CN111221226A - 光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置 - Google Patents

光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置 Download PDF

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CN111221226A CN201811428903.4A CN201811428903A CN111221226A CN 111221226 A CN111221226 A CN 111221226A CN 201811428903 A CN201811428903 A CN 201811428903A CN 111221226 A CN111221226 A CN 111221226A
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Abstract

本发明提供了光刻胶层的曝光后烘烤方法和烘烤装置，曝光后烘烤通过采用反面烘烤(朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面)或双面烘烤方式来改善或控制光刻胶层顶部和底部的PAC分布，进而影响光刻胶层不同区域的显影速率，最终改变负胶沟槽形貌，以使负胶沟槽开口减小的同时侧壁角不增大，即保证后续对所述光刻胶层执行显影工艺所得到的负胶沟槽始终为正梯形沟槽，解决了缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题。

Description

光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及光刻胶层的曝光后烘烤方法及装置。
背景技术
当前，LED芯片电极层的制作普遍采用Lift-Off工艺，即金属剥离工艺。首先通过光刻形成沟槽，其次采用蒸发设备蒸发金电极，最后通过超声震荡、白膜剥离，将沟槽的金留下，光刻胶阻挡的部分的金属去除。由于蒸发角度与衬底不是垂直关系，为防止蒸镀过程中光刻胶沟槽顶部、侧壁、底部镀金相连导致无法剥离，要求光刻胶膜厚要比金属膜厚大且光刻胶沟槽为“负胶沟槽”，其中， LED芯片的电极宽度由沟槽顶部开口决定。
由于电极遮光，因此在提升LED亮度的措施中一条很重要的方法就是发展细电极以提升负胶沟槽的分辨率，从前些年电极线宽4um、3um到现在开始要求2.5um、2.0um、1.5um，甚至更小。对于一定厚度的光刻胶，侧壁角变大和分辨率提升是一种同步关系，LED电极金属剥离工艺中，负胶沟槽顶部开口宽度限制了电极线宽，而沟槽侧壁角则决定金属剥离难度，因此在向细电极发展过程中怎样保持负胶沟槽顶部开口减小的同时侧壁角不增大是核心问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，以解决缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，所述方法包括：
对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面对所述光刻胶层进行烘烤。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，通过一上热板对所述光刻胶层进行烘烤，烘烤时，所述上热板位于所述光刻胶层的顶面的上方且与所述光刻胶层的顶面保持设定距离。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述上热板和所述光刻胶层的顶面之间的距离为0.08mm～0.2mm。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，对所述光刻胶层进行烘烤时，所述衬底通过升降柱放置在一具有吸附槽的载盘上，并通过所述吸附槽固定在所述载盘上。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱连接于所述载盘上呈等边三角形分布。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述吸附槽为环形吸附槽，所述环形吸附槽的数量为多个，多个所述环形吸附槽在所述载盘上呈同心状排布。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述载盘还具有多个吸附孔，相同数量的所述吸附孔分别沿着各所述环形吸附槽均匀分布。
本发明还提供一种烘烤装置，用于光刻胶层的曝光后烘烤中，包括具有吸附槽的载盘、升降柱和上热板，
所述升降柱连接于所述载盘上并用于承载一衬底，所述升降柱能够相对于所述载盘升降，以带动所述衬底靠近或远离所述载盘并与所述吸附槽接触或分离；
所述吸附槽用于吸附所述衬底以使所述衬底与所述载盘固定连接；
所述上热板用于对所述衬底上的光刻胶层的远离所述衬底的顶面进行曝光后烘烤。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述上热板能够相对于所述载盘上下移动，以使所述上热板靠近或远离所述光刻胶层的顶面。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱呈等边三角形分布。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述吸附槽为环形吸附槽，所述环形吸附槽的数量为多个，多个所述环形吸附槽在所述载盘上呈同心状排布。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述载盘还具有多个吸附孔，相同数量的所述吸附孔分别沿着各所述环形吸附槽均匀分布。
本发明还提供另一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，所述方法包括：
对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的顶面以及朝着所述光刻胶层的底面对所述光刻胶层进行烘烤。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，通过一上热板和一下热板对所述光刻胶层进行烘烤，烘烤时，所述上热板位于所述光刻胶层的顶面上方且与所述光刻胶层的顶面保持设定距离，所述下热板位于所述衬底的底面的下方且与所述衬底的底面保持设定距离。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述上热板和所述光刻胶层的顶面之间的距离为0.08mm～0.2mm，所述下热板和所述衬底的底面之间的距离小于0.1mm。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述下热板上设有陶瓷球，对所述光刻胶层烘烤时，所述衬底通过所述升降柱放置在所述陶瓷球上。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱连接于所述下热板上呈等边三角形分布。
可选地，在所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法中，所述陶瓷球的数量为多个，多个所述陶瓷球在所述下热板上围绕所述升降柱呈环状分布。
本发明还提供另一种烘烤装置，用于光刻胶层的曝光后烘烤中，包括升降柱、上热板和设有陶瓷球的下热板，
所述升降柱连接于所述下热板上并用于承载一衬底，所述升降柱能够相对于所述下热板升降，以带动所述衬底靠近或远离所述陶瓷球并与所述陶瓷球接触或分离；
所述上热板用于对所述衬底上的光刻胶层的顶面进行曝光后烘烤；
所述下热板用于对所述衬底上的光刻胶层的底面进行曝光后烘烤。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述上热板能够相对于所述下热板上下移动，以使所述上热板靠近或远离所述光刻胶层的顶面。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱呈等边三角形分布。
可选地，在所述的烘烤装置中，所述陶瓷球的数量为多个，多个所述陶瓷球在所述下热板上围绕所述升降柱呈环状分布。
在本发明提供的一种光刻胶层的曝光后烘烤方法和曝光装置中，包括：对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面对所述光刻胶层进行烘烤。
在本发明提供的另一种光刻胶层的曝光后烘烤方法中和曝光装置中，包括：对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的顶面以及朝着所述光刻胶层的底面对所述光刻胶层进行烘烤。
以上两种光刻胶层的曝光后烘烤方法和曝光装置，曝光后烘烤采用反面烘烤(朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面)或双面烘烤方式来改善或控制光刻胶层顶部和底部的PAC(photo active compound，感光化合物)分布，进而影响光刻胶层不同区域的显影速率，最终改变负胶沟槽形貌，以使负胶沟槽开口减小的同时侧壁角不增大，即保证后续对所述光刻胶层执行显影工艺所得到的负胶沟槽始终为正梯形沟槽，解决了缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题。
附图说明
图1是本发明实施例一中的载盘的结构示意图；
图2是本发明实施例一中执行曝光后烘烤工艺的烘烤方式示意图；
图3a和图3b是在一种工况下通过现有技术和本发明实施例提供的烘烤方式执行热烘烤工艺并执行显影工艺后所形成的负胶沟槽的效果对比示意图；
图4a和图4b是在另一种工况下通过现有技术和本发明实施例提供的烘烤方式执行热烘烤工艺并执行显影工艺后所形成的负胶沟槽的效果对比示意图；
图5是本发明实施例二中执行曝光后烘烤工艺的烘烤方式示意图；
图6是本发明实施例二中升降柱、陶瓷球和下热板的位置关系示意图。
具体实施方式
光刻胶的曝光后烘烤工艺一般采用烘箱烘烤方式或热板底部烘烤方式。烘箱烘烤方式温控精度和烘烤均匀性较差。采用热板底部烘烤方式进行烘烤时，热量由衬底底部向光刻胶底部再向光刻胶顶部传导，一定时间内容易出现光刻胶底部过烘、顶部欠烘的问题，从而导致出现底部侧壁角变大，出现金属剥离难题。
发明人发现，导致上述问题的原因是：光刻胶曝光后，由仿真信息表征，光刻胶未曝光区域PAC浓度最高、曝光区底部次之、曝光区顶部最低，而热板烘烤会使光刻胶曝光区PAC浓度进一步降低，但当采用热板底部烘烤方式进行烘烤时，对PAC浓度降低的影响力则由光刻胶底部向顶部依次减弱。综合曝光及曝光后烘烤的影响，当曝光剂量增加、曝光后烘烤温度提升或曝光后烘烤时间加长时，其对光刻胶形貌的影响趋势为光刻胶顶部和底部向外扩张较快、中间向外扩张较慢，而对于相邻的负胶沟槽部分，顶部开口逐渐收缩、底部侧壁角变大，即从“正梯形沟槽”逐步变为“矩形沟槽”、“U型沟槽”，结果是分辨率虽然有提升，但同时导致了金属难以剥离的问题。
而在本发明提供的光刻胶层的曝光后烘烤方法和烘烤装置中，曝光后烘烤采用反面烘烤(朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面)或双面烘烤方式，通过改变曝光后烘烤方式，控制烘烤后光刻胶内部能量分布，进一步改变曝光后光刻胶内部的PAC浓度分布，改变不同区域的显影速率，使负胶图形边缘顶部的光刻胶固化速度加快、底部的光刻胶固化速度减缓，结合负胶曝光区域固化、非曝光区域溶解的原理，做出期望的负胶沟槽图形。
需要清楚的是，如上述所述，本发明旨在提供一种光刻胶层的曝光后烘烤方法来控制负胶沟槽形貌，以解决缩小沟槽开口宽度的同时沟槽侧壁角会增大使得金属剥离难度增加的问题，故本发明中所提及光刻胶层均指通过沉积负性光刻胶而形成的负性光刻胶层。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的曝光后烘烤方法和曝光装置作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
【实施例一】
本实施例提供一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，所述方法包括：
对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面对所述光刻胶层进行烘烤。
针对上述方法，本实施例还提供一种烘烤装置，包括具有吸附槽的载盘、升降柱和上热板。
具体的，请参考图1并结合图2，所述升降柱14连接于所述载盘15上并用于承载一衬底11，所述升降柱14能够相对于所述载盘15升降，以带动所述衬底11靠近或远离所述载盘15并与所述吸附槽151接触或分离。
所述吸附槽151用于吸附所述衬底11以使所述衬底11与所述载盘15固定连接。
所述上热板13用于对所述衬底11上的光刻胶层12的远离所述衬底11的顶面进行曝光后烘烤。
下面结合所述烘烤装置对所述烘烤方法进行详细的描述。
所述衬底11为形成负胶沟槽的载体，所述衬底11的材料可为硅、锗或锗化硅。
在对所述光刻胶层12进行曝光后，通过所述烘烤装置对所述光刻胶层12 进行烘烤。具体的，通过一上热板13对所述光刻胶层12进行烘烤，烘烤时，所述上热板13位于所述光刻胶层12的顶面的上方且与所述光刻胶层12保持设定距离。更为具体的，所述上热板13能够相对于所述载盘上下移动，以使所述上热板13靠近或远离所述光刻胶层12的顶面，从而使得所述上热板13与所述光刻胶层12达到设定的距离。
考虑到衬底涂胶后的平整度，热板与衬底间隙过小容易接触光刻胶，热板与衬底间隙过大容易发生烘烤效力不足，因此，设置所述上热板13和所述光刻胶层的顶面12之间的距离为0.08mm～0.2mm，例如可为0.08mm、0.1mm、0.15mm 或0.2mm。同时，考虑到当前LED金属剥离工艺使用的主流负胶，如科华 KMP-E3130、永光ENPI202等，PEB耐温普遍在120℃～125℃，烘烤时间普遍在90s～110s，及参考以往实验数据、仿真数据，因此，本实施例指定对所述光刻胶层12进行烘烤时的烘烤温度为120℃～125℃，例如可为120℃、122℃、124℃或125℃，烘烤时间为90s～110s，例如可为90s、95s、110s、105s或110s。
另外，对所述光刻胶层12进行烘烤时，所述衬底11通过升降柱14放置在具有吸附槽151的载盘15上，并通过所述吸附槽151固定在所述载盘15上。优选地，所述升降柱14的数量为三个，三个所述升降柱14连接于所述载盘15 上呈等边三角形分布，且位于所述载盘15的中心位置，以使所述衬底能够平稳的放置在载盘15上。进一步优选地，所述吸附槽151为环形吸附槽，所述环形吸附槽的数量为多个，多个所述环形吸附槽在所述载盘15上呈同心状排布，所述载盘15还具有多个吸附孔152，相同数量的所述吸附孔152分别沿着各所述环形吸附槽均匀分布，如此便使得所述衬底11各部位受力均匀，从而可以保证所述衬底11平整的放置在所述载盘15上，不会出现翘起的情况。
如上所述，当朝着所述光刻胶层12的底面对所述光刻胶层12执行曝光后烘烤工艺时，热量由衬底11底部向所述光刻胶层12底部再向所述光刻胶层12 顶部传导，一定时间内容易出现光刻胶底部过烘、顶部欠烘的情况。而本实施例朝着所述光刻胶层12的顶面对所述光刻胶层12执行曝光后烘烤工艺，热量由所述光刻胶层12顶部向所述光刻胶层12底部传导，底部光刻胶固化较慢，不会出现光刻胶底部过烘的情况。而且根据实际工艺需求，可以利用底部光刻胶固化较慢的特点，控制执行曝光后烘烤工艺的时间、温度和光刻胶量，以做出期望的负胶沟槽图形。
图3a和4a为通过底部烘烤的方法后执行显影工艺形成的负胶沟槽的效果展示图，图3b和4b为采用本实施例提供的底部烘烤方法后执行显影工艺形成的负胶沟槽的效果展示图。其中，图3a和3b所示为在同一种工况下形成，图4a 和4b所示为在同一种工况下形成。对比可以看出，在相同的工况下，采用本实施提供的朝着所述光刻胶层12顶面烘烤的方法对所述光刻胶层12烘烤再进行显影后，所形成的负胶沟槽的开口进一步缩小，同时，负胶沟槽的侧壁角也进一步缩小，即，解决了缩小电极线宽的同时金属剥离难度会增加的问题。
【实施例二】
本实施例提供另一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，所述方法包括：
对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的顶面以及朝着所述光刻胶层的底面对所述光刻胶层进行烘烤。
为避免歧义，这里需要说明的是，所述光刻胶层的顶面是指所述光刻胶层远离所述衬底的一面，所述光刻胶层的顶面是指所述光刻胶层靠近所述衬底的一面。
针对上述方法，本实施例还提供一种烘烤装置，包括升降柱、上热板和设有陶瓷球的下热板。
具体的，请参考图5并结合图6，所述升降柱25连接于所述下热板24上并用于承载一衬底21，所述升降柱25能够相对于所述下热板24升降，以带动所述衬底21靠近或远离所述陶瓷球26并与所述陶瓷球26接触或分离。
所述上热板23用于对所述衬底21上的光刻胶层22的顶面进行曝光后烘烤。
所述下热板24用于对所述衬底21上的光刻胶层22的底面进行曝光后烘烤。
下面结合所述烘烤装置对所述烘烤方法进行详细的描述。
所述衬底21为形成负胶沟槽的载体，所述衬底21的材料可为硅、锗或锗化硅。
在对所述光刻胶层22进行曝光后，通过所述烘烤装置对所述光刻胶层22 进行烘烤。具体的，通过一上热板23和一下热板24对所述光刻胶层22进行烘烤，烤烤时，所述上热板23位于所述光刻胶层22的顶面的上方且与所述光刻胶层22保持设定距离，所述下热板24平行位于所述衬底21下方且与所述衬底 21保持一定的距离。更为具体的，所述上热板23能够相对所述下热板24上下移动，以使所述上热板23靠近或远离所述光刻胶层22的顶面，从而使得所述上热板23与所述光刻胶层22达到设定的距离；而所述下热板24上设有升降柱25和陶瓷球26，对所述光刻胶层22执行曝光后烘烤工艺时，所述衬底21通过所述升降柱25放置在所述陶瓷球26上。
另外，对所述光刻胶层22进行烘烤时，所述衬底21通过所述升降柱25放置在所述陶瓷球26上。优选地，所述升降柱25的数量为三个，三个所述升降柱25呈等边三角形分布，且位于所述下热板24的中心位置，以使所述衬底21 能够平稳的放置在所述下热板24上。进一步优选地，所述陶瓷球26的数量为多个，多个所述陶瓷球26在所述下热板24上围绕所述升降柱25呈环状分布。
在本实施例中，所述上热板和所述光刻胶层的顶面之间的距离为 0.08mm～0.2mm，例如可为0.08mm、0.1mm、0.15mm或0.2mm；所述下热板和所述衬底的底面之间的距离小于0.1mm，例如可为0.05mm，0.08mm或1mm。所述烘烤工艺的烘烤温度为120℃～125℃，例如可为120℃、122℃、124℃或 125℃，烘烤时间为90s～110s，例如可为90s、95s、100s、105s或110s。对于烘烤距离的控制以及烘烤温度的选择，其参考依据与实施例一一致，在此不再赘述。
由于本实施例朝着所述光刻胶层22的顶面及底面对所述光刻胶层22执行曝光后烘烤工艺，与现有技术相比，所述光刻胶层22受热相对较为均匀，不易出现底部过烘，而顶部欠烘的情况。因此，同样的，可以通过控制执行曝光后烘烤工艺的时间、温度和光刻胶量，做出如图3b和图4b所示的正梯形沟槽。
需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (22)

1.一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述方法包括：
对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面对所述光刻胶层进行烘烤。
2.如权利要求1所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，通过一上热板对所述光刻胶层进行烘烤，烘烤时，所述上热板位于所述光刻胶层的顶面的上方且与所述光刻胶层的顶面保持设定距离。
3.如权利要求2所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述上热板和所述光刻胶层的顶面之间的距离为0.08mm～0.2mm。
4.如权利要求1所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行烘烤时，所述衬底通过升降柱放置在一具有吸附槽的载盘上，并通过所述吸附槽固定在所述载盘上。
5.如权利要求4所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱连接于所述载盘上呈等边三角形分布。
6.如权利要求4所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述吸附槽为环形吸附槽，所述环形吸附槽的数量为多个，多个所述环形吸附槽在所述载盘上呈同心状排布。
7.如权利要求6所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述载盘还具有多个吸附孔，相同数量的所述吸附孔分别沿着各所述环形吸附槽均匀分布。
8.一种烘烤装置，用于光刻胶层的曝光后烘烤中，其特征在于，包括具有吸附槽的载盘、升降柱和上热板，
所述升降柱连接于所述载盘上并用于承载一衬底，所述升降柱能够相对于所述载盘升降，以带动所述衬底靠近或远离所述载盘并与所述吸附槽接触或分离；
所述吸附槽用于吸附所述衬底以使所述衬底与所述载盘固定连接；
所述上热板用于对所述衬底上的光刻胶层的远离所述衬底的顶面进行曝光后烘烤。
9.如权利要求8所述的烘烤装置，其特征在于，所述上热板能够相对于所述载盘上下移动，以使所述上热板靠近或远离所述光刻胶层的顶面。
10.如权利要求8所述的烘烤装置，其特征在于，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱呈等边三角形分布。
11.如权利要求8所述的烘烤装置，其特征在于，所述吸附槽为环形吸附槽，所述环形吸附槽的数量为多个，多个所述环形吸附槽在所述载盘上呈同心状排布。
12.如权利要求8所述的烘烤装置，其特征在于，所述载盘还具有多个吸附孔，相同数量的所述吸附孔分别沿着各所述环形吸附槽均匀分布。
13.一种光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述方法包括：
对衬底上的光刻胶层进行曝光后，朝着所述光刻胶层的顶面以及朝着所述光刻胶层的底面对所述光刻胶层进行烘烤。
14.如权利要求13所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，通过一上热板和一下热板对所述光刻胶层进行烘烤，烘烤时，所述上热板位于所述光刻胶层的顶面上方且与所述光刻胶层的顶面保持设定距离，所述下热板位于所述衬底的底面的下方且与所述衬底的底面保持设定距离。
15.如权利要求14所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述上热板和所述光刻胶层的顶面之间的距离为0.08mm～0.2mm，所述下热板和所述衬底的底面之间的距离小于0.1mm。
16.如权利要求14所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述下热板上设有陶瓷球，对所述光刻胶层烘烤时，所述衬底通过所述升降柱放置在所述陶瓷球上。
17.如权利要求16所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱连接于所述下热板上呈等边三角形分布。
18.如权利要求17所述的光刻胶层的曝光后烘烤方法，其特征在于，所述陶瓷球的数量为多个，多个所述陶瓷球在所述下热板上围绕所述升降柱呈环状分布。
19.一种烘烤装置，用于光刻胶层的曝光后烘烤中，其特征在于，包括升降柱、上热板和设有陶瓷球的下热板，
所述升降柱连接于所述下热板上并用于承载一衬底，所述升降柱能够相对于所述下热板升降，以带动所述衬底靠近或远离所述陶瓷球并与所述陶瓷球接触或分离；
所述上热板用于对所述衬底上的光刻胶层的顶面进行曝光后烘烤；
所述下热板用于对所述衬底上的光刻胶层的底面进行曝光后烘烤。
20.如权利要求19所述的烘烤装置，其特征在于，所述上热板能够相对于所述下热板上下移动，以使所述上热板靠近或远离所述光刻胶层的顶面。
21.如权利要求19所述的烘烤装置，其特征在于，所述升降柱的数量为三个，三个所述升降柱呈等边三角形分布。
22.如权利要求19所述的烘烤装置，其特征在于，所述陶瓷球的数量为多个，多个所述陶瓷球在所述下热板上围绕所述升降柱呈环状分布。
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