TWI305015B - Heating device and coating and developing apparatus - Google Patents

Description

1305015 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於一種將被塗佈有塗佈液之基板予以加 熱處理之加熱裝置、以及包含該加熱裝置之塗佈顯影裝 置。 【先前技術】 作爲對於半導體晶圓（以下稱爲晶圓）以及LCD (液 晶顯示器）所用之玻璃基板而形成抗蝕劑圖案（resist pattern )之裝置，係爲使用對於晶圓塗佈抗蝕劑，再將曝 光後之晶圓予以顯像之塗佈顯像裝置。在該裝置內，係設 置有被稱爲烘乾（bake )裝置之加熱裝置，而將塗佈有例 如抗蝕劑液之晶圓予以加熱之裝置，而達到使抗蝕劑液中 之溶劑被乾燥之效果。 作爲該加熱裝置，本發明之發明者們，檢討著以下之 進行：以蓋子覆蓋將晶圓加熱之熱板之上方區域而形成氣 流之通路，自該通路之一側之開口而流至另一側，如此而 形成一方向流動之氣流以及進行加熱處理。藉由形成如此 之氣流進行加熱處理，而將來自抗蝕劑液所昇華之昇華物 作爲粒子而附著於晶圓W將爲減少。 圖16係表示形成該一方向流動之氣流之加熱裝置之 一個例子。圖中之元件10係爲框體，10a係爲晶圓之搬送 口，1 Ob係爲用爲將該晶圓搬送口予以開閉用之開閉門 (shutter)。且圖中標號11係爲基板，12係爲熱板，13 (2) (2)

1305015 係爲用以可在基板1 1上朝向熱板1 2側而移動 W用之冷卻板。在基板11處，係在熱板12之 供給部14，且在熱板之內側而設置有排氣部1 且在基板U之內部空間中，係設置有 16a、17a升降用之升降機構16、17，藉由升降 升降支桿16a以經由搬送口 10a而進入至框體 外部搬運機構（圖中未示）以及冷卻板13之 圓W，藉由升降機構17而升降支桿17a，而名 及冷卻板1 3之間傳送晶圓W。圖中之標號18 機構18a而可升降之蓋狀天板。 在如此之加熱裝置中，如圖1 7 ( a )所示 天板18而覆蓋熱板12而加熱該熱板至指定之 下，而將晶圓W傳送至冷卻板13處，接毫 (b )所示，使天板1 8上昇，而使冷卻板1 3 1 8與熱板12之間，而將晶圓W自冷卻板13 12。因此，如圖17 ( c )所示，冷卻板13退 12鄰接之位置，而使天板18下降至僅爲自熱右 位置。以此狀態下，自排氣部1 5而進行排氣 氣體供給部1 4而供給氣體，以在熱板1 2以及 間的空間處，而形成自氣體供給部1 4側而至捏 而流通的一方向流動之氣體流，而進行指定之 處理後之晶圓W，在使天板18上昇後而自熱枝 至冷卻板13，接著而自冷卻板13而傳送至圖 送手段，而被搬送至下一步驟。 以冷卻晶圓 前側設置有 5 〇 用爲使支桿 ，機構16而 [1〇內，在 間而傳送晶 ΐ熱板1 2以 係經由升降 ，首先，以 溫度之狀態 ί，如圖17 進入至天板 送入至熱板 回至與熱板 泛12上昇之 ，且藉由自 .天板18之 ，氣部1 5側 熱處理。熱 ί 12被傳送 中未示之搬 -6 - (3) (3)

1305015‘ 但是，在此加熱裝置中，對於冷卻板1 3 ’ 內部或是下面部而設置冷卻配管，而設置所ϋ 該冷卻配管中流通冷卻液之冷卻機構，因此β 10mm大小之厚度。因此，對於日版12與天 隔，因爲係以與冷卻板1 3之間隔而進行晶圓 此，冷卻板1 3之厚度，在考慮用爲傳送晶圓 空間之故，必須爲1 〇mm以上之間隙。但是 與天板1 8之間的間隙爲大時，外氣流將流 間，而造成氣流混亂，而在該一方向流動爲渭 於沿著該一方向流動的該昇華物之排出變得無 之故，因此自抗蝕劑液之昇華物而至晶圓W 變多。 因此，使該天板1 8構成爲自由升降，而 1 3間進行晶圓W之傳送時，使天板1 8上昇， 處理時使下降至指定位置，因此即使藉由該天 降而造成加熱裝置內之氣流混亂，但是該昇華 法完全進行，乃係造成晶圓W上之粒子附著之 但是，爲了使被裝入有加熱裝置之塗佈、 產能（throughput )提高，即使在加熱裝置中 個小時的時間處理個數爲高達200個之通過量 要求，因此需要盡量減少晶圓W之加熱處理 熱以外之作業時間（過頭時間）。但是，在上 置中，天板18之升降或是冷卻板13與熱板： 傳送乃爲必要，此些必要之時間造成過頭時間 例如係在其 使冷卻液在 卻板13爲 板12之間 之傳送，因 W用之淨空 ，當熱板1 2 入至該些之 亂。因此由 法完全進行 之附著量將 在與冷卻板 而在進行熱 板1 8之升 物之排出無 主因。 顯像裝置之 被要求在一 ，對應於此 以及取得粗 述之加熱裝 .2間之晶圓 ，結果造成 (4) (4)1305015‘ 產能低下。 因此’本發明人等係檢討：並非將晶圓W在冷卻板 1 3上而搬送至熱板12，而係自冷卻板1 3至熱板12以薄 形而有硬度之臂部進行，不需要熱板12之天板18之升 降，以及冷卻板1 3與熱板1 2之間之晶圓之傳送。且晶圓 W爲12英吋大小時，容易發生晶圓W之彎曲，對於將晶 圓W設置於熱板12上而進行熱處理，在將彎曲之晶圓W 載置於熱板12上時，由於會發生載置位置偏離或是晶圓 W掉下等之所謂搬送失誤之問題，因此，需要有可解決此 些問題之以薄形臂部而使晶圓W保持在自熱板浮出之狀 態下進行熱處理。關於以此種薄形硬度臂部而對於熱板而 搬送晶圓W之構成，係如曰本專利文獻1所述之藉由接 線（wire)而搬送之例子。 但是，在日本專利文獻1中，並無：關於適用於具有 冷卻板及熱板之加熱裝置，以及減低在晶圓W上之粒子 附著量之加熱裝置內之氣流之亂流的抑制，以及藉由臂部 而使晶圓W保持在自熱板而使浮起之狀態下而進行熱處 理，且完全未提及至熱板之晶圓傳送所要之過頭時間之減 少，即使在該日本專利文獻1之記載，仍無法解決本發明 所要解決之課題。 [專利文獻1]日本新型公開號昭62- 1 7 1 3 3號公報 【發明內容】 發明所要解決之課題 -8- (5) (5)1305015 本發明係在此情況下，目的在於在具有冷卻板以及熱 板之加熱裝置中，減少過頭之時間而提高產能，且減低在 基板上之粒子的附著量。 [用於解決該課題之手段] 因此，本發明之裝置，具有：設置於處理容器內，用 爲將基板加熱處理且在一側處爲搬入搬出基板而設置開口 之扁平加熱室；以將基板自上方側或是下方側而加熱之方 式，而在該加熱室上設置熱板；在該加熱容器內，以相鄰 接於該加熱室之開口側而被設置，用爲將藉由熱板而被加 熱之基板予以冷卻用之冷卻板；以及被設置於該處理容器 內，在冷卻板之上方側之位置以及加熱室之內部之間而搬 送該基板，並以在加熱室內將基板保持之狀態而進行基板 之加熱處理的一搬送手段。 作爲該搬送手段，而可具有：與例如基板之移動路徑 相交差的方向延伸以載置基板而搬送用之複數個接線；保 持該接線之兩端部之接線保持部；在冷卻板之上方位置處 與加熱室內之間搬送基板之方式而使接線保持部被移動之 移動機構。 且在該加熱終至中，較佳地係具有：在該冷卻板上被 形成之該接線可潛入之溝部；以及用爲將冷卻板上之基板 傳送至接線用之升降機構，其中該升降機構係對於接線而 相對地使冷卻板升降而使接線潛入至溝部而將接線上之基 板傳送至冷卻板而使接線自溝部而突出至上方。 -9- (6) (6)1305015‘ 且，作爲該搬送手段，亦可具有保持基板之之周緣部 爲厚度3mm以下之薄板構件，例如該薄板構件可具有： 具有沿著基板之周緣部之一部份之內周面之板構件；以及 自該板構件向內方突出而保持基板之內面側之周緣部之一 部份之複數個保持部。 即時在此情形中，具有有以下者亦可：被形成於冷卻 板，用爲使該保持部潛入之溝部；以及將冷卻板上之基板 傳送至薄板構件用之升降機構，其中該升降機構係對於保 持部而相對於冷卻板升降而藉由使保持部檢入而使薄板構 件上之基板傳送至冷卻板而使保持部自溝部而自上方薄 出。 在該加熱裝置中，對於該冷卻板，而自時基板被載送 之外部搬送機構而傳送至基板時，在該冷卻板之周緣部， 形成對應於外部搬送幾構形狀之切陷部，而使載送基板之 外部搬送機構進入至該冷卻板之上方側，而自該冷卻板之 上方側穿過下方側而使基板傳送至冷卻板，而自冷卻板與 搬送手段之間退下而進行。且被形成於該加熱室之一方側 用爲該基板之搬入搬出用之開口部之上下方向之高度較佳 係爲6mm以下。 本發明之塗佈、顯像裝置，係爲具有：儲存基板而使 載體被搬入搬出之載體區塊；一顯像處理部，包含有於自 該載體而被取出之基板表面上而塗佈抗蝕劑之塗佈部、將 塗佈有抗鈾劑之基板予以加熱之加熱裝置、使被加熱之基 板冷卻之冷卻部、將曝光後之基板予以顯像之顯像處理 -10- (7) 1305015 部；在該處理區塊與曝光裝置之間而進行基板之傳送之介 面部，使用上述之加熱裝置爲其特徵。 在以上之發明中，在以搬送手段而使基板被保持之狀 態下，而搬入至具有扁平空間之加熱室而進行原來的基板 熱處理，而在加熱室內不設置升降自在之蓋體，而不要有 將基板傳送至熱板之動作。因此不需要蓋體之升降或是與 熱板之間的基板傳送之作業時間，因此可減少過頭時間， 而可使產能向上。因爲使基板自熱板而被浮上之狀態而進 行熱處理，即時基板發生彎曲，也不會有將彎曲基板載置 於熱板上之動作，而不會有在基板彎曲下而搬送至熱板之 失誤發生，而可在安定狀態下而進行熱處理。 且，因爲不在加熱室而設置自由升降之蓋體，因此不 會發生由於蓋體之升降而造成加熱裝置內之亂氣流。如此 加熱裝置內之氣流不易爲亂，而可抑制由於氣流爲亂而對 於基板之粒子附著。 【實施方式】 [用爲實施本發明之較佳實施型態] 以下係作爲關於本發明之加熱裝置之實施型態之一 例，例如，將作爲塗佈液之塗佈抗蝕劑液塗佈於表面之基 板，即，晶圓W，予以加熱處理，而在該晶圓W表面上 形成抗蝕劑膜之加熱處理2，係參考圖1至圖7而說明。 且此晶圓W之大小係例如使用12英吋者，該加熱裝置 2，係如圖2所示，係具有構成處理容器之框體20 ’在框 -11 - (8) 1305015 體20之側壁處晶圓W之搬送口 21被打開，該搬送口 21 藉由開閉門21a而被作爲自由開閉。此開閉門21a在加熱 晶圓W時’經由搬送口 21而經由將外部氣體流入至框體 2〇內而防止形成於後述晶圓W周圍之氣體爲混亂的情 形’但是取代開閉門2 1 a而例如在搬送口 2 1附近設置氣 幕（air curtain )防止外部氣體流入亦可。 且’在框體20內之下部設置一基台22，將面向搬送 _ 口 2 1側作爲正面側時’在該基台2 2之正面側上係設置有 用爲冷卻晶圓W用之冷卻板3，內側係設置有用爲加熱處 理晶圓用之扁平加熱室4。面向該加熱室4之冷卻板3之 側面，係具有作爲用爲搬入搬出晶圓W之開口部4 1而打 開，該晶圓W藉由搬送手段5而在冷卻板3之上方側位 置以及加熱室4之間而被搬送，在該加熱室4內，以被該 搬送手段5保持之狀態而進行該加熱處理。 該冷卻板3係由鋁所構成，以與晶圓W略微相同直 φ 徑之略圓形板狀而形成，而在例如後述之溝部以外之區域 中，以4mm大小之厚度而被形成。且該背面側處，係例 如具有圖中未示用爲流動溫度調節水之冷卻機構，而將被 該冷卻板3所載置之晶圓予以粗冷卻之形式而構成。 且該搬送手段5係具備有與框體20之長度方向（圖 1、圖3中Y方向）之晶圓W移動路徑相交差之方向（圖 1、圖3中X方向）而延伸用以載置晶圓W而搬送複數個 (例如二個）之接線5 1 ( 5 1 A、5 1 B )。此接線5 1係由即 使在23°C至250°C下而熱處理晶圓W不會因爲熱而變形 -12- (9) (9)1305015 之耐熱性材質所構成，例如日本杜邦公司製克卜勒 (kepler )等之合成纖維、碳化鉀元素纖維（例如日本 Carbon公司製之 Nicaron等）、碳元素纖維（例如 TORAY公司所製）等之陶瓷纖維等，例如其直徑係使用 0。5mm程度之粗度。 如此之接線5 1 A、5 1 B，係具有較晶圓W或是冷卻板 3之直徑爲長，個別之兩端部係被一對之接線保持部52 (52A、52B ) 、5 3 ( 5 3 A、53B )所保持，此保持部 52、 53係藉由移動機構54，而以在冷卻板3之上方位置以及 加熱室4內之間搬送晶圓W而移動所構成。此處，如圖1 至圖3所示，係將接線51設置於冷卻板3側之位置作爲 主（home)位置。 該移動機構54，係如圖1至圖3所示係具有：被設置 於基台22之上部，沿著框體20之該Y方向延伸之一對導 引軌道55A、55B，自該搬送口 21處視之具有被一體安裝 於晶圓W之左右方向之一者之側處（右側）之接線保持 部52A、53A，沿著該導引軌道55A而移動之第一接線移 動構件5 6A自該搬送口 21視之而被一體安裝於晶圓W之 左右方向之另一側（左側）之接線保持部52B、53B，沿 著該導引軌道55B而移動之第二移動構件56B，將此些第 ―、第二接線移動構件56A、56B —體地沿著該導引軌道 55A、55B而移動之驅動部57。根據來自該控制部之指令 而使得驅動被控制。 且，對於該接線5 1，如圖4所示，設置有用爲限制晶 -13- (10) (10)1305015 圓W之載置位置之串珠係例如5 1 A、5 1 B而被個別二個設 置。該串珠構件5 8係以對應於晶圓W之周緣之四個處所 之位置而被接線5 1 A、5 1 B而設置，藉由將晶圓W設置於 串珠58之內側，而使晶圓W之周緣之四個處所之位置藉 由串珠構件58而決定位置，即使藉由接線51而移動時移 動中之晶圓W之載置位置不會偏離。且，在圖1至圖3 中，爲方便圖式而省略串珠構件58。 且，對於該冷卻板3，用爲潛入該接線51之溝部 3 1，係在搬送手段5位在該主位置時，而被形成於對應於 二個之接線5 1 A、5 1 B之位置處，該溝部3 1係被設置爲甚 至設置於接線5 1之串珠構件5 8也可潛入之大小。且，基 台22之內部之冷卻板3之下方側處，係設置有用爲升降 該冷卻板3用之升降機構32。在該升降機構32處例如被 連接有複數個之保持支桿33，該保持支桿33係藉由升降 機構32而經過被穿孔在基台22上之孔而可於基台22上 突起或下降。 藉由該升降機構32，該冷卻板3’對於接線51而可 相對地自由升降。藉此’冷卻板3對於接線51被相對升 降，藉由該接線51潛入於溝部31’接線51上之晶圓W 由冷卻板3承接，藉由接線5 1自冷卻板3之溝部3 1而拔 出至上方’而使冷卻板3上之基板傳送至接線51’且’冷 卻板3不爲升降’藉由升降接線51’而使冷卻板3相對於 接線51而自由升降之構成亦可。 且，冷卻板3之周緣部之例如爲4個處所時’如圖1 -14- (11) (11)1305015 以及圖3所示’面向該冷卻板3之中心部而形成切陷部 3 4。且該切陷部3 4 ’如後述’需要在外部之搬送機構以及 冷卻板3之間進行晶圓之傳送。在圖1中’爲了表示該切 陷部34，而將冷卻板3以較晶圓W爲大之方式而描繪。 此處，經由接線51 ’關於晶圓w之保持位置係被適 當選擇，在此例中，後述之外部搬送機構係在保持晶圓W 之位置之近旁處而使接線51保持晶圓W之方式而被設 定。因此在冷卻板3處’自搬送口 21側而視之’以結合 前側之二個切陷部3 4之方式而使對應於接線5 1 A之溝部 31被形成，而以連接後側之二個切陷部34之方式而對應 於接線5 1 B之溝部被形成。 該加熱室4，在其內部係進行晶圓W之加熱處理，而 以較晶圓W爲大之內部空間。此加熱室4係藉由例如厚 度爲3 mm程度之鋁（A1)或是不銹鋼等之傳熱性材料， 而在縱斷面而形成爲3字型，該開口部41之兩側的側壁 部42 ( 42A、42B )處，係個別形成有例如3mm程度之間 隙43 ( 43A、43B )，在該間隙43處而擠進有該接線 51A、51B。且該開口部41之上下方向之大小係被設定爲 6mm以下之大小，該內部處形成有扁平空間。 在該加熱室4之上部側以及下部側，係設置有氮化鋁 (A1N )或是碳化矽（SiC )所製之熱板44、45，熱板 44、45係由與例如晶圓w略同大小之圓板狀所形成。因 此’藉由該熱板44、45而加熱，而使該加熱室4之內部 被加熱。 -15- (12) 1305015 且，在基台22之加熱室4之前側處’係設置 吐出部2 3，在加熱室4之內部之後側處係設置有 46。且，圖1中係省略氣體吐出部23以及排氣部 氣體吐出部23以及排氣部46，在當晶圓W爲在力[ 內時，夾住晶圓W而被設置在前側以及後側，如 蓋晶圓W之直徑（寬度），且加熱室4之上板4A 板4B之間自前側而至後側，即，自晶圓W之一端 他端側流動，而可形成最好亦爲一個方向流動之氣 ’別設置。 該氣體吐出部23，係如圖5所示，係具有面 20之加熱室4之開口部41之斜面部，在該斜面部 多數個小孔係作爲吐出口 23 a而沿著框體20之寬 (圖中之X方向）而設置在個別一定之間隔。自該 23a之一端部而至他端部之長度係覆蓋住載置於加 內之晶圓W之直徑。在氣體吐出部23，經由供氣f | 閥VI，而往例如框體20之外部設置，而與儲存有 潔淨用氣體（例如氮化氣體等之非活性氣體）之氣 源24相連接。 且在該氣體吐出部23之內部，沿著寬度方向 傳熱板2 5，在該傳熱板2 5，沿著例如寬度方向設 隔而使複數之加熱管線2 5 a之一端被連接。各加 25a之他端係被熱板45連接，來自氣體供給源24 體供給管24a而供給至氣體吐出部23之內部空間 用氣體，藉由傳熱板25而被調溫至與晶圓W之加 有氣體 排氣部 46。該 熱室4 此而覆 以及底 側而至 流而個 向框體 處例如 度方向 吐出口 熱室4 ^ 24a > 清潔的 體供給 而設置 置有間 熱管線 經由氣 之潔淨 熱溫度 -16- (13) (13)1305015 (加熱時之晶圓W之表面溫度）相同之溫度，自吐出口 23a而被吐出。且，加熱潔淨氣體之手段，亦可係設置於 例如氣體供給管24 a之出口附近之加熱器。 晶圓W藉由加熱室4內之接線而在被保持狀態而被 保持，與熱板44、45非直接接觸，藉由熱板44、45，經 由以傳熱性材料所構成之加熱室4而自上下方向予以加 熱，且被加熱之潔淨氣體係沿著晶圓W表面而流動，以 預先設定之處理溫度而可加熱晶圓W。 排氣部46,係具有設置爲夾住設置於加熱室4之下部 側之熱板45而與該氣體吐出部23對向，而自加熱室4之 底板4B而面向加熱室4內。對於該些面部，例如多數個 小孔係作爲排氣口 46a而沿著加熱室4之寬度方向，而個 別設置一定之間隔，自該排氣口 46a之一端而至他端之長 度方向，係例如覆蓋晶圓W之直徑而構成。對於排氣部 46係被排氣管47連接，該排氣管47係往框體20之外部 而延伸，該端部係例如被工廠之排氣管路而連接。且對於 排氣管47經由電扇48，因爲該電扇48之轉動數被控制， 排氣部46係以例如預先設定之排氣量而自排氣口 46a而 進行加熱室20內之排氣。且，圖中之元件V2係經由排氣 管47的閥。 且本發明中，因爲藉由氣體吐出部23以及排氣部46 而儘可能形成所述之一方向流動，因此氣體吐出部23以 及排氣部46係不限定於該實施型態之構成。且，吐出口 23a以及排氣口 46a之形狀係不限於該例子，例如亦可設 -17- (14) (14)1305015 置沿著寬度方向之縫隙（slit )狀。 接著，說明關於接收冷卻板3之外部搬送機構6。該 搬送機構6係如圖6所示’而具有水平之馬蹄形狀之搬送 臂61以及保持搬送臂之搬送基體62。在搬送臂61之前 方，而形成有切陷部63。搬送臂61之內周面之大小’係 較冷卻板3之直徑爲若干的大而被形成。該內周面之下部 處，係設置有面向內面之四個突片 64’如圖 6(b)所 示，此些之突片64上係保持晶圓W。且，在圖6 ( b )之 冷卻板3中，係省略溝部3 1。 搬送臂61，係經由圖中未示之驅動機構而經由搬送基 體62而構成可自由升降以及自由進退，而於冷卻板處接 收晶圓 W時，首先將搬送手段5設置於主（home )位 置，而自冷卻板3以及接線51之間的位置而使搬送臂61 可後退，而使冷卻板3設置於接線51之上方側處。因此 而使保持晶圓W之搬送臂61經由該搬送口 21而進入至 框體20內之冷卻板3之上方側。此處，冷卻板3之外周 面之切陷部34，由於係設置於對應於個別搬送臂6 1之突 片64之位置，因此如圖6(b)所示搬送臂61，對於冷卻 板3而自上方覆蓋而下降，該搬送臂61通過冷卻板3之 下方側’搬送臂6 1上之晶圓W被冷卻板所傳送。傳送晶 圓W之搬送壁61下降至接線之上方側，前方之切陷部63 通過溝部3 1而後退至前方側而自框體20內而退出去。 接著，係說明關於加熱裝置2之構成構件之位置關 係’在此例中，接線51係不升降，因爲冷卻板3以升降 -18- (15) (15)1305015 方式而被設置，因此該加熱室4之高度位置，在保持晶圓 W之接線5 1原樣地進入，晶圓W藉由接線5 1而在被保 持之狀態下而進行熱處理之方式而被設定。例如使接線5 1 被保持之晶圓W被設置於加熱室4時，晶圓W係被設定 於與天板4A以及底板4B等間隔之位置處。且，如此所述 之接線5 1，係進入至加熱室4之側壁部42 A、42B之間隙 43A、43B。 且冷卻板3以及外部之搬送機構6之間處，係進行晶 圓W之接收。如此，搬送臂61係進入至冷卻板3之上方 側，因爲自冷卻板3以及接線51之間而退出去’因此溝 部3 1之深度以及搬入出口 21之大小被設定。即’溝部3 1 之深度，係爲形成爲使搬送臂61可在冷卻板3以及接線 5 1之間移動之程度。 且，搬送臂61之切陷部63以及突片64係被穿過去 冷卻板3之溝部3 1之方式，而使該切陷部63以及突片64 之大小以及冷卻板3之溝部3 1之位置（晶圓W之接線51 之保持位置）被設定。此處，如圖6 ( a )所示’在此例 中，如所述，使溝部被設置於冷卻板3之與搬送臂61之 進退方向相交差之方向而被設置之二個切陷部34同類者 相結合而被設置，因爲搬送臂61之突片64以及切陷部63 係以移動冷卻板3之切陷部34之僅其外側而構成，因 此，搬送臂61係與溝部31不相千擾’而通過冷卻板3之 下面以及接線5 1之間而可退出去。

且在該例子中，在接線5 1之接線保持部5 2 A、5 3 A -19 - (16) (16)1305015 之間，以及在接線保持部52B、53B之間處，係個別設置 有用爲塞住加熱室4之側壁部42A、42B之間隙43A、43B 用之遮蔽板5 8 A、5 8 B，如圖7所示，當接線5 1往加熱室 4側而移動時，藉由該遮蔽板58A、58B而使加熱室41之 側壁部42A、42B之間隙43A、43B被塞住。該遮蔽板 58 A、58B係藉由例如不銹鋼、鋁、陶瓷等之材料而形成 覆蓋該間隙43 A、43B之大小。 接著，說明關於裝設於該加熱裝置4中之控制部。該 控制部，係具有例如由構成電腦之程式儲存部，在程式儲 存部中，係儲存有由用以實施後述之該加熱裝置之作用 (即，晶圓W之處理、晶圓W之接收、晶圓W之加熱以 及氣流之控制等）之命令所組成之例如由軟體所構成之程 式。因此，該程式藉由自控制讀出而使控制部控制該半導 體製造裝置之作用。且，該程式係以在例如硬碟、光碟、 磁性光碟等之記憶媒體所儲存之狀態而儲存程式儲存部。 接著，說明關於該加熱裝置2之作用。首先，藉由外 部之搬送機構6，經由搬送口 21而在框體內而在表面上搬 入塗佈有抗蝕液之晶圓W，經由冷卻板3而將晶圓傳送至 接線51。結果，如圖8(a)所示，首先，在將搬送手段5 設置於該主位置之後，使冷卻板3上昇，而在冷卻板3之 下面部與接線51之間，而形成外部之搬送機構之搬送臂 61之通路。接著，如圖8(b)、圖8(c)所示，將用爲 保持晶圓W之搬送臂61送入至冷卻板3之上方側，接著 予以下降，而使晶圓傳送至冷卻板3。接著，將搬送臂61 -20- (17) (17)1305015 退至冷卻板3之下面部與接線5 1之間的位置。之後，如 圖8(d)、圖9(a)所示，下降冷卻板3，而將冷卻板3 上之晶圓W由接線5 1接收。此時，晶圓W在設置於接線 51之串珠構件58之內側處而設置周緣部之方式而被載 置，因此，在以串珠構件5 8而決定位置之狀態下而在接 線5 1上保持。 接著，如圖9(b)、圖9(c)所示，在接著下降冷 卻板3之後，將用爲保持晶圓W之接線51朝向加熱室4 側而移動，而將晶圓W搬送至加熱室4內。加熱室4 內，在藉由接線51而搬送晶圓W爲止，係藉由熱板而加 熱，而爲例如l〇〇°C之程度。 如此，在將晶圓W藉由接線5 1而以被保持之狀態而 搬入至加熱室4時，閥VI被打開，而自氣體供給源24而 將潔淨用氣體供給至供給管24a。該潔淨用氣體，在吐出 部23以約爲100°C而加熱，而自吐出口 23a而朝向加熱室 4之天板4A吐出。在自該排氣部46處而吐出潔淨用氣體 被開始之略微開始時，閥V2打開，藉由電扇48轉動而進 行來自排氣部46之排氣。如此在圖5中，如箭頭所示’ 自吐出部23所被供給之潔淨用氣體在加熱室4之天板4A 以及底板4 B之間而由前側流動至後側’而在通過晶圓W 之周圍之後，而流入至排氣部46’而往加熱室4、框體20 之外處而除去。即，如圖中箭頭所示熱板44、45之熱的 周圍，而被形成爲一個方向的流動。如此’藉由熱板44、 45之熱以及一個方向流動，而進行塗佈晶圓w之抗蝕液 -21 - (18) 1305015 之加熱，而進行乾燥’而在晶圓W上形成抗触膜。如 此，而在對於晶圓在例如一定時間下進行供給潔淨用氣體 之供給之後，而停止藉由排氣部46而在氣體供給源24之 潔淨用氣體之供給以及排氣。 接著，在藉由接線5 1而將晶圓W搬送至該主位置之 後，上昇冷卻板3，使與冷卻板3以及晶圓W之下面部接 觸，而在冷卻板3上面部以及晶圓W之下面部之間’以 | 形成例如〇。1 mm之程度之間隙之狀態’而藉由冷卻板將 晶圓W冷卻，而進行晶圓W之粗熱的得到。因此’在結 束取得粗熱之後，經由冷卻板3而將晶圓W傳送至外部 搬送機構6，而搬送至框體20之外部。 此處，自冷卻板3而送至搬送機構6之晶圓W之傳 送，係與自搬送機構6而將晶圓W送入至冷卻板3之爲 相反的動作而進行。例如，在用爲保持晶圓W之冷卻板3 之下面部與接線51之間，使搬送機構6之搬送臂61進 g 入，接著，藉由搬送臂61上升至冷卻板3之上方側爲 止，而在搬送臂61上而自冷卻板3而接收晶圓 W，接 著，在冷卻板3之上方側將用爲保持晶圓W之搬送必退 下而進行。 使用加熱裝置2，係以在接線5 1上保持晶圓W之狀 態，而進行.搬入至具有扁平空間之加熱至之晶圓W之熱 處理，在加熱室4中，係不設有可自由升降之蓋體，或是 不傳送至熱板，因爲自熱板而隔離晶圓 W以進行熱處 理，因此不需要將晶圓傳送至熱板之動作。 -22- (19) (19)1305015 因爲變得不需要蓋體之升降動作以及與熱板之間的晶 圓W之傳送動作之作業時間，因此可減少如此之過頭時 間，而可得到產能之增加。此處因爲至熱板之搬送手段之 晶圓W之接收動作，係將構成自由升降之保持支桿予以 對於熱板表面而設置爲自由突出降下，藉由下降保持支 桿，而進行將保持支桿上之晶圓W傳送至熱板。於是， 動作步驟爲多，藉由不需要此些步驟，可減少過頭時間。 在此例子中，因爲在加熱室4之上部側以及下部側處 設置有熱板44、45，而可對於加熱室4內之晶圓W自加 熱室4之上下而加熱，此時加熱室4係爲扁平，因爲上下 之熱板44、45與晶圓W之距離爲小，因此晶圓W快速昇 溫，藉此減少晶圓W被加熱至所要之問度之時間，而可 減少過頭時間。 且，在接線5 1上保持晶圓W之狀態下，而不傳送至 熱板45，因爲以自熱板45而移上晶圓W之狀態下而進行 熱處理，因此即使對於晶圓不正常地發生，不會有將不正 常晶圓W搭置於熱板45上之動作，而不會害怕發生晶圓 W之不正常原因所造成之晶圓W之搬送錯誤，而可在安 定狀態下而進行熱處理。 且，爲了不需要至熱板之晶圓W之傳送動作，對於 加熱室4內之上下方向之大小，不需要使爲了傳送用之淨 空區域爲容易之必要，加熱室4內，因爲保持晶圓W之 接線51進入部分之高度爲高的話爲佳，因此可使加熱室4 內之內部空間爲扁平的設置，該開口部4 1之間隙可爲 -23- (20) (20)1305015 /J、0 在加熱裝置中，如前述，因爲在加熱室4內係不設置 有可自由升降的蓋體，因此不會發生由於蓋體升降所造成 之加熱裝置2內之亂氣流發生。因此，不容易使加熱裝置 2內之氣流爲亂，而可良好地進行該氣流之控制。因此， 在形成上述之一個方向流動之加熱裝置中，因爲可抑制亂 氣流而可形成該一個方向之流動，結果該昇華物沿著氣流 而飛散，而自排出口排出。因爲昇華物隨著氣流而流出而 完全排出，而可抑制朝向晶圓W之粒子附著。此時，加 熱室4之開口部41雖然係常時開放，但是該開口部41在 上下方向之大小爲6mm以下，因爲間隙爲薄，難發生亂 氣流，而可形成所要之氣流。 且，因爲不進行藉由搬送手段將晶圓W傳送至熱 板，由此點，可防止加熱室4內之亂氣流之發生。即，對 於由上述在當藉由搬送手段將晶圓W傳送至熱板，進行 保持支桿之升降等之一連串動作，該動作將發生亂氣流， 而不進行搬送動作，可防止亂氣流之發生。 且因爲不需要蓋體之升降、用爲將晶圓W傳送至熱 板用之驅動機構，相較於使蓋體升降、將晶圓W傳送至 熱板之情形，驅動系統較少而較容易控制，此外，可節省 空間。且此時，對於冷卻板3，對應於外部搬送臂61之形 狀而形成切陷部3 4，而使搭載晶圓W之爲不搬送臂6 1金 入至該冷卻板3之上方側，接著，藉由自該冷卻板之上方 側而穿過下方側而將晶圓W傳送至冷卻板3之構成，而 -24 - (21) 1305015 銷較於設置有用爲在外部搬送機構6與冷卻板3之間之晶 圓W之傳送用之可升降用之保持支桿的情形，可減少驅 動系統，並節省空間。 接著’說明關於本發明之其他實施型態。本阿名之搬 送手段’亦可具有用爲保持例如晶圓W之圓周部之厚度 爲3mm以下之薄板構件，例如在此例中，作爲該薄板構 件，使用如圖1 〇所示之臂板7。此臂板7係具有：由例如 陶瓷以及碳元素材料等組成而在23°C至25 0°C之溫度下而 I 進行加熱處理而不會變形之剛型材料所構成之具有沿著晶 圚W周緣部之圓弧的板構件71、在該板構件71之內周中 自下部而面向內方向而突出之用以保持晶圓W之圓周部 之內面側之一部份的複數個保持部72。 該板構件71，係如圖1 〇所示，在於該主位置時，圓 弧狀之內面係較晶圓W與冷卻板3之圓周部爲外側之位 置，該板構件7 1之內周部之大小，係較冷版3之直徑爲 若干大地而被形成，在此例中，該保持部72係在例如與 ® 前述之實施型態之接線51約爲相同之位置處，而於在主 位置時，對應於形成於冷卻板3之四個之切陷部34之位 置處被設置。此臂板7係如圖1 1所示，板構件71之厚度 係爲lmm之程度，而保持部72之厚度係爲0。5mm之厚 度，載置於保持部之晶圓W，藉由板構件71之內周面而 被規定其位置。 且，冷卻板3，係形成有可潛入該保持部之大小之溝 部70，冷卻板3係藉由與上述實施型態相同之升降機構 -25- (22) 1305015 32，而對於臂板7而相對地自由升降而構成，保持部72 藉由檢入至溝部70而將保持部72上之晶圓W傳送至冷 卻板3，保持自72藉由自溝部70之上方拔出而可將冷卻 板3上之晶圓傳送至保持部72。且在冷卻板3上形成之溝 部70，係以可在冷卻板3之下面與保持部72之間使搬送 臂61通過之程度的深度而被設定。 且臂板7，係藉由與接線51約爲相同之機構，而可在 冷卻板3之上方側與加熱室4之間移動而構成。如圖10 B ( b )所示之移動機構之一部份，藉由驅動部，個別沿著 導引軌道 55A、55B而移動之一對移動構件 73A、73B (73B在圖中未示）而一體性地移動。且，圖中之58A、 58B係爲遮蔽材料，臂板7在被移動至加熱室4時，而覆 蓋加熱室4之側壁部42A、42B之間隙43 A、43B。且，在 此例中，該間隙43 A、43B係被形成爲臂板7之板構件71 爲進入之程度的大小。關於以些以外之部分，係與上述實 g 施型態相同。 且，在本例中，藉由與外部之搬送機構6與冷卻板3 之間而進行晶圓W之傳送，在冷卻板3之之周緣部處， 而形成有符合搬送臂6 1之形狀之切陷部34，經由運送晶 圓W之搬送臂61而傳送基板至冷卻板3時，該搬送臂61 進入至該冷卻板3之上方側，接著，搬送臂61藉由該冷 卻板3之上方側而通過下方側而將晶圓傳送至冷卻板3， 並藉由在冷卻板3與臂板7之間而退下所構成。即，搬送 臂61之切陷部63以及突片64，藉由通過冷卻板3之溝部 -26- (23) 1305015 70之外側而被設置該切陷部63以及突片64之大小以及 卻板3之溝部70之位置（保持部72之位置及其大小） 因此在此例中，在進行晶圓W之熱處理時，首先 由外部之搬送機構6，而使作爲熱處理對象之晶圓W經 冷卻板3而傳送至臂板7。即，首先將臂板7設置於該 位置，而上昇冷卻板3，而在冷卻板3與保持部72之間 而形成外部之搬送機構之搬送臂61之通路’接著在將 爲保持晶圓W之搬送臂61予以進入至冷卻板3之上方 之後而使之下降，而將晶圓W送入至冷卻板3 ’接著， 搬送臂61退後至冷卻板3與保持部72之間的位置，而 由搬送機構6而將晶圓W傳送至冷卻板3。

之後，使冷卻板3進一步被下降，而將冷卻板3上 晶圓W傳送至保持部72。因此在使冷卻板3進一步被 降之狀態下而使用爲保持晶圓W之臂板7往加熱室4 動，而將晶圓搬送至加熱室4內。如此而在加熱室4內 臂板7而保持晶圓W之狀態下而進行預定之熱處理， 在熱處理終了之後，藉由臂板7而將晶圓W搬送至冷 板3之上方側之該主位置，而使冷卻板3上昇’而使冷 板3與晶圓W下面部相接觸，而在冷卻板3之上面部 晶圓W之下面部之間，以形成例如〇。1 mm之程度的間 之狀態，而藉由冷卻板3而冷卻晶圓W ’以進行晶圓 之粗熱取得。因此，在粗熱取得終了之後，經由冷卻板 而將晶圓W送入至外部搬送機構6，而搬送至框體20 外。此處，自冷卻板3而送入至搬送機構6之晶圓W 冷 〇 藉 由 主 ， 用 側 使 藉 之 下 移 以 而 卻 卻 與 隙 W 3 之 之 -27- (24) (24)1305015 傳送，係與自搬送機構6而傳送至冷卻板3之晶圓傳送爲 相反動作而進行。 即使在本例子中，因爲係以將晶圓W於臂板7上而 被保持之狀態而於加熱室4內進行熱處理，因此與該實施 型態相同，不需要蓋體之升降、至熱板之晶圓W之傳送 之作業，因爲不需要此些蓋體之升降以及至熱板之傳送作 動之時間，因此可減少過頭時間，而可使產能增加。 且，由於不需要傳送熱板，在自熱板而使晶圓W上 浮而進行熱處理之後，即使發生不正常之晶圓，亦可在安 定狀態下而進行熱處理。且，在進行晶圓 W之熱處理 時，因爲不需要有蓋體之升降、至熱板之晶圓W之傳送 動作，因此可抑制成爲此些原因之加熱裝置2內之氣流混 亂之發生，而可完全排出昇華物，而可抑制至晶圓W之 粒子附著。 在以上中，藉由本發明之加熱裝置，而交互設置例如 加熱室4以及冷卻板3，藉由例如共通之搬送手段’而使 晶圓W經由：加熱室4—冷卻板3 —加熱室4之順序，而 交互搬送亦可。此時，在加熱室4內，藉由搬送手段而以 被保持之狀態而進行加熱處理，藉由冷卻板3，而在以搬 送手段而保持之狀態下而進行晶圓W之粗熱取得°如此 而可使晶圓W內之熱經過較爲平均。 以上所述，本發明之加熱裝置2中，搬送手段5係設 置於冷卻板3之間而可相對地自由升降，對於冷卻板3而 可進行晶圓W之傳送，且可在冷卻板3與加熱室4之間 -28- (25) (25)1305015 搬送晶圓W，且，在加熱室4內以保持晶圓W之狀態而 進行熱處理，而亦有可在冷卻板3與外部之搬送機構6之 間而進行晶圓之傳送，搬送手段5之形狀，並不限於上述 之形狀。即，在搬送手段5具有接線51之情形中，接線 51爲而二個以上亦可，而在搬送手段5具有臂板7之情形 中，板構件71以及保持部72之形狀以及保持部72之數 目可被適當之選擇。 且，在冷卻板3與外部之搬送機構6之間進行晶圓W 之傳送，係如圖1 2 ( a )所示，係藉由升降機構75而使用 自由升降之保持支桿75a，而在使支桿51以及保持部72 自冷卻板3表面而不突出之狀態下，而使該保持支桿75 a 自冷卻板3表面而突起下降。圖12中之76，係爲冷卻板 3之升降機構。 此時，搬送手段5在設置於該主位置時，只要用來保 持搬送手段5之晶圓W之例如接線5 1或臂板7之保持部 72與保持支桿75a之升降不會有干擾而構成，如圖12 (c)所示，將冷卻板3設置於支桿51或是保持部72之 下方側之狀態下，而藉由使保持支桿75 a自支桿51或是 臂板7而突起下降，而在直接外部之搬送機構6與支桿51 或是臂板7之間而進行晶圓W之傳送亦可。 且，如此在藉由升降機構75而在冷卻板3與外部之 搬送機構6之間使晶圓W之傳送爲自由升降之保持支桿 75a而進行時，作爲搬送手段，係可使用具有用爲保持晶 圓W之內面側全體之薄板材料之構成。 -29- (26) (26)1305015 且，在冷卻板3處取代設置溝部3 1、7 0，而如圖1 3 所示，，而在冷卻板3處設置使支桿5 1以及保持部72通 過之孔部77，經由該孔部77而使支桿51或是保持部72 對於冷卻板而升降，而在冷卻板3與搬送手段5之間而進 行晶圓W之搬送亦可。 且，在本發明之加熱裝置中，被設置於加熱室4之熱 板係設置於加熱室4之上方側以及下方側之任一方亦可。 且本發明，係具有形成一個方向流動之氣流之加熱裝置以 外的冷卻板以及加熱室，而在此些之間而對於進行晶圓W 之搬送之加熱裝置亦可適用。 接著，係參考圖14與圖15而簡單地說明關於在組成 該塗佈裝置之塗佈、顯像裝置中連接曝光部（曝光裝置） 之抗蝕圖案形成系統之全體構成。圖中B1係爲使例如爲 晶圓W之基板係爲載體載置部，用以使基板（例如晶圓 W)被例如密閉儲存13個之載體8予以搬入搬出，而被 設置有：複數並排載體8之載置部8 0a而可載置之載體站 8〇、自該載體站80而視之而設置於前方之壁面的開閉部 81、自該開關部而自載體8用爲將晶圓W取出用之傳送 手段A1。 該載體載置部B 1之內側處，係連接有對於框體82而 圍住周圍之處理部B2，對於該處理部B2係將自己側起接 續加熱、冷卻系統單元予以多段化之架子單元U1、U2、 U3，以及進行在此些架子單元U1至U3以及液體處理單 元U4、U5之各個單元間之晶圓以傳送之主搬送手段A2、 -30- (27) 1305015 A3，予以交互配列而設置。即，架子單元Ul、U2、U3 及主搬送手段A2、A3,係自載體載置部B1視之而前後 列地被配列，各個之連接部位處係形成圖中未示之晶圓 送用之開口部，晶圓W係自一端側之架子單元U1而至 端側之架子單元U3而將處理部B2可自由地移動。 該架子單元U 1、U2、U3係由用以對於液體處理單 U4、U5而被進行處理之前處理以及後處理之各種單元 以複數成段（例如1 〇段）而層積所構成，此組合係 含：傳送單元、排水化處理單元（ADH )、用以將晶圓 調整爲指定溫度用之調溫單元（CPL )、抗蝕液之塗佈 用以進行所謂晶圓W之加熱處理之預烘單元之加熱單 (PAB )、對於顯像處理後之晶圓進行加熱處理之所謂 烘單元之加熱單元（POST )等。本發明之加熱裝置2 由加熱單元（PAB )所組成。 且液體處理單元U4、U5，係如圖15所示，而由反 防止膜塗佈單元（BARC )、對於晶圓W塗佈抗鈾劑之 佈單元（COT )、對於晶圓W供給顯像液體而進行顯像 理之顯像單元（DEV)等之複數段（例如5段）而層積 成。 在該處理部B2中，在架子單元U3之內側處，經由 面部B3而使曝光部B4被連接。該介面部B3，係藉由 處理部B2以及曝光部B4之間而前後設置之第一搬送 83以及第二搬送室84而構成，具有：個別自由升降以 在垂直軸周圍而自由迴轉且自由進退之第一搬送臂85 以 搬 他 元 予 包 W 後 元 後 係 射 塗 處 構 介 在 室 及 以 -31 - (28) (28)1305015 及第二搬送臂86。且’在第一搬送室83處，係設置有： 例如傳送單元、高精密度調溫單元（C P L )、以及將晶圓 予以進行後曝光熱烘處理之加熱/冷卻單元（PEB )等而上 下層積而被設置之架子單元U6。 在如此之抗蝕圖樣形成系統中，而說明關於晶圓W 之流動之一個例子時’被載置於載體載置部B1之載體8 內之晶圓W，係以：調溫單元（CPL )—反射防止膜形成 單元（BARC)—加熱單元（BAKE)—調溫單元（CPL) 4塗佈單元（COT )—加熱單元（PAB )—曝光部B4之路 徑而搬送，此時而進行曝光處理。曝光處理後之晶圓W， 係經由加熱單元（PEB )—高精密度調溫單元（CPL )— 顯像單元（DEV )—加熱單元（POST )—調溫單元 (CPL)—載體載置部B1之載體8之路徑而被搬送。 本發明除了被塗佈抗蝕液之晶圓W之加熱處理（熱 烘處理）之外，亦可適用於曝光處理後之加熱（PEB )或 是顯像處理後之加熱處理等。且，本發明除了半導體晶圓 W之爲，亦可適用於例如LCD基板、遮罩基板等之處 理。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之加熱裝置之一實施型態之側視 圖。 圖2係表示該加熱裝置之切面圖。 圖3係表示該加熱裝置之平面圖。 -32- (29) (29)1305015 圖4係表示被使用於該加熱中內之串珠構件之側視 圖。 圖5係表示使用於該加熱裝置內之加熱室之切面圖。 圖6係表示用爲在該搬送該加熱裝置內搬送晶圓W 用之外部搬送機構、設置於加熱裝置內之冷卻板之平面圖 以及側視圖。 圖7係被使用於該加熱裝置內之遮蔽構件之側面圖。 圖8係用爲說明該加熱裝置之作用用之步驟圖。 圖9係用爲說明該加熱裝置之作用之步驟圖。 圖1〇係表示本發明之加熱裝置之其他例的平面圖。 圖Η係表示設置於該加熱裝置內之臂板之側面圖。 _ 12係表示本發明之加熱裝置之進一步之其他例之 切面圖。 β 13係表示本發明之加熱裝置之進一步其他例之切 面圖。 ® 1 4係表示該加熱裝置被組合之抗鈾圖樣形成裝置 之一例的平面圖。 ® 1 5係表示該抗蝕圖樣形成裝置之一例的側視圖。 ® 16係表示習知之加熱裝置之切面圖。 ® 係用爲說明習知之加熱裝置之作用之工程圖。 【主要元件符號說明】 W :半導體晶圓 2 :加熱裝置 -33- (30) 1305015 20 :框體 3 :冷卻板 31，70 :溝部 3 4 :切陷部 4 :加熱室 41 :開口部 4 4，4 5 :熱板

5 :搬送手段 5 1 :接線 52，53 :接線保持部 54 :移動機構 55 :導引軌道 61 :搬送臂

7 :臂板 7 1 :板構件 72 :保持部 -34

Claims (1)

1. (1) (1)1305015 十、申請專利範圍 1. 一種加熱裝置，具有： 設置於處理容器內，用爲將基板加熱處理且在一側處 爲搬入搬出基板而設置開口之扁平加熱室； 以將該基板自上方側或是下方側加熱之方式，而在該 加熱室上設置熱板； 在該處理容器內，以相鄰接於該加熱室之開口側而被 設置一用爲將以熱板而加熱之基板予以冷卻用之冷卻板； 以及 被設置於該處理容器內，在冷卻板之上方側之位置以 及加熱室之內部之間而搬送該基板，並以在該加熱室內將 基板保持之狀態而進行基板之加熱處理的一搬送手段。 2. 如申請專利範圍第1項之加熱裝置，其中該搬送手 段係具有在交叉於基板之移動路徑之方向延伸，將基板載 置而搬送之複數條接線。 3 .如申請專利範圍第2項之加熱裝置，其中該搬送手 段係具有： 保持該接線之兩端部之接線保持部；以及 在冷卻板之上方位置與加熱室內之間搬送基板之方式 而使接線保持部被移動之移動機構。 4.如申請專利範圍第2或3項之加熱裝置，其中該加 熱裝置具有： 在該冷卻板內被形成而用爲使該接線潛入之溝部；以 及 -35- (2) (2)1305015 使冷卻板相對於接線而升降，而以將接線穿過於溝部 之方式，而將接線上之基板傳送至冷卻板，而以接線自溝 部而抽出至上方之方式而將冷卻板上之基板傳送至接線的 一升降機構。 5. 如申請專利範圍第1項之加熱裝置，其中該搬送手 段係具有將基板之周緣部保持在厚度3mm以下之薄板構 件。 6. 如申請專利範圍第5項之加熱裝置，其中該薄板構 件係具有： 板構件，具有沿著基板之周緣部之一部份的內周面； 以及 自該板構件而向內突出而將基板內面側之周緣部之一 部份予以保持之複數個保持部。 7 .如申請專利範圍第6項之加熱裝置，其中該加熱裝 置具有： 被形成於該冷卻板內而用爲使該保持部潛入之溝部； 以及 使冷卻板相對於保持部而升降’而使保持部潛入溝部 之方式，而將保持部上之基板傳送至冷卻板，而將保持部 自溝部而抽出至上方之方式’而將冷卻板上之基板傳送至 保持部的一升降機構。 8.如申請專利範圍第1至3項中任一項之加熱裝置’ 其中該加熱裝置具有： 在該冷卻板之周緣處’形成有對應於外部搬送機構之 -36 - (3) (3)1305015 形狀之切陷部； 自載送基板之外部搬送機構而將基板傳送至冷卻板 時，使載送該基板之外部搬送機構進入至該冷卻板之上方 側，並自該冷卻板之上方側穿過下方側而將基板傳送至冷 卻板，並自冷卻板與搬送手段之間退下。 9 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之加熱裝置， 其中：被形成於該加熱室之一方側而用爲使該基板搬入搬 出用之開口之上下方向之高度係爲在6mm以下。 1 〇 . —種塗佈顯像裝置，其特徵係使用如申請專利範 圍第1至3項中任一項之加熱裝置而作爲加熱裝置，該塗 佈顯像裝置係具有： 儲存基板，而將載體搬入搬出之載體區塊； 處理區塊，係包含：自該載體而將抗蝕劑塗佈於被取 出之基板表面之塗佈部，以及將被塗佈抗蝕劑之基板予以 加熱之加熱裝置，以及將被加熱之基板冷卻之冷卻部，以 及將曝光後之基板予以顯像之顯像處理部；以及 在該處理區塊以及以及曝光裝置之間而進行基板之傳 送之介面部。 -37-