CN103928302A - 一种半导体引线框架制造工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体引线框架制造工艺，包括冲压、表面处理和切断成型，其特征在于：所述表面处理的具体工艺步骤为：电解除油、水洗、酸活化、水洗、镀镍、水洗、镀碱铜、水洗、镀酸铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、退银、水洗、镀保护液、水洗和烘干。本发明制造出来的半导体引线框架镀层附着力强，不易掉落，同时半导体引线框架不会变形，出现尺寸超差，质量好，使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体引线框架制造工艺，尤其是利用模具冲压法制造半导体引线框架的制造工艺。
背景技术
半导引线框架是指用于连接半导体集成块内部芯片的接触点和外部导线的薄板金属框架，它的生产原料主要是铜卷。常规的半导体引线框架主要有两种制作工艺，一种蚀刻法，一种是模具冲压法。蚀刻法是用化学物质蚀刻掉材料的一部分而制成产品，多适用于小规模生产；模具冲压法，是通过模具的冲压力冲压间歇传送的薄板材料而制成，多适用于大规模生产。模具冲压法一般有以下工艺步骤：冲压、表面处理、切断成型和检片包装，冲压就是铜薄板在模具的冲压下冲压成引线框架；表面处理是将成型的引线框架进行镀银镀铜等工艺；切断成型是将连接在一起的引线框架切断成单个引线框架，并对这些引线框架进行校平；检片包装就是对各个成型完毕的引线框架进行检验，去掉残次品，将合格的产品进行打包存放。
公开号为CN101314832，公开日为2008年12月3日的中国发明专利申请公开了一种铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法，包括如下步骤：提供由铁合金材料制成的板体；将板体加工为半导体引线框架；对半导体引线框架的表面进行铜电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镍电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镀铜处理本发明解决了半导体引线框架容易弯曲变形的问题，减少贵重金属的使用量制备的半导体引线框架具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。但是该发明提供的生产工艺在对半导体引线框架进行表面处理时，在镀镍、镀铜和镀银时，处理工艺比较简单，镀上的铜、镍和银由于杂质的存在，附着力较差，使用时可能出现镀层掉落，制造出来的半导体引线框架质量不是很好，使用寿命不长。
公开号为CN102392280A，公开日为2012年3月28日的中国发明专利申请公开了一种半导体引线框架电镀全自动生产线，包括自动上料机构、传输机构、前处理部分、电镀槽、后处理部分和自动下料机构，自动上、下料机构主要是依靠气动驱动的，前处理部分的各个处理槽、电镀槽和后处理部分的各个处理槽的槽壁互相接靠着并列排布，传输机构是链式传输机构。在用该发明提供的生产线对引线框架进行电镀时，同样由于在电镀时对引线框的表面处理不够彻底，存在一些杂质，导致镀层附着力较差，使用时可能出现镀层掉落，制造出来的半导体引线框架质量较差，使用寿命不长。该生产线对贵重金属的使用量较大，生产成本高，而且由于排出的废水中重金属的含量高，排出后对周围环境污染较大。该生产在电镀时需要大量的水，对水的消耗量大。
发明内容
为了克服上述贵重金属使用量大，制造出来的引线框架质量较差的缺陷，本发明提供了一种半导体引线框架制造工艺，制造出来的引线框架质量好，使用寿命长。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种半导体引线框架制造工艺，包括冲压、表面处理和切断成型，其特征在于：所述表面处理的具体工艺步骤为：电解除油、水洗、酸活化、水洗、镀镍、水洗、镀碱铜、水洗、镀酸铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、退银、水洗、镀保护液、水洗和烘干。
电解除油步骤与酸活化步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至电解除油步骤；
酸活化步骤与镀镍步骤之间的水洗步骤为四级水洗，前两级水洗回流至酸活化步骤；
镀镍步骤与镀碱铜步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀镍步骤；
镀碱铜步骤与镀酸铜之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀碱铜步骤；
镀酸铜步骤与预镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀酸铜步骤；
预镀银步骤与镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至预镀银步骤；
镀银步骤与退银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，三级水洗回流至镀银步骤；
退银步骤与镀保护液步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至退银步骤；
镀保护液步骤与烘干步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀保护液步骤。
电解除油步骤加入的物质有碱性除油粉，酸活化步骤加入的物质有酸性活化剂，镀镍步骤加入的物质有镍板和氨基磺酸镍，镀碱铜步骤加入的物质有铜板和氰化亚铜，镀酸铜步骤加入的物质有铜板和硫酸亚铜，预镀银步骤加入的物质有银板和氰化钾，镀银步骤加入的物质有氰化钾和氰化银，退银步骤加入的物质有退银剂，镀保护液步骤中的保护液为银和铜的保护液。
本发明表面处理工艺步骤在表面处理床上完成的，该表面处理床包括三层床体，最上面一层从左到右依次为电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区和三级水洗区中间一层从右到左依次为镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区和三级水洗区，最下面一层从左到右依次为镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区。
在电解除油区和酸活化区之间的三级水洗区出安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到电解除油区中；
在酸活化区与镀镍区之间的四级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到酸活化区中；
在镀镍区与镀碱铜区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀镍区中；
在镀碱铜区与镀酸铜区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀碱铜区中；
在镀酸铜区与预镀银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀酸铜区中；
在预镀银区与镀银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到预镀银区中；
在镀银区与退银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将三级的水洗液抽入到镀银区中；
在退银区与镀保护液区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到退银区中；
在镀保护液区与烘干区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀保护液区中。
所述冲压是将铜带送入到装有成型模具的冲床上进行冲压成型，成型为连在一起的半导体引线框架。
所述切断成型是将连在一起的半导体引线框架通过放料器送入到装有切断成型模具的冲床上，在冲床的作用下将连在一起的半导体引线框架切割成型为单个的半导体引线框架，然后在校平器的作用下，对单个的半导体引线框架进行校平处理。
所述切断成型模具包括上模、下模、切断凸模和成型凸模，上模包括固定垫板和固定板，固定垫板位于固定板上方，下模包括卸料垫板和卸料板，卸料垫板位于卸料板上方，其特征在于：还包括上滑块、下滑块、左推块、右推块和复位机构，所述成型凸模尾部安装在固定板上，成型凸模的头部穿过卸料垫板和卸料板，成型凸模上设置有纵向槽，切断凸模设置在纵向槽内，且能在纵向槽内上下运动，切断凸模头部凸出于成型凸模的头部安装，下滑块设置在纵向槽内，上滑块设置在固定垫板内，所述上滑块和下滑块相接触，且在接触处设置有相互匹配的凹槽和凸起，所述左推块和右推块通过卸料垫板固定在卸料板上，左推块与右推块均穿过固定板和固定垫板，且能在固定板和固定垫板内上下运动，左推块和右推块与上滑块相接触，且能推动上滑块在固定垫板内左右运动，复位机构设置在纵向槽内，且能让切断凸模尾部紧贴在下滑块上。
所述复位机构为复位弹簧或者复位弹片，复位机构的一端抵在成型凸模的纵向槽内，另一端抵在切断凸模上。
还包括成型凸模压块，成型凸模压块通过螺钉固定在固定板上，成型凸模压块将成型凸模限位在固定板上。
还包括切断凸模压块，切断凸模压块通过锁紧螺钉固定在成型凸模上，切断凸模压块将切断凸模限位在成型凸模的纵向槽内。
所述切断凸模设置有供锁紧螺钉穿过的螺钉孔和供切断凸模压块安装的安装槽，螺钉孔的直径大于锁定螺钉的直径，安装槽的槽口面积大于切断凸模压块的面积。
所述右推块为“T”字形推块，包括头部、颈部、身部和尾部，所述头部宽度小于颈部宽度，颈部宽度小于身部宽度，身部宽度小于尾部宽度，尾部与身部相垂直，颈部与身部相接处设有一斜面，斜面与身部中心线的夹角在30°到55°之间，所述左推块包括“T”字形推块本体，该“T”字形推块本体上设置有梯形槽口。
切断成型模具在工作时的动作关系为：
当半导体引线框架进入该模具时，固定垫板和固定板向下运动，成型凸模和切断凸模随之而向下运动，由于切断凸模凸出于成型凸模，切断凸模与半导体引线框架接触，在固定垫板和固定板向下运动时，固定垫板和固定板相对于左推块和右推块也向下运动，此时右推块就会推动上滑块在固定垫板内向左运动，当切断凸模完成切断动作后，在复位弹簧的作用下，上下滑块的凸起和凹槽正好互相嵌入，此时下滑块向上运动一定位移，切断凸模也向上运动相同位移，切断凸模不再凸出于成型凸模，成型凸模工作时，切断凸模不与半导体引线框架相接触。成型后，固定板和固定垫板向上运动，左推块将上滑块向右推动，上滑块与下滑块的凸起和凹槽分离，上滑块将下滑块向下推动，下滑块把切断凸模向下推动一定位移使得切断凸模凸出于成型凸模完成复位动作。如此循环下去即可完成在一个模具上完成切断和成型两个工序。
本发明具有以下优点：
1、本发明的主要改进点在于表面处理工序的改进，该发明提供的表面处理工序的具体工艺步骤为电解除油、水洗、酸活化、水洗、镀镍、水洗、镀碱铜、水洗、镀酸铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、退银、水洗、镀保护液、水洗和烘干。经过成型的半导体引线框架表面存在着较多的油质和灰尘，经过电解除油，除去其表面的油质和灰尘，然后经过水洗的作用洗掉除油物质和没有除净的灰尘，便于活化工序的正常进行，保证引线框活化效果。在对半导体引线框架进行镀镍、镀碱铜、镀酸铜、预镀银、镀银、退银、镀保护液时，在这些工艺步骤前后均设置了水洗步骤，保证各个工艺取得良好的效果，这样制造出来的引线框架质量更高，每个工艺步骤安排合理，经过多次水洗，在进行上述每一个工艺步骤时，没有杂质的存在，镀层附着力强，不会掉落，长期使用不会影响引线框架的使用效果，从而延长了引线框架的使用寿命。本发明在对半导体引线框架进行电解除油和酸活化后才对半导体引线框架依次进行镀镍、镀碱铜、镀酸铜、预镀银、镀银、退银和镀保护液，工艺步骤安排合理，镀层有序，附着力强，不易掉落，这样的镀层安排对半导体引线框架保护力度强，质量好，使用寿命长。
2、本发明电解除油步骤与酸活化步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至电解除油步骤；酸活化步骤与镀镍步骤之间的水洗步骤为四级水洗，前两级水洗回流至酸活化步骤；镀镍步骤与镀碱铜步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀镍步骤；镀碱铜步骤与镀酸铜之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀碱铜步骤；镀酸铜步骤与预镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀酸铜步骤；预镀银步骤与镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至预镀银步骤；镀银步骤与退银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，三级水洗回流至镀银步骤；退银步骤与镀保护液步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至退银步骤；镀保护液步骤与烘干步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀保护液步骤。所有的水洗步骤都进行了回流，将原料再次重复使用，经过重复使用后，排放出来的废水中的各种原料的含量大大降低，重金属的含量也大大降低，减少了镍、铜和银等贵重金属的使用量，节约了成本，同时排出的废水对周围的环境污染也会减小。
3、本发明表面处理床包括三层床体，最上面一层从左到右依次为电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区和三级水洗区中间一层从右到左依次为镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区和三级水洗区，最下面一层从左到右依次为镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区。本发明由于设置了三层结构的床体，引线框架在进行表面处理时从最上面一层进入，从最下面一层引出，这样相对于现有的一层床体的结构，大大节约了表面处理床的长度，减少了其占地面积，这样就能减少使用的厂房面积，降低了企业投入的成本。半导体引线框架在电解除油区完成电解除油工序，然后进入三级水洗区进行水洗，洗去半导体引线框架表面的除油粉和各种杂质，水洗后进入酸活化区进行酸活化处理，然后进入四级水洗区水洗，洗去表面的酸洗活化剂，进入镀镍区进行镀镍工序，镀完镍后，进入三级水洗区进行水洗，洗去表面没有附着上的镍，然后进入镀碱铜区进行镀碱铜工序，进入三级水洗区水洗后进入镀酸铜区镀酸铜，水洗后进入预镀银区预镀银，再水洗进入镀银区镀银，水洗区水洗进入退银区退银，水洗后进入镀保护液区镀保护液，水洗后烘干即完成表面处理工序。整个结构安排合理，准确的完成表面处理的各个工艺步骤。
4、本发明在电解除油区和酸活化区之间的三级水洗区出安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到电解除油区中；在酸活化区与镀镍区之间的四级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到酸活化区中；在镀镍区与镀碱铜区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀镍区中；在镀碱铜区与镀酸铜区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀碱铜区中；在镀酸铜区与预镀银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀酸铜区中；在预镀银区与镀银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到预镀银区中；在镀银区与退银区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将三级的水洗液抽入到镀银区中；在退银区与镀保护液区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到退银区中；在镀保护液区与烘干区之间的三级水洗区处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀保护液区中。通过各个水泵的作用重新回收再利用各种原料物质，同时还减少了水的使用量，以及废水中各种原料物质的量，减小废水排放后对周围环境的污染。
5、本发明包括上模、下模、切断凸模和成型凸模，上模包括固定垫板和固定板，固定垫板位于固定板上方，下模包括卸料垫板和卸料板，卸料垫板位于卸料板上方，其特征在于：还包括上滑块、下滑块、左推块、右推块和复位机构，所述成型凸模尾部安装在固定板上，成型凸模的头部穿过卸料垫板和卸料板，成型凸模上设置有纵向槽，切断凸模设置在纵向槽内，且能在纵向槽内上下运动，切断凸模头部凸出于成型凸模的头部安装，下滑块设置在纵向槽内，上滑块设置在固定垫板内，所述上滑块和下滑块相接触，且在接触处设置有相互匹配的凹槽和凸起，所述左推块和右推块通过卸料垫板固定在卸料板上，左推块与右推块均穿过固定板和固定垫板，且能在固定板和固定垫板内上下运动，左推块和右推块与上滑块相接触，且能推动上滑块在固定垫板内左右运动，复位机构设置在纵向槽内，且能让切断凸模尾部紧贴在下滑块上。当半导体引线框架进入该模具时，固定垫板和固定板向下运动，成型凸模和切断凸模随之而向下运动，由于切断凸模凸出于成型凸模，切断凸模与半导体引线框架接触，在固定垫板和固定板向下运动时，固定垫板和固定板相对于左推块和右推块也向下运动，此时右推块就会推动上滑块在固定垫板内向左运动，当切断凸模完成切断动作后，在复位弹簧的作用下，上下滑块的凸起和凹槽正好互相嵌入，此时下滑块向上运动一定位移，切断凸模也向上运动相同位移，切断凸模不再凸出于成型凸模，成型凸模工作时，切断凸模不与半导体引线框架相接触，这样就不会因为切断凸模高出成型凸模而把半导体引线框架条带压变形。成型后，固定板和固定垫板向上运动，左推块将上滑块向右推动，上滑块与下滑块的凸起和凹槽分离，上滑块将下滑块向下推动，下滑块把切断凸模向下推动一定位移使得切断凸模凸出于成型凸模完成复位动作。如此循环下去即可完成在一个模具上完成切断和成型两个工序。本发明提供的成型切断模具安装在冲床上，可以在一个冲床上完成切断和成型两个工艺，两个工序的合并大大缩小了模具的尺寸，两个工序合并后减少了工序，降低了工序上的管理成本，同时还能提高模具的加工与装配的精度。一个模具完成两个工序，相互不会干涉，切断凸模也不会拉扯半导体引线框架，不会产生拉扯应力，半导体引线框架不会由于两个工序的合并而引起变形，影响引线框架的质量。
6、本发明复位机构为复位弹簧或者复位弹片，复位机构的一端抵在成型凸模的纵向槽内，另一端抵在切断凸模上。通过复位弹簧或者复位弹片的作用，使得切断凸模始终紧紧的贴在下滑块上，当下滑块上移时，由于复位弹簧或者复位弹片的作用，切断凸模也会向上移动，使得切断凸模与成型凸模平齐，这样成型凸模工作时，切断凸模不会拉扯半导体引线框架，不会产生变形和超差。使用复位弹簧或者复位弹片作复位件，便于安装。
7、本发明的成型凸模压块通过螺钉固定在固定板上，成型凸模压块将成型凸模限位在固定板上。通过成型凸模压块将成型凸模限位在固定板上，避免成型凸模从固定板上掉落，利于成型凸模工作的稳定性。
8、本发明的切断凸模压块，通过锁紧螺钉固定在成型凸模上，切断凸模压块将切断凸模限位在成型凸模的纵向槽内。通过切断凸模压块将切断凸模限位在成型凸模的纵向槽内防止切断凸模从成型凸模的纵向槽内掉落，利于切断凸模工作的稳定性。
9、本发明切断凸模设置有供锁紧螺钉穿过的螺钉孔和供切断凸模压块安装的安装槽，螺钉孔的直径大于锁定螺钉的直径，安装槽的槽口面积大于切断凸模压块的面积。通过这样的设置能有效的将切断凸模限位在纵向槽内，同时还能让切断凸模在纵向槽内纵向滑动。
10、本发明右推块为“T”字形推块，包括头部、颈部、身部和尾部，所述头部宽度小于颈部宽度，颈部宽度小于身部宽度，身部宽度小于尾部宽度，尾部与身部相垂直，颈部与身部相接处设有一斜面，斜面与身部中心线的夹角在30°到55°之间，所述左推块包括“T”字形推块本体，该“T”字形推块本体上设置有梯形槽口。左右推块的这种结构保证能够推动上滑块在跟随固定板和固定垫板上下移动的时候左右移动，实现切断凸模的能完成凸出成型凸模和平齐成型凸模的动作。
附图说明
图1为本发明表面处理工艺流程图；
图2为表面处理床的结构示意图；
图3为本发明在切断半导体引线框架时的结构剖面图；
图4为本发明在成型半导体引线框架时的结构剖面图；
图5为切断凸模与成型凸模的装配示意图；
图6为图5中A处的放大图；
图7为图5的俯视图；
图8为图5的侧视图；
图9为左推块结构示意图；
图10为右推块结构示意图。
图中标记 1、电解除油区，2、三级水洗区,3、酸活化区,4、四级水洗区，5、镀镍区，6、镀碱铜，7、镀酸铜区，8、预镀银区，9、镀银区，10、退银区，11、镀保护液区，12、烘干区，13、半导体引线框架，14、固定垫板，15、固定板16、卸料垫板，17、卸料板，18、右推块，19、左推块，20、上滑块，21、下滑块，22、螺钉，23、成型凸模压块，24、纵向槽，25、切断凸模，26、成型凸模，27、复位弹簧，28、切断凸模压块，29、锁紧螺钉，30、“T”字形推块本体，31、梯形槽口。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供的是半导体引线框架的制造工艺，该制造工艺是对现有模具冲压法制造半导体引线框架的改进工艺，工艺的主要改进点在于表面处理工艺。
如图1所示，本实施例，包括冲压、表面处理和切断成型，表面处理的具体工艺步骤为：电解除油、水洗、酸活化、水洗、镀镍、水洗、镀碱铜、水洗、镀酸铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、退银、水洗、镀保护液、水洗和烘干。
电解除油步骤与酸活化步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至电解除油步骤；
酸活化步骤与镀镍步骤之间的水洗步骤为四级水洗，前两级水洗回流至酸活化步骤；
镀镍步骤与镀碱铜步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀镍步骤；
镀碱铜步骤与镀酸铜之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀碱铜步骤；
镀酸铜步骤与预镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀酸铜步骤；
预镀银步骤与镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至预镀银步骤；
镀银步骤与退银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，三级水洗回流至镀银步骤；
退银步骤与镀保护液步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至退银步骤；
镀保护液步骤与烘干步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀保护液步骤。
电解除油步骤加入的物质有碱性除油粉，酸活化步骤加入的物质有酸性活化剂，镀镍步骤加入的物质有镍板和氨基磺酸镍，镀碱铜步骤加入的物质有铜板和氰化亚铜，镀酸铜步骤加入的物质有铜板和硫酸亚铜，预镀银步骤加入的物质有银板和氰化钾，镀银步骤加入的物质有氰化钾和氰化银，退银步骤加入的物质有退银剂，镀保护液步骤中的保护液为银和铜的保护液。
如图2所示，在本实施例中还提供实施表面处理工序具体工艺步骤的表面处理床，该表面处理床包括三层床体，最上面一层从左到右依次为电解除油区1、三级水洗区2、酸活化区3、四级水洗区4、镀镍区5和三级水洗区2中间一层从右到左依次为镀碱铜区6、三级水洗区2、镀酸铜区7、三级水洗区2、预镀银区8和三级水洗区2，最下面一层从左到右依次为镀银区9、三级水洗区2、退银区10、三级水洗区2、镀保护液区11、三级水洗区2和烘干区12。半导体引线框架13，从床体最上面一层左边引入，进入电解除油区1电解除油、三级水洗区2水洗、酸活化区3活化、四级水洗区4水洗、镀镍区5镀镍、三级水洗区2水洗后从中间一层右边进入镀碱铜区6镀碱铜、三级水洗区2水洗、镀酸铜区7镀酸铜、三级水洗区2水洗、预镀银区8预镀银、三级水洗区2水洗后，从最下面一层的左边进入镀银区9镀银、三级水洗区2水洗、退银区10退银、三级水洗区2水洗、镀保护液区11镀保护液、三级水洗区2水洗、烘干区12烘干。
在电解除油区1和酸活化区3之间的三级水洗区2出安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到电解除油区1中；
在酸活化区3与镀镍区5之间的四级水洗区4处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到酸活化区3中；
在镀镍区5与镀碱铜区6之间的三级水洗区2处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀镍区5中；
在镀碱铜区6与镀酸铜7区之间的三级水洗区2处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀碱铜6区中；
在镀酸铜区7与预镀银区8之间的三级水洗区2处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀酸铜7区中；
在预镀银区8与镀银区9之间的三级水洗区2处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到预镀银区8中；
在镀银区9与退银区10之间的三级水洗区2处安装有水泵，水泵将三级的水洗液抽入到镀银区9中；
在退银区10与镀保护液区11之间的三级水洗区2处安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到退银区10中；
在镀保护液区11与烘干区12之间的三级水洗区处2安装有水泵，水泵将前两级的水洗液抽入到镀保护液区11中。
在本实施例中，其他工序步骤以及使用的设备和现有技术一样，在此不再赘述。
实施例2
如图3到图10所示，本实施例提供的是用于制造半导体引线框架的切断成型模具，该切断成型模具将切断和成型两个工序合二为一，在一个模具上实现这两个工序，同时还不会造成半导体引线框架变形，不会出现半导体引线框架的尺寸超过标准误差即超差的缺陷。
该切断成型模具包括上模、下模、切断凸模25和成型凸26模，上模包括固定垫板14和固定板15，固定垫板14位于固定板15上方，下模包括卸料垫板16和卸料板17，卸料垫板16位于卸料板17上方，其特征在于：还包括上滑块20、下滑块21、左推块19、右推块18和复位机构，所述成型凸模26尾部安装在固定板15上，成型凸模26的头部穿过卸料垫板16和卸料板17，成型凸模26上设置有纵向槽24，切断凸模25设置在纵向槽24内，且能在纵向槽24内上下运动，切断凸模25头部凸出于成型凸模26的头部安装，下滑块21设置在纵向槽24内，上滑块20设置在固定垫板14内，所述上滑块20和下滑块21相接触，且在接触处设置有相互匹配的凹槽和凸起，所述左推块19和右推块18通过卸料垫板16固定在卸料板17上，左推块19与右推块18均穿过固定板15和固定垫板14，且能在固定板15和固定垫板14内上下运动，左推块19和右推块18与上滑块20相接触，且能推动上滑块20在固定垫板14内左右运动，复位机构设置在纵向槽24内，且能让切断凸模25尾部紧贴在下滑块21上。
当半导体引线框架进入该模具时，固定垫板和固定板向下运动，成型凸模和切断凸模随之而向下运动，由于切断凸模凸出于成型凸模，切断凸模与半导体引线框架接触，在固定垫板和固定板向下运动时，固定垫板和固定板相对于左推块和右推块也向下运动，此时右推块就会推动上滑块在固定垫板内向左运动，当切断凸模完成切断动作后，在复位弹簧的作用下，上下滑块的凸起和凹槽正好互相嵌入，此时下滑块向上运动一定位移，切断凸模也向上运动相同位移，切断凸模不再凸出于成型凸模，成型凸模工作时，切断凸模不与半导体引线框架相接触。成型后，固定板和固定垫板向上运动，左推块将上滑块向右推动，上滑块与下滑块的凸起和凹槽分离，上滑块将下滑块向下推动，下滑块把切断凸模向下推动一定位移使得切断凸模凸出于成型凸模完成复位动作。如此循环下去即可完成在一个模具上完成切断和成型两个工序。两个工序的合并大大缩小了模具的尺寸，两个工序合并后减少了工序，降低了工序上的管理成本，同时还能提高模具的加工与装配的精度。一个模具完成两个工序，相互不会干涉，切断凸模也不会拉扯半导体引线框架，不会产生拉扯应力，半导体引线框架不会由于两个工序的合并而引起变形，影响半导体引线框架的质量。
至于复位机构可以选择复位弹簧27或者复位弹片，其安装位置在切断凸模25和成型凸模26上的纵向槽24之间的空隙处，复位弹簧27或者复位弹片的一端抵在切断凸模25上，另一端抵在成型凸模26的纵向槽24内，复位弹簧27或者复位弹片的作用是给切断凸模25一个随时向上的弹力，保证切断凸模25的尾部紧紧的贴在下滑块21上，这样当下滑块21上移时，切断凸模25也能随之上移。
为了限制成型凸模26在固定板16的位置，我们用成型凸模压块23通过螺钉22固定在固定板15上。
为了将切断凸模25限位在成型凸模26的纵向槽24内，我们用切断凸模压块28，通过锁紧螺钉29固定在成型凸模26上，让切断凸模25能够上下移动，却不会从纵向槽24内脱落。
切断凸模25设置有供锁紧螺钉29穿过的螺钉孔B和供切断凸模压块28安装的安装槽C，螺钉孔B的直径大于锁定螺钉29的直径，安装槽C的槽口面积大于切断凸模压块28的面积。通过这样的设置能有效的将切断凸模限位在纵向槽内，同时还能让切断凸模在纵向槽内纵向滑动。
本发明右推块18的具体结构为：形状为“T”字形推块，包括头部13、颈部12、身部11和尾部10，所述头部13宽度小于颈部12宽度，颈部12宽度小于身部11宽度，身部11宽度小于尾部10宽度，尾部10与身部11相垂直，颈部12与身部11相接处设有一斜面，斜面与身部中心线的夹角在30°到55°之间。
本发明左推块19包括“T”字形推块本体30，该“T”字形推块本体30上设置有梯形槽31口。
左右推块的这种结构保证能够推动上滑块在跟随固定板和固定垫板上下移动的时候左右移动，实现切断凸模完成凸出成型凸模和平齐成型凸模的动作。
切断成型工序采用该实施例提供的切断成型模具实施，而其他工序采用的设备和方法与现有技术相同，本实施例不再赘述。
实施例3
本实施中表面处理工序与实施例相同，切断成型模具与实施例2相同，其他都与现有技术相同，在此不再赘述。
Claims (10)
1.一种半导体引线框架制造工艺，包括冲压、表面处理和切断成型，其特征在于：所述表面处理的具体工艺步骤为：电解除油、水洗、酸活化、水洗、镀镍、水洗、镀碱铜、水洗、镀酸铜、水洗、预镀银、水洗、镀银、水洗、退银、水洗、镀保护液、水洗和烘干。
2.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：电解除油步骤与酸活化步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至电解除油步骤；酸活化步骤与镀镍步骤之间的水洗步骤为四级水洗，前两级水洗回流至酸活化步骤；镀镍步骤与镀碱铜步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀镍步骤；镀碱铜步骤与镀酸铜之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀碱铜步骤；镀酸铜步骤与预镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀酸铜步骤；预镀银步骤与镀银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至预镀银步骤；镀银步骤与退银步骤之间的水洗步骤为三级水洗，三级水洗回流至镀银步骤；退银步骤与镀保护液步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至退银步骤；镀保护液步骤与烘干步骤之间的水洗步骤为三级水洗，前两级水洗回流至镀保护液步骤。
3.根据权利要求1或2所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：电解除油步骤加入的物质有碱性除油粉，酸活化步骤加入的物质有酸性活化剂，镀镍步骤加入的物质有镍板和氨基磺酸镍，镀碱铜步骤加入的物质有铜板和氰化亚铜，镀酸铜步骤加入的物质有铜板和硫酸亚铜，预镀银步骤加入的物质有银板和氰化钾，镀银步骤加入的物质有氰化钾和氰化银，退银步骤加入的物质有退银剂，镀保护液步骤中的保护液为银和铜的保护液。
4.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：所述表面处理用到的处理设备为表面处理床，该表面处理床包括三层床体，最上面一层从左到右依次为电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区和三级水洗区中间一层从右到左依次为镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区和三级水洗区，最下面一层从左到右依次为镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区。
5.根据权利要求1或4所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：所述切断成型用到的模具为切断成型模具，该切断模具包括上模、下模、切断凸模和成型凸模，上模包括固定垫板和固定板，固定垫板位于固定板上方，下模包括卸料垫板和卸料板，卸料垫板位于卸料板上方，其特征在于：还包括上滑块、下滑块、左推块、右推块和复位机构，所述成型凸模尾部安装在固定板上，成型凸模的头部穿过卸料垫板和卸料板，成型凸模上设置有纵向槽，切断凸模设置在纵向槽内，且能在纵向槽内上下运动，切断凸模头部凸出于成型凸模的头部安装，下滑块设置在纵向槽内，上滑块设置在固定垫板内，所述上滑块和下滑块相接触，且在接触处设置有相互匹配的凹槽和凸起，所述左推块和右推块通过卸料垫板固定在卸料板上，左推块与右推块均穿过固定板和固定垫板，且能在固定板和固定垫板内上下运动，左推块和右推块与上滑块相接触，且能推动上滑块在固定垫板内左右运动，复位机构设置在纵向槽内，且能让切断凸模尾部紧贴在下滑块上。
6.根据权利要求5所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：所述复位机构为复位弹簧或者复位弹片，复位机构的一端抵在成型凸模的纵向槽内，另一端抵在切断凸模上。
7.根据权利要求5所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：还包括成型凸模压块，成型凸模压块通过螺钉固定在固定板上，成型凸模压块将成型凸模限位在固定板上。
8.根据权利要求5所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：还包括切断凸模压块，切断凸模压块通过锁紧螺钉固定在成型凸模上，切断凸模压块将切断凸模限位在成型凸模的纵向槽内。
9.根据权利要求8所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：所述切断凸模设置有供锁紧螺钉穿过的螺钉孔和供切断凸模压块安装的安装槽，螺钉孔的直径大于锁定螺钉的直径，安装槽的槽口面积大于切断凸模压块的面积。
10.根据权利要求9所述的一种半导体引线框架制造工艺，其特征在于：所述右推块为“T”字形推块，包括头部、颈部、身部和尾部，所述头部宽度小于颈部宽度，颈部宽度小于身部宽度，身部宽度小于尾部宽度，尾部与身部相垂直，颈部与身部相接处设有一斜面，斜面与身部中心线的夹角在30°到55°之间，所述左推块包括“T”字形推块本体，该“T”字形推块本体上设置有梯形槽口。
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