JP2003277583A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2003277583A JP2003277583A JP2002084077A JP2002084077A JP2003277583A JP 2003277583 A JP2003277583 A JP 2003277583A JP 2002084077 A JP2002084077 A JP 2002084077A JP 2002084077 A JP2002084077 A JP 2002084077A JP 2003277583 A JP2003277583 A JP 2003277583A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin composition
- coupling agent
- fused silica
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流動性、耐半田性に優れた特性を有する半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ、（Ｅ）カ
ップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であ
って、前記溶融シリカの表面のシラノール基１個に対
し、前記カップリング剤の分子数が０．１〜１０個であ
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ、（Ｅ）カ
ップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であ
って、前記溶融シリカの表面のシラノール基１個に対
し、前記カップリング剤の分子数が０．１〜１０個であ
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流動性、耐半田性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用
いた半導体装置に関するものである。
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用
いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼
性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近年
の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向にお
いて、半導体の高集積化も年々進み、又半導体装置の表
面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。
このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決出来
ない問題点も出てきている。その最大の問題点は、表面
実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは半田リフ
ロー工程で急激に２００℃以上の高温にさらされ、吸湿
した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装
置にクラックが発生したり、半導体素子、リードフレー
ム、インナーリード上の各種メッキされた各接合部分と
エポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたりし
て、信頼性が著しく低下する現象である。
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼
性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近年
の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向にお
いて、半導体の高集積化も年々進み、又半導体装置の表
面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。
このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決出来
ない問題点も出てきている。その最大の問題点は、表面
実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは半田リフ
ロー工程で急激に２００℃以上の高温にさらされ、吸湿
した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装
置にクラックが発生したり、半導体素子、リードフレー
ム、インナーリード上の各種メッキされた各接合部分と
エポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたりし
て、信頼性が著しく低下する現象である。
【０００３】半田処理による信頼性低下を改善するため
に、エポキシ樹脂組成物中の無機質充填材の充填量を増
加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成
し耐半田性を向上させ、低溶融粘度の樹脂を使用して、
成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法がある。と
ころが無機質充填材を多量に配合されたエポキシ樹脂組
成物は、成形時のエポキシ樹脂組成物の溶融粘度が高く
なり、流動性が悪化し充填不良等の問題が生じ、良好な
半導体封止用エポキシ樹脂組成物は得られなかった。
に、エポキシ樹脂組成物中の無機質充填材の充填量を増
加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成
し耐半田性を向上させ、低溶融粘度の樹脂を使用して、
成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法がある。と
ころが無機質充填材を多量に配合されたエポキシ樹脂組
成物は、成形時のエポキシ樹脂組成物の溶融粘度が高く
なり、流動性が悪化し充填不良等の問題が生じ、良好な
半導体封止用エポキシ樹脂組成物は得られなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、流動性に優
れ、熱時強度が高い特性を有する半導体封止用エポキシ
樹脂組成物及び耐半田性に優れた半導体装置を提供する
ものである。
れ、熱時強度が高い特性を有する半導体封止用エポキシ
樹脂組成物及び耐半田性に優れた半導体装置を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、［１］
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬
化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ及び（Ｅ）カップリング剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記溶
融シリカの表面のシラノール基１個に対し、前記カップ
リング剤の分子数が０．１〜１０個であることを特徴と
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、［２］ 溶融シ
リカが、表面シラノール基密度０．５〜６個／ｎｍ2で
ある第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、［３］ カップリング剤が、一般式（１）で示され
る化合物である第［１］項又は［２］項記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬
化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ及び（Ｅ）カップリング剤
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記溶
融シリカの表面のシラノール基１個に対し、前記カップ
リング剤の分子数が０．１〜１０個であることを特徴と
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、［２］ 溶融シ
リカが、表面シラノール基密度０．５〜６個／ｎｍ2で
ある第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、［３］ カップリング剤が、一般式（１）で示され
る化合物である第［１］項又は［２］項記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、
【０００６】
【化２】
【０００７】［４］ 第［１］項〜［３］項のいずれか
に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、で
ある。
に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、で
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂とし
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造は特に限定するものではないが、例えばビフェニ
ル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ス
チルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェ
ニレン骨格、ジフェニレン骨格等を有する）等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
ては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造は特に限定するものではないが、例えばビフェニ
ル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ス
チルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェ
ニレン骨格、ジフェニレン骨格等を有する）等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【０００９】本発明に用いるフェノール樹脂としては、
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えばフェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシク
ロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェ
ノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノール
アラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格等
を有する）等が挙げられ、これらは単独でも混合して用
いても差し支えない。これらの配合量としては、全エポ
キシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノー
ル性水酸基数の比は、０．８〜１．３が好ましい。
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分
子構造を特に限定するものではないが、例えばフェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシク
ロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェ
ノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノール
アラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格等
を有する）等が挙げられ、これらは単独でも混合して用
いても差し支えない。これらの配合量としては、全エポ
キシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノー
ル性水酸基数の比は、０．８〜１．３が好ましい。
【００１０】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用
いることができる。例えば１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィ
ン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
単独でも混合して用いても差し支えない。
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用
いることができる。例えば１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィ
ン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは
単独でも混合して用いても差し支えない。
【００１１】本発明での溶融シリカの表面のシラノール
基１個に対するカップリング剤分子数は、０．１〜１０
個である。０．１個未満であると十分な流動性やエポキ
シ樹脂組成物の硬化物の強度が得られず、１０個を越え
ると自己縮合できずに溶融シリカ表面に固着できないカ
ップリング剤が多くなり、エポキシ樹脂とフェノール樹
脂の反応に関与して粘度上昇、保存性の低下を起こす。
本発明でのシラノール基１個に対するカップリング剤分
子数の計算例を、実施例１も用いて説明すると、溶融シ
リカ（比表面積３．２ｍ2／ｇ、表面シラノール基密度
２．１個／ｎｍ2）８５．０重量部に、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランカップリング剤（分子量
２３６．３）０．３０重量部添加したときのシラノール
基１個に対するカップリング剤の分子数は、（１／２３
６．３×６．０２×１０23×０．３）／（３．２×２．
１×１０18×８５）＝１．３４個となる。
基１個に対するカップリング剤分子数は、０．１〜１０
個である。０．１個未満であると十分な流動性やエポキ
シ樹脂組成物の硬化物の強度が得られず、１０個を越え
ると自己縮合できずに溶融シリカ表面に固着できないカ
ップリング剤が多くなり、エポキシ樹脂とフェノール樹
脂の反応に関与して粘度上昇、保存性の低下を起こす。
本発明でのシラノール基１個に対するカップリング剤分
子数の計算例を、実施例１も用いて説明すると、溶融シ
リカ（比表面積３．２ｍ2／ｇ、表面シラノール基密度
２．１個／ｎｍ2）８５．０重量部に、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランカップリング剤（分子量
２３６．３）０．３０重量部添加したときのシラノール
基１個に対するカップリング剤の分子数は、（１／２３
６．３×６．０２×１０23×０．３）／（３．２×２．
１×１０18×８５）＝１．３４個となる。
【００１２】本発明に用いるカップリング剤とは、通常
無機物質の表面処理に用いられているカップリング剤を
指す。例えばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミ
ノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシ
ラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／
ジルコニウムカップリング剤等が挙げられるが、最も好
適に使用されるものとしてはシランカップリング剤であ
り、より好ましくは一般式（１）で示される構造のもの
である。これらは単独でも混合して用いても差し支えな
い。又カップリング剤は、予め水或いは必要に応じて酸
又はアルカリを添加して、加水分解処理して用いてもよ
い。カップリング剤は、溶融シリカの表面のシラノール
基と反応し、溶融シリカの表面に固着することにより、
その効果を発揮すると考えられている。又シラノール基
と反応して固着したカップリング剤分子を起点にしてカ
ップリング剤同士が自己縮合して溶融シリカの表面を被
覆すると考えられる。
無機物質の表面処理に用いられているカップリング剤を
指す。例えばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミ
ノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシ
ラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／
ジルコニウムカップリング剤等が挙げられるが、最も好
適に使用されるものとしてはシランカップリング剤であ
り、より好ましくは一般式（１）で示される構造のもの
である。これらは単独でも混合して用いても差し支えな
い。又カップリング剤は、予め水或いは必要に応じて酸
又はアルカリを添加して、加水分解処理して用いてもよ
い。カップリング剤は、溶融シリカの表面のシラノール
基と反応し、溶融シリカの表面に固着することにより、
その効果を発揮すると考えられている。又シラノール基
と反応して固着したカップリング剤分子を起点にしてカ
ップリング剤同士が自己縮合して溶融シリカの表面を被
覆すると考えられる。
【００１３】カップリング剤で予め溶融シリカの表面を
処理する場合は、スーパーミキサー等で溶融シリカと、
シラノール基１個に対してカップリング剤分子数が０．
１〜１０個となる量のカップリング剤を攪拌混合し、混
合機から取り出して常温にて１日以上放置する方法が有
効である。カップリング剤を溶融シリカの表面に均一に
処理するために、更に水又は有機溶媒を加えて攪拌した
後に、常温にて１日以上放置するという手法も有効であ
り、噴霧機によりゆっくりとまんべんなく添加する方法
もよい。又より反応を進めるために攪拌時に混合機内の
温度を５０〜２００℃に加熱するか、或いは常温で攪拌
し混合機から取り出した後に５０〜２００℃で加熱して
もよい。
処理する場合は、スーパーミキサー等で溶融シリカと、
シラノール基１個に対してカップリング剤分子数が０．
１〜１０個となる量のカップリング剤を攪拌混合し、混
合機から取り出して常温にて１日以上放置する方法が有
効である。カップリング剤を溶融シリカの表面に均一に
処理するために、更に水又は有機溶媒を加えて攪拌した
後に、常温にて１日以上放置するという手法も有効であ
り、噴霧機によりゆっくりとまんべんなく添加する方法
もよい。又より反応を進めるために攪拌時に混合機内の
温度を５０〜２００℃に加熱するか、或いは常温で攪拌
し混合機から取り出した後に５０〜２００℃で加熱して
もよい。
【００１４】本発明で用いる溶融シリカの表面シラノー
ル基密度は、溶融シリカに大過剰のヘキサメチルジシラ
ザンを加え、３００℃で２時間放置して、溶融シリカ表
面のシラノール基とヘキサメチルジサラザンを完全に反
応させた後、未反応分を洗浄し、Ｌｅｃｏ社 ＣＨＮ−
９００により炭素量を求め、その量より、シラノール基
密度を算出する。溶融シリカの表面のシラノール基密度
としては、特に限定するものではないが、０．５〜６個
／ｎｍ2が好ましい。０．５個／ｎｍ2未満だとカップリ
ング剤との反応点が少なく十分な流動性やエポキシ樹脂
組成物の硬化物の熱時強度が得られないおそれがあり、
６個／ｎｍ2を越えると溶融シリカが水分を吸収し易く
なり、熱時のエポキシ樹脂組成物硬化物の強度を低下さ
せるおそれがあるので好ましくない。
ル基密度は、溶融シリカに大過剰のヘキサメチルジシラ
ザンを加え、３００℃で２時間放置して、溶融シリカ表
面のシラノール基とヘキサメチルジサラザンを完全に反
応させた後、未反応分を洗浄し、Ｌｅｃｏ社 ＣＨＮ−
９００により炭素量を求め、その量より、シラノール基
密度を算出する。溶融シリカの表面のシラノール基密度
としては、特に限定するものではないが、０．５〜６個
／ｎｍ2が好ましい。０．５個／ｎｍ2未満だとカップリ
ング剤との反応点が少なく十分な流動性やエポキシ樹脂
組成物の硬化物の熱時強度が得られないおそれがあり、
６個／ｎｍ2を越えると溶融シリカが水分を吸収し易く
なり、熱時のエポキシ樹脂組成物硬化物の強度を低下さ
せるおそれがあるので好ましくない。
【００１５】本発明に用いる溶融シリカの含有量は、特
に限定するものではないが、全エポキシ樹脂組成物中に
６５〜９５重量％が好ましく、更に好ましくは７０〜９
４重量％望ましい。下限値を下回ると吸湿率の上昇に伴
い耐半田性が低下し、上限値を越えると金線変形及びパ
ッドシフト等の問題が生じるので好ましくない。
に限定するものではないが、全エポキシ樹脂組成物中に
６５〜９５重量％が好ましく、更に好ましくは７０〜９
４重量％望ましい。下限値を下回ると吸湿率の上昇に伴
い耐半田性が低下し、上限値を越えると金線変形及びパ
ッドシフト等の問題が生じるので好ましくない。
【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分を必須とするが、必要に応じてカーボンブラ
ック等の着色剤、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミ等の無機充填材、天然ワックス、合成
ワックス等の離型剤及びシリコーンオイル、ゴム等の低
応力添加剤、臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、
赤燐、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ほう
酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤
等の添加剤を適宜配合しても差し支えない。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に
応じて添加する添加物をミキサー等を用いて十分に均一
に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練
し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止
し、半導体装置を製造するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
（Ｅ）成分を必須とするが、必要に応じてカーボンブラ
ック等の着色剤、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミ等の無機充填材、天然ワックス、合成
ワックス等の離型剤及びシリコーンオイル、ゴム等の低
応力添加剤、臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、
赤燐、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ほう
酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤
等の添加剤を適宜配合しても差し支えない。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に
応じて添加する添加物をミキサー等を用いて十分に均一
に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練
し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止
し、半導体装置を製造するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
【００１７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。なお、実施例及び比較例で用いた溶融シリカ及びカ
ップリング剤の内容について以下に示す。表面シラノー
ル基密度は、前記した方法で求めた。なお用いた溶融シ
リカのシラノール基数は、表１、表２に示す。
れらに限定されるものではない。配合割合は重量部とす
る。なお、実施例及び比較例で用いた溶融シリカ及びカ
ップリング剤の内容について以下に示す。表面シラノー
ル基密度は、前記した方法で求めた。なお用いた溶融シ
リカのシラノール基数は、表１、表２に示す。
【００１８】溶融シリカ１（比表面積３．２ｍ2／ｇ、
表面シラノール基密度２．１個／ｎｍ2） 溶融シリカ２（比表面積４．１ｍ2／ｇ、表面シラノー
ル基密度３．８個／ｎｍ2） カップリング剤１（γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシランカップリング剤、分子量２３６．３） カップリング剤２（γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ランカップリング剤、分子量２２１．４）
表面シラノール基密度２．１個／ｎｍ2） 溶融シリカ２（比表面積４．１ｍ2／ｇ、表面シラノー
ル基密度３．８個／ｎｍ2） カップリング剤１（γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシランカップリング剤、分子量２３６．３） カップリング剤２（γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ランカップリング剤、分子量２２１．４）
【００１９】
実施例１
溶融シリカ１ ８５．０重量部
カップリング剤１ ０．３重量部
エポキシ樹脂［ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００、エポキシ
当量１９０ｇ／ｅｑ、融点１０５℃、以下、Ｅ−１という］ ７．２重量部
フェノール樹脂［三井化学（株）製、ＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１６５ｇ／ｅ
ｑ、軟化点７９℃、以下Ｈ−１という］ ６．２重量部
１、８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという
） ０．５重量部
カーボンブラック ０．３重量部
カルナバワックス ０．５重量部
を混合し、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練して
冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエ
ポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表
１に示す。
冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエ
ポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表
１に示す。
【００２０】評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用金型を用いて、金型温度１７５℃、圧
力６．９ＭＰa、硬化時間１２０秒で測定した。 熱時曲げ強度・熱時曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ ６９１１
（５．１７．１ 成形材料）の試験条件に準じて測定し
た。試験片（長さ８０ｍｍ、高さ４ｍｍ、幅１０ｍｍ）
は、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時
間１２０秒でトランスファー成形機を用いて成形し、１
７５℃、８時間で後硬化して作成した。この試験片を測
定台(支点間距離６４ｍｍ)に設置し、２６０℃に保持し
た槽内で６分間予熱した後測定した。単位はＭＰａ。 耐半田性：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度
１７５℃、圧力８．３ＭＰａ、硬化時間１２０秒で８０
ｐＱＦＰ（チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ）を成
形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理した
後、８５℃、相対湿度８５％で１２０時間の吸水処理を
行った後、２６０℃のＩＲリフロー処理をした。パッケ
ージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機で確認した。
１０個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
ラルフロー測定用金型を用いて、金型温度１７５℃、圧
力６．９ＭＰa、硬化時間１２０秒で測定した。 熱時曲げ強度・熱時曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ ６９１１
（５．１７．１ 成形材料）の試験条件に準じて測定し
た。試験片（長さ８０ｍｍ、高さ４ｍｍ、幅１０ｍｍ）
は、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時
間１２０秒でトランスファー成形機を用いて成形し、１
７５℃、８時間で後硬化して作成した。この試験片を測
定台(支点間距離６４ｍｍ)に設置し、２６０℃に保持し
た槽内で６分間予熱した後測定した。単位はＭＰａ。 耐半田性：低圧トランスファー成形機を用いて成形温度
１７５℃、圧力８．３ＭＰａ、硬化時間１２０秒で８０
ｐＱＦＰ（チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ）を成
形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理した
後、８５℃、相対湿度８５％で１２０時間の吸水処理を
行った後、２６０℃のＩＲリフロー処理をした。パッケ
ージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機で確認した。
１０個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
【００２１】実施例２〜７、比較例１〜４
表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。
結果を表１、表２に示す。
シ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。
結果を表１、表２に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】本発明に従うと、溶融シリカの表面のシ
ラノール基１個に対するカップリング剤の分子数が０．
１〜１０個となるように配合されたエポキシ樹脂組成物
は、流動性に優れ、その硬化物は熱時の強度が高くなる
特性を有しており、これを用いて封止された半導体装置
は、耐半田性に優れている。
ラノール基１個に対するカップリング剤の分子数が０．
１〜１０個となるように配合されたエポキシ樹脂組成物
は、流動性に優れ、その硬化物は熱時の強度が高くなる
特性を有しており、これを用いて封止された半導体装置
は、耐半田性に優れている。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/31
Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC052 CC072 CD041
CD051 CD061 CD071 CD131
CE002 DJ017 EU116 EU136
EW176 EX018 EX068 EX078
FD017 FD142 FD156 FD208
4J036 AA01 DC41 DC46 FA05 FA13
FB07 GA04 JA07
4M109 AA01 CA21 EA02 EB03 EB06
EB13 EB17 EC05
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ及び（Ｅ）
カップリング剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物で
あって、前記溶融シリカの表面のシラノール基１個に対
し、前記カップリング剤の分子数が０．１〜１０個であ
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 溶融シリカが、表面シラノール基密度
０．５〜６個／ｎｍ2である請求項１記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 カップリング剤が、一般式（１）で示さ
れる化合物である請求項１又は２記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 【化１】 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084077A JP2003277583A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084077A JP2003277583A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003277583A true JP2003277583A (ja) | 2003-10-02 |
Family
ID=29231591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002084077A Pending JP2003277583A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003277583A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005225970A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005336362A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006045393A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002084077A patent/JP2003277583A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005225970A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005336362A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006045393A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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