JP2023030048A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2023030048A5
JP2023030048A5 JP2022200848A JP2022200848A JP2023030048A5 JP 2023030048 A5 JP2023030048 A5 JP 2023030048A5 JP 2022200848 A JP2022200848 A JP 2022200848A JP 2022200848 A JP2022200848 A JP 2022200848A JP 2023030048 A5 JP2023030048 A5 JP 2023030048A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
transistor
display device
display element
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022200848A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7440601B2 (ja
JP2023030048A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021180550A external-priority patent/JP7368438B2/ja
Application filed filed Critical
Publication of JP2023030048A publication Critical patent/JP2023030048A/ja
Publication of JP2023030048A5 publication Critical patent/JP2023030048A5/ja
Priority to JP2023204055A priority Critical patent/JP2024023508A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7440601B2 publication Critical patent/JP7440601B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (2)

  1. トランジスタと表示素子とを有する画素部と、
    前記表示素子の電極層と第１の導電層とが電気的に接続する接続領域と、を有する、表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記導電層は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する第２の導電層と同じ材料を有する、表示装置。
JP2022200848A 2004-09-29 2022-12-16 表示装置 Active JP7440601B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023204055A JP2024023508A (ja) 2004-09-29 2023-12-01 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004284940 2004-09-29
JP2004284940 2004-09-29
JP2021180550A JP7368438B2 (ja) 2004-09-29 2021-11-04 表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021180550A Division JP7368438B2 (ja) 2004-09-29 2021-11-04 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023204055A Division JP2024023508A (ja) 2004-09-29 2023-12-01 表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2023030048A JP2023030048A (ja) 2023-03-07
JP2023030048A5 true JP2023030048A5 (ja) 2023-08-10
JP7440601B2 JP7440601B2 (ja) 2024-02-28

Family

ID=36936149

Family Applications (13)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011192366A Active JP5478574B2 (ja) 2004-09-29 2011-09-05 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012083531A Withdrawn JP2012151124A (ja) 2004-09-29 2012-04-02 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012097639A Withdrawn JP2012160475A (ja) 2004-09-29 2012-04-23 表示装置
JP2014151600A Active JP5836447B2 (ja) 2004-09-29 2014-07-25 半導体装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014157270A Active JP5976734B2 (ja) 2004-09-29 2014-08-01 表示装置
JP2015106998A Withdrawn JP2015149309A (ja) 2004-09-29 2015-05-27 表示装置
JP2016227336A Withdrawn JP2017037857A (ja) 2004-09-29 2016-11-23 表示装置
JP2017241765A Withdrawn JP2018085338A (ja) 2004-09-29 2017-12-18 表示装置
JP2019070468A Active JP6876739B2 (ja) 2004-09-29 2019-04-02 表示装置
JP2020150976A Active JP7117353B2 (ja) 2004-09-29 2020-09-09 発光装置
JP2021180550A Active JP7368438B2 (ja) 2004-09-29 2021-11-04 表示装置
JP2022200848A Active JP7440601B2 (ja) 2004-09-29 2022-12-16 表示装置
JP2023204055A Pending JP2024023508A (ja) 2004-09-29 2023-12-01 表示装置

Family Applications Before (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011192366A Active JP5478574B2 (ja) 2004-09-29 2011-09-05 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012083531A Withdrawn JP2012151124A (ja) 2004-09-29 2012-04-02 表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012097639A Withdrawn JP2012160475A (ja) 2004-09-29 2012-04-23 表示装置
JP2014151600A Active JP5836447B2 (ja) 2004-09-29 2014-07-25 半導体装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014157270A Active JP5976734B2 (ja) 2004-09-29 2014-08-01 表示装置
JP2015106998A Withdrawn JP2015149309A (ja) 2004-09-29 2015-05-27 表示装置
JP2016227336A Withdrawn JP2017037857A (ja) 2004-09-29 2016-11-23 表示装置
JP2017241765A Withdrawn JP2018085338A (ja) 2004-09-29 2017-12-18 表示装置
JP2019070468A Active JP6876739B2 (ja) 2004-09-29 2019-04-02 表示装置
JP2020150976A Active JP7117353B2 (ja) 2004-09-29 2020-09-09 発光装置
JP2021180550A Active JP7368438B2 (ja) 2004-09-29 2021-11-04 表示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023204055A Pending JP2024023508A (ja) 2004-09-29 2023-12-01 表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (12) US7753751B2 (ja)
JP (13) JP5478574B2 (ja)
KR (4) KR101221341B1 (ja)
CN (2) CN1825616B (ja)

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010030511A1 (en) 2000-04-18 2001-10-18 Shunpei Yamazaki Display device
US8350466B2 (en) 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8772783B2 (en) * 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI460851B (zh) * 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP4533392B2 (ja) * 2006-03-22 2010-09-01 キヤノン株式会社 有機発光装置
US7736936B2 (en) 2006-08-29 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming display device that includes removing mask to form opening in insulating film
KR100796618B1 (ko) 2007-01-04 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
TW200834607A (en) * 2007-02-15 2008-08-16 Univ Nat Taiwan Nano zinc oxide organic and inorganic composite film, fabrication method, and electro-luminescent components using the composite film thereof
KR100924137B1 (ko) * 2008-01-31 2009-10-29 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101453878B1 (ko) * 2008-08-07 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치의 제조방법
JP5498762B2 (ja) * 2008-11-17 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
KR101702329B1 (ko) 2008-12-17 2017-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
KR101681884B1 (ko) * 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
US8911653B2 (en) 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US8383434B2 (en) * 2010-02-22 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof
TWI429326B (zh) 2010-11-10 2014-03-01 Au Optronics Corp 發光裝置及其製造方法
US8669702B2 (en) * 2010-11-19 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
CN102110707B (zh) * 2010-11-23 2013-07-03 友达光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
US8476622B2 (en) * 2011-01-05 2013-07-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Active matrix organic light emitting diode
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
TWI647973B (zh) 2011-02-11 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置以及顯示裝置
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
JP5820295B2 (ja) 2011-02-21 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
KR102109009B1 (ko) 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20120103970A (ko) * 2011-03-11 2012-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
TWI562424B (en) 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
JP5919807B2 (ja) * 2011-03-30 2016-05-18 ソニー株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法および表示装置
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101920374B1 (ko) 2011-04-27 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
JP5978625B2 (ja) * 2011-06-07 2016-08-24 ソニー株式会社 放射線撮像装置、放射線撮像表示システムおよびトランジスタ
JP2013030467A (ja) 2011-06-24 2013-02-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および発光装置の作製方法
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
CN102903829B (zh) * 2011-07-26 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR102082793B1 (ko) 2012-05-10 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
KR102037700B1 (ko) * 2012-05-23 2019-10-30 삼성디스플레이 주식회사 휴대형 표시 장치 및 그의 조립 방법
KR102022698B1 (ko) * 2012-05-31 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102105287B1 (ko) 2012-08-01 2020-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6429465B2 (ja) * 2013-03-07 2018-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 装置及びその作製方法
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI612689B (zh) 2013-04-15 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
US10290531B2 (en) * 2013-04-30 2019-05-14 John Cleaon Moore Release layer for subsequent manufacture of flexible substrates in microelectronic applications
KR102080008B1 (ko) * 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9614021B2 (en) * 2013-07-24 2017-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof
US9269914B2 (en) * 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102081288B1 (ko) * 2013-08-08 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN103531725A (zh) * 2013-10-16 2014-01-22 上海和辉光电有限公司 电激发光组件及其封装方法
KR102132697B1 (ko) * 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
CN106255544A (zh) * 2013-12-16 2016-12-21 沙特基础工业全球技术公司 Uv处理和热处理的聚合物膜
JPWO2015136670A1 (ja) * 2014-03-13 2017-04-06 パイオニア株式会社 発光装置
EP3671883A1 (en) * 2014-06-25 2020-06-24 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
JP2016018734A (ja) * 2014-07-10 2016-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
TWI683169B (zh) 2014-07-25 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 堆疊結構體、輸入／輸出裝置、資訊處理裝置及堆疊結構體的製造方法
KR102377360B1 (ko) 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
KR102343768B1 (ko) * 2014-08-14 2021-12-24 에스케이넥실리스 주식회사 배리어 필름 구조체 및 이를 구비하는 유기전자소자
CN104216161B (zh) * 2014-08-22 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
KR102375250B1 (ko) * 2014-09-04 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 및 터치 스크린 일체형 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102328917B1 (ko) * 2014-09-22 2021-11-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102603895B1 (ko) * 2014-10-17 2023-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
CN107111972B (zh) * 2014-10-28 2020-04-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
JP6402599B2 (ja) * 2014-11-13 2018-10-10 富士通株式会社 情報処理装置、設計支援方法、及び設計支援プログラム
KR102357269B1 (ko) * 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102420461B1 (ko) * 2015-02-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN104779268B (zh) * 2015-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
KR102343411B1 (ko) 2015-05-15 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10516118B2 (en) 2015-09-30 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices
CN105428389B (zh) * 2015-11-30 2018-12-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示装置及制造方法
KR102594346B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR20180045964A (ko) 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN106384744B (zh) * 2016-11-16 2020-04-03 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示器件的制造方法
CN108630829B (zh) * 2017-03-17 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
US10836200B2 (en) * 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
KR102479020B1 (ko) * 2017-11-28 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI671581B (zh) * 2018-02-27 2019-09-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體顯示裝置及圖元安裝方法
US11699778B2 (en) 2018-03-16 2023-07-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with a controlled thickness
WO2019187148A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス、マスク、表示デバイスの製造方法
JPWO2019220283A1 (ja) 2018-05-18 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
CN108493200A (zh) * 2018-05-28 2018-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN108878676A (zh) * 2018-05-31 2018-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法
CN108803928B (zh) * 2018-06-05 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN109192755B (zh) * 2018-08-20 2020-12-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
JP7355023B2 (ja) * 2018-09-25 2023-10-03 日本精機株式会社 表示装置
CN110956903B (zh) * 2018-09-27 2022-07-22 宏碁股份有限公司 显示装置及其制作方法
KR102711652B1 (ko) * 2018-10-23 2024-10-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7236844B2 (ja) * 2018-11-12 2023-03-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
TWI679754B (zh) * 2018-11-26 2019-12-11 友達光電股份有限公司 元件基板
CN113508642B (zh) * 2019-03-06 2024-05-14 夏普株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
WO2020202525A1 (ja) * 2019-04-04 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置
CN110299471B (zh) * 2019-06-28 2021-09-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板、显示设备及显示面板的制备方法
CN110610972B (zh) * 2019-09-19 2022-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110993661A (zh) 2019-12-02 2020-04-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111916578B (zh) * 2020-07-15 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN112080721A (zh) * 2020-09-16 2020-12-15 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置
CN114530474A (zh) * 2020-10-30 2022-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
TWI749889B (zh) * 2020-11-20 2021-12-11 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
US20240164145A1 (en) * 2021-04-22 2024-05-16 Sharp Display Technology Corporation Display device and method for manufacturing display device
CN113345942A (zh) * 2021-05-26 2021-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN115881788A (zh) * 2021-09-26 2023-03-31 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
WO2024207153A1 (zh) * 2023-04-03 2024-10-10 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN116564902B (zh) * 2023-04-27 2024-05-28 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板的制备方法和显示装置

Family Cites Families (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045219A (ja) 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4678282A (en) 1985-02-19 1987-07-07 Ovonic Imaging Systems, Inc. Active display matrix addressable without crossed lines on any one substrate and method of using the same
US4653864A (en) 1986-02-26 1987-03-31 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal matrix display having improved spacers and method of making same
JPS6472557A (en) 1987-09-11 1989-03-17 Seiko Instr & Electronics Image sensor
US6037712A (en) 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
JPH10134959A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Sharp Corp 薄膜ｅｌパネル
JP3361029B2 (ja) 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
US6465268B2 (en) 1997-05-22 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an electro-optical device
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US6592933B2 (en) 1997-10-15 2003-07-15 Toray Industries, Inc. Process for manufacturing organic electroluminescent device
KR100577903B1 (ko) 1998-03-17 2006-05-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막패터닝용 기판 및 그 표면처리
JPH11339958A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法
KR100697413B1 (ko) 1998-07-30 2007-03-19 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 액정 표시 장치, 영상 디스플레이 장치, 정보 처리 장치, 및 그 제조 방법
JP2000196101A (ja) 1998-10-13 2000-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
JP4364957B2 (ja) 1998-10-22 2009-11-18 北陸電気工業株式会社 蒸着マスク
JP4186289B2 (ja) 1998-12-24 2008-11-26 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP2001052864A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
US6952020B1 (en) 1999-07-06 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6833668B1 (en) * 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
EP1096568A3 (en) 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
JP3809758B2 (ja) * 1999-10-28 2006-08-16 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
US7112115B1 (en) 1999-11-09 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP4076720B2 (ja) 1999-12-28 2008-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6821827B2 (en) 1999-12-28 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4132528B2 (ja) * 2000-01-14 2008-08-13 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4062844B2 (ja) 2000-02-03 2008-03-19 株式会社豊田自動織機 燃料噴射装置
US6882102B2 (en) 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW484238B (en) 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US20010030511A1 (en) 2000-04-18 2001-10-18 Shunpei Yamazaki Display device
TW502236B (en) 2000-06-06 2002-09-11 Semiconductor Energy Lab Display device
JP2002062845A (ja) * 2000-06-06 2002-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TW503565B (en) * 2000-06-22 2002-09-21 Semiconductor Energy Lab Display device
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2002164181A (ja) 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2002101252A (ja) 2000-09-21 2002-04-05 Canon Inc 画像出力装置及び画像出力装置の制御方法
US6924594B2 (en) 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2002184569A (ja) * 2000-10-03 2002-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TW522752B (en) 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
JP3695308B2 (ja) 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2002141512A (ja) 2000-11-06 2002-05-17 Advanced Display Inc 薄膜のパターニング方法およびそれを用いたｔｆｔアレイ基板およびその製造方法
JP2002151252A (ja) 2000-11-16 2002-05-24 Stanley Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
US6965124B2 (en) 2000-12-12 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of fabricating the same
JP4067819B2 (ja) * 2000-12-21 2008-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6465266B1 (en) 2001-01-05 2002-10-15 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device short analysis
JP2002208484A (ja) 2001-01-12 2002-07-26 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法
JP3440419B2 (ja) 2001-02-02 2003-08-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6720198B2 (en) 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4101529B2 (ja) 2001-02-22 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP2002289347A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置、その製造方法、被着マスク及びその製造方法
JP4801278B2 (ja) 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2002372928A (ja) 2001-06-13 2002-12-26 Sony Corp タイリング型表示装置及びその製造方法
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
JP4665352B2 (ja) 2001-07-10 2011-04-06 日本電気株式会社 顧客認証システム、顧客認証方法、及び該方法を実施するための制御プログラム
JP2003059671A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Sony Corp 表示素子及びその製造方法
JP2003063560A (ja) 2001-08-21 2003-03-05 Yokoyama:Kk アンカープラグ類のブリスターパック
JP4166455B2 (ja) 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
JP2003123969A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
US6852997B2 (en) 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP4451054B2 (ja) 2001-11-09 2010-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
CN100380673C (zh) 2001-11-09 2008-04-09 株式会社半导体能源研究所 发光设备及其制造方法
JP4493905B2 (ja) * 2001-11-09 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4515022B2 (ja) 2001-11-16 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7483001B2 (en) 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
JP3983037B2 (ja) 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP4101511B2 (ja) 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR100781594B1 (ko) 2001-12-28 2007-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
KR100834344B1 (ko) 2001-12-29 2008-06-02 엘지디스플레이 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
KR100488953B1 (ko) 2001-12-31 2005-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 지주 스페이서 형성방법
JP4627966B2 (ja) * 2002-01-24 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
SG126714A1 (en) 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP2004145244A (ja) * 2002-01-25 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP4094863B2 (ja) 2002-02-12 2008-06-04 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2003243171A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3481232B2 (ja) 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
EP1343206B1 (en) 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
JP4651916B2 (ja) 2002-03-07 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4545385B2 (ja) 2002-03-26 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7309269B2 (en) 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4156431B2 (ja) * 2002-04-23 2008-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI269248B (en) 2002-05-13 2006-12-21 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4120279B2 (ja) 2002-06-07 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
JP2004083650A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料及びそれを用いる薄膜トランジスタ素子
WO2004026002A1 (en) 2002-09-11 2004-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
JP2004127933A (ja) 2002-09-11 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004111166A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Hitachi Ltd 有機ｅｌ素子用バンク付き基板
US7094684B2 (en) 2002-09-20 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2004127606A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004152958A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機半導体装置
JP2004165067A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
JP2004192813A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4712298B2 (ja) * 2002-12-13 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR101032337B1 (ko) 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP2004227792A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Renesas Technology Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4322814B2 (ja) 2003-04-15 2009-09-02 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR20110091797A (ko) 2003-11-28 2011-08-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR100611159B1 (ko) 2003-11-29 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
US7792489B2 (en) 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP3915810B2 (ja) 2004-02-26 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器
JP3994998B2 (ja) 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
US7619258B2 (en) 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2005322564A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US7005871B1 (en) 2004-06-29 2006-02-28 Nvidia Corporation Apparatus, system, and method for managing aging of an integrated circuit
US8350466B2 (en) 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI460851B (zh) 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101455317B1 (ko) 2008-04-18 2014-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법
US8138032B2 (en) 2008-04-18 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor having microcrystalline semiconductor film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023030048A5 (ja)
JP2021073521A5 (ja)
JP2017138635A5 (ja)
JP2017054152A5 (ja)
JP2020145469A5 (ja)
JP2020016908A5 (ja)
JP2022002321A5 (ja)
JP2022153454A5 (ja)
JP2021047429A5 (ja)
JP2023086746A5 (ja)
JP2019194700A5 (ja)
JP2014150273A5 (ja) 半導体装置
JP2018163356A5 (ja)
JP2021192432A5 (ja) 半導体装置
JP2018063426A5 (ja) 表示装置
JP2017208573A5 (ja)
JP2011077517A5 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP2016034040A5 (ja) 表示装置
JP2015179822A5 (ja) 半導体装置
JP2014199404A5 (ja)
JP2010170108A5 (ja) 半導体装置
EP1998373A3 (en) Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP2015165329A5 (ja) 表示装置の作製方法、及び表示装置
JP2012134520A5 (ja) 表示装置
JP2019101062A5 (ja)