CN110189624A - 显示设备 - Google Patents

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CN110189624A
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line
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conductive
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Abstract

本揭露提供一种显示设备，包括：一基板；一第一像素单元与一第二像素单元，设置于基板上且沿一第一方向设置；及一第一数据线与一第二数据线，设置于基板上且沿一第二方向设置，第一像素单元及第二像素单元设置于第一数据线及第二数据线间，且第一方向与第二方向不同；其中，第一数据线与第一像素单元电性连接，第二数据线与第二像素单元电性连接，第一数据线中的第一导电线段及第二导电线段通过一第一导通孔电性连接，且第二数据线中的第一导电线段与第二导电线段通过一第二导通孔电性连接。

Description

显示设备
技术领域
本揭露关于一种显示设备，尤指一种开口率提升的显示设备。
背景技术
随着显示器技术不断进步，显示面板均朝向体积小、厚度薄、或重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已朝向轻薄类型显示器发展。其中，轻薄类型显示器可应用的领域相当多，但凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等，大多数均使用该些显示设备。
虽然轻薄类型显示器已发展多年，但各家厂商仍不断积极改善显示设备，以期发展出具有更高分辨率的显示设备。然而，具有高分辨率显示设备，却面临显示面板的开口率降低的问题。
有鉴于此，目前亟需发展一种显示设备，其可提升开口率，以符合高分辨率显示面板的要求。
发明内容
本揭露的主要目的在于提供一种显示设备，包括：一基板；一第一像素单元与一第二像素单元，设置于该基板上，其中该第一像素单元与该第二像素单元沿一第一方向设置；以及一第一数据线与一第二数据线，设置于该基板上，其中该第一数据线与该第二数据线沿一第二方向设置，该第一像素单元及该第二像素单元设置于该第一数据线及该第二数据线间，且该第一方向与该第二方向不同；其中，该第一数据线与该第一像素单元电性连接，该第二数据线与该第二像素单元电性连接，该第一数据线中的一第一导电线段及一第二导电线段通过一第一导通孔电性连接，且该第二数据线中的一第一导电线段与一第二导电线段通过一第二导通孔电性连接。
其他新颖特征于下文详述，并参照附图，以明确表示本揭露。
附图说明
图1为本揭露实施例1的显示设备的上视图。
图2A为本揭露实施例1的一实施态样的剖面示意图。
图2B至图2D为本揭露实施例1的其他实施态样的剖面示意图。
图3A为本揭露实施例1的一实施态样的部分上视图及剖面示意图。
图3B为本揭露实施例1的另一实施态样的部分上视图及剖面示意图。
图4为本揭露实施例1的显示设备的另一上视图。
图5A及图5B为本揭露实施例1的一实施态样于不同时序的驱动示意图。
图6A及图6B为本揭露实施例1的另一实施态样于不同时序的驱动示意图。
图7为本揭露实施例2的显示设备的上视图。
图8为本揭露实施例3的显示设备的上视图。
图9为本揭露实施例4的显示设备的上视图。
图10为本揭露实施例5的显示设备的上视图。
【符号说明】
11 基板 111 导电层
112 介电层 12 第一导电层
13 第一介电层 14 第二导电层
151，152 导通孔 15a 第一导通孔
15b 第二导通孔 15c 第三导通孔
15d 第四导通孔 15e 第五导通孔
16 第二介电层 17 第三导电层
18 像素电极 2 遮蔽层
21 开口 A1-A1’，A2-A2’ 切线
D1 第一数据线 D11 第一导电线段
D12 第二导电线段 D2 第二数据线
D2 第一导电线段 D22 第二导电线段
D3 第三数据线 D31 第一导电线段
D32 第二导电线段 D4，D5，D6，D7，D8 数据线
G1 第一扫描线 G11 第一导电线段
G12 第二导电线段 G2，G3，G4 扫描线
G21 第一导电线段 G22 第二导电线段
L1 第一间距 L2 第二间距
Px 像素单元 Px1 第一像素单元
Px2 第二像素单元 Px3 第三像素单元
TFT 晶体管 VL 虚拟线
X 第二方向 Y 第一方向
具体实施方式
以下通过具体实施例说明本揭露的实施方式，所属领域的技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本揭露的其他优点与功效。本揭露亦可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不背离本创作的精神下进行各种修饰与变更。
再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
此外，本说明书和权利要求所提及的位置，例如“之上”、“上”、“上方”、“之下”、“下”或“下方”，可指所述两元件直接接触，或可指所述两元件非直接接触，即代表说两元件间也可能还包括另一元件。
再者，下述实施例可相互重新组合、适当搭配，而形成另一实施例。
实施例1
图1为本实施例的显示设备的上视图。图2A为本实施例的显示设备的沿图1的A1-A1’的剖面示意图。本实施例的显示设备包括：一基板11；一第一像素单元Px1与一第二像素单元Px2，设置于基板11上，其中第一像素单元Px1与第二像素单元Px2沿一第一方向Y设置，在此实施例中，第一像素单元Px1与第二像素单元Px2相邻，但不以此为限；以及一第一数据线D1与一第二数据线D2，设置于基板11上，其中第一数据线D1与第二数据线D2分别沿第一方向Y延伸，且第一数据线D1与第二数据线D2沿一第二方向X设置，在此实施例中，第一数据线D1与第二数据线D2是沿第二方向X平行设置，但本揭露不以此为限。在此实施例中，第一像素单元Px1及第二像素单元Px2设置于第一数据线D1及第二数据线D2间，第一数据线D1与第一像素单元Px1电性连接，第二数据线D2与第二像素单元Px2电性连接。第一数据线D1中的第一导电线段D11(以粗线表示)及第二导电线段D12(以细线表示)通过第一导通孔15a(以点表示)电性连接，第二数据线D2中的第一导电线段D21(以粗线表示)与第二导电线段D22(以细线表示)通过第二导通孔15b(以点表示)电性连接。
此外，本实施例的显示设备还包括：一第三像素单元Px3，设置于基板11上，其中第一像素单元Px1与第三像素单元Px3沿第二方向X设置，在此实施例中，第一像素单元Px1与第三像素单元Px3相邻，但不以此为限；以及一第三数据线D3，设置于基板11上，其中第三数据线D3与第二数据线D2沿第二方向X设置，第二数据线D2设置于第一数据线D1及第三数据线D3间，且第二数据线D2与第三数据线D3设置于第一像素单元Px1与第三像素单元Px3间。其中，第三数据线D3中的第一导电线段D31(以粗线表示)与第二导电线段D32(以细线表示)通过第三导通孔15c(以点表示)电性连接。此外，第三数据线D3沿第一方向Y延伸，且第三数据线D3与第一数据线D1及第二数据线D2沿一第二方向X设置，在此实施例中，第三数据线D3与第一数据线D1及第二数据线D2是沿第二方向X平行设置，但本揭露不以此为限。
再者，本实施例的显示设备还包括：一第一扫描线G1，设置于基板11上，其中，第一扫描线G1邻近该第一像素单元PX1设置且沿该第二方向X延伸。其中，第一扫描线G1与第一数据线D1及第二数据线D2交错且电性绝缘。于本实施例中，第一扫描线G1与第一像素单元Px1中的晶体管TFT的栅极电性连接，第一数据线D1与第一像素单元Px1中的晶体管TFT的源极或漏极其中一者电性连接。此外，第一像素单元Px1、第二像素单元Px2、第三像素单元Px3、或其它像素单元可分别具有一像素电极18，第一像素单元Px1中的像素电极18可例如与第一数据线D1的第一导电线段D11电性连接，第二像素单元Px2中的像素电极18可例如与第二数据线D2的第一导电线段D21电性连接，第三像素单元Px3中的像素电极18可例如与第三数据线D3的第一导电线段D31电性连接，其余的像素单元依此类推。在一些实施例中，第一导电线段D11、第一导电线段D21或第一导电线段D31可例如与分别所连接的晶体管TFT的源极或漏极其中一者为同一层导电层。在其它实施例中，第一导电线段D11、第一导电线段D21或第一导电线段D31可例如与分别所连接的晶体管TFT的源极或漏极其中一者间更通过另一层导电层(未绘示)将其彼此电性相连，但本揭露不以此为限。其他像素单元中的扫描线、数据线、晶体管及像素电极如何电性连接则与第一像素单元Px1相似，且由图1可轻易了解，故在此不再赘述。
如图1所示，本实施例的显示设备例如为1G2D(one gate line/two data line)显示设备。换句话说，若有N列的像素单元时，各列的像素单元以沿第二方向X依续排列，则有2N条数据线。举例来说，每一列的像素单元，其两侧分别皆对应一条数据线。
于以往的显示设备中，不同条数据线间大多以单一种材料所形成。当在显示设备为1G2D(one gate line/two data line)显示设备时，于两相邻的像素单元之间须设置有两条数据线时，例如，第一像素单元Px1与第三像素单元Px3间须设置有第二数据线D2及第三数据线D3，为了降低第二数据线D2及第三数据线D3两者之间电性导通的机会，需使第二数据线D2及第三数据线D3维持一距离，例如5μm～10um，甚至更大的距离。如此，可能会造成像素单元的开口率降低。
因此，于本实施例的显示设备中，将设置于两像素单元之间的两条相邻的数据线设计成不同的导电线段。举例来说，第一像素单元Px1与第三像素单元Px3之间的第二数据线D2为第二导电线段D22，而第三数据线D3为第一导电线段D31。其中，第二导电线段D22与第一导电线段D31是由不同的导电层所形成，导电层的材料可例如包括金属层、或透明导电层，但本揭露不以此为限。第二导电线段与第一导电线段间可例如设置至少一介电层材料(可包括绝缘层)，故第二导电线段D22与第一导电线段D31两者之间即使非常靠近，甚至于基板11法线方向上重叠，也能降低第二导电线段D22与第一导电线段D31彼此因电性连接造成短路的机会，也通过此设计可提升像素单元的开口率，例如，提升第二数据线D2及第三数据线D3旁的第一像素单元Px1与第三像素单元Px3的开口率。
于本实施例中，如图1所示，第一数据线D1中的第一导电线段D11与第二导电线段D12通过第一导通孔15a电性连接，第二数据线D2的第一导电线段D21与第二导电线段D22通过第二导通孔15b电性连接，而第三数据线D3中的第一导电线段D31与第二导电线段D32通过第三导通孔15c电性连接。接下来，将以第一数据线D1详细描述第一导电线段D11与第二导电线段D12间如何电性连接，而第二数据线D2中的第一导电线段D21与第二导电线段D22间的电性连接方式、或是第三数据线D3中的第一导电线段D31与第二导电线段D32的电性连接方式，可例如与第一数据线D1相同而不再赘述。
如图2A所示，于本实施例的一实施态样中，可例如先于基板11上形成一第一导电层12，再于第一导电层12上形成一第一介电层13，后续将对应第一导电层12上的第一介电层13挖洞形成一导通孔151，且再于第一介电层13上形成一第二导电层14，第二导电层14可例如通过导通孔151与第一导电层12电性连接。如图1及图2A所示，第一导电层12例如可形成第一扫描线G1或其它扫描线(例如扫描线G2，扫描线G3，扫描线G4)。在此实施例中，举例来说，第一导电层12可形成第一数据线D1的第二导电线段D12，第二导电层14则可形成第一数据线D1的第一导电线段D11。也就是说，数据线D1的第二导电线段D12可例如与扫描线为相同的导电层材料，甚至为同一层的导电层材料。此外，导通孔151可例如作为图1的第一导通孔15a，通过导通孔151使第二导电层14的第一导电线段D11与第一导电层12的第二导电线段D12电性连接，但本揭露不以此为限。
如图2B所示，于本实施例的另一实施态样中，与图2A所示的实施态样不同之处在于，于第一介电层13上形成第二导电层14后，再形成一第二介电层16，后续将对应第二导电层14上的第二介电层16挖洞形成一导通孔151，且再于第二介电层16上形成一第三导电层17，第三导电层17通过导通孔151与第二导电层14电性相连，而第一导电层12与第二导电层14在此实施例中无电性相连。如图1及图2B所示，第一导电层12例如可形成第一扫描线G1或其它扫描线(例如扫描线G2，扫描线G3，扫描线G4)。在此实施例中，举例来说，第二导电层14可形成第一数据线D1的第一导电线段D11，而第三导电层17可形成第一数据线D1的第二导电线段D12。也就是说，第一数据线D1的第二导电线段D12及第一导电线段D11皆与扫描线为不同层的导电层材料。此外，导通孔151可作为图1的第一导通孔15a，通过导通孔151使第三导电层17的第二导电线段D12与第二导电层14的第一导电线段D11电性连接。在本实施态样中，第一导电线段D11可例如设置于第一导电层12上，且第一介电层13设置于第一导电层12与第一导电线段D11之间，使第一导电线段D11与第一导电层12电性绝缘，但本揭露不以此为限。
如图2C所示，于本实施例的另一实施态样中，与图2B所示的实施态样不同之处在于，于对应第二导电层14上的第二介电层16挖洞形成一导通孔152，另外于对应第一导电层12上的第一介电层13及第二介电层16挖洞形成一导通孔151，而上述的对应第一导电层12上的第一介电层13及第二介电层16挖洞可例如使用同一道光照刻蚀所完成，但本揭露不以此为限。后续形成一第三导电层17于第二介电层16上，第三导电层17可例如填入导通孔152及导通孔151中，通过第三导电层17将第二导电层14与第一导电层12电性连接。因此，如图1及图2C所示，第一导电层12可例如形成第一扫描线G1或其它扫描线(例如扫描线G2，扫描线G3，扫描线G4)。第一导电层12也可例如形成第一数据线D1的第二导电线段D12，而第二导电层14则可形成第一数据线D1的第一导电线段D11。也就是说，数据线D1的第二导电线段D12可例如与扫描线为相同的导电层材料、甚至同一层的导电层材料，但本揭露不以此为限。通过导通孔151、导通孔152及第三导电层17使第二导电层14的第一导电线段D11与第一导电层12的第二导电线段D12电性连接，但本揭露不以此为限。
如图2D所示，于本实施例的另一实施态样中，可先于基板11上形成一第四导电层111，再于第四导电层111上形成一介电层112，而后于介电层112上形成第一导电层(图未示，可参考图2A的第一导电层12)，于第一导电层上形成一第一介电层13，于对应第四导电层111上的介电层112及第一介电层13挖洞形成一导通孔151，而上述的对应对应第四导电层111上的介电层112及第一介电层13挖洞可例如使用同一道光照刻蚀所完成，但本揭露不以此为限。后续形成一第二导电层14于第一介电层13上，且第二导电层14通过导通孔151而与第四导电层111电性连接。如图1及图2D所示，第一导电层(图未示，可参考图2A的第一导电层12)例如可形成第一扫描线G1或其它扫描线(例如扫描线G2，扫描线G3，扫描线G4)。在此实施例中，第四导电层111可例如形成第一数据线D1的第二导电线段D12，而第二导电层14则可形成第一数据线D1的第一导电线段D11。此外，导通孔151可作为图1的第一导通孔15a，通过导通孔151使第二导电层14的第一导电线段D11与第四导电层111的第二导电线段D12电性连接，但本揭露不以此为限。
图2A至图2D显示第一数据线D1的第一导电线段D11与第二导电线段D12以不相同导电层所形成，且彼此电性连接的可能实施态样，而第二数据线D2的第一导电线段D21与第二导电线段D22之间的电性连接方式，或第三数据线D3的第一导电线段D31与第二导电线段D32之间的电性连接方式，可例如如图2A至图2D所示，故在此将不在赘述。此外，不同导电层彼此如何电性连接的结构并不仅限于如图2A至图2D所示的实施态样，例如导通孔151中可以填入第二导电层14或第三导电层17以外的其它的导电材料。
于本实施例的显示设备中，须注意的是，第一扫描线G1与第一数据线D1的第一导电线段D11及第二数据线D2的第一导电线段D21段交错并电性绝缘。也就是说，第一扫描线G1与对应交错的第一数据线D1与第第二数据线D2间需要有至少一介电层所隔开。第一扫描线G1和其它数据线(例如数据线G2，数据线G3，数据线G4)与第三数据线D3和其他数据线(例如数据线D4、数据线D5、数据线D6、数据线D7、数据线D8)间同样的也需要有至少一介电层所隔开。
如图1所示，于本实施例中，第二数据线D2的第二导电线段D22例如与第一像素单元Px1对应设置，第一数据线D1的第二导电线段D12例如与第一像素单元Px1对应设置；第二数据线D2的第一导电线段D21例如与第二像素单元Px2对应设置，第一数据线D1的第一导电线段D11例如与第二像素单元Px2对应；而第三数据线D3的第一导电线段D31例如与第三像素单元Px3对应设置。更具体而言，第一像素单元Px1的像素电极18的两侧例如分别对应设置第一数据线D1的第二导电线段D12及第二数据线D2的第二导电线段D22，第二像素单元Px2的像素电极18的两侧例如分别对应设置第一数据线D1的第一导电线段D11及第二数据线D2的第一导电线段D21，而第三像素单元Px3的像素电极18的其中一侧例如分别对应设置第三数据线D3的第一导电线段D31。上述所提及的像素电极18的两侧可定义为沿垂直数据线(例如第一数据线D1、第二数据线D2或第三数据线D3)的方向做一虚拟线VL，且虚拟线VL通过像素电极18的中间区域(例如像素电极的中心位置)，此时，与虚拟线VL交错的导电线段即为上述所提到的像素电极两侧对应设置的导电线段。
如图1所示，于本实施例中，于第一方向Y上，第一数据线D1可例如由交错设置且彼此电性连接的第一导电线段D11与第二导电线段D12所形成。同理，第二数据线D2可例如为由交错设置且彼此电性连接第一导电线段D21与第二导电线段D22所形成，而第三数据线D3分别可例如为由交错设置且彼此电性连接第一导电线段D31与第二导电线段D32所形成，以此类推。在一些实施例中，第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3间分别包括的第一导电线段总数量及第二导电线段总数量可例如大致相同。在一些实施例中，第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3间分别包括的第一导电线段的长度加总及第二导电线段的长度加总可例如大致相等。通过上述两种实施方式(设计各条数据线间的不同导电线段的长度加总相等、或是各条数据线间的不同导电线段的总数量相等)，来降低第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3三者间的信号负载差异(例如阻抗负载不同)，可减少因信号负载不同而导致显示画面有水波纹(mura)或其它画面异常的情形产生。
此外，如图1所示，介于两相邻像素单元间的两条数据线的其中一者，其对应于像素单元的数据线设计为第二导电线段，而两条数据线的另一者，其对应于像素单元的数据线设计为第一导电线段。举例来说，例如于第二方向X上相邻的第一像素单元PX1与第三像素单元PX3间的第二数据线D2，其对应像素单元PX1的数据线设计为第二导电线段D22，而第三数据线D3(另一条数据线)，其对应于像素单元的数据线设计为第一导电线段D31。通过上述方式可以减少介于两相邻像素单元间的两条数据线之间的距离，而提升像素单元的开口率。
另外，于一些实施例中，单一像素单元的两侧分别所对应的数据线的导电线段是由相同导电层所形成。举例来说，第一像素单元Px1的像素电极18的两侧分别对应的导电线段为第二导电线段D12及第二导电线段D22，通过此种电路设计可以平衡像素单元18与其两侧对应的导电线段间的耦合状况，可以减少因耦合差异导致的信号间的串扰(cross-talk)问题。
图3A及图3B为本实施例不同实施态样，显示图1中虚线方框区域的部份上视图及沿A2-A2’的另一剖面示意图。如图3A所示，第二数据线D2的第二导电线段D22可例如与第三数据线D3的第一导电线段D31非常靠近；或如图3B所示，第二数据线D2的第二导电线段D22可例如与第三数据线D3的第一导电线段D31重叠(包括部分重叠或是完全重叠等)。由于上述的第二导电线段与第一导电线段设计为不同导电层，且第二导电线段与第一导电线段间会隔有一介电层(如图2A至2D所示的第一介电层13、第二介电层16及/或介电层112；或者如图3A及图3B所示的第一介电层13)，所以当介于两像素单元间的两条数据线即使非常靠近，甚至是重叠，也能降低两条数据线之间彼此因电性连接造成短路的可能性，进而提升数据线旁的像素单元的开口率。
此外，如图3A所示，对应第一像素单元Px1的第二数据线D2与对应第三像素单元Px3的第三数据线D3间具有一第一间距L1。详细而言，如图1及图3A所示，对应第一像素单元Px1的像素电极18的第二导电线段D22与对应第三像素单元Px3的像素电极18的第一导电线段D31间具有第一间距L1。可沿垂直数据线(例如第二数据线D2或第三数据线D3)的方向定义一虚拟线VL，且虚拟线VL通过像素电极的中间区域(例如像素电极的中心位置)，此时，与虚拟线VL交错的导电线段即为上述所提到的对应像素电极的导电线段。另外，与第一扫描线G1分别交错的第二数据线D2与第三数据线D3间具有一第二间距L2。其中，第一间距L1小于第二间距L2。于一些实施例中，第一间距L1可例如介于0μm与4μm之间。于其他实施例中，第一间距L1可例如介于0μm与1.5μm之间，但本揭露不限于此。
当第一间距L1为0μm，则为如图3B所示的情形，即对应该第一像素单元Px1的第二数据线D2(例如为第二导电线段D22)与对应第三像素单元Px3的第三数据线D3(例如为第一导电线段D31)于基板11的法线方向上重叠。于一些实施例中，第二间距L2可例如介于5μm与10μm之间，但本揭露不限于此。于其他实施例中，第二间距L2可例如介于7μm与10μm之间。上述的第二间距L2仅为一些实施例的概况，第二间距L2可依分辨率或开口率需求做调整。
图4为本实施例的显示设备的另一上视图。本实施例的显示设备还包括一遮蔽层2，如图4所示，遮蔽层2可例如具有多个开口21，遮蔽层2可例如对应设置于导通孔15a、导通孔15b、导通孔15c、其它导通孔、第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3、第一扫描线G1、扫描线G2、扫描线G3、扫描线G4、数据线D4、数据线D5、数据线D6、数据线D7、数据线D8、及晶体管上。于本实施例中，遮蔽层2可例如与导通孔15a、导通孔15b、导通孔15c、第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3、第一扫描线G1、扫描线G2、扫描线G3、扫描线G4、数据线D4、数据线D5、数据线D6、数据线D7、数据线D8、及各个晶体管TFT于垂直基板11法线上相重叠。如图4所示，开口21例如与第一像素单元Px1、第二像素单元Px2及第三像素单元Px3对应设置，开口21可例如与像素电极18于基板11法线方向上重叠。于一些实施例中，开口21投射于基板11的投影面积可例如与像素电极18投射于基板11的投影面积大小相同或不同，本揭露不以此为限。而此实施例中，图示中的各个开口21的轮廓以矩形为例，但开口21的轮廓也可例如为多边形、弧边形、或其它任意不规则形状，但本揭露不限于此。于一些实施例中，遮蔽层2可例如设置于基板11的对侧基板上。于一些实施例中，遮蔽层2可例如设置于基板11上，但本揭露不限于此。遮蔽层2材料可例如为黑色光刻胶、黑色印刷油墨、黑色树脂或其它适合的遮光材料，但本揭露不限于此。
图5A及图5B为本实施例一实施态样于不同时序的驱动示意图，而图6A及图6B为本实施例另一实施态样于不同时序的驱动示意图。如图5A所示，在第N个时段内，第一数据线D1、及数据线D4、数据线D5、数据线D8可例如提供正电压，而第二数据线D2、第三数据线D3及数据线D6、数据线D7可例如提供负电压；于第N+1个时段内，如图5B所示，第一数据线D1、及数据线D4、数据线D5、数据线D8可例如提供负电压，而第二数据线D2、第三数据线D3及数据线D6、数据线D7可例如提供正电压。或者，如图6A所示，在第N个时段内，第一数据线D1、第三数据线D3及数据线D5、数据线D7可例如提供正电压，而第二数据线D2及数据线D4、数据线D6、数据线D8可例如提供负电压；于第N+1个时段内，如图6B所示，第一数据线D1、第三数据线D3及数据线D5、数据线D7可例如提供负电压，而第二数据线D2及数据线D4、数据线D6、数据线D8可例如提供正电压。无论是图5A至图6B所示的何种实施态样，例如分别提供正负极性相反的电压至设置于像素单元两侧的两条数据线，通过两条数据线传递正负极性相反的电压，以减少信号串扰的问题。图5A至图6B所示仅为举例几种实施态样，但本揭露并不限只有此些驱动方式，而晶体管TFT与数据线间电性连接的关系也不限于此。
于本实施例中，基板11可例如包括硅晶圆(Silicon wafer)、玻璃基板、蓝宝石基板、塑料基板、软性电路板、硬性电路板、或其它合适材料，但本揭露不限于此。玻璃基板的材料可例如为碳化硅(SiC)，氮化镓(GaN)，二氧化硅(SiO2)或其组合。塑料基板的材料可例如为，例如，聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、或聚碳酸酯(polycarbonate，PC)，但本揭露并不仅限于此。于本实施例中，第一导电层12、第二导电层14、第三导电层17的材料可例如为透明导电材料、或金属材料。于一些实施例中，当第一导电层12、第二导电层14、第三导电层17为金属材料时，可例如分别为铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、钛合金、其他合适的金属、前述的组合或其它导电性佳或是阻抗小的导电材料，但不限于此。于一些实施例中，当第一导电层12、第二导电层14、第三导电层17为透明导电材料时，可例如为铟锡氧化物(ITO)、或氧化铟镓锌(IGZO)，但本揭露不限于此。于一些实施例中，第一导电层12、第二导电层14、第三导电层17可例如使用相同的导电材料。于一些实施例中，第一导电层12、第二导电层14、第三导电层17可例如分别使用不相同的导电材料。
第一介电层13、第二介电层16或介电层112的材料可为光刻胶、阻焊材料、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high dielectric constant)介电材料、其它适合的介电材料、或前述的组合，但不限于此。高介电常数介电材料可包含金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐、或前述的组合，但不限于此。晶体管TFT可为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS)、或氧化铟镓锌(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)薄膜晶体管，但本揭露不限于此。像素电极18的材料可例如包括氧化铟锡(ITO)、掺杂铟的氧化锌(ZnO：In，IZO)、掺杂铝的氧化锌(ZnO：Al，AZO)、氧化铟锡(IGZO)或其它合适的材料，但本揭露不限于此。晶体管TFT可例如为下栅极(bottomgate)薄膜晶体管或上栅极(top gate)薄膜晶体管，但本揭露不限于此。
于本实施例中，所谓的「第二方向X」可例如为第一扫描线G1及/或扫描线G2、扫描线G3、扫描线G4的延伸方向。所谓的「第一方向Y」可例如为第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3及/或数据线D4、数据线D5、数据线D6、数据线D7、数据线D8的延伸方向，但本揭露不限于此。此外，于本实施例中，第一方向Y及第二方向X可例如实质上垂直，即第一方向Y及第二方向X间的夹角介于80度至90度之间。于一些实施例中，第一方向Y及第二方向X间的夹角介于45度至80度之间。然而，本揭露不限于此，只要第一方向Y及第二方向X不同即可。
实施例2
图7为本实施例的显示设备的上视图。本实施例的显示设备与实施例1的相似，差异点在于第三像素单元Px3与其他标示有Px的像素单元所对应的晶体管TFT连接到数据线方式与实施例1不同。更详细来说，第一数据线D1、第二数据线D2、数据线D5、数据线D6所对应连接到像素单元的晶体管TFT方式与实施例1相似，而于第三数据线D3、数据线D4、数据线D7、数据线D8所对应连接到像素单元的晶体管TFT方式与实施例1不同。
举例来说，如图1所示，于实施例1中，第三像素单元Px3的晶体管TFT是由第三数据线D3提供信号。如图7所示，于本实施例中，第三像素单元Px3的晶体管TFT是由数据线D4提供信号。如图7所示的实施例中，第二数据线D2与第三数据线D3分别所连接的晶体管TFT彼此成镜像设置，此种晶体管TFT镜像设置的排列方式，可以降低遮蔽层(图未示)所需要的面积。
实施例3
图8为本实施例的显示设备的上视图。本实施例的显示设备与实施例1相似，差异点简述如下。
于本实施例的显示设备中，第二数据线D2的第二导电线段D22与第一像素单元Px1对应，第一数据线D1的第一导电线段D11与第一像素单元Px1对应设置；第二数据线D2的第一导电线段D21与第二像素单元Px2对应设置，第一数据线D1的第二导电线段D12与第二像素单元Px2对应设置；而第三数据线D3的第一导电线段D31与第三像素单元Px3对应设置。更具体而言，第一像素单元Px1的像素电极18的两侧分别例如是设置第一数据线D1的第一导电线段D11及第二数据线D2的第二导电线段D22；第二像素单元Px2的像素电极18的两侧分别例如是设置第一数据线D1的第二导电线段D12及第二数据线D2的第一导电线段D21；而第三像素单元Px3的像素电极18的一侧例如是设置第三数据线D3的第一导电线段D31。也就是说，对应像素单元的像素电极18两侧的两条数据线分别对应的导电线段不同。
实施例4
图9为本实施例的显示设备的上视图。本实施例的显示设备与实施例1相似，差异点简述如下。
于本实施例的显示设备中，第二数据线D2的第二导电线段D22与第一像素单元Px1对应设置，第一数据线D1的第二导电线段D12与第一像素单元Px1对应设置；第二数据线D2的第二导电线段D22与第二像素单元Px2对应设置，第一数据线D1的第二导电线段D12与第二像素单元Px2对应设置，而第三数据线D3的第一导电线段D31与第三像素单元Px3对应设置。更具体而言，第一像素单元Px1的像素电极18的两侧分别例如是设置第一数据线D1的第二导电线段D12及第二数据线D2的第二导电线段D22；第二像素单元Px2的像素电极18的两侧分别例如是设置第一数据线D1的第二导电线段D12及第二数据线D2的第二导电线段D22；而第三像素单元Px3的像素电极18的一侧例如是设置第三数据线D3的第一导电线段D31。也就是说，沿第一方向Y上相邻的其中两个像素单元，此两个像素单元的其中一侧(例如同一侧)分别对应相同层的导电线段。
上述所提及的实施例的不同实施方式，可以视需求做任意搭配或组合。
于前述实施例1至实施例4中，均例如揭示1G2D(one gate line/two data line)显示设备。然而，本揭露并不仅限于此。例如，前述实施例1至实施例4所示的结构亦可例如应用于2G1D(two gate line/one data line)显示设备，只要把前述实施例1至实施例4的第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3视为扫描线，第一扫描线G1视为数据线(数据线)，并适当更改晶体管TFT的电性连接方式即可，故在此将不在赘述。
实施例5
图10为本实施例的显示设备的上视图。本实施例的显示设备为2G2D(two gateline/two datal ine)显示设备，其与前述实施例1至实施例4的差异点简述如下。
如图10所示，与上述实施例相似，第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3可分别包括第一导电线段及第一导电线段，而差异点第一扫描线G1亦可例如包括一第一导电线段G11与一第二导电线段G12，第一扫描线G1中的第一导电线段G11(以粗线表示)及第二导电线段G12(以细线表示)通过一第四导通孔15d(以点表示)电性连接。同理，其它扫描线(例如扫描线G2、扫描线G3、扫描线G4)也可例如分别包括第一导电线段(以粗线表示)与一第二导电线段(以细线表示)。
扫描线G2的第一导电线段G21(以粗线表示)及第二导电线段G22(以细线表示)可例如通过一第四导通孔15e(以点表示)电性连接。而于本实施例中，第一像素单元PX1与第二像素单元PX2同样沿一第一方向Y设置，第一扫描线G1与扫描线G2沿一第一方向Y设置，但另个差异点是第一扫描线G1与扫描线G2可例如设置于第一像素单元PX1与第二像素单元PX2间。在一些实施例中，第二导电线段G12、第二导电线段G22可例如与分别所连接的晶体管TFT的栅极为同一层导电层。至于第一扫描线G1与扫描线G2可例如分别设计成包括第一导电线段与第二导电线段的排列方式、或是优点与前述相似，故在此不再赘述。而须注意，不管此揭露所举例的数据线(第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3等)或是扫描线(第一扫描线G1等)，当数据线与扫描线交错处，此交错处的数据线与扫描线需要为不同层的导电材料，也就是说，交错处的数据线与扫描线所对应之间需要有至少一层介电层隔开，使数据线与扫描线间彼此电性绝缘。
本揭露显示设备例如包含液晶(liquid crystal，LC)、有机发光二极管(organiclight-emitting diode，OLED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、发光二极管(light-emitting diode，LED)、微型发光二极管(microlight-emitting diode or mini light-emitting diode)或其他显示介质，当实施例中的显示介质不同时，可视情况调整显示设备的结构，但本揭露并不以此为限。一些实施例中，发光二极管的芯片尺寸约为300微米(μm)到10毫米(mm)，微型发光二极管(mini LED)的芯片尺寸约为100微米(μm)到300微米(μm)，微型发光二极管(micro LED)的芯片尺寸约为1微米(μm)到100微米(μm)，但本揭露并不以此为限。
此外，本揭露的显示设备可与触控面板合并使用，而做为一触控显示设备。同时，本揭露的显示设备或触控显示设备可为一可挠性或曲面显示设备或触控显示设备。再者，本揭露的显示设备或触控显示设备，可应用于本技术领域已知的任何需要显示屏幕的电子装置上，如显示器、手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等需要显示影像的电子装置上。
上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本揭露所主张的权利范围自应以权利要求所述为准，而非仅限于上述实施例。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
一基板；
一第一像素单元与一第二像素单元，设置于该基板上，其中该第一像素单元与该第二像素单元沿一第一方向设置；以及
一第一数据线与一第二数据线，设置于该基板上，其中该第一数据线与该第二数据线沿一第二方向设置，该第一像素单元及该第二像素单元设置于该第一数据线及该第二数据线间，且该第一方向与该第二方向不同；
其中，该第一数据线与该第一像素单元电性连接，该第二数据线与该第二像素单元电性连接，该第一数据线中的一第一导电线段及一第二导电线段通过一第一导通孔电性连接，且该第二数据线中的一第一导电线段与一第二导电线段通过一第二导通孔电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该显示设备还包括：
一第三像素单元，设置于该基板上，其中该第一像素单元与该第三像素单元沿该第二方向设置；以及
一第三数据线，设置于该基板上，其中该第三数据线与该第二数据线沿该第二方向设置，该第二数据线设置于该第一数据线及该第三数据线间，且该第二数据线与该第三数据线设置于该第一像素单元与该第三像素单元间；
其中，该第三数据线中的一第一导电线段与一第二导电线段通过一第三导通孔电性连接，该第二数据线的该第二导电线段对应该第一像素单元设置，而该第三数据线的该第一导电线段对应该第三像素单元设置。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一数据线的该第二导电线段对应该第一像素单元设置。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一数据线的该第一导电线段对应该第一像素单元设置。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第二数据线的该第二导电线段对应该第二像素单元设置。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第二数据线的该第一导电线段对应该第二像素单元设置。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一数据线的该第一导电线段对应该第二像素单元设置。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一数据线的该第二导电线段对应该第二像素单元设置对应。
9.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该显示设备还包括：
一第一扫描线，设置于该基板上，其中该第一扫描线邻近该第一像素单元设置且沿该第二方向延伸，且该第一扫描线与该第一数据线及该第二数据线交错且电性绝缘；
其中，对应该第一像素单元的该第二数据线的该第二导电线与对应该第三像素单元的该第三数据线的该第一导电线段之间具有一第一间距，该第一扫描线分别交错的该第二数据线与该第三数据线之间具有一第二间距，且该第一间距小于该第二间距。
10.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，对应该第一像素单元的该第二数据线与对应该第三像素单元的该第三数据线重叠。
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