JP2003105059A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2003105059A JP2003105059A JP2001299402A JP2001299402A JP2003105059A JP 2003105059 A JP2003105059 A JP 2003105059A JP 2001299402 A JP2001299402 A JP 2001299402A JP 2001299402 A JP2001299402 A JP 2001299402A JP 2003105059 A JP2003105059 A JP 2003105059A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱時強度が高く、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐ
ｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレーム等の各種部材
との接着性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）アミド結合、カルボキシ基及びアルコキシ基
を有する一般式（１）で表されるシランカップリング
剤、（Ｄ）無機充填材及び（Ｅ）硬化促進剤を必須成分
とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 【化１】 （Ｒ１は炭素数１〜３のアルコキシ基、Ｒ２は炭素数１
〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基であ
る。ａは平均値で１〜３の整数、ｂは１〜５の整数であ
る）
ｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレーム等の各種部材
との接着性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）アミド結合、カルボキシ基及びアルコキシ基
を有する一般式（１）で表されるシランカップリング
剤、（Ｄ）無機充填材及び（Ｅ）硬化促進剤を必須成分
とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 【化１】 （Ｒ１は炭素数１〜３のアルコキシ基、Ｒ２は炭素数１
〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基であ
る。ａは平均値で１〜３の整数、ｂは１〜５の整数であ
る）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐半田クラック性
に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼
性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近年
の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向にお
いて、半導体素子の高集積化も年々進み、又、半導体装
置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきて
いる。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解
決できない問題点も出てきている。その最大の問題点
は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは
半田リフロー工程で急激に２００℃以上の高温にさらさ
れ、吸水した水分が爆発的に気化する際の応力によっ
て、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の
各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬
化物の界面で剥離が生じたり、半導体装置にクラックが
発生し、信頼性が著しく低下する現象である。
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼
性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近年
の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向にお
いて、半導体素子の高集積化も年々進み、又、半導体装
置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきて
いる。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解
決できない問題点も出てきている。その最大の問題点
は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは
半田リフロー工程で急激に２００℃以上の高温にさらさ
れ、吸水した水分が爆発的に気化する際の応力によっ
て、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の
各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬
化物の界面で剥離が生じたり、半導体装置にクラックが
発生し、信頼性が著しく低下する現象である。
【０００３】半田処理による信頼性低下を改善するため
に、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の充填量を増加
させることで低吸水化、高強度化、低熱膨張化を達成し
耐半田クラック性を向上させるとともに、低溶融粘度の
樹脂成分を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持
させる手法が一般的となりつつある。一方、半田処理時
の信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導
体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の
部材との界面の接着性は非常に重要になってきている。
この界面の接着力が弱いと、半田処理後に部材との界面
で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にク
ラックが発生する。
に、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の充填量を増加
させることで低吸水化、高強度化、低熱膨張化を達成し
耐半田クラック性を向上させるとともに、低溶融粘度の
樹脂成分を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持
させる手法が一般的となりつつある。一方、半田処理時
の信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導
体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の
部材との界面の接着性は非常に重要になってきている。
この界面の接着力が弱いと、半田処理後に部材との界面
で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にク
ラックが発生する。
【０００４】従来から半導体素子やリードフレーム等の
部材との界面の接着性を改善し耐半田クラック性の向上
を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランやγ―アミノプロピルトリエトキシシラン等のカ
ップリング剤がエポキシ樹脂組成物中に配合されてき
た。しかし、近年無鉛半田の採用により実装時の半田リ
フロー温度の上昇や、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−
Ａｕ等のプリプレーティングフレームの登場で、益々厳
しくなっている耐半田クラック性に対する要求に対し
て、これらのカップリング剤では充分に対応できなくな
ってきている。このため半導体素子やリードフレーム等
の部材との界面の接着性に優れたエポキシ樹脂組成物が
求められている。
部材との界面の接着性を改善し耐半田クラック性の向上
を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランやγ―アミノプロピルトリエトキシシラン等のカ
ップリング剤がエポキシ樹脂組成物中に配合されてき
た。しかし、近年無鉛半田の採用により実装時の半田リ
フロー温度の上昇や、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−
Ａｕ等のプリプレーティングフレームの登場で、益々厳
しくなっている耐半田クラック性に対する要求に対し
て、これらのカップリング剤では充分に対応できなくな
ってきている。このため半導体素子やリードフレーム等
の部材との界面の接着性に優れたエポキシ樹脂組成物が
求められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸水後の半
田処理時の半導体装置での剥離が少なく、クラックが少
ない耐半田クラック性に優れた特性を有する半導体封止
用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供するもので
ある。
田処理時の半導体装置での剥離が少なく、クラックが少
ない耐半田クラック性に優れた特性を有する半導体封止
用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供するもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）アミド結
合、カルボキシ基及びアルコキシ基を有する一般式
（１）で表されるシランカップリング剤、（Ｄ）無機充
填材、及び（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とすることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）アミド結
合、カルボキシ基及びアルコキシ基を有する一般式
（１）で表されるシランカップリング剤、（Ｄ）無機充
填材、及び（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とすることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【０００７】
【化４】
（Ｒ１は炭素数１〜３のアルコキシ基、Ｒ２は炭素数１
〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基であ
る。ａは平均値で１〜３の整数、ｂは１〜５の整数であ
る）
〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基であ
る。ａは平均値で１〜３の整数、ｂは１〜５の整数であ
る）
【０００８】［２］エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂である第
［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］エポキシ樹脂が、一般式（２）である第［１］項
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
キシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂である第
［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］エポキシ樹脂が、一般式（２）である第［１］項
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【０００９】
【化５】
（Ｒ３、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基で、それらは
同一もしくは異なっていても良い。ｎは０〜３の整数、
ｍは０〜４の整数。ｐは平均値で１〜８の整数）
同一もしくは異なっていても良い。ｎは０〜３の整数、
ｍは０〜４の整数。ｐは平均値で１〜８の整数）
【００１０】［４］フェノール樹脂が、一般式（３）で
ある第［１］項、［２］項又は［３］項記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、
ある第［１］項、［２］項又は［３］項記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、
【００１１】
【化６】
（Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜６のアルキル基で、それらは
同一もしくは異なっていても良い。ｎは０〜３の整数、
ｍは０〜４の整数。ｐは平均値で１〜８の整数）
同一もしくは異なっていても良い。ｎは０〜３の整数、
ｍは０〜４の整数。ｐは平均値で１〜８の整数）
【００１２】［５］アミド結合、カルボキシ基及びアル
コキシ基を有するシランカップリング剤が、エポキシ樹
脂及び／又はフェノール樹脂の全部又は一部に予め加熱
混合されている第［１］項、［２］項、［３］項又は
［４］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［６］第［１］項〜［５］項のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなることを特徴とする半導体装置、である。
コキシ基を有するシランカップリング剤が、エポキシ樹
脂及び／又はフェノール樹脂の全部又は一部に予め加熱
混合されている第［１］項、［２］項、［３］項又は
［４］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［６］第［１］項〜［５］項のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなることを特徴とする半導体装置、である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるエポキシ樹脂
は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般を指し、例えばオルソクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型
エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル
型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格等
を有する）、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含
有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール
型エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。これらは単独でも２種類以上を併用して
も良い。耐湿信頼性向上のためにエポキシ樹脂中に含ま
れる塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイ
オンは、極力少ないことが望ましい。これらの内では、
無機充填材の充填量を増加できる結晶性のビフェニル型
エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、又はス
チルベン型エポキシ樹脂エポキシ樹脂、また、硬化物の
低吸水性の観点から、疎水性のジフェニレン骨格を有す
るフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、即ち一般式
（２）で示されるエポキシ樹脂が好ましい。
は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般を指し、例えばオルソクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型
エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル
型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格等
を有する）、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含
有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール
型エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。これらは単独でも２種類以上を併用して
も良い。耐湿信頼性向上のためにエポキシ樹脂中に含ま
れる塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイ
オンは、極力少ないことが望ましい。これらの内では、
無機充填材の充填量を増加できる結晶性のビフェニル型
エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、又はス
チルベン型エポキシ樹脂エポキシ樹脂、また、硬化物の
低吸水性の観点から、疎水性のジフェニレン骨格を有す
るフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、即ち一般式
（２）で示されるエポキシ樹脂が好ましい。
【００１４】ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂の内で
は、融点１５０℃以下の結晶性のものが好ましい。１５
０℃を越えると溶融混練時に十分に融解しないので均一
分散できず、この溶融混合物を用いたエポキシ樹脂組成
物の硬化物は不均一となり、強度が各部分によって異な
るために半導体装置の特性が低下するおそれがある。
ル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂の内で
は、融点１５０℃以下の結晶性のものが好ましい。１５
０℃を越えると溶融混練時に十分に融解しないので均一
分散できず、この溶融混合物を用いたエポキシ樹脂組成
物の硬化物は不均一となり、強度が各部分によって異な
るために半導体装置の特性が低下するおそれがある。
【００１５】ビフェニル型エポキシ樹脂としては、例え
ば一般式（４）で示されるものが挙げられる。
ば一般式（４）で示されるものが挙げられる。
【化７】
（式中、Ｒ７は炭素数１〜６のアルキル基で、それらは
同一もしくは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数） 具体例としては、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニル等のグリシジルエーテル化物が挙げら
れる。
同一もしくは異なっていてもよい。ｍは０〜４の整数） 具体例としては、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニル等のグリシジルエーテル化物が挙げら
れる。
【００１６】ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、
例えば一般式（５）で示されるものが挙げられる。
例えば一般式（５）で示されるものが挙げられる。
【化８】
【００１７】ジフェニレン骨格を有するフェノールアラ
ルキル型エポキシ樹脂、即ち一般式（２）で示されるエ
ポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上有する
エポキシ樹脂であり、エポキシ基間にジフェニレン骨格
を有しており、一般式（２）のエポキシ樹脂を用いたエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物は、架橋密度が低いため可撓
性が高く、かつ疎水性の構造を多く含むことから吸水率
が低いため、エポキシ樹脂組成物の成形時の熱応力或い
は成形品である半導体装置の吸水後の半田処理時の発生
応力が低減されるので、耐半田クラック性が向上する。
一方エポキシ基間の疎水性構造が剛直なジフェニレン骨
格であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の低下
が少ないという特徴を有しているので、熱時強度の低下
が少ない。一般式（２）のエポキシ樹脂の具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。
ルキル型エポキシ樹脂、即ち一般式（２）で示されるエ
ポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上有する
エポキシ樹脂であり、エポキシ基間にジフェニレン骨格
を有しており、一般式（２）のエポキシ樹脂を用いたエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物は、架橋密度が低いため可撓
性が高く、かつ疎水性の構造を多く含むことから吸水率
が低いため、エポキシ樹脂組成物の成形時の熱応力或い
は成形品である半導体装置の吸水後の半田処理時の発生
応力が低減されるので、耐半田クラック性が向上する。
一方エポキシ基間の疎水性構造が剛直なジフェニレン骨
格であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の低下
が少ないという特徴を有しているので、熱時強度の低下
が少ない。一般式（２）のエポキシ樹脂の具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。
【００１８】
【化９】
【００１９】本発明に用いられるフェノール樹脂として
は、フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマ
ー、ポリマー全般を指し、例えばフェノールノボラック
樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格等を有す
る）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジ
フェニレン骨格等を有する）、トリフェノールメタン樹
脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂等が挙げられるが、これらに限定
されるものではない。又これらは単独でも２種類以上を
併用しても良い。耐湿信頼性向上のためには、フェノー
ル樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオン、そ
の他フリーのイオンは、極力少ないことが望ましい。
は、フェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマ
ー、ポリマー全般を指し、例えばフェノールノボラック
樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂（フェニレン骨格、ジフェニレン骨格等を有す
る）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ジ
フェニレン骨格等を有する）、トリフェノールメタン樹
脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂等が挙げられるが、これらに限定
されるものではない。又これらは単独でも２種類以上を
併用しても良い。耐湿信頼性向上のためには、フェノー
ル樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオン、そ
の他フリーのイオンは、極力少ないことが望ましい。
【００２０】これらの内では、ジフェニレン骨格を有す
るフェノールアラルキル樹脂、即ち一般式（３）で示さ
れるフェノール樹脂が好ましい。一般式（３）で示され
るフェノール樹脂は、１分子中にフェノール性水酸基を
２個以上有するフェノール樹脂であり、フェノール性水
酸基間にジフェニレン骨格を有しており、一般式（３）
のフェノール樹脂とを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化
物は、架橋密度が低いため可撓性が高く、かつ疎水性の
構造を多く含むことから吸水率が低いため、エポキシ樹
脂組成物の成形時の熱応力或いは成形品である半導体装
置の吸水後の半田処理時の発生応力が低減されるので、
耐半田クラック性が向上する。一方フェノール性水酸基
間の疎水性構造が剛直なジフェニレン骨格であることか
ら、架橋密度が低い割には耐熱性の低下が少ないという
特徴を有しているので、熱時強度の低下が少ない。一般
式（３）で示されるフェノール樹脂の具体例を以下に示
すが、これらに限定されるものではない。
るフェノールアラルキル樹脂、即ち一般式（３）で示さ
れるフェノール樹脂が好ましい。一般式（３）で示され
るフェノール樹脂は、１分子中にフェノール性水酸基を
２個以上有するフェノール樹脂であり、フェノール性水
酸基間にジフェニレン骨格を有しており、一般式（３）
のフェノール樹脂とを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化
物は、架橋密度が低いため可撓性が高く、かつ疎水性の
構造を多く含むことから吸水率が低いため、エポキシ樹
脂組成物の成形時の熱応力或いは成形品である半導体装
置の吸水後の半田処理時の発生応力が低減されるので、
耐半田クラック性が向上する。一方フェノール性水酸基
間の疎水性構造が剛直なジフェニレン骨格であることか
ら、架橋密度が低い割には耐熱性の低下が少ないという
特徴を有しているので、熱時強度の低下が少ない。一般
式（３）で示されるフェノール樹脂の具体例を以下に示
すが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
【化１０】
【００２２】全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノー
ル樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ま
しくは０．５〜２．０、特に好ましくは０．７〜１．５
である。０．５〜２．０の範囲を外れると、硬化性、耐
湿信頼性等が低下する可能性がある。
ル樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ま
しくは０．５〜２．０、特に好ましくは０．７〜１．５
である。０．５〜２．０の範囲を外れると、硬化性、耐
湿信頼性等が低下する可能性がある。
【００２３】本発明に用いられるシランカップリング剤
は、アミド結合とカルボキシ基及びアルコキシ基を有
し、カップリング作用をするものである。一般的にシラ
ンカップリング剤は、アルコキシル基と有機官能基を同
一分子内に含んでいるが、本発明で用いる一般式（１）
のシランカップリング剤はアミド結合、カルボキシ基、
アルコキシ基が加水分解されたシラノール基が、半導体
装置の内部に存在するシリコン他の金属等の無機質の各
種部材と反応或いは相互作用し、特にカルボキシ基はエ
ポキシ樹脂と反応するため、半導体装置の各種部材とエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物との接着性を向上させ熱時強
度や耐半田クラック性を改善させるものである。
は、アミド結合とカルボキシ基及びアルコキシ基を有
し、カップリング作用をするものである。一般的にシラ
ンカップリング剤は、アルコキシル基と有機官能基を同
一分子内に含んでいるが、本発明で用いる一般式（１）
のシランカップリング剤はアミド結合、カルボキシ基、
アルコキシ基が加水分解されたシラノール基が、半導体
装置の内部に存在するシリコン他の金属等の無機質の各
種部材と反応或いは相互作用し、特にカルボキシ基はエ
ポキシ樹脂と反応するため、半導体装置の各種部材とエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物との接着性を向上させ熱時強
度や耐半田クラック性を改善させるものである。
【００２４】アミノ基を有するシランカップリング剤は
金属と反応或いは錯体を形成するため密着性が高くな
り、耐半田クラック性が向上することが知られている
が、アミノ基は反応性が高いため、エポキシ樹脂組成物
の保存性を低下させるという欠点があった。しかし本発
明での一般式（１）で示されるシランカップリング剤
は、半導体装置の各種部材との反応性がアミノ基を有す
るシランカップリング剤と同等であり、エポキシ樹脂組
成物の保存性を損なわないという特徴を有する。又一般
式（１）で示されるシランカップリング剤は、ジフェニ
レンエーテル骨格を有するため耐熱性に優れている。
金属と反応或いは錯体を形成するため密着性が高くな
り、耐半田クラック性が向上することが知られている
が、アミノ基は反応性が高いため、エポキシ樹脂組成物
の保存性を低下させるという欠点があった。しかし本発
明での一般式（１）で示されるシランカップリング剤
は、半導体装置の各種部材との反応性がアミノ基を有す
るシランカップリング剤と同等であり、エポキシ樹脂組
成物の保存性を損なわないという特徴を有する。又一般
式（１）で示されるシランカップリング剤は、ジフェニ
レンエーテル骨格を有するため耐熱性に優れている。
【００２５】本発明に用いられるシランカップリング剤
の特性を損なわない範囲で他のシランカップリング剤と
併用できる。併用できるシランカップリング剤として
は、１分子中にアルコキシシリル基とエポキシ基等の有
機官能基を有するシラン化合物全般を指し、例えばγ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン等のエポキシ基を有するシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有
するシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニル基を
有するシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメ
トキシシラン等のメタクリル基を有するシラン等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。又これら
は単独でも２種類以上を併用しても良い。本発明のシラ
ンカップリング剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組
成物中に０．０５〜２重量％が好ましく、特に０．１〜
０．４重量％が好ましい。
の特性を損なわない範囲で他のシランカップリング剤と
併用できる。併用できるシランカップリング剤として
は、１分子中にアルコキシシリル基とエポキシ基等の有
機官能基を有するシラン化合物全般を指し、例えばγ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン等のエポキシ基を有するシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有
するシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニル基を
有するシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメ
トキシシラン等のメタクリル基を有するシラン等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。又これら
は単独でも２種類以上を併用しても良い。本発明のシラ
ンカップリング剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組
成物中に０．０５〜２重量％が好ましく、特に０．１〜
０．４重量％が好ましい。
【００２６】通常カップリング剤はインテグラルブレン
ドによってエポキシ樹脂組成物中に混合されるが、本発
明に用いるシランカップリング剤は、予めエポキシ樹脂
やフェノール樹脂の全部又は一部に加熱混合しても良
い。本発明に用いるシランカップリング剤は、半導体装
置の内部に存在する各種部材とエポキシ樹脂組成物の硬
化物との界面での親和性の向上や化学結合の形成による
界面の接着性の向上にも効果がある。この場合は、配合
されたシランカップリング剤が、エポキシ樹脂組成物の
成形時に半導体装置の各種部材との界面に効率的に移行
しやすいことが必要になる。このために有効な手法が、
本発明のシランカップリング剤を予め樹脂成分に加熱混
合させる方法である。
ドによってエポキシ樹脂組成物中に混合されるが、本発
明に用いるシランカップリング剤は、予めエポキシ樹脂
やフェノール樹脂の全部又は一部に加熱混合しても良
い。本発明に用いるシランカップリング剤は、半導体装
置の内部に存在する各種部材とエポキシ樹脂組成物の硬
化物との界面での親和性の向上や化学結合の形成による
界面の接着性の向上にも効果がある。この場合は、配合
されたシランカップリング剤が、エポキシ樹脂組成物の
成形時に半導体装置の各種部材との界面に効率的に移行
しやすいことが必要になる。このために有効な手法が、
本発明のシランカップリング剤を予め樹脂成分に加熱混
合させる方法である。
【００２７】本発明に用いられる無機充填材の種類につ
いては特に限定されないが、一般に封止材料に用いられ
ているものを使用することができる。例えば溶融破砕シ
リカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、
アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム等が挙
げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。形状は限りな
く真球状であることが好ましく、又粒子の大きさの異な
るものを混合することにより充填量を多くすることがで
きる。無機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂組
成物中に６５〜９４重量％が好ましく、より好ましくは
７５〜９２重量％が望ましい。６５重量％未満だと、無
機充填材による補強効果が十分に発現せず、かつ吸水要
因である樹脂成分の配合量が多くなるので、エポキシ樹
脂組成物の硬化物の吸水量が増大してしまうため、半田
処理時に半導体装置にクラックが発生しやすくなるおそ
れがある。９４重量％を越えるとエポキシ樹脂組成物の
流動性が低下し、成形時に充填不良やチップシフト、パ
ッドシフト、ワイヤースイープが発生しやすくなるおそ
れがある。
いては特に限定されないが、一般に封止材料に用いられ
ているものを使用することができる。例えば溶融破砕シ
リカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、
アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム等が挙
げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。形状は限りな
く真球状であることが好ましく、又粒子の大きさの異な
るものを混合することにより充填量を多くすることがで
きる。無機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂組
成物中に６５〜９４重量％が好ましく、より好ましくは
７５〜９２重量％が望ましい。６５重量％未満だと、無
機充填材による補強効果が十分に発現せず、かつ吸水要
因である樹脂成分の配合量が多くなるので、エポキシ樹
脂組成物の硬化物の吸水量が増大してしまうため、半田
処理時に半導体装置にクラックが発生しやすくなるおそ
れがある。９４重量％を越えるとエポキシ樹脂組成物の
流動性が低下し、成形時に充填不良やチップシフト、パ
ッドシフト、ワイヤースイープが発生しやすくなるおそ
れがある。
【００２８】本発明に用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進
するものであれば良く、例えば１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、ト
リフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム
・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２
−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。又、これ
らは単独でも２種類以上を併用しても良い。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進
するものであれば良く、例えば１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、ト
リフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム
・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２
−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。又、これ
らは単独でも２種類以上を併用しても良い。
【００２９】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水
和物等の無機イオン交換体、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の
低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸
及びその金属塩類或いはパラフィン等の離型剤、酸化防
止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発明の
エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその
他の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、加
熱ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉
砕して得られる。
（Ｅ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水
和物等の無機イオン交換体、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の
低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸
及びその金属塩類或いはパラフィン等の離型剤、酸化防
止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発明の
エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその
他の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、加
熱ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉
砕して得られる。
【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成
形すればよい。特に本発明のエポキシ樹脂組成物は、半
田処理温度が従来より高い場合や、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、
Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームを用
いた半導体装置に適している。
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成
形すればよい。特に本発明のエポキシ樹脂組成物は、半
田処理温度が従来より高い場合や、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、
Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームを用
いた半導体装置に適している。
【００３１】以下、本発明を実施例で具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割
合は重量部とする。 実施例１ 式（６）のビフェニル型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂（エポキシ当量１９ ０、融点１０５℃） ６．２重量部
が、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割
合は重量部とする。 実施例１ 式（６）のビフェニル型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂（エポキシ当量１９ ０、融点１０５℃） ６．２重量部
【００３２】
【化１１】
【００３３】
式（７）のフェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１７４、軟化点７５℃）
５．７重量部
【００３４】
【化１２】
【００３５】
式（８）のシランカップリング剤（以下、シランカップリング剤Ａという）
０．４重量部
【００３６】
【化１３】
【００３７】
溶融球状シリカ ８７．０重量部
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという
） ０．２重量部
カーボンブラック ０．２重量部
カルナバワックス ０．３重量部
をミキサーを用いて常温で混合した後、表面温度が９０
℃と４５℃の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し
て、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂
組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
℃と４５℃の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し
て、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂
組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００３８】評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。
単位はｃｍ。 熱時強度：２４０℃での曲げ強さをＪＩＳ Ｋ ６９１
１に準じて測定した。単位はＮ／ｍｍ2。 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、射出圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２
０秒で１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４×
１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサイズは
８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＮｉ−Ｐｄ−Ａ
ｕ製）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化させた。得
られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％の環境下
で、別々に７２時間と１６８時間放置し、その後２４０
℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡で外部クラック
を観察し、クラック発生率［（クラック発生パッケージ
数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。
又チップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の
割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離
面積）／（チップ面積）×１００］として、１０個のパ
ッケージの平均値を求め、％で表示した。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。
単位はｃｍ。 熱時強度：２４０℃での曲げ強さをＪＩＳ Ｋ ６９１
１に準じて測定した。単位はＮ／ｍｍ2。 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、射出圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２
０秒で１００ピンＴＱＦＰ（パッケージサイズは１４×
１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップサイズは
８．０×８．０ｍｍ、リードフレームはＮｉ−Ｐｄ−Ａ
ｕ製）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化させた。得
られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％の環境下
で、別々に７２時間と１６８時間放置し、その後２４０
℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡で外部クラック
を観察し、クラック発生率［（クラック発生パッケージ
数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。
又チップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の
割合を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離
面積）／（チップ面積）×１００］として、１０個のパ
ッケージの平均値を求め、％で表示した。
【００３９】実施例２〜１０、比較例１〜３
表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結
果を表１、表２に示す。なお実施例１で用いた以外のエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、加熱混合物の詳細を以下
に示す。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ
当量１９６、軟化点５５℃） 式（９）のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量２７２、軟化点５８℃）
シ樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結
果を表１、表２に示す。なお実施例１で用いた以外のエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、加熱混合物の詳細を以下
に示す。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ
当量１９６、軟化点５５℃） 式（９）のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量２７２、軟化点５８℃）
【００４０】
【化１４】
【００４１】式（１０）のフェノールアラルキル樹脂
（水酸基当量２００、軟化点６５℃）
（水酸基当量２００、軟化点６５℃）
【００４２】
【化１５】
【００４３】フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１
０５、軟化点１０５℃）
０５、軟化点１０５℃）
【００４４】加熱混合物の製造例
溶融混合物Ａ
式（６）のビフェニル型エポキシ樹脂を主成分とする樹
脂６．２重量部と式（７）のフェノールアラルキル樹脂
５．７重量部を１１０℃で完全に溶融混合させた後、シ
ランカップリング剤Ａを０．４重量部加えて溶融混合物
Ａを得た。 溶融混合物Ｂ 式（７）のフェノールアラルキル樹脂５．７重量部を１
１０℃で完全に溶融させた後、シランカップリング剤Ａ
を０．４重量部加えて溶融混合物Ｂを得た。
脂６．２重量部と式（７）のフェノールアラルキル樹脂
５．７重量部を１１０℃で完全に溶融混合させた後、シ
ランカップリング剤Ａを０．４重量部加えて溶融混合物
Ａを得た。 溶融混合物Ｂ 式（７）のフェノールアラルキル樹脂５．７重量部を１
１０℃で完全に溶融させた後、シランカップリング剤Ａ
を０．４重量部加えて溶融混合物Ｂを得た。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【表２】
【００４７】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、熱時強
度が高く、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプ
リプレーティングフレーム等の各種部材との接着性に優
れ、これを用いて得られた半導体装置は、基板実装時の
耐半田クラック性に優れている。
度が高く、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプ
リプレーティングフレーム等の各種部材との接着性に優
れ、これを用いて得られた半導体装置は、基板実装時の
耐半田クラック性に優れている。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J036 AA01 AA02 AC01 AC02 AC05
AD07 AD08 AD10 AD15 AD20
AE05 AE07 AF05 AF06 AF08
AJ18 DC40 DC46 DD07 FA03
FA05 FB08 GA04 GA06 GA28
JA07
4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EA03
EB03 EB04 EB06 EB12 EC05
Claims (6)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）アミド結合、カルボキシ基及びアルコキシ基
を有する一般式（１）で表されるシランカップリング
剤、（Ｄ）無機充填材及び（Ｅ）硬化促進剤を必須成分
とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 【化１】 （Ｒ１は炭素数１〜３のアルコキシ基、Ｒ２は炭素数１
〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基であ
る。ａは平均値で１〜３の整数、ｂは１〜５の整数であ
る） - 【請求項２】 エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂である請求項１記
載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 エポキシ樹脂が、一般式（２）である請
求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】 （Ｒ３、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基で、それらは
同一もしくは異なっていても良い。ｎは０〜３の整数、
ｍは０〜４の整数。ｐは平均値で１〜８の整数） - 【請求項４】 フェノール樹脂が、一般式（３）である
請求項１、２又は３記載の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。 【化３】 （Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜６のアルキル基で、それらは
同一もしくは異なっていても良い。ｎは０〜３の整数、
ｍは０〜４の整数。ｐは平均値で１〜８の整数） - 【請求項５】 アミド結合、カルボキシ基及びアルコキ
シ基を有するシランカップリング剤が、エポキシ樹脂及
び／又はフェノール樹脂の全部又は一部に予め加熱混合
されている請求項１、２、３又は４記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299402A JP2003105059A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299402A JP2003105059A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003105059A true JP2003105059A (ja) | 2003-04-09 |
Family
ID=19120162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001299402A Pending JP2003105059A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003105059A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336362A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR20060077799A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
| KR100669508B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-01-16 | 한국화학연구원 | 아믹산-실록산 화합물과 이 화합물을 졸-겔 반응하여제조된 이미드-실록산 중합체 |
| KR100934558B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2009-12-29 | 제일모직주식회사 | 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름 |
| KR101275690B1 (ko) | 2011-07-12 | 2013-06-17 | 강남화성 (주) | 속경화성 페놀수지 성형재료 및 그의 제조방법 |
| KR20190065067A (ko) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
| KR20220161092A (ko) * | 2021-05-28 | 2022-12-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001299402A patent/JP2003105059A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336362A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR20060077799A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
| KR100669508B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-01-16 | 한국화학연구원 | 아믹산-실록산 화합물과 이 화합물을 졸-겔 반응하여제조된 이미드-실록산 중합체 |
| KR100934558B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2009-12-29 | 제일모직주식회사 | 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름 |
| KR101275690B1 (ko) | 2011-07-12 | 2013-06-17 | 강남화성 (주) | 속경화성 페놀수지 성형재료 및 그의 제조방법 |
| KR20190065067A (ko) * | 2017-12-01 | 2019-06-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
| KR102084119B1 (ko) | 2017-12-01 | 2020-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
| KR20220161092A (ko) * | 2021-05-28 | 2022-12-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 |
| KR102587322B1 (ko) | 2021-05-28 | 2023-10-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 |
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