JPH06228280A - エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置

Info

Publication number
JPH06228280A
JPH06228280A JP5139517A JP13951793A JPH06228280A JP H06228280 A JPH06228280 A JP H06228280A JP 5139517 A JP5139517 A JP 5139517A JP 13951793 A JP13951793 A JP 13951793A JP H06228280 A JPH06228280 A JP H06228280A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
curing agent
resin composition
epoxy
molecule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5139517A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2792395B2 (ja
Inventor
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Koji Futatsumori
浩二 二ッ森
Miyuki Wakao
幸 若尾
Shinichi Jingu
慎一 神宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP5139517A priority Critical patent/JP2792395B2/ja
Publication of JPH06228280A publication Critical patent/JPH06228280A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2792395B2 publication Critical patent/JP2792395B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬
化性、耐湿性、接着性等の特性に優れた硬化物を与え、
半導体封止用樹脂として好適なエポキシ樹脂組成物を得
る。 【構成】 (1)1分子中に2個以上のエポキシ基を有
するエポキシ樹脂、(2)1分子中にフェノール性水酸
基を2個以上含有する非ノボラック系フェノール樹脂
と、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
ートとを前記非ノボラック系フェノール樹脂の軟化点以
上の温度で加熱混合することにより得られる硬化剤、
(3)無機質充填剤を配合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、保存安定性及び流動性
が良好であり、硬化性、耐湿性、接着性等の特性に優れ
た硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることが可能
なエポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに
半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
エポキシ樹脂用硬化剤としては、アミン系硬化剤、酸無
水物系硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤などが用
いられており、これら硬化剤に硬化促進剤としてイミダ
ゾール誘導体、三級アミン化合物、三級ホスフィン化合
物やこれらの誘導体が併用されてきた。
【0003】しかし、これらの硬化剤、硬化促進剤を単
に併用して配合しただけでは、保存安定性、流動性が良
好で、かつ硬化性、耐湿性等の特性に優れた硬化物を与
えるエポキシ樹脂組成物を得ることは困難であった。
【0004】一方、特公昭56−45491号公報に
は、ノボラック型フェノール樹脂硬化剤とテトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレート(以下、TP
P−Kと略す)とを加熱処理することにより得られるエ
ポキシ樹脂用硬化剤を用いることにより、保存安定性が
良好で、耐湿性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組
成物が得られることが記載されている。
【0005】しかしながら、上記硬化剤配合エポキシ樹
脂組成物は、その硬化物の接着性が乏しく、表面実装用
封止材として用いられた場合、吸湿後に半田浸漬などの
劣化によって剥離を生じたり、樹脂クラックを生じると
いう問題点があった。
【0006】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬化性、耐湿
性、接着性等の特性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹
脂組成物を得ることが可能なエポキシ樹脂用硬化剤を工
業的に有利に製造することができるエポキシ樹脂用硬化
剤及びこの硬化剤を用いたエポキシ樹脂組成物並びにこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、1分子中に
フェノール性水酸基を2個以上含有する非ノボラック系
フェノール樹脂とTPP−Kとをこの非ノボラック系フ
ェノール樹脂の軟化点以上の温度で加熱混合することに
より、保存安定性及び流動性が良好であり、かつ硬化
性、耐湿性に優れている上、接着性に優れた硬化物を与
え、半導体封止用に好適なエポキシ樹脂組成物を得るこ
とが可能なエポキシ樹脂用硬化剤を工業的に有利に製造
できることを知見し、本発明をなすに至った。
【0008】従って、本発明は、1分子中にフェノール
性水酸基を2個以上含有する非ノボラック系フェノール
樹脂と、TPP−Kとを前記非ノボラック系フェノール
樹脂の軟化点以上の温度で加熱混合することにより得ら
れるエポキシ樹脂用硬化剤、及び1分子中に2個以上の
エポキシ基を有するエポキシ樹脂と上記硬化剤と無機質
充填剤とを含有するエポキシ樹脂組成物、並びにこのエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提
供する。
【0009】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明のエポキシ樹脂用硬化剤は、上述したように、1分子
中にフェノール性水酸基を2個以上含有する非ノボラッ
ク系フェノール樹脂と、TPP−Kとを前記非ノボラッ
ク系フェノール樹脂の軟化点以上の温度で加熱混合する
ことにより得られるものである。
【0010】ここで、1分子中にフェノール性水酸基を
2個以上含有する非ノボラック系フェノール樹脂として
は、フェノール性水酸基を含有する芳香族基が炭素原子
数3〜12個の2〜4価の脂肪族炭化水素基で結合して
なるものが好適であり、具体的には、シクロペンタジエ
ン基含有フェノール樹脂、トリフェノールプロパン、ナ
フタレン環含有フェノール樹脂などが例示される。な
お、この非ノボラック系フェノール樹脂は、その軟化点
が130℃以下、特に50〜110℃であることが好ま
しい。
【0011】また、TPP−Kの配合量は、非ノボラッ
ク系フェノール樹脂100部(重量部、以下同様)に対
して2〜50部、特に5〜30部とすることが好まし
く、2部未満ではエポキシ樹脂用硬化剤として用いた場
合に十分な硬化性が得られない場合があり、50部を超
えると均一な硬化性が得られ難くなる場合がある。
【0012】本発明では、1分子中にフェノール性水酸
基を2個以上含有する非ノボラック系フェノール樹脂と
TPP−Kとを前記非ノボラック系フェノール樹脂の軟
化点以上の温度で加熱混合してエポキシ樹脂用硬化剤を
製造する。この場合、加熱処理温度及び時間は、使用材
料の種類、量に応じて適宜調整することができるが、上
記フェノール樹脂又は非ノボラック系フェノール樹脂の
軟化点よりも10〜150℃、特に50〜100℃高い
温度で10〜240分間、特に30〜120分間溶融混
合することが好適である。
【0013】上記硬化剤は、1分子中に2個以上のエポ
キシ基を有するエポキシ樹脂と無機質充填剤とを含むエ
ポキシ樹脂組成物、特に半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の硬化剤として好適に使用することができる。
【0014】この場合、エポキシ樹脂(A)は、1分子
中にエポキシ基を少なくとも2個有するものであれば如
何なるものであっても良い。例えば、ビスフェノールA
型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂などが挙げられ
る。また、これらエポキシ樹脂を単独で又は2種以上を
適宜組み合わせて用いることができる。
【0015】これらのエポキシ樹脂のうちでは下記式で
示されるエポキシ樹脂が好ましい。
【0016】
【化1】
【0017】更に、エポキシ樹脂として、難燃化のため
ブロム化エポキシ樹脂を使用することもできる。
【0018】また、無機質充填剤(C)は、封止材の膨
張係数を小さくし、半導体素子に加わる応力を低下させ
ることができるもので、具体的には破砕状、球状の形状
を持った溶融シリカ、結晶性シリカが主に用いられ、こ
の他にアルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミなども使
用可能である。なお、本発明では、硬化物の低膨張化と
成形性を両立させるためには無機質充填剤として球状と
破砕品のブレンド、あるいは球状品のみを用いることが
好ましい。
【0019】また、無機質充填剤はあらかじめシランカ
ップリング剤で表面処理して使用することが好適であ
る。
【0020】更に、無機質充填剤としては、平均粒径が
5〜30μmのものが好ましく用いられる。
【0021】本発明のエポキシ樹脂組成物において、本
発明の硬化剤(B)の使用量は、エポキシ樹脂(A)1
00部に対して5〜100部の範囲が好ましく、5部未
満では十分な硬化性を与えることができない場合があ
り、100部を超えると硬化が速すぎてしまい、半導体
装置を封止する際に内部ボイドを多く発生させてしまう
場合がある。
【0022】なお、本発明の硬化剤(B)は、上述した
ように硬化剤としての非ノボラック系フェノール樹脂と
硬化促進剤であるTPP−Kとの加熱混合物であるが、
本発明では、上記エポキシ樹脂用硬化剤のみでは硬化剤
量が不足する場合は、硬化剤として従来公知の任意のフ
ェノール樹脂を併用することができる。この場合、フェ
ノール樹脂の添加量は、エポキシ樹脂(A)のエポキシ
基に対して本発明の硬化剤における非ノボラック系フェ
ノール樹脂と上記任意のフェノール樹脂とのフェノール
性水酸基の合計量が0.5〜2倍モル、特に0.9〜
1.2倍モルとなる範囲が好ましい。
【0023】更に、本発明では、上記TPP−K以外の
従来公知の各種硬化触媒、例えばイミダゾールもしくは
その誘導体、ホスフィン誘導体、シクロアミジン誘導体
等を配合することができる。
【0024】一方、無機質充填剤(C)の配合量は、上
記エポキシ樹脂と全硬化剤の合計量100部に対して2
00〜1200部が好ましく、200部に満たないと膨
張係数が大きくなって半導体素子に加わる応力が増大
し、素子特性の劣化を招く場合があり、1200部を越
えると成形時の粘度が高くなって成形性が悪くなる場合
がある。
【0025】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上述し
た必須成分に加え、低応力化のためにシリコーン系の可
撓性付与剤を添加することが好ましい。可撓性付与剤と
しては、例えばシリコーンゴムパウダー、シリコーンゲ
ル、有機樹脂とシリコーンポリマーとのブロックポリマ
ーなどが挙げられる。なお、このような可撓性付与剤を
添加する代わりに二液タイプのシリコーンゴムやシリコ
ーンゲルで無機質充填剤表面を処理してもよい。
【0026】なお、上記可撓性付与剤の使用量は、組成
物全体の0.5〜10重量%、特に1〜5重量%とする
ことが好ましく、使用量が0.5重量%未満では十分な
耐衝撃性を与えない場合があり、10重量%を越えると
機械的強度が不十分になる場合がある。
【0027】本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必
要に応じてその他の任意成分を本発明の効果を妨げない
範囲で配合することができる。
【0028】このような任意成分としては、例えば従来
公知の各種熱可塑性樹脂や、カルナバワックス、高級脂
肪酸、合成ワックス類などの離型剤、シランカップリン
グ剤、酸化アンチモン、リン化合物等が挙げられる。
【0029】なお、本発明のエポキシ樹脂組成物は、そ
の製造に際し、上述した成分の所定量を均一に撹拌、混
合し、予め70〜95℃に加熱してあるニーダー、ロー
ル、エクストルーダーなどで混練、冷却し、粉砕するな
どの方法で得ることができる。なお、成分の配合順序に
特に制限はない。
【0030】上述したように、本発明のエポキシ樹脂組
成物はIC,LSI,トランジスタ,サイリスタ,ダイ
オード等の半導体装置の封止用に好適に使用できるもの
であり、プリント回路板の製造などにも有効に使用でき
る。
【0031】ここで、半導体装置の封止を行う場合は、
従来より採用されている成形法、例えばトランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などを採用して行う
ことができる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温
度は150〜180℃、ポストキュアーは150〜18
0℃で2〜16時間行うことが好ましい。
【0032】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂用硬化剤の製造方
法によれば、この硬化剤を使用してエポキシ樹脂組成物
を調製すると、保存安定性及び流動性が良好であり、か
つ硬化性、耐湿性に優れている上、接着性に優れた硬化
物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。そ
れ故、このエポキシ樹脂組成物は、近年の半導体パッケ
ージの薄型化に伴なう問題が生じないもので、半導体の
封止用樹脂として有用である。更に、本発明組成物の硬
化物で封止した半導体装置は高い信頼性を有するもので
ある。
【0033】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。
【0034】〔実施例1〕非ノボラック系フェノール樹
脂として軟化点110℃の1,1,3−トリフェノール
プロパン(以下、フェノール樹脂Iと称する)100部
及びTPP−K5部を温度計、撹拌機を具備した1リッ
トルの四ツ口フラスコに入れ、150℃で1時間放置し
た後、200℃で1時間混合し、硬化剤Iを得た。
【0035】〔実施例2〕フェノール樹脂として下記構
造式で示される軟化点100℃のフェノール樹脂(三井
東圧社製、商品名DPR1000、以下、フェノール樹
脂IIと称する)100部及びTPP−K5部を実施例
1と同様の装置に入れて加熱混合し、硬化剤IIを得
た。
【0036】
【化2】
【0037】〔比較例1〕フェノール樹脂として軟化点
90℃のフェノールノボラック樹脂(以下、フェノール
樹脂IIIと称する)100部及びTPP−K5部を実
施例1と同様の装置で加熱混合し、硬化剤IIIを得
た。
【0038】〔実施例3,4、比較例2〜5〕表1に示
すエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤とワックスE1.
5部、溶融石英粉末500部、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン2部を加えて得られた配合物を熱
2本ロールで均一に溶融混合し、エポキシ樹脂組成物を
製造した。
【0039】これらのエポキシ樹脂組成物について下記
の(イ)〜(ホ)の諸試験を行った。結果を表1,2に
併記する。 (イ)スパイラルフロー EMMI規格に準じた金型を使用して175℃、70k
gf/cm2の条件で測定した。 (ロ)熱時硬度 175℃、70kgf/cm2、60秒の条件で100
×10×4mmの棒をトランスファー成形した時の熱時
硬度をバーコール硬度計で測定した。 (ハ)保存安定性 各々の材料を25℃に放置した時にスパイラルフロー値
がそれぞれの初期値の80%になったときの日数を示し
た。 (ニ)引張接着力 42アロイ板に直径15mm、高さ5mmの円筒成形品
を175℃、70kgf/cm2、成形時間2分の条件
で成形し、180℃で4時間ポストキュアーした後、8
5℃/85%RHの恒温恒湿槽中に168時間放置し、
更に240℃のIRリフロー劣化後の引張接着力を測定
した。 (ホ)耐湿性 最小線幅1.5μm、チップサイズ45mmのテストチ
ップを用い、14PIN DIP型半導体装置を用いて
評価した。175℃、90秒で成形し、180℃、4時
間ポストキュアーし、260℃の半田浴に10秒間浸漬
し、次いで130℃のプレッシャークッカーに1000
時間放置した後のアルミニウム配線の断線不良率を測定
した。
【0040】
【表1】
【0041】表1の結果より、1分子中にフェノール性
水酸基を2個以上含有するフェノール樹脂と、TPP−
Kとを前記非ノボラック系フェノール樹脂の軟化点以上
の温度で加熱混合することにより得られる硬化剤を配合
したエポキシ樹脂組成物は、保存安定性、流動性が良好
であり、硬化性、耐湿性に優れている上、接着性に優れ
た硬化物を与えることがわかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若尾 幸 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 神宮 慎一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1分子中にフェノール性水酸基を2個以
    上含有する非ノボラック系フェノール樹脂と、テトラフ
    ェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとを前記
    非ノボラック系フェノール樹脂の軟化点以上の温度で加
    熱混合することにより得られるエポキシ樹脂用硬化剤。
  2. 【請求項2】 (A)1分子中に2個以上のエポキシ基
    を有するエポキシ樹脂、(B)請求項1記載のエポキシ
    樹脂用硬化剤、(C)無機質充填剤を含有してなるエポ
    キシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のエポキシ樹脂組成物の硬
    化物で封止された半導体装置。
JP5139517A 1992-12-10 1993-05-18 エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 Expired - Fee Related JP2792395B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5139517A JP2792395B2 (ja) 1992-12-10 1993-05-18 エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35268292 1992-12-10
JP4-352682 1992-12-10
JP5139517A JP2792395B2 (ja) 1992-12-10 1993-05-18 エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06228280A true JPH06228280A (ja) 1994-08-16
JP2792395B2 JP2792395B2 (ja) 1998-09-03

Family

ID=26472306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5139517A Expired - Fee Related JP2792395B2 (ja) 1992-12-10 1993-05-18 エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2792395B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004124023A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置
KR100678808B1 (ko) * 2003-12-04 2007-02-05 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
WO2008143085A1 (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Nitto Denko Corporation 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置
JP2013087137A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Panasonic Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置
JP2015105347A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 接着剤層用塗布組成物、半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびに、これを用いた半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5645491A (en) * 1979-08-08 1981-04-25 M & T Chemicals Inc Novel organosilicon compound and manufacture thereof
JPS5659841A (en) * 1979-10-19 1981-05-23 Hitachi Ltd Epoxy resin composition
JPS5659840A (en) * 1979-10-19 1981-05-23 Hitachi Ltd Epoxy resin composition
JPS61204954A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPS61296019A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5645491A (en) * 1979-08-08 1981-04-25 M & T Chemicals Inc Novel organosilicon compound and manufacture thereof
JPS5659841A (en) * 1979-10-19 1981-05-23 Hitachi Ltd Epoxy resin composition
JPS5659840A (en) * 1979-10-19 1981-05-23 Hitachi Ltd Epoxy resin composition
JPS61204954A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPS61296019A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004124023A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置
KR100678808B1 (ko) * 2003-12-04 2007-02-05 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
US7268191B2 (en) * 2003-12-04 2007-09-11 Nitto Denko Corporation Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby
WO2008143085A1 (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Nitto Denko Corporation 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置
JP2008285592A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置
US8269213B2 (en) 2007-05-17 2012-09-18 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device produced by using the same
JP2013087137A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Panasonic Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置
JP2015105347A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 接着剤層用塗布組成物、半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびに、これを用いた半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2792395B2 (ja) 1998-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3033445B2 (ja) 樹脂用無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物
JPH06228280A (ja) エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置
JPH1135647A (ja) 電子部品封止用成形材料、その成形方法、電子部品装置及びその製造方法
US6168872B1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP3582552B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003327666A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP2002220511A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3585615B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3740988B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体装置
JPH0521651A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2751786B2 (ja) エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置
WO2021187240A1 (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP3833000B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH08134330A (ja) Tab封止用エポキシ樹脂組成物及びtab装置
JP3358447B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物
JPH05175366A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH0625385A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH03197529A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JPH0841292A (ja) エポキシ樹脂組成物の製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2004155839A (ja) 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JPH05291436A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JPH0625384A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH07173255A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3874566B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP2002284853A (ja) ワックス含有溶融混合物、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees