DE202010018501U1 - System, das verteilte byteweise Puffer auf einem Speichermodul verwendet - Google Patents

System, das verteilte byteweise Puffer auf einem Speichermodul verwendet Download PDF

Info

Publication number
DE202010018501U1
DE202010018501U1 DE202010018501.7U DE202010018501U DE202010018501U1 DE 202010018501 U1 DE202010018501 U1 DE 202010018501U1 DE 202010018501 U DE202010018501 U DE 202010018501U DE 202010018501 U1 DE202010018501 U1 DE 202010018501U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
data
module
memory module
pcb
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE202010018501.7U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NETLIST LUXEMBOURG S.A.R.L, LU
Original Assignee
Netlist Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=42610062&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE202010018501(U1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US12/504,131 external-priority patent/US8417870B2/en
Application filed by Netlist Inc filed Critical Netlist Inc
Publication of DE202010018501U1 publication Critical patent/DE202010018501U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/066Means for reducing external access-lines for a semiconductor memory clip, e.g. by multiplexing at least address and data signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

Speichermodul zur Verwendung in einem Computersystem, das einen Systemspeichercontroller aufweist, mit: einer gedruckten Leiterplatte bzw. Printed Circuit Board (PCB), die in einem Modulschlitz des Computersystems anbringbar ist, wobei die PCB einen Randstecker hat, der eine Vielzahl elektrischer Kontakte aufweist, die an einem Rand der PCB positioniert und dazu positioniert sind, lösbar mit korrespondierenden Kontakten eines Computersystem-Sockels verbunden zu werden, um elektrische Leitfähigkeit zwischen dem Systemspeichercontroller und dem Speichermodul bereitzustellen; Speichervorrichtungen, die jeweils eine Bitbreite von 4 Bits haben, wobei die Speichervorrichtungen mechanisch mit der PCB verbunden und in mehreren Reihen mit n Speichervorrichtungen pro Reihe angeordnet sind, wobei jede Reihe eine Bitbreite hat, die gleich einer Bitbreite des Speichermoduls ist; einer Steuerschaltung, die mechanisch mit der PCB verbunden und über registrierte Steuerleitungen betriebsbereit mit den Speichervorrichtungen verbunden ist, wobei die Steuerschaltung dazu konfigurierbar ist, Steuersignale für eine Lese- oder Schreiboperation, die von dem Speichercontroller empfangen werden, zu registrieren und Modulsteuersignale zu erzeugen, wobei die Lese- oder Schreiboperation auf eine bestimmte der mehreren Reihen abzielt; und n/2 Datenübertragungsschaltungen, die mechanisch mit der PCB verbunden und an entsprechenden Positionen entlang des Rands der PCB verteilt sind, wobei die n/2 Datenübertragungsschaltungen dazu konfigurierbar sind, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller verbunden zu werden, und dazu konfigurierbar sind, Modulsteuersignale von der Steuerschaltung zu empfangen, wobei jede der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen eine Bitbreite von 8 Bits hat und mit zwei zugehörigen Speichervorrichtungen in jeder der mehreren Reihen verbunden ist; wobei jede Datenübertragungsschaltung dazu konfigurierbar ist, auf die Modulsteuersignale anzusprechen durch Freigeben von Datenpfaden und durch Treiben von Datensignalen für die Lese- oder Schreiboperation auf den Datenpfaden zwischen dem Systemspeichercontroller und den beiden zugehörigen Speichervorrichtungen in der bestimmten der mehreren Reihen; wobei das Speichermodul des Weiteren Column Address Strobe(CAS)-Latenz bzw. Speicherlatenz verwendet, um die Operation der n/2 Datenübertragungsschaltungen zu steuern.

Description

  • HINTERGRUND
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf Speicheruntersysteme von Computersystemen und insbesondere auf Systeme und Vorrichtungen zum Verbessern der Leistung und der Speicherkapazität von Speicheruntersystemen oder Speicher”platten”, insbesondere Speicherplatten, die Dual In-Line Memory Modules (DIMMs) bzw. doppelreihige Speicherbausteine aufweisen.
  • Bestimmte Arten von Computer-Speicheruntersystemen weisen eine Vielzahl von Dynamic Random Access Memory (DRAM) Vorrichtungen bzw. dynamischen Speicherbausteinen mit wahlfreiem Zugriff oder Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) Vorrichtungen bzw. synchronen dynamischen Speicherbausteinen mit wahlfreiem Zugriff auf, die auf einer gedruckten Leiterplatte angebracht sind. Diese Speicheruntersysteme oder Speicher”platten” sind typischerweise in einem Speicherschlitz oder -sockel eines Computersystems, zum Beispiel eines Serversystems oder eines Personal Computers, angebracht, und werden vom Prozessor des Computersystems angesteuert. Speicherplatten weisen typischerweise ein oder mehrere Speichermodule auf, jedes mit einer Vielzahl von Speichervorrichtungen (z. B. DRAMs oder SDRAMs) in einer eindeutigen Konfiguration von Reihen, Spalten und Banken, die die Gesamtspeicherkapazität für das Speichermodul bereitstellen.
  • Die Speichervorrichtungen eines Speichermoduls sind im Allgemeinen als Speicherreihen angeordnet, wobei jede Speicherreihe im Allgemeinen eine Bitbreite hat. Beispielsweise wird ein Speichermodul, bei dem jede Reihe des Speichermoduls eine Breite von 64 Bit hat, als „x64” oder „by 64” Architektur aufweisend beschrieben. Ähnlich wird ein Speichermodul mit 72 Bit breiten Reihen als „x72” oder „by 72” Architektur aufweisend beschrieben.
  • Die Speicherkapazität eines Speichermoduls steigt mit der Anzahl der Speichervorrichtungen. Die Anzahl der Speichervorrichtungen eines Speichermoduls kann erhöht werden, indem die Anzahl von Speichervorrichtungen pro Reihe erhöht wird, oder indem die Anzahl der Reihen erhöht wird. Unter bestimmten Umständen bezieht man sich nicht auf die Speicherkapazität des Speichermoduls, sondern stattdessen auf die Speicherdichte des Speichermoduls.
  • Im Betrieb werden die Reihen eines Speichermoduls durch Steuersignale ausgewählt oder aktiviert, die vom Prozessor empfangen werden. Beispiele solcher Steuersignale beinhalten, sind jedoch nicht beschränkt auf, Reihenauswahlsignale, auch Chipauswahlsignale genannt. Die meisten Computer- und Serversysteme unterstützen eine begrenzte Anzahl von Reihen pro Speichermodul, was die Speicherdichte, die in jedem Speichermodul integriert werden kann, einschränkt.
  • In einem elektronischen System ist der Speicherplatz durch den physikalisch adressierbaren Raum begrenzt, der durch die Anzahl von Adressbits oder die Anzahl ausgewählter Chips definiert ist. Im Allgemeinen ist es, sobald der Speicherplatz für ein elektronisches System definiert ist, nicht machbar, den Speicherplatz ohne umfangreiche Designänderung zu modifizieren. Dies trifft insbesondere für den Fall zu, bei dem ein Speicherplatz durch eine Vereinigung definiert wird, zum Beispiel das Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC). Ein Problem ergibt sich, wenn die Anwendung eines Benutzers einen größeren adressierbaren Speicherplatz erfordert, als den Speicherplatz, den das aktuelle elektronische System unterstützen kann.
  • Beim Entwickeln eines Speicheruntersystems wird stets auf die Speicherdichte, die Verlustleistung, die Geschwindigkeit und die Kosten geachtet. Im Allgemeinen sind diese Attribute nicht orthogonal zueinander, was bedeutet, dass das Optimieren eines Attributs eine schädliche Wirkung auf ein anderes Attribut haben kann. Das Erhöhen der Speicherdichte verursacht zum Beispiel typischerweise höhere Verlustleistung, geringere Betriebsgeschwindigkeit und höhere Kosten.
  • Des Weiteren können die Spezifikationen des Speicheruntersystems von physikalischen Einschränkungen geleitet werden, die mit diesen Attributen verbunden sind. Eine hohe Verlustleistung kann zum Beispiel die Operationsgeschwindigkeit einschränken, oder die physikalische Größe des Speichermoduls kann die Dichte des Moduls begrenzen.
  • Diese Attribute diktieren im Allgemeinen die Designparameter des Speichermoduls und erfordern normalerweise, dass das Speichersystem die Operationsgeschwindigkeit herunterfährt, wenn das Speicheruntersystem mit mehreren Speichervorrichtungen bestückt ist, um Speicherkarten mit höherer Dichte bereitzustellen.
  • ÜBERBLICK
  • Bei bestimmten Ausführungsformen wird ein Speichermodul bereitgestellt. Das Speichermodul weist wenigstens eine gedruckte Leiterplatte und eine Vielzahl von Speichervorrichtungen auf, die mechanisch mit der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte verbunden sind. Das Speichermodul weist des Weiteren eine Steuerschaltung auf, die mechanisch mit der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte verbunden ist. Die Steuerschaltung ist dazu konfigurierbar, Steuersignale von einem Systemspeichercontroller zu empfangen und Modulsteuersignale an die Vielzahl von Speichervorrichtungen zu senden. Das Speichermodul weist des Weiteren eine Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen auf, die mechanisch mit der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte verbunden und an entsprechenden Positionen bezüglich der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte verteilt sind. Die Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen ist dazu konfigurierbar, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller verbunden zu werden, und dazu konfigurierbar, Modulsteuersignale von der Steuerschaltung zu empfangen. Wenigstens eine erste Datenübertragungsschaltung der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen ist betriebsbereit mit wenigstens zwei Speichervorrichtungen der Vielzahl von Speichervorrichtungen verbunden. Wenigstens eine zweite Datenübertragungsschaltung der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen ist betriebsbereit mit wenigstens zwei Speichervorrichtungen der Vielzahl von Speichervorrichtungen verbunden. Die wenigstens eine erste Datenübertragungsschaltung ist dazu konfigurierbar, auf die Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller und wenigstens einer ausgewählten Speichervorrichtung der wenigstens zwei Speichervorrichtungen, die betriebsbereit mit der wenigstens einen ersten Datenübertragungsschaltung verbunden sind, selektiv zulässt oder verhindert. Die wenigstens eine zweite Datenübertragungsschaltung ist dazu konfigurierbar, auf die Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller und wenigstens einer ausgewählten Speichervorrichtung der wenigstens zwei Speichervorrichtungen, die betriebsbereit mit der wenigstens einen zweiten Datenübertragungsschaltung verbunden sind, selektiv zulässt oder verhindert.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen wird ein Speichermodul breitgestellt. Das Speichermodul weist eine Vielzahl von Speichervorrichtungen und einen Controller auf, der dazu konfiguriert ist, Steuerinformationen von einem Systemspeichercontroller zu empfangen und Modulsteuersignale zu erzeugen. Das Speichermodul weist des Weiteren eine Vielzahl von Schaltungen auf, die dazu konfiguriert sind, die Vielzahl von Speichervorrichtungen selektiv von dem Systemspeichercontroller zu isolieren. Die Schaltungen sind dazu betreibbar, im Ansprechen auf die Modulsteuersignale Schreibdaten von dem Systemspeichercontroller an die Vielzahl von Speichervorrichtungen zu treiben und Lesedaten von der Vielzahl von Speichervorrichtungen an den Systemspeichercontroller zusammenzuführen. Die Schaltungen sind an entsprechenden Positionen, die voneinander getrennt sind, verteilt.
  • Ein Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls weist eine Vielzahl von Speichervorrichtungen auf. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen einer Datenübertragungsschaltung an einer Datenleitung zwischen einem Speichercontroller eines Computersystems und der Vielzahl von Speichervorrichtungen des Speichermoduls. Die Datenübertragungsschaltung weist einen byteweisen Puffer auf. Das Verfahren umfasst des Weiteren, während einer Schreiboperation, das Aktivieren der Datenübertragungsschaltung, um ein Datensignal von dem Speichercontroller des Computersystems auf einem einer Vielzahl von Pfaden an die Speichervorrichtungen des Speichermoduls zu treiben. Das Verfahren umfasst des Weiteren, während einer Leseoperation, das Aktivieren der Datenübertragungsschaltung, um eine Vielzahl von Datensignalen von den Speichervorrichtungen des Speichermoduls zusammenzuführen und das zusammengeführte Datensignal an den Speichercontroller des Computersystems zu treiben.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen wird ein Speichermodul bereitgestellt, das eine Vielzahl von Speichervorrichtungen aufweist. Das Speichermodul kann des Weiteren einen Controller aufweisen, der dazu konfiguriert ist, Steuerinformationen von einem Systemspeichercontroller zu empfangen und Modulsteuersignale zu erzeugen. Bei einigen Ausführungsformen weist das Speichermodul einen Schaltkreis auf, der dazu konfiguriert ist, die Vielzahl von Speichervorrichtungen von dem Systemspeichercontroller zu isolieren. Der Schaltkreis kann dazu betreibbar sein, im Ansprechen auf die Modulsteuersignale Schreibdaten von dem Systemspeichercontroller an die Vielzahl von Speichervorrichtungen zu treiben, und bei einigen Ausführungsformen Lesedaten von der Vielzahl von Speichervorrichtungen an den Systemspeichercontroller zusammenzuführen.
  • Ein Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls weist eine Vielzahl von Speichervorrichtungen auf. Das Verfahren kann das Bereitstellen eines lastreduzierenden Schaltkreises an einer Datenleitung zwischen einem Speichercontroller des Computersystems und der Vielzahl von Speichervorrichtungen des Speichermoduls umfassen. Das Verfahren umfasst während einer Schreiboperation das Aktivieren des lastreduzierenden Schaltkreises, um ein Datensignal von dem Speichercontroller des Computersystems auf einem einer Vielzahl von Pfaden an die Speichervorrichtungen des Speichermoduls zu treiben. Das Verfahren umfasst während einer Leseoperation das Aktivieren des lastreduzierenden Schaltkreises, um eine Vielzahl von Datensignalen von den Speichervorrichtungen des Speichermoduls zusammenzuführen und das zusammengeführte Datensignal an den Speichercontroller des Computersystems zu treiben.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Ein vollständiges Verständnis der Erfindung kann durch Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erhalten werden, wenn sie in Zusammenhang mit der nachfolgenden detaillierten Beschreibung betrachtet werden. Es zeigt:
  • 1A eine schematische Darstellung eines herkömmlichen Speicheruntersystems, das mit wenigstens einem Speichermodul mit zwei Reihen vom JEDEC-Standard bestückt ist.
  • 1B eine schematische Darstellung eines herkömmlichen Speicheruntersystems, das mit wenigstens einem Speichermodul mit vier Reihen vom JEDEC-Standard bestückt ist.
  • 2A eine schematische Darstellung eines anderen herkömmlichen Speicheruntersystems, das mit wenigstens einem Speichermodul mit zwei Reihen bestückt ist.
  • 2B eine schematische Darstellung eines anderen herkömmlichen Speicheruntersystems, das mit wenigstens einem Speichermodul mit vier Reihen bestückt ist.
  • 2C und 2D schematische Darstellungen eines herkömmlichen Speichermoduls mit zwei Reihen bzw. eines herkömmlichen Speichermoduls mit vier Reihen, die jeweils einen Speicherpuffer aufweisen.
  • 3A eine schematische Darstellung eines beispielhaften Speicheruntersystems gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
  • 3B eine schematische Darstellung eines anderen beispielhaften Speicheruntersystems gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen.
  • 3C eine schematische Darstellung eines beispielhaften Aufbaus der Speichervorrichtungen, der Datenübertragungsschaltungen und der Steuerschaltung eines Speichermoduls gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen.
  • 3D eine Abbildung eines beispielhaften Speicheruntersystems gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen.
  • 4A eine schematische Darstellung eines beispielhaften Speicheruntersystems, das eine Datenübertragungsschaltung mit einer Bitbreite aufweist, die identisch mit derjenigen der einzelnen Speichervorrichtungen ist.
  • 4B eine schematische Darstellung eines beispielhaften Speicheruntersystems, das eine Datenübertragungsschaltung mit einer Bitbreite aufweist, die sich von derjenigen der einzelnen Speichervorrichtungen unterscheidet.
  • 5 eine schematische Darstellung einer beispielhaften Ausführungsform einer Datenübertragungsschaltung, die mit dem Speicheruntersystem von 3A kompatibel ist.
  • 6 ein beispielhaftes Zeitdiagramm, das den Betrieb des Speichersystems von 3A und 5 zeigt.
  • Der Deutlichkeit und Kürze halber sind gleiche Elemente und Komponenten in den Figuren mit gleichen Bezeichnungen und Nummern versehen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Ein Verfahren zum Erhöhen des Speicherplatzes basiert auf einem Adressdecodierungsschema. Dieses Verfahren ist in der Elektronikindustrie beim Gestalten von Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Vorrichtungen bzw. anwendungsspezifischen integrierten Schaltungen und System-On-Chip (SOC) Vorrichtungen bzw. System-auf-Chip-Vorrichtungen weit verbreitet, um Systemspeicher zu erweitern. Ein anderes Verfahren erhöht den adressierbaren Speicherplatz ohne beträchtliche Änderung der Software oder Hardware eines bestehenden Elektroniksystems. Dieses Verfahren kombiniert Chipauswahlsignale mit einem Adresssignal, um die Anzahl physikalisch adressierbarer Speicherplätze zu erhöhen (z. B. um einen Faktor 2, um einen Faktor 4, um einen Faktor 8, oder auch um andere Faktoren).
  • Diese Verfahren weisen mehrere Mängel auf. Beispielsweise wird, weil diese Verfahren den adressierbaren Speicherplatz erhöhen, indem sie Speicherchips direkt hinzufügen, den Ausgängen des Systemcontrollers und den Ausgängen der Speichervorrichtungen größere Last zugeführt, was zu einem langsameren System führt. Auch führt das Erhöhen der Anzahl der Speichervorrichtungen zu größerer Verlustleistung. Außerdem weichen, weil eine Erhöhung der Anzahl der Speichervorrichtungen bei jedem Speichermodul die physikalischen Eigenschaften des Speichermoduls ändert, während die Systemplatte gleich bleibt, die Welleneigenschaften des Gesamtsignals (Übertragungsleitung) von der Absicht oder Spezifikation der Ursprungsgestaltung ab. Des Weiteren wird, insbesondere wenn registrierte DIMMs (RDIMMs) verwendet werden, die Erhöhung der Anzahl der Speichervorrichtungen in eine Erhöhung der verteilten RC-Last auf den Datenpfaden, aber nicht auf den Steuerpfaden (z. B. Adresspfaden), umgesetzt, wodurch zwischen den Datensignalpfaden und den Steuersignalpfaden eine ungleichmäßige Signalfortpflanzungsverzögerung eingeführt wird. In der vorliegenden Verwendung umfassen die Begriffe „Steuerleitungen” und „Steuerpfade” Adressleitungen oder -pfade und Befehlsleitungen oder -pfade, und der Begriff „Steuersignale” umfasst Adresssignale und Befehlssignale.
  • Die 1A und 1B zeigen eine Herangehensweise zum Erhöhen der Anzahl von Speichervorrichtungen nach dem Stand der Technik. Insbesondere zeigt 1A ein herkömmliches Speicheruntersystem 100 mit wenigstens einem Speichermodul mit zwei Reihen 110 vom JEDEC-Standard, zum Beispiel ein registriertes Dual In-Line Memory Module (RDIMM) bzw. einen registrierten doppelreihigen Speicherbaustein, wovon aus Gründen der Klarheit nur eines gezeigt ist. Jede Reihe des Speichermoduls 110 weist eine Vielzahl von Speichervorrichtungen 112 auf, zum Beispiel Dynamic Random Access Memory (DRAM) Vorrichtungen oder Synchronous DRAM (SDRAM) Vorrichtungen. Ein Register 130 empfängt eine Vielzahl von Steuerleitungen 140 (die als einzige durchgehende Line gezeigt sind) von dem Systemspeichercontroller 120 und ist über Steuerleitungen 142 mit den Speichervorrichtungen 112 jeder Reihe des Speichermoduls 110 verbunden. Dieses Speicheruntersystem 100 verbindet jede Datenleitung einer Anordnung von Datenleitungen 150 (die als gestrichelte Linien gezeigt sind) von einem Systemspeichercontroller 120 mit korrespondierenden Speichervorrichtungen 112 in den beiden Reihen in jedem Speichermodul 110. Daher erfährt der Systemspeichercontroller 120 während einer Schreiboperation alle Speichervorrichtungen 112 als Last über die Datenleitungen 150, und während einer Leseoperation erfährt jede Speichervorrichtung 112 mehrere andere Speichervorrichtungen 112, sowie den Systemspeichercontroller 120, als Last über die Datenleitungen 150.
  • 1B ist eine schematische Ansicht eines anderen herkömmlichen Speicheruntersystems 100' mit wenigstens einem Speichermodul mit vier Reihen 110' vom JEDEC-Standard (von denen aus Klarheitsgründen nur eines gezeigt ist), wobei jede Reihe eine Vielzahl von Speichervorrichtungen 112' aufweist. Das Register 130' empfängt die Vielzahl von Steuerleitungen 140' (die als einzige durchgezogene Linie gezeigt sind) von dem Systemspeichercontroller 120' und ist über Steuerleitungen 142' mit den Speichervorrichtungen 112' jeder Reihe des Speichermoduls 110' verbunden. Jede Datenleitung der Anordnung von Datenleitungen 150' (als gestrichelte Linien gezeigt) von dem Systemspeichercontroller 120' ist (z. B. durch vier Ausgangsverzweigungen) mit korrespondierenden Speichervorrichtungen 112' in den vier Reihen in jedem Speichermodul 110' verbunden. Daher erfährt, wie bei dem in 1A gezeigten Speichermodul mit zwei Reihen 110, während einer Schreiboperation der Systemspeichercontroller 120' alle Speichervorrichtungen 112' als Last über die Datenleitungen 150', und während einer Leseoperation erfährt jede Speichervorrichtung 112' mehrere andere Speichervorrichtungen 112' und den Systemspeichercontroller 120' als Last über die Datenleitungen 150'.
  • Sowohl für das herkömmliche Speichermodul mit zwei Reihen 110 als auch für das herkömmliche Speichermodul mit vier Reihen 110' verursachen die mehreren Lasten, die von dem Speichercontroller 120, 120' während Schreiboperationen erfahren werden, und die mehreren Lasten, die von den Speichervorrichtungen 112, 112' während Leseoperationen erfahren werden, signifikante Leistungsprobleme. Für einen Synchronbetrieb wird zum Beispiel gewünscht, dass Zeitverzögerungen der verschiedenen Signale im Wesentlichen zueinander gleich sind, so dass der Betrieb des Speichermoduls 110, 110' mit dem Systembus des Computersystems synchronisiert ist. Somit werden die Spurlängen des Speichermoduls 110, 110' so gewählt, dass die Signale dieselbe Taktphase haben. Beispielsweise sind die Längen der Steuerleitungen 142, 142' vom Register 130, 130' zu jeder der Speichervorrichtungen 112, 112' im Wesentlichen gleich zueinander. Für schnellere Taktgeschwindigkeiten machen jedoch geringe Fehler in den Spurlängen einen derartigen synchronen Betrieb schwierig oder unmöglich. Daher verringern diese Techniken des Stands der Technik nicht nur die Geschwindigkeit der Speichersysteme, sondern sie erfordern auch Hardwaremodifizierungen, um jegliche Abweichung der Welleneigenschaften der Übertragungsleitung von der Spezifikation der Ursprungsgestaltung zu minimieren.
  • Die 2A und 2B zeigen eine andere Herangehensweise des Stands der Technik, um die Anzahl von Speichervorrichtungen zu erhöhen. Insbesondere zeigt 2A ein herkömmliches Speicheruntersystem 200 mit wenigstens einem Speichermodul mit zwei Reihen 210, von denen der Klarheit halber nur eines gezeigt ist. Jede Reihe des Speichermoduls 210 weist eine Vielzahl von Speichervorrichtungen 212 auf, zum Beispiel Dynamic Random Access Memory (DRAM) Vorrichtungen oder Synchronous DRAM (SDRAM) Vorrichtungen. Ein Register 230 empfängt eine Vielzahl von Steuerleitungen 240 (die als einzige durchgehende Line gezeigt sind) von dem Systemspeichercontroller 220 und ist über Steuerleitungen 242 mit den Speichervorrichtungen 212 jeder Reihe des Speichermoduls 210 verbunden. Dieses Speicheruntersystem 200 verbindet jede Datenleitung einer Anordnung von Datenleitungen 250 (die als gestrichelte Linien gezeigt sind) von einem Systemspeichercontroller 220 mit korrespondierenden Speichervorrichtungen 212 in den beiden Reihen in jedem Speichermodul 210. Daher erfährt der Systemspeichercontroller 220 während einer Schreiboperation alle Speichervorrichtungen 212 als Last über die Datenleitungen 250, und während einer Leseoperation erfährt jede Speichervorrichtung 212 mehrere andere Speichervorrichtungen 212, sowie den Systemspeichercontroller 220, als Last über die Datenleitungen 250.
  • 2B ist eine schematische Ansicht eines anderen herkömmlichen Speicheruntersystems 200' mit wenigstens einem Speichermodul mit vier Reihen 210' vom JEDEC-Standard (von denen aus Klarheitsgründen nur eines gezeigt ist), wobei jede Reihe eine Vielzahl von Speichervorrichtungen 212' aufweist. Das Register 230' empfängt die Vielzahl von Steuerleitungen 240' (die als einzige durchgezogene Linie gezeigt sind) von dem Systemspeichercontroller 220' und ist über Steuerleitungen 242' mit den Speichervorrichtungen 212' jeder Reihe des Speichermoduls 210' verbunden. Jede Datenleitung der Anordnung von Datenleitungen 250' (als gestrichelte Linien gezeigt) von dem Systemspeichercontroller 220' ist (z. B. durch vier Ausgangsverzweigungen) mit korrespondierenden Speichervorrichtungen 212' in den vier Reihen in jedem Speichermodul 210' verbunden. Daher erfährt, wie bei dem in 2A gezeigten Speichermodul mit zwei Reihen 210, während einer Schreiboperation der Systemspeichercontroller 220' alle Speichervorrichtungen 212' als Last über die Datenleitungen 250', und während einer Leseoperation erfährt jede Speichervorrichtung 212' mehrere andere Speichervorrichtungen 212' und den Systemspeichercontroller 220' als Last über die Datenleitungen 250'.
  • Für die Speichermodule 210, 210' haben die Steuerleitungen 242, 242' eine „fly-by” bzw. „Vorbeiflug”-Konfiguration. Bei einer solchen Konfiguration werden Steuersignale entlang der Steuerleitungen 242, 242' (zum Beispiel in einer Einpfad-Verkettung) von dem Register 230, 230' zu den Speichervorrichtungen 212, 212' einer gegebenen Reihe gesendet. Diese Steuersignale erreichen jede Speichervorrichtung 212, 212' der Reihe sequenziell, wobei die Steuersignale zuerst die Speichervorrichtung 212, 212' erreichen, die die kürzeste Steuerleitung 242, 242' hat, dann die Speichervorrichtung 212, 212' erreichen, die die nächstkurze Steuerleitung 242, 242' hat, und so weiter. Beispielsweise kann ein Steuersignal die Speichervorrichtung 212, 212', die die längste Steuerleitung 242, 242' hat, einen beträchtlichen Zeitraum später erreichen, als dasselbe Steuersignal die Speichervorrichtung 212, 212', die die kürzeste Steuerleitung 242, 242' hat, erreicht. Für einen Synchronbetrieb haben die Speicheruntersysteme 200, 200' die Datenleitungen 250, 250' derart konfiguriert, dass die Zeitverzögerungen der verschiedenen Datensignale zwischen dem Speichercontroller 220, 220' und den bestimmten Speichervorrichtungen 212, 212' im Wesentlichen so zugeschnitten sind, dass die Datensignale und die Steuersignale die bestimmte Speichervorrichtung 212, 212' so erreichen, dass der Betrieb des Speichermoduls 210, 210' mit dem Systembus des Computersystems synchronisiert ist. Solche „Vorbeiflug”-Konfigurationen sind so beschrieben, dass sie im „local sync” bzw. lokal synchron arbeiten, während sie „global async” bzw. global asynchron sind.
  • Für solche „Vorbeiflug”-Konfigurationen ist der Speichercontroller 220, 220' der 2A und 2B komplizierter als der Speichercontroller 120, 120' der 1A und 1B, weil der Speichercontroller 220, 220' den Zeitverzögerungen zwischen den verschiedenen Speichervorrichtungen 212, 212' Rechnung trägt und die Zeitsteuerung für diese Signale für den Synchronbetrieb entsprechend anpasst. Bei einigen Situationen ist jedoch die Taktzykluszeit gleich oder geringer als die Zeitdifferenz (z. B. ca. 900 Pikosekunden) zwischen den Steuersignalen, die die Speichervorrichtung 212, 212', die die längste Steuerleitung 242, 242' hat, und die Speichervorrichtung 212, 212', die die kürzeste Steuerleitung 242, 242' hat, erreichen. Bei solchen Situationen ist kein Synchronbetrieb erzielbar. Somit stellt die Zeitdifferenz zwischen den Steuersignalen, die die Speichervorrichtungen 212, 212' an den Extremen der Steuerleitungen 242, 242' erreichen, eine Begrenzung für die Taktgeschwindigkeit dar, mit der das Speichermodul 210, 210' betrieben werden kann. Diese Zeitdifferenzen, die mehr als einen Taktzyklus betragen können, schränken die Betriebsgeschwindigkeit und die Leistung des Speichermoduls ein. Außerdem leiden, wie bei den Speicheruntersystemen 100, 100' der 1A und 1B, die „Vorbeiflug”-Speichersysteme 200, 200' der 2A und 2B an großen Lasten, die zu langsameren Taktgeschwindigkeiten führen.
  • Ein jüngster Vorschlag für die „Vorbeiflug”-Konfigurationen ist, einen Speicherpuffer bereitzustellen, der sowohl die Steuersignale als auch die Datensignale bearbeitet. Die 2C und 2D zeigen schematisch ein herkömmliches Speichermodul mit zwei Reihen 310 bzw. ein Speichermodul mit vier Reihen 310', die jeweils einen Speicherpuffer 330, 330' aufweisen. Die Steuerleitungen 340, 340' stellen Kanäle für Steuersignale von dem Speicherpuffer 330, 330' zu den Speichervorrichtungen 312, 312' bereit, und die Steuerleitungen 342, 342' stellen Kanäle für Steuersignale von dem Speicherpuffer 330, 330' zu den Speichervorrichtungen 312, 312' bereit. Die Vielzahl von Datenleitungen 350, 350' (die aus Gründen der Klarheit als eine gestrichelte Linie gezeigt sind) stellen Kanäle für Datensignale von dem Speichercontroller 320, 320' zu dem Speicherpuffer 330, 330' bereit, und Datenleitungen (die aus Gründen der Klarheit nicht gezeigt sind) an dem Speichermodul 310, 310' stellen Kanäle für Datensignale von dem Speichercontroller 320, 320' zu den Speichervorrichtungen 312, 312' bereit.
  • Die Konfigurationen der 2C und 2D zielen darauf ab, dass sowohl die Datensignale als auch die Steuersignale an den Speicherpuffer 330, 330' gehen. Solche Konfigurationen haben jedoch signifikante Nachteile. Um die Datensignale an die verschiedenen Speichervorrichtungen 312, 312' zu senden, weist das Speichermodul 310, 310' eine extrem große Anzahl von Datenleitungen (die aus Gründen der Klarheit nicht gezeigt sind) auf, die den Speicherpuffer 330, 330' mit den Speichervorrichtungen 312, 312' verbinden. Unter bestimmten Umständen ist zum Beispiel der Speicherpuffer 330, 330' für ein LRDIMM eine 628-Pin-Vorrichtung, die extrem groß ist. Außerdem ist die Logistik zum Abstimmen der Zeitverzögerungen dieser vielen Datenleitungen kompliziert oder schwierig, um die gewünschte Zeitsteuerung von Datensignalen von dem Speicherpuffer 330, 330' an die Speichervorrichtungen 312, 312' bereitzustellen. Das Speichermodul 310, 310' verwendet auch signifikante Modifizierungen des Speichercontrollers 320, 320', weil der Speicherpuffer 330, 330' einen Teil der Steuerung der Datensignal-Zeitsteuerung, die herkömmliche Speichercontroller haben, übernimmt. Ebenso können die Speichermodule 310, 310' der 2C und 2D, aufgrund der langen „Vorbeiflug”-Zeiten im Vergleich zu den gewünschten Taktfrequenzen, nur im asynchronen Modus und nicht im synchronen Modus arbeiten. Für eine „Vorbeiflug”-Verzögerung von beispielsweise 1 Nanosekunde besteht, wenn die Datenrate 1 Gb/Sekunde ist, die Möglichkeit von Kollisionen auf den Datenleitungen während einer Lese-/Schreib-Wende. Um solche Kollisionen zu bekämpfen, kann die Datenrate verlangsamt werden oder „tote” Zyklen können eingeführt werden. Das Speichermodul 310, 310' kann als Einzeleinheit nicht im synchronen Modus betrieben werden, arbeitet jedoch lokal synchron, global (DIMM-Ebene) asynchron.
  • 3A zeigt schematisch ein beispielhaftes Speicheruntersystem 400 mit lastreduzierten Speichermodulen 402 gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen. 3B zeigt schematisch ein anderes beispielhaftes Speicheruntersystem 400' mit lastreduzierten Speichermodulen 402' gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen. 3C zeigt schematisch einen beispielhaften Aufbau der Speichervorrichtungen 412', der Datenübertragungsschaltungen 416' und der Steuerschaltung 430' eines Speichermoduls 402' gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen. 3D ist eine Abbildung eines beispielhaften Speicheruntersystems gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen. In den 3A bis 3C sind Steuerleitungen (z. B. die Adress- und Steuerleitungen 440, 440', die den Systemspeichercontroller 420, 420' mit den Speichermodulen 410, 410' verbinden) als gestrichelte Linien gezeigt, Datenleitungen (z. B. die Datenleitungen 450, 450', die den Systemspeichercontroller 420, 420' mit den Speichermodulen 410, 410' verbinden) sind als durchgezogene Linien gezeigt, und in den 3A und 3B sind Eingangs-/Ausgangsverbindungen als schwarze Punkte dargestellt. Bei bestimmten Ausführungsformen sind, wie in den 3A bis 3C schematisch dargestellt ist, die Adress- und Steuerleitungen 440, 440', die den Systemspeichercontroller 420, 420' mit dem Speichermodul 410, 410' (z. B. mit der Steuerschaltung 430, 430') verbinden, von den Datenleitungen 450, 450', die den Systemspeichercontroller 420, 420' mit dem Speichermodul 410, 410' (z. B. mit den Datenübertragungsschaltungen 416, 416') verbinden, getrennt. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das Speicheruntersystem 400, 400' zum Beispiel dazu ausgelegt, höhere Geschwindigkeit und höhere Speicherdichte mit geringerer Verlustleistung im Vergleich zu herkömmlichen Speicheruntersystemen zu liefern. In der folgenden Erläuterung sollten Aspekte des beispielhaften Untersystems 400 und korrespondierender Komponenten (z. B. Speichermodule 402, Speichervorrichtungen 412A, 412B, 412C, 412D, Datenübertragungsschaltungen 416, Steuerschaltung 430) und des beispielhaften Untersystems 400' und korrespondierender Komponenten (z. B. Speichermodule 402', Speichervorrichtungen 412'A 1, 412'A 2, 412'B 1, 412'B 2, 412'C 1, 412'C 2, 412'D 1, 412'D 2, Datenübertragungsschaltungen 416', Steuerschaltung 430') so verstanden werden, dass sie auch für bestimmte andere Ausführungsformen zutreffen.
  • Wie in den 3A und 3B schematisch dargestellt ist, weist das beispielhafte Speichermodul 402, 402' wenigstens eine gedruckte Leiterplatte 410, 410' und eine Vielzahl von Speichervorrichtungen 412, 412' auf, die mechanisch mit der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte 410, 410' verbunden sind. Das Speichermodul 402, 402' weist des Weiteren eine Steuerschaltung 430, 430' auf, die mechanisch mit der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte 410, 410' verbunden ist. Die Steuerschaltung 430, 430' ist dazu konfigurierbar, Steuersignale von dem Systemspeichercontroller 420, 420' zu empfangen und Modulsteuersignale an die Vielzahl von Speichervorrichtungen 412, 412' zu übertragen. Das Speichermodul 402, 402' weist des Weiteren eine Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen 416, 416' auf, die mechanisch mit der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte 410, 410' verbunden und an entsprechenden Positionen bezüglich der wenigstens einen gedruckten Leiterplatte 410, 410' verteilt sind. Die Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen 416, 416' sind dazu konfigurierbar, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller 420, 420' verbunden zu werden und dazu konfigurierbar, Modulsteuersignale von der Steuerschaltung 430, 430' zu empfangen. Wenigstens eine erste Datenübertragungsschaltung der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen 416, 416' ist betriebsbereit mit wenigstens zwei Speichervorrichtungen der Vielzahl von Speichervorrichtungen 412, 412' verbunden. Wenigstens eine zweite Datenübertragungsschaltung der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen 416, 416' ist betriebsbereit mit wenigstens zwei Speichervorrichtungen der Vielzahl von Speichervorrichtungen 412, 412' verbunden. Die wenigstens eine erste Datenübertragungsschaltung ist dazu konfigurierbar, auf die Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420, 420' und wenigstens einer ausgewählten Speichervorrichtung der wenigstens zwei Speichervorrichtungen, die betriebsbereit mit der wenigstens einen ersten Datenübertragungsschaltung verbunden sind, selektiv zulässt oder verhindert. Die wenigstens eine zweite Datenübertragungsschaltung ist dazu konfigurierbar, auf die Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420, 420' und wenigstens einer ausgewählten Speichervorrichtung der wenigstens zwei Speichervorrichtungen, die betriebsbereit mit der wenigstens einen zweiten Datenübertragungsschaltung verbunden sind, selektiv zulässt oder verhindert.
  • Wie in den 3A und 3B gezeigt ist, ist das Speicheruntersystem 400, 400' dazu konfigurierbar, betriebsbereit mit einem Systemspeichercontroller 420, 420' eines in der Technik bekannten Typs (z. B. Intel Nehalem EP, EX Chipsätze; AMD Opteron Chipsatz) verbunden zu werden. Das Speicheruntersystem 400, 400' weist typischerweise ein oder mehrere Speichermodule 402, 402', wie zum Beispiel DIMMs oder RDIMMs, auf, von denen zusätzliche Details aus Gründen der Klarheit nur für eines gezeigt sind. Verschiedene Arten von Speichermodulen 402, 402' sind mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel. Beispielsweise sind Speichermodule, die Speicherkapazitäten von 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB sowie andere Kapazitäten haben, mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel. Außerdem sind Speichermodule mit Breiten von 4 Bytes, 8 Bytes, 9 Bytes, 16 Bytes, 32 Bytes oder 32 Bits, 64 Bits, 72 Bits, 128 Bits, 256 Bits sowie anderen Breiten (in Bytes oder in Bits) mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel. Des Weiteren weisen Speichermodule 420, 420', die mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel sind, Single In-Line Memory Modules (SIMMs) bzw. einreihige Speicherbausteine, Dual In-Line Memory Modules (DIMMs) bzw. doppelreihige Speicherbausteine, Small-Outline DIMMs (SO-DIMMs) bzw. DIMMs mit kleinem Grundriss, Unbuffered DIMMs (UDIMMs) bzw. DIMMs ohne Puffer, Registered DIMMs (RDIMMs) bzw. registrierte DIMMs, Fully-Buffered DIMMs (FBDIMMs) bzw. voll gepufferte DIMMS, Mini-DIMMs und Micro-DIMMs auf.
  • Das eine oder die mehreren Speichermodule 402, 402' weist/weisen eine oder mehrere gedruckte Leiterplatten bzw. Printed Circuit Boards (PCB) 410, 410' auf, die in einem vertikalen Stapel (wie gezeigt) oder in einer Rücken-an-Rücken-Anordnung angeordnet sein können. Jedes Speichermodul 402, 402' weist bei bestimmten Ausführungsformen eine einzige PCB 410, 410' auf, während bei bestimmten anderen Ausführungsformen jedes des einen oder der mehreren Speichermodule 402, 402' mehrere PCBs 410, 410' aufweist. Bei einigen Ausführungsformen sind die PCBs 410, 410' in (nicht gezeigten) Modulschlitzen des Computersystems anbringbar. Eine PCB 410, 410' bestimmter derartiger Ausführungsformen hat wenigstens einen Randstecker (nicht gezeigt), der eine Vielzahl elektrischer Kontakte aufweist, die an einem Rand der PCB 410, 410' positioniert und dazu konfiguriert sind, lösbar mit korrespondierenden Kontakten eines Computersystem-Sockels verbunden zu werden, um elektrische Leitfähigkeit zwischen dem Systemspeichercontroller 420, 420' und den verschiedenen Komponenten der Speichermodule 402, 401' auf den PCBs 410, 410' bereitzustellen.
  • Wenigstens ein Speichermodul 402, 402' weist eine Vielzahl von Speichervorrichtungen 412, 412' (wie zum Beispiel DRAMs oder SDRAMs) auf. Die Speichervorrichtungen 412, 412' des Speichermoduls 402, 402' können vorteilhaft in einer Vielzahl von Reihen angeordnet sein. Speichervorrichtungen 412, 412', die mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel sind, umfassen, sind jedoch nicht beschränkt auf, Random Access Memory (RAM) bzw. Speicher mit wahlfreiem Zugriff, Dynamic Random Access Memory (DRAM) bzw. dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff, Synchronous DRAM (SDRAM) bzw. synchrone DRAM und Double-Data-Rate DRAM bzw. Doppeldatenrate-DRAM (z. B. DDR, DDR2, DDR3, etc.). Außerdem sind Speichervorrichtungen 412, 412', die Bitbreiten von 4, 8, 16, 32 sowie andere Bitbreiten haben, mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel. Speichervorrichtungen 412, 412', die mit vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel sind, haben eine Konfektionierung, die Thin Small-Outline Package (TSOP) bzw. dünnes Package mit kleinem Grundriss, Ball-Grid-Array (BGA) bzw. Kugelgitteranordnung, Fine-Pitch BGA (FBGA) bzw. Kugelgitteranordnung mit feinem Rastermaß, Micro-BGA (μBGA), Mini-BGA (mBGA) und Chip-Scale Packaging (CSP) bzw. Gehäuse in der Größenordnung des Chips einschließt, jedoch nicht hierauf beschränkt ist.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen sind die Speichervorrichtungen 412, 412' des Speichermoduls 402, 402' in vier Reihen angeordnet, obwohl Ausführungsformen mit weniger als vier Reihen (z. B. eine Reihe, zwei Reihen, drei Reihen) oder mehr als vier Reihen (z. B. 6 Reihen, 8 Reihen) pro Speichermodul 402, 402' verwendet werden können. Bei bestimmten Ausführungsformen weist jede Reihe acht oder neun Speichermodule auf, während bei bestimmten anderen Ausführungsformen andere Anzahlen von Speichermodulen pro Reihe ebenfalls verwendet werden können. Bei bestimmten Ausführungsformen, wie schematisch in 3A gezeigt ist, sind die Speichervorrichtungen 412 in vier Reihen angeordnet, die mit A, B, C und D bezeichnet sind, und jede Reihe weist n Speichervorrichtungen auf. Zum Zweck der vorliegenden Offenbarung weist bei dem beispielhaften Speicheruntersystem 400 von 3A die Reihe A Speichervorrichtungen 412A 1, 412A 2, ..., 412A n auf, die Reihe B weist Speichervorrichtungen 412B 1, 412B 2, ..., 412B n auf, die Reihe C weist Speichervorrichtungen 412C 1, 412C 2, ..., 412C n auf, und die Reihe D weist Speichervorrichtungen 412D 1, 412D 2, ..., 412D n auf. Zum Zweck der vorliegenden Offenbarung weist bei dem beispielhaften Speicheruntersystem 400' von 3B die Reihe A Speichervorrichtungen 412'A 1, 412'A 2, ..., 412'A n auf, die Reihe B weist Speichervorrichtungen 412'B 1, 412'B 2, ..., 412'B n auf, die Reihe C weist Speichervorrichtungen 412'C 1, 412'C 2, ..., 412'C n auf, und die Reihe D weist Speichervorrichtungen 412'D 1, 412'D 2, ..., 412'D n auf.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen weist wenigstens ein Speichermodul 402, 402' eine oder mehrere elektrische Komponenten (nicht gezeigt) auf, die an der PCB 410, 410', in der PCB 410, 410' oder sowohl an als auch in der PCT 410, 410' angebracht sein können, und die betriebsbereit miteinander und mit der Vielzahl von Speichervorrichtungen 412, 412' verbunden sind. Die elektrischen Komponenten können zum Beispiel oberflächenmontiert, in einer Durchgangsbohrung montiert, zwischen Schichten der PCB 410, 410' eingebettet oder „begraben” sein, oder anderweitig mit der PCB 410, 410' verbunden sein. Diese elektrischen Komponenten können einschließen, sind jedoch nicht beschränkt auf, elektrische Leitungen, Widerstände, Kondensatoren, Induktoren, Transistoren, Puffer, Register, logische Elemente oder andere Schaltungselemente. Bei bestimmten Ausführungsformen sind wenigstens einige dieser elektrischen Komponenten diskret, während bei anderen bestimmten Ausführungsformen wenigstens einige dieser elektrischen Komponenten Bestandteile einer oder mehrere integrierter Schaltungen sind.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen weist wenigstens ein Speichermodul 402, 402' eine Steuerschaltung 430, 430' auf, die dazu konfiguriert ist, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller 420, 420' und mit den Speichervorrichtungen 412, 412' des Speichermoduls 402, 402' (z. B. über die Leitungen 442, 442') verbunden zu werden. Bei bestimmten Ausführungsformen kann die Steuerschaltung 430, 430' eine oder mehrere Funktionsvorrichtungen aufweisen, zum Beispiel ein Programmable-Logic Device (PLD) bzw. eine programmierbare logische Schaltung, eine Application-Specific Integrated Circuit (ASIC) bzw. eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung, ein Field-Programmable Gate Array (FPGA) bzw. eine im Feld programmierbare Gatter-Anordnung, eine auf die Kundenbedürfnisse zugeschnittene Halbleitervorrichtung oder ein Complex Programmable-Logic Device (CPLD) bzw. eine komplexe programmierbare logische Schaltung. Bei bestimmten Ausführungsformen kann die Steuerschaltung 430, 430' eine oder mehrere benutzerdefinierte Vorrichtungen aufweisen. Bei bestimmten Ausführungsformen kann die Steuerschaltung 430, 430' verschiedene diskrete elektrische Elemente aufweisen, während bei anderen Ausführungsformen die Steuerschaltung 430, 430' eine oder mehrere integrierte Schaltungen aufweisen kann.
  • Die Steuerschaltung 430, 430' bestimmter Ausführungsformen ist dazu konfigurierbar, betriebsbereit mit Steuerleitungen 440, 440' verbunden zu werden, um Steuersignale (z. B. Bankadresssignale, Reihenadresssignale, Spaltenadresssignale, Adressabtastsignale und Reihenadress- oder Chip-Auswahlsignale) von dem Systemspeichercontroller 420, 420' zu empfangen. Die Steuerschaltung 430, 430' bestimmter Ausführungsformen registriert Signale von den Steuerleitungen 440, 440' auf eine Art und Weise, die hinsichtlich der Funktion mit dem Adressregister eines herkömmlichen RDIMM vergleichbar ist. Die registrierten Steuerleitungen 440, 440' sind ebenfalls betriebsbereit mit den Speichervorrichtungen 412, 412' verbunden. Außerdem liefert die Steuerschaltung 430, 430' Steuersignale für die Datenübertragungsschaltungen 416, 416' (z. B. über die Leitungen 432, 432'), wie unten im Einzelnen beschrieben wird. Die Steuersignale geben zum Beispiel die Richtung des Datenflusses an, d. h. zu oder von den Speichervorrichtungen 412, 412'. Die Steuerschaltung 430, 430' kann zusätzliche Chipauswahlsignale oder Ausgangsfreigabesignale basierend auf Adressdecodierung erzeugen. Beispiele von Schaltungen, die als Steuerschaltung 430, 430' dienen können, sind im Einzelnen in den US-Patenten Nr. 7,289,386 und 7,532,537 beschrieben, die jeweils vollumfänglich unter Bezugnahme hier aufgenommen sind.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen weist wenigstens ein Speichermodul 402, 402' eine Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen 416, 416' auf, die an der einen oder den mehreren PCBs 410, 410', in der einen oder den mehreren PCBs 410, 410' oder sowohl an als auch in der einen oder den mehreren PCBs 410, 410' angebracht sind. Die Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen 416, 416' sind betriebsbereit mit der Steuerschaltung 430, 430' (z. B. über die Leitungen 432, 432') verbunden und dazu konfiguriert, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller 420, 420' (z. B. über die Datenleitungen 450, 450') verbunden zu werden, nachdem das Speichermodul 402, 402' betriebsbereit mit dem Computersystem verbunden worden ist. Bei bestimmten Ausführungsformen können diese Datenübertragungsschaltungen 416, 416' als „lastreduzierende Schaltungen” oder „lastreduzierende Schaltkreise” bezeichnet werden. In der vorliegenden Verwendung beziehen sich die Ausdrücke „lastreduzierend” oder „lastreduzierendes Schalten” auf die Verwendung der Datenübertragungsschaltungen 416, 416', um die von dem Systemspeichercontroller 420, 420' erfahrene Last zu reduzieren, wenn er betriebsbereit mit dem Speichermodul 402, 402' verbunden ist. Bei bestimmten Ausführungsformen, wie schematisch in 3A gezeigt ist, weist das Speichermodul 402 n Datenübertragungsschaltungen 416 auf, wobei n die Anzahl von Speichervorrichtungen pro Reihe des Speichermoduls 410 ist. Wie zum Beispiel in 3A schematisch gezeigt ist, sind die Speichervorrichtungen 412 des Speichermoduls 410 in vier Reihen von jeweils n Speichervorrichtungen angeordnet, und das Speichermodul 410 weist wenigstens eine erste Datenüberragungsschaltung 416 1 und eine zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 auf. Die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 bestimmter derartiger Ausführungsformen ist betriebsbereit mit wenigstens einer Speichervorrichtung 412 jeder Reihe verbunden (z. B. den Speichervorrichtungen 412A 1, 412B 1, 412C 1, 412D 1). Die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 bestimmter derartiger Ausführungsformen ist betriebsbereit mit wenigstens einer Speichervorrichtung 412 jeder Reihe verbunden (z. B. den Speichervorrichtungen 412A 2, 412B 2, 412C 2, 412D 2). Bei bestimmten Ausführungsformen, wie in 3B schematisch gezeigt ist, weist das Speichermodul 402' n/2 Datenübertragungsschaltungen 416' auf, wobei n die Anzahl von Speichervorrichtungen pro Reihe des Speichermoduls 410' ist. Wie zum Beispiel schematisch in 3B gezeigt ist, sind die Speichervorrichtungen 412' des Speichermoduls 410' in vier Reihen von jeweils n Speichervorrichtungen angeordnet, und das Speichermodul 410' weist wenigstens eine erste Datenübertragungsschaltung 416' 1 und eine zweite Datenübertragungsschaltung 416' 2 auf. Die erste Datenübertragungsschaltung 416' 1 bestimmter derartiger Ausführungsformen ist betriebsbereit mit wenigstens zwei Speichervorrichtungen 412' jeder Reihe verbunden (z. B. den Speichervorrichtungen 412'A 1, 412'A 2, 412'B 1, 412'B 2, 412'C 1, 412'C 2, 412'D 1, 412'D 2). Die zweite Datenübertragungsschaltung 416' 2 bestimmter derartiger Ausführungsformen ist betriebsbereit mit wenigstens zwei Speichervorrichtungen 412' jeder Reihe verbunden (z. B. den Speichervorrichtungen 412'A 3, 412'A 4, 412'B 3, 412'B 4, 412'C 3, 412'C 4, 412'D 3, 412'D 4).
  • Bei bestimmten Ausführungsformen schaltet wenigstens eine Datenübertragungsschaltung 416, 416' selektiv zwischen zwei oder mehr Speichervorrichtungen 412, 412', um wenigstens eine ausgewählte Speichervorrichtung 412, 412' mit dem Systemspeichercontroller 420, 420' zu verbinden (z. B. ist die Datenübertragungsschaltung 416, 416' dazu konfigurierbar, auf Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420, 420' und wenigstens einer ausgewählten Speichervorrichtung 420, 420' selektiv zulässt oder verhindert). Bei bestimmten derartigen Ausführungsformen verbindet die wenigstens eine Datenübertragungsschaltung 416, 416' selektiv zwei ausgewählte Speichervorrichtungen betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller 420, 420'. Wie zum Beispiel schematisch in 3A gezeigt ist, ist die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 dazu konfigurierbar, auf Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420 und entweder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412A 1 und 412C 1 oder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412B 1 und 412D 1 selektiv zulässt oder verhindert, und die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 ist dazu konfigurierbar, auf Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420 und entweder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412A 2 und 412C 2 oder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412B 2 und 412D 2 selektiv zulässt oder verhindert. Umgekehrt sind bei einem herkömmlichen Speichermodul ohne die Datenübertragungsschaltungen 416 die zwei oder mehreren Speichervorrichtungen 412 (z. B. die Speichervorrichtungen 412A 1, 412B 1, 412C 1, 412D 1) gleichzeitig betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller 420 verbunden. Eine Datenübertragungsschaltung 416 bestimmter Ausführungsformen puffert bidirektional Datensignale zwischen dem Speichercontroller 420 und den Speichervorrichtungen 412 entsprechend der Datenübertragungsschaltung 416. Als anderes Beispiel ist, wie in 3B schematisch gezeigt ist, die erste Datenübertragungsschaltung 416' 1 dazu konfigurierbar, auf Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420' und entweder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'A 1 und 412'C 1 oder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'B 1 und 412'D 1 und entweder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'A 2 und 412'C 2 oder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'B 2 und 412'D 2 selektiv zulässt oder verhindert, und die zweite Datenübertragungsvorrichtung 416' 2 ist dazu konfigurierbar, auf Modulsteuersignale anzusprechen, indem sie Datenübertragung zwischen dem Systemspeichercontroller 420' und entweder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'A 3 und 412'C 3 oder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'B 3 und 412'D 3 und entweder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'A 4 und 412'C 4 oder den ausgewählten Speichervorrichtungen 412'B 4 und 412'D 4 selektiv zulässt oder verhindert.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen sind zwei oder mehrere der Datenübertragungsschaltungen 416, 416' an entsprechenden Positionen, die voneinander getrennt sind, mechanisch mit der wenigstens PCB 410, 410' verbunden. Wie zum Beispiel schematisch in 3A dargestellt ist, befinden sich die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 und die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 an entsprechenden Positionen, die voneinander getrennt sind (z. B. befindet sich das Package, das die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 enthält, an einer Stelle, die von der Stelle des Package, das die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 enthält, beabstandet ist). Als weiteres Beispiel, wie schematisch in 3B dargestellt ist, befinden sich die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 und die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 an entsprechenden Positionen, die voneinander getrennt sind (z. B. befindet sich das Package, das die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 enthält, an einer Stelle, die von der Stelle des Package, das die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 enthält, beabstandet ist). Bei bestimmten derartigen Ausführungsformen sind zwei oder mehrere der Datenübertragungsschaltungen 416, 416' über eine Oberfläche der PCB 410, 410' des Speichermoduls 402, 402' verteilt. Bei bestimmten Ausführungsformen befinden sich die entsprechenden Positionen von zwei oder mehreren Datenübertragungsschaltungen 416, 416' (z. B. die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 und die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 von 3A oder die erste Datenübertragungsschaltung 416' 1 und die zweite Datenübertragungsschaltung 416' 2 von 3B) entlang eines Rands 411, 411' der wenigstens einen PCB 410, 410', so dass eine Datenübertragungsschaltung 416, 416' im Wesentlichen zwischen dem Rand 411, 411' und wenigstens einigen der wenigstens zwei Speichervorrichtungen 412, 412' angeordnet ist, mit denen die Datenübertragungsschaltung 416, 416' betriebsbereit verbunden ist. Wie zum Beispiel schematisch in 3A gezeigt ist, befindet sich die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 im Wesentlichen zwischen dem Rand 411 und den Speichervorrichtungen 412A 1, 412B 1, 412C 1, 412D 1, mit denen die erste Datenübertragungsschaltung 416 1 betriebsbereit verbunden ist, und die zweite Datenübertragungsschaltung 416 2 befindet sich im Wesentlichen zwischen dem Rand 411 und den Speichervorrichtungen 412A 2, 412B 2, 412C 2, 412D 2, mit denen die zweite Datenübertragungsschaltung 416 1 betriebsbereit verbunden ist. Als anderes Beispiel befindet sich, wie in 3B schematisch gezeigt ist, die erste Datenübertragungsschaltung 416' 1 im Wesentlichen zwischen dem Rand 411' und den Speichervorrichtungen 412'A 1, 412'A 2, 412'B 1, 412'B 2, 412'C 1, 412'C 2, 412'D 1, 412'D 2, mit denen die erste Datenübertragungsschaltung 416' 1 betriebsbereit verbunden ist, und die zweite Datenübertragungsschaltung 416' 2 befindet sich im Wesentlichen zwischen dem Rand 411' und den Speichervorrichtungen 412'A 3, 412'A 4, 412'B 3, 412'B 4, 412'C 3, 412'C 4, 412'D 3, 412'D 4, mit denen die zweite Datenübertragungsvorrichtung 416'2 betriebsbereit verbunden ist.
  • Die 3C und 3D zeigen die Positionierung der Datenübertragungsschaltungen 416' gemäß bestimmter vorliegend beschriebener Ausführungsformen. Bei bestimmten Ausführungsformen ist die Position wenigstens einer der Datenübertragungsschaltungen 416' im Allgemeinen mit einer oder mehreren der Speichervorrichtungen 412' ausgerichtet, mit denen die Datenübertragungsschaltung 416' betriebsbereit verbunden ist. Zum Beispiel können die eine oder mehreren der Datenübertragungsschaltungen 416' und die Speichervorrichtungen 412', mit denen sie betriebsbereit verbunden sind, im Allgemeinen entlang einer Linie positioniert sein, die im Wesentlichen senkrecht zu dem Rand 411' der PCB 410' ist. Bei bestimmten Ausführungsformen ist die Position wenigstens einer der Datenübertragungsschaltungen 416' im Allgemeinen von einer Linie versetzt, die durch die Positionen der einen oder mehreren der Speichervorrichtungen 412' definiert wird, mit denen die Datenübertragungsschaltung 416' betriebsbereit verbunden ist. Wie zum Beispiel in den 3C und 3D gezeigt ist, können die Speichervorrichtungen 412', die betriebsbereit mit einer Datenübertragungsschaltung 416' verbunden sind, entlang einer Linie positioniert sein, die im Wesentlichen senkrecht zu dem Rand 411' der PCB 410' ist, und die Datenübertragungsschaltung 416' kann in einer Richtung im Allgemeinen entlang des Rands 411' der PCB 410' im Allgemeinen von dieser Linie versetzt sein. Bei bestimmten derartigen Ausführungsformen haben die Datenübertragungsschaltungen 416' ausreichend geringe Weite und Breite (z. B. 2,5 mm mal 7,5 mm), um zwischen den Rand 411' und die korrespondierenden Speichervorrichtungen 412' zu passen, während die gewünschte Größe des Speichermoduls 400' beibehalten wird. Andere Positionen und Größen der separaten Datenübertragungsschaltungen 416' sind ebenso mit bestimmten vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel. Bei bestimmten Ausführungsformen können zum Beispiel eine oder mehrere der Datenübertragungsschaltungen 416' zwischen zwei oder mehreren Speichervorrichtungen 412, 412' positioniert sein, oder können von einem Rand 411, 411' der PCB 410, 410' beabstandet sein, wobei sich eine oder mehrere Speichervorrichtungen 412, 412' zwischen dem Rand 411, 411' und der einen oder den mehreren Datenübertragungsschaltungen 416, 416' befinden.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen weist die Datenübertragungsschaltung 416 einen byteweisen Puffer auf oder fungiert als solcher. Bei bestimmten derartigen Ausführungsformen hat jede der einen oder der mehreren Datenübertragungsschaltungen 416 dieselbe Bitbreite wie die zugehörigen Speichervorrichtungen 412 pro Reihe, mit denen die Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit verbunden ist. Wie zum Beispiel schematisch in 4A (die im Allgemeinen 3A entspricht) gezeigt ist, kann die Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit mit einer einzigen Speichervorrichtung 412 pro Reihe verbunden sein, und sowohl die Datenübertragungsschaltung 416 als auch die Speichervorrichtung 412 pro Reihe, mit der die Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit verbunden ist, können jeweils dieselbe Bitbreite haben (z. B. 4 Bits, 8 Bits oder 16 Bits). Die Datenübertragungsschaltung 416 von 4A hat eine Bitbreite von 8 Bits und empfängt die Datenbits 0–7 von dem Systemspeichercontroller 420 und sendet die Datenbits 0–7 selektiv an ausgewählte Speichervorrichtungen 412A, 412B, 412C, 412D im Ansprechen auf die Modulsteuersignale von der Steuerschaltung 430. Ähnlich können die Datenübertragungsschaltungen 416' bestimmter Ausführungsformen als byteweiser Puffer für zugehörige Speichervorrichtungen 412'A, 412'B, 412'C, 412'D fungieren, mit denen die Datenübertragungsschaltungen 416' betriebsbereit verbunden sind, im Ansprechen auf die Modulsteuersignale von der Steuerschaltung 430'.
  • Bei bestimmten anderen Ausführungsformen können sich die Bitbreiten einer oder mehrerer der Speichervorrichtungen 412 von den Bitbreiten der einen oder der mehreren Datenübertragungsschaltungen 416, mit denen sie verbunden sind, unterscheiden. Wie zum Beispiel schematisch in 4B (die im Allgemeinen 3B entspricht) gezeigt ist, können die Datenübertragungsschaltungen 416 eine erste Bitbreite (z. B. eine Bitbreite von 8 Bits) haben, und die Speichervorrichtungen 412 können eine zweite Bitbreite haben, die geringer ist, als die erste Bitbreite (zum Beispiel die Hälfte der ersten Bitbreite oder eine Bitbreite von 4 Bits), wobei jede Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit mit mehreren Speichervorrichtungen 412 pro Reihe verbunden ist (zum Beispiel zwei Speichervorrichtungen 412 in jeder Reihe). Bei bestimmten derartigen Ausführungsformen ist die gesamte Bitbreite der mehreren Speichervorrichtungen 412 pro Reihe, die mit der Schaltung 416 verbunden sind, gleich der Bitbreite der Schaltung 416 (zum Beispiel 4 Bits, 8 Bits oder 16 Bits). Die Datenübertragungsschaltung 416 von 4B hat eine gesamte Bitbreite von 8 Bits und empfängt die Datenbits 0–7 von dem Systemspeichercontroller 420 und sendet die Datenbits 0–3 selektiv an eine erste Speichervorrichtung 412A 1, 412B 1, 412C 1, 412D 1 und die Datenbits 4–7 an eine zweite Speichervorrichtung 412A 2, 412B 2, 412C 2, 412D 2 im Ansprechen auf die Modulsteuersignale von der Steuerschaltung 430. Ähnlich können die Datenübertragungsschaltungen 416' bestimmter Ausführungsformen mit anderen Bitbreiten arbeiten als denjenigen der zugehörigen Speichervorrichtungen 412'A 1, 412'A 2, 412'B 1, 412'B 2, 412'C 1, 412'C 2, 412'D 1, 412'D 2, mit denen die Datenübertragungsschaltungen 416' betriebsbereit verbunden sind, im Ansprechen auf die Modulsteuersignale von der Steuerschaltung 430'.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen sind, indem die Datenübertragungsschaltung 416 einen „byteweisen” Puffer aufweist oder als solcher dient (z. B. wie in den Beispielen der 4A und 4B gezeigt), die Datensignale mit dem Synch-Takt synchron. Außerdem kann für bestimmte derartige Ausführungsformen, bei denen das Speichermodul 400 Veränderungen einer oder mehrerer Eigenschaften (zum Beispiel Temperatur, Spannung, Herstellungsparameter) erfährt, das Speichermodul 400 dazu ausgelegt sein, die Schaltungen einer geringeren Anzahl von Komponenten im Vergleich mit anderen Konfigurationen, die kein byteweises Puffer verwenden (z. B. vier Reihen von 8-Bit Speichervorrichtungen haben und zwei 4-Bit Puffer haben), zu optimieren. Bei bestimmten Ausführungsformen werden die Datenübertragungsschaltungen 416 für Bit-Slicing bzw. Bit-Schneiden verwendet, bei dem die Daten in Abschnitten definiert werden. Beispielsweise können, anstatt Daten als 64-Bit-weit zu definieren (z. B. [63:0]), können die Daten in 16-Bit-weiten Abschnitten definiert oder geschnitten werden (z. B. [15:0], [31:16], [47:32], [63:48]). Bei bestimmten derartigen Ausführungsformen sind nicht alle Bits zusammen gruppiert und nicht alle Bits erzeugen dasselbe Verhalten (z. B. logisch und/oder zeitweise).
  • Eine oder mehrere der Datenübertragungsschaltungen 416 ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, betriebsbereit mit einer oder mehreren korrespondierenden der Datenleitungen 452 verbunden, die mit einer oder mehreren Speichervorrichtungen 412 in jeder der Reihen A, B, C, D verbunden sind. Beispielsweise ist bei bestimmten Ausführungsformen jede Datenübertragungsschaltung 416 mit einer oder mehreren Datenleitungen 452 verbunden, die mit einer korrespondierenden Speichervorrichtung in jeder der Reihen verbunden sind (zum Beispiel Speichervorrichtungen 204A, 204B, 204C und 204D, wie in 3A gezeigt. Jede Datenleitung 450, 452 überträgt somit Daten vom Systemspeichercontroller 420 durch die Datenübertragungsschaltungen 416 an die Speichervorrichtungen 204A, 204B, 204C, 204D, die mit den Datenübertragungsschaltungen 416 verbunden sind. Die Datenübertragungsschaltungen 416 bestimmter Ausführungsformen können verwendet werden, um jedes Datenbit an den und von dem Speichercontroller 420 und an die und von den Speichervorrichtungen 412 zu treiben, anstatt dass der Speichercontroller 420 und die Speichervorrichtungen 412 jedes Datenbit direkt an den und von dem Speichercontroller 420 und an die und von den Speichervorrichtungen 412 treiben. Insbesondere ist, wie unten im Einzelnen beschrieben wird, eine Seite jeder Datenübertragungsschaltung 416 bestimmter Ausführungsformen betriebsbereit mit einer Speichervorrichtung 412 in jeder Reihe verbunden (zum Beispiel über die Datenleitungen 452), während die andere Seite der Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit mit der korrespondierenden Datenleitung 450 des Speichercontrollers 420 verbunden ist.
  • Um die von dem Systemspeichercontroller 420 erfahrenen Speichervorrichtungslasten zu reduzieren (zum Beispiel während einer Schreiboperation), ist die Datenübertragungsschaltung 416 bestimmter Ausführungsformen vorteilhaft dazu konfiguriert, von dem Systemspeichercontroller 420 als einzige Speicherlast erkannt zu werden. Dieses vorteilhafte Ergebnis wird bei bestimmten Ausführungsformen in gewünschter Weise erzielt, indem die Datenübertragungsschaltungen 416 verwendet werden, um nur die aktivierten Speichervorrichtungen 412 mit dem Speichercontroller 420 elektrisch zu verbinden (zum Beispiel die eine, zwei oder mehr Speichervorrichtungen 412, in welche Daten zu schreiben sind), und die anderen Speichervorrichtungen 412 von dem Speichercontroller 420 elektrisch zu isolieren (zum Beispiel die eine, zwei oder mehr Speichervorrichtungen 412, in welche keine Daten zu schreiben sind). Daher erfährt während einer Schreiboperation, bei der Daten in eine einzige Speichervorrichtung 412 in einer Reihe des Speichermoduls 400 zu schreiben sind, jedes Datenbit von dem Systemspeichercontroller 420 eine einzige Last von dem Speichermodul 400, präsentiert durch eine der Datenübertragungsschaltungen 416, anstatt gleichzeitig die Lasten aller vier Speichervorrichtungen 412A, 412B, 412C, 412D zu erfahren, mit denen die Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit verbunden ist. Bei dem Beispiel von 3A erfährt während einer Schreiboperation, bei der Daten in zwei Speichervorrichtungen 412 in zwei Reihen zu schreiben sind (zum Beispiel die Speichervorrichtungen 412A und 412C oder die Speichervorrichtungen 412B und 412D), jedes Datenbit von dem Systemspeichercontroller 420 eine einzige Last von dem Speichermodul 402, die von der einen der Datenübertragungsschaltungen 416 präsentiert wird, anstatt gleichzeitig die Lasten aller vier Speichervorrichtungen 412A, 412B, 412C, 412D zu erfahren, mit denen die Datenübertragungsschaltung 416 betriebsbereit verbunden ist. Im Vergleich zu der DIMM-Konfiguration mit vier Reihen vom JEDEC-Standard (siehe 2A und 2B) kann das Speichersystem 402 bestimmter Ausführungsformen die Last auf den Systemspeichercontroller 420 um den Faktor vier reduzieren.
  • 5 zeigt schematisch eine beispielhafte Datenübertragungsschaltung 416, die mit bestimmten vorliegend beschriebenen Ausführungsformen kompatibel ist. Bei einer Ausführungsform weist die Datenübertragungsschaltung 416 eine Steuerlogikschaltung 502 auf, die verwendet wird, um die verschiedenen Komponenten der Datenübertragungsschaltung 416 zu steuern, und die, neben anderen Komponenten, einen oder mehrere Puffer, einen oder mehrere Schalter und einen oder mehrere Multiplexer aufweisen kann. Die in 5 dargestellte Ausführungsform ist 1 Bit breit und schaltet eine einzige Datenleitung 518 zwischen dem Speichercontroller 402 und den Speichervorrichtungen 412. Bei anderen Ausführungsformen kann die Datenübertragungsschaltung 416 mehrere Bits breit sein, beispielsweise 8 Bits, und eine korrespondierende Anzahl von Datenleitungen 518 schalten. Bei einer Ausführungsform, die mehrere Bits breit ist, kann die Steuerlogikschaltung 502 über die mehreren Bits gemeinsam verwendet werden.
  • Als Teil des Isolierens der Speichervorrichtungen 412 von dem Systemspeichercontroller 420 gestatten bei einer Ausführungsform die Datenübertragungsschaltungen 416 das „Treiben” von Schreibdaten und das „Zusammenführen” von Lesedaten. Bei der in 5 gezeigten betriebsbereiten Ausführungsform werden bei einer Schreiboperation Daten, die in eine Datenübertragungsschaltung 416 eintreten, über eine Datenleitung 518 auf zwei Datenpfade getrieben, die mit Pfad A und Pfad B gekennzeichnet sind, vorzugsweise nachdem sie durch einen Schreibpuffer 503 hindurchgegangen sind. Die Reihen von Speichervorrichtungen 412 sind ebenso in zwei Gruppen aufgeteilt, wobei eine Gruppe zum Pfad A gehört und eine Gruppe zum Pfad B gehört. Wie in 3A gezeigt ist, befinden sich die Reihe A und die Reihe C in der ersten Gruppe und die Reihe B und die Reihe D in der zweiten Gruppe. Demgemäß sind die Speichervorrichtungen 412A, 412C der Reihe A und der Reihe C mit den Datenübertragungsschaltungen 416 durch einen ersten der beiden Datenpfade verbunden, und die Speichervorrichtungen 412B, 412D der Reihe B und der Reihe D sind mit den Datenübertragungsschaltungen 416 durch einen zweiten der beiden Datenpfade verbunden. Bei anderen Ausführungsformen kann das Treiben von Schreibdaten und das Zusammenführen von Lesedaten über mehr als zwei Datenpfade erfolgen.
  • Wie bekannt ist, ist Column Address Strobe(CAS)-Latenz bzw. Speicherlatenz eine Verzögerungszeit, die zwischen dem Moment, in dem der Speichercontroller 420 die Speichermodule 402 informiert, auf eine bestimmte Spalte in einer ausgewählten Reihe zuzugreifen, und dem Moment, in dem sich Daten für die oder von der bestimmten Spalte an den Ausgangspins der ausgewählten Reihe befinden, vergeht. Die Latenz kann vom Speichermodul verwendet werden, um die Operation der Datenübertragungsschaltungen 416 zu steuern. Während der Latenz laufen Adress- und Steuersignale von dem Speichercontroller 420 zu der Steuerschaltung 430, welche Steuerungen erzeugt, die an die Steuerlogikschaltung 502 (zum Beispiel über die Leitungen 432) gesendet werden, welche dann die Operation der Komponenten der Datenübertragungsschaltungen 416 steuert.
  • Für eine Schreiboperation stellt während der CAS-Latenz die Steuerschaltung 430 bei einer Ausführungsform Steuerfreigabesignale für die Steuerlogikschaltung 502 jeder Datenübertragungsschaltung 416 bereit, wonach die Steuerlogikschaltung 502 entweder Pfad A oder Pfad B auswählt, um die Daten zu leiten. Demgemäß wird, wenn die Steuerlogikschaltung 502 beispielsweise ein Signal „Freigabe A” empfängt, ein erster Tristate-Puffer 504 in Pfad A aktiviert und treibt den Datenwert aktiv an seinem Ausgang, während ein zweiter Tristate-Puffer 506 in Pfad B mit seinem Ausgang im Hochimpedanzzustand deaktiviert wird. In diesem Zustand gestattet die Datenübertragungsschaltung 416, dass die Daten entlang des Pfads A an ein erstes Endgerät Y1 geleitet werden, das mit der ersten Gruppe der Speichervorrichtungen 412, z. B. denjenigen in den Reihen A und C, verbunden ist und nur mit diesen kommuniziert. In ähnlicher Weise öffnet, wenn ein Signal „Freigabe B” empfangen wird, der erste Tristate 503 den Pfad A und der zweite Tristate 506 schließt den Pfad B, so dass die Daten an ein zweites Endgerät Y2 geleitet werden, das mit der zweiten Gruppe der Speichervorrichtungen 412, zum Beispiel denjenigen in den Reihen B und D, verbunden ist und nur mit diesen kommuniziert.
  • Für eine Leseoperation fungiert die Datenübertragungsschaltung 416 als Multiplexerschaltung. Bei der in 5 dargestellten Ausführungsform werden zum Beispiel Datensignale, die aus den Speichervorrichtungen 412 einer Reihe gelesen werden, an dem ersten oder zweiten Endgerät Y1, Y2 der Datenübertragungsschaltung 416 empfangen. Die Datensignale werden in einen Multiplexer 508 eingespeist, welcher eines auswählt, um es an seinen Ausgang zu routen. Die Steuerlogikschaltung 502 erzeugt ein Auswahlsignal, um das geeignete Datensignal auszuwählen, und das ausgewählte Datensignal wird entlang einer einzigen Datenleitung 518 an den Systemspeichercontroller 420 übertragen, vorzugsweise nachdem es durch einen Lesepuffer 509 hindurchgegangen ist. Der Lesepuffer 509 kann ein Tristate-Puffer sein, der während Leseoperationen durch die Steuerlogikschaltung 502 aktiviert wird. Bei einer anderen Ausführungsform können der Multiplexer 508 und der Lesepuffer 509 in einer Komponente kombiniert sein. Bei einer noch anderen Ausführungsform können die Operationen des Multiplexers 508 und des Lesepuffers 509 über zwei Tristate-Puffer aufgeteilt sein, einen, um den Wert von Y1 für die Datenleitung 518 freizugeben, und einen anderen, um den Wert von Y2 für die Datenleitung 518 freizugeben.
  • Die Datenübertragungsschaltungen 416 präsentieren auf den Datenleitungen 518 eine Last von dem Schreibpuffer 503 und dem Lesepuffer 509. Der Schreibpuffer 503 ist mit einem Eingangspuffer an einer der Speichervorrichtungen 412 vergleichbar, und der Lesepuffer 590 ist mit einem Ausgangspuffer an einer der Speichervorrichtungen 412 vergleichbar. Daher präsentieren die Datenübertragungsschaltungen 416 dem Speichercontroller 420 eine Last, die im Wesentlichen gleich mit der Last ist, die eine der Speichervorrichtungen 412 präsentieren würde. Ähnlich präsentieren die Datenübertragungsschaltungen 416 eine Last an den ersten und zweiten Endgeräten Y1, Y2 von dem Multiplexer 508 und dem ersten Tristate-Puffer 504 (an dem ersten Endgerät Y1) und dem zweiten Tristate-Puffer 508 (an dem zweiten Endgerät Y2). Der Multiplexer 508 ist hinsichtlich Ladens vergleichbar mit einem Eingangspuffer an dem Speichercontroller 420, und die ersten und zweiten Tristate-Puffer 504, 506 sind jeweils mit einem Ausgangspuffer an dem Speichercontroller 420 vergleichbar. Daher präsentieren die Datenübertragungsschaltungen 416 den Speichervorrichtungen 412 eine Last, die im Wesentlichen gleich mit der Last ist, die der Speichercontroller 420 präsentieren würde.
  • Außerdem arbeiten die Datenübertragungsschaltungen 416 so, dass sie die Qualität der Datensignale verbessern, die zwischen dem Speichercontroller 420 und den Speichervorrichtungen 412 laufen. Ohne die Datenübertragungsschaltungen 416 können Wellenformen von Datensignalen zwischen Quelle und Senke hinsichtlich der gewünschten Form wesentlich verschlechtert oder gestört sein. Die Signalqualität kann zum Beispiel durch verlustbehaftete Sendeleitungseigenschaften, Diskrepanz zwischen Eigenschaften von Sendeleitungssegmenten, Signalübersprechen oder elektrisches Rauschen verschlechtert werden. In Leserichtung regeneriert jedoch der Lesepuffer 509 die Signale von den Speichervorrichtungen 412 und stellt dadurch die gewünschten Signalwellenformen wieder her. Ähnlich regenerieren in Schreibrichtung der erste Tristate-Puffer 504 und der zweite Tristate-Puffer 506 die Signale von dem Speichercontroller 420 und stellen dadurch die gewünschten Wellenformen wieder her.
  • Unter nochmaligem Bezug auf 3A wird, wenn der Speichercontroller 420 Lese- oder Schreiboperationen durchführt, mit jeder bestimmten Operation auf eine bestimmte der Reihen A, B, C und D eines bestimmten Speichermoduls 402 gezielt. Die Datenübertragungsschaltung 416 an dem spezifisch angezielten der Speichermodule 402 fungiert als bidirektionaler Repeater/Multiplexer, so dass sie das Datensignal treibt, wenn die Verbindung von dem Systemspeichercontroller 420 zu den Speichervorrichtungen 412 hergestellt wird. Die anderen Datenübertragungsschaltungen 416 an den verbleibenden Speichermodulen 402 sind für die bestimmte Operation deaktiviert. Beispielsweis wird das Datensignal, das auf der Datenleitung 518 in die Datenübertragungsschaltung 614 eintritt, an die Speichervorrichtungen 412A und 412C oder 412B und 412C getrieben, je nachdem, welche Speichervorrichtungen aktiv und freigegeben sind. Die Datenübertragungsschaltung 416 multiplext dann das Signal von den Speichervorrichtungen 412A, 412B, 412C, 412D an den Systemspeichercontroller 420. Die Datenübertragungsschaltungen 416 können jeweils beispielsweise einen Nibble-breiten Datenpfad oder einen Byte-breiten Datenpfad steuern. Wie oben erläutert, sind die Datenübertragungsschaltungen 416, die zu jedem Modul 402 gehören, dazu betreibbar, Datenlesesignale zusammenzuführen und Datenschreibsignale zu treiben, wodurch die richtigen Datenpfade zwischen dem Systemspeichercontroller 420 und den angezielten oder ausgewählten Speichervorrichtungen 412 freigegeben werden. Somit erfährt der Speichercontroller 420, wenn vier Speichermodule mit vier Reihen vorhanden sind, vier lastreduzierende Schaltkreislasten anstelle von sechzehn Speichervorrichtungslasten. Die reduzierte Last auf dem Speichercontroller 420 verbessert die Leistung und reduziert den Energiebedarf des Speichersystems im Vergleich zu beispielsweise den oben unter Bezug auf die 1A, 1B und 2A2D beschriebenen herkömmlichen Systemen.
  • Der Betrieb eines Speichermoduls unter Verwendung der Datenübertragungsschaltung 416 kann unter Bezug auf 6 weiter verstanden werden, welche ein beispielhaftes Zeitdiagramm von Signalen des Speichermoduls 402 zeigt. Das Zeitdiagramm weist erste bis achte Zeitperioden 601608 auf. Wenn die Speichervorrichtungen 404 synchrone Speicher sind, kann jede der Zeitperioden 601608 einem Taktzyklus der Speichervorrichtungen 404 entsprechen.
  • Die erste, zweite und dritte Zeitperiode 601603 zeigen Schreiboperationen mit Daten, die von dem Speichercontroller 401 zu dem Speichermodul 402 laufen. Die vierte Zeitperiode 604 ist ein Übergang zwischen den Schreiboperationen und folgenden Leseoperationen. Das Zeitdiagramm zeigt eine Schreiboperation an die erste Gruppe von Speichervorrichtungen 412A, 412C, die mit den ersten Endgeräten Y1 der Datenübertragungsschaltung 416 verbunden ist, und eine Schreiboperation an die zweite Gruppe von Speichervorrichtungen 412B, 412D, die mit den zweiten Endgeräten Y2 der Datenübertragungsschaltung 416 verbunden ist. Unter Bezug auf die oben beschriebene CAS-Latenz erstreckt sich jede Schreiboperation pipelineartig über zwei Zeitperioden.
  • Das Schreiben an die erste Gruppe von Speichervorrichtungen 412A, 412C findet in der ersten Zeitperiode 601 statt, wenn Systemadress- und Steuersignale 440 von dem Speichercontroller 420 an den Modulcontroller 430 laufen. Die Steuerschaltung 430 evaluiert die Adress- und Steuersignale 440, um zu bestimmen, dass Daten an die Speichervorrichtungen 412A, 412C in der ersten Gruppe zu schreiben sind. Während der zweiten Zeitperiode 602 liefert die Steuerschaltung 430 Steuersignale an die Steuerlogikschaltung 502, um den ersten Tristate-Puffer 504 zu aktivieren und den zweiten Tristate-Puffer 506 und den Lesepuffer 509 zu deaktivieren. Somit laufen während der zweiten Zeitperiode 602 Datenbits von den Datenleitungen 518 an das erste Endgerät Y1 und weiter zu den Speichervorrichtungen 412A, 412C.
  • Ähnlich findet das Schreiben an die zweite Gruppe von Speichervorrichtungen 412A, 412C in der zweiten Zeitperiode 602 statt, wenn Systemadress- und Steuersignale 440 von dem Speichercontroller 420 an die Steuerschaltung 430 laufen. Die Steuerschaltung 430 evaluiert die Adress- und Steuersignale 440, um zu bestimmen, dass Daten an die Speichervorrichtungen 412B, 412D in der zweiten Gruppe zu schreiben sind. Während der dritten Zeitperiode 603 liefert die Steuerschaltung 430 Steuersignale an die Steuerlogikschaltung 502, um den zweiten Tristate-Puffer 506 zu aktivieren und den ersten Tristate-Puffer 504 und den Lesepuffer 509 zu deaktivieren. Somit laufen während der dritten Zeitperiode 603 Datenbits von den Datenleitungen 518 an das zweite Endgerät Y2 und weiter zu den Speichervorrichtungen 412B, 412D.
  • Die fünfte, sechste, siebte und achte Zeitperiode 605608 zeigen Leseoperationen mit Daten, die von dem Speichermodul 402 an den Speichercontroller 420 laufen. Das Zeitdiagramm zeigt eine Leseoperation von der ersten Gruppe von Speichervorrichtungen 412A, 412C, die mit den ersten Endgeräten Y1 der Datenübertragungsschaltungen 416 verbunden ist, und eine Leseoperation von der zweiten Gruppe von Speichervorrichtungen 412B, 412D, die mit den zweiten Endgeräten Y2 der Datenübertragungsschaltungen 416 verbunden ist. Unter Bezug auf die oben beschriebene CAS-Latenz erstreckt sich jede Leseoperation pipelineartig über zwei Zeitperioden.
  • Das Lesen aus der ersten Gruppe von Speichervorrichtungen 412A, 412C findet in der fünften Zeitperiode 605 statt, wenn Systemadress- und Steuersignale 440 von dem Speichercontroller 420 an die Steuerschaltung 430 laufen. Die Steuerschaltung 430 evaluiert die Adress- und Steuersignale 440, um zu bestimmen, dass Daten aus den Speichervorrichtungen 412A, 412C in der ersten Gruppe zu lesen sind. Während der sechsten Zeitperiode 606 liefert die Steuerschaltung 430 Steuersignale an die Steuerlogikschaltung 502, um zu veranlassen, dass der Multiplexer 508 Daten aus dem ersten Endgerät Y1 auswählt, um den Lesepuffer 509 zu aktivieren und den ersten Tristate-Puffer 504 und den zweiten Tristate-Puffer 506 zu deaktivieren. Somit laufen während der sechsten Zeitperiode 606 Datenbits von den Speichervorrichtungen 412A, 412C über das erste Endgerät Y1 an die Datenleitungen 518 und weiter zu dem Speichercontroller 420.
  • Das Lesen aus der zweiten Gruppe von Speichervorrichtungen 412B, 412D findet in der siebten Zeitperiode 607 statt, wenn Systemadress- und Steuersignale 440 von dem Speichercontroller 420 an die Steuerschaltung 430 laufen. Die Steuerschaltung 430 evaluiert die Adress- und Steuersignale 440, um zu bestimmen, dass Daten aus den Speichervorrichtungen 412B, 412D in der zweiten Gruppe zu lesen sind. Während der achten Zeitperiode 608 liefert die Steuerschaltung 430 Steuersignale an die Steuerlogikschaltung 502, um zu veranlassen, dass der Multiplexer 508 Daten aus dem ersten Endgerät Y2 auswählt, um den Lesepuffer 509 zu aktivieren und den ersten Tristate-Puffer 504 und den zweiten Tristate-Puffer 506 zu deaktivieren. Somit laufen während der achten Zeitperiode 606 Datenbits von den Speichervorrichtungen 412B, 412D über das zweite Endgerät Y2 an die Datenleitungen 518 und weiter zu dem Speichercontroller 420.
  • Vorstehend sind verschiedene Ausführungsformen beschrieben worden. Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezug auf diese spezifischen Ausführungsformen beschrieben worden ist, ist beabsichtigt, dass die Beschreibungen für die Erfindung nur beispielhaft und nicht einschränkend sind. Verschiedene Modifizierungen und Anwendungen können sich für Fachleute ergeben, ohne vom Geist und Umfang der Erfindung, wie sie in den beigefügten Ansprüchen definiert ist, abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7289386 [0049]
    • US 7532537 [0049]

Claims (16)

  1. Speichermodul zur Verwendung in einem Computersystem, das einen Systemspeichercontroller aufweist, mit: einer gedruckten Leiterplatte bzw. Printed Circuit Board (PCB), die in einem Modulschlitz des Computersystems anbringbar ist, wobei die PCB einen Randstecker hat, der eine Vielzahl elektrischer Kontakte aufweist, die an einem Rand der PCB positioniert und dazu positioniert sind, lösbar mit korrespondierenden Kontakten eines Computersystem-Sockels verbunden zu werden, um elektrische Leitfähigkeit zwischen dem Systemspeichercontroller und dem Speichermodul bereitzustellen; Speichervorrichtungen, die jeweils eine Bitbreite von 4 Bits haben, wobei die Speichervorrichtungen mechanisch mit der PCB verbunden und in mehreren Reihen mit n Speichervorrichtungen pro Reihe angeordnet sind, wobei jede Reihe eine Bitbreite hat, die gleich einer Bitbreite des Speichermoduls ist; einer Steuerschaltung, die mechanisch mit der PCB verbunden und über registrierte Steuerleitungen betriebsbereit mit den Speichervorrichtungen verbunden ist, wobei die Steuerschaltung dazu konfigurierbar ist, Steuersignale für eine Lese- oder Schreiboperation, die von dem Speichercontroller empfangen werden, zu registrieren und Modulsteuersignale zu erzeugen, wobei die Lese- oder Schreiboperation auf eine bestimmte der mehreren Reihen abzielt; und n/2 Datenübertragungsschaltungen, die mechanisch mit der PCB verbunden und an entsprechenden Positionen entlang des Rands der PCB verteilt sind, wobei die n/2 Datenübertragungsschaltungen dazu konfigurierbar sind, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller verbunden zu werden, und dazu konfigurierbar sind, Modulsteuersignale von der Steuerschaltung zu empfangen, wobei jede der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen eine Bitbreite von 8 Bits hat und mit zwei zugehörigen Speichervorrichtungen in jeder der mehreren Reihen verbunden ist; wobei jede Datenübertragungsschaltung dazu konfigurierbar ist, auf die Modulsteuersignale anzusprechen durch Freigeben von Datenpfaden und durch Treiben von Datensignalen für die Lese- oder Schreiboperation auf den Datenpfaden zwischen dem Systemspeichercontroller und den beiden zugehörigen Speichervorrichtungen in der bestimmten der mehreren Reihen; wobei das Speichermodul des Weiteren Column Address Strobe(CAS)-Latenz bzw. Speicherlatenz verwendet, um die Operation der n/2 Datenübertragungsschaltungen zu steuern.
  2. Speichermodul nach Anspruch 1, wobei das Speichermodul dazu konfiguriert ist, mit dem Speichercontroller über Steuerleitungen und Datenleitungen zu kommunizieren, wobei die Steuerschaltung mit den Steuerleitungen verbunden ist und jede Datenübertragungsschaltung mit einem jeweiligen 8-Bit-Abschnitt der Datenleitungen verbunden ist.
  3. Speichermodul nach Anspruch 2, wobei jede Datenübertragungsschaltung dazu konfiguriert ist, dem Speichercontroller eine Speichervorrichtungslast auf jedem Bit des jeweiligen 8-Bit-Abschnitts der Datenleitungen während einer Schreiboperation zu präsentieren.
  4. Speichermodul nach Anspruch 1, wobei jede Datenübertragungsschaltung Logik aufweist, die auf die Modulsteuersignale anspricht, und wobei die Datenpfade Tristate-Puffer aufweisen, die von der Logik gesteuert werden.
  5. Speichermodul nach Anspruch 4, wobei die Tristate-Puffer die Datensignale regenerieren, um Signalwellenformen wiederherzustellen.
  6. Speichermodul nach Anspruch 1, wobei die Modulsteuersignale eine Richtung des Datenflusses durch die n/2 Datenübertragungsschaltungen angeben.
  7. Speichermodul nach Anspruch 6, wobei jede Datenübertragungsschaltung verschiedene Datenpfade für verschiedene Richtungen des Datenflusses aufweist.
  8. Speichermodul nach Anspruch 1, wobei die Steuerschaltung des Weiteren dazu konfiguriert ist, die Terminierung der Datensignale für die Lese- oder Schreiboperation gemäß der CAS-Latenz zu steuern.
  9. Speichermodul zur Verwendung in einem Computersystem, das einen Systemspeichercontroller aufweist, mit: einer gedruckten Leiterplatte bzw. Printed Circuit Board (PCB), die in einem Modulschlitz des Computersystems anbringbar ist, wobei die PCB einen Randstecker hat, der eine Vielzahl elektrischer Kontakte aufweist, die an einem Rand der PCB positioniert und dazu positioniert sind, lösbar mit korrespondierenden Kontakten eines Computersystem-Sockels verbunden zu werden, um elektrische Leitfähigkeit zwischen dem Systemspeichercontroller und dem Speichermodul bereitzustellen; Speichervorrichtungen, die jeweils eine Bitbreite von 8 Bits haben, wobei die Speichervorrichtungen mechanisch mit der PCB verbunden und in mehreren Reihen mit n Speichervorrichtungen pro Reihe angeordnet sind, wobei jede Reihe eine Bitbreite hat, die gleich einer Bitbreite des Speichermoduls ist; einer Steuerschaltung, die mechanisch mit der PCB verbunden und über registrierte Steuerleitungen betriebsbereit mit den Speichervorrichtungen verbunden ist, wobei die Steuerschaltung dazu konfigurierbar ist, Steuersignale für eine Lese- oder Schreiboperation, die von dem Speichercontroller empfangen werden, zu registrieren und Modulsteuersignale zu erzeugen, wobei die Lese- oder Schreiboperation auf eine bestimmte der mehreren Reihen abzielt; und n Datenübertragungsschaltungen, die mechanisch mit der PCB verbunden und an entsprechenden Positionen entlang des Rands der PCB verteilt sind, wobei die n Datenübertragungsschaltungen dazu konfigurierbar sind, betriebsbereit mit dem Systemspeichercontroller verbunden zu werden, und dazu konfigurierbar sind, Modulsteuersignale von der Steuerschaltung zu empfangen, wobei jede der Vielzahl von Datenübertragungsschaltungen eine Bitbreite von 8 Bits hat und mit einer zugehörigen Speichervorrichtung in jeder der mehreren Reihen verbunden ist; wobei jede Datenübertragungsschaltung dazu konfigurierbar ist, auf die Modulsteuersignale anzusprechen durch Freigeben von Datenpfaden und durch Treiben von Datensignalen für die Lese- oder Schreiboperation auf den Datenpfaden zwischen dem Systemspeichercontroller und der zugehörigen Speichervorrichtung in der bestimmten der mehreren Reihen; wobei das Speichermodul des Weiteren Column Address Strobe(CAS)-Latenz bzw. Speicherlatenz verwendet, um die Operation der n Datenübertragungsschaltungen zu steuern.
  10. Speichermodul nach Anspruch 9, wobei das Speichermodul dazu konfiguriert ist, mit dem Speichercontroller über Steuerleitungen und Datenleitungen zu kommunizieren, wobei die Steuerschaltung mit den Steuerleitungen verbunden ist und jede Datenübertragungsschaltung mit einem jeweiligen 8-Bit-Abschnitt der Datenleitungen verbunden ist.
  11. Speichermodul nach Anspruch 10, wobei jede Datenübertragungsschaltung dazu konfiguriert ist, dem Speichercontroller eine Speichervorrichtungslast auf jedem Bit des jeweiligen 8-Bit-Abschnitts der Datenleitungen während einer Schreiboperation zu präsentieren.
  12. Speichermodul nach Anspruch 9, wobei jede Datenübertragungsschaltung Logik aufweist, die auf die Modulsteuersignale anspricht, und wobei die Datenpfade Tristate-Puffer aufweisen, die von der Logik gesteuert werden.
  13. Speichermodul nach Anspruch 12, wobei die Tristate-Puffer die Datensignale regenerieren, um Signalwellenformen wiederherzustellen.
  14. Speichermodul nach Anspruch 9, wobei die Modulsteuersignale eine Richtung des Datenflusses durch die n Datenübertragungsschaltungen angeben.
  15. Speichermodul nach Anspruch 14, wobei jede Datenübertragungsschaltung verschiedene Datenpfade für verschiedene Richtungen des Datenflusses aufweist.
  16. Speichermodul nach Anspruch 9, wobei die Steuerschaltung des Weiteren dazu konfiguriert ist, die Terminierung der Datensignale für die Lese- oder Schreiboperation gemäß der CAS-Latenz zu steuern.
DE202010018501.7U 2009-07-16 2010-07-01 System, das verteilte byteweise Puffer auf einem Speichermodul verwendet Ceased DE202010018501U1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/504,131 US8417870B2 (en) 2009-07-16 2009-07-16 System and method of increasing addressable memory space on a memory board
US12/504,131 2009-07-16
US12/761,179 US8516185B2 (en) 2009-07-16 2010-04-15 System and method utilizing distributed byte-wise buffers on a memory module
US12/761,179 2010-04-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202010018501U1 true DE202010018501U1 (de) 2017-02-06

Family

ID=42610062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE202010018501.7U Ceased DE202010018501U1 (de) 2009-07-16 2010-07-01 System, das verteilte byteweise Puffer auf einem Speichermodul verwendet

Country Status (10)

Country Link
US (4) US8516185B2 (de)
EP (3) EP3404660B1 (de)
JP (1) JP2012533793A (de)
KR (1) KR20120062714A (de)
CN (2) CN105161126B (de)
CZ (1) CZ31172U1 (de)
DE (1) DE202010018501U1 (de)
PL (2) PL3404660T3 (de)
TW (2) TWI428740B (de)
WO (1) WO2011008580A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3404660A1 (de) 2009-07-16 2018-11-21 Netlist, Inc. System und verfahren mit verwendung verteilter byte-basierter puffer auf einem speichermodul

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8250295B2 (en) 2004-01-05 2012-08-21 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US7916574B1 (en) 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
US7289386B2 (en) 2004-03-05 2007-10-30 Netlist, Inc. Memory module decoder
CN101715575A (zh) 2006-12-06 2010-05-26 弗森多系统公司(dba弗森-艾奥) 采用数据管道管理数据的装置、系统和方法
US8787060B2 (en) 2010-11-03 2014-07-22 Netlist, Inc. Method and apparatus for optimizing driver load in a memory package
US8417870B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-09 Netlist, Inc. System and method of increasing addressable memory space on a memory board
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US9128632B2 (en) 2009-07-16 2015-09-08 Netlist, Inc. Memory module with distributed data buffers and method of operation
EP2476039B1 (de) 2009-09-09 2016-10-26 SanDisk Technologies LLC Vorrichtung, system und verfahren zur leistungsverlustverwaltung in einem speichersystem
US8688899B2 (en) 2010-09-28 2014-04-01 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for an interface between a memory controller and a non-volatile memory controller using a command protocol
US10817502B2 (en) 2010-12-13 2020-10-27 Sandisk Technologies Llc Persistent memory management
EP2652623B1 (de) 2010-12-13 2018-08-01 SanDisk Technologies LLC Vorrichtung, system, und verfahren für einen auto-commit-speicher
US9208071B2 (en) 2010-12-13 2015-12-08 SanDisk Technologies, Inc. Apparatus, system, and method for accessing memory
US10817421B2 (en) 2010-12-13 2020-10-27 Sandisk Technologies Llc Persistent data structures
US8924641B2 (en) * 2010-12-13 2014-12-30 Seagate Technology Llc Selectively depowering portion of a controller to facilitate hard disk drive safeguard operations
US9218278B2 (en) 2010-12-13 2015-12-22 SanDisk Technologies, Inc. Auto-commit memory
US9047178B2 (en) 2010-12-13 2015-06-02 SanDisk Technologies, Inc. Auto-commit memory synchronization
US9552175B2 (en) 2011-02-08 2017-01-24 Diablo Technologies Inc. System and method for providing a command buffer in a memory system
US8713379B2 (en) 2011-02-08 2014-04-29 Diablo Technologies Inc. System and method of interfacing co-processors and input/output devices via a main memory system
US9575908B2 (en) 2011-02-08 2017-02-21 Diablo Technologies Inc. System and method for unlocking additional functions of a module
US9779020B2 (en) 2011-02-08 2017-10-03 Diablo Technologies Inc. System and method for providing an address cache for memory map learning
US9158546B1 (en) 2011-04-06 2015-10-13 P4tents1, LLC Computer program product for fetching from a first physical memory between an execution of a plurality of threads associated with a second physical memory
US9164679B2 (en) 2011-04-06 2015-10-20 Patents1, Llc System, method and computer program product for multi-thread operation involving first memory of a first memory class and second memory of a second memory class
US9170744B1 (en) 2011-04-06 2015-10-27 P4tents1, LLC Computer program product for controlling a flash/DRAM/embedded DRAM-equipped system
US8930647B1 (en) 2011-04-06 2015-01-06 P4tents1, LLC Multiple class memory systems
US9176671B1 (en) 2011-04-06 2015-11-03 P4tents1, LLC Fetching data between thread execution in a flash/DRAM/embedded DRAM-equipped system
US9417754B2 (en) 2011-08-05 2016-08-16 P4tents1, LLC User interface system, method, and computer program product
US9025409B2 (en) * 2011-08-05 2015-05-05 Rambus Inc. Memory buffers and modules supporting dynamic point-to-point connections
JP2013114416A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Elpida Memory Inc メモリモジュール
KR20130072066A (ko) * 2011-12-21 2013-07-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 구동 방법
US8806071B2 (en) * 2012-01-25 2014-08-12 Spansion Llc Continuous read burst support at high clock rates
US20130318269A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Xockets IP, LLC Processing structured and unstructured data using offload processors
US9619406B2 (en) 2012-05-22 2017-04-11 Xockets, Inc. Offloading of computation for rack level servers and corresponding methods and systems
US9542343B2 (en) 2012-11-29 2017-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory modules with reduced rank loading and memory systems including same
US9424043B1 (en) * 2012-12-27 2016-08-23 Altera Corporation Forward-flow selection
WO2014113055A1 (en) 2013-01-17 2014-07-24 Xockets IP, LLC Offload processor modules for connection to system memory
US9378161B1 (en) 2013-01-17 2016-06-28 Xockets, Inc. Full bandwidth packet handling with server systems including offload processors
US9489323B2 (en) 2013-02-20 2016-11-08 Rambus Inc. Folded memory modules
CN104123234B (zh) 2013-04-27 2017-04-05 华为技术有限公司 内存访问方法及内存系统
WO2015017356A1 (en) * 2013-07-27 2015-02-05 Netlist, Inc. Memory module with local synchronization
CN106163751B (zh) * 2013-12-30 2019-08-20 罗伯特·博世有限公司 用于台锯的气流和照明系统
US9354872B2 (en) 2014-04-24 2016-05-31 Xitore, Inc. Apparatus, system, and method for non-volatile data storage and retrieval
US10048962B2 (en) 2014-04-24 2018-08-14 Xitore, Inc. Apparatus, system, and method for non-volatile data storage and retrieval
WO2015183834A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Rambus Inc. Memory module with reduced read/write turnaround overhead
US9792965B2 (en) 2014-06-17 2017-10-17 Rambus Inc. Memory module and system supporting parallel and serial access modes
US9696923B2 (en) * 2015-03-10 2017-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Reliability-aware memory partitioning mechanisms for future memory technologies
US10254992B2 (en) * 2015-04-30 2019-04-09 International Business Machines Corporation Rebalancing data storage in a dispersed storage network
CN105159836B (zh) * 2015-08-03 2019-01-08 北京联想核芯科技有限公司 一种信息处理方法及电子设备
KR102497239B1 (ko) 2015-12-17 2023-02-08 삼성전자주식회사 고속 신호 특성을 갖는 반도체 모듈
KR20170082798A (ko) 2016-01-07 2017-07-17 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 모듈
US9841922B2 (en) * 2016-02-03 2017-12-12 SK Hynix Inc. Memory system includes a memory controller
CA3018142C (en) * 2016-03-22 2023-02-07 Lyteloop Technologies, Llc Data in motion storage system and method
US10474581B2 (en) 2016-03-25 2019-11-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for cache operations
US10679722B2 (en) 2016-08-26 2020-06-09 Sandisk Technologies Llc Storage system with several integrated components and method for use therewith
KR20180102268A (ko) * 2017-03-07 2018-09-17 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 모듈 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102064873B1 (ko) * 2018-02-21 2020-01-10 삼성전자주식회사 메모리 모듈 및 이를 구비하는 메모리 시스템
US11994943B2 (en) 2018-12-31 2024-05-28 Lodestar Licensing Group Llc Configurable data path for memory modules
US10579318B1 (en) * 2018-12-31 2020-03-03 Kyocera Document Solutions Inc. Memory control method, memory control apparatus, and image forming method that uses memory control method
US10764455B2 (en) 2018-12-31 2020-09-01 Kyocera Document Solutions Inc. Memory control method, memory control apparatus, and image forming method that uses memory control method
WO2020142190A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-09 Micron Technology, Inc. Configurable data path for memory modules
US11169940B2 (en) * 2019-02-20 2021-11-09 Qualcomm Incorporated Trace length on printed circuit board (PCB) based on input/output (I/O) operating speed
TWI810262B (zh) * 2019-03-22 2023-08-01 美商高通公司 用於計算機器的可變位元寬資料格式的單打包和拆包網路及方法
US10529412B1 (en) * 2019-04-09 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Output buffer circuit with non-target ODT function
CN111831209B (zh) * 2019-04-16 2024-08-09 西安诺瓦星云科技股份有限公司 数据存取装置及系统
US11455250B2 (en) 2019-07-02 2022-09-27 Seagate Technology Llc Managing unexpected shutdown in a disk drive with multiple actuators and controllers
US11238909B2 (en) * 2019-08-14 2022-02-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for setting operational parameters of a memory included in a memory module based on location information
TWI709046B (zh) * 2019-09-09 2020-11-01 英業達股份有限公司 多地址響應的複雜可程式邏輯裝置及運作方法
KR20210077081A (ko) * 2019-12-16 2021-06-25 에스케이하이닉스 주식회사 반도체시스템 및 반도체장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7289386B2 (en) 2004-03-05 2007-10-30 Netlist, Inc. Memory module decoder
US7532537B2 (en) 2004-03-05 2009-05-12 Netlist, Inc. Memory module with a circuit providing load isolation and memory domain translation

Family Cites Families (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5459846A (en) 1988-12-02 1995-10-17 Hyatt; Gilbert P. Computer architecture system having an imporved memory
US4218740A (en) 1974-10-30 1980-08-19 Motorola, Inc. Interface adaptor architecture
IT1089225B (it) 1977-12-23 1985-06-18 Honeywell Inf Systems Memoria con dispositivo rivelatore e correttore a intervento selettivo
US4426689A (en) * 1979-03-12 1984-01-17 International Business Machines Corporation Vertical semiconductor integrated circuit chip packaging
JPS5847793B2 (ja) 1979-11-12 1983-10-25 富士通株式会社 半導体記憶装置
US4368515A (en) 1981-05-07 1983-01-11 Atari, Inc. Bank switchable memory system
IT1142074B (it) 1981-11-24 1986-10-08 Honeywell Inf Systems Sistema di elaborazione dati con allocazione automatica dell'indirizzo in una memoria modulare
IT1153611B (it) 1982-11-04 1987-01-14 Honeywell Inf Systems Procedimento di mappatura della memoria in sistema di elaborazione dati
US4633429A (en) 1982-12-27 1986-12-30 Motorola, Inc. Partial memory selection using a programmable decoder
JPS603771A (ja) 1983-06-22 1985-01-10 Mitsubishi Electric Corp プログラマブルコントロ−ラのインタ−フエ−ス回路
JPS618785A (ja) 1984-06-21 1986-01-16 Fujitsu Ltd 記憶装置アクセス制御方式
US4739473A (en) 1985-07-02 1988-04-19 Honeywell Information Systems Inc. Computer memory apparatus
US4670748A (en) 1985-08-09 1987-06-02 Harris Corporation Programmable chip select decoder
US4980850A (en) 1987-05-14 1990-12-25 Digital Equipment Corporation Automatic sizing memory system with multiplexed configuration signals at memory modules
IT1216087B (it) 1988-03-15 1990-02-22 Honeywell Bull Spa Sistema di memoria con selezione predittiva di modulo.
US4961204A (en) 1988-05-23 1990-10-02 Hitachi, Ltd. PCM signal generating/reproducing apparatus
JP2865170B2 (ja) 1988-07-06 1999-03-08 三菱電機株式会社 電子回路装置
US4961172A (en) 1988-08-11 1990-10-02 Waferscale Integration, Inc. Decoder for a memory address bus
US5452231A (en) * 1988-10-05 1995-09-19 Quickturn Design Systems, Inc. Hierarchically connected reconfigurable logic assembly
DE68929518T2 (de) * 1988-10-05 2005-06-09 Quickturn Design Systems, Inc., Mountain View Verfahren zur Verwendung einer elektronisch wiederkonfigurierbaren Gatterfeld-Logik und dadurch hergestelltes Gerät
US5537584A (en) 1989-06-13 1996-07-16 Hitachi Maxell, Ltd. Power instability control of a memory card and a data processing device therefor
IL96808A (en) 1990-04-18 1996-03-31 Rambus Inc Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage
WO1992002879A1 (en) 1990-08-03 1992-02-20 Du Pont Pixel Systems Limited Virtual memory system
EP0473139B1 (de) 1990-08-30 1999-06-09 Gold Star Co. Ltd Speicherdekodierungssystem für eine tragbare Datenendstation
EP0473804A1 (de) 1990-09-03 1992-03-11 International Business Machines Corporation Ausrichten von Linienelementen zur Übertragung von Daten vom Speicher zum Cache
JP3242101B2 (ja) 1990-10-05 2001-12-25 三菱電機株式会社 半導体集積回路
US5392252A (en) 1990-11-13 1995-02-21 Vlsi Technology, Inc. Programmable memory addressing
US5247643A (en) 1991-01-08 1993-09-21 Ast Research, Inc. Memory control circuit for optimizing copy back/line fill operation in a copy back cache system
US5313624A (en) 1991-05-14 1994-05-17 Next Computer, Inc. DRAM multiplexer
JPH0581850A (ja) 1991-07-19 1993-04-02 Mitsubishi Electric Corp メモリic及びメモリ装置
US5333293A (en) * 1991-09-11 1994-07-26 Compaq Computer Corp. Multiple input frequency memory controller
US5541448A (en) 1991-10-16 1996-07-30 Texas Instruments Inc. Electronic circuit card
US5485589A (en) 1991-12-31 1996-01-16 Dell Usa, L.P. Predictive addressing architecture
US5388072A (en) 1992-04-10 1995-02-07 International Business Machines Corporation Bit line switch array for electronic computer memory
US5270964A (en) 1992-05-19 1993-12-14 Sun Microsystems, Inc. Single in-line memory module
US5371866A (en) 1992-06-01 1994-12-06 Staktek Corporation Simulcast standard multichip memory addressing system
WO1994003901A1 (en) * 1992-08-10 1994-02-17 Monolithic System Technology, Inc. Fault-tolerant, high-speed bus system and bus interface for wafer-scale integration
WO1994007242A1 (en) 1992-09-21 1994-03-31 Atmel Corporation High speed redundant memory
US6279116B1 (en) * 1992-10-02 2001-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Synchronous dynamic random access memory devices that utilize clock masking signals to control internal clock signal generation
JP2988804B2 (ja) 1993-03-19 1999-12-13 株式会社東芝 半導体メモリ装置
US5272664A (en) 1993-04-21 1993-12-21 Silicon Graphics, Inc. High memory capacity DRAM SIMM
US5572691A (en) 1993-04-21 1996-11-05 Gi Corporation Apparatus and method for providing multiple data streams from stored data using dual memory buffers
US5506814A (en) 1993-05-28 1996-04-09 Micron Technology, Inc. Video random access memory device and method implementing independent two WE nibble control
WO1995005676A1 (en) 1993-08-13 1995-02-23 Irvine Sensors Corporation Stack of ic chips as substitute for single ic chip
JP3304531B2 (ja) 1993-08-24 2002-07-22 富士通株式会社 半導体記憶装置
US5502667A (en) 1993-09-13 1996-03-26 International Business Machines Corporation Integrated multichip memory module structure
JP3077866B2 (ja) 1993-11-18 2000-08-21 日本電気株式会社 メモリモジュール
CA2137504C (en) 1993-12-09 1998-08-25 Young W. Lee Memory monitoring circuit for detecting unauthorized memory access
US5655113A (en) 1994-07-05 1997-08-05 Monolithic System Technology, Inc. Resynchronization circuit for a memory system and method of operating same
US5717851A (en) 1994-08-15 1998-02-10 Motorola, Inc. Breakpoint detection circuit in a data processor and method therefor
US5617559A (en) 1994-08-31 1997-04-01 Motorola Inc. Modular chip select control circuit and method for performing pipelined memory accesses
US5699542A (en) 1994-09-30 1997-12-16 Intel Corporation Address space manipulation in a processor
US5513135A (en) 1994-12-02 1996-04-30 International Business Machines Corporation Synchronous memory packaged in single/dual in-line memory module and method of fabrication
EP0733976A1 (de) 1995-03-23 1996-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Chipauswahlsignalgenerator
US5638534A (en) 1995-03-31 1997-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory controller which executes read and write commands out of order
US5630096A (en) 1995-05-10 1997-05-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Controller for a synchronous DRAM that maximizes throughput by allowing memory requests and commands to be issued out of order
US5724604A (en) 1995-08-02 1998-03-03 Motorola, Inc. Data processing system for accessing an external device and method therefor
US5655153A (en) 1995-11-07 1997-08-05 Emc Corporation Buffer system
US5590071A (en) 1995-11-16 1996-12-31 International Business Machines Corporation Method and apparatus for emulating a high capacity DRAM
JPH09161471A (ja) 1995-12-06 1997-06-20 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Dramシステム、dramシステムの動作方法
US6882177B1 (en) * 1996-01-10 2005-04-19 Altera Corporation Tristate structures for programmable logic devices
US5745914A (en) 1996-02-09 1998-04-28 International Business Machines Corporation Technique for converting system signals from one address configuration to a different address configuration
US5926827A (en) 1996-02-09 1999-07-20 International Business Machines Corp. High density SIMM or DIMM with RAS address re-mapping
JPH09223389A (ja) 1996-02-15 1997-08-26 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JPH09231130A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピュータ
US5802541A (en) 1996-02-28 1998-09-01 Motorola, Inc. Method and apparatus in a data processing system for using chip selects to perform a memory management function
JPH09237492A (ja) 1996-03-01 1997-09-09 Toshiba Corp メモリ制御装置
JP3171097B2 (ja) 1996-03-25 2001-05-28 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP2822986B2 (ja) 1996-06-28 1998-11-11 日本電気株式会社 Dma内蔵シングルチップマイクロコンピュータ
US5802395A (en) 1996-07-08 1998-09-01 International Business Machines Corporation High density memory modules with improved data bus performance
US5784705A (en) * 1996-07-15 1998-07-21 Mosys, Incorporated Method and structure for performing pipeline burst accesses in a semiconductor memory
US5905401A (en) 1996-09-09 1999-05-18 Micron Technology, Inc. Device and method for limiting the extent to which circuits in integrated circuit dice electrically load bond pads and other circuit nodes in the dice
US6088774A (en) 1996-09-20 2000-07-11 Advanced Memory International, Inc. Read/write timing for maximum utilization of bidirectional read/write bus
EP0845788B1 (de) * 1996-11-27 2003-09-10 Texas Instruments Incorporated Speicherfeldprüfschaltung mit Fehlermeldung
US6055600A (en) * 1996-12-19 2000-04-25 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting the presence and identification of level two cache modules
US5966736A (en) 1997-03-07 1999-10-12 Advanced Micro Devices, Inc. Multiplexing DRAM control signals and chip select on a processor
US6226736B1 (en) 1997-03-10 2001-05-01 Philips Semiconductors, Inc. Microprocessor configuration arrangement for selecting an external bus width
JP2964983B2 (ja) 1997-04-02 1999-10-18 日本電気株式会社 三次元メモリモジュール及びそれを用いた半導体装置
US5805520A (en) 1997-04-25 1998-09-08 Hewlett-Packard Company Integrated circuit address reconfigurability
JPH10320270A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリモジュール
US6594168B2 (en) 1997-05-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. 256 Meg dynamic random access memory
US6061754A (en) 1997-06-25 2000-05-09 Compaq Computer Corporation Data bus having switch for selectively connecting and disconnecting devices to or from the bus
WO1999000734A1 (fr) 1997-06-27 1999-01-07 Hitachi, Ltd. Module memoire et systeme de traitement de donnees
US6134638A (en) 1997-08-13 2000-10-17 Compaq Computer Corporation Memory controller supporting DRAM circuits with different operating speeds
JPH1166841A (ja) 1997-08-22 1999-03-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5822251A (en) 1997-08-25 1998-10-13 Bit Microsystems, Inc. Expandable flash-memory mass-storage using shared buddy lines and intermediate flash-bus between device-specific buffers and flash-intelligent DMA controllers
US6295299B1 (en) 1997-08-29 2001-09-25 Extreme Networks, Inc. Data path architecture for a LAN switch
US6226709B1 (en) 1997-10-24 2001-05-01 Compaq Computer Corporation Memory refresh control system
US6011710A (en) 1997-10-30 2000-01-04 Hewlett-Packard Company Capacitance reducing memory system, device and method
US6108745A (en) 1997-10-31 2000-08-22 Hewlett-Packard Company Fast and compact address bit routing scheme that supports various DRAM bank sizes and multiple interleaving schemes
US6070227A (en) 1997-10-31 2000-05-30 Hewlett-Packard Company Main memory bank indexing scheme that optimizes consecutive page hits by linking main memory bank address organization to cache memory address organization
JPH11134243A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Brother Ind Ltd 記憶装置の制御装置及びデータ処理システムにおける記憶装置の制御方法
US5953215A (en) 1997-12-01 1999-09-14 Karabatsos; Chris Apparatus and method for improving computer memory speed and capacity
US7007130B1 (en) 1998-02-13 2006-02-28 Intel Corporation Memory system including a memory module having a memory module controller interfacing between a system memory controller and memory devices of the memory module
KR100278653B1 (ko) 1998-01-23 2001-02-01 윤종용 이중 데이터율 모드 반도체 메모리 장치
US6349051B1 (en) 1998-01-29 2002-02-19 Micron Technology, Inc. High speed data bus
US6721860B2 (en) 1998-01-29 2004-04-13 Micron Technology, Inc. Method for bus capacitance reduction
US7024518B2 (en) 1998-02-13 2006-04-04 Intel Corporation Dual-port buffer-to-memory interface
US6742098B1 (en) 2000-10-03 2004-05-25 Intel Corporation Dual-port buffer-to-memory interface
US5963464A (en) 1998-02-26 1999-10-05 International Business Machines Corporation Stackable memory card
US5909388A (en) 1998-03-31 1999-06-01 Siemens Aktiengesellschaft Dynamic random access memory circuit and methods therefor
US6233650B1 (en) 1998-04-01 2001-05-15 Intel Corporation Using FET switches for large memory arrays
US6400637B1 (en) 1998-04-21 2002-06-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device
US6446184B2 (en) 1998-04-28 2002-09-03 International Business Machines Corporation Address re-mapping for memory module using presence detect data
US6209074B1 (en) 1998-04-28 2001-03-27 International Business Machines Corporation Address re-mapping for memory module using presence detect data
US6247088B1 (en) 1998-05-08 2001-06-12 Lexmark International, Inc. Bridgeless embedded PCI computer system using syncronous dynamic ram architecture
US6173357B1 (en) 1998-06-30 2001-01-09 Shinemore Technology Corp. External apparatus for combining partially defected synchronous dynamic random access memories
US6260127B1 (en) 1998-07-13 2001-07-10 Compaq Computer Corporation Method and apparatus for supporting heterogeneous memory in computer systems
US6185654B1 (en) 1998-07-17 2001-02-06 Compaq Computer Corporation Phantom resource memory address mapping system
KR100297727B1 (ko) 1998-08-13 2001-09-26 윤종용 분리 제어라인의 큰 부하에 의한 스피드 손실을 방지할 수 있는반도체 메모리 장치
US6587912B2 (en) 1998-09-30 2003-07-01 Intel Corporation Method and apparatus for implementing multiple memory buses on a memory module
US6122189A (en) * 1998-10-02 2000-09-19 Rambus Inc. Data packet with embedded mask
US6044032A (en) 1998-12-03 2000-03-28 Micron Technology, Inc. Addressing scheme for a double data rate SDRAM
US6081477A (en) 1998-12-03 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Write scheme for a double data rate SDRAM
US6275900B1 (en) 1999-01-27 2001-08-14 International Business Machines Company Hybrid NUMA/S-COMA system and method
US6115278A (en) 1999-02-09 2000-09-05 Silicon Graphics, Inc. Memory system with switching for data isolation
US6621496B1 (en) 1999-02-26 2003-09-16 Micron Technology, Inc. Dual mode DDR SDRAM/SGRAM
KR100304705B1 (ko) 1999-03-03 2001-10-29 윤종용 포스티드 카스 레이턴시 기능을 가지는 동기식 반도체 메모리 장치 및 카스 레이턴시 제어 방법
JP4187346B2 (ja) 1999-03-31 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 同期型半導体記憶装置
KR100287190B1 (ko) 1999-04-07 2001-04-16 윤종용 선택되는 메모리 모듈만을 데이터 라인에 연결하는 메모리 모듈 시스템 및 이를 이용한 데이터 입출력 방법
US6141245A (en) 1999-04-30 2000-10-31 International Business Machines Corporation Impedance control using fuses
US6446158B1 (en) 1999-05-17 2002-09-03 Chris Karabatsos Memory system using FET switches to select memory banks
US6414868B1 (en) 1999-06-07 2002-07-02 Sun Microsystems, Inc. Memory expansion module including multiple memory banks and a bank control circuit
JP3977961B2 (ja) * 1999-06-24 2007-09-19 松下電器産業株式会社 プロセッサ装置
US6629312B1 (en) * 1999-08-20 2003-09-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Programmatic synthesis of a machine description for retargeting a compiler
JP2001102914A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Oki Electric Ind Co Ltd 双方向信号制御回路
US6223650B1 (en) 1999-09-30 2001-05-01 Robert M. Stuck Apparatus for conveyorized toasting of breads and like food items
US6530033B1 (en) 1999-10-28 2003-03-04 Hewlett-Packard Company Radial arm memory bus for a high availability computer system
US6408356B1 (en) 1999-11-16 2002-06-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for modifying signals from a CPU to a memory card
US6683372B1 (en) 1999-11-18 2004-01-27 Sun Microsystems, Inc. Memory expansion module with stacked memory packages and a serial storage unit
TW451193B (en) 1999-11-30 2001-08-21 Via Tech Inc A method to determine the timing setting value of dynamic random access memory
US6453381B1 (en) 1999-12-02 2002-09-17 Etron Technology, Inc. DDR DRAM data coherence scheme
JP2001169068A (ja) 1999-12-14 2001-06-22 Ricoh Co Ltd 画像処理装置、画像処理方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20050010737A1 (en) 2000-01-05 2005-01-13 Fred Ware Configurable width buffered module having splitter elements
US6502161B1 (en) 2000-01-05 2002-12-31 Rambus Inc. Memory system including a point-to-point linked memory subsystem
US7356639B2 (en) 2000-01-05 2008-04-08 Rambus Inc. Configurable width buffered module having a bypass circuit
US6154419A (en) 2000-03-13 2000-11-28 Ati Technologies, Inc. Method and apparatus for providing compatibility with synchronous dynamic random access memory (SDRAM) and double data rate (DDR) memory
US6741520B1 (en) 2000-03-16 2004-05-25 Mosel Vitelic, Inc. Integrated data input sorting and timing circuit for double data rate (DDR) dynamic random access memory (DRAM) devices
US6415374B1 (en) 2000-03-16 2002-07-02 Mosel Vitelic, Inc. System and method for supporting sequential burst counts in double data rate (DDR) synchronous dynamic random access memories (SDRAM)
US6826104B2 (en) 2000-03-24 2004-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Synchronous semiconductor memory
US6646949B1 (en) 2000-03-29 2003-11-11 International Business Machines Corporation Word line driver for dynamic random access memories
US6518794B2 (en) 2000-04-24 2003-02-11 International Business Machines Corporation AC drive cross point adjust method and apparatus
JP3534681B2 (ja) * 2000-06-01 2004-06-07 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
US6470417B1 (en) 2000-06-12 2002-10-22 International Business Machines Corporation Emulation of next generation DRAM technology
US6738880B2 (en) 2000-06-12 2004-05-18 Via Technologies, Inc. Buffer for varying data access speed and system applying the same
JP4162364B2 (ja) 2000-06-26 2008-10-08 富士通株式会社 半導体記憶装置
EP1168632A1 (de) 2000-06-28 2002-01-02 TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) Kommunikationsgerät mit konfigurierbarem Sigma-Delta-Modulator
KR100608346B1 (ko) 2000-06-30 2006-08-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 시스템 버스 구조
US6721843B1 (en) 2000-07-07 2004-04-13 Lexar Media, Inc. Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible
US6438062B1 (en) 2000-07-28 2002-08-20 International Business Machines Corporation Multiple memory bank command for synchronous DRAMs
US6487102B1 (en) 2000-09-18 2002-11-26 Intel Corporation Memory module having buffer for isolating stacked memory devices
TW528948B (en) * 2000-09-14 2003-04-21 Intel Corp Memory module having buffer for isolating stacked memory devices
US6317352B1 (en) 2000-09-18 2001-11-13 Intel Corporation Apparatus for implementing a buffered daisy chain connection between a memory controller and memory modules
US6553450B1 (en) 2000-09-18 2003-04-22 Intel Corporation Buffer to multiply memory interface
US6625687B1 (en) 2000-09-18 2003-09-23 Intel Corporation Memory module employing a junction circuit for point-to-point connection isolation, voltage translation, data synchronization, and multiplexing/demultiplexing
US6553449B1 (en) 2000-09-29 2003-04-22 Intel Corporation System and method for providing concurrent row and column commands
US6697888B1 (en) 2000-09-29 2004-02-24 Intel Corporation Buffering and interleaving data transfer between a chipset and memory modules
US6618791B1 (en) 2000-09-29 2003-09-09 Intel Corporation System and method for controlling power states of a memory device via detection of a chip select signal
US6658509B1 (en) 2000-10-03 2003-12-02 Intel Corporation Multi-tier point-to-point ring memory interface
US6480439B2 (en) 2000-10-03 2002-11-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
KR100401490B1 (ko) * 2000-10-31 2003-10-11 주식회사 하이닉스반도체 로오 버퍼를 내장한 반도체 메모리 장치
GB0026849D0 (en) 2000-11-03 2000-12-20 Acuid Corp Ltd DDR SDRAM memory test system with fault strobe synchronization
JP2002184175A (ja) 2000-12-08 2002-06-28 Murata Mach Ltd Sdramのランダムアクセス装置
JP2002184176A (ja) 2000-12-13 2002-06-28 Nec Tohoku Ltd Sdram制御回路およびsdramモジュール
US20020122435A1 (en) 2000-12-28 2002-09-05 Vishweshwara Mundkur Scalable multi-channel frame aligner
US6515901B2 (en) 2000-12-29 2003-02-04 Intel Corporation Method and apparatus for allowing continuous application of high voltage to a flash memory device power pin
KR100355032B1 (ko) 2001-01-08 2002-10-05 삼성전자 주식회사 고집적 패키지 메모리 장치, 이 장치를 이용한 메모리 모듈, 및 이 모듈의 제어방법
WO2002058069A2 (en) 2001-01-17 2002-07-25 Honeywell International Inc. Enhanced memory module architecture
US6889304B2 (en) 2001-02-28 2005-05-03 Rambus Inc. Memory device supporting a dynamically configurable core organization
JP2004288225A (ja) 2001-03-29 2004-10-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Dram及びアクセス方法
TW588235B (en) 2001-04-02 2004-05-21 Via Tech Inc Motherboard with less power consumption
US8391039B2 (en) 2001-04-24 2013-03-05 Rambus Inc. Memory module with termination component
US6675272B2 (en) 2001-04-24 2004-01-06 Rambus Inc. Method and apparatus for coordinating memory operations among diversely-located memory components
US6948084B1 (en) 2001-05-17 2005-09-20 Cypress Semiconductor Corporation Method for interfacing a synchronous memory to an asynchronous memory interface and logic of same
US20030090879A1 (en) 2001-06-14 2003-05-15 Doblar Drew G. Dual inline memory module
US6714433B2 (en) 2001-06-15 2004-03-30 Sun Microsystems, Inc. Memory module with equal driver loading
JP2003007963A (ja) 2001-06-20 2003-01-10 Hitachi Ltd 半導体記憶装置および製造方法
US6944694B2 (en) 2001-07-11 2005-09-13 Micron Technology, Inc. Routability for memory devices
KR100389928B1 (ko) 2001-07-20 2003-07-04 삼성전자주식회사 액티브 터미네이션 제어를 위한 반도체 메모리 시스템
US6496058B1 (en) 2001-07-24 2002-12-17 Virtual Ip Group Method for designing an integrated circuit containing multiple integrated circuit designs and an integrated circuit so designed
KR100448702B1 (ko) 2001-08-01 2004-09-16 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 라이트 레이턴시 제어방법
US6625081B2 (en) 2001-08-13 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Synchronous flash memory with virtual segment architecture
CN1280734C (zh) 2001-09-07 2006-10-18 皇家菲利浦电子有限公司 用于分段存取控制的控制装置和方法和具有该控制装置的视频存储器装置
US6636935B1 (en) 2001-09-10 2003-10-21 Rambus Inc. Techniques for increasing bandwidth in port-per-module memory systems having mismatched memory modules
TW516118B (en) 2001-09-11 2003-01-01 Leadtek Research Inc Decoding conversion device and method capable of supporting multiple memory chips and their application system
JP3813849B2 (ja) * 2001-09-14 2006-08-23 株式会社東芝 カード装置
US6681301B1 (en) 2001-10-02 2004-01-20 Advanced Micro Devices, Inc. System for controlling multiple memory types
TW563132B (en) 2001-10-09 2003-11-21 Via Tech Inc Common DRAM controller supports double-data-rate and quad-data-rate memory
KR100443505B1 (ko) 2001-10-23 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 확장 모드 레지스터 세트의 레지스터 회로
US6914324B2 (en) 2001-10-26 2005-07-05 Staktek Group L.P. Memory expansion and chip scale stacking system and method
US6925534B2 (en) * 2001-12-31 2005-08-02 Intel Corporation Distributed memory module cache prefetch
US6981089B2 (en) 2001-12-31 2005-12-27 Intel Corporation Memory bus termination with memory unit having termination control
US6832303B2 (en) 2002-01-03 2004-12-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for managing an allocation of a portion of a memory
US6880094B2 (en) 2002-01-14 2005-04-12 Micron Technology, Inc. Cas latency select utilizing multilevel signaling
JP3963744B2 (ja) 2002-03-15 2007-08-22 富士通株式会社 チップセレクト信号による制御を変更可能なメモリ装置
JP3835328B2 (ja) 2002-03-27 2006-10-18 ブラザー工業株式会社 メモリ制御装置
US6912628B2 (en) 2002-04-22 2005-06-28 Sun Microsystems Inc. N-way set-associative external cache with standard DDR memory devices
US6819602B2 (en) 2002-05-10 2004-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Multimode data buffer and method for controlling propagation delay time
US6807650B2 (en) 2002-06-03 2004-10-19 International Business Machines Corporation DDR-II driver impedance adjustment control algorithm and interface circuits
US7133972B2 (en) 2002-06-07 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Memory hub with internal cache and/or memory access prediction
US6731548B2 (en) 2002-06-07 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Reduced power registered memory module and method
US7065626B2 (en) 2002-07-10 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for changing computer system memory density
US6854042B1 (en) 2002-07-22 2005-02-08 Chris Karabatsos High-speed data-rate converting and switching circuit
JP4159415B2 (ja) * 2002-08-23 2008-10-01 エルピーダメモリ株式会社 メモリモジュール及びメモリシステム
US6807125B2 (en) 2002-08-22 2004-10-19 International Business Machines Corporation Circuit and method for reading data transfers that are sent with a source synchronous clock signal
US7124260B2 (en) 2002-08-26 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Modified persistent auto precharge command protocol system and method for memory devices
US6785189B2 (en) 2002-09-16 2004-08-31 Emulex Design & Manufacturing Corporation Method and apparatus for improving noise immunity in a DDR SDRAM system
US7073041B2 (en) 2002-10-30 2006-07-04 Motorola, Inc. Virtual memory translation unit for multimedia accelerators
US7142461B2 (en) 2002-11-20 2006-11-28 Micron Technology, Inc. Active termination control though on module register
US6996686B2 (en) 2002-12-23 2006-02-07 Sun Microsystems, Inc. Memory subsystem including memory modules having multiple banks
US7272709B2 (en) 2002-12-26 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Using chip select to specify boot memory
US6705877B1 (en) 2003-01-17 2004-03-16 High Connection Density, Inc. Stackable memory module with variable bandwidth
JP2004240713A (ja) 2003-02-06 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd データ転送方法及びデータ転送装置
DE10305837B4 (de) 2003-02-12 2009-03-19 Qimonda Ag Speichermodul mit einer Mehrzahl von integrierten Speicherbauelementen
TW591388B (en) 2003-02-21 2004-06-11 Via Tech Inc Memory address decoding method and related apparatus by bit-pattern matching
US7392442B2 (en) 2003-03-20 2008-06-24 Qualcomm Incorporated Built-in self-test (BIST) architecture having distributed interpretation and generalized command protocol
US7149841B2 (en) 2003-03-31 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Memory devices with buffered command address bus
US7360056B2 (en) 2003-04-04 2008-04-15 Sun Microsystems, Inc. Multi-node system in which global address generated by processing subsystem includes global to local translation information
US20040201968A1 (en) 2003-04-09 2004-10-14 Eric Tafolla Multi-bank memory module
JP4471582B2 (ja) * 2003-04-21 2010-06-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路及び回路設計装置
US6950366B1 (en) 2003-04-30 2005-09-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for providing a low power memory array
US6982892B2 (en) 2003-05-08 2006-01-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for a physical layout of simultaneously sub-accessible memory modules
US6947304B1 (en) 2003-05-12 2005-09-20 Pericon Semiconductor Corp. DDR memory modules with input buffers driving split traces with trace-impedance matching at trace junctions
US7421525B2 (en) * 2003-05-13 2008-09-02 Advanced Micro Devices, Inc. System including a host connected to a plurality of memory modules via a serial memory interconnect
US6674684B1 (en) 2003-06-11 2004-01-06 Infineon Technologies North America Corp. Multi-bank chip compatible with a controller designed for a lesser number of banks and method of operating
US7120727B2 (en) 2003-06-19 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Reconfigurable memory module and method
JP3761544B2 (ja) 2003-06-25 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 設定装置、情報処理装置、設定方法、プログラム、及び記録媒体
DE10334779B4 (de) 2003-07-30 2005-09-29 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichermodul
US7047361B2 (en) 2003-08-04 2006-05-16 Phison Electronics Corp. Data storage device using SDRAM
US20050044301A1 (en) 2003-08-20 2005-02-24 Vasilevsky Alexander David Method and apparatus for providing virtual computing services
US7078793B2 (en) 2003-08-29 2006-07-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor memory module
JP3950831B2 (ja) 2003-09-16 2007-08-01 エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 メモリインタリーブ方式
US7225303B2 (en) 2003-09-22 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for accessing a dynamic memory device by providing at least one of burst and latency information over at least one of redundant row and column address lines
US7054179B2 (en) 2003-10-30 2006-05-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Double-high memory system compatible with termination schemes for single-high memory systems
US7370238B2 (en) 2003-10-31 2008-05-06 Dell Products L.P. System, method and software for isolating dual-channel memory during diagnostics
US7127584B1 (en) 2003-11-14 2006-10-24 Intel Corporation System and method for dynamic rank specific timing adjustments for double data rate (DDR) components
EP1538630A1 (de) 2003-11-18 2005-06-08 Buffalo Inc. Speichermodul und Speicherhilfsmodul
US20050138267A1 (en) * 2003-12-23 2005-06-23 Bains Kuljit S. Integral memory buffer and serial presence detect capability for fully-buffered memory modules
US7380039B2 (en) 2003-12-30 2008-05-27 3Tera, Inc. Apparatus, method and system for aggregrating computing resources
US7281079B2 (en) 2003-12-31 2007-10-09 Intel Corporation Method and apparatus to counter mismatched burst lengths
US7133960B1 (en) 2003-12-31 2006-11-07 Intel Corporation Logical to physical address mapping of chip selects
US8250295B2 (en) 2004-01-05 2012-08-21 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US7363427B2 (en) 2004-01-12 2008-04-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory controller connection to RAM using buffer interface
US7286436B2 (en) 2004-03-05 2007-10-23 Netlist, Inc. High-density memory module utilizing low-density memory components
US7916574B1 (en) 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
JP4005576B2 (ja) 2004-03-12 2007-11-07 松下電器産業株式会社 半導体集積回路装置
US7401302B2 (en) * 2004-04-29 2008-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. System on chip development with reconfigurable multi-project wafer technology
JP4721776B2 (ja) * 2004-07-13 2011-07-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US7389375B2 (en) 2004-07-30 2008-06-17 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a multi-mode memory buffer device
US7046538B2 (en) 2004-09-01 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Memory stacking system and method
EP1784722A1 (de) * 2004-09-02 2007-05-16 Thomson Licensing Verfahren zur dynamischen konfiguration eines elektronischen systems mit variablen eingangs- und ausgangssignalen
US7512762B2 (en) 2004-10-29 2009-03-31 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for a memory subsystem with positional read data latency
US7395476B2 (en) 2004-10-29 2008-07-01 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing a high speed test interface to a memory subsystem
US7277988B2 (en) * 2004-10-29 2007-10-02 International Business Machines Corporation System, method and storage medium for providing data caching and data compression in a memory subsystem
US7334150B2 (en) 2004-12-03 2008-02-19 Infineon Technologies Ag Memory module with a clock signal regeneration circuit and a register circuit for temporarily storing the incoming command and address signals
US7266639B2 (en) 2004-12-10 2007-09-04 Infineon Technologies Ag Memory rank decoder for a multi-rank Dual Inline Memory Module (DIMM)
US20060129712A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Siva Raghuram Buffer chip for a multi-rank dual inline memory module (DIMM)
US7200021B2 (en) 2004-12-10 2007-04-03 Infineon Technologies Ag Stacked DRAM memory chip for a dual inline memory module (DIMM)
US7437591B1 (en) 2005-01-18 2008-10-14 Altera Corporation Method and apparatus for hardware timing optimizer
US7360104B2 (en) * 2005-01-31 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Redundant voltage distribution system and method for a memory module having multiple external voltages
US7516264B2 (en) 2005-02-09 2009-04-07 International Business Machines Corporation Programmable bank/timer address folding in memory devices
US7233169B1 (en) * 2005-02-10 2007-06-19 Xilinx, Inc. Bidirectional register segmented data busing
JP4309368B2 (ja) * 2005-03-30 2009-08-05 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置
US7610455B2 (en) 2005-05-11 2009-10-27 Infineon Technologies Ag Technique to read special mode register
US7414312B2 (en) 2005-05-24 2008-08-19 Kingston Technology Corp. Memory-module board layout for use with memory chips of different data widths
US20060277355A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Mark Ellsberry Capacity-expanding memory device
US8335894B1 (en) 2008-07-25 2012-12-18 Google Inc. Configurable memory system with interface circuit
US8130560B1 (en) * 2006-11-13 2012-03-06 Google Inc. Multi-rank partial width memory modules
US8244971B2 (en) 2006-07-31 2012-08-14 Google Inc. Memory circuit system and method
KR101377305B1 (ko) 2005-06-24 2014-03-25 구글 인코포레이티드 집적 메모리 코어 및 메모리 인터페이스 회로
US7609567B2 (en) * 2005-06-24 2009-10-27 Metaram, Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
WO2008063251A2 (en) 2006-07-31 2008-05-29 Metaram, Inc. Memory circuit system and method
US8089795B2 (en) 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US7411843B2 (en) * 2005-09-15 2008-08-12 Infineon Technologies Ag Semiconductor memory arrangement with branched control and address bus
US7263019B2 (en) * 2005-09-15 2007-08-28 Infineon Technologies Ag Serial presence detect functionality on memory component
US7464225B2 (en) 2005-09-26 2008-12-09 Rambus Inc. Memory module including a plurality of integrated circuit memory devices and a plurality of buffer devices in a matrix topology
US20070109911A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Neubauer Anthony C High speed and direct driven rotating equipment for polyolefin manufacturing
JP5371448B2 (ja) * 2006-03-01 2013-12-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 超音波診断用撮像システム及び受信アパーチャを並進させる方法
US7471538B2 (en) 2006-03-30 2008-12-30 Micron Technology, Inc. Memory module, system and method of making same
US7486104B2 (en) * 2006-06-02 2009-02-03 Rambus Inc. Integrated circuit with graduated on-die termination
US7530854B2 (en) 2006-06-15 2009-05-12 Ortronics, Inc. Low noise multiport connector
US7379361B2 (en) 2006-07-24 2008-05-27 Kingston Technology Corp. Fully-buffered memory-module with redundant memory buffer in serializing advanced-memory buffer (AMB) for repairing DRAM
US20080028135A1 (en) 2006-07-31 2008-01-31 Metaram, Inc. Multiple-component memory interface system and method
DE102006035612B4 (de) 2006-07-31 2011-05-05 Qimonda Ag Speicherpuffer, FB-DIMM und Verfahren zum Betrieb eines Speicherpuffers
JP5087886B2 (ja) 2006-08-18 2012-12-05 富士通株式会社 メモリ制御装置
US7793043B2 (en) * 2006-08-24 2010-09-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Buffered memory architecture
JP2008059711A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7518947B2 (en) * 2006-09-28 2009-04-14 Freescale Semiconductor, Inc. Self-timed memory having common timing control circuit and method therefor
WO2008051940A2 (en) 2006-10-23 2008-05-02 Virident Systems, Inc. Methods and apparatus of dual inline memory modules for flash memory
DE102006051514B4 (de) * 2006-10-31 2010-01-21 Qimonda Ag Speichermodul und Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls
US20080104352A1 (en) 2006-10-31 2008-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Memory system including a high-speed serial buffer
US7593273B2 (en) 2006-11-06 2009-09-22 Altera Corporation Read-leveling implementations for DDR3 applications on an FPGA
DE102006053151A1 (de) * 2006-11-10 2008-05-15 Qimonda Ag Speichermodul mit Speichervorrichtungen
JP5078338B2 (ja) * 2006-12-12 2012-11-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
KR101533120B1 (ko) 2006-12-14 2015-07-01 램버스 인코포레이티드 멀티 다이 메모리 디바이스
CN201017277Y (zh) * 2006-12-22 2008-02-06 杭州华三通信技术有限公司 嵌入式系统的测试行动联合组隔离电路
KR100851545B1 (ko) 2006-12-29 2008-08-11 삼성전자주식회사 커맨드 및 어드레스 핀을 갖는 낸드 플래시 메모리 및그것을 포함한 플래시 메모리 시스템
US7589555B1 (en) * 2007-01-08 2009-09-15 Altera Corporation Variable sized soft memory macros in structured cell arrays, and related methods
US20080225503A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Qimonda Ag Electronic system with integrated circuit device and passive component
US20080246626A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Vizionware, Inc. Data transaction direction detection in an adaptive two-wire bus
US7644216B2 (en) * 2007-04-16 2010-01-05 International Business Machines Corporation System and method for providing an adapter for re-use of legacy DIMMS in a fully buffered memory environment
EP1988473B1 (de) 2007-05-04 2012-02-08 Helge Hofmeister Server mit einem ein virtuelles Dateisystem verwendenden Kern und Verfahren zum sicheren Umlenken eines Dauerspeichervorgangs zu einer Middleware-Infrastruktur
KR100906999B1 (ko) * 2007-06-11 2009-07-08 주식회사 하이닉스반도체 메모리 모듈 및 메모리 시스템
KR20090013342A (ko) * 2007-08-01 2009-02-05 삼성전자주식회사 멀티 포트 반도체 메모리 장치 및 그에 따른 리프레쉬 방법
US7865674B2 (en) * 2007-08-31 2011-01-04 International Business Machines Corporation System for enhancing the memory bandwidth available through a memory module
US7802216B2 (en) * 2007-09-13 2010-09-21 Rapid Bridge Llc Area and power saving standard cell methodology
US20090103387A1 (en) 2007-10-19 2009-04-23 Uniram Technology Inc. High performance high capacity memory systems
US8856464B2 (en) 2008-02-12 2014-10-07 Virident Systems, Inc. Systems for two-dimensional main memory including memory modules with read-writeable non-volatile memory devices
US8099539B2 (en) * 2008-03-10 2012-01-17 Lsi Corporation Method and system of a shared bus architecture
US8654556B2 (en) 2008-03-31 2014-02-18 Montage Technology Inc. Registered DIMM memory system
US8001434B1 (en) 2008-04-14 2011-08-16 Netlist, Inc. Memory board with self-testing capability
US8516185B2 (en) 2009-07-16 2013-08-20 Netlist, Inc. System and method utilizing distributed byte-wise buffers on a memory module
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US8417870B2 (en) 2009-07-16 2013-04-09 Netlist, Inc. System and method of increasing addressable memory space on a memory board
US9104557B2 (en) * 2008-08-01 2015-08-11 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Encoded chip select for supporting more memory ranks
US8452917B2 (en) * 2008-09-15 2013-05-28 Diablo Technologies Inc. Load reduction dual in-line memory module (LRDIMM) and method for programming the same
US8838406B2 (en) * 2008-11-11 2014-09-16 Advantest (Singapore) Pte Ltd Re-configurable test circuit, method for operating an automated test equipment, apparatus, method and computer program for setting up an automated test equipment
US8019921B2 (en) * 2008-11-14 2011-09-13 GlobalFoundries, Inc. Intelligent memory buffer
US20100162037A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 International Business Machines Corporation Memory System having Spare Memory Devices Attached to a Local Interface Bus
US8539145B1 (en) * 2009-07-28 2013-09-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Increasing the number of ranks per channel
US8271763B2 (en) 2009-09-25 2012-09-18 Nvidia Corporation Unified addressing and instructions for accessing parallel memory spaces
US8982140B2 (en) 2010-09-24 2015-03-17 Nvidia Corporation Hierarchical memory addressing
US8761189B2 (en) 2012-06-28 2014-06-24 Mellanox Technologies Ltd. Responding to dynamically-connected transport requests
US9165639B2 (en) * 2013-11-11 2015-10-20 Rambus Inc. High capacity memory system using standard controller component
US20230298642A1 (en) * 2020-09-01 2023-09-21 Rambus Inc. Data-buffer controller/control-signal redriver

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7289386B2 (en) 2004-03-05 2007-10-30 Netlist, Inc. Memory module decoder
US7532537B2 (en) 2004-03-05 2009-05-12 Netlist, Inc. Memory module with a circuit providing load isolation and memory domain translation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3404660A1 (de) 2009-07-16 2018-11-21 Netlist, Inc. System und verfahren mit verwendung verteilter byte-basierter puffer auf einem speichermodul

Also Published As

Publication number Publication date
US20210271593A1 (en) 2021-09-02
EP3404660B1 (de) 2021-06-23
TW201113699A (en) 2011-04-16
EP2454735B1 (de) 2020-12-09
US10949339B2 (en) 2021-03-16
PL3404660T3 (pl) 2022-01-03
TWI446167B (zh) 2014-07-21
JP2012533793A (ja) 2012-12-27
EP2454735A1 (de) 2012-05-23
US20170337125A1 (en) 2017-11-23
WO2011008580A1 (en) 2011-01-20
TWI428740B (zh) 2014-03-01
US9606907B2 (en) 2017-03-28
PL2454735T3 (pl) 2021-06-14
US8516185B2 (en) 2013-08-20
CZ31172U1 (cs) 2017-11-14
TW201415222A (zh) 2014-04-16
EP3923286A1 (de) 2021-12-15
US20140040568A1 (en) 2014-02-06
CN105161126A (zh) 2015-12-16
US20110016250A1 (en) 2011-01-20
US11994982B2 (en) 2024-05-28
CN102576565B (zh) 2015-09-30
CN102576565A (zh) 2012-07-11
EP3404660A1 (de) 2018-11-21
KR20120062714A (ko) 2012-06-14
CN105161126B (zh) 2018-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE202010018501U1 (de) System, das verteilte byteweise Puffer auf einem Speichermodul verwendet
DE60308183T2 (de) Pufferanordnung für speicher
DE112013003294B4 (de) 1-8Konfiguration zur Stromreduzierung im Dram
DE102012204991B4 (de) Speichereinrichtungen, Systeme und Verfahren unter Verwendung einer Befehls/Adressenkalibrierung
DE69534709T2 (de) Herstellungsverfahren einer Halbleiteranordnung
DE10208726B4 (de) Signalverarbeitungssystem für die Verwendung mit einem oder mehreren Modulen
DE60016220T2 (de) Speichererweiterungsmodul mit einer vielzahl von speicherbanken und einer banksteuerungschaltung
DE102005055185B4 (de) Halbleiterspeichermodul
DE69133565T3 (de) System mit einer Vielzahl von DRAMS und einem Bus
DE102007019117B4 (de) Speichermodul
DE202010017690U1 (de) Programmierung von Dimm-Abschlusswiderstandswerten
DE10233865B4 (de) Speichermodul
DE68922073T2 (de) Elektronisches System mit einem Mikroprozessor und Koprozessor, die auf einer Schaltplatte montiert sind.
DE102007063812B3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kommunizieren von Befehls- und Adresssignalen
DE10228544A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE112005002336T5 (de) Befehl, der unterschiedliche Operationen in unterschiedlichen Chips steuert
DE102019112628A1 (de) Dimm für speicherkanal mit hoher bandbreite
DE102006023172A1 (de) Verfahren zum Zuordnen von Rank-Adressen in einem Speichermodul
DE112017004965T5 (de) Erweiterte plattform mit zusätzlichen speichermodul-slots je cpu-steckplatz
DE102007021307A1 (de) Speichermodul und Verfahren zur Herstellung und zur Verwendung
DE4336887C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und Verfahren zum Treiben einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung
DE102008030514A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Anbindung von Speichervorrichtungen
DE112021001663T5 (de) Separate inter-die-konnektoren für daten- und fehlerkorrekturinformationen sowie zugehörige systeme, verfahren und geräte
EP1205938B1 (de) Integrierte Schaltung mit Testbetriebsart und Verfahren zum Testen einer Vielzahl solcher integrierter Schaltungen
DE69414744T2 (de) Verfahren und Schaltung zum Konfigurieren von Eingang/Ausgangsanordnungen

Legal Events

Date Code Title Description
R207 Utility model specification
R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: NETLIST LUXEMBOURG S.A.R.L, LU

Free format text: FORMER OWNER: NETLIST, INC., IRVINE, CALIF., US

R082 Change of representative

Representative=s name: BOSCH JEHLE PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH, DE

R165 Request for cancellation or ruling filed
R152 Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years
R443 Decision by department
R168 Utility model cancelled