素原子結合メトキシ基とビニル基を有するジメチルシロキサンオリゴマー、一分子中にケイ素原子結合メトキシ基とケイ素原子結合水素原子基を有するジメチルシロキサンオリゴマー、一分子中にケイ素原子結合メトキシ基とビニル基と3−グリシドキシプロピル基を有するジメチルシロキサンオリゴマー;これらのジメチルシロキサンオリゴマー中のメチル基の一部または全部をエチル基、プロピル基等のメチル基以外のアルキル基基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基等のアリール基で置換したジオルガノシロキサンオリゴマー、これらのメトキシ基の一部または全部をエトキシ基等のメトキシ基以外のアルコキシ基で置換したジオルガノシロキサンオリゴマー、これらのビニル基の一部または全部をアリル基等のビニル基以外のアルケニル基で置換したジオルガノシロキサンオリゴマー等のケイ素原子結合アルコキシ基を有するジオルガノシロキサンオリゴマー;3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等の3−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランと3−アミノキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等の3−アミノプロピルトリアルコキシシランとの反応物;前記3−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランとシラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマー、シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマー等のシラノール基封鎖ジオルガノシロキサンオリゴマーとの縮合反応物;3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランと前記シラノール基封鎖ジオルガノシロキサンオリゴマーとの縮合反応物が例示される。
この接着促進剤の含有量は限定されないが、上記硬化性シリコーン組成物が保存中にゲル化しにくいことから、上記(a)成分100質量部に対して20質量部以下であることが好ましい。
さらに、上記硬化性シリコーン組成物には、その他任意の成分として、(B)成分あるいは(C)成分の表面を処理するための処理剤を含有してもよい。この処理剤としては、分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖片末端がトリメトキシシリルエチル基で封鎖され、他の分子鎖片末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖片末端がトリメトキシシリルエチル基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖中のケイ素原子にトリメトキシシリルエチル基を結合するジメチルポリシロキサン;これらのジメチルポリシロキサンのメチル基の一部または全部をエチル基等のメチル基以外のアルキル基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基等のアリール基で置換したジオルガノポリシロキサン;これらのメトキシ基の一部または全部をエトキシ基、プロポキシ基で置換したジオルガノポリシロキサンが例示される。
この処理剤の含有量は限定されないが、上記(a)成分100質量部に対して0.005〜10質量部の範囲内であることが好ましく、特に、0.05〜10質量部の範囲内であることが好ましい。
また、上記組成物には、任意の成分として、反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑制剤としては、2−メチル−3−ブチン−2−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、2−フェニル−3−ブチン−2−オール等のアルキンアルコール;3−メチル−3−ペンテン−1−イン,3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサン化合物;その他、ベンゾトリアゾールが例示される。
上記組成物において、この反応抑制剤の含有量は限定されないが、上記(a)成分100質量部に対して0.001〜5質量部の範囲内であることが好ましい。
次に、(B)成分は、前記(A)成分の硬化温度より低い温度で溶融する、平均粒径が1〜100μmであるビスマス・錫合系金粉末であり、電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるための熱伝導パスを形成する成分である。(B)成分は実質的にビスマスと錫からなる合金であるが、その融点をコントロールするため、その他任意の金属として、インジウム、ガリウム、銅、鉛、亜鉛、カドミウム等を少量含んでもよい。(B)成分の融点は100〜150℃の範囲内であることが好ましく、特に、100〜140℃の範囲内であることが好ましい。これは、融点が上記範囲の上限以下であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物を適用する電子部品に熱ダメージを与え難いにもかかわらず、熱伝導パスの形成が容易であり、一方、上記範囲の下限以上であると、熱硬化性ポリマー組成物の取扱作業性が良好であるからである。
また、(B)成分の平均粒径は1〜100μmの範囲内であり、好ましくは、20〜80μmの範囲内である。これは、(B)成分の平均粒径が上記範囲の下限以上であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物の取扱作業性が良好で、塗布性も良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物に均一に分散でき、この組成物を薄く塗布できるからである。なお、(B)成分の形状は特に限定されず、球状、不定形状が挙げられる。
(C)成分は、前記(A)成分の硬化温度では溶融しない、平均粒径が0.1〜50μmである略球状熱伝導性粉末である。(C)成分の平均粒径は0.1〜50μmの範囲内であり、好ましくは、0.1〜10μmの範囲内である。これは、平均粒径が上記範囲の下限以上であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物の取扱作業性が良好で、塗布作業性も良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物に均一に分散でき、この組成物を薄く塗布できるからである。また、(C)成分の形状は略球状であり、具体的には、丸み状、球状、真球状が例示される。
このような(C)成分としては、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等の金属粉末;酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等の金属酸化物粉末;または窒化アルミニウム、窒化ホウ素等の金属窒化物粉末が例示される。(C)成分として、これらの粉末を1種もしくは2種以上混合して用いることができる。
上記熱硬化性ポリマー組成物において、(B)成分と(C)成分の合計の含有量は、(A)成分100質量部に対して800〜2,200質量部の範囲内であり、好ましくは、800〜1,500質量部の範囲内である。これは、(B)成分と(C)成分の合計の含有量が、上記範囲の下限以上であると、得られるサーマルインターフェース材の熱伝導性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物の取扱作業性が良好であり、塗布性も良好であるからである。
また、(B)成分は、(B)成分と(C)成分の合計量の30〜90質量%の範囲内であり、好ましくは、30〜70質量%の範囲内である。これは、(B)成分の含有量が、上記範囲の下限以上であると、熱伝導パスの形成が容易となり、得られるサーマルインターフェース材の熱伝導性が向上し、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる熱硬化性ポリマー組成物の取扱作業性が向上するからである。
なお、上記熱硬化性ポリマー組成物において、(B)成分の平均粒径は(C)成分の平均粒径と同じかまたはそれ以上である。これは、(B)成分が溶融して、熱伝導パスを形成することが容易となるからである。
上記熱硬化性ポリマー組成物を調製する方法は限定されないが、(A)成分〜(C)成分を、(B)成分の融点より低い温度、例えば、室温で混合する方法が挙げられる。さらに、(A)成分として、(a)成分〜(c)成分から少なくともなる付加反応硬化性シリコーン組成物を用いる場合には、(a)成分、(B)成分、および(C)成分を、(B)成分の融点より低い温度で均一に混合した後、これに(b)成分を混合し、次いで、(c)成分を混合する方法が例示される。
このようにして調製された熱硬化性ポリマー組成物の25℃における粘度は限定されないが、好ましくは、10〜1,000Pa・sの範囲内であり、特に好ましくは、20〜300Pa・sの範囲内である。これは、粘度が上記範囲の下限以上であると、保存中に(B)成分や(C)成分の沈降分離を生じ難く、また、電子部品と放熱体の間に塗布した際、液だれ等の問題を生じ難くいからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、塗布性が良好であるからである。
本発明のサーマルインターフェース材の形成方法では、はじめに、上記熱硬化性ポリマー組成物を、電子部品あるいは放熱体に塗布する。本発明の方法において、熱硬化性ポリマー組成物を塗布する方法は限定されず、例えば、ディスペンサーによる定量塗布、スキージ等による塗布が挙げられる。次いで、熱硬化性ポリマー組成物を介して、電子部品と放熱体を貼り合わせる。
貼り合わせ後、電子部品と放熱体をクランプやネジ等で締め付けることにより、固定し、押圧する。その状態で、熱硬化性ポリマー組成物を、加圧下、加熱により硬化させる。この加熱温度は、(A)成分が硬化する温度であり、かつ、(B)成分が溶融する温度である。本発明の方法では、前記組成物を、加圧下、加熱することにより、(A)成分を硬化させる一方で、(B)成分を溶融することにより、熱伝導パスを形成することができる。また、その際、(C)成分の粒径により、得られるサーマルインターフェース材の厚みを確保することができる。その厚みは、5〜100μmの範囲内、特に10〜50μmの範囲内となるようになるのが好ましい。これは、厚さが上記範囲の下限以上であると、得られるサーマルインターフェース材の追従性が良好であり、電子部品と放熱体の熱膨張係数の差によるクラックを生じ難くいからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られるサーマルインターフェース材の熱抵抗が小さくなるからである。本発明の方法では、(A)成分の硬化後、加圧下もしくは非加圧下で、さらに加熱してもよい。
次に、本発明の放熱構造体を詳細に説明する。
本発明の放熱構造体は、上記の方法により形成される、電子部品、サーマルインターフェース材、および放熱体から少なくとも構成されるものである。このような放熱構造体は、サーマルインターフェース材中に熱伝導パスが形成されているので、動作時に電子部品から発生する熱を放熱体に効率良く伝えることができる。
本発明のサーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度は25℃における値である。
[実施例1]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 79.3質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 12.2質量部、融点が138℃であり、平均粒径が43μmである球状ビスマス・錫合金粉末 526質量部、平均粒径が0.2μmである球状アルミナ粉末 73質量部、および平均粒径が2μmである球状アルミニウム粉末 282質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 4.5質量部(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 2.7質量部、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール 0.3質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で6ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度をTAインスツルメント株式会社製のレオメーター(商品名:AR−500)により測定したところ、25Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を、2枚のシリコンチップ(1cm角)の間に挟み込み、20Nの圧力をかけながら、150℃で5分間加熱して硬化させた後、さらに150℃でオーブン中で5分間加熱して放熱構造体を作製した。
この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを株式会社ミツトヨ製の測定力可変式デジマチックマイクロメーター(型式:CLM2−15QM)により測定したところ、17μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を株式会社日立製作所製の熱抵抗率測定装置により定常法にて測定したところ、0.06cm・℃/Wであった。
[実施例2]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 79.2質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 12.3質量部、融点が138℃であり、平均粒径が70μmである球状ビスマス・錫合金粉末 519質量部、平均粒径が0.2μmである球状アルミナ粉末 74質量部、および平均粒径が2μmである球状アルミニウム粉末 284質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 4.5質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 2.7質量部、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール 0.3質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で6ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、20Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、12μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.03cm・℃/Wであった。
[実施例3]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 77.2質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 13.4質量部、融点が138℃であり、平均粒径が11μmである球状ビスマス・錫合金粉末 529質量部、平均粒径が0.2μmである球状アルミナ粉末 102質量部、および平均粒径が2μmである球状アルミニウム粉末 265質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 3質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、および3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 3.2質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で22ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、39Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、27μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.19cm・℃/Wであった。
[実施例4]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 75.3質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 15.9質量部、融点が138℃であり、平均粒径が70μmである球状ビスマス・錫合金粉末 526質量部、平均粒径が2μmである球状アルミナ粉末 386質量部、および平均粒径が0.2μmである球状アルミナ粉末 102質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 4.6質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシキ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 2.9質量部、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール 0.3質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で6ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、60Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、19μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.05cm・℃/Wであった。
[比較例1]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 79.3質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 12.2質量部、融点が138℃であり、平均粒径が43μmである球状ビスマス・錫合金粉末 526質量部、平均粒径が0.2μmである球状アルミナ粉末 73質量部、および平均粒径が2μmである球状アルミニウム粉末 282質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 4.5質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 2.7質量部、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール 0.3質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で6ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、25Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を、2枚のシリコンチップ(1cm角)の間に挟み込み、20Nの圧力をかけながら、120℃で10分間加熱し、さらに170℃で5分間加熱して硬化させた後、さらに、170℃のオーブン中で5分間加熱して放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、42μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.17cm・℃/Wであった。
[比較例2]
粘度2000mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 87.3質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 5.3質量部、融点が138℃であり、平均粒径が70μmである球状ビスマス・錫合金粉末 1046質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 2.1質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、および3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 2.3質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で18ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、42Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、6μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.06cm・℃/Wであった。
[比較例3]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 83.6質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 6.1質量部、融点が138℃であり、平均粒径が70μmである球状ビスマス・錫合金粉末 1215質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 4.7質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 3.9質量部、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール 0.4質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で6ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、23Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、4μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.08cm・℃/Wであった。
[比較例4]
粘度100mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 78.8質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 9.1質量部、融点が138℃であり、平均粒径が70μmである球状ビスマス・錫合金粉末 1,990質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 6.1質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、および3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 3.6質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で9ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定しようとしたが、測定限界(1,000Pa・s)を超える粘度であった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、8μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.06cm・℃/Wであった。
[比較例5]
粘度500mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン 65.5質量部、粘度24mPa・sの分子鎖片末端がトリメトキシシロキシ基で封鎖され、他の分子鎖片末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン 20.1質量部、融点が138℃であり、平均粒径が43μmである球状ビスマス・錫合金粉末 518質量部、平均粒径が2μmである不定形状酸化亜鉛粉末 589質量部、および平均粒径が0.3μmである不定形状酸化亜鉛粉末 104質量部を室温で均一になるまで混合した。次に、この混合物に、粘度10mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体 5.4質量部(前記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中のビニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が1.2モルとなる量)、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度20mPa・sの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合オリゴマーとの反応生成物 4.2質量部、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール 0.1質量部を均一に混合した後、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体を軟化点150℃の熱可塑性シリコーンレジンでカプセル化した触媒(上記分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンに対して、白金原子が質量単位で6ppmとなる量)を混合して熱硬化性ポリマー組成物を調製した。この熱硬化性ポリマー組成物の粘度を実施例1と同様に測定したところ、46Pa・sであった。
次に、この熱硬化性ポリマー組成物を実施例1と同様に硬化させて放熱構造体を作製した。この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の厚みを実施例1と同様に測定したところ、10μmであった。また、この放熱構造体について、サーマルインターフェース材の熱抵抗を実施例1と同様に測定したところ、0.05cm・℃/Wであった。
[放熱構造体のSEM写真と熱抵抗について]
実施例1,2、および比較例1,3,5で作製した放熱構造体の断面を日立ハイテクノロジーズ株式会社製の走査電子顕微鏡(型番:S−3400N)により観察した。なお、SEM写真において、白い部分はビスマス・錫合金粉末が溶融した層であり、黒い部分は熱硬化性ポリマーの硬化物および熱伝導性充填剤である。この放熱構造体の断面のSEM写真から、実施例1,2で作製した放熱構造体では、ビスマス・錫合金による熱伝導パスが効率的に形成されていることが確認された。一方、比較例1,3,5で作製した放熱構造体では、ビスマス・錫合金よる熱伝導パスの形成は確認されなかった。特に、比較例3で作製した放熱構造体は、サーマルインターフェース材の厚さが薄いにもかかわらず、その熱抵抗は大きかった。また、不定形状の熱伝導性充填剤を用いた比較例5においても、サーマルインタフェース材の厚さが薄いにもかかわらず、熱抵抗が大きかった。
本発明のサーマルインターフェース材の形成方法は、電子部品から発生する熱を効率的に放熱体に伝えるサーマルインターフェース材を効率良く形成できるので、半導体素子と放熱フィンとの間のサーマルインターフェース材の形成方法として好適である。

Claims (5)

  1. (A)熱硬化性ポリマー、
    (B)前記(A)成分の硬化温度より低い温度で溶融し、平均粒径が1〜100μmであるビスマス・錫系合金粉末、および
    (C)前記(A)成分の硬化温度では溶融しない、平均粒径が0.1〜50μmである略球状熱伝導性粉末
    から少なくともなり、前記(B)成分と前記(C)成分の含有量の合計が、前記(A)成分100質量部に対して800〜2,200質量部であり、前記(B)成分の含有量が、前記(B)成分と前記(C)成分の合計量の30〜90質量%であり、かつ、前記(B)成分の平均粒径が前記(C)成分の平均粒径と同じかまたはそれより大きい熱硬化性ポリマー組成物を、電子部品と放熱体の間で、加圧下、加熱により硬化させることを特徴とするサーマルインターフェース材の形成方法。
  2. (A)成分が熱硬化性シリコーン組成物である、請求項1記載のサーマルインターフェース材の形成方法。
  3. (A)成分が、(a)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(b)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および(c)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる付加硬化性シリコーン組成物である、請求項2記載のサーマルインターフェース材の形成方法。
  4. (C)成分が、金属粉末、金属酸化物粉末、または金属窒化物粉末である、請求項1記載のサーマルインターフェース材の形成方法。
  5. 請求項1乃至4の方法により形成される、電子部品、サーマルインターフェース材、および放熱体から少なくとも構成される放熱構造体。
JP2012137353A 2012-06-18 2012-06-18 サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体 Pending JP2014003152A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012137353A JP2014003152A (ja) 2012-06-18 2012-06-18 サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体
PCT/JP2013/066540 WO2013191116A1 (en) 2012-06-18 2013-06-11 Method of forming thermal interface material and heat dissipation structure
TW102121423A TW201406840A (zh) 2012-06-18 2013-06-17 形成熱界面材料之方法及散熱結構

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012137353A JP2014003152A (ja) 2012-06-18 2012-06-18 サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014003152A true JP2014003152A (ja) 2014-01-09

Family

ID=48782572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012137353A Pending JP2014003152A (ja) 2012-06-18 2012-06-18 サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2014003152A (ja)
TW (1) TW201406840A (ja)
WO (1) WO2013191116A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018079215A1 (ja) * 2016-10-31 2018-05-03 東レ・ダウコーニング株式会社 1液硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物及び電子・電装部品

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10174433B2 (en) 2013-12-05 2019-01-08 Honeywell International Inc. Stannous methanesulfonate solution with adjusted pH
TW201601358A (zh) * 2014-06-19 2016-01-01 道康寧公司 用於晶圓級z軸熱中介層的可光圖案化聚矽氧
CN106536609B (zh) 2014-07-07 2022-04-29 霍尼韦尔国际公司 具有离子清除剂的热界面材料
CN107250317A (zh) 2014-12-05 2017-10-13 霍尼韦尔国际公司 具有低热阻的高性能热界面材料
EP3299419B1 (en) * 2015-05-22 2021-07-07 Momentive Performance Materials Japan LLC Thermally conductive composition
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
BR112018067991A2 (pt) 2016-03-08 2019-01-15 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
US11655369B2 (en) * 2020-10-28 2023-05-23 Dow Silicones Corporation Trialkoxy functional branched siloxane compositions

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07207160A (ja) 1994-01-11 1995-08-08 Toshiba Silicone Co Ltd シリコーン組成物およびその製造方法
JP3803058B2 (ja) 2001-12-11 2006-08-02 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及び敷設方法並びにそれを用いた半導体装置の放熱構造体
US6791839B2 (en) * 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
JP4551074B2 (ja) * 2003-10-07 2010-09-22 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4634891B2 (ja) 2005-08-18 2011-02-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018079215A1 (ja) * 2016-10-31 2018-05-03 東レ・ダウコーニング株式会社 1液硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物及び電子・電装部品
JPWO2018079215A1 (ja) * 2016-10-31 2018-11-01 東レ・ダウコーニング株式会社 1液硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物及び電子・電装部品
CN109890900A (zh) * 2016-10-31 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 单组分可固化型导热硅脂组合物和电子/电气组件
CN109890900B (zh) * 2016-10-31 2022-01-14 陶氏东丽株式会社 单组分可固化型导热硅脂组合物和电子/电气组件
US11319412B2 (en) 2016-10-31 2022-05-03 Dow Toray Co., Ltd. Thermally conductive silicone compound

Also Published As

Publication number Publication date
TW201406840A (zh) 2014-02-16
WO2013191116A1 (en) 2013-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014003152A (ja) サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体
CN109890900B (zh) 单组分可固化型导热硅脂组合物和电子/电气组件
KR102348372B1 (ko) 열전도성 실리콘 조성물 및 전기·전자 기기
KR101488029B1 (ko) 열 전도성 적층체 및 그의 제조 방법
KR101280277B1 (ko) 절연성 액상 다이 결합제 및 반도체 디바이스
JP4993611B2 (ja) 放熱材及びそれを用いた半導体装置
KR102149708B1 (ko) 열전도성 복합 실리콘 고무 시트
JP5898139B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物
TW201908459A (zh) 導熱性聚矽氧凝膠組合物、導熱性構件及散熱結構體
JP2007503506A (ja) ボンドラインの薄いシリコーン接着剤組成物及びその製造方法
JP2016082155A (ja) 放熱シート
TW201700616A (zh) 熱傳導性聚矽氧組成物及硬化物以及複合薄片
JP2014003141A (ja) 熱伝導性シート及び電子機器
WO2015040777A1 (ja) シリコーン組成物及び熱伝導性シリコーン組成物の製造方法
JP2015078296A (ja) 硬化性熱伝導性樹脂組成物、該組成物の製造方法、該組成物の硬化物、該硬化物の使用方法、該組成物の硬化物を有する半導体装置、及び該半導体装置の製造方法
JP4393817B2 (ja) 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置
WO2015093329A1 (ja) シリコーン接着性フィルム、および半導体装置
JP5086514B2 (ja) 熱伝導性硬化性液状ポリマー組成物および半導体装置
TWI285675B (en) Heat conductive grease and semiconductor device
JP2016219732A (ja) 熱伝導性複合シリコーンゴムシート
JP7467017B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
JP2020076040A (ja) 導電性充填剤の製造方法、導電性付加反応硬化型シリコーン組成物および半導体装置
WO2022230600A1 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
CN115820223A (zh) 导热性硅酮组合物
US20230159755A1 (en) Thermal conductive silicone composition