CN103777395A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示装置、以及阵列基板的制作方法，用于减小阵列基板包含的相邻第一透明电极之间的电场干扰。本发明实施例的阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线、以及位于每个所述像素区域内的第一透明电极，其中：还包括绝缘部件；所述绝缘部件位于两相邻第一透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极的上表面。本发明实施例可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示装置、以及阵列基板的制作方法。
背景技术
显示装置的阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线、以及位于每个所述像素区域内的电极。以图1为例，如图1所示，两条栅线10和三条数据线20相互交叉界定了两个像素区域，并且每个像素区域内设置有电极30，其中，以电极30是像素电极为例，图2所述的结构图为图1所示的阵列基板在AA′方向的截面图，如图2所示，两相邻电极30位于同一层、且二者之间具有一定间距。
目前高分辨率是阵列基板的一大发展趋势，其中，目前的阵列基板的分辨率已经从200个像素/每英寸（pixels per inch，以下简称ppi）提升至300ppi、400ppi、500ppi或500ppi以上。对于高分辨率阵列基板，随着分辨率的提高，阵列基板的每个像素区域尺寸会越来越小，以400ppi阵列基板为例，其每个像素区域在与栅线平行的方向上的尺寸只有21um（微米）。当像素区域尺寸越来越小时，为了保持像素区域具有一定的开口率，目前相邻电极之间的间距（即，图1和图2中的d）变得越来越小，使得当驱动包含阵列基板的显示装置时，相邻电极之间的电场会相互干扰，从而使得显示装置的液晶偏转混乱，可能会造成显示装置漏光和混色，严重影响显示装置的显示质量；比如，如图3所示，以位于数据线20上方的电极30是像素电极、且相邻像素电极之间的间距为10微米（即，d=10微米）为例，对阵列基板的漏光性进行测试，根据测试结果可以看出本来应该不偏转的液晶a发生了偏转，使得阵列基板在液晶a对应位置发生了漏光问题。
综上所述，目前对于高分辨率阵列基板，其包含的相邻电极之间的电场会相互干扰，使得包含阵列基板的显示装置的液晶偏转混乱，可能会造成显示装置漏光和混色，严重影响显示装置的显示质量。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示装置、以及阵列基板的制作方法，用于减小阵列基板包含的相邻第一透明电极之间的电场干扰。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线、以及位于每个所述像素区域内的第一透明电极，其中：还包括绝缘部件；
所述绝缘部件位于两相邻第一透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极的上表面。
在本发明实施例中，阵列基板还包括位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件，当驱动包含阵列基板的显示装置时，绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
较佳地，所述第一透明电极为狭缝状。
在本发明实施例中，提供了第一透明电极形状的具体实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述第一透明电极形状只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还包括位于每个所述像素区域内的第二透明电极；其中，所述第二透明电极为板状或者狭缝状。
较佳地，在所述第二透明电极为板状时，所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层。
较佳地，本发明实施例提供的阵列基板还包括位于每个所述像素区域内的绝缘层；
所述绝缘层位于所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，并且，所述绝缘部件位于所述绝缘层的上方或者下方。
较佳地，在所述第二透明电极为狭缝状时，
所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层，或者
所述第二透明电极与所述第一透明电极位于同一层、且所述第二透明电极和所述第一透明电极交叉排列。
在本发明实施例中，提供了阵列基板结构的多种具体实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述阵列基板结构只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
较佳地，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或者，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。
在本发明实施例中，提供了第一透明电极和第二透明电极的具体实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述第一透明电极和第二透明电极的具体实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
较佳地，所述绝缘部件位于所述栅线和数据线的对应位置。
在本发明实施例中，提供了绝缘部件位置的具体实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述绝缘部件的具体位置只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
较佳地，所述绝缘部件为长条形，并且所述绝缘部件的横截面为矩形或者正梯形。
在本发明实施例中，提供了绝缘部件形状的具体实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述绝缘部件的具体形状只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
较佳地，所述绝缘部件的材料为不透光材料，并且将所述绝缘部件作为黑矩阵。
在本发明实施例中，在减小阵列基板包含的相邻像素电极之间的电场干扰的同时，还可以将原先位于彩膜基板上的黑矩阵制作到阵列基板上，以增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
较佳地，所述绝缘部件的上表面与所述第一透明电极的上表面之间的距离值不小于1微米。
在本发明实施例中，提供了绝缘部件厚度的具体实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述绝缘部件的具体厚度只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
较佳地，本发明实施例的阵列基板还包括彩色滤光层，其中所述彩色滤光层位于所述绝缘部件所在的膜层下方。
在本发明实施例中，将原先位于彩膜基板上的彩色滤光层制作到阵列基板上，以实现像素位置的自对准、简化加工过程、增大开口率、提高透过率、提高产品质量、以及降低成本；并且可以实现增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。
在本发明实施例中，显示装置包括的阵列基板的绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而显示装置包括的阵列基板的相邻第一透明电极之间的电场干扰可以有效减小，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
第三方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
形成位于衬底基板上的每个像素区域内的第一透明电极、以及形成位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件；
其中，位于衬底基板上的多条栅线和数据线通过相互交叉以界定像素区域。
在本发明实施例中，阵列基板还包括位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件，当驱动包含阵列基板的显示装置时，绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
较佳地，所述绝缘部件的材料为不透光材料，并且将所述绝缘部件作为黑矩阵。
在本发明实施例中，在减小阵列基板包含的相邻像素电极之间的电场干扰的同时，还可以将原先位于彩膜基板上的黑矩阵制作到阵列基板上，以增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
较佳地，在形成所述像素电极和绝缘部件之前，还包括：
形成位于所述绝缘部件所在的膜层下方的彩色滤光层。
在本发明实施例中，将原先位于彩膜基板上的彩色滤光层制作到阵列基板上，以实现像素位置的自对准、简化加工过程、增大开口率、提高透过率、提高产品质量、以及降低成本；并且可以实现增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
与现有技术相比，在本发明实施例中，阵列基板还包括位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件，当驱动包含阵列基板的显示装置时，绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的俯视图；
图2为现有技术中阵列基板的截面图；
图3为现有技术中阵列基板漏光性测试结果示意图；
图4A～图4D为本发明实施例中阵列基板的截面图；
图5A～图5I为本发明实施例中阵列基板的俯视图；
图6为本发明实施例中绝缘部件的横截面图；
图7为本发明实施例中阵列基板漏光性测试结果示意图。
具体实施方式
在本发明实施例中，阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线、以及位于每个所述像素区域内的第一透明电极，其中：还包括绝缘部件，所述绝缘部件位于两相邻第一透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极的上表面；
由于阵列基板还包括位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件，当驱动包含阵列基板的显示装置时，绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
为了使本领域技术人员更好的理解本发明的技术方案，下面结合说明书附图对本发明实施例进行详细的描述。
较佳地，本发明实施例提供一种阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线、以及位于每个所述像素区域内的第一透明电极，其中：还包括绝缘部件；
所述绝缘部件位于两相邻第一透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极的上表面。
实施中，阵列基板还包括位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件，当驱动包含阵列基板的显示装置时，绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量；
另外，由于本发明实施例的阵列基板的相邻第一透明电极之间的电场干扰可以有效减小，因此，本发明实施例的阵列基板的相邻第一透明电极之间的距离还可以进一步减小，以增大开口率和提高透过率；而且，本发明实施例的阵列基板的像素区域的面积可以进一步减小，以便于开发更高分辨率的阵列基板。
较佳地，第一透明电极为像素电极或者公共电极。
较佳地，本发明实施例的阵列基板还包括位于每个所述像素区域内的第二透明电极。
较佳地，在所述第一透明电极为像素电极时，所述第二透明电极为公共电极；或者，在所述第一透明电极为公共电极时，所述第二透明电极为像素电极。
下面将对第一透明电极和第二透明电极的几种较佳的形状和位置连接关系的实施方式进行介绍，需要说明的是，本发明所提到的方向用语，如表示方向的“上”、“下”，仅是参考附图的方向以说明及理解本发明，而不用于限制本发明实施例。
实施方式一
较佳地，第一透明电极为狭缝状，第二透明电极为板状。
较佳地，所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层。
比如，对于ADS（Advanced Smart Display System，高级超维场转换技术）模式，在第一透明电极为狭缝状时，第二透明电极可以为板状；并且，第二透明电极与第一透明电极位于不同层。
ADS技术即通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
较佳地，本发明实施例的阵列基板还包括位于每个所述像素区域内的绝缘层；
所述绝缘层位于所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，并且，所述绝缘部件位于所述绝缘层的上方或者下方。
比如，以第一透明电极为像素电极，第二透明电极为公共电极为例，
如图4A所示，第一透明电极30为狭缝状，第二透明电极500为板状；第一透明电极30和第二透明电极500位于不同层，第一透明电极30位于第二透明电极500的上方；第二绝缘层600位于第一透明电极30和第二透明电极500之间，并且，绝缘部件40位于第二绝缘层600的上方、且与第一透明电极30同层设置；
如图4B所示，第一透明电极30为狭缝状，第二透明电极500为板状；第一透明电极30和第二透明电极500位于不同层，第二透明电极500位于第一透明电极30的上方；第二绝缘层600位于第一透明电极30和第二透明电极500之间，并且，绝缘部件40位于第二绝缘层600的下方、且与第一透明电极30同层设置；
如图4C所示，第一透明电极30为狭缝状，第二透明电极500为板状；第一透明电极30和第二透明电极500位于不同层；第二绝缘层600位于第一透明电极30和第二透明电极500之间，并且，绝缘部件40位于第二绝缘层600的下方、且位于第二透明电极500的上方。
实施方式二
较佳地，第一透明电极为狭缝状，第二透明电极为狭缝状。
较佳地，所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层，或者
所述第二透明电极与所述第一透明电极位于同一层、且所述第二透明电极和所述第一透明电极交叉排列。
具体实施中，在所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层时，相邻第二透明电极之间可以设置绝缘部件，也可以不设置该绝缘部件。
较佳地，在所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层时，所述绝缘部件位于两相邻第二透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第二透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第二透明电极的上表面。
实施中，在两相邻第二透明电极之间也设置绝缘部件，可以进一步减小相邻第二透明电极之间的电场干扰，在一定程度上避免由于电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
较佳地，在所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层时，所述第二透明电极和所述第一透明电极交叉排列。
比如，对于IPS（In-Plane Switching，平面转换）模式，每个像素区域内狭缝状的像素电极和公共电极会不同层交叉排列；
而对于ADS模式，对每个像素区域内狭缝状的像素电极和公共电极的排列方式无交叉排列的要求。
较佳地，在所述第二透明电极与所述第一透明电极位于同一层、且所述第二透明电极和所述第一透明电极交叉排列时，所述绝缘部件位于分别设置于两相邻像素区域内且相邻的第一透明电极和第二透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极和第二透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极和第二透明电极的上表面。
比如，对于IPS模式，每个像素区域内狭缝状的像素电极和公共电极会同层交叉排列，因而需要在分别位于两相邻像素区域内且相邻的像素电极和公共电极之间设置绝缘部件。
较佳地，绝缘部件的材料为绝缘材料。
具体实施中，绝缘部件的材料可以为不透光材料，比如，铬及其化合物材料、以及黑色树脂等可以用于制作黑矩阵的材料；绝缘部件的材料也可以为透光材料，比如，光刻胶材料、非黑色树脂和PMMA（Polymethyl Methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯）等。
较佳地，本发明实施例中的绝缘部件的位置连接关系只要满足下列条件即可：绝缘部件位于两相邻第一透明电极之间、绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极的上表面，并且绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极的上表面。
下面以第一透明电极为像素电极为例，对本发明实施例中的绝缘部件的位置连接关系进行说明，需要说明的是，在第一透明电极为公共电极时，本发明实施例中的绝缘部件的位置连接关系的实施方式与在第一透明电极为像素电极时，本发明实施例中的绝缘部件的位置连接关系的实施方式类似，在此不再赘述。
下面将以绝缘部件的位置与栅线和数据线的位置之间的关系为分类依据，对本发明实施例的绝缘部件位于两相邻像素电极之间的实施方式进行分类介绍。
一、绝缘部件位于栅线和数据线的对应位置。
实施中，由于在绝缘部件位于栅线和数据线的对应位置时，可以依据栅线和数据线的位置设置绝缘部件，因此与将绝缘部件制作于其他位置的工艺难度相比，将绝缘部件制作于所述栅线和数据线的对应位置在工艺上相对比较容易实现。
较佳地，在至少两层绝缘部件需要交叉设置时，在交叉点处至少存在一层绝缘部件。
较佳地，所述绝缘部件的材料为不透光材料，并且将所述绝缘部件作为黑矩阵。
实施中，在绝缘部件位于栅线和数据线的对应位置，且所述绝缘部件的材料为不透光材料时，可以将该绝缘部件直接作为用于遮挡外界光的黑矩阵，因此无需额外的工艺步骤形成黑矩阵，可以减少工艺步骤和节省成本；并且，
在减小阵列基板包含的相邻像素电极之间的电场干扰的同时，还可以将原先位于彩膜基板上的黑矩阵制作到阵列基板上，以增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
具体实施中，绝缘部件位于所述栅线和数据线的对应位置的任意一种实施方式均适用于本发明实施例，下面将对几种比较典型的情况进行介绍，需要说明的是，下面几种典型的情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。
1、绝缘部件与栅线和数据线完全重合。
较佳地，在与栅线完全重合的绝缘部件和与数据线完全重合的绝缘部件相互交叉时，与栅线完全重合的绝缘部件和与数据线完全重合的绝缘部件的交叉点处至少存在一层绝缘部件，即，与栅线完全重合的绝缘部件和与数据线完全重合的绝缘部件的交叉点处存在与栅线完全重合的绝缘部件和/或与数据线完全重合的绝缘部件。
比如，如图5A所示，s1、s2和s3为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2和s3与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C和D，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中；
其中，为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极c和d之间的电场干扰，绝缘部件m位于像素电极a和b之间（即，像素电极c和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件m与数据线d2完全重合；
为了减小相邻像素电极a和c之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极b和d之间的电场干扰，绝缘部件n位于像素电极a和c之间（即，像素电极b和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件n与栅线s2完全重合；
在绝缘部件m和绝缘部件n的交叉点处存在绝缘部件m和/或绝缘部件n。
实施中，绝缘部件与栅线和数据线完全重合时，若将绝缘部件直接作为黑矩阵，可以保证其具有很好的遮光效果和保护作用；而且，可以采用制作栅线和数据线的掩模板和类似工艺流程，制作绝缘部件，可以降低制作绝缘部件的复杂度和成本。
2、绝缘部件全面覆盖栅线和数据线。
比如，如图5B所示，s1、s2和s3为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2和s3与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C和D，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中；
其中，为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极c和d之间的电场干扰，绝缘部件m位于像素电极a和b之间（即，像素电极c和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件m全面覆盖数据线d2；
为了减小相邻像素电极a和c之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极b和d之间的电场干扰，绝缘部件n位于像素电极a和c之间（即，像素电极b和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件n全面覆盖栅线s2。
实施中，绝缘部件全面覆盖栅线和数据线时，若将绝缘部件直接作为黑矩阵，可以保证其具有很好的遮光效果和保护作用。
3、绝缘部件与栅线完全交叠、且绝缘部件的面积小于栅线的面积，以及绝缘部件与数据线完全交叠、且绝缘部件的面积小于数据线的面积。
比如，如图5C所示，s1、s2和s3为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2和s3与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C和D，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中；
其中，为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极c和d之间的电场干扰，绝缘部件m位于像素电极a和b之间（即，像素电极c和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件m与数据线d2完全交叠、且绝缘部件m的面积小于数据线d2的面积；
为了减小相邻像素电极a和c之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极b和d之间的电场干扰，绝缘部件n位于像素电极a和c之间（即，像素电极b和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件n与栅线s2完全交叠、且绝缘部件n的面积小于栅线s2的面积。
实施中，在采用本第3点中的绝缘部件时，可以依据栅线和数据线的位置设置绝缘部件，以降低制作绝缘部件的工艺难度。
4、绝缘部件与栅线和数据线部分交叠。
比如，如图5D所示，s1、s2和s3为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2和s3与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C和D，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中；
其中，为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极c和d之间的电场干扰，绝缘部件m位于像素电极a和b之间（即，像素电极c和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件m与数据线d2部分交叠、且与像素区域A和C部分交叠；
为了减小相邻像素电极a和c之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极b和d之间的电场干扰，绝缘部件n位于像素电极a和c之间（即，像素电极b和d之间）、且与像素电极a、b、c和d位于同一层，并且绝缘部件n与栅线s2部分交叠、且与像素区域A和B部分交叠。
需要说明的是，绝缘部件m也可以与数据线d2部分交叠、且与像素区域B和D部分交叠，另外，绝缘部件n也可以与栅线s2部分交叠、且与像素区域C和D部分交叠。
实施中，在采用本第4点中的绝缘部件时，可以依据栅线和数据线的位置设置绝缘部件，以降低制作绝缘部件的工艺难度。
5、绝缘部件分段设置于栅线和数据线的对应位置。
比如，如图5E所示，s1和s2为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1和s2与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A和B，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中；
为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰，绝缘部件m与像素电极a和b位于同一层、且位于数据线d2的对应位置；
其中，绝缘部件m包括3个子段，绝缘部件m的3个子段均匀设置于数据线d2的对应位置。
需要说明的是，图5E是对绝缘部件分段设置于数据线的对应位置的实施方式进行的介绍，绝缘部件分段设置于栅线的对应位置的实施方式与绝缘部件分段设置于数据线的对应位置的实施方式类似，在此不再赘述。
实施中，在绝缘部件分段设置于栅线和数据线的对应位置时，可以节省制作绝缘部件的成本和增加制作绝缘部件方法的灵活性。
二、绝缘部件位于像素区域内。
具体实施中，绝缘部件位于像素区域内的任意一种实施方式均适用于本发明实施例，下面将对几种比较典型的情况进行介绍，需要说明的是，下面几种典型的情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。
1、绝缘部件位于像素区域内、且位于像素电极的周围。
比如，如图5F所示，s1和s2为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1和s2与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A和B，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中；
为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰，绝缘部件m与像素电极a和b位于同一层、分别位于像素区域A和B内、且分别位于像素电极a和b的周围；从而实现了在相邻像素电极a和b之间设置了两层绝缘部件。
2、绝缘部件位于像素区域内、位于像素电极的两侧、且位于像素电极两侧的绝缘部件相互垂直。
比如，如图5G所示，s1、s2和s3为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2和s3与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C和D，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中；
为了减小相邻像素电极a和b之间的电场干扰、以及为了减小相邻像素电极a和c之间的电场干扰，位于像素区域A中的绝缘部件m包括第一部分m1和第二部分m2，m1和m2相互垂直，其中，m1位于像素电极a与像素电极c相邻的一侧，m2位于像素电极a与像素电极b相邻的一侧。
具体实施中，位于像素区域B、C和D中的绝缘部件的实施方式与位于像素区域A中的绝缘部件的实施方式类似，在此不再赘述。
3、绝缘部件位于像素区域内、位于像素电极的三侧。
比如，如图5H所示，s1、s2、s3和s4为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2、s3和s4与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C、D、E和F，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中，像素电极e位于像素区域E中，像素电极f位于像素区域F中；
以位于像素区域C中的绝缘部件为例，绝缘部件m包括第一部分m1、第二部分m2和第三部分m3，m1位于像素电极c与像素电极a相邻的一侧，m2位于像素电极c与像素电极d相邻的一侧，m3位于像素电极c与像素电极e相邻的一侧；其中：m1能够减小相邻像素电极c和a之间的电场干扰，m2能够减小相邻像素电极c和d之间的电场干扰，m3能够减小相邻像素电极c和e之间的电场干扰；
其中，位于像素区域A、B、D、E和F中的绝缘部件的实施方式与位于像素区域C中的绝缘部件的实施方式类似，在此不再赘述。
下面将以绝缘部件的下表面与像素电极的下表面的位置连接关系为分类依据，对本发明实施例的绝缘部件的上表面高于所述像素电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述像素电极的上表面的实施方式进行分类介绍。需要说明的是，下面几种情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。
一、绝缘部件的下表面与像素电极的下表面平齐。
比如，如图4A所示，绝缘部件40位于像素电极30之间、绝缘部件40的上表面高于像素电极30的上表面、绝缘部件40的下表面低于像素电极30的上表面、并且绝缘部件40的下表面与像素电极30的下表面平齐。
较佳地，绝缘部件和像素电极可以位于任一绝缘膜层上。
比如，如图4A所示，绝缘部件40和像素电极30位于第二绝缘层600上；或者，如图4B所示，绝缘部件40和像素电极30位于树脂平坦层400上。
二、绝缘部件的下表面低于像素电极的下表面。
比如，如图4C所示，绝缘部件40位于像素电极30之间、绝缘部件40的上表面高于像素电极30的上表面、绝缘部件40的下表面低于像素电极30的上表面、并且绝缘部件40的下表面也低于像素电极30的下表面。
三、绝缘部件的下表面高于像素电极的下表面。
比如，如图4D所示，绝缘部件40位于像素电极30之间、绝缘部件40的上表面高于像素电极30的上表面、绝缘部件40的下表面低于像素电极30的上表面、并且绝缘部件40的下表面高于像素电极30的下表面。
下面以第一透明电极为像素电极为例，对本发明实施例中的绝缘部件的形状进行说明，需要说明的是，在第一透明电极为公共电极时，本发明实施例中的绝缘部件的形状的实施方式与在第一透明电极为像素电极时，本发明实施例中的绝缘部件的形状的实施方式类似，在此不再赘述。
较佳地，本发明实施例中的绝缘部件的形状可以为任意形状，比如，规则形状或者不规则形状。
比如，如图5I所示，s1、s2和s3为栅线，d1、d2和d3为数据线，s1、s2和s3与d1、d2和d3相互交叉界定了像素区域A、B、C和D，像素电极a位于像素区域A中，像素电极b位于像素区域B中，像素电极c位于像素区域C中，像素电极d位于像素区域D中；
其中，位于像素电极a和b之间的绝缘部件m1的形状为规则的长条形，而位于像素电极a和c之间的绝缘部件m2的形状为不规则形状。
较佳地，绝缘部件为长条形，并且所述绝缘部件的横截面为矩形或者正梯形。
比如，如图5A所示，绝缘部件m为沿着数据线d2分布的长条形，如图6所示，绝缘部件m的横截面（即，图5A所示的阵列基板在BB′方向的截面图）为上底边短、下底边长的正梯形。
实施中，与将绝缘部件制作为其他形状的工艺难度相比，将绝缘部件制作为长条形在工艺上相对比较容易实现。
较佳地，绝缘部件的上表面与第一透明电极的上表面之间的距离值不小于1微米，则绝缘部件的厚度不小于1微米。
需要说明的是，本发明实施例中的绝缘部件的具体厚度只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。
实施中，在绝缘部件的上表面与第一透明电极的上表面之间的距离值不小于1微米时，可以提高减小相邻第一透明电极之间的电场干扰的效果。
较佳地，本发明实施例的阵列基板还包括彩色滤光层，其中所述彩色滤光层位于所述绝缘部件所在的膜层下方。
实施中，将原先位于彩膜基板上的彩色滤光层制作到阵列基板上，可以实现像素位置的自对准，从而实现简化加工过程、增大开口率、提高透过率、提高产品质量、以及降低成本；并且可以实现增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
较佳地，本发明实施例同时还提供了一种显示装置，包括上述技术方案所提的阵列基板。
该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述实施例，重复之处不再赘述。
实施中，显示装置包括的阵列基板的绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而显示装置包括的阵列基板的相邻第一透明电极之间的电场干扰可以有效减小，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
较佳地，本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，包括：
形成位于衬底基板上的每个像素区域内的第一透明电极、以及形成位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件；
其中，位于衬底基板上的多条栅线和数据线通过相互交叉以界定像素区域。
实施中，阵列基板还包括位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件，当驱动包含阵列基板的显示装置时，绝缘部件能够对第一透明电极的电场起到一定的阻挡作用，因而可以减小相邻第一透明电极之间的电场干扰，从而在一定程度上避免由于相邻第一透明电极之间的电场干扰引起的漏光和混色问题，提高包含阵列基板的显示装置的显示质量。
较佳地，所述绝缘部件的材料为不透光材料，并且将所述绝缘部件作为黑矩阵。
实施中，在减小阵列基板包含的相邻像素电极之间的电场干扰的同时，还可以将原先位于彩膜基板上的黑矩阵制作到阵列基板上，以增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
较佳地，在形成所述像素电极和绝缘部件之前，还包括：
形成位于所述绝缘部件所在的膜层下方的彩色滤光层。
实施中，将原先位于彩膜基板上的彩色滤光层制作到阵列基板上，以实现像素位置的自对准、简化加工过程、增大开口率、提高透过率、提高产品质量、以及降低成本；并且可以实现增加阵列基板的功能和降低彩膜基板的复杂度。
为了对本发明实施例的阵列基板的制作方法进行详细地说明，下面以一个具体的实施例对本发明实施例的阵列基板的制作方法进行介绍。
实施例一
在本发明实施例一中，第一透明电极为像素电极，第二透明电极为公共电极，并且，第一透明电极为狭缝状，第二透明电极为板状。
较佳地，本发明实施例的阵列基板的制作方法，包括：
步骤A1、在衬底基板上形成栅极和栅线；
其中，如图5A所示，形成的栅极1与栅线10相互连接。
步骤A2、在所述衬底基板上形成覆盖所述栅极和栅线的栅极绝缘层；
步骤A3、在所述栅极绝缘层上形成有源层；
其中，如图5A所示，形成的栅极1全部覆盖有源层2。
步骤A4、在所述有源层上形成源极、漏极和数据线；
其中，如图5A所示，形成的源极3和漏极4分别位于有源层两侧，并且源极3与数据线20相互连接。
步骤A5、形成覆盖源极、漏极和数据线的第一绝缘层；
上述步骤A1～步骤A5的具体制作过程为本领域技术人员所熟知，这里不再详细描述了。
步骤A6、在所述第一绝缘层上形成彩色滤光层；
具体实施中，可以采用制作位于彩膜基板上的彩色滤光层的类似方法，在阵列基板的第一绝缘层上制作彩色滤光层。
其中，图5A中AA＇向（即，相邻像素区域）截面图如图4A所示，栅极绝缘层200位于衬底基板100上，数据线20位于栅极绝缘层200上，第一绝缘层300位于数据线20上且全面覆盖数据线20，彩色滤光层700位于第一绝缘层300上。
步骤A7、在彩色滤光层上形成树脂平坦层；
其中，图5A中AA＇向（即，相邻像素区域）截面图如图4A所示，树脂平坦层400位于彩色滤光层700上。
步骤A8、在树脂平坦层上形成公共电极层；
其中，图5A中AA＇向（即，相邻像素区域）截面图如图4A所示，公共电极层500位于树脂平坦层400上。
步骤A9、在公共电极层上形成第二绝缘层；
其中，图5A中AA＇向（即，相邻像素区域）截面图如图4A所示，第二绝缘层600位于公共电极层500上。
上述步骤A7～步骤A9的具体制作过程为本领域技术人员所熟知，这里不再详细描述了。
步骤A10、在第二绝缘层上形成像素电极、以及位于相邻像素电极之间的绝缘部件。
其中，图5A中AA＇向（即，相邻像素区域）截面图如图4A所示，像素电极30和绝缘部件40位于同一层，并且绝缘部件40位于相邻像素电极30之间。
具体实施中，如图5A所示，像素电极30通过过孔5与漏极4连接。
实施中，以相邻像素电极之间的间距为9.2微米（即，d=9.2微米）为例，对本发明实施例中两相邻像素电极30之间设置有绝缘部件40，绝缘部件40与像素电极30同层，并且绝缘部件40位于数据线20的对应位置的阵列基板的漏光性进行测试，测试结果如图7所示，可以看出本来应该不偏转的液晶a未发生偏转，使得阵列基板在液晶a对应位置不漏光，即，本发明实施例的阵列基板的两相邻像素电极之间的电场干扰几乎可以忽略。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定像素区域的栅线和数据线、以及位于每个所述像素区域内的第一透明电极，其特征在于，还包括绝缘部件；
所述绝缘部件位于两相邻第一透明电极之间，所述绝缘部件的上表面高于所述第一透明电极的上表面，并且所述绝缘部件的下表面低于所述第一透明电极的上表面。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为狭缝状。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于每个所述像素区域内的第二透明电极；其中，所述第二透明电极为板状或者狭缝状。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二透明电极为板状时，所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于每个所述像素区域内的绝缘层；
所述绝缘层位于所述第一透明电极与所述第二透明电极之间，并且，所述绝缘部件位于所述绝缘层的上方或者下方。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二透明电极为狭缝状时，
所述第二透明电极与所述第一透明电极位于不同层，或者
所述第二透明电极与所述第一透明电极位于同一层、且所述第二透明电极和所述第一透明电极交叉排列。
7.如权利要求3～6任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极；或者，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部件位于所述栅线和数据线的对应位置。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部件为长条形，并且所述绝缘部件的横截面为矩形或者正梯形。
10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部件的材料为不透光材料，并且将所述绝缘部件作为黑矩阵。
11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部件的上表面与所述第一透明电极的上表面之间的距离值不小于1微米。
12.如权利要求1～6或8～11任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括彩色滤光层，其中所述彩色滤光层位于所述绝缘部件所在的膜层下方。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～12任一所述的阵列基板。
14.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
形成位于衬底基板上的每个像素区域内的第一透明电极、以及形成位于两相邻第一透明电极之间、上表面高于所述第一透明电极的上表面、且下表面低于所述第一透明电极的上表面的绝缘部件；
其中，位于衬底基板上的多条栅线和数据线通过相互交叉以界定像素区域。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述绝缘部件的材料为不透光材料，并且将所述绝缘部件作为黑矩阵。
16.如权利要求14或15所述的方法，其特征在于，在形成所述像素电极和绝缘部件之前，还包括：
形成位于所述绝缘部件所在的膜层下方的彩色滤光层。
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