JP6401310B2 - イオンスカベンジャーを有する熱界面材料 - Google Patents

イオンスカベンジャーを有する熱界面材料 Download PDF

Info

Publication number
JP6401310B2
JP6401310B2 JP2016575794A JP2016575794A JP6401310B2 JP 6401310 B2 JP6401310 B2 JP 6401310B2 JP 2016575794 A JP2016575794 A JP 2016575794A JP 2016575794 A JP2016575794 A JP 2016575794A JP 6401310 B2 JP6401310 B2 JP 6401310B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermal interface
interface material
tim
weight
ion scavenger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016575794A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017528538A (ja
Inventor
リウ,ヤ・キュン
ゼン,リアン
ワン,フイ
チャン,ブライト
ホアン,ホン・ミン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell International Inc
Original Assignee
Honeywell International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell International Inc filed Critical Honeywell International Inc
Publication of JP2017528538A publication Critical patent/JP2017528538A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6401310B2 publication Critical patent/JP6401310B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/29Compounds containing one or more carbon-to-nitrogen double bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/14Solid materials, e.g. powdery or granular
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K13/00Use of mixtures of ingredients not covered by one single of the preceding main groups, each of these compounds being essential
    • C08K13/02Organic and inorganic ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/22Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
    • C08K5/24Derivatives of hydrazine
    • C08K5/25Carboxylic acid hydrazides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08Copolymers of ethene
    • C08L23/0807Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons only containing more than three carbon atoms
    • C08L23/0815Copolymers of ethene with aliphatic 1-olefins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K15/00Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change
    • C09K15/04Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds
    • C09K15/06Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds containing oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K15/00Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change
    • C09K15/04Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds
    • C09K15/20Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds containing nitrogen and oxygen
    • C09K15/22Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds containing nitrogen and oxygen containing an amide or imide moiety
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K15/00Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change
    • C09K15/04Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds
    • C09K15/20Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds containing nitrogen and oxygen
    • C09K15/24Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds containing nitrogen and oxygen containing a phenol or quinone moiety
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K15/00Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change
    • C09K15/04Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds
    • C09K15/30Anti-oxidant compositions; Compositions inhibiting chemical change containing organic compounds containing heterocyclic ring with at least one nitrogen atom as ring member
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/06Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to solid or vice versa
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/06Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to solid or vice versa
    • C09K5/063Materials absorbing or liberating heat during crystallisation; Heat storage materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00Properties
    • C08L2201/08Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/20Cooling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29309Indium [In] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29316Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29318Zinc [Zn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/2939Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29393Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/050313th Group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/050313th Group
    • H01L2924/05032AlN
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/050414th Group
    • H01L2924/05042Si3N4
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/054212th Group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/054313th Group
    • H01L2924/05432Al2O3
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/054414th Group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/143Digital devices
    • H01L2924/1432Central processing unit [CPU]

Description

[0001]本発明は、概して熱界面材料、より特にはイオンスカベンジャーを含む熱界面材料に関する。
[0002]熱界面材料(TIM)は、中央処理装置、ビデオグラフィックスアレイ、サーバー、ゲームコンソール、スマートホン、LED基板などのような電子コンポーネントから熱を放散させるために広く用いられている。熱界面材料は、通常は、過剰の熱を電子コンポーネントからヒートシンクのようなヒートスプレッダーに伝達させるために用いられる。
[0003]熱界面材料を含む代表的な電子回路パッケージ構造体10を図1に示す。電子回路パッケージ構造体10は、例として、電子チップ12のような熱を発生させるコンポーネント、並びにヒートスプレッダー14及びヒートシンク16のような1以上の熱を放散させるコンポーネントを含む。代表的なヒートスプレッダー14及びヒートシンクは、金属、金属合金、又は金属メッキした基材、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、又はニッケルメッキした銅を含む。TIM18及びTIM20のようなTIM材料は、熱を発生させるコンポーネントと1以上の熱を放散させるコンポーネントとの間の熱的接続を与える。電子回路パッケージ構造体10は、電子チップ12とヒートスプレッダー14を接続する第1のTIM18を含む。TIM18は、通常は「TIM1」と呼ぶ。電子回路パッケージ構造体10は、ヒートスプレッダー14とヒートシンク16を接続する第2のTIM20を含む。TIM18は、通常は「TIM2」と呼ぶ。他の態様においては、電子回路パッケージ構造体10はヒートスプレッダー14を含まず、TIM(図示せず)は電子チップ12をヒートシンク16に直接接続する。電子チップ12をヒートシンク16に直接接続するかかるTIMは、通常はTIM1.5と呼ぶ。
[0004]熱界面材料としては、熱グリース、グリース状の材料、エラストマーテープ、及び相変化材料が挙げられる。伝統的な熱界面材料としては、ギャップパッド及びサーマルパッドのようなコンポーネントが挙げられる。
[0005]代表的な熱界面材料は、次の特許及び出願:US−6,238,596、US−6,451,422、US−6,605,238、US−6,673,434、US−6,706,219、US−6,797,382、US−6,811,725、US−7,172,711、US−7,244,491、US−7,867,609、US−2007/0051773、US−2008/0044670、US−2009/0111925、US−2010/0129648、及びUS−2011/0308782(これらの開示事項はそれらの全部を参照として本明細書中に包含する)において開示されている。
[0006]熱界面材料の分解は、通常は例えば図2Aに示すようにポリマー鎖の切断によって起こる。図2Aに示すように、開始エネルギーによって、開始反応:RH→R・+H・が生起してラジカルR・が形成される。このラジカルは酸素分子と結合してペルオキシドラジカル:ROO・を形成する。ペルオキシドラジカルは、他のR基から移動するプロトンと結合してペルオキシド:ROOH、及び新しいR・ラジカルを形成することができ、これは新しい酸素分子と結合することができる。分岐反応のROOH→RO・+HO・が進行して、RO・ラジカル及びHO・ラジカルの両方が形成される。RO・及びHO・は、残りのポリマー鎖の切断、及び望ましくない架橋による熱界面材料の脆化に関与する。
[0007]通常の自己酸化サイクルにおいては、ラジカル開始反応の速度は、R・ラジカルを生成させる開始エネルギーの供給、及び材料中の汚染物質によって定まる。しかしながら、開始反応及び分岐反応の両方とも、それぞれの反応において関与する比較的高い活性化エネルギーのために比較的低速である。
[0008]図2Bに示すように、開始反応及び分岐反応のそれぞれは、金属イオンによって触媒することができる。これらの金属イオンで触媒された反応は、図2Aに示される無触媒反応と比べて比較的低い活性化エネルギーを有する。これにより、図2Aの無触媒サイクルよりも多いラジカルが生成して、これによって熱界面材料のより迅速な分解が引き起こされる。
[0009]図1に示すように、TIM18又はTIM20のようなTIM材料の少なくとも1つの表面は、ヒートスプレッダー14又はヒートシンク16のような金属表面と直接接触させることができる。かかる金属表面は、例えば表面上に形成される可能性がある金属酸化物から、開始及び分岐反応を触媒する金属イオンを与える可能性がある。例えば、銅イオンは、特に熱の存在下でTIMを含むポリマーと相互作用してポリマー中にフリーラジカルを形成して、これによって連鎖切断を開始させて、運転中にポリマーを分解する可能性がある。
US−6,238,596 US−6,451,422 US−6,605,238 US−6,673,434 US−6,706,219 US−6,797,382 US−6,811,725 US−7,172,711 US−7,244,491 US−7,867,609 US−2007/0051773 US−2008/0044670 US−2009/0111925 US−2010/0129648 US−2011/0308782
[0010]上記における改良が望まれている。
[0011]本発明は、熱を、コンピューターチップのような熱を発生させる電子機器から、ヒートスプレッダー及びヒートシンクのような熱を放散させる構造体に伝達するのに有用な熱界面材料を提供する。
[0012]本発明の一態様によれば、熱界面材料は、少なくとも1種類のポリマー、少なくとも1種類の熱伝導性フィラー、及び少なくとも1種類のイオンスカベンジャーを含む。
[0013]より特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、窒素含有錯化剤、リン含有錯化剤、ヒドロキシルカルボン酸ベースの錯化剤、及び上記の組合せからなる群から選択される錯化剤である。他のより特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、酸アミド化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアゼン化合物、オキサミド化合物、マロンアミド化合物、及び上記の組合せからなる群から選択される。他のより特定の態様においては、イオンスカベンジャーは酸アミド化合物である。他のより特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド;3−(N−サリチロイル)アミノ−1,2,4−トリアゾール;2’,3−ビス[[3−[3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシルフェニル]プロピオン酸]]プロピオニルヒドラジド、及び上記の組合せからなる群から選択される。
[0014]他のより特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、式I〜式XI:
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
のいずれかにしたがう化合物又はこれらの組合せである。
[0015]上記の態様のいずれかのより特定の態様においては、熱界面材料は、熱界面材料の全重量を基準として0.1重量%〜5重量%のイオンスカベンジャーを含む。より特定の態様においては、熱界面材料は、熱界面材料の全重量を基準として0.5重量%〜1重量%のイオンスカベンジャーを含む。
[0016]上記の態様のいずれかのより特定の態様においては、熱界面材料は少なくとも1種類の相変化材料を更に含む。更により特定の態様においては、相変化材料はワックスである。
[0017]上記の態様のいずれかのより特定の態様においては、熱界面材料は少なくとも1種類のカップリング剤を更に含む。更により特定の態様においては、カップリング剤材料は、チタネートカップリング剤、ジルコネートカップリング剤、及びシランカップリング剤、並びに上記の組合せからなる群から選択される。更により特定の態様においては、カップリング剤はチタネートカップリング剤である。
[0018]上記の態様のいずれかのより特定の態様においては、熱界面材料は少なくとも1種類の架橋剤を更に含む。
[0019]上記の態様のいずれかのより特定の態様においては、熱界面材料は、熱界面材料の全重量を基準として5重量%〜10重量%の少なくとも1種類のポリマー;50重量%〜95重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラー;及び0.1重量%〜5重量%のイオンスカベンジャー;を含む。第1の更により特定の態様においては、熱界面材料は、熱界面材料の全重量を基準として2重量%〜5重量%の少なくとも1種類のワックス;0.1〜0.5重量%の少なくとも1種類の酸化防止剤;1重量%〜2重量%の少なくとも1種類のカップリング剤;及び0.5重量%〜0.6重量%の少なくとも1種類の架橋剤;を含み;熱界面材料は熱界面材料の全重量を基準として75重量%〜90重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラーを含む。第2の更により特定の態様においては、熱界面材料は、熱界面材料の全重量を基準として2重量%〜5重量%の少なくとも1種類のワックス;0.1〜0.5重量%の少なくとも1種類の酸化防止剤;1重量%〜2重量%の少なくとも1種類のカップリング剤;及び0.5重量%〜0.6重量%の少なくとも1種類の架橋剤;を含み;熱界面材料は熱界面材料の全重量を基準として75重量%〜90重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラーを含む。更なるより特定の態様においては、熱界面材料は、1.5重量%〜2重量%の少なくとも1種類のワックス;0.1〜1重量%の少なくとも1種類の酸化防止剤;及び0.5〜1重量%の少なくとも1種類のカップリング剤;を含み;熱界面材料は熱界面材料の全重量を基準として85重量%〜95重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラーを含む。他の更により特定の態様においては、熱界面材料は0.1重量%〜1重量%の少なくとも1種類の架橋剤を更に含む。
[0020]本発明の一態様によれば、電子コンポーネントは、ヒートシンク、電子チップ、並びに第1の表面層及び第2の表面層を有する熱界面材料を含み、熱界面材料はヒートシンクと電子チップの間に配置されており、熱界面材料は、少なくとも1種類のポリマー;少なくとも1種類の熱伝導性フィラー;及び少なくとも1種類のイオンスカベンジャー;を含む。幾つかの態様においては、熱界面材料は上記の態様にいずれかにしたがう。第1のより特定の態様においては、第1の表面層は電子チップの表面と接触しており、第2の表面層はヒートシンクと接触している。第2のより特定の態様においては、電子コンポーネントは、ヒートシンクと電子チップの間に配置されているヒートスプレッダーを更に含み、第1の表面層は電子チップの表面と接触しており、第2の表面層はヒートスプレッダーと接触している。第3のより特定の態様においては、電子コンポーネントは、ヒートシンクと電子チップの間に配置されているヒートスプレッダーを更に含み、第1の表面層はヒートスプレッダーの表面と接触しており、第2の表面層はヒートシンクと接触している。
[0021]本発明の幾つかの態様の以下の記載を添付の図面と組み合わせて参照することによって、本発明の上述及び他の特徴並びに有利性、並びにそれらを達成する方法がより明らかになり、本発明それ自体がより良好に理解されるであろう。
[0022]図1は、代表的な電子回路パッケージ構造体を図示する。 [0023]図2Aは、TIMに関する代表的な分解メカニズムを示す。 [0024]図2Bは、金属触媒分解メカニズムを示す。 [0025]図3は、イオンスカベンジャーによる代表的な錯化反応を示す。
[0026]幾つかの図面全体にわたって対応する参照記号は対応する構成要素を示す。ここに示す例示は本発明の代表的な態様を示すものであり、かかる例示はいかなるようにも発明の範囲を限定するように解釈すべきではない。
A.熱界面材料:
[0027]本発明は、電子コンポーネントから熱を取り除くのに有用な熱界面材料(TIM)に関する。1つの代表的な態様においては、TIMは、ポリマーマトリクス、少なくとも1種類の熱伝導性フィラー、及び少なくとも1種類のイオンスカベンジャーを含む。
[0028]幾つかの態様においては、TIMには、場合によって次の成分:カップリング剤、酸化防止剤、相変化材料、及び他の添加剤の1以上を含ませることができる。
[0029]いかなる理論にも縛られることは望まないが、イオンスカベンジャーを添加することによって、金属イオンで誘発されるフリーラジカルの形成が抑制されると考えられる。イオンスカベンジャーは、金属イオンを錯体内に捕捉及び結合して、金属イオンがもはや空電子軌道を有さず、ポリマー内においてフリーラジカルの形成が開始するのが有効に停止されるようになる。
[0030]代表的な錯化反応を図3に示す。図3において、イオンスカベンジャー(例としてジヒドラジド)は、金属イオン(例として酸化銅)と反応する。いかなる特定の理論にも縛られることは望まないが、金属イオンはイオンスカベンジャー上の1以上の孤立電子対に引き寄せられると考えられる。金属イオンと孤立電子対の間の引力によって錯体が形成され、ここでは金属イオンはもはや空電子軌道を有さず、図2Bの金属触媒反応に関与しない。
[0031]下記に提示する実施例において示されるように、熱界面材料中にイオンスカベンジャーを含ませることによって、ポリマーの分解が驚くほど抑制された。
1.ポリマー:
[0032]TIMは、エラストマーのようなポリマーを含む。幾つかの態様においては、ポリマーは、シリコーンラバー、シロキサンラバー、シロキサンコポリマー、又は他の好適なシリコーン含有ラバーを含む。幾つかの態様においては、ポリマーは1種類以上の炭化水素ラバー化合物、例えば飽和又は不飽和炭化水素ラバー化合物を含む。
[0033]代表的な飽和ラバーとしては、エチレン−プロピレンラバー(EPR、EPDM)、ポリエチレン/ブチレン、ポリエチレン−ブチレン−スチレン、ポリエチレン−プロピレン−スチレン、水素化ポリアルキルジエン「モノオール」(例えば水素化ポリブタジエンモノオール、水素化ポリプロパジエンモノオール、水素化ポリペンタジエンモノオール)、水素化ポリアルキルジエン「ジオール」(例えば、水素化ポリブタジエンジオール、水素化ポリプロパジエンジオール、水素化ポリペンタジエンジオール)、及び水素化ポリイソプレン、ポリオレフィンエラストマー、並びにこれらのブレンドが挙げられる。幾つかの態様においては、ポリマーは水素化ポリブタジエンモノオールである。
[0034]代表的な不飽和ラバーとしては、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン−ブタジエン、及びこれらのブレンド、或いは飽和及び不飽和ラバー化合物のブレンドが挙げられる。
[0035]TIMには、TIMの全重量を基準として、1重量%、2重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%程度の少ない量、10重量%、20重量%、25重量%、50重量%又はそれ以上の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上のポリマーを含ませることができる。
2.熱伝導性フィラー:
[0036]TIMは、1種類以上の熱伝導性フィラーを含む。代表的な熱伝導性フィラーとしては、金属、合金、非金属、金属酸化物、及びセラミクス、並びにこれらの組合せが挙げられる。金属としては、アルミニウム、銅、銀、亜鉛、ニッケル、スズ、インジウム、及び鉛が挙げられるが、これらに限定されない。非金属としては、炭素、グラファイト、カーボンナノチューブ、炭素繊維、グラフェン、及び窒化ケイ素が挙げられるが、これらに限定されない。金属酸化物又はセラミクスとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、及び酸化スズが挙げられるが、これらに限定されない。
[0037]TIMには、TIMの全重量を基準として、10重量%、20重量%、25重量%、50重量%程度の少ない量、75重量%、80重量%、85重量%、90重量%、95重量%程度の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上の熱伝導性フィラーを含ませることができる。
3.イオンスカベンジャー:
[0038]TIMは1種類以上のイオンスカベンジャーを含む。代表的なイオンスカベンジャーとしては、窒素含有錯化剤、リン含有錯化剤、及びヒドロキシルカルボン酸ベースの錯化剤が挙げられる。幾つかの代表的な態様においては、イオンスカベンジャーは、ヒドラジド又はジヒドラジドのような酸アミド化合物から選択される。幾つかの代表的な態様においては、イオンスカベンジャーは、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアゼン化合物、オキサミド化合物、又はマロンアミド化合物から選択される。幾つかの代表的な態様においては、イオンスカベンジャーは、デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド;3−(N−サリチロイル)アミノ−1,2,4−トリアゾール;及び2’,3−ビス[[3−[3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシルフェニル]プロピオン酸]]プロピオニルヒドラジドから選択される。
[0039]他のより特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、式I〜式XI:
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
のいずれかにしたがう化合物又はこれらの組合せである。
[0040]TIMには、TIMの全重量を基準として、0.1重量%、0.2重量%、0.5重量%、1重量%程度の少ない量、1.5重量%、2重量%、5重量%、10重量%程度の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上のイオンスカベンジャーを含ませることができる。
4.カップリング剤:
[0041]幾つかの代表的な態様においては、TIMは1種類以上のカップリング剤を含む。代表的なカップリング剤としては、チタネートカップリング剤又はジルコネートカップリング剤のような有機金属化合物、及びシランカップリング剤のような有機化合物が挙げられる。代表的なカップリング剤としては、チタンIV−2,2−(ビス−2−プロペノラトメチル)ブタノラト,トリス(ジオクチル)ピロホスファト−O;ジルコニウムIV−2,2−(ビス−2−プロペノラトメチル)ブタノラト,トリス(ジイソオクチル)ピロホスファト−O;1モルのジイソオクチルホスファイトとのチタンIV−2−プロパノラト,トリス(ジオクチル)ピロホスファト−O)付加体;チタンIV−ビス(ジオクチル)ピロホスファト−O,オキソエチレンジオラト,(付加体),ビス(ジオクチル)(水素)ホスファイト−O;チタンIV−ビス(ジオクチル)ピロホスファト−O,エチレンジオラト(付加体),ビス(ジオクチル)ハイドロジェンホスファイト;及びジルコニウムIV−2,2−ビス(2−プロペノラトメチル)ブタノラト,シクロジ[2,2−(ビス−2−プロペノラトメチル)ブタノラト],ピロホスファト−O,O;が挙げられる。
[0042]幾つかの代表的な態様においては、TIMには、TIMの全重量を基準として、0.1重量%、0.5重量%、0.67重量%、0.75重量%程度の少ない量、1重量%、1.5重量%、2重量%、5重量%、10重量%程度の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上のカップリング剤を含ませることができる。
5.酸化防止剤:
[0043]幾つかの代表的な態様においては、TIMは1種類以上の酸化防止剤を含む。代表的な酸化防止剤としては、フェノールタイプ、アミンタイプの酸化防止剤、又は任意の他の好適なタイプの酸化防止剤、或いはこれらの組合せが挙げられる。フェノール又はアミンタイプの酸化防止剤はまた、立体障害フェノール又はアミンタイプの酸化防止剤であってもよい。代表的なフェノールタイプの酸化防止剤としては、オクタデシル3−(3,5−ジ−(tert)−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートが挙げられる。代表的なアミンタイプの酸化防止剤としては、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミノ)フェノールが挙げられる。代表的な立体障害酸化防止剤としては、立体障害イオウ含有フェノール系酸化防止剤が挙げられる。代表的な酸化防止剤としては、BASFから入手できるIrganox(登録商標)酸化防止剤が挙げられる。
[0044]イオンスカベンジャー及び酸化防止剤は両方ともTIMの酸化分解を減少させるが、イオンスカベンジャーは金属イオンを錯体内に捕捉及び結合して、金属イオンがもはや正味荷電を有さず、図2Bの金属触媒反応に関与することが有効に停止されるようになることによって機能すると考えられる。これに対して、酸化防止剤は、一般に図2Aのラジカルのような酸化剤に電子を移動させることによって機能すると考えられる。
[0045]幾つかの代表的な態様においては、TIMには、TIMの全重量を基準として、0.05重量%、0.1重量%、0.5重量%、1重量%程度の少ない量、1.5重量%、2重量%、5重量%、10重量%程度の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上の酸化防止剤を含ませることができる。
6.相変化材料:
[0046]幾つかの代表的な態様においては、TIMは1種類以上の相変化材料を含む。相変化材料は、その中でTIMが用いられる電子デバイスの一部の運転温度と同じか又はこれよりも低い融点又は融点範囲を有する材料である。代表的な相変化材料はワックスである。他の代表的な相変化材料としては、ウッド合金、フィールド合金のような低融点の合金、或いは約20℃〜90℃の間の融点を有する金属若しくは合金が挙げられる。
[0047]幾つかの態様においては、相変化材料は、20℃、30℃、40℃、45℃、50℃程度の低さ、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃程度の高さ、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の相変化温度を有する。幾つかのより特定の態様においては、相変化材料は、30℃、40℃、45℃程度の低さ、50℃、60℃、70℃程度の高さ、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の相変化温度を有する。
[0048]代表的なワックスとしては、ポリエチレン(PE)ワックス、パラフィンワックス、ポリエチレンワックスのAC-1702、エチレン−酢酸ビニルワックスのAC-430、及び酸化ポリエチレンワックスのAC-6702(それぞれ、Honeywell International Inc.から入手できる)、Nanjing Tianshi New Material Technologiesから入手できるPEW-0602Fワックスのようなポリテトラフルオロエチレンとブレンドしたポリエチレンワックス、The International Group, Inc.から入手できるTACワックス、並びにHangzhou Ruhr Techから入手できるRT44HCが挙げられる。
[0049]TIMには、TIMの全重量を基準として、0.5重量%、1重量%、2重量%、3重量%、5重量%、10重量%程度の少ない量、20重量%、25重量%、50重量%又はそれ以上の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上の相変化材料を含ませることができる。
7.他の添加剤:
[0050]幾つかの代表的な態様においては、TIMは1種類以上の更なる添加剤を含む。代表的な添加剤としては、アルキル化メラミンホルムアルデヒド樹脂のような架橋剤、顔料、及びイソパラフィン系流体のような溶剤が挙げられる。幾つかの代表的な態様においては、TIMには、TIMの全重量を基準として、0.1重量%、0.5重量%、1重量%程度の少ない量、1.5重量%、2重量%、5重量%、10重量%程度の多い量、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の量の1種類以上の添加剤を含ませることができる。
8.熱界面材料の代表的な配合:
[0051]第1の非限定的な具体的態様においては、TIMは、約1重量%〜約25重量%のポリマー、約50重量%〜約95重量%の熱伝導性フィラー、及び約0.1重量%〜約5重量%のイオンスカベンジャーを含む。より特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、ヒドラジド又はジヒドラジドのような酸アミド化合物である。更により特定の態様においては、イオンスカベンジャーは、デカンジカルボン酸ジエトリチルオイルヒドラジド(decanedicarboxylic acid dietlythyl oylhydrazide);3−(N−サリチロイル)アミノ−1,2,4−トリアゾール;及び2’,3−ビス[[3−[3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシルフェニル]プロピオン酸]]プロピオニルヒドラジド;から選択される。
[0052]第1の具体的態様のより特定の態様である第2の具体的態様においては、TIMは約1重量%〜約5重量%の少なくとも1種類の相変化材料を更に含む。
[0053]第1又は第2の具体的態様のいずれかのより特定の態様である第3の具体的態様においては、TIMは約0.1重量%〜約5重量%の少なくとも1種類の架橋剤を含む。
[0054]第1〜第3の具体的態様のいずれかのより特定の態様である第4の具体的態様においては、TIMは約0.1重量%〜約5重量%の少なくとも1種類以上のカップリング剤を含む。
[0055]第1〜第4の具体的態様のいずれかのより特定の態様である第5の具体的態様においては、TIMは約0.1重量%〜約5重量%の少なくとも1種類の相変化材料を含む。
9.熱界面材料の代表的な特性:
[0056]幾つかの代表的な態様においては、イオンスカベンジャーを含む材料である熱界面材料は、イオンスカベンジャーを含ませないで同様に配合される熱界面材料よりも大きい耐分解性を有する。耐分解性は、ASTM−D3859−07(その開示事項はそれらの全部を参照として本明細書中に包含する)などによって定められている酸素誘導時間(OIT)によって特徴付けることができる。より長いOITはより良好な熱安定性を示す。
[0057]幾つかの代表的な態様においては、イオンスカベンジャーを含むTIMのOITは、スカベンジャーを含ませないで同様に配合されるTIMのOITよりも、20%大きく、25%大きく、30%大きく、50%大きく、75%大きく、100%大きい程度の小さい値、150%大きく、200%大きく、300%大きく、375%大きく、400%大きく、500%大きく、又はそれ以上の大きい値、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内である。
[0058]幾つかの代表的な態様においては、スカベンジャーを含むTIMのOITは、30分間、45分間、60分間程度の短さ、75分間、90分間、120分間、150分間、又はそれ以上の長さ、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内である。
[0059]幾つかの代表的な態様においては、金属表面と接触しているTIMのOITは、15分間、20分間、30分間、45分間程度の短さ、60分間、75分間、90分間、120分間、150分間、又はそれ以上の長さ、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内である。
[0060]幾つかの代表的な態様においては、熱界面材料は、0.05℃・cm/W、0.08℃・cm/W、0.09℃・cm/W程度の低さ、0.1℃・cm/W、0.5℃・cm/W、1℃・cm/W、2℃・cm/W程度の高さ、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の熱インピーダンスを有する。
[0061]幾つかの代表的な態様においては、熱界面材料は、120℃の温度、2気圧の圧力、及び85%の相対湿度においてコンディショニングして高加速ストレス試験(HAST)にかけた後に、TIMの熱インピーダンスは変化せず、視認できる分解はない。熱インピーダンスは、90時間、120時間、150時間程度の短い時間、180時間、190時間、200時間、又はそれ以上の長い時間、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の間、変化しなくすることができる。
[0062]幾つかの代表的な態様においては、熱界面材料は、150℃の温度においてコンディショニングして加熱試験にかけた後に、TIMの熱インピーダンスは変化せず、視認できる分解はない。熱インピーダンスは、1000時間、1500時間、2000時間程度の短い時間、2200時間、2500時間、2800時間、又はそれ以上の長い時間、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の間、変化しなくすることができる。
B.熱界面材料を形成する方法:
[0063]幾つかの代表的な態様においては、TIMは、加熱したミキサー内で個々の成分を混合して組成物を一緒にブレンドすることによって製造される。ブレンドした組成物は次に加熱処理することができる。
[0064]幾つかの代表的な態様においては、TIMは、25℃、50℃、75℃、80℃程度の低い値、100℃、125℃、150℃、170℃程度の高い値、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の温度で加熱処理する。幾つかの代表的な態様においては、TIMは、0.5分間、1分間、30分間、1時間、2時間程度の短い時間、8時間、12時間、24時間、36時間、48時間程度の長い時間、或いは上記の値の任意の2つの間で規定される任意の範囲内の時間の間、加熱処理する。代表的な加熱処理条件は80℃で30分間である。
C.熱界面材料を用いる用途:
[0065]再び図1を参照すると、幾つかの代表的な態様においては、TIM18によって示されるように、イオンスカベンジャーを含む熱界面材料を、電子コンポーネント12とヒートスプレッダー14の間にTIM1として配置する。幾つかの代表的な態様においては、TIM20によって示されるように、イオンスカベンジャーを含む熱界面材料を、ヒートスプレッダー14とヒートシンク16の間にTIM2として配置する。幾つかの代表的な態様においては、イオンスカベンジャーを含む熱界面材料を、電子コンポーネント12とヒートシンク16の間にTIM1.5(図示せず)として配置する。
[0066]表1に与える配合にしたがってTIMを製造した。
Figure 0006401310
[0067]実施例1を調製するために、6.22部(重量)のKratonエラストマー(ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー;特殊なモノオール)、約45℃の融点を有する1.78部の微結晶質ワックス、合計で0.5部の酸化防止剤混合物を、加熱したミキサー内で、混合物が溶融し、実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。0.67部のチタンIV−2,2−(ビス−2−プロペノラトメチル)ブタノラト,トリス(ジオクチル)ピロホスファト−Oカップリング剤を加え、ここでも混合物が実質的に均一な外観を有するまで混合物をブレンドした。熱伝導性フィラーである90.83部のアルミニウム粉末を加え、混合物を実質的に均一な外観を有するまで再びブレンドした。最後に、0.6部のCymel架橋剤樹脂(アルキル化メラミンホルムアルデヒド樹脂)、及び0.5部のイオンスカベンジャーのSongnox(登録商標)1024を加えた。最終的な混合物は均一な外観を有していた。
[0068]比較例1を調製するために、6.22部のKratonエラストマー(ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー;特殊なモノオール)、約45℃の融点を有する1.78部の微結晶質ワックス、及び0.50重量%の酸化防止剤を、加熱したミキサー内で、混合物が溶融し、実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。0.67部のチタンIV−2,2−(ビス−2−プロペノラトメチル)ブタノラト,トリス(ジオクチル)ピロホスファト−Oを加え、ここでも混合物が実質的に均一な外観を有するまで混合物をブレンドした。90.83部のアルミニウム粉末を加え、混合物を実質的に均一な外観を有するまで再びブレンドした。
[0069]比較例2を調製するために、6.22部のKratonエラストマー(ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー;特殊なモノオール)、約45℃の融点を有する1.78部の微結晶質ワックス、及び0.50重量%の酸化防止剤を、加熱したミキサー内で、混合物が溶融し、実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。0.67部のチタンIV−2,2−(ビス−2−プロペノラトメチル)ブタノラト,トリス(ジオクチル)ピロホスファト−Oを加え、ここでも混合物が実質的に均一な外観を有するまで混合物をブレンドした。90.83部のアルミニウム粉末を加え、混合物を実質的に均一な外観を有するまで再びブレンドした。最後に、0.60部のCymel樹脂(アルキル化メラミンホルムアルデヒド樹脂)を加えた。最終的な混合物は均一な外観を有していた。
[0070]それぞれのTIMに関して、高加速ストレス試験(HAST)を行った。TIMを、ライナーフィルムの間に90℃で15分間テープ接着し、10mm平方に切断した。ライナーを取り除き、正方形の試料をニッケル被覆銅スプレッダーとシリコンダイの間に配置して、「試験サンドイッチ試料」を作成した。ESPECによって供給された環境室を用いて、試料を、130℃の温度、2気圧の圧力、及び85%の相対湿度において、96〜192時間コンディショニングした。試料のコンディショニングの前後において、試験サンドイッチ試料のフラッシュ拡散率を用いて試料の熱インピーダンスを求めた。フラッシュ拡散率は、キセノン光源を有するNetzsch LFA-447装置を用いて求めた。
[0071]材料を周期的にチェックし、材料が次の基準:(1)TIMの有意な視認できる分解がなく、TIMとニッケル被覆銅スプレッダーの間、又はTIMとシリコンダイの間に層間剥離がなかったこと;(2)更に、熱性能が大きく低下しなかったこと(熱性能に関する試験は、下記において更に記載する);を満足した最終時間としてHAST時間を記録した。具体的には、試験サンドイッチ試料の熱インピーダンスは、HAST試験後において試験前と比べて同等であった(いずれの値も0.08〜0.09℃・cm/Wであった)。
[0072]それぞれのTIMに関して、加熱処理試験を行った。TIMを、ライナーフィルムの間に90℃で15分間テープ接着し、10mm平方に切断した。ライナーを取り除き、正方形の試料をニッケル被覆銅スプレッダーとシリコンダイの間に配置して、「試験サンドイッチ試料」を作成した。Shanghai JINGHONGによって供給されたオーブンD2F-6050を用いて、試料を150℃の加熱オーブンに200〜3000時間かけた。試料のコンディショニングの前後において、試験サンドイッチ試料のフラッシュ拡散率を用いて試料の熱インピーダンスを求めた。フラッシュ拡散率は、キセノン光源を有するNetzsch LFA-447装置を用いて求めた。
[0073]材料を周期的にチェックし、材料が次の基準:(1)TIMの有意な視認できる分解がなく、TIMとニッケル被覆銅スプレッダーの間、又はTIMとシリコンダイの間に層間剥離がなかったこと;(2)更に、熱性能が大きく低下しなかったこと(熱性能に関する試験は、下記において更に記載する);を満足した最終時間として加熱処理時間を記録した。具体的には、試験サンドイッチ試料の熱インピーダンスは、加熱処理試験後において試験前と比べて同等であった(いずれの値も0.08〜0.09℃・cm/Wであった)。
[0074]それぞれのTIMに関して、ASTM−D3859−07標準規格にしたがって酸素誘導時間(OIT)試験を行った。OITは、DSC(示差走査熱量計)で行う標準試験であり、試験する材料の熱安定化のレベルを測るものである。より長い時間はより良好な熱安定性を示す。上記に記載した10〜30mgの混合試料を、TA Instrumentによって供給されたDSC Q100を用いたOIT試験にかけた。試験条件は、50mL/分のO流量、及び210℃のピーク温度(20℃/分の昇温速度を用いた)であった。
[0075]OIT、HAST、及び加熱処理試験の結果を表2に示す。
Figure 0006401310
[0076]表2において示されるように、実施例1は、比較例1及び比較例2と同等の初期熱インピーダンス、並びにHAST試験において同等か又はより良好な性能を有していた。更に、実施例1は、比較例1又は比較例2のいずれかよりも有意に長いOIT及び加熱処理試験結果を有していた。
[0077]表3に与える配合にしたがって、TIMの第2の組を調製した。
Figure 0006401310
[0078]実施例2を調製するために、相変化材料を含むTIM材料である100部のPCM45F(Honeywell International, Inc.から供給された)、及び0.6部のSongnox(登録商標)1024(SONGWONから供給された)を、加熱したミキサー内で、混合物が溶融し、実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。
[0079]比較例3は、イオンスカベンジャーを有しないPCM45Fであった。
[0080]実施例3を調製するために、12.5部のKratonエラストマー(ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー;特殊なモノオール)、1.5部のチタンIV−2−プロパノラト,トリスイソオクタデカノアト−O、及び0.6部のイオンスカベンジャーのSongnox(登録商標)1024を、混合物が実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。71.66部のアルミニウム粉末、及び14.34部の酸化亜鉛粉末を加え、混合物を実質的に均一な外観を有するまで再びブレンドした。
[0081]実施例4を調製するために、12.5部のKratonエラストマー(ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー;特殊なモノオール)、1.5部のチタンIV−2−プロパノラト,トリスイソオクタデカノアト−O、及び1.8部のイオンスカベンジャーのSongnox(登録商標)1024を、混合物が実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。71.66部のアルミニウム粉末、及び14.34部の酸化亜鉛粉末を加え、混合物を実質的に均一な外観を有するまで再びブレンドした。
[0082]比較例4を調製するために、12.5部のKratonエラストマー(ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー;特殊なモノオール)、及び1.5部のチタンIV−2−プロパノラト,トリスイソオクタデカノアト−Oを、混合物が実質的に均一な外観を有するまで混合及びブレンドした。71.66部のアルミニウム粉末、及び14.34部の酸化亜鉛粉末を加え、混合物を実質的に均一な外観を有するまで再びブレンドした。
[0083]それぞれのTIMに関して、上記で議論したようにASTM−D3859−07標準規格にしたがって、酸素誘導時間(OIT)試験を行った。上記の材料のOIT試験結果を表4に示す。
Figure 0006401310
[0084]表4において示されるように、実施例2は比較例3よりも有意に長いOIT時間を有し、実施例3及び4は比較例4よりも有意に長いOIT時間を有していた。更に、実施例3の2倍のイオンスカベンジャーを有していた実施例4は、実施例3よりも有意に長いOIT時間を有していた。
[0085]本発明を代表的なデザインを有するものとして記載したが、本発明は本明細書の精神及び範囲内で更に修正することができる。したがって本出願は、その一般原理を用いる発明の任意の変更、使用、又は適合をカバーすると意図される。更に、本出願は、本発明が属する技術における公知又は慣習的な実施の範囲内に含まれ、添付の特許請求の範囲の限界内に含まれる本発明からのかかる逸脱をカバーすると意図される。
本発明の具体的態様は以下のとおりである。
[1]
少なくとも1種類のポリマー;
少なくとも1種類の熱伝導性フィラー;及び
少なくとも1種類のイオンスカベンジャー;
を含む熱界面材料。
[2]
前記イオンスカベンジャーが、窒素含有錯化剤、リン含有錯化剤、及びヒドロキシルカルボン酸ベースの錯化剤、並びに上記の組合せからなる群から選択される錯化剤である、[1]に記載の熱界面材料。
[3]
前記イオンスカベンジャーが、酸アミド化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアゼン化合物、オキサミド化合物、マロンアミド化合物、及び上記の組合せからなる群から選択される、[1]に記載の熱界面材料。
[4]
前記イオンスカベンジャーが酸アミド化合物である、[1]に記載の熱界面材料。
[5]
前記イオンスカベンジャーが、ヒドラジド、ジヒドラジド、及び上記の組合せからなる群から選択される、[1]に記載の熱界面材料。
[6]
前記イオンスカベンジャーが、デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド;3−(N−サリチロイル)アミノ−1,2,4−トリアゾール;及び2’,3−ビス[[3−[3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシルフェニル]プロピオン酸]]プロピオニルヒドラジドからなる群から選択される、[1]に記載の熱界面材料。
[7]
前記イオンスカベンジャーが、式I〜式XI:
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
Figure 0006401310
からなる群から選択される式にしたがう化合物又はこれらの組合せである、[1]に記載の熱界面材料。
[8]
前記熱界面材料が、前記熱界面材料の全重量を基準として0.1重量%〜5重量%の前記イオンスカベンジャーを含む、[1]に記載の熱界面材料。
[9]
前記熱界面材料が、前記熱界面材料の全重量を基準として0.5重量%〜1重量%の前記イオンスカベンジャーを含む、[1]に記載の熱界面材料。
[10]
少なくとも1種類の相変化材料を更に含む、[1]に記載の熱界面材料。
[11]
前記少なくとも1種類の相変化材料がワックスである、[10]に記載の熱界面材料。
[12]
少なくとも1種類のカップリング剤を更に含む、[1]に記載の熱界面材料。
[13]
前記少なくとも1種類のカップリング剤が、チタネートカップリング剤、ジルコネートカップリング剤、シランカップリング剤、及び上記の組合せからなる群から選択される、[12]に記載の熱界面材料。
[14]
少なくとも1種類の架橋剤を更に含む、[1]に記載の熱界面材料。
[15]
少なくとも1種類のワックス、少なくとも1種類の酸化防止剤、少なくとも1種類のカップリング剤、及び少なくとも1種類の架橋剤を更に含む、[1]に記載の熱界面材料。
[16]
前記熱界面材料が、前記熱界面材料の全重量を基準として
5重量%〜10重量%の少なくとも1種類のポリマー;
50重量%〜95重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラー;及び
0.1重量%〜5重量%のイオンスカベンジャー;
を含む、[1]に記載の熱界面材料。
[17]
前記熱界面材料の全重量を基準として
2重量%〜5重量%の少なくとも1種類のワックス;
0.1〜0.5重量%の少なくとも1種類の酸化防止剤;
1重量%〜2重量%の少なくとも1種類のカップリング剤;及び
0.5重量%〜0.6重量%の少なくとも1種類の架橋剤;
を更に含み、
前記熱界面材料は前記熱界面材料の全重量を基準として75重量%〜90重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラーを含む、[16]に記載の熱界面材料。
[18]
1.5重量%〜2重量%の少なくとも1種類のワックス;
0.1〜1重量%の少なくとも1種類の酸化防止剤;及び
0.5重量%〜1重量%の少なくとも1種類のカップリング剤;
を更に含み、
前記熱界面材料は前記熱界面材料の全重量を基準として85重量%〜95重量%の少なくとも1種類の熱伝導性フィラーを含む、[16]に記載の熱界面材料。
[19]
0.1重量%〜1重量%の少なくとも1種類の架橋剤を更に含む、[18]に記載の熱界面材料。
[20]
電子コンポーネントであって:
ヒートシンク;
電子チップ;
第1の表面層及び第2の表面層を有する熱界面材料であって、前記熱界面材料は前記ヒートシンクと電子チップの間に配置されており、前記熱界面材料は:
少なくとも1種類のポリマー、
少なくとも1種類の熱伝導性フィラー、及び
少なくとも1種類のイオンスカベンジャー
を含む前記熱界面材料;
を含む前記電子コンポーネント。

Claims (11)

  1. 熱界面材料であって:
    前記熱界面材料の全重量を基準として2重量%と10重量%との間の量で存在する少なくとも1種類のエラストマーポリマー;
    架橋剤;
    少なくとも1種類の熱伝導性フィラー;及び
    少なくとも1種類のイオンスカベンジャー;
    を含む前記熱界面材料。
  2. 前記イオンスカベンジャーが、窒素含有錯化剤、リン含有錯化剤、及びヒドロキシルカルボン酸ベースの錯化剤、並びに上記の組合せからなる群から選択される錯化剤である、請求項1に記載の熱界面材料。
  3. 電子コンポーネントであって:
    ヒートシンク;
    電子チップ;
    第1の表面層及び第2の表面層を有する熱界面材料であって、前記熱界面材料は前記ヒートシンクと電子チップの間に配置されており、前記熱界面材料は:
    前記熱界面材料の全重量を基準として2重量%と10重量%との間の量で存在する少なくとも1種類のエラストマーポリマー、
    架橋剤;
    少なくとも1種類の熱伝導性フィラー、及び
    少なくとも1種類のイオンスカベンジャー
    を含む前記熱界面材料;
    を含む前記電子コンポーネント。
  4. 前記熱伝導性フィラーが、アルミニウム、銅、銀、亜鉛、ニッケル、スズ、インジウム、及び鉛からなる群から選択される金属を含む、請求項1に記載の熱界面材料。
  5. 前記熱伝導性フィラーが、炭素、グラファイト、カーボンナノチューブ、炭素繊維、グラフェン、窒化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、及び酸化スズから選択される非金属、金属酸化物、又はセラミクスを含む、請求項1に記載の熱界面材料。
  6. 前記エラストマーポリマーがヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマーである、請求項1に記載の熱界面材料。
  7. 前記架橋剤がアルキル化メラミンホルムアルデヒド樹脂である、請求項1に記載の熱界面材料。
  8. 前記熱伝導性フィラーが、前記熱界面材料の全重量を基準として80重量%と95重量%との間の量で存在する、請求項1に記載の熱界面材料。
  9. 前記エラストマーポリマーがヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマーである、請求項3に記載の電子コンポーネント。
  10. 前記架橋剤がアルキル化メラミンホルムアルデヒド樹脂である、請求項3に記載の電子コンポーネント。
  11. 前記熱伝導性フィラーが、前記熱界面材料の全重量を基準として80重量%と95重量%との間の量で存在する、請求項3に記載の電子コンポーネント。
JP2016575794A 2014-07-07 2014-07-07 イオンスカベンジャーを有する熱界面材料 Active JP6401310B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2014/081724 WO2016004565A1 (en) 2014-07-07 2014-07-07 Thermal interface material with ion scavenger

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017528538A JP2017528538A (ja) 2017-09-28
JP6401310B2 true JP6401310B2 (ja) 2018-10-10

Family

ID=55063470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016575794A Active JP6401310B2 (ja) 2014-07-07 2014-07-07 イオンスカベンジャーを有する熱界面材料

Country Status (11)

Country Link
US (2) US10155894B2 (ja)
EP (1) EP3166999B1 (ja)
JP (1) JP6401310B2 (ja)
KR (1) KR102282332B1 (ja)
CN (1) CN106536609B (ja)
BR (1) BR112016029690A2 (ja)
CA (1) CA2951437C (ja)
HU (1) HUE061592T2 (ja)
MX (1) MX2016016984A (ja)
PL (1) PL3166999T3 (ja)
WO (1) WO2016004565A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10174433B2 (en) 2013-12-05 2019-01-08 Honeywell International Inc. Stannous methanesulfonate solution with adjusted pH
CN106536609B (zh) 2014-07-07 2022-04-29 霍尼韦尔国际公司 具有离子清除剂的热界面材料
CN107250317A (zh) 2014-12-05 2017-10-13 霍尼韦尔国际公司 具有低热阻的高性能热界面材料
JP6436035B2 (ja) * 2015-09-25 2018-12-12 信越化学工業株式会社 熱軟化性熱伝導性シリコーングリース組成物、熱伝導性被膜の形成方法、放熱構造及びパワーモジュール装置
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
BR112018067991A2 (pt) * 2016-03-08 2019-01-15 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
KR102547800B1 (ko) * 2016-08-23 2023-06-26 삼성전자주식회사 그래핀 퀀텀닷을 이용한 방열 구조체 및 그 제조방법
CN106977923B (zh) * 2017-03-31 2020-10-23 广东工业大学 一种三氮烯混合物及其制备方法
US20180376618A1 (en) * 2017-06-27 2018-12-27 Joinset Co., Ltd. Thermally conductive member
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US10567084B2 (en) * 2017-12-18 2020-02-18 Honeywell International Inc. Thermal interface structure for optical transceiver modules
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US20190301814A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-03 Nanotek Instruments, Inc. Metallized graphene foam having high through-plane conductivity
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
JP7453081B2 (ja) 2019-08-13 2024-03-19 三ツ星ベルト株式会社 ゴム組成物ならびにその製造方法および用途
CN111378402B (zh) * 2020-04-10 2021-01-12 山东宝龙达实业集团有限公司 一种羟基清除剂的制备方法及其应用
CN113766776B (zh) * 2021-08-03 2023-03-24 联想(北京)有限公司 电子设备
TW202344665A (zh) * 2022-02-09 2023-11-16 德商漢高股份有限及兩合公司 低熱阻的相變熱界面材料

Family Cites Families (272)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1655133A (en) 1926-11-09 1928-01-03 Charles A Clase Inside micrometer gauge
JPS5137538B1 (ja) 1971-03-31 1976-10-16
US3748365A (en) 1972-05-26 1973-07-24 Airco Inc Electron beam heating system
JPS567298B2 (ja) 1973-06-18 1981-02-17
JPS5314131A (en) 1975-05-02 1978-02-08 Nobuyasu Doi Luster tinnlead alloy electroplating method
US4180498A (en) * 1976-07-30 1979-12-25 Ciba-Geigy Corporation Hindered phenyl phosphites
CH630174A5 (de) 1978-04-05 1982-05-28 Hans Meyer Innenmessgeraet.
DE2933870A1 (de) 1979-08-21 1981-03-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München N.n'-bis-salicyloyl-hydrazin als metalldesaktivator.
JPS5944306B2 (ja) 1982-09-24 1984-10-29 住友化学工業株式会社 N−t−アルキルアミド類の製造法
JPS5967387A (ja) 1982-10-08 1984-04-17 Hiyougoken すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴
US4565610A (en) 1983-12-22 1986-01-21 Learonal, Inc. Bath and process for plating lead and lead/tin alloys
US4524145A (en) 1984-09-04 1985-06-18 Bristol-Myers Company 4'-Deschlororebeccamycin pharmaceutical composition and method of use
JPS61105583A (ja) 1984-10-30 1986-05-23 松下電器産業株式会社 カラ−液晶表示装置
JP2611364B2 (ja) 1988-08-26 1997-05-21 上村工業株式会社 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法
EP0433816B1 (de) 1989-12-18 1994-04-20 Riedel-De Haen Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lösung eines Buntmetallsulfonats
US5167851A (en) 1991-04-22 1992-12-01 Thermoset Plastics, Inc. Hydrophilic thermally conductive grease
US5562814A (en) 1995-09-01 1996-10-08 Dale Electronics, Inc. Sludge-limiting tin and/or lead electroplating bath
ATE224929T1 (de) 1996-01-22 2002-10-15 Dow Chemical Co Polyolefinelastomerzusammensetzungen mit verbesserten eigenschaften
AU723258B2 (en) 1996-04-29 2000-08-24 Parker-Hannifin Corporation Conformal thermal interface material for electronic components
JP3662715B2 (ja) 1997-06-16 2005-06-22 アルプス電気株式会社 導電性材料および導電ペーストと電子機器
JP4015722B2 (ja) 1997-06-20 2007-11-28 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性ポリマー組成物
US6432497B2 (en) 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
US6096414A (en) 1997-11-25 2000-08-01 Parker-Hannifin Corporation High dielectric strength thermal interface material
FR2775481B1 (fr) 1998-02-27 2003-10-24 Rhodia Chimie Sa Composition silicone adhesive reticulable et utilisation de cette composition pour le collage de substrats divers
JP3948642B2 (ja) 1998-08-21 2007-07-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置
US6432320B1 (en) 1998-11-02 2002-08-13 Patrick Bonsignore Refrigerant and heat transfer fluid additive
US20040069454A1 (en) 1998-11-02 2004-04-15 Bonsignore Patrick V. Composition for enhancing thermal conductivity of a heat transfer medium and method of use thereof
JP2000143808A (ja) 1998-11-17 2000-05-26 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 熱伝導性・電気絶縁性シリコーンゲル組成物
CA2355171C (en) 1998-12-15 2009-12-15 Parker-Hannifin Corporation Method of applying a phase change thermal interface material
US6238596B1 (en) * 1999-03-09 2001-05-29 Johnson Matthey Electronics, Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US6391442B1 (en) 1999-07-08 2002-05-21 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Phase change thermal interface material
US6706219B2 (en) 1999-09-17 2004-03-16 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
US6605238B2 (en) 1999-09-17 2003-08-12 Honeywell International Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US6975944B1 (en) 1999-09-28 2005-12-13 Alpha Mos Method and apparatus for monitoring materials used in electronics
US6496373B1 (en) 1999-11-04 2002-12-17 Amerasia International Technology, Inc. Compressible thermally-conductive interface
JP2001139818A (ja) 1999-11-12 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーンゴム組成物
US6673434B2 (en) 1999-12-01 2004-01-06 Honeywell International, Inc. Thermal interface materials
US6797382B2 (en) 1999-12-01 2004-09-28 Honeywell International Inc. Thermal interface materials
US6451422B1 (en) 1999-12-01 2002-09-17 Johnson Matthey, Inc. Thermal interface materials
US7078109B2 (en) 2000-02-25 2006-07-18 Thermagon Inc. Heat spreading thermal interface structure
US6940721B2 (en) 2000-02-25 2005-09-06 Richard F. Hill Thermal interface structure for placement between a microelectronic component package and heat sink
US7369411B2 (en) 2000-02-25 2008-05-06 Thermagon, Inc. Thermal interface assembly and method for forming a thermal interface between a microelectronic component package and heat sink
US6372997B1 (en) 2000-02-25 2002-04-16 Thermagon, Inc. Multi-layer structure and method for forming a thermal interface with low contact resistance between a microelectronic component package and heat sink
US6339120B1 (en) 2000-04-05 2002-01-15 The Bergquist Company Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
US6649325B1 (en) 2001-05-25 2003-11-18 The Bergquist Company Thermally conductive dielectric mounts for printed circuitry and semi-conductor devices and method of preparation
US6797758B2 (en) 2000-04-05 2004-09-28 The Bergquist Company Morphing fillers and thermal interface materials
US6984685B2 (en) 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
US20030207128A1 (en) 2000-04-10 2003-11-06 Tomoaki Uchiya Thermally conductive sheet
US6400565B1 (en) 2000-04-21 2002-06-04 Dell Products L.P. Thermally conductive interface member
US6616999B1 (en) 2000-05-17 2003-09-09 Raymond G. Freuler Preapplicable phase change thermal interface pad
US6500891B1 (en) 2000-05-19 2002-12-31 Loctite Corporation Low viscosity thermally conductive compositions containing spherical thermally conductive particles
JP2002003830A (ja) 2000-06-26 2002-01-09 Denki Kagaku Kogyo Kk 高熱伝導性組成物とその用途
US6610635B2 (en) 2000-09-14 2003-08-26 Aos Thermal Compounds Dry thermal interface material
US6475962B1 (en) 2000-09-14 2002-11-05 Aos Thermal Compounds, Llc Dry thermal grease
US20040206941A1 (en) 2000-11-22 2004-10-21 Gurin Michael H. Composition for enhancing conductivity of a carrier medium and method of use thereof
US20030151030A1 (en) 2000-11-22 2003-08-14 Gurin Michael H. Enhanced conductivity nanocomposites and method of use thereof
US6573328B2 (en) 2001-01-03 2003-06-03 Loctite Corporation Low temperature, fast curing silicone compositions
MXPA03006498A (es) 2001-01-22 2003-10-15 Parker Hannifin Corp Entrecara termica de cambio de fase, de liberacion limpia.
JP2003049293A (ja) 2001-03-16 2003-02-21 Shipley Co Llc 錫メッキ
CN1260399C (zh) 2001-08-31 2006-06-21 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 电解镀锡溶液和用于电镀的方法
FR2831548B1 (fr) 2001-10-31 2004-01-30 Rhodia Chimie Sa Composition silicone adhesive reticulable comprenant comme agent thixotropant un compose a fonction amine cyclique portee par une chaine siloxanique
US20030112603A1 (en) 2001-12-13 2003-06-19 Roesner Arlen L. Thermal interface
US6620515B2 (en) 2001-12-14 2003-09-16 Dow Corning Corporation Thermally conductive phase change materials
KR100479857B1 (ko) 2001-12-28 2005-03-30 제일모직주식회사 반도체 패키지용 실리콘 수지 조성물
US6597575B1 (en) 2002-01-04 2003-07-22 Intel Corporation Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
US6946190B2 (en) 2002-02-06 2005-09-20 Parker-Hannifin Corporation Thermal management materials
DE60229072D1 (de) 2002-02-06 2008-11-06 Parker Hannifin Corp Wärmesteuerungsmaterialien mit phasenumwandlungsdispersion
US7846778B2 (en) 2002-02-08 2010-12-07 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US6926955B2 (en) 2002-02-08 2005-08-09 Intel Corporation Phase change material containing fusible particles as thermally conductive filler
US20040149587A1 (en) 2002-02-15 2004-08-05 George Hradil Electroplating solution containing organic acid complexing agent
US20030159938A1 (en) 2002-02-15 2003-08-28 George Hradil Electroplating solution containing organic acid complexing agent
TWI268292B (en) 2002-03-05 2006-12-11 Shipley Co Llc Limiting the loss of tin through oxidation in tin or tin alloy electroplating bath solutions
US6913686B2 (en) 2002-12-10 2005-07-05 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for analyzing solder plating solutions
US6815486B2 (en) 2002-04-12 2004-11-09 Dow Corning Corporation Thermally conductive phase change materials and methods for their preparation and use
US20030203181A1 (en) 2002-04-29 2003-10-30 International Business Machines Corporation Interstitial material with enhanced thermal conductance for semiconductor device packaging
US7147367B2 (en) 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
US20030230403A1 (en) 2002-06-14 2003-12-18 Webb Brent J. Conductive thermal interface and compound
US6791839B2 (en) 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
JP2005538535A (ja) 2002-07-15 2005-12-15 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 熱的インターコネクトおよびインターフェースシステム、製造方法およびその使用
JP4016326B2 (ja) 2002-08-02 2007-12-05 石原薬品株式会社 無電解スズメッキ浴
US6657297B1 (en) 2002-08-15 2003-12-02 The Bergquist Company Flexible surface layer film for delivery of highly filled or low cross-linked thermally conductive interface pads
US6908682B2 (en) 2002-09-12 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic
US6783692B2 (en) 2002-10-17 2004-08-31 Dow Corning Corporation Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation
CN1296994C (zh) 2002-11-14 2007-01-24 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
FR2848215B1 (fr) 2002-12-04 2006-08-04 Rhodia Chimie Sa Composition elastomere silicone, adhesive, monocomposante et reticulable par polyaddition
US7326042B2 (en) 2002-12-24 2008-02-05 Bostik Findley, Inc. Apparatus for packaging hot melt adhesives using a mold and carrier
JP4288469B2 (ja) 2003-03-12 2009-07-01 石原薬品株式会社 銅侵食防止用の無電解スズメッキ浴、及び銅侵食防止方法
EP1616337A2 (en) 2003-04-02 2006-01-18 Honeywell International, Inc. Thermal interconnect and interface systems, methods of production and uses thereof
US7013965B2 (en) 2003-04-29 2006-03-21 General Electric Company Organic matrices containing nanomaterials to enhance bulk thermal conductivity
US7229683B2 (en) 2003-05-30 2007-06-12 3M Innovative Properties Company Thermal interface materials and method of making thermal interface materials
US7744991B2 (en) 2003-05-30 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Thermally conducting foam interface materials
TWI251320B (en) 2003-07-04 2006-03-11 Fuji Polymer Ind Thermal conductive composition, a heat-dissipating putty sheet and heat-dissipating structure using the same
KR100981571B1 (ko) * 2003-07-26 2010-09-10 삼성전자주식회사 다중 입력 다중 출력 적응 안테나 어레이 방식을 사용하는이동 통신 시스템에서 신호 송수신 시스템 및 방법
US6874573B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermal interface material
US6985690B2 (en) 2003-07-31 2006-01-10 Xerox Corporation Fuser and fixing members containing PEI-PDMS block copolymers
JP2005060822A (ja) 2003-08-08 2005-03-10 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 複合基体の電気メッキ
US8039961B2 (en) 2003-08-25 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite carbon nanotube-based structures and methods for removing heat from solid-state devices
US20050049350A1 (en) 2003-08-25 2005-03-03 Sandeep Tonapi Thin bond-line silicone adhesive composition and method for preparing the same
US7550097B2 (en) 2003-09-03 2009-06-23 Momentive Performance Materials, Inc. Thermal conductive material utilizing electrically conductive nanoparticles
US20050072334A1 (en) 2003-10-07 2005-04-07 Saint-Gobain Performance Plastics, Inc. Thermal interface material
US7695817B2 (en) 2003-11-05 2010-04-13 Dow Corning Corporation Thermally conductive grease and methods and devices in which said grease is used
US7306823B2 (en) * 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
US20050228097A1 (en) 2004-03-30 2005-10-13 General Electric Company Thermally conductive compositions and methods of making thereof
WO2005111146A1 (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Techno Polymer Co., Ltd. 熱伝導性樹脂組成物及びその製造方法並びにハウジング
BRPI0418816A (pt) 2004-05-20 2007-11-13 Gen Electric matrizes orgánicas contendo nanomateriais para aumentar condutividade térmica em volume
US20050287362A1 (en) 2004-06-23 2005-12-29 3M Innovative Properties Company Halogen free tapes & method of making same
US20080302064A1 (en) 2004-07-13 2008-12-11 Rauch Robert A Novel Packaging Solution for Highly Filled Phase-Change Thermal Interface Material
EP1797155B1 (en) 2004-08-23 2015-10-07 General Electric Company Thermally conductive composition and method for preparing the same
ATE512191T1 (de) 2004-08-31 2011-06-15 Basf Se Stabilisierung von organischen materialien
US7850870B2 (en) 2004-10-28 2010-12-14 Dow Corning Corporation Conductive curable compositions
US7328547B2 (en) 2004-10-29 2008-02-12 Bostik, Inc. Process for packaging plastic materials like hot melt adhesives
US8058190B2 (en) 2005-02-01 2011-11-15 Dow Corning Corporation Curable coating compositions
US7241707B2 (en) 2005-02-17 2007-07-10 Intel Corporation Layered films formed by controlled phase segregation
CN100543103C (zh) 2005-03-19 2009-09-23 清华大学 热界面材料及其制备方法
US20060228542A1 (en) 2005-04-08 2006-10-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material having spheroidal particulate filler
US20060260948A2 (en) 2005-04-14 2006-11-23 Enthone Inc. Method for electrodeposition of bronzes
CN100404242C (zh) 2005-04-14 2008-07-23 清华大学 热界面材料及其制造方法
KR100934401B1 (ko) 2005-04-28 2009-12-29 멜텍스 가부시키가이샤 주석 도금액, 그 주석 도금액을 이용한 주석 도금 방법,주석 도금액 조정 방법 및 그 주석 도금액을 이용하여형성된 주석 도금층을 구비한 칩 부품
US20060264566A1 (en) 2005-05-19 2006-11-23 Wacker Chemical Corporation HCR room temperature curable rubber composition
JP2007002002A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 伝熱性樹脂組成物
US20070051773A1 (en) 2005-09-02 2007-03-08 Ruchert Brian D Thermal interface materials, methods of preparation thereof and their applications
EP1839469A2 (en) 2005-11-01 2007-10-03 Techfilm, LLC Thermal interface material with multiple size distribution thermally conductive fillers
CN1970666A (zh) 2005-11-24 2007-05-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 导热胶
CN1978582A (zh) 2005-12-09 2007-06-13 富准精密工业(深圳)有限公司 导热膏及使用该导热膏的电子装置
US7465605B2 (en) 2005-12-14 2008-12-16 Intel Corporation In-situ functionalization of carbon nanotubes
US7964542B2 (en) * 2006-01-12 2011-06-21 International Business Machines Corporation Enhanced thermo-oxidative stability thermal interface compositions and use thereof in microelectronics assembly
US20070179232A1 (en) 2006-01-30 2007-08-02 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermal Interface Material
US7955900B2 (en) 2006-03-31 2011-06-07 Intel Corporation Coated thermal interface in integrated circuit die
TWI313695B (en) 2006-04-20 2009-08-21 Taiwan Textile Res Inst Melted-spinning grains containing thermal-stable phase-change polymer and preparation method thereof
US20080023665A1 (en) 2006-07-25 2008-01-31 Weiser Martin W Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US20100197533A1 (en) 2006-09-05 2010-08-05 3M Innovative Properties Company Thermally conductive grease
JP2008063412A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Showa Denko Kk 熱伝導性樹脂組成物およびシート
US20100048435A1 (en) 2006-10-17 2010-02-25 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Grease
US7554793B2 (en) 2006-11-16 2009-06-30 Kemet Electronics Corporation Low temperature curable conductive adhesive and capacitors formed thereby
US8431647B2 (en) 2006-12-27 2013-04-30 Bluestar Silicones France Sas Adhesive silicone compositions and adhesive bonding/seaming therewith
KR101547343B1 (ko) 2007-02-20 2015-08-28 다우 코닝 코포레이션 수소결합 폴리오가노실록세인을 기반으로 하는 충전물 처리제
CN101067030A (zh) 2007-03-30 2007-11-07 广东华南精细化工研究院有限公司 新型聚烯烃高效耐热氧化复合型抗氧剂及其生产工艺和应用
JP2010524236A (ja) 2007-04-02 2010-07-15 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 熱グリース物品及び方法
US8431655B2 (en) 2007-04-09 2013-04-30 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy compositions
GB0707176D0 (en) 2007-04-16 2007-05-23 Dow Corning Hydrosilylation curable compositions
US7462294B2 (en) 2007-04-25 2008-12-09 International Business Machines Corporation Enhanced thermal conducting formulations
US20080291634A1 (en) 2007-05-22 2008-11-27 Weiser Martin W Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
FR2919615A1 (fr) 2007-08-02 2009-02-06 Bluestar Silicones France Soc Composition elastomere silicone adhesive
JP5269366B2 (ja) 2007-08-22 2013-08-21 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 耐熱型熱伝導性グリース
KR101696485B1 (ko) 2007-08-31 2017-01-13 캐보트 코포레이션 열 계면 물질
US8586650B2 (en) 2007-09-14 2013-11-19 Henkel US IP LLC Thermally conductive composition
JP2009102577A (ja) 2007-10-25 2009-05-14 Polymatech Co Ltd 熱伝導性組成物
US20090111925A1 (en) 2007-10-31 2009-04-30 Burnham Kikue S Thermal interface materials, methods of production and uses thereof
US9795059B2 (en) 2007-11-05 2017-10-17 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with thin film or metallization
US8445102B2 (en) 2007-11-05 2013-05-21 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material with thin transfer film or metallization
JP5137538B2 (ja) 2007-11-28 2013-02-06 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP2009138036A (ja) 2007-12-04 2009-06-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 熱伝導性シリコーングリース組成物
US8076773B2 (en) 2007-12-26 2011-12-13 The Bergquist Company Thermal interface with non-tacky surface
KR101184467B1 (ko) * 2008-01-16 2012-09-19 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법
US20090184283A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Deborah Duen Ling Chung Antioxidants for phase change ability and thermal stability enhancement
US20090215225A1 (en) 2008-02-24 2009-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials
US8632879B2 (en) 2008-04-25 2014-01-21 The University Of Kentucky Research Foundation Lightweight thermal management material for enhancement of through-thickness thermal conductivity
US10358535B2 (en) 2008-04-25 2019-07-23 The University Of Kentucky Research Foundation Thermal interface material
WO2009136508A1 (ja) 2008-05-08 2009-11-12 富士高分子工業株式会社 熱伝導性樹脂組成物
JP5607298B2 (ja) 2008-07-29 2014-10-15 株式会社カネカ 熱伝導材料
CN102112568A (zh) * 2008-08-04 2011-06-29 日立化成工业株式会社 胶粘剂组合物、膜状胶粘剂、胶粘片和半导体装置
US8394746B2 (en) 2008-08-22 2013-03-12 Exxonmobil Research And Engineering Company Low sulfur and low metal additive formulations for high performance industrial oils
EP2194165A1 (en) 2008-10-21 2010-06-09 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method for replenishing tin and its alloying metals in electrolyte solutions
US20100129648A1 (en) 2008-11-26 2010-05-27 Jun Xu Electronic packaging and heat sink bonding enhancements, methods of production and uses thereof
CN101445627A (zh) * 2008-12-11 2009-06-03 上海交通大学 高压直流电缆绝缘材料及其制备方法
US8138239B2 (en) 2008-12-23 2012-03-20 Intel Corporation Polymer thermal interface materials
JP5390202B2 (ja) 2009-01-21 2014-01-15 株式会社カネカ 放熱構造体
US7816785B2 (en) 2009-01-22 2010-10-19 International Business Machines Corporation Low compressive force, non-silicone, high thermal conducting formulation for thermal interface material and package
KR101959953B1 (ko) 2009-02-04 2019-03-19 다우 실리콘즈 코포레이션 비-무작위적 공중합체의 제조 방법
US9353304B2 (en) 2009-03-02 2016-05-31 Honeywell International Inc. Thermal interface material and method of making and using the same
EP2408860B1 (en) 2009-03-16 2020-03-18 Dow Silicones Corporation Thermally conductive grease and methods and devices in which said grease is used
JP2010248277A (ja) 2009-04-10 2010-11-04 Panasonic Corp 熱伝導性樹脂ペーストおよびそれを用いた光ディスク装置
ES2733913T3 (es) 2009-05-05 2019-12-03 Parker Hannifin Corp Producto de espuma termoconductor
JP5577553B2 (ja) * 2009-05-27 2014-08-27 協同油脂株式会社 放熱コンパウンド組成物
US8081468B2 (en) 2009-06-17 2011-12-20 Laird Technologies, Inc. Memory modules including compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies
WO2010147759A2 (en) 2009-06-19 2010-12-23 Dow Corning Corporation Use of ionomeric silicone thermoplastic elastomers in electronic devices
US8535787B1 (en) 2009-06-29 2013-09-17 Juniper Networks, Inc. Heat sinks having a thermal interface for cooling electronic devices
US20130199724A1 (en) 2009-10-09 2013-08-08 Designer Molecules, Inc. Curatives for epoxy compositions
JP5463116B2 (ja) 2009-10-14 2014-04-09 電気化学工業株式会社 熱伝導性材料
US9593209B2 (en) 2009-10-22 2017-03-14 Dow Corning Corporation Process for preparing clustered functional polyorganosiloxanes, and methods for their use
US8223498B2 (en) 2009-11-11 2012-07-17 Juniper Networks, Inc. Thermal interface members for removable electronic devices
JP5318733B2 (ja) 2009-11-26 2013-10-16 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 熱伝導性グリース
GB2508320B (en) 2009-12-09 2014-07-23 Intel Corp Polymer thermal interface materials
TWI475103B (zh) 2009-12-15 2015-03-01 Ind Tech Res Inst 散熱結構
KR101524506B1 (ko) 2009-12-21 2015-06-01 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 열전도성 폼 재료
CN101735619B (zh) 2009-12-28 2011-11-09 华南理工大学 一种无卤阻燃导热有机硅电子灌封胶及其制备方法
KR101023241B1 (ko) * 2009-12-28 2011-03-21 제일모직주식회사 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
JP2011165792A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Teijin Dupont Films Japan Ltd 放熱性二軸延伸フィルム
US9771508B2 (en) 2010-02-23 2017-09-26 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials including thermally reversible gels
US9260645B2 (en) 2010-02-23 2016-02-16 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials including thermally reversible gels
WO2011114665A1 (ja) 2010-03-15 2011-09-22 日本化薬株式会社 耐熱用接着剤
WO2011137360A1 (en) 2010-04-30 2011-11-03 Indium Corporation Thermal interface materials with good reliability
US8308861B2 (en) 2010-05-13 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Phase change material compositions
US8647752B2 (en) 2010-06-16 2014-02-11 Laird Technologies, Inc. Thermal interface material assemblies, and related methods
CN102134474B (zh) 2010-12-29 2013-10-02 深圳市优宝惠新材料科技有限公司 导热硅脂组合物
US8917510B2 (en) 2011-01-14 2014-12-23 International Business Machines Corporation Reversibly adhesive thermal interface material
US9598575B2 (en) 2011-01-26 2017-03-21 Dow Corning Corporation High temperature stable thermally conductive materials
US8277774B2 (en) 2011-01-27 2012-10-02 Honeywell International Method for the preparation of high purity stannous oxide
ES2609110T3 (es) 2011-03-30 2017-04-18 Infacare Pharmaceutical Corporation Procedimientos de síntesis de mesoporfirinas metálicas
US20120285673A1 (en) 2011-05-11 2012-11-15 Georgia Tech Research Corporation Nanostructured composite polymer thermal/electrical interface material and method for making the same
JP2012241063A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用の接着シート
JP5844371B2 (ja) * 2011-08-10 2016-01-13 株式会社Adeka ケイ素含有硬化性組成物及びその硬化物
JP5687167B2 (ja) 2011-09-27 2015-03-18 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 耐熱型熱伝導性グリース
CN103102689B (zh) 2011-11-15 2015-04-01 佛山市金戈消防材料有限公司 一种高导热有机硅灌封胶组合物及其应用
CN103999014B (zh) * 2011-11-15 2019-03-12 汉高知识产权控股有限责任公司 利用热绝缘层组装的电子设备
CN103131138B (zh) 2011-11-23 2016-05-11 合肥杰事杰新材料股份有限公司 一种热塑性聚酯组合物及其制备方法
CN103254647A (zh) 2012-02-20 2013-08-21 深圳德邦界面材料有限公司 一种导热缝隙界面材料及其制备方法
CN102627943A (zh) 2012-04-11 2012-08-08 北京化工大学常州先进材料研究院 一种湿气/紫外光双固化有机硅胶粘剂
JP5783128B2 (ja) 2012-04-24 2015-09-24 信越化学工業株式会社 加熱硬化型熱伝導性シリコーングリース組成物
US8937384B2 (en) 2012-04-25 2015-01-20 Qualcomm Incorporated Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders
TWI598385B (zh) 2012-05-10 2017-09-11 國立清華大學 絕緣化熱介面材料
JP2014003152A (ja) 2012-06-18 2014-01-09 Dow Corning Toray Co Ltd サーマルインターフェース材の形成方法および放熱構造体
KR102020257B1 (ko) 2012-07-04 2019-09-10 디아이씨 가부시끼가이샤 히트 시일제, 그것을 사용한 적층체 및 태양 전지 모듈
US8587945B1 (en) 2012-07-27 2013-11-19 Outlast Technologies Llc Systems structures and materials for electronic device cooling
KR102041096B1 (ko) 2012-07-30 2019-11-07 다우 실리콘즈 코포레이션 열 전도성 축합 반응 경화성 폴리오가노실록산 조성물 및 조성물의 제조 방법 및 사용 방법
GB201220099D0 (en) 2012-09-19 2012-12-26 Dow Corning Production of blend of polyolefin and organopolysiloxane
JP5944306B2 (ja) 2012-12-21 2016-07-05 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 高熱伝導性グリース
CN103087389B (zh) 2013-01-31 2015-06-10 合肥工业大学 一种高导热高韧性复合材料及其制备方法
WO2014124382A1 (en) 2013-02-11 2014-08-14 Dow Corning Corporation In situ method for forming thermally conductive thermal radical cure silicone composition
JP5372270B1 (ja) 2013-02-19 2013-12-18 ビッグテクノス株式会社 熱放射性フィルム及び熱放射性粘着テープ
JP6263042B2 (ja) 2013-02-28 2018-01-17 コスモ石油ルブリカンツ株式会社 基油拡散防止性能を有する熱伝導性グリース
CN103102552A (zh) 2013-03-12 2013-05-15 泰山体育产业集团有限公司 一种相变保温聚烯烃泡沫材料及其制备方法
WO2014160067A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Dow Corning Corporation Thermally curable silicone compositions as temporary bonding adhesives
US9070660B2 (en) 2013-03-15 2015-06-30 Intel Corporation Polymer thermal interface material having enhanced thermal conductivity
CN103214848B (zh) 2013-04-28 2015-07-22 深圳市新亚新材料有限公司 一种用于cpu散热的相变导热硅脂组合物及其制备方法
CN103333447A (zh) 2013-06-26 2013-10-02 苏州天脉导热科技有限公司 一种相变化热界面材料及其制备方法
US10428253B2 (en) * 2013-07-16 2019-10-01 Hitachi Chemical Company, Ltd Photosensitive resin composition, film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, and semiconductor device
CN103409116B (zh) 2013-07-30 2015-07-22 深圳德邦界面材料有限公司 一种绝缘增强型导热界面材料及其制备方法
CN103436027B (zh) 2013-09-09 2015-10-28 北京化工大学 一种导热电绝缘硅橡胶热界面材料及其制备方法
US20150125646A1 (en) 2013-11-05 2015-05-07 Espci Innov Self-Healing Thermally Conductive Polymer Materials
WO2015068551A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 リンテック株式会社 保護膜形成用組成物、保護膜形成用シート、及び保護膜付きチップ
JP2015097134A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板
CN103756631B (zh) 2013-11-28 2015-06-03 常熟市恒信粘胶有限公司 双组份自粘性加成型阻燃导热室温固化有机硅灌封胶
US10174433B2 (en) 2013-12-05 2019-01-08 Honeywell International Inc. Stannous methanesulfonate solution with adjusted pH
CN104152103B (zh) 2013-12-23 2016-08-17 郑州中原应用技术研究开发有限公司 一种加成型双组分导热灌封胶及其制备方法
CN103709757A (zh) 2013-12-30 2014-04-09 无锡中石油润滑脂有限责任公司 一种绝缘导热硅脂及其制备方法
CN104449550B (zh) 2013-12-31 2016-08-17 弗洛里光电材料(苏州)有限公司 有机硅组合物及其应用
CN103773322A (zh) 2014-02-08 2014-05-07 中国电子科技集团公司第三十三研究所 一种相变微胶囊导热材料及其制备方法
EP3105300B1 (en) 2014-02-13 2019-08-21 Honeywell International Inc. Compressible thermal interface materials
CN103865271B (zh) 2014-03-20 2017-04-05 北京化工大学 一种纳米杂化材料改性的有机硅导热电子灌封胶的制备方法
CN103849356A (zh) 2014-03-20 2014-06-11 中国电子科技集团公司第三十三研究所 一种电气绝缘相变导热材料及其制备方法
JP6348434B2 (ja) 2014-03-28 2018-06-27 信越化学工業株式会社 シリコーン粘着剤組成物、その製造法及び粘着フィルム
US20150334871A1 (en) 2014-05-19 2015-11-19 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with thin film sealants
CN104140678B (zh) 2014-06-29 2017-04-12 惠州市永卓科技有限公司 一种具有自粘性的导热硅脂及其制备方法
CN104098914B (zh) 2014-07-02 2017-09-29 深圳市安品有机硅材料有限公司 有机硅导热界面材料
CN106536609B (zh) 2014-07-07 2022-04-29 霍尼韦尔国际公司 具有离子清除剂的热界面材料
EP3190636B1 (en) 2014-09-01 2020-07-29 Kaneka Corporation Automotive led lamp heat sink
CA2962582C (en) 2014-09-22 2021-11-09 Dow Global Technologies Llc Thermal grease based on hyperbranched olefinic fluid
CN107078200B (zh) 2014-10-23 2018-12-07 株式会社钟化 Led灯散热器
JP6653662B2 (ja) * 2014-10-24 2020-02-26 ナミックス株式会社 導電性組成物及びそれを用いた電子部品
CN107250317A (zh) 2014-12-05 2017-10-13 霍尼韦尔国际公司 具有低热阻的高性能热界面材料
CN104513487B (zh) 2014-12-10 2017-05-10 东莞兆舜有机硅科技股份有限公司 一种双组分导热硅凝胶及其用途
CN104497574A (zh) 2014-12-10 2015-04-08 深圳市博恩实业有限公司 多功能有机硅热界面材料
DE112014007281B4 (de) 2014-12-25 2022-07-07 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Silikonzusammensetzung
US10431858B2 (en) 2015-02-04 2019-10-01 Global Web Horizons, Llc Systems, structures and materials for electrochemical device thermal management
CN104804705A (zh) 2015-05-06 2015-07-29 成都拓利化工实业有限公司 低释气量加成型无卤阻燃导热有机硅灌封胶及其制备方法
CN104861661A (zh) 2015-05-13 2015-08-26 浙江中天氟硅材料有限公司 一种低密度导热灌封胶及其制备方法
WO2016194361A1 (ja) 2015-06-03 2016-12-08 株式会社カネカ 金属樹脂複合体
CN105111750A (zh) 2015-09-09 2015-12-02 蓝星(成都)新材料有限公司 一种led灌封用有机硅密封胶
EP3348618B1 (en) 2015-09-09 2021-12-29 Kaneka Corporation Heat-conductive resin composition
CN105349113A (zh) 2015-10-14 2016-02-24 文雪烽 一种导热界面材料
JP6497291B2 (ja) 2015-10-14 2019-04-10 信越化学工業株式会社 絶縁放熱シート
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
CN105419339A (zh) 2015-12-01 2016-03-23 江苏晶河电子科技有限公司 一种高性能硅基导热凝胶及其制备方法
CN105670555A (zh) 2016-01-22 2016-06-15 何挺 一种高导热型的有机硅灌封胶
BR112018067991A2 (pt) 2016-03-08 2019-01-15 Honeywell Int Inc material de interface térmica, e componente eletrônico
CN105925243A (zh) 2016-05-23 2016-09-07 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种室温固化型高导热柔性硅胶
CN105838322A (zh) 2016-05-26 2016-08-10 张学健 一种新型有机硅灌封胶
US20180030328A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
EP3526303A4 (en) 2016-10-12 2020-09-09 Honeywell International Inc. THERMAL INTERMEDIATE MATERIAL WITH COLORS
JP7129181B2 (ja) 2017-03-17 2022-09-01 旭化成株式会社 ヘッドマウントディスプレイ用部材

Also Published As

Publication number Publication date
HUE061592T2 (hu) 2023-07-28
EP3166999B1 (en) 2023-03-08
CN106536609A (zh) 2017-03-22
CA2951437A1 (en) 2016-01-14
CN106536609B (zh) 2022-04-29
KR102282332B1 (ko) 2021-07-27
EP3166999A1 (en) 2017-05-17
MX2016016984A (es) 2017-05-03
US20170137685A1 (en) 2017-05-18
US20190048245A1 (en) 2019-02-14
KR20170031100A (ko) 2017-03-20
US10428257B2 (en) 2019-10-01
CA2951437C (en) 2022-03-15
JP2017528538A (ja) 2017-09-28
US10155894B2 (en) 2018-12-18
WO2016004565A1 (en) 2016-01-14
PL3166999T3 (pl) 2023-07-03
BR112016029690A2 (pt) 2017-08-22
EP3166999A4 (en) 2018-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6401310B2 (ja) イオンスカベンジャーを有する熱界面材料
TWI718266B (zh) 相變化材料
JP6542891B2 (ja) 低い熱インピーダンスを有する高性能熱界面材料
JP5395155B2 (ja) 電気絶縁性熱伝導性組成物及び電子装置
EP3608384A1 (en) Heat-conductive sheet
JP2006278445A (ja) 熱伝導シート
JP2005272648A (ja) 熱伝導材料の製造方法
WO2023182217A1 (ja) 熱伝導性ポリマー組成物、熱伝導性ポリマー組成物形成材料、熱伝導性ポリマー
JP2008088384A (ja) 熱伝導性組成物および熱伝導性成形体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180808

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6401310

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250