JP2007519261A - 電子部品のスズ表面における半田付け性の保存及びウイスカ成長の阻止 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
電子産業は、その歴史の多くについて、スズ−鉛半田に依存して電子部品間を接続してきた。環境、競争及び市場圧力の下で、この産業は、鉛を含まない代替半田に向けて動いている。純粋なスズは、好ましい代替半田である。これは、単一金属系の単純さ、スズの好ましい物理的特性、及びこの産業で過去も現在も使用されている好評な半田の信頼性の高い部品としてのその立証された歴史によるものである。スズウイスカの成長は、良く知られているが、純粋なスズ被覆に関して良く理解されていない問題である。スズウイスカは、数マイクロメータと数ミリメータの間の長さに成長することがある。これは、スズウイスカが複数の部分を電気的に接続して電気的短絡を生じさせるので問題である。この問題は、接近して構成された部分を有するハイピッチの入出力部品、例えばリードフレームやコネクタにおいて特に言明される。
従って、この発明の目的には、電気部品用の、特にリードフレーム及び電気コネクタ、並びに受動部品、例えばチップキャパシタ及びチップ抵抗用のスズ系被覆を提供することが含まれる。このスズ系被覆は、半田付け性及び耐食性を与えると共に、スズウイスカ形成に対して低減された傾向を有する。
図1は、電子部品を封止するための、この発明に係るリードフレームの概略断面図である。
この発明により、ウイスカ形成に対して低減された傾向を有するスズ系被覆が電子部品の金属表面上に形成される。電子デバイスは、いくつかの電子部品を組み合わせることによって形成され得る。1つの形態において、この発明は、図1に示されているように、リード13を包含する。このリード13は、複数のリードを使用する標準的な電子パッケージ、例えば図2に示されたデュアルインラインパッケージの1つのセグメントであって、図3に示されたリードフレーム30から部分的に製造される。図3において、電子デバイス33は、パッド31上に位置決めされ、ワイヤボンド32によりリード13に接続される。もう1つの形態において、この発明は、図4に示されているように、電子コネクタを包含する。再び図1を参照すると、電子パッケージの一部の断面がリード13と共に示されている。このリード13は、導電性基礎金属10と、この基礎金属表面上の第1の金属層11と、スズ又はスズ合金被覆12とを有する。基礎金属は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、又は電子部品に使用するに好適な他の金属である。スズ又はスズ合金被覆は、金属部分に耐食性及び半田付け性を与えるために施される。使用されるスズ合金の例には、Sn−Bi、Sn−Cu、Sn−Zn、Sn−Agが含まれる。
Ni(NH2SO3)2− 319〜383g/L
NiCl2*6H2O− 5〜15g/L
H3BO3− 20〜40g/L
CH3(CH2)11OSO3Na− 0.2〜0.4g/L
Sn(CH3SO3)2− 40〜80g/L
CH3SO3H− 100〜200g/L
スタノスター添加剤− 1〜15g/L
11 第1の金属層
12 スズ又はスズ合金被覆
13 リード
14 封止
Claims (27)
- スズウイスカ形成に対する耐性を有する半田付け可能な耐食性スズ系被覆を、電子部品の金属表面に施すための方法であって、
第1の金属層を金属表面上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約2.5μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで、第1の金属層は拡散対をスズ系被覆との間で形成する金属又は合金を含み、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進されることを特徴とする方法。 - 第1の金属層は、Ni系材料である請求項1に記載の方法。
- 電子部品の金属表面は、銅、銅合金、鉄、及び鉄合金からなる群から選択された金属である請求項1に記載の方法。
- 第1の金属層は、Ni系材料であり、約0.1μmと約20μmの間の厚さを有する請求項1に記載の方法。
- 第1の金属層は、Ni系材料であり、約0.1μmと約3μmの間の厚さを有する請求項1に記載の方法。
- 電子部品は、電子デバイス内へ組み込むための電子パッケージのリード線である請求項1に記載の方法。
- 電子部品は、電子デバイス内へ組み込むための電子パッケージのリード線であり、前記方法は、
第1の金属層をリード線の金属表面上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約2.5μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで第1の金属層は、約0.1と約20μmの間の厚さを有すると共に、拡散対をスズ系被覆との間で形成するNi系材料であり、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進される請求項1に記載の方法。 - 電子部品は、電子デバイス内へ組み込むための電子パッケージのリード線であり、前記方法は、
第1の金属層をリード線の金属表面上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約2.0μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで第1の金属層は、約0.1と約20μmの間の厚さを有すると共に、拡散対をスズ系被覆との間で形成するNi系材料であり、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進される請求項1に記載の方法。 - 電子部品は、電気コネクターであり、前記方法は、
第1の金属層をリード線の金属表面上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約2.5μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで第1の金属層は、拡散対をスズ系被覆との間で形成するNi系材料であり、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進される請求項1に記載の方法。 - 電子部品は、電気コネクターであり、前記方法は、
第1の金属層をリード線の金属表面上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約2.0μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで第1の金属層は、拡散対をスズ系被覆との間で形成するNi系材料であり、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進される請求項1に記載の方法。 - 電子部品は、受動電子デバイスである請求項1に記載の方法。
- 電子部品は、チップキャパシタ又はチップ抵抗である請求項1に記載の方法。
- 第1の金属層のNi系材料は、更にPを約0.5重量%未満の量で含む請求項2,3,4,7,8,9又は10に記載の方法。
- 第1の金属層のNi系材料は、更にPを約0.1重量%と約0.4重量%の間の量で含む請求項2,3,4,7,8,9又は10に記載の方法。
- 第1の金属層のNi系材料は、Niイオンと約5及び約12ml/Lの間のP系添加剤とを含む浴からの電着によって形成されている請求項2,3,4,7,8,9又は10に記載の方法。
- スズウイスカ形成に対する耐性を有した半田付け可能な耐食性スズ系被覆を、電子デバイスの組立中に半田付けにより取り付けるための金属リード線上に施すための方法であって、
第1の金属層を金属リード線上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約4.0μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで、第1の金属層は拡散対をスズ系被覆との間で形成する金属又は合金を含み、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進されることを特徴とする方法。 - スズ系被覆の沈積は、約0.5μmと約3.0μmの間の厚さであり、第1の金属層は、Ni系材料である請求項16に記載の方法。
- 第1の金属層及びスズ系被覆が沈積される金属リード線は、電子パッケージに組み込まれるリードフレームのセグメントを構成する請求項17に記載の方法。
- 第1の金属層を沈積する工程は、Ni系材料を約0.1と約20μmの間の厚さに沈積する工程を含む請求項18に記載の方法。
- 第1の金属層を沈積する工程は、Ni系材料を約0.1と約3μmの間の厚さに沈積する工程を含む請求項18に記載の方法。
- 第1の金属層のNi系材料は、更にPを約0.5重量%未満の量で含む請求項19又は20に記載の方法。
- 第1の金属層のNi系材料は、更にPを約0.1重量%と約0.4重量%の間の量で含む請求項19又は20に記載の方法。
- 第1の金属層のNi系材料は、Niイオンと約5及び約12ml/Lの間のP系添加剤とを含む浴からの電着によって形成されている請求項19又は20に記載の方法。
- スズウイスカ形成に対する耐性を有した半田付け可能な耐食性スズ系被覆を、電子デバイスの組立中に半田付けにより取り付けるためのリードフレームの金属リード線上に施すための方法であって、
第1の金属層のNi系材料を金属リード線上に沈積する工程と、
スズ系被覆を第1の金属層上に約0.5μmと約3.0μmの間の厚さに沈積する工程とを備え、
ここで第1の金属層は、約0.1と約3μmの間の厚さを有すると共に、拡散対をスズ系被覆との間で形成する、Niと約0.1重量%と約0.4重量%の間のPとを含むNi系材料であり、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆の内部引っ張り応力が促進されることを特徴とする方法。 - 電子パッケージの組立中に半田付けにより電子デバイスを取り付けるための金属リード線であって、リード線は、金属線と、その上のNi系金属層と、Ni系金属層上のスズ系被覆とを備え、Ni系金属層は、約0.1μmと約20μmの間の厚さを有し、スズ系被覆は、約0.5μmと約3.0μmの間の厚さを有し、Ni系金属層はスズ系被覆と拡散対を形成し、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆におけるウイスカ形成を阻止するスズ系被覆の内部引っ張り応力を促進するものであることを特徴とする金属リード線。
- Ni系金属層は、Niを含み、更にPを約0.5重量%未満の量で含む請求項25に記載の金属リード線。
- Ni系金属層は、Niを含み、更にPを約0.1重量%と約0.4重量%の間の量で含む請求項25に記載の金属リード線。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016069659A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用電気接点材料及びその製造方法 |
JP7061247B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-04-28 | 松田産業株式会社 | ニッケル電解めっき皮膜及びめっき構造体 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100451171C (zh) * | 2005-09-27 | 2009-01-14 | 北京东方新材科技有限公司 | 提高金属焊接性能的表面处理方法及用该方法处理的工件 |
US20070287022A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Honeywell International, Inc. | Intumescent paint coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same |
US8487183B2 (en) | 2008-05-19 | 2013-07-16 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Contact unit and method for producing a contact unit |
ES2623604T3 (es) * | 2008-10-31 | 2017-07-11 | Sundwiger Messingwerk Gmbh & Co. Kg | Aleación de cobre-estaño, material compuesto y empleo |
WO2010051341A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Sundew Technologies, Llc | Coatings for suppressing metallic whiskers |
KR101047603B1 (ko) | 2009-03-10 | 2011-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8610156B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-12-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
TWI405876B (zh) * | 2010-04-13 | 2013-08-21 | Univ Nat Taiwan Science Tech | 抑制錫鬚晶生長的方法 |
CN103367325A (zh) * | 2012-04-03 | 2013-10-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 具触觉效果的电子元件 |
EP2799595A1 (de) | 2013-05-03 | 2014-11-05 | Delphi Technologies, Inc. | Elektrisches Kontaktelement |
DE102018109059B4 (de) * | 2018-01-15 | 2020-07-23 | Doduco Solutions Gmbh | Elektrischer Einpress-Kontaktstift |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000144482A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-05-26 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 金属材料 |
JP2002302790A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅合金メッキ方法 |
JP2003049293A (ja) * | 2001-03-16 | 2003-02-21 | Shipley Co Llc | 錫メッキ |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4504427A (en) * | 1983-06-17 | 1985-03-12 | At&T Bell Laboratories | Solder preform stabilization for lead frames |
US4511631A (en) * | 1984-04-13 | 1985-04-16 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Metallic chromium-nickel-hydrated chromium oxide-coated tin free steel and process for the production thereof |
US4749626A (en) * | 1985-08-05 | 1988-06-07 | Olin Corporation | Whisker resistant tin coatings and baths and methods for making such coatings |
US4786324A (en) * | 1986-01-10 | 1988-11-22 | Rieger Franz Metallveredelung | Nickel-plating bath |
US4959278A (en) * | 1988-06-16 | 1990-09-25 | Nippon Mining Co., Ltd. | Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof |
US5393573A (en) * | 1991-07-16 | 1995-02-28 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of inhibiting tin whisker growth |
US5675177A (en) * | 1995-06-26 | 1997-10-07 | Lucent Technologies Inc. | Ultra-thin noble metal coatings for electronic packaging |
US5916696A (en) * | 1996-06-06 | 1999-06-29 | Lucent Technologies Inc. | Conformable nickel coating and process for coating an article with a conformable nickel coating |
US5750017A (en) * | 1996-08-21 | 1998-05-12 | Lucent Technologies Inc. | Tin electroplating process |
US6136460A (en) * | 1998-04-03 | 2000-10-24 | Olin Corporation | Tin coatings incorporating selected elemental additions to reduce discoloration |
WO2000015876A1 (fr) * | 1998-09-11 | 2000-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Materiau metallique |
US6248455B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Alloy-plated sheet steel cured with a thin layer of insulating polymer material forming an electrically nonconductive breachable metal substrate |
JP4489232B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2010-06-23 | 日鉱金属株式会社 | コネクタ用めっき材料 |
US6361823B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-03-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for whisker-free aqueous electroless tin plating |
US6452258B1 (en) * | 2000-11-06 | 2002-09-17 | Lucent Technologies Inc. | Ultra-thin composite surface finish for electronic packaging |
US20020185716A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-12-12 | Abys Joseph Anthony | Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth |
US20020192492A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-12-19 | Abys Joseph Anthony | Metal article coated with near-surface doped tin or tin alloy |
US20030025182A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-02-06 | Abys Joseph A. | Metal article coated with tin or tin alloy under tensile stress to inhibit whisker growth |
DE10159890B4 (de) * | 2001-12-06 | 2006-02-16 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Verfahren für das Beschichten von Aluminiumwerkstoffen mit Funktionsschichten aus Eisen |
JP4897187B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2012-03-14 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | スズメッキ方法 |
US6860981B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-03-01 | Technic, Inc. | Minimizing whisker growth in tin electrodeposits |
US6982030B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-03 | Technic, Inc. | Reduction of surface oxidation during electroplating |
-
2005
- 2005-01-21 KR KR1020067016728A patent/KR20070006747A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-01-21 WO PCT/US2005/001999 patent/WO2005074026A2/en active Application Filing
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- 2005-01-21 US US10/597,374 patent/US20080261071A1/en not_active Abandoned
- 2005-01-21 JP JP2006551316A patent/JP2007519261A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000144482A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-05-26 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 金属材料 |
JP2003049293A (ja) * | 2001-03-16 | 2003-02-21 | Shipley Co Llc | 錫メッキ |
JP2002302790A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅合金メッキ方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016069659A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用電気接点材料及びその製造方法 |
JP7061247B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-04-28 | 松田産業株式会社 | ニッケル電解めっき皮膜及びめっき構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005074026A3 (en) | 2005-10-06 |
KR20070006747A (ko) | 2007-01-11 |
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TW200530433A (en) | 2005-09-16 |
WO2005074026A2 (en) | 2005-08-11 |
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