JPS61204954A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61204954A JPS61204954A JP60044835A JP4483585A JPS61204954A JP S61204954 A JPS61204954 A JP S61204954A JP 60044835 A JP60044835 A JP 60044835A JP 4483585 A JP4483585 A JP 4483585A JP S61204954 A JPS61204954 A JP S61204954A
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- hardening
- tetra
- resin composition
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は貯蔵安定性に優れ、かつ成形時には速や≠為に
フイヒナスエボキシ増詣釦慮物を用論で柿躍ないし、モ
・−ルドされ、特涛耐湿搭頼性に優れ友樹脂封止型半導
体装置に関する。
フイヒナスエボキシ増詣釦慮物を用論で柿躍ないし、モ
・−ルドされ、特涛耐湿搭頼性に優れ友樹脂封止型半導
体装置に関する。
ダイオ−・ド、サイリスタ、トランジスタ、ＩＣ。
Ｌ Ｓ Ｉ ａるいはこノ１ら各種半導体を搭載した半
導体装置のバック゛−・ジンクには、経済性に優れたプ
ラスグツ７り材料が広く用いられている。特にエポキシ
系樹１１ｔｊに無機質充填剤を配合り、、 ７を組成物
は１、良好な電気特性、機械特性、耐薬品性、耐湿性等
分もつｙ’ｊ （塚！化物を提供するため、半導体の封
止材と１７で普及（−でいる。７２：か゛でも、ノボラ
ック型エボギシ樹脂に硬化剤とし１でフエ、ノール、ノ
ボラック樹脂を配合１ｙ 、これに、さらに無機質充填
剤を多元に加え、たエボギン樹脂糾成物（成形材料）を
用（ρて半導体装置を・トンンヌフブ成形機でモー・ル
ドする方式Ｕ、生産性が優れるうえに３、封止品の信頼
性も比較的高いため、現在半導体装置を樹脂相′Ｉｉ：
する場合の主流技術になつ工いる。
導体装置のバック゛−・ジンクには、経済性に優れたプ
ラスグツ７り材料が広く用いられている。特にエポキシ
系樹１１ｔｊに無機質充填剤を配合り、、 ７を組成物
は１、良好な電気特性、機械特性、耐薬品性、耐湿性等
分もつｙ’ｊ （塚！化物を提供するため、半導体の封
止材と１７で普及（−でいる。７２：か゛でも、ノボラ
ック型エボギシ樹脂に硬化剤とし１でフエ、ノール、ノ
ボラック樹脂を配合１ｙ 、これに、さらに無機質充填
剤を多元に加え、たエボギン樹脂糾成物（成形材料）を
用（ρて半導体装置を・トンンヌフブ成形機でモー・ル
ドする方式Ｕ、生産性が優れるうえに３、封止品の信頼
性も比較的高いため、現在半導体装置を樹脂相′Ｉｉ：
する場合の主流技術になつ工いる。
それらのエポキシ樹ハ旨組成物には一般に、壬、−・ル
ビ時におりる樹脂の硬化を速める霞めに硬化促進剤とし
てアぽン類（特開昭５８−１７３８５２号公報）、イミ
ダゾール系化合物（％開昭５６−１６００５６号、同５
７−５９３６５号、同５７−１ｏ０１２８号各公報）お
るいはジアザビシクロウンデセン（特開昭５６−９４７
６１号、同５９−７５９２３号各公報）の３しうな含窒
素複素環式化合物、オルガノシリコーン系化合物（特開
昭５６−１３３８５５号公報）、オルガノホスフィン化
合物（特開昭５６−１３０９５３号公報、同５７−２３
２９号公報）、第４級アン・そニウム、ホスホニウムあ
るいけア４・ソ；ウム化合物（特開昭５５−１５３３５
８号公報１、同５７−１９４５５５号、同５８ １１９
６５６号各公報他）など種々の化合物が使用されている
。
ビ時におりる樹脂の硬化を速める霞めに硬化促進剤とし
てアぽン類（特開昭５８−１７３８５２号公報）、イミ
ダゾール系化合物（％開昭５６−１６００５６号、同５
７−５９３６５号、同５７−１ｏ０１２８号各公報）お
るいはジアザビシクロウンデセン（特開昭５６−９４７
６１号、同５９−７５９２３号各公報）の３しうな含窒
素複素環式化合物、オルガノシリコーン系化合物（特開
昭５６−１３３８５５号公報）、オルガノホスフィン化
合物（特開昭５６−１３０９５３号公報、同５７−２３
２９号公報）、第４級アン・そニウム、ホスホニウムあ
るいけア４・ソ；ウム化合物（特開昭５５−１５３３５
８号公報１、同５７−１９４５５５号、同５８ １１９
６５６号各公報他）など種々の化合物が使用されている
。
一般に使用される硬化促進剤は、−七の種類によっては
比較的低温でも促進効果を示す几め、例、叱は樹脂と他
の成分とを混合する際の加熱あるいは発熱に。しって樹
脂の硬化を進行させるほか、混合ψ組成物を室温で保管
する開にも硬化反応を進め２５ために、組成物の品質と
くに溶融粘度の上昇５、流動性の低下による硬化性のば
らり＠等を生じ易く、成形上の障害や成形品の機械的、
電気１的まｌに化学的特性低下の原因となっている。従
って、このよう女硬化促進剤を用いる際ＩＣは、鎖成分
との混合時の品質管（里′５ｆ：、咲重に：ｔ、、１〜
かも、保管や運搬に当ってｆ７ｊ：低塩に保ち、さらに
成形条件の厳密な管３９．ｄどの煩雑さを避けられなか
つ’ｆＦ−。
比較的低温でも促進効果を示す几め、例、叱は樹脂と他
の成分とを混合する際の加熱あるいは発熱に。しって樹
脂の硬化を進行させるほか、混合ψ組成物を室温で保管
する開にも硬化反応を進め２５ために、組成物の品質と
くに溶融粘度の上昇５、流動性の低下による硬化性のば
らり＠等を生じ易く、成形上の障害や成形品の機械的、
電気１的まｌに化学的特性低下の原因となっている。従
って、このよう女硬化促進剤を用いる際ＩＣは、鎖成分
との混合時の品質管（里′５ｆ：、咲重に：ｔ、、１〜
かも、保管や運搬に当ってｆ７ｊ：低塩に保ち、さらに
成形条件の厳密な管３９．ｄどの煩雑さを避けられなか
つ’ｆＦ−。
゛・、 そのため、近年は比較的低温では樹脂の硬化度
ン応を余ｊつ促進せず、成形時ｒ（−金型中で加熱され
Ａ、：際に硬、化反応な・・盟しく促進〕るｈわゆる潜
在性、＠ｉ化促進剤が開発゛され使用されるようになつ
’ｌ’： ｅ ｉｌｌ 、、前掲のｔ粁発明には１．：
、の滓の促進剤を・用いろ提案が含まれている。
ン応を余ｊつ促進せず、成形時ｒ（−金型中で加熱され
Ａ、：際に硬、化反応な・・盟しく促進〕るｈわゆる潜
在性、＠ｉ化促進剤が開発゛され使用されるようになつ
’ｌ’： ｅ ｉｌｌ 、、前掲のｔ粁発明には１．：
、の滓の促進剤を・用いろ提案が含まれている。
しかし、そのようカニ硬化促進剤でも潜在性が低いため
に前述のより力、問題を引起す場合がある１、また、逆
に、潜在性が高すぎるために、通常の成形条件では硬化
反応が余り促進されず硬化に長時間を要しルリ、硬化温
度を高くしなければならない場合もをンる。
に前述のより力、問題を引起す場合がある１、また、逆
に、潜在性が高すぎるために、通常の成形条件では硬化
反応が余り促進されず硬化に長時間を要しルリ、硬化温
度を高くしなければならない場合もをンる。
さらに、硬化促進剤はその反応磯構によってはに不純物
を持ち込む結果となり、特に、成形品の゛電気／特性や
耐湿性の低下をもたらすことがある。
を持ち込む結果となり、特に、成形品の゛電気／特性や
耐湿性の低下をもたらすことがある。
半導１体製品のパッケージングでは現在全製品の８０％
以、上が樹脂封止されているが、最近の半導体は、素子
の大容骨化に伴いチップサイズが増大し、配線は微細化
される一方である。また、パッケージングの形状の軽薄
短小化が行われているため、封止材料に対Ｊ゛る信頼性
、特に耐湿性へのツ求１は一段と厳しくなっている。こ
れに対処する六めに、組成物の肖製並びに保管条件の下
では硬化反応を促進せず、成形条件では硬化反応を鮮明
に促進し、しがも電気特性や耐湿性に浸れ友成形品を与
える硬化促進剤が望まれていた。
以、上が樹脂封止されているが、最近の半導体は、素子
の大容骨化に伴いチップサイズが増大し、配線は微細化
される一方である。また、パッケージングの形状の軽薄
短小化が行われているため、封止材料に対Ｊ゛る信頼性
、特に耐湿性へのツ求１は一段と厳しくなっている。こ
れに対処する六めに、組成物の肖製並びに保管条件の下
では硬化反応を促進せず、成形条件では硬化反応を鮮明
に促進し、しがも電気特性や耐湿性に浸れ友成形品を与
える硬化促進剤が望まれていた。
（発明の目的〕
本発明ｉ＋′：ｊ：このような状況に鑑みてなされ定詳
細な検討の成果であって、特に耐湿信頼性に優れ几樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
細な検討の成果であって、特に耐湿信頼性に優れ几樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
フェノール化合物、硬化促進剤及び無機質充填剤を含む
成分を溶融混練してなる樹脂組成物をもって被覆ないし
モールドされた樹脂封止型半導体装置において、硬化促
進剤が一般式 （式中で、Ｒ１−Ｒ１は炭化水素基であり、かつＢ Ｓ
、、、 Ｒ＠のうちの少なくとも１種は１〜６個の炭
素原子をもつアルキル基である）で表わされるテトラ置
換ホスホニウム・テトラ置換ボＶ−トを用いることであ
る。
成分を溶融混練してなる樹脂組成物をもって被覆ないし
モールドされた樹脂封止型半導体装置において、硬化促
進剤が一般式 （式中で、Ｒ１−Ｒ１は炭化水素基であり、かつＢ Ｓ
、、、 Ｒ＠のうちの少なくとも１種は１〜６個の炭
素原子をもつアルキル基である）で表わされるテトラ置
換ホスホニウム・テトラ置換ボＶ−トを用いることであ
る。
潜在性の高い硬化促進剤は一般に、低温では樹脂成分へ
の溶解性に劣る傾向を示し、それらを組成物中によく分
散させるために、あらかじめエポキシ樹脂やフェノール
化合物に溶融混合させてから樹脂組成物の調製に供する
（４Ｉ開昭５４−１１０８９７号、同５５−１５３３５
８号各公報）などの方法を要し危場合がちる。この点に
ついて精細な検討を進めた結果、本発明の硬化促進剤は
樹脂成分に億めて良好に溶解するので、通常の方法で樹
脂組成物の鎖成分と一度に加熱溶融混合して均一に溶解
されることが判明し九。しかも、これらの硬化促進剤は
大変良好な潜在性を有し、該溶融混合工程で樹脂の硬化
反応を実質的に進めるようなおそれが少ないうえ、高温
では効果的に作用する。
の溶解性に劣る傾向を示し、それらを組成物中によく分
散させるために、あらかじめエポキシ樹脂やフェノール
化合物に溶融混合させてから樹脂組成物の調製に供する
（４Ｉ開昭５４−１１０８９７号、同５５−１５３３５
８号各公報）などの方法を要し危場合がちる。この点に
ついて精細な検討を進めた結果、本発明の硬化促進剤は
樹脂成分に億めて良好に溶解するので、通常の方法で樹
脂組成物の鎖成分と一度に加熱溶融混合して均一に溶解
されることが判明し九。しかも、これらの硬化促進剤は
大変良好な潜在性を有し、該溶融混合工程で樹脂の硬化
反応を実質的に進めるようなおそれが少ないうえ、高温
では効果的に作用する。
本発明に用いられる硬化促進剤としては、具体的にはテ
トラフェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・テトラエチルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・ブチルトリフェニル
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラエチル
ボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラエチルボ
レート、テトラブチルホスホニウム・テトラエチルボレ
ートなどがあり、これらは２ｓ以上併用してもよい。
トラフェニルホスホニウム・エチルトリフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・テトラエチルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・ブチルトリフェニル
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラエチル
ボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラエチルボ
レート、テトラブチルホスホニウム・テトラエチルボレ
ートなどがあり、これらは２ｓ以上併用してもよい。
これらの硬化促進剤は、高温においては極めて大きい硬
化促進作用を発揮するので、その樹脂組成物に対する添
加量は極〈少量で足シ、エポキシ樹脂１００重量部に対
して０．００１〜０．“ｏｉ＄；、ル、望ましくは０．
００２〜ｏ、ｏｏｓモルの範囲でよい。
化促進作用を発揮するので、その樹脂組成物に対する添
加量は極〈少量で足シ、エポキシ樹脂１００重量部に対
して０．００１〜０．“ｏｉ＄；、ル、望ましくは０．
００２〜ｏ、ｏｏｓモルの範囲でよい。
次に、本発明に使用される固型のエポキシ樹脂は特定さ
れたものではなく、公知のエポキシ化合物が広く使用で
きる。例えば、ビスフェノールＡ１ビスフエノールＦ、
レゾルシノール、フェノールノボラック、クレゾー
ルノボラックなどの７−ノール類のグリシジルエーテル
、ブタンジオール、ポリエチＶングリコール、ポリプロ
ピＶンク１７コールなどのアルコ−〃類のグリシジルエ
ーテル、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル
酸などのカルボン酸類のグリシジル・エステル、アニリ
ン、イソシアヌール酸などの窒素原子に結合し九活性水
素をグリシジル基で置換し次ものなどのグリシジル型（
メチルグリシジル型も含む）エポキシ樹脂、分子内の汐
フィン結合を過酸等でエポキシ化して得られるビニルシ
クロヘキセンジエポキシド、３．４−エポキシシクロヘ
キシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボ
會シＶ−ト、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル
−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキシな
どのうち、室温で固状のエポキシ樹脂が用いられる。こ
れらの固型エポキシ樹脂のうちでは、特にフェノールノ
ボラック及びクレゾールノボラックなどのグリシジルエ
ーテル類がとくに好適である。まｔｌこれらの固型エポ
キシ樹脂は液状のエポキシ樹脂と併用しても良い。
れたものではなく、公知のエポキシ化合物が広く使用で
きる。例えば、ビスフェノールＡ１ビスフエノールＦ、
レゾルシノール、フェノールノボラック、クレゾー
ルノボラックなどの７−ノール類のグリシジルエーテル
、ブタンジオール、ポリエチＶングリコール、ポリプロ
ピＶンク１７コールなどのアルコ−〃類のグリシジルエ
ーテル、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル
酸などのカルボン酸類のグリシジル・エステル、アニリ
ン、イソシアヌール酸などの窒素原子に結合し九活性水
素をグリシジル基で置換し次ものなどのグリシジル型（
メチルグリシジル型も含む）エポキシ樹脂、分子内の汐
フィン結合を過酸等でエポキシ化して得られるビニルシ
クロヘキセンジエポキシド、３．４−エポキシシクロヘ
キシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボ
會シＶ−ト、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル
−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキシな
どのうち、室温で固状のエポキシ樹脂が用いられる。こ
れらの固型エポキシ樹脂のうちでは、特にフェノールノ
ボラック及びクレゾールノボラックなどのグリシジルエ
ーテル類がとくに好適である。まｔｌこれらの固型エポ
キシ樹脂は液状のエポキシ樹脂と併用しても良い。
硬化剤としての固型フェノール化合物はフェノール、り
Ｖゾール、キシンノールなどとホルムアルデヒドなどと
を酸性触媒で縮合させて得られるノボラック類及びアル
ケニルフェノールの重合体などである。
Ｖゾール、キシンノールなどとホルムアルデヒドなどと
を酸性触媒で縮合させて得られるノボラック類及びアル
ケニルフェノールの重合体などである。
前記エポキシ樹脂とフェノール化合物は、エポキシ樹脂
のエポキシ当量とフェノール化合物の水酸基当量との比
がほぼ１／１になるように配合することが望ましい。・ ま次、無機質充填剤としてはシリカ粉、石英ガラス粉な
どが一般に用やられ、その他、炭酸カルシウム、ケイ酸
ジルコニウム、ケイ酸カルシウみ、メルク、クレー、マ
イカ、ガラス繊維粉などが用に対し６０−８０重量％の
範囲で用いることが望ましい。
のエポキシ当量とフェノール化合物の水酸基当量との比
がほぼ１／１になるように配合することが望ましい。・ ま次、無機質充填剤としてはシリカ粉、石英ガラス粉な
どが一般に用やられ、その他、炭酸カルシウム、ケイ酸
ジルコニウム、ケイ酸カルシウみ、メルク、クレー、マ
イカ、ガラス繊維粉などが用に対し６０−８０重量％の
範囲で用いることが望ましい。
なお、本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に応じて
、難燃化剤として各種の・・ロゲン化化合物、三酸化ア
ンチモン、無機水和物など、離型剤としてカルナクバワ
ックス、モンタン酸ワックスやポリアルキノン系ワック
スなど、カップリング剤として各種のシラン系化合物、
チタン系化合物、アルミニウムキレート系化合物やアル
ミニウムージルコニウム系化合′吻などが用いられる。
、難燃化剤として各種の・・ロゲン化化合物、三酸化ア
ンチモン、無機水和物など、離型剤としてカルナクバワ
ックス、モンタン酸ワックスやポリアルキノン系ワック
スなど、カップリング剤として各種のシラン系化合物、
チタン系化合物、アルミニウムキレート系化合物やアル
ミニウムージルコニウム系化合′吻などが用いられる。
さらに、着色剤としてカーボンブラック、酸化チタン、
鉛丹、群宵、べ／ガラ、各種の油性染料なども用いるこ
とが出来る。
鉛丹、群宵、べ／ガラ、各種の油性染料なども用いるこ
とが出来る。
なお、封正に用いｆｃ耐樹脂よび封止半導体装置の電気
特性や耐湿性、さらに該半導体装置を高温高湿条件下に
放置し几場合の素子表面のアルミニウム配線や電極の腐
食に関Ｌ７ては、樹脂組成物成分中の特にイオン性不純
物濃度が影響することが知られている。成分それぞれの
配合割合が異なる九め各成分についてのイオン性不純物
濃度は一律に規定することは出来ないが、成形品を１０
０メツシュ通過の微粉末とし、これに純水を加えて密封
し、１２０１：ｌ’に少なくとも１００時間加熱し７几
際に抽出されるＣｔ−及び’ｆ３ｒ’″がそれぞれ１０
［Ｐμ下であることが望ましい。
特性や耐湿性、さらに該半導体装置を高温高湿条件下に
放置し几場合の素子表面のアルミニウム配線や電極の腐
食に関Ｌ７ては、樹脂組成物成分中の特にイオン性不純
物濃度が影響することが知られている。成分それぞれの
配合割合が異なる九め各成分についてのイオン性不純物
濃度は一律に規定することは出来ないが、成形品を１０
０メツシュ通過の微粉末とし、これに純水を加えて密封
し、１２０１：ｌ’に少なくとも１００時間加熱し７几
際に抽出されるＣｔ−及び’ｆ３ｒ’″がそれぞれ１０
［Ｐμ下であることが望ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述のような各素材を
ロール、ニーダ、押出機などの装置て加熱溶融混合して
作製できる。
ロール、ニーダ、押出機などの装置て加熱溶融混合して
作製できる。
次に、実施例によって本発明をさらに具体的知説明する
。本文中各成分の配合量は重量部で表わしである。また
、各種硬化促進剤は第１表に示す略号によって説明する
。
。本文中各成分の配合量は重量部で表わしである。また
、各種硬化促進剤は第１表に示す略号によって説明する
。
実施例１−５
０−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量： ２ｏｏｇ／ｅｑｓ軟化点、８０Ｃ）１００部及び
フェノールノボラック樹脂（水酸基当３１：ｘｏａｇ／
ｅｑ、軟化点： ８５Ｇ）５３部にさらに第２表に示す
各種硬化促進剤をトライブレンドし、混合物の１５０．
１．６５及び１８０ｃにおける混合物のゲル化時間を測
定し、各温度におけるゲル化時間から反応の活性化エネ
ルギーを算出し九〇結果を第２表に示す。
量： ２ｏｏｇ／ｅｑｓ軟化点、８０Ｃ）１００部及び
フェノールノボラック樹脂（水酸基当３１：ｘｏａｇ／
ｅｑ、軟化点： ８５Ｇ）５３部にさらに第２表に示す
各種硬化促進剤をトライブレンドし、混合物の１５０．
１．６５及び１８０ｃにおける混合物のゲル化時間を測
定し、各温度におけるゲル化時間から反応の活性化エネ
ルギーを算出し九〇結果を第２表に示す。
比較例１〜Ｂ
上記同様に各種硬化促進剤を配合しｔ樹脂組成物のゲル
化時間を測定し反応の活性化エネルギーを求め九〇結果
を第２表に示す。
化時間を測定し反応の活性化エネルギーを求め九〇結果
を第２表に示す。
ｌ＠２表から明らかなように、各種硬化促進剤は通常の
成形温度（１８０ｔ：’付近）におけるゲル化時間がほ
ぼ同等になるように配合量を調整されているが、実施例
の硬化促進ａｔＩＩ′ｉこのような高温ではいずれも硬
化促進性が強い九め、比較例の硬化促進剤に比べて、モ
ル数でみ危配合電はかなり少なくて良い。ま几、活性化
エネルギーについてみると、実施例の硬化促進剤は、比
較例の潜在性硬化促進剤ＥＭＺ−に＋ＴＰＰ−になどと
ほぼ同等の値を有し、低温側での硬化促進性が弱く、各
糧成分を加熱溶融混練しｔす、混練した組成物を保管す
る際の安定性に関しても有利なことが推察さ実施例６〜
１０ 第１表に示す各種硬化促進剤を用いて＠３表に示す組成
物を表面を約８０Ｃに加熱し九ロールで約１０分混練し
、冷却後粉砕して５種類の固型の組成物（成形材料）を
作成し７２−、得られｔ各組成物について、高化式フロ
ーテスターを用いて１８０Ｃにおける溶融粘度を求め几
。ま友、トランスファ成形機を用い、金型温度１ｓｏｃ
、成形圧力′、′７０Ｋｐ／ｃＩｎ” ％成形時間１．
５分でＥＭＭＩ法によるスパイラルフローの測定を行っ
た。さらに、φ１１０Ｘ１２７の丸棒を成形し、成形直
後及び１８０Ｃ６時間アフターキエア後の熱膨張係数を
ＡＳＴＭ−Ｃ６９６−４４に準じて測定し、その変曲点
からガラス転移温度（Ｔヨ）を求めた。まｔｌ φ２０
Ｘ２ｍｔの円板に成形し１８０Ｃ６時間のアフターキュ
アを行つ几試片について、ＪＩＳ６９１１に準じ九体積
抵抗率の測定及び同様な成形品を１２００の熱水中に浸
漬しｔ場合の吸水率及び体積抵抗率（測定はいずれも室
温）を測定比較例９−１６ 第１表Ｃ（示した比較例の各種硬化促進剤についても上
記同様の方法で組成物（成形材料）を作成し、緒特性を
測定した。結果を第４表に示す。
成形温度（１８０ｔ：’付近）におけるゲル化時間がほ
ぼ同等になるように配合量を調整されているが、実施例
の硬化促進ａｔＩＩ′ｉこのような高温ではいずれも硬
化促進性が強い九め、比較例の硬化促進剤に比べて、モ
ル数でみ危配合電はかなり少なくて良い。ま几、活性化
エネルギーについてみると、実施例の硬化促進剤は、比
較例の潜在性硬化促進剤ＥＭＺ−に＋ＴＰＰ−になどと
ほぼ同等の値を有し、低温側での硬化促進性が弱く、各
糧成分を加熱溶融混練しｔす、混練した組成物を保管す
る際の安定性に関しても有利なことが推察さ実施例６〜
１０ 第１表に示す各種硬化促進剤を用いて＠３表に示す組成
物を表面を約８０Ｃに加熱し九ロールで約１０分混練し
、冷却後粉砕して５種類の固型の組成物（成形材料）を
作成し７２−、得られｔ各組成物について、高化式フロ
ーテスターを用いて１８０Ｃにおける溶融粘度を求め几
。ま友、トランスファ成形機を用い、金型温度１ｓｏｃ
、成形圧力′、′７０Ｋｐ／ｃＩｎ” ％成形時間１．
５分でＥＭＭＩ法によるスパイラルフローの測定を行っ
た。さらに、φ１１０Ｘ１２７の丸棒を成形し、成形直
後及び１８０Ｃ６時間アフターキエア後の熱膨張係数を
ＡＳＴＭ−Ｃ６９６−４４に準じて測定し、その変曲点
からガラス転移温度（Ｔヨ）を求めた。まｔｌ φ２０
Ｘ２ｍｔの円板に成形し１８０Ｃ６時間のアフターキュ
アを行つ几試片について、ＪＩＳ６９１１に準じ九体積
抵抗率の測定及び同様な成形品を１２００の熱水中に浸
漬しｔ場合の吸水率及び体積抵抗率（測定はいずれも室
温）を測定比較例９−１６ 第１表Ｃ（示した比較例の各種硬化促進剤についても上
記同様の方法で組成物（成形材料）を作成し、緒特性を
測定した。結果を第４表に示す。
第４表において、まず各組成物の溶融粘度をみると、第
２表において低い活性化エネルギーを示したＥＭＺ、Ｄ
ＢＵ及びＰｍ２Ｏ３を配合した組成物は、溶融粘度がか
なり高く加熱溶融混合時に樹脂の硬化反応がかなり促進
され１しことが分かる。
２表において低い活性化エネルギーを示したＥＭＺ、Ｄ
ＢＵ及びＰｍ２Ｏ３を配合した組成物は、溶融粘度がか
なり高く加熱溶融混合時に樹脂の硬化反応がかなり促進
され１しことが分かる。
これに対し活性化エネルギーの大きいｈ＞ Ｍ Ｚ −
Ｋ 。
Ｋ 。
ＴＰ、Ｐ−Ｋ及びＴＢＰ−’ｒＰＢは溶融粘度が低く、
加熱溶融混線時に樹脂の硬化反応は余り促進されないこ
とが分る。本発明の硬化促進剤はこれらの＃１ぼ中間ｌ
ｌ？：；４５る。組成物の流動性の目安となるスパイラ
ルフローは組成物の溶融粘度とほぼ反比例の関係にある
が、本発明の組成物は比較的フローが大きい。次に、成
形品のガラス転移温度（Ｔ１）を７７メ一キユア前後で
比較してみると、本発明の成形品はアフターキュア前、
すなわち１８０Ｃ１，５分の成形を行つ友だけでも高い
′ｒ、を示し、従来の硬化促進剤に比べると極めて優れ
た硬化促進性を有することが分かる。Ｔ、はアフターキ
ュアを行うと更に高い値を示すが、本発明の組成物はア
フターキュア後のＴ１も極めて高く硬化物は耐熱性にも
優れている。体積抵抗率は室温の値には余り差はないが
、本発明の組成物を用い友成形品は高温並びに加湿後の
体積抵抗率がかなり高い。
加熱溶融混線時に樹脂の硬化反応は余り促進されないこ
とが分る。本発明の硬化促進剤はこれらの＃１ぼ中間ｌ
ｌ？：；４５る。組成物の流動性の目安となるスパイラ
ルフローは組成物の溶融粘度とほぼ反比例の関係にある
が、本発明の組成物は比較的フローが大きい。次に、成
形品のガラス転移温度（Ｔ１）を７７メ一キユア前後で
比較してみると、本発明の成形品はアフターキュア前、
すなわち１８０Ｃ１，５分の成形を行つ友だけでも高い
′ｒ、を示し、従来の硬化促進剤に比べると極めて優れ
た硬化促進性を有することが分かる。Ｔ、はアフターキ
ュアを行うと更に高い値を示すが、本発明の組成物はア
フターキュア後のＴ１も極めて高く硬化物は耐熱性にも
優れている。体積抵抗率は室温の値には余り差はないが
、本発明の組成物を用い友成形品は高温並びに加湿後の
体積抵抗率がかなり高い。
まｔ１加湿時の吸水率も少なく、本発明の成形品は耐湿
性の面でも優れている。
性の面でも優れている。
このように、本発明の組成物は低温側では硬化反応が余
り進行せず、高温に加熱し７友場合には速やかに硬化シ
２、成形品の子導体封止用材君・とし７て必要な優れた
電気特性、耐熱性並びに耐慢性をイ、゛なえることが明
瞭で凌）る。
り進行せず、高温に加熱し７友場合には速やかに硬化シ
２、成形品の子導体封止用材君・とし７て必要な優れた
電気特性、耐熱性並びに耐慢性をイ、゛なえることが明
瞭で凌）る。
実施例１１へ・１３
前記実施例８−ｉｏの３種類の１ボキシ樹脂組成物（成
形材料）を・用い°１゛、シリコーンウＪ：、ハの熱酸
化膜上に１９、さ約１μｍ１幅１０μｉｎのアルミニウ
ムのジグザグ並列配線パターン全形成しまた半ｔｓＯｃ
、成形圧カフ０障／閏２、成形時間１．０分でｅ−ルド
し、次いで、１８００６時間のアフターキュアを行つｔ
ｏ 上記樹脂封止型半導体装置について、１２０Ｃ。
形材料）を・用い°１゛、シリコーンウＪ：、ハの熱酸
化膜上に１９、さ約１μｍ１幅１０μｉｎのアルミニウ
ムのジグザグ並列配線パターン全形成しまた半ｔｓＯｃ
、成形圧カフ０障／閏２、成形時間１．０分でｅ−ルド
し、次いで、１８００６時間のアフターキュアを行つｔ
ｏ 上記樹脂封止型半導体装置について、１２０Ｃ。
２気圧の水蒸気中で並列配線間にＤＣＩＯＶを印加しア
ルミニウム配線が腐食断線を起こすまでの時間を測定し
友。結果を第５表に示す。
ルミニウム配線が腐食断線を起こすまでの時間を測定し
友。結果を第５表に示す。
比較例１７〜２０
前記比較例１０．１１．１３及び１４の４種類のエポキ
シ樹脂組成物（成形材料）を用いて、上記同様に半導体
装置をモールドレアルミニウム配線の断線発生時間を測
定しｔ０結果を第５表に示す。
シ樹脂組成物（成形材料）を用いて、上記同様に半導体
装置をモールドレアルミニウム配線の断線発生時間を測
定しｔ０結果を第５表に示す。
第５表から、本発明のエポキシ樹脂組成物でモールドし
次半導体装置は、高温高湿下でアルミニウム配線の腐食
による断線が極めて起りにくい傾向にあることが明らか
である。
次半導体装置は、高温高湿下でアルミニウム配線の腐食
による断線が極めて起りにくい傾向にあることが明らか
である。
第 ５′ 表
畳各々３０個の封止品について試験を行い、腐食断線時
間（ｈ）は各々半数の封止品が腐食断線を起すまでの時
間で表示し友。
間（ｈ）は各々半数の封止品が腐食断線を起すまでの時
間で表示し友。
前記し九ように、従来になく、優れ九潜在性硬化促進剤
を含む本発明の樹脂組成物は貯蔵安定性に優れ、しかも
各成分が加熱溶融方式で均一に混練されてなるので、加
熱成形時には速やかに碩化して良好な耐熱性゛、耐湿性
、電気特性などをも１つ次成形品を提供することができ
る。従って該樹脂組成物によって被覆ないしモールシ゛
シて々る本発明の樹脂刺止型半導体装置は、緒特性とく
に耐湿信頼性において良好な成績を示す。
を含む本発明の樹脂組成物は貯蔵安定性に優れ、しかも
各成分が加熱溶融方式で均一に混練されてなるので、加
熱成形時には速やかに碩化して良好な耐熱性゛、耐湿性
、電気特性などをも１つ次成形品を提供することができ
る。従って該樹脂組成物によって被覆ないしモールシ゛
シて々る本発明の樹脂刺止型半導体装置は、緒特性とく
に耐湿信頼性において良好な成績を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、固型のエポキシ樹脂、固型のフェノール化合物硬化
促進剤及び無機質充填剤を含む成分を溶融混練してなる
樹脂組成物によつて被覆ないしモールドされた樹脂封止
型半導体装置において、該硬化促進剤が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＾１〜Ｒ＾８は炭化水素基であり、かつ、Ｒ
＾５〜Ｒ＾８のうちの少なくとも１種は１〜６個の炭素
原子をもつアルキル基である）で表わされるテトラ置換
ホスホニウム・テトラ置換ポレートであることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 ２、前記Ｒ＾５〜Ｒ＾８のうちの少なくとも１種がブチ
ル基である特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導
体装置。 ３、前記エポキシ樹脂がエポキシ当量１５６以上、軟化
点３０℃以上のノボラック型エポキシ樹脂である特許請
求の範囲第１項または第２項記載の樹脂封止型半導体装
置。 ４、前記フェノール化合物が水酸基当量１００以上、軟
化点３０℃以上のノボラック型フェノール樹脂またはア
ルケニルフェノール重合体である特許請求の範囲第１項
または第２項記載の樹脂封止型半導体装置。 ５、前記硬化促進剤の配合量がエポキシ樹脂１００重量
部当り０．００１〜０．０１モルの範囲にある特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の樹脂封止
型半導体装置。 ６、前記樹脂組成物の無機質充填剤含有率が６０〜８０
重量％である特許請求の範囲第１項または第２項記載の
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044835A JPS61204954A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044835A JPS61204954A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204954A true JPS61204954A (ja) | 1986-09-11 |
| JPH0576490B2 JPH0576490B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=12702523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60044835A Granted JPS61204954A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204954A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437044A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| JPH06228280A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-08-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 |
| JP2014022595A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びフリップチップ実装用接着剤 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49118798A (ja) * | 1973-03-19 | 1974-11-13 | ||
| JPS55153358A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of resin sealed semiconductor device |
| JPS6054458A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60044835A patent/JPS61204954A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49118798A (ja) * | 1973-03-19 | 1974-11-13 | ||
| JPS55153358A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of resin sealed semiconductor device |
| JPS6054458A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437044A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| JPH06228280A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-08-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤及びエポキシ樹脂組成物並びに半導体装置 |
| JP2014022595A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びフリップチップ実装用接着剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576490B2 (ja) | 1993-10-22 |
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