JP2003049293A - 錫メッキ - Google Patents
錫メッキInfo
- Publication number
- JP2003049293A JP2003049293A JP2002071336A JP2002071336A JP2003049293A JP 2003049293 A JP2003049293 A JP 2003049293A JP 2002071336 A JP2002071336 A JP 2002071336A JP 2002071336 A JP2002071336 A JP 2002071336A JP 2003049293 A JP2003049293 A JP 2003049293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- nickel
- alloy
- underlayer
- cobalt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12708—Sn-base component
- Y10T428/12722—Next to Group VIII metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】薄い金属アンダーコートの使用により、錫フィ
ルム中のホイスカ形成を減少させる方法を開示する。さ
らに、実質的にホイスカの形成が減少された錫フィルム
を有する構造物を開示する。 【解決手段】ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金を含む金属下層を基体の上に堆積させる行
程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を堆積さ
せる行程を含む、基体の上に錫または錫合金を堆積させ
る方法であって、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを
有する方法。
ルム中のホイスカ形成を減少させる方法を開示する。さ
らに、実質的にホイスカの形成が減少された錫フィルム
を有する構造物を開示する。 【解決手段】ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金を含む金属下層を基体の上に堆積させる行
程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を堆積さ
せる行程を含む、基体の上に錫または錫合金を堆積させ
る方法であって、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを
有する方法。
Description
【０００１】本発明は概して錫メッキの分野に関する。
特には、本発明は錫フィルムにおけるホイスカ形成性の
減少に関する。
特には、本発明は錫フィルムにおけるホイスカ形成性の
減少に関する。
【０００２】錫層は典型的には部品の良好な半田付け性
を提供するために電子工業において使用される。たとえ
ば、錫層は銅のリードフレーム上に堆積され、半田付け
可能な仕上がりを提供する。残念ながら、錫層はホイス
カ形成の問題を有する。「ホイスカ」は錫層の表面から
成長する髪の毛様の単結晶である。錫ホイスカは６ナノ
メートルから６ミクロンの直径を有し、数ミリメートル
の長さに達する。このようなホイスカは短絡を生じ、電
子回路にノイズをもたらし、そのため電子デバイスの信
頼性についての問題を生ずる。
を提供するために電子工業において使用される。たとえ
ば、錫層は銅のリードフレーム上に堆積され、半田付け
可能な仕上がりを提供する。残念ながら、錫層はホイス
カ形成の問題を有する。「ホイスカ」は錫層の表面から
成長する髪の毛様の単結晶である。錫ホイスカは６ナノ
メートルから６ミクロンの直径を有し、数ミリメートル
の長さに達する。このようなホイスカは短絡を生じ、電
子回路にノイズをもたらし、そのため電子デバイスの信
頼性についての問題を生ずる。
【０００３】錫ホイスカは、錫のバルクな拡散にも起因
すると考えられているが、錫または錫合金層のストレス
の結果であると考えられている。錫層における不純物原
子の存在による格子ストレス、錫メッキ条件による残留
応力、錫層への機械的荷重または機械的作用によるスト
レス、金属間化合物形成のような隣接層との相互作用に
よるストレス、熱膨張率の相違などをはじめとする種々
のストレス発生要因が仮定されている。たとえば、Ｅｗ
ｅｌｌらの、Ｔｉｎ Ｗｈｉｓｋｅｒｓ ａｎｄ Ｐａ
ｓｓｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ：Ａ Ｒｅｖｉｅｗ
ｏｆ ｔｈｅＣｏｎｃｅｒｎｓ，１８ｔｈ Ｃａｐａ
ｃｉｔｏｒ ａｎｄ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，ｐｐ２２２−２２８，
１９９８年３月、を参照。
すると考えられているが、錫または錫合金層のストレス
の結果であると考えられている。錫層における不純物原
子の存在による格子ストレス、錫メッキ条件による残留
応力、錫層への機械的荷重または機械的作用によるスト
レス、金属間化合物形成のような隣接層との相互作用に
よるストレス、熱膨張率の相違などをはじめとする種々
のストレス発生要因が仮定されている。たとえば、Ｅｗ
ｅｌｌらの、Ｔｉｎ Ｗｈｉｓｋｅｒｓ ａｎｄ Ｐａ
ｓｓｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ：Ａ Ｒｅｖｉｅｗ
ｏｆ ｔｈｅＣｏｎｃｅｒｎｓ，１８ｔｈ Ｃａｐａ
ｃｉｔｏｒ ａｎｄ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，ｐｐ２２２−２２８，
１９９８年３月、を参照。
【０００４】錫ホイスカの問題を解決するための１つの
試みは、基体と錫層との間にアンダープレート又は下層
を使用することであった。そのような下層は銅のような
基体と錫層との間にバリアを提供する。そのようなバリ
アは基体金属と錫層との間の相互作用を遅らせ、金属間
化合物の形成を減らし、ホイスカの形成を減少させると
考えられている。そのようなバリア層はホイスカの形成
を防止するために特定の最低厚さであることが必要であ
ると考えられ、最低厚さはバリア物質として使用される
具体的な金属または合金に依存すると考えられていた。
たとえば、Ｈａｄａらの、Ｓｔｕｄｙ ｏｆ Ｔｉｎ
Ｗｈｉｓｋｅｒｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔ
ｉｃ Ｒｅｌａｙ Ｐａｒｔｓ， Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ２５ｔｈ Ａｎｎｕａｌ Ｒｅｌ
ａｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９７６， ｐｐ９−１
から９−１５は、錫層に対する好適な下層として少なく
とも２ミクロンの厚さを有するニッケル層を開示する。
Ｈａｄａらは、２から５ミクロンのニッケル層が下層と
して使用される場合、堆積された錫層はホイスカ形成の
兆候を示さないことを開示している。そのような２ミク
ロンの厚さのニッケルは公知であるが、従来のチップコ
ンデンサーは５から６ミクロンのニッケル下層を有して
いた。たとえば、Ｋｕｈｌらの、Ａｓｓｕｒｉｎｇ Ｗ
ｈｉｓｋｅｒ−ｆｒｅｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ， Ｓ
ＭＴ Ｍａｇａｚｉｎｅ， ｐｐ４８−４９，１９９５
年６月を参照。
試みは、基体と錫層との間にアンダープレート又は下層
を使用することであった。そのような下層は銅のような
基体と錫層との間にバリアを提供する。そのようなバリ
アは基体金属と錫層との間の相互作用を遅らせ、金属間
化合物の形成を減らし、ホイスカの形成を減少させると
考えられている。そのようなバリア層はホイスカの形成
を防止するために特定の最低厚さであることが必要であ
ると考えられ、最低厚さはバリア物質として使用される
具体的な金属または合金に依存すると考えられていた。
たとえば、Ｈａｄａらの、Ｓｔｕｄｙ ｏｆ Ｔｉｎ
Ｗｈｉｓｋｅｒｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔ
ｉｃ Ｒｅｌａｙ Ｐａｒｔｓ， Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ２５ｔｈ Ａｎｎｕａｌ Ｒｅｌ
ａｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９７６， ｐｐ９−１
から９−１５は、錫層に対する好適な下層として少なく
とも２ミクロンの厚さを有するニッケル層を開示する。
Ｈａｄａらは、２から５ミクロンのニッケル層が下層と
して使用される場合、堆積された錫層はホイスカ形成の
兆候を示さないことを開示している。そのような２ミク
ロンの厚さのニッケルは公知であるが、従来のチップコ
ンデンサーは５から６ミクロンのニッケル下層を有して
いた。たとえば、Ｋｕｈｌらの、Ａｓｓｕｒｉｎｇ Ｗ
ｈｉｓｋｅｒ−ｆｒｅｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ， Ｓ
ＭＴ Ｍａｇａｚｉｎｅ， ｐｐ４８−４９，１９９５
年６月を参照。
【０００５】半導体リードフレーム製造のような多くの
電子用途において、金属堆積物の延性は重要である。た
とえば、リードフレームパッケージの外側のリードに半
田付け性を助けるために錫又は錫合金が堆積された後、
リードは曲げ成型され、コンポーネントパッケージのプ
リント配線板への適切な付着のための正しいフットプリ
ントを提供する。この成型操作は、リードを９０度以上
に曲げ、堆積されたリードに著しい歪みを発生させる。
リードの上の電着仕上げが成型操作に耐えるに十分に延
性でなかったら、堆積物はクラックを生ずる。そのよう
な堆積物のクラックは、銅基体の露出をもたらし、半田
付け性の問題が生ずる。ニッケルは錫又は錫合金ほどは
延性がなく、したがってニッケル下層におけるクラック
形成が問題となる。
電子用途において、金属堆積物の延性は重要である。た
とえば、リードフレームパッケージの外側のリードに半
田付け性を助けるために錫又は錫合金が堆積された後、
リードは曲げ成型され、コンポーネントパッケージのプ
リント配線板への適切な付着のための正しいフットプリ
ントを提供する。この成型操作は、リードを９０度以上
に曲げ、堆積されたリードに著しい歪みを発生させる。
リードの上の電着仕上げが成型操作に耐えるに十分に延
性でなかったら、堆積物はクラックを生ずる。そのよう
な堆積物のクラックは、銅基体の露出をもたらし、半田
付け性の問題が生ずる。ニッケルは錫又は錫合金ほどは
延性がなく、したがってニッケル下層におけるクラック
形成が問題となる。
【０００６】錫ホイスカ形成を減少させるための他の試
みは、たとえば、約１０ミクロンの厚い錫層を使用する
ことである。しかし、そのような厚い層は常に実際的で
あるわけではなく、それは最近のマイクロエレクトリッ
ク用途においては厚すぎる場合がある。
みは、たとえば、約１０ミクロンの厚い錫層を使用する
ことである。しかし、そのような厚い層は常に実際的で
あるわけではなく、それは最近のマイクロエレクトリッ
ク用途においては厚すぎる場合がある。
【０００７】米国特許第５，７５０，０１７号は、パル
スメッキ条件を使用して金属基体に錫又は錫合金をメッ
キする方法を開示する。そのようなメッキ方法は２から
８ミクロンの錫のグレインサイズを有する錫層を提供す
る。そのようなグレインサイズは錫ホイスカ形成を減少
させると考えられている。典型的には、得られた錫層は
３から６ミクロンの厚さを有する。
スメッキ条件を使用して金属基体に錫又は錫合金をメッ
キする方法を開示する。そのようなメッキ方法は２から
８ミクロンの錫のグレインサイズを有する錫層を提供す
る。そのようなグレインサイズは錫ホイスカ形成を減少
させると考えられている。典型的には、得られた錫層は
３から６ミクロンの厚さを有する。
【０００８】したがって、減少されたホイスカ形成性お
よび減少された堆積物のクラックを有する、特に薄い層
の、錫又は錫合金層を提供する方法についての必要性が
存在する。
よび減少された堆積物のクラックを有する、特に薄い層
の、錫又は錫合金層を提供する方法についての必要性が
存在する。
【０００９】本発明にかかるニッケルまたはコバルト含
む薄い金属下層が、薄いフィルムにおいてホイスカ形成
性を大きく減少させるとともに、下層のクラッキングも
大きく減少させることが見いだされた。
む薄い金属下層が、薄いフィルムにおいてホイスカ形成
性を大きく減少させるとともに、下層のクラッキングも
大きく減少させることが見いだされた。
【００１０】第１の態様において、本発明は、ニッケ
ル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む
金属下層を最初に堆積させる工程、ついで該金属下層の
上に錫または錫合金層を堆積させる工程を含む、ホイス
カの形成を減少させる方法であって、該金属下層が１ミ
クロン以下の厚さを有する方法を提供する。
ル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む
金属下層を最初に堆積させる工程、ついで該金属下層の
上に錫または錫合金層を堆積させる工程を含む、ホイス
カの形成を減少させる方法であって、該金属下層が１ミ
クロン以下の厚さを有する方法を提供する。
【００１１】第２の態様において、本発明は、ニッケ
ル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む
金属下層を基体の上に堆積させる工程、ついで該金属下
層の上に錫または錫合金層を堆積させる工程を含む、基
体の上に錫または錫合金層を堆積させる方法であって、
該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有する方法を提供
する。
ル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む
金属下層を基体の上に堆積させる工程、ついで該金属下
層の上に錫または錫合金層を堆積させる工程を含む、基
体の上に錫または錫合金層を堆積させる方法であって、
該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有する方法を提供
する。
【００１２】第３の態様において、本発明は、基体の上
に堆積されたニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金を含む金属下層、および該金属下層の上に
堆積された錫または錫合金層を有し、該金属下層が１ミ
クロン以下の厚さを有する基体を提供する。
に堆積されたニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金を含む金属下層、および該金属下層の上に
堆積された錫または錫合金層を有し、該金属下層が１ミ
クロン以下の厚さを有する基体を提供する。
【００１３】第４の態様において、本発明は、デバイス
の上に堆積されたニッケル、ニッケル合金、コバルトま
たはコバルト合金を含む金属下層、および該金属下層の
上に堆積された錫または錫合金層を有し、該金属下層が
１ミクロン以下の厚さを有する電子デバイスを提供す
る。
の上に堆積されたニッケル、ニッケル合金、コバルトま
たはコバルト合金を含む金属下層、および該金属下層の
上に堆積された錫または錫合金層を有し、該金属下層が
１ミクロン以下の厚さを有する電子デバイスを提供す
る。
【００１４】本明細書を通じて、特に示されない限り
は、次の略語は次の意味を有する：℃＝摂氏；ｇ＝グラ
ム；Ｌ＝リットル；ｍＬ＝ミリリットル；Ａ＝アンペ
ア；ｄｍ＝デシメートル；μｍ＝ミクロン＝マイクロメ
ートル。用語「堆積」および「めっき」は本明細書を通
じて交換可能に使用される。用語「アンダープレート」
および「下層」は本明細書を通じて交換可能に使用され
る。本明細書において用語「下層」は、基体と錫又は錫
合金層の間に置かれる金属層をいう。用語「プリント配
線板」および「プリント回路板」は本明細書を通じて交
換可能に使用される。他に示されない限りは、全てのパ
ーセントは重量パーセントであり、すべての比は重量比
である。全ての数値範囲は境界値を含み、任意の順番で
組み合わせることができる。ただし、そのような数値範
囲が合計で１００％になることが明らかである場合を除
く。
は、次の略語は次の意味を有する：℃＝摂氏；ｇ＝グラ
ム；Ｌ＝リットル；ｍＬ＝ミリリットル；Ａ＝アンペ
ア；ｄｍ＝デシメートル；μｍ＝ミクロン＝マイクロメ
ートル。用語「堆積」および「めっき」は本明細書を通
じて交換可能に使用される。用語「アンダープレート」
および「下層」は本明細書を通じて交換可能に使用され
る。本明細書において用語「下層」は、基体と錫又は錫
合金層の間に置かれる金属層をいう。用語「プリント配
線板」および「プリント回路板」は本明細書を通じて交
換可能に使用される。他に示されない限りは、全てのパ
ーセントは重量パーセントであり、すべての比は重量比
である。全ての数値範囲は境界値を含み、任意の順番で
組み合わせることができる。ただし、そのような数値範
囲が合計で１００％になることが明らかである場合を除
く。
【００１５】本発明は、ニッケル、ニッケル合金、コバ
ルトまたはコバルト合金を含む金属下層を最初に堆積さ
せる工程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を
堆積させる工程を含む、ホイスカの形成を減少させる方
法であって、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有す
る方法を提供する。任意のニッケルおよびコバルト合金
が本発明において使用できる。「ニッケル合金」とは、
ニッケルおよび１以上の異なる合金元素を含む任意の金
属をいい、したがって、２元素合金および３元素合金な
どを含む。「コバルト合金」とは、コバルトおよび１以
上の異なる合金元素を含む任意の金属をいい、したがっ
て、２元素合金および３元素合金などを含む。好適な合
金元素としては、タングステン、ニッケル、コバルト、
リン等があげられるが、これらに限定されるものではな
い。ニッケル合金中のニッケルおよび、コバルト合金中
のコバルトの量は広範な範囲で変化しうるが、当業者の
決定できる事項である。特に好適な下層としては、ニッ
ケル、コバルト、ニッケル−コバルト、ニッケル−リ
ン、又はニッケル−タングステンがあげられる。特に好
適なニッケル−リン合金としては、２から１３％のリン
を含む合金があげられる。そのようなニッケル−リン合
金は電解的に、または無電解的に堆積されることがで
き、これは当業者の決定できる事項である。
ルトまたはコバルト合金を含む金属下層を最初に堆積さ
せる工程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を
堆積させる工程を含む、ホイスカの形成を減少させる方
法であって、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有す
る方法を提供する。任意のニッケルおよびコバルト合金
が本発明において使用できる。「ニッケル合金」とは、
ニッケルおよび１以上の異なる合金元素を含む任意の金
属をいい、したがって、２元素合金および３元素合金な
どを含む。「コバルト合金」とは、コバルトおよび１以
上の異なる合金元素を含む任意の金属をいい、したがっ
て、２元素合金および３元素合金などを含む。好適な合
金元素としては、タングステン、ニッケル、コバルト、
リン等があげられるが、これらに限定されるものではな
い。ニッケル合金中のニッケルおよび、コバルト合金中
のコバルトの量は広範な範囲で変化しうるが、当業者の
決定できる事項である。特に好適な下層としては、ニッ
ケル、コバルト、ニッケル−コバルト、ニッケル−リ
ン、又はニッケル−タングステンがあげられる。特に好
適なニッケル−リン合金としては、２から１３％のリン
を含む合金があげられる。そのようなニッケル−リン合
金は電解的に、または無電解的に堆積されることがで
き、これは当業者の決定できる事項である。
【００１６】本発明の下層は種々の方法により堆積させ
ることができる。好適な方法としては、無電解メッキ、
電解メッキ、浸漬メッキ、または蒸着たとえば、物理蒸
着もしくは化学蒸着があげられるが、これらに限定され
るものではない。下層が無電解メッキまたは電解メッキ
で堆積されることが好ましく、より好ましくは電解メッ
キで堆積される。そのような電解メッキは直流（ＤＣ）
メッキまたはパルスメッキで行うことができる。堆積の
選択は具体的な基体、および堆積される層に応じて変わ
る。そのような選択は当業者の決定できる事項である。
ることができる。好適な方法としては、無電解メッキ、
電解メッキ、浸漬メッキ、または蒸着たとえば、物理蒸
着もしくは化学蒸着があげられるが、これらに限定され
るものではない。下層が無電解メッキまたは電解メッキ
で堆積されることが好ましく、より好ましくは電解メッ
キで堆積される。そのような電解メッキは直流（ＤＣ）
メッキまたはパルスメッキで行うことができる。堆積の
選択は具体的な基体、および堆積される層に応じて変わ
る。そのような選択は当業者の決定できる事項である。
【００１７】広範な電解ニッケル浴が使用できる。その
ようなニッケル浴は典型的には、１以上の可溶性のニッ
ケル化合物のソース、たとえば、塩化ニッケルのような
ニッケルハライド、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッ
ケル、ニッケルフルオボレート、およびこれらの混合物
を含む。そのようなニッケル化合物は典型的には、電解
メッキ溶液中で１０から２５０ｇ／Ｌの範囲の濃度のニ
ッケルを提供するのに十分な量で使用される。ニッケル
電解メッキ浴が塩化ニッケルおよびスルファミン酸ニッ
ケルの両方を含むことが好ましい。浴中の塩化ニッケル
の量が８から１５ｇ／Ｌであり、スルファミン酸ニッケ
ルの量がニッケルとして８０から１５０ｇ／Ｌであるこ
とがさらに好ましい。
ようなニッケル浴は典型的には、１以上の可溶性のニッ
ケル化合物のソース、たとえば、塩化ニッケルのような
ニッケルハライド、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッ
ケル、ニッケルフルオボレート、およびこれらの混合物
を含む。そのようなニッケル化合物は典型的には、電解
メッキ溶液中で１０から２５０ｇ／Ｌの範囲の濃度のニ
ッケルを提供するのに十分な量で使用される。ニッケル
電解メッキ浴が塩化ニッケルおよびスルファミン酸ニッ
ケルの両方を含むことが好ましい。浴中の塩化ニッケル
の量が８から１５ｇ／Ｌであり、スルファミン酸ニッケ
ルの量がニッケルとして８０から１５０ｇ／Ｌであるこ
とがさらに好ましい。
【００１８】好適なニッケルメッキ浴は典型的には１以
上の酸、たとえば、ホウ酸、リン酸、亜リン酸、または
それらの混合物を含む。ホウ酸を含むニッケル電解メッ
キ浴の例としては、３０から６０ｇ／Ｌのホウ酸、好ま
しくは約４５ｇ／Ｌのホウ酸を含む。典型的には、その
ような浴のｐＨは約３．０から約５．０、好ましくは約
４．０である。そのようなニッケル電解メッキ浴の操作
温度は、約４０℃から約７０℃であり、好ましくは５０
℃から６５℃である。平均カソード電流密度は、約０．
５から１２アンペア／平方デシメートルであり、３から
６アンペア／平方デシメートルが好適な範囲である。
上の酸、たとえば、ホウ酸、リン酸、亜リン酸、または
それらの混合物を含む。ホウ酸を含むニッケル電解メッ
キ浴の例としては、３０から６０ｇ／Ｌのホウ酸、好ま
しくは約４５ｇ／Ｌのホウ酸を含む。典型的には、その
ような浴のｐＨは約３．０から約５．０、好ましくは約
４．０である。そのようなニッケル電解メッキ浴の操作
温度は、約４０℃から約７０℃であり、好ましくは５０
℃から６５℃である。平均カソード電流密度は、約０．
５から１２アンペア／平方デシメートルであり、３から
６アンペア／平方デシメートルが好適な範囲である。
【００１９】ニッケル合金メッキ浴では、１以上の他の
合金金属化合物が使用される。そのような合金金属化合
物は、溶解した形態で電解質組成物に金属を提供する任
意のものであることができる。金属化合物としては、
塩、たとえば、金属ハライド、金属サルフェート、金属
アルカンスルホネート、たとえば金属メタンスルホネー
ト、金属アリールスルホネート、たとえば金属フェニル
スルホネートおよび金属トルエンスルホネート、金属ア
ルカノールスルホネートなどがあげられるが、これらに
限定されるものではない。他の金属化合物の選択および
電解質組成物中に存在するそのような他の金属化合物の
量は堆積される錫合金に応じて変化し、これは当業者の
決定できる事項である。
合金金属化合物が使用される。そのような合金金属化合
物は、溶解した形態で電解質組成物に金属を提供する任
意のものであることができる。金属化合物としては、
塩、たとえば、金属ハライド、金属サルフェート、金属
アルカンスルホネート、たとえば金属メタンスルホネー
ト、金属アリールスルホネート、たとえば金属フェニル
スルホネートおよび金属トルエンスルホネート、金属ア
ルカノールスルホネートなどがあげられるが、これらに
限定されるものではない。他の金属化合物の選択および
電解質組成物中に存在するそのような他の金属化合物の
量は堆積される錫合金に応じて変化し、これは当業者の
決定できる事項である。
【００２０】１以上の他の添加剤、例えば、グレインリ
ファイナー、湿潤剤、光沢剤等の１以上の添加剤がニッ
ケル電解メッキ浴において使用できることは当業者に理
解されるであろう。本発明においては、添加剤の混合物
が使用されることもできる。そのような添加剤はメッキ
の効率および／又は品質を向上させるのに有用である。
ファイナー、湿潤剤、光沢剤等の１以上の添加剤がニッ
ケル電解メッキ浴において使用できることは当業者に理
解されるであろう。本発明においては、添加剤の混合物
が使用されることもできる。そのような添加剤はメッキ
の効率および／又は品質を向上させるのに有用である。
【００２１】本発明の下層は典型的には１ミクロン以下
の厚さである。好ましくは、下層は０．９５ミクロン以
下の厚さであり、より好ましくは０．９ミクロン以下の
厚さであり、さらにより好ましくは０．８ミクロン以下
の厚さであり、さらにより好ましくは０．７５ミクロン
以下の厚さであり、さらにより好ましくは０．５ミクロ
ン以下の厚さである。下層の最低厚さは、実質的に連続
な金属層を基体表面に提供し、錫又は錫合金層が基体表
面に接触しないようにするのに必要な量である。本発明
の下層の適当な最低厚さは、０．０５ミクロンである。
一般に、下層の厚さの好適な範囲は０．０５ミクロンか
ら１ミクロン、好ましくは０．０５から０．９５ミクロ
ン、より好ましくは０．１から０．７５ミクロン、さら
に好ましくは０．１から０．５ミクロンである。特に適
当な下層の厚さは０．１ミクロン以上、および０．２５
ミクロン以上である。
の厚さである。好ましくは、下層は０．９５ミクロン以
下の厚さであり、より好ましくは０．９ミクロン以下の
厚さであり、さらにより好ましくは０．８ミクロン以下
の厚さであり、さらにより好ましくは０．７５ミクロン
以下の厚さであり、さらにより好ましくは０．５ミクロ
ン以下の厚さである。下層の最低厚さは、実質的に連続
な金属層を基体表面に提供し、錫又は錫合金層が基体表
面に接触しないようにするのに必要な量である。本発明
の下層の適当な最低厚さは、０．０５ミクロンである。
一般に、下層の厚さの好適な範囲は０．０５ミクロンか
ら１ミクロン、好ましくは０．０５から０．９５ミクロ
ン、より好ましくは０．１から０．７５ミクロン、さら
に好ましくは０．１から０．５ミクロンである。特に適
当な下層の厚さは０．１ミクロン以上、および０．２５
ミクロン以上である。
【００２２】広範な錫合金を本発明にしたがって下層の
上に堆積させることができる。「錫合金」とは、錫およ
び１以上の異なる合金元素を含む任意の金属をいい、し
たがって、２元素合金および３元素合金などを含む。好
適な合金元素としては、ビスマス、銅、銀、鉛、アンチ
モンまたは亜鉛があげられるが、これらに限定されるも
のではない。特に好適な錫合金は錫−銅である。そのよ
うな錫−銅合金は０．５から１０％の銅を含み、残りは
錫である。そのような錫−銅合金は任意に少量の他の金
属を含むことができる。１以上の合金元素の量は広い範
囲で変化することができる。そのような合金元素の範囲
は当業者の決定できる事項である。錫又は錫合金層の厚
さは具体的な用途に応じて広い範囲で変化することがで
きる。たとえば、錫又は錫合金層がリードフレーム上に
堆積される場合には、典型的にはその厚さは１から１０
ミクロンの厚さである。
上に堆積させることができる。「錫合金」とは、錫およ
び１以上の異なる合金元素を含む任意の金属をいい、し
たがって、２元素合金および３元素合金などを含む。好
適な合金元素としては、ビスマス、銅、銀、鉛、アンチ
モンまたは亜鉛があげられるが、これらに限定されるも
のではない。特に好適な錫合金は錫−銅である。そのよ
うな錫−銅合金は０．５から１０％の銅を含み、残りは
錫である。そのような錫−銅合金は任意に少量の他の金
属を含むことができる。１以上の合金元素の量は広い範
囲で変化することができる。そのような合金元素の範囲
は当業者の決定できる事項である。錫又は錫合金層の厚
さは具体的な用途に応じて広い範囲で変化することがで
きる。たとえば、錫又は錫合金層がリードフレーム上に
堆積される場合には、典型的にはその厚さは１から１０
ミクロンの厚さである。
【００２３】錫又は錫合金層は種々の方法により堆積さ
せることができる。好ましくは錫又は錫合金は電気的に
堆積される。そのような電着は直流（ＤＣ）メッキまた
はパルスメッキで行うことができる。堆積の選択は具体
的な基体、および堆積される層に応じて変わる。そのよ
うな選択は当業者の決定できる事項である。
せることができる。好ましくは錫又は錫合金は電気的に
堆積される。そのような電着は直流（ＤＣ）メッキまた
はパルスメッキで行うことができる。堆積の選択は具体
的な基体、および堆積される層に応じて変わる。そのよ
うな選択は当業者の決定できる事項である。
【００２４】適当な錫又は錫合金メッキ浴は酸性又はア
ルカリ性である。酸性錫電解メッキ浴の例は、１以上の
溶液可溶性の錫化合物、１以上の酸性電解質、および任
意の１以上の添加剤を含む。好適な錫化合物としては、
錫ハライド；錫スルフェート；錫アルカンスルホネー
ト、例えば、錫メタンスルホネート；錫アリールスルホ
ネート、例えば、錫フェニルスルホネートおよび錫トル
エンスルホネート；錫アルカノールスルホネートなどを
はじめとする塩が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。錫化合物は、錫スルフェート、錫クロライ
ド、錫アルカンスルホネートまたは錫アリールスルホネ
ートであるのが好ましく、より好ましくは、錫スルフェ
ートまたは錫メタンスルホネートである。本発明の電解
質組成物において有用な錫化合物の量は、錫含有量が、
典型的には５から１５０ｇ／Ｌ、好ましくは１０から７
０ｇ／Ｌの範囲になる任意の量である。錫の合計量が５
から１５０ｇ／Ｌの範囲となることを条件として、錫化
合物の混合物も本発明において好適に使用できる。
ルカリ性である。酸性錫電解メッキ浴の例は、１以上の
溶液可溶性の錫化合物、１以上の酸性電解質、および任
意の１以上の添加剤を含む。好適な錫化合物としては、
錫ハライド；錫スルフェート；錫アルカンスルホネー
ト、例えば、錫メタンスルホネート；錫アリールスルホ
ネート、例えば、錫フェニルスルホネートおよび錫トル
エンスルホネート；錫アルカノールスルホネートなどを
はじめとする塩が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。錫化合物は、錫スルフェート、錫クロライ
ド、錫アルカンスルホネートまたは錫アリールスルホネ
ートであるのが好ましく、より好ましくは、錫スルフェ
ートまたは錫メタンスルホネートである。本発明の電解
質組成物において有用な錫化合物の量は、錫含有量が、
典型的には５から１５０ｇ／Ｌ、好ましくは１０から７
０ｇ／Ｌの範囲になる任意の量である。錫の合計量が５
から１５０ｇ／Ｌの範囲となることを条件として、錫化
合物の混合物も本発明において好適に使用できる。
【００２５】溶液可溶性であり、電解質組成物に他に不
利に作用しない任意の酸性の電解質が、本発明で有利に
用いられることができる。適した酸性の電解質として
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびプロパ
ンスルホン酸といったアルカンスルホン酸；フェニルス
ルホン酸またはトルエンスルホン酸といったアリールス
ルホン酸；硫酸；スルファミン酸；塩酸；臭化水素酸；
ならびにフルオロホウ酸およびそれらの混合物が挙げら
れるがこれらに限定されない。酸性の電解質の量は、典
型的には１０から４００ｇ／Ｌ、好ましくは５０から２
００ｇ／Ｌの範囲にある。錫化合物がハロゲン化物であ
る際に、酸性の電解質は対応する酸であるのが好まし
い。例えば、塩化錫が本発明で用いられる際に、酸性の
電解質が塩酸であるのが好ましい。
利に作用しない任意の酸性の電解質が、本発明で有利に
用いられることができる。適した酸性の電解質として
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびプロパ
ンスルホン酸といったアルカンスルホン酸；フェニルス
ルホン酸またはトルエンスルホン酸といったアリールス
ルホン酸；硫酸；スルファミン酸；塩酸；臭化水素酸；
ならびにフルオロホウ酸およびそれらの混合物が挙げら
れるがこれらに限定されない。酸性の電解質の量は、典
型的には１０から４００ｇ／Ｌ、好ましくは５０から２
００ｇ／Ｌの範囲にある。錫化合物がハロゲン化物であ
る際に、酸性の電解質は対応する酸であるのが好まし
い。例えば、塩化錫が本発明で用いられる際に、酸性の
電解質が塩酸であるのが好ましい。
【００２６】錫合金メッキ浴において、１つ以上の他の
合金化金属が使用される。適した他の金属としては、
鉛、ニッケル、銅、ビスマス、亜鉛、銀、アンチモン、
およびインジウム等が挙げられるが、これらに限定され
るものではない。特に好適な錫合金は錫−銅である。本
発明において有用な他の金属化合物は、溶解した形態で
電解質組成物に金属を提供する任意のものであることが
できる。金属化合物としては、塩、たとえば、金属ハラ
イド、金属サルフェート、金属アルカンスルホネート、
たとえば金属メタンスルホネート、金属アリールスルホ
ネート、たとえば金属フェニルスルホネートおよび金属
トルエンスルホネート、金属アルカノールスルホネート
などがあげられるが、これらに限定されるものではな
い。他の金属化合物の選択および電解質組成物中に存在
するそのような他の金属化合物の量は堆積される錫合金
に応じて変化し、これは当業者の決定できる事項であ
る。
合金化金属が使用される。適した他の金属としては、
鉛、ニッケル、銅、ビスマス、亜鉛、銀、アンチモン、
およびインジウム等が挙げられるが、これらに限定され
るものではない。特に好適な錫合金は錫−銅である。本
発明において有用な他の金属化合物は、溶解した形態で
電解質組成物に金属を提供する任意のものであることが
できる。金属化合物としては、塩、たとえば、金属ハラ
イド、金属サルフェート、金属アルカンスルホネート、
たとえば金属メタンスルホネート、金属アリールスルホ
ネート、たとえば金属フェニルスルホネートおよび金属
トルエンスルホネート、金属アルカノールスルホネート
などがあげられるが、これらに限定されるものではな
い。他の金属化合物の選択および電解質組成物中に存在
するそのような他の金属化合物の量は堆積される錫合金
に応じて変化し、これは当業者の決定できる事項であ
る。
【００２７】１以上の他の添加剤、例えば、還元剤、グ
レインリファイナー、たとえば、ヒドロキシ芳香族化合
物、および他の湿潤剤、光沢剤等の１以上の添加剤が錫
又は錫合金電解メッキ浴において使用できることは当業
者に理解されるであろう。本発明においては、添加剤の
混合物が使用されることもできる。そのような添加剤は
メッキの効率および／又は品質を向上させるのに有用で
ある。
レインリファイナー、たとえば、ヒドロキシ芳香族化合
物、および他の湿潤剤、光沢剤等の１以上の添加剤が錫
又は錫合金電解メッキ浴において使用できることは当業
者に理解されるであろう。本発明においては、添加剤の
混合物が使用されることもできる。そのような添加剤は
メッキの効率および／又は品質を向上させるのに有用で
ある。
【００２８】錫を可溶性の二価の状態に保つために、還
元剤を本発明の電解質組成物に加えることができる。適
した還元剤としては、ヒドロキノン、ならびに、レゾル
シノール、カテコール等といったヒドロキシル化された
芳香族化合物が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。そのような還元剤は、米国特許第４，８７
１，４２９号に開示されている。そのような還元剤の量
は、公知であるが、典型的には約０．１ｇ／Ｌから約５
ｇ／Ｌの範囲である。
元剤を本発明の電解質組成物に加えることができる。適
した還元剤としては、ヒドロキノン、ならびに、レゾル
シノール、カテコール等といったヒドロキシル化された
芳香族化合物が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。そのような還元剤は、米国特許第４，８７
１，４２９号に開示されている。そのような還元剤の量
は、公知であるが、典型的には約０．１ｇ／Ｌから約５
ｇ／Ｌの範囲である。
【００２９】本発明の電解質組成物に光沢剤を添加する
ことにより、光沢堆積物を得ることができる。そのよう
な光沢剤は公知である。適した光沢剤としては、ナフタ
アルデヒド、ベンズアルデヒド、アルキルベンズアルデ
ヒド、メトキシベンズアルデヒド、およびクロロベンズ
アルデヒドといった芳香族アルデヒド、ベンジルアセト
ンおよびベンジリジンアセトンといった芳香族アルデヒ
ドの誘導体、およびアセトアルデヒドまたはグルタルア
ルデヒドといった脂肪族アルデヒド、および酸、たとえ
ば、アクリル酸、メタクリル酸、およびピコリンが挙げ
られるがこれらに限定されるものではない。光沢剤は、
典型的には０．１から３ｇ／Ｌ、好ましくは０．５から
２ｇ／Ｌの量で用いられる。
ことにより、光沢堆積物を得ることができる。そのよう
な光沢剤は公知である。適した光沢剤としては、ナフタ
アルデヒド、ベンズアルデヒド、アルキルベンズアルデ
ヒド、メトキシベンズアルデヒド、およびクロロベンズ
アルデヒドといった芳香族アルデヒド、ベンジルアセト
ンおよびベンジリジンアセトンといった芳香族アルデヒ
ドの誘導体、およびアセトアルデヒドまたはグルタルア
ルデヒドといった脂肪族アルデヒド、および酸、たとえ
ば、アクリル酸、メタクリル酸、およびピコリンが挙げ
られるがこれらに限定されるものではない。光沢剤は、
典型的には０．１から３ｇ／Ｌ、好ましくは０．５から
２ｇ／Ｌの量で用いられる。
【００３０】ヒドロキシ芳香族化合物または他の湿潤剤
が、さらなるグレインの微細化を提供するために、本発
明の電解質組成物に加えられることができることは当業
者には理解されるであろう。そのようなグレインリファ
イナーは、本発明の電解質組成物に加えられて、堆積物
の外観および操作電流密度レンジをさらに改良すること
ができる。適した他の湿潤剤としては、ＪＥＦＦＡＭＩ
ＮＥ Ｔ−４０３もしくはＴＲＩＴＯＮ ＲＷといった
ポリエトキシ化されたアミン、またはＴＲＩＴＯＮ Ｑ
Ｓ−１５といった、スルフェート化されたアルキルエト
キシレート、といったアルコキシレートおよびゼラチン
またはゼラチン誘導体が挙げられるがこれらに限定され
るものではない。本発明で有用なそのようなグレインリ
ファイナーの量は、当業者には公知であり、典型的に
は、０．０１から２０ｍＬ／Ｌ、好ましくは０．５から
８ｍＬ／Ｌ、より好ましくは１から５ｍＬ／Ｌの範囲に
ある。
が、さらなるグレインの微細化を提供するために、本発
明の電解質組成物に加えられることができることは当業
者には理解されるであろう。そのようなグレインリファ
イナーは、本発明の電解質組成物に加えられて、堆積物
の外観および操作電流密度レンジをさらに改良すること
ができる。適した他の湿潤剤としては、ＪＥＦＦＡＭＩ
ＮＥ Ｔ−４０３もしくはＴＲＩＴＯＮ ＲＷといった
ポリエトキシ化されたアミン、またはＴＲＩＴＯＮ Ｑ
Ｓ−１５といった、スルフェート化されたアルキルエト
キシレート、といったアルコキシレートおよびゼラチン
またはゼラチン誘導体が挙げられるがこれらに限定され
るものではない。本発明で有用なそのようなグレインリ
ファイナーの量は、当業者には公知であり、典型的に
は、０．０１から２０ｍＬ／Ｌ、好ましくは０．５から
８ｍＬ／Ｌ、より好ましくは１から５ｍＬ／Ｌの範囲に
ある。
【００３１】好適な非イオン性界面活性剤または湿潤剤
としては、炭素数７までのアルキル基を有する脂肪族ア
ルコールの比較的低分子量のエチレンオキシド（ＥＯ）
誘導体、または２以下の芳香族環であって、該芳香族環
は縮合されることができ、６以下の炭素数のアルキル基
で置換されることができる前記芳香族環を有する芳香族
アルコールのエチレンオキシド誘導体が挙げられるがこ
れらに限定されるものではない。脂肪族アルコールは飽
和または不飽和であることができる。芳香族アルコール
は、典型的には、エチレンオキシドで誘導体とされる前
は２０以下の炭素原子を有する。そのような脂肪族およ
び芳香族アルコールは、例えば、スルフェートまたはス
ルホネート基でさらに置換されることができる。好適な
湿潤剤としては、１２モルのＥＯを有するエトキシル化
ポリスチレン化フェノール、５モルのＥＯを有するエト
キシル化ブタノール、１６モルのＥＯを有するエトキシ
ル化ブタノール、８モルのＥＯを有するエトキシル化ブ
タノール、１２モルのＥＯを有するエトキシル化オクタ
ノール、１２モルのＥＯを有するエトキシル化オクチル
フェノール、エトキシル化／プロポキシ化ブタノール、
エチレンオキサイド／プロピレンオキサイド ブロック
コポリマー、１３モルのＥＯを有するエトキシル化ベー
タ−ナフトール、１０モルのＥＯを有するエトキシル化
ベータ−ナフトール、１０モルのＥＯを有するエトキシ
ル化ビスフェノールＡ、１３モルのＥＯを有するエトキ
シル化ビスフェノールＡ、３０モルのＥＯを有するスル
フェート化エトキシル化ビスフェノールＡおよび８モル
のＥＯを有するエトキシル化ビスフェノールＡが挙げら
れるがこれらに限定されるものではない。典型的には、
そのような湿潤剤は０．１〜２０ｇ／Ｌの量で添加さ
れ、好ましくは０．５〜１０ｇ／Ｌである。
としては、炭素数７までのアルキル基を有する脂肪族ア
ルコールの比較的低分子量のエチレンオキシド（ＥＯ）
誘導体、または２以下の芳香族環であって、該芳香族環
は縮合されることができ、６以下の炭素数のアルキル基
で置換されることができる前記芳香族環を有する芳香族
アルコールのエチレンオキシド誘導体が挙げられるがこ
れらに限定されるものではない。脂肪族アルコールは飽
和または不飽和であることができる。芳香族アルコール
は、典型的には、エチレンオキシドで誘導体とされる前
は２０以下の炭素原子を有する。そのような脂肪族およ
び芳香族アルコールは、例えば、スルフェートまたはス
ルホネート基でさらに置換されることができる。好適な
湿潤剤としては、１２モルのＥＯを有するエトキシル化
ポリスチレン化フェノール、５モルのＥＯを有するエト
キシル化ブタノール、１６モルのＥＯを有するエトキシ
ル化ブタノール、８モルのＥＯを有するエトキシル化ブ
タノール、１２モルのＥＯを有するエトキシル化オクタ
ノール、１２モルのＥＯを有するエトキシル化オクチル
フェノール、エトキシル化／プロポキシ化ブタノール、
エチレンオキサイド／プロピレンオキサイド ブロック
コポリマー、１３モルのＥＯを有するエトキシル化ベー
タ−ナフトール、１０モルのＥＯを有するエトキシル化
ベータ−ナフトール、１０モルのＥＯを有するエトキシ
ル化ビスフェノールＡ、１３モルのＥＯを有するエトキ
シル化ビスフェノールＡ、３０モルのＥＯを有するスル
フェート化エトキシル化ビスフェノールＡおよび８モル
のＥＯを有するエトキシル化ビスフェノールＡが挙げら
れるがこれらに限定されるものではない。典型的には、
そのような湿潤剤は０．１〜２０ｇ／Ｌの量で添加さ
れ、好ましくは０．５〜１０ｇ／Ｌである。
【００３２】存在する場合には、任意の添加剤は本発明
の電解質組成物に、所望の堆積物の結果とタイプに応じ
て加えられる。所望の最終堆積物を得るためにどのよう
な添加剤がどのような量で必要であるかは、当業者には
明らかな事項である。
の電解質組成物に、所望の堆積物の結果とタイプに応じ
て加えられる。所望の最終堆積物を得るためにどのよう
な添加剤がどのような量で必要であるかは、当業者には
明らかな事項である。
【００３３】本発明のニッケル下層の上に錫又は錫合金
層を電着させるためには公知のメッキ条件を使用するこ
とができる。典型的には、錫又は錫合金層メッキ浴は約
２０℃から約６０℃の温度で使用される。錫又は錫合金
電解メッキのための適当な電流密度は１０から３０Ａ／
ｄｍ２である。
層を電着させるためには公知のメッキ条件を使用するこ
とができる。典型的には、錫又は錫合金層メッキ浴は約
２０℃から約６０℃の温度で使用される。錫又は錫合金
電解メッキのための適当な電流密度は１０から３０Ａ／
ｄｍ２である。
【００３４】本発明はさらに、ニッケル、ニッケル合
金、コバルトまたはコバルト合金を含む金属下層を基体
の上に堆積させる工程、ついで該金属下層の上に錫また
は錫合金層を堆積させる工程を含む、基体の上に錫また
は錫合金層を堆積させる方法であって、該金属下層が１
ミクロン以下の厚さを有する方法を提供する。広範な基
体を本発明において使用することができる。好ましく
は、基体としては錫と金属間化合物を形成する１以上の
金属があげられる。適当な基体としては、銅または真鍮
があげられるが、これらに限定されるものではない。基
体が銅または銅合金層を含むことが好ましい。そのよう
な銅合金は少量の１以上の他の合金金属を含むことがで
きる。
金、コバルトまたはコバルト合金を含む金属下層を基体
の上に堆積させる工程、ついで該金属下層の上に錫また
は錫合金層を堆積させる工程を含む、基体の上に錫また
は錫合金層を堆積させる方法であって、該金属下層が１
ミクロン以下の厚さを有する方法を提供する。広範な基
体を本発明において使用することができる。好ましく
は、基体としては錫と金属間化合物を形成する１以上の
金属があげられる。適当な基体としては、銅または真鍮
があげられるが、これらに限定されるものではない。基
体が銅または銅合金層を含むことが好ましい。そのよう
な銅合金は少量の１以上の他の合金金属を含むことがで
きる。
【００３５】すなわち、本発明は基体の上に堆積された
ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金
を含む金属下層、および該金属下層の上に堆積された錫
または錫合金層を有し、該金属下層が１ミクロン以下の
厚さを有する基体を提供する。
ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金
を含む金属下層、および該金属下層の上に堆積された錫
または錫合金層を有し、該金属下層が１ミクロン以下の
厚さを有する基体を提供する。
【００３６】本発明は、電子デバイス基体上へ錫又は錫
合金層堆積させるのに特に適している。適した電子デバ
イス基体としては、プリント配線板、リードフレーム、
半導体パッケージ、コンポーネント、コネクタ、接点、
チップコンデンサ、チップ抵抗器などが挙げられるがこ
れらに限定されない。したがって、本発明はさらに、デ
バイスの上に堆積されたニッケル、ニッケル合金、コバ
ルトまたはコバルト合金を含む金属下層、および該金属
下層の上に堆積された錫または錫合金層を有し、該金属
下層が１ミクロン以下の厚さを有する電子デバイスを提
供する。好ましい電子デバイスは０．７５ミクロン以下
の下層を有する。本発明はリードフレームをメッキする
のに特に好ましい。そのような電子デバイス上に使用す
るのに特に好ましい錫合金は錫−銅であるが、他の錫合
金も好適に使用することができる。
合金層堆積させるのに特に適している。適した電子デバ
イス基体としては、プリント配線板、リードフレーム、
半導体パッケージ、コンポーネント、コネクタ、接点、
チップコンデンサ、チップ抵抗器などが挙げられるがこ
れらに限定されない。したがって、本発明はさらに、デ
バイスの上に堆積されたニッケル、ニッケル合金、コバ
ルトまたはコバルト合金を含む金属下層、および該金属
下層の上に堆積された錫または錫合金層を有し、該金属
下層が１ミクロン以下の厚さを有する電子デバイスを提
供する。好ましい電子デバイスは０．７５ミクロン以下
の下層を有する。本発明はリードフレームをメッキする
のに特に好ましい。そのような電子デバイス上に使用す
るのに特に好ましい錫合金は錫−銅であるが、他の錫合
金も好適に使用することができる。
【００３７】本発明の利点は、錫および錫合金における
ホイスカ形成が大きく減少されるか、または解消される
ことである。さらなる利点はクラック形成、特に下層に
おけるクラック形成が大きく減少されることである。そ
のような減少したクラックは、半田付け性の問題が低減
された電子デバイスを提供する。
ホイスカ形成が大きく減少されるか、または解消される
ことである。さらなる利点はクラック形成、特に下層に
おけるクラック形成が大きく減少されることである。そ
のような減少したクラックは、半田付け性の問題が低減
された電子デバイスを提供する。
【００３８】以下の実施例は本発明のさらなる種々の態
様を例示することを意図しているが、本発明の範囲をい
かなる意味においても限定するものではない。
様を例示することを意図しているが、本発明の範囲をい
かなる意味においても限定するものではない。
【００３９】実施例１
リードフレームの上にニッケル下層を堆積させてサンプ
ルを作成した。リードフレームは市販の銅リードフレー
ムであり、少量の合金金属を含んでいた。このリードフ
レームはＣ１９４またはＣ１５１であった。ニッケル層
が、１１ｇ／Ｌの塩化ニッケル、ニッケルとして９０ｇ
／Ｌのスルファミン酸ニッケル、４５ｇ／Ｌのホウ酸を
含み、約４のｐＨを有する市販のニッケルメッキ液を使
用して堆積された。浴温度は５５℃であった。リードフ
レームは浴内に浸漬されリードフレーム上にニッケル層
が電着された。使用された電流密度は浴およびリードフ
レームのメッキの標準であった。リードフレームを所望
の厚さのニッケルが堆積するに十分な時間メッキした。
ついでサンプルをニッケル浴から取りだしリンスし、必
要に応じて乾燥した。ニッケル層の厚さはＸ−線により
測定され、表１に示された。
ルを作成した。リードフレームは市販の銅リードフレー
ムであり、少量の合金金属を含んでいた。このリードフ
レームはＣ１９４またはＣ１５１であった。ニッケル層
が、１１ｇ／Ｌの塩化ニッケル、ニッケルとして９０ｇ
／Ｌのスルファミン酸ニッケル、４５ｇ／Ｌのホウ酸を
含み、約４のｐＨを有する市販のニッケルメッキ液を使
用して堆積された。浴温度は５５℃であった。リードフ
レームは浴内に浸漬されリードフレーム上にニッケル層
が電着された。使用された電流密度は浴およびリードフ
レームのメッキの標準であった。リードフレームを所望
の厚さのニッケルが堆積するに十分な時間メッキした。
ついでサンプルをニッケル浴から取りだしリンスし、必
要に応じて乾燥した。ニッケル層の厚さはＸ−線により
測定され、表１に示された。
【００４０】
【表１】
【００４１】実施例２
実施例１のサンプルを、錫として５０ｇ／Ｌの錫メタン
スルホネート、銅として３．６ｇ／Ｌの銅メタンスルホ
ネート、１３０ｍＬ／Ｌのメタンスルホン酸、４ｇ／Ｌ
のエトキシル化非イオン性界面活性剤Ａ、０．７５ｇ／
Ｌのエトキシル化／プロポキシル化非イオン性界面活性
剤Ｂ、４ｇ／Ｌの錯化剤Ａ、１ｇ／Ｌの錯化剤Ｂ、およ
び２ｇ／Ｌのヒドロキノンを含むメッキ浴を使用して錫
−銅合金で電解メッキした。浴温度は４０℃であった。
リードフレームサンプルは１５Ａ／ｄｍ２の電流密度で
メッキされ、２から３ミクロンの厚さの錫−銅合金が堆
積するのに十分な時間錫−銅合金浴と接触させた。６
日、１４日、および８５日後に、ホイスカ成長が走査電
子顕微鏡により観察された。結果を表２に示す。
スルホネート、銅として３．６ｇ／Ｌの銅メタンスルホ
ネート、１３０ｍＬ／Ｌのメタンスルホン酸、４ｇ／Ｌ
のエトキシル化非イオン性界面活性剤Ａ、０．７５ｇ／
Ｌのエトキシル化／プロポキシル化非イオン性界面活性
剤Ｂ、４ｇ／Ｌの錯化剤Ａ、１ｇ／Ｌの錯化剤Ｂ、およ
び２ｇ／Ｌのヒドロキノンを含むメッキ浴を使用して錫
−銅合金で電解メッキした。浴温度は４０℃であった。
リードフレームサンプルは１５Ａ／ｄｍ２の電流密度で
メッキされ、２から３ミクロンの厚さの錫−銅合金が堆
積するのに十分な時間錫−銅合金浴と接触させた。６
日、１４日、および８５日後に、ホイスカ成長が走査電
子顕微鏡により観察された。結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】上記のデータは、非常に薄いニッケル層が
錫ホイスカの形成を減少ないし解消することを明らかに
示している。さらに、上記のデータは、非常に薄い錫
層、すなわち１ミクロン以下の錫層が、従来の厚い（２
ミクロン以上）のニッケル層とと同程度に、錫ホイスカ
の形成を減少ないし解消することを明らかに示してい
る。
錫ホイスカの形成を減少ないし解消することを明らかに
示している。さらに、上記のデータは、非常に薄い錫
層、すなわち１ミクロン以下の錫層が、従来の厚い（２
ミクロン以上）のニッケル層とと同程度に、錫ホイスカ
の形成を減少ないし解消することを明らかに示してい
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヨッケン・ヒーバー
スイス，ケリアンズ・シーエイチ−6010,
アルペンストラッセ・32
(72)発明者 アンドレ・エグリ
スイス，スタエファ・シーエイチ−8712,
エトゼルストラッセ・28
(72)発明者 マイケル・ピー・トーベン
アメリカ合衆国ニューヨーク州11787，ス
ミスタウン，クインシー・レーン・８
(72)発明者 フェリックス・シュワージャー
スイス，メッゲン・6045，ルエジスウィル
ストラッセ・15
Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA07 AA14 AB02 AB19
BA09 BB13 GA16
5F067 DC16 DC18 DC20
Claims (10)
- 【請求項１】ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金を含む金属下層を最初に堆積させる工程、
ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を堆積させる
工程を含む、ホイスカの形成を減少させる方法であっ
て、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有する方法。 - 【請求項２】ニッケル、ニッケル合金、コバルトまたは
コバルト合金を含む金属下層を基体の上に堆積させる工
程、ついで該金属下層の上に錫または錫合金層を堆積さ
せる工程を含む、基体の上に錫または錫合金層を堆積さ
せる方法であって、該金属下層が１ミクロン以下の厚さ
を有する方法。 - 【請求項３】金属下層が０．８ミクロン以下の厚さを有
する請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】錫合金が鉛、ニッケル、銅、ビスマス、亜
鉛、銀、アンチモン、およびインジウムから選択される
１以上の元素、および錫を含む、請求項１から３のいず
れか１項記載の方法。 - 【請求項５】金属下層がニッケル、コバルト、ニッケル
−コバルト、ニッケル−リン、またはニッケル−タング
ステンから選択される、請求項１から４のいずれか１項
記載の方法。 - 【請求項６】錫または錫合金が電気的に堆積される請求
項１から５のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】錫または錫合金層が１から１０ミクロンの
厚さを有する、請求項１から６のいずれか１項記載の方
法。 - 【請求項８】基体の上に堆積されたニッケル、ニッケル
合金、コバルトまたはコバルト合金を含む金属下層、お
よび該金属下層の上に堆積された錫または錫合金層を有
し、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有する基体。 - 【請求項９】金属下層が０．８ミクロン以下の厚さを有
する請求項８記載の基体。 - 【請求項１０】デバイスの上に堆積されたニッケル、ニ
ッケル合金、コバルトまたはコバルト合金を含む金属下
層、および該金属下層の上に堆積された錫または錫合金
層を有し、該金属下層が１ミクロン以下の厚さを有する
電子デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US27669101P | 2001-03-16 | 2001-03-16 | |
| US60/276691 | 2001-03-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003049293A true JP2003049293A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=23057690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002071336A Pending JP2003049293A (ja) | 2001-03-16 | 2002-03-15 | 錫メッキ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020187364A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003049293A (ja) |
| KR (1) | KR20020073434A (ja) |
| CN (1) | CN1407141A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005264261A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Oriental Mekki Kk | 電子部品材料 |
| JP2005314750A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ又はスズ合金メッキ方法 |
| JP2007070731A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属デュプレックスおよび方法 |
| JP2007519261A (ja) * | 2004-01-21 | 2007-07-12 | エントン インコーポレイテッド | 電子部品のスズ表面における半田付け性の保存及びウイスカ成長の阻止 |
| JP2009010301A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プリント配線板及びプリント回路板 |
| JP4968865B1 (ja) * | 2011-08-31 | 2012-07-04 | ユケン工業株式会社 | スズ系めっき構造体およびその製造方法 |
| US9834848B2 (en) | 2014-06-25 | 2017-12-05 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Sn-plated stainless steel sheet |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2002239604A1 (en) | 2000-12-11 | 2002-06-24 | Handy And Harman | Barrier layer for electrical connectors and methods of applying the layer |
| EP1260614B1 (en) * | 2001-05-24 | 2008-04-23 | Shipley Co. L.L.C. | Tin plating |
| US20030025182A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-02-06 | Abys Joseph A. | Metal article coated with tin or tin alloy under tensile stress to inhibit whisker growth |
| US6860981B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-03-01 | Technic, Inc. | Minimizing whisker growth in tin electrodeposits |
| US20040043159A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-04 | Shipley Company, L.L.C. | Plating method |
| EP1408141B1 (de) * | 2002-10-11 | 2014-12-17 | Enthone Inc. | Verfahren und Elektrolyt zur galvanischen Abscheidung von Bronzen |
| US6773828B1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-08-10 | Ase Electronics (M) Sdn. Bhd. | Surface preparation to eliminate whisker growth caused by plating process interruptions |
| CN100548090C (zh) * | 2004-01-21 | 2009-10-07 | 恩索恩公司 | 在电子部件的锡表面中保持可焊性及抑制晶须生长的方法 |
| US20050249968A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Enthone Inc. | Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components |
| US20050249969A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Enthone Inc. | Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components |
| DE102004003784B4 (de) * | 2004-01-23 | 2011-01-13 | Ormecon Gmbh | Dispersion intrinsisch leitfähigen Polyanilins und deren Verwendung |
| EP1730215B1 (en) * | 2004-03-18 | 2017-08-16 | Enthone GmbH | A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon |
| DE102004030388A1 (de) * | 2004-06-23 | 2006-01-26 | Ormecon Gmbh | Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE102004030930A1 (de) * | 2004-06-25 | 2006-02-23 | Ormecon Gmbh | Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung |
| KR20060030356A (ko) * | 2004-10-05 | 2006-04-10 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 리이드 프레임과, 이를 포함하는 반도체 패키지와,이를 도금하는 방법 |
| DE102005010162B4 (de) * | 2005-03-02 | 2007-06-14 | Ormecon Gmbh | Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie |
| CN100370062C (zh) * | 2005-03-24 | 2008-02-20 | 广东风华高新科技集团有限公司 | 镀纯锡溶液组合物及采用该组合物制得的电子元器件 |
| US20060260948A2 (en) * | 2005-04-14 | 2006-11-23 | Enthone Inc. | Method for electrodeposition of bronzes |
| US20060292847A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Schetty Robert A Iii | Silver barrier layers to minimize whisker growth in tin electrodeposits |
| JP2009500527A (ja) * | 2005-07-11 | 2009-01-08 | テクニック・インコーポレイテッド | スズ・ウィスカ成長を最小化する特性又は特徴を有するスズの電着 |
| DE102005039608A1 (de) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ormecon Gmbh | Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer |
| JP2007254860A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | めっき膜及びその形成方法 |
| JP5114714B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2013-01-09 | エントーネ ゲーエムベーハー | 導電性重合体と貴金属／準貴金属の塗膜を持つ物品およびその製造方法 |
| US8404160B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-03-26 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
| US10231344B2 (en) | 2007-05-18 | 2019-03-12 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
| US8506849B2 (en) | 2008-03-05 | 2013-08-13 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks |
| US9730333B2 (en) | 2008-05-15 | 2017-08-08 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Photo-curing process for metallic inks |
| CN101953031B (zh) * | 2008-05-19 | 2013-12-25 | 凤凰通讯两合有限公司 | 接触单元及用于制造接触单元的方法 |
| EP2412007B1 (en) | 2009-03-27 | 2020-07-22 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering |
| US8422197B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-04-16 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure |
| US20120090880A1 (en) | 2010-10-19 | 2012-04-19 | International Business Machines Corporation | Mitigation and elimination of tin whiskers |
| CN102586816A (zh) * | 2012-04-01 | 2012-07-18 | 哈尔滨飞机工业集团有限责任公司 | 一种电铸镍的槽液配方及稳定槽液pH值的方法 |
| WO2014011578A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-16 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Photosintering of micron-sized copper particles |
| US10072347B2 (en) * | 2012-07-31 | 2018-09-11 | The Boeing Company | Systems and methods for tin antimony plating |
| US10633754B2 (en) * | 2013-07-05 | 2020-04-28 | The Boeing Company | Methods and apparatuses for mitigating tin whisker growth on tin and tin-plated surfaces by doping tin with germanium |
| CN103361687A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-10-23 | 厦门旺朋电子元件有限公司 | 一种smd汽车电子元件的电镀锡加工方法 |
| US10174433B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-01-08 | Honeywell International Inc. | Stannous methanesulfonate solution with adjusted pH |
| CN106536609B (zh) | 2014-07-07 | 2022-04-29 | 霍尼韦尔国际公司 | 具有离子清除剂的热界面材料 |
| EP3227399B1 (en) | 2014-12-05 | 2021-07-14 | Honeywell International Inc. | High performance thermal interface materials with low thermal impedance |
| EP3235588B1 (en) * | 2014-12-15 | 2019-11-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd | Solder alloy for plating and electronic component |
| US10312177B2 (en) | 2015-11-17 | 2019-06-04 | Honeywell International Inc. | Thermal interface materials including a coloring agent |
| CN109072051B (zh) | 2016-03-08 | 2023-12-26 | 霍尼韦尔国际公司 | 相变材料 |
| US10501671B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-12-10 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material |
| CN109844182A (zh) * | 2016-10-24 | 2019-06-04 | 安美特德国有限公司 | 在金属基材上沉积锡层的方法和使用所述方法包含镍/磷合金底层和所述锡层的结构的用途 |
| CN106676598B (zh) * | 2016-12-13 | 2019-08-23 | 上海交通大学 | 一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法 |
| US11041103B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-06-22 | Honeywell International Inc. | Silicone-free thermal gel |
| US10428256B2 (en) | 2017-10-23 | 2019-10-01 | Honeywell International Inc. | Releasable thermal gel |
| US11072706B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-07-27 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material |
| CN110265376A (zh) | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 意法半导体股份有限公司 | 引线框架表面精整 |
| US11735512B2 (en) | 2018-12-31 | 2023-08-22 | Stmicroelectronics International N.V. | Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same |
| CN110004434B (zh) * | 2019-04-02 | 2021-10-26 | 电子科技大学 | 用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法 |
| US11373921B2 (en) | 2019-04-23 | 2022-06-28 | Honeywell International Inc. | Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing |
| US11280014B2 (en) | 2020-06-05 | 2022-03-22 | Macdermid Enthone Inc. | Silver/tin electroplating bath and method of using the same |
| US20230298982A1 (en) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Electronic device with improved board level reliability |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828356B2 (ja) * | 1980-12-29 | 1983-06-15 | 新日本製鐵株式会社 | 溶接性にすぐれたクロムめっき鋼板 |
| AU565129B2 (en) * | 1985-07-23 | 1987-09-03 | Nippon Steel Corporation | Steel sheet with ni and sn coatings for improved corrosion protection |
| US5454929A (en) * | 1994-06-16 | 1995-10-03 | National Semiconductor Corporation | Process for preparing solderable integrated circuit lead frames by plating with tin and palladium |
| US5667659A (en) * | 1996-04-04 | 1997-09-16 | Handy & Harman | Low friction solder electrodeposits |
| DE19754221A1 (de) * | 1997-12-06 | 1999-06-17 | Federal Mogul Wiesbaden Gmbh | Schichtverbundwerkstoff für Gleitlager mit bleifreier Gleitschicht |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002071336A patent/JP2003049293A/ja active Pending
- 2002-03-15 KR KR1020020014040A patent/KR20020073434A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-15 US US10/098,983 patent/US20020187364A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-15 CN CN02105651A patent/CN1407141A/zh active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007519261A (ja) * | 2004-01-21 | 2007-07-12 | エントン インコーポレイテッド | 電子部品のスズ表面における半田付け性の保存及びウイスカ成長の阻止 |
| JP2005264261A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Oriental Mekki Kk | 電子部品材料 |
| JP2005314750A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ又はスズ合金メッキ方法 |
| JP4524483B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-08-18 | 石原薬品株式会社 | スズ又はスズ合金メッキ方法 |
| JP2007070731A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属デュプレックスおよび方法 |
| JP2009010301A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プリント配線板及びプリント回路板 |
| JP4968865B1 (ja) * | 2011-08-31 | 2012-07-04 | ユケン工業株式会社 | スズ系めっき構造体およびその製造方法 |
| US9834848B2 (en) | 2014-06-25 | 2017-12-05 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Sn-plated stainless steel sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020187364A1 (en) | 2002-12-12 |
| KR20020073434A (ko) | 2002-09-26 |
| CN1407141A (zh) | 2003-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003049293A (ja) | 錫メッキ | |
| JP4603812B2 (ja) | 改良されたスズめっき方法 | |
| JP4897187B2 (ja) | スズメッキ方法 | |
| US6860981B2 (en) | Minimizing whisker growth in tin electrodeposits | |
| KR101992844B1 (ko) | 고온 내성의 은 코팅된 기판 | |
| JP5048003B2 (ja) | スズめっき | |
| CA1257220A (en) | Plating bath and method for electroplating tin and/or lead | |
| US20040118696A1 (en) | Tin plating method | |
| CN102995075B (zh) | 低内应力的铜电镀方法 | |
| JP2001181889A (ja) | 光沢錫−銅合金電気めっき浴 | |
| US20060113195A1 (en) | Near neutral pH tin electroplating solution | |
| EP1241281A1 (en) | Tin plating | |
| WO2022113787A1 (ja) | 錫合金めっき液 | |
| US4615774A (en) | Gold alloy plating bath and process |