JPH06268073A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06268073A JPH06268073A JP20298893A JP20298893A JPH06268073A JP H06268073 A JPH06268073 A JP H06268073A JP 20298893 A JP20298893 A JP 20298893A JP 20298893 A JP20298893 A JP 20298893A JP H06268073 A JPH06268073 A JP H06268073A
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- opening
- inner coat
- overcoat
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁膜２上に該膜表面のＡ１パッド３の表面
を露出させる第１の開口５を有するオーバーコート膜４
を形成し、該膜４上に上記開口５を露出させるこれより
大きな第２の開口９を有するインナーコート膜６を形成
する方法において、インナーコート膜６によってオーバ
ーコート膜４の下地であるところの第１の開口５に露出
するＡｌパッド３表面が侵されることを防止する。 【構成】 絶縁膜２上にオーバーコート膜４及びインナ
ーコート膜６を順次全面的に形成し、該インナーコート
膜６上に、オーバーコート膜４に形成すべき第１の開口
５の上方に開口８を有するフォトレジスト膜７を形成
し、これをマスクとして上記インナーコート膜６をウェ
ットエッチングすることにより第２の開口９を形成し、
その後、オーバーコート膜４を選択的にドライエッチン
グして第１の開口５を形成する。
を露出させる第１の開口５を有するオーバーコート膜４
を形成し、該膜４上に上記開口５を露出させるこれより
大きな第２の開口９を有するインナーコート膜６を形成
する方法において、インナーコート膜６によってオーバ
ーコート膜４の下地であるところの第１の開口５に露出
するＡｌパッド３表面が侵されることを防止する。 【構成】 絶縁膜２上にオーバーコート膜４及びインナ
ーコート膜６を順次全面的に形成し、該インナーコート
膜６上に、オーバーコート膜４に形成すべき第１の開口
５の上方に開口８を有するフォトレジスト膜７を形成
し、これをマスクとして上記インナーコート膜６をウェ
ットエッチングすることにより第２の開口９を形成し、
その後、オーバーコート膜４を選択的にドライエッチン
グして第１の開口５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に第１の開口を有する第１の膜上に該第１の開口
よりも大きな第２の開口を有する第２の膜を、該第１の
開口上に該第２の開口が位置するように形成する半導体
装置の製造方法、主として表面にアルミニウムパッドが
形成された絶縁膜上に該アルミニウムパッドの表面を露
出させる第１の開口を有するオーバーコート膜を形成
し、該オーバーコート膜上に上記第１の開口を露出させ
これよりも大きな第２の開口を有するインナーコート膜
を形成する半導体装置の製造方法に関する。
法、特に第１の開口を有する第１の膜上に該第１の開口
よりも大きな第２の開口を有する第２の膜を、該第１の
開口上に該第２の開口が位置するように形成する半導体
装置の製造方法、主として表面にアルミニウムパッドが
形成された絶縁膜上に該アルミニウムパッドの表面を露
出させる第１の開口を有するオーバーコート膜を形成
し、該オーバーコート膜上に上記第１の開口を露出させ
これよりも大きな第２の開口を有するインナーコート膜
を形成する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の製造において、
アルミニウムパッドを露出させる開口を有したオーバー
コート膜の形成後、樹脂封止時における応力緩和のため
にインナーコート膜を形成することが少なくない。勿
論、該インナーコート膜は上記オーバーコート膜のアル
ミニウムパッドを露出させる開口と同じ位置に開口を有
していなければならず、しかもワイヤボンディングある
いはフェイスボンディング等のボンディングに支障を来
さないようにインナーコート膜の開口はオーバーコート
膜の開口よりも大きく形成しなければならない。
アルミニウムパッドを露出させる開口を有したオーバー
コート膜の形成後、樹脂封止時における応力緩和のため
にインナーコート膜を形成することが少なくない。勿
論、該インナーコート膜は上記オーバーコート膜のアル
ミニウムパッドを露出させる開口と同じ位置に開口を有
していなければならず、しかもワイヤボンディングある
いはフェイスボンディング等のボンディングに支障を来
さないようにインナーコート膜の開口はオーバーコート
膜の開口よりも大きく形成しなければならない。
【０００３】図３（Ａ）乃至（Ｄ）はアルミニウムパッ
ド上方に開口を有するオーバーコート膜及びインナーコ
ート膜の形成方法の一つの従来例を工程順に示す断面図
である。 （Ａ）半導体基板１上の下層絶縁膜２の表面にアルミニ
ウムパッド３を形成した後、オーバーコート膜４を形成
し、その後、フォトレジスト膜の塗布、露光、現像によ
る該フォトレジスト膜のパターニングを行い、その後、
該フォトレジスト膜をマスクとしてオーバーコート膜４
をエッチングすることにより該オーバーコート膜４にア
ルミニウムパッド３の表面に露出させる第１の開口５を
形成し、しかる後、フォトレジスト膜を除去する。図３
（Ａ）はフォトレジスト膜除去後の状態を示す。
ド上方に開口を有するオーバーコート膜及びインナーコ
ート膜の形成方法の一つの従来例を工程順に示す断面図
である。 （Ａ）半導体基板１上の下層絶縁膜２の表面にアルミニ
ウムパッド３を形成した後、オーバーコート膜４を形成
し、その後、フォトレジスト膜の塗布、露光、現像によ
る該フォトレジスト膜のパターニングを行い、その後、
該フォトレジスト膜をマスクとしてオーバーコート膜４
をエッチングすることにより該オーバーコート膜４にア
ルミニウムパッド３の表面に露出させる第１の開口５を
形成し、しかる後、フォトレジスト膜を除去する。図３
（Ａ）はフォトレジスト膜除去後の状態を示す。
【０００４】（Ｂ）次に、オーバーコート膜４の表面
に、例えばポリイミドからなるインナーコート膜６を塗
布し、その後、フォトレジスト膜７を塗布し、しかる
後、該フォトレジスト膜７の露光、現像によるパターニ
ングを行う。図３（Ｂ）はこのパターニング後の状態を
示す。 （Ｃ）その後、該フォトレジスト膜７をマスクとしてイ
ンナーコート膜６をエッチングすることにより該インナ
ーコート膜６に上記第１の開口５よりも大きな第２の開
口９を形成する。図３（Ｃ）は第２の開口９形成後の状
態を示す。尚、インナーコート膜６のエッチングに用い
るエッチング液としては、例えばＴＭＡＨ（テトラ メ
チル アンモニウム ハイドロオキサイド）が用いられ
る。また、ポリイミドの溶剤として長く用いられるＮＭ
Ｐ（ノルマル メチル ピロリド）を用いても良い。 （Ｄ）しかる後、図３（Ｄ）に示すようにフォトレジス
ト膜７を除去する。
に、例えばポリイミドからなるインナーコート膜６を塗
布し、その後、フォトレジスト膜７を塗布し、しかる
後、該フォトレジスト膜７の露光、現像によるパターニ
ングを行う。図３（Ｂ）はこのパターニング後の状態を
示す。 （Ｃ）その後、該フォトレジスト膜７をマスクとしてイ
ンナーコート膜６をエッチングすることにより該インナ
ーコート膜６に上記第１の開口５よりも大きな第２の開
口９を形成する。図３（Ｃ）は第２の開口９形成後の状
態を示す。尚、インナーコート膜６のエッチングに用い
るエッチング液としては、例えばＴＭＡＨ（テトラ メ
チル アンモニウム ハイドロオキサイド）が用いられ
る。また、ポリイミドの溶剤として長く用いられるＮＭ
Ｐ（ノルマル メチル ピロリド）を用いても良い。 （Ｄ）しかる後、図３（Ｄ）に示すようにフォトレジス
ト膜７を除去する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３（Ａ）
乃至（Ｄ）に示す従来の半導体装置の製造方法には、ア
ルミニウムパッド３の表面が侵され、信頼度が低下する
という問題があった。これはオーバーコート膜６がポリ
イミド等の樹脂からなり、この樹脂が液状の状態で塗布
されるときアルミニウムパッド３の表面と接触し、ま
た、オーバーコート膜６をエッチングするときのそのエ
ッチング液、例えばＴＭＡＨ、ＮＭＰ等によりアルミニ
ウムパッド３が侵蝕されるためである。
乃至（Ｄ）に示す従来の半導体装置の製造方法には、ア
ルミニウムパッド３の表面が侵され、信頼度が低下する
という問題があった。これはオーバーコート膜６がポリ
イミド等の樹脂からなり、この樹脂が液状の状態で塗布
されるときアルミニウムパッド３の表面と接触し、ま
た、オーバーコート膜６をエッチングするときのそのエ
ッチング液、例えばＴＭＡＨ、ＮＭＰ等によりアルミニ
ウムパッド３が侵蝕されるためである。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、第１の開口を有する第１の膜上に該
第１の開口よりも大きな第２の開口を有する第２の膜
を、該第１の開口上に該第２の開口が位置するように形
成する半導体装置の製造方法、例えば表面にアルミニウ
ムパッドが形成された絶縁膜上に該アルミニウムパッド
の表面を露出させる第１の開口を有するオーバーコート
膜を形成し、該オーバーコート膜上に上記第１の開口を
露出させこれよりも大きな第２の開口を有するインナー
コート膜を形成する半導体装置の製造方法において、第
１の膜、例えばインナーコート膜によって第２の膜、例
えばオーバーコート膜の下地の第１の開口に露出する部
分、例えばアルミニウムパッド表面が侵されることを防
止することを目的とする。
されたものであり、第１の開口を有する第１の膜上に該
第１の開口よりも大きな第２の開口を有する第２の膜
を、該第１の開口上に該第２の開口が位置するように形
成する半導体装置の製造方法、例えば表面にアルミニウ
ムパッドが形成された絶縁膜上に該アルミニウムパッド
の表面を露出させる第１の開口を有するオーバーコート
膜を形成し、該オーバーコート膜上に上記第１の開口を
露出させこれよりも大きな第２の開口を有するインナー
コート膜を形成する半導体装置の製造方法において、第
１の膜、例えばインナーコート膜によって第２の膜、例
えばオーバーコート膜の下地の第１の開口に露出する部
分、例えばアルミニウムパッド表面が侵されることを防
止することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、第１の膜及び第２の膜を順次全面的に形成
し、次に、上記第２の膜上に、上記第１の膜に形成すべ
き第１の開口の上方に開口を有するマスク膜を形成し、
その後、該マスク膜をマスクとして上記第２の膜をウェ
ットエッチングすることにより第２の開口を形成し、し
かる後、上記第１の膜を選択的にドライエッチングする
ことにより第１の開口を形成することを特徴とする。
製造方法は、第１の膜及び第２の膜を順次全面的に形成
し、次に、上記第２の膜上に、上記第１の膜に形成すべ
き第１の開口の上方に開口を有するマスク膜を形成し、
その後、該マスク膜をマスクとして上記第２の膜をウェ
ットエッチングすることにより第２の開口を形成し、し
かる後、上記第１の膜を選択的にドライエッチングする
ことにより第１の開口を形成することを特徴とする。
【０００８】請求項２の半導体装置の製造方法は、表面
にアルミニウムパッドを有する絶縁膜上にオーバーコー
ト膜を全面的に形成した後該オーバーコート膜上にイン
ナーコート膜を全面的に形成し、次に、該インナーコー
ト膜上に、上記オーバーコート膜に形成すべき第１の開
口の上方に開口を有するフォトレジスト膜を形成し、そ
の後、該フォトレジスト膜をマスクとして上記インナー
コート膜をウェットエッチングすることにより第２の開
口を形成し、しかる後、該第２の開口を通して上記オー
バーコート膜を選択的にドライエッチングすることによ
り第１の開口を形成することを特徴とする。
にアルミニウムパッドを有する絶縁膜上にオーバーコー
ト膜を全面的に形成した後該オーバーコート膜上にイン
ナーコート膜を全面的に形成し、次に、該インナーコー
ト膜上に、上記オーバーコート膜に形成すべき第１の開
口の上方に開口を有するフォトレジスト膜を形成し、そ
の後、該フォトレジスト膜をマスクとして上記インナー
コート膜をウェットエッチングすることにより第２の開
口を形成し、しかる後、該第２の開口を通して上記オー
バーコート膜を選択的にドライエッチングすることによ
り第１の開口を形成することを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１の半導体装置の製造方法によれば、第
１の膜を全面的に形成した後該第１の膜上に第２の膜を
全面的に形成し、該第２の膜に第２の開口を形成した後
上記第１の膜に第１の開口を形成するので、第２の膜
と、第１の膜の下地とが接触することがなく、また第２
の膜に第２の開口を形成するエッチングに使用するエッ
チング液が第１の膜の下地と接することもない。従っ
て、第２の膜によりあるいは第２の膜のウェットエッチ
ングに使用するエッチング液により第１の膜の第１の開
口に露出する下地が侵される虞れはない。
１の膜を全面的に形成した後該第１の膜上に第２の膜を
全面的に形成し、該第２の膜に第２の開口を形成した後
上記第１の膜に第１の開口を形成するので、第２の膜
と、第１の膜の下地とが接触することがなく、また第２
の膜に第２の開口を形成するエッチングに使用するエッ
チング液が第１の膜の下地と接することもない。従っ
て、第２の膜によりあるいは第２の膜のウェットエッチ
ングに使用するエッチング液により第１の膜の第１の開
口に露出する下地が侵される虞れはない。
【００１０】請求項２の半導体装置の製造方法によれ
ば、第１の膜を全面的に形成した後該第１の膜上に第２
の膜を全面的に形成し、該第２の膜に第２の開口を形成
した後上記第１の膜に第１の開口を形成するので、第２
の膜と、第１の膜の下地とが接触することがなく、また
第２の膜に第２の開口を形成するエッチングに使用する
エッチング液が第１の膜の下地と接することもない。従
って、第２の膜によりあるいは第２の膜のウェットエッ
チングに使用するエッチング液により第１の膜の第１の
開口に露出するアルミニウムパッドが侵される虞れはな
い。
ば、第１の膜を全面的に形成した後該第１の膜上に第２
の膜を全面的に形成し、該第２の膜に第２の開口を形成
した後上記第１の膜に第１の開口を形成するので、第２
の膜と、第１の膜の下地とが接触することがなく、また
第２の膜に第２の開口を形成するエッチングに使用する
エッチング液が第１の膜の下地と接することもない。従
って、第２の膜によりあるいは第２の膜のウェットエッ
チングに使用するエッチング液により第１の膜の第１の
開口に露出するアルミニウムパッドが侵される虞れはな
い。
【００１１】
【実施例】以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｄ）は
本発明半導体装置の製造方法の第１の実施例を工程順に
示す断面図である。 （Ａ）半導体基板１上の下層絶縁膜２の表面にアルミニ
ウムパッド３を形成した後、オーバーコート膜４を形成
し該膜４上に例えばポリイミドからなるインナーコート
膜６を形成し、その後、該インナーコート膜６上にフォ
トレジスト膜７を塗布する。図１（Ａ）はフォトレジス
ト膜７塗布後の状態を示す。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｄ）は
本発明半導体装置の製造方法の第１の実施例を工程順に
示す断面図である。 （Ａ）半導体基板１上の下層絶縁膜２の表面にアルミニ
ウムパッド３を形成した後、オーバーコート膜４を形成
し該膜４上に例えばポリイミドからなるインナーコート
膜６を形成し、その後、該インナーコート膜６上にフォ
トレジスト膜７を塗布する。図１（Ａ）はフォトレジス
ト膜７塗布後の状態を示す。
【００１２】（Ｂ）次に、フォトレジスト膜７に対する
露光、現像によりオーバーコート膜４に形成すべき第１
の開口５の上方にあたる部分にそれと略同形で略同じ大
きさの開口８を形成し、その後、該フォトレジスト膜７
をマスクとしてインナーコート膜６に対してウェットエ
ッチングによりエッチングすることによって第２の開口
９を形成する。図１（Ｂ）はそのウェットエッチング終
了後の状態を示す。このウェットエッチングは例えばＴ
ＭＡＨ（テトラ メチル アンモニウム ハイドロオキ
サイド）をエッチング液として用いて行う。また、ＮＭ
Ａ（ノルマル メチル ピロリド）を用いても良い。
露光、現像によりオーバーコート膜４に形成すべき第１
の開口５の上方にあたる部分にそれと略同形で略同じ大
きさの開口８を形成し、その後、該フォトレジスト膜７
をマスクとしてインナーコート膜６に対してウェットエ
ッチングによりエッチングすることによって第２の開口
９を形成する。図１（Ｂ）はそのウェットエッチング終
了後の状態を示す。このウェットエッチングは例えばＴ
ＭＡＨ（テトラ メチル アンモニウム ハイドロオキ
サイド）をエッチング液として用いて行う。また、ＮＭ
Ａ（ノルマル メチル ピロリド）を用いても良い。
【００１３】（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、該
フォトレジスト膜７をマスクとしてオーバーコート膜４
に対してドライエッチングによりエッチングすることに
より第１の開口５を形成する。 （Ｄ）その後、図１（Ｄ）に示すようにフォトレジスト
膜７を除去する。このフォトレジスト膜７の除去は例え
ばフォトレジスト膜７表面部の硬化層をドライエッチン
グにより除き、残りをウェットエッチングにより除くこ
とにより行う。
フォトレジスト膜７をマスクとしてオーバーコート膜４
に対してドライエッチングによりエッチングすることに
より第１の開口５を形成する。 （Ｄ）その後、図１（Ｄ）に示すようにフォトレジスト
膜７を除去する。このフォトレジスト膜７の除去は例え
ばフォトレジスト膜７表面部の硬化層をドライエッチン
グにより除き、残りをウェットエッチングにより除くこ
とにより行う。
【００１４】このような半導体装置の製造方法によれ
ば、第２の開口９と第１の開口５を同じフォトレジスト
膜７によるマスクを用いてのエッチングにより形成する
ので、フォトレジスト膜の塗布、露光、現像という写真
処理工程を一回行うのみで２つの開口９、５を形成する
ためのマスクをつくることができ、従って、工程数の低
減を図ることができ、延いてはコストの低減を図ること
ができるという効果が得られる。即ち、図３（Ａ）乃至
（Ｄ）に示す従来の半導体装置の製造方法には、オーバ
ーコート膜４に第１の開口５を形成するためのマスクを
形成するフォトレジスト膜の写真工程と、インナーコー
ト膜６に第２の開口９を形成するためのマスク７を形成
するフォトレジスト膜の写真工程とが必要となり、工数
が多いという問題があったが、本実施例によればそのよ
うな問題はない。
ば、第２の開口９と第１の開口５を同じフォトレジスト
膜７によるマスクを用いてのエッチングにより形成する
ので、フォトレジスト膜の塗布、露光、現像という写真
処理工程を一回行うのみで２つの開口９、５を形成する
ためのマスクをつくることができ、従って、工程数の低
減を図ることができ、延いてはコストの低減を図ること
ができるという効果が得られる。即ち、図３（Ａ）乃至
（Ｄ）に示す従来の半導体装置の製造方法には、オーバ
ーコート膜４に第１の開口５を形成するためのマスクを
形成するフォトレジスト膜の写真工程と、インナーコー
ト膜６に第２の開口９を形成するためのマスク７を形成
するフォトレジスト膜の写真工程とが必要となり、工数
が多いという問題があったが、本実施例によればそのよ
うな問題はない。
【００１５】また、同じフォトレジスト膜７によるマス
クを用いてのエッチングにより第２の開口９と第１の開
口５を形成するので、第２の開口９と第１の開口５との
間に位置関係のずれが生じる虞れが全くない。従って、
図３（Ｃ）に示すように第１の開口５の一部にインナー
コート膜６が入り込んで第１の開口５が小さくなるとい
う虞れがない。即ち、図３（Ａ）乃至（Ｄ）に示す従来
の半導体装置の製造方法には、オーバーコート膜４に形
成される第１の開口５と、インナーコート膜６に形成さ
れる第２の開口９との位置関係にずれが生じ、図３
（Ｃ）に示すように第１の開口５内にインナーコート膜
６が入り込み、第１の開口５がインナーコート膜６によ
り小さくなってしまう虞れがった。その虞れをなくすた
めには第２の開口９の第１の開口５に対する大きさを相
当に大きくすることが必要となるが、それは必然的に半
導体装置の高集積化を阻むことになり、これも好ましく
ないという問題があった。しかし、本実施例によればそ
のような問題はない。
クを用いてのエッチングにより第２の開口９と第１の開
口５を形成するので、第２の開口９と第１の開口５との
間に位置関係のずれが生じる虞れが全くない。従って、
図３（Ｃ）に示すように第１の開口５の一部にインナー
コート膜６が入り込んで第１の開口５が小さくなるとい
う虞れがない。即ち、図３（Ａ）乃至（Ｄ）に示す従来
の半導体装置の製造方法には、オーバーコート膜４に形
成される第１の開口５と、インナーコート膜６に形成さ
れる第２の開口９との位置関係にずれが生じ、図３
（Ｃ）に示すように第１の開口５内にインナーコート膜
６が入り込み、第１の開口５がインナーコート膜６によ
り小さくなってしまう虞れがった。その虞れをなくすた
めには第２の開口９の第１の開口５に対する大きさを相
当に大きくすることが必要となるが、それは必然的に半
導体装置の高集積化を阻むことになり、これも好ましく
ないという問題があった。しかし、本実施例によればそ
のような問題はない。
【００１６】そして、オーバーコート膜４を全面的に形
成した後該オーバーコート膜４上にインナーコート膜６
を全面的に形成し、該インナーコート膜６に第２の開口
９を形成した後上記オーバーコート膜４に第１の開口５
を形成するので、アルミニウムパッド３とインナーコー
ト膜６とが接することなく、また、インナーコート膜６
の選択的エッチングのためのウェットエッチング液、溶
剤がアルミニウムパッド３に触れることもない。従っ
て、インナーコート膜６によってあるいはインナーコー
ト膜６エッチング用のエッチング液、溶剤によってアル
ミニウムパッド３の表面が侵される虞れはなく、信頼度
が高くなる。
成した後該オーバーコート膜４上にインナーコート膜６
を全面的に形成し、該インナーコート膜６に第２の開口
９を形成した後上記オーバーコート膜４に第１の開口５
を形成するので、アルミニウムパッド３とインナーコー
ト膜６とが接することなく、また、インナーコート膜６
の選択的エッチングのためのウェットエッチング液、溶
剤がアルミニウムパッド３に触れることもない。従っ
て、インナーコート膜６によってあるいはインナーコー
ト膜６エッチング用のエッチング液、溶剤によってアル
ミニウムパッド３の表面が侵される虞れはなく、信頼度
が高くなる。
【００１７】図２（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体装置
の製造方法の第２の実施例を工程順に示す断面図であ
る。 （Ａ）半導体基板１上の下層絶縁膜２の表面にアルミニ
ウムパッド３を形成した後、オーバーコート膜４を形成
し該膜４上に例えばポリイミドからなるインナーコート
膜６を形成し、その後、該インナーコート膜６上にフォ
トレジスト膜７を塗布する。図２（Ａ）はフォトレジス
ト膜７塗布後の状態を示す。
の製造方法の第２の実施例を工程順に示す断面図であ
る。 （Ａ）半導体基板１上の下層絶縁膜２の表面にアルミニ
ウムパッド３を形成した後、オーバーコート膜４を形成
し該膜４上に例えばポリイミドからなるインナーコート
膜６を形成し、その後、該インナーコート膜６上にフォ
トレジスト膜７を塗布する。図２（Ａ）はフォトレジス
ト膜７塗布後の状態を示す。
【００１８】（Ｂ）次に、フォトレジスト膜７に対する
露光、現像によりオーバーコート膜４に形成すべき第１
の開口（５）の上方にあたる部分にそれと略同形で略同
じ大きさの開口８を形成し、その後、該フォトレジスト
膜７をマスクとしてインナーコート膜６に対してウェッ
トエッチングによりエッチングすることによって第２の
開口９を形成する。図２（Ｂ）はそのウェットエッチン
グ終了後の状態を示す。このウェットエッチングは例え
ばＴＭＡＨ（テトラ メチル アンモニウム ハイドロ
オキサイド）をエッチング液として用いて行う。また、
ＮＭＡ（ノルマルメチル ピロリド）を用いても良い。
露光、現像によりオーバーコート膜４に形成すべき第１
の開口（５）の上方にあたる部分にそれと略同形で略同
じ大きさの開口８を形成し、その後、該フォトレジスト
膜７をマスクとしてインナーコート膜６に対してウェッ
トエッチングによりエッチングすることによって第２の
開口９を形成する。図２（Ｂ）はそのウェットエッチン
グ終了後の状態を示す。このウェットエッチングは例え
ばＴＭＡＨ（テトラ メチル アンモニウム ハイドロ
オキサイド）をエッチング液として用いて行う。また、
ＮＭＡ（ノルマルメチル ピロリド）を用いても良い。
【００１９】（Ｃ）次に、上記フォトレジスト膜７を除
去する。この除去は、例えば、アッシング及びその後の
ウェットエッチングにより行う。その後、改めてフォト
レジスト膜１０を塗布し、しかる後露光、現像によりパ
ターニングして第１の開口５を形成するための開口１１
をフォトレジスト膜１０に形成する。その後、該フォト
レジスト膜１０をマスクとしてオーバーコート膜４をエ
ッチングすることにより第１の開口５を形成する。図２
（Ｃ）はこのパターニング終了後の状態を示す。 （Ｄ）しかる後、該フォトレジスト膜１０を除去する。
この除去は、例えば、アッシング及びその後のウェット
エッチングにより行う。図２（Ｄ）はこのフォトレジス
ト膜１０を除去した後の状態を示す。
去する。この除去は、例えば、アッシング及びその後の
ウェットエッチングにより行う。その後、改めてフォト
レジスト膜１０を塗布し、しかる後露光、現像によりパ
ターニングして第１の開口５を形成するための開口１１
をフォトレジスト膜１０に形成する。その後、該フォト
レジスト膜１０をマスクとしてオーバーコート膜４をエ
ッチングすることにより第１の開口５を形成する。図２
（Ｃ）はこのパターニング終了後の状態を示す。 （Ｄ）しかる後、該フォトレジスト膜１０を除去する。
この除去は、例えば、アッシング及びその後のウェット
エッチングにより行う。図２（Ｄ）はこのフォトレジス
ト膜１０を除去した後の状態を示す。
【００２０】このような半導体装置の製造方法によれ
ば、オーバーコート膜４を全面的に形成した後該オーバ
ーコート膜４上にインナーコート膜６を全面的に形成
し、該インナーコート膜６に第２の開口９を形成した後
上記オーバーコート膜４に第１の開口５を形成するの
で、アルミニウムパッド３とインナーコート膜６とが接
することなく、また、インナーコート膜６の選択的エッ
チングのためのウェットエッチング液、溶剤がアルミニ
ウムパッド３に触れることもない。従って、インナーコ
ート膜６によってあるいはインナーコート膜６エッチン
グ用のエッチング液、溶剤によってアルミニウムパッド
３の表面が侵される虞れはなく、信頼度が高くなる。
ば、オーバーコート膜４を全面的に形成した後該オーバ
ーコート膜４上にインナーコート膜６を全面的に形成
し、該インナーコート膜６に第２の開口９を形成した後
上記オーバーコート膜４に第１の開口５を形成するの
で、アルミニウムパッド３とインナーコート膜６とが接
することなく、また、インナーコート膜６の選択的エッ
チングのためのウェットエッチング液、溶剤がアルミニ
ウムパッド３に触れることもない。従って、インナーコ
ート膜６によってあるいはインナーコート膜６エッチン
グ用のエッチング液、溶剤によってアルミニウムパッド
３の表面が侵される虞れはなく、信頼度が高くなる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の半導体装置の製造方法は、第
１の膜及び第２の膜を順次全面的に形成し、次に、第２
の膜上に、第１の膜に形成すべき第１の開口の上方に開
口を有するマスク膜を形成し、その後、該マスク膜をマ
スクとして上記第２の膜をウェットエッチングすること
により第２の開口を形成し、しかる後、上記第１の膜を
選択的にドライエッチングすることにより第１の開口を
形成することを特徴とするものである。従って、請求項
１の半導体装置の製造方法によれば、第１の膜を全面的
に形成した後該第１の膜上に第２の膜を全面的に形成
し、該第２の膜に第２の開口を形成した後上記第１の膜
に第１の開口を形成するので、第２の膜と、第１の膜の
下地とが接触することがなく、また第２の膜に第２の開
口を形成するエッチングに使用するエッチング液が第１
の膜の下地と接することもない。従って、第２の膜によ
りあるいは第２の膜のウェットエッチングに使用するエ
ッチング液により第１の膜の第１の開口に露出する下地
が侵される虞れはない。
１の膜及び第２の膜を順次全面的に形成し、次に、第２
の膜上に、第１の膜に形成すべき第１の開口の上方に開
口を有するマスク膜を形成し、その後、該マスク膜をマ
スクとして上記第２の膜をウェットエッチングすること
により第２の開口を形成し、しかる後、上記第１の膜を
選択的にドライエッチングすることにより第１の開口を
形成することを特徴とするものである。従って、請求項
１の半導体装置の製造方法によれば、第１の膜を全面的
に形成した後該第１の膜上に第２の膜を全面的に形成
し、該第２の膜に第２の開口を形成した後上記第１の膜
に第１の開口を形成するので、第２の膜と、第１の膜の
下地とが接触することがなく、また第２の膜に第２の開
口を形成するエッチングに使用するエッチング液が第１
の膜の下地と接することもない。従って、第２の膜によ
りあるいは第２の膜のウェットエッチングに使用するエ
ッチング液により第１の膜の第１の開口に露出する下地
が侵される虞れはない。
【００２２】請求項２の半導体装置の製造方法は、表面
にアルミニウムパッドを有する絶縁膜上にオーバーコー
ト膜を全面的に形成した後該膜上にインナーコート膜を
全面的に形成し、次に、該インナーコート膜上に、上記
オーバーコート膜に形成すべき第１の開口の上方に開口
を有するフォトレジスト膜を形成し、その後、該フォト
レジスト膜をマスクとして上記インナーコート膜をウェ
ットエッチングすることにより第２の開口を形成し、し
かる後、上記オーバーコート膜を選択的にドライエッチ
ングすることにより第１の開口を形成することを特徴と
する。従って、請求項２の半導体装置の製造方法によれ
ば、オーバーコート膜を全面的に形成した後該膜上にイ
ンナーコート膜を全面的に形成し、該インナーコート膜
に第２の開口を形成した後オーバーコート膜に第１の開
口を形成するので、インナーコート膜と、アルミニウム
パッドとが接触することがなく、またインナーコート膜
に第２の開口を形成するエッチングに使用するエッチン
グ液がアルミニウムパッドと接することもない。従っ
て、インナーコート膜によりあるいは該膜のウェットエ
ッチングに使用するエッチング液によりインナーコート
膜の第１の開口に露出するアルミニウムパッド表面が侵
される虞れはない。
にアルミニウムパッドを有する絶縁膜上にオーバーコー
ト膜を全面的に形成した後該膜上にインナーコート膜を
全面的に形成し、次に、該インナーコート膜上に、上記
オーバーコート膜に形成すべき第１の開口の上方に開口
を有するフォトレジスト膜を形成し、その後、該フォト
レジスト膜をマスクとして上記インナーコート膜をウェ
ットエッチングすることにより第２の開口を形成し、し
かる後、上記オーバーコート膜を選択的にドライエッチ
ングすることにより第１の開口を形成することを特徴と
する。従って、請求項２の半導体装置の製造方法によれ
ば、オーバーコート膜を全面的に形成した後該膜上にイ
ンナーコート膜を全面的に形成し、該インナーコート膜
に第２の開口を形成した後オーバーコート膜に第１の開
口を形成するので、インナーコート膜と、アルミニウム
パッドとが接触することがなく、またインナーコート膜
に第２の開口を形成するエッチングに使用するエッチン
グ液がアルミニウムパッドと接することもない。従っ
て、インナーコート膜によりあるいは該膜のウェットエ
ッチングに使用するエッチング液によりインナーコート
膜の第１の開口に露出するアルミニウムパッド表面が侵
される虞れはない。
【図１】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体装置の製造方
法の第１の実施例を工程順に示す断面図である。
法の第１の実施例を工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体装置の製造方
法の第２の実施例を工程順に示す断面図である。
法の第２の実施例を工程順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）乃至（Ｄ）は従来例を工程順に示す断面
図である。
図である。
３ アルミニウムパッド ４ 第１の膜（オーバーコート膜） ５ 第１の開口 ６ 第２の膜（インナーコート膜） ７ フォトレジスト膜 ８ フォトレジスト膜の開口 ９ 第２の開口 １０ フォトレジスト膜 １１ フォトレジスト膜の開口
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の開口を有する第１の膜上に該第１
の開口よりも大きな第２の開口を有する第２の膜を、該
第１の開口上に該第２の開口が位置するように形成する
半導体装置の製造方法において、 第１の膜を全面的に形成した後該第１の膜上に第２の膜
を全面的に形成し、 次に、上記第２の膜上に、上記第１の膜に形成すべき第
１の開口の上方に開口を有するマスク膜を形成し、 その後、上記マスク膜をマスクとして上記第２の膜をウ
ェットエッチングすることにより第２の開口を形成し、 しかる後、上記第１の膜を選択的にドライエッチングす
ることにより第１の開口を形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法 - 【請求項２】 表面にアルミニウムパッドが形成された
絶縁膜上に該アルミニウムパッドの表面を露出させる第
１の開口を有するオーバーコート膜を形成し、該オーバ
ーコート膜上に上記第１の開口を露出させこれよりも大
きな第２の開口を有するインナーコート膜を形成する半
導体装置の製造方法において、 上記絶縁膜上に上記オーバーコート膜を全面的に形成し
た後該オーバーコート膜上に上記インナーコート膜を全
面的に形成し、 次に、上記インナーコート膜上に、上記オーバーコート
膜に形成すべき第１の開口の上方に開口を有するフォト
レジスト膜を形成し、 その後、上記フォトレジスト膜をマスクとして上記イン
ナーコート膜をウェットエッチングすることにより第２
の開口を形成し、 しかる後、上記オーバーコート膜を選択的にドライエッ
チングすることにより第１の開口を形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20298893A JPH06268073A (ja) | 1993-01-15 | 1993-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179593 | 1993-01-15 | ||
| JP5-21795 | 1993-01-15 | ||
| JP20298893A JPH06268073A (ja) | 1993-01-15 | 1993-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268073A true JPH06268073A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=26358898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20298893A Pending JPH06268073A (ja) | 1993-01-15 | 1993-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119707A (ja) * | 1995-11-27 | 2012-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP20298893A patent/JPH06268073A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119707A (ja) * | 1995-11-27 | 2012-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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