CN106025481A - 一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺 - Google Patents

一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺 Download PDF

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    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type

Abstract

本发明公开了一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺，具体包括以下步骤：1）将框架依次经超声波清洗、阴极电解除油和阳极电解除油处理；2）将框架进行酸性活化后，依次进行氰化物镀铜、氨基磺酸盐镀镍、硫酸铜镀铜，最后再次经氰化物镀铜处理；3）步骤2）处理后的框架进行预镀银，再经选择镀银，非功能区脱银处理；通过上述步骤完成框架局部镀银操作。其操作合理，镀银效果好，得到的框架质量完全符合相关要求。

Description

一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺
技术领域
本发明属框架表面处理技术领域，具体涉及一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺。
背景技术
光电耦合器是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。
光电耦合器引线框架是光电耦合器的基础框架，其用于焊接芯片及其他元件，传统的引线框架整平度、光亮度不够，焊接性能和抗腐蚀性能差。
发明内容
本发明的目的提供一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺，其操作合理，镀银效果好，得到的框架平整光亮、易焊线。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：
1）将框架依次经超声波清洗、阴极电解除油和阳极电解除油处理；
2）将框架进行酸性活化后，依次进行氰化物镀铜、氨基磺酸盐镀镍、硫酸铜镀铜，最后再次经氰化物镀铜处理；
3）步骤2）处理后的光电耦合器引线框架整个进行预镀银，然后对功能区进行镀银，最后对非功能区预镀银时镀上的银进行脱除处理；
通过上述步骤完成光电耦合器引线框架局部镀银操作。
步骤1）中所述的超声波清洗时，在水中加入表面活性剂，控制温度55-65℃，超声波清洗5-30秒。
步骤1）中所述的超声波清洗时，在水中加入表面活性剂，控制温度55-65℃，超声波清洗5-30秒。步骤1）中阴极电解除油的时间为10s，阳极电解除油的时间为10s。通过超声波清洗及相应的阴极电解除油和阳极电解除油，可以确保彻底清除框架表面的油污。电化学除油处理是通过电解水产生的氢气和氧气将油污从支架表面剥离。
所述步骤2）中酸性活化使采用盐酸或硫酸对框架进行清洗，酸的质量浓度为25-30%，时间为10S。通过酸性活化能够去除框架表面的氧化膜。
所述步骤2）中氰化物镀铜时，采用的溶液中CuCN的浓度为40g/L，NaCN为60g/L， 镀铜时间为15S，温度为45℃；通过该步骤镀铜，起到打底的作用，增加结合力；氨基磺酸盐镀镍时，采用的溶液中氨基磺酸镍的浓度为500ml/L，时间为20S，温度为55℃；通过镀镍产生隔离层，起到抗氧化防锈的作用；硫酸铜镀铜时，采用的溶液中硫酸铜的浓度为200 g/L，硫酸的浓度为35ml/L，处理时间为30S，温度为25℃；镀酸铜能够对框架上的坑洼等不平整的地方进行填平，使得其平整光亮，利于后期处理；第二次氰化物镀铜的时间为10S；在镀酸铜之后再次进行氰化物镀铜，其作用是保证其与银层结合力。
所述步骤3）中预镀银时，控制Ag+的浓度为5g/L，KCN为110g/L，预镀银的时间为5-10s，温度为室温。预镀银的作用是防银置换，预镀银主要采用高络合剂低盐使之沉积一层结合力牢固的银层，为后面的选择镀银打下基础。
所述步骤3）中功能区进行镀银时，控制Ag+的浓度为60g/L，KCN为10g/L，镀银的时间为10s，温度为60℃。一般镀银厚度在1.5-2微米，其作用是通过沉积较厚的银层，满足后端工序的要求。即选择镀银，通过使用模具及软性材料进行遮挡，使需要镀银的部分裸露，不需要镀银的部分进行遮盖。
所述步骤3）中非功能区脱银处理时，控制溶液中脱银粉为100g/L。通过脱出非功能区的银层，能够降低成本。所述的非功能区是指光电耦合器引线框架的工艺边。
本发明的有益效果在于：解决毛坯素材的整平度、光亮度，提高导电、抗氧化性能，提高焊接性能，提高支架的抗腐蚀性。
具体实施方式
下面结合实施例来进一步说明本发明，但本发明要求保护的范围并不局限于实施例表述的范围。
实施例1：
一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺，具体包括以下步骤：
1）清洗处理 将光电耦合器引线框架加入超声波清洗器中进行清洗，清洗前在水中加入表面活性剂，控制温度55℃，超声波清洗30秒；然后依次进行阴极电解除油10s和阳极电解除油处理10s。
2）加入质量浓度为25%的盐酸溶液中进行活化，时间为10S，再依次进行氰化物镀铜、氨基磺酸盐镀镍、硫酸铜镀铜，最后再次经氰化物镀铜处理；氰化物镀铜时，采用的溶液中CuCN的浓度为40g/L，NaCN为60g/L， 镀铜时间为15S，温度为45℃；氨基磺酸盐镀镍时，采用的溶液中氨基磺酸镍的浓度为500ml/L，时间为20S，温度为55℃；硫酸铜镀铜时，采用的溶液中硫酸铜的浓度为200 g/L，硫酸的浓度为35ml/L，处理时间为30S，温度为25℃；第二次氰化物镀铜的时间为10S。
3）步骤2）处理后的光电耦合器引线框架整个进行预镀银，控制Ag+的浓度为5g/L，KCN为110g/L，预镀银的时间为5-10s，温度为室温；然后对功能区进行镀银，控制Ag+的浓度为60g/L，KCN为10g/L，镀银的时间为10s，温度为60℃；最后对非功能区预镀银时镀上的银进行脱除处理；通过上述步骤完成光电耦合器引线框架局部镀银操作。
实施例2：
一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺，具体包括以下步骤：
1）将光电耦合器引线框架依次经超声波清洗、阴极电解除油和阳极电解除油处理。
2）加入质量浓度为30%的硫酸溶液中进行活化，时间为10S，再依次进行氰化物镀铜、氨基磺酸盐镀镍、硫酸铜镀铜，最后再次经氰化物镀铜处理；氰化物镀铜时，采用的溶液中CuCN的浓度为40g/L，NaCN为60g/L， 镀铜时间为15S，温度为45℃；氨基磺酸盐镀镍时，采用的溶液中氨基磺酸镍的浓度为500ml/L，时间为20S，温度为55℃；硫酸铜镀铜时，采用的溶液中硫酸铜的浓度为200 g/L，硫酸的浓度为35ml/L，处理时间为30S，温度为25℃；第二次氰化物镀铜的时间为10S。
3）步骤2）处理后的光电耦合器引线框架整个进行预镀银，控制Ag+的浓度为5g/L，KCN为110g/L，预镀银的时间为5-10s，温度为室温；然后对功能区进行镀银，控制Ag+的浓度为60g/L，KCN为10g/L，镀银的时间为10s，温度为60℃；最后对非功能区预镀银时镀上的银进行脱除处理；通过上述步骤完成光电耦合器引线框架局部镀银操作。

Claims (8)

1. 一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：
1）将光电耦合器引线框架依次经超声波清洗、阴极电解除油和阳极电解除油处理；
2）将光电耦合器引线框架进行酸性活化后，依次进行氰化物镀铜、氨基磺酸盐镀镍、硫酸铜镀铜，最后再次经氰化物镀铜处理；
3）步骤2）处理后的光电耦合器引线框架整个进行预镀银，然后对功能区进行镀银，最后对非功能区预镀银时镀上的银进行脱除处理；
通过上述步骤完成光电耦合器引线框架局部镀银操作。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：步骤1）中所述的超声波清洗时，在水中加入表面活性剂，控制温度55-65℃，超声波清洗5-30秒。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：步骤1）中阴极电解除油的时间为10s，阳极电解除油的时间为10s。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述步骤2）中酸性活化使采用盐酸或硫酸对框架进行清洗，酸的质量浓度为25-30%，时间为10S。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述步骤2）中氰化物镀铜时，采用的溶液中CuCN的浓度为40g/L，NaCN为60g/L， 镀铜时间为15S，温度为45℃；氨基磺酸盐镀镍时，采用的溶液中氨基磺酸镍的浓度为500ml/L，时间为20S，温度为55℃；硫酸铜镀铜时，采用的溶液中硫酸铜的浓度为200 g/L，硫酸的浓度为35ml/L，处理时间为30S，温度为25℃；第二次氰化物镀铜的时间为10S。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述步骤3）中预镀银时，控制Ag+的浓度为5g/L，KCN为110g/L，预镀银的时间为5-10s，温度为室温。
7.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述步骤3）中功能区进行镀银时，控制Ag+的浓度为60g/L，KCN为10g/L，时间为10s，温度为60℃。
8.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述步骤3）中非功能区脱银处理时，控制溶液中脱银粉为100g/L。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108642538A (zh) * 2018-05-24 2018-10-12 中山品高电子材料有限公司 大功率led支架的电镀工艺

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11131270A (ja) * 1997-10-31 1999-05-18 Hitachi Cable Ltd めっき表面洗浄方法
JP2001046127A (ja) * 1999-08-04 2001-02-20 Dia-To Saegusa:Kk 装身具の製法
JP2008106339A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
KR20100131730A (ko) * 2009-06-08 2010-12-16 노성태 금속표면광택을 이용한 가공품 및 이의제조방법
CN102817056A (zh) * 2012-08-15 2012-12-12 中山品高电子材料有限公司 一种引线框架钯镍合金镀层的电镀工艺
CN103361687A (zh) * 2013-07-29 2013-10-23 厦门旺朋电子元件有限公司 一种smd汽车电子元件的电镀锡加工方法
CN103928302A (zh) * 2014-04-28 2014-07-16 四川金湾电子有限责任公司 一种半导体引线框架制造工艺
CN104805479A (zh) * 2015-04-10 2015-07-29 四川金湾电子有限责任公司 一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法
CN104900536A (zh) * 2015-04-10 2015-09-09 四川金湾电子有限责任公司 一种半导体引线框架的表面处理方法
CN105386100A (zh) * 2014-09-05 2016-03-09 泰州华龙电子有限公司 一种铁镍合金框架电镀铜和银的方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11131270A (ja) * 1997-10-31 1999-05-18 Hitachi Cable Ltd めっき表面洗浄方法
JP2001046127A (ja) * 1999-08-04 2001-02-20 Dia-To Saegusa:Kk 装身具の製法
JP2008106339A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
KR20100131730A (ko) * 2009-06-08 2010-12-16 노성태 금속표면광택을 이용한 가공품 및 이의제조방법
CN102817056A (zh) * 2012-08-15 2012-12-12 中山品高电子材料有限公司 一种引线框架钯镍合金镀层的电镀工艺
CN103361687A (zh) * 2013-07-29 2013-10-23 厦门旺朋电子元件有限公司 一种smd汽车电子元件的电镀锡加工方法
CN103928302A (zh) * 2014-04-28 2014-07-16 四川金湾电子有限责任公司 一种半导体引线框架制造工艺
CN105386100A (zh) * 2014-09-05 2016-03-09 泰州华龙电子有限公司 一种铁镍合金框架电镀铜和银的方法
CN104805479A (zh) * 2015-04-10 2015-07-29 四川金湾电子有限责任公司 一种功率半导体器件引线框架的表面处理方法
CN104900536A (zh) * 2015-04-10 2015-09-09 四川金湾电子有限责任公司 一种半导体引线框架的表面处理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108642538A (zh) * 2018-05-24 2018-10-12 中山品高电子材料有限公司 大功率led支架的电镀工艺

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