TWI661254B - 液晶顯示裝置及包括多個像素的液晶顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的一個目的是在以FFS(邊緣場切換)型為代表的水平電場液晶顯示裝置中將足夠的電場施加到液晶材料中。在水平電場液晶顯示器中，使用多對電極而不是一對電極將電場施加給正好在公共電極和像素電極之上的液晶材料中。一對電極包括梳狀公共電極和梳狀像素電極。另一對電極包括梳狀像素電極和在像素部分中提供的公共電極。

Description

液晶顯示裝置及包括多個像素的液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置。具體地說，本發明係關於一種具有寬視角的液晶顯示裝置。
顯示裝置包括自發光的顯示裝置和光接收顯示裝置。液晶顯示裝置是最典型的光接收顯示裝置。液晶顯示裝置中的液晶的驅動方法包括對基板垂直地施加電壓的垂直電場型和與基板大致平行地施加電壓的水平電場型。垂直電場型和水平電場型中每種類型都具有優點和缺點。例如，與以TN型為代表的垂直電場型相比，水平電場型具有例如寬視角、高對比度、高等級顯示等的特徵，並且水平電場型被用於監視器或電視。這些類型的液晶顯示裝置同時存在於液晶領域，並且已經進行了產品研發。此外，還研發了用於水平電場型的液晶材料和用於垂直電場型的液晶材料的每種材料，根據所施加的電壓的方向每種材料具有不同的材料特性。
此外，水平電場型液晶顯示裝置包括IPS(板內切換)型和FFS(邊緣場切換)型。在IPS型中，具有梳狀或切口的像素電極和具有梳狀或切口的公共電極交替地設置，並且在像素電極和公共電極之間產生與基板大致平行的電場，由此驅動液晶顯示裝置(參見專利文獻1)。另一方面，在FFS型中，具有梳狀或切口的像素電極被置於具有形成在整個像素部分中的平面狀的公共電極上。在像素電極和公共電極之間產生了與基板大致平行的電場，由此驅動液晶顯示裝置。
已經表明FFS液晶顯示裝置具有高透射率、寬視角、低功耗，並且無串擾(參見非專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請第H9-105918號案
[非專利文獻1]具有超級影像品質和快速回應時間的超-FFS TFT-LCD(Ultra-FFS TFT-LCD with Super Image Quality and Fast Response Time)，2001 The Society For Information Display pp.484-487。
在以習知水平電場型液晶顯示裝置為代表的水平電場型液晶顯示裝置中，施加給液晶材料的電場不夠。這是因為電場不會很好地施加給正好在公共電極和像素電極之上的液晶材料。
此外，使用水平電場型比如IPS型或FFS型的寬視角技術大多數用於電視；因此，這種技術僅僅針對透射型。然而，在要求減小功耗或者在野外使用時，需要反射型或半透射型。但是，反射或半透射型是藉由使用以TN型為 代表的垂直電場型來實現的。
因此，本發明的一個目的是提供一種水平電場型液晶顯示裝置的結構，在這種結構中可對液晶材料施加足夠的電場。
此外，本發明的一個目的是提供一種具有寬視角和更小的色移的液晶顯示裝置，這種液晶顯示裝置能夠顯示在室內和室外都可以被有利地識別的影像。
考慮到前述的問題，在本發明中，藉由使用多對電極而不是一對電極將電場施加給液晶材料。一對電極包括梳狀公共電極和梳狀像素電極。另一對電極包括梳狀像素電極和在像素部分中形成的公共電極。在像素部分中提供的公共電極可以被提供在除了薄膜電晶體之外的區域中。此外，在像素部分中提供的公共電極可以是梳狀。在這種液晶顯示裝置中，施加給液晶材料的電場可以藉由使用所述一對電極以及另一對電極控制。
本發明的液晶顯示裝置包括藉由光透射實施顯示的第一區和藉由光反射實施顯示的第二區。此外，液晶層包括液晶分子，在液晶層之下提供的液晶元件中的兩個電極之間產生電位差時，所述液晶分子在平行於電極表面(即平行於基板)的平面中旋轉。
注意，在本發明中，術語“平行於電極表面旋轉”意味著包括不可由人眼識別的偏差在內的平行旋轉。換句話 說，術語“平行於電極表面旋轉”意味著主要包括平行於電極表面的向量分量，但也包括垂直於電極表面的幾個向量分量的旋轉。
在液晶層801之下提供的電極803和804之間產生電位差時，液晶層801中包含的液晶分子802藉由水平電場的作用旋轉。隨著液晶分子802旋轉，圖77A中所示的狀態改變為圖77B中所示的狀態，或者在圖77B中所示的狀態改變為圖77A中所示的狀態。圖77A和77B是橫截面圖。從上面看上述旋轉由圖77C中的箭頭所示。
以類似的方式，在液晶層9801之下提供的電極9804和9805之間和電極9803和9805之間產生電位差時，液晶層9801中包含的液晶分子9802藉由水平電場的作用旋轉，隨著液晶分子9802旋轉，圖112A中所示的狀態改變為圖112B中所示的狀態，或者在圖112B中所示的狀態改變為圖112A中所示的狀態。圖112A和112B所示為橫截面圖。從上面看上述旋轉由圖112C中的箭頭所示。
注意，電極803和804的位置關係等不限於圖77A至77C中所示的位置關係。
以類似的方式，電極9803，9804和9805的位置關係等不限於圖112A至112C中所示的位置關係。
在上文所述的第一區中，在液晶層之下提供的一對電極包括提供在不同層中的電極。在第一區中，液晶元件中的兩個電極被提供在液晶層之下，這些電極被提供在不同的層中。這些電極中的一個電極當成反射體或者提供反射 體以便與電極重疊，由此反射光。在第二區中，液晶元件中的兩個電極被形成在液晶層之下。這兩個電極都是透明的並且被提供在一層之上或者在不同的層之上，並在它們之間插入絕緣層。
下文說明本發明的具體結構。
本發明的一種模式是液晶顯示裝置，包括第一公共電極、在第一公共電極之上提供的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜藉由所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發明的另一模式是一種液晶顯示裝置，包括絕緣基板、在所述絕緣基板之上形成的薄膜電晶體、在與所述薄膜電晶體的半導體層相同的層中提供的第一公共電極、被提供成覆蓋第一公共電極的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中像素電極藉由薄膜電晶體控制，第一公共電極和第二公共電極電連接，所述液晶材料的傾斜藉由所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發明的另一模式是一種液晶顯示裝置，包括絕緣基板、在所述絕緣基板之上形成的薄膜電晶體、在與薄膜電晶體的源極和汲極電極相同的層中提供的第一公共電極、連接到第一公共電極的導電層、在第一公共電極和所述導 電層之上提供的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜藉由所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發明的另一模式是一種液晶顯示裝置，包括絕緣基板、在所述絕緣基板之上形成的薄膜電晶體、在與所述薄膜電晶體的半導體層相同的層中提供的第一公共電極、連接到第一公共電極的導電層、在第一公共電極和所述導電層之上提供的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜藉由所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
在本發明的一種結構中，薄膜電晶體可以包括晶體半導體層。
在本發明的一種結構中，可以進一步包括在第一公共電極和所述薄膜電晶體之上提供的鈍化層、在第一公共電極之上提供的並與其之間具有鈍化層的濾色器以及在薄膜電晶體之上提供的並與其之間具有鈍化層的黑色矩陣。
在本發明的一種結構中，可以進一步包括在第一公共電極和所述薄膜電晶體之上提供的鈍化層、在第一公共電極和所述薄膜電晶體之上提供的並與其之間具有鈍化層的濾色器、被提供成面對所述絕緣基板的相對基板和在所述 薄膜電晶體之上提供的黑色矩陣。
在本發明的一種結構中，進一步可以包括在薄膜電晶體之上提供的鈍化層、在所述鈍化層之上提供的濾色器、在所述濾色器之上提供的第一公共電極和在鈍化層之上的薄膜電晶體之上提供的黑色矩陣。
本發明的另一模式是一種液晶顯示裝置，包括絕緣基板、在所述絕緣基板之上形成的閘極電極、在與閘極電極相同的層中形成的第一公共電極、被提供成覆蓋所述閘極電極和第一公共電極的絕緣層、在閘極電極之上提供的並與其之間具有絕緣層的半導體層、在半導體層中提供的源極和汲極電極、提供在與源極和汲極電極相同的層中並與第一公共電極接觸的導電層、連接到源極和汲極電極中的一個電極的像素電極、連接到第一公共電極並與其之間具有導電層的第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜藉由所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發明的一種模式是一種液晶顯示裝置，包括絕緣基板、在所述絕緣基板之上形成的閘極電極、在與所述閘極電極相同的層中形成的導電層、與所述導電層接觸地提供的第一公共電極、被提供成覆蓋所述閘極電極和第一公共電極的絕緣層、在閘極電極之上提供的並與其之間具有所述絕緣層的半導體層、在半導體層之上提供的源極和汲極電極、連接到源極和汲極電極中的一個電極的像素電極、 連接到第一公共電極並與其之間具有導電層的第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜藉由所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
在本發明的一種結構中，半導體層可以具有非晶半導體層。
在本發明的一種結構中，可以進一步包括提供在第一公共電極之上的鈍化層、在第一公共電極之上提供的並與其之間具有鈍化層的濾色器和在源極和汲極電極之上提供的黑色矩陣。
在本發明的一種結構中，可以進一步包括在第一公共電極和閘極電極之上提供的鈍化層，在源極和汲極電極和第一公共電極之上提供的並與其之間具有鈍化層的濾色器，和被提供成面對所述絕緣基板的相對基板和在所述相對基板之上提供的黑色矩陣。
在本發明的一種結構中，像素電極可以是梳狀。
在本發明的一種結構中，第一公共電極可以是梳狀。
在本發明的一種結構中，第二公共電極可以是梳狀。
在本發明的一種結構中，像素電極可以由透明材料形成。
在本發明的一種結構中，第一公共電極可以由透明材料形成。
在本發明的一種結構中，第二公共電極可以由透明材 料形成。
根據本發明，可以使用兩對或更多對電極將電場充分地施加給液晶材料。然後，所述液晶材料的傾斜可以由兩對電極產生的電場控制，由此可以實施灰度級顯示。
此外，根據本發明，可以提供具有較寬視角和更小色移(由觀看顯示幕的角度引起)的並且在太陽下和在黑暗的室內(或晚上在室外)有利地識別的影像。
801‧‧‧液晶層
802‧‧‧液晶分子
803‧‧‧電極
804‧‧‧電極
9801‧‧‧液晶層
9802‧‧‧液晶分子
9803‧‧‧電極
9804‧‧‧電極
9805‧‧‧電極
1001‧‧‧反射部份
1002‧‧‧透射部份
9103‧‧‧電極
9305‧‧‧電極
9204‧‧‧絕緣層
9304‧‧‧絕緣層
9104‧‧‧電極
9105‧‧‧電極
9303‧‧‧液晶層
9303a、9303b‧‧‧液晶分子
9004‧‧‧電極
9005‧‧‧絕緣層
9002‧‧‧區
9003‧‧‧區
9306‧‧‧絕緣層
9307‧‧‧凸形散射體
9203‧‧‧散射體
9308‧‧‧絕緣層
9201‧‧‧絕緣層
100‧‧‧基板
101‧‧‧底層
102‧‧‧薄膜電晶體
103‧‧‧第一電極
104‧‧‧第二電極
105‧‧‧第三電極
111‧‧‧半導體層
112‧‧‧閘極絕緣層
113‧‧‧閘極電極
116‧‧‧源極和汲極電極
114‧‧‧雜質區
106‧‧‧絕緣層
107‧‧‧絕緣層
117‧‧‧電極
121‧‧‧引線
122‧‧‧公共電極
132‧‧‧公共電極
131‧‧‧引線
160‧‧‧薄膜電晶體
411‧‧‧非晶半導體層
401‧‧‧公共電極
402‧‧‧導電層
501‧‧‧公共電極
502‧‧‧導電層
150‧‧‧濾色器
151‧‧‧黑色矩陣
152‧‧‧絕緣層
155‧‧‧相對基板
154‧‧‧鈍化層
153‧‧‧鈍化層
403‧‧‧絕緣層
413‧‧‧掃描線
416‧‧‧訊號線
652‧‧‧反射電極
653‧‧‧液晶材料
654‧‧‧透射電極
650‧‧‧延遲膜
657‧‧‧膜
658‧‧‧光散射顆粒
659‧‧‧導電層
660‧‧‧導電層
602‧‧‧導電層
603‧‧‧突起
604‧‧‧導電層
412‧‧‧閘極絕緣層
601‧‧‧導電層
661‧‧‧導電層
203‧‧‧電極
204‧‧‧電極
7001‧‧‧閘極線
7002‧‧‧源極線
7003a‧‧‧公共引線
7003b‧‧‧公共引線
7004‧‧‧電晶體
852‧‧‧外部端子連接區
853‧‧‧密封區
854‧‧‧掃描線驅動電路
851‧‧‧基板
827‧‧‧薄膜電晶體
829‧‧‧薄膜電晶體
825‧‧‧薄膜電晶體
834‧‧‧密封劑
830‧‧‧相對基板
831‧‧‧對準膜
832‧‧‧相對電極
833‧‧‧間隔件
835a‧‧‧偏振片
835b‧‧‧偏振片
838a‧‧‧第一端子電極層
838b‧‧‧第二端子電極層
836‧‧‧各向異性導電層
837‧‧‧FPC
856‧‧‧像素區
857‧‧‧訊號線驅動器電路
900‧‧‧基板
920‧‧‧閘極驅動器
930‧‧‧像素部份
940‧‧‧源極驅動器
950‧‧‧積體電路
960‧‧‧撓性印刷電路
2001‧‧‧殼體
2002‧‧‧支撐基座
2003‧‧‧顯示部份
2004‧‧‧揚聲器部份
2005‧‧‧視頻輸入端子
2101‧‧‧主體
2102‧‧‧顯示部份
2103‧‧‧影像接收部份
2104‧‧‧操作鍵
2105‧‧‧外部連接埠
2106‧‧‧快門
2201‧‧‧主體
2202‧‧‧殼體
2203‧‧‧顯示部份
2204‧‧‧鍵盤
2205‧‧‧外部連接埠
2206‧‧‧指示滑鼠
2301‧‧‧主體
2302‧‧‧顯示部份
2303‧‧‧開關
2304‧‧‧操作鍵
2305‧‧‧紅外線埠
2401‧‧‧主體
2402‧‧‧殼體
2403‧‧‧顯示部份A
2404‧‧‧顯示部份B
2405‧‧‧記錄媒體讀取部份
2406‧‧‧操作鍵
2407‧‧‧揚聲器部份
2501‧‧‧主體
2502‧‧‧顯示部份
2503‧‧‧操作鍵
2601‧‧‧主體
2602‧‧‧顯示部份
2603‧‧‧殼體
2604‧‧‧外部連接埠
2605‧‧‧遙控接收部份
2606‧‧‧影像接收部份
2607‧‧‧電池
2608‧‧‧聲頻輸入部份
2609‧‧‧操作鍵
2701‧‧‧主體
2702‧‧‧殼體
2703‧‧‧顯示部份
2704‧‧‧聲頻輸入部份
2705‧‧‧聲頻輸出部份
2706‧‧‧操作鍵
2707‧‧‧外部連接埠
2708‧‧‧天線
圖1所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖2所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖3所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖4所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖5所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖6A至6C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖7A至7C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖8A至8C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖9A至9C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖10A至10C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； 圖11A至11C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖12A至12C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖13所示為本發明的液晶顯示裝置的頂視圖；圖14所示為本發明的液晶顯示裝置的頂視圖；圖15所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖16所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖17所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖18所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖19所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖20所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖21所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖22所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖23所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖24所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖25所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖26所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖27所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖28所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖29所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖30所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖31所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖32所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； 圖33所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖34所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖35所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖36所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖37所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖38所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖39所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖40所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖41所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖42所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖43所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖44所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖45所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖46所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖47所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖48所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖49所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖50所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖51所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖52所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖53所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖54所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖55所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖56所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； 圖57所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖58所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖59所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖60所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖61所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖62所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖63所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖64所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖65所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖66所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖67所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖68所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖69所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖70所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖71所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖72所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖73所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖74所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖75所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖76所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖77A至77C所示為本發明的液晶顯示裝置的視圖；圖78所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖79所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； 圖80所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖81所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖82所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖83所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖84所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖85所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖86所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖87所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖88所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖89所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖90所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖91所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖92所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖93所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖94所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖95所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖96所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖97所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖98所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖99所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖100所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖101所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖102所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖103所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； 圖104所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖105所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖106所示為本發明的液晶顯示裝置的視圖；圖107A至107D所示為本發明的液晶顯示裝置的視圖；圖108所示為本發明的液晶顯示裝置的視圖；圖109A至109B所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖110A至110B所示為本發明的液晶顯示裝置的視圖；圖111A至111H所示為本發明應用於其中的電子電器的實例的視圖；圖112A至112C所示為本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖。
下面參考圖說明本發明的實施例模式。本發明可以以許多不同的模式實施，本領域普通技術人員容易理解在不脫離本發明的目的和範圍的前提下可以以不同的方式修改在此所公開的模式和細節。因此，本發明不應當被解釋為限於下文給出的實施例模式的說明。注意，在參考圖說明實施例模式時，在不同的圖中相似的部分以相似的參考標號表示，由此省去了對它們的重覆解釋。
在本發明中，並不限於可適用的電晶體類型。因此可 以應用使用以非晶矽或多晶矽為代表的非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT)、MOS電晶體、接面型電晶體、雙極型電晶體(它們都是使用半導體基板或者SOI基板形成的)、使用有機半導體或碳奈米管形成的電晶體等。此外，對其上提供有電晶體的基板的類型沒有限制，電晶體可以被形成在單晶基板、SOI基板、玻璃基板等之上。
在本發明中，“連接”與“電連接”是同義語。因此，在本發明所公開的結構中，在具有預定的連接關係的元件之間可以插入實現電連接的另一元件(比如不同的元件、開關、電晶體、電容器、電阻或二極體)。
在本發明中所示的開關可以是任何開關，比如電開關或機械開關。它可以是能夠控制電流的任何東西。它可以是電晶體、二極體、或其組合的邏輯電路。因此，在使用電晶體作為開關的情況下，對其極性(導電性)沒有特別的限制，因為它僅僅作為開關操作。然而，在較佳截止電流較小時，理想的是使用具有較小的截止電流的極性的電晶體。具有LDD區的電晶體、具有多級結構的電晶體等被作為具有較小截止電流的電晶體。此外，理想的是，在當成開關的電晶體的源極端子的電位更接近低電位側電源(Vss，Vgnd，0V等)時，使用N-通道電晶體，而在源極端子的電位更接近高電位側電源(Vdd等)時，理想地使用P-通道電晶體。隨著閘源電壓的絕對值增加，這有助於電晶體容易當成開關。注意，藉由同時使用N-通道和P-通道電晶體也可以應用CMOS開關。
如上文所述，本發明的電晶體可以是任何類型的電晶體，並且可以形成在任何類型的基板上。因此，驅動像素的所有電路都可以形成在玻璃基板、塑膠基板、單晶基板、SOI基板或任何其他的基板上。可替換地，用來驅動像素的某些電路可以形成在一個基板上，同時其他的電路可以形成另一基板上。即，並不是要求所有的電路都形成在相同的基板上。例如，像素部分和閘極線驅動器電路可以在玻璃基板上形成有TFT，同時訊號線驅動器電路(或其一部分)都可有形成在單晶基板上，然後，其IC晶片藉由COG(玻璃上晶片)連接到玻璃基板。或者，使用TAB(帶式自動焊接)或印刷電路板可以將其IC晶片連接到玻璃基板。
注意，對在像素中設置的元件沒有特別的限制。作為像素中設置的顯示元件，可以使用任何顯示元件，比如EL(電致發光)元件(也稱為OLED(有機發光二極體)、有機EL元件、無機EL等)、在場發射顯示器(FED)中使用的元件、SED(表面導電的電子發射器顯示器)(它是一種類型的場發射顯示器(FED))、液晶顯示器(LCD)、光柵閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、電子紙顯示器、數位微鏡裝置(DMD)或壓電陶瓷顯示器。
注意，半導體裝置是指具有半導體元件比如電晶體、二極體的裝置。顯示裝置是指具有顯示元件比如液晶元件或EL元件的裝置。發光裝置是指具有光發射元件比如在 EL元件或FED中使用的元件的裝置。
[實施例模式1]
參考圖78說明本發明的液晶顯示裝置的實例。在液晶顯示裝置中，以矩陣的方式提供多個像素。一個像素的橫截面圖的實例在圖78中示出。
如圖78所示，像素包括藉由反射光實施顯示的部分(反射部分)1001和藉由使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002。在每個區域中，提供了當成像素電極的電極和當成公共電極的電極。
當成像素電極的電極具有梳狀或切口。另一方面，當成公共電極的電極包括具有平滑狀的部分和具有梳狀或切口的部分。然而，並不限於這種組合。
在將電壓輸送給當成像素電極的電極和當成公共電極的電極時，產生了電場。電場具有平行於基板的多個分量。液晶分子根據電場在平行於基板的平面中旋轉。因此，可以控制光的透射和反射，由此顯示灰度級。
在提供了多個當成公共電極的電極時，理想的是在絕緣層中形成開口(接觸孔)或者重疊電極以便使電極彼此電連接。
在當成像素電極的電極和當成公共電極的電極之間提供有絕緣層時，重疊的部分被當成電容器。該電容器可以當成保持影像訊號的保持電容器。
在藉由反射光實施顯示的部分(反射部分)1001 中，提供了反射電極。藉由反射電極反射光實施顯示。反射電極也可以當成公共電極。在這種情況下，反射電極可以連接到要被輸送電壓的公共電極。不用說，反射電極和公共電極都可以分開提供。在反射電極和公共電極分開的情況下，可以不對反射電極提供電壓或者可以對反射電極提供另一電壓。
在藉由使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002中，可以提供透明電極。藉由使光穿過其中或者藉由在透明電極中的孔隙實施顯示。透明電極也可以當成公共電極。在這種情況下，透明電極可以連接到要被輸送電壓的公共電極。不用說，透明電極和公共電極可以分別提供。在透明電極和公共電極分開提供的情況下，可以不給透明電極提供電壓或者可以給透明電極提供另一電壓。此外，透明電極也可以當成像素電極。
以下說明圖78中的結構。在反射部分1001中，液晶元件中的電極9103和液晶元件中的電極9305重疊，並在它們之間插入絕緣層9204和9304。在透射部分1002中，液晶元件中的電極9103和液晶元件中的電極9104重疊，並在它們之間插入絕緣層9304。
在反射部分1001和透射部分1002中，液晶元件中的電極9103和液晶元件中的電極9105交替地設置。
液晶元件中的電極9103和9105被形成為梳狀，液晶元件中的電極9305和9104是平滑狀。然而，並不限於這些。液晶元件中的電極9305和9104每個可以具有切口狀 孔隙、孔，或者可以是梳狀。
液晶元件中的電極9103當成像素電極，液晶元件中的電極9305、9104和9105當成公共電極。然而，並不限於這些，液晶元件中的電極9103可以當成公共電極，液晶元件中的電極9305、9104和9105可以當成像素電極。
理想的是，每個公共電極可以藉由在絕緣層中形成接觸孔或者與電極彼此重疊電連接。
液晶元件中的電極9305由反射光的導電材料形成。因此，液晶元件中的電極9305當成反射電極。此外，液晶元件中的電極9104由允許光經由其中的透明材料形成。因此，在液晶元件中的電極9104當成透明電極。
在液晶元件中的電極9103和9105理想地由導電且透明的材料形成。這是因為，在它們使光通過時，它們對顯示影像的部分具有影響。注意，在液晶元件中的電極9103和9105可以由反射光的材料形成。在這種情況下，甚至透射部分1002可以當成反射部分，這是因為透射部分1002反射了光。
注意，理想地，液晶元件中的電極9103和9105同時形成。這是因為，在液晶元件中的電極9103和9105同時形成時，可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)的數量，由此可以降低成本。然而，並不限於這些，液晶元件中的電極9103和9105可以分開形成。在這種情況下，液晶元件中的電極9103和9105中的一個可以是透明的，而另一個反射光。
在當成像素電極的電極(在液晶元件中的電極9103)和當成公共電極的電極(在液晶元件中的電極9305、9104和9105)之間提供絕緣層時，重疊的部分可以當成電容器。該電容器當成保持影像訊號的保持電容器。
如圖78和79所示，在液晶顯示器中的電極9103和9305之間產生了電位差時，在液晶元件中的電極9103和9105之間，在液晶層9303中的液晶分子(9303a和9303b)在平行於液晶元件中的電極9103、9305和9104的表面的方向上(即，在平行於基板的平面中)旋轉。因此，可以控制通過液晶層9303的光量。即，可以控制光的偏振狀態，並且可以控制通過偏振片的光量，該偏振片提供在基板的外側上。圖79對應於圖77A和112A。圖79中所示的液晶分子(9303a和9303b)以類似的方式旋轉到圖77A、77B、112A和112B中所示的液晶分子。光從外部進入液晶顯示裝置並通過液晶層9303，通過液晶元件中的電極9103和絕緣層9204和9304，反射離開液晶元件中的電極9305，通過液晶元件中的絕緣層9204和9304和電極9103，並從液晶顯示裝置射出，光以這個順序行進。
注意，圖79中的電極9004對應於在圖78中的液晶元件中的電極9305和9104。圖79中的絕緣層9005對應於在圖78中的絕緣層9204和9304。
如圖79所示，由於當成公共電極的電極在當成像素 電極的電極的傾斜方向上(包括上傾斜方向和下傾斜方向)或者交叉方向上被提供在當成像素電極的電極之下，因此在區域9002和9003中產生了平行於基板的更多的電場分量。結果，進一步提高了視角特徵。
注意，由於絕緣層9204和9304幾乎不具有折射率各向異性，因此在光通過其中時，偏振狀態不改變。
注意，在藉由反射光實施顯示的部分(反射部分)1001和藉由使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002中，在光路中提供濾色器，由此使光具有所需的顏色。從每個像素中發出的光混合以顯示影像。
濾色器可以提供在相對基板上，該相對基板被提供在液晶層9303之上或者液晶元件中的電極9103之上。可替換地，濾色器可以提供在絕緣層9304之上或者作為其一部分。
注意，黑色矩陣也可以與濾色器一起提供。
注意，在藉由反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中，光通過液晶層9303兩次。即，外部光從相對基板側進入液晶層9303，反射離開液晶元件中的電極9305，再次進入液晶層9303，然後穿過相對基板側射出。這樣，光通過液晶層9303兩次。
另一方面，在藉由使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002中，光通過液晶元件中的電極9104，進入液晶層9303，然後穿過相對基板射出。即，光通過液晶層9303一次。
液晶層9303具有折射率各向異性，因此光的偏振狀態根據液晶層9303中的光行進的距離改變，這將導致不精確的影像顯示。因此，光的偏振狀態需要調整。在藉由反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中的液晶層9303的厚度(所謂的單元間隙)變薄，因此即使在光通過其中兩次時，仍然可以防止光在液晶層9303中行進的距離太長。
注意，絕緣層9204和9304幾乎不具有折射率各向異性，因此通過其中的光的偏振狀態不改變。因此，絕緣層9204和9304的存在和厚度不具有太大的影響。
為使液晶層9303的厚度(所謂的單元間隙)變薄，可以提供調節其厚度的膜。在圖78中，絕緣層9204對應於這種膜。即，在藉由反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中，絕緣層9204是用於調節液晶層的厚度而提供的層。提供絕緣層9204可以使反射部分1001中的液晶層比透射部分1002中的液晶層更薄。
注意，理想是的，在反射部分1001中的液晶層9303的厚度是透射部分1002中的液晶層9303的厚度的一半。在此，“一半”可能包括人眼不可識別的偏差。
注意，光線不總是從垂直方向(即與基板正交的方向)發射。光線通常傾斜發射。因此，考慮到所有的情況，光線在反射部分1001和透射部分1002中行進的距離需要大致相同。因此，理想的是，反射部分1001中的液晶層9303的厚度大致是透射部分1002中的液晶層9303 的厚度的三分之一至三分之二。
因此，如果調節液晶層9303的厚度的膜被置於其中提供了液晶元件中的電極9103的基板側，則該膜形成更加容易。即，在其中提供了液晶元件中的電極9103的基板側上，形成了各種引線、電極和膜。調節液晶層9303的厚度的膜可以藉由使用這種引線、電極和膜形成；因此形成膜的困難很小。此外，具有另一功能的膜可以在相同的步驟中形成，因此可以簡化處理過程並且可以降低成本。
由於觀看其顯示幕的角度的緣故，具有前述結構的本發明的液晶顯示裝置具有寬視角和更小的色移。此外，本發明的液晶顯示裝置可以提供在太陽下的室外和黑暗的室內(或夜晚在室外)都能夠有利地識別的影像。
雖然液晶元件中的電極9305和9104在圖78中設置在相同的平面中，但是並不限於此。它們可以形成在不同的平面中。
注意，在圖78中，液晶元件中的電極9305和9104彼此分開地設置。然而，並不限於此。液晶元件中的電極9305和9104可以彼此接觸地設置，或者它們可以由一個電極形成。可替換地，液晶元件中的電極9305和9104可以彼此電連接。此外，液晶元件中的電極9105和9104可以彼此電連接。
在圖78中，絕緣層9204作為調節液晶層9303的厚度的膜提供。然而，並不限於此，調節液晶層9303的厚 度的膜可以提供在相對基板側上。
雖然提供該膜以使液晶層9303變薄，但是在預定的部分中可以清除該膜以使液晶層9303變厚。
反射電極可以具有平坦的表面，但理想的是具有不平坦的表面。藉由這種不平坦的表面，可以使光擴散並反射。結果，可以散射光並改善亮度。
注意，如圖80所示，在透射部分1002中不必提供液晶元件中的電極9104。
在這種情況下，如圖81所示，在液晶元件中的電極9105和9103之間施加電壓以控制液晶分子(9303a和9303b)。
如上文所述，由於液晶元件中的電極9104沒有提供在透射部分1002中，因此可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)的數量，並可以降低成本。
[實施例模式2]
以下說明具有與實施例模式1的結構不同的結構的本發明的液晶顯示裝置的實例。具有與實施例模式1相同的功能的部分由相同的參考標號表示。
圖82顯示了這樣的一種與圖78中所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中液晶元件中的電極9305和9104層疊起來。在液晶元件中的電極9305和9104被要求具有相同的電位時，它們被層疊以彼此電連接。
雖然液晶元件中的電極9104被置於液晶元件中的電極9305之下，但是並不限於此。液晶元件中的電極9104也可以置於液晶元件中的電極9305之上。
雖然液晶元件中的電極9104被置於液晶元件中電極9305之下的整個區域中，但是並不限於此。液晶元件中的電極9104可以置於液晶元件中的電極9305的一部分之上和之下。
在液晶元件中的電極9104被置於液晶元件中的電極9305之下的整個區域中的情況下，液晶元件中的兩電極9305和9104都可以使用一個掩模形成。一般地，液晶元件中的電極9305和9104每個可以使用不同的掩模形成。然而，在這種情況下，使用掩模比如半石(halfstone)和玄武石，並且藉由按區域改變抗蝕劑的厚度，可以使用一個掩模形成液晶元件中的電極9305和9104。結果，可以簡化處理過程，可以減少步驟數量，可以減少掩模(中間掩模)的數量，因此可以降低成本。
在圖83中，示出了這樣的液晶顯示裝置，其中液晶元件中的電極9305和9104藉由彼此部分地重疊實現電連接。在這種結構中液晶元件中的電極9305和9104可以電連接。
雖然液晶元件中的電極9104被置於要與其彼此接觸的液晶元件中的電極9305之上，但並不限於此。液晶元件中的電極9305可以置於要與其彼此接觸的液晶元件中的電極9104之上。
這樣，藉由在液晶元件中的電極9305之上的較寬的區域中不設置液晶元件中的電極9104，可以減小其中的光損失。
在圖84中，液晶元件中的電極9305和9104被提供在不同的層中，並在它們之間設置絕緣層9306。如圖85所示，液晶元件中的電極9305和9104可以提供在不同的層中。
在液晶元件中的電極9305和9104形成在不同的層中時，在反射部分1001中的液晶元件中的電極9305和9104之間的距離與在透射部分1002中的距離大致相同。因此，在反射部分1001中的電極之間的間隙和在透射部分1002中的電極之間的間隙大致相同。由於電場的強度和應用根據電極之間的間隙改變，因此在電極之間的間隙在反射部分1001和透射部分1002中大致相同時，大致相同水平的電場被施加到其中。因此，可以精確地控制液晶分子。此外，由於液晶分子在反射部分1001和透射部分1002中以大致相同的方式旋轉，因此不管是藉由當成透射型還是反射型的液晶顯示裝置顯示或觀看影像，都可以看到大致相同的灰度級的影像。
雖然液晶元件中的電極9104被置於液晶元件中的電極9305之下的整個區域中，但是並不限於此。液晶元件中的電極9104需要至少被提供在透射部分1002中。
注意，在絕緣層9306中可以形成接觸孔以連接液晶元件中的電極9104和9305。
圖85所示為與圖84不同的這樣的液晶顯示裝置的實例：其中液晶元件中的電極9305被提供在比液晶元件中的電極9104更低的層(更加遠離液晶層9303的層)中。
雖然液晶元件中的電極9104也形成在反射部分1001中，但並不限於此。液晶元件中的電極9104需要至少被提供在透射部分1002中。
注意在液晶元件中的電極9104也形成在反射部分1001中的情況下，液晶層9303根據在液晶元件中的電極9104和9103之間的電壓被控制。在這種情況下，液晶元件中的電極9305僅僅當成反射電極，液晶元件中的電極9104當成反射部分1001中的公共電極。
因此，在這種情況下，被輸送給液晶元件中的電極9305的電壓是任意的。與液晶元件中的電極9104或液晶元件中的電極9103相同的電壓可以被輸送給液晶元件中的電極9305。在這種情況下，電容器形成在液晶元件中的電極9305和9104之間，它可以當成保持影像訊號的保持電容器。
注意，接觸孔可以形成在絕緣層9306中以使液晶元件中的電極9305和9104彼此連接。
在圖86中，反射部分1001中的液晶元件的電極9305和透射部分1002中的液晶元件的電極9103和9105形成在絕緣層9304之上。此外，絕緣層9204形成在液晶元件中的電極9305之上，反射部分中的液晶元件的電極9103和9105形成在其上。液晶元件中的電極9104形成 在絕緣層9304之下。
雖然液晶元件中的電極9104也形成在反射部分1001中，但是並不限於此。液晶元件中的電極9104需要至少被提供在透射部分1002中。
注意，接觸孔可以形成在絕緣層9304中以使液晶元件中的電極9104和9305彼此連接。
注意，如圖93所示，液晶元件中的電極9104不必提供在透射部分1002中。
在這種情況下，如圖81所示，電壓施加在液晶元件中的電極9105和9103之間以控制液晶分子(9303a和9303b)。
如上文所述，由於液晶元件中的電極9104沒有提供在透射部分1002中，因此可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)數量，並且可以降低成本。
注意，在圖78至86和93中，雖然沒有示出電極的表面的不平整性，但是在液晶元件中的電極9103、9305、9104和9105的表面不限於平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，在圖78至86和93中，雖然沒有示出絕緣層9204、9304和9306的表面的不平整性，但是絕緣層9204、9304和9306的表面不限於平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，藉由使反射電極的表面非常不平坦，可以擴散光。結果，可以改善顯示裝置的亮度。因此，在圖78至 86和93中所示的反射電極和透明電極(液晶元件中的電極9305和9104)可以是不平坦的表面。
注意，不平坦的表面較佳的具有使光盡可能容易擴散的形狀。
在透射部分1002中，理想的是，透明電極不具有不平坦性以便不影響電場的施加。注意，即使它們是不平坦的，如果不影響顯示則仍然不存在問題。
圖87所示為其中圖78中的反射電極的表面是不平坦的情況。圖88和89每個所示為其中圖82中的反射電極的表面是不平坦的情況。圖90所示為其中圖83中的反射電極的表面是不平坦的情況。圖91所示為其中圖84中的反射電極的表面是不平坦的情況。圖92所示為其中圖85中的反射電極的表面是不平坦的情況。
其中反射電極的表面並非不平坦的圖78至86和93的說明可以應用於圖86至92。
圖87所示為不同於圖78中的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的實例：其中凸形散射體9307被提供液晶元件中的電極9305之下。藉由提供凸形散射體，液晶元件中的電極9305具有不平坦的表面，光被散射，可以防止由於光的反射引起的眩眼度和對比度劣化；由此改善了亮度。
注意，散射體9307的形狀理想地具有使光盡可能容易擴散的形狀。然而，由於電極和引線可以形成在其上，因此平滑的形狀比較理想以防止電極和引線斷裂。
圖89所示為不同於圖88所示的液晶顯示裝置的液晶 顯示裝置的實例：其中液晶元件中的電極9305和9104層疊起來。
由於液晶元件中的電極9104和9305在較大的區域上層疊在一起，因此可以減小接觸電阻。
圖90所示為不同於圖89中所示的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的實例：其中散射體9203被提供在液晶元件中的電極9305和9104之間。
由於在形成了液晶元件中的電極9104之後形成散射體9203，因此在反射部分1001中可以使液晶元件中的電極9104平整。
圖90所示為不同於圖83中所示的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的實例：其中凸形散射體9203可以提供在液晶元件中的電極9305之下。
圖91所示為不同於圖84中所示的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的實例：其中絕緣層9306的表面部分地不平坦。液晶元件中的電極9305的表面變得不平坦，反映了絕緣層9306的這種形狀。
圖92所示為不同於圖85中所示的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的實例：其中藉由在液晶元件中的電極9305之下提供具有部分不平坦的表面的絕緣層9308，液晶元件中的電極9305的表面變得不平坦。
雖然在圖78至93中，用於調節液晶層9303的厚度的膜形成在液晶元件中的電極9103之下，但不限於此。如圖94所示，用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層 9204可以被置於液晶元件中的電極9103和9105之上。
在這種情況下，如圖95所示，液晶元件中的電極9104不必提供在透射部分1002中。
在這種情況下，如圖81所示，在液晶元件中的電極9105和9103之間施加電壓以控制液晶分子(9303a和9303b)。
如上文所述，由於液晶元件中的電極9104未被提供在透射部分1002中，因此可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)的數量，以及可以降低成本。
圖94對應於圖78。在圖82至92中，如圖94的情況一樣，用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9204可以被置於液晶元件中的電極9103之上。
雖然在圖78至94的多個圖中，用於調節液晶層9303的厚度的膜被提供在形成了液晶元件中的電極9103的基板側，但並不限於此。用於調節液晶層9303的厚度的膜可以被置於相對基板側之上。
藉由將用於調節液晶層9303的厚度的膜置於相對基板側上，液晶元件中的電極9103可以被設置在反射部分1001中的同一平面中和在透射部分1002中的同一平面中。因此，在反射部分1001和透射部分1002中的電極之間的距離可能大致相同。由於電場的強度和應用根據在電極之間的距離改變，因此電極之間的間隙在反射部分1001和透射部分1002中大致相同時，大致相同水平的電場被施加到其中。因此，可以精確得控制液晶分子。此 外，由於液晶分子在反射部分1001和透射部分1002中以大致相同的方式旋轉，因此不管是藉由當成透射型還是反射型的液晶顯示裝置顯示或觀看影像，都可以看到大致相同的灰度級的影像。
在提供了用於調節液晶層9303的厚度的膜時，存在的可能是液晶分子的對準狀態變得無序，可能造成缺陷比如旋錯。然而，在相對基板9202之上放置用於調節液晶層9303的厚度的膜可以將相對基板9202和在液晶元件中的電極9103分開，因此施加給液晶層的電場不會被減弱，液晶分子的對準狀態幾乎不會變成無序，可以防止影像變得幾乎不可識別。
注意，形成相對基板的步驟的數量較少，因為其中僅僅提供了濾色器、黑色矩陣等。因此，即使給相對基板9202提供用於調節液晶層9303的厚度的膜，仍然不容易降低產量。即使產生了缺陷，由於步驟數量較少並且成本較低，因此可以抑制製造成本的浪費。
注意，在其中給相對基板9202提供了用於調節液晶層9303的厚度的膜的情況下，當成散射材料的顆粒可以被包含在用於調節液晶層9303的厚度的膜中以使光擴散並改善亮度。顆粒可以由具有與形成調節間隙的膜的基板材料(比如丙烯酸樹脂)不同的折射率的透明樹脂材料形成。在包含了顆粒時，光可以散射，所顯示的影像的亮度和對比度可得到改善。
圖96所示為其中向圖78中的相對基板提供用於調節 液晶層的厚度的膜的情況。圖97所示為其中向圖82中的相對基板提供用於調節液晶層的厚度的膜的情況。圖98所示為其中向圖83中的相對基板提供用於調節液晶層的厚度的膜的情況。圖99所示為其中向圖84中的相對基板提供用於調節液晶層的厚度的膜的情況。圖100所示為其中向圖85中的相對基板提供用於調節液晶層的厚度的膜的情況。圖101所示為其中向圖80中的相對基板提供用於調節液晶層的厚度的膜的情況。
因此，圖78至86的說明可以適用於圖96至101。
圖96所示為與圖78中所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
圖97所示為與圖82中所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被形成在絕緣層9304之上。
圖98所示為與圖83中所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被形成在絕緣層9304之上。
圖99所示為與圖84中所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
圖100所示為與圖87所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
圖101所示為與圖80所示的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
注意，在圖96至101中，雖然沒有示出電極的表面的不平坦性，但是液晶元件中的電極9103、9305、9104和9105的表面不限於平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，在圖96至101中，雖然沒有示出絕緣層9204、9304和9306的表面的不平坦性，但是絕緣層9204、9304和9306的表面不限於平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，藉由使反射電極的表面非常不平坦，可以擴散 光。結果，可以改善顯示裝置的亮度。因此，圖96至101中所示的反射電極和透明電極(液晶元件中的電極9305和液晶元件中的電極9104)可以具有不平坦的表面。
注意，不平坦的表面較佳的具有使光盡可能容易擴散的形狀。
在透射部分1002中，理想的是，透明電極不具有不平坦性以便不影響給液晶層施加電場。注意，即使它們是不平坦的，如果不影響顯示仍然不存在問題。
注意，如圖78至86的情況一樣，其中反射電極可以具有如圖87至92中所示那樣的不平坦的表面，圖96至101中的反射電極可以是不平坦的表面。圖102所示其中圖96中的反射電極具有不平坦性的情況。類似地，在圖97至101中的反射電極具有不平坦性。
其中反射電極的表面並非不平坦的圖96的說明可以應用於圖102。
圖102所示為不同於圖96中的液晶顯示裝置的液晶顯示裝置的實例：其中用於調節液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被形成在絕緣層9304之上。
在圖78至102中，有用於調節液晶層9303的厚度的膜被置於其中提供了液晶元件中的電極9103的基板一側或相對基板一側上的情況，但是並不限於此。用於調節液 晶層9303的厚度的膜本身不必形成，如圖103所示。圖103對應於圖78和96。除了在圖78和96中所示的情況之外，在圖79至95和97至102中所示的情況中不必形成用於調節液晶層9303本身的厚度的膜。
在未提供用於調節液晶層9303本身的厚度的膜時，光在反射部分中的液晶層中行進的距離不同於在透射部分中行進的距離。因此，理想的是，例如在光路中提供延遲膜(比如四分之一波片)或者具有折射率各向異性的材料(比如液晶材料)以便改變光的偏振狀態。例如，如果在相對基板的未提供絕緣層的一側上的偏振片和相對基板之間提供延遲膜，則光透射狀態在反射部分和透射部分中可以相同。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9103可以形成在透射部分1002中的相同平面中，但並不限於此。液晶元件中的電極9103可以形成在不同的平面上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9105可以形成在透射部分1002中的相同平面中，但並不限於此。液晶元件中的電極9105可以形成在不同的平面上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9103可以形成在反射部分1001中的相同平面中，但並不限於此。液晶元件中的電極9103可以形成在不同的平面上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9105可以形成在反射部分1001中的相同平面中，但並不限於此。液晶元件中的電極9105可以形成在不同的平面上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，反射部分1001中的液晶元件中的電極9305和9104可以形成為平滑狀，但並不限於此。液晶元件中的電極9305和9104可以形成為具有梳狀、切口或孔隙。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，透射部分1002中的液晶元件中的電極9104可以形成為平滑狀，但並不限於此。液晶元件中的電極9104可以形成為具有梳狀、切口或孔隙。
雖然在圖79至104以及前文的說明中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在反射部分1001中的液晶元件之電極9103之下，但並不限於此。如果液晶中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9103相同的水平面上或者液晶元件中的電極9103之上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在反射部分1001中的液晶元件中的電極9105之下，但並不限於此。如果液晶元件中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9105相同的水平面上或者液晶元件中的電極9105之上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在透射部分1002中的液晶元件中的電極9103之下，但並不限於此。如果液晶元件中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9103相同的水平面上或者液晶元件中的電極9103之上。
雖然在圖78至103以及前文的說明中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在透射部分1002中的液晶元件中的電極9105之下，但並不限於此。如果液晶元件中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9105相同的水平面上或者液晶元件中的電極9105之上。
注意，在前述的結構比如在圖78至103所示的結構及其組合中，濾色器可以被提供在相對基板之上或者可以被提供在其上提供了液晶元件中的電極9103的基板之上，該相對基板被提供在液晶層9303之上。
例如，濾色器可以被提供在絕緣層9304、9204、9306和9308中或作為其一部分。
注意，黑色矩陣可以以類似的方式提供給濾色器。不用說，可以提供濾色器和黑色矩陣兩者。
因此，如果絕緣層當成濾色器或者黑色矩陣，則可以減小材料成本。
在濾色器或黑色矩陣被置於其上提供了液晶元件中的電極9103的基板之上時，提高了相對基板的設置容限。
注意，在液晶元件中的電極的各種位置、種類和形狀以及絕緣層的各種位置和形狀都可以使用。即，在一圖中的液晶元件中的電極的位置和在另一圖中的絕緣層的位置可以組合以形成許多變型。例如，在圖88中所示的實例可以藉由將圖79中的液晶元件中的電極9305的形狀改變為具有不平坦的形狀而形成。另一實例，在圖79中的液晶元件中的電極9104的形狀和位置可以改變，以形成在圖87中所示的實例。在前文的圖中，每個圖中的每個部分可以與另一圖中的對應部分組合；因此可以形成許許多多的變型。
[實施例模式3]
在實施例模式1和2中，說明這樣的情況：其中提供反射部分和透射部分，即其中提供半導體液晶顯示裝置的情況，但不限於此。
液晶元件中的電極9305和9104中的一個電極被取消而另一電極被提供在整個表面之上時，可以形成反射或透射液晶顯示裝置。
液晶元件中的電極9305被取消而液晶元件中的電極9104被提供在整個表面之上時，形成了透射液晶元件。在室內使用這種透射液晶顯示裝置時，因為其孔隙比率較高，因此可以實施明亮且漂亮的顯示。
液晶元件中的電極9104被取消而液晶元件中的電極9305被提供在整個表面之上時，形成了反射液晶顯示裝 置。在室外使用這種反射液晶顯示裝置時，因為其反射率較高，因此可以實施清晰的顯示；因此，可以實現具有較低的功耗的顯示裝置。在室內使用反射液晶顯示裝置時，可以藉由在顯示部分上提供正面光實施顯示。
在液晶顯示裝置被當成反射液晶顯示裝置或者透射液晶顯示裝置時，在一個像素中光行進的距離不變。因此，不要求用於調節液晶層(單元間隙)的厚度的絕緣層9204。
圖104所示為其中在圖78中所示的液晶顯示裝置是透射型的實例。圖105顯示了其中在圖87中所示的液晶顯示裝置是反射型的實例。
如圖104和105所示，接觸孔可以形成在絕緣層9304中以便連接液晶元件中的電極9305、9104和9105。由於這些電極當成公共電極，因此理想地，它們電連接。
注意，以類似於圖104和105的方式，關於圖77至103的圖和說明可以適用於透射或反射型液晶顯示裝置。
注意，實施例模式1和2中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式4]
說明本發明的主動矩陣液晶顯示裝置的實例。
在本實施例模式中，說明這樣的一種實例：其中在實施例模式1至3中說明的結構或者藉由圖中示出的各部分的組合實現的結構可以形成有電晶體。
注意，在本發明中，不總是要求電晶體；因此本發明可以適用於沒有電晶體的顯示裝置，即所謂的被動矩陣顯示裝置。
在本實施例模式中，說明其中液晶顯示裝置是透射型的並使用頂閘型電晶體控制的情況。
然而，並不限於此，也可以使用底閘型電晶體。
圖1所示為包括具有絕緣表面的基板100(下文稱為絕緣基板)的液晶顯示裝置，在該絕緣表面上形成了薄膜電晶體102和連接到薄膜電晶體的第一電極103、第二電極104和第三電極105。第一電極103當成像素電極。第二電極104當成公共電極。第三電極105當成公共電極。
注意，閘極電極是閘極線的一部分。當成開關薄膜電晶體102之電極的閘極線的一部分是閘極電極。
公共引線是電連接到在液晶元件中提供的電極的引線，它被佈置成使液晶顯示裝置中提供的多個像素中的液晶元件中的電極具有相同的電位。在液晶元件中電連接到公共引線的電極一般被稱為公共電極。另一方面，在液晶元件中其電位根據來自源極線的電位按照需要改變的電極一般被稱為像素電極。
薄膜電晶體102較佳的形成在絕緣基板100之上，並與該絕緣基板之間具有底層101。藉由提供底層101，可以防止從絕緣基板100到薄膜電晶體102(特別是到半導體層)的雜質元素的進入。二氧化矽、氮化矽或其疊加的層都可用於底層101。較佳的是氮化矽，因為它可以有效 地防止雜質的進入。另一方面，較佳的為氧化矽，因為即使它與半導體層直接接觸，它也不會捕獲電荷或者造成電特性的滯後。
雖然薄膜電晶體102是頂閘型，但是並不限於此。薄膜電晶體102可以是底閘型。
薄膜電晶體102包括處理成預定形狀的半導體層111、覆蓋半導體層或提供在半導體層之上的閘極絕緣層112、提供在半導體層之上並與半導體層之間具有閘極絕緣層的閘極電極113和源極和汲極電極116。
所形成的覆蓋半導體層的閘極絕緣層可以防止雜質附著或者進入到半導體層，即使在處理過程中該半導體層暴露在大氣環境中時。此外，提供在半導體層之上的閘極絕緣層可以使用閘極電極作為掩模進行處理，因此可以減少掩模的數量。因此，閘極絕緣層112的形狀可以根據處理過程等決定，它可以是閘極絕緣層112僅僅形成在閘極電極之下或者可以形成在整個表面之上。可替換地，閘極絕緣層112可以被提供成在閘極電極之下或附近較厚，而在其他區域中較薄。
在半導體層中，提供了雜質區114。薄膜電晶體根據雜質區的導電性變為N-型或P-型。藉由使用閘極電極113作為掩模，雜質區可以藉由以自對準的方式添加雜質元素形成。注意，可以準備並使用另一掩模。
在雜質區中，其濃度可以改變。例如，可以提供低濃度雜質區和高濃度雜質區。低濃度雜質區可以藉由使閘極 電極113具有漸縮的形狀並使用閘極電極以自對準的方式添加雜質元素形成。可替換地，低濃度雜質區可以藉由改變閘極絕緣層112的厚度或者使閘極電極具有漸縮的形狀形成。此外，雜質區的濃度可以藉由在閘極電極113的側表面中形成側壁結構而改變。其中提供低濃度雜質區和高濃度雜質區的結構被稱為LDD(輕摻雜汲極)結構。其中低濃度雜質區和閘極電極重疊的結構被稱為GOLD(閘極-汲極重疊的LDD)結構。在這種包括低濃度雜質區的薄膜電晶體中，可以防止隨著閘極長度縮短產生的短通道效應。此外，可以減小截止電流，並可以抑制在汲極區中的電場的濃度；由此改善了電晶體的可靠性。
提供絕緣層106以覆蓋半導體層111和閘極電極113。絕緣層106可以具有單層結構或者疊層結構。無機材料或有機材料可以用於絕緣層106。作為無機材料，氧化矽或者氮化矽都可以使用。作為有機材料，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺氨、抗蝕劑、苯環丁烯、矽氧烷、聚矽氮烷。矽氧烷包括由矽(Si)和氧(O)的鍵形成的骨架結構。至少包含氫的有機基團(比如羥基或芳烴)被當成取代基。可替換地，氟基團可以被當成取代基。此外，可替換地，至少包含氫的有機基團和氟基團可以被當成取代基。注意，聚矽氮烷可以使用具有矽(Si)和氮(N)的鍵的聚合物材料作為啟始材料形成。較佳的，使用有機材料用於絕緣層106，因為其表面的平整性可以被改善。在無機材料被用於絕緣層106時， 其表面符合半導體層或閘極電極的形狀。在這種情況下，絕緣層106可以藉由被加厚而變平整。
開口形成在絕緣層106中以暴露雜質區。導電層形成在該開口中以形成源極和汲極電極116。用於源極和汲極電極的導電層可以由從下列材料中選擇的元素形成：鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銅(Cu)、釹(Nd)等；包含這些元素作為主要成分的合金材料；或者導電材料比如金屬氮化物比如氮化鈦、氮化鉭或氮化鉬。導電層可以具有這些材料的疊層結構或者單層結構。疊層結構可以減小其電阻。另一電極117等可以使用與源極和汲極電極相同的導電層形成。
絕緣層107被形成為覆蓋源極和汲極電極116。絕緣層107可以以與絕緣層106類似的方式形成。即，如果絕緣層107使用有機材料形成，則可以改善其平整性。由於第一電極103和第三電極105形成在絕緣層107上，因此理想的是，絕緣層107的平整性較高。提供第一電極103和第三電極105以將電壓應用到液晶材料，它們需要是平整的；因此理想的是絕緣層107的平整性較高。
第一電極103和第三電極105被處理成梳狀或被處理成具有切口。第一電極103和第三電極105交替地設置。換句話說，第一電極103和第三電極105可以被處理成能夠交替地設置。在第一電極103和第三電極105之間的間隙是2至8微米，較佳的為3至4微米。給由此設置的第 一電極103和第三電極105施加電壓在其間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的取向。由此產生的電場具有與基板平行的許多分量。因此，液晶分子在與基板大致平行的平面中旋轉。因此，可以控制光的透射。
在絕緣層107上形成的第一電極103和第三電極105由如下材料形成；導電材料比如從鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)等中選擇的元素；包含以上元素作為主要成分的合金材料。在第一電極103和第三電極105需要透明時，可以使用透明導電材料比如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的矽(Si)。
然後，說明第二電極104。第二電極104被提供在底層101或者閘極絕緣層112之上。第二電極104形成在一個像素區之上。具體地說，第二電極104形成在除了薄膜電晶體形成區之外的一個像素區之上。換句話說，與梳狀第三電極105不同的，第二電極104被提供在一個像素區之上，換句話說，在梳狀第三電極105和第一電極103之下的區域。即，第二電極104被提供為平滑狀。第二電極104形成在一個像素區之上，對其形狀沒有限制。例如，第二電極104可以形成在一個像素區的整個表面之上，或者在一個像素區上形成為梳狀或者可以包括切口或孔。
第二電極104由如下的導電材料形成：例如鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻 (Cr)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的矽(Si)。第二電極104可以形成在與半導體層111相同的層中；因此，半導體層可以用於第二電極104。然而，注意由於第二電極104需要是導電的，因此可以使用晶體半導體層、以雜質元素摻雜的半導體層或者以雜質元素摻雜的晶體半導體層。
在這種情況下，理想地，在薄膜電晶體102中的半導體層和由半導體層形成的第二電極104都同時形成。結果，可以簡化處理過程並降低成本。
第二電極104電連接到第三電極105，並在它們之間有電極117。
在形成透射型液晶顯示裝置時，第二電極104和第三電極105由透明導電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的矽(Si)。與另一導電材料比如Al相比，這些透明材料具有較高的電阻。因此，由具有較低的電阻的導電材料(比如鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)或銀(Ag))形成的電極117或者與閘極電極113同時形成的引線都可用於連接第二電極104和第三電極105，由此電極117和引線都可當成第二電極104和第三電極105的輔助引線或者輔助電極。結果，均勻的電壓可被施加給第二電極104和第三電極105，這意味著在第二電極104和第 三電極105中可以防止由電極的電阻引起的電壓降。
這時，理想的是使用與閘極電極113同時形成的導電層作為輔助引線。在這種情況下，理想地，輔助引線被設置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。
在電壓被施加給第二電極104和梳狀的第一電極103時，在它們之間也產生了電場。即，在第二電極104和第一電極103之間和在梳狀的第三電極105和第一電極103之間都產生了電場。液晶材料的傾斜和旋轉角度根據在兩對電極之間的電場控制，由此可以實現灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。具體地說，藉由提供第二電極104，可以充分地控制正好在梳狀第三電極105或梳狀第一電極103之上的液晶材料的傾斜，但是還不可能充分地控制其傾斜。這是因為：除了在梳狀第三電極105和梳狀第一電極103之間產生的電場的方向之外，在第二電極104和第一電極103之間產生了電場。因此，藉由提供多對電極以在其間產生多個方向的電場，可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，被提供成面對絕緣基板100的基板可以具有與電晶體重疊的光遮罩層。光遮罩層例如由導電材料比如鎢、鉻或鉬；矽化物比如矽化鎢或包含黑色顏料或碳黑的樹脂材料形成。此外，提供濾色器以便與梳狀第一電極 103和梳狀第三電極105重疊。在濾色器上進一步提供對準膜。
液晶層被提供在絕緣基板100和相對基板之間。在每個絕緣基板100和相對基板之上提供偏振片。每個偏振片被提供在絕緣基板100和相對基板的另一側之上，該另一側是與提供了液晶層的一側不同的一側。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中所說明的實例。因此，在實施例模式1至3中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式5]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式中所說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中公共電極被提供在與薄膜電晶體中的源極和汲極電極相同的層中。
注意，可以利用底閘型電晶體。
如圖2所示，公共電極122可以提供在絕緣層106之上以與引線121接觸。公共電極122可以與前述實施例模式4中的第二電極104類似地形成。
如圖1一樣，梳狀第三電極105和梳狀第一電極103被提供在絕緣層107之上，第三電極105藉由在絕緣層107中提供的開口連接到公共電極122。
公共電極122與引線121接觸，第三電極105也電連 接到引線121。因此，在公共電極122和第三電極105由與Al等相比具有較高的電阻的導電材料(氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的矽(Si))形成時，由Al等形成的引線121或與閘極電極113同時形成的引線可以當成公共電極122和第三電極105的輔助引線。結果，如上文所述，可以防止由公共電極122和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。
這時，理想的是使用與閘極電極113同時形成的導電層作為輔助引線。在這種情況下，理想地，輔助引線被設置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。
因為其他結構類似於圖1的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在電壓被施加給這種公共電極122和梳狀的第一電極103時，在它們之間也產生了電場。即，在公共電極122和第一電極103之間和在梳狀的第三電極105和第一電極103之間都產生了電場。液晶材料的傾斜根據在兩對電極之間的電場控制，由此可以實現灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。具體地說，藉由提供公共電極122，可以充分地控制正好在梳狀第三電極105或梳狀第一電極103之上的液晶 材料的傾斜，儘管還不可能充分地控制其傾斜。
因此，藉由提供多對電極以在其間產生多個方向的電場，可以充分地控制液晶材料的傾斜。此外，在本實施例模式中，由於公共電極122被形成在絕緣層106之上，因此在公共電極122和第一電極103之間的距離變得更短，由此可以降低要施加的電壓。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3所說明的實例，這種實例是實施例模式4中的實例的改進。因此，在實施例模式1至4中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式6]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式所說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中公共電極被提供在底層101之上。
如圖3所示，底層101被提供在絕緣基板100之上，並且公共電極132形成在其上。公共電極132可以與前述的實施例模式中的第二電極104類似地形成。絕緣層106被提供在公共電極132之上，並且公共電極132藉由在絕緣層106中提供的開口連接到第三電極105。因此，在公共電極132和第三電極105由與Al等相比具有較高的電阻的導電材料(氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的矽(Si))形成時，由Al等形成的引線131可 以當成輔助引線或引線。結果，如上文所述，可以防止由公共電極132和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。引線131可以藉由與閘極電極113相同的導電層形成。在這種情況下，理想地，輔助引線被設置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。
注意，在本實施例模式中可以使用底閘型電晶體。
因為其他結構類似於圖1的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在電壓被施加給這種公共電極132和梳狀的第一電極103時，在它們之間也產生了電場。即，在公共電極132和第一電極103之間和在梳狀的第三電極105和第一電極103之間都產生了電場。液晶材料的傾斜根據在兩對電極之間的電場控制，由此可以實現灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。具體地說，藉由提供公共電極132，可以充分地控制正好在梳狀第三電極105或梳狀第一電極103之上的液晶材料的傾斜，儘管一直還不可能充分地控制其傾斜。
因此，藉由提供多對電極以在其間產生多個方向的電場，可以充分地控制液晶材料的傾斜。此外，在本實施例模式中，由於公共電極132被形成在底層101之上，因此絕緣層106本身可以當成單層結構。結果，公共電極132和第一電極103之間的距離變得更短，由此可以降低要施 加的電壓。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3所說明的實例，這種實例是實施例模式4或5中的實例的改進。因此，實施例模式1至5中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式7]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式中所說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中非晶半導體層當成薄膜電晶體中的半導體層。
如圖4所示，包括非晶半導體層的薄膜電晶體160形成在底層101之上。薄膜電晶體160是所謂的底閘型，在這種類型中半導體層被提供在閘極電極之下。
閘極電極113形成在底層101之上，並且閘極絕緣層112被形成為覆蓋閘極電極113。非晶半導體層411形成在閘極電極之上，在非晶半導體層411和閘極電極之間有閘極絕緣層112。非晶半導體層411可以由含矽的材料形成。
源極和汲極電極116被形成為覆蓋非晶半導體層411的兩個邊緣。為了減小引線電阻，N-型雜質區較佳的形成在與源極和汲極電極接觸的非晶半導體層中的區域中。N-型雜質區可以藉由將雜質添加到非晶半導體層411的表面中而形成。
此後，使用源極和汲極電極將非晶半導體層411處理 成預定形狀。這時，在薄膜電晶體160中的半導體層中的通道形成區之上的部分藉由蝕刻被清除。具有這種結構的薄膜電晶體被稱為通道蝕刻的薄膜電晶體。
絕緣層106被形成為覆蓋以這種方式形成的薄膜電晶體160。用於絕緣層106的有機材料的使用可以改善其表面的平整性。不用說，無機材料也可用於絕緣層106，或者也可以使用包括無機材料和有機材料的疊層結構。在絕緣層106中形成開口以便暴露源極和汲極電極116，由此形成在絕緣層106之上的第一電極103和源極和汲極電極116被電連接。如前述的實施例模式一樣，將絕緣層106之上的第一電極103形成為梳狀。
然後，說明公共電極401的結構。公共電極401形成在底層101之上。公共電極401可以類似於前述的實施例模式中所示的第二電極104地形成。公共電極401的形狀被處理成形成在像素區之上。導電層402被形成在經處理的公共電極401的一部分中。藉由處理與薄膜電晶體160中的閘極電極113相同的導電層可以獲得導電層402。公共電極401和導電層402可以以閘極絕緣層112覆蓋。
開口被提供在絕緣層106和閘極絕緣層112中以暴露導電層402。然後，形成在絕緣層106之上的梳狀第三電極105與導電層402電連接。結果，第三電極105和公共電極401連接。在此，導電層402連接到公共電極401和第三電極105；因此，導電層402可以當成輔助引線。然後，如上文所述，可以防止由公共電極401和第三電極 105的引線電阻引起的電壓降。
在本實施例模式中，由於使用了利用非晶半導體層的底閘型薄膜電晶體，因此與前述的實施例模式中的頂閘型薄膜電晶體相比，可以減小整個厚度。具體地，與包括疊加的絕緣層106和107的結構相比，在本實施例模式中的結構因為僅僅利用了絕緣層106因此其整個厚度較薄。結果，液晶顯示裝置可以較薄並且重量輕。
雖然在本實施例模式中利用通道蝕刻型，但是也可以利用通道保護型。在通道保護型中，保護層被提供在半導體層之上，並且源極和汲極電極被提供在保護層的兩側上，其中在處理半導體層時不清除半導體層的表面。
注意本實施例模式中也可以利用頂閘型電晶體。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至6中的實例的改進。因此，在實施例模式1至6中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式8]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中當成輔助引線的導電層被提供在公共電極之下。
如圖5所示，導電層502事先形成在底層101之上。此後，公共電極501被形成為與導電層502接觸。公共電極501可以類似於前述實施例模式中的第二電極104地形 成。藉由處理與薄膜電晶體160中的閘極電極113相同的導電層或與源極和汲極電極116相同的導電層可以獲得導電層502。公共電極501和導電層502以絕緣層106覆蓋。
開口被提供在絕緣層106和閘極絕緣層112中以暴露公共電極501。然後，形成在絕緣層106之上的梳狀第三電極105和導電層502電連接。在此，導電層502連接到公共電極501和第三電極105；因此，導電層502可以當成輔助引線。然後，如上文所述，可以防止由公共電極501和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。
因為其他結構類似於圖4的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，由於僅僅利用了絕緣層106的結構，因此與包括層疊的絕緣層106和107的結構相比，該結構的整個厚度較薄。結果，液晶顯示裝置可以較薄並且重量輕。
雖然在本實施例模式中利用通道蝕刻型薄膜電晶體，但是如前文實施例模式中所說明一樣，也可以利用通道保護型薄膜電晶體。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中說明的實例，這種實例是實施例模式4至7中的實例的改進。因此，在實施例模式1至7中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式9]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式1中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供了濾色器和黑色矩陣。
如圖6A所示，在實施例模式1(圖1)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層107。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。
濾色器150由具有可以展現預定的色彩的材料形成。紅色、綠色和藍色一般被當成預定的顏色。這些顏色的組合實現全色顯示。另一方面，在實施單色顯示時，濾色器可以由能夠展現紅色、綠色和藍色(可替換地，橙色或黃色)中的一種顏色的材料形成。單色顯示器適合於顯示簡單的字母和數字，並且可用於汽車音響或攜帶型音響設備的顯示幕。
提供黑色矩陣151以防止薄膜電晶體102被光輻照、抑制在薄膜電晶體102中包括的電極的反射、防止光從其中液晶分子不受影像訊號控制的部分中洩漏、並且用以分割一個像素。只要黑色矩陣151展現出黑色即可被接受，並且該黑色矩陣可以使用包含了鉻的導電層或包含了色素或碳黑的有機材料形成。此外，黑色矩陣151可以由被染色的有機材料比如丙烯酸或聚醯亞胺形成。
注意，理想地，黑色矩陣151由非導電材料形成以便不影響電場的施加。
在提供濾色器150和黑色矩陣151時，理想的是，絕緣層106具有層疊的層結構，並且絕緣層可以由作為其上層形成的無機材料和有機材料形成。濾色器150和黑色矩陣151通常由有機材料形成，這些材料包含了對薄膜電晶體的電特性不利的雜質元素。理想的是，形成絕緣層以防止雜質元素進入到薄膜電晶體中的半導體層111中。
因此，較佳的，氮化矽作為形成絕緣層的無機材料。這種絕緣層也被稱為鈍化層。鈍化層並不限於被提供在具有疊層結構的絕緣層106之上。只要鈍化層被提供在半導體層111以及濾色器150和黑色矩陣151之間就可以接受。例如，鈍化層可以作為具有疊層結構的絕緣層106的底層提供。
注意，在形成濾色器150和黑色矩陣151之前可以沉積無機材料比如氮化矽。
此後，絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。絕緣層152使該表面平整。具體地，在濾色器150和黑色矩陣151彼此重疊的區域中，因為黑色矩陣151的厚度的緣故，所形成的步階可以藉由絕緣層152平整。
因為其他結構類似於圖1的結構，所以省去了對其他結構的說明。
圖6B中所示的結構與圖6A中所示的結構不同之處在於濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。濾色器150被保護性地提供在透射光的區域中，而黑色矩陣 151被保護性地提供在包括薄膜電晶體102的區域中。結果，藉由薄膜電晶體102和第二電極104的邊界區的邊界，濾色器150形成在其中形成有第二電極104的區域中，而黑色矩陣151形成有在其中形成有薄膜電晶體102的區域中。然後，絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。
較佳的，彼此不重疊地提供濾色器150和黑色矩陣151，因為在它們重疊的區域中增加了整個厚度。
因為其他結構類似於圖6A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
圖6C中所示的結構與圖6A和6B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板155上。對於提供有黑色矩陣151的區域沒有限制，只要它在薄膜電晶體102之上即可。
在這種情況下，在相鄰像素中的不同顏色的濾色器可以被設置為彼此重疊。在層疊了濾色器的區域中，當成黑色矩陣，因為它的透射率降低了。
在黑色矩陣151被提供給相對基板155時，濾色器150可以被形成在薄膜電晶體102和第二電極104之上。如上文所述，使用有機材料形成濾色器150；因此濾色器150也當成平整膜。即，可以提供濾色器150替代絕緣層107，濾色器150的表面可以被平整。
注意黑色矩陣151可以被提供在絕緣基板100的後表面側上。
注意，黑色矩陣可以被提供在絕緣基板100側上，而且濾色器可以形成在相對基板側上。藉由將黑色矩陣提供在絕緣基板100側上，可以改善在基板中的設置容限。
因為其他結構類似於圖6A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式1一樣，在將電壓施加給第二電極104和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中說明的實例，這種實例是實施例模式4至8中的實例的改進。因此，實施例模式1至8中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式10]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式1中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供了濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層106。
如圖7A所示，在實施例模式1(圖1)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部 分地重疊。濾色器150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色器和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。該表面可以藉由絕緣層152平整。
在提供濾色器150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色器150和黑色矩陣151和在薄膜電晶體102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋閘極電極113和第二電極104。
在這種提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層106的結構中，黑色矩陣151被形成在薄膜電晶體102的附近。因此，較佳的，這種結構因為有效地遮罩了發射到薄膜電晶體102的光。
因為其他結構類似於圖6A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖7B中所示的結構與在圖7A中所示的結構不同之處在於提供濾色器150和黑色矩陣151以便彼此不重疊。
因為其他結構類似於圖6B的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖7C中所示的結構與在圖7A和7B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板側上。
因為其他結構類似於圖7B的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式1一樣，在將電壓 施加給第二電極104和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至9中的實例的改進。因此，實施例模式1至9中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式11]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式2中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供了濾色器和黑色矩陣。
如圖8A所示，在實施例模式2(圖2)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層107。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色器150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色器和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。該表面可以藉由絕緣層152平整。
在提供濾色器150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色器150和黑色矩陣151和在薄膜 電晶體102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，絕緣層106具有疊層結構，其上層是由無機材料形成的鈍化層153。鈍化層並不限於作為具有疊層結構的絕緣層106的上層提供。只要鈍化層被提供在半導體層111和濾色器150和黑色矩陣151之間就可以接受。例如，鈍化層可以作為具有疊層結構的絕緣層106的底層提供。
濾色器150、黑色矩陣151、絕緣層152和鈍化層153的這些結構類似於在圖6A中所示的結構。因為其他結構類似於圖2的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖8B中所示的結構與在圖8A中所示的結構不同之處在於濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖6B中所示的結構。
因為其他結構類似於圖8A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖8C中所示的結構與在圖8A和8B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板155側上。對於其中提供有黑色矩陣151的區域沒有限制，只要它在薄膜電晶體102之上即可。
在給相對基板155提供黑色矩陣151時，濾色器150可以被形成在薄膜電晶體102和第二電極104之上。如上文所述，濾色器150使用有機材料形成，因此濾色器150也當成平整膜。即，可以提供濾色器150替代絕緣層107，並且濾色器150的表面可以被平整。這種將黑色矩 陣151提供在相對基板155側上的結構類似於在圖6C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣基板100的後表面側上。
因為其他結構類似於圖8A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式2一樣，在將電壓施加給公共電極122和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至10中的實例的改進。因此，實施例模式1至10中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式12]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式2中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供濾色器和黑色矩陣替代絕緣層106。
如圖9A所示，在實施例模式2(圖2)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代 絕緣層106。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色器150和黑色矩陣151與在前述的實施例模式中的濾色器和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。該表面可以藉由絕緣層152平整。
在提供濾色器150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色器150和黑色矩陣151和在薄膜電晶體102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋閘極電極113和第二電極104。
這種提供了濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於圖7A中所示的結構。因為其他結構類似於圖2的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖9B中所示的結構與在圖9A中所示的結構不同之處在於濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖7B中所示的結構。
因為其他結構類似於圖9A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖9C中所示的結構與在圖9A和9B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板側155上。對於其中提供有黑色矩陣151的區域沒有限制，只要它在薄膜電晶體102之上即可。
在給相對基板155提供黑色矩陣151時，濾色器150可以被形成在薄膜電晶體102和第二電極104之上。如上 文所述，濾色器150使用有機材料形成，因此濾色器150也當成平整膜。即，可以提供濾色器150替代絕緣層107，並且濾色器150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在相對基板155側上的結構類似於在圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣基板100的後表面側上。
因為其他結構類似於圖9A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式2一樣，在將電壓施加給公共電極122和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至11中的實例的改進。因此，實施例模式1至11中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式13]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式3中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其 中提供濾色器和黑色矩陣替代絕緣層106。
如圖10A所示，在實施例模式3(圖3)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色器150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色器和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。該表面可以藉由絕緣層152被平整。
在提供濾色器150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色器150和黑色矩陣151和在薄膜電晶體102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋閘極電極113和第二電極104。
這種提供了濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於圖7A中所示的結構。因為其他結構類似於圖3的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖10B中所示的結構與在圖10A中所示的結構不同之處在於濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖7B中所示的結構。
因為其他結構類似於圖10A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖10C中所示的結構與在圖10A和10B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板側155上。對於其中提供有黑色矩陣151的區域沒有限制，只要 它在薄膜電晶體102之上即可。
在給相對基板155提供黑色矩陣151時，濾色器150可以被形成在薄膜電晶體102和第二電極104之上。如上文所述，濾色器150使用有機材料形成，因此濾色器150也當成平整膜。即，可以提供濾色器150替代絕緣層107，並且濾色器150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在相對基板155側上的結構類似於在圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣基板100的後表面側上。
因為其他結構類似於圖10A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式3一樣，在將電壓施加給公共電極122和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至12中的實例的改進。因此，實施例模式1至12中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式14]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式4中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供濾色器和黑色矩陣替代絕緣層106。
如圖11A所示，在實施例模式4(圖4)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色器150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色器和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。該表面可以藉由絕緣層152被平整。
在本實施例模式中，薄膜電晶體160較佳的是通道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和汲極電極116被提供為覆蓋用於保護通道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供黑色矩陣151以覆蓋薄膜電晶體160時，可以防止雜質元素從黑色矩陣進入到非晶半導體層411中。不用說，薄膜電晶體160可以是如實施例模式4中所示的通道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和黑色矩陣151彼此不接觸。
在提供濾色器150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色器150和黑色矩陣151和在薄膜電晶體160中的半導體層111之間。在本實施例模式中， 鈍化層154被形成為覆蓋閘極電極113、公共電極401和導電層402。
這種提供了濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖7A中所示的結構。因為其他結構類似於圖4的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖11B中所示的結構與在圖11A中所示的結構不同之處在於濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖7B中所示的結構。
因為其他結構類似於圖11A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖11C中所示的結構與在圖11A和11B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板側155上。對於其中提供有黑色矩陣151的區域沒有限制，只要它在薄膜電晶體160之上即可。
在對相對基板155提供黑色矩陣151時，濾色器150可以被形成在薄膜電晶體160、公共電極401和導電層402之上。
在本實施例模式中，薄膜電晶體160較佳的是通道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和汲極電極116被提供為覆蓋用於保護通道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供濾色器150以覆蓋薄膜電晶體160時，可以防止雜質元素從濾色器進入到非晶半導體層 411中。不用說，薄膜電晶體160可以是如實施例模式4中所示的通道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和濾色器150彼此不接觸。
如上文所述，濾色器150使用有機材料形成，因此濾色器150也當成平整膜。即，可以提供濾色器150替代絕緣層106，並且濾色器150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在相對基板155側上的結構類似於在圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣基板100的後表面側上。
因為其他結構類似於圖11A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式3一樣，在將電壓施加給公共電極401和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至13中的實例的改進。因此，實施例模式1至13中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式15]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式5中說明的液晶顯示裝置不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供濾色器和黑色矩陣替代絕緣層106。
如圖12A所示，在實施例模式5(圖5)中所示的液晶顯示裝置的結構中，提供濾色器150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色器150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色器和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色器150和黑色矩陣151。表面可以藉由絕緣層152平整。
在本實施例模式中，薄膜電晶體160較佳的是通道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和汲極電極116被提供為覆蓋用於保護通道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供黑色矩陣151以覆蓋薄膜電晶體160時，可以防止雜質元素從黑色矩陣進入到非晶半導體層411中。不用說，薄膜電晶體160可以是如實施例模式4中所示的通道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和黑色矩陣151彼此不接觸。
在提供濾色器150和黑色矩陣151的情況下，理想地，在濾色器150和黑色矩陣151和在薄膜電晶體160中的半導體層111之間提供鈍化層。在本實施例模式中，鈍 化層154被形成為覆蓋閘極電極113、公共電極401和導電層402。
這種提供了濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖7A中所示的結構。因為其他結構類似於圖5的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖12B中所示的結構與在圖12A中所示的結構不同之處在於濾色器150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色器150和黑色矩陣151的結構類似於在圖7B中所示的結構。
因為其他結構類似於圖12A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在圖12C中所示的結構與在圖12A和12B中所示的結構不同之處在於黑色矩陣151被提供在相對基板側155上。對於其中提供有黑色矩陣151的區域沒有限制，只要它在薄膜電晶體160之上即可。
在對相對基板155提供黑色矩陣151時，濾色器150可以被形成在薄膜電晶體160、公共電極401和導電層402之上。
在本實施例模式中，薄膜電晶體160較佳的是通道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和汲極電極116被提供為覆蓋用於保護通道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供黑色矩陣151以覆蓋薄膜電晶體160時，可以防止雜質元素從濾色器進入到非晶半導體 層411中。不用說，薄膜電晶體160可以是如實施例模式4中所示的通道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和濾色器150彼此不接觸。
如上文所述，濾色器150由有機材料形成，因此濾色器150也當成平整膜。即，可以提供濾色器150替代絕緣層106，並且濾色器150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在相對基板155側上的結構類似於在圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣基板100的後表面側上。
因為其他結構類似於圖12A的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，如實施例模式3一樣，在將電壓施加給公共電極401和梳狀第一電極103時，在它們之間產生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產生電場充分地控制的一部分液晶材料中，藉由兩對電極所產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至14中的實例的改進。因此，在實施例模式1至14中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式16]
在本實施例模式中，說明一種在液晶顯示裝置中的像素部分的頂視圖。
圖13所示為對應於在實施例模式4(圖4)中所示的剖面結構的頂視圖。薄膜電晶體(也稱為TFT)160包括非晶半導體層411，並具有其中閘極電極113被提供在下面的底閘型結構。掃描線413被形成在與閘極電極113相同的層中。
非晶半導體層411被形成為覆蓋閘極電極113。公共電極401可以使用非晶半導體層411形成。注意，由於公共電極401理想地由具有較高的導電性的材料形成，因此較佳的將雜質元素添加到半導體層中。公共電極401可以由導電材料形成而不使用非晶半導體層411。
源極和汲極電極116被形成為覆蓋非晶半導體層411的兩個邊緣。訊號線416可以被形成在與源極和汲極電極116相同的層中。
第一電極103和第三電極105可以被形成在相同的層中。第一電極103和第三電極105被處理成梳狀並交替地設置。第一電極103藉由開口連接到源極和汲極電極116之一。第三電極105藉由開口連接到公共電極401。
在與第三電極105相同的層(在圖13中以A表示的區域)中，在一個像素中提供的公共電極401電連接到另一個。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至15中的實例的改進。因此，實施例模式1至15中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
本實施例模式的像素部分的結構可以與前述實施例模式自由地組合。
[實施例模式17]
在本實施例模式中，說明一種與前述實施例模式中說明的像素部分不同的像素部分的頂視圖。
圖14與圖13不同之處在於梳狀第一電極103和梳狀第三電極105在長邊的中點處彎曲。這些電極可以在其他的點而不是中心點處彎曲。此外，它們可以具有多個彎曲。這種彎曲的第一電極103和彎曲的第三電極105是較佳的，因為它們可以加寬視角。這是因為，一些液晶分子順應彎曲的第一電極103和第三電極105的第一方向，而一些液晶分子順應其第二方向。
可替換地，為了獲得相同的效果，可以按照中線將一個像素分為兩個區域，在第一區域中，直的第一電極103和直的第三電極105以一定的角度設置，而在第二區域中，直的第一電極103和直的第三電極105被設置成相對於中線對稱。
注意，本實施例模式顯示了與電晶體一起實現實施例模式1至3中的說明的實例，這種實例是實施例模式4至 16中的實例的改進。因此，實施例模式1至16中的說明可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式18]
在本實施例模式中，說明一種與圖1中所示的結構不同的液晶顯示裝置的結構：其中提供反射區A和透射區B。
如圖15所示，反射電極652提供在反射區中。在透射區中提供了連接到反射電極652的透明電極654。透明電極654也當成公共電極。此外，在其上提供相對基板155，並在它們之間插入液晶材料653。
此外，延遲膜650被置於在液晶材料653之上提供的相對基板155的外側之上。即，延遲膜650被置於相對基板155和偏振片之間。四分之一波片和半波片作為延遲膜。藉由延遲膜，可以適當地控制穿過反射區和透射區的光量。因此，不管液晶顯示裝置是透射型還是反射型，都可以顯示大致相同的影像。
因為其他結構類似於圖1的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至17中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式19]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式中說明的結構不同的結構：其中延遲膜被提供在相對基板裏面。
如圖16所示，延遲膜650形成在相對基板155裏面，即液晶材料653一側。藉由這種結構，可以適當地控制穿過反射區和透射區的光量。因此，不管液晶顯示裝置是透射型還是反射型，都可以顯示大致相同的影像。
因為其他結構類似於圖15的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至18中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式20]
在本實施例模式中，說明這樣的一種結構：其中控制在反射區和透射區中的單元間隙。
如圖17所示，用於調節單元間隙的膜657被提供在相對基板155側，對準膜形成在膜657之上(在更靠近液晶的一側上)。這種膜657由有機材料比如丙烯酸形成。單元間隙被設定為使得在反射區中的單元間隙短於在透射區中的單元間隙。藉由這種結構，可以適當地控制藉由反射區和透射區的光量。因此，不管液晶顯示裝置是透射型 還是反射型，都可以顯示大致相同的影像。
因為其他結構類似於圖15的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至19中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式21]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式中說明的結構不同的結構：其中光散射顆粒被包含在用於調節單元間隙的膜中。
如圖18所示，光散射顆粒658被包含在用於調節單元間隙的膜657中。這種光散射顆粒658由具有與用於調節單元間隙的膜的材料的折射率不同的折射率的材料形成。用於調節單元間隙的膜可以被形成為包含這種光散射顆粒。
應用這種結構，可以擴散光並提高亮度。
因為其他結構類似於圖15的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至20中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式22]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與圖1中所示的結構不同的結構：其中提供了反射區。
如圖19所示，在本實施例模式中，示出了反射型液晶顯示裝置，其中與閘極電極113同時形成的電極被當成反射電極652。反射電極652被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於反射電極652可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
注意，實施例模式1至21中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式23]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式22中的結構不同的結構：其中提供了反射區和透射區。
如圖20所示，在本實施例模式中，示出了一種半透射型液晶顯示裝置的結構：其中與閘極電極113同時形成的電極被當成反射電極652。反射電極652可以當成公共引線。反射電極652被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於反射電極652可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
注意，實施例模式1至22中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式24]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式23中的結構不同的結構：其中改變了反射電極和透明電極的製造順序。
如圖21所示，首先形成透明電極654，並將反射電極652形成在透明電極654的一部分之上。然後，將電極117連接到反射電極652。
藉由這種結構，反射電極652可以與閘極電極113同時形成。反射電極652可以被當成公共引線。反射電極652被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於反射電極652可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖20的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至23中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式25]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式 24中的結構不同的結構：其中不提供透明電極。
如圖22所示，反射電極652被形成在反射區中但不形成在透射區中。將電極117連接到反射電極652。
藉由這種結構，反射電極652可以與閘極電極113同時形成。反射電極652可以被當成公共引線。反射電極652被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於反射電極652可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖21的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至24中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式26]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式22中的結構不同的結構：其中提供了當成公共引線的導電層659。
如圖23所示，導電層659被形成在反射區中的底層101上。導電層659可以與閘極電極同時形成。形成當成連接到導電層659的反射電極的電極117。
藉由這種結構，導電層659可以被當成公共引線。導電層659被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有 效的佈局設計。此外，由於導電層659可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖19的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至25中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式27]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式26中的結構不同的結構：其中當成公共引線的導電層659被提供在反射區中並且提供了透射區。
如圖24所示，導電層659被形成在反射區中的底層101之上，並且形成當成連接到導電層659的反射電極的電極117。在透射區中，形成連接到電極117的透明電極654。
藉由這種結構，導電層659可以被當成公共引線。導電層659被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於導電層659可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖23的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充 分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至26中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式28]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式27中的結構不同的結構：其中改變了反射電極和透明電極的製造順序。
如圖25所示，首先形成透明電極654，並將當成反射電極的電極117形成在透明電極654的一部分之上。
藉由這種結構，導電層659可以被當成公共引線。導電層659被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於導電層659可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖24的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至27中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式29]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式28中的結構不同的結構：其中當成公共引線的導電層659 被形成在反射區中並且不提供透明電極。
如圖26所示，導電層659形成反射區中，同時在透射區中不形成電極。當成反射電極的電極117連接到導電層659。
藉由這種結構，導電層659可以被當成公共引線。導電層659被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有效的佈局設計。此外，由於導電層659可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖25的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至28中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式30]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式29中的結構不同的結構：其中透明電極被形成在透射區中。
如圖27所示，導電層659形成反射區中，同時連接到導電層659透明電極654形成在透射區中。電極117連接到導電層659。導電層659當成反射電極和公共引線。
藉由這種結構，導電層659可以被當成公共引線。導電層659被放置成與閘極引線大致平行，由此可以實現有 效的佈局設計。此外，由於導電層659可以與閘極引線同時形成，因此可以減少步驟數量並降低成本。
因為其他結構類似於圖25的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至29中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式31]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式30中的結構不同的結構：其中在反射區中的絕緣層中形成了突起和凹陷。
如圖28所示，突起和凹陷形成在反射區中的絕緣層106中。
導電層660沿著在絕緣層106中的突起和凹陷形成。導電層660由高反射材料形成。導電層660可以由與電極117相同的材料形成。藉由沿著絕緣層106中的突起和凹陷形成的導電層660可以改善反射性。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射區中而不需要附加的步驟。
在透射區中，形成了連接到導電層659的透明電極654。透明電極654也連接到導電層660。導電層659當 成反射電極。
因為其他結構類似於圖27的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至30中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式32]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式31中的結構不同的結構：其中改變了反射電極和透明電極的製造順序。
如圖29所示，首先形成透明電極654。然後，僅在反射區中形成連接到透明電極654的導電層659。導電層659當成反射電極。此後，突起和凹陷被提供在絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660連接到導電層659。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射區中而不需要附加的步驟。
因為其他結構類似於圖28的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至31中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式33]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式32中的結構不同的結構：其中不形成透明電極。
如圖30所示，導電層659形成在反射區中。導電層659當成反射電極。在透射區中不形成透明電極。此後，突起和凹陷被提供在絕緣層106中。導電層660設置成沿著突起和凹陷，並連接到導電層659。這時，導電層660的下表面(即在凹陷中導電層660的底表面)與導電層659完全地接觸。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射區中而不需要附加的步驟。
因為其他結構類似於圖29的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至32中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式34]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式 33中的結構不同的結構：其中在凹陷中的導電層660的底表面部分地與導電層659接觸。
如圖31所示，導電層660的下表面的一部分(即在凹陷中的導電層660的底表面的一部分)部分地與導電層659接觸。導電層660的底表面的其他部分與底層101接觸。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以不需要附加步驟地在反射區中形成突起和凹陷。
因為其他結構類似於圖31的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至33中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式35]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式25中的結構不同的結構：其中在絕緣層107中提供開口。
如圖32所示，在絕緣層107中形成開口。其中形成了開口的區域是透射區。
藉由這種結構，可以使透射區中的單元間隙變厚。
此外，在反射區中提供的導電層659當成反射電極， 並藉由電極117連接到第三電極105。
因為其他結構類似於圖22的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至34中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式36]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式35中的結構不同的結構：其中在透射區中形成透明電極。
如圖33所示，透明電極654被形成在透射區中。透明電極654連接到在反射區中提供的導電層659。
藉由這種結構，可以使透射區中的單元間隙變厚。
因為其他結構類似於圖32的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至35中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式37]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模 式36中的結構不同的結構：其中改變了反射電極和透明電極的製造順序。
如圖34所示，透明電極654形成在底層101之上。此後，僅僅在反射區中形成導電層659。導電層659當成反射電極。
藉由這種結構，可以使透射區中的單元間隙變厚。
因為其他結構類似於圖33的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至36中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式38]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式37中的結構不同的結構：其中在絕緣層106之上形成反射電極。
如圖35所示，在絕緣層106中形成開口，形成連接到導電層659的電極117。電極117僅僅形成在反射區中以便當成反射電極。此後，絕緣層107被形成為覆蓋電極117，並且上述開口形成在透射區中的絕緣層107中。
藉由這種結構，可以使透射區中的單元間隙變厚。
因為其他結構類似於圖34的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至37中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式39]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式38中的結構不同的結構：其中突起和凹陷被提供在絕緣層106中。
如圖36所示，導電層659被提供在底層101之上，並且絕緣層106被形成為覆蓋導電層659。突起和凹陷被形成在導電層659上方的絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660連接到導電層659。導電層660可以由與電極117相同的材料形成。這時，導電層660的下表面(即在凹陷中導電層660的底表面)完全地與導電層659接觸。
藉由這種結構，可以使透射區中的單元間隙變厚。
因為其他結構類似於圖35的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至38中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式40]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式39中的結構不同的結構：其中導電層660的底表面部分地與導電層659接觸。
如圖37所示，突起和凹陷被形成在導電層659上方的絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660的下表面的一部分(即在凹陷中導電層660的底表面的一部分)與導電層659接觸。透明電極654被提供為與導電層659接觸，並且導電層660的底表面的其他部分與透明電極654接觸。
藉由這種結構，可以使透射區中的單元間隙變厚。
因為其他結構類似於圖36的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至39中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式41]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式30中的結構不同的結構：其中導電層660與形成在一個絕緣層之上的導電層659和透明電極654相接觸。
如圖38所示，絕緣層106被形成為覆蓋都形成在底層101之上的導電層659和透明電極654。開口形成絕緣 層106中以便暴露導電層659和透明電極654。導電層660形成在開口中以便與導電層659和透明電極654接觸。
應用這種結構，導電層659可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖27的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至40中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式42]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式41中的結構不同的結構：其中開口形成在絕緣層107中。
如圖39所示，開口被提供在透射區中的絕緣層107中。第一電極103和第三電極105部分地形成在絕緣層106之上。
應用這種結構，導電層659可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖38的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至41中的說明可以適用於本實 施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式43]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式42中的結構不同的結構：其中突起和凹陷都形成在絕緣層106中。
如圖40所示，突起和凹陷都形成在反射區中的絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660的一部分連接到第三電極105，導電層660的另一部分連接到導電層659和透明電極654。
應用這種結構，導電層659可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖39的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至42中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式44]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與圖2中所示的結構不同的結構：其中提供反射區和透射區並且反射電極652僅僅形成在反射區中。
如圖41所示，反射電極652形成在反射區中的絕緣層106之上。然後，反射電極652和第三電極105連接。
因為其他結構類似於圖2的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至43中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式45]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與圖44中所示的結構不同的結構：其中反射電極形成在具有突起和凹陷的絕緣層106中。
如圖42所示，突起和凹陷形成在反射區中的絕緣層106中。反射電極652沿著突起和凹陷形成。反射電極652和第三電極105連接。
突起和凹陷與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射電極而不需要附加的步驟。
因為其他結構類似於圖41的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至44中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式46]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與圖44中所示的結構不同的結構：其中開口形成在絕緣層107中。
如圖43所示，開口形成在透射區中的絕緣層107中。反射電極652形成在絕緣層106之上。
因為其他結構類似於圖41的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至45中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式47]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與圖2中所示的結構不同的結構：其中僅僅提供了反射區。
如圖44所示，不形成圖2中所示的引線121，並將反射電極652形成在反射區中的絕緣層106之上。
因為其他結構類似於圖2的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至46中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式48]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式47中的結構不同的結構：其中突起和凹陷提供在絕緣層106中並且沿著突起和凹陷形成反射電極。
如圖45所示，突起和凹陷提供在反射區中的絕緣層106的表面上。反射電極652沿著突起和凹陷形成。在絕緣層106中形成的突起和凹陷的形狀不必是開口。此外，突起和凹陷可以與形成用於薄膜電晶體的源極電極和汲極電極的開口同時地形成。注意，形成突起和凹陷以增強反射率，並且可以利用任何形狀而不脫離該範圍。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射電極但不需要附加的步驟。
因為其他結構類似於圖44的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至47中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式49]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式47中的結構不同的結構：其中突起形成在絕緣層106之上。
如圖46所示，導電層602形成在反射區中的絕緣層106之上。導電層602可以形成在與源極和汲極電極116相同的層中。
突起603形成在導電層602之上以形成突起和凹陷。藉由對有機層進行構圖形成突起603。形成導電層604以覆蓋突起603。導電層602和導電層604連接在突起603之間。導電層602當成反射電極。
導電層604藉由在絕緣層107中提供的開口連接到第三電極105。
因為其他結構類似於圖44的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至48中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式50]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式49中的結構不同的結構：其中不形成導電層602。
如圖47所示，突起603形成在絕緣層106之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。
因為其他結構類似於圖46的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至49中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式51]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式47中的結構不同的結構：其中提供反射區和透射區。
如圖48所示，反射電極652形成在反射區中的絕緣層106之上。連接到反射電極652的透明電極654形成在透射區中。
因為其他結構類似於圖44的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至50中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式52]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構：其中改變反射電極和透明電極的製造順序。
如圖49所示，透明電極654形成在反射區和透射區中。然後，連接到透明電極654的反射電極652形成在反 射區中。
因為其他結構類似於圖48的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至51中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式53]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構：其中在透射區中的絕緣層106和107中提供開口。
如圖50所示，開口形成在透射區中的絕緣層106中。在反射區中，反射電極652形成在絕緣層106之上。連接到反射電極652的透明電極654形成在絕緣層106中的開口中。
此後，開口也形成在透射區中的絕緣層107中以暴露透明電極654。第三電極105和第一電極103的部分形成在所暴露的透明電極654之上。
因為其他結構類似於圖48的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至52中的說明可以適用於本實 施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式54]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構：其中突起和凹陷提供在絕緣層106中。
如圖51所示，突起和凹陷提供在反射區中的絕緣層106中。反射電極652沿著突起和凹陷形成。反射電極652的反射率可以藉由所提供的突起和凹陷得到增強。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射電極但不需要附加的步驟。
然後，透明電極654形成在反射區和透射區中。透明電極654連接到反射區中的反射電極652。透明電極654連接到第三電極105。
因為其他結構類似於圖48的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至53中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式55]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模 式51中的結構不同的結構：其中突起形成在反射區中。
如圖52所示，突起603形成在反射區中的絕緣層106中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。
透明電極654形成在透射區中。透明電極654連接到形成在反射區中的導電層604。
因為其他結構類似於圖48的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至54中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式56]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式55中的結構不同的結構：其中改變了反射電極652和透明電極654的製造順序。
如圖53所示，透明電極654形成在反射區和透射區之上。反射電極652被形成為連接到反射區中的透明電極654。在本實施例模式中，反射電極652被形成為與透明電極654的一部分重疊。
突起603形成在反射區中的反射電極652之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604和反射電極652連接在突起603之間。
因為其他結構類似於圖52的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至55中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式57]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式56中的結構不同的結構：其中不提供反射電極652。
如圖54所示，透明電極654形成在反射區和透射區之上。突起603形成在反射區中。突起603的一部分形成在透明電極654之上。
導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。
因為其他結構類似於圖53的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至56中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式58]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模 式51中的結構不同的結構：其中突起603形成在反射區中的絕緣層106之上。
如圖55所示，反射電極652形成在反射區中的絕緣層106之上。突起603形成在反射電極652之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。
因為其他結構類似於圖48的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至57中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式59]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式58中的結構不同的結構：其中不提供反射電極652。
如圖56所示，突起603形成在反射區中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。
因為其他結構類似於圖55的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至58中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式60]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式59中的結構不同的結構：其中僅僅提供反射區。
如圖57所示，僅僅提供反射區並將突起603形成在反射區中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604可以由與源極和汲極電極116相同的層形成。
因為其他結構類似於圖56的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至59中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式61]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式59中的結構不同的結構：其中在反射區中形成了突起和導電層之後，在透射區中形成導電層。
如圖58所示，突起603形成在反射區中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。
透明電極654形成在反射區和透射區之上。透明電極654連接到導電層604。
因為其他結構類似於圖56的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充 分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至60中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式62]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式61中的結構不同的結構：其中改變了導電層604和透明電極654的製造順序。
如圖59所示，突起603形成在反射區中。透明電極654形成在透射區中，部分地覆蓋突起603。此後，連接到透明電極654的導電層604形成在反射區中。導電層604當成反射電極。
因為其他結構類似於圖58的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至61中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式63]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式59中的結構不同的結構：其中突起603形成在反射區中並且覆蓋突起603的導電層形成在與源極和汲極電極相同的層中。
如圖60所示，突起603形成在反射區中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604可以由與源極和汲極電極相同的層形成並當成反射電極。
因為其他結構類似於圖56的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至62中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式64]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與圖3中所示的結構不同的結構：其中提供了反射區。
如圖61所示，不形成如圖3中所示的引線131，並且反射電極652形成在底層101之上。
因為其他結構類似於圖3的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至63中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式65]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模 式64中的結構不同的結構：其中提供了反射區和透射區。
如圖62所示，反射電極652形成在反射區中。此後，透明電極654形成在反射區和透射區中。
因為其他結構類似於圖61的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至64中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式66]
在本實施例模式中，說明這樣的一種與前述實施例模式65中的結構不同的結構：其中改變了反射電極和透明電極的製造順序。
如圖63所示，透明電極654形成在反射區和透射區中。然後，反射電極652僅僅形成在反射區中。
因為其他結構類似於圖62的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至65中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式67]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式65中的結構不同的結構：其中僅僅在反射區中選擇性地形成反射電極。
如圖64所示，反射電極652僅僅形成在反射區中。
因為其他結構類似於圖61的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至66中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式68]
在本實施例模式中，說明這樣一種與圖4中所述的結構不同的結構：其中提供反射區。
如圖65所示，不形成如圖4中所示的導電層402並將反射電極652形成在反射區中。此後，以薄膜電晶體160的閘極絕緣層412覆蓋反射電極652。開口形成在閘極絕緣層412和絕緣層106中，反射電極652和第三電極105經由開口連接。
應用這種結構，反射電極652可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖4的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充 分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至67中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式69]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式68中的結構不同的結構：其中提供了反射區和透射區。
如圖66所示，透明電極654形成在反射區和透射區中。然後，連接到透明電極654的反射電極652僅僅形成在反射區中。以閘極絕緣層412覆蓋透明電極654和反射電極652。開口提供在閘極絕緣層412和絕緣層106中，並且反射電極652和第三電極105經由開口連接。
應用這種結構，反射電極652可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖65的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至68中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式70]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式68中的結構不同的結構：其中僅僅在反射區中選擇性地形成反射電極。
如圖67所示，反射電極652選擇性地僅僅形成在反射區中。反射電極652被閘極絕緣層412覆蓋。開口提供在閘極絕緣層412和絕緣層106中，反射電極652和第三電極105經由開口連接。
應用這種結構，反射電極652可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖65的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至69中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式71]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式69中的結構不同的結構：其中開口形成在透射區中的絕緣層106中。
如圖68所示，透明電極654形成在透射區和反射區中。然後，反射電極652選擇性地僅僅形成在反射區中。透明電極654和反射電極652被閘極絕緣層412覆蓋。
開口形成在透射區中的絕緣層106中。在開口中，第一電極103和第三電極105的部分形成在閘極絕緣層412之上。
應用這種結構，反射電極652可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖66的結構，所以省去了對其 他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至70中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式72]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式69中的結構不同的結構：其中開口形成在透射區中的絕緣層106中；並且不形成透明電極。
如圖69所示，反射電極652僅僅形成在反射區中。反射電極652以閘極絕緣層412覆蓋。
開口形成在透射區中的絕緣層106中。在該開口中，第一電極103和第三電極105的部分形成在閘極絕緣層412之上。在本實施例模式中，在透射區中不形成透明電極。
應用這種結構，反射電極652可以被當成公共引線。
因為其他結構類似於圖66的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至71中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式73]
在本實施例模式中，說明這樣一種與圖5中所示的結構不同的結構：其中提供了反射區。
如圖70所示，不形成如圖5中所示的導電層502，但在反射區中形成反射電極652。反射電極652提供在薄膜電晶體160的閘極絕緣層412之上。開口形成在絕緣層106中，並且反射電極652和第三電極105經由開口連接。
導電層601作為公共引線形成。導電層601藉由在閘極絕緣層412和絕緣層106中的開口連接到第三電極105。
因為其他結構類似於圖5的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至72中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式74]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式73中的結構不同的結構：其中突起提供在反射區中。
如圖71所示，導電層661形成在反射區中。導電層661由與源極和汲極電極116相同的層形成。
突起603形成在導電層661之上。導電層604被形成 為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。導電層604和導電層661連接在突起603之間。
開口形成在被提供成覆蓋導電層604的絕緣層106中。導電層604和第三電極105經由開口連接。
因為其他結構類似於圖70的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至73中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式75]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式74中的結構不同的結構：其中不形成導電層661。
如圖72所示，突起603形成在反射區中的閘極絕緣層412之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。開口形成在被提供成覆蓋導電層604的絕緣層106中。導電層604和第三電極105經由開口連接。
因為其他結構類似於圖71的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至74中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式76]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式73中的結構不同的結構：其中提供了透射區和反射區，並且僅在反射區中形成有反射電極。
如圖73所示，反射電極652選擇性地形成於僅在反射區中的閘極絕緣層412之上。然後，透明電極654形成在反射區和透射區中。
應用這種結構，可以使用與閘極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其他結構類似於圖70的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至75中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式77]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式76中的結構不同的結構：其中反射電極僅形成在反射區中；並且不形成透明電極。
如圖74所示，反射電極652選擇性地形成於僅在反射區中的閘極絕緣層412之上。在透射區中不形成透明電極654。
應用這種結構，可以使用與閘極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其他結構類似於圖73的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至76中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式78]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式77中的結構不同的結構：其中僅在反射區中形成反射電極並且在反射電極之上形成突起。
如圖75所示，反射電極652選擇性地形成於僅在反射區中的閘極絕緣層412之上。突起603形成在反射電極652之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604連接到第三電極105。
應用這種結構，可以使用與閘極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其他結構類似於圖74的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至77中的說明可以適用於本實 施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式79]
在本實施例模式中，說明這樣一種與前述實施例模式78中的結構不同的結構：其中不形成反射電極652。
如圖76所示，突起603形成在反射區中的閘極絕緣層412之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604當成反射電極。
應用這種結構，可以使用與閘極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其他結構類似於圖75的結構，所以省去了對其他結構的說明。
在本實施例模式中，藉由兩對電極產生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至78中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式80]
圖13和14中所示的頂視圖顯示了這樣的實例：從源極線輸送了電位的液晶元件的電極(第一電極103)和從公共線輸送了電位的液晶元件的電極(第三電極105)中的至少一個電極是梳狀的。然而，第一電極和第三電極的形狀並不限於圖13和14中所示的形狀。例如，它們可以是Z字形或波浪形。本實施例模式參考圖106和107顯示 了包括與圖13和14中所示的電極形狀不同的電極形狀的液晶顯示裝置的實例。
圖106所示為這樣的液晶顯示裝置的實例：由源極線輸送了電位的液晶元件的電極204和由公共線輸送了電位的液晶元件的電極203兩者都是Z字形。注意，雖然在圖106中的液晶顯示裝置中的液晶元件的電極的形狀與在圖13和14中所示的液晶顯示裝置的電極的形狀不同，但是其他結構與其類似。
此外，如圖107A所示，第一電極103和第三電極105中的每個可以是梳狀。可替換地，如圖107B所示，第一電極103或第三電極105之一可以是梳狀或者其齒部的一端可以連接到相鄰齒的一端。此外，可替換地，如圖107C所示，第一電極或第三電極之一可以是梳狀並且齒部的一端可以連接到相鄰齒的一端，而其另一端可以連接到其他相鄰齒。進一步可替換地，藉由連接第一齒的一端和最後齒的一端，圖107C中所示的形狀可以被改變為圖107D中的形狀。
應用這種結構設置，在一個像素中，可以按區域改變液晶分子的旋轉方向等。即，可以製造多域液晶顯示裝置。多域液晶顯示裝置可以降低在某一角度觀看時不能精確地識別影像的可能性。
注意，實施例模式1至79中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式81]
參考圖13和14的頂視圖說明本發明的液晶顯示裝置中包括的像素結構。可以修改在像素部分引導引線的方法，只要包括圖108中所示的電路即可，而不會脫離本發明的目的和範圍。參考圖108說明本發明的液晶顯示裝置的像素電路。
在圖108中，閘極線7001和源極線7002交叉。此外，公共引線7003a和公共引線7003b垂直和水平地引入。閘極線7001連接到電晶體7004的閘極電極。此外，源極線7002連接到電晶體7004的源極或汲極電極。注意，在液晶顯示裝置是AC驅動的液晶顯示裝置時，電晶體7004的源極電極和汲極電極根據從源極線7002發送的電位切換；因此，在本實施例模式中該電極被稱為源極和汲極電極。液晶元件CLC被提供在電晶體7004的源極和汲極電極和公共引線7003a之間。在電晶體7004處於接通狀態時，來自源極線7002的電位發送給液晶元件CLC，而在電晶體7004是截止狀態時，來自源極線7002的電位不被輸送給液晶元件CLC。在光需要通過液晶層的情況下，雖然7004處於截止狀態並且來自源極線7002的電位沒有被輸送給液晶元件CLC；理想的是，與液晶元件CLC平行地提供電容器Cs。在電容器保持電壓時，即使電晶體7004處於截止狀態，光仍然可以通過液晶層。
圖109A所示為在本實施例模式中說明的顯示裝置的頂視圖。圖109B所示為對應於圖109A中的線K-L的橫 截面圖。在圖109A和109B中所示的顯示裝置包括外部端子連接區852、密封區853和包括訊號線驅動器電路的掃描線驅動器電路854。
在本實施例模式中圖109A和109B中所示的顯示裝置包括基板851、薄膜電晶體827、薄膜電晶體829、薄膜電晶體825、密封劑834、相對基板830、對準膜831、相對電極832、間隔件833、偏振片835a、偏振片835b、第一端子電極層838a、第二端子電極層838b、各向異性導電層836和FPC 837。顯示裝置包括外部端子連接區852、密封區853、掃描線驅動器電路854、像素區856和訊號線驅動器電路857。
提供密封劑834以包圍提供在基板851之上的像素區856和掃描線驅動器電路854。相對基板830提供在像素區856和掃描線驅動器電路854之上。因此，藉由基板851、密封劑834和相對基板830，密封上述像素區856和掃描線驅動器電路854以及液晶材料。
在基板851之上提供的像素區856和掃描線驅動器電路854包括多個薄膜電晶體。在圖109B中，顯示在像素區856中的薄膜電晶體825作為實例。
注意，實施例模式1至80中的說明可以適用於本實施例模式或與本實施例模式組合。
[實施例模式82]
圖110A和110B顯示了包括實施例模式1至81中說 明的本發明的液晶顯示裝置的模組的實例。像素部分930、閘極驅動器920和源極驅動器940提供在基板900之上。訊號藉由撓性印刷電路960從積體電路950輸入到閘極驅動器920和源極驅動器940中。由像素部分930根據所輸入的訊號顯示影像。
[實施例模式83]
參考圖111A至111H說明在其顯示部分中包括了本發明的液晶顯示裝置的電子電器。
圖111A所示為顯示器，其具有殼體2001、支撐基座2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入端子2005等。顯示部分2003包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
圖111B所示為相機，其具有主體2101、顯示部分2102、影像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接埠2105、快門2106等。顯示部分2102包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
圖111C所示為電腦，其具有主體2201、殼體2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、指示滑鼠2206等。顯示部分2203包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
圖111D所示為移動電腦，其具有主體2301、顯示部分2302、開關2303、操作鍵2304、紅外線埠2305等。顯示部分2302包括在實施例模式1至82中說明的本發明 的液晶顯示裝置。
圖111E所示為具有記錄媒體(具體地，DVD再生裝置)的攜帶型影像再生裝置，其具有主體2401、殼體2402、顯示部分A 2403、顯示部分B 2404、記錄媒體(例如DVD)讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A 2403包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
圖111F所示為電子書，其具有主體2501、顯示部分2502、操作鍵2503等。顯示部分2502包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
圖111G所示為視頻相機，其具有主體2601、顯示部分2602、殼體2603、外部連接埠2604、遙控接收部分2605、影像接收部分2606、電池2607、聲頻輸入部分2608、操作鍵2609等。顯示部分2602包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
圖111H所示為行動電話，其具有主體2701、殼體2702、顯示部分2703、聲頻輸入部分2704、聲頻輸出部分2705、操作鍵2706、外部連接埠2707、天線2708等。顯示部分2703包括在實施例模式1至82中說明的本發明的液晶顯示裝置。
如上文所述，本發明的電子電器藉由將本發明的液晶顯示裝置組合到顯示部分中實現。本發明的這種電子電器可以在室內和室外有利地顯示影像。具體地，通常在室外和室內使用的電子裝置比如相機、影像獲取裝置等具有的 優點在於：在室內和室外可以實現由於觀看顯示幕的角度變化引起的更小的色移和較寬的視角。

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，包含：基板；該基板上的半導體層，該半導體層包含多晶矽；該半導體層上的閘極絕緣層；該閘極絕緣層上的閘極電極；該閘極電極上的第一絕緣層，該第一絕緣層包含矽和氮；該第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層包含有機材料；該第二絕緣層上的第一電極，該第一電極是源極電極和汲極電極中的一個；該第一電極上的第三絕緣層，該第三絕緣層包含有機材料；該第三絕緣層上的像素電極；該像素電極下的公共電極；該像素電極上的液晶層；以及該第三絕緣層下且該第二絕緣層上的導電層，其中該第一電極包含與該半導體層直接接觸的區域，其中該像素電極包含與該公共電極重疊的區域，其中該液晶層被配置為由該像素電極和該公共電極之間的電場所控制，其中該像素電極包含與該第一電極直接接觸的區域，並且其中該導電層包含與該公共電極直接接觸的區域。
  2. 一種顯示裝置，包含：基板；該基板上的半導體層，該半導體層包含多晶矽；該半導體層上的閘極絕緣層；該閘極絕緣層上的閘極電極；該閘極電極上的第一絕緣層，該第一絕緣層包含矽和氮；該第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層包含有機材料；該第二絕緣層上的第一電極，該第一電極是源極電極和汲極電極中的一個；該第一電極上的第三絕緣層，該第三絕緣層包含有機材料；該第三絕緣層上的像素電極；該像素電極下且該第二絕緣層上的公共電極；該像素電極上的液晶層；以及該第三絕緣層和該公共電極下且該第二絕緣層上的導電層，其中該第一電極包含與該半導體層直接接觸的區域，其中該像素電極包含與該公共電極重疊的區域，其中該液晶層被配置為由該像素電極和該公共電極之間的電場所控制，其中該像素電極包含與該第一電極直接接觸的區域，並且其中該導電層包含與該公共電極直接接觸的區域。
  3. 根據申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該導電層是佈線。
  4. 一種顯示裝置，包含：基板；該基板上的半導體層，該半導體層包含多晶矽；該半導體層上的閘極絕緣層；該閘極絕緣層上的閘極電極；該閘極電極上的第一絕緣層，該第一絕緣層包含矽和氮；該第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層包含有機材料；該第二絕緣層上的第一電極，該第一電極是源極電極和汲極電極中的一個；該第一電極上的第三絕緣層，該第三絕緣層包含有機材料；該第三絕緣層上的像素電極；該像素電極下的公共電極；該像素電極上的液晶層；以及該第三絕緣層下且該第二絕緣層上的導電層，其中該第一電極包含與該半導體層直接接觸的區域，其中該像素電極包含與該公共電極重疊的區域，其中該液晶層被配置為由該像素電極和該公共電極之間的電場所控制，其中該像素電極包含與該第一電極直接接觸的區域，其中該導電層包含與該公共電極直接接觸的區域，並且其中該導電層包含鋁。
  5. 根據申請專利範圍第1、2和4項中任一項之顯示裝置，其中該第二絕緣層包含濾色器。
  6. 根據申請專利範圍第1、2和4項中任一項之顯示裝置，更包含在該第三絕緣層上並電連接到該公共電極的第二電極，其中該液晶層被配置為由該像素電極和該第二電極之間的電場所控制。
  7. 根據申請專利範圍第1或4項之顯示裝置，其中該導電層是電極。
  8. 根據申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中該導電層包含鈦。
  9. 一種模組，包含根據申請專利範圍第1、2和4項中任一項之顯示裝置以及FPC。
  10. 一種電子電器，包含根據申請專利範圍第9項之模組和天線、聲頻輸入部分、電池、操作鍵以及影像接收部分中的至少一個。
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Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI442151B (zh) * 2005-10-18 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
EP2270583B1 (en) 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
CN102331639A (zh) 2005-12-05 2012-01-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP4645488B2 (ja) * 2006-03-15 2011-03-09 ソニー株式会社 液晶装置及び電子機器
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
JP4927430B2 (ja) * 2006-04-12 2012-05-09 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI585498B (zh) 2006-05-16 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置和半導體裝置
US7847904B2 (en) 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP5216204B2 (ja) 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
CN101349838B (zh) * 2007-07-19 2011-05-25 北京京东方光电科技有限公司 半透过式ffs型液晶显示装置及其制造方法
JP2009042292A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP4475303B2 (ja) * 2007-08-17 2010-06-09 ソニー株式会社 表示装置
JP5357493B2 (ja) * 2007-10-23 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101448903B1 (ko) 2007-10-23 2014-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제작방법
JP5380037B2 (ja) * 2007-10-23 2014-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5427390B2 (ja) * 2007-10-23 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2232561A4 (en) * 2007-12-03 2015-05-06 Semiconductor Energy Lab METHOD OF MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY ARRANGEMENT
JP5137798B2 (ja) * 2007-12-03 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5230384B2 (ja) * 2007-12-07 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置および電子機器
KR101385744B1 (ko) * 2007-12-27 2014-04-17 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판
US8035107B2 (en) * 2008-02-26 2011-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2009107686A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof, and electronic device
US8101442B2 (en) * 2008-03-05 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing EL display device
US7749820B2 (en) * 2008-03-07 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
US7989275B2 (en) * 2008-03-10 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof
US7883943B2 (en) * 2008-03-11 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device
US7985605B2 (en) 2008-04-17 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US8017514B2 (en) 2008-05-05 2011-09-13 International Business Machines Corporation Optically transparent wires for secure circuits and methods of making same
US7790483B2 (en) * 2008-06-17 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof
KR101497425B1 (ko) * 2008-08-28 2015-03-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2010060857A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101492106B1 (ko) * 2008-11-25 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI616707B (zh) 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US20100138765A1 (en) * 2008-11-30 2010-06-03 Nokia Corporation Indicator Pop-Up
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US20100165280A1 (en) * 2008-12-25 2010-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8207026B2 (en) * 2009-01-28 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device
US8395740B2 (en) * 2009-01-30 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having blue phase liquid crystal and particular electrode arrangement
JP5503995B2 (ja) * 2009-02-13 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7989234B2 (en) 2009-02-16 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device
US20100231842A1 (en) * 2009-03-11 2010-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid Crystal Display Device
US8202769B2 (en) * 2009-03-11 2012-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5539765B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101701420B1 (ko) * 2009-05-29 2017-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치
US8654292B2 (en) * 2009-05-29 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8866982B2 (en) * 2009-08-20 2014-10-21 Innolux Corporation Display device
KR102113148B1 (ko) * 2009-09-04 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
BR112012006575A2 (pt) * 2009-10-15 2019-09-24 Sharp Kk painel de tela de cristal líquido, processo para a produção do mesmo, e dispositivo de tela de cristal líquido.
US8355109B2 (en) * 2009-11-24 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a liquid crystal material exhibiting a blue phase and a structure body projecting into the liquid crystal layer
WO2011065259A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101686091B1 (ko) * 2009-12-01 2016-12-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8289482B2 (en) 2009-12-16 2012-10-16 Au Optronics Corporation Transflective liquid crystal display device with plurality of electrodes formed on color filter
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) * 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
KR101276751B1 (ko) * 2010-05-03 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 비씨에스엔 모드 액정표시장치
KR101212225B1 (ko) * 2010-05-06 2012-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102236179B (zh) * 2010-05-07 2014-03-19 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US8928846B2 (en) 2010-05-21 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having dielectric film over and in contact with wall-like structures
US20120057106A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Polarizer and liquid crystal display
CN102566156B (zh) * 2010-12-29 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd的阵列基板及其制造方法
CN102544025A (zh) * 2010-12-31 2012-07-04 京东方科技集团股份有限公司 半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
KR20140009346A (ko) 2011-02-18 2014-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9348178B2 (en) * 2011-06-27 2016-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
KR20130032743A (ko) 2011-09-23 2013-04-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US20140240651A1 (en) * 2011-10-18 2014-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
TWI474092B (zh) * 2011-11-07 2015-02-21 畫素結構及其製造方法
KR101880722B1 (ko) * 2011-11-16 2018-07-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9116397B2 (en) 2011-11-23 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
TWI465817B (zh) * 2011-11-23 2014-12-21 Au Optronics Corp 顯示面板
TWI465802B (zh) 2011-11-23 2014-12-21 Au Optronics Corp 顯示面板
WO2013080817A1 (en) 2011-11-28 2013-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2013122187A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 シャープ株式会社 液晶表示パネル
CN102681276B (zh) * 2012-02-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置
KR20130129008A (ko) 2012-05-18 2013-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9239501B2 (en) * 2012-07-26 2016-01-19 Innocom Technology(Shenzhen) Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101379330B1 (ko) * 2012-08-20 2014-04-04 부산대학교 산학협력단 수평전기장 방식 액정표시장치 및 그 제조방법
CN102830557A (zh) 2012-09-05 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示器件
CN102867754A (zh) * 2012-09-07 2013-01-09 清华大学 基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法
CN102868370B (zh) * 2012-09-07 2015-07-29 清华大学 具有石墨烯晶体管的低噪声放大器
WO2014097998A1 (ja) * 2012-12-19 2014-06-26 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP6071605B2 (ja) * 2013-02-07 2017-02-01 三菱電機株式会社 マルチプルビュー液晶表示装置
CN103309081B (zh) * 2013-05-30 2016-12-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US9841643B2 (en) 2013-07-24 2017-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
CN103454817B (zh) * 2013-08-26 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20150026309A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103456747A (zh) * 2013-09-11 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103474436B (zh) * 2013-09-18 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103605241A (zh) * 2013-11-21 2014-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板
KR20150078563A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 화소
CN103777395A (zh) * 2014-01-27 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102186576B1 (ko) * 2014-03-21 2020-12-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN110310962A (zh) 2014-06-13 2019-10-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN104091818B (zh) * 2014-06-23 2017-09-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法
CN104216129B (zh) * 2014-09-12 2017-08-11 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN104280951A (zh) * 2014-09-23 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102179555B1 (ko) * 2014-10-31 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104360527A (zh) * 2014-11-03 2015-02-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
TWI551927B (zh) 2014-12-09 2016-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN105702875B (zh) 2014-12-11 2018-04-27 财团法人工业技术研究院 发光元件、电极结构与其制作方法
KR101798433B1 (ko) * 2014-12-31 2017-11-17 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR102359349B1 (ko) * 2015-02-03 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9964799B2 (en) * 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
CN104777678A (zh) * 2015-04-20 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 一种曲面显示面板、显示装置
CN105116648A (zh) * 2015-06-26 2015-12-02 武汉华星光电技术有限公司 像素结构、阵列基板及显示装置
US10591767B2 (en) 2015-07-29 2020-03-17 Sharp Kabushiki Kaisha Sunlight readable LCD with uniform in-cell retarder
US10782556B2 (en) 2015-07-29 2020-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Sunlight readable LCD with uniform in-cell retarder
CN105045010B (zh) * 2015-08-26 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板和显示装置
JP6636755B2 (ja) * 2015-09-09 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105093602B (zh) * 2015-09-21 2018-03-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其驱动方法
CN105116642B (zh) * 2015-09-24 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2017064593A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR102503756B1 (ko) * 2015-11-04 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017081575A1 (en) 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR102454383B1 (ko) * 2015-12-28 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 방식의 액정 표시장치
JP6808335B2 (ja) * 2016-03-11 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN105676520A (zh) * 2016-04-22 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板、显示装置及显示基板的制作方法
CN105826328B (zh) * 2016-05-03 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US10541375B2 (en) * 2016-07-21 2020-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102519678B1 (ko) * 2016-08-01 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2018021993A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体基板及びそれを用いた表示装置
WO2018033817A1 (ja) 2016-08-17 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
JP6779109B2 (ja) * 2016-11-21 2020-11-04 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、並びに、表示装置
JP7050460B2 (ja) 2016-11-22 2022-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN111966241B (zh) 2017-01-11 2023-05-30 群创光电股份有限公司 触控显示装置
CN106842741B (zh) * 2017-01-18 2018-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 Coa基板及液晶显示面板
US11353754B2 (en) 2017-02-21 2022-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
CN107452758B (zh) * 2017-08-08 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
CN109541861A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、阵列基板及显示装置
CN107908050B (zh) * 2017-12-18 2020-10-30 昆山龙腾光电股份有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
CN107991796B (zh) * 2018-01-04 2021-09-21 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其修复方法和液晶显示装置
TWI671578B (zh) * 2018-03-30 2019-09-11 友達光電股份有限公司 畫素結構及觸控面板
KR102679421B1 (ko) * 2018-08-28 2024-07-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110109289A (zh) * 2019-05-06 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 半透半反式液晶显示面板及半透半反式液晶显示装置
CN112151568B (zh) * 2019-06-28 2024-08-27 群创光电股份有限公司 电子装置
TWI711851B (zh) * 2019-08-12 2020-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其檢測方法
CN113009722B (zh) * 2019-12-20 2023-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN211718666U (zh) * 2020-01-02 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及显示装置
CN113805389B (zh) * 2020-06-15 2024-07-09 瀚宇彩晶股份有限公司 像素阵列基板及显示装置
CN111679518B (zh) * 2020-06-30 2021-08-03 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
JP2022104308A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 伝送システム、伝送ケーブル、伝送方法、および表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047256A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
JP2002258262A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置

Family Cites Families (161)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS505076B1 (zh) 1967-09-11 1975-02-27
JPS481569Y1 (zh) 1970-10-26 1973-01-16
JPS5127563Y2 (zh) 1971-05-28 1976-07-13
JPS5548277B2 (zh) 1973-03-15 1980-12-04
JPS5194071U (zh) 1975-01-27 1976-07-28
JPS5194071A (zh) 1975-02-17 1976-08-18
JPS56136675A (en) 1980-03-25 1981-10-26 Trinity Ind Corp Control device for spraying painting material in painting device
JPS6081970A (ja) 1983-10-12 1985-05-10 Canon Inc フアクシミリ装置
JPS6081970U (ja) 1983-11-07 1985-06-06 長谷　健信 電話器のコ−ド巻取具
JPS6145500U (ja) 1984-08-23 1986-03-26 旭電化工業株式会社 コンクリ−トセグメントの止水構造
JPS6145500A (ja) 1985-08-07 1986-03-05 Hitachi Ltd 文字フオントの読み出し専用メモリ
JP2519623B2 (ja) 1992-01-21 1996-07-31 嗣生 鈴木 肥料製造方法
TW354380B (en) * 1995-03-17 1999-03-11 Hitachi Ltd A liquid crystal device with a wide visual angle
JP2758864B2 (ja) 1995-10-12 1998-05-28 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW505801B (en) * 1995-10-12 2002-10-11 Hitachi Ltd In-plane field type liquid crystal display device comprising a structure prevented from charging with electricity
KR100188110B1 (ko) * 1996-04-10 1999-06-01 김광호 액정 표시 장치
JP3486859B2 (ja) 1996-06-14 2004-01-13 大林精工株式会社 液晶表示装置
JPH10239699A (ja) 1997-02-25 1998-09-11 Advanced Display:Kk 液晶表示装置
JPH10260400A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Toshiba Corp 液晶表示素子
JP3907804B2 (ja) * 1997-10-06 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6433841B1 (en) 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
KR100341123B1 (ko) 1997-12-29 2002-12-18 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고투과율및고개구율을갖는액정표시장치및그제조방법
TW387997B (en) 1997-12-29 2000-04-21 Hyundai Electronics Ind Liquid crystal display and fabrication method
JP3263365B2 (ja) 1998-07-27 2002-03-04 松下電器産業株式会社 液晶表示パネルおよびその検査方法
JP3099816B2 (ja) 1998-08-12 2000-10-16 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100299381B1 (ko) 1998-08-24 2002-06-20 박종섭 고개구율 및 고투과율을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법
GB9821311D0 (en) * 1998-10-02 1998-11-25 Koninkl Philips Electronics Nv Reflective liquid crystal display device
KR20000039794A (ko) * 1998-12-16 2000-07-05 김영환 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법
JP3481509B2 (ja) * 1999-06-16 2003-12-22 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP3686286B2 (ja) * 1999-06-25 2005-08-24 株式会社小糸製作所 アークチューブおよびその製造方法
JP4034479B2 (ja) 1999-07-07 2008-01-16 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
JP2001066617A (ja) 1999-08-27 2001-03-16 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法
KR100923707B1 (ko) 1999-09-07 2009-10-27 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
JP3712899B2 (ja) 1999-09-21 2005-11-02 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TWI229215B (en) 1999-11-05 2005-03-11 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel for liquid crystal display
JP4897995B2 (ja) 1999-11-05 2012-03-14 三星電子株式会社 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
JP2001175198A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001174818A (ja) 1999-12-15 2001-06-29 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100322969B1 (ko) 1999-12-22 2002-02-01 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 인-플레인 스위칭 모드 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100325079B1 (ko) 1999-12-22 2002-03-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법
KR100625597B1 (ko) 1999-12-27 2006-09-20 한국전자통신연구원 객체 지향 칠 프로그램의 시험을 위한 테스트 케이스 자동생성 방법
JP2000352712A (ja) 2000-01-01 2000-12-19 Sony Corp 液晶表示装置
JP2001194676A (ja) 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3665263B2 (ja) 2000-01-18 2005-06-29 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2001201754A (ja) 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2001284342A (ja) 2000-01-25 2001-10-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US20010053559A1 (en) 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
JP3774352B2 (ja) 2000-02-23 2006-05-10 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TWI290252B (en) 2000-02-25 2007-11-21 Sharp Kk Liquid crystal display device
JP2001255519A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Toray Ind Inc 液晶表示装置
WO2001075516A1 (fr) 2000-04-05 2001-10-11 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Panneau d'affichage a cristaux liquides
JP4467830B2 (ja) 2000-04-05 2010-05-26 パナソニック株式会社 液晶表示パネル
US6789910B2 (en) * 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
KR100736114B1 (ko) 2000-05-23 2007-07-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100684578B1 (ko) 2000-06-13 2007-02-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20020002052A (ko) 2000-06-29 2002-01-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치의 제조방법
KR100683135B1 (ko) 2000-06-29 2007-02-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
JP2002040226A (ja) 2000-07-27 2002-02-06 Fuji Xerox Co Ltd プラスチックカラーフィルタ及びその製造方法、製造装置、液晶表示装置
US7016002B2 (en) * 2000-08-29 2006-03-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
JP2002072246A (ja) 2000-09-05 2002-03-12 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4845254B2 (ja) 2000-10-10 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
KR100448046B1 (ko) * 2000-12-05 2004-09-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사형 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
JP2002190600A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法
KR100587217B1 (ko) 2000-12-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법
KR100686239B1 (ko) * 2001-01-09 2007-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법
JP3949897B2 (ja) 2001-01-29 2007-07-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2002323706A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR100748442B1 (ko) * 2001-02-26 2007-08-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그제조 방법
JP3793915B2 (ja) * 2001-02-28 2006-07-05 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3788259B2 (ja) 2001-03-29 2006-06-21 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2002323704A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4722319B2 (ja) * 2001-04-26 2011-07-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4118602B2 (ja) * 2001-05-23 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6734463B2 (en) 2001-05-23 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a window
KR100466390B1 (ko) 2001-05-30 2005-01-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
JP2003015146A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
FR2827703B1 (fr) 2001-07-18 2004-05-14 Schneider Electric Ind Sa Appareil interrupteur multipolaire de type contacteur-disjoncteur
TWI298110B (en) 2001-07-31 2008-06-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP4198942B2 (ja) * 2001-07-31 2008-12-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3879463B2 (ja) * 2001-09-19 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示パネル，液晶表示装置、及び液晶テレビ
TWI237141B (en) 2001-09-25 2005-08-01 Hannstar Display Corp Manufacturing method for in-plane switching mode liquid crystal display (LCD) unit
US7045373B2 (en) 2001-09-25 2006-05-16 Hannstar Display Corp. Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process
JP4305811B2 (ja) * 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
CN1176396C (zh) 2001-11-01 2004-11-17 瀚宇彩晶股份有限公司 同平面切换模式液晶显示单元的制造方法
JP2003140188A (ja) 2001-11-07 2003-05-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4019697B2 (ja) 2001-11-15 2007-12-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3920630B2 (ja) * 2001-11-16 2007-05-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3939140B2 (ja) 2001-12-03 2007-07-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100494701B1 (ko) 2001-12-22 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
JP4162890B2 (ja) 2001-12-27 2008-10-08 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4047586B2 (ja) 2002-01-10 2008-02-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3881248B2 (ja) 2002-01-17 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置および画像表示装置
JP2003295207A (ja) 2002-03-29 2003-10-15 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4084080B2 (ja) 2002-05-10 2008-04-30 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタ基板の製造方法
JP4117148B2 (ja) 2002-05-24 2008-07-16 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置
US6876420B2 (en) * 2002-06-25 2005-04-05 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
JP2004045576A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100895016B1 (ko) * 2002-10-04 2009-04-30 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법
KR100936906B1 (ko) * 2002-12-20 2010-01-18 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR100913305B1 (ko) 2003-02-04 2009-08-26 삼성전자주식회사 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2004271971A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
TW594310B (en) * 2003-05-12 2004-06-21 Hannstar Display Corp Transflective LCD with single cell gap and the fabrication method thereof
JP4051001B2 (ja) 2003-05-26 2008-02-20 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US7924384B2 (en) * 2003-07-14 2011-04-12 Hitachi Displays, Ltd. Display device
TWI226484B (en) 2003-08-06 2005-01-11 Display Optronics Corp M Pixel for a fringe field switching reflective and transflective liquid crystal display
JP4082683B2 (ja) * 2003-09-29 2008-04-30 株式会社 日立ディスプレイズ 半透過型液晶表示装置
JP4383825B2 (ja) 2003-10-27 2009-12-16 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US7916254B2 (en) 2003-10-27 2011-03-29 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display apparatus for performing alignment process by irradiating light
US7170176B2 (en) 2003-11-04 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100560405B1 (ko) 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4748967B2 (ja) 2003-11-04 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW594353B (en) 2003-11-14 2004-06-21 Hannstar Display Corp An method of improving color shift of liquid crystal display
JP4381782B2 (ja) * 2003-11-18 2009-12-09 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100958246B1 (ko) 2003-11-26 2010-05-17 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5174322B2 (ja) 2003-11-28 2013-04-03 日本ゼオン株式会社 アクティブマトリクス表示装置の製造方法
JP3914913B2 (ja) 2003-11-28 2007-05-16 鹿児島日本電気株式会社 液晶表示装置
KR100595453B1 (ko) 2003-11-29 2006-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평전계방식 액정표시소자
JP4813050B2 (ja) 2003-12-03 2011-11-09 三星電子株式会社 表示板及びこれを含む液晶表示装置
KR100659912B1 (ko) * 2003-12-03 2006-12-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI310104B (en) * 2003-12-03 2009-05-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and panel therefor
CN100543522C (zh) * 2003-12-12 2009-09-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 边缘电场开关型液晶显示装置
CN100376932C (zh) * 2003-12-12 2008-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 液晶显示装置
KR20050060568A (ko) 2003-12-16 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치
KR101074947B1 (ko) * 2003-12-27 2011-10-18 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101031669B1 (ko) * 2003-12-30 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 강유전성 액정배향막을 구비한 반투과형 평면구동모드액정표시소자
CN100383647C (zh) 2004-01-13 2008-04-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 平面内切换型液晶显示装置及其采用的存储电容
TW200525214A (en) * 2004-01-16 2005-08-01 Innolux Display Corp Liquid crystal display device
JP4065855B2 (ja) 2004-01-21 2008-03-26 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
CN100504553C (zh) * 2004-02-06 2009-06-24 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器
JP2005257883A (ja) 2004-03-10 2005-09-22 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
TWI349258B (en) 2004-04-20 2011-09-21 Chimei Innolux Corp Fringe field switching mode liquid crystal display device
TWI282895B (en) * 2004-04-23 2007-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp Electrode array structure of a fringe field switching mode LCD
KR101191442B1 (ko) * 2004-04-29 2012-10-16 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
TWI339300B (en) * 2004-04-30 2011-03-21 Chimei Innolux Corp Liquid crystal display device
JP4223993B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4223992B2 (ja) 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100640218B1 (ko) * 2004-05-31 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 원형전극 횡전계방식 액정표시소자
US7557886B2 (en) 2004-06-29 2009-07-07 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4550551B2 (ja) 2004-10-29 2010-09-22 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2006126551A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2006184325A (ja) 2004-12-24 2006-07-13 Sony Corp 液晶表示装置
TW200624906A (en) * 2005-01-06 2006-07-16 Au Optronics Corp LCD device having adjustable viewing angles
TWI261719B (en) * 2005-01-21 2006-09-11 Au Optronics Corp Transflective liquid crystal display device and pixel electrode thereof
JP2006243144A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Ricoh Co Ltd データ制御回路、画像処理装置及び表示装置
US7423713B2 (en) * 2005-03-28 2008-09-09 Epson Imaging Devices Corporation Liquid crystal device and electronic equipment
JP4155276B2 (ja) 2005-03-28 2008-09-24 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
JP4111203B2 (ja) 2005-03-28 2008-07-02 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器
JP2007004126A (ja) 2005-05-25 2007-01-11 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
KR101137840B1 (ko) 2005-06-23 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
JP5077734B2 (ja) * 2005-06-30 2012-11-21 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置、及び、その駆動方法
CN102331639A (zh) 2005-12-05 2012-01-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
EP2270583B1 (en) 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
JP4801569B2 (ja) * 2005-12-05 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101244772B1 (ko) * 2005-12-30 2013-03-18 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
CN102881713B (zh) * 2006-06-19 2016-05-25 株式会社日本有机雷特显示器 发光显示装置及其制造方法
KR101246719B1 (ko) * 2006-06-21 2013-03-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
JP2008185630A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Hitachi Displays Ltd 半透過型液晶表示装置
EP2172977A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9575364B2 (en) 2011-10-11 2017-02-21 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP2015188062A (ja) * 2014-02-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047256A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
JP2002258262A (ja) * 2001-02-28 2002-09-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210397029A1 (en) 2021-12-23
US8619227B2 (en) 2013-12-31
JP2019133201A (ja) 2019-08-08
JP2022079668A (ja) 2022-05-26
JP6145500B2 (ja) 2017-06-14
JP7138742B2 (ja) 2022-09-16
TW201921068A (zh) 2019-06-01
KR102492566B1 (ko) 2023-01-26
JP2023138640A (ja) 2023-10-02
JP6081970B2 (ja) 2017-02-15
JP2016153913A (ja) 2016-08-25
US20210011317A1 (en) 2021-01-14
TW201827905A (zh) 2018-08-01
US11899329B2 (en) 2024-02-13
TWI701488B (zh) 2020-08-11
TWI810684B (zh) 2023-08-01
JP2018141983A (ja) 2018-09-13
TW201616204A (zh) 2016-05-01
US9823526B2 (en) 2017-11-21
JP2024096262A (ja) 2024-07-12
US9235090B2 (en) 2016-01-12
TWI402583B (zh) 2013-07-21
CN1979275A (zh) 2007-06-13
JP7522950B2 (ja) 2024-07-25
TW201333608A (zh) 2013-08-16
KR20150008834A (ko) 2015-01-23
US20230205028A1 (en) 2023-06-29
KR20160115899A (ko) 2016-10-06
JP2017054152A (ja) 2017-03-16
US7880848B2 (en) 2011-02-01
US20190302501A1 (en) 2019-10-03
KR20190025878A (ko) 2019-03-12
US20240176199A1 (en) 2024-05-30
JP2021092818A (ja) 2021-06-17
US8164729B2 (en) 2012-04-24
JP7522266B2 (ja) 2024-07-24
US20070126969A1 (en) 2007-06-07
JP2016040637A (ja) 2016-03-24
KR20140030296A (ko) 2014-03-11
US10054830B2 (en) 2018-08-21
JP7008114B2 (ja) 2022-01-25
TWI667521B (zh) 2019-08-01
TWI746091B (zh) 2021-11-11
TW202004305A (zh) 2020-01-16
KR101957892B1 (ko) 2019-03-13
CN1979275B (zh) 2013-03-27
TWI502260B (zh) 2015-10-01
JP2022082792A (ja) 2022-06-02
KR20210060408A (ko) 2021-05-26
JP2019191614A (ja) 2019-10-31
KR101900848B1 (ko) 2018-09-20
JP5629747B2 (ja) 2014-11-26
KR101508633B1 (ko) 2015-04-07
JP7554378B2 (ja) 2024-09-19
US20190162998A1 (en) 2019-05-30
US9904127B2 (en) 2018-02-27
EP2270583A2 (en) 2011-01-05
KR20180103790A (ko) 2018-09-19
EP1793266B1 (en) 2017-03-08
CN103149750B (zh) 2017-04-26
JP2023113972A (ja) 2023-08-16
JP6145533B2 (ja) 2017-06-14
TWI628496B (zh) 2018-07-01
EP3229066A1 (en) 2017-10-11
JP2024111250A (ja) 2024-08-16
TWI714177B (zh) 2020-12-21
US11048135B2 (en) 2021-06-29
TW201702714A (zh) 2017-01-16
TW200730976A (en) 2007-08-16
US20200150474A1 (en) 2020-05-14
US20160195785A1 (en) 2016-07-07
TW202006446A (zh) 2020-02-01
KR101469934B1 (ko) 2014-12-05
EP2270583A3 (en) 2013-07-17
JP2014232334A (ja) 2014-12-11
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CN103149750A (zh) 2013-06-12
US9316881B2 (en) 2016-04-19
US11126053B2 (en) 2021-09-21
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US7773182B2 (en) 2010-08-10

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