KR20070078792A - 방열 재료 - Google Patents

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앤드류 콜린스
치-민 쳉
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내쇼날 스타치 앤드 케미칼 인베스트멘트 홀딩 코포레이션
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Abstract

본 발명은 발열성 전자 소자용 방열 재료로서 이용되는 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 아크릴 폴리머와 하나 이상의 액상 수지와 도전성 충전재 입자와 선택적인 성분인 하나 이상의 고상 수지의 블렌드를 포함한다.
방열 재료, 전자 소자, 발열, 콜드 싱크, 아크릴 폴리머, 액상 수지

Description

방열 재료 {THERMAL INTERFACE MATERIAL}
도 1은 콜드 싱크(cold sink) 및 방열 재료를 포함하는 전자 부품의 측면도이다.
본 발명은 발열성 전자 소자로부터, 전달된 열을 흡수 및 소산(dissipation)하는 콜드 싱크로 열을 전달하는 열 전도성 재료에 관한 것이다.
통상적으로 반도체와 같은 전자 소자에서는 구동 시, 상당한 양의 열이 발생한다. 발열된 반도체를 냉각시키기 위해서는 상기 소자에 콜드 싱크를 임의의 방식으로 부착한다. 소자를 구동하는 데 있어서, 사용중에 발생한 열은 상기 반도체로부터 상기 콜드 싱크로 전달되어, 적절한 수준으로 소산된다. 반도체로부터 콜드 싱크로의 열 전달도를 최대화하기 위해서는 열 전도성 방열 재료를 이용한다. 이러한 방열 재료는 콜드 싱크와 반도체 사이에 긴밀한 접촉성을 제공함으로써, 열 전달을 촉진한다. 상기 방열 재료로서는 실리콘 그리스(silicone grease)와 같은 페이스트형 열 전도성 재료, 또는 실리콘 고무와 같은 시트형 열 전도성 재료가 통용된다.
그런데, 종래의 상 변화 재료(phase change material), 그리스형, 페이스트형 및 패드형 열 전도성 재료의 이용 시, 몇 가지 문제점이 나타난다. 예를 들면, 페이스트 및 그리스는 낮은 열 저항을 제공하기는 하지만, 액상 또는 반고상으로 도포되어야 하기 때문에, 이들의 도포 공정을 최적화하기 위해서는 제조 공정을 별도로 제어해야 한다. 이와 같은 도포 공정의 수행 시 제어가 필요하다는 것 외에도, 종래의 페이스트 또는 그리스 재료는 취급이 복잡하고 까다롭다는 문제점이 있다. 뿐만 아니라, 상기 그리스 및 페이스트는 비(非)평면형 표면에는 사용할 수 없다는 문제점이 있다. 그 밖에도, 종래의 방열 재료가 갖는 문제점으로서는 페이스트의 재도포 시 제어 공정을 수행해야 한다는 점, 원치 않은 영역으로 그리스가 이동하는 점, 및 상 변화 재료 또는 열경화성 페이스트의 재작업능(reworkability)이 양호하지 않다는 점 등이 있다. 전술한 페이스트 및 그리스의 취급 및 도포 시 나타나는 문제점을 개선하기 위해 방열 패드가 개발되었지만, 상기 방열 패드는 상기 페이스트 및 그리스에 비해 높은 열 저항을 갖는다는 단점이 있다. 이에 따라, 취급 및 도포가 용이하면서, 낮은 열 저항을 제공하는 방열 재료의 개발이 필요한 실정이다.
전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체를 포함하는 발열성 소자용 방열 재료로서 이용되는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 조성물은 아크릴 폴리머와 하나 이상의 액상 수지와 열 전도성 입자와 선택적인 성분인 하나 이상의 고상 수지의 블렌드를 포함한다.
본 발명의 다른 목적은, 발열성 부품, 콜드 싱크, 및 본 발명의 방열 재료를 포함하는 전자 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 방열 재료는 열의 소산이 필요한 발열성 부품에 실제로 이용될 수 있다. 특히, 상기 방열 재료는 반도체 소자의 발열성 부품에서 발생한 열을 소산시키기에 적합하다. 본 발명의 방열 재료는 이 같은 소자의 발열성 부품과 콜드 싱크 사이에 층을 형성하여, 소산될 열을 상기 콜드 싱크로 전달한다. 또한, 본 발명의 방열 재료는 열 확산기(heat spreader)를 포함하는 소자에도 이용될 수 있다. 열 확산기를 포함하는 소자에서 상기 방열 재료층은 발열성 부품과 상기 열 확산기의 사이에 위치할 수 있고, 제2층은 상기 열 확산기와 상기 콜드 싱크 사이에 위치하며, 통상적으로 제1층보다 두께가 두껍다.
본 발명의 방열 재료는 아크릴 폴리머 필름 형성성 재료와 하나 이상의 액상 수지와 열 전도성 입자와 선택적인 성분인 하나 이상의 고상 수지 및 상기 기재 조성물의 열 전달도를 증가시키기에 적합한 그 밖의 첨가제와의 블렌드를 포함한다. 본 발명의 방열 재료는 그 조성에 따라서, 핫멜트 압출 성형(hot melt extrusion)에 의해 필름형으로 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 가속 응력 시험(accelerated stress test) 조건에서 상기 재료의 물성이 유지되도록, 상기 재료를 블렌딩하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물을 구성하는 상기 아크릴 폴리머는 대개 필름 형성 성분으로서 이용된다. 상기 아크릴 폴리머는 극성 화학 성분과의 혼화성이 있으며, 기재 및 충전재에 대해 양호한 친화성을 나타낸다. 본 발명의 아크릴 코폴리머는 코팅 용매에 용해될 수 있기 때문에, 코팅 용매에 용해되어, 저응력 고강도의 필름을 형성하거나, 또는 페이스트형 접착제를 제조할 수 있다. 산화, 에이징(aging), 및 열화에 대한 내성을 얻을 수 있다는 점에서, 이러한 아크릴 코폴리머로서는 포화된 폴리머를 이용하는 것이 바람직하다. 고분자량의 중합체를 제공하기 위해서는 상기 코폴리머가 부틸 아크릴레이트-에틸 아크릴로니트릴, 또는 부틸 아크릴레이트-co-에틸 아크릴로니트릴, 또는 에틸 아크릴레이트-아크릴로니트릴로 구성된 것이 바람직하다. 또한, 상기 용매와 에폭시의 혼화성을 향상시키기 위해서 상기 코폴리머가 하이드록시기, 카르복시산기, 이소시아네이트기, 또는 에폭시기를 가지는 것이 바람직하다. 상기 코폴리머는 고분자량의 코폴리머이며, 분자량이 약 200,000 내지 약 900,000인 것이 바람직하다. 상기 코폴리머의 유리 전이 온도(Tg)는 실온보다 낮으며, 약 30℃ 내지 약 -40℃인 것이 바람직하다. 본 발명에서는 상기 폴리머로서 각종 다관능성 아크릴 코폴리머를 이용할 수 있으며, 그 중에서 바람직한 다관능성 아크릴 코폴리머를 예시하면, TEISAN RESIN SG80H (일본 오사카에 소재한 Nagase ChemteX Corporation에서 시판하는 제품)를 들 수 있다.
상기 액상 수지 성분, 및 선택적인 성분인 고상 수지 성분은 계면을 습윤화함으로써 열 전도성을 향상시키는 작용을 한다. 상기 수지 성분으로서 바람직하게 이용되는 것을 예시하면, 에폭시 수지, 예컨대, 비스페놀-A 및 비스페놀-F의 일관능성 및 다관능성 글리시딜 에테르, 지방족 및 방향족 에폭시, 포화 및 불포화된 에폭시, 지환식 에폭시 수지(cycloaliphatic epoxy resin), 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 그 중에서도 비스페놀 A형 에폭시 수지를 이용하는 것이 가장 바람직하다. 통상적으로 이러한 수지는 1몰의 비스페놀 A와 2몰의 에피클로로하이드린의 반응에 의해 제조된다. 보다 바람직한 형태의 에폭시 수지를 예시하면, 에폭시 노볼락 수지를 들 수 있다. 에폭시 노볼락 수지는 일반적으로 페놀 수지와 에피클로로하이드린의 반응에 의해 제조된다. 그 밖에도, 본 발명에 사용 가능한 에폭시 수지를 예시하면, 디사이클로펜타디엔-페놀 에폭시 수지, 나프탈렌 수지, 에폭시 작용기를 갖는 부타디엔 아크릴로니트릴 코폴리머, 에폭시 작용기를 갖는 폴리디메틸 실록산, 에폭시 작용기를 갖는 코폴리머, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 비닐사이클로헥센 디옥사이드, 3,4-에폭시-6-메틸 사이클로헥실 메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 디사이클로펜타디엔 디옥사이드, 폴리(페닐 글리시딜 에테르)-co-포름알데하이드, 바이페닐(biphenyl)형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔-페놀 에폭시 수지, 나프탈렌 에폭시 수지, 에폭시 작용기를 갖는 부타디엔 아크릴로니트릴 코폴리머, 에폭시 작용기를 갖는 폴리디메틸 실록산, 및 이들의 혼합물을 들 수 있으나, 전술한 것으로 제한되지는 않는다. 상기 비스페놀-F형 수지로서 사용 가능한 시판품을 예시하면, CVC Specialty Chemicals(미국 뉴저지주 메이플 셰이드에 소재)에서 시판하는 8230E, 및 Resolution Performance Products Ltd.에서 시판하는 RSL1739를 들 수 있다. 또한, 상기 비스페놀-A형 수지로서 사용 가능한 시판품을 예시하면, Resolution Performance Products Ltd.에서 시판하는 EPON 828을 들 수 있으며, 비스페놀-A와 비스페놀-F의 블렌드로서, Nippon Chemical Company에서 시판하는 ZX-1059를 이용 할 수도 있다. 그 밖에, 사용 가능한 액상 및 고상 수지를 예시하면, 페놀, 아크릴, 실리콘(silicone), 폴리올, 아민, 고무계 수지, 페녹시, 올레핀, 폴리에스테르, 이소시아네이트, 시아네이트 에스테르, 비스말레이미드, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
본 발명의 방열 재료는 상기 아크릴 폴리머 및 상기 수지 외에도, 열 전도성 입자를 더 포함한다. 상기 열 전도성 입자는 도전성 입자, 또는 비(非)도전성 입자일 수 있다. 상기 열 전도성 입자는 본 발명의 방열 재료 중에 약 20 내지 약 95 중량%의 양으로, 가장 바람직하게는 약 50 중량% 내지 약 95 중량%의 양으로 포함된다. 상기 도전성 입자는 적절한 열 전도성 재료를 포함할 수 있으며, 이러한 열 전도성 재료를 예시하면, 은, 금, 니켈, 구리, 금속 옥사이드, 보론 나이트라이드, 알루미나, 마그네슘 옥사이드, 징크 옥사이드, 알루미늄, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 은 코팅된 유기 입자, 은 도금된 니켈, 은 도금된 구리, 은 도금된 알루미늄, 은 도금된 유리, 은 플레이크(silver flake), 카본 블랙, 그래파이트, 보론 나이트라이드 코팅된 입자, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 그 중에서도 상기 도전성 입자로서는 보론 나이트라이드를 이용하는 것이 바람직하다.
바람직하다면, 실온에서 고체 상태이며 저점도 재료의 특성을 가지기에 적합한 재료를 얻기 위해서 상기 아크릴 폴리머와 상기 수지의 조합을 적절히 선택해야 한다. 따라서, 이러한 조합에 의해 얻어진 재료는 테이프 또는 필름으로서 이용하기에 적합하며, 양호한 표면 습윤화성(surface wetting)을 제공할 수 있다. 본 발명의 재료는 높은 표면 에너지를 갖는 기재(예: 금속), 및 낮은 표면 에너지를 갖 는 기재(예: 플라스틱)을 습윤화할 수 있다. 아울러, 상기 아크릴 폴리머와 상기 수지를 적절히 조합함으로써, 재작업능이 양호한 재료를 얻을 수 있으며, 용매를 이용하지 않아도, 또는 가열하지 않아도 도포 후, 상기 재료를 쉽게 제거할 수 있다. 본 발명의 재료가 갖는 이러한 특성은 낮은 열 저항을 제공하는 기존의 방열 재료에서는 나타나지 않는 특성이다. 본 발명의 방열 재료는 낮은 열 저항을 갖는 박막을 제공할 수 있다는 특성이 있다. 반면, 그리스형 방열 재료의 경우에는 낮은 열 저항을 제공하지만, 공급 공정 및 스크린 인쇄/스텐실 인쇄 공정을 수행해야 하므로 불편하다. 본 발명의 방열 재료는 가열하지 않은 경우, 또는 용매를 이용하지 않은 경우에도 재작업능을 나타내기 때문에, 어떤 장소에서든 재작업이 가능하다. 일반적으로, 본 발명의 재료의 이용 시에는 클램핑(clamping)과 같은 외부 지지체(external support)가 필요하다. 본 발명의 방열 재료가 필름형인 경우에는 상기 재료를 도포하는 동안, 기재 상의 원치 않는 영역으로 유동하지 않는다. 아울러, 상기 재료의 도포 시, 상기 필름의 위치를 고정시키기에 충분한 점착성을 부여하기 위해서 상기 필름에 감압성 접착제를 도포할 수도 있다. 바람직하다면, 본 발명의 재료는 페이스트형일 수도 있다.
본 발명의 방열 재료의 압축성을 향상시키기 위해, 그리고, 상기 재료의 취급 및 연신이 용이하도록 하기 위해서는 주성분인 아크릴레이트를 더 첨가할 수도 있다. 첨가하기에 바람직한 아크릴레이트를 예시하면, Zeon Chemical에서 시판하는 NIPOL AR-14를 들 수 있다.
본 발명의 방열 재료의 경화는 과산화물 및 아민을 포함하는 공지된 각종 물 질을 이용하여 수행될 수 있다. 상기 재료의 경화 방법을 예시하면, 압축 경화(press cure), 및 오토클레이브 경화(autoclave cure)를 들 수 있다. 상기 재료의 경화 반응에서는 경화 시간, 경화 온도, 및 경화 압력에 따라서 다양한 경화 조건을 적용할 수 있다. 이러한 경화 프로파일에 영향을 미치는 그 밖의 요소로서는 폴리머 블렌드, 경화 시스템, 산 수용체(acid acceptor), 충전재 시스템, 및 부품 형성이 있다.
바람직하기로는, 본 발명의 방열 재료는 약 2 내지 약 30 부피%의 아크릴 폴리머, 및 약 2 내지 약 30 부피%의 하나 이상의 액상 수지를 포함한다. 가장 바람직하기로는, 상기 방열 재료는 약 2 내지 약 20 부피%의 아크릴 폴리머, 약 2 내지 약 20 부피%의 하나 이상의 액상 수지, 및 약 2 내지 약 20 부피%의 아크릴레이트를 포함한다. 상기 방열 재료는 약 15 내지 약 95 중량%의 도전성 입자를 포함하는 것이 바람직하다.
전술한 성분 이외에도, 본 발명의 방열 재료는 바람직한 물성을 제공하기에 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제를 첨가함으로써 얻어지는 가장 바람직한 물성 중 하나는 용이한 취급성이다. 특히, 실온에서 고상인 재료, 예컨대, 페놀 포름알데하이드, 페놀, 왁스, 에폭시, 열가소체, 및 아크릴은 용이한 취급성을 제공하기에 바람직하다. 그 밖에 첨가 가능한 첨가제를 예시하면, 표면 활성제(surface active agent), 계면활성제(surfactant), 희석제, 습윤화제, 항산화제, 틱소트로프제(thixotropes), 보강재, 실란 작용기를 갖는 퍼플루오로에테르(perfluoroether), 포스페이트 작용기를 갖는 퍼플루오로에테르, 실란, 티타네이 트, 왁스, 페놀 포름알데하이드, 에폭시, 및 표면 친화성 및 폴리머와의 혼화성을 제공하는 저분자량 폴리머를 들 수 있다.
도 1은 2개의 방열 재료층을 가지는 전자 부품(10)을 도시한 도면이다. 전자 부품(10)은 배선(14)에 의해 실리콘 다이(12)에 접착된 기판(11)을 포함한다. 실리콘 다이(12)에서는 열이 발생하며, 발생된 열은 상기 다이의 적어도 한쪽에 인접한 방열 필름(15)을 통해 전달된다. 열 확산기(16)는 상기 방열 필름(15)에 인접하여 위치하며, 제1 방열 재료층을 통해 전달되는 열의 일부를 소산시키는 작용을 한다. 콜드 싱크(17)는 전달된 열 에너지를 소산시키기 위해 상기 열 확산기(16)에 인접하여 위치한다. 방열 필름 패드(18)는 상기 열 확산기(16)와 상기 콜드 싱크(17) 사이에 위치한다. 상기 방열 필름 패드(18)는 통상적으로 방열 필름(15)에 비해 두께가 두껍다.
이하, 실시예를 들어, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예로 제한되지 않는다.
(실시예 1)
표 1에 나타낸 바와 같은 성분 및 조성(모두 중량%)에 따라, 방열 재료(조성물 A)를 제조하였다. 먼저, 아크릴 폴리머, 고상 에폭시, 및 아크릴레이트 고무를 메틸 에틸 케톤에 용해하였다. 그런 다음, 각각의 성분을 혼합 용기에 하나씩 첨가하였다. 상기 혼합 용기를 압축 공기 구동형 혼합기(air driven mixer)에 넣은 다음, 20분간 상기 각 성분을 혼합하였다. 그런 다음, 혼합된 성분을 탈기한 후, 실리콘 처리된 캐리어 기판에 5 ft/min의 속도로 도포하였다. 상기 재료를 도포한 후, 얻어진 필름을 75℃에서 20분간 건조시켜, 상기 용매를 제거하였다.
표 1: 열 전달용 조성물 A
성분 중량%
아크릴 폴리머1 12
아크릴레이트2 12
액상 DGBEA3 10.4
고상 에폭시4 3.6
표면 활성제5 1
표면 활성제6 1
도전성 충전재7 60
주)
1SG80H-DR
2AR-14
3ARALDITE GY6010 (Vantico에서 시판하는 제품)
4EPON 1001f (Resolution에서 시판하는 제품)
5FLUOROLINK F10 (Solvay Solexis에서 시판하는 제품)
6FLUOROLINK S10 (Solvay Solexis에서 시판하는 제품)
7보론 나이트라이드
상기 조성물 A, 및 시판되는 각종 그리스형 및 패드형 방열 재료에 대해 열 저항을 테스트하였다. 이 때, 각 재료의 열 저항은 레이저 플래시 기법을 이용하여 측정하였다. 동 기술분야의 당업자라면, 일시적인 가열 방법을 이해할 수 있 다. 이러한 가열 방법에 따르면, 펄스 레이저를 이용하여 샘플을 하나의 샘플 상에서 가열한 다음, 가열된 샘플의 후면에서 열류(heat flow)를 측정한다. 열적 성능이 우수한 샘플은 열 확산도(thermal diffusivity)(측정값)가 높다. 열확산도는 상기 샘플의 열 전도도에 비례하며, 상기 샘플의 열 저항에는 반비례한다. 표 2는 각 샘플의 테스트 결과를 나타낸다.
표 2: 각각의 방열 재료의 열 저항 테스트 결과
Figure 112007008260366-PAT00001
주)
1G751, 시판품
2TC-4, 시판품
3Wakefield 126, 시판품
4Chomerics T-500, 시판품
5Polymatech PT-H, 시판품
6Denka M45, 시판품
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 조성물이 도포된 패드는 시판되는 열 전달용 그리스 및 패드에 비해 바람직한 저항값을 나타낸다는 것을 알 수 있다.
당업자에게 명백한 바와 같이, 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않고 본 발명에 대한 많은 변형 및 변경이 이루어질 수 있다. 본 명세서에 기재된 특정 실시예들은 단지 예로서 제시되는 것으로, 본 발명은 첨부되는 청구의 범위 및 동 청구범위에 귀속되는 모든 등가물에 의해서만 한정되어야 한다.
본 발명의 방열 재료는 열의 소산이 필요한 발열성 부품에 실제로 이용될 수 있다. 특히, 상기 방열 재료는 반도체 소자의 발열성 부품에서 발생한 열을 소산시키기에 적합하다.

Claims (18)

  1. 아크릴 폴리머, 하나 이상의 액상 수지, 및 열 전도성 입자를 포함하며,
    선택적인 성분으로서, 하나 이상의 고상 수지를 더 포함하는
    열 전달용 열 전도성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴 폴리머가 부틸 아크릴레이트-에틸 아크릴로니트릴, 부틸 아크릴레이트-co-에틸 아크릴로니트릴, 에틸 아크릴레이트-아크릴로니트릴, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴 폴리머가 하이드록시기, 카르복시산기, 이소시아네이트기, 또는 에폭시기를 가지는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴 폴리머는 분자량이 약 200,000 내지 약 900,000인 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴 폴리머는 Tg가 약 30℃ 내지 약 -40℃인 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴 폴리머가 약 2 중량% 내지 약 20 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 아크릴 폴리머가 약 2 중량% 내지 약 20 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 열 전도성 입자가,
    은, 금, 니켈, 구리, 금속 옥사이드, 보론 나이트라이드, 알루미나, 마그네슘 옥사이드, 징크 옥사이드, 알루미늄, 알루미늄 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 은 코팅된 유기 입자, 은 도금된 니켈, 은 도금된 구리, 은 도금된 알루미늄, 은 도금된 유리, 은 플레이크(silver flake), 카본 블랙, 그래파이트, 보론 나이트라이드 코팅된 입자, 및 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열 전도성 입자가 약 15 중량% 내지 약 95 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 액상 수지 및 상기 하나 이상의 고상 수지가,
    비스페놀-A 및 비스페놀-F의 일관능성 및 다관능성 글리시딜 에테르, 지방족 및 방향족 에폭시, 포화 및 불포화된 에폭시, 지환식 에폭시 수지(cycloaliphatic epoxy resin), 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 노볼락 수지, 디사이클로펜타디엔-페놀 에폭시 수지, 나프탈렌 수지, 에폭시 작용기를 갖는 부타디엔 아크릴로니트릴 코폴리머, 에폭시 작용기를 갖는 폴리디메틸 실록산, 에폭시 작용기를 갖는 코폴리머, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 비닐사이클로헥센 디옥사이드, 3,4-에폭시-6-메틸 사이클로헥실 메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 디사이클로펜타디엔 디옥사이드, 폴리(페닐글리시딜 에테르)-co-포름알데하이드, 바이페닐(biphenyl)형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔-페놀 에폭시 수지, 나프탈렌 에폭시 수지, 에폭시 작용기를 갖는 부타디엔 아크릴로니트릴 코폴리머, 에폭시 작용기를 갖는 폴리디메틸 실록산, 페놀, 아크릴, 실리콘(silicone), 폴리올, 아민, 고무계 수지, 페녹시, 올레핀, 폴리에스테르, 이소시아네이트, 시아네이트 에스테르, 비스말레이미드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 액상 수지가 약 2 중량% 내지 약 30 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 아크릴레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 첨가제가 표면 활성제(surface active agent), 항산화제, 계면활성제(surfactant), 희석제, 습윤화제, 틱소트로프제(thixotropes), 보강재, 실란 작용기를 갖는 퍼플루오로에테르(perfluoroether), 포스페이트 작용기를 갖는 퍼플루오로에테르, 실란, 티타네이트, 왁스, 페놀 포름알데하이드, 에폭시, 아크릴, 표면 친화성 및 폴리머와의 혼화성을 제공하는 저분자량 폴리머, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제1항에 있어서,
    페이스트형, 지지된 필름(supported film) 또는 프리-스탠딩 필름(free- standing film)형인 것을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제1항에 있어서,
    감압성 접착제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 발열성 부품, 콜드 싱크(cold sink), 및 제1항 기재의 방열 재료를 포함하는 전자 소자.
  18. 발열성 부품, 열 확산기(heat spreader), 및 제1항 기재의 방열 재료를 포함하는 전자 소자.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848837B1 (ko) * 2007-08-06 2008-07-28 주식회사 휘닉스아이씨피 메모리모듈 방열장치 및 그 제조방법
KR101043346B1 (ko) * 2011-01-28 2011-06-29 주식회사 네원 방열특성이 우수한 유무기 하이브리드 조성물 및 이를 이용한 박막 타입의 열방사 시트
CN102263185A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 景德镇正宇奈米科技有限公司 热辐射散热发光二极管结构及其制作方法
US10717896B2 (en) 2012-03-30 2020-07-21 Showa Denko K.K. Curable heat radiation composition

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007262348A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Achilles Corp ペースト状のアクリル系グリース
DE102007037622A1 (de) * 2007-08-09 2009-02-12 Siemens Ag Harz-Formulierung auf Bismaleinimid-Basis und Verwendung der Harz-Formulierung
DE102007037621B4 (de) * 2007-08-09 2014-09-18 Siemens Aktiengesellschaft Verwendung einer Harz-Formulierung als Folie in einem Verfahren zur planaren Kontaktierung einer elektrischen Kontaktstelle eines elektrischen Bauelements und ein entsprechendes Verfahren
EP2343332A4 (en) * 2008-10-21 2017-03-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Heat conducting sheet, manufacturing method thereof, and heat radiator that utilizes same
CN102348763B (zh) 2009-03-16 2013-04-10 道康宁公司 导热润滑脂以及使用所述润滑脂的方法和器件
US20110044004A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Garosshen Thomas J Heat transfer apparatus having a thermal interface material
US8562808B2 (en) 2009-09-24 2013-10-22 E I Du Pont De Nemours And Company Polymer thick film silver electrode composition for use as a plating link
JP5740103B2 (ja) * 2009-10-19 2015-06-24 日東電工株式会社 熱伝導部材、及びそれを用いた組電池装置
EP2493998A4 (en) 2009-10-27 2018-01-10 Henkel IP & Holding GmbH Thermal interface material with epoxidized nutshell oil
WO2011059942A2 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Henkel Corporation Thermal interface material with phenyl ester
TWI425347B (zh) 2009-11-19 2014-02-01 Compal Electronics Inc 應用於電子裝置的散熱模組
TWI475103B (zh) * 2009-12-15 2015-03-01 Ind Tech Res Inst 散熱結構
CN106750546B (zh) * 2010-02-18 2022-06-17 昭和电工材料株式会社 复合粒子及其制造方法、树脂组合物、带树脂的金属箔、树脂片材
WO2011118664A1 (ja) * 2010-03-25 2011-09-29 株式会社巴川製紙所 電子部品用液状接着剤および接着テープ
CN101824297A (zh) * 2010-05-06 2010-09-08 苏州仙奇化学有限公司 一种高导热胶及其制备方法
CN201854534U (zh) * 2010-06-24 2011-06-01 景德镇正宇奈米科技有限公司 陶瓷辐射散热结构
JP2012224765A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Jsr Corp 熱伝導性シート用組成物
JP6173424B2 (ja) * 2012-03-23 2017-08-02 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 応力耐久性が高い破壊耐久性接着剤
US9434870B2 (en) 2012-09-19 2016-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US20140080951A1 (en) 2012-09-19 2014-03-20 Chandrashekar Raman Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
CN103342976A (zh) * 2013-06-26 2013-10-09 苏州天脉导热科技有限公司 一种耐短时高温的丙烯酸基组合物及以其制备导热片的方法
WO2015010231A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Ablestik (Shanghai) Limited B-stageable and skip-curable wafer back side coating adhesives
KR102165264B1 (ko) * 2013-10-10 2020-10-13 삼성전자 주식회사 아연 입자를 함유하는 비전도성 폴리머 막, 비전도성 폴리머 페이스트, 이들을 포함하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조 방법
EP3077578A4 (en) 2013-12-05 2017-07-26 Honeywell International Inc. Stannous methansulfonate solution with adjusted ph
CN105980512A (zh) 2014-02-13 2016-09-28 霍尼韦尔国际公司 可压缩热界面材料
JP5563175B1 (ja) * 2014-03-05 2014-07-30 清二 加川 高熱伝導率の放熱シート及びその製造方法
CA2951437C (en) 2014-07-07 2022-03-15 Honeywell International Inc. Thermal interface material with ion scavenger
US10287471B2 (en) 2014-12-05 2019-05-14 Honeywell International Inc. High performance thermal interface materials with low thermal impedance
DE102015200425A1 (de) * 2015-01-14 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Reaktionsharzsystem mit hoher Wärmeleitfähigkeit
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
CA3013027C (en) 2016-02-01 2020-03-24 Cabot Corporation Thermally conductive polymer compositions containing carbon black
CN109072051B (zh) 2016-03-08 2023-12-26 霍尼韦尔国际公司 相变材料
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690858A (en) * 1985-02-15 1987-09-01 Hitachi, Ltd. Thermal transfer sheet
US5288769A (en) * 1991-03-27 1994-02-22 Motorola, Inc. Thermally conducting adhesive containing aluminum nitride
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
DE69405468T2 (de) * 1993-06-18 1998-03-19 Dainippon Printing Co Ltd Wärmeübertragungsblatt
US5968606A (en) * 1997-06-30 1999-10-19 Ferro Corporation Screen printable UV curable conductive material composition
US6432497B2 (en) * 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
JP2000129215A (ja) * 1998-10-21 2000-05-09 Sekisui Chem Co Ltd 熱伝導性粘接着シート及びその製造方法
JP2001049228A (ja) * 1999-08-12 2001-02-20 Sony Chem Corp 低温硬化型接着剤及びこれを用いた異方導電性接着フィルム
US6984685B2 (en) * 2000-04-05 2006-01-10 The Bergquist Company Thermal interface pad utilizing low melting metal with retention matrix
JP2004043673A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Sekisui Chem Co Ltd 熱伝導性組成物及びプラズマディスプレイ表示装置
US6874573B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermal interface material
US7312261B2 (en) * 2004-05-11 2007-12-25 International Business Machines Corporation Thermal interface adhesive and rework

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848837B1 (ko) * 2007-08-06 2008-07-28 주식회사 휘닉스아이씨피 메모리모듈 방열장치 및 그 제조방법
CN102263185A (zh) * 2010-05-28 2011-11-30 景德镇正宇奈米科技有限公司 热辐射散热发光二极管结构及其制作方法
KR101043346B1 (ko) * 2011-01-28 2011-06-29 주식회사 네원 방열특성이 우수한 유무기 하이브리드 조성물 및 이를 이용한 박막 타입의 열방사 시트
US10717896B2 (en) 2012-03-30 2020-07-21 Showa Denko K.K. Curable heat radiation composition

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