JPH11140386A - 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 - Google Patents
接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置Info
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- JPH11140386A JPH11140386A JP9312543A JP31254397A JPH11140386A JP H11140386 A JPH11140386 A JP H11140386A JP 9312543 A JP9312543 A JP 9312543A JP 31254397 A JP31254397 A JP 31254397A JP H11140386 A JPH11140386 A JP H11140386A
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- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】熱可塑性樹脂と、分子量が４００〜１５０
０の熱硬化性樹脂と、必要に応じてフィラーとを、有機
溶媒中で混合し、基材上に前記混合液の層を形成させ、
加熱・乾燥し、基材を除去することによって、２５０℃
で２分間加熱したときの重量減少量が接着フィルム１mm
3当り１００μｇ以下である接着フィルムが得られる。
熱可塑性樹脂としてはポリイミド樹脂、熱硬化性樹脂と
してはエポキシ樹脂が好適である。 【効果】本発明の接着フィルムは、実装時の半田付け熱
処理に耐え、かつ、アウトガス（フューム）発生量が少
ないので、半導体素子や加熱装置を汚染しない。
０の熱硬化性樹脂と、必要に応じてフィラーとを、有機
溶媒中で混合し、基材上に前記混合液の層を形成させ、
加熱・乾燥し、基材を除去することによって、２５０℃
で２分間加熱したときの重量減少量が接着フィルム１mm
3当り１００μｇ以下である接着フィルムが得られる。
熱可塑性樹脂としてはポリイミド樹脂、熱硬化性樹脂と
してはエポキシ樹脂が好適である。 【効果】本発明の接着フィルムは、実装時の半田付け熱
処理に耐え、かつ、アウトガス（フューム）発生量が少
ないので、半導体素子や加熱装置を汚染しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着フィルム、そ
の製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置に
関し、更に詳しくは、半導体素子等の電子部品とリード
フレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接着材料、
すなわちダイボンド用に好適な接着フィルム及びその製
造法、並びにその接着フィルムを用いてつくられる接着
フィルム付き支持部材及び半導体装置に関する。
の製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置に
関し、更に詳しくは、半導体素子等の電子部品とリード
フレームや絶縁性支持基板等の支持部材との接着材料、
すなわちダイボンド用に好適な接着フィルム及びその製
造法、並びにその接着フィルムを用いてつくられる接着
フィルム付き支持部材及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等の電子部品とリードフレー
ムや絶縁性支持基板等の支持部材との接着材料として
は、従来、Au−Si共晶合金、半田、銀ペースト、接着フ
ィルム等が知られている。これらのなかで、Au−Si共晶
合金及び半田は弾性率が大きく、半導体素子の高集積化
に対応した大型チップへの適用が困難なため、近年は、
弾性率が小さい銀ペーストや接着フィルムが主に使用さ
れている。銀ペーストは耐熱信頼性の点から熱硬化性樹
脂を主成分としたものが主流であり、接着フィルムはフ
ィルム形成性の点から熱可塑性樹脂を用いたものが主流
であるが、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを用いた接着
フィルムも提案されている。
ムや絶縁性支持基板等の支持部材との接着材料として
は、従来、Au−Si共晶合金、半田、銀ペースト、接着フ
ィルム等が知られている。これらのなかで、Au−Si共晶
合金及び半田は弾性率が大きく、半導体素子の高集積化
に対応した大型チップへの適用が困難なため、近年は、
弾性率が小さい銀ペーストや接着フィルムが主に使用さ
れている。銀ペーストは耐熱信頼性の点から熱硬化性樹
脂を主成分としたものが主流であり、接着フィルムはフ
ィルム形成性の点から熱可塑性樹脂を用いたものが主流
であるが、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを用いた接着
フィルムも提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】熱硬化性樹脂を主成分
とした銀ペーストは、半導体パッケージの組み立て加熱
時に、銀ペーストから発生するアウトガス（フューム）
が半導体素子を汚染し、ワイヤボンド工程におけるワイ
ヤボンダビリティ（ワイヤボンド特性）が低下する問題
がある。また、フュームが加熱装置に付着するという問
題もある。
とした銀ペーストは、半導体パッケージの組み立て加熱
時に、銀ペーストから発生するアウトガス（フューム）
が半導体素子を汚染し、ワイヤボンド工程におけるワイ
ヤボンダビリティ（ワイヤボンド特性）が低下する問題
がある。また、フュームが加熱装置に付着するという問
題もある。
【０００４】熱可塑性樹脂を用いた接着フィルムは、加
熱時に発生するアウトガス（フューム）量が少なく、融
点の低い熱可塑性樹脂を選んで用いると接着温度を低く
することができ、リードフレームの酸化等、チップに与
えるダメージを少なくすることができる。しかし、融点
の低い熱可塑性樹脂を用いた接着フィルムは、熱時の接
着力が低いのでダイボンド後の熱処理（例えばワイヤボ
ンド工程、封止工程等）に耐えられないという問題があ
る。
熱時に発生するアウトガス（フューム）量が少なく、融
点の低い熱可塑性樹脂を選んで用いると接着温度を低く
することができ、リードフレームの酸化等、チップに与
えるダメージを少なくすることができる。しかし、融点
の低い熱可塑性樹脂を用いた接着フィルムは、熱時の接
着力が低いのでダイボンド後の熱処理（例えばワイヤボ
ンド工程、封止工程等）に耐えられないという問題があ
る。
【０００５】また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを用
いた接着フィルムは、融点の低い熱可塑性樹脂を選んで
用いることによって接着温度の低温化を図り、熱硬化性
樹脂を使用することによって、熱時における高い接着力
と共に実装時における２５０℃前後の半田付け熱処理に
も耐えることができるが、熱硬化性樹脂を含有するため
加熱時にアウトガスが発生し易い問題がある。
いた接着フィルムは、融点の低い熱可塑性樹脂を選んで
用いることによって接着温度の低温化を図り、熱硬化性
樹脂を使用することによって、熱時における高い接着力
と共に実装時における２５０℃前後の半田付け熱処理に
も耐えることができるが、熱硬化性樹脂を含有するため
加熱時にアウトガスが発生し易い問題がある。
【０００６】本発明の目的は、半導体素子等の電子部品
とリードフレームや絶縁性支持基板とを接着させる接着
フィルムであって、熱時における高い接着力と共に実装
時における２５０℃前後の半田付け熱処理にも耐え、か
つ、アウトガス（フューム）発生が少なく、それゆえ、
半導体素子や加熱装置の汚染、ワイヤボンド特性の低下
等の問題も解決する接着フィルムを提供することであ
る。
とリードフレームや絶縁性支持基板とを接着させる接着
フィルムであって、熱時における高い接着力と共に実装
時における２５０℃前後の半田付け熱処理にも耐え、か
つ、アウトガス（フューム）発生が少なく、それゆえ、
半導体素子や加熱装置の汚染、ワイヤボンド特性の低下
等の問題も解決する接着フィルムを提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】熱硬化性樹脂を主成分と
した銀ペーストや熱硬化性樹脂を含む接着フィルムが加
熱された時に発生するアウトガス（フューム）成分を分
析したところ、これは主として使用した熱硬化性樹脂の
未反応樹脂、溶剤又は反応性希釈剤に起因することが分
かった。そこで、種々の熱硬化性樹脂の検討及び接着フ
ィルム製造条件の最適化等を鋭意検討し、本発明を完成
するに至ったのである。
した銀ペーストや熱硬化性樹脂を含む接着フィルムが加
熱された時に発生するアウトガス（フューム）成分を分
析したところ、これは主として使用した熱硬化性樹脂の
未反応樹脂、溶剤又は反応性希釈剤に起因することが分
かった。そこで、種々の熱硬化性樹脂の検討及び接着フ
ィルム製造条件の最適化等を鋭意検討し、本発明を完成
するに至ったのである。
【０００８】すなわち、本発明は先ず、熱可塑性樹脂及
び熱硬化性樹脂を含有する接着フィルムであって、前記
接着フィルムを２５０℃で２分間加熱したときの重量減
少量が、接着フィルム１ｍｍ3当り１００μｇ以下であ
る接着フィルムを提供する。また、本発明は、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着フィル
ムであって、前記接着フィルムを２５０℃で２分間加熱
したときの重量減少量が、接着フィルム１mm3当り１０
０μｇ以下である（フィラー入り）接着フィルムを提供
する。ここで、上記接着フィルムは、基材に接着フィル
ムが付着しているもの（すなわち、基材付き接着フィル
ム）であってもよい。
び熱硬化性樹脂を含有する接着フィルムであって、前記
接着フィルムを２５０℃で２分間加熱したときの重量減
少量が、接着フィルム１ｍｍ3当り１００μｇ以下であ
る接着フィルムを提供する。また、本発明は、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着フィル
ムであって、前記接着フィルムを２５０℃で２分間加熱
したときの重量減少量が、接着フィルム１mm3当り１０
０μｇ以下である（フィラー入り）接着フィルムを提供
する。ここで、上記接着フィルムは、基材に接着フィル
ムが付着しているもの（すなわち、基材付き接着フィル
ム）であってもよい。
【０００９】本発明は、また、上記の接着フィルム又は
基材フィルム付き接着フィルムの製造法も提供する。す
なわち、上記接着フィルムの製造法は、（１）熱可塑性
樹脂と、分子量が４００〜１５００の熱硬化性樹脂と、
必要に応じてフィラーとを、有機溶媒中で混合し、
（２）基材上に前記混合物の層を形成させ、（３）加熱
・乾燥し、（４）基材を除去する、ことを特徴とする。
基材フィルム付き接着フィルムの製造法も提供する。す
なわち、上記接着フィルムの製造法は、（１）熱可塑性
樹脂と、分子量が４００〜１５００の熱硬化性樹脂と、
必要に応じてフィラーとを、有機溶媒中で混合し、
（２）基材上に前記混合物の層を形成させ、（３）加熱
・乾燥し、（４）基材を除去する、ことを特徴とする。
【００１０】上記基材付き接着フィルムの製造法は、
（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４００〜１５００の熱
硬化性樹脂と、必要に応じてフィラーとを、有機溶媒中
で混合し、（２）基材上に前記混合物の層を形成させ、
（３）加熱・乾燥する、ことを特徴とする。
（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４００〜１５００の熱
硬化性樹脂と、必要に応じてフィラーとを、有機溶媒中
で混合し、（２）基材上に前記混合物の層を形成させ、
（３）加熱・乾燥する、ことを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、支持部材上に前記接着フ
ィルムを接着させた接着フィルム付き支持部材を提供す
る。
ィルムを接着させた接着フィルム付き支持部材を提供す
る。
【００１２】更に、本発明は、半導体素子を上記の接着
フィルムを用いて支持部材に接着し、半導体素子を封止
材で封止した半導体装置を提供する。
フィルムを用いて支持部材に接着し、半導体素子を封止
材で封止した半導体装置を提供する。
【００１３】なお、本明細書において「分子量４００〜
１５００の熱硬化性樹脂」とは、分子量４００〜１５０
０の熱硬化性樹脂の量が用いた熱硬化性樹脂全量に対し
て８５重量％以上である樹脂のことを意味する。
１５００の熱硬化性樹脂」とは、分子量４００〜１５０
０の熱硬化性樹脂の量が用いた熱硬化性樹脂全量に対し
て８５重量％以上である樹脂のことを意味する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の接着フィルムは、熱可塑
性樹脂及び熱硬化性樹脂を含有する接着フィルムであっ
て、これを２５０℃で２分間加熱したときの重量減少量
は、接着フィルム１ｍｍ3当り１００μｇ以下、更に好
ましくは６０μｇ以下である。重量減少量が１００μg
を越えると、加熱時のアウトガス（フューム）発生量が
多くなり、半導体素子を汚染させ、加熱装置にフューム
が付着する危険性が高くなる。
性樹脂及び熱硬化性樹脂を含有する接着フィルムであっ
て、これを２５０℃で２分間加熱したときの重量減少量
は、接着フィルム１ｍｍ3当り１００μｇ以下、更に好
ましくは６０μｇ以下である。重量減少量が１００μg
を越えると、加熱時のアウトガス（フューム）発生量が
多くなり、半導体素子を汚染させ、加熱装置にフューム
が付着する危険性が高くなる。
【００１５】本発明の接着フィルムに含まれる熱可塑性
樹脂は、限定されるものではなく、例えば、ポリイミド
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
エステル樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステ
ルイミド樹脂等あるが、好ましいものはポリイミド樹脂
である。ポリイミド樹脂については、後に詳しく述べ
る。
樹脂は、限定されるものではなく、例えば、ポリイミド
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
エステル樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステ
ルイミド樹脂等あるが、好ましいものはポリイミド樹脂
である。ポリイミド樹脂については、後に詳しく述べ
る。
【００１６】本発明の接着フィルムに含まれる熱硬化性
樹脂は、２５０℃で２分加熱したときの接着フィルムの
重量減少量が接着フィルム１ｍｍ3当り１００μｇ以下
となるような樹脂の中から選ぶ。そのような樹脂は種々
の熱硬化性樹脂から選ぶことができるが、好ましいもの
はエポキシ樹脂である。使用される熱硬化性樹脂につい
ては、後に詳しく述べる。また、上記重量減少量は、接
着フィルムを試験板に接近させ２５０℃で２分加熱後の
試験板に付着するフューム量と相関する。そこで、この
フューム量が接着フィルム１ｍｍ3当り２０μｇ以下と
なるように熱硬化性樹脂を選ぶことが更に好ましい。
樹脂は、２５０℃で２分加熱したときの接着フィルムの
重量減少量が接着フィルム１ｍｍ3当り１００μｇ以下
となるような樹脂の中から選ぶ。そのような樹脂は種々
の熱硬化性樹脂から選ぶことができるが、好ましいもの
はエポキシ樹脂である。使用される熱硬化性樹脂につい
ては、後に詳しく述べる。また、上記重量減少量は、接
着フィルムを試験板に接近させ２５０℃で２分加熱後の
試験板に付着するフューム量と相関する。そこで、この
フューム量が接着フィルム１ｍｍ3当り２０μｇ以下と
なるように熱硬化性樹脂を選ぶことが更に好ましい。
【００１７】なお、重量減少量及びフューム付着量は、
次の方法で測定できる。基板上に、適当な大きさに切断
した接着フィルムを載せ、その上に試験板を接近させて
設置する。このサンプルを表面温度が２５０℃の熱盤上
に置き、２分間加熱する。室温に冷却した後、接着フィ
ルムの重量を測定し、加熱処理前の接着フィルムの重量
と比べ接着フィルムの重量変化量（単位：μｇ／ｍｍ3
（接着フィルム））を求め、これを重量減少量とする。
また、試験板に付着したフューム重量（単位：μｇ／ｍ
ｍ3(接着フィルム)）を測定し、フューム付着量とす
る。
次の方法で測定できる。基板上に、適当な大きさに切断
した接着フィルムを載せ、その上に試験板を接近させて
設置する。このサンプルを表面温度が２５０℃の熱盤上
に置き、２分間加熱する。室温に冷却した後、接着フィ
ルムの重量を測定し、加熱処理前の接着フィルムの重量
と比べ接着フィルムの重量変化量（単位：μｇ／ｍｍ3
（接着フィルム））を求め、これを重量減少量とする。
また、試験板に付着したフューム重量（単位：μｇ／ｍ
ｍ3(接着フィルム)）を測定し、フューム付着量とす
る。
【００１８】本発明の接着フィルムに含まれるフィラー
としては、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリ
カ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミッ
ク、窒化ホウ素等の無機フィラー、ポリメチルメタクリ
レート、ブタジエン−スチレン系、シリコーン樹脂等の
有機フィラー等がある。
としては、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリ
カ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミッ
ク、窒化ホウ素等の無機フィラー、ポリメチルメタクリ
レート、ブタジエン−スチレン系、シリコーン樹脂等の
有機フィラー等がある。
【００１９】次に、本発明の接着フィルムの製造法につ
いて説明する。本発明における接着フィルムの製造は、
前記したように、（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４０
０〜１５００の熱硬化性樹脂と、必要に応じてフィラー
とを、有機溶媒中で混合し、（２）基材上に前記混合物
の層を形成させ、（３）加熱・乾燥し、（４）基材を除
去して、行なうことができる。
いて説明する。本発明における接着フィルムの製造は、
前記したように、（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４０
０〜１５００の熱硬化性樹脂と、必要に応じてフィラー
とを、有機溶媒中で混合し、（２）基材上に前記混合物
の層を形成させ、（３）加熱・乾燥し、（４）基材を除
去して、行なうことができる。
【００２０】また、基材付き接着フィルムの製造では、
上記（４）の工程を行うことなく、上記（１）〜（３）
の工程を行えばよい。フィラーとしては、先に挙げたよ
うなフィラーを用いることができる。
上記（４）の工程を行うことなく、上記（１）〜（３）
の工程を行えばよい。フィラーとしては、先に挙げたよ
うなフィラーを用いることができる。
【００２１】使用できる熱可塑性樹脂は、前記したよう
に特に限定するものではないが、好ましいものはポリイ
ミド樹脂である。ポリイミド樹脂は、通常、テトラカル
ボン酸二無水物とジアミンとを反応させて製造できる。
に特に限定するものではないが、好ましいものはポリイ
ミド樹脂である。ポリイミド樹脂は、通常、テトラカル
ボン酸二無水物とジアミンとを反応させて製造できる。
【００２２】使用できるテトラカルボン酸二無水物とし
ては、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
ては、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，
３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシ
フェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、
【００２３】３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボ
ン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，３−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボン
酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカル
ボン酸二無水物、
ン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，３−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，４，５−ナフタレン−テトラカルボン
酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレン−テトラカル
ボン酸二無水物、
【００２４】２，６−ジクロルナフタレン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロル
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレ
ン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピ
ラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、
チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン
二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレ
ンビス（トリメリテート無水物）、
５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロル
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレ
ン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピ
ラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、
チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水
物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン
二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレ
ンビス（トリメリテート無水物）、
【００２５】エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒ
ドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−
ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５
−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシ
クロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二
無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト
（７）−エン２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、４，４′−ビス（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水
物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソ
プロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、
１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロ
ピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、５−
（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル
−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水
物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカル
ボン酸二無水物等のほか、
２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒ
ドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−
ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５
−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシ
クロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二
無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト
（７）−エン２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、４，４′−ビス（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水
物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソ
プロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、
１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロ
ピル）ベンゼンビス（トリメリット酸二無水物）、５−
（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル
−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水
物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカル
ボン酸二無水物等のほか、
【００２６】次の式（Ｉ）
【化３】 （ただし、ｎ＝２〜２０の整数を示す。）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物がある。特に好ましいポリイミ
ド樹脂は、前記の式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
の含量が全テトラカルボン酸二無水物の３０モル％以上
であるテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを反応
させて得られるポリイミド樹脂である。
トラカルボン酸二無水物がある。特に好ましいポリイミ
ド樹脂は、前記の式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
の含量が全テトラカルボン酸二無水物の３０モル％以上
であるテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを反応
させて得られるポリイミド樹脂である。
【００２７】前記式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
としては、ｎが２〜５のとき、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート二無水物）、１，３−（トリメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，４−（テト
ラメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，５
−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、ｎが６〜２０のとき、１，６−（ヘキサメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，７−（ヘプ
タメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，８
−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート
二無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメ
リテート二無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビ
ス（トリメリテート二無水物）、１，１６−（ヘキサデ
カメチレン）ビストリメリテート二無水物、１，１８−
（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、等があり、これら２種以上を併用してもよい。
としては、ｎが２〜５のとき、１，２−（エチレン）ビ
ス（トリメリテート二無水物）、１，３−（トリメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，４−（テト
ラメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，５
−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、ｎが６〜２０のとき、１，６−（ヘキサメチレ
ン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，７−（ヘプ
タメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）、１，８
−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート
二無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメ
リテート二無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビ
ス（トリメリテート二無水物）、１，１６−（ヘキサデ
カメチレン）ビストリメリテート二無水物、１，１８−
（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート二無水
物）、等があり、これら２種以上を併用してもよい。
【００２８】上記式（Ｉ）のテトラカルボン酸二無水物
は、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジ
オールから合成することができる。また、全テトラカル
ボン酸二無水物に対して上記テトラカルボン酸二無水物
の含まれる量を好ましくは３０モル％以上とするのは、
接着フィルムの低温接着性を保つためである。
は、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジ
オールから合成することができる。また、全テトラカル
ボン酸二無水物に対して上記テトラカルボン酸二無水物
の含まれる量を好ましくは３０モル％以上とするのは、
接着フィルムの低温接着性を保つためである。
【００２９】前記ポリイミド樹脂の他の原料の一つであ
るジアミンとしては、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５
−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，
７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、
１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、
１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノド
デカン等の脂肪族ジアミン、
るジアミンとしては、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５
−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，
７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、
１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、
１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノド
デカン等の脂肪族ジアミン、
【００３０】ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニル
エーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、３，３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタ
ン、３，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、
４，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，
３′−ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフイド、
３，４′−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４′−
ジアミノジフェニルスルフイド、
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニル
エーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、３，３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタ
ン、３，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、
４，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，
３′−ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフイド、
３，４′−ジアミノジフェニルスルフイド、４，４′−
ジアミノジフェニルスルフイド、
【００３１】３，３′−ジアミノジフェニルケトン、
３，４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′−ジア
ミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ニル）プロパン、２，２′−（３，４′−ジアミノジフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−（３，４′−ジアミノ
ジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′-（１，
４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスア
ニリン、３，４′-（１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン））ビスアニリン、４，４′-（１，４
−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニ
リン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）
フエニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホ
ン等の芳香族ジアミンを挙げることができる。これは２
種以上を混合して用いてもよい。
３，４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′−ジア
ミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ニル）プロパン、２，２′−（３，４′−ジアミノジフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−（３，４′−ジアミノ
ジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′-（１，
４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスア
ニリン、３，４′-（１，４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン））ビスアニリン、４，４′-（１，４
−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニ
リン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）
フエニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス
（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホ
ン等の芳香族ジアミンを挙げることができる。これは２
種以上を混合して用いてもよい。
【００３２】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮
合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用い
るのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用い
る有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、ｍ−ク
レゾール、ｏ−クロルフェノール等がある。
合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用い
るのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用い
る有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、ｍ−ク
レゾール、ｏ−クロルフェノール等がある。
【００３３】反応温度は８０℃以下、好ましくは０〜５
０℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々
に上昇する。この場合、ポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸が生成する。
０℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々
に上昇する。この場合、ポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸が生成する。
【００３４】ポリイミドは、上記反応物（ポリアミド
酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１
２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用い
て行うことができる。なお、本発明においてポリイミド
樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。ポリ
イミドの前駆体には、ポリアミド酸のほか、ポリアミド
酸が部分的にイミド化したものがある。
酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は１
２０℃〜２５０℃で熱処理する方法や化学的方法を用い
て行うことができる。なお、本発明においてポリイミド
樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。ポリ
イミドの前駆体には、ポリアミド酸のほか、ポリアミド
酸が部分的にイミド化したものがある。
【００３５】本発明の製造法で用いられる熱硬化性樹脂
は、熱により橋かけ反応を起こす反応性化合物である。
このような化合物としては、エポキシ樹脂、シアネート
樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコ
ーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシ
レン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹
脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート
系樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラ
ートを含む樹脂、トリアリルトリメリタートを含む樹
脂、シクロペンタジエンからの熱硬化性樹脂、芳香族ジ
シアナミドの３量化による熱硬化性樹脂、芳香族ニトリ
ルからの熱硬化性樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性
樹脂等があり、それらの樹脂の中から分子量が４００〜
１５００の熱硬化性樹脂を選ぶ。分子量が４００未満で
は、接着フィルムの重量減少量も、またアウトガス発生
量（ヒューム量）も多く、１５００を超えると熱硬化性
樹脂の軟化点及び高温溶融粘度が高くなり、接着フィル
ムの接着条件が高温化するため好ましくない。なお、こ
れら熱硬化性樹脂は２種類以上を用いてもよい。
は、熱により橋かけ反応を起こす反応性化合物である。
このような化合物としては、エポキシ樹脂、シアネート
樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコ
ーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシ
レン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹
脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート
系樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラ
ートを含む樹脂、トリアリルトリメリタートを含む樹
脂、シクロペンタジエンからの熱硬化性樹脂、芳香族ジ
シアナミドの３量化による熱硬化性樹脂、芳香族ニトリ
ルからの熱硬化性樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性
樹脂等があり、それらの樹脂の中から分子量が４００〜
１５００の熱硬化性樹脂を選ぶ。分子量が４００未満で
は、接着フィルムの重量減少量も、またアウトガス発生
量（ヒューム量）も多く、１５００を超えると熱硬化性
樹脂の軟化点及び高温溶融粘度が高くなり、接着フィル
ムの接着条件が高温化するため好ましくない。なお、こ
れら熱硬化性樹脂は２種類以上を用いてもよい。
【００３６】硬化のために、硬化剤及び硬化促進剤（触
媒）を適宜、使用することができる。例えば、エポキシ
樹脂を使用する場合には、硬化剤としてはフェノール系
化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミ
ン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳
香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジ
ド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３
級アミン等が挙げられ、その中で分子量が４００〜１５
００のものを選ぶ。硬化促進剤（触媒）としては熱硬化
性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はない。シア
ネート樹脂を使用する場合には、コバルト、亜鉛、銅等
の金属塩や金属錯体を触媒とし、アルキルフェノール、
ビスフェノール化合物、フェノールノボラック等のフェ
ノール系化合物を助触媒とすることができる。
媒）を適宜、使用することができる。例えば、エポキシ
樹脂を使用する場合には、硬化剤としてはフェノール系
化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミ
ン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳
香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジ
ド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３
級アミン等が挙げられ、その中で分子量が４００〜１５
００のものを選ぶ。硬化促進剤（触媒）としては熱硬化
性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はない。シア
ネート樹脂を使用する場合には、コバルト、亜鉛、銅等
の金属塩や金属錯体を触媒とし、アルキルフェノール、
ビスフェノール化合物、フェノールノボラック等のフェ
ノール系化合物を助触媒とすることができる。
【００３７】エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂
は分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものであ
る。下記の式（II）〜（IV）で表される化合物等があ
り、このうち、分子量が４００〜１５００のものを選
ぶ。
は分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含むものであ
る。下記の式（II）〜（IV）で表される化合物等があ
り、このうち、分子量が４００〜１５００のものを選
ぶ。
【化４】 (式中、Ｒ1は２価の有機基、Ｒ2は４価の有機基、Ｒ3は
３価の有機基を示す。)
３価の有機基を示す。)
【００３８】このようなエポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、ビスフ
ェノールS型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノ
ールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加
体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレ
ンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエー
テル、ポリエチレングリコールのグリシジルエーテル、
ポリプロピレングリコールのグリシジルエーテル、フェ
ノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾー
ルノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹
脂のグリシジルエーテル、３官能型のグリシジルエーテ
ル、４官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジ
ェンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸
のグリシジルエステル、３官能型のグリシジルアミン、
４官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシ
ジルアミン、ポリサルファイド変性エポキシ樹脂、ポリ
ブタジェン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。これらに
１官能が含まれていてもよい。
ば、ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、ビスフ
ェノールS型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノ
ールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加
体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレ
ンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエー
テル、ポリエチレングリコールのグリシジルエーテル、
ポリプロピレングリコールのグリシジルエーテル、フェ
ノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾー
ルノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹
脂のグリシジルエーテル、３官能型のグリシジルエーテ
ル、４官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジ
ェンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸
のグリシジルエステル、３官能型のグリシジルアミン、
４官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシ
ジルアミン、ポリサルファイド変性エポキシ樹脂、ポリ
ブタジェン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。これらに
１官能が含まれていてもよい。
【００３９】エポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限さ
れるものではない。例えば、前記のフェノール系化合
物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、
ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族
酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三
フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミ
ン等が挙げられるが、分子中に少なくとも２個のフェノ
ール性水酸基を有するフェノール系化合物が好ましく、
分子量が４００〜１５００のものから選ぶ。このような
ものとしては例えば、フェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、
キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ポリパラビ
ニルフェノール樹脂ナフトールノボラック樹脂、ビスフ
ェノールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック
樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂等が挙げら
れる。
れるものではない。例えば、前記のフェノール系化合
物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、
ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族
酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三
フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミ
ン等が挙げられるが、分子中に少なくとも２個のフェノ
ール性水酸基を有するフェノール系化合物が好ましく、
分子量が４００〜１５００のものから選ぶ。このような
ものとしては例えば、フェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、
キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ポリパラビ
ニルフェノール樹脂ナフトールノボラック樹脂、ビスフ
ェノールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック
樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂等が挙げら
れる。
【００４０】シアネート樹脂を用いる場合、分子量が４
００〜１５００のものから選ぶ。このようなシアネート
エステル樹脂としては、例えば、シアネーテッド フェ
ノール−ジシクロペンタジエン アダクト、シアネーテ
ッド ノボラック等がある。
００〜１５００のものから選ぶ。このようなシアネート
エステル樹脂としては、例えば、シアネーテッド フェ
ノール−ジシクロペンタジエン アダクト、シアネーテ
ッド ノボラック等がある。
【００４１】ビスマレイミド基を有する化合物（ビスマ
レイミド樹脂）としては、例えば、下記の式（Ｖ）〜
（VII）で表されるイミド化合物等がある。これらのう
ち、分子量が４００〜１５００のものから選ぶ。
レイミド樹脂）としては、例えば、下記の式（Ｖ）〜
（VII）で表されるイミド化合物等がある。これらのう
ち、分子量が４００〜１５００のものから選ぶ。
【００４２】
【化５】 〔式中、ＸはＯ、ＣＨ2、ＣＦ2、ＳＯ2、Ｓ、ＣＯ、Ｃ
（ＣＨ3）2 又はＣ（ＣＦ3）2を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及
びＲ4はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示
す。〕
（ＣＨ3）2 又はＣ（ＣＦ3）2を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及
びＲ4はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示
す。〕
【００４３】
【化６】 〔式中、ＹはＯ、ＣＨ2、ＣＦ2、ＳＯ2、Ｓ、ＣＯ、Ｃ
（ＣＨ3）2又はＣ（ＣＦ3）2を示し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及
びＲ8はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す
る。〕
（ＣＨ3）2又はＣ（ＣＦ3）2を示し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及
びＲ8はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｄはエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す
る。〕
【００４４】
【化７】 〔式中、ｍは１〜３の整数を示す。〕 以上の熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂が好ましく用
いられる。
いられる。
【００４５】本発明の接着フィルムの製造においては、
熱可塑性樹脂１００重量部に対し熱硬化性樹脂を好まし
くは１〜１００重量部、更に好ましくは２〜５０重量部
用いる。熱硬化性樹脂の使用量が１００重量部を越える
と、接着フィルム加熱時の重量減少量及びアウトガス発
生量（フューム発生量）が多くなり、また、フィルム形
成性も悪くなる。１重量部未満では、熱時接着力が低下
する。
熱可塑性樹脂１００重量部に対し熱硬化性樹脂を好まし
くは１〜１００重量部、更に好ましくは２〜５０重量部
用いる。熱硬化性樹脂の使用量が１００重量部を越える
と、接着フィルム加熱時の重量減少量及びアウトガス発
生量（フューム発生量）が多くなり、また、フィルム形
成性も悪くなる。１重量部未満では、熱時接着力が低下
する。
【００４６】熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合に
は、熱可塑性樹脂１００重量部と、エポキシ基を有する
化合物１〜１００重量部（更に好ましくは２〜５０重量
部）と、エポキシ樹脂硬化剤を０．０２〜１２０重量部
（更に好ましくは０．１〜８０重量部）と硬化促進剤
（触媒）を有機溶媒に溶解し、基材上に塗布して層を形
成させ、加熱・乾燥することにより製造できる。
は、熱可塑性樹脂１００重量部と、エポキシ基を有する
化合物１〜１００重量部（更に好ましくは２〜５０重量
部）と、エポキシ樹脂硬化剤を０．０２〜１２０重量部
（更に好ましくは０．１〜８０重量部）と硬化促進剤
（触媒）を有機溶媒に溶解し、基材上に塗布して層を形
成させ、加熱・乾燥することにより製造できる。
【００４７】熱硬化性樹脂がシアネート樹脂である場合
には、熱可塑性樹脂１００重量部と、シアネートエステ
ル基を有する化合物１〜１００重量部（更に好ましくは
２〜５０重量部）と、前記した触媒及び助触媒を有機溶
媒に溶解し、基材上に塗布して層を形成させ、加熱・乾
燥することにより製造できる。
には、熱可塑性樹脂１００重量部と、シアネートエステ
ル基を有する化合物１〜１００重量部（更に好ましくは
２〜５０重量部）と、前記した触媒及び助触媒を有機溶
媒に溶解し、基材上に塗布して層を形成させ、加熱・乾
燥することにより製造できる。
【００４８】熱硬化性樹脂がビスマレイミド樹脂である
場合には、熱可塑性樹脂１００重量部と、ビスマレイミ
ド基を有する化合物１〜１００重量部（更に好ましくは
２〜５０重量部）を有機溶媒に溶解し、基材上に塗布し
て層を形成させ、加熱・乾燥することにより製造でき
る。
場合には、熱可塑性樹脂１００重量部と、ビスマレイミ
ド基を有する化合物１〜１００重量部（更に好ましくは
２〜５０重量部）を有機溶媒に溶解し、基材上に塗布し
て層を形成させ、加熱・乾燥することにより製造でき
る。
【００４９】熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂と共にフィ
ラーを含有させる場合のフィラーとしては、先に述べた
ような金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーを
用いる。フィラーのうち、前記金属フィラーは接着フィ
ルムに導電性またはチキソ性を付与する目的で添加さ
れ、無機フィラーは接着フィルムに低熱膨張性、低吸湿
性を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着フィ
ルムに靭性を付与する目的で添加される。これら金属フ
ィラー、無機フィラー又は有機フィラーはそれぞれ２種
以上を用いることもできる。フィラーを用いた場合の混
合・混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、
ボールミル等の分散機を適宜、組み合せて行うことがで
きる。
ラーを含有させる場合のフィラーとしては、先に述べた
ような金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーを
用いる。フィラーのうち、前記金属フィラーは接着フィ
ルムに導電性またはチキソ性を付与する目的で添加さ
れ、無機フィラーは接着フィルムに低熱膨張性、低吸湿
性を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着フィ
ルムに靭性を付与する目的で添加される。これら金属フ
ィラー、無機フィラー又は有機フィラーはそれぞれ２種
以上を用いることもできる。フィラーを用いた場合の混
合・混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、
ボールミル等の分散機を適宜、組み合せて行うことがで
きる。
【００５０】フィラーの量は、熱可塑性樹脂１００重量
部に対し０〜８０００重量部、好ましくは０〜４０００
重量部の範囲である。８０００重量部よりも多いと接着
性が低下する。
部に対し０〜８０００重量部、好ましくは０〜４０００
重量部の範囲である。８０００重量部よりも多いと接着
性が低下する。
【００５１】フィラー含有の接着フィルムは、熱可塑性
樹脂及び熱硬化性樹脂を有機溶媒に溶解後、フィラーを
加え、必要に応じ他の成分を加え、混合・混練する。得
られたペースト状混合物を、基材上に均一に塗布し、加
熱・乾燥して製造する。
樹脂及び熱硬化性樹脂を有機溶媒に溶解後、フィラーを
加え、必要に応じ他の成分を加え、混合・混練する。得
られたペースト状混合物を、基材上に均一に塗布し、加
熱・乾燥して製造する。
【００５２】上記接着フィルムの製造の際に用いる有機
溶媒は、材料を均一に溶解、混練または分散でき、加熱
によって容易に除去できる溶媒とする。例えば、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、
メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブ、ジオキサン等がある。
溶媒は、材料を均一に溶解、混練または分散でき、加熱
によって容易に除去できる溶媒とする。例えば、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、
メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブ、ジオキサン等がある。
【００５３】加熱・乾燥は使用した溶媒が十分に揮散す
る条件、すなわち、おおむね６０〜２００℃の温度で、
０．１〜９０分間加熱して行う。その後、接着フィルム
は、室温下で基材から剥がして使用する、あるいは、基
材付きのまま使用することもできる。
る条件、すなわち、おおむね６０〜２００℃の温度で、
０．１〜９０分間加熱して行う。その後、接着フィルム
は、室温下で基材から剥がして使用する、あるいは、基
材付きのまま使用することもできる。
【００５４】接着フィルムの製造時に使用する基材は、
上記の接着フィルム製造時の加熱・乾燥条件に耐えるも
のであれば特に限定するものではない。例えば、ポリエ
ステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ
エーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフ
ィルム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフ
ィルムは、シリコーン系やシリカ系の離型剤で処理され
たものであってもよい。
上記の接着フィルム製造時の加熱・乾燥条件に耐えるも
のであれば特に限定するものではない。例えば、ポリエ
ステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ
エーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフ
ィルム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフ
ィルムは、シリコーン系やシリカ系の離型剤で処理され
たものであってもよい。
【００５５】接着フィルムは、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
素子と、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム
等のリードフレーム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチックを含浸・硬化
させたもの、アルミナ等のセラミックス等の支持部材と
の接着に用いることができる。すなわち、前記したよう
な半導体素子と支持部材との間に本発明の接着フィルム
を挾み、１００〜３００℃、０．１〜３００秒間、加熱
圧着して、両者を接着させる。その後、ワイヤーボンデ
ィング工程、封止材による封止工程を経て半導体装置
（半導体パッケージ）とされる。
素子と、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム
等のリードフレーム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にエポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチックを含浸・硬化
させたもの、アルミナ等のセラミックス等の支持部材と
の接着に用いることができる。すなわち、前記したよう
な半導体素子と支持部材との間に本発明の接着フィルム
を挾み、１００〜３００℃、０．１〜３００秒間、加熱
圧着して、両者を接着させる。その後、ワイヤーボンデ
ィング工程、封止材による封止工程を経て半導体装置
（半導体パッケージ）とされる。
【００５６】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。 実施例１〜８、比較例１〜４ 下記ポリイミドＡ〜Ｃを熱可塑性樹脂として用い、表１
〜３の配合表に示す通り、Ｎｏ．１〜１１のワニス（Ｎ
ｏ．１〜８：本発明の実施例１〜８に関するもの、Ｎ
ｏ．９〜１１：比較例１〜３に関するもの）を調合し
た。ポリイミドＡ：デカメチレンビストリメリテート二
無水物と４，４’−ジアミノジフェニルメタンとから合
成した。ポリイミドＢ：エメチレンビストリメリテート
二無水物と２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）プロパンとから合成した。ポリイミド
Ｃ：デカメチレンビストリメリテート二無水物と４，
４’−ジアミノジフェニルエーテルとから合成した。
〜３の配合表に示す通り、Ｎｏ．１〜１１のワニス（Ｎ
ｏ．１〜８：本発明の実施例１〜８に関するもの、Ｎ
ｏ．９〜１１：比較例１〜３に関するもの）を調合し
た。ポリイミドＡ：デカメチレンビストリメリテート二
無水物と４，４’−ジアミノジフェニルメタンとから合
成した。ポリイミドＢ：エメチレンビストリメリテート
二無水物と２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）プロパンとから合成した。ポリイミド
Ｃ：デカメチレンビストリメリテート二無水物と４，
４’−ジアミノジフェニルエーテルとから合成した。
【００５７】なお、表１〜３において、種々の記号は下
記のものを意味する。 エピコート８３４：油化シェルエポキシ、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２５０） ＥＳＣＮ−１９５：住友化学、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（エポキシ当量２００） エピコート１００１：油化シェルエポキシ、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７５） ＢＥＯ−６０Ｅ：新日本理化学、エチレンオキシド付加
体ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３７
３） ＢＰＯ−６０Ｅ：新日本理化学、プロピレンオキシド付
加体ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３１
４） ＸＢ４１２２：旭チバ、アルキレンオキシド付加体ビス
フェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３３６）
記のものを意味する。 エピコート８３４：油化シェルエポキシ、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２５０） ＥＳＣＮ−１９５：住友化学、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（エポキシ当量２００） エピコート１００１：油化シェルエポキシ、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７５） ＢＥＯ−６０Ｅ：新日本理化学、エチレンオキシド付加
体ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３７
３） ＢＰＯ−６０Ｅ：新日本理化学、プロピレンオキシド付
加体ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３１
４） ＸＢ４１２２：旭チバ、アルキレンオキシド付加体ビス
フェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量３３６）
【００５８】ＢＭＩ−Ｐ：三井東圧化学、ノボラック型
ビスマレイミド樹脂 ＲＥＸ−３７１：旭チバ、ノボラック型シアネート樹脂 Ｗ−１００：新日本理化学、ヘキサンジオール型エポキ
シ樹脂（エポキシ当量１５０） ＤＭＥ−１００：新日本理化学、シクロヘキサンジメタ
ノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量１５５） ＥＳＲ−２８８：旭チバ、フェニルエーテル型シアネー
ト樹脂
ビスマレイミド樹脂 ＲＥＸ−３７１：旭チバ、ノボラック型シアネート樹脂 Ｗ−１００：新日本理化学、ヘキサンジオール型エポキ
シ樹脂（エポキシ当量１５０） ＤＭＥ−１００：新日本理化学、シクロヘキサンジメタ
ノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量１５５） ＥＳＲ−２８８：旭チバ、フェニルエーテル型シアネー
ト樹脂
【００５９】Ｈ−１：明和化成、フェノールノボラック
（ＯＨ当量１０６） ＸＬ−２２５：三井東圧化学、キシリレン変性フェノー
ルノボラック（ＯＨ当量１７５） ＮＨ−７０００：日本化薬、ナフトールノボラック（Ｏ
Ｈ当量１４０） テトラキスＰ−ＴＰＡ：本州化学、テトラキスフェノー
ルノボラック（ＯＨ当量１１８） トリスフェノールＴＣ：本州化学、トリスフェノールノ
ボラック（ＯＨ当量１６０） ＴｒｉｓＰ−ＰＡ：本州化学、トリスフェノールノボラ
ック（ＯＨ当量１４１）
（ＯＨ当量１０６） ＸＬ−２２５：三井東圧化学、キシリレン変性フェノー
ルノボラック（ＯＨ当量１７５） ＮＨ−７０００：日本化薬、ナフトールノボラック（Ｏ
Ｈ当量１４０） テトラキスＰ−ＴＰＡ：本州化学、テトラキスフェノー
ルノボラック（ＯＨ当量１１８） トリスフェノールＴＣ：本州化学、トリスフェノールノ
ボラック（ＯＨ当量１６０） ＴｒｉｓＰ−ＰＡ：本州化学、トリスフェノールノボラ
ック（ＯＨ当量１４１）
【００６０】ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
【００６１】
【表１】 表１ 配合表 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 成分 ワ ニ ス 番 号 No.１ No.２ No.３ No.４ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 熱可塑性樹脂 ポリイミド Ａ Ｂ Ｃ Ａ 重量部 １００ １００ １００ １００ 熱硬化性樹脂 エピコート ESCN195 エピコート BEO-60E ８３４ １００１ (分子量) (500) (778) (900) (746) 重量部 １０ ２０ ２５ ２０
硬化剤 Ｈ−１ ＸＬ−２２５
ＮＨ−７０００ テトラキス P-TPA (分子量) (653) (976) (420) (474) 重量部 ４.２ １７.５ ７.４ ６.３ 硬化促進剤 2P4MHZ 2MA-OK 2P4MHZ 2MA-OK 重量部 ０.１５ ０.２ ０.３ ０.１ フィラー 無し アルミナ シリカ シリカ 重量部 − １００ １８０ ８０ 溶媒 DMAc DMF DMAc DMAc 重量部 ３５０ ５００ ５００ ４５０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
硬化剤 Ｈ−１ ＸＬ−２２５
ＮＨ−７０００ テトラキス P-TPA (分子量) (653) (976) (420) (474) 重量部 ４.２ １７.５ ７.４ ６.３ 硬化促進剤 2P4MHZ 2MA-OK 2P4MHZ 2MA-OK 重量部 ０.１５ ０.２ ０.３ ０.１ フィラー 無し アルミナ シリカ シリカ 重量部 − １００ １８０ ８０ 溶媒 DMAc DMF DMAc DMAc 重量部 ３５０ ５００ ５００ ４５０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００６２】
【表２】 表２ 配合表 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 成分 ワ ニ ス 番 号 No.５ No.６ No.７ No.８ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 熱可塑性樹脂 ポリイミド Ｂ Ａ Ｃ Ｂ 重量部 １００ １００ １００ １００ 熱硬化性樹脂 BPO-20E XB4122 BMI-M REX-371 (分子量) (628) (672) (529) (550) 重量部 ３０ ２５ ２０ ３０ 硬化剤 トリスフェ TrisP-PA − − ノールTC (分子量) (480) (424) − − 重量部 １５.３ １０.５ − − 硬化促進剤 2MA-OK 2P4MHZ − ナフテン酸Mn／ ノニルフェノール 重量部 ０.２５ ０.３ − ０.１５/１.０ フィラー アルミナ シリカ シリカ アルミナ 重量部 １９０ １８０ ８０ １９０ 溶媒 DMF DMAc DMAc DMF 重量部 ４００ ５００ ４５０ ４００ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００６３】
【表３】 表３ 配合表 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 成分 ワ ニ ス 番 号 No.９ No.１０ No.１１ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 熱可塑性樹脂 ポリイミド Ａ Ａ Ｂ 重量部 １００ １００ １００ 熱硬化性樹脂 W-100 DME-100 ESR-288 (分子量) (230) (256) (252) 重量部 ２０ ２０ ３０ 硬化剤 H-1 XL-225 − (分子量) (653) (976) 重量部 １４.１ ２２.６ − 硬化促進剤 2MA-OK 2P4MHZ ナフテン酸Cu／ ノニルフェノール 重量部 ０.３ ０.１ ０.１／０.８ フィラー シリカ 無し アルミナ 重量部 ８０ − １９０ 溶媒 NMP DMF DMF 重量部 ３５０ ４００ ３００ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００６４】このワニスを５０μｍの厚さに基材（ポリ
プロピレンフィルム）上に塗布し、８０℃で１０分、続
いて１２０℃で３０分加熱し、その後、室温で基材から
剥がして、接着フィルムを得た。得られた接着フィルム
（実施例１〜８：ワニス番号Ｎｏ．１〜８に対応；比較
例１〜３：ワニス番号Ｎｏ．９〜１１に対応）はいずれ
も室温でベタツキはなく、自己支持性をもつフィルムで
あった。
プロピレンフィルム）上に塗布し、８０℃で１０分、続
いて１２０℃で３０分加熱し、その後、室温で基材から
剥がして、接着フィルムを得た。得られた接着フィルム
（実施例１〜８：ワニス番号Ｎｏ．１〜８に対応；比較
例１〜３：ワニス番号Ｎｏ．９〜１１に対応）はいずれ
も室温でベタツキはなく、自己支持性をもつフィルムで
あった。
【００６５】実施例１〜８及び比較例１〜３の接着フィ
ルムの接着特性（剪断接着力及びピール強度）、並びに
２５０℃で２分間加熱したときの重量減少量及びフュー
ム付着量についての評価試験結果を表４、表５に示す。
なお、比較例４は銀ペースト（日立化成工業株式会社
製、商品名エピナール）である。
ルムの接着特性（剪断接着力及びピール強度）、並びに
２５０℃で２分間加熱したときの重量減少量及びフュー
ム付着量についての評価試験結果を表４、表５に示す。
なお、比較例４は銀ペースト（日立化成工業株式会社
製、商品名エピナール）である。
【００６６】
【表４】 表４ 接着フィルムの評価試験結果 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実 施 例 の 番 号 項目 １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 剪断接着力 (kgf/chip) 室温 10.3 11.0 11.5 12.3 11.7 14.0 14.5 11.8 350℃ 2.3 2.0 2.2 3.2 2.0 2.7 3.0 2.5 ピール強度(kgf/chip) 250℃ ＞3 2.5 2.3 ＞3 2.6 ＞3 ＞3 2.4 重量減少量 (μg/ｍｍ3) 42 40 39 42 46 34 42 37 フューム付着量 (μg/ｍｍ3) ９．１ ２．３ ２．９ １．８
２．８ １．２ ５．１ ３．９ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
２．８ １．２ ５．１ ３．９ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００６７】＜剪断接着力及びピール強度の測定法＞接
着フィルムを４×４ｍｍ及び８×８ｍｍの大きさに切断
し、これを４×４ｍｍ及び８×８ｍｍの大きさシリコン
チップと４２アロイ製リードフレームの間にそれぞれ挾
み、５００ｇの加重をかけて、２６０℃で３秒間圧着さ
せたのち、次の方法で剪断接着力及びピール強度を測定
した。剪断接着力：４×４ｍｍのシリコンチップを４×
４ｍｍの接着フィルムで接着したサンプルを用いて、室
温及び３５０℃、２０秒加熱時の剪断接着力をプッシュ
プルゲージにより測定した。ピール強度：８×８ｍｍの
シリコンチップを８×８ｍｍの接着フィルムで接着した
サンプルを用いて、２５０℃、２０秒加熱時のピール強
度をプッシュプルゲージにより測定した。
着フィルムを４×４ｍｍ及び８×８ｍｍの大きさに切断
し、これを４×４ｍｍ及び８×８ｍｍの大きさシリコン
チップと４２アロイ製リードフレームの間にそれぞれ挾
み、５００ｇの加重をかけて、２６０℃で３秒間圧着さ
せたのち、次の方法で剪断接着力及びピール強度を測定
した。剪断接着力：４×４ｍｍのシリコンチップを４×
４ｍｍの接着フィルムで接着したサンプルを用いて、室
温及び３５０℃、２０秒加熱時の剪断接着力をプッシュ
プルゲージにより測定した。ピール強度：８×８ｍｍの
シリコンチップを８×８ｍｍの接着フィルムで接着した
サンプルを用いて、２５０℃、２０秒加熱時のピール強
度をプッシュプルゲージにより測定した。
【００６８】
【表５】 表５ 比較例の接着フィルム／銀ペーストの評価試験結果 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 比 較 例 の 番 号 項目 １ ２ ３ ４ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 剪断接着力 (kgf/chip) 室温 12.0 11.3 12.5 12.4 350℃ 2.7 2.3 2.2 1.2 ピール強度(kgf/chip) 250℃ 2.1 2.5 ＞3 0.4 重量減少量 (μg/ｍｍ3) 122 164 159 260 フューム付着量 (μg/ｍｍ3) 30.8 36.0 32.4 − ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００６９】
【発明の効果】請求項１〜５の接着フィルム及び請求項
６〜７の基材付き接着フィルムは、半導体素子等の電子
部品とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の
接着材料として、低温接着性、良好な熱時接着力及び高
い半田耐熱性を有し、かつ、アウトガス（フューム）の
発生が少ないので、半導体素子や加熱装置の汚染、ワイ
ヤボンド特性の低下等の問題を招かない。請求項８〜１
５の製造法により、請求項１〜７の接着フィルムを製造
できる。請求項１６の接着フィルム付き支持部材は、請
求項１７の半導体装置の中間製品である。請求項１７の
半導体装置は、実装時の２５０℃前後の半田付け熱処理
に耐え得る高い半田耐熱性を有し、信頼性が高い。
６〜７の基材付き接着フィルムは、半導体素子等の電子
部品とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の
接着材料として、低温接着性、良好な熱時接着力及び高
い半田耐熱性を有し、かつ、アウトガス（フューム）の
発生が少ないので、半導体素子や加熱装置の汚染、ワイ
ヤボンド特性の低下等の問題を招かない。請求項８〜１
５の製造法により、請求項１〜７の接着フィルムを製造
できる。請求項１６の接着フィルム付き支持部材は、請
求項１７の半導体装置の中間製品である。請求項１７の
半導体装置は、実装時の２５０℃前後の半田付け熱処理
に耐え得る高い半田耐熱性を有し、信頼性が高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ０８Ｇ 73/10 Ｃ０８Ｇ 73/10 (72)発明者 野村 真紀 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内
Claims (17)
- 【請求項１】熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含有する
接着フィルムであって、前記接着フィルムを２５０℃で
２分間加熱したときの重量減少量が、接着フィルム１ｍ
ｍ3当り１００μｇ以下である接着フィルム。 - 【請求項２】熱可塑性樹脂がポリイミド樹脂である、請
求項１の接着フィルム。 - 【請求項３】ポリイミド樹脂が、次の式（Ｉ） 【化１】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す。）のテトラカルボ
ン酸二無水物の含量が全テトラカルボン酸二無水物の３
０モル％以上であるテトラカルボン酸二無水物と、ジア
ミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂である、請
求項２の接着フィルム。 - 【請求項４】熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、請求
項１〜３いずれかの接着フィルム。 - 【請求項５】熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及びフィラー
を含有する接着フィルムであって、前記接着フィルムを
２５０℃で２分間加熱したときの重量減少量が、接着フ
ィルム１mm3当り１００μｇ以下である接着フィルム。 - 【請求項６】基材に請求項１〜４のいずれかの接着フィ
ルムが付着している基材付き接着フィルム。 - 【請求項７】基材に請求項５の接着フィルムが付着して
いる基材付き接着フィルム。 - 【請求項８】（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４００〜
１５００の熱硬化性樹脂とを、有機溶媒中で混合し、
（２）基材上に前記混合液の層を形成させ、（３）加熱
・乾燥し、（４）基材を除去する、請求項１の接着フィ
ルムの製造法。 - 【請求項９】請求項８の製造法において、熱可塑性樹脂
としてポリイミド樹脂を用いる、請求項２の接着フィル
ムの製造法。 - 【請求項１０】請求項９の製造法において、ポリイミド
樹脂として、式（Ｉ） 【化２】 （式中、ｎは２〜２０の整数を示す。）のテトラカルボ
ン酸二無水物の含量が全テトラカルボン酸二無水物の３
０モル％以上であるテトラカルボン酸二無水物と、ジア
ミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂を用いる、
請求項３の接着フィルムの製造法。 - 【請求項１１】請求項１０の製造法において、熱硬化性
樹脂としてエポキシ樹脂を用いる、請求項４の接着フィ
ルムの製造法。 - 【請求項１２】請求項８〜１１の製造法において、熱硬
化性樹脂の使用量が、熱可塑性樹脂１００重量部に対し
て１〜１００重量部である、請求項１〜４いずれかの接
着フィルムの製造法。 - 【請求項１３】（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４００
〜１５００の熱硬化性樹脂と、フィラーとを、有機溶媒
中で混合し、（２）基材上に前記混合物の層を形成さ
せ、（３）加熱・乾燥し、（４）基材を除去する、請求
項５の接着フィルムの製造法。 - 【請求項１４】（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４００
〜１５００の熱硬化性樹脂とを、有機溶媒中で混合し、
（２）基材上に前記混合液の層を形成させ、（３）加熱
・乾燥する、請求項６の基材付き接着フィルムの製造
法。 - 【請求項１５】（１）熱可塑性樹脂と、分子量が４００
〜１５００の熱硬化性樹脂と、フィラーとを、有機溶媒
中で混合し、（２）基材上に前記混合物の層を形成さ
せ、（３）加熱・乾燥する、請求項７の基材付き接着フ
ィルムの製造法。 - 【請求項１６】支持部材上に請求項１〜７のいずれかの
接着フィルムを接着させた接着フィルム付き支持部材。 - 【請求項１７】半導体素子を請求項１〜５のいずれかの
接着フィルムで支持部材に接着し、半導体素子を封止材
で封止した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312543A JPH11140386A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312543A JPH11140386A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140386A true JPH11140386A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=18030494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9312543A Pending JPH11140386A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11140386A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121530A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、その製造法及び接着フィルム付き半導体装置 |
| JP2002338932A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sony Chem Corp | 接着剤 |
| JP2004123796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2008187189A (ja) * | 2000-02-15 | 2008-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置 |
| JP2009111376A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
| JP2009260232A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012052126A (ja) * | 2011-10-24 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2014090135A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Namics Corp | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP9312543A patent/JPH11140386A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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