JP2008147692A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 153
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 16
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76804—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics by forming tapered via holes
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の1/3以下に形成する。
【選択図】図2
Description
例えば、ノーマリブラックの液晶表示装置であれば、白色表示した時に点欠陥が黒点として現れ、非常に外観を害する。
この場合、配線電極の成膜方法や成膜条件によって改善を図る必要がある。
陽極酸化可能な材料からなるゲイト電極を有するゲイト部と、
半導体よりなるソース部またはドレイン部と、
を有する薄膜トランジスタの作製工程において、
前記ゲイト部、ソース部およびドレイン部を覆って主成分の同じ絶縁性被膜を少なくとも二層に積層する工程と、
前記絶縁性被膜をドライエッチングにより開孔せしめるに際し、前記絶縁性被膜の最上層から最下層に向かって順次傾斜角が小さくなるようにテーパーを形成する工程と、
を有することを特徴とする。
陽極酸化可能な材料からなるゲイト電極を有するゲイト部と、
半導体よりなるソース部またはドレイン部と、
を有する薄膜トランジスタの作製工程において、
前記ゲイト部、ソース部およびドレイン部を覆って絶縁性被膜を形成する工程と、
前記絶縁性被膜をドライエッチング法により開孔せしめる工程と、
前記絶縁性被膜の下面に接する薄膜をエッチングする工程と、
前記工程により形成された開孔穴をライトエッチングする工程と、
を有することを特徴とする。
その時、下に回り込んだ部分がえぐれとなり、後に配線電極の断線の原因となる。
また、それに伴いデバイスまたは表示システムの長期信頼性を向上させることができる。
本発明を利用した薄膜トランジスタ(TFT)の作製工程例を図1に示す。
本実施例では、加速電圧80kV、ドーズ量1×1015原子/cm2 とする。
本実施例は、本明細書に開示する発明を単結晶シリコンウエハーを利用したICプロセスに利用した場合の例である。具体的には、シリコンウエハーを利用してMOS型トランジスタを作製する場合の例を示す。
102 島状の半導体層
103 酸化珪素膜
104 アルミニウム膜
105 緻密な陽極酸化膜
106 多孔質の陽極酸化膜
107 強固な陽極酸化膜
108 ゲイト電極
109 ソース領域
110 ドレイン領域
111 低濃度不純物領域
112 低濃度不純物領域
113 チャネル領域
114 1層目層間絶縁膜
115 2層目層間絶縁膜
201 レジストマスク
202 ソースコンタクト部
203 ドレインコンタクト部
204 ゲイトコンタクト部
205 配線電極
206 配線電極
207 配線電極
Claims (9)
- 絶縁表面を有する基板と、
前記基板の上方に形成され、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域、およびゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域に近接して設けられたゲイト電極を有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、少なくとも第1の絶縁層と前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを含む積層の絶縁膜と、
前記積層の絶縁膜に設けられた一つのコンタクトホールと、
前記第2の絶縁層の上方に設けられ、前記コンタクトホールを通して前記ソース領域および前記ドレイン領域のいずれか一つに電気的に接続された配線と、
を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記第2の絶縁層のへりの角は丸く、
前記コンタクトホールにおいて、前記積層の絶縁膜の内側面はテーパーを有し、
前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の1/3以下であり、
前記第1の絶縁層を貫く第1の開孔と前記第2の絶縁層を貫く第2の開孔とを含む前記コンタクトホールは、前記第1の開孔と前記第2の開孔とが同心状であることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板と、
前記基板の上方に形成され、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域、およびゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域に近接して設けられたゲイト電極を有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、少なくとも第1の絶縁層と前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを含む積層の絶縁膜と、
前記積層の絶縁膜に設けられた一つのコンタクトホールと、
前記第2の絶縁層の上方に設けられ、前記コンタクトホールを通して前記ソース領域および前記ドレイン領域のいずれか一つに電気的に接続された画素電極と、
を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記第2の絶縁層のへりの角は丸く、
前記コンタクトホールにおいて、前記積層の絶縁膜の内側面はテーパーを有し、
前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の1/3以下であり、
前記コンタクトホールにおいて、前記第1の絶縁層の内側面が有する第1のテーパー角と前記第2の絶縁層の内側面が有する第2のテーパー角とは、角度が異なり、
前記第1の絶縁層を貫く第1の開孔と前記第2の絶縁層を貫く第2の開孔とを含む前記コンタクトホールは、前記第1の開孔と前記第2の開孔とが同心状であることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板と、
前記基板の上方に形成され、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域、およびゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域に近接して設けられたゲイト電極を有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、少なくとも第1の絶縁層と前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを含む積層の絶縁膜と、
前記積層の絶縁膜に設けられた一つのコンタクトホールと、
前記第2の絶縁層の上方に設けられ、前記コンタクトホールを通して前記ソース領域および前記ドレイン領域のいずれか一つに電気的に接続された配線と、
を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記第2の絶縁層のへりの角は丸く、
前記第1の絶縁層の底面における前記コンタクトホールの幅よりも前記第2の絶縁層の底面における前記コンタクトホールの幅の方が大きく、
前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の1/3以下であり、
前記コンタクトホールにおいて、前記第1の絶縁層の内側面が有する第1のテーパー角と前記第2の絶縁層の内側面が有する第2のテーパー角とは、角度が異なり、
前記第1の絶縁層を貫く第1の開孔と前記第2の絶縁層を貫く第2の開孔とを含む前記コンタクトホールは、前記第1の開孔と前記第2の開孔とが同心状であることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記基板の上方に形成され、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域、およびゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域に近接して設けられたゲイト電極を有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、少なくとも第1の絶縁層と前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを含む積層の絶縁膜と、
前記積層の絶縁膜に設けられた一つのコンタクトホールと、
前記第2の絶縁層の上方に設けられ、前記コンタクトホールを通して前記ソース領域および前記ドレイン領域のいずれか一つに電気的に接続された配線と、
を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記第2の絶縁層のへりの角は丸く、
前記コンタクトホールにおいて、前記積層の絶縁膜の内側面はテーパーを有し、
前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の1/3以下であり、
前記第1の絶縁層を貫く第1の開孔と前記第2の絶縁層を貫く第2の開孔とを含む前記コンタクトホールは、前記第1の開孔と前記第2の開孔とが同心状であることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記基板の上方に形成され、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネル領域、およびゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域に近接して設けられたゲイト電極を有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に設けられ、少なくとも第1の絶縁層と前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを含む積層の絶縁膜と、
積層の絶縁膜に設けられた一つのコンタクトホールと、
前記第2の絶縁層の上方に設けられ、前記コンタクトホールを通して前記ソース領域および前記ドレイン領域のいずれか一つに電気的に接続された画素電極と、
を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記第2の絶縁層のへりの角は丸く、
前記第1の絶縁層の底面における前記コンタクトホールの幅よりも前記第2の絶縁層の底面における前記コンタクトホールの幅の方が大きく、
前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の1/3以下であり、
前記コンタクトホールにおいて、前記第1の絶縁層の内側面が有する第1のテーパー角と前記第2の絶縁層の内側面が有する第2のテーパー角とは、角度が異なり、
前記第1の絶縁層を貫く第1の開孔と前記第2の絶縁層を貫く第2の開孔とを含む前記コンタクトホールは、前記第1の開孔と前記第2の開孔とが同心状であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、前記第1の絶縁層は窒化珪素を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項2、請求項3または請求項5において、前記第1のテーパー角は前記第2のテーパー角より小さいことを特徴とする半導体装置。
- 請求項4または請求項5において、前記基板の上方に形成された絶縁膜は、酸化珪素を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記半導体装置は、アクティブマトリックス型液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008009259A JP2008147692A (ja) | 1995-11-27 | 2008-01-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33262995 | 1995-11-27 | ||
JP2008009259A JP2008147692A (ja) | 1995-11-27 | 2008-01-18 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003070819A Division JP2003289081A (ja) | 1995-11-27 | 2003-03-14 | 半導体装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010159513A Division JP5025767B2 (ja) | 1995-11-27 | 2010-07-14 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008147692A true JP2008147692A (ja) | 2008-06-26 |
Family
ID=18257099
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008009259A Withdrawn JP2008147692A (ja) | 1995-11-27 | 2008-01-18 | 半導体装置 |
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JP2014077210A Expired - Lifetime JP5716110B2 (ja) | 1995-11-27 | 2014-04-03 | 半導体装置 |
JP2014132620A Expired - Lifetime JP5777777B2 (ja) | 1995-11-27 | 2014-06-27 | 半導体装置 |
JP2015108960A Expired - Lifetime JP6009040B2 (ja) | 1995-11-27 | 2015-05-28 | 半導体装置 |
Family Applications After (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010159513A Expired - Fee Related JP5025767B2 (ja) | 1995-11-27 | 2010-07-14 | 半導体装置の作製方法 |
JP2011155390A Withdrawn JP2011238956A (ja) | 1995-11-27 | 2011-07-14 | 半導体装置 |
JP2012012568A Expired - Lifetime JP5542263B2 (ja) | 1995-11-27 | 2012-01-25 | 半導体装置の作製方法 |
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JP2015108960A Expired - Lifetime JP6009040B2 (ja) | 1995-11-27 | 2015-05-28 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
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JP2007208274A (ja) | 絶緑ゲイト型半導体装置 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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