JPH11131270A - めっき表面洗浄方法 - Google Patents

めっき表面洗浄方法

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JPH11131270A
JPH11131270A JP30010297A JP30010297A JPH11131270A JP H11131270 A JPH11131270 A JP H11131270A JP 30010297 A JP30010297 A JP 30010297A JP 30010297 A JP30010297 A JP 30010297A JP H11131270 A JPH11131270 A JP H11131270A
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JP
Japan
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water
plating
cleaning
hoop
reducing
Prior art date
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Pending
Application number
JP30010297A
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English (en)
Inventor
Masakazu Narasaki
雅和 楢崎
Hideji Ito
秀治 伊藤
Shuzo Taguchi
修三 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11131270A publication Critical patent/JPH11131270A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の課題は、表面上に残留している汚染物
質を効果的に且つ安価に洗浄でき、しかも酸化物の発生
を完全に抑止でき、それによりフープ状銅合金条製品を
打ち抜いて得られるリードフレームの半田濡れ性及び半
田付け性を改善できるめっき表面洗浄方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】本発明は、長尺のフープ状金属条の表面上
にストライプめっきした後、該フープ状金属条めっき表
面を洗浄水で洗浄するめっき表面洗浄方法において、そ
の洗浄水として還元性水を使用することを特徴とするめ
っき表面洗浄方法にある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はめっき表面の洗浄方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般にトランジスタの製造では、まずリ
ードフレームに半導体チップを搭載し、次にその搭載し
た半導体チップとリードフレームとをワイヤボンディン
グにより配線し、最後にこれらを一括して封止用エポキ
シ樹脂等でモールドすることにより製造されている。
【0003】また、このように製造されたトランジスタ
はプリント基板に実装される電子部品として使用され
る。
【0004】ここにおいてリードフレームの製造方法に
は打ち抜き製造方法とエッチング製造方法とがあるが、
工業的に広く採用されている方法は打ち抜き製造方法で
ある。
【0005】このリードフレームの打ち抜き製造方法
は、まず長尺のフープ状金属条を連続的にめっき装置内
に送り込んでNi、P−Ni、Ag等のストライプメッ
キを施し、次にこれらのめっき表面を洗浄、乾燥し、最
後にその洗浄、乾燥したストライプメッキフープ状金属
条を連続的に打抜装置に送り込んで所定形状に打ち抜く
ことにより製造されている。
【0006】さて、半導体チップの搭載作業やプリント
基板へのトランジスタの組み付け作業ではリードフレー
ムのめっき表面の半田濡れ性と半田付け性の良否がこれ
らの生産性、品質に大きく影響することが知られてい
る。そしてリードフレームのめっき表面の半田濡れ性、
半田付け性はリードフレーム表面に残留している汚染物
質の付着状況、酸化物の生成状況等により大きく左右さ
れることも知られている。
【0007】このような訳でリードフレームのストライ
プめっき工程ではその表面上に汚染物質の残留や酸化物
の生成等が起こらないように洗浄、乾燥を丁寧に行うよ
うにしている。
【0008】このため従来の洗浄方法では次の3点を重
点にした洗浄を行っている。
【0009】 不純物が極めて少ないイオン交換した
純水、超純水等による洗浄 上記の洗浄水の多量使用による洗浄 複数の洗浄タンク槽を順次通過させることによる複
数回洗浄
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の洗浄
方法では表面上に残留している汚染物質等の洗浄には有
効であるが、次のような難点がある。
【0011】 不純物が極めて少ないイオン交換した
純水、超純水等は高価であることから、ストライプめっ
き加工費をかなり押し上げる難点がある。
【0012】 複数の洗浄タンク槽を通過させるので
めっき装置費が高くなり、その結果ストライプめっき加
工費をかなり押し上げる難点がある。
【0013】 洗浄工程が長くなるため生産性、歩留
の低下を招き、その結果ストライプめっき加工費をかな
り押し上げる難点がある。
【0014】 不純物が少ないイオン交換した純水、
超純水等の洗浄だけでは、リードフレームのめっき表面
上への酸化物発生の抑止効果が少なく、その結果リード
フレーム表面の半田の濡れ性と半田付け性とを改善効果
が少ない。
【0015】本発明はかかる点に立って為されたもので
あって、その目的とするところは前記した従来技術の欠
点を解消し、表面上に残留している汚染物質を効果的に
且つ安価に洗浄でき、しかも酸化物の発生を完全に抑止
でき、それによりフープ状銅合金条製品を打ち抜いて得
られるリードフレームの半田濡れ性及び半田付け性を改
善できるめっき表面洗浄方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、長尺のフープ状金属条の表面上にストライプめっ
きした後、該フープ状金属条のめっき表面を洗浄水で洗
浄するめっき表面洗浄方法において、その洗浄水として
還元性の水を使用することを特徴とするめっき表面洗浄
方法にある。
【0017】本発明において還元性の水としては、工業
用水若しくはイオン交換水を電解還元して得られる還元
性の水であることが好ましい。
【0018】また本発明において還元性の水としては、
その酸化還元電位がマイナスであることが好ましい。
【0019】本発明において工業用水若しくはイオン交
換水の電解還元は直流電解でも交流電解でもよい。ま
た、交流電解では商用周波数交流電解でも高周波交流電
解でもよい。
【0020】
【発明の実施の形態】次に、本発明のめっき表面洗浄方
法の実施例を比較例と共に説明する。
【0021】(比較例1)図2は比較例1のめっき表面
洗浄方法を示した工程図である。
【0022】即ち、比較例1のめっき表面洗浄方法は次
のように行った。
【0023】1.まず、厚さ0.5mm、幅49.2mmの
長尺フープ状銅合金条を電解脱脂装置に送り込んで脱脂
した。
【0024】2.次に、電解脱脂液を回収する回収水洗
し、それから乾燥した。
【0025】3.次に、酸洗いした。
【0026】4.次に、Niめっき装置を通過させるこ
とによりその全面上に厚さ1.5μmのNiめっきを施
した。
【0027】5.次に、Niめっき液を回収する回収水
洗し、それから乾燥した。
【0028】6.次に、Niめっき上にAgストライプ
めっきする部分以外の部分にマスキングテープを貼り付
けた。
【0029】7.次に、シアン化カリウム水溶液で洗浄
し、それから乾燥した。
【0030】8.次に、Niめっき上のAgストライプ
めっきする部分にAg下地めっきを施した。
【0031】9.次に、Agストライプめっきした。
【0032】10.次に、次に、Agめっき液を回収す
る回収水洗し、それから乾燥した。
【0033】11.次に、マスキングテープを剥がし取
った。
【0034】12.次に、イオン交換水で洗浄し、それ
から100℃の熱風で乾燥した。
【0035】なお、ここで使用したイオン交換水は電気
伝導度2.0μs、酸化還元電位が150mvである。
【0036】13.最後に、Agストライプめっきフー
プ状銅合金条製品を巻き取った。
【0037】(比較例2)洗浄水としてイオン交換水の
代りに工業用水を用いた以外は比較例1と同様にしてA
gストライプめっきフープ状銅合金条製品を得た。
【0038】ここにおいて工業用水は電気伝導度300
μs、酸化還元電位が250mvである。
【0039】(実施例1)図1は実施例1のめっき表面
洗浄方法を示した工程図である。即ち実施例1は洗浄水
としてイオン交換水の代りに電解還元したイオン交換水
を用いた以外は比較例1と同様にしてAgストライプめ
っきフープ状銅合金条製品を得た。
【0040】ここにおいて電解還元したイオン交換水は
酸化還元電位が−60mvである。 (実施例2)洗浄水としてイオン交換水の代りに電解還
元した工業用水を用いた以外は比較例1と同様にしてA
gストライプめっきフープ状銅合金条製品を得た。
【0041】ここにおいて電解還元した工業用水は酸化
還元電位が−150mvである。
【0042】(特性試験)次に、比較例1、比較例2、
実施例1、実施例2でそれぞれ得られたAgストライプ
めっきフープ状銅合金条製品について、半田濡れ性試験
及び半田付け性試験とを行った。
【0043】表1はこれらの試験結果を示したものであ
る。
【0044】
【表1】
【0045】表1から分かるように比較例1で得られた
Agストライプめっきフープ状銅合金条製品は、半田濡
れ性及び半田付け性が共に若干悪い。
【0046】また、比較例2で得られたAgストライプ
めっきフープ状銅合金条製品は、半田濡れ性及び半田付
け性が共にかなり悪い。
【0047】これらに対して本発明の実施例1、実施例
2で得られたAgストライプめっきフープ状銅合金条製
品は、半田濡れ性及び半田付け性が共に良好であった。
【0048】なお、データとしては示してないが本発明
の実施例1、実施例2で得られたAgストライプめっき
フープ状銅合金条製品は、半田濡れ性及び半田付け性が
良好なことから、半導体チップの搭載作業及びプリント
基板へのトランジスタの組み付け作業性に優れ、その接
続の信頼性を顕著に向上することができた。
【0049】
【発明の効果】本発明のめっき表面洗浄方法によれば、
安価な洗浄方法によりAgストライプめっきフープ状銅
合金条製品のめっき表面の酸化物の発生を効果的に抑止
でき、それにより例えば製品としてのリードフレームの
半田濡れ性及び半田付け性を改善できるものであり、工
業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1のめっき表面洗浄方法を示し
た工程図である。
【図2】従来の比較例1のめっき表面洗浄方法を示した
工程図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】長尺のフープ状金属条の表面上にストライ
    プめっきした後、該フープ状金属条のめっき表面を洗浄
    水で洗浄するめっき表面洗浄方法において、前記洗浄水
    として還元性の水を使用することを特徴とするめっき表
    面洗浄方法。
  2. 【請求項2】還元性の水が、工業用水若しくはイオン交
    換水を電解還元して得られる還元性の水であることを特
    徴とする請求項1記載のめっき表面洗浄方法。
  3. 【請求項3】還元性の水が、マイナスの酸化還元電位を
    有するものであることを特徴とする請求項1記載のめっ
    き表面洗浄方法。
JP30010297A 1997-10-31 1997-10-31 めっき表面洗浄方法 Pending JPH11131270A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101211460B1 (ko) 2012-08-24 2012-12-12 김영태 판재형 도금물품 수납 세척장치
CN106025481A (zh) * 2016-06-15 2016-10-12 湖北匡通电子股份有限公司 一种光电耦合器引线框架局部镀银工艺

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