TWI442151B - 液晶顯示裝置 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 62
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IHWDSEPNZDYMNF-UHFFFAOYSA-N 1H-indol-2-amine Chemical compound C1=CC=C2NC(N)=CC2=C1 IHWDSEPNZDYMNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000005376 alkyl siloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011346 highly viscous material Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Description
本發明係關於一種水平電場方式的液晶顯示裝置，使得在室外也可以進行清晰的顯示。
液晶顯示裝置中的液晶的驅動方法包括與基板垂直地施加電壓的垂直電場方式、以及與基板平行地施加電壓的水平電場方式。垂直電場方式和水平電場方式都具有優點和缺點。例如，與以TN(扭曲向列)方式為代表的垂直電場方式相比，水平電場方式具有如下特性：寬視角、高對比度、以及高灰度級顯示，並且用於顯示器、電視機等。這些液晶顯示裝置在液晶領域中共存，且商品上的開發正在展開。此外，用於水平電場方式的液晶材料、用於垂直電場方式的液晶材料分別被進行開發，並且根據電壓的施加方向具有不同的材料特性。
再者，水平電場方式的液晶顯示裝置包括IPS(In－Plane Switching；平面內切換)方式和FFS(Fringe Field Switching；邊緣場切換)方式。在現有的FFS方式的液晶顯示裝置中，包括一個像素內具備透射區域和反射區域的裝置(參見專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2005－107489號公報
現有的水平電場方式的液晶顯示裝置大多用於電腦的顯示器，而不用於行動電話等的攜帶型電子設備的顯示器。在適用於攜帶型設備的情況下，有時在自然光下使用，因此採用所謂的反射型液晶面板，並且為了到達高反射率而設計為擴大反射電極的面積。但是，在水平電場方式中，當以公共電極或像素電極等作為反射電極並擴大其面積時，施加到反射電極上的液晶分子的電場變弱，甚至導致該液晶分子不正常工作。結果，作為水平電場方式的液晶顯示裝置，一直以來很少進行反射型的開發。
由此，本發明的目的在於提供一種作為水平電場方式的液晶顯示裝置的攜帶型電子設備用顯示器，即使在室外也可以進行清晰的顯示。
鑒於上述問題，本發明的特徵在於在水平電場方式的液晶顯示裝置中設置反射電極。藉由設置反射電極，可以提供可以在室外反射自然光且進行清晰的顯示的水平電場方式的液晶顯示裝置。
下面將示出本發明的具體結構。
本發明的一個方式是一種液晶顯示裝置，包含：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的光反射性的公共電極及隔著絕緣層設置在該公共電極上的透光性的像素電極，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
本發明的另一方式是一種液晶顯示裝置，包括：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的光反射性的公共電極及隔著第一絕緣層設置在該公共電極上的透光性的像素電極，其中該公共電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層上，其中該公共電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
本發明的另一方式是一種液晶顯示裝置，包括：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的光反射性的公共電極及隔著第一絕緣層設置在該公共電極上的透光性的像素電極，其中該公共電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層上，其中該公共電極的表面具有對應於該第二絕緣層的該不均勻形狀的形狀，其中包括第三絕緣層的平坦化膜設置在該公共電極上，其中該第一絕緣層形成在該第三絕緣層上，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
本發明的另一方式是一種液晶顯示裝置，包括：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；在該對基板中的一個基板上的透光性的公共電極及隔著第一絕緣層設置在該公共電極上的透光性的像素電極；以及在該對基板中的另一個基板的沒設置有該液晶層的一側上的反射電極，其中該反射電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層上，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
本發明的另一方式是一種液晶顯示裝置，包括：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；在該對基板中的一個基板上的透光性的公共電極及隔著第一絕緣層設置在該透光性的公共電極上的透光性的像素電極；以及在該對基板中的另一個基板的沒設置有該液晶層的一側上的反射電極，其中該反射電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層上，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中包括第三絕緣層的平坦化膜形成在該反射電極上，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
本發明的另一方式是一種液晶顯示裝置，包括：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的透光性的公共電極、在該公共電極上的反射電極及隔著第一絕緣層設置在該反射電極上的透光性的像素電極，其中該公共電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層上，其中該公共電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
本發明的另一方式是一種液晶顯示裝置，包括：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的反射電極、在該反射電極上隔著第一絕緣層設置的透光性的公共電極、以及隔著第二絕緣層設置在該公共電極上的透光性的像素電極，其中該反射電極設置在具有不均勻形狀的第三絕緣層上，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中該第一絕緣層是平坦化膜，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
在本發明中，該像素電極可以包括氧化銦錫(ITO)。
在本發明中，該像素電極與電晶體連接，由此可以控制像素電極的電壓。
在本發明中，在所謂像素佈局的俯視圖中，該像素電極的形狀可以具有矩形。
根據本發明的設置有反射電極的水平電場方式的液晶顯示裝置，可以在室外高效率地反射自然光，並且提供清晰的顯示。
下面，參照附圖對於本發明的實施例模式進行說明。注意，本發明可以藉由多種不同的方式來實施，所屬領域的普通人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發明的宗旨及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下將說明的實施例模式及實施例所記載的內容中。此外，在用於描述實施例模式的全部附圖中，對同一部分或具有同樣功能的部分附加同一附圖標記，省略反復說明。
在本實施例模式中，將描述水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
圖1顯示FFS方式的液晶顯示裝置的截面圖。在具有絕緣表面的基板(以下稱作絕緣基板)100上設置有用作液晶顯示裝置的公共電極102的導電層。作為絕緣基板100，可以舉出玻璃基板、石英基板、塑膠基板等。例如，當使用塑膠基板時，可以提供柔性高重量輕的液晶顯示裝置。此外，藉由進行抛光等減薄玻璃基板，也可以提供薄型液晶顯示裝置。再者，也可以使用在金屬等的導電基板或矽等的半導體基板上形成具有絕緣性的層而成的基板作為絕緣基板。
在本實施例模式中，使用具有反射性的導電材料作為公共電極102。這種具有反射性的導電材料的電極也稱作反射電極。作為這種具有反射性的導電材料，例如可以舉出選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)等的元素、或以這些元素為主要成分的合金材料。公共電極102可以為單層結構或疊層結構。在適用疊層結構的情況下，使用具有反射性的材料形成最上層即可，而可以使用電阻低的材料而不使用具有反射性的材料形成其他層。結果，可以形成具有反射性且電阻低的公共電極102。這樣的公共電極102由電連接的驅動電路控制。
在公共電極102上方形成像素電極105。根據液晶材料的分子尺寸可以確定像素電極105的寬度。由於如果像素電極105的寬度對於液晶材料的分子尺寸太大，就不容易對像素電極上的分子施加電場，因此相應於液晶材料的分子尺寸將確定為10至15μm即可。此外，形成絕緣層103，以便防止公共電極102和像素電極105短路。此外，絕緣層103也起到防止來自絕緣基板100的雜質污染的基板膜的作用。公共電極102形成在絕緣基板的像素部分的整個面上，而像素電極105選擇性地形成在絕緣層103上。可以將電場施加到這樣形成在整個面上的公共電極102和選擇性地形成的像素電極105之間。結果，可以控制液晶層的分子。像素電極105可以由具有透光性或反射性的材料形成。藉由使用具有透光性的材料形成像素電極105，可以提高開口率，而藉由使用具有反射性的材料形成像素電極105，可以提高反射率。當使用具有反射性的材料形成像素電極時，藉由增加其寬度，還可以進一步提高反射率。
絕緣層103可以由無機材料或有機材料形成。作為無機材料，可以使用矽氧化物、矽氮化物。矽氧化物和矽氮化物可以由CVD法、濺射法等形成。作為有機材料，可以使用化合物如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、聚縮醛、聚醚、聚氨基甲酸酯、聚醯胺(尼龍)、呋喃樹脂、以及鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂等。粘性高的材料如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等可以由塗敷法、旋塗法、液滴噴出法形成。液滴噴出法還稱作噴墨法，並且是如下方法：相應於電訊號從噴嘴噴出被調製了的組成物而製作微量的液滴，將其附著到預定的位置。為了提高開口率，較佳由透光性材料形成像素電極105。例如，可以使用透光導電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、或添加有鎵的氧化鋅(GZO)等。還可以使用包含氧化矽的氧化銦錫(以下稱作ITSO)、混合有氧化鋅(ZnO)的ITO。
像素電極105藉由電連接的電晶體控制。作為電晶體，可以使用具有薄膜半導體層的薄膜電晶體(也稱作TFT)。
此外，準備相對絕緣基板100的基板(以下稱作相對基板)108。相對基板108設置有濾色鏡，以便進行全彩色顯示。濾色鏡可以具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)，並且既可排列為彼此垂直，又可配置為錯開半個像素，即所謂的三角排列(△排列)。
藉由絕緣基板100和相對基板108夾持具有液晶材料的層(以下稱作液晶層)106，可以進行顯示。作為液晶材料，可以使用具有正或負的電介常數各向異性的液晶材料。使用這種液晶材料的水平電場方式由於具有高電壓保持特性，所以可以適用具有氰基的化合物。另外，還可以適用向列型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。使用密封材料夾持絕緣基板100和相對基板108，並且為了保持其間隔而配置柱形間隔物、球形間隔物。作為柱形間隔物，可以使用形成絕緣層並將其處理為預定形狀而成的間隔物，而作為球形間隔物，可以使用二氧化矽球珠(silica beads)。也可以使這些間隔物具有乾燥劑的作用。此外，在液晶層106的介面上設置有研磨處理過的取向膜。由取向膜可以確定液晶分子的最初傾斜，即初期傾斜角(pretilt angle)。
由於形成在整個基板上的公共電極102和形狀被處理後的像素電極105之間的水平方向電場的存在，液晶分子的傾斜產生變化，從而可以進行顯示。藉由公共電極102和像素電極105之間的水平方向電場可以進行顯示的液晶顯示裝置的方式被稱為FFS方式。
對於這樣的FFS方式，可以適用反射型的液晶顯示裝置。結果，可以提供在室外也可以進行清晰的顯示的攜帶型電子設備的顯示器。
以FFS為代表的水平電場方式液晶顯示裝置具有視角寬、以及由於在相對基板一側不形成電極，所以結構很簡單的優點，由此，區別於由垂直方向電場可以進行顯示的液晶顯示裝置。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖2所示，在本實施例模式中，在具有不均勻形狀的公共電極102上形成對應於該不均勻形狀的絕緣層103。藉由使具有反射性的公共電極102為不均勻形狀，可以提高反射率。
接下來，將描述不均勻形狀的製造步驟。首先，在絕緣基板100上形成用於形成不均勻形狀的絕緣層121。作為絕緣層121，可以使用有機材料或無機材料。作為有機材料，可以使用化合物如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、聚縮醛、聚醚、聚氨基甲酸酯、聚醯胺(尼龍)、呋喃樹脂、以及鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂等。此外，作為無機材料，可以使用矽氧化物、矽氮化物。
然後，處理絕緣層121的形狀。例如，可以使用設置在絕緣層121上的掩模蝕刻而處理。此外，在將有機材料用於絕緣層121的情況下，藉由曝光形成具有不均勻形狀、特別具有凸部的形狀。藉由使用抗蝕劑控制曝光強度和曝光時間等，可以形成不均勻形狀。在正型光致抗蝕劑中，抗蝕劑的被曝光的部分由顯影液除去，而在負型光致抗蝕劑中，抗蝕劑的沒有曝光的部分由顯影液除去。藉由使用這種抗蝕劑，可以製作不均勻形狀。在使用正型抗蝕劑製作不均勻形狀的情況下，選擇性地照射光並曝光，以便使抗蝕劑留在凸部。然後，藉由進行加熱處理，可以使抗蝕劑帶有圓度。藉由使用這樣帶有圓度的抗蝕劑進行乾蝕刻或濕蝕刻，可以具有不均勻形狀。為了階段地具有不均勻形狀，可以使用所謂的半色調技術，即，階段地曝光抗蝕劑，以便控制曝光強度。
形成在絕緣層121中的不均勻形狀具有凹部和凸部，使凸部的高度為0.1至1μm，使凸部的間隔為5至10μm。凸部的間隔越短，在每一單位面積中可以形成越多的不均勻形狀，從而可以提高反射率。
在具有不均勻形狀的絕緣層121上形成公共電極102。由於公共電極102非常薄，沿著絕緣層121的不均勻形狀具有不均勻形狀。結果，可以形成具有不均勻形狀的公共電極，從而提高反射率。
在公共電極102上形成對應於不均勻形狀的絕緣層103。如果使絕緣層103的膜厚度薄，就可以由有機材料或無機材料形成絕緣層103。代表性的是，藉由使用無機材料形成絕緣層103，可以形成為具有不均勻形狀。有機材料或無機材料可以從上述實施例模式中所示的材料中選擇。
然後，沿著上述不均勻形狀還形成像素電極105。藉由使像素電極105的膜厚度薄，可以沿著不均勻形狀形成像素電極105。此外，像素電極105的材料和製作方法與上述實施例模式相同，並且可以具有透光性。其他結構與上述實施例模式相同，包括絕緣基板100、絕緣層121、公共電極102、絕緣層103、具有不均勻形狀的像素電極105、相對基板108、以及液晶層106。此外，像素電極105可以由具有透光性或反射性的材料形成。藉由使用透光性材料形成像素電極105可以提高開口率，而藉由使用反射性材料形成像素電極105可以提高反射率。
像這樣，藉由在像素電極105上也提供不均勻形狀，可以提高反射率。
像這樣，對於FFS方式，可以適用反射型的液晶顯示裝置。結果，可以提供在室外也可以進行清晰的顯示的攜帶型電子設備的顯示器。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖3所示，在本實施例模式中，使公共電極102為不均勻形狀，使像素電極105平坦。像素電極105可以由具有透光性或反射性的材料形成。藉由使用透光性材料形成像素電極105可以提高開口率，而藉由使用反射性材料形成像素電極105可以提高反射率。
注意，當使電極具有不均勻形狀時，有可能在施加到液晶層的電場中造成混亂。因此，較佳的在具有不均勻形狀的公共電極102上，設置可以使表面平坦化的絕緣層(以下稱作平坦化膜)120，在平坦化膜120上形成像素電極。結果，可以提高具有反射性的公共電極的反射率，因平坦的像素電極105可以將適當的電場施加到液晶層。
作為平坦化膜120，可以使用有機材料。作為有機材料，可以使用如下材料：有機化合物如丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、聚縮醛、聚醚、聚氨基甲酸酯、聚醯胺(尼龍)、呋喃樹脂、以及鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂等；在包括以石英玻璃為代表的矽氧烷聚合物類材料為起始材料而形成的矽、氧、氫的化合物中，含有Si－O－Si鍵的無機矽氧烷聚合物；或以烷基矽氧烷聚合物、烷基倍半矽氧烷聚合物、氫化倍半矽氧烷聚合物、氫化烷基倍半矽氧烷聚合物為代表且結合於矽的氫由有機基如甲基或苯基等取代的有機矽氧烷聚合物。使用這樣的有機材料，藉由塗敷法、旋塗法、液滴噴出法等可以形成平坦化膜120。
此外，也可以將無機材料用於平坦化膜120，藉由CMP(化學機械抛光)法抛光其表面，以使其具有平坦性。作為無機材料，可以舉出矽氧化物、矽氮化物。使用這些無機材料藉由CVD法或濺射法等可以形成平坦化膜120。
可以將單層結構或疊層結構用於平坦化膜120。例如，也可以形成有機材料，在其上形成無機材料。由此，可以發揮因有機材料提高平坦性的效果和因無機材料防止雜質侵入的效果。此外，也可以疊層無機材料本身，可以任意疊層矽氧化物和矽氮化物。
再者，也可以將濾色鏡材料用於平坦化膜120。結果，可以提供進行全彩色顯示的液晶顯示裝置，其中可以在絕緣基板一側不是在相對基板一側形成濾色鏡，容易調整位置，實現薄型化，並且減少處理步驟數量。作為濾色鏡，如上所述，可以適用RGB彼此垂直的排列和三角排列等。當然，也可以在相對基板108一側形成濾色鏡。
其他結構與實施例模式1所示的結構相同，在平坦化膜120上具有絕緣層103、像素電極105，並且絕緣基板100和相對基板108之間夾持有液晶層106。
本實施例模式的液晶顯示裝置，除了實施例模式1所記載的效果之外，還可以發揮提高反射率的效果。
像這樣，對於FFS方式，可以適用反射型的液晶顯示裝置。結果，可以提供在室外也可以進行清晰的顯示的攜帶型電子設備的顯示器。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖4所示，在本實施例模式中，採用絕緣層103兼有平坦化膜的功能的結構。為了使絕緣層103具有平坦化膜的功能，使用有機材料作為絕緣層103的材料即可。再者，即使在使用無機材料的情況下，也可以藉由CMP法抛光表面使其具有平坦性。結果，不需要形成平坦化膜120，從而可以減少處理步驟數。
其他結構與上述實施例模式相同，在絕緣基板100上包括絕緣層121、公共電極102、以及具有平坦化功能的絕緣層103，在絕緣層103上包括像素電極105、以及相對基板108和絕緣基板100之間夾持的液晶層106。像素電極105可以由具有透光性或反射性的材料形成。藉由使用透光性材料形成像素電極105可以提高開口率，而藉由使用反射性材料形成像素電極105可以提高反射率。
此外，本實施例模式的結構與上述實施例模式所示的結構同樣，平坦性高。結果，可以抑制公共電極和像素電極之間的電場造成混亂。
像這樣，藉由使絕緣層103具有平坦化膜的功能，不需要形成平坦化膜，從而可以減少處理步驟數。結果，可以提高液晶顯示裝置的批量生產性。當然，利用具有不均勻形狀的公共電極102可以提高反射率。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖5所示，在本實施例模式中，使相對基板108一側的電極(以下稱作相對電極)130為不均勻形狀。具體而言，在相對基板108上形成具有不均勻形狀的絕緣層122，在絕緣層122上形成相對電極130。具有不均勻形狀的絕緣層122可以與上述實施例模式的絕緣層121相同地形成。
然後，為了提高平坦性，在相對電極130上形成平坦化膜120即可。平坦化膜120可以與上述實施例模式相同地製作。在相對電極130具有不均勻形狀的情況下，有可能在施加到液晶層106的電場中造成混亂，但是，由平坦化膜120可以防止這種混亂。
其他結構與上述實施例模式所示的結構相同，在絕緣基板100上形成有公共電極102、絕緣層103、以及像素電極105。注意，當使相對電極108具有反射性時，由於成為從絕緣基板100一側識別顯示的液晶顯示裝置，所以可以將透光性材料用於公共電極102、像素電極105。
像這樣，可以在FFS方式液晶顯示裝置中形成相對電極，並且可以使該相對電極具有不均勻形狀。並且，藉由將具有反射性的導電層用於相對電極，就是說，使用反射電極作為相對電極，可以提供反射率高的液晶顯示裝置。此外，藉由控制相對電極，可以將水平方向電場和垂直方向電場施加到液晶層，因此可以從各種方向控制液晶層。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖6所示，在本實施例模式中，將相對電極130設置在與液晶層106相反的一側，即設置為與液晶層106不接觸。其他結構與上述實施例模式相同，在絕緣基板100上具有公共電極102、絕緣層103、像素電極105、以及絕緣基板100和相對基板108之間夾持的液晶層106。
像這樣，藉由將相對電極130設置在與液晶層106相反的一側，可以設置反射膜而不擾亂施加到液晶的電場，並且發揮遮蔽來自外界的電場、例如靜電的效果。此外，與上述實施例模式相同，可以提供反射率高的液晶顯示裝置。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖7所示，在本實施例模式中，特徵是在具有不均勻形狀的公共電極102上設置反射電極131，反射電極131被選擇性地形成。反射電極131形成為配置在像素的一部分上，並且公共電極102由透光性材料形成。由此，可以獲得具有由透光性材料形成的公共電極102和被選擇性地形成的反射電極131的半透過型液晶顯示裝置。藉由改變被選擇性地形成的反射電極131的大小、即不均勻形狀的間隔或高度等，可以控制反射率。例如，使不均勻形狀的間隔變窄，增多每一單位面積的不均勻形狀，並且增加反射的表面積，就可以提高反射率。此外，像素電極105也可以由反射性材料形成，從而提高反射率。
其他結構與上述實施例模式同樣，在絕緣基板100上包括絕緣層121、具有不均勻形狀的公共電極102、被選擇性地形成的反射電極131、以及具有平坦化功能的絕緣層103，還包括像素電極105、以及相對基板108和絕緣基板100之間夾持的液晶層106。
公共電極102和反射電極131由於電連接，所以具有相同的電位。結果，可以控制反射電極131的電位，並且因靜電等產生的不需要的電壓不會施加到液晶層106。
像這樣，可以獲得包括被選擇性地形成的反射電極131、由透光性材料構成的公共電極102、像素電極105的半透過型液晶顯示裝置。這種半透過型液晶顯示裝置在室內使用背光顯示，而在室外可以使用反射電極顯示。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的水平電場方式的液晶顯示裝置的結構。
如圖8所示，在本實施例模式中，在具有不均勻形狀的絕緣層121上選擇性地形成反射電極131。沿著該不均勻形狀形成反射電極131。在此，為了防止電場的混亂，較佳的設置平坦化膜120。平坦化膜120的製造方法等可以參照上述實施例模式。反射電極131形成為配置在像素的一部分上。此外，為了製造半透過型液晶顯示裝置，使用透光性材料形成公共電極102。此外，可以由反射性材料形成像素電極105，從而可以提高反射率。
其他結構與上述實施例模式同樣，在絕緣基板100上具有絕緣層121、反射電極131、平坦化膜120、公共電極102、絕緣層103、以及像素電極105、以及相對基板108夾持的液晶層106。像素電極105可以由具有透光性或反射性的材料形成。藉由使用透光性材料形成像素電極105可以提高開口率，而藉由使用反射性材料形成像素電極105可以提高反射率。
像這樣，可以獲得包括被選擇性地形成的反射電極131、由透光性材料構成的公共電極102、像素電極105的半透過型液晶顯示裝置。這種半透過型液晶顯示裝置在室內使用背光來進行顯示，而在室外可以使用反射電極來進行顯示。
在本實施例模式中，將描述液晶顯示裝置的像素的俯視圖的一個示例。
圖9顯示具有薄膜電晶體(TFT)作為開關元件的像素的俯視圖。TFT 180與像素電極105電連接。例如，TFT的源極電極或汲極電極藉由接觸孔與像素電極105連接。藉由處理與源極電極及汲極電極相同的材料的導電層的形狀，可以形成源極訊號線162。
此外，TFT 180具有閘極電極161a和半導體層170。藉由處理與閘極電極161a相同材料的導電層的形狀可以形成將訊號輸入到閘極電極161a的閘極訊號線161b。閘極訊號線161b配置為與源極訊號線162構成格柵形狀。
公共電極102形成在與閘極電極161a和閘極訊號線161b相同的層中。換言之，閘極電極161a和閘極訊號線161b與公共電極102形成在相同的絕緣層上。注意，閘極電極161a和閘極訊號線161b不與公共電極102電連接。這是因為，向公共電極102一般施加與閘極電極不同的電壓。彼此相鄰的公共電極102在源極訊號線162方向藉由佈線彼此連接(參照區域C)，而在閘極訊號線161b方向藉由接觸孔由佈線彼此連接(參照區域D)。如區域D所示，藉由處理與像素電極105相同的材料的導電層的形狀，可以形成上述佈線。像這樣，可以使整個像素的公共電極102為相同的電位。
在這種像素中，由於使用反射性高的電極，在室外也可以提供清晰的顯示。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的俯視圖。
圖10所示的像素在像素電極105的俯視形狀具有矩形這一點上，與上述實施例模式不同。其他結構與上述實施例模式相同。矩形指的是如圖10所示的以一定角度反復曲折的狀態，即，之字形。一定角度為鈍角即可，根據像素的面積可以確定曲折的次數。
像這樣，藉由使像素電極105的俯視形狀為矩形，可以進一步擴大視角，這是較佳的。這是因為，存在有對應於矩形的像素電極的第一方向的液晶分子和對應於其第二方向的液晶分子。
為了獲得相同的效果，也可以採用如下結構：從像素的中心部分分開為兩個區域，在第一區域中以一定角度配置有直線形的像素電極，而在第二區域中以中心部分為基準線對稱地配置有直線形的像素電極。
此外，為了獲得相同的效果，也可以採用如下結構：在像素的整個表面上形成有作為像素電極的導電層，而不配置直線形的像素電極，在第一區域中以一定角度形成有直線形的開口部分，而在第二區域中以中心部分為基準線對稱地形成有直線形的開口部分。
在這種像素中，由於使用反射性高的電極，在室外也可以提供清晰的顯示。
在本實施例模式中，將描述包括薄膜電晶體級的像素的截面圖。此外，本實施例模式顯示具有非晶半導體層的底部閘極型薄膜電晶體的結構。
圖11所示的像素相當於沿著圖9中的A－B線的截面圖。在絕緣基板100上，隔著還作用當成基板的絕緣層103設置有TFT 180、以及公共電極102。TFT 180具有半導體層170和閘極電極161a。由於在本實施例模式中顯示使用非晶矽層的TFT，所以TFT還具有覆蓋閘極電極161a的閘極絕緣層172、半導體層170、在半導體層170上方的N型雜質層173、以及與該N型雜質層接觸的源極電極174及汲極電極175。作為閘極絕緣層，可以使用無機絕緣材料，例如矽氧化物、矽氮化物等。作為閘極絕緣層，可以採用這些材料的單層結構或疊層結構。閘極電極可以由與閘極訊號線相同的材料形成。此外，具有非晶半導體層的TFT包括如圖11所示的通道部分的一部分被蝕刻的通道蝕刻型和在通道部分中設置了保護膜的通道保護型。當覆蓋這樣的TFT形成保護膜時，可以防止雜質的侵入和TFT的電特性的老化。尤其是，在通道蝕刻型TFT中，由於通道部分露出，所以較佳的形成保護膜。作為這樣的保護膜，較佳的使用含有氮的矽膜即氮化矽膜、氧氮化矽膜。
覆蓋TFT 180及公共電極102設置有絕緣層181，並且在該絕緣層181上設置有像素電極105。並且，由公共電極102、絕緣層181、以及像素電極105構成電容器182。因此，在本發明的液晶顯示裝置的像素中，可以獲得作用當成電容器的區域而不需要設置電容元件。
絕緣層181可以使用有機材料、無機絕緣材料或由矽氧烷類材料構成且含有Si－O－Si鍵的絕緣物(以下稱作矽氧烷類絕緣物)形成。注意，矽氧烷的骨架結構由矽(Si)－氧(O)鍵構成。作為取代基，使用至少含有氫的有機基(例如烷基、芳香烴)。作為取代基，也可以使用氟基。或者，作為取代基，也可以使用至少含有氫的有機基和氟基。此外，也可以將稱為低介電常數材料(low－k材料)的材料用於絕緣層181。
本實施例模式的像素電極可以具有上述實施例模式9或10所示的形狀。
在這種像素中，由於使用反射性高的電極，在室外也可以提供清晰的顯示。
在本實施例模式中，將描述與上述實施例模式不同的截面圖。
圖12所示的像素與上述實施例模式不同之處在於TFT的結構是具有結晶半導體層的頂部閘極型。其他結構即閘極電極161a、閘極絕緣層172、源極電極174及汲極電極175可以使用與上述實施例模式相同的材料製作。
接下來，將描述結晶半導體層。首先，形成厚度為10至200nm且分離為島狀的結晶半導體層。半導體層也可以是微晶半導體層而不是結晶半導體層。作為半導體層的材料，可以舉出矽、以及矽和鍺的混合物。作為結晶半導體層的製作方法，例如有如下方法：形成非晶半導體層，藉由加熱處理晶化而獲得結晶半導體層。作為加熱處理，可以使用加熱爐、雷射照射、或者從燈發射的光的照射(以下稱作燈退火)而代替雷射，或者組合這些方法而使用。
在使用雷射照射的情況下，可以使用連續振蕩型雷射(CW雷射)或脈衝振蕩型雷射(脈衝雷射)等。
此外，進一步地，也可以使雷射的入射角θ對於半導體層為0°<θ<90°。結果，可以防止雷射的干涉。
此外，既可照射連續振蕩的基波的雷射和連續振蕩的高次諧波的雷射，又可照射連續振蕩的基波的雷射和脈衝振蕩的高次諧波的雷射。藉由照射多個雷射，可以補充能量。
此外，藉由在脈衝振蕩型雷射中，以半導體層從因雷射溶化到固化之間可以照射下一脈衝的雷射的反復頻率來振蕩雷射，可以獲得向掃描方向連續成長的結晶粒。也就是說，可以使用如下脈衝光束，其反復頻率的下限設定為脈衝振蕩的周期比半導體層從溶化到完全固化的時間短。可以實際使用的脈衝光束的振蕩頻率為10MHz或更高，即，所使用的頻帶顯著高於通常使用的幾十Hz至幾百Hz的頻帶。
作為其他加熱處理，在使用加熱爐的情況下，以500至550℃加熱非晶半導體層2至20小時。此時，較佳的在500至550℃的範圍內多階段地設定溫度，以便使溫度漸漸上升。由於在最初的低溫加熱步驟中從非晶半導體層中產生氫等，所以可以減少晶化時產生的膜的粗糙，即進行脫氫。再者，當在非晶半導體層上形成促進晶化的金屬元素例如Ni時，可以降低加熱溫度，這是較佳的。即使在這樣的使用金屬元素的晶化中，也可以加熱到600至950℃。
注意，在形成金屬元素的情況下，有可能對於半導體元件的電特性造成負面影響，因此必須要進行為了減少或除去該金屬元素的吸雜步驟。例如，進行如下步驟即可：以非晶半導體層為吸雜位置捕獲金屬元素。
再者，TFT 180設置有覆蓋該半導體層的閘極絕緣層、閘極電極、以及在閘極電極上的絕緣層181。
當在這樣的半導體層170中形成雜質區域時，通道形成區域形成在雜質區域之間。作為TFT，可以採用如下結構：半導體層只有高濃度雜質區域的單汲區結構；半導體層具有低濃度雜質區域、高濃度雜質區域的LDD(低濃度汲區)結構。
像這樣，可以形成具有結晶半導體層的TFT。然後，在絕緣層181中形成接觸孔，以便電連接雜質區域和像素電極105。
本實施例模式的像素電極可以具有上述實施例模式9或10所示的形狀。
使用本發明的液晶顯示裝置的電子設備包括電視裝置(電視、電視接收機)、數位相機、數位視頻相機、攜帶型電話機(手機)、PDA等的攜帶型資訊終端、攜帶型遊戲機、顯示器、電腦、汽車音響等的聲音再生裝置、具有家庭遊戲機等的記錄媒體的影像再生裝置等。圖13A至13E顯示其具體例子。
圖13A所示的使用本發明的液晶顯示裝置的攜帶型資訊終端包括主體9201、顯示部分9202等。根據本發明，可以提供在室外可以高效率地反射自然光且進行清晰的顯示的攜帶型資訊終端。
圖13B所示的使用本發明的液晶顯示裝置的數位視頻相機包括顯示部分9701、9702等。根據本發明，可以提供在室外可以高效率地反射自然光且進行清晰的顯示的數位視頻相機。
圖13C所示的使用本發明的液晶顯示裝置的攜帶型終端包括主體9101、顯示部分9102等。根據本發明，可以提供在室外可以高效率地反射自然光且進行清晰的顯示的攜帶型終端。
圖13D所示的使用本發明的液晶顯示裝置的攜帶型電視裝置包括主體9301、顯示部分9302等。根據本發明，可以提供在室外可以高效率地反射自然光且進行清晰的顯示的攜帶型電視機。
圖13E所示的使用本發明的液晶顯示裝置的攜帶型電腦包括主體9401、顯示部分9402等。根據本發明，可以提供在室外可以高效率地反射自然光且進行清晰的顯示的攜帶型電腦。
如上那樣，本發明的顯示裝置可以適用於各種電子設備。
100．．．基板
102．．．公共電極
105．．．像素電極
103．．．絕緣層
106．．．液晶層
108．．．相對基板
121．．．絕緣層
120．．．平坦化膜
122．．．絕緣層
130．．．相對電極
131．．．反射電極
180．．．TFT
162．．．源極訊號線
161a．．．閘極電極
170．．．半導體層
161b．．．閘極訊號線
172．．．閘極絕緣層
173．．．n型雜質層
174．．．源極電極
175．．．汲極電極
181．．．絕緣層
182．．．電容器
9201．．．主體
9202．．．顯示部份
9701．．．顯示部份
9702．．．顯示部份
9101．．．主體
9102．．．顯示部份
9301．．．主體
9302．．．顯示部份
9401．．．主體
9402．．．顯示部份
圖1是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖2是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖3是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖4是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖5是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖6是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖7是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖8是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖9是表示液晶顯示裝置的俯視圖；圖10是表示液晶顯示裝置的俯視圖；圖11是表示液晶顯示裝置的截面圖；圖12是表示液晶顯示裝置的截面圖；和圖13A至13E是表示本發明的電子設備的附圖。
100．．．基板
102．．．公共電極
103．．．絕緣層
105．．．像素電極
106．．．液晶層
108．．．相對基板
Claims (6)
- 一種液晶顯示裝置，包含：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；在該對基板中的一個基板上的透光性的公共電極及隔著第一絕緣層設置在該透光性的公共電極上的透光性的像素電極；以及在該對基板中的另一個基板的設置有該液晶層的一側上的反射電極，其中該反射電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層上，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中包括第三絕緣層的平坦化膜形成在該反射電極上，其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
- 一種液晶顯示裝置，包含：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的透光性的公共電極、在該公共電極上的反射電極及隔著第一絕緣層設置在該反射電極上的透光性的像素電極，其中該公共電極設置在具有不均勻形狀的第二絕緣層 上，其中該公共電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，以及其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
- 一種液晶顯示裝置，包含：包括液晶分子且夾持在配置為彼此相對的一對基板之間的液晶層；以及在該對基板中的一個基板上的反射電極、在該反射電極上隔著第一絕緣層設置的透光性的公共電極、以及隔著第二絕緣層設置在該公共電極上的透光性的像素電極，其中該反射電極設置在具有不均勻形狀的第三絕緣層上，其中該反射電極的表面具有對應於該不均勻形狀的形狀，其中該第一絕緣層是平坦化膜，以及其中以在該公共電極和該像素電極之間產生電場的水平電場方式驅動該液晶層。
- 如申請專利範圍第1到3項中任一項的液晶顯示裝置，其中該像素電極由ITO形成。
- 如申請專利範圍第1到3項中任一項的液晶顯示裝置，其中該像素電極與電晶體連接。
- 如申請專利範圍第1到3項中任一項的液晶顯示裝置，其中該像素電極的俯視圖為矩形。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005303028 | 2005-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200720798A TW200720798A (en) | 2007-06-01 |
| TWI442151B true TWI442151B (zh) | 2014-06-21 |
Family
ID=38059154
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095137168A TWI442151B (zh) | 2005-10-18 | 2006-10-05 | 液晶顯示裝置 |
| TW102122510A TWI483048B (zh) | 2005-10-18 | 2006-10-05 | 液晶顯示裝置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102122510A TWI483048B (zh) | 2005-10-18 | 2006-10-05 | 液晶顯示裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8687157B2 (zh) |
| JP (3) | JP5138103B2 (zh) |
| KR (2) | KR101356092B1 (zh) |
| CN (2) | CN102707521B (zh) |
| TW (2) | TWI442151B (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216204B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| US7623211B2 (en) * | 2007-04-17 | 2009-11-24 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display |
| JP5143484B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2013-02-13 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 表示装置および電子機器 |
| JP4524692B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 基板の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
| JP2009042292A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP5215617B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-06-19 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
| KR101452204B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치 |
| JP5137798B2 (ja) | 2007-12-03 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4817080B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2011-11-16 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 水平駆動型液晶ディスプレイ装置 |
| JP6126775B2 (ja) | 2010-06-25 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| CN102645800B (zh) * | 2011-04-07 | 2014-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板以及制作方法 |
| US9252162B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
| CN102736334A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-10-17 | 信利半导体有限公司 | 一种半透广视角液晶显示器及其制作方法 |
| TWI636309B (zh) | 2013-07-25 | 2018-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及電子裝置 |
| TWI511303B (zh) * | 2013-08-30 | 2015-12-01 | Ye Xin Technology Consulting Co Ltd | 液晶顯示器的陣列基板 |
| CN104880882B (zh) * | 2015-06-12 | 2018-03-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种蓝相液晶显示面板 |
| CN104965358A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 反射式tft阵列面板及其制备方法和液晶显示器 |
| KR20180003687A (ko) * | 2016-06-30 | 2018-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사형 액정표시장치 |
| CN108363238B (zh) * | 2018-04-25 | 2021-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种反射式液晶显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0736030A (ja) | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置 |
| TW505801B (en) | 1995-10-12 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | In-plane field type liquid crystal display device comprising a structure prevented from charging with electricity |
| JP2758864B2 (ja) | 1995-10-12 | 1998-05-28 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JPH09146108A (ja) | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
| JPH09292504A (ja) | 1996-02-27 | 1997-11-11 | Sharp Corp | 反射板及びその作製方法及びその反射板を用いた反射型液晶表示装置 |
| JP3788649B2 (ja) | 1996-11-22 | 2006-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2004157552A (ja) | 1998-09-28 | 2004-06-03 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2000206564A (ja) | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Advanced Display Inc | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6630977B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
| US6449026B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-09-10 | Hyundai Display Technology Inc. | Fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| US6646692B2 (en) | 2000-01-26 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device and method of fabricating the same |
| KR100448046B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2004-09-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 |
| JP2002182228A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-26 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP3959973B2 (ja) | 2001-03-07 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP3707420B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2005-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP3939140B2 (ja) | 2001-12-03 | 2007-07-04 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP4117148B2 (ja) | 2002-05-24 | 2008-07-16 | 日本電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
| KR100497569B1 (ko) | 2002-10-04 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판 |
| CN1249458C (zh) * | 2002-11-15 | 2006-04-05 | 统宝光电股份有限公司 | 反射体及使用此反射体的液晶显示器 |
| JP2004252071A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI226484B (en) | 2003-08-06 | 2005-01-11 | Display Optronics Corp M | Pixel for a fringe field switching reflective and transflective liquid crystal display |
| JP2005107489A (ja) | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
| JP4082683B2 (ja) | 2003-09-29 | 2008-04-30 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 半透過型液晶表示装置 |
| TW594292B (en) * | 2003-10-21 | 2004-06-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure of transflective liquid crystal display panel |
| CN100376932C (zh) | 2003-12-12 | 2008-03-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 液晶显示装置 |
| TWI330292B (en) * | 2003-12-23 | 2010-09-11 | Chimei Innolux Corp | Liquid crystal display device |
| KR101031669B1 (ko) | 2003-12-30 | 2011-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 강유전성 액정배향막을 구비한 반투과형 평면구동모드액정표시소자 |
| CN1641438A (zh) * | 2004-01-05 | 2005-07-20 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 液晶显示装置 |
| TWI300148B (en) * | 2004-01-09 | 2008-08-21 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display device |
| TWI321697B (en) | 2004-02-13 | 2010-03-11 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display device |
| JP4627148B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
| JP4223992B2 (ja) | 2004-05-25 | 2009-02-12 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP2006126551A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4550551B2 (ja) | 2004-10-29 | 2010-09-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP2006184325A (ja) | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006243144A (ja) | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Ricoh Co Ltd | データ制御回路、画像処理装置及び表示装置 |
| US7423713B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-09-09 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and electronic equipment |
| JP4111203B2 (ja) | 2005-03-28 | 2008-07-02 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP4155276B2 (ja) | 2005-03-28 | 2008-09-24 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| KR100648223B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 |
| JP2007004126A (ja) | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| WO2007066677A1 (en) | 2005-12-05 | 2007-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| EP1793266B1 (en) | 2005-12-05 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration |
-
2006
- 2006-10-05 TW TW095137168A patent/TWI442151B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-05 TW TW102122510A patent/TWI483048B/zh active
- 2006-10-10 US US11/548,134 patent/US8687157B2/en active Active
- 2006-10-12 KR KR1020060099330A patent/KR101356092B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-18 CN CN201210193296.4A patent/CN102707521B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-18 CN CN2006101362861A patent/CN1952740B/zh active Active
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012047734A patent/JP5138103B2/ja active Active
- 2012-07-16 JP JP2012158207A patent/JP5250711B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-27 JP JP2012284126A patent/JP5656332B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-30 KR KR1020130062093A patent/KR101356097B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201341918A (zh) | 2013-10-16 |
| JP2012108556A (ja) | 2012-06-07 |
| JP5138103B2 (ja) | 2013-02-06 |
| KR101356092B1 (ko) | 2014-01-27 |
| CN1952740A (zh) | 2007-04-25 |
| CN102707521A (zh) | 2012-10-03 |
| KR20070042454A (ko) | 2007-04-23 |
| CN102707521B (zh) | 2014-12-17 |
| CN1952740B (zh) | 2012-07-18 |
| JP2012194593A (ja) | 2012-10-11 |
| US8687157B2 (en) | 2014-04-01 |
| JP5250711B2 (ja) | 2013-07-31 |
| US20070126968A1 (en) | 2007-06-07 |
| JP2013065049A (ja) | 2013-04-11 |
| KR20130071452A (ko) | 2013-06-28 |
| KR101356097B1 (ko) | 2014-01-28 |
| TWI483048B (zh) | 2015-05-01 |
| TW200720798A (en) | 2007-06-01 |
| JP5656332B2 (ja) | 2015-01-21 |
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