JP2006146276A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、ゲイト線102、105とコモン線103、104を最初に同時に形成し、層間膜形成後、画素電極108とコモン電極110、111とソ─ス線106、107を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコモン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。
【選択図】図1
Description
このような電気光学装置では、液晶分子長軸を基板に平行な状態を維持したままスイッチングするため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ない。
このため、視野角による光漏れ、コントラストの低下等が、従来のTN、STN方式に比べ小さい。
しかし、前記櫛歯状電極を用いた場合、画素素子において、配線パタ─ンが微細化かつ複雑化し、生産性が悪いという問題点があった。
また、電極形状が複雑なので、液晶層にかかる電界も複雑なものとなっていた。
さらに、櫛歯状電極とすることによって光が遮られ、光が透過できる有効面積(開口率)が著しく低下し、暗いディスプレイしか実現できず、実用化は不可能であった。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
画素電極108とコモン電極110、111は同じ層内に存在し、
前記コモン電極とコモン線103、104は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトにより接続され、
前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、
前記画素電極108とコモン電極110、111は同じ層内に存在し、
前記コモン電極とコモン線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトにより接続され、
その上に、平坦化膜230を有し、
前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に形成され、
一画素内で、1つの前記画素電極108が、一対のコモン電極110、111に挟まれて形成され、
前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置である。
絶縁表面201を有する基板上に結晶性半導体層101を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜205を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第1の導電膜210を形成する工程と、
前記第1の導電膜をゲイト線102、105と、コモン線103、104に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、
全面に第1の層間膜206を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第1の層間膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜を画素電極108と、コモン電極110、111と、ソ─ス線106、107に形成する工程と、を有する液晶表示装置の作製を特徴としている。
絶縁表面201を有する基板上に結晶性半導体層101を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜205を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第1の導電膜210を形成する工程と、
前記第1の導電膜をゲイト線105と、コモン線103、104に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、
全面に第1の層間膜206を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第1の層間膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜を画素電極108と、コモン電極110、111と、ソ─ス線106、107に形成する工程と、前記画素電極と前記コモン電極と前記ソ─ス線及び基板全面上に、平坦化膜230を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の作製を特徴としている。
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工程と、
前記結晶性半導体層にド─ピングを行う工程と、
全面に第1の層間膜を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第1の層間膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線に形成する工程と、を有し、且つ、5枚以下のマスクにより作製される液晶表示装置の作製を特徴としている。
前記結晶性半導体層上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲイト絶縁膜上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜をゲイト線と、コモン線に形成する工程と、
前記第1の導電膜を酸化させる工程と、
前記結晶性半導体層に第1次不純物ド─ピングを行う工程と、
導電酸化膜を除去する工程と、
前記導電酸化膜を除去する工程の後に、第1次不純物ド─ピングよりも低濃度の第2次不純物ド─ピングを行う工程と、
全面に第1の層間膜を形成する工程と、
コンタクトホ─ルを形成する工程と、
前記第1の層間膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜を画素電極と、コモン電極と、ソ─ス線に形成する工程と、を有し、且つ、5枚以下のマスクにより作製される液晶表示装置の作製を特徴としている。
を有し、且つ、全工程を5枚以下のマスクで作製する液晶表示装置の作製を特徴としている。
外部装置との配線接続端子900は、少なくとも2つ以上の配線の積み重ねで形成された配線の積層からなることを特徴とする液晶表示装置である。
外部装置との配線接続端子900は、絶縁基板上に形成された珪素膜101の上に、少なくとも2つ以上の配線の積み重ねで形成された配線の積層からなることを特徴とする液晶表示装置である。
絶縁表面を有する基板201上に第1の導電膜210を形成する工程と、
前記第1の導電膜を第1配線端子211の形状にする工程と、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜220を形成する工程と、
前記第2の導電膜を第2配線端子221の形状にする工程と、
基板全面に層間絶縁膜230を形成する工程と、
基板表面の前記層間絶縁膜を削り、前記第2配線端子の上部表面を露出させ、外部装置との配線接続端子900を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の作製を特徴としている。
前記半導体層上に第1の導電膜210を形成する工程と、
前記第1の導電膜を第1配線端子211の形状にする工程と、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第2の導電膜を第2配線端子221の形状にする工程と、
基板全面に層間絶縁膜230を形成する工程と、
基板表面の前記層間絶縁膜を削り、前記第2配線端子の上部表面を露出させ、外部装置との配線接続端子900を形成する工程と、
を有する液晶表示装置の作製方法。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
第1配線と第2配線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、
並列して隣合う前記第1配線の間に存在する領域を遮光する前記第2配線と、 並列して隣合う前記第2配線の間に存在する領域を遮光する前記第1配線と、 前記第1配線と前記第2配線によって囲まれた画素表示領域は、光を変調し得ることを特徴とする液晶表示装置である。
前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、
一画素内で、1つの前記画素電極1208が、一対のコモン電極1210、1211に挟まれて形成され、ソ─ス線1206、1207と隣合う前記コモン電極との間に存在する領域を遮光するコモン線1203と、
ゲイト線1205と隣合う前記コモン線1203との間に存在する領域を遮光する画素電極1208と、を有することを特徴とする液晶表示装置である。
絶縁表面を有する基板上に、非晶質珪素薄膜101を形成し〔図4(a)〕、それを所望の大きさにフォトリソグラフィ─法を用いてアイランドに、(1)パタ─ニングを行い〔図4(b)〕、その上にゲイト絶縁膜205を成膜する。〔図4(c)〕
この状態での上面図を図5に示す。
この第1の導電膜の材料としてはCr、Al、Ta、Tiを使用することが可能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよい。
この状態での上面図を図7に示す。
引き続き、Nチャネル型TFTを(3)レジストマスクで覆い、Bイオンの注入を行った後、レ─ザ─アニ─ルを行う。〔図6(f)〕
この時、公知のイオンド─プ法によって、LDD構造を形成してもよい。かくすると、トランジスタの特性をより安定なものとすることができる。
さらに、その上にポリイミド膜等の平坦化膜を形成すると、後の工程で形成される画素電極の端部とコモン電極の端部を基板から同じ距離位置にすることができる。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、(5)パタ─ニングを行い、画素電極108、コモン電極、ソ─ス線106を形成して、図8(i)の状態になる。 この状態での上面図が図1である。
図1は、配線が重なって見えない箇所が、分かるよう故意に示した図であり、また、同一材料、同一工程で形成される箇所は、同じ斜線模様で塗りつぶして示した図である。
このように、層間絶縁膜または、平坦化膜との積層膜を形成し、コモン電極の端部と画素電極の端部の基板からの距離的位置を概略同一にすることで、コモン電極の真横に絶縁膜を挟んで画素電極を形成する。
かくすると、液晶層に電界を真横にかけることができ、表示特性が向上する。
この配線接続端子の断面図を図9(b)で示す。
従来、配線接続端子を作製するためには、マスクを使用する工程を追加しなければならなかった。
しかし、この工程は、高さを調整するだけであるので、配線接続端子を作製する上では、なくてもよい。
この第1の導電膜の材料としてはCr、Al、Ta、Tiを使用することが可能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよい。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、(5)パタ─ニングを行い、第2配線端子221を形成する。
さらに、図14のように、コモン線1203を設計すると、さらなる保持容量が形成される。
図12の電極構成での画素部の等価回路を図15に示す。
ラビング方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率異方性が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、電界方向に45゜またはそれより電界方向に近い角度をなす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に45°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす方向とする。また第二の基板側のラビング処理は、第一の基板のラビング方向に平行、もしくは反平行をなすようになされる。
そして、配線の形状を変えるだけでは遮光できない領域である半導体層領域は、遮光性を有し、BMとして機能する材料で形成するか、もしくは、この部分のみ対向基板にBMを形成する。このブラックマトリックスは、コモン電極よりも小さいものでよく、画素表示領域には形成しない。
また、前記遮光できない領域は、配線に囲まれており、このブラックマトリックスを形成しても、開口率の低下には全く関係がない。
こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れると同時に、半導体領域を光の劣化から保護する。
また、IPSモ─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメントずれがなくなり、共通電極と液晶駆動電極の間の距離精度を向上することができ、開口率が向上した。
また、IPSモ─ドの構造を取り入れることで、上下基板のアライメントずれがなくなり、共通電極と液晶駆動電極の間の距離精度を向上することができた。
このコモン電極と画素電極とソ─ス線は、単純な形状であり、同じ層内で平行に配置されている。
そのため、画素表示部に接している液晶材料に、より均一な横電界をかけることができ、表示特性が向上した。
つまり、層間絶縁層上に、コモン電極端部の真横に画素電極端部を配置するための層間膜である。
さらに、この第1層間膜は、液晶層に電界をかける時に余計な配線(コモン線及びソ─ス線)を分離して、電界の乱れを防ぎ、後の工程で形成される画素電極とコモン電極を、より基板から同じ距離位置にするという効果がある。
こうすることで、電極層数が低減され、低コスト化できる。
さらに、従来の櫛歯電極より単純な電極配線にしたため、開口率が向上した。
また、低抵抗のため、ロスが少なく、さらに各配線が互いに干渉しあうことを防ぐ。
こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れ、さらに、半導体領域を光による劣化から保護できる。
この状態の上面図を図5に示す。
本実施例では、図5で示したように、半導体層の形状は、折れ曲がった形をしている。
この状態の上面図を図7に示す。
ここで、Bイオンを注入する前においては、Pイオンが低濃度に注入された低濃度不純物領域である。従って、Bイオンの注入によって容易にその導電型が反転する。
ポリイミド膜を用いる場合、層間膜は公知のスピンコ─ティング法により、平坦化膜を形成する。
このように、平坦化することで、後の工程で形成される各々の第2金属配線を、基板に対してより概略同じ距離的位置にすることができる。
また、例えば、厚さ2500Åの窒化珪素膜形成後に、厚さ2500Åの平坦化したポリイミド膜を形成する多層膜としてもよい。
そして、ソ─ス領域202に対するコンタクトホ─ル、ドレイン領域203に対するコンタクトホ─ルの形成を(4)エッチングにより行う。〔図8(h)〕
この状態の上面図を図1に示す。
この時、基板から画素電極の端部までの距離と、基板からコモン電極の端部までの距離は、概略一致している。
この後、第2層間膜として、ポリイミド等からなる平坦化膜を形成してもよい。またこの平坦化膜は保護膜の役目も果たす。
ラビング方向については使用する液晶材料により異なる。誘電率異方性が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、電界方向に45゜またはそれより電界方向に近い角度をなす方向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に45°またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす方向とする。
まず、対向基板上にブラックマトリクスを1000〜2000Åの厚さに形成する。
次に、画像をカラ─表示する必要がある場合は、カラ─フィルタ─を公知の構成で形成する。
そして、レ─ザ─アニ─ルを行う。
そして、ソ─ス領域に対するコンタクトホ─ル、ドレイン領域に対するコンタクトホ─ルの形成をエッチングにより行う。
本実施例では、1画素中に、コモン電極1110、1111、1112を3つ形成し、その隣合うコモン電極の間に幅2μmの画素電極1108、1109を形成する。
この状態での上面図を図14に示す。
図14に示したように、コモン線1203の形状を変え、BMの役割も兼ねるような形にする。
そして、レ─ザ─アニ─ルを行う。
そして、ソ─ス領域1302に対するコンタクトホ─ル、ドレイン領域1303に対するコンタクトホ─ルの形成をエッチングにより行う。
この時の画素電極のパタ─ンは、図12で示したようにT字型をしており、コモン線とゲイト線の両方と重なっており、その重なっている所で、保持容量を形成している。
本実施例の画素部の等価回路図を図15に示す。
まず、対向基板上にブラックマトリクスを1000〜2000Åの厚さに形成する。ブラックマトリクスに用いる材料としては、金属薄膜や黒色顔料を含有した樹脂材料を用いる。
従って、このブラックマトリックス1600は、コモン電極1208よりも小さいものでよく、画素表示領域には形成しない。
この小さなブラックマトリックスを形成しても、開口率の低下には全く関係がない。
また、配線の形状を変えるだけでは遮光できない領域である半導体層領域を、遮光性を有し、BMとして機能する材料で形成してもよい。
こうすることで、大きめの位置あわせマ─ジンをとる必要がなく、開口率の向上が図れると同時に、半導体領域を光の劣化から保護する。
この膜は、酸化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。また、ポリイミド等からなる有機物を用いた膜を使用してもよい。
ポリイミド膜を用いる場合、層間膜は公知のスピンコ─ティング法により、平坦化できる。このように、平坦化することで、後の工程で形成される各々の第2金属配線を、基板に対してより概略同じ距離的位置にすることができる。
また、厚さ2500Åの窒化珪素膜形成後に、厚さ2500Åの平坦化したポリイミド膜を形成する多層膜としてもよい。
この第2層間絶縁膜はTFTを保護する役目を果たす。また、この膜の厚さを変えることによって、液晶層にかかる電界の強度を調節できる。
しかし、この工程は、高さを調整するだけであるので、配線接続端子を作製する上では、なくてもよい。
この第1の導電膜の材料としてはCr、Al、Ta、Tiを使用することが可能である。また、それらの膜を組み合わせた多層膜を形成してもよい。
そして再びフォトリソグラフィ─法を用いて、(5)パタ─ニングを行い、第2配線端子221を形成する。
この石英基板上に、下地膜として、酸化珪素膜を3000Åの厚さに成膜する。
この非晶質珪素膜の厚さは、2000Å以下とすることが好ましい。
102 ゲイト線n
103 コモン線n
104 コモン線n−1
105 ゲイト線n+1
106 ソ─ス線n
107 ソ─ス線n+1
108 画素電極
110、111 コモン電極
201 絶縁基板
202 ソ─ス領域
203 ドレイン領域
204 チャネル領域
205 ゲイト絶縁膜
206 第1の層間膜
210 第1の導電膜
211 第1導電配線
220 第2の導電膜
221 第2導電配線
230 第2層間絶縁膜
301 非晶質半導体層
302 ゲイト線n
303 コモン線n
304 コモン線n−1
305 ゲイト線n+1
306 ソ─ス線n
307 ソ─ス線n+1
900 配線接続端子
1101 非晶質半導体層
1102 ゲイト線n
1103 コモン線n
1104 コモン線n−1
1105 ゲイト線n+1
1106 ソ─ス線n
1107 ソ─ス線n+1
1108 画素電極
1110、1111、1112 コモン電極
1201 非晶質半導体層
1202 ゲイト線n
1203 コモン線n
1204 コモン線n−1
1205 ゲイト線n+1
1206 ソ─ス線n
1207 ソ─ス線n+1
1208 画素電極
1210、1211 コモン電極
1301 絶縁基板
1302 ソ─ス領域
1303 ドレイン領域
1304 チャネル領域
1305 ゲイト絶縁膜
1306 第1の層間膜
1600 ブラックマトリクス
1701 非晶質半導体層
1703 コモン線
1704 ゲイト線
1705 ゲイト線n+1
1706 ソ─ス線n
1707 ソ─ス線n+1
1708 画素電極
Claims (9)
- 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、画素電極とコモン電極は同じ層内に存在し、前記コモン電極とコモン線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトにより接続され、前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1において、各々の画素に薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、画素電極と、走査線に接続されたゲイト線と、信号線に接続されたソ−ス線を有することを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1において、パッシブ駆動することを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1におけるコモン電極と画素電極は、同じ層内で平行であり、且つ同一材料、同一工程で作られることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項4におけるコモン電極と画素電極は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属、または、Siもしくは、Tiとアルミニウムとの積層から成ることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1におけるコモン線とゲイト線は、同じ層内で、且つ同一材料、同一工程で作られることを特徴とする液晶表示装置。
- 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に配置され、前記画素電極とコモン電極は同じ層内に存在し、前記コモン電極とコモン線は、絶縁層をはさみ、互いに違う層に存在し、コンタクトにより接続され、その上に、平坦化膜を有し、前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項7におけるコモン電極及び画素電極上の平坦化膜は、ポリイミド等からなる有機物、窒化珪素または酸化珪素等からなる無機物を用いた膜、もしくはそれらの積層膜を用いることを特徴とする液晶表示装置。
- 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に、液晶層が挟持され、一方の基板上には、複数の画素がマトリクス状に形成され、一画素内で、1つの前記画素電極が、一対のコモン電極に挟まれて形成され、前記画素電極と前記コモン電極との間に、基板面に概略平行に電界を印加し、液晶分子の配向状態を制御して、光を変調し得る構造を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
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