WO2015008330A1 - 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 - Google Patents

感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 Download PDF

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photosensitive resin
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film
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峯岸 知典
一行 満倉
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日立化成株式会社
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    • H01L2224/133Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13339Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/13338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13344Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/133Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13347Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/133Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13355Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/13363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13364Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/133Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13369Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/27001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/27003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
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    • H01L2224/271Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
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    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
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    • H01L2224/27Manufacturing methods
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    • H01L2224/27515Curing and solidification, e.g. of a photosensitive layer material
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    • H01L2224/27618Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material with selective exposure, development and removal of a photosensitive layer material, e.g. of a photosensitive conductive resin
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    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/278Post-treatment of the layer connector
    • H01L2224/27848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
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    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2224/29387Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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    • H01L2224/29391The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
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    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103Bump and layer connectors
    • H01L2224/73104Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/81002Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a removable or sacrificial coating
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    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/83002Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a removable or sacrificial coating
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    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
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    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862Heat curing
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    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
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    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211Parallel connecting processes
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Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive resin composition, and a film adhesive, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device using the same.
  • an adhesive is used to bond the semiconductor chip and the semiconductor chip mounting support member.
  • This adhesive usually requires properties such as adhesiveness, thermocompression bonding, heat resistance, and moisture resistance, and when it is used in the form of a film, it needs to be stickable.
  • Photosensitivity is a function in which a portion irradiated with light is chemically changed and insolubilized or solubilized in an aqueous solution or an organic solvent.
  • a high-definition adhesive pattern can be formed by performing exposure and development processing through a photomask, and the formed adhesive pattern is deposited. It will have thermocompression bonding to the body.
  • photosensitive adhesive compositions include those based on photoresists, polyimide resin precursors (polyamic acid) (for example, Patent Documents 1 and 2), and those based on low Tg polyimide resins. (Patent Document 3). From the viewpoint of working environment, wastewater treatment, etc., those that can be patterned with an alkaline developer are the mainstream.
  • JP 2000-290501 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-24257 International Publication No. 07/004569 Japanese Patent No. 3999840
  • the film-like adhesive can easily give an optimum amount of resin by adjusting the thickness of the film, but requires a step of attaching a film-like adhesive called a temporary press-bonding step to the substrate.
  • the temporary pressure bonding process prepares a film-like adhesive wound on a reel that is slit to a width larger than the chip width to be bonded, and the film-like adhesive on the substrate according to the chip size And thermocompression-bonded onto the substrate at a temperature at which the resin does not react.
  • the film adhesive to be attached by temporary pressure bonding is made larger than the chip size. Therefore, there is a problem that it is necessary to provide a margin for the distance from the adjacent portion, and it is difficult to cope with high-density mounting.
  • a method of forming an adhesive layer by a wafer process has attracted attention.
  • a flat film forming property that does not depend on the steps derived from the circuit, a uniform and highly accurate pattern processing property, and a rewiring process. It is necessary to have adaptability to a connection terminal formation process, a dicing process, and the like.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and is excellent in pattern formability, film stability and embedding properties when formed into a film and sufficiently suppresses voids when adhered at high temperatures. It is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition, a film adhesive, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device using the same.
  • the present invention provides a photosensitive resin composition
  • a photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group as a terminal group, (B) a radiation polymerizable compound, and (C) a photoinitiator.
  • the photosensitive resin composition of the present invention by having the above-described configuration, even when the adherends are finely patterned and bonded to each other, the connection portion protected by the cured resin is subjected to high temperature and high humidity. Can be sufficiently reduced in moisture permeability, and further contributes to improving the reliability of the semiconductor device of the present invention. Furthermore, the photosensitive resin composition of the present invention has the above-described configuration, so that a film is formed on a circuit surface of a semiconductor wafer having a circuit surface, patterned by exposure and development, and then mounted on a semiconductor chip having a circuit surface. It has a thermocompression bonding property to an adherend composed of a support member, a semiconductor chip or a semiconductor wafer.
  • the glass transition temperature (Tg) of the alkali-soluble resin is preferably 40 ° C. to 150 ° C., more preferably 50 ° C. to 120 ° C. More preferably, the temperature is from 60 ° C to 100 ° C.
  • the alkali-soluble resin is preferably a polyimide resin having a phenolic hydroxyl group as a terminal group and a side chain group, and a polyimide having only a phenolic hydroxyl group as an alkali-soluble group. More preferably, it is a resin.
  • the (A) alkali-soluble resin comprises tetracarboxylic dianhydride and phenolic hydroxyl group-containing diamine in an amount of 10 mol% of the total diamine.
  • a polyimide resin obtained by reacting a diamine containing ⁇ 80 mol% with a phenolic hydroxyl group-containing amine is preferred.
  • the diamine is an aliphatic ether diamine represented by the following general formula (8) in an amount of 10 mol% to 80 mol% of the total diamine. It is preferable to contain.
  • R 1 to R 3 each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and b represents an integer of 2 to 80.
  • the phenolic hydroxyl group-containing diamine may contain a phenolic hydroxyl group-containing diamine represented by the following general formula (A-1). preferable.
  • R 21 represents a single bond or a divalent organic group.
  • the (B) radiation polymerizable compound contains at least one trifunctional or higher functional (meth) acrylate.
  • the said photosensitive resin composition containing (A) component, (B) component, and (C) component further contains (D) epoxy resin from a viewpoint of thermocompression bonding property, high temperature adhesiveness, and moisture resistance reliability. It is preferable to carry out, and it is preferable to further contain (E) the compound which has an ethylenically unsaturated group and an epoxy group from a viewpoint of thermocompression-bonding property, high temperature adhesiveness, and moisture resistance reliability.
  • the photosensitive resin composition contains (E) a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group, the thermocompression bonding property can be improved, and as a result, the low moisture permeability can be improved.
  • the epoxy resin preferably contains at least one of bisphenol F-type epoxy resin and bisphenol A-type epoxy resin from the viewpoints of high-temperature adhesiveness, pattern formability, and moisture resistance reliability.
  • the photosensitive resin composition of the present invention preferably further contains (F) filler from the viewpoints of film formability, high-temperature adhesiveness and low moisture permeability.
  • the photosensitive resin composition of the present invention preferably further contains (G) a curing accelerator from the viewpoints of high-temperature adhesion, high heat resistance, and moisture resistance reliability.
  • the photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used as an adhesive used for connecting semiconductor chips and / or connecting a semiconductor chip and a semiconductor chip mounting support member.
  • the present invention also provides a film adhesive obtained by forming the photosensitive resin composition into a film.
  • the present invention also provides an adhesive sheet comprising a base material and an adhesive layer made of the film adhesive formed on the base material.
  • the present invention also provides an adhesive pattern obtained by exposing an adhesive layer composed of the above film adhesive laminated on an adherend, and developing the exposed adhesive layer with an alkaline developer. To do.
  • the present invention also provides a semiconductor wafer with an adhesive layer comprising a semiconductor wafer and an adhesive layer made of the above film adhesive laminated on the semiconductor wafer.
  • the present invention also provides a semiconductor device having a structure in which semiconductor chips are bonded to each other and / or a structure in which a semiconductor chip and a support member for mounting a semiconductor chip are bonded by using the photosensitive resin composition.
  • a photosensitive resin composition that is excellent in pattern formability, film stability and embedding property when used in the form of a film, and that voids are sufficiently suppressed when bonded at high temperatures. can do.
  • the film adhesive using the photosensitive resin composition, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device can be provided.
  • the circuit surface on which the photosensitive resin composition of the present invention is formed can be arbitrarily exposed by patterning regardless of the size of the connection terminal portion and the height of the terminal.
  • FIG. 5 is an end view taken along line IV-IV in FIG. 4. It is an end elevation showing one embodiment of a semiconductor device of the present invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.
  • “sticking property” of the photosensitive resin composition means sticking property when a film-like adhesive is obtained by forming the photosensitive resin composition into a film shape.
  • “High-temperature adhesiveness” of the photosensitive resin composition means adhesiveness under heating when the photosensitive resin composition is cured.
  • “Pattern formability” of a photosensitive resin composition is obtained when an adhesive layer made of the above film-like adhesive formed on an adherend is exposed through a photomask and developed with an alkaline developer. It means the accuracy of the adhesive pattern that is produced.
  • “Thermocompression bonding” of the photosensitive resin composition means the degree of adhesion when the adhesive pattern is pressure-bonded (thermocompression bonded) to a support member or the like under heating.
  • Heat resistance of the photosensitive resin composition means peeling resistance when the adhesive pattern is thermocompression-bonded to a support member or the like and cured, and then placed at a high temperature.
  • Reflow resistance means that the frame pattern of the above-mentioned photosensitive adhesive is thermocompression bonded to a support member, cured, allowed to stand for a predetermined time under high temperature and high humidity conditions, and subjected to reflow heating. It means peelability.
  • the photosensitive resin composition of the present embodiment includes (A) an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group as an end group (hereinafter sometimes simply referred to as “component (A)”), and (B) a radiation polymerizable compound (hereinafter referred to as “a”). , And may be simply referred to as the component (B)) and (C) a photoinitiator (hereinafter also referred to simply as the component (C)).
  • the Tg of the component (A) is preferably 150 ° C. or lower, more preferably 120 ° C. or lower, and further preferably 100 ° C. or lower.
  • a film adhesive in which the photosensitive resin composition is formed into a film can be bonded to the adherend at a low temperature, and the occurrence of warpage of the semiconductor wafer can be suppressed.
  • the melt viscosity of the said adhesive agent after pattern formation can be lowered
  • the temperature for attaching the film adhesive to the back surface of the wafer is preferably 20 ° C. to 150 ° C., and more preferably 40 ° C. to 100 ° C. Within the above range, warping of the semiconductor wafer tends to be suppressed.
  • the Tg of the component (A) is 150 ° C. or lower.
  • the lower limit of the Tg is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 60 ° C. or higher, and most preferably 70 ° C. or higher.
  • Tg is less than 40 ° C.
  • Tg of the component (A) means that the component (A) is made into a film using a viscoelasticity analyzer (manufactured by Rheometrics, trade name: RSA-2), and the temperature rising rate is 5 ° C. This is the tan ⁇ peak temperature when measured under the conditions of / min, frequency 1 Hz, measurement temperature ⁇ 150 ° C. to 300 ° C.
  • the weight average molecular weight of component (A) is preferably controlled within the range of 5,000 to 500,000, more preferably 10,000 to 300,000, and 10,000 to 100,000. More preferably.
  • the weight average molecular weight is within the above range, the strength, flexibility and tackiness when the photosensitive resin composition is formed into a sheet or film are good. Further, since the thermal fluidity is good, it is possible to ensure good embedding properties with respect to the wiring step (unevenness) on the substrate surface.
  • the weight average molecular weight is 5,000 or more, film formability can be further improved.
  • the weight average molecular weight means a weight average molecular weight when measured in terms of polystyrene using high performance liquid chromatography (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: C—R4A).
  • the temperature for attaching to the wafer can be kept low. Further, the heating temperature (thermocompression bonding temperature) when the semiconductor chip is bonded and fixed to the semiconductor chip mounting support member can be lowered, and high temperature adhesiveness can be imparted while suppressing an increase in warpage of the semiconductor chip. it can. Further, it is possible to effectively impart sticking property, thermocompression bonding property and developability.
  • the component (A) may have any phenolic hydroxyl group as a terminal group, but preferably has an alkali-soluble group as a side chain group.
  • the alkali-soluble group include an ethylene glycol group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, and a phenolic hydroxyl group. Among these, a phenolic hydroxyl group is preferable. Furthermore, it is more preferable that the alkali-soluble group in the component (A) is only a phenolic hydroxyl group.
  • component (A) examples include polyester resins, polyether resins, polyimide resins, polyamide resins, polyamideimide resins, polyetherimide resins, polyurethane resins, polyurethaneimide resins, polyurethaneamideimide resins, siloxane polyimide resins, and polyesterimide resins.
  • polybenzoxazole resin phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyester resin, polyether resin, polycarbonate resin
  • polyether ketone resins examples include polyether ketone resins, (meth) acrylic copolymers having a weight average molecular weight of 10,000 to 1,000,000, novolak resins and phenol resins. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the component (A) is preferably a polyimide resin from the viewpoint of high-temperature adhesiveness, heat resistance, and film formability.
  • the polyimide resin can be obtained, for example, by subjecting tetracarboxylic dianhydride, diamine, and phenolic hydroxyl group-containing (monofunctional) amine to a condensation reaction by a known method.
  • the mixing molar ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine in the above condensation reaction is such that the total of diamine is 0.5 mol to 0.98 mol with respect to 1.0 mol of tetracarboxylic dianhydride. Preferably, it is 0.6 mol to 0.95 mol.
  • the mixing molar ratio of the tetracarboxylic dianhydride and the phenolic hydroxyl group-containing amine in the condensation reaction is such that the total of the phenolic hydroxyl group-containing amine is 0.04 mol with respect to a total of 1.0 mol of the tetracarboxylic acid dianhydride. It is preferably ⁇ 1.0 mol, more preferably 0.1 mol to 0.8 mol.
  • the addition order of tetracarboxylic dianhydride, diamine, and phenolic hydroxyl group containing amine may be arbitrary.
  • tetracarboxylic dianhydride is preferably used in excess of diamine.
  • the oligomer which has a residue derived from tetracarboxylic dianhydride at the end increases, and the residue derived from this tetracarboxylic dianhydride reacts with the amino group of the phenolic hydroxyl group-containing amine described later, A phenolic hydroxyl group is introduced as a terminal group.
  • the reaction temperature in the condensation reaction is preferably 80 ° C. or less, more preferably 0 ° C. to 60 ° C.
  • the viscosity of the reaction solution gradually increases, and polyamic acid, which is a polyimide resin precursor, is generated.
  • the above-mentioned tetracarboxylic dianhydride is what recrystallized and refined with acetic anhydride.
  • the polyimide resin in this embodiment means a resin having an imide group.
  • Specific examples include polyimide resins, polyamideimide resins, polyurethaneimide resins, polyetherimide resins, polyurethaneamideimide resins, siloxane polyimide resins, and polyesterimide resins, but are not particularly limited thereto.
  • the polyimide resin can be obtained by dehydrating and ring-closing the condensation reaction product (polyamic acid).
  • the dehydration ring closure can be performed by a thermal ring closure method in which heat treatment is performed, a chemical ring closure method using a dehydrating agent, or the like.
  • the tetracarboxylic dianhydride used as a raw material for the polyimide resin is not particularly limited.
  • the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (1) can be synthesized from, for example, trimellitic anhydride monochloride and the corresponding diol, specifically 1,2- (ethylene) bis ( Trimellitate anhydride), 1,3- (trimethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1 , 6- (Hexamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,8- (octamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,9- (nonamethylene) ) Bis (trimellitic anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitate anhydrous), 1,12- (dodecamechi) Emissions) bis (trimellitate anhydride), 1,16 (hexamethylene decamethylene) bis (
  • tetracarboxylic dianhydride is represented by the following formula (2) or (3) from the viewpoint of providing good solubility in a solvent and moisture resistance, and transparency to light having a wavelength of 365 nm. Tetracarboxylic dianhydride is preferred.
  • tetracarboxylic dianhydrides can be used singly or in combination of two or more.
  • the diamine used as the raw material for the polyimide resin it is preferable to use at least one diamine having no phenol group and having a phenolic hydroxyl group.
  • a diamine having no phenol group and having a phenolic hydroxyl group By using a diamine having no phenol group and having a phenolic hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group can be introduced as a side chain group of the polyimide resin.
  • the diamine having no phenol group and having a phenolic hydroxyl group include aromatic diamines represented by the following formulas (5), (7) and (A-1), and a polyimide resin having a high Tg is used.
  • a diamine represented by the following general formula (A-1) is more preferable.
  • R 21 represents a single bond or a divalent organic group.
  • the divalent organic group include a divalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and a divalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms in which part or all of the hydrogen atoms are substituted by halogen atoms.
  • n represents an integer of 1 to 20
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 21 is preferably —C (CF 3 ) 2 — or —C (CH 3 ) 2 — from the viewpoint of pattern formation when the Tg of the polyimide resin is increased.
  • the diamine represented by the general formula (A-1) is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 80 mol%, more preferably 30 to 70 mol% of the total diamine. More preferably, it is made into%.
  • a carboxyl group-containing resin is used as the polyimide resin
  • the acid value of the polyimide resin tends to decrease greatly by reacting with the epoxy resin compounded during heating and drying.
  • the side chain of the polyimide resin is a phenolic hydroxyl group
  • the reaction with the epoxy resin is less likely to proceed than in the case of a carboxyl group.
  • it is considered that the stability of the composition in the form of a varnish or film is improved.
  • the diamine having a phenolic hydroxyl group preferably includes a diphenol diamine having a fluoroalkyl group represented by the following formula (4).
  • the fluoroalkyl group By introducing the fluoroalkyl group into the polyimide chain, the molecular chain cohesive force between the polyimides decreases, and the developer easily penetrates. As a result, the pattern formability (dissolvability and thinning) of the photosensitive resin composition is further improved.
  • thermocompression-bonding property can be improved by reducing the cohesive force of polyimide, and even if the Tg of polyimide is increased, good pattern forming property can be obtained. Thereby, it becomes possible to realize a photosensitive resin composition having further improved moisture resistance reliability and reflow resistance.
  • the diphenoldiamine having a fluoroalkyl group is preferably 5 mol% to 100 mol% of the total diamine, more preferably 10 mol% to 90 mol%, and more preferably 10 mol% to 80 mol%. Is more preferably 20 mol% to 80 mol%, and most preferably 30 mol% to 70 mol%.
  • the other diamine used as the raw material for the polyimide resin is not particularly limited, and examples thereof include o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, and 3,4′-diaminodiphenyl ether.
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms
  • b represents an integer of 2 to 80.
  • R 4 and R 9 each independently represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group
  • R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent carbon.
  • d represents an integer of 1 to 5.
  • the phenylene group may have a substituent.
  • the aliphatic ether diamines represented by the above general formula (8) are preferable in terms of imparting compatibility with other components, organic solvent solubility and alkali solubility, and ethylene glycol diamine or propylene glycol diamine. Is more preferable.
  • aliphatic ether diamines include Jeffamine D-230, D-400, D-2000, D-4000, ED-600, ED-900, ED-2000, EDR-148 manufactured by Sun Techno Chemical Co., Ltd.
  • polyoxyalkylene diamines such as polyetheramine D-230, D-400, D-2000 manufactured by BASF. These diamines are preferably 1 mol% to 80 mol% of the total diamine, more preferably 10 mol% to 80 mol%, and even more preferably 10 mol% to 60 mol%.
  • this amount is 1 mol% or more, high temperature adhesiveness and hot fluidity tend to be imparted more easily, while when it is 80 mol% or less, a decrease in Tg of the polyimide resin is suppressed, There exists a tendency which can improve the self-supporting property of a film more.
  • the aliphatic ether diamine preferably has a propylene ether skeleton represented by the following general formula and has a molecular weight of 300 to 600 from the viewpoint of pattern formation.
  • the amount thereof is preferably 80 mol% or less of the total diamine, from the viewpoint of film self-supporting property, high-temperature adhesiveness, reflow resistance and moisture resistance reliability, and is 60 mol% or less. More preferably.
  • it is preferable that it is 10 mol% or more of all the diamine from a viewpoint of sticking property, thermocompression bonding property, and high temperature adhesiveness, and it is more preferable that it is 20 mol% or more.
  • the Tg of the polyimide can be adjusted to the above range, and it is possible to impart sticking property, thermocompression bonding property, high temperature adhesion property, reflow resistance and hermetic sealing property.
  • m represents an integer of 3 to 7.
  • the siloxane diamine represented by the general formula (9) is preferable.
  • d in the formula (9) is 1, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4- Aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-bis (4-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (2- Aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (2- Aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (3- Aminobutyl) disiloxane, 1,3-dimethyl-1,3 Examples include dime
  • the above diamines can be used singly or in combination of two or more.
  • the amount of the diamine is preferably 1 mol% to 80 mol%, more preferably 2 mol% to 50 mol%, more preferably 5 mol% to 30 mol% of the total diamine. Further preferred. When it is 1 mol% or more, the effect of adding siloxane diamine is sufficiently obtained, and when it is 80 mol% or less, compatibility with other components, high-temperature adhesion, and developability tend to be improved.
  • the Tg when determining the composition of the polyimide resin, it is preferable to design the Tg to be 150 ° C. or lower as described above.
  • the diamine that is a raw material of the polyimide resin the general formula (8) It is particularly preferred to use the aliphatic ether diamine represented.
  • a phenolic hydroxyl group-containing amine When a phenolic hydroxyl group-containing amine is used during the synthesis of the polyimide resin, a phenolic hydroxyl group can be introduced as a terminal group by a reaction between the residue derived from tetracarboxylic acid and the amino group of the phenolic hydroxyl group-containing amine. it can. Thereby, the weight average molecular weight of the polymer can be lowered, and the developability and thermocompression property at the time of pattern formation can be improved.
  • an aminophenol derivative is preferable.
  • aminophenol derivatives include o-aminophenol, m-aminophenol, p-aminophenol, aminocresols such as 2-amino-m-cresol, and aminomethoxybenzenes such as 2-amino-4-methoxybenzene, 4
  • Examples include -hydroxydimethylanilines such as -hydroxy-2,5-dimethylaniline and the like, and a compound represented by the following formula (10) is preferable.
  • those having a hydroxyl group at the meta position of the amino group are preferred from the viewpoint of solubility in an alkali developer and stability in varnish, and among these, m-aminophenol can be easily introduced during polyimide synthesis. Is particularly preferred.
  • Polyimide resin having a phenolic hydroxyl group as a terminal group has, in addition to pattern formability, thermocompression bonding, and high temperature adhesiveness, stability when the composition is in the form of a varnish or a film, protrusions and steps such as connection terminals. This is preferable because embedding (flatness) by application or lamination to a certain substrate is improved.
  • polyimide resins can be used alone or in combination of two or more.
  • the above polyimide resin preferably has a transmittance of 10% or more, more preferably 20% or more, for light having a wavelength of 365 nm when formed into a 30 ⁇ m film.
  • a polyimide resin is represented by, for example, an acid anhydride represented by the above formula (2), an aliphatic ether diamine represented by the above general formula (8), and / or the above general formula (9). It can be synthesized by reacting with siloxane diamine.
  • the content of the component (A) is preferably 10% by mass to 90% by mass, and preferably 15% by mass to 80% by mass, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. More preferably, it is more preferably 20% by mass to 70% by mass, and particularly preferably 30% by mass to 60% by mass.
  • the content is 10% by mass or more, the developability during pattern formation tends to be better, and the handleability such as tackiness tends to be better.
  • it is 90% by mass or less developability and adhesiveness during pattern formation tend to be better.
  • a resin having a carboxyl group and / or a hydroxyl group and / or a resin having a hydrophilic group is added as a dissolution aid. May be.
  • the resin having a hydrophilic group is not particularly limited as long as it is an alkali-soluble resin, and examples thereof include resins having glycol groups such as ethylene glycol and propylene glycol groups.
  • the compound which has an ethylenically unsaturated group is mentioned, for example.
  • the ethylenically unsaturated group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a maleimide group, a nadiimide group, and a (meth) acryloyl group.
  • the ethylenically unsaturated group is preferably a (meth) acryloyl group
  • the component (B) is preferably a bifunctional or higher functional (meth) acrylate.
  • Such (meth) acrylates are not particularly limited and are diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane.
  • Diacrylate trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1, 6-hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol Tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,3-acryloyloxy-2-hydroxypropane, 1 , 2-Methacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylenebisacryl
  • the above-mentioned radiation polymerizable compounds can be used singly or in combination of two or more.
  • the radiation polymerizable compound having a glycol skeleton represented by the general formula (12) is preferable in that it can sufficiently impart alkali solubility and solvent resistance after curing.
  • isocyanuric acid EO-modified di / triacrylate and isocyanuric acid EO-modified di / trimethacrylate are preferable in that they can sufficiently impart pattern formability, high adhesion after curing, heat resistance, and moisture resistance reliability.
  • the component (B) preferably contains a trifunctional or higher functional acrylate compound.
  • the adhesiveness after curing can be further improved and outgassing during heating can be suppressed.
  • the storage elastic modulus after hardening can be raised and favorable moisture resistance reliability can be obtained.
  • the radiation-polymerizable compound having a high functional group equivalent preferably has a polymerizable functional group equivalent of 300 g / eq or less, more preferably 250 g / eq or less, and even more preferably 200 g / eq or less.
  • a radiation polymerizable compound having a glycol skeleton and a urethane bond and / or an isocyanuric ring having a polymerization functional group equivalent of 200 g / eq or less the developability and adhesiveness of the photosensitive resin composition are improved, In addition, it is possible to reduce stress and warp.
  • a radiation polymerizable compound having a polymerization functional group equivalent of 300 g / eq or more and a radiation polymerizable compound having a polymerization functional group equivalent of less than 300 g / eq may be used in combination.
  • the content of the component (B) is preferably 10 parts by mass to 500 parts by mass, more preferably 20 parts by mass to 250 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the component (A).
  • the amount is more preferably 150 parts by weight, and particularly preferably 40 to 100 parts by weight.
  • the content is 500 parts by mass or less, a decrease in fluidity at the time of heat melting due to polymerization is suppressed, and the adhesiveness at the time of thermocompression bonding tends to be improved.
  • it is 10 parts by mass or more the solvent resistance after photocuring by exposure is improved, and the pattern can be formed more easily. That is, the change in film thickness before and after development tends to be small, and the residue tends to be small. Moreover, it is difficult to melt at the time of thermocompression bonding, and deformation of the pattern can be prevented.
  • the component (C) preferably has a molecular extinction coefficient of 1000 ml / g ⁇ cm or more, more preferably 2000 ml / g ⁇ cm or more, for light having a wavelength of 365 nm from the viewpoint of improving sensitivity.
  • the molecular extinction coefficient is obtained by preparing a 0.001% by mass acetonitrile solution of the sample and measuring the absorbance of this solution using a spectrophotometer (trade name: U-3310, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). It is done.
  • the component (C) preferably has an oxime ester skeleton from the viewpoint of high sensitivity.
  • examples of such component (C) include 1- [4- (phenylthio) phenyl] octane-1,2-dione-2- (O-benzoyloxime), ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime) ”and the like.
  • a material that is bleached by light irradiation can also be mentioned as preferable.
  • component (C) examples include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one. 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1, 2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, etc.
  • Benzyl derivatives such as aromatic ketones, benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) imidazole Dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o Methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer 2,4,5-triarylimidazole dimers such as 2- (2,4-dimethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9 , 9'-acridinyl) h
  • the component (C) is a (D) epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as the (D) component) or (E) a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group (hereinafter referred to as the (E) component).
  • a photoinitiator that exhibits a function of accelerating a curing reaction such as polymerization and addition reaction by irradiation with radiation. Examples of such a photoinitiator include a photobase generator that generates a base by irradiation and a photoacid generator that generates an acid by irradiation, and a photobase generator is particularly preferable.
  • Examples of the radiation include ionizing radiation and non-ionizing radiation.
  • excimer laser light such as ArF and KrF
  • electron beam extreme ultraviolet light vacuum ultraviolet light
  • X-ray extreme ultraviolet light
  • ion beam i-ray
  • examples include ultraviolet light such as g-line.
  • the generated base acts efficiently as a curing catalyst for the component (D) or component (E).
  • the crosslinking density of the photosensitive resin composition is further increased, and the high-temperature adhesiveness and moisture resistance of the photosensitive adhesive composition to the adherend are improved.
  • the outgas at the time of high temperature standing can be reduced more by making the said photosensitive resin composition contain a photobase generator.
  • the curing process can be reduced in temperature and time.
  • the said base can reduce the carboxyl group and / or hydroxyl group in (A) component which remain
  • the photobase generator can be used without particular limitation as long as it is a compound that generates a base when irradiated with radiation.
  • a strongly basic compound is preferable from the viewpoint of reactivity and curing speed.
  • Examples of the base generated upon irradiation with radiation include imidazole derivatives such as imidazole, 2,4-dimethylimidazole, and 1-methylimidazole, piperazine derivatives such as piperazine and 2,5-dimethylpiperazine, piperidine, 1,2, and the like.
  • -A piperidine derivative such as dimethylpiperidine, a proline derivative, a trialkylamine derivative such as trimethylamine, triethylamine or triethanolamine, an amino group or an alkylamino group substituted at the 4-position of 4-methylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, etc.
  • Pyridine derivatives such as pyrrolidine, n-methylpyrrolidine, dihydropyridine derivatives, triethylenediamine, alicyclic amine derivatives such as 1,8-diazabiscyclo (5,4,0) undecene-1 (DBU) And benzyl methyl amine, benzyl dimethyl amine, benzyl amine derivatives such as benzyl diethylamine.
  • the quaternary ammonium salt derivatives described in the above can be used. Since these produce highly basic trialkylamines by irradiation, they are optimal for curing epoxy resins.
  • carbamic acid derivatives described in Journal of American Chemical Society 1996, 118, 12925, Polymer Journal 1996, 28, 795, and the like can also be used.
  • an oxime derivative that generates a primary amino group upon irradiation 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropan-1-one, which is commercially available as a photoradical generator ( Ciba Japan, trade name: Irgacure 907), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1 (Ciba Japan, trade name: Irgacure 369), 2- (Dimethylamino) -2-((4-methylphenyl) methyl) -1- (4- (4-morpholinyl) phenyl) -1-butanone (manufactured by Ciba Japan, trade name: Irgacure 379), 3, 6 -Bis- (2-methyl-2-morpholino-propionyl) -9-N-octylcarbazole (trade name: Optomer N-1 manufactured by ADEKA) 14), hexa
  • the photobase generator a compound in which a group capable of generating a base is introduced into the main chain and / or side chain of the polymer may be used.
  • the weight average molecular weight is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 30,000, from the viewpoints of adhesiveness, fluidity and heat resistance as an adhesive.
  • the photobase generator does not show reactivity with the components (D) and (E) described below in a state where it is not irradiated with radiation at room temperature, it has excellent storage stability at room temperature.
  • the photosensitive resin composition of the present embodiment may contain (D) an epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as “component (D)”).
  • component (D) preferably contains at least two epoxy groups in the molecule from the viewpoint of high-temperature adhesion and reflow resistance, and is room temperature (25 ° C.) from the viewpoint of pattern formability and thermocompression bonding. More preferred are glycidyl ether type epoxy resins which are liquid or semi-solid, specifically having a softening temperature of 50 ° C. or lower. Such a resin is not particularly limited.
  • bisphenol A type, AD type, S type or F type glycidyl ether water-added bisphenol A type glycidyl ether, ethylene oxide adduct bisphenol A type glycidyl ether, propylene Oxide adduct bisphenol A type glycidyl ether, trifunctional type or tetrafunctional type glycidyl ether, dimer acid glycidyl ester, and trifunctional type or tetrafunctional type glycidylamine may be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the 5% mass reduction temperature is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, further preferably 200 ° C. or higher, and particularly preferably 260 ° C. or higher. preferable.
  • the 5% mass reduction temperature is 150 ° C. or higher, the low outgassing property, the high temperature adhesiveness and the reflow resistance are improved.
  • the 5% mass reduction temperature means that the sample was heated at a rate of 10 ° C./min with a nitrogen flow (400 ml) using a differential thermogravimetric simultaneous measurement apparatus (product name: TG / DTA6300, manufactured by SII Nanotechnology). / Min) is a 5% mass loss temperature when measured under.
  • an epoxy resin represented by the following formula As the component (D), it is preferable to use an epoxy resin represented by the following formula as the component (D). By using such an epoxy resin, 5% mass reduction temperature, pattern formability, high temperature adhesion, reflow resistance and moisture resistance reliability can be sufficiently imparted.
  • the component (D) it is preferable to use a high-purity product in which alkali metal ions, alkaline earth metal ions, and halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine, which are impurity ions, are reduced to 300 ppm or less. .
  • alkali metal ions, alkaline earth metal ions, and halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine, which are impurity ions are reduced to 300 ppm or less.
  • the content of component (D) is preferably 5 to 300 parts by mass, more preferably 10 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A).
  • the content is 300 parts by mass or less, the solubility in an alkaline aqueous solution is improved, and the pattern formability tends to be improved.
  • the content is 5 parts by mass or more, sufficient thermocompression bonding property and high-temperature adhesiveness tend to be obtained.
  • the total amount of the component (D) and the component (E) described later is preferably 20 parts by mass or more and more preferably 30 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the component (A).
  • Tg of (A) component is 70 degreeC or more
  • it is preferable that the total amount of (D) component and (E) component is 30 mass parts or more, and it is more preferable that it is 40 mass parts or more. More preferably, it is 50 parts by mass or more.
  • the photosensitive resin composition of the present embodiment may contain (E) a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group.
  • the component (E) is different from the component (B) and the component (D).
  • Examples of the ethylenically unsaturated group in component (E) include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a maleimide group, a nadiimide group, and a (meth) acryloyl group. From the viewpoint of reactivity, a (meth) acryloyl group is preferable.
  • Component (E) is not particularly limited, but includes glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether and 4-hydroxybutyl methacrylate glycidyl ether, as well as functional groups that react with epoxy groups and ethylenically unsaturated groups. And a compound obtained by reacting a compound having a polyfunctional epoxy resin with the compound.
  • the functional group that reacts with the epoxy group is not particularly limited, and examples thereof include an isocyanate group, a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a hydroxyl group, an acid anhydride, an amino group, a thiol group, and an amide group. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
  • the component (E) is, for example, a polyfunctional epoxy resin having at least two epoxy groups in one molecule in the presence of triphenylphosphine and / or tetrabutylammonium bromide, and 0.1 equivalent to 1 equivalent of epoxy group. Those obtained by reacting an equivalent amount to 0.9 equivalents of (meth) acrylic acid can be used. Moreover, it is obtained by reacting a polyfunctional isocyanate compound, a hydroxy group-containing (meth) acrylate and a hydroxy group-containing epoxy compound in the presence of dibutyltin dilaurate, or a polyfunctional epoxy resin and an isocyanate group-containing (meth) acrylate. Glycidyl group-containing urethane (meth) acrylate obtained by reacting can also be used.
  • the component (E) preferably has a 5% mass reduction temperature of 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, further preferably 200 ° C. or higher, and particularly preferably 260 ° C. or higher. .
  • a 5% mass reduction temperature of 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, further preferably 200 ° C. or higher, and particularly preferably 260 ° C. or higher. .
  • the temperature is 150 ° C. or higher, storage stability, adhesiveness, low outgassing property, heat resistance, and moisture resistance of the package during and after assembly heating are improved.
  • the component (E) is preferably a high-purity product in which alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions, hydrolyzable chlorine, and the like, which are impurity ions, are reduced to 1000 ppm or less.
  • the impurity ion concentration can be satisfied by using a polyfunctional epoxy resin with reduced alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, and the like as a raw material.
  • the number of epoxy groups and ethylenically unsaturated groups in the component (E) may be 3 or less from the viewpoint of improving thermocompression bonding, low stress properties and adhesion, and maintaining developability during pattern formation.
  • the number of ethylenically unsaturated groups is preferably 2 or less.
  • the component (E) is not particularly limited, but compounds represented by the following general formulas (13) to (18) are preferably used.
  • R 12 and R 16 represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 10 , R 11 , R 13 and R 14 represent a divalent organic group
  • R 15 , R 17 , R 18 and R 19 each represents an organic group having an epoxy group or an organic group having an ethylenically unsaturated group.
  • component (E) a compound represented by the general formula (13) or (14) is preferably used. By using these, the thermocompression bonding property is improved.
  • the content of the component (E) is preferably 5 to 300 parts by mass, more preferably 10 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). More preferably, it is 20 to 100 parts by mass.
  • the content is 300 parts by mass or less, thixotropy is improved during film formation, and film formation can be easily performed. Further, tackiness tends to be reduced, and handling properties tend to be easier. Further, developability tends to be improved during pattern formation, and the pattern is not easily deformed during thermocompression because the melt viscosity after photocuring is increased.
  • the content of the component (E) is 5 parts by mass or more, the effect of addition is easily obtained.
  • the component (E) serves as a spacer at the time of photocuring while maintaining the pattern forming property, and can reduce the crosslink density, so that the thermocompression bonding property can be greatly improved.
  • the photosensitive resin composition of the present embodiment may contain a curing agent as the curable component in addition to the component (E).
  • curing agent examples include phenolic compounds, aliphatic amines, alicyclic amines, aromatic polyamines, polyamides, aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, dicyandiamide, and organic acid dihydrazides. , Boron trifluoride amine complexes, imidazoles and tertiary amines.
  • phenolic compounds (which are different from the component (A) above) are preferable, and phenolic compounds having at least two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule are more preferable. Pattern formation is improved by using a phenol compound.
  • examples of such compounds include phenol novolak, cresol novolak, t-butylphenol novolak, dicyclopentadiene cresol novolak, dicyclopentadienephenol novolak, xylylene-modified phenol novolak, naphthol compound, trisphenol compound, tetrakisphenol novolak, Bisphenol A novolac, poly-p-vinylphenol and phenol aralkyl resin.
  • the content of the phenol compound is preferably 1 part by mass to 100 parts by mass, more preferably 2 parts by mass to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). More preferably, it is 30 parts by mass.
  • the content is 100 parts by mass or less, the reactivity of the compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group and the radiation polymerizable compound at the time of exposure tends to be improved.
  • the reduction or swelling of the film thickness after development can be suppressed by reducing the acid value of the resin. Further, since the penetration of the developer into the resin pattern is reduced, the outgas in the subsequent heat curing and the assembly heat history is reduced, and the heat resistance reliability and the moisture resistance reliability tend to be improved. On the other hand, when the content is 1 part by mass or more, sufficient high-temperature adhesiveness tends to be easily obtained.
  • the phenol compound As the above-mentioned phenol compound, it is preferable to use a phenol compound represented by the following formula in that it has a high 5% mass reduction temperature and can sufficiently impart pattern forming properties.
  • the phenol compound includes a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group of the side chain of the component (A) in the resin composition, a molar equivalent of the phenolic hydroxyl group of the phenolic compound, and an epoxy of the component (D) and the component (E).
  • the ratio [epoxy group / (carboxyl group and / or phenolic hydroxyl group)] to the molar equivalent of the group is preferably 0.5 to 1.5, more preferably 0.7 to 1.4, More preferably, it is 0.9 to 1.2.
  • the photosensitive resin composition of the present embodiment may contain (F) filler (hereinafter sometimes referred to as “component (F)”) as appropriate.
  • component (F) include metal fillers such as silver powder, gold powder, copper powder, and nickel powder, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide,
  • component (F) include inorganic fillers such as magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, crystalline silica, amorphous silica, boron nitride, titania, glass, iron oxide, and ceramic, and organic fillers such as carbon and rubber fillers. Regardless of shape, etc., it can be used without particular limitation.
  • the component (F) can be properly used according to the desired function.
  • the metal filler imparts conductivity, thermal conductivity, thixotropy, etc. to the resin composition
  • the inorganic filler imparts thermal conductivity, low thermal expansion, low hygroscopicity, etc. to the adhesive layer.
  • the organic filler imparts toughness and the like to the adhesive layer.
  • metal fillers, inorganic fillers or organic fillers can be used singly or in combination of two or more.
  • a metal filler, an inorganic filler, or an insulating filler is preferable.
  • the electrical conductivity, thermal conductivity, low moisture absorption characteristics, insulating properties, etc. required for the adhesive material for semiconductor devices are imparted.
  • silica fillers are more preferable. The silica filler has good dispersibility with respect to the resin varnish and can impart a high adhesive force when heated.
  • the component (F) preferably has an average particle size of 10 ⁇ m or less and a maximum particle size of 30 ⁇ m or less, more preferably an average particle size of 5 ⁇ m or less and a maximum particle size of 20 ⁇ m or less.
  • the average particle size is 10 ⁇ m or less and the maximum particle size is 30 ⁇ m or less, the effect of improving fracture toughness tends to be obtained more sufficiently.
  • the lower limits of the average particle diameter and the maximum particle diameter are not particularly limited, but both are preferably 0.001 ⁇ m or more from the viewpoint of handleability.
  • the content of the component (F) is determined according to the characteristics or functions to be imparted, but is preferably 0% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the resin component and the filler, and 1% by mass to 40% by mass. % Is more preferable, and 3% by mass to 30% by mass is more preferable.
  • the content of the component (F) is 50% by mass or less, the thermocompression bonding property and the pattern forming property tend to be easily obtained.
  • the optimum filler content is determined.
  • Mixing and kneading in the case of using a filler can be carried out by appropriately combining a dispersing machine such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.
  • the photosensitive resin composition of the present embodiment may contain (G) a curing accelerator (hereinafter sometimes referred to as (G) component).
  • the component (G) is not particularly limited as long as it accelerates curing and / or polymerization of epoxy by heating.
  • examples of the component (G) include aromatic nitrogen-containing compounds, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetra. Phenyl borate is mentioned.
  • an imidazole compound or a salt thereof is preferable because it can achieve both a promoting effect and stability.
  • Particularly effective and preferable examples include 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate and the like.
  • the content of the curing accelerator in the photosensitive resin composition of component (G) is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (D) epoxy resin.
  • Various coupling agents can also be added to the photosensitive resin composition of the present embodiment.
  • the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based.
  • a silane-based coupling agent is preferable because of its high effect, and radiation such as a thermosetting group such as an epoxy group or methacrylate or acrylate.
  • a compound having a polymerizable group is more preferred.
  • the boiling point and / or decomposition temperature of the silane coupling agent is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, and further preferably 200 ° C. or higher.
  • a silane coupling agent having a boiling point and / or decomposition temperature of 200 ° C. or higher and a thermosetting group such as an epoxy group or a radiation polymerizable group such as methacrylate or acrylate is most preferably used.
  • the amount of the coupling agent used is preferably 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) to be used, from the viewpoint of its effect, heat resistance and cost.
  • An ion scavenger can be further added to the photosensitive resin composition of the present embodiment.
  • the ion scavenger adsorbs ionic impurities and improves insulation reliability during moisture absorption.
  • Such an ion scavenger is not particularly limited.
  • a triazine thiol compound, a phenol-based reducing agent, etc., a compound known as a copper damage preventer for preventing copper from ionizing and dissolving a powder Bismuth-based, antimony-based, magnesium-based, aluminum-based, zirconium-based, calcium-based, titanium-based, tin-based, and mixed inorganic compounds.
  • ion scavengers are not particularly limited, but inorganic ion scavengers manufactured by Toa Gosei Co., Ltd., trade names: IXE-300 (antimony), IXE-500 (bismuth), IXE-600 (antimony, Bismuth mixed system), IXE-700 (magnesium and aluminum mixed system), IXE-800 (zirconium based) and IXE-1100 (calcium based). These can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the ion scavenger used is preferably 0.01 parts by mass to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.
  • a sensitizer can be used in combination as necessary.
  • this sensitizer include camphorquinone, benzyl, diacetyl, benzyldimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, benzyl di (2-methoxyethyl) ketal, 4,4′-dimethylbenzyl-dimethyl ketal, anthraquinone, 1-chloroanthraquinone.
  • a thermal radical generator can be used as necessary.
  • the thermal radical generator is preferably an organic peroxide.
  • the organic peroxide preferably has a one minute half-life temperature of 120 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher.
  • the organic peroxide is selected in consideration of the preparation conditions of the photosensitive resin composition, the film forming temperature, the curing (bonding) conditions, other process conditions, storage stability, and the like.
  • the organic peroxide that can be used is not particularly limited.
  • the amount of the thermal radical generator added is preferably 0.01% by mass to 20% by mass, more preferably 0.1% by mass to 10% by mass, based on the total amount of the compound having an ethylenically unsaturated group. 5 to 5% by mass is more preferable. If it is 0.01% by mass or more, the curability is improved and the effect of addition tends to be sufficiently obtained. Further, if it is 5% by mass or less, the amount of outgas decreases and the storage stability tends to be improved.
  • the thermal radical generator is not particularly limited as long as it has a half-life temperature of 120 ° C. or higher.
  • perhexa 25B manufactured by NOF Corporation
  • 2,5-dimethyl-2,5-di t- Butyl peroxyhexane
  • park mill D manufactured by NOF Corporation
  • dicumyl peroxide 1 minute half-life temperature: 175 ° C.
  • a polymerization inhibitor or an antioxidant such as quinones, polyhydric phenols, phenols, phosphites, and sulfurs is further added within a range that does not impair the curability. May be. By adding these components, higher storage stability, process adaptability, and antioxidant properties are imparted.
  • the Tg of the alkali-soluble resin (A) is preferably 40 ° C. to 150 ° C. from the viewpoints of improving moisture resistance reliability and handleability and suppressing warpage after heat curing. And it is preferable that the storage elastic modulus in 110 degreeC after heat-hardening is 10 Mpa or more.
  • a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin having such a Tg and satisfying a storage elastic modulus at 110 ° C. of 10 MPa or more after being heat-cured for example, by using the following components in combination: Obtainable. That is, with respect to 100 parts by mass of (A) alkali-soluble resin having Tg of 40 ° C.
  • the storage elastic modulus at 110 ° C. after exposure and further heat curing is 1 GPa or less from the viewpoint of improvement in moisture resistance reliability and handleability and suppression of warpage after heat curing.
  • the photosensitive resin composition satisfying such conditions include, for example, a radiation-polymerizable group equivalent of 400 g / eq or less, preferably 250 g per 100 parts by mass of (A) alkali-soluble resin having a Tg of 40 ° C. to 150 ° C.
  • a film adhesive can be obtained by forming the photosensitive resin composition into a film.
  • FIG. 1 is an end view showing an embodiment of the film adhesive of the present invention.
  • a film adhesive 1 shown in FIG. 1 is obtained by forming the above photosensitive resin composition into a film.
  • the film adhesive 1 is formed into a film by, for example, applying the photosensitive resin composition on the substrate 3 shown in FIG. 2 and drying it.
  • the adhesive sheet 100 provided with the base material 3 and the adhesive layer 1 made of the film-like adhesive formed on the base material 3 is obtained.
  • FIG. 2 is an end view showing an embodiment of the adhesive sheet 100 of the present invention.
  • the adhesive sheet 100 shown in FIG. 2 is comprised from the base material 3 and the adhesive bond layer 1 which consists of a film adhesive provided on the one side.
  • FIG. 3 is an end view showing another embodiment of the adhesive sheet of the present invention.
  • the adhesive sheet 110 shown in FIG. 3 is comprised from the base material 3, the adhesive bond layer 1 and the cover film 2 which consist of a film adhesive provided on one side of this.
  • the film adhesive 1 can be obtained, for example, by the following method. First, component (A), component (B), component (C) and other components added as necessary are mixed in an organic solvent, and the mixture is kneaded to prepare a varnish. Next, this varnish is apply
  • the organic solvent used for preparing the varnish is not particularly limited as long as the material can be uniformly dissolved or dispersed.
  • the varnish solvent include dimethylformamide, toluene, benzene, xylene, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, dioxane, cyclohexanone, ethyl acetate, and N-methyl-2-pyrrolidinone (N-methyl-2-pyrrolidone). It is done.
  • the above mixing and kneading can be performed by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.
  • the drying by heating is performed at a temperature at which the component (B) does not sufficiently react and the solvent is sufficiently volatilized.
  • the “temperature at which the component (B) does not sufficiently react” refers to DSC (for example, Perkin Elmer, trade name: DSC-7 type), sample amount: 10 mg, temperature rise
  • the temperature is equal to or lower than the peak temperature of the heat of reaction when measured under the conditions of speed: 5 ° C./min and measurement atmosphere: air.
  • the varnish layer is dried by heating at 60 to 180 ° C. for 0.1 to 90 minutes.
  • the thickness of the varnish layer before drying is preferably 1 ⁇ m to 200 ⁇ m. If the thickness is less than 1 ⁇ m, the adhesive fixing function tends to be insufficient, and if it exceeds 200 ⁇ m, the residual volatile matter described later tends to increase.
  • the residual volatile content of the obtained film adhesive is preferably 10% by mass or less. If this residual volatile content exceeds 10% by mass, voids tend to remain inside the adhesive layer due to foaming due to solvent volatilization during assembly heating, and the moisture resistance tends to decrease. In addition, there is a tendency that peripheral materials or members are contaminated by volatile components generated during heating.
  • the substrate 3 is not particularly limited as long as it can withstand the above-described drying conditions.
  • a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyether naphthalate film, and a methylpentene film can be used as the substrate 3.
  • the film as the substrate 3 may be a multilayer film in which two or more kinds are combined, or the surface may be treated with a release agent such as a silicone or silica.
  • FIG. 4 is a top view showing an embodiment of a semiconductor wafer with an adhesive layer of the present invention
  • FIG. 5 is an end view taken along line IV-IV in FIG.
  • a semiconductor wafer 20 with an adhesive layer shown in FIGS. 4 and 5 includes a semiconductor wafer 8 and a film adhesive (adhesive layer) 1 provided on one surface thereof.
  • the semiconductor wafer 20 with an adhesive layer is obtained by laminating the film adhesive 1 on the semiconductor wafer 8 while heating.
  • the film adhesive 1 can be attached to the semiconductor wafer 8 at a low temperature of about room temperature (25 ° C.) to 150 ° C., for example.
  • FIG. 6 is an end view showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention.
  • a semiconductor device 230 shown in FIG. 6 includes a support member (first adherend) 13 having a connection electrode portion (first connection portion: not shown) and a connection terminal (second connection portion: not shown).
  • a semiconductor chip (second adherend) 14 an adhesive layer 1 made of an insulating material, and a conductive layer 9 made of a conductive material.
  • the support member 13 has a circuit surface 18 that faces the semiconductor chip 14, and is disposed at a predetermined interval from the semiconductor chip 14.
  • the adhesive layer 1 is formed in contact with the support member 13 and the semiconductor chip 14 and has a predetermined pattern.
  • the conductive layer 9 is formed in a portion between the support member 13 and the semiconductor chip 14 where the adhesive layer 1 is not disposed.
  • the connection terminal of the semiconductor chip 14 is electrically connected to the connection electrode portion of the support member 13 through the conductive layer 9.
  • FIGS. 7 to 12 are end views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment includes the following (first step) to (fifth step).
  • Step 1 A step of patterning the adhesive layer 1 by exposure and development so as to form an opening 11 through which the connection terminal is exposed (FIGS. 9 and 10).
  • the supporting member 13 having the connecting electrode portion is directly bonded to the adhesive layer 1 side of the laminated body of the semiconductor chip 14 and the adhesive layer 1 singulated, and the connecting electrode of the supporting member 13 A step of electrically connecting the connecting portion and the connection terminal of the semiconductor chip 14 via the conductive layer 9 (FIG. 6).
  • the adhesive layer 1 is laminated on the circuit surface of the semiconductor wafer 12 having the connection electrode portion shown in FIG. 7 (FIG. 8).
  • a laminating method it is simple to prepare a film-like adhesive formed in advance in a film form and affix it to the semiconductor wafer 12, but the photosensitive resin composition is contained using a spin coat method or the like.
  • the liquid varnish to be applied may be applied to the semiconductor wafer 12 and laminated by heat drying.
  • the photosensitive resin composition according to the present embodiment is a photosensitive resin composition having adhesiveness to an adherend after being patterned by exposure and development and capable of alkali development. More specifically, a resist pattern (adhesive pattern) formed by patterning the photosensitive resin composition by exposure and development has adhesion to an adherend such as a semiconductor chip or a substrate. For example, the resist pattern and the adherend can be bonded to each other by pressing the adherend to the resist pattern while heating as necessary.
  • Actinic rays typically ultraviolet rays
  • the mask 4 having openings formed at predetermined positions (FIG. 9). Thereby, the adhesive layer 1 is exposed in a predetermined pattern.
  • the portion of the adhesive layer 1 that has not been exposed is removed by development using an alkaline developer so that the opening 11 through which the connection terminal of the semiconductor wafer 12 is exposed is formed. Is patterned (FIG. 10).
  • a positive photosensitive resin composition instead of the negative photosensitive resin composition. In this case, the exposed portion of the adhesive layer 1 is removed by development.
  • a conductive layer 9 is formed by filling the openings 11 of the obtained resist pattern with a conductive material (FIG. 11).
  • a conductive material As a method for filling the conductive material, various methods such as gravure printing, pressing with a roll, and reduced pressure filling can be employed.
  • the conductive material used here include electrode materials made of metal such as solder, gold, silver, nickel, copper, platinum, and palladium, and metal oxides such as ruthenium oxide, or bumps of the above metals. Besides these, for example, those containing at least conductive particles and a resin component can be mentioned.
  • conductive particles for example, conductive particles such as metals such as gold, silver, nickel, copper, platinum, and palladium, metal oxides such as ruthenium oxide, and organometallic compounds are used.
  • a resin component curable resin compositions mentioned above, such as an epoxy resin and its hardening
  • a laminated body of the semiconductor wafer 12, the adhesive layer 1, and the conductive layer 9 is cut into the semiconductor chips 14 by dicing (FIG. 12).
  • connection electrode portion is directly bonded to the adhesive layer 1 side of the laminated body of the semiconductor chip 14 and the adhesive layer 1, and the connection electrode portion of the support member 13 and the semiconductor chip 14. These connection terminals are electrically connected through the conductive layer 9.
  • a patterned adhesive layer (buffer coat film) may be formed on the circuit surface of the semiconductor chip 14 opposite to the adhesive layer 1.
  • the semiconductor chip 14 is bonded by, for example, a method of thermocompression bonding while heating to a temperature at which the adhesive layer 1 (photosensitive resin composition) exhibits fluidity. After thermocompression bonding, the adhesive layer 1 may be heated as necessary to further advance the curing reaction.
  • the semiconductor device 230 shown in FIG. 6 is obtained by the above method.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention.
  • a laminate of the semiconductor wafer 12 and the adhesive layer 1 is formed on the wafer-sized support member 13, and an adhesive of the laminate of the semiconductor wafer 12 and the adhesive layer 1 is used. While directly bonding to the layer 1 side, the connection terminal of the support member 13 and the connection electrode portion of the semiconductor wafer 12 are electrically connected via the conductive layer 9, and in the fifth step, the semiconductor wafer 12 and the adhesive are connected. A method of cutting the laminated body of the layer 1 and the support member 13 for each semiconductor chip 14 may be used.
  • the above manufacturing method is preferable in terms of work efficiency because the process up to the connection between the semiconductor wafer 12 and the support member 13 (fourth process) can be performed in the wafer size.
  • the support member 13 may be a semiconductor chip or a semiconductor wafer.
  • the semiconductor device semiconductor stack
  • the semiconductor wafer semiconductor wafer
  • the said manufacturing method can also use the semiconductor wafer in which the conductive layer 9 is already formed in the electrode part for a connection in a 1st process. In this case, the opening 11 can be performed in the second step so that the conductive layer 9 is exposed, and the third step can be omitted to proceed to the fourth step.
  • ODPA 4,4′-oxydiphthalic dianhydride
  • BIS-AP-AF which is a diamine
  • D -400 8.66 g (0.02 mol)
  • BY16-871EG 2.485 g (0.01 mol)
  • m-aminophenol 2.183 g (0.02 mol)
  • NMP NMP
  • PI-3 In a flask equipped with a stirrer, thermometer, nitrogen displacement device (nitrogen inlet tube) and reflux condenser with moisture acceptor, 5,5'-methylenebis (anthranilic acid) diamine (manufactured by Wakayama Seika Co., Ltd., product) Name: MBAA, molecular weight: 286) 5.72 g (0.02 mol), D-400 25.98 g (0.06 mol), BY16-871EG 2.48 g (0.01 mol) and NMP as a solvent 110 g The mixture was charged and stirred to dissolve the diamine in the solvent.
  • PI-4 In a flask equipped with a stirrer, a thermometer, a nitrogen displacement device (nitrogen inflow pipe) and a reflux condenser with a moisture acceptor, MBA, which is a diamine, was 5.72 g (0.02 mol) and D-400 was 12. 99 g (0.03 mol), 2.48 g (0.01 mol) of BY16-871EG, 1,4-butanediol bis (3-aminopropyl) ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry, trade name: B-12, molecular weight: 204. 31) was charged with 8.17 g (0.04 mol) and 110 g of NMP as a solvent, and stirred to dissolve the diamine in the solvent.
  • ⁇ (E) component Compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group> (E-1)
  • E-1 Compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group>
  • 178 g of liquid high-purity bisphenol A bisglycidyl ether epoxy resin product name: YD-825GS, epoxy equivalent 178 g / eq
  • stirring 1.0 equivalent
  • 36 g (0.5 equivalent) of acrylic acid, 0.5 g of triphenylphosphine and 0.15 g of hydroquinone were allowed to react at 100 ° C. for 7 hours.
  • a compound E-1 having a group was obtained.
  • E-1 was titrated with an ethanol solution of potassium hydroxide, and it was confirmed that the acid value was 0.3 KOH mg / g or less. (5% mass reduction temperature: 300 ° C., number of epoxy groups: about 1, number of (meth) acryloyl groups: about 1)
  • ⁇ (B) component> M-313 manufactured by Toagosei Co., Ltd., isocyanuric acid EO-modified di- and triacrylate (radiation polymerizable group equivalent: about 160 g / eq, 5% mass reduction temperature:> 400 ° C.).
  • ⁇ (C) component> I-819 Bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide (5% mass loss temperature: 210 ° C., molecular extinction coefficient at 365 nm: 2300 ml / g ⁇ cm) manufactured by Ciba Japan.
  • I-OXE02 Etanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), manufactured by Ciba Japan NMP: N-methyl-2-pyrrolidone manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. ⁇ (D) component> YDF-870GS: manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type bisglycidyl ether (epoxy equivalent: 165 g / eq, 5% mass reduction temperature: 270 ° C.).
  • ⁇ (F) component> R-972: Nippon Aerosil Co., Ltd., hydrophobic fumed silica (average particle size: about 16 nm)
  • G-1 2-Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.
  • G-2 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate.
  • the 5% mass reduction temperature was measured under the following conditions. That is, the sample was measured at a temperature rising rate of 10 ° C./min and under a nitrogen flow (400 ml / min) using a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (product name “TG / DTA6300” manufactured by SII Nano Technology). A 5% mass loss temperature was measured.
  • a 0.001% by mass acetonitrile solution of the sample was prepared, and the absorbance of this solution was measured using a spectrophotometer (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, “U-3310” (trade name)). Asked.
  • ⁇ Adhesive sheet> The obtained photosensitive resin composition was applied onto a substrate (peeling agent-treated PET film) so that the film thickness after drying was 40 ⁇ m, heated in an oven at 80 ° C. for 20 minutes, and then And heated at 120 ° C. for 20 minutes to form an adhesive layer made of the photosensitive resin composition on the substrate.
  • the adhesive sheet which has a base material and the adhesive bond layer formed on this base material was obtained.
  • ⁇ Evaluation test> A silicon wafer (6 inch diameter, thickness 400 ⁇ m) is placed on a support table, and the adhesive sheet is rolled on the silicon wafer so that the adhesive layer is in contact with the surface of the silicon wafer (the surface opposite to the support table). Lamination was performed under pressure (temperature 80 ° C., linear pressure 39.2 N / cm (4 kgf / cm), feed rate 0.5 m / min). Thus, the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer and an adhesive sheet was obtained. The following evaluation test was performed on the laminate obtained above.
  • the laminated body composed of the obtained silicon wafer and the cured product layer was separated into pieces of 3 mm ⁇ 3 mm. After drying the separated laminate on a hot plate at 120 ° C. for 10 minutes, the laminate was laminated on a glass substrate (10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 0.55 mm) so that the cured product layer was in contact with the glass substrate, The pressure was applied at 150 ° C. for 10 seconds while applying pressure at 18.6 N (2 kgf).
  • the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, a hardened
  • the obtained sample was heated in an oven at 180 ° C. for 3 hours, further heated on a hot plate at 260 ° C. for 10 seconds, and then subjected to a shear adhesion tester (trade name: Dage-, manufactured by Dage). 4000) was used to measure the adhesive strength.
  • the measurement results are shown in Tables 2 and 4.
  • the evaluation results are shown in Tables 2 and 4.
  • the adhesive sheet was laminated on the silicon wafer in the same manner as the high temperature adhesiveness evaluation test.
  • the obtained laminate was exposed from the adhesive sheet side through a negative pattern mask (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: No. G-2) in the same manner as in the above test.
  • a negative pattern mask manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: No. G-2
  • the substrate was removed after standing on a hot plate, and development, washing with water and drying were performed. In this way, an adhesive pattern obtained from the photosensitive resin composition was formed on the silicon wafer.
  • a pattern in which a fine line pattern of 60 ⁇ m / 60 ⁇ m or less is formed is represented by B
  • a case in which a fine line pattern of 60 ⁇ m / 60 ⁇ m or more is formed by 400 ⁇ m / 400 ⁇ m or less is represented by C
  • Formability was evaluated.
  • the evaluation results are shown in Tables 2 and 4.
  • the adhesive sheet was laminated with a vacuum laminator (temperature 80 ° C., pressure 0.5 MPa, time 30 seconds) so that the adhesive layer was in contact with the terminal side of the silicon wafer.
  • the substrate (PET film) was peeled and removed, the appearance of the exposed adhesive layer was observed with an optical microscope, and it was confirmed whether or not lamination was possible without generation of voids.
  • a good case with no voids around the terminal was designated as A, B in which voids were observed only in the peripheral part of the terminal, and C (impossible) in which remarkable voids were observed not only around the terminal but also on the entire surface. .
  • Teflon (registered trademark) sheet is placed on a support, and the adhesive sheet is roll-pressed (temperature 60 ° C., linear pressure 39.2 N / cm (4 kgf / cm), feed rate 0.5 m / min). ).
  • the obtained laminate was exposed at 1000 mJ / cm 2 from the side of the adhesive sheet with the base material using a high-precision parallel exposure machine (trade name: EXM-1172-B- ⁇ , manufactured by Oak Seisakusho), and a hot plate at 80 ° C. Heated for 30 seconds above.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the Teflon (registered trademark) sheet on one side was peeled and removed, and the adhesive layers were laminated. This obtained the sample of the laminated body which consists of a Teflon (trademark) sheet, an adhesive bond layer, and a Teflon (trademark) sheet.
  • One side of the Teflon (registered trademark) sheet was peeled and removed, and then heated in an oven at 180 ° C. for 3 hours.
  • the heated sample was cut into a strip of 5 mm width, and the other Teflon (registered trademark) sheet was peeled off. Then, the sample was raised using a viscoelasticity analyzer (trade name: RSA-2, manufactured by Rheometrics). Measurement was performed under the conditions of a temperature rate of 5 ° C./min, a frequency of 1 Hz, a measurement temperature of ⁇ 50 ° C. to 300 ° C., and the obtained tan ⁇ peak temperature was defined as Tg. The evaluation results are shown in Tables 2 and 4.
  • the photosensitive resin composition of the present invention can form an adhesive pattern having sufficient moisture resistance reliability, it is suitably used as an adhesive used in the production of a high-definition semiconductor package.
  • the film adhesive and adhesive sheet of the present invention are superior in alignment accuracy when used on an adherend or support member such as a substrate, glass, silicon wafer or the like than when a liquid resin composition is used.
  • the film adhesive and adhesive sheet of the present invention can improve the resolution of patterning by exposure, and further, low temperature thermocompression bonding with adherends such as substrates, glass, and semiconductor chips after pattern formation. And has excellent heat resistance after thermosetting. Therefore, the film-like adhesive and adhesive sheet of the present invention can be suitably used for protection applications such as semiconductor chips, optical elements and solid-state imaging elements, and adhesives and buffer coating applications where a fine adhesion region is required.
  • SYMBOLS 1 Film adhesive (adhesive layer), 2 ... Cover film, 3 ... Base material, 4 ... Mask, 8 ... Semiconductor wafer, 9 ... Conductive layer, 11 ... Opening, 12 ... Semiconductor wafer, 13 ... Support member, DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 ... Semiconductor chip, 18 ... Circuit surface, 20 ... Semiconductor wafer with an adhesive layer, 100, 110 ... Adhesive sheet, 230 ... Semiconductor device.

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Abstract

 本発明は、(A)末端基としてフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)放射線重合性化合物及び(C)光開始剤を含有する感光性樹脂組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。

Description

感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
 本発明は、感光性樹脂組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置に関する。
 近年、電子部品の高性能化及び高機能化に伴い、種々の形態を有する半導体パッケージが提案されている。半導体パッケージの製造には、半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材とを接着するために接着剤が用いられる。この接着剤には、通常、接着性、熱圧着性、耐熱性、耐湿性等の特性が要求され、フィルム状にして使用する場合にはさらに貼付性が必要となる。
 半導体パッケージの機能、形態及び組み立てプロセスの簡略化の手法によっては、上述の特性に加えてパターン形成が可能な感光性を兼ね備える接着剤が必要とされる場合がある。感光性とは光を照射した部分が化学的に変化し、水溶液又は有機溶剤に不溶化又は可溶化する機能である。この感光性を有する感光性接着剤を用いると、フォトマスクを介して露光及び現像処理を行うことにより、高精細な接着剤パターンを形成することが可能となり、形成された接着剤パターンが被着体に対する熱圧着性を有することとなる。
 感光性の接着剤組成物としては、従来、フォトレジスト、ポリイミド樹脂前駆体(ポリアミド酸)をベースとしたもの(例えば、特許文献1、2)、及び低Tgポリイミド樹脂をベースとしたものが知られている(特許文献3)。また、作業環境、排水処理等の観点から、アルカリ現像液によるパターン形成が可能なものが主流である。
 また、近年、半導体実装分野において、フリップチップ実装方式が注目されている。フリップチップ実装方式とは、半導体チップ同士、又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材とが、複数の導電性バンプを介して接続されるものである。フリップチップ実装方式では、それぞれの接続部材の熱膨張係数差に基づくストレスにより、導電性バンプを介する基板と半導体チップとの接続異常が生じる場合がある。このため、当該ストレスを緩和することを目的に、接続部材間において、樹脂を充填することにより導電性バンプを封止する方式が知られている(例えば、特許文献4)。
特開2000-290501号公報 特開平11-24257号公報 国際公開第07/004569号 特許第3999840号公報
 半導体チップ同士の接続、又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材との接続をするための材料に、従来の液状又はフィルム状の接着剤を使用した場合、以下のような問題がある。例えば液状接着剤では、近年の薄型化されたチップを実装する場合に、塗布量が多すぎると、ボンディング時に染み出した樹脂がチップ側面を這い上がり、ボンディングツールを汚染してしまうおそれがある。
 一方、フィルム状接着剤では、フィルムの厚みを調整することによって最適な樹脂量を与えることが容易にできる反面、仮圧着工程と呼ばれるフィルム状接着剤を基板に貼り付ける工程を必要とする。通常、仮圧着工程は、接着の対象となるチップ幅よりも大きめの幅にスリットされた、リールに巻かれたフィルム状接着剤を用意し、チップサイズに応じて基材上のフィルム状接着剤をカットして、樹脂が反応しない程度の温度で基板上に熱圧着する。ところが、チップ搭載位置にフィルムを精度良く供給することは難しく、また、微小チップ等に対応した細幅のリール加工は困難である。これらのことから、一般的に、歩留まりを確保するためには、仮圧着で貼付けるフィルム状接着剤をチップサイズより大きくすることで対応している。そのため、隣接部分との距離に余裕を設ける必要があり、高密度化実装に対応しにくいという問題があった。
 上記問題を解決する策として、ウエハプロセスで接着剤層を形成する方法が注目されている。ウエハプロセスにおいて接着剤層を形成するためには、従来の感光特性及び接着性に加え、回路由来の段差によらない平坦な膜形成性、均一で高精度なパターン加工性、さらに再配線プロセス、接続端子形成プロセス、ダイシングプロセス等への適応性などを具備する必要がある。
 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、フィルム状に形成して使用した場合のパターン形成性、フィルム安定性及び埋め込み性に優れ、かつ高温で接着した際にボイドが充分に抑制される感光性樹脂組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供することを目的とする。
 上記課題を解決するために、本発明は、(A)末端基としてフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)放射線重合性化合物及び(C)光開始剤を含有する感光性樹脂組成物を提供する。
 本発明の感光性樹脂組成物によれば、上記構成を有することにより、微細にパターニングされて被着体同士を接着した場合であっても、硬化樹脂で保護された接続部の高温高湿下における透湿性を充分に低くすることができ、さらには本発明の半導体装置の信頼性向上に寄与する。さらに本発明の感光性樹脂組成物は、上記構成を有することにより、回路面を有する半導体ウェハの回路面上に膜形成され、露光及び現像によりパターニングされた後に、回路面を有する半導体チップ搭載用支持部材、半導体チップ又は半導体ウェハからなる被着体に対する熱圧着性を有する。
 耐リフロー性等の接続信頼性をさらに向上させる観点から、上記アルカリ可溶性樹脂のガラス転移温度(Tg)は、40℃~150℃であることが好ましく、50℃~120℃であることがより好ましく、60℃~100℃であることがさらに好ましい。アルカリ可溶性樹脂のTgを上記範囲とすることで、感光性樹脂組成物をフィルム状に形成して得られるフィルム状接着剤を被着体に貼り合わせる際の充分な熱圧着性を確保でき、接続信頼性をさらに向上させることができる。
 また、高温接着性及びパターン形成性の観点から、上記アルカリ可溶性樹脂は、末端基及び側鎖基としてフェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂であることが好ましく、アルカリ可溶性基としてフェノール性水酸基のみを有するポリイミド樹脂であることがより好ましい。
 さらに、熱圧着性、高温接着性、パターン形成性及び低透湿性の観点から、上記(A)アルカリ可溶性樹脂が、テトラカルボン酸二無水物と、フェノール性水酸基含有ジアミンをジアミン全体の10モル%~80モル%含有するジアミンと、フェノール性水酸基含有アミンと、を反応させて得られるポリイミド樹脂であることが好ましい。
 また、熱圧着性、高温接着性、パターン形成性及び低透湿性の観点から、上記ジアミンが、下記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミンをジアミン全体の10モル%~80モル%含有することが好ましい。式中、R~Rは、各々独立に、炭素数1~10のアルキレン基を示し、bは2~80の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 さらに、熱圧着性、高温接着性、パターン形成性及び低透湿性の観点から、上記フェノール性水酸基含有ジアミンが、下記一般式(A-1)で表されるフェノール性水酸基含有ジアミンを含むことが好ましい。式中、R21は、単結合又は2価の有機基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 また、高温接着性の観点から、上記(B)放射線重合性化合物が、3官能以上の(メタ)アクリレートを少なくとも1種含有することが好ましい。これにより、露光後、さらに加熱硬化された後の貯蔵弾性率を上昇させることができ、その結果、低透湿性を向上させることができる。
 また、(A)成分、(B)成分及び(C)成分を含有する上記感光性樹脂組成物は、熱圧着性、高温接着性、耐湿信頼性の観点から、(D)エポキシ樹脂をさらに含有することが好ましく、熱圧着性、高温接着性、耐湿信頼性の観点から、(E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物をさらに含有することが好ましい。特に、感光性樹脂組成物が(E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含むことによって、熱圧着性を向上させることができ、その結果、低透湿性を向上させることができる。
 上記エポキシ樹脂は、高温接着性、パターン形成性、耐湿信頼性の観点から、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びビスフェノールA型エポキシ樹脂のうち少なくとも1種を含有することが好ましい。
 本発明の感光性樹脂組成物は、フィルム形成性、高温接着性及び低透湿性の観点から、(F)フィラーをさらに含有することが好ましい。
 本発明の感光性樹脂組成物は、高温接着性、高耐熱性及び耐湿信頼性の観点から、(G)硬化促進剤をさらに含有することが好ましい。
 本発明の感光性樹脂組成物は、半導体チップ同士の接続及び/又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材との接続に使用される接着剤として好適に用いることができる。
 本発明はまた、上記感光性樹脂組成物をフィルム状に形成することによって得られるフィルム状接着剤を提供する。
 本発明はまた、基材と、該基材上に形成された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着シートを提供する。
 本発明はまた、被着体上に積層された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層を露光し、露光後の接着剤層をアルカリ現像液で現像処理することによって得られる接着剤パターンを提供する。
 本発明はまた、半導体ウェハと、該半導体ウェハ上に積層された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着剤層付半導体ウェハを提供する。
 本発明はまた、上記感光性樹脂組成物を用いて、半導体チップ同士が接着された構造、及び/又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置を提供する。
 本発明によれば、フィルム状に形成して使用した場合のパターン形成性、フィルム安定性及び埋め込み性に優れ、かつ高温で接着した際にボイドが充分に抑制される感光性樹脂組成物を提供することができる。また、感光性樹脂組成物を用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供することができる。また、本発明の感光性樹脂組成物を膜形成した回路面は、パターニングにより、接続端子部の大きさ及び端子の高さに関わらず、任意に端子部を露出させることができる。
本発明のフィルム状接着剤の一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着剤層付半導体ウェハの一実施形態を示す上面図である。 図4のIV-IV線に沿った端面図である。 本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。
 以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとし、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また本明細書において「~」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。また本明細書において、「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。「(メタ)アクリル酸」等の他の類似の表現においても同様である。
 本明細書において、感光性樹脂組成物の「貼付性」とは、感光性樹脂組成物をフィルム状に形成することによって得られるフィルム状接着剤とした場合の貼付性を意味する。感光性樹脂組成物の「高温接着性」とは、感光性樹脂組成物を硬化物にした場合の、加熱下での接着性を意味する。感光性樹脂組成物の「パターン形成性」とは、被着体上に形成された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層を、フォトマスクを介して露光しアルカリ現像液によって現像したときに得られる接着剤パターンの精度を意味する。感光性樹脂組成物の「熱圧着性」とは、上記接着剤パターンを加熱下で支持部材等に圧着(熱圧着)したときの接着具合を意味する。感光性樹脂組成物の「耐熱性」とは、上記接着剤パターンを支持部材等に熱圧着し、硬化させた後、高温下においたときの耐剥離性を意味する。「耐リフロー性」とは、上記感光性接着剤の額縁状パターンを支持部材等に熱圧着し、硬化させ、高温高湿条件下で所定の時間静置し、リフロー加熱を行った後の耐剥離性を意味する。
(感光性樹脂組成物)
 本実施形態の感光性樹脂組成物は、(A)末端基としてフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂(以下、単に(A)成分と呼ぶことがある。)、(B)放射線重合性化合物(以下、単に(B)成分と呼ぶことがある。)及び(C)光開始剤(以下、単に(C)成分と呼ぶことがある。)を含有する。
<(A)成分>
 (A)成分のTgは150℃以下であることが好ましく、120℃以下であることがより好ましく、100℃以下であることがさらに好ましい。このTgが150℃以下であると、感光性樹脂組成物をフィルム状としたフィルム状接着剤を被着体に低温で貼り合わせることができ、半導体ウェハの反りの発生を抑制できる。また、パターン形成後の上記接着剤の溶融粘度を下げ、熱圧着性をより向上させることができる。
 また、フィルム状接着剤のウェハ裏面への貼り付け温度は、20℃~150℃であることが好ましく、40℃~100℃であることがより好ましい。上記範囲内では、半導体ウェハの反りが抑えられる傾向にある。上記温度での貼り付けを可能にするためには、(A)成分のTgを150℃以下にすることが好ましい。また、上記Tgの下限は40℃以上であることが好ましく、60℃以上であることがより好ましく、70℃以上であることが最も好ましい。上記Tgが40℃未満の場合、露光、及び加熱硬化後の弾性率を向上させるために、他の硬化成分を多量に配合する必要があり、取り扱い性、保存安定性、パターン形成性、熱圧着性、耐熱性及び低応力性を低下させる傾向がある。
 ここで、(A)成分の「Tg」とは、(A)成分をフィルム化したものについて、粘弾性アナライザー(レオメトリックス社製、商品名:RSA-2)を用いて、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度-150℃~300℃の条件で測定したときのtanδピーク温度である。
 (A)成分の重量平均分子量は、5,000~500,000の範囲内に制御されていることが好ましく、10,000~300,000であることがより好ましく、10,000~100,000であることがさらに好ましい。重量平均分子量が上記範囲内にあると、感光性樹脂組成物をシート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性及びタック性が良好となる。また、熱時流動性が良好となるため、基板表面の配線段差(凹凸)に対する良好な埋込性を確保することが可能となる。上記重量平均分子量が5,000以上であると、フィルム形成性をより向上させることができる。一方、上記重量平均分子量が500,000以下であると、熱時流動性及び上記埋め込み性を向上させ、また、パターン形成する際の感光性樹脂組成物のアルカリ現像液に対する溶解性をより向上させることができる。ここで、「重量平均分子量」とは、高速液体クロマトグラフィー(島津製作所社製、商品名:C-R4A)を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。
 (A)成分のTg及び重量平均分子量を上記範囲内とすることによって、ウェハへの貼り付け温度を低く抑えることができる。さらに、半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着固定する際の加熱温度(熱圧着温度)も低くすることができ、半導体チップの反りの増大を抑制しながら、高温接着性を付与することができる。また、貼付性、熱圧着性及び現像性を有効に付与することができる。
 (A)成分は、末端基としてフェノール性水酸基を有するものであればよいが、側鎖基としてもアルカリ可溶性基を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、エチレングリコール基、カルボキシル基、水酸基、スルホニル基、フェノール性水酸基が挙げられ、これらの中でもフェノール性水酸基が好ましい。さらに(A)成分におけるアルカリ可溶性基がフェノール性水酸基のみであることがより好ましい。
 (A)成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂及びポリエステルイミド樹脂、並びにこれらの共重合体及びこれらの前駆体(ポリアミド酸等)の他、ポリベンゾオキサゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、重量平均分子量が10,000~1,000,000の(メタ)アクリル共重合体、ノボラック樹脂及びフェノール樹脂が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 これらの中でも、高温接着性、耐熱性及びフィルム形成性の観点から、(A)成分はポリイミド樹脂であることが好ましい。ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとフェノール性水酸基含有(単官能)アミンとを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。
 上記縮合反応における、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの混合モル比は、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計が0.5mol~0.98molであることが好ましく、0.6mol~0.95molであることがより好ましい。
 上記縮合反応における、テトラカルボン酸二無水物とフェノール性水酸基含有アミンとの混合モル比は、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、フェノール性水酸基含有アミンの合計が0.04mol~1.0molであることが好ましく、0.1mol~0.8molであることがより好ましい。
 なお、テトラカルボン酸二無水物、ジアミン及びフェノール性水酸基含有アミンの添加順序は任意でよい。
 上記縮合反応においては、テトラカルボン酸二無水物を、ジアミンよりも過剰に用いることが好ましい。これにより、テトラカルボン酸二無水物由来の残基を末端に有するオリゴマーが増加し、このテトラカルボン酸二無水物由来の残基が後述するフェノール性水酸基含有アミンのアミノ基と反応することにより、末端基としてフェノール性水酸基が導入される。
 また、上記縮合反応における反応温度は80℃以下が好ましく、0℃~60℃がより好ましい。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、樹脂組成物の諸特性の低下を抑えるため、上述のテトラカルボン酸二無水物は、無水酢酸で再結晶精製処理したものであることが好ましい。
 本実施形態でのポリイミド樹脂とは、イミド基を有する樹脂を意味する。具体的には、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂等が挙げられるが、特にこれらに限定されない。
 ポリイミド樹脂は、上記縮合反応物(ポリアミド酸)を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法、脱水剤を使用する化学閉環法等で行うことができる。
 ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限はなく、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソ-ビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ-[2,2,2]-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェニル)フェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、1,4-ビス(2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、1,3-ビス(2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロフリル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物及び下記一般式(1)で表されるテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。下記一般式(1)中、aは2~20の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 上記一般式(1)で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができ、具体的には1,2-(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,3-(トリメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,4-(テトラメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,5-(ペンタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,6-(ヘキサメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,7-(ヘプタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,8-(オクタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,9-(ノナメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,10-(デカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,12-(ドデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,16-(ヘキサデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)及び1,18-(オクタデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)が挙げられる。
 また、テトラカルボン酸二無水物としては、溶剤への良好な溶解性及び耐湿性、並びに波長が365nmである光に対する透明性を付与する観点から、下記式(2)又は(3)で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 以上のようなテトラカルボン酸二無水物は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては、カルボキシル基を持たず、フェノール性水酸基を有するジアミンを少なくとも1種用いることが好ましい。カルボキシル基を持たず、フェノール性水酸基を有するジアミンを用いることにより、ポリイミド樹脂の側鎖基としてフェノール性水酸基を導入することができる。カルボキシル基を持たず、フェノール性水酸基を有するジアミンとしては、例えば、下記式(5)、(7)及び(A-1)で表される芳香族ジアミンが挙げられ、Tgが高いポリイミド樹脂としたときに良好なパターン形成性及び熱圧着性を得る観点から、下記一般式(A-1)で表されるジアミンがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 式(A-1)中R21は、単結合又は2価の有機基を示す。2価の有機基としては、例えば、炭素数1~30の2価の炭化水素基、ハロゲン原子によって水素原子の一部又は全部が置換されている炭素数1~30の2価の炭化水素基、-(C=O)-、―SO-、-O-、-S-、―NH-(C=O)-、―(C=O)-O-、下記一般式(B-1)で表される基及び下記一般式(B-2)で表される基が挙げられる。式(B-1)及び式(B-2)中、nは1~20の整数を示し、Rは水素原子又はメチル基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 上記R21は、ポリイミド樹脂のTgを上昇させたときのパターン形成性の観点から、-C(CF-又は-C(CH-であることが好ましい。このような基を有する上記ジアミンを用いることにより、パターン形成時にポリイミドのイミド基同士の凝集を抑制でき、アルカリ現像液が浸透しやすくなることでパターン形成性を向上させることができる。これにより、ポリイミドのTgを上昇させても良好なパターン形成性を得ることが可能となり、耐湿信頼性がさらに向上した感光性樹脂組成物の実現が可能となる。
 一般式(A-1)で表されるジアミンは、全ジアミンの10モル%~80モル%とすることが好ましく、20モル%~80モル%とすることがより好ましく、30モル%~70モル%とすることがさらに好ましい。ポリイミド樹脂としてカルボキシル基含有樹脂を用いると、加熱乾燥時に配合しているエポキシ樹脂と反応してポリイミド樹脂の酸価が大きく低下する傾向にある。これに対して、ポリイミド樹脂の側鎖をフェノール性水酸基とすることで、カルボキシル基の場合に比べてエポキシ樹脂との反応が進行しにくくなる。その結果、パターン形成性、熱圧着性及び高温接着性に加え、当該組成物をワニス又はフィルム形態とした際の安定性が向上することが考えられる。
 本実施形態においては、上記フェノール性水酸基を有するジアミンが、下記式(4)で表される、フルオロアルキル基を有するジフェノールジアミンを含むことが好ましい。ポリイミド鎖にフルオロアルキル基が導入されることによって、ポリイミド同士の分子鎖凝集力が低下し、現像液が浸透しやすくなる。その結果、上記感光性樹脂組成物のパターン形成性(溶解現像性、細線化)がさらに向上する。また、ポリイミドの凝集力の低下によって、熱圧着性を向上させることができ、さらにはポリイミドのTgを上昇させても良好なパターン形成性を得ることが可能となる。これにより、耐湿信頼性及び耐リフロー性がさらに向上した感光性樹脂組成物の実現が可能となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 フルオロアルキル基を有するジフェノールジアミンは、全ジアミンの5モル%~100モル%とすることが好ましく、10モル%~90モル%とすることがより好ましく、10モル%~80モル%とすることがさらに好ましく、20モル%~80モル%とすることが特に好ましく、30モル%~70モル%とすることが最も好ましい。
 上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるその他のジアミンとしては特に制限はなく、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、ビス(4-アミノ-3,5-ジメチルフェニル)メタン、ビス(4-アミノ-3,5-ジイソプロピルフェニル)メタン、3,3’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフォン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフォン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルケトン、3,4’-ジアミノジフェニルケトン、4,4’-ジアミノジフェニルケトン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)プロパン、2,2’-(3,4’-ジアミノジフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-(3,4’-ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’-(1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン))ビスアニリン、3,4’-(1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン))ビスアニリン、4,4’-(1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン))ビスアニリン、2,2-ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2-ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)スルフォン、ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)スルフォン、3,3’-ジヒドロキシ-4,4’-ジアミノビフェニル、3,5-ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン、下記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミン及び下記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンが挙げられる。下記一般式(8)中、R、R及びRは各々独立に、炭素数1~10のアルキレン基を示し、bは2~80の整数を示す。下記一般式(9)中、R及びRは各々独立に、炭素数1~5のアルキレン基、又はフェニレン基を示し、R、R、R及びRは各々独立に、炭素数1~5のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、dは1~5の整数を示す。なお、上記フェニレン基は、置換基を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 上記ジアミンの中でも、他成分との相溶性、有機溶剤可溶性及びアルカリ可溶性を付与する点で、上記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミンが好ましく、エチレングリコール系ジアミン又はプロピレングリコール系ジアミンがより好ましい。
 このような脂肪族エーテルジアミンとして具体的には、サンテクノケミカル社製ジェファーミンD-230、D-400、D-2000、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2000、EDR-148、BASF社製ポリエーテルアミンD-230、D-400、D-2000等のポリオキシアルキレンジアミンなどが挙げられる。これらのジアミンは、全ジアミンの1モル%~80モル%であることが好ましく、10モル%~80モル%であることがより好ましく、10モル%~60モル%であることがさらに好ましい。この量が1モル%以上であると、高温接着性及び熱時流動性の付与がより容易になる傾向にあり、一方、80モル%以下であると、ポリイミド樹脂のTgの低下を抑制し、フィルムの自己支持性をより向上させることができる傾向にある。
 さらに、上記脂肪族エーテルジアミンは、パターン形成性の観点から、下記一般式で表わされるプロピレンエーテル骨格を有し、かつ分子量が300~600であることが好ましい。このようなジアミンを用いる場合、フィルムの自己支持性、高温接着性、耐リフロー性及び耐湿信頼性の観点から、その量は全ジアミンの80モル%以下であることが好ましく、60モル%以下であることがより好ましい。また、貼付性、熱圧着性及び高温接着性の観点から、全ジアミンの10モル%以上であることが好ましく、20モル%以上であることがより好ましい。この量が上記範囲にあることで、ポリイミドのTgを上記範囲に調整することができ、貼付性、熱圧着性、高温接着性、耐リフロー性及び気密封止性を付与することが可能となる。下記式中、mは3~7の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 また、室温での密着性及び接着性を向上させる観点から、上記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンが好ましい。
 上記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンとして具体的には、式(9)中のdが1のものとして、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(4-アミノフェニル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェノキシ-1,3-ビス(4-アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス(2-アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(2-アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノブチル)ジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシ-1,3-ビス(4-アミノブチル)ジシロキサン等が挙げられ、dが2のものとして、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス(4-アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメチル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(4-アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(5-アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(2-アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(4-アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(5-アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサエチル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサプロピル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン等が挙げられる。上記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンは、例えば、BY16-871EG(商品名、東レ・ダウコーニング社製)として入手可能である。
 上記ジアミンは、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上述のジアミンの量は、全ジアミンの1モル%~80モル%とすることが好ましく、2モル%~50モル%とすることがより好ましく、5モル%~30モル%とすることがさらに好ましい。1モル%以上であるとシロキサンジアミンを添加した効果を充分に得られ、80モル%以下であると他成分との相溶性、高温接着性及び現像性が向上する傾向がある。
 また、ポリイミド樹脂の組成を決定する際には、そのTgが、上述のように150℃以下となるように設計することが好ましく、ポリイミド樹脂の原料であるジアミンとして、上記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミンを用いることが特に好ましい。
 上記ポリイミド樹脂の合成時に、フェノール性水酸基含有アミンを用いると、テトラカルボン酸由来の残基とフェノール性水酸基含有アミンのアミノ基とが反応することにより、末端基としてフェノール性水酸基を導入することができる。これによって、ポリマーの重量平均分子量を低くし、パターン形成時の現像性及び熱圧着性を向上させることができる。
 フェノール性水酸基含有アミンとしては、アミノフェノール誘導体が好ましい。アミノフェノール誘導体としては、o-アミノフェノール、m-アミノフェノール、p-アミノフェノール、2-アミノ-m-クレゾール等のアミノクレゾール類、2-アミノ-4-メトキシベンゼン等のアミノメトキシベンゼン類、4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルアニリン等の-ヒドロキシジメチルアニリン類などが挙げられるが、下記式(10)で表される化合物が好ましい。中でもアルカリ現像液への溶解性とワニス時の安定性の観点からアミノ基のメタ位に水酸基を持つものがあることが好ましく、これらの中でもm-アミノフェノールがポリイミド合成時の導入が容易であり、特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 末端基としてフェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂は、パターン形成性、熱圧着性及び高温接着性に加え、当該組成物をワニス又はフィルム形態とした際の安定性、接続端子のような突起及び段差がある基板への塗布又はラミネートによる埋め込み性(平坦性)が向上するので好ましい。
 上述したポリイミド樹脂は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 上記ポリイミド樹脂は、光硬化性の観点から、30μmのフィルム状に形成したときの波長365nmの光に対する透過率が10%以上であることが好ましく、20%以上であることがより好ましい。このようなポリイミド樹脂は、例えば、上記式(2)で表される酸無水物と、上記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミン及び/又は上記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンとを反応させることで合成することができる。
 本実施形態の感光性樹脂組成物において、(A)成分の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全量を基準として10質量%~90質量%であることが好ましく、15質量%~80質量%であることがより好ましく、20質量%~70質量%であることがさらに好ましく、30質量%~60質量%であることが特に好ましい。この含有量が10質量%以上であると、パターン形成時の現像性がより良好となり、タック性等の取り扱い性がより良好となる傾向がある。一方、90質量%以下であると、パターン形成時の現像性及び接着性がより良好となる傾向がある。
 (A)成分としてポリイミド樹脂を配合するときにポリイミド樹脂のアルカリ溶解性が乏しい場合、溶解助剤として、カルボキシル基及び/又は水酸基を有する樹脂、並びに/若しくは、親水性基を有する樹脂を添加してもよい。親水性基を有する樹脂としては、アルカリ可溶性の樹脂であれば特に限定されないが、エチレングリコール及びプロピレングリコール基のようなグリコール基を有する樹脂等が挙げられる。
<(B)成分>
 (B)成分としては、例えば、エチレン性不飽和基を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、マレイミド基、ナジイミド基、(メタ)アクリロイル基等が挙げられる。反応性の観点から、エチレン性不飽和基としては(メタ)アクリロイル基が好ましく、(B)成分は2官能以上の(メタ)アクリレートであることが好ましい。このような(メタ)アクリレートとしては、特に制限はなく、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3-アクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、1,2-メタクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、トリス(β-ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリアクリレート、下記一般式(12)で表される化合物、ウレタンアクリレート、ウレタンメタクリレート、尿素アクリレート等が挙げられる。下記一般式(12)中、R19及びR20は各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、g及びhは各々独立に、1~20の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 上述の放射線重合性化合物は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、上記一般式(12)で表されるグリコール骨格を有する放射線重合性化合物は、アルカリ可溶性及び硬化後の耐溶剤性を充分に付与できる点で好ましい。また、イソシアヌル酸EO変性ジ/トリアクリレート及びイソシアヌル酸EO変性ジ/トリメタクリレートは、パターン形成性、硬化後の高接着性、耐熱性及び耐湿信頼性を充分に付与できる点で好ましい。
 また、(B)成分は、3官能以上のアクリレート化合物を含有するものであることが好ましい。この場合、硬化後の接着性をより向上させることができるとともに、加熱時のアウトガスを抑制することができる。また、硬化後の貯蔵弾性率を上昇させることができ、良好な耐湿信頼性を得ることができる。
 また、官能基当量の高い放射線重合性化合物を併用することで、低応力化及び低反り化することが可能となる。官能基当量の高い放射線重合性化合物は、重合官能基当量が300g/eq以下であることが好ましく、250g/eq以下であることがより好ましく、200g/eq以下であることがさらに好ましい。特に、重合官能基当量が200g/eq以下の、グリコール骨格と、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する放射線重合性化合物を用いることによって、感光性樹脂組成物の現像性及び接着性を向上させ、かつ低応力化及び低反り化が可能となる。
 また、(B)成分として、重合官能基当量が300g/eq以上の放射線重合性化合物と、重合官能基当量が300g/eq未満の放射線重合性化合物とを併用してもよい。この場合、(B)成分としてウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する放射線重合性化合物を用いることが好ましい。
 (B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して10質量部~500質量部であることが好ましく、20質量部~250質量部であることがより好ましく、30質量部~150質量部であることがさらに好ましく、40質量部~100質量部であることが特に好ましい。この含有量が500質量部以下であると、重合による熱溶融時の流動性の低下を抑制し、熱圧着時の接着性が向上する傾向にある。一方、10質量部以上であると、露光による光硬化後の耐溶剤性が向上し、パターンをより容易に形成することができる。つまり、現像前後の膜厚変化が小さくなり、残渣が少ない傾向にある。また、熱圧着時に溶融しづらく、パターンの変形を防ぐことができる。
<(C)成分>
 (C)成分としては、感度向上の点から、波長が365nmである光に対する分子吸光係数が1000ml/g・cm以上であるものが好ましく、2000ml/g・cm以上であるものがより好ましい。なお、分子吸光係数は、サンプルの0.001質量%アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、商品名:U-3310)を用いて吸光度を測定することによって求められる。
 感光性樹脂組成物を膜厚30μm以上の接着剤層とする場合、(C)成分は、高感度の観点で、オキシムエステル骨格を有するものが好ましい。このような(C)成分としては、例えば、1-[4-(フェニルチオ)フェニル]オクタン-1,2-ジオン-2-(O-ベンゾイルオキシム)、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)」等が挙げられる。また、内部硬化性向上の観点から、光照射によってブリーチングするものも好ましいものとして挙げることができる。このような(C)成分としては、例えば、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-メチル-1-(4-(メチルチオ)フェニル)-2-モルフォリノプロパノン-1、2,4-ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジ(m-メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2-(o-フルオロフェニル)-4,5-フェニルイミダゾール二量体、2-(o-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(p-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジ(p-メトキシフェニル)-5-フェニルイミダゾール二量体、2-(2,4-ジメトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス(9,9’-アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6,-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイドの中からUV照射によって光退色する化合物が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 (C)成分は、後述する(D)エポキシ樹脂(以下(D)成分と呼ぶことがある。)又は(E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物(以下(E)成分と呼ぶことがある。)の重合、付加反応等の硬化反応を促進する機能を放射線の照射によって発現する光開始剤を含有していてもよい。このような光開始剤としては、例えば、放射線照射によって塩基を発生する光塩基発生剤、及び放射線照射によって酸を発生する光酸発生剤が挙げられ、光塩基発生剤が特に好ましい。
 放射線としては、例えば、電離性放射線及び非電離性放射線が挙げられ、具体的にはArF、KrF等のエキシマレーザー光、電子線極端紫外線、真空紫外光、X線、イオンビーム、i線、及びg線等の紫外光などが挙げられる。
 光塩基発生剤を用いることで、生成した塩基が(D)成分又は(E)成分の硬化触媒として効率よく作用する。その結果、感光性樹脂組成物の架橋密度がより一層高まり、上記感光性接着組成物の被着体への高温接着性及び耐湿性が向上する。また、上記感光性樹脂組成物に光塩基発生剤を含有させることによって、高温放置時のアウトガスをより低減させることができる。さらに、硬化プロセスを低温化及び短時間化させることができる。
 また、上記塩基が、(A)成分と(D)成分及び/又は(E)成分との反応後に残存する(A)成分中のカルボキシル基及び/又は水酸基を低減させることができる。そのため、耐湿性、接着性及びパターン形成性が向上する。
 光塩基発生剤は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であれば特に制限なく用いることができる。発生する塩基としては、反応性及び硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。
 このような放射線照射時に発生する塩基としては、例えば、イミダゾール、2,4-ジメチルイミダゾール、1-メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、2,5-ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、1,2-ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、4-メチルアミノピリジン、4-ジメチルアミノピリジン等の4位にアミノ基又はアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、n-メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、ジヒドロピリジン誘導体、トリエチレンジアミン、1,8-ジアザビスシクロ(5,4,0)ウンデセン-1(DBU)等の脂環式アミン誘導体、及び、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体が挙げられる。
 上述のような塩基を放射線照射によって発生する光塩基発生剤としては、例えば、Journal of Photopolymer Science and Technology 1999年、12巻、313~314頁、Chemistry of Materials 1999年、11巻、170~176頁等に記載されている4級アンモニウム塩誘導体を用いることができる。これらは、放射線照射によって高塩基性のトリアルキルアミンを生成するため、エポキシ樹脂の硬化には最適である。
 また、Journal of American Chemical Society 1996年、118巻 12925頁、Polymer Journal 1996年、28巻 795頁等に記載されているカルバミン酸誘導体も用いることができる。
 さらに、放射線照射によって1級のアミノ基を発生するオキシム誘導体、光ラジカル発生剤として市販されている2-メチル-1-(4-(メチルチオ)フェニル)-2-モルフォリノプロパン-1-オン(チバ・ジャパン社製、商品名:イルガキュア907)、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタノン-1(チバ・ジャパン社製、商品名:イルガキュア369)、2-(ジメチルアミノ)-2-((4-メチルフェニル)メチル)-1-(4-(4-モルホリニル)フェニル)-1-ブタノン(チバ・ジャパン社製、商品名:イルガキュア379)、3,6-ビス-(2-メチル-2-モルホリノ-プロピオニル)-9-N-オクチルカルバゾール(ADEKA社製、商品名:オプトマーN―1414)、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体(ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されていてもよい)、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。
 上記光塩基発生剤としては、高分子の主鎖及び/又は側鎖に塩基を発生する基を導入した化合物を用いてもよい。この場合、接着剤としての接着性、流動性及び耐熱性の観点から、重量平均分子量が1,000~100,000であることが好ましく、5,000~30,000であることがより好ましい。
 上記光塩基発生剤は、室温で放射線を照射しない状態では、後述する(D)成分及び(E)成分と反応性を示さないため、室温での貯蔵安定性が非常に優れる。
<(D)成分>
 さらに本実施形態の感光性樹脂組成物には、(D)エポキシ樹脂(以下(D)成分と呼ぶことがある。)を含有させることもできる。(D)成分としては、高温接着性及び耐リフロー性の観点から、分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を含むものが好ましく、パターン形成性及び熱圧着性の点から、室温(25℃)で液状、又は半固形、具体的には軟化温度が50℃以下であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。このような樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールA型、AD型、S型又はF型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、及び3官能型又は4官能型のグリシジルアミンが挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 (D)成分としては、5%質量減少温度が150℃以上であることが好ましく、180℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることがさらに好ましく、260℃以上であることが特に好ましい。5%質量減少温度が150℃以上であることで、低アウトガス性、高温接着性及び耐リフロー性が向上する。
 上記5%質量減少温度とは、サンプルを示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、商品名:TG/DTA6300)を用いて、昇温速度10℃/min、窒素フロー(400ml/min)下で測定したときの5%質量減少温度である。
 上記(D)成分として、下記式で表されるエポキシ樹脂を用いることが好ましい。このようなエポキシ樹脂を用いることで5%質量減少温度、パターン形成性、高温接着性、耐リフロー性及び耐湿信頼性を充分に付与できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 また、(D)成分としては、不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及びハロゲンイオン、特に塩素イオン、加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることが好ましい。これらの不純物イオンを低減したものを用いることによって、エレクトロマイグレーション防止及び金属導体回路の腐食防止をより確実に行うことができる。
 (D)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して5質量部~300質量部であることが好ましく、10質量部~100質量部であることがより好ましい。この含有量が300質量部以下であると、アルカリ水溶液への溶解性が向上し、パターン形成性が向上する傾向がある。一方、上記含有量が5質量部以上であると、充分な熱圧着性及び高温接着性が得られやすい傾向がある。
 (D)成分と、後述する(E)成分との総量は、(A)成分100質量部に対して20質量部以上であることが好ましく、30質量部以上であることがより好ましい。また、(A)成分のTgが70℃以上の場合は、(D)成分と(E)成分との総量は、30質量部以上であることが好ましく、40質量部以上であることがより好ましく、50質量部以上であることがさらに好ましい。(D)成分と(E)成分との総量を上記範囲とすることで、パターン形成後の溶融粘度を低下させることができ、パターン形成性、熱圧着性、高温接着性及び耐湿信頼性を向上させることができる。
<(E)成分>
 さらに本実施形態の感光性樹脂組成物には、(E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含有させることもできる。(E)成分は、(B)成分及び(D)成分とは異なるものである。(E)成分におけるエチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、マレイミド基、ナジイミド基、(メタ)アクリロイル基等が挙げられ、反応性の観点から、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
 (E)成分としては、特に限定されないが、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル及び4-ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテルの他、エポキシ基と反応する官能基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と、多官能エポキシ樹脂と、を反応させて得られる化合物等が挙げられる。上記エポキシ基と反応する官能基としては、特に限定されないが、イソシアネート基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、水酸基、酸無水物、アミノ基、チオール基、アミド基等が挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 (E)成分は、例えば、トリフェニルホスフィン及び/又はテトラブチルアンモニウムブロミドの存在下、1分子中に少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、エポキシ基1当量に対し0.1当量~0.9当量の(メタ)アクリル酸とを反応させることによって得られるものを用いることができる。また、ジブチルスズジラウレートの存在下、多官能イソシアネート化合物とヒドロキシ基含有(メタ)アクリレートとヒドロキシ基含有エポキシ化合物とを反応させることによって得られる、又は多官能エポキシ樹脂とイソシアネート基含有(メタ)アクリレートとを反応させることによって得られる、グリシジル基含有ウレタン(メタ)アクリレート等を用いることもできる。
 (E)成分は、5%質量減少温度が150℃以上であることが好ましく、180℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることがさらに好ましく、260℃以上であることが特に好ましい。上記温度が150℃以上であると、保存安定性、接着性、組み立て加熱時及び組み立て後のパッケージの低アウトガス性、耐熱性並びに耐湿性が向上する。
 さらに、(E)成分としては、不純物イオンであるアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオン、加水分解性塩素等を1000ppm以下に低減した高純度品であることが好ましい。これらの不純物イオンを低減したものを用いることによって、エレクトロマイグレーション防止及び金属導体回路の腐食防止をより確実に行うことができる。例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン等を低減した多官能エポキシ樹脂を原料として用いることで上記不純物イオン濃度を満足することができる。
 上記耐熱性及び純度を満たす(E)成分としては、特に限定されないが、原料として、ビスフェノールA型、AD型、S型又はF型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型又は4官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等を用いたものが挙げられる。
 熱圧着性、低応力性及び接着性を改善し、パターン形成時には現像性を維持する観点から、(E)成分のエポキシ基及びエチレン性不飽和基の数は、それぞれ3つ以下であることが好ましく、特にエチレン性不飽和基の数は2つ以下であることが好ましい。このような(E)成分としては特に限定されないが、下記一般式(13)~(18)で表される化合物等が好ましく用いられる。下記一般式(13)~(18)において、R12及びR16は水素原子又はメチル基を示し、R10、R11、R13及びR14は2価の有機基を示し、R15、R17、R18及びR19はエポキシ基を有する有機基又はエチレン性不飽和基を有する有機基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 上記(E)成分としては、上記一般式(13)又は(14)で表される化合物が好ましく用いられる。これらを用いることで、熱圧着性が向上する。
 本実施形態において、(E)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して5質量部~300質量部であることが好ましく、10質量部~200質量部であることがより好ましく、20質量部~100質量部であることがさらに好ましい。この含有量が300質量部以下であると、フィルム形成時にチキソ性が向上しフィルム形成を容易に行うことができ、また、タック性が低下し取り扱い性がより容易となる傾向がある。また、パターン形成時には現像性が向上する傾向があり、光硬化後の溶融粘度が高くなることで熱圧着時にパターンが変形しにくい。一方、上記(E)成分の含有量が5質量部以上であると、添加の効果を充分に得やすい。上記(E)成分はパターン形成性を維持しつつ光硬化時のスペーサとなり、架橋密度を低減することができるため、熱圧着性を大幅に向上させることができる。
 本実施形態の感光性樹脂組成物は、硬化性成分として、(E)成分以外に、硬化剤を含んでもよい。
 硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類及び第3級アミンが挙げられる。
 上記硬化剤の中でもフェノール系化合物(上記(A)成分とは異なるものである。)が好ましく、分子中に少なくとも2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。フェノール系化合物を用いることでパターン形成性が向上する。このような化合物としては、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、t-ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、キシリレン変性フェノールノボラック、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック、ビスフェノールAノボラック、ポリ-p-ビニルフェノール及びフェノールアラルキル樹脂が挙げられる。
 上記フェノール系化合物の中でも、数平均分子量が400~4,000の範囲内のものが好ましい。これによって、半導体装置組立加熱時に、半導体チップ、装置等の汚染の原因となる加熱時のアウトガスを抑制できる。上記フェノール系化合物の含有量は、(A)成分100質量部に対して1質量部~100質量部であることが好ましく、2質量部~50質量部であることがより好ましく、2質量部~30質量部であることがさらに好ましい。この含有量が100質量部以下であると、露光時のエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物並びに放射線重合性化合物の反応性が向上する傾向がある。さらに、樹脂の酸価が減少することで現像後の膜厚の減少又は膨潤を抑制することができる。また、現像液の樹脂パターンへの浸透が減少することで、その後の加熱硬化時及び組立熱履歴でのアウトガスが少なくなり、耐熱信頼性及び耐湿信頼性が向上する傾向がある。一方、上記含有量が1質量部以上であると、より充分な高温接着性が得られやすい傾向がある。
 上記フェノール化合物として、5%質量減少温度が高く、パターン形成性を充分に付与できる点で、下記式で表されるフェノール化合物を用いることが好ましい。また、上記フェノール化合物は、樹脂組成物中の(A)成分の側鎖のカルボキシル基及びフェノール性水酸基並びにフェノール性化合物のフェノール性水酸基のモル当量と、(D)成分及び(E)成分のエポキシ基のモル当量との比[エポキシ基/(カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基)]が0.5~1.5であることが好ましく、0.7~1.4であることがより好ましく、0.9~1.2であることがさらに好ましい。上記エポキシ基/(カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基)の比が0.5以上であると高温接着性、耐リフロー性及び耐湿信頼性が向上する傾向があり、1.5以下であるとパターン形成性、高温接着性及び耐湿信頼性が向上する傾向がある。
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<(F)成分>
 さらに本実施形態の感光性樹脂組成物には、適宜(F)フィラー(以下(F)成分と呼ぶことがある。)を含有させることもできる。(F)成分としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、及び、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラーが挙げられ、種類、形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。
 上記(F)成分は、所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、樹脂組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与し、無機フィラーは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する。また、有機フィラーは接着剤層に靭性等を付与する。
 これらの金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、金属フィラー、無機フィラー又は絶縁性のフィラーが好ましい。これらのフィラーを用いることによって、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等が付与される。さらに無機フィラー及び絶縁性のフィラーの中では、シリカフィラーがより好ましい。シリカフィラーは、樹脂ワニスに対する分散性が良好で、かつ熱時の高い接着力を付与できる。
 上記(F)成分は、平均粒子径が10μm以下、かつ最大粒子径が30μm以下であることが好ましく、平均粒子径が5μm以下、かつ最大粒子径が20μm以下であることがより好ましい。平均粒子径が10μm以下であり、かつ最大粒子径が30μm以下であると、破壊靭性向上の効果をより充分に得られる傾向がある。また、平均粒子径及び最大粒子径の下限は特に制限はないが、取り扱い性の観点から、どちらも0.001μm以上が好ましい。
 上記(F)成分の含有量は、付与する特性又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラーとの質量の合計に対して0質量%~50質量%が好ましく、1質量%~40質量%がより好ましく、3質量%~30質量%がさらに好ましい。フィラーを増量させることによって、低アルファ化、低吸湿化及び高弾性率化が図れ、ダイシング性(ダイサー刃による切断性)、ワイヤボンディング性(超音波効率)及び加熱時の接着強度を有効に向上させることができる。
 上記(F)成分の含有量が50質量%以下であると、熱圧着性及びパターン形成性を得られやすい傾向にある。求められる特性のバランスをとるべく、フィラーの最適な含有量を決定する。フィラーを用いた場合の混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。
<(G)成分>
 さらに本実施形態の感光性樹脂組成物には、(G)硬化促進剤(以下(G)成分と呼ぶことがある。)を含有させることもできる。(G)成分としては、加熱によってエポキシの硬化及び/又は重合を促進するものであれば特に制限はない。(G)成分としては、例えば、芳香族含窒素化合物、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート及び1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレートが挙げられる。中でもイミダゾール化合物又はそれらの塩が、促進効果と安定性が両立できる点で、好ましいものとして挙げられる。特に効果が高く、好ましいものとして、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート等を挙げることができる。これら(G)成分の感光性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、(D)エポキシ樹脂100質量部に対して0.01質量部~50質量部が好ましい。
 本実施形態の感光性樹脂組成物には、各種カップリング剤を添加することもできる。上記カップリング剤を用いることで、異種材料間の界面結合性が向上する。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系又はアルミニウム系が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましく、エポキシ基等の熱硬化性基又はメタクリレート、アクリレート等の放射線重合性基を有する化合物がより好ましい。また、上記シラン系カップリング剤の沸点及び/又は分解温度は150℃以上であることが好ましく、180℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることがさらに好ましい。つまり、沸点及び/又は分解温度が200℃以上であり、かつエポキシ基等の熱硬化性基又はメタクリレート、アクリレート等の放射線重合性基を有するシラン系カップリング剤が最も好ましく用いられる。上記カップリング剤の使用量は、その効果、耐熱性及びコストの面から、使用する(A)成分100質量部に対して、0.01質量部~20質量部とすることが好ましい。
 本実施形態の感光性樹脂組成物には、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。上記イオン捕捉剤によって、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性が向上する。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、フェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するための銅害防止剤として知られる化合物、粉末状のビスマス系、アンチモン系、マグネシウム系、アルミニウム系、ジルコニウム系、カルシウム系、チタン系、スズ系、これらの混合系等の無機化合物が挙げられる。
 上記イオン捕捉剤の具体例としては、特に限定されないが、東亜合成社製の無機イオン捕捉剤、商品名:IXE-300(アンチモン系)、IXE-500(ビスマス系)、IXE-600(アンチモン、ビスマス混合系)、IXE-700(マグネシウム、アルミニウム混合系)、IXE-800(ジルコニウム系)及びIXE-1100(カルシウム系)がある。これらは1種を単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果、耐熱性、コスト等の点から、(A)成分100質量部に対して、0.01質量部~10質量部が好ましい。
 本実施形態では、必要に応じて増感剤を併用することができる。この増感剤としては、例えば、カンファーキノン、ベンジル、ジアセチル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ベンジルジ(2-メトキシエチル)ケタール、4,4’-ジメチルベンジル-ジメチルケタール、アントラキノン、1-クロロアントラキノン、2-クロロアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、1-ヒドロキシアントラキノン、1-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、1-ブロモアントラキノン、チオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、2-ニトロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン、2-クロロ-7-トリフルオロメチルチオキサントン、チオキサントン-10,10-ジオキシド、チオキサントン-10-オキサイド、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ビス(4-ジメチルアミノフェニル)ケトン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン及びアジド基を含む化合物が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 本実施形態では、必要に応じて熱ラジカル発生剤を用いることができる。熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物であることが好ましい。有機過酸化物としては、1分間半減期温度が120℃以上であるものが好ましく、150℃以上であるものがより好ましい。有機過酸化物は、感光性樹脂組成物の調製条件、製膜温度、硬化(貼り合せ)条件、その他プロセス条件、貯蔵安定性等を考慮して選択される。
 使用可能な有機過酸化物としては、特に限定されないが、例えば、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシへキサン)、ジクミルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、1,1-ビス(t-ブチルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビス(t-ヘキシルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン及びビス(4-t-ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネートが挙げられ、これらのうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 上記熱ラジカル発生剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する化合物の全量に対し、0.01質量%~20質量%が好ましく、0.1質量%~10質量%がより好ましく、0.5質量%~5質量%がさらに好ましい。0.01質量%以上であると硬化性が向上し、添加効果を充分得られる傾向がある。また、5質量%以下であるとアウトガス量が減少し、保存安定性が向上する傾向にある。
 上記熱ラジカル発生剤としては、半減期温度が120℃以上の化合物であれば特に限定されないが、例えば、パーヘキサ25B(日油社製)、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシへキサン)(1分間半減期温度:180℃)、パークミルD(日油社製)及びジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度:175℃)が挙げられる。
 本実施形態の感光性樹脂組成物には、キノン類、多価フェノール類、フェノール類、ホスファイト類、イオウ類等の重合禁止剤又は酸化防止剤を、硬化性を損なわない範囲でさらに添加してもよい。これらの成分を添加する事によって、より高い保存安定性、プロセス適応性及び酸化防止性が付与される。
 本実施形態の感光性樹脂組成物において、耐湿信頼性及び取り扱い性の向上並びに加熱硬化後の反り抑制の観点から、(A)アルカリ可溶性樹脂のTgは、40℃~150℃であることが好ましく、かつ加熱硬化された後の110℃における貯蔵弾性率が10MPa以上であることが好ましい。このようなTgを有するアルカリ可溶性樹脂を含有し、かつ加熱硬化された後の110℃における貯蔵弾性率が10MPa以上を満たす感光性樹脂組成物としては、例えば、以下の成分を組み合わせて用いることにより得ることができる。すなわち、Tgが40℃~150℃の(A)アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、放射線重合性基当量が400g/eq以下、好ましくは250g/eq以下である(B)放射線重合性化合物を20質量部~500質量部、好ましくは40質量部~200質量部、(C)光開始剤を0.5質量部~20質量部、好ましくは1質量部~10質量部、エポキシ基当量が400g/eq以下、好ましくは250g/eq以下である(D)エポキシ樹脂を5質量部~300質量部、好ましくは10質量部~100質量部及び芳香環又はイソシアヌル環を有する(E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を5質量部~200質量部、好ましくは10質量部~100質量部を配合したものが挙げられる。
 本実施形態の感光性樹脂組成物において、耐湿信頼性及び取り扱い性の向上並びに加熱硬化後の反り抑制の観点から、露光後、さらに加熱硬化された後の110℃における貯蔵弾性率が1GPa以下であることが好ましい。このような条件を満たす感光性樹脂組成物としては、例えば、Tgが40℃~150℃の(A)アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、放射線重合性基当量が400g/eq以下、好ましくは250g/eq以下である(B)放射線重合性化合物を20質量部~500質量部、好ましくは40質量部~200質量部、(C)光開始剤を0.5質量部~20質量部、好ましくは1質量部~10質量部、エポキシ基当量が400g/eq以下、好ましくは250g/eq以下である(D)エポキシ樹脂を5質量部~300質量部、好ましくは10質量部~100質量部、及び芳香環又はイソシアヌル環を有する(E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を5質量部~200質量部、好ましくは10質量部~100質量部を配合したものが挙げられる。
(フィルム状接着剤)
 上記感光性樹脂組成物をフィルム状に形成することによって、フィルム状接着剤を得ることができる。図1は、本発明のフィルム状接着剤の一実施形態を示す端面図である。図1に示すフィルム状接着剤1は、上記感光性樹脂組成物をフィルム状に形成したものである。
 フィルム状接着剤1は、例えば、図2に示す基材3上に上記感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させることによってフィルム状に形成される。このようにして、基材3と、基材3上に形成された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層1とを備える接着シート100が得られる。図2は、本発明の接着シート100の一実施形態を示す端面図である。図2に示す接着シート100は、基材3と、これの一方面上に設けられたフィルム状接着剤からなる接着剤層1とから構成される。
 図3は、本発明の接着シートの他の一実施形態を示す端面図である。図3に示す接着シート110は、基材3と、これの一方面上に設けられたフィルム状接着剤からなる接着剤層1とカバーフィルム2とから構成される。
 フィルム状接着剤1は、例えば、以下の方法で得ることができる。まず、(A)成分、(B)成分、(C)成分及び必要に応じて添加される他の成分を、有機溶媒中で混合し、混合液を混練してワニスを調製する。次に、基材3上にこのワニスを塗布してワニスの層を形成し、加熱によってワニス層を乾燥した後に基材3を除去する。このとき、基材3を除去せずに、接着シート100の状態で保存又は使用することもできる。また、接着剤層1の基材3が設けられている面とは反対の面にカバーフィルム2を積層した上で、接着シート110の状態で保存又は使用することもできる。
 ワニスの調製に用いる有機溶媒、すなわちワニス溶剤は、材料を均一に溶解又は分散できるものであれば、特に制限はない。ワニス溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル及びN-メチル-ピロリジノン(N-メチル-2-ピロリドン)が挙げられる。
 上記混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。上記加熱による乾燥は、(B)成分が充分には反応しない温度で、かつ溶媒が充分に揮散する条件で行う。上記「(B)成分が充分には反応しない温度」とは、具体的には、DSC(例えば、パーキンエルマー社製、商品名:DSC-7型)を用いて、サンプル量:10mg、昇温速度:5℃/min、測定雰囲気:空気、の条件で測定したときの反応熱のピーク温度以下の温度である。具体的には、通常60℃~180℃で、0.1分~90分間加熱することによってワニス層を乾燥させる。乾燥前のワニス層の厚みは、1μm~200μmが好ましい。この厚みが1μm未満であると、接着固定機能が充分でなくなる傾向があり、200μmを超えると、後述する残存揮発分が多くなる傾向がある。
 得られたフィルム状接着剤の残存揮発分は10質量%以下が好ましい。この残存揮発分が10質量%を超えると、組立加熱時の溶媒揮発による発泡が原因で、接着剤層内部にボイドが残存しやすくなり、耐湿性が低下する傾向がある。また、加熱時に発生する揮発成分によって、周辺材料又は部材が汚染される可能性も高くなる傾向がある。なお、上記の残存揮発成分の測定条件は次のとおりである。すなわち、50mm×50mmサイズに切断したフィルム状接着剤1について、初期の質量をM1とし、このフィルム状接着剤1を160℃のオーブン中で3時間加熱した後の質量をM2とし、以下の式により残存揮発分(%)を求める。
残存揮発分(%)=[(M1-M2)/M1]×100
 基材3は、上述の乾燥条件に耐えるものであれば特に限定されるものではない。例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム及びメチルペンテンフィルムを基材3として用いることができる。基材3としてのフィルムは2種以上組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。
(接着剤層付半導体ウェハ)
 図4は、本発明の接着剤層付半導体ウェハの一実施形態を示す上面図であり、図5は図4のIV-IV線に沿った端面図である。図4及び図5に示す接着剤層付半導体ウェハ20は、半導体ウェハ8と、これの一方面上に設けられたフィルム状接着剤(接着剤層)1と、を備える。
 接着剤層付半導体ウェハ20は、半導体ウェハ8上に、フィルム状接着剤1を加熱しながらラミネートすることによって得られる。フィルム状接着剤1は、例えば、室温(25℃)~150℃程度の低温で半導体ウェハ8に貼付けることが可能である。
(半導体装置)
 図6は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。図6に示す半導体装置230は、接続電極部(第1の接続部:図示せず)を有する支持部材(第1の被着体)13と、接続用端子(第2の接続部:図示せず)を有する半導体チップ(第2の被着体)14と、絶縁材からなる接着剤層1と、導電材からなる導電層9とを備えている。支持部材13は、半導体チップ14と対向する回路面18を有しており、半導体チップ14と所定の間隔をおいて配置されている。接着剤層1は、支持部材13及び半導体チップ14の間において、それぞれと接して形成されており、所定のパターンを有している。導電層9は、支持部材13及び半導体チップ14の間における、接着剤層1が配置されていない部分に形成されている。半導体チップ14の接続用端子は、導電層9を介して支持部材13の接続電極部と電気的に接続されている。
 以下、図7~図12を用いて、図6に示す半導体装置230の製造方法について詳述する。図7~12は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の(第1工程)~(第5工程)を備える。
 (第1工程)接続用電極部を有する半導体ウェハ12上に接着剤層1を設ける工程(図7及び図8)。
 (第2工程)接着剤層1を露光及び現像によって、接続端子が露出する開口11が形成されるようにパターニングする工程(図9及び図10)。
 (第3工程)開口11に導電材を充填して導電層9を形成する工程(図11)。
 (第4工程)半導体ウェハ12と接着剤層1及び導電層9との積層体を半導体チップ14ごとに切り分ける(ダイシング)工程(図12)。
 (第5工程)接続用電極部を有する支持部材13を個片化された半導体チップ14と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続電極部と半導体チップ14の接続用端子とを導電層9を介して電気的に接続する工程(図6)。
 以下、(第1工程)~(第5工程)について詳しく説明する。
 (第1工程)
 図7に示す接続用電極部を有する半導体ウェハ12の回路面上に、接着剤層1を積層する(図8)。積層方法としては、予めフィルム状に形成されたフィルム状接着剤を準備し、これを半導体ウェハ12に貼り付ける方法が簡便であるが、スピンコート法等を用いて、感光性樹脂組成物を含有する液状のワニスを半導体ウェハ12上に塗布し、加熱乾燥する方法によって積層してもよい。
 本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する接着性を有し、アルカリ現像が可能な感光性樹脂組成物である。より詳細には、感光性樹脂組成物を露光及び現像によってパターニングして形成されるレジストパターン(接着剤パターン)が、半導体チップ、基板等の被着体に対する接着性を有している。例えばレジストパターンに被着体を必要に応じて加熱しながら圧着することによって、レジストパターンと被着体とを接着することが可能である。
 (第2工程)
 半導体ウェハ12上に設けられた接着剤層1に対して、所定の位置に開口が形成されているマスク4を介して活性光線(典型的には紫外線)を照射する(図9)。これにより接着剤層1が所定のパターンで露光される。
 露光後、接着剤層1のうち露光されなかった部分を、アルカリ現像液を用いた現像によって除去することで、半導体ウェハ12の接続端子が露出する開口11が形成されるように接着剤層1がパターニングされる(図10)。なお、ネガ型の感光性樹脂組成物の代わりに、ポジ型の感光性樹脂組成物を用いることも可能であり、その場合は接着剤層1のうち露光された部分が現像によって除去される。
 (第3工程)
 得られたレジストパターンの開口11に導電材を充填して導電層9を形成する(図11)。導電材の充填方法は、グラビア印刷、ロールによる押し込み、減圧充填等の各種の方法が採用できる。ここで使用する導電材は、例えば、はんだ、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム等の金属、酸化ルテニウム等の金属酸化物などからなる電極材料又は上記金属のバンプが挙げられる。これらの他にも、例えば、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含有してなるものが挙げられる。導電性粒子としては、例えば、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム等の金属、酸化ルテニウム等の金属酸化物、有機金属化合物等の導電性粒子が用いられる。また、樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂、その硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物が用いられる。
 (第4工程)
 半導体ウェハ12と接着剤層1及び導電層9との積層体をダイシングにより半導体チップ14ごとに切り分ける(図12)。
 (第5工程)
 接続用電極部を有する支持部材13を個片化された半導体チップ14と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続電極部と半導体チップ14の接続用端子とを導電層9を介して電気的に接続する。なお、半導体チップ14における接着剤層1と反対側の回路面上に、パターン化された接着剤層(バッファーコート膜)が形成されていてもよい。
 半導体チップ14の接着は、例えば、接着剤層1(感光性樹脂組成物)が流動性を発現するような温度にまで加熱しながら熱圧着する方法によって行われる。熱圧着後、必要に応じて接着剤層1を加熱してさらに硬化反応を進行させてもよい。
 半導体チップ14における接着剤層1と反対側の回路面(裏面)には、裏面保護フィルムを貼り付けることが好ましい。
 以上の方法によって、図6に示す半導体装置230が得られる。本発明の半導体装置の製造方法は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
 例えば、上記製造方法は、第4の工程において、ウェハサイズの支持部材13上に半導体ウェハ12と接着剤層1との積層体を、半導体ウェハ12と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体ウェハ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続し、第5の工程において、半導体ウェハ12と接着剤層1と支持部材13との積層体を半導体チップ14ごとに切り分ける方法であってもよい。
 上記製造方法では、半導体ウェハ12と支持部材13との接続までの工程(第4の工程)をウェハサイズでできるので作業効率の点において好ましい。なお、半導体ウェハ12における接着剤層1と反対側の回路面(裏面)には、裏面保護フィルムを貼り付けることが好ましい。
 また、支持部材13が半導体チップ又は半導体ウェハであってもよく、この場合は半導体ウェハ同士、半導体チップ14と半導体ウェハ(支持部材13)、又は半導体チップ同士を接着することによって半導体装置(半導体積層体)を構成することができる。この積層体には、貫通電極を形成することも可能である。また、上記製造方法は、第1工程において、接続用電極部に既に導電層9が形成されている半導体ウェハを使用することもできる。この場合は、第2工程において開口11を導電層9が露出するように行い、第3工程を省略して第4工程へ進むことができる。
 以下、実施例を挙げて本発明について、より具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
<(A)成分:アルカリ可溶性樹脂>
(PI-1)
 撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mLフラスコ内に、ジアミンである2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子社製、商品名:BIS-AP-AF、分子量:366)を14.64g(0.04mol)、ポリオキシプロピレンジアミン(BASF社製、商品名:D-400、分子量:433)を17.32g(0.04mol)、3,3’-(1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン-1,3-ジイル)ビスプロピルアミン(東レ・ダウコーニング社製、商品名:BY16-871EG、分子量:248.5)を2.485g(0.01mol)、m-アミノフェノールを2.183g(0.02mol)及び溶媒であるN-メチル-2-ピロリドン(以下「NMP」と略す。)を80g仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、4,4’-オキシジフタル酸二無水物(以下「ODPA」と略す。)を31g(0.1mol)、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温して、ポリイミド樹脂PI-1を得た。PI-1のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=25,000であった。また、PI-1のTgは75℃であった。H-NMRにより残存するカルボキシル基がないことを確認した。
(PI-2)
 撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mLフラスコ内に、ジアミンであるBIS-AP-AFを21.96g(0.06mol)、D-400を8.66g(0.02mol)、BY16-871EGを2.485g(0.01mol)、m-アミノフェノールを2.183g(0.02mol)及び溶媒であるNMPを80g仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPAを31g(0.1mol)、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温して、ポリイミド樹脂PI-2を得た。PI-2のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=28,000であった。また、PI-2のTgは100℃であった。H-NMRにより残存するカルボキシル基がないことを確認した。
(PI-3)
 撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)及び水分受容器付きの還流冷却器を備えたフラスコ内に、ジアミンである5,5’-メチレンビス(アントラニル酸)(和歌山精化製、商品名:MBAA、分子量:286)を5.72g(0.02mol)、D-400を25.98g(0.06mol)、BY16-871EGを2.48g(0.01mol)及び溶媒であるNMPを110g仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPA31g(0.1mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、ポリイミド樹脂PI-3を得た。PI-3のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=30,000であった。また、PI-3のTgは45℃であった。
(PI-4)
 撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)及び水分受容器付きの還流冷却器を備えたフラスコ内に、ジアミンであるMBAAを5.72g(0.02mol)、D-400を12.99g(0.03mol)、BY16-871EGを2.48g(0.01mol)、1,4-ブタンジオール ビス(3-アミノプロピル)エーテル(東京化成製、商品名:B-12、分子量:204.31)を8.17g(0.04mol)及び溶媒であるNMPを110g仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPA27.9g(0.09mol)及びTAA(無水トリメリット酸)3.84g(0.02mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、ポリイミド樹脂PI-4を得た。PI-4のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=21,000であった。また、PI-4のTgは55℃であった。
(PI-5)
 撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mLフラスコ内に、ジアミンであるBIS-AP-AFを7.32g(0.02mol)、D-400を12.99g(0.03mol)、B-12を6.12g(0.03mol)、BY16-871EGを2.485g(0.01mol)及び溶媒であるNMPを80g仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPA31g(0.1mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温して、ポリイミド樹脂PI-5を得た。PI-5のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=32,000であった。また、PI-5のTgは55℃であった。ここでTgは、以下のようにして求めた。得られたポリイミド樹脂を、乾燥後の膜厚が40μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、基材上にフィルム化した。これを基材から剥離し、100~200μmの厚みになるよう積層したものについて、粘弾性アナライザー(レオメトリックス社製、商品名:RSA-2)を用いて、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度-150℃~300℃の条件で測定したときのtanδピーク温度をTgとして求めた。
<(E)成分:エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物>
(E-1)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた500mLフラスコ内に、撹拌しながら液状の高純度ビスフェノールAビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂(東都化成製、商品名:YD-825GS、エポキシ当量178g/eq)178g(1.0当量)、アクリル酸36g(0.5当量)、トリフェニルホスフィン0.5g及びヒドロキノン0.15gを仕込み、100℃で7時間反応させ、分子内に炭素-炭素二重結合及びエポキシ基を有する化合物E-1を得た。E-1を水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定し、酸価が0.3KOHmg/g以下であることを確認した。(5%質量減少温度:300℃、エポキシ基数:約1、(メタ)アクリロイル基数:約1)
<感光性樹脂組成物の調製>
 上記で得られたポリイミド樹脂、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物及び下記に示す他の化合物を用いて、下記表1及び表3に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、実施例1~5及び比較例1~5の感光性樹脂組成物(接着剤層形成用ワニス)を得た。
 表1及び表3において、各記号は下記のものを意味する。
<(B)成分>
M-313:東亜合成社製、イソシアヌル酸EO変性ジ及びトリアクリレート(放射線重合性基当量:約160g/eq、5%質量減少温度:>400℃)。
<(C)成分>
 I-819:チバ・ジャパン社製、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド(5%質量減少温度:210℃、365nmでの分子吸光係数:2300ml/g・cm)。
 I-OXE02:チバ・ジャパン社製、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)。
 NMP:関東化学社製、N-メチル-2-ピロリドン。
<(D)成分>
 YDF-870GS:東都化成社製、ビスフェノールF型ビスグリシジルエーテル(エポキシ当量:165g/eq、5%質量減少温度:270℃)。
<(F)成分>
 R-972:日本アエロジル社製、疎水性フュームドシリカ(平均粒子径:約16nm)
<(G)成分>
G-1: 2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール。
G-2: 2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート。
 なお、5%質量減少温度は以下の条件で測定した。すなわち、サンプルを、示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、商品名「TG/DTA6300」)を用いて、昇温速度10℃/min、窒素フロー(400ml/分)下で5%質量減少温度を測定した。また、分子吸光係数は、サンプルの0.001質量%アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、「U-3310」(商品名))を用いて吸光度を測定して求めた。
 また、後述する評価試験方法により、実施例1~5及び比較例1~5で得られた感光性樹脂組成物を評価した。その結果を、表2及び表4に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
 アルカリ可溶性樹脂におけるアルカリ可溶性基がフェノール基のみである実施例1~5の感光性樹脂組成物は、ライン幅/スペース幅=30μm/30μm以下の細線パターンが形成可能で、かつ接続端子付き基板の埋め込み性も良好であった。よって、実施例1~5の感光性樹脂組成物は、半導体チップ同士の接続用材料、及び/又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材との接続用材料として好適に用いることができる。さらに実施例1~5の感光性樹脂組成物はフィルムの安定性も優れていた。中でも(G)成分を加えた実施例1~4の感光性樹脂組成物は耐リフロー性がより良好で、ボイドレスでの接着が可能であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
<接着シート>
 得られた感光性樹脂組成物を、乾燥後の膜厚が40μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、基材上に感光性樹脂組成物からなる接着剤層を形成した。このようにして、基材及び該基材上に形成された接着剤層を有する接着シートを得た。
<評価試験>
 支持台上にシリコンウェハ(6インチ径、厚さ400μm)を載せ、その上に、上記接着シートを、接着剤層がシリコンウェハの表面(支持台と反対側の面)と接するように、ロール加圧(温度80℃、線圧39.2N/cm(4kgf/cm)、送り速度0.5m/分)によって積層した。このようにして、シリコンウェハ及び接着シートからなる積層体のサンプルを得た。上記で得られた積層体について、以下の評価試験を行った。
(高温接着性)
 得られた積層体を、接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、商品名:EXM-1172-B-∞)によって1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で30秒間加熱した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗し、120℃で1分間乾燥させた。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性樹脂組成物の硬化物からなる硬化物層を形成した。
 得られたシリコンウェハ及び硬化物層からなる積層体を、3mm×3mmの大きさに個片化した。個片化した積層体をホットプレート上で、120℃で10分間乾燥させた後、ガラス基板(10mm×10mm×0.55mm)上に、硬化物層がガラス基板と接するようにして積層し、18.6N(2kgf)で加圧しながら、150℃で10秒間圧着した。このようにして、シリコンウェハ、硬化物層及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱し、さらに、260℃の熱盤上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機(Dage社製、商品名:Dage-4000)を用いて接着力を測定した。測定結果を表2及び表4に示す。またガラス越しに観察し、硬化物層とガラス基板の界面にボイドが発生していないか確認した。ボイドが全く生じていないものをA、小さなボイドの発生が見られるものをB、大きなボイドの発生又は多数のボイドが見られるものをCとして、評価を行った。評価結果を表2及び表4に示す。
(パターン形成性)
 上記高温接着性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、ネガ型パターン用マスク(日立化成社製、商品名:No.G-2)を介して、上記試験と同様に露光した。次いで、上記試験と同様に、ホットプレート上で放置後、基材を除去し、現像、水洗及び乾燥を行った。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性樹脂組成物から得られる接着剤パターンを形成した。
 形成された接着剤パターンを目視にて観察し、ライン幅/スペース幅=30μm/30μm以下の細線パターンが形成されていた場合をA、30μm/30μm超60μm/60μm以下の細線パターンが形成されていた場合をB、60μm/60μm超400μm/400μm以下の細線パターンが形成されていた場合をC、パターンが形成されていなかった場合をDとして、パターン形成性の評価を行った。評価結果を表2及び表4に示す。
(フィルム安定性試験)
 パターン形成性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。この状態で室温下、2週間放置してからパターン形成性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に、感光性樹脂組成物の接着剤パターンの形成を試みた。このとき形成された接着剤パターンを目視にて観察し、パターン形成性の評価試験と同様に、ライン幅/スペース幅=30μm/30μm以下の細線パターンが形成されていた場合をA、30μm/30μm超60μm/60μm以下の細線パターンが形成されていた場合をB、60μm/60μm超400μm/400μm以下の細線パターンが形成されていた場合をC、パターンが形成されていなかった場合をDとして、パターン形成性の評価を行った。評価結果を表2及び表4に示す。
(耐リフロー性)
 上記高温接着性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ及び硬化物層からなる積層体を、5mm×5mmの大きさに個片化した。ガラス基板の代わりにプリント基板(ガラスエポキシ基板 15mm×15mm×0.15mm)を用いて、個片化したシリコンチップ、接着剤パターン及びプリント基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。得られたサンプルを、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱した。加熱後のサンプルを、温度85℃、湿度60%の条件下で168時間処理した後、温度25℃、湿度50%の環境下に置いた後、250℃、10秒のIR(赤外線)リフローを行い、剥離の有無を外観観察及び超音波探査装置(SAT)で観察した。全く剥離が見られなかったものをA、外観観察でははっきりとは剥離が見られないがSAT撮像により剥離が見られたものをB、外観観察で明らかな剥離が見られたものをCとして、耐リフロー性の評価を行った。評価結果を表2及び表4に示す。
(接続端子付き基板の埋め込み性)
 支持台上に接続端子付きシリコンチップ(1cm×1cm、厚さ400μm、端子部は40μm×40μm、高さ40μm、100μmピッチでチップのペリフェラル部に沿って2列等間隔に存在)を載せ、その上に、上記接着シートを、接着剤層がシリコンウェハの端子側と接するように、真空ラミネーター(温度80℃、圧力0.5MPa、時間30秒)によってラミネートした。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、露出した接着剤層の外観を光学顕微鏡により観察し、ボイドの発生なくラミネートできたか確認した。端子周囲にボイドの発生のない良好なものをA、端子周辺部にのみボイドが観察されたものをB、端子周囲のみならず全面に顕著なボイドが観察されたものをC(不可)とした。
(硬化後のTg)
 支持台上にテフロン(登録商標)シートを載せ、その上に、上記接着シートを、ロール加圧(温度60℃、線圧39.2N/cm(4kgf/cm)、送り速度0.5m/分)によって積層した。得られた積層体を、基材付き接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、商品名:EXM-1172-B-∞)によって1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で30秒間加熱した。接着剤層から基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件で1分間接着剤層を現像液に晒した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗した。得られたフィルムをホットプレート上で、120℃で10分間乾燥させた後、厚さが80μmとなるようにロール加圧(温度100℃、線圧39.2N/cm(4kgf/cm)、送り速度0.5m/分)によって積層した。繰り返し積層する際は、片側のテフロン(登録商標)シートを剥離除去して、接着剤層同士が積層するように行った。これにより、テフロン(登録商標)シート、接着剤層及びテフロン(登録商標)シートからなる、積層体のサンプルを得た。片側のテフロン(登録商標)シートを剥離除去した後、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱した。加熱後のサンプルを、5mm幅の短冊状に切断し、もう一方のテフロン(登録商標)シートを剥離した後に、粘弾性アナライザー(レオメトリックス社製、商品名:RSA-2)を用いて、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度-50℃~300℃の条件で測定し、得られたtanδピーク温度をTgとした。評価結果を表2及び表4に示す。
 本発明の感光性樹脂組成物は、充分な耐湿信頼性を有する接着剤パターンを形成できるため、高精細な半導体パッケージの製造に用いる接着剤として好適に用いられる。また、本発明のフィルム状接着剤及び接着シートは、基板、ガラス、シリコンウェハ等の被着体又は支持部材上に適用したときに、液状の樹脂組成物を用いる場合よりも位置合わせ精度に優れる。また、本発明のフィルム状接着剤及び接着シートは、露光によるパターン化の解像度を向上させることができ、さらに、パターン形成後の基板、ガラス、半導体チップ等の被着体との低温熱圧着性を有すると共に、熱硬化後の優れた耐熱性を有する。そのため、本発明のフィルム状接着剤及び接着シートは、半導体チップ、光学素子、固体撮像素子等の保護の用途、微細な接着領域が求められる接着剤及びバッファーコート用途に好適に使用できる。
 1…フィルム状接着剤(接着剤層)、2…カバーフィルム、3…基材、4…マスク、8…半導体ウェハ、9…導電層、11…開口、12…半導体ウェハ、13…支持部材、14…半導体チップ、18…回路面、20…接着剤層付半導体ウェハ、100,110…接着シート、230…半導体装置。

Claims (19)

  1.  (A)末端基としてフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)放射線重合性化合物及び(C)光開始剤を含有する感光性樹脂組成物。
  2.  前記アルカリ可溶性樹脂のガラス転移温度が40℃~150℃である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3.  前記アルカリ可溶性樹脂が末端基及び側鎖基としてフェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂である、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
  4.  前記アルカリ可溶性樹脂が、
     テトラカルボン酸二無水物と、
     フェノール性水酸基含有ジアミンをジアミン全体の10モル%~80モル%含有するジアミンと、
     フェノール性水酸基含有アミンと、
     を反応させて得られるポリイミド樹脂である、請求項1~3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  5.  前記ジアミンが、下記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミンをジアミン全体の10モル%~80モル%含有する、請求項4に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    [式中、R~Rは、各々独立に、炭素数1~10のアルキレン基を示し、bは2~80の整数を示す。]
  6.  前記フェノール性水酸基含有ジアミンが、下記一般式(A-1)で表されるフェノール性水酸基含有ジアミンを含む、請求項4又は5に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    [式中、R21は、単結合又は2価の有機基を示す。]
  7.  前記アルカリ可溶性樹脂が、アルカリ可溶性基としてフェノール性水酸基のみを有するポリイミド樹脂である、請求項1~6のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  8.  前記放射線重合性化合物が、3官能以上の(メタ)アクリレートを少なくとも1種含有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  9.  (D)エポキシ樹脂をさらに含有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  10.  前記エポキシ樹脂が、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びビスフェノールA型エポキシ樹脂のうち少なくとも1種を含有する、請求項9に記載の感光性樹脂組成物。
  11.  (E)エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物をさらに含有する、請求項1~10のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  12.  (F)フィラーをさらに含有する、請求項1~11のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  13.  (G)硬化促進剤をさらに含有する、請求項1~12のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  14.  半導体チップ同士の接続及び/又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材との接続に使用される接着剤用の、請求項1~13のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  15.  請求項1~14のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物をフィルム状に形成することによって得られる、フィルム状接着剤。
  16.  基材と、該基材上に形成された請求項15に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着シート。
  17.  被着体上に積層された請求項15に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層を露光し、露光後の前記接着剤層をアルカリ現像液で現像処理することによって得られる接着剤パターン。
  18.  半導体ウェハと、
     該半導体ウェハ上に積層された請求項15に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、
     を備える接着剤層付半導体ウェハ。
  19.  請求項1~14のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を用いて、半導体チップ同士が接着された構造、及び/又は半導体チップと半導体チップ搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2017169574A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、硬化物、感光性接着剤シート、積層基板および接着剤パターン付積層基板の製造方法
KR20170131834A (ko) * 2015-03-27 2017-11-30 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 조성물 필름, 경화물, 절연막 및 다층 배선 기판
CN109203596A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 律胜科技股份有限公司 导热型聚酰亚胺基板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106536609B (zh) * 2014-07-07 2022-04-29 霍尼韦尔国际公司 具有离子清除剂的热界面材料
MY183994A (en) 2014-12-05 2021-03-17 Honeywell Int Inc High performance thermal interface materials with low thermal impedance
KR102592641B1 (ko) * 2015-10-07 2023-10-24 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 3d tsv 패키지용 제제 및 그의 용도
US10312177B2 (en) 2015-11-17 2019-06-04 Honeywell International Inc. Thermal interface materials including a coloring agent
US10781349B2 (en) 2016-03-08 2020-09-22 Honeywell International Inc. Thermal interface material including crosslinker and multiple fillers
US10501671B2 (en) 2016-07-26 2019-12-10 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
TWI618980B (zh) * 2017-06-30 2018-03-21 律勝科技股份有限公司 導熱型感光性樹脂
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
US10727195B2 (en) * 2017-09-15 2020-07-28 Technetics Group Llc Bond materials with enhanced plasma resistant characteristics and associated methods
US10428256B2 (en) 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
JP7111031B2 (ja) * 2018-03-23 2022-08-02 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007016214A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Toray Ind Inc 樹脂組成物およびそれを用いた表示装置
JP2010270293A (ja) * 2009-04-23 2010-12-02 Hitachi Chem Co Ltd 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置。
WO2012005079A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、感光性接着剤フィルムおよびこれらを用いた半導体装置
JP2013160899A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3999840B2 (ja) 1997-04-16 2007-10-31 日東電工株式会社 封止用樹脂シート
JPH1124257A (ja) 1997-07-04 1999-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 感光性ポリイミド前駆体組成物及びそれを用いたパターン製造法
JP2000290501A (ja) 1999-04-05 2000-10-17 Nitto Denko Corp 感光性ポリイミド樹脂前駆体及び接着剤
US6342333B1 (en) * 1999-09-23 2002-01-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, L.L.C. Photosensitive resin composition, patterning method, and electronic components
TWI304835B (en) * 2003-06-10 2009-01-01 Hitachi Chemical Co Ltd Film adhesive and manufacturing method thereof,adhesive sheet and semiconductor device
KR20070004100A (ko) * 2004-04-20 2007-01-05 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법
JP4677758B2 (ja) * 2004-10-14 2011-04-27 日立化成工業株式会社 ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP2006309202A (ja) 2005-03-29 2006-11-09 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR20080030581A (ko) * 2005-05-31 2008-04-04 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 프리어플리케이션용 봉지 수지 조성물, 이를 이용한반도체장치 및 그 제조방법
EP1909142B1 (en) * 2005-06-30 2015-06-24 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition and adhesion enhancer
KR101068372B1 (ko) 2005-07-05 2011-09-28 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제, 및 이것을 이용하여 얻어지는 접착 필름, 접착 시트, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체장치 및 전자부품
JP2007180530A (ja) 2005-12-01 2007-07-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層配線板および金属接合接着剤
CN101365765B (zh) * 2006-01-23 2012-05-23 日立化成工业株式会社 粘接剂组合物、薄膜状粘接剂、粘接薄片及使用其的半导体装置
JP2008214549A (ja) 2007-03-06 2008-09-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd フェノール樹脂成形材料
KR20100074296A (ko) * 2007-12-04 2010-07-01 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 접착제
WO2009090922A1 (ja) 2008-01-16 2009-07-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2009258471A (ja) 2008-04-18 2009-11-05 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物フィルムおよびそれを用いたレジスト形成方法
JP5224121B2 (ja) 2008-04-25 2013-07-03 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及び被接着部材の接着方法
JP5136239B2 (ja) 2008-06-26 2013-02-06 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
JP6045772B2 (ja) 2008-08-27 2016-12-14 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP5397378B2 (ja) * 2008-08-27 2014-01-22 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、フィルム状感光性接着剤、接着剤パターン、接着剤付き半導体ウェハ、半導体装置、及び電子部品
US20110151195A1 (en) 2008-08-27 2011-06-23 Kazuyuki Mitsukura Photosensitive adhesive composition, and film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer and semiconductor device using the photosensitive adhesive composition
JP2010092845A (ja) 2008-09-10 2010-04-22 Sumitomo Chemical Co Ltd 非水電解質二次電池
JP5724383B2 (ja) 2008-12-26 2015-05-27 不二製油株式会社 クリームチーズ様食品
JP2010256881A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物
JP5520510B2 (ja) 2009-03-31 2014-06-11 太陽ホールディングス株式会社 光硬化性樹脂組成物
JP5444813B2 (ja) 2009-04-23 2014-03-19 Jsr株式会社 感光性絶縁樹脂組成物および絶縁膜
EP2426787A4 (en) * 2009-04-28 2013-11-20 Hitachi Chemical Co Ltd CIRCUIT CONNECTING MATERIAL, FILM-TYPE CIRCUIT CONNECTING MATERIAL USING THE CIRCUIT CONNECTING MATERIAL, CIRCUIT MEMBER CONNECTING STRUCTURE, AND CIRCUIT ELEMENT CONNECTING METHOD
JP5549671B2 (ja) * 2009-06-30 2014-07-16 日立化成株式会社 感光性接着剤、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
JP2011017898A (ja) 2009-07-09 2011-01-27 Toray Ind Inc 感光性カバーレイ
JP5402332B2 (ja) * 2009-07-09 2014-01-29 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物フィルムおよびそれを用いた多層配線基板
JP5488086B2 (ja) 2009-07-22 2014-05-14 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、感光性エレメント、レジストパターンの製造方法及び接着体の製造方法
WO2011040442A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 住友ベークライト株式会社 導電接続材料、端子間の接続方法及び接続端子の製造方法
JP2011084658A (ja) 2009-10-15 2011-04-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、半導体ウエハー接合体および半導体装置
JP2011095355A (ja) 2009-10-28 2011-05-12 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物
JP5732815B2 (ja) * 2009-10-30 2015-06-10 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、接着剤層付透明基板、及び半導体装置。
JP5737185B2 (ja) * 2009-11-13 2015-06-17 日立化成株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法及び接着剤層付き半導体ウェハ
WO2011058998A1 (ja) 2009-11-13 2011-05-19 日立化成工業株式会社 液状半導体用接着剤組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2011058999A1 (ja) 2009-11-13 2011-05-19 日立化成工業株式会社 フィルム状接着剤の製造方法、接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP4959778B2 (ja) 2009-12-10 2012-06-27 信越化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、該組成物を用いたフィルム状接着剤及び接着シート
JP5415923B2 (ja) * 2009-12-14 2014-02-12 太陽ホールディングス株式会社 感光性樹脂組成物、そのドライフィルム及びそれらを用いたプリント配線板
JP5395701B2 (ja) 2010-02-19 2014-01-22 積水化学工業株式会社 接着シート用基材、接着シート及び半導体チップの実装方法
WO2011125624A1 (ja) 2010-03-31 2011-10-13 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP5516044B2 (ja) 2010-05-11 2014-06-11 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及び被接着部材の接着方法
JP2011246627A (ja) 2010-05-27 2011-12-08 Hitachi Chem Co Ltd 感光性接着シート、及びパターニングされた接着フィルムの形成方法
KR20130016375A (ko) * 2010-07-02 2013-02-14 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 조성물 필름 및 이들을 이용한 반도체 장치
US8305039B2 (en) * 2010-07-15 2012-11-06 Texas Instruments Incorporated Electrical energy storage systems and methods
JP5915532B2 (ja) * 2010-09-16 2016-05-11 日立化成株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法及び電子部品
JP5820825B2 (ja) 2011-01-18 2015-11-24 旭化成イーマテリアルズ株式会社 樹脂組成物、硬化物、樹脂フィルム及び配線板
US11635688B2 (en) * 2012-03-08 2023-04-25 Kayaku Advanced Materials, Inc. Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
JP6155823B2 (ja) * 2012-07-12 2017-07-05 Jsr株式会社 有機el素子、感放射線性樹脂組成物および硬化膜

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007016214A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Toray Ind Inc 樹脂組成物およびそれを用いた表示装置
JP2010270293A (ja) * 2009-04-23 2010-12-02 Hitachi Chem Co Ltd 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置。
WO2012005079A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、感光性接着剤フィルムおよびこれらを用いた半導体装置
JP2013160899A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Hitachi Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170131834A (ko) * 2015-03-27 2017-11-30 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 조성물 필름, 경화물, 절연막 및 다층 배선 기판
JPWO2016158389A1 (ja) * 2015-03-27 2018-01-18 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物フィルム、硬化物、絶縁膜および多層配線基板
KR102613669B1 (ko) * 2015-03-27 2023-12-14 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 조성물 필름, 경화물, 절연막 및 다층 배선 기판
WO2017169574A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、硬化物、感光性接着剤シート、積層基板および接着剤パターン付積層基板の製造方法
CN109203596A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 律胜科技股份有限公司 导热型聚酰亚胺基板
CN109203596B (zh) * 2017-06-30 2020-10-13 律胜科技股份有限公司 导热型聚酰亚胺基板

Also Published As

Publication number Publication date
US10428253B2 (en) 2019-10-01
KR20160032009A (ko) 2016-03-23
JP6436081B2 (ja) 2018-12-12
US20160160102A1 (en) 2016-06-09
JPWO2015008330A1 (ja) 2017-03-02

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