CN103361687A - 一种smd汽车电子元件的电镀锡加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电镀锡工艺,具体涉及一种SMD汽车电子元件的电镀锡新工艺。该工艺的具体步骤包括超声波脱脂、电解除油、硫酸中和与活化、亚光镀镍、甲基磺酸活化、电镀锡、锡层保护处理、热水清洗,烘干。本发明采用亚光电镀底镍的新工艺,新配方减少了有机添加剂的用量,选择性的摄入少量整理剂,降低了添加剂中碳元素带入镀层里,使得焊锡层表面光滑、饱满,降低焊接点的接触电阻,提高焊接点的导电可靠性,极大的提高了锡层可焊性能力。
Description
技术领域
本发明具体涉及一种SMD汽车电子元件的电镀锡的加工方法。
背景技术
使用电镀锡工艺对汽车等设备的电子元件进行焊锡连接,其中的锡镀层形成作为导电材料如铜或铜合金的最外层,由于镀锡层的接触电阻随时间变化很小,因此使用电镀锡工艺对高端的SMD汽车电子元件进行电镀锡焊接,但由于SMD汽车电子元件属于高端的SMD产品,其生产存在很大风险及品质隐患,因此对SMD汽车电子元件进行电镀锡焊接工艺也要求较高。原有常用SMD汽车电子元件进行电镀锡的工艺流程为:超声波脱脂-电解除油-硫酸活化-光亮镀底镍-甲基磺酸活化-电镀锡-锡后处理-烘干,原有加工方法采用光亮度高的底镍层,导致镀锡层也是光亮锡层,其表面焊接性能较差,焊接点的可靠性不好,经常出现虚焊,接触电阻很大,产生导电不良,而且由于光亮镀镍需要加入含碳较高的光亮剂,镀层中有机物含量高,碳含量多,则镀层脆性较大,不能达到电子产品对镀层柔软性的需要,同时镀层的高电流密度区结晶效果不好,容易产生镍镀层与基材之间,镍镀层与锡镀层之间的结合力差,导致电镀层剥离,扭转测试镀层爆裂,焊锡脱皮等严重附着不良的问题产生,以及高温焊锡不光滑,虚焊假焊,漏焊等功能性焊锡不良的问题产生,导致汽车电子元件进行电镀锡焊接不良,直接影响汽车的电控安全性能,对汽车的整车安全性存在隐患。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有SMD汽车电子元件的电镀锡工艺容易产生功能性焊锡不良、锡镍层结合力差,电镀层脱皮,扭转测试镀层爆裂的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种SMD汽车电子元件的电镀锡工艺,改善了原有工艺的缺陷。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种SMD汽车电子元件的电镀锡加工方法,该工艺采用亚光镍作为底镍层,改变原来光亮镀镍的工艺和变换添加剂,选用亚光整理剂作为亚光镍的唯一添加剂,获取亚光镍层,降低镀镍层的脆性,镀镍层的结晶更细致,增强镍镀层与基材之间,镍镀层与锡镀层之间的结合力,同时又可以提高锡层的焊接可靠性,并且由于亚光镍底镀层的可焊性优良,直接影响表面亚光镀锡层耐受高温焊锡的能力,提高锡层的可焊性。具体步骤如下:
1、超声波脱脂:把SMD电子元件放入温度为45-65℃溶液A进行超声波脱脂,去除表面的油脂,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂55-65g/L,超声波脱脂时间300S-600S;
2、电解除油:把SMD电子元件放入溶液B中进行电解除油,去除附着在产品表面的油脂,为后工序提供一个洁净的金属表面,电解温度为45-65℃,电流为4-6A/dm2,时间180S-300S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉50-70g/L,氢氧化钠12-15 g/L;
3、硫酸中和与活化:在溶液C里中和去除SMD电子元件表面碱性物质并对产品表面的氧化层进行活化;所述溶液C中各组分每L含量为:硫酸30-80g/L;酸洗时间120S-180S;
4、镀亚光镍:在温度为45-65℃的溶液D中进行电镀亚光镍,获取一个表面良好的亚光镀镍底层,为电镀锡层作准备。电镀时间为:300S-360S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 225-285g/L,
氯化镍 45-75g/L,
硼酸 55-65g/L,
亚光整理剂 0.5-1ml/L;
所述亚光整理剂的各组分重量份数配比为:糖精钠8.5-10.5%,双苯磺酰亚胺3.5-5.5%,丁炔二醇0.2-0.4%,丙炔醇0.5-0.7%,丙烯基磺酸钠4.5-6.5%,十二烷基硫酸钠5-7%,其余为去离子水 ;
5、甲基磺酸活化:在溶液E里对已经镀好底镍的SMD电子元件表面镍层进行活化,为提高镍层与锡层的结合力;采用去离子水水洗SMD电子元件15S-20S;然后浸入溶液E中酸洗120S-180S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸30-50g/L;
6、电镀锡:在常温溶液F中进行镀锡;所述溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 120-180g/L,
甲基磺酸锡 90-100g/L,
锡添加剂PT-190 30-50 g/L,
电流为1-2A/dm2,电镀锡时间为:480S-900S
7、锡层保护处理:为了获取一个良好的锡层,将电镀锡后的SMD电子元件用纯水清洗30S-60S后,再进入溶液G进行钝化处理,溶液G的各组份每L含量为:纯碱50-55g/L,浸泡30-60S后将SMD电子元件进入去离子水中清洗15S-20S,然后将SMD电子元件放入50℃-55℃的热纯水中清洗5S -10S;
8、吹水烘干:将残留在产品表面的去离子水去除干净进行烘干,确保产品表面的镀锡层干燥洁净。
本发明通过采用上述技术方案,与现有技术相比,具有如下优点:
1、提高焊锡能力:焊锡表面光滑,饱满,由于镀亚光底镍D溶液采用了以上新配方,与原有旧配方相比:旧配方需要添加主光泽剂0.5-0.7ml/L,湿润剂1ml/L,走位水6-10ml/L;而新配方只要添加亚光整理剂0.5-1ml/L,不添加主光剂、走位水和湿润剂,从而减少有机物的用量,大大的降低了添加剂的含碳量带入镀层里,极大的提高了可焊性;因为镀亚光的底镍层,使得锡层与亚光镍的结合力更好,保证表面锡层的可焊性;原有都是光亮底镍,而光亮镍层与锡层结合力较差,在经过后工序焊接时经常产生SMD汽车电子元件的功能性焊锡不良、浸锡滑锡或沾锡结合力差,不饱满,电镀层脱皮,扭转测试镀层爆裂,焊锡脱皮等的问题;
2、 耐受430°高温焊锡, 镀亚光镍D溶液采用新配方使用亚光整理剂,降低了镀镍层中夹杂的含碳量,并且改善高低电流密度区的镀层均匀性,使镀层结晶更为细致,从而提高镀层质量,达到高温焊锡工艺的要求;
3、镀层附着力好(锡镍层结合力好), 镀亚光镍D溶液采用亚光整理剂工艺由光亮底镍变成亚光底镍,改善高低电流密度区的镀层均匀性,亚光的底镍表面也更利于锡镀层结合,大大的提高了镍锡之间的结合力;
4、镀层结晶更细致,镀亚光镍D溶液采用亚光整理剂工艺,由于没有添加主光剂、走位水和湿润剂,降低了镀镍层中夹杂的含碳量,并且改善高低电流密度区的镀层均匀性,使镀层结晶更为细致。
具体实施方式
实施例1:
作为一个具体的实施例,本发明的一种SMD汽车电子元件的电镀锡工艺,工艺流程具体包括以下步骤:
(1)超声波脱脂:把SMD电子元件放入温度为45℃溶液A进行超声波脱脂,去除表面的油脂,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂55g/L,超声波脱脂时间300S,超声波脱脂周期大约25-30天;
(2)电解除油:把SMD电子元件放入溶液B中进行电解除油,去除附着在产品表面的油脂,为后工序提供一个洁净的金属表面,电解温度为45℃,电解电流为4A/dm2,电解时间为180S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉50g/L,氢氧化钠12g/L;电解除油周期大约25天;
(3)硫酸中和与活化:在溶液C里中和去除SMD电子元件表面碱性物质并对产品表面的氧化层进行活化;所述溶液C中各组分每L含量为:硫酸30g/L;酸洗时间120S;硫酸中和与活化周期大约5-7天;
(4)镀亚光镍:在温度为45℃的溶液D中进行电镀亚光镍,获取一个表面良好的亚光镀镍底层,为电镀锡层作准备。电镀时间为:300S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 225g/L,
氯化镍 45g/L,
硼酸 55g/L,
亚光整理剂 0.5ml/L;
所述亚光整理剂的各组分重量份数配比为:糖精钠8.5%,双苯磺酰亚胺3.5%,丁炔二醇0.2%,丙炔醇0.5%,丙烯基磺酸钠4.5%,十二烷基硫酸钠5%,其余为去离子水 ;
(5)甲基磺酸活化:在溶液E里对已经镀好底镍的SMD电子元件表面镍层进行活化,为提高镍层与锡层的结合力;采用去离子水水洗SMD电子元件15S;然后浸入溶液E中酸洗120S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸30g/L;甲基磺酸活化周期10-15天;
(6)电镀锡:在常温溶液F中进行镀锡;所述溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 120g/L,
甲基磺酸锡 90g/L,
锡添加剂PT-190 30g/L,
电流为1A/dm2,电镀锡时间为:480S ;
(7)镀层保护处理:为了获取一个良好的锡层,将电镀锡后的SMD电子元件用纯水清洗30S后,再进入溶液G进行钝化处理,溶液G的各组份每L含量为:纯碱50g/L,浸泡30S后将SMD电子元件进入去离子水中清洗15S,然后将SMD电子元件放入50℃的热纯水中清洗5S;镀层保护处理周期1天;
(8)吹水烘干:将残留在产品表面的去离子水去除干净进行烘干,确保产品表面的镀锡层干燥洁净。
实施例2:
(1)超声波脱脂:把SMD电子元件放入温度为65℃溶液A进行超声波脱脂,去除表面的油脂,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂65g/L,超声波脱脂时间600S,超声波脱脂周期大约25-30天;
(2)电解除油:把SMD电子元件放入溶液B中进行电解除油,去除附着在产品表面的油脂,为后工序提供一个洁净的金属表面,电解温度为65℃,电流为6A/dm2,时间300S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉70g/L,氢氧化钠15 g/L;电解除油周期大约25-30天;
(3)硫酸中和与活化:在溶液C里中和去除SMD电子元件表面碱性物质并对产品表面的氧化层进行活化;所述溶液C中各组分每L含量为:硫酸80g/L;酸洗时间180S;硫酸中和与活化周期大约5-7天;
(4)镀亚光镍:在温度为65℃的溶液D中进行电镀亚光镍,获取一个表面良好的亚光镀镍底层,为电镀锡层作准备。电镀时间为:360S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 285g/L,
氯化镍 75g/L,
硼酸 65g/L,
亚光整理剂 1ml/L;
所述亚光整理剂的各组分重量份数配比为:糖精钠10.5%,双苯磺酰亚胺5.5%,丁炔二醇0.4%,丙炔醇0.7%,丙烯基磺酸钠6.5%,十二烷基硫酸钠7%,其余为去离子水 ;
(5)甲基磺酸活化:在溶液E里对已经镀好底镍的SMD电子元件表面镍层进行活化,为提高镍层与锡层的结合力;采用去离子水水洗SMD电子元件20S;然后浸入溶液E中酸洗180S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸50g/L;甲基磺酸活化周期10-15天;
(6)电镀锡:在常温溶液F中进行镀锡;所述溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 180g/L,
甲基磺酸锡 100g/L,
锡添加剂PT-190 50g/L,
电流为2A/dm2,时间900S;
(7)镀层保护处理:为了获取一个良好的锡层,将电镀锡后的SMD电子元件用纯水清洗60S后,再进入溶液G进行钝化处理,溶液G的各组份每L含量为:纯碱55g/L,浸泡60S后将SMD电子元件进入去离子水中清洗20S,然后将SMD电子元件放入55℃的热纯水中清洗10S;镀层保护处理周期1天;
(8)吹水烘干:将残留在产品表面的去离子水去除干净进行烘干,确保产品表面的镀锡层干燥洁净。
实施例3:
(1)超声波脱脂:把SMD电子元件放入温度为55℃溶液A进行超声波脱脂,去除表面的油脂,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂55g/L,超声波脱脂时间400S,超声波脱脂周期大约25-30天;
(2)电解除油:把SMD电子元件放入溶液B中进行电解除油,去除附着在产品表面的油脂,为后工序提供一个洁净的金属表面,电解温度为55℃,电流为5A/dm2,时间220S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉60g/L,氢氧化钠14g/L;电解除油周期大约25-30天;
(3)硫酸中和与活化:在溶液C里中和去除SMD电子元件表面碱性物质并对产品表面的氧化层进行活化;所述溶液C中各组分每L含量为:硫酸50g/L;酸洗时间150S;硫酸中和与活化周期大约5-7天;
(4)镀亚光镍:在温度为55℃的溶液D中进行电镀亚光镍,获取一个表面良好的亚光镀镍底层,为电镀锡层作准备。电镀时间为:330S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 265g/L,
氯化镍 55g/L,
硼酸 60g/L,
亚光整理剂 0.75ml/L;
所述亚光整理剂的各组分重量份数配比为:糖精钠9.5%,双苯磺酰亚胺4.5%,丁炔二醇0.3%,丙炔醇0.6%,丙烯基磺酸钠5.5%,十二烷基硫酸钠6%,其余为去离子水 ;
(5)甲基磺酸活化:在溶液E里对已经镀好底镍的SMD电子元件表面镍层进行活化,为提高镍层与锡层的结合力;采用去离子水水洗SMD电子元件18S;然后浸入溶液E中酸洗150S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸40g/L;甲基磺酸活化周期10-15天;
(6)电镀锡:在常温溶液F中进行镀锡;所述溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 150g/L,
甲基磺酸锡 95g/L,
锡添加剂PT-190 40g/L,
电流为1.5A/dm2,时间650S;
(7)镀层保护处理:为了获取一个良好的锡层,将电镀锡后的SMD电子元件用纯水清洗45S后,再进入溶液G进行钝化处理,溶液G的各组份每L含量为:纯碱53g/L,浸泡40S后将SMD电子元件进入去离子水中清洗18S,然后将SMD电子元件放入53℃的热纯水中清洗8S;镀层保护处理周期1天;
(8)吹水烘干:将残留在产品表面的去离子水去除干净进行烘干,确保产品表面的镀锡层干燥洁净。
Claims (4)
1.一种SMD汽车电子元件的电镀锡工艺,其特征在于:该工艺的具体步骤如下
超声波脱脂:把SMD电子元件放入温度为45-65℃的溶液A进行超声波脱脂,去除表面的油脂,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂55-65g/L,超声波脱脂时间300S-600S;
电解除油:把SMD电子元件放入溶液B中进行电解除油,去除附着在产品表面的油脂,电解温度为45-65℃,电解电流为4-6A/dm2,时间为180S-300S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉50-70g/L,氢氧化钠12-15 g/L;
硫酸中和与活化:在溶液C里中和去除SMD电子元件表面碱性物质并对产品表面的氧化层进行活化;所述溶液C中各组分每L含量为:硫酸30-80g/L;酸洗时间120S-180S;
镀亚光镍:在温度为45-65℃的溶液D中进行电镀亚光镍,电镀时间为:300S-360S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 225-285g/L,
氯化镍 45-75g/L,
硼酸 55-65g/L,
亚光整理剂 0.5-1ml/L;
所述亚光整理剂的各组分绝干质量配比为:糖精钠8.5-10.5%,双苯磺酰亚胺3.5-5.5%,丁炔二醇0.2-0.4%,丙炔醇0.5-0.7%,丙烯基磺酸钠4.5-6.5%,十二烷基硫酸钠5-7%,其余为去离子水 ;
甲基磺酸活化:在溶液E里对已经镀好底镍的SMD电子元件表面镍层进行活化,采用去离子水水洗SMD电子元件15S-20S;然后浸入溶液E中酸洗120S-180S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸30-50g/L;
电镀锡:在常温溶液F中进行镀锡;所述溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 120-180g/L,
甲基磺酸锡 90-100g/L,
锡添加剂PT-190 30-50 g/L,
电镀电流为1-2A/dm2,时间480S-900S;
锡层保护处理:将电镀锡后的SMD电子元件用纯水清洗30S-60S,再进入溶液G进行钝化处理,溶液G的各组份每L含量如下:纯碱50-55g/L,浸泡30-60S后将SMD电子元件进入去离子水中清洗15S-20S,然后将SMD电子元件放入50℃-55℃的热纯水中清洗5 S -10S;
吹水烘干:将残留在产品表面的去离子水去除干净后进行烘干。
2.根据权利要求1所述的一种SMD汽车电子元件的电镀锡工艺,其特征在于: 所述步骤(1)中,溶液A的温度为45℃,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂55g/L,超声波脱脂时间300S;
所述步骤(2)中,电解温度为45℃,电解电流为4A/dm2,时间为180S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉50g/L,氢氧化钠12g/L;
所述步骤(3)中,溶液C中各组分每L含量为:硫酸30g/L;酸洗时间120S;
所述步骤(4)中,溶液D的温度为45℃,电镀时间为:300S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 225g/L,
氯化镍 45g/L,
硼酸 55g/L,
亚光整理剂 0.5ml/L;
所述亚光整理剂的各组分绝干质量配比为:糖精钠8.5%,双苯磺酰亚胺3.5%,丁炔二醇0.2%,丙炔醇0.5%,丙烯基磺酸钠4.5%,十二烷基硫酸钠5%,其余为去离子水 ;
所述步骤(5)中,去离子水水洗时间为15S;溶液E中酸洗时间为120S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸30g/L;
所述步骤(6)中,溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 120g/L,
甲基磺酸锡 90g/L,
锡添加剂PT-190 30 g/L,
电镀电流为1A/dm2,时间480S;
所述步骤(7)中,纯水清洗时间为30S,溶液G的各组份每L含量为:纯碱50g/L,浸泡时间为30S,去离子水清洗时间为15S,热纯水温度为50℃,清洗时间为5 S。
3.根据权利要求1所述的一种SMD汽车电子元件的电镀锡工艺,其特征在于:
所述步骤(1)中,溶液A的温度为65℃,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂65g/L,超声波脱脂时间600S;
所述步骤(2)中,电解温度为65℃,电解电流为6A/dm2,时间为300S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉70g/L,氢氧化钠15g/L;
所述步骤(3)中,溶液C中各组分每L含量为:硫酸80g/L;酸洗时间180S;
所述步骤(4)中,溶液D的温度为65℃,电镀时间为:360S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 285g/L,
氯化镍 75g/L,
硼酸 65g/L,
亚光整理剂 1ml/L;
所述亚光整理剂的各组分绝干质量配比为:糖精钠10.5%,双苯磺酰亚胺5.5%,丁炔二醇0.4%,丙炔醇0.7%,丙烯基磺酸钠6.5%,十二烷基硫酸钠7%,其余为去离子水 ;
所述步骤(5)中,去离子水水洗时间为20S;溶液E中酸洗时间为180S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸50g/L;
所述步骤(6)中,溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 180g/L,
甲基磺酸锡 100g/L,
锡添加剂PT-190 50g/L,
电镀电流为2A/dm2,时间900S;
所述步骤(7)中,纯水清洗时间为60S,溶液G的各组份每L含量为:纯碱55g/L,浸泡时间为60S,去离子水清洗时间为20S,热纯水温度为55℃,清洗时间为10S。
4.根据权利要求1所述的一种SMD汽车电子元件的电镀锡工艺,其特征在于:
所述步骤(1)中,溶液A的温度为55℃,溶液A中各组份每L含量为:超声波脱脂剂55g/L,超声波脱脂时间400S;
所述步骤(2)中,电解温度为55℃,电解电流为5A/dm2,时间为220S,溶液B中各组份每L含量为:电解除油粉60g/L,氢氧化钠14g/L;
所述步骤(3)中,溶液C中各组分每L含量为:硫酸50g/L;酸洗时间150S;
所述步骤(4)中,溶液D的温度为55℃,电镀时间为:330S;所述溶液D的各组份每L含量如下:
硫酸镍 265g/L,
氯化镍 55g/L,
硼酸 60g/L,
亚光整理剂 0.75ml/L;
所述亚光整理剂的各组分绝干质量配比为:糖精钠9.5%,双苯磺酰亚胺4.5%,丁炔二醇0.3%,丙炔醇0.6%,丙烯基磺酸钠5.5%,十二烷基硫酸钠6%,其余为去离子水 ;
所述步骤(5)中,去离子水水洗时间为18S;溶液E中酸洗时间为150S,溶液E的各组份每L含量为:甲基磺酸40g/L;
所述步骤(6)中,溶液F的各组份每L含量如下:
甲基磺酸 150g/L,
甲基磺酸锡 95g/L,
锡添加剂PT-190 40g/L,
电镀电流为1.5A/dm2,时间650S;
所述步骤(7)中,纯水清洗时间为45S,溶液G的各组份每L含量为:纯碱53g/L,浸泡时间为45S,去离子水清洗时间为18S,热纯水温度为53℃,清洗时间为8S。
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Li Nansheng Inventor after: Wu Pingping Inventor after: Luo Yonghua Inventor before: Wu Pingping Inventor before: Luo Yonghua |
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COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: WU PINGPING LUO YONGHUA TO: LI NANSHENG WU PINGPING LUO YONGHUA |
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C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131023 |