CN106119915B - 引线框架的电镀方法 - Google Patents

引线框架的电镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106119915B
CN106119915B CN201610498450.7A CN201610498450A CN106119915B CN 106119915 B CN106119915 B CN 106119915B CN 201610498450 A CN201610498450 A CN 201610498450A CN 106119915 B CN106119915 B CN 106119915B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
plating
silver
copper
cyanide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610498450.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106119915A (zh
Inventor
刘国强
徐卉军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ACKOTEC (ZHONGSHAN) ELECTRONIC PARTS Co Ltd
Original Assignee
ACKOTEC (ZHONGSHAN) ELECTRONIC PARTS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ACKOTEC (ZHONGSHAN) ELECTRONIC PARTS Co Ltd filed Critical ACKOTEC (ZHONGSHAN) ELECTRONIC PARTS Co Ltd
Priority to CN201610498450.7A priority Critical patent/CN106119915B/zh
Publication of CN106119915A publication Critical patent/CN106119915A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106119915B publication Critical patent/CN106119915B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C25D3/40—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper from cyanide baths, e.g. with Cu+
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/14—Etching locally

Abstract

本发明涉及一种引线框架的电镀方法，包括以下步骤:电镀前表面处理：将引线框架基材放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理；电镀处理：对活化处理完的引线框架的表面全浸预镀铜和全浸镀铜，对已镀铜的引线框架的功能区选择浸镀镍，对已镀镍的引线框架的表面全浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，对已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀银，对已镀银的引线框架的功能区局部镀银；电镀后处理：对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，对完成电解脱银的引线框架进行铜保护。将全浸镀、选择浸镀和局部镀结合起来，满足多种镀层、多个区域电镀、同一区域不同膜厚的引线框架的电镀，降低生产成本。

Description

引线框架的电镀方法
技术领域
本发明涉及引线框架电镀技术领域，特别涉及一种引线框架的电镀方法。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，为了保证芯片、焊丝和引线框架有良好的焊接性，需要对引线框架的表面进行电镀处理。目前常用的电镀的方式有全浸镀、选择浸镀、刷镀、局部镀等，其中全浸镀适合对整个引线框架进行全面电镀，进行打底电镀和功能层全镀，但在功能层全镀时，非功能区也镀上功能镀层造成成本的浪费，特别是对于一些结构比较复杂、要求镀多种镀层、多个区域电镀的引线框架，目前采用传统的单一或两种镀种模式无法满足市场需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种引线框架的电镀方法，能够满足结构比较复杂、要求镀多种镀层、多个区域电镀的引线框架的电镀，降低成本，提高电镀精度。
为实现本发明的目的，采取的技术方案是：
一种引线框架的电镀方法，包括以下步骤:
电镀前表面处理：将引线框架基材放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理；
电镀处理：对活化处理完的引线框架的表面全浸预镀铜，然后再全浸镀铜，对已镀铜的引线框架的功能区选择浸镀镍，对已镀镍的引线框架的表面全浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，对已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀银，对已镀银的引线框架的功能区局部镀银；
电镀后处理：对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，对完成电解脱银的引线框架进行铜保护。
对引线框支架基材进行去除油污，增强基材与预镀铜层结合力；对引线框支架基材活化处理，除去基材表面氧化，增强基材与预镀铜层结合力；在引线框支架基材上进行预镀铜，增加基材和厚铜的结合力；在引线框支架基材上进行加厚镀铜，填平基材缺失，为镀镍打基础；在引线框支架基材上进行选择镀镍，填平基材缺失，为镀银打基础；在镍层上进行预镀铜，增强镍层与预镀银的结合力；在预镀铜层上预镀银，防止铜层置换银层，增强镀层之间结合力；在预镀银层上再选择镀银，满足引线框支架多个区域电镀的功能需求；在选择镀银层上再局部镀银，满足引线框支架同一区域不同膜厚的功能需求；电解脱银，脱出非功能区的银；铜保护处理防止镀层变色和铜层氧化，保证产品质量。该电镀方法将全浸镀、选择浸镀和局部镀结合起来，满足结构比较复杂、要求镀多种镀层、多个区域电镀的引线框架的电镀，使同一个电镀区域镀层不同膜厚的控制更加精确，提高产品质量，确保客户的试验要求下，减少贵金属银的使用，避免材料浪费，节约成本。
下面对技术方案进一步说明：
进一步的是，在对活化处理完的引线框架的表面全浸预镀铜，然后再全浸镀铜步骤中，先将已活化处理完的引线框架在室温下放入氰化铜溶液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子20～40g/L，含氰化钠30～40g/L，该氰化铜溶液的电流密度为4～8安培/平方分米，在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层；再对已预镀铜的引线框架放入氰化铜溶液中电沉积60～120秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子50～70g/L，含氰化钠20～40g/L，该氰化铜溶液的温度为55～65℃，电流密度为4～8安培/平方分米，在引线框架的表面全浸镀一层厚铜层。
进一步的是，在对已镀铜的引线框架的功能区选择浸镀镍步骤中，将已镀铜的引线框架放入氨基磺酸鎳镀液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氨基磺酸镍镀液含鎳离子70～110g/L，含氯化镍10～30g/L，含硼酸30～50g/L，该氨基磺酸镍镀液的温度为55～65℃，pH值为3.8～4.4，电流密度为5～20安培/平方分米。
进一步的是，在对已镀镍的引线框架的表面全浸预镀铜步骤中，将已镀镍的引线框架在室温下放入氰化铜溶液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子20～40g/L，含氰化钠30～40g/L，该氰化铜溶液的电流密度为4～8安培/平方分米。
进一步的是，在将引线框架的表面全浸预镀银步骤中，将引线框架在室温下放入氰化镀银液中电沉积5～10秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子5～10g/L，含氰化钾120g/L，该氰化镀银液的pH值为12～14，电流密度为1.5～5安培/平方分米。
进一步的是，在对已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀银步骤中，将已预镀银的引线框架放入氰化镀银液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子60～80g/L，含该氰化镀银液的温度为50～70℃，电流密度为60～80安培/平方分米。
进一步的是，在对已镀银的引线框架的功能区局部镀银步骤中，将已镀银的引线框架放入氰化镀银液中电沉积4～6秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子60～80g/L，该氰化镀银液的温度为50～70℃，电流密度为80～120安培/平方分米。
进一步的是，在对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银步骤中，将完成电镀处理的引线框架在室温下放入脱银液中电脱银20～40秒，然后用去离子水清洗吹干，该脱银液含脱银粉80～100g/L，该脱银液的电流密度为2～6安培/平方分米。
进一步的是，在将引线框架基材放入电解液中去除油污步骤中，将引线框架基材放入电解液中电解20～40秒，然后用自来水清洗吹干，该电解液含除油粉90～110g/L，该氰化铜溶液的温度为50～70℃，电流密度为5～20安培/平方分米。
进一步的是，在将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理步骤中，将引线框架在室温下放入酸盐溶液中浸泡10～20秒，然后用自来水清洗吹干，该酸盐溶液含开缸盐75～95g/L。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明将全浸镀、选择浸镀和局部镀结合起来，满足多种镀层、多个区域电镀、同一区域不同膜厚的引线框架的电镀，提高电镀精度，提高产品质量，避免材料浪费，降低生产成本。
附图说明
图1是本发明实施例引线框架的电镀方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明：
如图1所示，一种引线框架的电镀方法，包括以下步骤:
电镀前表面处理：将引线框架基材放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理；
电镀处理：对活化处理完的引线框架的表面全浸预镀铜，然后再全浸镀铜，对已镀铜的引线框架的功能区选择浸镀镍，对已镀镍的引线框架的表面全浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，对已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀银，对已镀银的引线框架的功能区局部镀银；
电镀后处理：对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，对完成电解脱银的引线框架进行铜保护。
对引线框支架基材进行去除油污，增强基材与预镀铜层结合力；对引线框支架基材活化处理，除去基材表面氧化，增强基材与预镀铜层结合力；在引线框支架基材上进行预镀铜，增加基材和厚铜的结合力；在引线框支架基材上进行加厚镀铜，填平基材缺失，为镀镍打基础；在引线框支架基材上进行选择镀镍，填平基材缺失，为镀银打基础；在镍层上进行预镀铜，增强镍层与预镀银的结合力；在预镀铜层上预镀银，防止铜层置换银层，增强镀层之间结合力；在预镀银层上再选择镀银，满足引线框支架多个区域电镀的功能需求；在选择镀银层上再局部镀银，满足引线框支架同一区域不同膜厚的功能需求；电解脱银，脱出非功能区的银；铜保护处理防止镀层变色和铜层氧化，保证产品质量。该电镀方法将全浸镀、选择浸镀和局部镀结合起来，满足结构比较复杂、要求镀多种镀层、多个区域电镀的引线框架的电镀，使同一个电镀区域镀层不同膜厚的控制更加精确，提高产品质量，确保客户的试验要求下，减少贵金属银的使用，避免材料浪费，节约成本。
在本实施例中，如图1所示，在对活化处理完的引线框架的表面全浸镀铜步骤中，先在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层，再对已预镀铜的引线框架的表面全浸镀一层厚铜层。该电镀方法还可以根据实际需要对活化处理完的引线框架的表面浸镀一层以上铜层。
对引线框架进行电镀时，先将引线框架基材放入电解液中电解20～40秒，然后用自来水清洗吹干，该电解液含除油粉90～110g/L，该电解液溶液的温度为50～70℃，电流密度为5～20安培/平方分米，去除引线框架表面的油污；
然后将引线框架在室温下放入酸盐溶液中浸泡10～20秒，然后用自来水清洗吹干，该酸盐溶液含开缸盐75～95g/L，对引线框架进行活化处理；
再将引线框架在室温下放入氰化铜溶液中电沉积10～20秒，在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子20～40g/L，含氰化钠30～40g/L，该氰化铜溶液的电流密度为4～8安培/平方分米；
再将引线框架放入氰化铜溶液中电沉积60～120秒，在已预镀铜的引线框架的表面全浸镀一层厚铜层，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子50～70g/L，含氰化钠20～40g/L，该氰化铜溶液的温度为55～65℃，电流密度为4～8安培/平方分米；
再引线框架放入氨基磺酸鎳液中电沉积10～20秒，在已预镀铜的引线框架的功能区选择浸镀一层镍层，然后用去离子水清洗吹干，该氨基磺酸镍镀液含鎳离子70～110g/L，含氯化镍10～30g/L，含硼酸30～50g/L，该氨基磺酸镍镀液的温度为55～65℃，pH值为3.8～4.4，电流密度为5～20安培/平方分米；
再将引线框架在室温下放入氰化铜溶液中电沉积10～20秒，在已镀镍的引线框架的表面全浸镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子20～40g/L，含氰化钠30～40g/L，该氰化铜溶液的电流密度为4～8安培/平方分米；
再将引线框架在室温下放入氰化镀银液中电沉积5～10秒，在已镀铜的引线框架的表面全浸镀一层薄银层，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子5～10g/L，含氰化钾120g/L，该氰化镀银液的pH值通过KOH溶液调节到12～14，该银镀液的电流密度为1.5～5安培/平方分米；
再将引线框架放入氰化镀银液中电沉积10～20秒，在已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀一层银层，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子60～80g/L，含该氰化镀银液的温度为50～70℃，电流密度为60～80安培/平方分米；
再将引线框架放入氰化镀银液中电沉积4～6秒，在已镀银的引线框架的功能区局部镀一层银层，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子60～80g/L，该氰化镀银液的温度为50～70℃，电流密度为80～120安培/平方分米；
再将引线框架在室温下放入脱银液中电脱银20～40秒，然后用去离子水清洗吹干，该脱银液含脱银粉80～100g/L，该脱银液的电流密度为2～6安培/平方分米，使完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银。
最后将引线框架在室温下放入铜保护水中浸泡10～20秒，该铜保护水的浓度为50～100ml/L，在铜层表面形成一层有机保护膜，使铜层暴露在空气中不被氧化。
下面通过具体实施例来进一步说明本发明：
实施例1：
先将引线框架基材放入含除油粉90g/L，温度为50℃的电解液中以5安培/平方分米的电流密度电解40秒，然后用自来水清洗吹干；
然后将引线框架在室温下放入含开缸盐75g/L的酸盐溶液中浸泡20秒，然后用自来水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子20g/L，含氰化钠40g/L，温度为室温的氰化亚铜镀液中以4安培/平方分米的电流密度电沉积20秒，在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子50g/L，含氰化钠40g/L，温度为55℃的氰化亚铜镀液中以4安培/平方分米的电流密度电沉积120秒，在已预镀铜的引线框架的表面全浸镀一层厚铜层，使其厚度在1.5μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再引线框架放入含镍离子70g/L，含氯化镍10g/L，含硼酸30g/L，温度为55℃，pH值为3.8的氨基磺酸鎳镀液中以5安培/平方分米的电流密度电沉积20秒，在已预镀铜的引线框架的功能区选择浸镀一层镍层，使其厚度在0.5μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子20g/L，含氰化钠40g/L，温度为室温的氰化亚铜镀液中以4安培/平方分米的电流密度电沉积20秒，在已镀镍的引线框架的表面全浸镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子5g/L，含氰化钾120g/L，温度为室温，PH值为12的氰化镀银液中以1.5安培/平方分米的电流密度电沉积10秒，在已镀铜的引线框架的表面全浸镀一层薄银层，使其厚度在0.1μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子60g/L，温度为50℃的氰化镀银液中以60安培/平方分米的电流密度电沉积20秒，在已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀一层银层，使其厚度在2μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子60g/L，温度为50℃的氰化镀银液中以80安培/平方分米的电流密度电沉积6秒，在已镀银的引线框架的功能区局部镀一层银层，使其厚度在1μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架在放入含脱银粉80g/L，温度为室温的脱银液中以2安培/平方分米的电流密度电脱银40秒，然后用去离子水清洗吹干；
最后将引线框架放入浓度为50ml/L，温度为室温的铜保护水中浸泡20秒，在铜层表面形成一层有机保护膜，使铜层暴露在空气中不被氧化。
实施例2：
先将引线框架基材放入含除油粉100g/L，温度为60℃的电解液中以13安培/平方分米的电流密度电解30秒，然后用自来水清洗吹干；
然后将引线框架在室温下放入含开缸盐85g/L的酸盐溶液中浸泡15秒，然后用自来水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子30g/L，含氰化钠35g/L，温度为室温的氰化亚铜镀液中以6安培/平方分米的电流密度电沉积15秒，在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子60g/L，含氰化钠30g/L，温度为60℃的氰化亚铜镀液中以6安培/平方分米的电流密度电沉积90秒，在已预镀铜的引线框架的表面全浸镀一层厚铜层，使其厚度在1.5μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再引线框架放入含镍离子90g/L，含氯化镍20g/L，含硼酸40g/L，温度为60℃，pH值为4.1的氨基磺酸鎳镀液中以13安培/平方分米的电流密度电沉积15秒，在已预镀铜的引线框架的功能区选择浸镀一层镍层，使其厚度在0.5μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子30g/L，含氰化钠35g/L，温度为室温的氰化亚铜镀液中以6安培/平方分米的电流密度电沉积15秒，在已镀镍的引线框架的表面全浸镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子8g/L，含氰化钾120g/L，温度为室温，PH值为13的氰化镀银液中以3.3安培/平方分米的电流密度电沉积8秒，在已镀铜的引线框架的表面全浸镀一层薄银层，使其厚度在0.1μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子70g/L，温度为60℃的氰化镀银液中以70安培/平方分米的电流密度电沉积15秒，在已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀一层银层，使其厚度在2μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子70g/L，温度为60℃的氰化镀银液中以100安培/平方分米的电流密度电沉积5秒，在已镀银的引线框架的功能区局部镀一层银层，使其厚度在1μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架在放入含脱银粉90g/L，温度为室温的脱银液中以4安培/平方分米的电流密度电脱银30秒，然后用去离子水清洗吹干；
最后将引线框架放入浓度为75ml/L，温度为室温的铜保护水中浸泡15秒，在铜层表面形成一层有机保护膜，使铜层暴露在空气中不被氧化。
实施例3：
先将引线框架基材放入含除油粉110g/L，温度为70℃的电解液中以20安培/平方分米的电流密度电解20秒，然后用自来水清洗吹干；
然后将引线框架在室温下放入含开缸盐95g/L的酸盐溶液中浸泡10秒，然后用自来水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子40g/L，含氰化钠30g/L，温度为室温的氰化亚铜镀液中以8安培/平方分米的电流密度电沉积10秒，在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子70g/L，含氰化钠20g/L，温度为65℃的氰化亚铜镀液中以8安培/平方分米的电流密度电沉积60秒，在已预镀铜的引线框架的表面全浸镀一层厚铜层，使其厚度在1.5μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再引线框架放入含镍离子110g/L，含氯化镍30g/L，含硼酸50g/L，温度为65℃，pH值为4.4的氨基磺酸鎳镀液中以20安培/平方分米的电流密度电沉积10秒，在已预镀铜的引线框架的功能区选择浸镀一层镍层，使其厚度在0.5μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含铜离子40g/L，含氰化钠30g/L，温度为室温的氰化亚铜镀液中以8安培/平方分米的电流密度电沉积10秒，在已镀镍的引线框架的表面全浸镀一层薄铜层，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子10g/L，含氰化钾120g/L，温度为室温，PH值为14的氰化镀银液中以5安培/平方分米的电流密度电沉积5秒，在已镀铜的引线框架的表面全浸镀一层薄银层，使其厚度在0.1μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子80g/L，温度为70℃的氰化镀银液中以80安培/平方分米的电流密度电沉积10秒，在已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀一层银层，使其厚度在2μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架放入含银离子80g/L，温度为70℃的氰化镀银液中以120安培/平方分米的电流密度电沉积4秒，在已镀银的引线框架的功能区局部镀一层银层，使其厚度在1μm左右，然后用去离子水清洗吹干；
再将引线框架在放入含脱银粉100g/L，温度为室温的脱银液中以6安培/平方分米的电流密度电脱银20秒，然后用去离子水清洗吹干；
最后将引线框架放入浓度为100ml/L，温度为室温的铜保护水中浸泡10秒，在铜层表面形成一层有机保护膜，使铜层暴露在空气中不被氧化。
本发明将全浸镀、选择浸镀和局部镀结合起来，满足多种镀层、多个区域电镀、同一区域不同膜厚的引线框架的电镀，提高电镀精度，提高产品质量，避免材料浪费，降低生产成本。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.引线框架的电镀方法，其特征在于，包括以下步骤:
电镀前表面处理：将引线框架基材放入电解液中去除油污，将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理；
电镀处理：对活化处理完的引线框架的表面全浸预镀铜，然后再全浸镀铜，对已镀铜的引线框架的功能区选择浸镀镍，为镀银打基础，对已镀镍的引线框架的表面全浸预镀铜，之后再将引线框架的表面全浸预镀银，对已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀银，对已镀银的引线框架的功能区局部镀银；
电镀后处理：对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银，对完成电解脱银的引线框架进行铜保护。
2.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在对活化处理完的引线框架的表面全浸预镀铜，然后再全浸镀铜步骤中，先将已活化处理完的引线框架在室温下放入氰化铜溶液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子20～40g/L，含氰化钠30～40g/L，该氰化铜溶液的电流密度为4～8安培/平方分米，在引线框架的表面全浸预镀一层薄铜层；再对已预镀铜的引线框架放入氰化铜溶液中电沉积60～120秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子50～70g/L，含氰化钠20～40g/L，该氰化铜溶液的温度为55～65℃，电流密度为4～8安培/平方分米，在引线框架的表面全浸镀一层厚铜层。
3.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在对已镀铜的引线框架的功能区选择浸镀镍步骤中，将已镀铜的引线框架放入氨基磺酸鎳镀液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氨基磺酸镍镀液含鎳离子70～110g/L，含氯化镍10～30g/L，含硼酸30～50g/L，该氨基磺酸镍镀液的温度为55～65℃，pH值为3.8～4.4，电流密度为5～20安培/平方分米。
4.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在对已镀镍的引线框架的表面全浸预镀铜步骤中，将已镀镍的引线框架在室温下放入氰化铜溶液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化铜溶液含铜离子20～40g/L，含氰化钠30～40g/L，该氰化铜溶液的电流密度为4～8安培/平方分米。
5.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在将引线框架的表面全浸预镀银步骤中，将引线框架在室温下放入氰化镀银液中电沉积5～10秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子5～10g/L，含氰化钾120g/L，该氰化镀银液的pH值为12～14，电流密度为1.5～5安培/平方分米。
6.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在对已预镀银的引线框架的功能区选择浸镀银步骤中，将已预镀银的引线框架放入氰化镀银液中电沉积10～20秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子60～80g/L，含该氰化镀银液的温度为50～70℃，电流密度为60～80安培/平方分米。
7.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在对已镀银的引线框架的功能区局部镀银步骤中，将已镀银的引线框架放入氰化镀银液中电沉积4～6秒，然后用去离子水清洗吹干，该氰化镀银液含银离子60～80g/L，该氰化镀银液的温度为50～70℃，电流密度为80～120安培/平方分米。
8.根据权利要求1所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在对完成电镀处理的引线框架的非功能区电解脱银步骤中，将完成电镀处理的引线框架在室温下放入脱银液中电脱银20～40秒，然后用去离子水清洗吹干，该脱银液含脱银粉80～100g/L，该脱银液的电流密度为2～6安培/平方分米。
9.根据权利要求1至8任一项所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在将引线框架基材放入电解液中去除油污步骤中，将引线框架基材放入电解液中电解20～40秒，然后用自来水清洗吹干，该电解液含除油粉90～110g/L，该电解液溶液的温度为50～70℃，电流密度为5～20安培/平方分米。
10.根据权利要求1至8任一项所述的引线框架的电镀方法，其特征在于，在将去除油污的引线框架放入活化溶液中进行活化处理步骤中，将引线框架在室温下放入酸盐溶液中浸泡10～20秒，然后用自来水清洗吹干，该酸盐溶液含开缸盐75～95g/L。
CN201610498450.7A 2016-06-27 2016-06-27 引线框架的电镀方法 Active CN106119915B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610498450.7A CN106119915B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 引线框架的电镀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610498450.7A CN106119915B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 引线框架的电镀方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106119915A CN106119915A (zh) 2016-11-16
CN106119915B true CN106119915B (zh) 2019-01-08

Family

ID=57286080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610498450.7A Active CN106119915B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 引线框架的电镀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106119915B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106757229B (zh) * 2016-12-02 2019-04-02 武汉船用机械有限责任公司 一种电镀方法
CN107119295A (zh) * 2017-03-08 2017-09-01 安徽国晶微电子有限公司 一种集成电路引线框架电镀工艺
CN108642538A (zh) * 2018-05-24 2018-10-12 中山品高电子材料有限公司 大功率led支架的电镀工艺
CN109161944A (zh) * 2018-08-02 2019-01-08 深圳市源磊科技有限公司 一种led支架电镀方法和led支架
CN109473513A (zh) * 2018-10-20 2019-03-15 木林森股份有限公司 Led支架及led封装结构及led支架中铝材框架的表面处理方法
CN109468670B (zh) * 2018-11-16 2021-03-26 中山品高电子材料有限公司 引线框架电镀铜层的方法
CN110528036B (zh) * 2019-08-29 2020-12-15 深圳市崇辉表面技术开发有限公司 一种led支架电镀方法和led支架
CN111826695A (zh) * 2020-08-04 2020-10-27 天水华洋电子科技股份有限公司 一种led引线框架电镀工艺
CN112323105A (zh) * 2020-11-13 2021-02-05 中山品高电子材料有限公司 一种防止镀层剥离的电镀工艺
CN112376095A (zh) * 2020-11-13 2021-02-19 中山品高电子材料有限公司 一种防止高温融锡的电镀工艺
CN113089041A (zh) * 2021-04-20 2021-07-09 中国电子科技集团公司第九研究所 一种提高中心导体性能稳定性的方法
CN113285003B (zh) * 2021-04-30 2023-07-25 深圳市得润光学有限公司 一种制造led支架的方法以及led支架
CN115747907B (zh) * 2022-12-13 2023-11-07 江门市鼎翔电子科技有限公司 一种光耦引线框的多功能复合电镀层及制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101314832B (zh) * 2008-07-15 2010-08-04 科威（肇庆）半导体有限公司 铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法
KR20100103015A (ko) * 2009-03-12 2010-09-27 엘지이노텍 주식회사 리드 프레임 및 그 제조방법
CN102817055B (zh) * 2012-08-15 2015-03-25 中山品高电子材料有限公司 引线框超薄镀钯镀金工艺
CN102817056B (zh) * 2012-08-15 2015-03-25 中山品高电子材料有限公司 一种引线框架钯镍合金镀层的电镀工艺
CN103928302B (zh) * 2014-04-28 2016-08-24 四川金湾电子有限责任公司 一种半导体引线框架制造工艺

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
一种连续高速选择镀银工艺;张华伟等;《电镀与涂饰》;20090315;第28卷(第3期);第14页右栏第3段、第15页左栏第3段至第16页右栏第2段

Also Published As

Publication number Publication date
CN106119915A (zh) 2016-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106119915B (zh) 引线框架的电镀方法
CN1246504C (zh) 在工件上电镀金属的装置和方法
US9680246B2 (en) Method for manufacturing plated laminate, and plated laminate
JP6046406B2 (ja) 高温耐性銀コート基体
CN106400070A (zh) 一种铁基材引线框架局部镀银的电镀方法
CN103261479A (zh) 纳米层压黄铜合金的材料及其电化学沉积方法
CN102817056A (zh) 一种引线框架钯镍合金镀层的电镀工艺
CN103343367A (zh) 镀镍钢带及其制备方法
CN101864584A (zh) 滚镀用电镀液及电池钢壳滚镀方法
JPH08250865A (ja) 電子ハウジングの製作に利用するシート上での金属ウイスカの形成を防止することにより電子ハウジングの信頼性をより高くする方法
CN106591897B (zh) 一种无氰离子液体镀铜溶液及镀铜工艺
CN102817055A (zh) 引线框超薄镀钯镀金工艺
CN102108533A (zh) 一种无氰电镀铜-锡合金层为表层的用于造币的多层电镀工艺
CN205406569U (zh) 一种提高抗腐蚀性能的电池钢壳
CN110552030B (zh) 一种铜铝电接触件及其制备方法
TWI449810B (zh) Electrical and electronic components for the use of composite materials and electrical and electronic components
CN108642538A (zh) 大功率led支架的电镀工艺
CN106535513B (zh) 电子产品壳体及其制造方法
KR20020004284A (ko) 동복알루미늄선의 제조 방법
CN105937044B (zh) 镀覆方法
JP2007254866A (ja) アルミニウムまたはアルミニウム合金素材のめっき前処理方法
CN105369327B (zh) 一种导电金刚石复合电极的制备方法
CN104195612A (zh) 一种镀银铜包钢线的无氰化生产工艺
JP7162341B2 (ja) めっき積層体の製造方法及びめっき積層体
CN112376095A (zh) 一种防止高温融锡的电镀工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant