TWI613517B - 感光性樹脂組成物、薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置 - Google Patents
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Description
本發明是有關一種感光性樹脂組成物、以及使用該感光性樹脂組成物而得之薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置。
近年來,隨著電子零件之高性能化及高機能化,而提案具有各種形態之半導體封裝體。在製造半導體封裝體時,為了將半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件黏著,而使用黏著劑。對於此黏著劑,通常要求黏著性、熱壓接性、耐熱性、耐濕性等特性,當形成為薄膜狀來使用時,會進一步需要黏貼性。
依半導體封裝體之機能、形態、及使組裝步驟簡化之手法,亦有時需要一種黏著劑,其除了上述特性以外還兼具能夠形成圖案的感光性。所謂感光性,是指經照射光的部分會產生化學變化而不溶或可溶於水溶液或有機溶劑之機能。若使用具有此感光性的感光性黏著劑,則藉由隔著光罩來進行曝光及顯影處理,即能夠形成高精細的黏著劑圖案,且所形成之黏著劑圖案會對被黏著物(adherend)具有熱壓接
性。
具感光性的黏著劑組成物,以往已知有:光阻;以聚醯亞胺樹脂前驅物(聚醯胺酸)作為基底之組成物(例如專利文獻1、2);以及以低玻璃轉移溫度(Tg)聚醯亞胺樹脂作為基底之組成物(專利文獻3)。此外,從操作環境、排水處理等之觀點來看,主流為能夠藉由鹼性顯影液來進行圖案形成的組成物。
此外,近年來,在半導體構裝領域中,覆晶(flip chip)構裝方式受到矚目。所謂覆晶構裝方式,是指經由複數個導電性凸塊,來將半導體晶片彼此連接、或將半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件連接。覆晶構裝方式,有時會因依照各個連接構件的熱膨脹係數差而產生之應力,而造成經由導電性凸塊來將基板與半導體晶片連接發生異常。因此,為了緩和該應力之目的,已知有下述方式:藉由在連接構件間填充樹脂來將導電性凸塊予以密封(例如專利文獻4)。
專利文獻1:日本特開2000-290501號公報
專利文獻2:日本特開平11-24257號公報
專利文獻3:國際公開第07/004569號公報
專利文獻4:日本專利第3999840號公報
當於用以將半導體晶片彼此連接、或將半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件連接之材料,使用習知的液狀或薄膜狀的黏著劑時,有像下述這樣的問題。例如液狀黏著劑,當構裝近年來的經薄型化之晶片時,若塗佈量過多,則有接合時滲出的樹脂會攀附晶片側面而污染接合工具之虞。
另一方面,薄膜狀黏著劑,藉由調整薄膜的厚度即能夠容易地提供最佳的樹脂量,但相反地,需要稱為暫時壓接步驟之將薄膜狀黏著劑黏貼在基板上之步驟。通常,暫時壓接步驟,是先準備薄膜狀黏著劑,然後因應晶片尺寸來切割基材上的薄膜狀黏著劑,並在樹脂不進行反應的程度的溫度,熱壓接在基材上,該薄膜狀黏著劑形成有較作為黏著對象之晶片寬度更寬的寬度之狹縫且捲在捲軸(reel)上。然而,難以精度良好地將薄膜供給至晶片承載位置,並且,難以對應於微小晶片等來進行細寬度的捲軸加工。由此可知,一般,為了確保良率,是使藉由暫時壓接來黏貼之薄膜狀黏著劑大於晶片尺寸來對應。因此,必須設置充分的與鄰接部分間的距離,而有難以對應於高密度化構裝之問題。
作為解決上述問題之方法,在晶圓製程(wafer process)中形成黏著劑層之方法受到矚目。為了在晶圓製程中形成黏著劑層,除了具備習知的感光特性和黏著性以外,還必須具備:不受源自電路的階差所影響的平坦膜形成性;均勻且高精度的圖案加工性;以及對再佈線步驟、連接端子形成步驟、切割步驟等的適應性等。
本發明是鑒於上述情況而研創,目的在於提供一種
感光性樹脂組成物、以及使用該感光性樹脂組成物而得之薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置,該感光性樹脂組成物當形成為薄膜狀來使用時圖案形成性、薄膜安定性及填埋性優異且在高溫黏著時孔洞充分受到抑制。
為了解決上述問題,本發明提供一種感光性樹脂組成物,其包含:(A)鹼可溶性樹脂,其具有酚性羥基來作為末端基;(B)放射線聚合性化合物;及,(C)光起始劑。
根據本發明之感光性樹脂組成物,因具有上述構成,而即使經微細地圖案化並將被黏著物彼此黏著,仍能夠充分降低受到硬化樹脂所保護之連接部在高溫高濕下的透濕性,並且有助於提高本發明之半導體裝置的可靠性。並且,本發明之感光性樹脂組成物,因具有上述構成,而在於具有電路面之半導體晶圓的電路面上形成膜並藉由曝光和顯影來進行圖案化後,對被黏著物具有熱壓接性,該被黏著物是由具有電路面之半導體晶片承載用支持構件、半導體晶片或半導體晶圓所構成。
從更加提高耐回流性等連接可靠性之觀點來看,上述鹼可溶性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg),以40℃~150℃為佳,以50℃~120℃較佳,以60℃~100℃更佳。將鹼可溶性樹脂的Tg設為上述範圍,在將薄膜狀黏著劑貼合在被黏著物時能夠確保充分的熱壓接性,而能夠更加提高連接可靠性,該薄膜狀黏著劑是將感光性樹脂組成物形成為薄膜狀而得。
此外,從高溫黏著性和圖案形成性之觀點來看,上述鹼可溶性樹脂,以具有酚性羥基來作為末端基和側鏈基之聚醯亞胺樹脂為佳,以僅具有酚性羥基來作為鹼可溶性基之聚醯亞胺樹脂較佳。
並且,從熱壓接性、高溫黏著性、圖案形成性及低透濕性之觀點來看,上述(A)鹼可溶性樹脂,較佳為使下述化合物進行反應而得之聚醯亞胺樹脂:四羧酸二酐;二胺,其包含二胺整體的10mol%~80mol%的含酚性羥基二胺;及,含酚性羥基胺。
此外,從熱壓接性、高溫黏著性、圖案形成性及低透濕性之觀點來看,上述二胺,較佳是包含二胺整體的10mol%~80mol%的下述通式(8)所示之脂肪族醚二胺。式中,R1~R3分別獨立地表示碳數1~10的伸烷基,b表示2~80的整數。
並且,從熱壓接性、高溫黏著性、圖案形成性及低透濕性之觀點來看,上述含酚性羥基二胺,較佳是包含下述通式(A-1)所示之含酚性羥基二胺。式中,R21表示單鍵或2價有機基。
此外,從高溫黏著性之觀點來看,上述(B)放射線聚合性化合物,較佳是包含至少1種3官能以上的(甲基)丙烯酸酯。藉此,曝光後,能夠更加提高加熱硬化後之儲存彈性模數(storage modulus),結果,能夠提高低透濕性。
此外,從熱壓接性、高溫黏著性、耐濕可靠性之觀點來看,包含(A)成分、(B)成分及(C)成分之上述感光性樹脂組成物,以進而包含(D)環氧樹脂為佳,從熱壓接性、高溫黏著性、耐濕可靠性之觀點來看,以進而包含(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物。特別是,因感光性樹脂組成物包含(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物,而能夠提高熱壓接性,結果,能夠提高低透濕性。
從高溫黏著性、圖案形成性及耐濕可靠性之觀點來看,上述環氧樹脂,較佳是包含雙酚F型環氧樹脂和雙酚A型環氧樹脂中的至少1種。
從薄膜形成性、高溫黏著性及低透濕性之觀點來看,本發明之感光性樹脂組成物,以進而包含(F)填料為佳。
從高溫黏著性、高耐熱性及耐濕可靠性之觀點來看,本發明之感光性樹脂組成物,以進而包含(G)硬化促進劑為佳。
本發明之感光性樹脂組成物,能夠較佳地作為黏著劑來使用,該黏著劑用於:半導體晶片彼此的連接;及/或半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件的連接。
此外,本發明提供一種薄膜狀黏著劑,其藉由下述方式來獲得:將上述感光性樹脂組成物形成為薄膜狀。
此外,本發明提供一種黏著片,其具備:基材;及,黏著劑層,其形成於該基材上,該黏著劑層是由上述薄膜狀黏著劑所構成。
此外,本發明提供一種黏著劑圖案,其藉由下述方式來獲得:對積層於被黏著物上之黏著劑層進行曝光,並以鹼性顯影液來對曝光後的黏著劑層進行顯影處理,該黏著劑層是由上述薄膜狀黏著劑所構成。
此外,本發明提供一種附有黏著劑層之半導體晶圓,其具備:半導體晶圓;及,黏著劑層,其積層於該半導體晶圓上,該黏著劑層是由上述薄膜狀黏著劑所構成。
此外,本發明提供一種半導體裝置,其具有下述結構:使用上述感光性樹脂組成物來將半導體晶片彼此黏著而成之結構;及/或使用上述感光性樹脂組成物來將半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件黏著而成之結構。
根據本發明,能夠提供一種感光性樹脂組成物,其當形成為薄膜狀來使用時圖案形成性、薄膜安定性及填埋性優異,且在高溫黏著時孔洞充分受到抑制。此外,能夠提供一種使用該感光性樹脂組成物而得之薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置。此外,形成有本發明之感光性樹脂組成物的膜之電路面,藉由圖案化,無論連接端子部的大小及端子的高低,均能夠任意地使端子部露出。
1‧‧‧薄膜狀黏著劑(黏著劑層)
2‧‧‧覆蓋膜
3‧‧‧基材
4‧‧‧遮罩
8、12‧‧‧半導體晶圓
9‧‧‧導電層
11‧‧‧開口
13‧‧‧支持構件
14‧‧‧半導體晶片
18‧‧‧電路面
20‧‧‧附有黏著劑層之半導體晶圓
100、110‧‧‧黏著片
230‧‧‧半導體裝置
第1圖是顯示本發明之薄膜狀黏著劑的一實施形態的端視圖。
第2圖是顯示本發明之黏著片的一實施形態的端視圖。
第3圖是顯示本發明之黏著片的一實施形態的端視圖。
第4圖是顯示本發明之附有黏著劑層之半導體晶圓的一實施形態的俯視圖。
第5圖是沿著第4圖的IV-IV線的端視圖。
第6圖是顯示本發明之半導體裝置的一實施形態的端視圖。
第7圖是顯示本發明之半導體裝置的製造方法的一實施形態的端視圖。
第8圖是顯示本發明之半導體裝置的製造方法的一實施形態的端視圖。
第9圖是顯示本發明之半導體裝置的製造方法的一實施形態的端視圖。
第10圖是顯示本發明之半導體裝置的製造方法的一實施形態的端視圖。
第11圖是顯示本發明之半導體裝置之製造方法的一實施形態的端視圖。
第12圖是顯示本發明之半導體裝置的製造方法的一實施形態的端視圖。
以下,一面因應需要而參照圖式,一面詳細說明本發明之實施方式。但是,本發明並不受下述實施形態所限定。再者,圖式中,對相同要素標示相同符號,並省略重複說明。此外,上下左右等位置關係,只要無特別說明,即是按照圖式所示之位置關係,圖式的尺寸比例並不受圖示的比例所限定。此外,在本說明書中,「~」是表示分別以最小值及最大值的形式來包含其前後所記載的數值的範圍。此外,在本說明書中,所謂「(甲基)丙烯酸酯」,是意指「丙烯酸酯」及與其對應之「甲基丙烯酸酯」。「(甲基)丙烯酸」等其他類似的表現亦相同。
在本說明書中,所謂感光性樹脂組成物的「黏貼性」,是意指當藉由將感光性樹脂組成物形成為薄膜狀來製作成薄膜狀黏著劑時的黏貼性。所謂感光性樹脂組成物的「高溫黏著性」,是意指當將感光性樹脂組成物製作成硬化物時之在加熱下的黏著性。所謂感光性樹脂組成物的「圖案形成性」,是意指隔著光罩來對形成於被黏著物上之由上述薄膜狀黏著劑所構成之黏著劑層進行曝光並藉由鹼性顯影液來進行顯影後所得的黏著劑圖案的精度。所謂感光性樹脂組成物的「熱壓接性」,是意指在加熱下將上述黏著劑圖案壓接(熱壓接)在支持構件等後的黏著情況。所謂感光性樹脂組成物的「耐熱性」,是意指將上述黏著劑圖案熱壓接在支持構件等並使其硬化後放置於高溫下後的耐剝離性。所謂「耐回流性」,是意指將上述感光性黏著劑的邊框狀圖案熱壓接在支持構件等處並使其硬化後在高溫高濕條件下靜置規定時間並
進行回流加熱後的耐剝離性。
本實施形態之感光性樹脂組成物,包含:(A)鹼可溶性樹脂,其具有酚性羥基來作為末端基(以下有時僅稱為(A)成分);(B)放射線聚合性化合物(以下有時僅稱為(B)成分);及,(C)光起始劑(以下有時僅稱為(C)成分)。
(A)成分的Tg,以150℃以下為佳,以120℃以下較佳,以100℃以下更佳。若此Tg為150℃以下,則能夠在低溫將薄膜狀黏著劑貼合在被黏著物,而能夠抑制半導體晶圓發生翹曲,該薄膜狀黏著劑是將感光性樹脂組成物形成為薄膜狀而得。此外,能夠降低圖案形成後之上述黏著劑的熔融黏度,而更加提高熱壓接性。
又,將薄膜狀黏著劑黏貼在晶圓背面的溫度,以20℃~150℃為佳,以40℃~100℃較佳。在上述範圍內,有能夠抑制半導體晶圓翹曲之傾向。為了能夠在上述溫度黏貼,以將(A)成分的Tg設為150℃以下為佳。此外,上述Tg之下限,以40℃以上為佳,以60℃以上較佳,以70℃以上最佳。當上述Tg未達40℃時,為了提高曝光及加熱硬化後之彈性模數,而必須大量調配其他硬化成分,而有會降低處理性、保存安定性、圖案形成性、熱壓接性、耐熱性及低應力性之傾向。
此處,所謂(A)成分的「Tg」,是指使用黏彈性分析器(Rheometrics公司製,商品名:RSA-2),在升溫速度5℃
/min、頻率1Hz、測定溫度-150℃~300℃之條件下,對使(A)成分薄膜化而得之物進行測定後之tan δ峰值溫度。
(A)成分的重量平均分子量,以控制在5,000~500,000的範圍內為佳,以10,000~300,000較佳,以10,000~100,000更佳。若重量平均分子量在上述範圍內,則將感光性樹脂組成物形成為薄片狀或薄膜狀後,強度、可撓性及黏性會更良好。此外,由於加熱時流動性會更良好,故更能夠確保對基板表面的線路階差(凹凸)的填埋性良好。若上述重量平均分子量為5,000以上,則能夠更加提高薄膜形成性。另一方面,若上述重量平均分子量為500,000以下,則能夠提高加熱時流動性及上述填埋性,並且,更加提高形成圖案時感光性樹脂組成物對鹼性顯影液的溶解性。此處,所謂「重量平均分子量」,是意指使用高效液相層析儀(島津製作所製,商品名:C-R4A)並以換算成聚苯乙烯來測定後之重量平均分子量。
藉由將(A)成分的Tg及重量平均分子量設在上述範圍內,即能夠抑制黏貼在晶圓之溫度。並且,亦能夠降低將半導體晶片黏著固定在半導體晶片承載用支持構件時之加熱溫度(熱壓接溫度),能夠一面抑制半導體晶片之翹曲增大,一面賦予高溫黏著性。此外,能夠有效賦予黏貼性、熱壓接性及顯影性。
(A)成分,只要具有酚性羥基來作為末端基即可,以亦具有鹼可溶性基來作為側鏈基為佳。鹼可溶性基可舉例如:乙二醇基、羧基、羥基、磺醯基、酚性羥基,此等中,以酚性羥基為佳。並且,以(A)成分中之鹼可溶性基僅為酚性
羥基較佳。
作為(A)成分,可舉例如:聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚胺酯(polyurethane)樹脂、聚胺酯醯亞胺樹脂、聚胺酯醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷聚醯亞胺樹脂及聚酯醯亞胺樹脂、以及此等之共聚物及此等之前驅物(聚醯胺酸等),除此之外可舉例如:聚苯并唑(polybenzoxazole)樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂、重量平均分子量為10,000~1,000,000的(甲基)丙烯酸共聚物、酚醛清漆樹脂及酚樹脂。此等能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
從高溫黏著性、耐熱性及薄膜形成性之觀點來看,此等中,(A)成分以聚醯亞胺樹脂為佳。聚醯亞胺樹脂,能夠以下述方式來獲得,例如:以習知的方法來使四羧酸二酐與二胺與含酚性羥基(單官能)胺進行縮合反應。
相對於四羧酸二酐的合計1.0mol,上述縮合反應中之四羧酸二酐與二胺之混合莫耳比,以二胺的合計為0.5mol~0.98mol為佳,以二胺的合計為0.6mol~0.95mol較佳。
相對於四羧酸二酐的合計1.0mol,上述縮合反應中之四羧酸二酐與含酚性羥基胺之混合莫耳比,以含酚性羥基胺的合計為0.04mol~1.0mol為佳,以含酚性羥基胺的合計為0.1mol~0.8mol較佳。
再者,四羧酸二酐、二胺及含酚性羥基胺之添加順序,可為任意順序。
在上述縮合反應中,以較二胺更過剩地使用四羧酸二酐為佳。藉此,因末端具有源自四羧酸二酐之殘基之寡聚物會增加,此源自四羧酸二酐之殘基會與後述之含酚性羥基胺之胺基進行反應,而會導入酚性羥基來作為末端基。
此外,上述縮合反應中之反應溫度,以80℃以下為佳,以0℃~60℃較佳。反應液之黏度會隨著反應進行而緩緩上升,而會生成聚醯亞胺樹脂之前驅物亦即聚醯胺酸。再者,為了抑制樹脂組成物之各種特性降低,上述四羧酸二酐,以經乙酸酐進行再結晶精製處理為佳。
本實施形態中,所謂聚醯亞胺樹脂,是意指具有醯亞胺基之樹脂。具體而言可舉例如:聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚胺酯醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚胺酯醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷聚醯亞胺樹脂、聚酯醯亞胺樹脂等,但不受此等所限定。
聚醯亞胺樹脂,能夠以使上述縮合反應物(聚醯胺酸)進行脫水閉環來獲得。脫水閉環,能夠以下述方法來進行:加熱處理之熱閉環法、使用脫水劑之化學閉環法等。
作為聚醯亞胺樹脂的原料來使用之四羧酸二酐,無特別限制,可舉例如:均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四甲酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、3,4,9,10-苝四甲酸二酐
(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride)、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四甲酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2,3,2’,3’-二苯甲酮四甲酸二酐、3,3,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、1,2,5,6-萘四甲酸二酐、1,4,5,8-萘四甲酸二酐、2,3,6,7-萘四甲酸二酐、1,2,4,5-萘四甲酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、菲-1,8,9,10-四甲酸二酐、吡-2,3,5,6-四甲酸二酐(pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride)、噻吩-2,3,5,6-四甲酸二酐(thiophene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride)、2,3,3’,4’-聯苯四甲酸二酐、3,4,3’,4’-聯苯四甲酸二酐、2,3,2’,3’-聯苯四甲酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基矽烷基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、對伸苯基雙(偏苯三甲酸酯酐)、伸乙基四甲酸二酐、1,2,3,4-丁烷四甲酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四甲酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四甲酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四甲酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐、雙(外-雙環[2.2.1]庚烷-2,3-二甲酸二酐、雙環[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四甲酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙
基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、5-(2,5-二酮基四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二甲酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四甲酸二酐、及下述通式(1)所示之四羧酸二酐。下述通式(1)中,a表示2~20的整數。
上述通式(1)所示之四羧酸二酐,能夠從例如偏苯三甲酸單醯氯及對應之二醇來合成,具體而言可舉例如:1,2-(伸乙基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,3-(三亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,4-(四亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,5-(五亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,6-(六亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,7-(七亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,8-(八亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,9-(九亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,10-(十亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,12-(十二亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、1,16-(十六亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)、及1,18-(十八亞甲基)雙(偏苯三甲酸酯酐)。
此外,從賦予對溶劑之良好溶解性、及耐濕性、以及對波長為365nm的光之透明性之觀點來看,四羧酸二酐,以下述式(2)或(3)所示之四羧酸二酐為佳。
像上述這樣的四羧酸二酐,能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
作為上述聚醯亞胺樹脂的原料來使用之二胺,較佳是使用:至少一種的不具有羧基且具有酚性羥基之二胺。藉由使用不具有羧基且具有酚性羥基之二胺,即能夠導入酚性羥基來作為聚醯亞胺樹脂的側鏈基。不具有羧基且具有酚性羥基之二胺可舉例如:下述式(5)、(7)及(A-1)所示之芳香族二胺,從製作成Tg高的聚醯亞胺樹脂後獲得良好的圖案形成性及熱壓接性之觀點來看,以下述通式(A-1)所示之二胺較佳。
式(A-1)中,R21表示單鍵或2價有機基。2價有機基可舉例如:碳數1~30的2價烴基、氫原子的一部分或全部經鹵素原子所取代之碳數1~30的2價烴基、-(C=O)-、-(SO2)-、-O-、-S-、-NH-(C=O)-、-(C=O)-O-、下述通式(B-1)所示之基、及下述通式(B-2)所示之基。式(B-1)及式(B-2)中,n表示1~20的整數,R表示氫原子或甲基。
從使聚醯亞胺樹脂的Tg上升後的圖案形成性之觀點來看,上述R21,以-C(CF3)2-或-C(CH3)2-為佳。藉由使用具有這樣的基之上述二胺,即能夠在形成圖案時抑制聚醯亞胺之醯亞胺基彼此凝聚,且鹼性顯影液容易滲透而能夠提高圖案形成性。藉此,即便使聚醯亞胺的Tg上升,仍能夠獲得良好的圖案形成性,而能夠實現經更加提高耐濕可靠性之感光性樹脂組成物。
通式(A-1)所示之二胺,以設為全部二胺的10mol%~80mol%為佳,以設為全部二胺的20mol%~80mol%較佳,以設為全部二胺的30mol%~70mol%更佳。若使用含
羧基樹脂作為聚醯亞胺樹脂,則有在加熱乾燥時會與所調配之環氧樹脂進行反應使聚醯亞胺樹脂的酸值大幅降低之傾向。相對地,將聚醯亞胺樹脂的側鏈設為酚性羥基,會較設為羧基之情形更不容易與環氧樹脂進行反應。結果,除了圖案形成性、熱壓接性及高溫黏著性以外,將該組成物設為清漆或薄膜形態後的安定性應亦會提高。
在本實施形態中,較佳是:上述具有酚性羥基之二胺包含下述式(4)所示之具有氟烷基之二苯酚二胺。因將氟烷基導入聚醯亞胺鏈,而聚醯亞胺彼此的分子鏈凝聚力會降低,而顯影液會容易滲透。結果,上述感光性樹脂組成物的圖案形成性(溶解顯影性、細線化)會更加提高。此外,因聚醯亞胺的凝聚力降低,而能夠提高熱壓接性,進而,即便使聚醯亞胺的Tg上升,仍能夠獲得良好的圖案形成性。藉此,能夠實現經更加提高耐濕可靠性及耐回流性之感光性樹脂組成物。
具有氟烷基之二苯酚二胺,以設為全部二胺的5mol%~100mol%為佳,以設為全部二胺的10mol%~90mol%較佳,以設為全部二胺的10mol%~80mol%更佳,以設為全部二胺的20mol%~80mol%特佳,以設為全部二胺的30mol%~70mol%最佳。
作為上述聚醯亞胺樹脂的原料來使用之其他二胺,無特別限制,可舉例如:鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、3,3’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基酮、3,4’-二胺基二苯基酮、4,4’-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2-(3,4’-二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二胺基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、3,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、4,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、3,5-二胺基苯甲酸等芳香族二胺;1,3-雙(胺基甲基)環己烷、2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷、下述通式(8)所示之脂肪族二胺、及下述通式(9)所示之
矽氧烷二胺。下述通式(8)中,R1、R2及R3分別獨立地表示碳數1~10的伸烷基,b表示2~80的整數。下述通式(9)中,R4及R9分別獨立地表示碳數1~5的伸烷基、或伸苯基,R5、R6、R7及R8分別獨立地表示碳數1~5的烷基、苯基、或苯氧基,d表示1~5的整數。再者,上述伸苯基可具有取代基。
上述二胺中,在賦予與其他成分之相溶性、有機溶劑可溶性及鹼可溶性之觀點上,以上述通式(8)所示之脂肪族二胺為佳,以乙二醇系二胺或丙二醇系二胺較佳。
作為像上述這樣的脂肪族醚二胺,具體而言可舉例如:Sun Techno Chemical公司製Jeffamine D-230、D-400、D-2000、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2000、EDR-148;BASF公司製Polyetheramine D-230、D-400、D-2000等聚氧伸烷基二胺等。此等二胺,以全部二胺的1mol%~80mol%為佳,以全部二胺的10mol%~80mol%較佳,以全部二胺的10mol%~60mol%更佳。若此量為1mol%以上,則有容易賦予高溫黏著性及加熱時流動性之傾向,另一方面,若為80mol%以下,則有能夠抑制聚醯亞胺樹脂的Tg降低而更加提高薄膜本身的支持性之傾向。
並且,從圖案形成性之觀點來看,上述脂肪族醚二
胺,較佳是:具有下述通式所示之伸丙基醚骨架且分子量為300~600。當使用這樣的二胺時,從薄膜本身的支持性、高溫黏著性、耐回流性及耐濕可靠性之觀點來看,其量以全部二胺的80mol%以下為佳,以全部二胺的60mol%以下較佳。此外,從黏貼性、熱壓接性及高溫黏著性之觀點來看,以全部二胺的10mol%以上為佳,以全部二胺的20mol%以上較佳。此量在上述範圍內,即能夠將聚醯亞胺的Tg調整成上述範圍,而能夠賦予黏貼性、熱壓接性、高溫黏著性、耐回流性及氣密密封性。下述式中,m表示3~7的整數。
此外,從提高在室溫的密著性及黏著性之觀點來看,以上述通式(9)所示之矽氧烷二胺為佳。
上述通式(9)所示之矽氧烷二胺,具體而言,式(9)中之d為1之矽氧烷二胺可舉例如:1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯氧基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基丁基)二矽氧烷、1,3-二甲基-1,3-二甲氧基-1,3-雙(4-胺基丁基)二矽氧烷等,式(9)中之d為2之矽氧烷二胺可舉例如:1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(4-胺基苯基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲基-1,5-雙(3-胺
基丙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(2-胺基乙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷等。上述通式(9)所示之矽氧烷二胺,能夠取得例如:BY16-871EG(商品名,Toray Dow Corning公司製)。
上述二胺,能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。此外,上述二胺之量,以設為全部二胺的1mol%~80mol%為佳,以設為全部二胺的2mol%~50mol%較佳,以設為全部二胺的5mol%~30mol%更佳。若為1mol%以上,則有添加矽氧烷二胺能夠獲得充分的效果之傾向,若為80mol%以下,則有與其他成分之相溶性、高溫黏著性及顯影性會提高之傾向。
此外,在決定聚醯亞胺樹脂的組成時,較佳是以使其Tg像上述這樣成為150℃以下之方式設計,特佳是使用上述通式(8)所示之脂肪族二胺來作為聚醯亞胺樹脂的原料之二胺。
在合成上述聚醯亞胺樹脂時,若使用含酚性羥基胺,則因源自四羧酸之殘基會與含酚性羥基胺之胺基進行反應,而能夠導入酚性羥基來作為末端基。藉此,能夠降低聚
合物的重量平均分子量,並提高形成圖案時的顯影性及熱壓接性。
含酚性羥基胺,以胺基酚衍生物為佳。胺基酚衍生物可舉例如:鄰胺基苯酚、間胺基苯酚、對胺基苯酚;2-胺基間甲酚等胺基甲酚類;2-胺基-4-甲氧基苯等胺基甲氧基苯類;4-羥基-2,5-二甲基苯胺等羥基二甲基苯胺類等,以下述式(10)所示之化合物為佳。其中,從對鹼性顯影液的溶解性與製作成清漆後之安定性之觀點來看,以在胺基之間位具有羥基者為佳,此等中,間胺基苯酚,在合成聚醯亞胺時容易導入,而特佳。
具有酚性羥基來作為末端基之聚醯亞胺樹脂,由於除了圖案形成性、熱壓接性及高溫黏著性以外,將該組成物設為清漆或薄膜形態後之安定性、塗佈或積層於具有像連接端子這樣的突起及階差之基板的填埋性(平坦性)亦會提高,故較佳。
上述聚醯亞胺樹脂,能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
從光硬化性之觀點來看,上述聚醯亞胺樹脂,以形成為30μm的薄膜狀後對波長365nm的光之穿透率為10%以上為佳,以20%以上較佳。這樣的聚醯亞胺樹脂,能夠以下述方式合成,例如:使上述式(2)所示之酸酐與上述通式(8)所
示之脂肪族醚二胺及/或上述通式(9)所示之矽氧烷二胺進行反應。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,當以感光性樹脂組成物之固形份總量為基準時,(A)成分的含量,以10質量%~90質量%為佳,以15質量%~80質量%較佳,以20質量%~70質量%更佳,以30質量%~60質量%特佳。若此含量為10質量%以上,則有形成圖案時顯影性會更良好且黏性等處理性會更良好之傾向。另一方面,若為90質量%以下,則有形成圖案時顯影性及黏著性會更良好之傾向。
在調配聚醯亞胺樹脂作為(A)成分時,當聚醯亞胺樹脂缺乏鹼溶解性時,可添加下述樹脂作為溶解助劑:具有羧基及/或羥基之樹脂;及/或具有親水性基之樹脂。具有親水性基之樹脂,只要為鹼可溶性的樹脂,則無特別限定,可舉例如:具有像乙二醇基及丙二醇基這樣的二醇基之樹脂等。
(B)成分可舉例如:具有乙烯性不飽和基之化合物。乙烯性不飽和基可舉例如:乙烯基、烯丙基、丁烯基、馬來醯亞胺基、納迪克醯亞胺基(nadimide group)、(甲基)丙烯醯基等。從反應性之觀點來看,乙烯性不飽和基以(甲基)丙烯醯基為佳,(B)成分以2官能以上的(甲基)丙烯酸酯為佳。這樣的(甲基)丙烯酸酯,無特別限制,可舉例如:二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸
酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、1,3-丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、1,2-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、參(β-羥基乙基)異氰脲酸酯之三丙烯酸酯、下述通式(12)所示之化合物、胺酯丙烯酸酯、胺酯甲基丙烯酸酯、尿素丙烯酸酯等。下述通式(12)中,R19及R20分別獨立地表示氫原子或甲基,g及h分別獨立地表示1~20的整數。
上述放射線聚合性化合物,能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。其中,在能夠賦予充分的鹼可溶性及硬化後之耐溶劑性之觀點上,以上述通式(12)所示之具有二醇骨架之放射線聚合性化合物為佳。此外,在能夠賦予充分的圖案形成性、硬化後之高黏著性、耐熱性及耐濕可靠性之觀點上,以異氰脲酸EO(ethylene oxide,環氧乙烷)改質二/三丙烯酸酯及異氰脲酸EO改質二/三甲基丙烯酸酯為佳。
此外,(B)成分,以包含3官能以上的丙烯酸酯化合
物為佳。此時,能夠更加提高硬化後之黏著性,並且能夠抑制加熱時之釋氣。此外,能夠使硬化後之儲存彈性模數上升,而能夠獲得良好的耐濕可靠性。
此外,併用官能基當量高的放射線聚合性化合物,即能夠進行低應力化及低翹曲化。官能基當量高的放射線聚合性化合物,以聚合官能基當量為300g/eq以下為佳,以聚合官能基當量為250g/eq以下較佳,以聚合官能基當量為200g/eq以下更佳。特別是,藉由使用聚合官能基當量為200g/eq以下之二醇骨架與具有胺酯鍵及/或異氰脲酸環之放射線聚合性化合物,即能夠提高感光性樹脂組成物之顯影性及黏著性且進行低應力化及低翹曲化。
又,可將聚合官能基當量為300g/eq以上的放射線聚合性化合物與聚合官能基當量未達300g/eq的放射線聚合性化合物併用,來作為(B)成分。此時,較佳是使用具有胺酯鍵及/或異氰脲酸環之放射線聚合性化合物,來作為(B)成分。
相對於(A)成分100質量份,(B)成分的含量,以10質量份~500質量份為佳,以20質量份~250質量份較佳,以30質量份~150質量份更佳,以40質量份~100質量份特佳。若此含量為500質量份以下,則有抑制因進行聚合而熱熔融時流動性降低而提高熱壓接時之黏著性之傾向。另一方面,若此含量為10質量份以上,則藉由曝光來進行光硬化後耐溶劑性會提高,而能夠更容易形成圖案。換言之,有顯影前後之膜厚變化小且殘渣少之傾向。此外,熱壓接時不容易熔融,而能夠防止圖案變形。
從提高感度之觀點來看,作為(C)成分,以對波長為365nm的光之分子吸光係數為1000mL/g.cm以上為佳,以對波長為365nm的光之分子吸光係數為2000mL/g.cm以上較佳。再者,分子吸光係數是藉由下述方式來求出:調製樣品的0.001質量%乙腈溶液後,使用分光光度計(Hitachi High-Technologies公司製,商品名:U-3310)來對此溶液測定吸光度。
當將感光性樹脂組成物設為膜厚30μm以上的黏著劑層時,在高感度之觀點上,(C)成分以具有肟(oxime)酯骨架為佳。這樣的(C)成分可舉例如:1-[4-(苯硫基)苯基]辛烷-1,2-二酮-2-(O-苯甲醯基肟)、乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯肟)」等。此外,從提高內部硬化性之觀點來看,亦可舉例如會因照光而褪色之化合物作為較佳者。作為這樣的(C)成分,可從下述化合物中舉例會因照射UV而發生光褪色之化合物:2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-(N-嗎啉基)苯基)丁酮-1(2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)butanone-1)、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-(N-嗎啉基)丙酮-1、2,4-二乙基噻噸酮(2,4-diethylthioxanthone)、2-乙基蒽醌、菲醌等芳香族酮;苯甲基二甲基縮酮等苯甲基衍生物;2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(間甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰甲氧基苯
基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4-二(對甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物、2-(2,4-二甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等2,4,5-三芳基咪唑二聚物;9-苯基吖啶(9-phenylacridine)、1,7-雙(9,9’-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物;雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等雙醯基氧化膦。此等能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
(C)成分可包含光起始劑,該光起始劑是因照射放射線來顯現下述機能:促進後述之(D)環氧樹脂(以下有時稱為(D)成分)或(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物(以下有時稱為(E)成分)之聚合、加成反應等硬化反應。這樣的光起始劑可舉例如:因照射放射線而產生鹼之光鹼產生劑、及因照射放射線而產生酸之光酸產生劑,以光鹼產生劑特佳。
作為放射線,可舉例如:游離性放射線和非游離性放射線,具體而言可舉例如:ArF、KrF等準分子雷射光、電子束極紫外線、真空紫外光、X射線、離子束、i射線、及g射線等紫外光等。
使用光鹼產生劑,所生成之鹼即能夠有效率地產生作為(D)成分或(E)成分之硬化觸媒之作用。結果,感光性樹脂組成物之交聯密度會更加升高,而上述感光性黏著組成物對被黏著物之高溫黏著性和耐濕性會提高。此外,藉由使上述感光性樹脂組成物包含光鹼產生劑,即能夠更加減少高溫放置時之釋氣。並且,能夠使硬化步驟低溫化和短時間化。
此外,上述鹼,能夠減少(A)成分與(D)成分及/或(E)
成分進行反應後所殘留之(A)成分中的羧基及/或羥基。因此,會提高耐濕性、黏著性及圖案形成性。
光鹼產生劑,只要為在照射放射線時會產生鹼之化合物,則能夠無特別限制地使用。從反應性及硬化速度之觀點來看,所產生之鹼以強鹼性化合物為佳。
作為這樣的在照射放射線時產生之鹼,可舉例如:咪唑、2,4-二甲基咪唑、1-甲基咪唑等咪唑衍生物;哌(piperazine)、2,5-二甲基哌等哌衍生物;哌啶、1,2-二甲基哌啶等哌啶衍生物;脯胺酸衍生物;三甲胺、三乙胺、三乙醇胺等三烷基胺衍生物;4-甲基胺基吡啶、4-二甲基胺基吡啶等4-位取代有胺基或烷基胺基之吡啶衍生物;吡咯啶、N-甲基吡咯啶等吡咯啶衍生物;二氫吡啶衍生物;三伸乙二胺、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-1(DBU)等脂環式胺衍生物;以及苯甲基甲基胺、苯甲基二甲基胺、苯甲基乙基胺等苯甲基胺衍生物。
因照射放射線而產生像上述這樣的鹼之光鹼產生劑能夠使用例如:Journal of Photopolymer Science and Technology 1999年,12卷,313~314頁、Chemistry of Materials 1999年,11卷,170~176頁等中所記載之四級銨鹽衍生物。此等由於會因照射放射線而生成高鹼性的三烷基胺,故最適於環氧樹脂之硬化。
此外,亦能夠使用Journal of American Chemical Society 1996年,118卷,12925頁、Polymer Journal 1996年,28卷,795頁等中所記載之胺甲酸衍生物。
並且,能夠使用:會因照射放射線而產生1級胺基之肟衍生物;作為光鹼產生劑之市售的2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-(N-嗎啉基)丙-1-酮(Ciba Japan公司製,商品名:Irgacure 907)、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-(N-嗎啉基)苯基)丁酮-1(Ciba Japan公司製,商品名:Irgacure 369)、2-(二甲基胺基)-2-((4-甲基苯基)甲基)-1-(4-(4-嗎啉基)苯基)-1-丁酮(2-(dimethylamino)-2-((4-methylphenyl)methyl)-1-(4-(4-morph olinyl)phenyl)-1-butanone)(Ciba Japan公司製,商品名:Irgacure 379)、3,6-雙(2-甲基-2-(N-嗎啉基)丙醯基)-9-N-辛基咔唑(ADEKA公司製,商品名:OPTOMER N-1414)、六芳基聯咪唑衍生物(可在苯基取代有鹵素、烷氧基、硝基、氰基等取代基)、苯并異唑酮(benzisoxazolone)衍生物等。
上述光鹼產生劑,可使用經在高分子的主鏈及/或側鏈導入會產生鹼之基而得之化合物。此時,從作為黏著劑之黏著性、流動性及耐熱性之觀點來看,重量平均分子量,以1,000~100,000為佳,以5,000~30,000較佳。
上述光鹼產生劑,由於若在不在室溫照射放射線之狀態下,則不會與後述的(D)成分及(E)成分顯示反應性,故在室溫的儲存安定性非常優異。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,亦能夠進而包含(D)環氧樹脂(以下有時稱為(D)成分)。(D)成分,從高溫黏著性和耐回流性之觀點來看,以在分子內包含至少2個以上的環氧基為佳,從圖案形成性及熱壓接性之觀點來看,以在室
溫(25℃)為液狀或半固態之環氧丙基醚型環氧樹脂較佳,該半固態具體而言是軟化溫度為50℃以下。這樣的樹脂,無特別限定,可舉例如:雙酚A型的環氧丙基醚、雙酚AD型的環氧丙基醚、雙酚S型的環氧丙基醚或雙酚F型的環氧丙基醚、氫化雙酚A型的環氧丙基醚、環氧乙烷加成物雙酚A型的環氧丙基醚、環氧丙烷加成物雙酚A型的環氧丙基醚、3官能型或4官能型的環氧丙基醚、二聚酸之環氧丙酯、及3官能型或4官能型的環氧丙基胺。此等能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
(D)成分,以質量減少5%時的溫度為150℃以上為佳,以質量減少5%時的溫度為180℃以上較佳,以質量減少5%時的溫度為200℃以上更佳,以質量減少5%時的溫度為260℃以上特佳。質量減少5%時的溫度為150℃以上,即能夠提高低釋氣性、高溫黏著性及耐回流性。
上述所謂質量減少5%時的溫度,是指使用示差熱熱重量同時測定裝置(SII NanoTechnology公司製,商品名:TG/DTA 6300),在升溫速度10℃/min、氮氣氣流(400mL/min)下測定後之質量減少5%時的溫度。
上述(D)成分,以使用下述式所示之環氧樹脂為佳。使用這樣的環氧樹脂,即能夠賦予充分的質量減少5%時的溫度、圖案形成性、高溫黏著性、耐回流性及耐濕可靠性。
此外,作為(D)成分,較佳是使用將雜質離子減少至300ppm以下而得之高純度物,該雜質離子為鹼金屬離子、鹼土金屬離子及鹵素離子,特別是氯離子、水解性氯等。藉由使用減少此等雜質離子而得之高純度物,即能夠更確實防止電子遷移及防止金屬導體電路腐蝕。
相對於(A)成分100質量份,(D)成分的含量,以5質量份~300質量份為佳,以10質量份~100質量份較佳。若此含量為300質量份以下,則有對鹼性水溶液的溶解性會提高且圖案形成性會提高之傾向。另一方面,若上述含量為5質量份以上,則有容易獲得充分的熱壓接性及高溫黏著性之傾向。
相對於(A)成分100質量份,(D)成分與後述之(E)成分之總量,以20質量份以上為佳,以30質量份以上較佳。此外,當(A)成分的Tg為70℃以上時,(D)成分與(E)成分之總量,以30質量份以上為佳,以40質量份以上較佳,以50質量份以上更佳。將(D)成分與(E)成分之總量設為上述範圍,即能夠降低形成圖案後之熔融黏度,能夠提高圖案形成性、熱壓接性、高溫黏著性及耐濕可靠性。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,亦能夠進而包含(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物。(E)成分為與(B)
成分及(D)成分不同的化合物。(E)成分中的乙烯性不飽和基可舉例如:乙烯基、烯丙基、丁烯基、馬來醯亞胺基、納迪克醯亞胺基、(甲基)丙烯醯基等,從反應性之觀點來看,以(甲基)丙烯醯基為佳。
作為(E)成分,無特別限定,可舉例如:甲基丙烯酸環氧丙酯、丙烯酸環氧丙酯、丙烯酸4-羥基丁酯環氧丙基醚、及甲基丙烯酸4-羥基丁酯環氧丙基醚,除此之外還可舉例如:使具有會與環氧基進行反應之官能基及乙烯性不飽和基之化合物與多官能環氧樹脂進行反應而得之化合物等。上述會與環氧基進行反應之官能基,無特別限定,可舉例如:異氰酸基、羧基、酚性羥基、羥基、酸酐、胺基、硫醇基、醯胺基等。此等化合物能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
(E)成分,能夠使用例如藉由下述方式來獲得之化合物:在三苯膦及/或溴化四丁銨存在下,使1分子中具有至少2個以上的環氧基之多官能環氧樹脂與相對於1當量環氧基為0.1當量~0.9當量的(甲基)丙烯酸進行反應。此外,亦能夠使用含環氧丙基之胺酯(甲基)丙烯酸酯等,其是藉由下述方式來獲得:在二月桂酸二丁錫存在下使多官能異氰酸酯化合物與含羥基(甲基)丙烯酸酯與含羥基環氧化合物進行反應、或者使多官能環氧樹脂與含異氰酸基(甲基)丙烯酸酯進行反應。
(E)成分,以質量減少5%時的溫度為150℃以上為佳,以質量減少5%時的溫度為180℃以上較佳,以質量減少5%時的溫度為200℃以上更佳,以質量減少5%時的溫度為
260℃以上特佳。若上述溫度為150℃以上,則保存安定性、黏著性、組裝加熱時及組裝後之封裝之低釋氣性、耐熱性以及耐濕性會提高。
並且,作為(E)成分,較佳是使用將雜質離子減少至1000ppm以下而得之高純度物,該雜質離子為鹼金屬離子、鹼土金屬離子、鹵素離子,特別是氯離子、水解性氯等。藉由使用減少此等雜質離子而得之高純度物,即能夠更確實防止電子遷移及防止金屬導體電路腐蝕。使用經減少例如鹼金屬離子、鹼土金屬離子、鹵素離子等之多官能環氧樹脂作為原料,即能夠滿足上述雜質離子濃度。
作為滿足上述耐熱性及純度之(E)成分,無特別限定,可舉例如使用下述化合物作為原料而得之化合物:雙酚A型的環氧丙基醚、雙酚AD型的環氧丙基醚、雙酚S型的環氧丙基醚或雙酚F型的環氧丙基醚、氫化雙酚A型的環氧丙基醚、環氧乙烷加成物雙酚A及/或F型的環氧丙基醚、環氧丙烷加成物雙酚A及/或F型的環氧丙基醚、苯酚酚醛清漆樹脂之環氧丙基醚、甲酚酚醛清漆樹脂之環氧丙基醚、雙酚A酚醛清漆樹脂之環氧丙基醚、萘樹脂之環氧丙基醚、3官能型或4官能型的環氧丙基醚、雙環戊二烯酚樹脂之環氧丙基醚、二聚酸之環氧丙酯、3官能型或4官能型的環氧丙基胺、萘樹脂之環氧丙基胺。
從改善熱壓接性、低應力性及黏著性且在形成圖案時維持顯影性之觀點來看,(E)成分的環氧基和乙烯性不飽和基的數目,以分別為3個以下為佳,特別是,乙烯性不飽和
基的數目,以2個以下為佳。這樣的(E)成分無特別限定,較佳是使用下述通式(13)~(18)所示之化合物等。在下述通式(13)~(18)中,R12及R16表示氫原子或甲基,R10、R11、R13及R14表示2價有機基,R15、R17、R18及R19表示具有環氧基之有機基或具有乙烯性不飽和基之有機基。
作為上述(E)成分,較佳是使用上述通式(13)或(14)所示之化合物。使用此等,即能夠提高熱壓接性。
在本實施形態中,相對於(A)成分100質量份,(E)
成分的含量,以5質量份~300質量份為佳,以10質量份~200質量份較佳,以20質量份~100質量份更佳。若此含量為300質量份以下,則有在形成薄膜時搖變性會提高而能夠容易形成薄膜,並且黏性會降低而更容易處理之傾向。此外,在形成圖案時,有顯影性會提高之傾向,且光硬化後的熔融黏度會提高,而在熱壓接時圖案會不容易變形。另一方面,若上述(E)成分的含量為5質量份以上,則容易獲得充分的添加效果。上述(E)成分,由於能夠一面維持圖案形成性一面成為進行光硬化時之間隔件,而能夠降低交聯密度,故能夠大幅提高熱壓接性。
本實施形態之感光性樹脂組成物,除了(E)成分以外,還可包含硬化劑,來作為硬化性成分。
作為硬化劑,可舉例如:酚系化合物、脂肪族胺、脂環族胺、芳香族多胺、聚醯胺、脂肪族酸酐、脂環族酸酐、芳香族酸酐、雙氰胺(dicyandiamide)、有機酸二醯肼、三氟化硼胺錯合物、咪唑類、及三級胺。
上述硬化劑中,以酚系化合物(與上述(A)成分不同的化合物)為佳,以分子中具有至少2個以上的酚性羥基之酚系化合物較佳。使用酚系化合物,即能夠提高圖案形成性。這樣的化合物可舉例如:苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、三級丁基苯酚酚醛清漆、雙環戊二烯甲酚酚醛清漆、雙環戊二烯苯酚酚醛清漆、二甲苯改質苯酚酚醛清漆、萘酚系化合物、三酚系化合物、四酚酚醛清漆、雙酚A酚醛清漆、聚對乙烯基苯酚、及酚芳烷基樹脂。
上述酚系化合物中,以數目平均分子量在400~4,000的範圍內為佳。藉此,在半導體裝置組裝加熱時,能夠抑制加熱時之釋氣,該釋氣會成為污染半導體晶片、裝置等之原因。相對於(A)成分100質量份,上述酚系化合物的含量,以1質量份~100質量份為佳,以2質量份~50質量份較佳,以2質量份~30質量份更佳。若此含量為100質量份以下,則有曝光時具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物以及放射線聚合性化合物之反應性會提高之傾向。並且,樹脂的酸值減少,即能夠抑制顯影後之膜厚減少或膨脹。此外,減少顯影液滲透至樹脂圖案,而有在隨後之加熱硬化時及組裝熱歷程中之釋氣會減少,而耐熱可靠性及耐濕可靠性會提高之傾向。另一方面,若上述含量為1質量份以上,則有容易獲得更充分的高溫黏著性之傾向。
在質量減少5%時的溫度高而能夠賦予充分的圖案形成性之觀點上,作為上述酚系化合物,以使用下述式所示之酚化合物為佳。又,上述酚系化合物,以樹脂組成物中的(A)成分的側鏈的羧基及酚系羥基以及酚系化合物的酚性羥基的莫耳當量與(D)成分及(E)成分的環氧基的莫耳當量之比[環氧基/(羧基及/或酚性羥基)]是0.5~1.5為佳,以0.7~1.4較佳,以0.9~1.2更佳。若上述環氧基/(羧基及/或酚性羥基)之比為0.5以上,則有高溫黏著性、耐回流性及耐濕可靠性會提高之傾向,若為1.5以下,則有圖案形成性、高溫黏著性及耐濕可靠性會提高之傾向。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,亦能夠進而適當包含(F)填料(以下有時稱為(F)成分)。(F)成分可舉例如:銀粉、金粉、銅粉、鎳粉等金屬填料;氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、結晶性氧化矽、非晶性氧化矽、氮化硼、氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶瓷等無機填料;以及碳、橡膠系填料等有機填料,不論種類、形狀等如何,均能夠無特別限制地使用。
上述(F)成分,能夠因應期望的機能來區分使用。例如:金屬填料,是用以對樹脂組成物賦予導電性、導熱性、搖變性等,無機填料,是用以對黏著劑層賦予導熱性、低熱膨脹性、低吸濕性等。此外,有機填料,是用以對黏著劑層賦予韌性等。
此等金屬填料、無機填料或有機填料,能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。其中,以金屬填料、無機填料或絕緣性填料為佳。藉由使用此等填料,對半導體裝置用黏著材料所要求之導電性、導熱性、低吸濕特性、絕緣性等。並且,無機填料及絕緣性填料中,以氧化矽填料較佳。氧化矽填料,對樹脂清漆之分散性良好且能夠賦予加熱時之高黏著力。
上述(F)成分,以平均粒徑為10μm以下且最大粒徑為30μm以下為佳,以平均粒徑為5μm以下且最大粒徑為20μm以下較佳。若平均粒徑為10μm以下且最大粒徑為30μm以下,則有能夠獲得更充分的提高破壞韌性之效果之傾向。此外,平均粒徑及最大粒徑之下限,無特別限制,從處理性之觀點來看,均以0.001μm以上為佳。
上述(F)成分的含量,是因應欲賦予之特性或機能來決定,相對於樹脂成分與填料之質量的合計,以0質量%~50質量%為佳,以1質量%~40質量%較佳,以3質量%~30質量%更佳。藉由增加填料量,即能夠謀求低α化(糊化)、低吸濕化及高彈性化,並有效提高切割性(藉由切割刀來切割之切割性)、線接合性(超音波效率)及加熱時之黏著強度。
若上述(F)成分的含量為50質量%以下,則有容易獲得熱壓接性及圖案形成性之傾向。為了取得所要求之特性之平衡,而決定填料之最佳含量。當使用填料時,混合及揉合,能夠適當組合一般的攪拌機、擂潰機、三輥磨機、球磨機等分散機來進行。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,亦能夠進而包含(G)硬化促進劑(以下有時稱為(G)成分)。(G)成分,只要會因加熱而促進環氧基之硬化及/或聚合,則無特別限制。(G)成分可舉例如:芳香族含氮化合物、雙氰胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯膦、四苯基硼酸四苯鏻、及四苯基硼酸1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7。其中,在能夠使促進效果與安定性並存
之觀點上,較佳者可舉例如咪唑化合物或此等之鹽。效果特別高的較佳者可舉例如:2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、四苯基硼酸2-乙基-4-甲基咪唑等。相對於(D)環氧樹脂100質量份,此等(G)成分之感光性樹脂組成物中之硬化促進劑的含量,以0.01質量份~50質量份為佳。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,亦能夠添加各種耦合劑。使用上述耦合劑,即能夠提高異種材料間之界面結合性。耦合劑可舉例如:矽烷系、鈦系、或鋁系,其中,在效果較高的觀點上,以矽烷系耦合劑為佳,以具有環氧基等熱硬化性基或甲基丙烯酸基、丙烯酸基等放射線聚合性基之化合物較佳。此外,上述矽烷系耦合劑之沸點及/或分解溫度,以150℃以上為佳,以180℃以上較佳,以200℃以上更佳。換言之,最佳是使用一種矽烷系耦合劑,其沸點及/或分解溫度為200℃以上,且具有環氧基等熱硬化性基或甲基丙烯酸基、丙烯酸基等放射線聚合性基。從效果、耐熱性及成本面來看,相對於所使用之(A)成分100質量份,上述耦合劑之使用量,以設為0.01質量份~20質量份為佳。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,亦能夠進而添加離子捕捉劑。藉由上述離子捕捉劑,即能夠吸附離子性雜質,而提高吸濕時之絕緣可靠性。這樣的離子捕捉劑,無特別限制,可舉例如:三(triazine)硫醇化合物;作為酚系還原劑等用以防止銅離子化而溶出之銅抑制劑而知悉之化合物;粉末狀的鉍系、銻系、鎂系、鋁系、鋯系、鈣系、鈦系、錫系、此等之混合系等之無機化合物。
上述離子捕捉劑之具體例,無特別限定,有:東亞合成公司製之無機離子捕捉劑,商品名:IXE-300(銻系)、IXE-500(鉍系)、IXE-600(銻鉍混合系)、IXE-700(鎂鋁混合系)、IXE-800(鋯系)及IXE-1100(鈣系)。此等能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。從由添加所得之效果、耐熱性、成本等之觀點來看,相對於(A)成分100質量份,上述離子捕捉劑之使用量,以0.01質量份~10質量份為佳。
在本實施形態中,能夠因應需要而併用敏化劑。此敏化劑可舉例如:樟腦醌、苯偶醯(benzil)、雙乙醯、苯甲基二甲基縮酮、苯甲基二乙基縮酮、苯甲基二(2-甲氧基乙基)縮酮、4,4’-二甲基苯甲基-二甲基縮酮、蒽醌、1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、1,2-苯并蒽醌、1-羥基蒽醌、1-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、1-溴蒽醌、噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2-硝基噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮、2-氯-7-三氟甲基噻噸酮、噻噸酮-10,10-二氧化物、噻噸酮-10-氧化物、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚、二苯甲酮、雙(4-二甲基胺基苯基)酮、4,4’-雙(二乙基胺基)二苯甲酮、以及含有疊氮基之化合物。此等能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
在本實施形態中,能夠因應需要而使用熱自由基產生劑。熱自由基產生劑,以有機過氧化物為佳。有機過氧化物,以1分鐘半衰期溫度為120℃以上為佳,以1分鐘半衰期溫度為150℃以上較佳。有機過氧化物,是考慮感光性樹脂組成物之調製條件、製膜溫度、硬化(貼合)條件、其他步驟條件、
儲存安定性等來選擇。
作為能夠使用的有機過氧化物,無特別限定,可舉例如:2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧基己烷)、二枯烯基過氧化物、三級丁基過氧基-2-乙基己酸酯、三級己基過氧基-2-乙基己酸酯、1,1-雙(三級丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、及雙(4-三級丁基環己基)過氧基二碳酸酯,此等能夠單獨使用1種、或組合2種以上使用。
相對於具有乙烯性不飽和基之化合物之總量,上述熱自由基產生劑之添加量,以0.01質量%~20質量%為佳,以0.1質量%~10質量%較佳,以0.5質量%~5質量%更佳。若為0.01質量%以上,則有硬化性會提高而能夠獲得充分的添加效果之傾向。此外,若為5質量%以下,則有釋氣量會減少而保存安定性會提高之傾向。
作為上述熱自由基產生劑,只要是半衰期溫度為120℃以上的化合物,則無特別限定,可舉例如:PERHEXA 25B(日油公司製)、2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧基己烷)(1分鐘半衰期溫度:180℃)、PERCUMYL D(日油公司製)、以及二枯烯基過氧化物(1分鐘半衰期溫度:175℃)。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,在不損害硬化性的範圍內,可進而添加:醌類、多元酚類、酚類、亞磷酸酯類、硫類等之聚合抑制劑或抗氧化劑。藉由添加此等成分,即能夠賦予更高的保存安定性、步驟適應性及抗氧化性。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,從提高耐濕
可靠性及處理性以及抑制加熱硬化後之翹曲之觀點來看,(A)鹼可溶性樹脂的Tg,以40℃~150℃為佳,且以加熱硬化後在110℃之儲存彈性模數為10MPa以上為佳。包含具有這樣的Tg之鹼可溶性樹脂且加熱硬化後在110℃之儲存彈性模數滿足10MPa以上之感光性樹脂組成物,能夠藉由例如組合下述成分使用來獲得。換言之,可舉例如:相對於Tg為40℃~150℃之(A)鹼可溶性樹脂100質量份,調配有下述成分者:放射線聚合性基當量為400g/eq以下、較佳為250g/eq以下之(B)放射線聚合性化合物20質量份~500質量份、較佳為40質量份~200質量份;(C)光起始劑0.5質量份~20質量份、較佳為1質量份~10質量份;環氧基當量為400g/eq以下、較佳為250g/eq以下之(D)環氧樹脂5質量份~300質量份、較佳為10質量份~100質量份;以及具有芳香環及異氰脲酸環之(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物5質量份~200質量份、較佳為10質量份~100質量份。
在本實施形態之感光性樹脂組成物中,從提高耐濕可靠性及處理性以及抑制加熱硬化後之翹曲之觀點來看,以曝光後進而加熱硬化後在110℃之儲存彈性模數為1GPa以下為佳。滿足這樣的條件之感光性樹脂組成物可舉例如:相對於Tg為40℃~150℃之(A)鹼可溶性樹脂100質量份,調配有下述成分者:放射線聚合性基當量為400g/eq以下、較佳為250g/eq以下之(B)放射線聚合性化合物20質量份~500質量份、較佳為40質量份~200質量份;(C)光起始劑0.5質量份~20質量份、較佳為1質量份~10質量份;環氧基當量為400
g/eq以下、較佳為250g/eq以下之(D)環氧樹脂5質量份~300質量份、較佳為10質量份~100質量份;及,具有芳香環及異氰脲酸環之(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物5質量份~200質量份、較佳為10質量份~100質量份。
藉由將上述感光性樹脂組成物形成為薄膜狀,即能夠獲得薄膜狀黏著劑。第1圖是顯示本發明之薄膜狀黏著劑的一實施形態的端視圖。第1圖所示之薄膜狀黏著劑1,是將上述感光性樹脂組成物形成為薄膜狀而得者。
薄膜狀黏著劑1,是藉由下述方式來形成為薄膜狀,例如:於第2圖所示之基材3上塗佈上述感光性樹脂組成物並使其乾燥。像這樣進行,能夠獲得一種黏著片100,其具備:基材3;及,黏著劑層1,其形成於基材3上,該黏著劑層1是由上述薄膜狀黏著劑所構成。第2圖是顯示本發明之黏著片100的一實施形態的端視圖。第2圖所示之黏著片100,是由下述所構成:基材3;及,黏著劑層1,其設置於基材3之一側面上,該黏著劑層1是由薄膜狀黏著劑所構成。
第3圖是顯示本發明之黏著片之其他一實施形態之端視圖。第3圖所示之黏著片110,是由下述所構成:基材3;黏著劑層1,其設置於基材3之一側面上;及,覆蓋膜2,該黏著劑層1是由薄膜狀黏著劑所構成。
薄膜狀黏著劑1,能夠以例如下述方法來獲得。首先,在有機溶劑中將(A)成分、(B)成分、(C)成分及因應需要而添加之其他成分混合,並將混合液揉合,而調製清漆。其
次,於基材3上塗佈此清漆而形成清漆的層,藉由加熱來將清漆層乾燥後,將基材3去除。此時,亦能夠不將基材3去除而直接在黏著片100之狀態下保存或使用。此外,亦能夠在於黏著劑層1之與設置有基材3之面相反側的面積層覆蓋膜2後,在黏著片110之狀態下保存或使用。
用於調製清漆之有機溶劑、亦即清漆溶劑,只要能夠使材料均勻溶解或分散,則無特別限制。清漆溶劑可舉例如:二甲基甲醯胺、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氫呋喃、乙基賽璐蘇、乙基賽璐蘇乙酸酯、二烷(dioxane)、環己酮、乙酸乙酯、以及N-甲基吡咯啶酮(N-甲基-2-吡咯啶酮)。
上述混合及揉合,能夠適當組合一般的攪拌機、擂潰機、三輥磨機、球磨機等分散機來進行。上述藉由加熱來進行之乾燥,是在(B)成分不會充分進行反應之溫度且在溶劑會充分揮發之條件下進行。上述所謂「(B)成分不會充分進行反應之溫度」,具體而言是指DSC(Differential Scanning Calorimeter,示差掃描熱量計)(例如:PerkinElmer公司製,商品名:DSC-7型)來在樣品量:10mg、升溫速度:5℃/min、測定環境:空氣之條件下進行測定後之反應熱之峰值溫度以下的溫度。具體而言,通常藉由在60~180℃加熱0.1分鐘~90分鐘來使清漆層乾燥。乾燥前之清漆層之厚度,以1μm~200μm為佳。若此厚度未達1μm,則有黏著固定機能會不充分之傾向,若超過200μm,則有後述之殘留揮發份會增加之傾向。
所得之薄膜狀黏著劑之殘留揮發份,以10質量%以下為佳。若此殘留揮發份超過10質量%,則有因由組裝加熱時溶劑揮發所造成之發泡之原因,而在黏著劑層內部容易殘留有孔洞,而耐濕性會降低之傾向。此外,有周邊材料或構件受到加熱時所產生之揮發成分所污染之可能性亦會增加之傾向。再者,上述殘留揮發成分之測定條件是如下所述。換言之,對經切割成50mm×50mm尺寸之薄膜狀黏著劑1,將初期的質量設為M1,將在160℃之烘箱中將此薄膜狀黏著劑1加熱3小時後之質量設為M2,藉由下述式來求出殘留揮發份(%)。
殘留揮發份(%)=[(M1-M2)/M1]×100
基材3,只要能夠承受上述乾燥條件,則並無特別限定。基材3能夠使用例如:聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚醚萘二甲酸酯薄膜、以及甲基戊烯薄膜。作為基材3之薄膜,可為組合2種以上而成之多層薄膜,亦可為表面經矽氧系、氧化矽系等之脫模劑等所處理之基材。
第4圖是顯示本發明之附有黏著劑層之半導體晶圓的一實施形態的俯視圖,第5圖是沿著第4圖之IV-IV線之端視圖。第4圖及第5圖所示之附有黏著劑層之半導體晶圓20具備:半導體晶圓8;及,薄膜狀黏著劑(黏著劑層)1,其設置於半導體晶圓8之一側面上。
附有黏著劑層之半導體晶圓20,是藉由下述方式來
獲得:一面將薄膜狀黏著劑1加熱,一面積層於半導體晶圓8上。薄膜狀黏著劑1,能夠在例如室溫(25℃)~150℃左右的低溫黏貼在半導體晶圓8。
第6圖是顯示本發明之半導體裝置的一實施形態的端視圖。第6圖所示之半導體裝置230具備:具有連接電極部(第1連接部:未圖示)之支持構件(第1被黏著物)13;具有連接用端子(第2連接部:未圖示)之半導體晶片(第2被黏著物)14;由絕緣材料所構成之黏著劑層1;及,由導電材料所構成之導電層9。支持構件13,具有與半導體晶片14相對向之電路面18,且是與半導體晶片14隔開規定間隔來配置。黏著劑層1,是在支持構件13與半導體晶片14之間分別與該等支持構件13及半導體晶片14相鄰接來形成,且具有規定的圖案。導電層9,是形成於支持構件13及半導體晶片14間之未配置黏著劑層1之部分。半導體晶片14之連接用端子,是經由導電層9來與支持構件13之連接電極部進行電性連接。
以下,使用第7圖~第12圖,來詳述第6圖所示之半導體裝置230之製造方法。第7圖~第12圖是顯示本發明之半導體裝置之製造方法的一實施形態的端視圖。本實施形態之半導體裝置之製造方法,具備下述(第1步驟)~(第5步驟)。
(第1步驟)於具有連接用電極部之半導體晶圓12上設置黏著劑層1之步驟(第7圖及第8圖)。
(第2步驟)藉由對黏著劑層1進行曝光及顯影,以
形成使連接端子露出之開口11之方式來進行圖案化之步驟(第9圖及第10圖)。
(第3步驟)在開口11填充導電材料而形成導電層9之步驟(第11圖)。
(第4步驟)將由半導體晶圓12與黏著劑層1及導電層9所得之積層體,個別切開(切割)成各個半導體晶片14之步驟(第12圖)。
(第5步驟)將具有連接用電極部之支持構件13直接黏著在經單片化之由半導體晶片14與黏著劑層1所得之積層體的黏著劑層1側,並且經由導電層9來將支持構件13的連接電極部與半導體晶片14的連接用端子進行電性連接之步驟(第6圖)。
以下,詳細說明(第1步驟)~(第5步驟)。
於第7圖所示之具有連接用電極部之半導體晶圓12的電路面上,積層黏著劑層1(第8圖)。積層方法,以準備預先形成為薄膜狀的薄膜狀黏著劑並將此薄膜狀黏著劑黏貼在半導體晶圓12之方法較為簡便,亦可藉由下述方法來進行積層:使用旋轉塗佈法等來將包含感光性樹脂組成物之液狀清漆塗佈於半導體晶圓12上並加熱乾燥。
本實施形態之感光性樹脂組成物,在藉由曝光及顯影來進行圖案化後對被黏著物具有黏著性,且能夠進行鹼性顯影。更詳細而言,藉由對感光性樹脂組成物進行曝光及顯影來進行圖案化而形成之光阻圖案(黏著劑圖案),對半導體晶
片、基板等被黏著物具有黏著性。藉由例如因應需要來一面加熱一面將被黏著物壓接在光阻圖案,即能夠將光阻圖案與被黏著物黏著。
對設置於半導體晶圓12上之黏著劑層1,隔著於規定位置形成有開口之遮罩4來照射活性光線(典型者為紫外線)(第9圖)。藉此,黏著劑層1會依據規定圖案而被曝光。
曝光後,藉由使用鹼性顯影液進行顯影來將黏著劑層1中的未曝光的部分去除,而以形成使半導體晶圓12之連接端子露出之開口11之方式對黏著劑層1進行圖案化(第10圖)。再者,亦能夠使用正型的感光性樹脂組成物,來取代負型的感光性樹脂組成物,此時,是藉由顯影來將黏著劑層1中之經曝光之部分去除。
在所得之光阻圖案之開口11填充導電材料,而形成導電層9(第11圖)。導電材料之填充方法能夠採用:凹版印刷、藉由輥來按壓、減壓填充等各種方法。此處所使用之導電材料可舉例如:焊料、由金、銀、鎳、銅、鉑、鈀等金屬、氧化釕等金屬氧化物等所構成之電極材料、或上述金屬之凸塊。除了此等以外,亦可舉例如:至少包含導電性材料與樹脂成分而成之材料。導電性粒子能夠使用例如:金、銀、鎳、銅、鉑、鈀等金屬、氧化釕等金屬氧化物、有機化合物等導電性粒子。此外,樹脂成分能夠使用例如:環氧樹脂、其硬化劑等上述硬化性樹脂組成物。
將由半導體晶圓12與黏著劑層1及導電層9所得之積層體,藉由切割而個別切開成各個半導體晶片14之步驟(第12圖)。
將具有連接用電極部之支持構件13直接黏著在經單片化之由半導體晶片14與黏著劑層1所得之積層體的黏著劑層1側,並且經由導電層9來將支持構件13的連接電極部與半導體晶片14的連接用端子進行電性連接。再者,可於半導體晶片14之與黏著劑層1相反側之電路面上,形成有經圖案化的黏著劑層(緩衝塗膜)。
半導體晶片14之黏著,是藉由下述方法來進行,例如:一面加熱直到像黏著劑層1(感光性樹脂組成物)顯現流動性這樣的溫度為止,一面熱壓接。熱壓接後,可因應需要來將黏著劑層1加熱,而進一步進行硬化反應。
在半導體晶片14之與黏著劑層1相反側之電路面(背面),以黏貼背面保護膜為佳。
藉由上述方法,來獲得第6圖所示之半導體裝置230。本發明之半導體裝置之製造方法,並不受上述所說明之實施形態所限定,只要不脫離本發明之要旨,即能夠適當變更。
例如:上述製造方法亦可為下述方法:在第4步驟中,在晶圓尺寸之支持構件13上,將由半導體晶圓12與黏著劑層1所得之積層體直接黏著在由半導體晶圓12與黏著劑
層1所得之積層體之黏著劑層1側,並且經由導電層9來將支持構件13的連接端子與半導體晶圓12的連接用電極部進行電性連接,在第5步驟中,將由半導體晶圓12與黏著劑層1與支持構件13所得之積層體,個別切開成各個半導體晶片14。
在上述製造方法中,由於能夠以晶圓尺寸來進行直到將半導體晶圓12與支持構件13連接為止之步驟(第4步驟),故在操作效率之觀點上較佳。再者,在半導體晶圓12之與黏著劑層1相反側之電路面(背面),以黏貼背面保護膜為佳。
又,支持構件13可為半導體晶片或半導體晶圓,此時,能夠藉由將半導體晶圓彼此、半導體晶片14與半導體晶圓(支持構件13)、或半導體晶片彼此黏著,來構成半導體裝置(半導體積層體)。於此積層體,亦能夠形成貫穿電極。此外,上述製造方法,在第1步驟中,亦能夠使用一種半導體晶圓,其已於連接用電極部形成有導電層9。此時,能夠在第2步驟中以使導電層9在開口11露出之方式進行,並省略第3步驟而進行至第4步驟。
以下列舉實施例來更具體說明本發明。但是,本發明並不受下述實施例所限定。
在具備攪拌機、溫度計、氮氣置換裝置(氮氣流入管)及附
有水分接受器之回流冷卻器之300mL燒瓶內,饋入二胺亦即2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(Central Glass公司製,商品名:BIS-AP-AF,分子量:366)14.64g(0.04mol)、聚氧伸丙基二胺(BASF公司製,商品名:D-400,分子量:433)17.32g(0.04mol)、3,3’-(1,1,3,3-四甲基二矽氧烷-1,3-二基)雙丙胺(Toray Dow Corning公司製,商品名:BY16-871EG,分子量:248.5)2.485g(0.01mol)、間胺基苯酚2.183g(0.02mol)及溶劑亦即N-甲基-2-吡咯啶酮(以下簡稱為「NMP」)80g並攪拌,使二胺溶於溶劑中。
一面在冰浴中將上述燒瓶冷卻,一面在燒瓶內之溶液中每次少量地添加4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐(以下簡稱為「ODPA」)31g(0.1mol)。添加結束後,一面噴吹氮氣,一面使溶液升溫至180℃並保溫5小時,而獲得聚醯亞胺樹脂PI-1。對PI-1進行GPC(Gel Permeation Chromatography,凝膠滲透層析法)測定後,結果換算成聚苯乙烯後之重量平均分子量(Mw)=25,000。此外,PI-1的Tg為75℃。藉由1H-NMR來確認出無殘留之羧基。
在具備攪拌機、溫度計、氮氣置換裝置(氮氣流入管)及附有水分接受器之回流冷卻器之300mL燒瓶內,饋入二胺亦即BIS-AP-AF 21.69g(0.06mol)、D-400 8.66g(0.02mol)、BY16-871EG 2.485g(0.01mol)、間胺基苯酚2.183g(0.02mol)及溶劑亦即NMP 80g並攪拌,使二胺溶於溶劑中。
一面在冰浴中將上述燒瓶冷卻,一面在燒瓶內之溶
液中每次少量地添加ODPA 31g(0.1mol)。添加結束後,一面噴吹氮氣,一面使溶液升溫至180℃並保溫5小時,而獲得聚醯亞胺樹脂PI-2。對PI-2進行GPC測定後,結果換算成聚苯乙烯後之重量平均分子量(Mw)=28,000。此外,PI-2的Tg為100℃。藉由1H-NMR來確認出無殘留之羧基。
在具備攪拌機、溫度計、氮氣置換裝置(氮氣流入管)及附有水分接受器之回流冷卻器之燒瓶內,饋入二胺亦即5,5’-亞甲基雙(鄰胺基苯甲酸)(和歌山精化製,商品名:MBAA,分子量:286)5.72g(0.02mol)、D-400 25.98g(0.06mol)、BY16-871EG 2.48g(0.01mol)及溶劑亦即NMP 110g並攪拌,使二胺溶於溶劑中。
一面在冰浴中將上述燒瓶冷卻,一面在燒瓶內之溶液中每次少量地添加ODPA 31g(0.1mol)。添加結束後,一面噴吹氮氣,一面使溶液升溫至180℃並保溫5小時,而獲得聚醯亞胺樹脂PI-3。對PI-3進行GPC測定後,結果換算成聚苯乙烯後之Mw=30,000。此外,PI-3的Tg為45℃。
在具備攪拌機、溫度計、氮氣置換裝置(氮氣流入管)及附有水分接受器之回流冷卻器之燒瓶內,饋入二胺亦即MBAA 5.72g(0.02mol)、D-400 12.99g(0.03mol)、BY16-871EG 2.48g(0.01mol)、1,4-丁二醇雙(3-胺基丙基)醚(東京化成製,商品名:B-12,分子量:204.31)8.17g(0.04mol)及溶劑亦即NMP 110g並攪拌,使二胺溶於溶劑中。
一面在冰浴中將上述燒瓶冷卻,一面在燒瓶內之溶液中每次少量地添加ODPA 27.9g(0.09mol)及TAA(偏苯三甲酸酐)3.84g(0.02mol)。添加結束後,一面噴吹氮氣,一面使溶液升溫至180℃並保溫5小時,而獲得聚醯亞胺樹脂PI-4。對PI-4進行GPC測定後,結果換算成聚苯乙烯後之Mw=21,000。此外,PI-4的Tg為55℃。
在具備攪拌機、溫度計、氮氣置換裝置(氮氣流入管)及附有水分接受器之回流冷卻器之300mL燒瓶內,饋入二胺亦即BIS-AP-AF 7.32g(0.02mol)、D-400 12.99g(0.03mol)、B-12 6.12g(0.03mol)、BY16-871EG 2.485g(0.01mol)及溶劑亦即NMP 80g並攪拌,使二胺溶於溶劑中。
一面在冰浴中將上述燒瓶冷卻,一面在燒瓶內之溶液中每次少量地添加ODPA 31g(0.1mol)。添加結束後,一面噴吹氮氣,一面使溶液升溫至180℃並保溫5小時,而獲得聚醯亞胺樹脂PI-5。對PI-5進行GPC測定後,結果換算成聚苯乙烯後之重量平均分子量(Mw)=32,000。此外,PI-5的Tg為55℃。此處,Tg是像下述這樣進行來求出。以使乾燥後之膜厚成為40μm之方式,將所得之聚醯亞胺樹脂分別塗佈於基材(剝離劑處理PET薄膜)上,並在烘箱中在80℃加熱20分鐘,然後在120℃加熱20分鐘,而在基材上薄膜化。將此薄膜從基材上剝離,並以成為100~200μm的厚度之方式積層後,使用黏彈性分析器(Rheometrics公司製,商品名:RSA-2),在升溫速度5℃/min、頻率1Hz、測定溫度-150℃~300℃之
條件下,對所得之積層物進行測定後,求出tan δ峰值溫度作為Tg。
在具備攪拌機、溫度計及氮氣置換裝置之500mL燒瓶內,一面攪拌一面饋入液狀的高純度雙酚A雙環氧丙基醚環氧樹脂(東都化成製,商品名:YD-825GS,環氧當量178g/eq)178g(1.0當量)、丙烯酸36g(0.5當量)、三苯膦0.5g及氫醌0.15g,在100℃使其進行反應7小時,而獲得分子內具有碳-碳雙鍵及環氧基之化合物E-1。以氫氧化鉀的乙醇溶液對E-1進行滴定後,確認出酸值為0.3KOHmg/g以下。(質量減少5%時的溫度:300℃,環氧基數:約1,(甲基)丙烯醯基數:約1)。
使用上述中所得之聚醯亞胺樹脂、具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物、以及下述所示之其他化合物,以下述表1及表3所示之組成比(單位:質量份)來調配各成分,而獲得實施例1~5及比較例1~5之感光性樹脂組成物(黏著劑層形成用清漆)。
在表1及表3中,各記號是意指下述。
M-313:東亞合成公司製,異氰脲酸EO改質二及三丙烯酸酯(放射線聚合性基當量:約160g/eq,質量減少5%時的溫度:>400℃)。
I-819:Ciba Japan公司製,雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(質量減少5%時的溫度:210℃,在365nm之分子吸光係數:2300mL/g.cm)。
I-OXE02:Ciba Japan公司製,乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯肟)。
NMP:關東化學公司製,N-甲基-2-吡咯啶酮。
YDF-870GS:東都化成公司製,雙酚F型雙環氧丙基醚(環氧當量:165g/eq,質量減少5%時的溫度:270℃)。
R-972:日本AEROSIL公司製,疏水性發煙氧化矽(平均粒徑:約16nm)
G-1:2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑
G-2:四苯基硼酸2-乙基-4-甲基咪唑
再者,質量減少5%時的溫度,是在下述條件下來進行測定。換言之,使用示差熱熱重量同時測定裝置(SII NanoTechnology公司製,商品名「TG/DTA 6300」),在升溫速度10℃/min、氮氣氣流(400mL/分鐘)下測定質量減少5%時的溫度。此外,分子吸光係數,是調製樣品的0.001質量%乙腈溶液,使用分光光度計(Hitachi High-Technologies公司製,商品名「U-3310」)來對此溶液測定吸光度而求出。
此外,藉由後述之評估測試方法,來評估實施例1
~5及比較例1~5中所得之感光性樹脂組成物。結果是如表2及表4所示。
實施例1~5之感光性樹脂組成物,其鹼可溶性樹脂之鹼可溶性基僅為酚基,而能夠形成線寬/間距寬=30μm/30μm以下的細線圖案,且附有連接端子之基板之填埋性亦良好。因此,實施例1~5之感光性樹脂組成物,能夠較佳地作為下述材料使用:半導體晶片彼此連接用材料、及/或半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件連接用材料。並且,實施例1~5之感光性樹脂組成物,薄膜之安定性亦優異。其中,實施例1~4之感光性樹脂組成物加入有(G)成分,耐回流性更良好,且能夠進行無孔洞之黏著。
以使乾燥後之膜厚成為40μm之方式,將所得之感光性樹脂組成物分別塗佈於基材(剝離劑處理PET薄膜)上,並在烘箱中在80℃加熱20分鐘,然後在120℃加熱20分鐘,而於基材上形成由感光性樹脂組成物所構成之黏著劑層。像這樣進行,而獲得黏著片,其具有基材及形成於該基材上之黏著劑層。
將矽晶圓(直徑6英吋,厚度400μm)載置於支持台上,並於其上,以使黏著劑層與矽晶圓之表面(與支持台相反側之
面)相鄰接之方式,藉由輥加壓(溫度80℃,線壓39.2N/cm(4kgf/cm),運送速度0.5m/分鐘),來積層上述黏著片。像這樣進行,而獲得由矽晶圓及黏著片所構成之積層體之樣品。對上述中所得之積層體,進行下述評估測試。
使用高精度平行曝光機(ORC製作所製,商品名:EXM-1172-B-∞),以1000mJ/cm2來從黏著片側對所得之積層體進行曝光,並在80℃之加熱板上加熱30秒。將基材(PET薄膜)剝離去除後,使用輸送帶顯影機(YAKO公司製),以氫氧化四甲銨(TMAH)2.38質量%作為顯影液,在溫度26℃、噴霧壓力0.18MPa之條件下噴霧顯影後,使用溫度25℃之純水在噴霧壓力0.02MPa之條件下水洗6分鐘,並在120℃乾燥1分鐘。像這樣進行,而於矽晶圓上形成由感光性樹脂組成物之硬化物所構成之硬化物層。
使所得之由矽晶圓及硬化物層所構成之積層體單片化成為3mm×3mm的大小。在加熱板上在120℃使經單片化之積層體加熱乾燥10分鐘後,以使硬化物層與玻璃基板相鄰接之方式積層於玻璃基板(10mm×10mm×0.55mm)上,並一面以18.6N(2kgf)來加壓,一面在150℃壓接10秒。像這樣進行,而獲得積層體樣品,其是由矽晶圓、硬化物層及玻璃基板所構成且是依序積層此等。
在烘箱中在180℃、3小時之條件下將所得之樣品加熱,並在260℃之加熱板上加熱10秒後,使用剪切黏著力測試機(Dage公司製,商品名:Dage-4000),來測定黏著力。測
定結果是如表2及表4所示。此外,隔著玻璃來觀察,確認硬化物層與玻璃基板之界面是否未產生孔洞。將完全未產生孔洞者設為A,將能夠觀察到產生小孔洞者設為B,將能夠觀察到產生大孔洞或有大量的孔洞者設為C,來進行評估。評估結果是如表2及表4所示。
與上述高溫黏著性之評估測試同樣進行,而於矽晶圓上積層黏著片。隔著負型圖案用遮罩(日立化成公司製,商品名:No.G-2),來從黏著片側與上述測試同樣地對所得之積層體進行曝光。然後,與上述測試同樣地,在加熱板上放置後,去除基材,並進行顯影、水洗及乾燥。像這樣進行,於矽晶圓上形成由感光性樹脂組成物所得之黏著劑圖案。
以肉眼來觀察所形成之黏著劑圖案後,將形成有線寬/間距寬=30μm/30μm以下的細線圖案之情形設為A,將形成有線寬/間距寬=超過30μm/30μm且60μm/60μm以下的細線圖案之情形設為B,將形成有線寬/間距寬=超過60μm/60μm且400μm/400μm以下的細線圖案之情形設為C,將未形成圖案之情形設為D,進行圖案形成性之評估。評估結果是如表2及表4所示。
與圖案形成性之評估測試同樣進行,於矽晶圓上積層黏著片。在此狀態下,在室溫下放置2週後,與圖案形成性之評估測試同樣進行,嘗試於矽晶圓上形成感光性樹脂組成物之黏著劑圖案。以肉眼來觀察此時所形成之黏著劑圖案,並
與圖案形成性之評估測試同樣地,將形成有線寬/間距寬=30μm/30μm以下的細線圖案之情形設為A,將形成有線寬/間距寬=超過30μm/30μm且60μm/60μm以下的細線圖案之情形設為B,將形成有線寬/間距寬=超過60μm/60μm且400μm/400μm以下的細線圖案之情形設為C,將未形成圖案之情形設為D,進行圖案形成性之評估。評估結果是如表2及表4所示。
與上述高溫黏著性之評估測試同樣進行,使所得之由矽晶圓及硬化物層所構成之積層體單片化成為5mm×5mm的大小。使用印刷基板(玻璃環氧基板,15mm×15mm×0.15mm)來取代玻璃基板,而獲得積層體樣品,其是由單片化而得之矽晶片、黏著劑圖案及印刷基板所構成且是依序積層此等。在烘箱中在180℃、3小時之條件下將所得之樣品加熱。在溫度85℃、濕度60%之條件下將加熱後之樣品處理168小時後,放置於溫度25℃、濕度50%之環境下後,進行250℃、10秒的IR(紅外線)回流後,以外觀觀察及超音波偵測裝置(SAT)來觀察有無剝離。將完全觀察不到剝離者設為A,將以外觀觀察無法觀察到明顯剝離但藉由SAT攝影能夠觀察到剝離者設為B,將以外觀觀察能夠觀察到明顯剝離者設為C,進行耐回流性之評估。評估結果是如表2及表4所示。
將附有連接端子之矽晶片(1cm×1cm且厚度400μm,端子部為40μm×40μm且高度40μm,以100μm節距來沿著晶
片之周邊部以等間隔隔開兩行地存在)載置於支持台上,並於其上,以使黏著劑層與矽晶圓之端子側相鄰接之方式,使用真空積層機(溫度80℃,壓力0.5MPa,時間30秒)來積層上述黏著片。將基材(PET薄膜)剝離去除後,藉由光學顯微鏡來觀察露出之黏著劑層之外觀,確認是否能夠在不產生孔洞之情形下積層。將端子周圍未產生孔洞而良好者設為A,將僅在端子周邊部觀察到孔洞者設為B,將不僅在端子周圍亦在整面觀察到顯著的孔洞者設為C(無法)。
將鐵氟龍(Teflon,註冊商標)薄片載置於支持台上,並於其上,藉由輥加壓(溫度60℃,線壓39.2N/cm(4kgf/cm),運送速度0.5m/分鐘)來積層上述黏著片。使用高精度平行曝光機(ORC製作所製,商品名:EXM-1172-B-∞),以1000mJ/cm2來從附有基材之黏著片側對所得之積層體進行曝光,並在80℃之加熱板上加熱30秒。將基材(PET薄膜)從黏著劑層剝離去除後,使用輸送帶顯影機(YAKO公司製),以氫氧化四甲銨(TMAH)2.38質量%作為顯影液,在溫度26℃、噴霧壓力0.18MPa之條件下使黏著劑層暴露於顯影液1分鐘後,使用溫度25℃之純水在噴霧壓力0.02MPa之條件下水洗6分鐘。在加熱板上在120℃使所得之薄膜乾燥1分鐘後,以使厚度成為80μm之方式藉由輥加壓(溫度100℃,線壓39.2N/cm(4kgf/cm),運送速度0.5m/分鐘)來積層。反覆積層時,是將單側的Teflon(註冊商標)薄片剝離去除後,以使黏著劑層彼此積層之方式進行。藉此,獲得積層體之樣品,其是由
Teflon(註冊商標)薄片、黏著劑層及Teflon(註冊商標)薄片所構成。將單側的Teflon(註冊商標)薄片剝離去除後,在烘箱中在180℃、3小時之條件下加熱。將加熱後之樣品切割成5mm寬的長條狀,將另一側的Teflon(註冊商標)薄片剝離後,使用黏彈性分析器(Rheometrics公司製,商品名:RSA-2),在升溫速度5℃/min、頻率1Hz、測定溫度-50℃~300℃之條件下進行測定後,將所得之tan δ峰值溫度設為Tg。評估結果是如表2及表4。
本發明之感光性樹脂組成物,由於能夠形成具有充份的耐濕可靠性之黏著劑圖案,故能夠較佳地作為用於製造高精細的半導體封裝之黏著劑使用。此外,本發明之薄膜狀黏著劑及黏著片,在使用於基板、玻璃、矽晶圓等被黏著物或支持構件上後,對位精度會較使用液狀的樹脂組成物之情形更優異。此外,本發明之薄膜狀黏著劑及黏著片,能夠提高藉由曝光來進行圖案化之解析度,並且,與圖案形成後之基板、玻璃、半導體晶片等被黏著物具有低溫熱壓接性,並且熱硬化後具有優異的耐熱性。因此,本發明之薄膜狀黏著劑及黏著片,能夠較佳地用於下述用途:保護半導體晶片、光學元件、固態攝影元件等之用途;要求微細的黏著區域之黏著劑及緩衝塗膜用途。
Claims (17)
- 一種感光性樹脂組成物,其包含:(A)鹼可溶性樹脂,其具有酚性羥基來作為末端基;(B)放射線聚合性化合物;及,(C)光起始劑,前述鹼可溶性樹脂是聚醯亞胺樹脂,該聚醯亞胺樹脂具有酚性羥基來作為末端基和側鏈基,且該聚醯亞胺樹脂是使四羧酸二酐、二胺及含酚性羥基胺進行反應而得,前述二胺,包含二胺整體的10mol%~80mol%的下述通式(8)所示之脂肪族醚二胺,
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,前述鹼可溶性樹脂的玻璃轉移溫度為40℃~150℃。
- 如請求項1或2所述之感光性樹脂組成物,其中,前述二胺,包含二胺整體的10mol%~80mol%的含酚性羥基二胺。
- 如請求項3所述之感光性樹脂組成物,其中,前述含酚性羥基二胺,包含下述通式(A-1)所示之含酚性羥基二胺
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,前述鹼可溶性樹脂是僅具有酚性羥基來作為鹼可溶性基之聚醯亞胺樹脂。
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,前述放射線聚合性化合物,包含至少1種3官能以上的(甲基)丙烯酸酯。
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,進而包含(D)環氧樹脂。
- 如請求項7所述之感光性樹脂組成物,其中,前述環氧樹脂,包含雙酚F型環氧樹脂和雙酚A型環氧樹脂中的至少1種。
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,進而包含(E)具有乙烯性不飽和基和環氧基之化合物。
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,進而包含(F)填料。
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中,進而包含(G)硬化促進劑。
- 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其使用於黏著劑,該黏著劑用於:半導體晶片彼此的連接;及/或半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件的連接。
- 一種薄膜狀黏著劑,其藉由下述方式來獲得:將請求項1至12中的任一項所述之感光性樹脂組成物形成為薄膜狀。
- 一種黏著片,其具備:基材;及, 黏著劑層,其形成於該基材上,該黏著劑層是由請求項13所述之薄膜狀黏著劑所構成。
- 一種黏著劑圖案,其藉由下述方式來獲得:對積層於被黏著物上之黏著劑層進行曝光,並以鹼性顯影液來對曝光後的前述黏著劑層進行顯影處理,該黏著劑層是由請求項13所述之薄膜狀黏著劑所構成。
- 一種附有黏著劑層之半導體晶圓,其具備:半導體晶圓;及,黏著劑層,其積層於該半導體晶圓上,該黏著劑層是由請求項13所述之薄膜狀黏著劑所構成。
- 一種半導體裝置,其具有下述結構:使用請求項1至12中的任一項所述之感光性樹脂組成物來將半導體晶片彼此黏著而成之結構;及/或使用請求項1至12中的任一項所述之感光性樹脂組成物來將半導體晶片與半導體晶片承載用支持構件黏著而成之結構。
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