TWI599634B - 半導體裝置 - Google Patents

半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI599634B
TWI599634B TW102139044A TW102139044A TWI599634B TW I599634 B TWI599634 B TW I599634B TW 102139044 A TW102139044 A TW 102139044A TW 102139044 A TW102139044 A TW 102139044A TW I599634 B TWI599634 B TW I599634B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat
substrate
semiconductor device
conductive layer
thermal conductivity
Prior art date
Application number
TW102139044A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201422760A (zh
Inventor
高杉寬史
寺木慎
戶島順
Original Assignee
納美仕有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 納美仕有限公司 filed Critical 納美仕有限公司
Publication of TW201422760A publication Critical patent/TW201422760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI599634B publication Critical patent/TWI599634B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/48—Polymers modified by chemical after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/48—Polymers modified by chemical after-treatment
    • C08G65/485—Polyphenylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/10—Metal compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08L71/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08L71/12—Polyphenylene oxides
    • C08L71/126—Polyphenylene oxides modified by chemical after-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

半導體裝置
本發明係關於半導體裝置，尤其係關於散熱性優異且可靠性高之半導體裝置。
近年來，隨著模組或電子零件之高功能化、高密度化，由模組或電子零件等發熱體所產生之熱量變大起來。由源自此等發熱體之熱係被傳導至基板等而散熱。為使此導熱有效率地進行，發熱體與基板之間的黏著劑係使用高導熱率者。又從操作性之優點，可使用高導熱層之黏著膜取代黏著劑。
此處，若黏著膜之導熱不佳，則熱會累積於組入有模組或電子零件之半導體裝置，而有引發半導體裝置故障之問題。因此各公司皆投入高導熱率膜之開發。
該高導熱率膜已報告有大量使用高導熱性填料之散熱性固晶(die bond)膜(專利文獻1)、以及藉由在膜含有特定形狀之填料而提升半導體裝置之散熱性之導熱性薄片(專利文獻2)。
先行技術文獻
專利文獻1：日本特開2011-023607號公報
專利文獻2：日本特開2011-142129號公報
然而，大量使用高導熱性填料之散熱性固晶膜係使用環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸樹脂(專利文獻1之第0035、0099段落)，熱硬化後之散熱性固晶膜的硬度過高，高導熱率之散熱性固晶膜在熱硬化後冷卻時產生之起因於發熱體與基板之熱膨脹率的差之應力，致有發熱體與基板之黏合強度降低之問題。此外，在此散熱性固晶膜中係難謂耐熱性充分，而有時無法應付隨著模組或電子零件等之熱量增加的發熱，在使用導熱不充分之導熱膜之半導體裝置中，恐有損及半導體裝置本身之可靠性之虞。
又，含有特定形狀填料之導熱性薄片亦使用熱硬化性樹脂(專利文獻2之第0029、0037段落)，有上述發熱體與基板之黏合強度降低之問題，導熱性薄片之耐熱性難謂充分，而亦恐有損及半導體裝置本身可靠性之虞。此外，若在導熱性薄片使用特別形狀或經加工之填料，關連到半導體裝置之高成本化。再者，在黏接於導熱性薄片之構件的導熱性薄片側之面係形成凹凸，故亦有可使用之半導體裝置受限定之問題。
本發明之課題係提供一種高可靠性之半導體裝置，其係解決發熱體之散熱性優異且在高導熱率膜之熱硬化後冷卻時、及組裝後之熱歷程中產生之起因於發熱體與基板之熱膨脹率的差之應力，致發熱體與基板之黏合強度降低之問題、以及薄膜的耐熱性不充分之問題。
本發明係關於藉由具有以下之構成而解決上述問題 之半導體裝置。
[1]一種半導體裝置，係具有發熱體、受熱器、以及在發熱體與受熱器之間用以將源自發熱體的熱傳導至受熱器之高導熱層，其中，高導熱層係含有下述(A)至(D)之高導熱膜之熱硬化體且厚度為10至300μm，(A)2種以上之熱硬化樹脂，係至少含有以下述通式(1)所示之在兩末端具有已鍵結乙烯基之苯基的聚醚化合物；(B)熱塑性彈性體；(C)導熱性無機填料；(D)硬化劑；
式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、烷基、鹵化烷基或苯基， -(O-X-O)-係如以構造式(2)所示，其中，R8、R9、R10、R14、R15可相同或相異，而為鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，R11、R12、R13可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，-(Y-O)-係以構造式(3)所示之1種類之構造、或以構造式(3)所示之2種類以上之構造隨機排列者，其中，R16、R17可相同或相異，而為鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，R18、R19可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，Z為碳數1以上之有機基，視情況亦有時含有氧原子、氮原子、硫原子、鹵原子，a、b係至少任一者不為0，且表示0至300之整數，c、d係表示0或1之整數。
[2]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，高導熱層在25℃之剪切黏著強度為13N/mm以上。
[3]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，高導熱層之厚度為10μm以上、100μm以下。
[4]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，高導熱層之體積電阻率為1×1010Ω．cm以上且導熱率為0.8W/m．K以上。
[5]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，(C)成分係由MgO、Al2O3、AlN、BN、鑽石填料、ZnO、及SiC所成之群組中選出之1種以上。
[6]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，(D)成分為咪唑系硬化劑。
[7]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，受熱器係形成有電極之基板， 高導熱層係形成於發熱體、與形成於基板上之電極之間。
[8]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，發熱體具有電極且受熱器為基板，高導熱層係形成於發熱體之電極與基板之間。
[9]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，發熱體為IC晶片，裸晶晶片、LED晶片、自轉輪二極體(FWD；Free Wheeling Diode)、或絕緣閘極雙極二極體(IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor)。
[10]如上述[7]至[9]中任一項所述之半導體裝置，其中，基板係使用金屬基底CCL之基板、使用高導熱CEM-3之基板、使用高導熱FR-4之基板、使用低熱阻FCCL之基板、金屬基板、或陶瓷基板。
[11]如上述[1]所述之半導體裝置，其中，發熱體為半導體模組且受熱器為散熱板。
[12]如上述[11]所述之半導體裝置，其中，半導體模組為功率半導體模組。
若根據本發明，可提供一種發熱體之散熱性優異，且不會起因於發熱體與基板之熱膨脹率之差的應力致使發熱體與基板之黏合強度降低，且進一步可賦予耐熱性之高信頼性的半導體裝置。
1‧‧‧半導體裝置
2‧‧‧發熱體
3‧‧‧受熱器
4‧‧‧高導熱層
10、20、30、40‧‧‧半導體裝置
12、22、32、42‧‧‧IC晶片
13、23、33、43‧‧‧基板
14、24、34、44‧‧‧高導熱層
15、25、35、45‧‧‧電極
16、36、46‧‧‧銲線
27‧‧‧電極(凸塊)
48‧‧‧電極(導線架)
49‧‧‧鑄模
50、60‧‧‧半導體裝置
52、62‧‧‧半導體模組
53、63‧‧‧基板
54、64‧‧‧高導熱層
55、65‧‧‧電極
56、66‧‧‧散熱板
71‧‧‧剪切工具
72‧‧‧基板
73‧‧‧矽晶片
74‧‧‧高導熱層
81‧‧‧加熱器
82‧‧‧銅板
83‧‧‧高導熱膜
84‧‧‧散熱體
85‧‧‧砝碼
86‧‧‧K型熱電偶
第1圖係本發明之半導體裝置截面的示意圖之一例。
第2圖係表示高導熱層之厚度與黏著強度(剪切強度)之關係圖。
第3圖係表示半導體裝置之剖面之具體例的圖。
第4圖係表示半導體裝置之剖面之具體例的圖。
第5圖係表示半導體裝置之剖面之具體例的圖。
第6圖係表示半導體裝置之剖面之具體例的圖。
第7圖係表示半導體裝置之剖面之具體例的圖。
第8圖係表示半導體裝置之剖面之具體例的圖。
第9圖係說明高導熱層之剪切黏著強度之評估方法的示意圖。
第10圖係熱阻測定裝置之示意圖。
第11圖係表示熱阻之評估結果。
本發明之半導體裝置係具有發熱體、受熱器、以及在發熱體與受熱器之間用以將源自發熱體的熱傳導至受熱器之高導熱層，其中，高導熱層係含有下述(A)至(D)之高導熱膜之熱硬化體且厚度為10至300μm。
(A)2種以上之熱硬化樹脂，係至少含有以下之通式(1)所示之在兩末端具有已鍵結乙烯基之苯基的聚醚化合物；(B)熱塑性彈性體；(C)導熱性無機填料；(D)硬化劑；
式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、烷基、鹵化烷基或苯基，-(O-X-O)-係以構造式(2)所示，其中，R8、R9、R10、R14、R15可相同或相異，而為鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，R11、R12、R13可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，-(Y-O)-係以構造式(3)所示之1種類之構造、或以構造式(3)所示之2種類以上之構造隨機排列者，其中，R16、R17可相同或相異，而為鹵原子或碳數6以下之烷基或苯基，R18、R19可相同或相異，而為氫原子、鹵原子或碳數6以下之烷基或苯基，Z為碳數1以上之有機基，視情況亦有時含有氧原子、氮原子、硫原子、鹵原子，a、b係至少任一者不為0，且表示0至300之整數，c、d係表示0或1之整數。
該高導熱層之導熱性與耐熱性優異，故為發熱體散熱性優異且信頼性高之半導體裝置。第1圖表示本發明半導體裝置之截面 之示意圖的一例。如第1圖所示，本發明之半導體裝置1係具有發熱體2、受熱器3、以及在發熱體與受熱器之間用以將發熱體的導熱至受熱器之高導熱層4，高導熱層4係高導熱膜之熱硬化體。以下依序說明發熱體、受熱器、高導熱層。
[發熱體]
發熱體係無特別限定，可使用各種半導體或半導體模組，但為了發揮本發明之效果，較佳係發熱量多之發熱體，亦即裸晶晶片等之IC晶片、LED晶片、FWD(Free Wheeling Diode)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等之半導體、或汽車等輸送機器所使用之功率半導體模組等之半導體模組。此外，為了發揮本發明之效果，更佳係總發熱量為0.5W至500W之高輸出的半導體或半導體模組。
[受熱器]
受熱器係可舉出基板、散熱板等。基板可舉出使用高導熱CEM-3之基板、使用高導熱FR-4之基板等之樹脂系基板；使用金屬基底CCL之基板、使用低熱阻FCCL之基板等之金屬基板；Al2O3、AlN、SiC、BN等之陶瓷基板，可應照半導體裝置之設計而使用各種基板。若使用樹脂系基板作為受熱器，藉由低彈性率之高導熱層，緩和起因於發熱體與受熱器之熱膨脹差之應力，故可防止翹曲，進一步可對半導體裝置賦予耐熱性。若使用金屬基板或陶瓷基板作為受熱器，因發熱體與受熱器之導熱率接近，故可緩和起因於發熱體與受熱器之熱膨脹差之應力，且高導熱層為低彈性率，故可防止於高導熱層產生龜裂，進一步可對半導體裝置賦予耐熱性。尤其，在重視應力緩和之用途上係較佳為使用樹 脂系基板，從低熱阻之觀點，較佳為使用金屬基板或陶瓷基板。表1表示各樹脂系基板之熱膨脹係數及導熱率之一例以供參考。又，表1中亦記載IC晶片等材料之矽的資料。又，散熱板係只要為可散熱源自半導體模組等的熱即可，形狀等係無特別限定。
[高導熱層]
首先，說明用以形成構成高導熱層之熱硬化體的高導熱膜。高導熱膜所含之(A)成分係2種以上之熱硬化性樹脂，其係至少含有以通式(1)所示之在兩末端具有已鍵結乙烯基之苯基的聚醚化合物(以下稱為改性OPE)。本發明中使用改性OPE作為熱硬化性樹脂，故與主要使用環氧系之習知品相比，Tg高(216℃)，且耐熱性優異，高導熱層不易產生經時變化，可維持半導體裝置之長期可靠性。再者，具有特徵為樹脂中之親水基的數較少，故吸濕性優異。因此，即使150℃附近之溫度即使為如此之用途，高導熱層係也不會與發熱體或受熱器產生剝離，而為可靠性高之半導體裝置。再者，藉由改性OPE與彈性體所產生之效果，因高導熱層具有可緩和源自外部之應力之適度柔軟性，故可緩和半導體裝置 內產生之應力。此外，改性OPE係絶緣性優異，即使減少高導熱層之厚度，亦可維持半導體裝置之可靠性。此改性OPE係如日本特開2004-59644號公報所記載。又，使用Tg高之環氧樹脂之組成物係無法成形為薄膜狀，而使用Tg低之環氧樹脂之組成物係可成形為薄膜狀，但所得薄膜之Tg變低，故薄膜的耐熱性差。
以通式(1)所示之改性OPE之-(O-X-O)-之構造式(2)中，R8、R9、R10、R14、R15較佳為碳數3以下之烷基，R11、R12、R13較佳為氫原子或碳數3以下之烷基。具體上可舉出構造式(4)。
在對於-(Y-O)-之構造式(3)中，R16、R17較佳為碳數3以下之烷基，R18、R19較佳為氫原子或碳數3以下之烷基。具體上可舉出構造式(5)或(6)。
Z係可舉出碳數3以下之伸烷基，具體上可舉出亞甲基。
a、b至少任一者不為0，且表示0至300之整數，較佳為表示0至30之整數。
較佳為數目平均分子量1000至3000之通式(1)之改性OPE。數目平均分子量係藉凝膠滲透層析法(GPC)而使用標準聚苯乙烯之檢量線的值。
上述改性OPE可單獨或組合2種以上而使用。
(A)成分所含有之通式(1)之改性OPE以外之熱硬化性樹脂係可舉出聯苯基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆(novolak)型環氧樹脂、碳二亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂等，從高導熱膜之成形性的觀點，較佳為聯苯基型環氧樹脂。環氧樹脂係用以提升黏著強度所使用。此外，碳二亞胺樹脂係可較環氧樹脂提升黏著強度，故在要求高黏著力之用途中較佳為碳二亞胺樹脂。從提升黏著強度及高Tg(玻璃轉移溫度)化之觀點，較佳為雙馬來醯亞胺樹脂。(A)成分所含有之改性OPE以外之熱硬化性樹脂係可單獨或併用2種以上。
(B)成分係可舉出苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、聚丁二烯(PB)、苯乙烯-(乙烯-乙烯/丙烯)-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)，從硬化後對高導熱膜賦予耐熱性之觀點，較佳為苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。(B)成分係可單獨或併用2種以上。(B)成分較佳係重量平均分子量為30,000至200,000。重量平均分子量係藉凝膠體滲透層析法(GPC)而使用標準聚苯乙烯之檢量線的值。
(C)成分之導熱性無機填料係指導熱率為5W/m．K以上者。從保持絶緣性之觀點，(C)成分可使用一般之無機填料，從導熱率、絶緣性及熱膨脹係數之點，較佳為由MgO、Al2O3、AlN、BN、鑽石填料、ZnO，及SiC所成之群組中選出之至少1種以上之無機填料。另外，於ZnO及SiC可視需要而實施絶緣處理。各材料之導熱率測定結果之一例係(單位為W/m．K)，MgO為37、Al2O3為30、AlN為200、BN為30、鑽石為2000、ZnO為54、SiC為90。
(C)成分之平均粒徑(非粒狀時其平均最大徑)無特別限定，但從使(C)成分均勻分散於高導熱膜中來看，較佳為0.05至50μm。若未達0.05μm，用以形成高導熱膜之組成物的黏度會上升，並有成形性惡化之虞。若超過50μm，恐有很難使(C)成分均勻分散於高導熱膜中之虞。此處，(C)成分之平均粒徑係藉由動態光散射式奈米追蹤粒度分析計來測定。(C)成分係可單獨或併用2種以上。
(D)成分係可舉出酚系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、酸酐系硬化劑等，(D)成分從對於改性OPE以外之熱硬化性樹脂之硬化性、黏著性之觀點，較佳為咪唑系硬化劑。
(A)成分從硬化後之高導熱膜之導熱率的觀點，相對於高導熱膜100質量份，較佳為5至25質量份。又，改性OPE從硬化後之高導熱膜之耐熱性的觀點，相對於(A)成分：100質量份，較佳為60至95質量份。
(B)成分從高導熱膜之成形性及硬化後之高導熱膜之彈性率的觀點，相對於高導熱膜：100質量份，較佳為5至25質量份。
(C)成分從絶緣性、黏著性及熱膨脹係數的觀點，相對於高導熱膜：100質量份，較佳為50至90質量份。(C)成分若超過90質量份，高導熱膜黏著力容易降低。另一方面，若(C)成分未達50質量份，即使無機填料之導熱率高，恐有高導熱層之導熱會不足之虞。
(D)成分從高導熱膜之保存安定性、高導熱膜之硬化性的觀點，相對於高導熱膜：100質量份，較佳為0.01至1質量份。
又，高導熱膜係在不損及本發明效果之範圍內，可含有增黏劑、消泡劑、流動調整劑、成膜補助劑、分散助劑等之添加劑。
用以形成高導熱膜之組成物(以下稱為高導熱膜用組成物)，係藉由將含有(A)至(D)成分等之原料溶解或分散於有機溶劑，俾可得到高導熱膜用組成物。就此等原料溶解或分散等之裝置而言，並無特別限定，但可使用具備攪拌、加熱裝置之擂潰機、3輥輪研磨機、球磨機、行星式混合機、珠磨機等。此外可適宜組合此等裝置而使用。
有機溶劑係可舉出芳香族系溶劑例如甲苯、二甲苯等、酮系溶劑例如甲乙酮、甲基異丙基酮等。有機溶劑可單獨或組合2種以上而使用。此外，有機溶劑之使用量無特別限定，但較佳係以固形分為20至50質量%之方式使用。從作業性之點來看，高導熱膜用組成物較佳為在200至3000mPa．s之黏度範圍。黏度係使用E型黏度計而以旋轉數10rpm、25℃下所測定的值。
高導熱膜係藉由將高導熱膜用組成物塗佈於所希望之支撐體後乾燥而得。支撐體係無特別限定，可舉出銅、鋁等之 金屬箔、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等之有機膜等。支持體係可以聚矽氧系化合物等實施離模處理。
在支持體塗布高導熱膜用組成物之方法係無特別限定，從薄膜化、膜厚控制之點來看，較佳為微凹版法、狹縫模頭法、刮刀法。以狹縫模頭法可得到熱硬化後之厚度為10至300μm之高導熱膜。
乾燥條件係可依照高導熱膜用組成物所使用之有機溶劑的種類及量、塗布厚度等而適當設定，例如可為50至120℃、1至30分鐘左右。如此作法所得到之高導熱膜係具有良好保存安定性。另外，高導熱膜係可在所希望之時機從支持體剝離。
高導熱層係可將未硬化狀態之高導熱膜例如配置在發熱體與受熱器之間後，例如以130至200℃、60至180分鐘熱硬化而形成。該高導熱層係使發熱體、受熱器、與視情形之電極等黏著，同時使源自發熱體之熱逃逸至受熱器側，而發揮在受熱器側散熱之傳熱的功用。再者，高導熱層係發揮緩和起因於發熱體與受熱器之間、視情況之發熱體或受熱器與電極等之間的熱膨脹率之差的應力的功用。
高導熱層之厚度為10μm以上300μm以下，較佳為10μm以上100μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。未達10μm則恐有無法獲得所希望之絶緣性之虞。若超過300μm，則發熱體之散熱不充分。隨著高導熱層之厚度變薄，發熱體與受熱器之距離變短，故從有效率之導熱的觀點來看，高導熱層之厚度宜為較薄者。
再者，高導熱層係具有其厚度越薄則黏著強度越高 之特徵。高導熱層之厚度與黏著強度(剪切強度)之關係係表示於表2及第2圖。第2圖中，橫軸為膜厚，縱軸為剪切強度，虛線表示剪切強度與膜厚之傾向。由第2圖可知，高導熱層係其厚度越薄，黏著強度越高。因此，若高導熱層之厚度為10μm以上300μm以下，剪切強度變成為10N/mm以上，故較佳，若厚度為10μm以上100μm以下，則剪切強度為14N/mm以上，故更佳，若厚度為10μm以上50μm以下，剪切強度為15N/mm以上，故最佳。高導熱層之剪切強度高係因高導熱層具有可緩和源自外部之應力之適度柔軟性，但若高導熱層超過300μm，高導熱層本身會產生龜裂而容易破損。在發熱體為半導體模組且受熱器為散熱板時之散熱用途中，係不常要求高黏著性，但發熱體為IC晶片等之半導體且受熱器為基板時之要求高黏著性的用途中，高導熱層較300μm還厚則較為不佳。為使高導熱膜之厚度為上述較佳之範圍，係可使高導熱層為上述之較佳範圍之厚度來實現。
高導熱層在25℃之剪切黏著強度較佳為13N/mm以上。若未達13N，則很難使用於發熱體為IC晶片等之半導體且受熱器為基板時之黏著性被要求之用途。
高導熱層較佳係體積電阻率為1×1010Ω．cm以上且導熱率為0.8W/m．K以上。高導熱層更佳係體積電阻率為1×1012Ω．cm以上，又更佳為1×1013Ω．cm以上。此外，高導熱層更佳係導 熱率為1.0W/m．K以上。高導熱層之體積電阻率未達1×1010Ω．cm時，恐有無法滿足半導體裝置所要求之絶緣性之虞。此外，高導熱層之導熱率未達0.8W/m．K時，恐有源自發熱體對受熱器傳熱不充分之虞。高導熱層之體積電阻率及導熱率係可藉由(C)成分之種類及含量而控制。
[半導體裝置]
以下，說明本發明之半導體裝置之各實施形態，但本發明並不限定於此等實施形態。本發明之半導體裝置係受熱器為形成有電極之基板，若高導熱層形成於發熱體與在基板上所形成之電極之間，發熱體的熱會經由形成於基板上之電極而被散熱，故較佳。此構造係存在於後述第5圖。又，在本發明之另一半導體裝置中，發熱體具有電極且受熱器為基板，若高導熱層形成於發熱體之電極與基板之間，則發熱體的熱會經由發熱體之電極而被散熱，故較佳。此構造係存在於後述第4、6圖。以下，根據第3至8圖說明如此之半導體裝置之剖面之具體例。
第3圖所示之半導體裝置10的構造係在作為發熱體之IC晶片12與作為受熱器之基板13之間設置高導熱層14，並且在與IC晶片12以銲線16而連接在基板13上的電極15、以及基板13之間亦設置高導熱層14。在此構造中，源自IC晶片12之熱係經由高導熱層14而被散熱至基板13，進一步以透過銲線16與電極15而經由高導熱層14而散熱至基板13之通路來散熱。第3圖中，高導熱層14係發揮基板13與IC晶片12、以及基板13與電極15之黏著層功能。又，高導熱層14係緩和起因於基板13與IC晶片12、以及基板13與電極15之熱膨脹率之差的應力。
第4圖所示之半導體裝置20之構造係使形成於作為發熱體之IC晶片22的電極(凸塊)27、與形成於作為受熱器之基板23上之電極25黏合，並在基板23與電極25之間設置用以將源自IC晶片22的熱傳導至基板23之高導熱層24。此構造中，係源自IC晶片22的熱透過電極(凸塊)27及電極25而經由高導熱層24以散熱至基板23。第4圖中，高導熱層24係作為基板23與電極25之黏著層的功能。此外，高導熱層24係緩和起因於基板23與電極25之熱膨脹率的差之應力。
第5圖所示之半導體裝置30中，作為發熱體之IC晶片32係透過上部之高導熱層34而與電極35黏著，電極35係透過下部之高導熱層34而與基板33黏著。又，IC晶片32係即使藉由銲線36而與電極35黏合。在此構造中，源自IC晶片32的熱係經由上部之高導熱層34散熱至電極35，且亦經由銲線36而被散熱至電極35。傳導至電極35的熱係經由下部之高導熱層34散熱至基板33。第5圖中，高導熱層34係亦作為IC晶片32與電極35、以及電極35與基板33之黏著層的功能。此外，高導熱層34係緩和起因於IC晶片32與電極35、以及電極35與基板33之熱膨脹率之差的應力。
第6圖所示之半導體裝置40中，IC晶片42係與左部之電極(導線架)48黏合。又，IC晶片42係藉由銲線46與右部之電極(導線架)48黏合。導線架48係與電極45黏合，電極45係透過高導熱層44而與基板43黏著。此外，IC晶片42、銲線46、電極(導線架)48的一部分係以鑄模樹脂49封裝。在此構造中，源自IC晶片42的熱係直接傳導至左部之電極(導線架)48、且藉由銲 線46傳導至右部之電極(導線架)48、進一步藉由鑄模樹脂49而傳導至左右之電極(導線架)48。傳導至電極(導線架)48的熱係透過電極45與高導熱層44而散熱至基板43。第6圖中，高導熱層44係亦作為電極45與基板43之黏著層之功能。此外，高導熱層44係緩和起因於電極45與基板43之熱膨脹率之差的應力。
第7圖所示之半導體裝置50中，半導體模組52係與電極55黏合。電極55係透過上部之高導熱層54而與基板53黏著，基板53係透過下部之高導熱層54而與散熱板56黏著。該構造中源自半導體模組52的熱係透過電極55、上部之高導熱層54、基板53、下部之高導熱層54而散熱至散熱板56。第7圖中，高導熱層54係作為電極55與基板53、以及基板53與散熱板56之黏著層之功能。此外，高導熱層54係緩和起因於電極55與基板53、以及基板53與散熱板56之熱膨脹率之差的應力。
第8圖所示之半導體裝置60中，係半導體模組62與電極65黏合。電極65係透過下部之高導熱層64而與基板63黏著。此外，半導體模組62係透過上部之高導熱層64而與散熱板66黏著。該構造中，源自半導體模組62的熱係透過上部之高導熱層64而散熱至散熱板66，且透過電極65、下部之高導熱層64而散熱至基板63。第8圖中，高導熱層64係亦作為電極65與基板63、以及半導體模組62與散熱板66之黏著層之功能。此外，高導熱層64係緩和起因於電極65與基板63、以及半導體模組62與散熱板66之熱膨脹率之差的應力。
實施例
藉由實施例說明本發明，但本發明並不限定於此等。 另外，以下之實施例中，只要無特別聲明，份、%係表示質量份、質量%。
[實施例1至5、比較例1至7]
以表3及表4所示之摻配比例，計量摻配(A)成分、(B)成分、適量之甲苯後，將其等投入於加溫至80℃之反應鍋中，一邊以旋轉數150rpm旋轉，一邊進行常壓混合3小時，而製作澄清液。在所製作之澄清液加入(C)成分、(D)成分、及視情形之其他成分，以行星式混合機分散並製作高導熱膜用組成物。將如此做法所得之高導熱膜用組成物，塗佈於作為支撐體之已實施離模處理之PET膜之一面，並以100℃乾燥，藉此而得到附有支撐體之高導熱膜。另外，比較例5與比較例7係無法形成薄膜。
[高導熱層之評估]
為了評估高導熱層，於下述每一評價中使高導熱膜熱硬化。表5、表6表示使高導熱膜熱硬化時之硬化溫度、硬化時間。
《導熱率》
將未硬化之高導熱膜以200℃之沖壓機加熱硬化60分鐘。使用NETZSCH公司製導熱率計(Xe閃光分析器、型號：LFA447Nanoflash)而測定硬化之高導熱膜之導熱率。
《剝離強度》
在黏著膜雙面以粗化面為內側之方式貼合銅箔，以沖壓機熱壓黏(180℃、60min、0.1MPa)。將該試驗片裁切成10mm寬，並以 自動測圖機拉拔而測定剝離強度。對於測定結果計算各N=5之平均值。
《玻璃轉移點溫度(Tg)》
以動態黏彈性測定(DMA)測定。將高導熱膜以200℃、60min熱硬化並從支撐體剝離後，從高導熱膜之熱硬化體切取試驗片(10±0.5mm×40±1mm)，測定試驗片之寬度、厚度。其後，以Seiko Instruments公司製DMS(型號：EXSTAR6100)進行測定(拉伸模式)(3℃/min、10Hz、25-220℃)。讀取tan δ之譜峰溫度作為Tg。
《彈性率之評價》
以上述動態黏彈性測定(DMA)測定之25℃的貯存彈性率作為彈性率。表5、表6表示高導熱膜之彈性率之評估結果。
《剪切黏著強度之評價》
對實施例1、比較例1、2進行高導熱層之剪切黏著強度之評估。第9圖係說明高導熱層之剪切黏著強度之評估方法的示意圖。準備作為基板72之FR-4基板、及作為矽晶片73之5mm平方矽晶片。將Φ 2mm之高導熱膜載置於基板72上之欲形成高導熱層74之位置，在高導熱膜上安裝矽晶片73。之後，以200℃、60分鐘使高導熱膜熱硬化，形成高導熱層74。使用AIKOH ENGINEERING製桌上強度試驗器(型號：1605HTP)，測定在25℃、150℃下之剪切強度(單位：N)。表7表示高導熱層之剪切黏著強度之評估結果。
《熱阻》
於第10圖中表示熱阻測定裝置之示意圖。在埋入有K型熱電偶86之寬度50mm、長度50mm、厚度5mm之銅板82間，設置寬度20mm、長度20mm、厚度20至390μm之以200℃×60分鐘硬化之高導熱膜83，在其銅板82上壓黏散熱體84及重量660g之砝碼85。在下部放置加熱器81，以下述條件加熱並算出熱阻。
試驗條件係供給電壓40W(=100V×0.4A)、測定領域20mm□。以開始供給電力5分鐘後之加熱器側溫度為Ta、散熱體側溫度為Tb、供給電力為P，從下述式算出熱阻(單位：℃/W)：Rth=(Ta-Tb)/P
於表8及第11圖表示熱阻之評估結果。
從表5可知，在實施例1至5中，導熱率、剝離強度、玻璃轉移溫度皆較高，而彈性率係在所希望之範圍內。然而，從表6可知，未使用改性OPE之比較例1係玻璃轉移溫度與彈性率低。又，未使用改性OPE之比較例2係彈性率過高。使用無機填料之二氧化矽(導熱率約1W/m．K)取代(C)成分之比較例3係導熱率低。熱硬化性樹脂僅為改性OPE之比較例4係剝離強度低。不含(B)成分之比較例5、不含(D)成分之比較例7係無法形成膜。不含(C)成分之比較例6係導熱率與彈性率低。
此外，從表7可知，實施例1係在25℃、150℃皆剪切黏著強度高。然而，比較例1係在25℃之剪切黏著強度低，在150℃之剪切黏著強度明顯較低。又，比較例2係顯示與實施例1同等的值。
從表8、第11圖之熱阻之評估結果可知，若高導熱層之厚度為300μm以下，熱阻為未達0.4℃/W，可謂低熱阻。又可知若高導熱層之厚度為100μm以下，熱阻為未達0.3℃/W，可謂明顯低熱阻。
如上述，本發明之半導體裝置係發熱體之散熱性優 異，且發熱體與受熱器之黏著強度不會降低並為高耐熱性，故具有高可靠性。
1‧‧‧半導體裝置
2‧‧‧發熱體
3‧‧‧受熱器
4‧‧‧高導熱層

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置，係具有發熱體、受熱器、以及在發熱體與受熱器之間用以將源自發熱體的熱傳導至受熱器之高導熱層，其中，高導熱層係含有下述(A)至(D)之高導熱膜之熱硬化體且厚度為10至300μm，(A)2種以上之熱硬化樹脂，其係至少含有以下述通式(1)所示之在兩末端具有已鍵結乙烯基之苯基的聚醚化合物；(B)熱塑性彈性體；(C)導熱性無機填料；(D)咪唑系硬化劑； 式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、烷基、鹵化烷基或苯基， -(O-X-O)-係以構造式(2)所示，其中，R8、R9、R10、R14、R15可相同或相異，而為鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，R11、R12、R13可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，-(Y-O)-係以構造式(3)所示之1種類的構造、或以構造式(3)所示之2種類以上之構造隨機排列者，其中，R16、R17可相同或相異，而為鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，R18、R19可相同或相異，而為氫原子、鹵原子、或碳數6以下之烷基或苯基，Z為碳數1以上之有機基，視情況亦有時含有氧原子、氮原子、硫原子、鹵原子，a、b係至少任一者不為0，且表示0至300之整數，c、d係表示0或1之整數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，高導熱層在25℃之剪切黏著強度為13N/mm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，高導熱層之厚度為10μm以上、100μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，高導熱層之體積電阻率為1×1010Ω．cm以上且導熱率為0.8W/m．K以上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，(C)成分係由MgO、Al2O3、AlN、BN、鑽石填料、ZnO、及SiC所成之群組中選出之1種以上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，受熱器係形成有電極之基板， 且高導熱層係形成於發熱體、與形成在基板上的電極之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，發熱體具有電極且受熱器為基板，且高導熱層係形成於發熱體之電極與基板之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，發熱體為IC晶片、裸晶晶片、LED晶片、自轉輪二極體(FWD；Free Wheeling Diode)、或絕緣閘極雙極電晶體(IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor)。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之半導體裝置，其中，基板係使用金屬基底CCL之基板、使用高導熱CEM-3之基板、使用高導熱FR-4之基板、使用低熱阻FCCL之基板、金屬基板、或陶瓷基板。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，發熱體為半導體模組且受熱器為散熱板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體裝置，其中，半導體模組為功率半導體模組。
TW102139044A 2012-10-31 2013-10-29 半導體裝置 TWI599634B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012240455A JP6106405B2 (ja) 2012-10-31 2012-10-31 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201422760A TW201422760A (zh) 2014-06-16
TWI599634B true TWI599634B (zh) 2017-09-21

Family

ID=50627261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102139044A TWI599634B (zh) 2012-10-31 2013-10-29 半導體裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6106405B2 (zh)
KR (1) KR102094267B1 (zh)
TW (1) TWI599634B (zh)
WO (1) WO2014069353A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015019051A (ja) * 2013-06-14 2015-01-29 株式会社日本触媒 放熱シート
DE102015108700A1 (de) 2015-06-02 2016-12-08 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiter-Leistungs-Package und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP6857895B2 (ja) * 2016-03-17 2021-04-14 ナミックス株式会社 樹脂組成物、熱硬化性フィルム、硬化物、プリント配線板、半導体装置
JP6825411B2 (ja) * 2017-02-21 2021-02-03 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板、絶縁回路基板の製造方法
JP7122528B2 (ja) * 2017-08-09 2022-08-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱伝導性組成物及び半導体装置
JP7087446B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-21 三菱マテリアル株式会社 放熱板付絶縁回路基板、及び、放熱板付絶縁回路基板の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11140386A (ja) * 1997-11-14 1999-05-25 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP2002069392A (ja) * 2000-08-31 2002-03-08 Polymatech Co Ltd 熱伝導性接着フィルムおよびその製造方法ならびに電子部品
TWI250995B (en) * 2002-07-25 2006-03-11 Mitsubishi Gas Chemical Co Vinyl compound and cured product thereof
JP4038667B2 (ja) * 2002-07-25 2008-01-30 三菱瓦斯化学株式会社 ビニル化合物およびその硬化物
JP4867217B2 (ja) * 2004-08-19 2012-02-01 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性樹脂組成物および硬化性フィルムおよびフィルム
TWI404744B (zh) * 2006-08-08 2013-08-11 Namics Corp 熱硬化性樹脂組成物及由該樹脂組成物構成之未硬化膜片
JP2010147060A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Sharp Corp 半導体装置
JP2011023607A (ja) 2009-07-16 2011-02-03 Nitto Denko Corp 放熱性ダイボンドフィルム
JP5063710B2 (ja) 2010-01-05 2012-10-31 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP5411174B2 (ja) * 2010-08-05 2014-02-12 欣興電子股▲フン▼有限公司 回路板およびその製造方法
JPWO2012073972A1 (ja) * 2010-12-01 2014-05-19 日立化成株式会社 接着剤層付き半導体ウェハ、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104603935A (zh) 2015-05-06
JP6106405B2 (ja) 2017-03-29
WO2014069353A1 (ja) 2014-05-08
JP2014090135A (ja) 2014-05-15
KR20150073950A (ko) 2015-07-01
TW201422760A (zh) 2014-06-16
KR102094267B1 (ko) 2020-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI599634B (zh) 半導體裝置
JP6477483B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、樹脂層付きキャリア材料、金属ベース回路基板および電子装置
JP2013189625A (ja) 高熱伝導性樹脂硬化物、高熱伝導性半硬化樹脂フィルム及び高熱伝導性樹脂組成物
CN101012369A (zh) 热界面材料
JPWO2017014238A1 (ja) 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シートおよび半導体装置
JP2011178894A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール
TW201215583A (en) Ceramic mixture, and ceramic-containing thermally-conductive resin sheet using same
TWI694126B (zh) 樹脂組成物、接著膜及半導體裝置
JP2017149910A (ja) 熱伝導性接着剤組成物、熱伝導性接着剤シートおよび積層体の製造方法
JP2017098376A (ja) 樹脂組成物、回路基板、発熱体搭載基板および回路基板の製造方法
TW201320260A (zh) 積層體及功率半導體模組用零件之製造方法
TW201444962A (zh) 裝置、接著劑用組成物、接著片
KR102187491B1 (ko) 필름용 수지 조성물, 절연 필름 및 반도체 장치
JP6575321B2 (ja) 樹脂組成物、回路基板、発熱体搭載基板および回路基板の製造方法
JP2014055245A (ja) 先設置型半導体封止用フィルム
TW201323512A (zh) 用於電子零件封裝之環氧樹脂組合物及使用其之配備有電子零件之裝置
JP2003193016A (ja) 高耐熱高放熱接着フィルム
TWI663195B (zh) 絕緣薄膜，及半導體裝置
JP6912030B2 (ja) 樹脂組成物、接着フィルム、および半導体装置
JP3989349B2 (ja) 電子部品封止装置
JP2010031126A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
CN104603935B (zh) 半导体装置
JPH06228280A (ja) エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置
CN112739739B (zh) 树脂组合物
TW201611209A (zh) 覆金屬箔基板、電路基板及發熱體搭載基板