CN110047896A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示基板包括：衬底基板；在该衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层；以及，在导电图形与导电遮光层之间设置的绝缘膜层。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较远的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic light emitting diode；简称：OLED)显示基板是市面上新型的显示器件。与液晶显示器相比，OLED显示基板具有自发光、广色域、高对比度和超轻薄等诸多优点。
OELD显示基板通常包括：多个OLED发光器件以及与多个OLED发光器件一一对应电连接的多个像素驱动电路，每个像素驱动电路通过工作电压VDD信号线与位于该OLED显示基板外部的驱动IC(驱动芯片)连接，该驱动IC可以通过VDD信号线向像素驱动电路输入VDD信号，来控制对应的OLED发光器件发光，OLED发光器件的发光亮度与传输至OLED发光器件的VDD信号的电压大小正相关。
VDD信号线上某一位置处的电阻和该位置与驱动IC之间距离正相关(也即是，VDD信号线上与驱动IC之间距离越大的位置处的电阻越大)，因此该VDD信号线上距离驱动IC越远的位置处传输的VDD信号的电压越小，导致与驱动IC距离不同的OLED发光器件的发光亮度不同，OLED显示基板的亮度的均一性较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。可以解决现有技术的OLED显示基板的亮度的均一性较差的问题，所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示基板，包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层，所述导电图形包括信号走线，所述导电遮光层的横截面的面积大于所述信号走线的横截面的面积；
以及，在所述导电图形与所述导电遮光层之间设置的绝缘膜层，所述绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，所述信号走线分别通过所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接。
可选的，所述导电遮光层为整层结构。
可选的，所述导电图形包括阵列排布的多条所述信号走线，所述绝缘膜层上具有与多条所述信号走线一一对应的多个所述第一连接孔和多个所述第二连接孔，
每条所述信号走线通过相应的所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接。
可选的，所述导电图形还包括：第一排线和第二排线，所述第一排线通过多个所述第一连接孔与所述导电遮光层电连接，所述第二排线通过多个所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接；
每条所述信号走线的两端与所述第一排线和所述第二排线一一对应连接，每条所述信号走线通过所述第一排线和所述第二排线与所述导电遮光层电连接。
可选的，多个所述第一连接孔的排布方向与所述第一排线的延伸方向平行，多个所述第二连接孔的排布方向与所述第二排线的延伸方向平行。
可选的，所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述显示基板的非显示区域中。
可选的，所述显示基板还包括：在所述衬底基板上设置的阵列排布的多个发光器件，以及与每个所述发光器件电连接的像素驱动电路。
可选的，所述显示基板包括：沿远离所述衬底基板叠加设置的第一聚酰亚胺层、第一阻挡层、第二聚酰亚胺层、所述导电遮光层、所述绝缘膜层、所述导电图形、平坦层、像素界定层和隔垫物；
所述绝缘膜层包括：沿远离所述衬底基板叠加设置的第二阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间界电层。
第二方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成导电图形、绝缘膜层和导电遮光层，所述绝缘膜层位于所述导电图形与所述导电遮光层之间；
其中，所述导电图形包括信号走线，所述导电遮光层的横截面的面积大于所述信号走线的横截面的面积，所述绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，所述信号走线分别通过所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接。
第三方面，提供了一种显示装置，包括：驱动芯片和显示基板，所述显示基板包括：第一方面任一所述的显示基板，所述驱动芯片与所述显示基板中的信号走线电连接。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
该显示基板包括：衬底基板；在该衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层；以及，在导电图形与导电遮光层之间设置的绝缘膜层。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较远的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性，使得该显示基板的显示效果较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术提供的一种显示基板的俯视图；
图2是本发明实施例提供的一种显示基板的俯视图；
图3是图2示出的显示基板在A-A’处的截面图；
图4是图2示出的显示基板在B-B’处的截面图；
图5是本发明实施例提供的另一种显示基板的俯视图；
图6是本发明实施例提供的一种包含一个发光器件的膜层结构示意图；
图7是图1示出的显示基板中的VDD信号线中信号的传输方向示意图；
图8是图5示出的显示基板中的信号走线中信号的传输方向示意图；
图9是图5示出的显示基板在A-A’处的截面图；
图10是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
请参考图1，图1是相关技术提供的一种显示基板的俯视图。该显示基板00具有显示区域01非显示区域02。
该显示基板可以包括：阵列排布的多个OLED发光器件(图1中未画出)，以及与多个OLED发光器件一一对应电连接的多个像素驱动电路(图1中为示出)。每个像素驱动电路可以包括：驱动薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)、开关TFT和存储电容。该多个OLED发光器件和多个像素驱动电路均位于显示区域01内。
每个像素驱动电路通过VDD信号线03与位于该OLED显示基板外部的驱动IC电连接，该驱动IC可以通过VDD信号线03向像素驱动电路传输VDD信号，来控制对应的OLED发光器件发光。
例如，非显示区域02包括：绑定区域021，该绑定区域021内具有绑定结构(图1未画出)，该绑定结构用于与位于显示基板00外部的驱动IC电连接，显示区域01内的每列像素驱动电路可以通过一条VDD信号线03与该绑定结构电连接。
该显示基板00还可以包括：在非显示区域02内设置的第一排线04和第二排线05，第一排线04可以与绑定区域021内的绑定结构电连接。每条VDD信号线03的两端与该第一排线04和第二排线05一一对应电连接。位于显示基板00外部的驱动IC可以依次通过绑定结构、第一排线04和VDD信号线03向像素驱动电路传输VDD信号，来控制对应的OLED发光器件发光。
该OLED发光器件的电流与OLED发光器件的发光亮度呈正相关，该OLED发光器件的电流计算公式如下：
其中，IOLED表示OLED发光器件的电流；W/L表示像素驱动电路中的驱动TFT的宽长比；μ表示像素驱动电路中的驱动TFT中的有源层的电子迁移率；Cox表示像素驱动电路中的驱动TFT中的单位面积的栅电容；Vdd表示VDD信号线中传输的VDD信号的电压；Vdata表示显示基板中的数据信号线中传输的数据信号的电压。
根据该OLED发光器件的电流计算公式可知，该OLED发光器件的电流与VDD信号线03中传输的VDD信号的电压呈正相关，因此，VDD信号线03中传输的VDD信号的电压与OLED发光器件的发光亮度呈正相关。
由于VDD信号线03的横截面的面积通常较小，也即VDD信号线通常较细，根据电阻的计算公式可知，VDD信号线03上与驱动IC之间距离越大的位置处的电阻越大，也即是，VDD信号线03中各位置处的电阻沿第一排线04至第二排线05的方向依次增大，因此VDD信号线03中各位置处传输的VDD信号的电压沿第一排线04至第二排线05的方向依次减小，导致与驱动IC距离不同的OLED发光器件的发光亮度不同。例如，显示基板00中靠近第一排线的OLED发光器件(也即靠近驱动IC的OLED发光器件)的发光亮度，大于靠近第二排线的OLED发光器件(也即背离驱动IC的OLED发光器件)的发光亮度。
因此，该显示基板00的亮度的均一性较差，导致该显示基板00的显示效果较差。
请参考图2、图3和图4，图2是本发明实施例提供的一种显示基板的俯视图，图3是图2示出的显示基板在A-A’处的截面图，图4是图2示出的显示基板在B-B’处的截面图。该显示基板100可以为OELD显示基板，该显示基板100可以包括：
衬底基板10；在该衬底基板10上异层设置的导电图形20和导电遮光层30；以及，在导电图形20与导电遮光层30之间设置的绝缘膜层40。
该导电图形20包括信号走线21，例如，该信号走线21为VDD信号线。导电遮光层30的横截面的面积大于信号走线21的横截面的面积，使得该导电遮光层30的电阻小于信号走线21的电阻。该导电遮光层30的横截面与信号走线21的横截面均与信号走线21的延伸方向垂直。
该绝缘膜层40具有第一连接孔41和第二连接孔42，信号走线21可以分别通过第一连接孔41和第二连接孔42与导电遮光层30电连接。信号走线21可以通过第一连接孔41和第二连接孔42与导电遮光层30之间形成导电回路，也即是，信号走线21上的电信号(该电信号可以为VDD信号)能够通过第一连接孔41传输至导电遮光层30，并通过第二连接孔传42输回信号走线21。由于导电遮光层20的电阻小于信号走线21的电阻，因此通过该导电回路可以对信号走线21中与驱动IC之间距离较远的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板100的亮度的均一性，使得该显示基板100的显示效果较好。
示例的，该显示基板还包括阵列排布的多个发光器件，该发光器件可以为OLED发光器件。若该显示基板100外部与驱动IC连接，假设第二连接孔42相对于第一连接孔41背离该驱动IC，第一连接孔41附近的发光器件所需的电信号可以由信号走线21进行传输，第二连接孔42附近的发光器件所需的电信号可以由信号走线21和导电遮光层30进行传输。由于导电遮光层20的横截面积大于信号走线21的横截面积，因此该导电遮光层20的电阻比信号走线21的电阻小，使得第二连接孔42附近的发光器件的发光亮度与第一连接连接孔42附近的发光器件的发光亮度基本一致。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，包括：衬底基板；在该衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层；以及，在导电图形与导电遮光层之间设置的绝缘膜层。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较远的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性，使得该显示基板的显示效果较好。
可选的，该导电遮光层30可以为整层结构，该导电遮光层30的材料可以包括：具有反射性质的金属材料。需要说明的是，一方面，导电遮光层30对显示基板100内设置的TFT中的有源层进行遮光，避免显示基板100外部的环境光对该TFT的电学性能产生影响；另一方面，导电遮光层30还能够与显示基板100的屏下指纹模组结合，利用小孔成像原理对指纹进行识别。在本发明实施例中，该显示基板100无需额外的增加另一层导电图形，利用显示基板原有的导电遮光层30便能够提高显示基板100的亮度的均一性，有效的简化了该显示基板100的制造过程，从而提高了该显示基板100的制造效率。
请参考图5，图5是本发明实施例提供的另一种显示基板的俯视图。该显示基板100具有显示区域101和非显示区域102。该显示基板100还可以包括：在衬底基板10上设置的且位于该显示区域101内的阵列排布的多个发光器件(图5中未画出)，与每个发光器件电连接的像素驱动电路(图5中未画出)，以及在衬底基板10上设置的且位于该非显示区域102中的绑定区域102a内的绑定结构(图5中未画出)，该绑定结构用于后续与显示基板100外的驱动IC电连接。
该发光器件可以为OLED发光器件。例如，请参考图6，图6是本发明实施例提供的一种包含一个发光器件的膜层结构示意图，在显示区域内设置的发光器件101a可以包括沿远离该衬底基板10叠加设置的阳极a1、有机发光层a2和阴极a3。在显示区域内设置的像素驱动电路101b可以与该显示器件101a内的阳极a1电连接，从而实现了像素驱动电路101b与发光器件101a的电连接。
在本发明实施例中，如图5所示，显示基板100中的导电图形20可以包括阵列排布的多条信号走线21，每条信号走线21用于与显示区域101内设置的一列像素驱动电路电连接，每条信号走线21的一端还用于与绑定区域102a内的绑定结构电连接，在该绑定结构后续与显示基板100外的驱动IC电连接后，该驱动IC能够为每条信号走线21输入电信号。显示基板100中的绝缘膜层上具有与多条信号走线21一一对应的多个第一连接孔41和多个第二连接42，每条信号走线21通过相应的第一连接孔41和第二连接孔42与导电遮光层电连接。需要说明的是，图5是第一连接孔41的个数为多个，第二连接孔42的个数为多个，且第一连接孔41的个数、第二连接孔42的个数和信号走线21的条数相同为例进行示意性说明的，在其他的可选的实现方式中，第一连接孔41的个数与第二连接孔42的个数均为一个，或者，第一连接孔41的个数与第二连接孔42的个数均与信号走线21的条数不同。本发明实施例对此不做限定。
可选的，如图5所示，显示基板100中的导电图形20还可以包括：第一排线22和第二排线23。该第一排线22可以通过多个第一连接孔41与导电遮光层电连接，第二排线23可以通过多个第二连接孔42与导电遮光层电连接。每条信号走线21的两端与第一排线22和第二排线23一一对应连接，也即是，每条信号走线21的第一端与第一排线22电连接，每条信号走线21的第二端与第二排线23电连接。每条信号走线21可以通过该第一排线22和第二排线23与导电遮光层30电连接。在本发明实施例中，该多个第一连接孔41的排布方向与第一排线22的延伸方向平行，多个第二连接孔42的排布方向与第二排线23的延伸方向平行。
在相关技术中，如图7所示，图7是图1示出的显示基板中的VDD信号线中信号的传输方向示意图。位于该显示基板00外部的驱动IC能够对每条VDD信号线03传输VDD信号，VDD信号在每条VDD信号线03中沿背离驱动IC的方向X进行单向传输。由于该VDD信号线03中各个位置处的电阻沿方向X逐渐增大，因此VDD信号线03中各个位置处的传输的VDD信号的电压沿方向X逐渐减小，导致每列OLED发光器件的发光亮度沿方向X逐渐减小。例如，靠近驱动IC位置处的OLED发光器件的发光亮度，大于背离驱动IC位置处的OLED发光器件的发光亮度。该显示基板00的亮度的均一性较差。
而在本发明实施例中，如图8所示，图8是图5示出的显示基板中的信号走线中信号的传输方向示意图。位于该显示基板100外部的驱动IC能够对每条信号走线21传输电信号，该信号走线21可以为VDD信号线，该电信号可以为VDD信号。电信号在每条信号走线21中进行双向传输，示例的，电信号可以在信号走线21中沿背离驱动IC的方向X进行传输，电信号也可以通过第一连接孔41、导电遮光层30和第二连接孔42在信号走线21中沿靠近驱动IC的方向Y进行传输。由于导电遮光层30的电阻较小，因此，信号走线21中位于第一连接孔41位置处传输的电信号的电压，与位于第二连接孔42位置处传输的电信号的电压近似一致，使得位于第一连接孔41附近处的发光器件的发光亮度与位于第二连接孔42附近处的发光器件的发光亮度近似一致，有效的提高了该显示基板100的亮度的均一性。
可选的，如图5所示，上述实施例中的第一连接孔41和第二连接孔42可以均位于显示基板100的非显示区域100b中，上述实施例中的第一排线22和第二排线23也可以均位于显示基板100的非显示区域100b中。
在本发明实施例中，如图6和图9所示，图9是图5示出的显示基板在A-A’处的截面图。该显示基板100可以包括：沿远离衬底基板10叠加设置的第一聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)层50、第一阻挡层60、第二PI层70、导电遮光层30、绝缘膜层40、导电图形20、平坦层80、像素界定层90和隔垫物110发光器件101a。该显示基板100还可以包括：发光器件101a。该绝缘膜层40可以包括：沿远离衬底基板10叠加设置的第二阻挡层401、缓冲层402、栅极绝缘层403和层间界电层404。
需要说明的是，第一PI层50和第二PI层70用于提高显示基板100的柔性，该第一阻隔层60用于阻隔外界水氧进入显示基板100的发光器件101a中，第二阻隔层115用于阻隔显示基板100中金属离子的迁移。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，包括：衬底基板；在该衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层；以及，在导电图形与导电遮光层之间设置的绝缘膜层。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较大的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性，使得该显示基板的显示效果较好。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制造方法，该方法用于制造图2示出的显示基板。该方法可以包括：
在衬底基板上形成导电图形、绝缘膜层和导电遮光层，绝缘膜层位于导电图形与导电遮光层之间。
其中，该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线分别通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层电连接。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，通过在衬底基板上形成导电图形、绝缘膜层和导电遮光层，该绝缘膜层位于导电图形与导电遮光层之间。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较大的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性，使得该显示基板的显示效果较好。
请参考图10，图10是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该方法用于制造图5示出的显示基板，该方法可以包括以下几个步骤：
步骤1001、在衬底基板上依次形成第一PI层、第一阻挡层、第二PI层和导电遮光层。
可选的，该第一阻隔层的材料可以包括：氧化硅材料或氮化硅等材料。该导电遮光层的材料可以包括：诸如金属铝、金属银或合金等金属材料。
示例的，可以在衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种方式依次形成：第一PI层、第一阻挡层、第二PI层和导电遮光层。
步骤1002、在形成有导电遮光层的衬底基板上形成绝缘膜层。
可选的，该绝缘膜层包括：沿远离衬底基板叠加设置的第二阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间界电层。该第二阻挡层的材料可以包括：氧化硅材料或氮化硅等材料；该缓冲层、层间介电层和栅极绝缘层的材料均可以包括：二氧化硅、氮化硅或者二氧化硅和氮化硅的混合材料。
示例的，可以在形成有导电遮光层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种方式依次形成：第二阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间界电层。
需要说明的是，在形成有导电遮光层的衬底基板上形成绝缘膜层的过程中，还需要形成像素驱动电路中的TFT中的内部结构。其可以参考相关技术中形成像素驱动电路的过程，本发明实施例对此不做赘述。
步骤1003、对形成有绝缘膜层的衬底基板进行构图工艺处理，以在绝缘膜层中形成第一连接孔和第二连接孔。
示例的，可以对绝缘膜层执行一次构图工艺形成第一连接孔和第二连接孔，该第一连接孔的底面和第二连接孔的底面均位于遮光层上。该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
步骤1004、在形成第一连接孔和第二连接孔的绝缘膜层上依次形成导电图形、平坦层、发光器件中的阳极、像素界定层和隔垫物。
可选的，该导电图形包括：多条阵列排布的信号走线，每条信号走线通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层电连接。该导电遮光层的材料以及发光器件中的阳极的材料可以包括：诸如金属铝、金属银或合金等金属材料；该平坦层的材料可以包括：丙烯酸树脂或者环氧树脂等；该像素界定层和隔垫物均可以为有机物，例如，其材料均可以包括：氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯或聚硅氧烷。
示例的，可以在形成有第一连接孔和第二连接孔绝缘膜层上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成导电材质层，然后对该导电材质层执行一次构图工艺形成导电图形，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
之后，可以在形成有导电图形的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成平坦层材质层，然后对该平坦层材质层执行一次构图工艺形成平坦层，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
之后，可以在形成有平坦层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成阳极材质层，然后对该阳极材质层执行一次构图工艺形成阳极，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
最后，可以在形成有阳极的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成有机物材质层，然后采用灰度掩膜版对该有机物材质层执行一次构图工艺形成像素界定层和隔垫物，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
步骤1005、在形成有隔垫物的衬底基板上形成发光器件中的有机发光层和阴极。
可选的，该阴极的材料可以包括：氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)或铟锌氧化物(英文：Indium zinc oxide；简称：IZO)等。
示例的，可以采用喷墨打印工艺或蒸镀工艺在形成有隔垫物的衬底基板上形成发光器件中的有机发光层；然后，可以在形成有有机发光层的衬底基板上上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成阴极。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的显示基板具体原理，可以参考前述显示基板的结构的实施例中的对应内容，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，通过在衬底基板上形成导电图形、绝缘膜层和导电遮光层，该绝缘膜层位于导电图形与导电遮光层之间。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较大的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性，使得该显示基板的显示效果较好。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置可以包括：驱动IC和显示基板。该显示基板可以包括：图2或图5示出的显示基板100。该驱动IC与显示基板100中的信号走线23电连接。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的可选的实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层，所述导电图形包括信号走线，所述导电遮光层的横截面的面积大于所述信号走线的横截面的面积；
以及，在所述导电图形与所述导电遮光层之间设置的绝缘膜层，所述绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，所述信号走线分别通过所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，
所述导电遮光层为整层结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
所述导电图形包括阵列排布的多条所述信号走线，所述绝缘膜层上具有与多条所述信号走线一一对应的多个所述第一连接孔和多个所述第二连接孔，
每条所述信号走线通过相应的所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
所述导电图形还包括：第一排线和第二排线，所述第一排线通过多个所述第一连接孔与所述导电遮光层电连接，所述第二排线通过多个所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接；
每条所述信号走线的两端与所述第一排线和所述第二排线一一对应连接，每条所述信号走线通过所述第一排线和所述第二排线与所述导电遮光层电连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，
多个所述第一连接孔的排布方向与所述第一排线的延伸方向平行，多个所述第二连接孔的排布方向与所述第二排线的延伸方向平行。
6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，
所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述显示基板的非显示区域中。
7.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：在所述衬底基板上设置的阵列排布的多个发光器件，以及与每个所述发光器件电连接的像素驱动电路。
8.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板包括：沿远离所述衬底基板叠加设置的第一聚酰亚胺层、第一阻挡层、第二聚酰亚胺层、所述导电遮光层、所述绝缘膜层、所述导电图形、平坦层、像素界定层和隔垫物；
所述绝缘膜层包括：沿远离所述衬底基板叠加设置的第二阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间界电层。
9.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成导电图形、绝缘膜层和导电遮光层，所述绝缘膜层位于所述导电图形与所述导电遮光层之间；
其中，所述导电图形包括信号走线，所述导电遮光层的横截面的面积大于所述信号走线的横截面的面积，所述绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，所述信号走线分别通过所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述导电遮光层电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：驱动芯片和显示基板，所述显示基板包括：权利要求1至8任一所述的显示基板，所述驱动芯片与所述显示基板中的信号走线电连接。
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