CN105116648A - 像素结构、阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素结构，包括扫描线、数据线及像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，所述像素结构还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。另，本发明还提供一种阵列基板及显示装置。所述像素结构可以简化所述阵列基板的工艺流程。

Description

像素结构、阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、一种具有该像素结构的阵列基板及一种应用该阵列基板的显示装置。
背景技术
随着触摸屏技术的不断发展，触控(Touch)和显示(Display)不再是两种独立的技术形式，越来越多的薄膜晶体管型液晶显示屏(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)厂家开始尝试将Touch和Display两者进行有机的结合，内嵌式触控(In-CellTouch)、单片式触控(OneGlassSolution，OGS)、覆盖表面式触控(On-CellTouch)和混合内嵌式触控(HybridIn-CellTouch)等将Touch和Display相结合的触控技术竞相涌现。
相比OGS、On-CellTouch或HybridIn-CellTouch面板，In-CellTouch面板具备更加轻薄、工艺流程更少、结构更加稳定等优点。In-CellTouch技术将触控电路全部集成在LCD内部，无须再外贴触控感应玻璃(TouchSensorGlass)或者在LCD上面再进行On-Cell制程，从而实现了集成化及缩短了生产流程和生产时间，使得LCD生产厂商的利润更大化。同时，通过使用高分辨的曝光机，可以实现In-CellTouch面板更高的分辨率，并能有效防止莫瑞干涉。因此，In-CellTouch面板将成为中小尺寸触控面板未来发展的主流方向。
在In-CellTouch面板的生产过程中，需要在阵列基板上设计为了触控显示的电极和走线，如采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)阵列，其阵列制程比传统的传统非晶硅(α-Si)制程复杂得多。所以In-CellTouch和LTPS的集成不但会使得阵列制程更加复杂，生产周期更长，而且对阵列制程的要求也更加严格。
In-CellTouch面板一般可分为自容式和互容式，二者都需要用于连接像素区域的连接电极，因此制程上会增加一道或两道光刻(PhotoEngravingProcess，PEP)制程来制作连接像素区域的连接电极(或称作Metal3或M3)和相应的绝缘层。增加的M3制程会对产品的良率产生风险，因为M3的刻蚀制程会导致斑纹(Mura)缺陷。然而，在In-CellTouch技术中又不得不采用M3以连接像素区域，因此一定程度上限制了In-CellTouch面板良率提升。
发明内容
本发明提供一种像素结构，通过利用现有的栅极金属和源/漏极金属来制作用于连接像素区域的连接电极，以简化阵列基板制程、降低产生斑纹缺陷的风险、提升产品良率。
另外，本发明还提供一种应用该像素结构的阵列基板。
此外，本发明还提供一种应用该阵列基板的显示装置。
一种像素结构，包括扫描线、数据线及像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，所述像素结构还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。
其中，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。
其中，所述像素结构还包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管形成于所述扫描线与所述数据线的交叠处，所述薄膜晶体管包括栅极、多晶硅层、源极和漏极，所述栅极与所述扫描线电性连接，所述多晶硅层设置于所述栅极上方，所述源极和漏极设置于所述多晶硅层上方，并分别通过一第二过孔与所述多晶硅层电性连接，所述公共电极通过一第三过孔与所述第二连接层电性连接，所述像素电极通过一第三过孔及一第四过孔与所述漏极电性连接。
其中，所述像素结构还包括基板及依次层叠设置于所述基板上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述栅极与所述第一连接层间隔设置于所述基板上，所述第一绝缘层设置于所述栅极及第一连接层上方，所述多晶硅层设置于所述第一绝缘层上方，且在正投影方向上与所述栅极对齐，所述第二绝缘层设置于所述多晶硅层上方，所述第三绝缘层设置于所述第二绝缘层上方，所述公共电极设置于所述第三绝缘层上方，所述第四绝缘层设置于所述公共电极上方，所述像素电极设置于所述第四绝缘层上方。
其中，所述源极、漏极及所述第二连接层设置于所述第三绝缘层内，且所述源极在正投影方向上与所述多晶硅层的一端部分重叠，所述漏极在正投影方向上所述多晶硅层的另一端部分重叠，所述第二连接层位于所述第一连接层上方，且在正投影方向上与所述第一连接层部分重叠。
其中，所述多晶硅层包括第一连接段、第二连接段及第三连接段，所述第一连接段与所述第三连接段相互平行间隔地跨越所述扫描线设置，所述第二连接段连接于所述第一连接段和第三连接段位于所述扫描线同一侧的两端之间，并与所述扫描线平行。
其中，所述第一连接层与所述栅极和所述扫描线位于同一图层，所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线位于同一图层，所述第一连接层与所述栅极和扫描线在同一次制作工艺中同步形成，所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线在同一次制作工艺中同步形成。
一种阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线及多个像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，所述阵列基板还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。
其中，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。
一种显示装置，包括阵列基板，所述阵列基板包括像素结构，所述像素结构包括扫描线、数据线及像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，所述像素结构还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。
本发明所述像素结构，通过将所述第一连接层与所述栅极和扫描线在同一次制作工艺中同步形成，以及将所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线在同一次制作工艺中同步形成，进一步通过所述第一过孔将所述第一连接层和所述第二连接层电性连接，形成用于连接所述像素区域的连接电极，从而无需单独增加一道或多道制作工艺来形成所述连接电极，简化了工艺流程，并能降低产生斑纹缺陷的风险，提升产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一实施例的像素结构的平面结构示意图。
图2是图1所示像素结构的剖面结构示意图。
图3是本发明第二实施例的阵列基板的平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为便于描述，这里可以使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对性术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。可以理解，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件或层上、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。
可以理解，这里所用的术语仅是为了描述特定实施例，并非要限制本发明。在这里使用时，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式。进一步地，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。
除非另行定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，诸如通用词典中所定义的术语，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化或过度形式化的意义，除非在此明确地如此定义。
请参阅图1，本发明提供一种像素结构100，其通过利用现有的栅极金属和源/漏极金属来制作用于连接像素区域的连接电极，以简化制程、降低产生斑纹缺陷的风险、提升产品良率。
所述像素结构100包括扫描线110、数据线130、像素区域150以及用于连接所述像素区域150的连接电极50。所述扫描线110为栅极扫描线，其沿水平方向相互平行间隔设置，所述数据线130沿垂直方向相互平行间隔设置，相邻的两条所述扫描线110与相邻的两条所述数据线130相互交叠，从而形成一个像素区域150。
所述连接电极50包括第一连接层51和第二连接层53。所述第一连接层51与所述扫描线110位于同一图层，所述第二连接层53与所述数据线130位于同一图层。所述第一连接层51与所述扫描线110相互交叉设置，并在与所述扫描线110的交叉处被所述扫描线110隔断。所述第二连接层53与所述数据线130平行，并跨越所述扫描线110设置。所述第一连接层51在所述交叉处的两侧通过第一过孔H1与所述第二连接层53电性连接，即，所述第一连接层51在所述扫描线110的两侧通过该第一过孔H1与所述第二连接层53电性连接，从而使得位于不同像素区域150的所述第一连接层51之间相互电性连接，形成所述连接电极50，以连接不同的像素区域150。
在本实施例中，所述第一连接层51设置于所述数据线130下方，并在被所述扫描线110隔断处的两侧沿平行于所述扫描线110的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端511。所述第二连接层53的两端在正投影方向上与所述第一连接层51被所述扫描线110隔断处两侧的连接端511部分重叠，并通过所述第一过孔H1与所述连接端511电性连接。
请一并参阅图2，图2为图1所示像素结构100的部分剖面结构示意图。需要说明的是，图2所示的剖面结构示意图并非严格按照图1所述像素结构100的平面结构示意图中某一切剖方向进行切剖而得到，因此，图2仅用于结合图1以进一步解释所述像素结构100的内部结构。
所述像素结构100还包括基板10及依次层叠设置于所述基板10上的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层17，以及薄膜晶体管20、公共电极30和像素电极40。
所述薄膜晶体管20包括栅极21、多晶硅层22、源极23和漏极25。所述栅极21与所述连接电极50的第一连接层51间隔设置于所述基板10上。所述第一绝缘层11设置于所述栅极21及第一连接层51上方。所述多晶硅层22设置于所述第一绝缘层11上方，且在正投影方向上与所述栅极21大致对齐。所述第二绝缘层13设置于所述多晶硅层22上，并贴紧该多晶硅层22。所述第三绝缘层15设置于所述第二绝缘层13上方。所述源极23、漏极25及所述连接电极50的第二连接层53设置于所述第三绝缘层15内。所述源极23和漏极25位于所述多晶硅层22上方，且所述源极23在正投影方向上与所述栅极21及多晶硅层22的一端部分重叠，所述漏极25在正投影方向上所述栅极21及多晶硅层22的另一端部分重叠。所述源极23和漏极25分别通过一第二过孔H2与所述多晶硅层22的相对两端电性连接。所述第二连接层53位于所述第一连接层51上方，且在正投影方向上与所述第一连接层51部分重叠。所述第二连接层53两侧分别通过一第一过孔H1与所述第一连接层51电性连接。
所述公共电极30设置于所述第三绝缘层15上方，并通过一第三过孔H3与所述第二连接层53电性连接。所述第四绝缘层17设置于所述公共电极30上方。所述像素电极40设置于所述第四绝缘层17上方，并通过一贯穿所述第四绝缘层17的第四过孔H4和贯穿部分第三绝缘层15的第三过孔H3与所述薄膜晶体管20的漏极25电性连接。
请再次参阅图1，所述薄膜晶体管20形成于所述扫描线110与所述数据线130的交叠处。所述栅极21与所述扫描线110位于同一图层，并与所述扫描线110电性连接。所述多晶硅层22大致呈“ㄩ”形，其包括第一连接段221、第二连接段223及第三连接段225。所述第一连接段221与所述第三连接段225相互平行间隔地跨越所述扫描线110设置。所述第二连接段223连接于所述第一连接段221和第三连接段225位于所述扫描线110同一侧的两端之间，并与所述扫描线110平行。所述源极23、漏极25分别设置于所述第一连接段221和第三连接段225远离所述第二连接段223一端的上方(即，所述源极23和漏极25分别设置于所述第一连接段221和第三连接段225相对所述扫描线110另一侧的两端)，并分别通过所述第二过孔H2与所述第一连接段221和第三连接段225电性连接。所述源极23与所述数据线130位于同一图层，并与所述数据线130电性连接。所述漏极25通过所述第三过孔H3和第四过孔H4与所述像素电极(图未示)电性连接。所述公共电极30通过所述第三过孔H3与所述第二连接层53电性连接。可以理解的是，在本申请的图1中，由于源极23与第二过孔H2的位置重叠，因此二者用一条引线表示，同理，图1中栅极21与扫描线110用一条引线表示，漏极25与第二过孔H2用一条引线表示，像素区域150与公共电极30也用一条引线表示。
可以理解，所述第一连接层51与所述栅极21和所述扫描线110位于同一图层，所述第二连接层53与所述源极23、漏极25和所述数据线130位于同一图层。因此，所述第一连接层51可以与所述栅极21和扫描线110在同一次制作工艺中同步形成，所述第二连接层53可以与所述源极23、漏极25和所述数据线130在同一次制作工艺中同步形成。进一步地，通过所述第一过孔H1将所述第一连接层51和所述第二连接层53电性连接，形成用于连接所述像素区域150的连接电极50，从而无需单独增加一道或多道制作工艺来形成所述连接电极50，简化了工艺流程。
请参阅图3，本发明第二实施例提供一应用图1及图2所示的像素结构100的阵列基板200。所述阵列基板200包括多条扫描线210、多条数据线230及多个像素区域250。所述多条扫描线210为栅极扫描线，其沿水平方向相互平行间隔设置，所述多条数据线230沿垂直方向相互平行间隔设置，相邻的两条所述扫描线210与相邻的两条所述数据线230相互交叠，从而形成一个像素区域250。
所述阵列基板200还包括多条用于连接所述像素区域250的连接电极50。所述连接电极50包括第一连接层51和第二连接层53。所述第一连接层51与所述扫描线210位于同一图层，所述第二连接层53与所述数据线230位于同一图层。所述第一连接层51与所述扫描线210相互交叉设置，并在与所述扫描线210的交叉处被所述扫描线210隔断。所述第二连接层53与所述数据线230平行，并跨越所述扫描线210设置。所述第一连接层51在所述交叉处的两侧通过第一过孔H1与所述第二连接层53电性连接，即，所述第一连接层51在所述扫描线210的两侧通过该第一过孔H1与所述第二连接层53电性连接，从而使得位于不同像素区域250的所述第一连接层51之间相互电性连接，形成所述连接电极50，以连接不同像素区域250。
在本实施例中，所述第一连接层51设置于所述数据线230下方，并在被所述扫描线210隔断处的两侧沿平行于所述扫描线210的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端511。所述第二连接层53的两端在正投影方向上与所述第一连接层51被所述扫描线210隔断处两侧的连接端511部分重叠，并通过所述第一过孔H1与所述连接端511电性连接。
所述阵列基板200还包括多个薄膜晶体管T、多个公共电极Vcom及多个像素电极(图未示)。所述多个薄膜晶体管T形成于所述扫描线210与所述数据线230交叠处。每一所述薄膜晶体管T包括栅极g、多晶硅层p、源极s和漏极d。，所述栅极g与所述扫描线210位于同一图层，并与所述扫描线210电性连接。所述多晶硅层p大致呈“ㄩ”形，其包括第一连接段p1、第二连接段p3及第三连接段p5。所述第一连接段p1与所述第三连接段p5相互平行间隔地跨越所述扫描线210设置。所述第二连接段p3连接于所述第一连接段p1和第三连接段p5位于所述扫描线210同一侧的两端之间，并与所述扫描线210平行。所述源极s、漏极d分别设置于所述第一连接段p1和第三连接段p5远离所述第二连接段p3一端的上方(即，所述源极s和漏极d分别设置于所述第一连接段p1和第三连接段p3相对所述扫描线210另一侧的两端)，并分别通过一第二过孔H2与所述第一连接段p1和第三连接段p5电性连接。所述公共电极Vcom通过一第三过孔H3与所述第二连接层53电性连接。所述源极s与所述数据线230位于同一图层，并与所述数据线230电性连接。所述漏极d通过一第三过孔H3及一第四过孔H4与所述像素电极(图未示)电性连接。可以理解的是，在本申请的图3中，由于源极s与第二过孔H2的位置重叠，因此二者用一条引线表示，同理，图1中栅极g与扫描线210用一条引线表示，漏极d与第二过孔H2用一条引线表示，像素区域250与公共电极Vcom也用一条引线表示。
可以理解，所述第一连接层51与所述栅极g和所述扫描线210位于同一图层，所述第二连接层53与所述源极g、漏极d和所述数据线230位于同一图层。因此，所述第一连接层51可以与所述栅极g和扫描线210在同一次制作工艺中同步形成，所述第二连接层53可以与所述源极s、漏极d和所述数据线230在同一次制作工艺中同步形成。进一步地，通过所述第一过孔H1将所述第一连接层51和所述第二连接层53电性连接，形成用于连接所述像素区域250的连接电极50，从而无需单独增加一道或多道制作工艺来形成所述连接电极50，简化了制造所述阵列基板200的工艺流程。
另，本发明还提供一种应用所述阵列基板200的显示装置，通过将所述第一连接层51与所述栅极g和扫描线210在同一次制作工艺中同步形成，并将所述第二连接层53与所述源极s、漏极d和所述数据线230在同一次制作工艺中同步形成。进而通过所述第一过孔H1将所述第一连接层51和所述第二连接层53电性连接，形成用于连接所述像素区域250的连接电极50，从而无需单独增加一道或多道制作工艺来形成所述连接电极50，简化了制造所述显示装置的工艺流程，并能降低产生斑纹缺陷的风险，提升产品良率。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，包括扫描线、数据线及像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，其特征在于，所述像素结构还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管形成于所述扫描线与所述数据线的交叠处，所述薄膜晶体管包括栅极、多晶硅层、源极和漏极，所述栅极与所述扫描线电性连接，所述多晶硅层设置于所述栅极上方，所述源极和漏极设置于所述多晶硅层上方，并分别通过一第二过孔与所述多晶硅层电性连接，所述公共电极通过一第三过孔与所述第二连接层电性连接，所述像素电极通过一第三过孔及一第四过孔与所述漏极电性连接。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括基板及依次层叠设置于所述基板上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述栅极与所述第一连接层间隔设置于所述基板上，所述第一绝缘层设置于所述栅极及第一连接层上方，所述多晶硅层设置于所述第一绝缘层上方，且在正投影方向上与所述栅极对齐，所述第二绝缘层设置于所述多晶硅层上方，所述第三绝缘层设置于所述第二绝缘层上方，所述公共电极设置于所述第三绝缘层上方，所述第四绝缘层设置于所述公共电极上方，所述像素电极设置于所述第四绝缘层上方。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述源极、漏极及所述第二连接层设置于所述第三绝缘层内，且所述源极在正投影方向上与所述多晶硅层的一端部分重叠，所述漏极在正投影方向上所述多晶硅层的另一端部分重叠，所述第二连接层位于所述第一连接层上方，且在正投影方向上与所述第一连接层部分重叠。
6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述多晶硅层包括第一连接段、第二连接段及第三连接段，所述第一连接段与所述第三连接段相互平行间隔地跨越所述扫描线设置，所述第二连接段连接于所述第一连接段和第三连接段位于所述扫描线同一侧的两端之间，并与所述扫描线平行。
7.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一连接层与所述栅极和所述扫描线位于同一图层，所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线位于同一图层，所述第一连接层与所述栅极和扫描线在同一次制作工艺中同步形成，所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线在同一次制作工艺中同步形成。
8.一种阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线及多个像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，其特征在于，所述阵列基板还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。
10.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求1-7任意一项所述的像素结构。
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