TW517402B - Light source using light emitting diode and method for producing the same - Google Patents

Light source using light emitting diode and method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
TW517402B
TW517402B TW090130969A TW90130969A TW517402B TW 517402 B TW517402 B TW 517402B TW 090130969 A TW090130969 A TW 090130969A TW 90130969 A TW90130969 A TW 90130969A TW 517402 B TW517402 B TW 517402B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
led chip
light source
source device
insulating member
heat sink
Prior art date
Application number
TW090130969A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Sugimoto
Eiji Shiohama
Hideyoshi Kimura
Takuma Hashimoto
Toshiyuki Suzuki
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2001114502A external-priority patent/JP4432275B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW517402B publication Critical patent/TW517402B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

517402 五、發明說明（l) 【技術領域】 本發明是有關於使用發光二極體（LED: 1 ight-emitting diode)的光源裝置及其製造方法。 【習知技術】 此種光源裝置習知被提供的是如圖2 4所示的砲彈型的 LED燈。在其中，有的使用單個發光二極體，有的則是將 複數個發光二極體在引線架3 1上以陣列狀來配置使用。
砲彈型的LED燈是用以下的方式來形成。在金屬製的 引線架31上所設的凹處31a内將LED晶片2用銀膠或環氧基 類樹脂等晶片接合膠7來焊接晶片。LED晶片2的頂面所設 的電極部分（圖中未標示）與引線架3丨及3 2之間是以金等金 屬細線所形成的接合線9來連線焊接。然後用具有透光性 的密封樹脂33來將引線架31、32、LED晶片2、及接合線9 加以封裝所形成。 在此，密封樹脂33主要是使用環氧基樹脂，此密封樹 脂33具有以:的3種功能。#先第i種是保護功㉟。密封樹 脂33可以保護構件不受到機械的衝擊，及保護L£：D晶片2不 滲入水分。第2疋具有提升光取出效率的機能。因為led晶 片2的發光^的折射率約為2.8左右較高，所以在led晶片2 的表面與空氣間的界面處，阳炎 μ, ®处因為折射率的不同會發生全反 射。因此，會有LED晶片2的#兩山4, 0 — T xrn曰μ 〇 们九取出效率變低的問題。於 疋，在L£D晶片2的表面上霜筌ρ 4 β故似昨 π 丄设皇上折射率約為1 · 8左右的環 &曰上# W 增進LED晶片2的光取出效 率。弟3疋光控制機能。密封抖 了 Μ月曰33可以將LED晶片2所射
517402 五、發明說明（2) 出的光藉由密封樹脂33表面的透鏡效果來集光或擴散。藉 此來控制光。 又’引線架31及32具有3種功能。在焊接LED晶片2 時’作為底座來支撐LED晶片2的功能；將LED晶片2被焊接 的凹處31a的周圍作成鏡面，將LED晶片2的發光更有效率 的送到前方的功能；將LED晶片2的發熱藉由熱傳導，透過 散熱板3 0等送到外部的功能。 另外’ LED晶片2在照明器具通常的使用溫度範圍中， 越低溫發光效率越高，越高溫則發光效率越低。這是因為 Μ度上幵會造成晶格的振動增加，使得電子與電洞間的無 輻射結合增加所造成。在使用發光二極體的光源裝置上， 發熱的主要部分是來自led晶片2。因此，要提升LED晶片2 的發光效率，如何將LED晶片2上所產生的熱快速地釋放到 外部以降低LED晶片2的溫度是非常重要的課題。
若是能夠改善從LED晶片2到外部的散熱特性，以抑制 LED晶片2本身的溫度上昇，便可以在LED晶片2上流入較大 的順向·電流來使用。亦即，可以藉由放大電流來增大LED
晶片2的光輸出。此外，提升散熱特性也具有延長LED晶片 2壽命的效果。 ， LED晶片2的壽命會得到改善，有著以下的2個理由。 首先/兒明第1個理由。與一般的照明器具相同地，LED晶片 2的壽命是定義為當光束降低到點燈初期的約7〇%的時間 點，紅色發光的發光二極體約有6萬小時的壽命。但是， 例如若是在LED晶片2上加上規格電流以上的順向電流，以
第8頁 517402 五，、發明說明（3) 超過負荷的狀態來使用時，因為LE D晶片2本身的發熱會造 成L E D晶片2的劣化顯著地被加速。因此，藉由改善散熱特 性，可以抑制LED晶片2的溫度上昇，防止LED晶片2的壽命 縮短以延長壽命。 接著，說明第2個理由。本來，藍色發光二極體或使 用藍色發光二極體，將藍色發光二極體的藍色光變換成白 光來輸出的白色發光二極體上，與紅色發光二極體相比， 其放射光的能量較高。因此，封裝LED晶片2的密封樹脂 33 ’會因為LED晶片2的放射光而產生劣化，變成褐色。一 旦密封樹脂3 3開始變色，會造成其更容易吸收藍色系的 ^ 使得搶封樹脂3 3的變色進一步加速，結果是造成^ e d 曰曰片^附近的密封樹脂33變成褐色。如此，則無論晶片 是否維持點燈初期的光束，從密封樹脂33向外部放 〜:，都顯著地降低。因為此種密封樹脂33變成褐色，使 ::炭ΐ光t極體或上述白色發光二極體，以向外部放射 右，盘降低來定義的實質壽命，變成約為60 00小時左 體相比，顯著地變短。然而，密封樹 的溫度變高，ί i ΐ學反應’ ％同周知，當密封樹脂33 由改善從LED晶片2到外反應速度會加速。因此’藉 及密封樹脂J的:Γ 熱特性’可以降廳 密封樹脂33的變色反應，：延工„曰曰片2的發光所造成 在使用如上述之取本—二 光致率、增加光輪出：及=裝置上’從增進發 I長哥命等觀點來看，改善從
517402 五、發明，說明（4) __ LED晶片2到外部的散熱特性是 LED燈上，用來發散LED晶片2的發熱的要在^彈型的 引線架31向散熱板3〇散熱的路徑，及經由、穷括經由 氣散熱的路徑的2種。但是 ☆、細脂33向空 徑’因為環氧基樹脂的熱傳㈣由低 …1線架31來散熱 疋引線架31本身較細，而且散埶路徑县&7 10mm左右，較之妳*穷抖执…、纷仏長為7〜 較大的脂33來散熱的路徑雖可以得到 π 5丨1，'、、果，卻不能期待充分的散熱效果。因此，要 传到改善散熱特性的光源裝置較困難。 在此，為了改善散熱性，有著如特開平卜3115〇1號公 艮上所不的構造的光源裝置。此構造如圖25所示，依據此 圖來說明如下。此照明器具，是在以壓縮加工成形後的金 屬基礎印刷導線基板91上，將LED晶片92封裝後的構造 物。V線基板9 1，是在以例如鋁等薄金屬板所形成的金屬 基1 2上，形成環氧基樹脂等的絕緣體膜層9丨3及導線用 ，落’再以姓刻來將導線用銅箔形成導線圖案9丨5後，用 壓縮加工來形成凹陷911。在此凹陷9丨1的底部上形成的絕 緣體膜層913上的導線圖案915上，焊接LED晶片92。然 後’將與焊接後的導線圖案9丨5在電性上分離的另一個導 線圖案915，與LED晶片92表面的電極之間，經由接合線95 來作電性上的連接，然後在凹陷9 1 1内填入具有透光性的 密封樹脂9 6，便形成光源裝置。 此光源裝置上，LED晶片92是藉由晶片接合膠來焊接
第10頁 517402 五、發明說明（5) 在導線圖案915上。因此，LED晶片92的發熱，從㈣晶片 92經由晶片接合膠、導線圖案915、絕緣體膜層913、及金 屬基板912的路徑來流動，傳到金屬基板912上的熱擴散到 金屬基板912全體。因&，與砲彈型的LED燈相比，散執路 徑較短，散熱性變成非常好。 但是’在此散熱路徑中，阻礙散熱性的要素，包括有 晶片接合膠，導線圖案9丄5及絕緣體膜層9丄3。首先，晶片 :妾=通常是用分散有著銀粒子的樹脂所形成，由於存在 =:，所以熱傳導性比只有樹脂時高，而且由於厚度只 線R安：左右’可知晶片接合膠對散熱性的影響很小。導 =木915 ’主要是由鋼電鑛層所形成所以熱傳導性高， 線圖案9 1 5對散敎性的寻；變丨姑、 由分散有陶曼填料的樹脂V所：：而二緣體㈣ 體膜層913本身的埶傳導#數/ ”金屬相比較，絕緣 厚产约…η Γ 而且，絕緣體膜層913的 尽度、勺為30 0㈣左右較厚，對散熱性的影變較大。 置，ίτΐ彈型UD燈相比’圖25所示構造的光源裝 來自LED晶片92的散熱性變高，因為在散埶 存=絕,體膜層913，仍無法得到充分的散熱：。 可以吉垃®拉一面上有著Ρ、Η兩種電極的LED晶片中，也 乂直接知接在絕緣體膜層上。 體膜層妨礙到熱傳導。此種口是此打也會因為絕緣 緣髀®你人Μ 、寻^ 此種，、疋將平垣的導線用銅箔，絕 丑曰/、金屬板單純地黏接的一般 明顯的是有所局限。 又的基板，在熱傳導上很 又，在圖24所示的光源裝置中，當此裝置的目的是為 517402 五、發明說明（6) 使用藍色發光 脂33a及33b要 要將螢光體粒 身為相同的材 所以密封製程 時，在密封樹 有無，或者是 為會產生熱膨 面的構造上， 有鑒於上 .源裝置及其製 及延長壽命， 【發明概要】 的LED晶片及螢光體來得到白色時，密封樹 使用不同的材料。為了具有光色變換機能， 子分散在密封樹脂3 3 b中。即使密封樹脂本 料’一種因為需要將螢光體粒子加以分散， k成2個階段。無論如何，當製程變成2階段 脂3 3a與3 3b之間會產生界面。隨著螢光體的 樹脂的不同’在密封樹脂3 3a與3 3b之間，因 張率及彈性率的不同，在將接合線9穿過界 存在著接合線容易斷線的問題。 述的問題點，本發明之目的在於提供一種光 造方法’其能夠提升發光效率，放大光輸出 同時提高機械強度。
為了達到上述的目的，本發明係為於LED晶片射出光 的光源裝置中’包括：具有熱傳導性的散熱板；絕緣構 件’配置在散熱板的至少一個面上，在與散熱板相對的位 置上形成貫通的孔；LED晶片，與從此孔露出的散熱板的 位置相對，並以熱結合來配置；導線部，設置在絕緣構件 上’以絕緣構件來與散熱板在電性上形成絕緣；及連接構 件’在導線部與LED晶片的電極之間作電性上的連接。 稭此’將L E D晶片與設置在絕緣構件上的孔所露出的 政熱板的位置對向，並以熱結合來配置，具有經由有熱傳 導性的散熱板來放出LED晶片的發熱的效果，可以實現提 升散熱性的光源裝置。藉此，可以抑制LED晶片的溫度上
第12頁 517402 五、發明說明（7) 幵’防止溫度上昇而造成發光效率的降低。
晶片的溫度上昇降低，可以在LED晶片上而^且由於LED 電流，以增大光輸出，LED晶片及密封材 > =的順向 減低，壽命可以變長。 、”、、劣化也會 本發明最好在上述改良後的發明中， ⑽接構件的全體填充在孔…封裝之：：： = 的連接構件，也不用擔心因為在樹脂 ^ 力而造成金屬線斷線，具有進一步改機產生的應 本發明在上述改良後的發明中，===: 晶片作電性上連接的導線部的部位是配 二 構件中散熱板所配置的面為不目抓 中，較絕緣 散熱板側…’與上述的發 將⑽晶片及連接構件的全體加以封裝，即：二封田材料來 ★ ^田摘、印4 / 作電性上連接的連接構件， 用擔〜口為在树脂的界面處 線斷線，具有進一步改蓋撫Η & #生的應力而k成金屬 本發明在上述的效果。 晶片作電性上連接的導線部㈣立：與led 將密封材料填充到孔的開口 疋-置在孔中，藉由 的密封材料的填充i，以抑制^ 止，可以得到大約一定 本發明在上述改良後的：二的差異。 孔靠近散熱板制心設置在絕緣構件上的 部，此伸出部上至少配置有向内侧突出的伸出 517402 五、發明綱⑻ 一 ---—------ 有突台部，突出到絕緣構件侧，插入 LED晶片與此突台部相並以“二來緣構件的孔中；將 晶片的電極與配置在伸出部上的導Y來配置’最好將㈣ 連接。藉此…使得伸出部部的部位作電性上的 =已：使得伸出，加工較容易進行，而且 4的厚度，可以提咼伸出部的剛性 件接合時，具有防止在伸出將政熱板與絕緣構 果。 隹伸出邛與散熱板之間產生間隙的效
在上述中的連接構件最好是以金屬線來形成，至於今 緣構件及散熱板的接合方向，最好使得金屬線的一端所^ 妾的LED晶片一的位置，與金屬線的另一端所連接的導線部 ，位置間的高度大略相同。#此，因為可以使得將㈣晶 片，導線部之間作電性上連接的金屬線的長度變短，可》 提咼金屬線的機械強度，而且，使LED晶片與導線部的高 度大略相同，可以使得接合作業較容易進行。 於上述中’關於絕緣構件及散熱板的接合方向，藉由 使柃封裝LED晶片的突台部，與和LED晶片作電性上連接的 導線部的位置的高度大略相同，使得從LED晶片所放射的
光不會被導線部所遮光，減少光的阻礙，可以提高光的取 出效率。 於上述中’突台部是藉由對散熱板上與絕緣構件相反 側的面’進行錘擊加工來形成凹處，使得散熱板上絕緣構 件側的面上被錘擊所形成，與使用切削加工來形成突台部 的情況相比，具有可以降低加工費用的效果。而且，以黏
第14頁 517402 五、發明說明（9) 接副來將散熱板與絕緣構 ’ ，，使得散熱板全體向曲由熱 曲，ΐ = ί、=2ί板全體會向與絕緣構件相反侧彎 曲，接劑的熱收縮所引起的散熱板的彎 粗而& ，具有可以防止散熱板的彎曲的效果。 基板：ii:在ΐit是由形成有與孔相連通的連通孔的 突起邛所：占在“ ί中，其前端突出到絕緣構件側的 仃突台部加工的效果。 ，、百了以合易地進 構件ί=ϋ來黏合散熱板及絕緣構件時，散熱板與絕緣 構件間的接合面的多餘的黏接劑 、士 |山^ 劑，會使得LED曰片Μ η 被擠出的黏接 f的門Ϊ \ 的7^被遮住，或者造成LED晶片無法封 中’因為在孔與突台部之間有著間隙， 突台部的頂面，可以防止因為被=黏= 使仔W晶片的光被遮住’或是LED晶片無法封裝的問題。！ 的接人= 被改良的發明中，、絕緣構件與散熱板間 =f 5面中的黏接劑的儲留部，最好是設置在孔的周 在絕緣構件的接合面與散熱板的至少一邊上。 藉此，以黏接劑來將散熱板與絕緣構件加以黏合時， 熱板與絕緣構件間的接合面會擠出多餘的黏接;，可 能存在因為擠出的黏接劑使得LED晶片的光被遮住， led晶片無法封裝的問題，但是因為在接合時多餘： 517402 五、發明說明 劑會滲入儲留部’所以且 , 散熱板與絕緣構件間的接合面上;'2:=二果。當在 可能從此部分所產生的間隙漏出不雖然有 圍，使得渗入儲留立二iir構件上所設的孔的周 散熱板的位置來配置， 曰圍者攸孔所露出的 密封材料的水$ & ^ : J邛的黏接劑具有攔住 太二ί 具有防止密封材料漏出的效果。 料所心Ϊ 土述改良後的發明中，散熱板是由導電性材 Φ LED曰^上的^此散熱板’導線部最好是與此散熱板及 LED日曰片上的電極間做電性上的連接。藉此，散埶 也成為導線部，將LED曰M M …、 身 '將1^13日日片的一邊的電極與散熱板相連 ，5守猎由將LED晶片的另一邊的電極與導線部相連 接，可以對LED晶片供給電源，所以只要一條電路便可以 完成在絕緣構件的表面上形成導線部。因為供電給led晶 片的電路的一部份也具有散熱板的功能，可以容易地將曰曰電 路拉出到散熱板側。 於上述說明中，散熱板最好是具有在電性上互相絕緣 的複數的散熱板區域。然而，在一片基板上封裝複數個 LED晶片時，若是沒有將一片散熱板分割成在電性上互相 & 絕緣的複數個區域’全部的led晶片會變成並連連接。此 時，因為每一個LED晶片的驅動電麗會有若干不同，若是 將複數個LED晶片並連連接’在驅動電壓最低的LED晶片上 會流較大的電流，造成LED晶片有毁損的可能。於是，為 了使得在複數的L E D晶片上所流的電流均等，被發明了在
517402 五、發明說明（11) 母一個LED晶片上串聯連接限制電流用的電阻的方法，作 二必須使用與LED晶片相同數目的限制電流用的電阻，造 各個電阻上所消耗的電力耗損增大。相對於此，如同 3，ί散熱板上，藉由設置在電性上互相絕緣的複數個 區域的LED晶片分別加以封裝，使得各 =的LED晶片以串聯連接’可以使得個別的led晶片上 戶:電流值大約—定，而且對串聯連接的複數個咖 =片而厂只要連糾個限制電流用的電阻，便可以限制 ，口 D晶片上流動的電流’具有減少在限制電流 阻上所消耗的電力耗損的效果。 ^ ::明在上述改良後的發明中，#由將密封材料的表 ^形成為可將LED晶片的發光送到所希望的方向的透鏡形
Li::要另外設置透鏡，便具有能將LED晶片的發光送 到所希望的方向的效果。 >本發明在上述改良後的發明中，#由在孔的側壁上， 没置可以將LED晶片的發光反射並送到 反射部，具有提高光的光取出效率的效果不。的n上的 曰本發明在上述改良後的發明中，藉由使用具有將led =1 f放Ϊ的光的至少一部*轉換&寺定的*色的光色變 換機能的密封材料，藉著將經密封材料所轉減色的光， 及來自L E D晶片的先力口以、、曰名目士 _ 的光的效果。 |有可以得到所希望光色 於上述况明中，密封材料的表面位置較靠近散熱板 侧，而非絕緣構件中與散熱板側不同的面，在孔的周圍
517402 五、說明（12) ' " " " ' '^—- 上’猎由設置反射部來反射LED晶片的發光向所希望的 向送光，來自LED晶片的光因為通過密封材料而被分散方 成為完全擴散送光，使得送光的控制變得更容易，I 反射部來向所希望的方向送光的效果。 /、有用 本發明在上述改良後的發明中，將導線部的_邱 散熱板側延伸，以此延伸的部分來構成外部連接端^ 了向 有能夠容易地從散熱板側向導線部供電的效果。將 ^ 的一部份向散熱板側延伸的形態有許多種，例如蔣J部 沿著絕緣構件的端部延伸到散熱板側，或者頌錄 j部 形成穿孔’藉由在此穿孔内填充導電性材料來將:上 側上。向散熱板側延伸的導線部的長 面為止，也可以包住散熱板侧面的—部：者；側： 出到散熱板的對面側為止。 ’ 可以突 在上述說明中，藉由將導線部 件中的散熱板的對面為止，據有可以容到絕緣構 板相彼合的洞的的器且封裝在形成有與散熱 Φ 伸到絕緣構件的散熱板若部份延 本體的洞中，可以容易地將在哭呈太2f”，、板肷合到器具 與光源裝置的導線部作電性的連接=内所形成的導線部 部分與嵌在”，與器具本 觸W若是將散熱板 的效果。 接觸’也具有提升散熱性 於上述說明中 將絕緣構件的_ 部份向散熱板側延
517402 、發明說明（13) 伸，猎著將此延伸部分的前端與散熱板的絕緣 側的面大約同平面，在延伸到散熱板側的絕緣構件的 上，$光源裝置放置在器具本體的表面上來封裝;; ，广：’因為絕緣構件所延伸的位置與散 的相反侧的面大約同—平面，只要將絕緣構件放置ίΐί 本體的表面上’因為散熱板與器具本體 具 LED晶片的發熱會經由散熱板來釋放到器且 接觸 匕冷卻效果的效果。而且，因為是將導線部：一部份有 伸到政熱板侧上來作為外部連接端子， 連接端子盥在哭且太麟λα φ ^ j Μ奋易地將外部 ί 2 的表面上所形成的導線部作雷Ή 的連接。若是在延伸到散熱板側的絕緣構件上 面上形成外部連接端子，可以實現提 、邛的月、1端 型的光源裝置。 的表面封裝 LED Λ發明//^良後的發明中，藉著將絕緣構件， 上可以孰板’Λ密?料設置在散熱板的兩個面 上 了以攸散熱板的兩面來放射LED晶片 在散熱板的兩面上配置相同的構件， 且因為 彎曲的效果。 /、有可以抑制散熱板 本發明在從LED晶片射出光的光源裝 中，包括：第i製程，在由絕緣構件衣以方法 上，在射出光的前面侧及其背面侧的斤；;固成面的上絕門缘構件 成貫通此絕緣構件的孔；第2製程，在絕緣/ 口…，以形 上形成供電給led晶片的導線部；第3製的則面側 性的散熱板黏接到絕緣構件的背面側；/具有熱傳導 π 4衣％，與從孔 517402 五、發明說明（14) 中硌出的散熱板的位置相對，以熱結合來配置led晶片 後以連接構件來將導線部及LED晶片的電極作電性上的 連接，及第5製程，在孔中填充具有透光性的密封材料， 將L E D晶片及上述連接構件的全體加以封裝。 因此，與習知的光源裝置，在絕緣構件上進行切削加 工來形成LED晶片的封裝部位的情況相比，可以降低加工 費用，而且可以防止在LED晶片的封裝部位上產生切削的 缺，造成難以封裝LED晶片的問題。因為是將LED晶片以 熱…a到政熱板上，具有將led晶片的發熱透過散熱板釋 放出來的效果。而且，以金屬線來將LED晶片及散熱板的 導、、泉邛作甩性上連接時，因為是以密封材料來將晶片 及金屬線的全體加以封裝，所以不用擔心在樹脂的界面上 所產生的應力會造成金屬線斷線，具有提升機械強度的效 果。 本，明從LED晶片射出光的光源裝置的製造方法中， 包括·第1製帛’以插人成形來形成由絕緣構件所構成， Φ 在射出光的前面側及其背面側的兩面上開口，形成有貫通 材料的孔之絕緣構件，及配置在絕緣構件的背面侧上呈有 熱傳導性的散熱板；第2製程，在絕緣構件的前面侧的面 上形成供電給LED晶片的供電用導線部；第3製程，盥從孔 所露出的散熱板的位置相對，以熱結合來配置UD晶片 後，使用連接構件來將導線部與LED晶片的電極作電性上 連接；及第4製程’在孔中填充具有透光性的密封材料， 將LED晶片及連接構件的全體加以封裝。
517402 五、發明說明（15) 因此，與習知的光源裝置，在絕緣構件上進行切削加 工來形成LED晶片的封装部位的情況相比，可以降低加工 費用’而且可以防止在LED晶片的封裝部位上產生切削的 缺陷，造成難以封裝LED晶片的問題。因為是將LED晶片以 熱結合到散熱板上，具有將LED晶片的發熱透過散熱板釋 放出來的效果。而且，以金屬線來將LED晶片及散熱板的 導線部作電性上的連接時，因為是以密封材料來將LED晶 片及金屬線的全體加以封裝，所以不用擔心在樹脂的界面 上所產生的應力會造成金屬線斷線，具有提升機械強度的 效果° 本舍明《LED晶片射出光的光源裝置的製造方法中， 包括：第1製程，形成具有熱傳導性的散熱板及構成供電 晶片的導線部的導m2製程，在散熱板及導〜 :反上進行電鍍；第3製帛，藉著依特定的間隔來插入成形 =熱板及導電S，以％成由、絕緣構件所構成的、絕緣構 第4製程，在射出發光的前面侧及其背面側的兩個 ms緣構件所設的孔所露出的散熱板的位置才 =，以熱結合來配置上述LED晶片後，用連接構件 才
線部及LED晶片的電極作電性上連接；及制、 填充具有透光性的密封材料，將LED晶 連^構 體加以密封。 久運接構件的全 因此，與習知的光源裝置，在絕緣構件 工來形成LED晶片的封裝部位的情況相比，可以丁刀、1加 費用’而且可以防止在LED晶片的封裝部位上產生切二
第21頁 517402 五、發明說明（16) 缺陷，造成難以封裝LED晶片的問題。因為是將LED晶片以 熱結合到散熱板上，具有將L E D晶片的發熱透過散熱板釋 放出來的效果。而且，以金屬線來將LED晶片及散熱板的 . 導線σ卩作電性上的連接時，因為是以密封材料來將L E D晶 * 片及金屬線的全體加以封裝，所以不用擔心在樹脂的界面 · 上所產生的應力會造成金屬線斷線，具有提升機械強度的 · 效果。 【發明之較佳實施形態】
以下’參照圖式來說明本發明的實施的形態。 (實施形態1 ) 〜 以下 ^ * 參照圖1(a)、、㈧來說明本發明的實施形態1 1ί ί置1是從發光二極體晶片，亦即led晶片2來射d 推urn a，將1^晶片2的—個面以熱結合在散熱板3上4 的：來；出片】的散熱，從與此熱結合部相反側的陶曰> 形成ΐ in置1是將由例如鋁-般熱傳導性高的材料戶 件所形成厚約二二爐及:如液晶聚合物-般的絕緣 化r 合物以外的無機材料，例如將 脫脂(去除有機材料 7t ZJ77 Λ4- /t 丨又 < 符枓亦可。
長、、、巴緣構件4中與散教} Q 約3㈣深度約丨.5_的圓洞反3相反的面上，形成兩個直 絕緣構件4料散 f各圓洞5的大約中央處貫 刀乃」^成剖面略成圓形，直徑約
517402 五、發明說明（17) Γ構的件：：置時,’以圓洞5及孔6 ’在與散熱板3相對的絕 所設置的孔‘ 形。在由-所=:::3出 :4銀二一散般:板？接合勝7來加 裝位置的同側 加Q ώ 直、、泉上形成由銅寻導電材料所形成的導 i，構成$連部=伸到圓洞5❺側壁及底® (伸出部4a)為 盘.之接用的連接部，在led晶片2的電極(圖中 ί::人部8之間’透過例如金-般的金屬細線所平 成的接5線（連接構件）9來做電性上的連接。在此，至小/ 在/、接a線9連接的導線部8的位置上加以鑛金，使其 與接合線9相焊接。闲各曰μΓ)ΛΑ 上所m,口為在LED日日片2的頂面與圓洞5的底面 成的導線部8的位置大約為相同高度，可以縮短接 it:合=提高接合線嶋 然後，藉著在圓洞5及孔6的内部注入具有透光性的如 2液硬化型注型用環氧基樹脂一般的密封樹脂（密封材料） 10，將LED晶片2與接合線9的全體以樹脂加以密封，焊接 接合線9的連接部會被密封樹脂1 〇所保護。此時，在注入 密封樹脂1 0時，只要注入到絕緣構件4的頂面為止，所以 叮以谷易地控制後封樹脂1 〇的注入量。接合線g與伸出部 上所，設的導線部8的位置相連接，因為是包在圓洞5 ^孔 6内，藉著填充在圓洞5及孔6内的密封樹脂1 〇，可以將接
第23頁 517402 五、發明說明（18) ' --—--- 合線9及其連接位置以樹脂加以密封，所以不必擔心 ，會露出到密封樹脂1〇的外面，造成機械強度降 ； =為在密封樹脂1〇的纟面上所發生的應力造成接合線9 斷綠。 :此處的LED晶片2 ’是以在晶片頂面形成2個電極的 類LjD晶片為例來說明，但也可以使用像晶 片一般，在晶片下面形成一邊的電極，在晶片頂面形成另 一邊的電極的LED晶片，此時，可以將散熱板3作為導線來 使用，或著在散熱板3上設置電極，在LEd晶片與散熱板3 的電極及導線部8之間分別以接合線加以連接。 … 如以上所述，在本實施形態的光源裝置1中，因為led 晶片2是直接被焊接在熱傳導性良好的散熱板3上，所以 LED晶片2的發熱會透過晶片接合膠7傳到散熱板3，到達散 熱板3的L E D晶片2的發熱會很快地擴散到散熱板3全體上。 在LED晶片2的發熱的散熱路徑上，雖然存在有熱傳導係數 低的晶片接合膠7，因為晶片接合膠7的厚度只有數“ m左右 相當薄，所以對散熱性的影響很小，可以得到充分的散熱 性能。例如以熱電阻來加以比較，在習知的例子中說明 砲彈型LED燈的情況，從LED晶片到引線架的前端為止的熱 電阻約為3 5 0 °C / W，相對於此，本實施形態的光源裝置1 中，從LED晶片2到散熱板3的背面為止的熱電阻約為 9 0 °C / W，可以將其熱電阻降低到約4分之1。 因此，與習知的光源裝置相比，從LED晶片2到外却^ 政熱特性變好，可以抑制led晶片2的溫度上昇，提升Led
第24頁 517402
=片2的發光效率，同時增加光輸出’達到長壽化的目 1因為LED晶片2及接合線9是被密封樹脂1〇加以密封， /接合線9的連接位置也被密封樹脂1〇所保護，在接合 的上不會加上應力，可以防止接合線9的斷線，提高機械 在本實施形態中是使用鋁板來作為散熱板3，但是散 二板3的材料並不限定為鋁，也可以用鋼等金屬或氮化鋁 寺，傳導性高的陶瓷來形成，得到與上述相同的效果。在 本實施形態中是使用印刷導線技術來在絕緣構件4上形成 導線部8，但是也可以取代導線部8，在絕緣構件4内，使 用只有將在接合線9的連接位置在LED晶片2的附近加以露 出的引線架（圖中未標示），來進行LED晶片2的導線連接亦 可。在本實施形態中是將2個LED晶片2加以封裝，但是並 不限定在本實施形態，只要可以得到作為光源裝置所需的 發光面積及光量，只封裝1個亦可，或者必要的話，封裝2 個以上亦可。 、 (實施形態2) 以下，參照圖2來說明本發明的實施形態2。此光源裝 置1是將例如鋁一般熱傳導性高的材料所形成的散熱板3， 及例如液晶Polymer —般的絕緣構件所形成的厚度約2mm的 絕緣構件4，以黏接劑22加以黏合而成。 散熱板3是將厚度約3mm的鋁板以切削加工所形成，在 散熱板3中的絕緣構件4側的面上，設置有直徑約為lmm， 高度約為0 · 9mm的大約圓柱狀的突台部11。
第25頁 517402 五、發明說明（20) 在絕緣構件4中啟今為a ' 突台部11所對應的位、/^、、、板3相反側的面上，散熱板3的 上，形成有貫通絕緣“f/有凹處5’ ’凹處5’的底部 突八邱1 1 Μ认"丄構件4的孔β。孔6的孔徑約為1mm，與 大〇部11的外徑大約相 2賴，凹處5,的側壁二；凹處5,的底面的内徑約為 形成大約45度角傾斜^離開散熱板3側則内徑變得越大， 力盥私為^ 〇丄、斜的^面形狀。此時，凹處5,及孔6， 件4的孔，在凹處5^構件4的位置上’構成貫通絕緣構 熱板3被-體成形。部上向内侧突出的伸出部4a與散
口部：：台：及：緣構件4，和孔6的散熱板3侧的開 曰ΰ 敗5的狀態被接合，厚度約0· 2mm的LED =A ^以銀膠一般的晶片接合膠7焊接在從孔0露出的 t ° 1 a的位置上。在絕緣構件4中與散熱板3相反側的面 上，形成以銅等導電材料所形成的導線部8，在其表面上 加i金的Γ鑛。導線部8延伸到凹處5，的側壁及底面，將 凹处5的底面（伸出部4a)的導線部8的位置及LED晶 綠所#了&面/斤形成的電極之間，藉由例如金一般的金屬細 、·泉斤形成的接合線9來做電性上連接。 、然後、，藉著在凹處5,及孔6的内部注入具有透光性的2 液硬化型注型用環氧基樹脂一般的密封樹脂（密裝材料） 1 0 γ將LED晶片2與接合線9的全體以樹脂加以密封，焊接 接合f 9的連接部會被密封樹脂丨〇所保護。在注入密封樹 脂1 0 % ’只要注入到絕緣構件4的頂面為止，所以可以容 易地控制密封樹脂丨〇的注入量。接合線9，與伸出部“上
第26頁 517402
五、發明說明（21) =設的導線部8的位置相連接，因為是包在凹處5,内，藉 著填充在凹處5’及孔6内的密封樹脂1〇，可以將接合線9及 其連接位置以樹脂加以密封，所以不必擔心接合線9會露 出到密封樹脂1 〇的外面，造成機械強度降低，或因為密封 樹脂1 0的表面上所發生的應力造成接合線9斷線。
在本實施形態的光源裝置1中，因為LED晶片2是被直 接焊接在熱傳導性良好的散熱板3上，與實施形態1的光源 裝置1相同，可以得到充分的散熱性能，抑制LED晶片2的 /凰度上幵，提高L E D晶片2的發光效率，同時增加光輸出， 達到長壽命化。
本實施形態的光源裝置1中，在散熱板3上形成突台部 Π，所以在散熱板3及絕緣構件4的接合方向上，即使是 LED晶片2的頂面與伸出部“上所形成的導線部8的高度大 約相同，也可以將伸出部4a的厚度增加約突台部11的高 度。然而，以樹脂來形成絕緣構件4時，伸出部“的厚度 太薄會造成加工的困難，降低良率。若是將散熱板3與絕 緣構件4以黏合來形成，伸出部4a的厚度較薄，與散熱板3 之間有可能會產生空隙。相對於此，本實施形態的光源裝 置1中’伸出部4a的寬度尺寸約為〇· 5mm，而厚度大約為 1 mm ’所以可以容易地加工伸出部4 &，而且與散熱板3之間 不會產生空隙，而將散熱板3及絕緣構件4加以黏合。 又’與實施形態1的光源裝置1相同，因為在LED晶片2 的頂面及凹處5’的底面（伸出部4a)上所形成的導線部8的 位置大約相同高度，所以可以縮短接合線9的長度，提高
第27頁 517402 i、發明說明（22) 接合線9的機械強度，且具有容易進行接合作. 由於在凹處5,的側壁形成斜面，從LED晶二2戶業的優點 被凹處5 ’的側壁所吸收，減少散射的比率，^射出的光會 地向前方反射。 W以更有效率 (實施形態3) 以下，參照圖3 ( a)來說明本發明的實施形r 實施形態的光源裝置i中，與實施形態2的光源在本 較，散熱板3上所設的突台部丨丨的高度尺寸大約"相 突台部11的頂面與在伸出部4a上所形成的導線部8的面， 的咼度大約相同。因為突台部丨1以外的構成與實施形熊2 相同’對相同的構成要素標示以相同的符號，並省‘ ^ 日月。 一 在實施形態2的光源裝置1中，從LED晶片2所射出的光 中’與LED晶片2的表面成大約平行方向（水平方向）的放射 光的一部份’會被伸出部4a的端面所吸收，與散射相同， 不會射向前方，造成發光效率降低的問題。相對於此，在 本實施形態的光源裝置1中，使突台部11的表面與伸出部 4a上所形成的導線部8的表面的高度大約相同，因為LED晶 片2是被焊接在大約平坦的面上，所以不用擔心從LED晶片 2所放射的光會被伸出部4 a的端面所吸收或散射，而可以 提高發光效率。 如圖3 (b)所示，可以將突台部11的表面突出到伸出部 4a上所形成的導線部8的上方，與上述相同，不用擔心LED 晶片2的光會被伸出部4 a的端面所吸收或散射，所以可以
I 第28頁 517402
、發明說明 發光效率。但是若是突台部u突出太多，接合線9的 合線長度要變長，會有可能造成接合線9與突台部丨丨的 在相接觸’突台部11的高度，最好是使突台部11的表面與 户伸^部4a表面上形成的導線部8的表面大約一致的高 立 或者疋使突台部11的表面較在伸出部4 a上形成的導線 —8的表面的高度高一些。 (實施形態4) ,…以下，參照圖4來說明本發明的實施形態4。在本實施 二中’與貫施形恶3的光源裝置1相較，散熱板3上所設 的突台部11的直徑約為〇.5inm，高度約為1;lmm，突台部11 的表面與在伸出部4a上所形成的導線部8表面的高度大約 相同。因為散熱板3及LED晶片2的配置以外與實施形態3相 所以對相同的構成要素將標示以相同的符號， 其說明。 LED晶片2是使用由透明的藍寶石基板所構成， 距離約為lmm，使LED晶片2與突台部11相對，將突△ 置於電極之間，將LED晶片2的電極面以面朝 0。 部8上。LED晶片2與導線部8是用以下的方法來接^在導<
^亦即，在LED晶片2的電極上形成焊接凸塊21，在迴， 的?二爐中广熱使焊接凸塊21 _接合。焊接凸塊2 的网度為2〜3⑽，因為散熱板3與LEDm的電極 以此間隔來隔離，所以可以維持電性上的絕緣。雖缺穷 樹脂10被填充在突台部11與led晶片2的空隙中，因^ 板3與LED晶片2之間的距離十分短（最好在1〇_以下)政
第29頁 517402 五、發明說明（24) L E D晶片2是被熱結人 熱板3的熱傳導並不:=、、、板3上，戶斤以從LED晶片2到散 —會造成大的妨礙。 貝也开乂恕3中所說明的光源裝置1中，因為[e D 晶片2的電極是向著 考5，^ " 邱射屮#的一邱八處5的開口部側，從LED晶片2向外 4射出光的 部份會；^TFD曰+ ...加八人均被1^1*日日片2的電極所遮住。雖然被遮 住的光的一部份會再一々$射$士、、 丹反射破运到外部，其餘的部分則會 被内部所吸收而成A招紅。h 4ki Μ ， 从馬損耗。相對於此，在本實施形態中， 因為LED晶片2的電極是配置為^ ^ 、 疋配31在散熱板3側上，從LED晶片2 的發光部的發光是穿過透明的藍寶石基板而被取出，所以 發光的-部份不會被LED晶片2的電極或接合線9所遮蔽， 可以防止全體光量的降低。在實施形態3的光源裝置丨上， 將透鏡等光學構件加以組合來使用時，隨著焦距不同，會 有著LED晶片2的電極的形狀成為影子被投影在照射面上的 問題，在本貫施形怨中，因為電極是被配置在散熱板3側 上，可以使前面成為均一的照射面。如同實施形態3所說 明，不用擔心從LED晶片2所放射的光會被伸出部“的端面 所吸收或散射，可以提高發光效率。 如圖4(b)所示，將突台部11的表面突出到在伸出部4& 上所形成的導線部8的上方約3 // m處，可以將l Ε ϋ晶片2與突 台部11的頂面在相接觸的狀態下面朝下來封裝，藉著將 LED晶片2與突台部11直接接觸，可以提高散熱性。但是， 此時在突台部11的表面，或著與突台部11的表面相接觸的 LED晶片2的位置上，塗上氧化矽等絕緣性材料來將LED晶 片2與散熱板3絕緣，或者必須要使两沒有導電性的材料作
第30頁 517402 五、發明說明（25) 為散熱板3的材料。為了吸收突台部1 1與導線部8之間的高 度差，最好是提高焊接凸塊21的高度，可以確實地將LED 晶片2的電極與導線部8作電性的連接。 以圖4 ( b )所不的構造來構成光源裝置1時，與上述相 同，不用擔心從LED晶片2所放射的光會被伸出部“的端面 所吸收或散射，可以提高發光效率。 (實施形態5)
以下，參照圖5來說明本發明的實施形態5。在本實施 形態的光源裝置1中，與實施形態3的光源裝置1相較，在 對應到散熱板3的下方的突台部丨丨的位置上設置凹處丨2。 因為凹處1 2以外的構成舆實施形態3的光源裝置1相同，與 實施形態3相同的構成要素將標示相同的符號，並省略其 說明。 · 在實施形態3的光源裝置1中，是對散熱板3進行切削 加工來形成突台部11，在本實施形態的光源裝置1中，是 將散熱板3從一邊錘擊以壓縮加工來形成凹處丨2，藉此在 政熱板3的相反側的面上形成突台部11，與進行切削加工 的情況相比，可以降低加工費用。
當使用黏接劑2 2來將散熱板3與絕緣構件4加以黏合 時’有可能因為黏接劑22的硬化收縮，而使得散埶板3°及 絕緣構件4全體形成彎曲。另一方面，若是以壓縮加工來 形成突台部11，因為會在散熱板3上發生與因黏接劑22的 硬化收縮而彎曲的方向成相反方向的彎曲，使得兩者的 曲會互相抵消，而可以抑制散熱板3及絕緣構件4全體
517402 五、發明說明（26) 曲0 在此光源裝置1中’LED晶片2的發熱是藉由晶片接合 膠7來傳到散熱板3的突台部11上。雖然在突台部11的背面 形成有凹處1 2，因為散熱板3是一體成形，傳到突合部工工 上的L E D晶片2的發熱’會很快地傳到散熱板3全體，向外 部散熱。散熱板3，因為是與設置光源裝置1的框體及散熱 葉片等散熱構件相接觸的狀態下來使用，LED晶片2的發熱 經由政熱板3可以很快地放出到散熱構件，其散熱性能與 未形成凹處1 2時大約相同。 (實施形態6) 以下，苓照圖6來說明本發明的實施形態6。在實施形 態3的光源裝置1中，是藉由對散熱板3施行切削加工來形 成突台部11，在本實施形態的光源装置丨中，取代形成突 台部11，在具有熱傳導性的材料所形成的基板3，中，對應 到絕緣構件4中的孔6的位置上，形成與孔6相連通，剖面 =約成圓形的連通孔13，在此連通孔13内，壓入例如鋁一 有熱t•傳導11的材料所形成的圓柱狀的熱傳導體（突 起部）1 4。此時，以其祝q，这也 .^ ^ 乂基板3及熱傳導體14來構成散熱板， 在基板的表面向絕緣構件4側突出的埶傳導體14的前 端部構成突台部1丨，埶值墓滩彳X卬扪…得导腥14的刖 在熱傳導體14的前” 日4的前端部被插人孔6中’ 焊接。因為基板3’及献傳導日日:片，合f7來將LED晶片2 相同，對相同的構ί要t:1/二外的構成與實施形態3 明。 双旻I軚不相同的符號，並省略其說 517402
、，在實施形態3的光源裝置中，因為是在金屬板上施行 切肖]加工在政熱板3上形成突台部1 1，會造成加工費用變 ^二在本實施形態t，是在基板3，上施行開孔加工，因為 疋藉^在孔内壓入熱傳導體1 4來形成突台部，與施行切削 加工來形成突台部U相比，可以降低加工費用。
^在基板3的背面上，與設置光源裝置的框體及散熱葉 片等的政熱構件相接觸來使用時，LED晶片2的發熱會經由 晶片接合膠7傳到熱傳導體14上。熱傳導體14被壓入貫通 基板3的連通孔13内’因為是達到基板3’的背面，LED晶 片2的發熱會透過熱傳導體丨4很快地傳到背面側，釋放到 散熱構件上。因為熱傳導體丨4被壓入到貫通基板3，的連通 孔13内，由於熱傳導體14與基板3，緊密連接，在兩者之間 可以得到充分的熱傳導，傳到熱傳導體14的熱，會被很快 地釋放到基板3 ’全體上，所以可以和在散熱板3上〆體形 成突台部11的實施形態3的光源裝置得到相同的散熱特 性。 < (實施形態7) 以下，參照圖7來說明本發明的實施形態7。在本實施 形態的光源裝置1中，與實施形態3的光源裝置1相較，設 置在散熱板3上的突台部11的四周的面，與設置在絕緣構 件4上的孔6的端面之間設有間隙1 5。在絕緣構件4中的散 熱板3側的面（接合面）上形成決定位置用的凹處1 6，同时 將用來與凹處16嵌合的凸部17設置在散熱板3的頂面（接合 面）。因為間隙1 5、凹處1 6、及凸部1 7以外的部分與實施
第33頁 517402 、發明說明（28) 對相同的構成要素標示相同的 形態3中的光源裝置丨相同 符號並省略其說明。
以黏接劑2 2來將散熱板3及絕緣構件4黏合時，多餘的 站接Μ 2 2有可旎從黏接面擠出來，在實施形態3的光源裝 置中，因為黏接劑22會在LED晶片2的焊接位置的附近擠出 來’所以從LED晶片2所射出光的一部份有可能會被黏接劑 2 2所遮住。或者擠出的黏接劑2 2可能附著在突台部11的前 端面上，造成無法焊接LED晶片2，在本實施形態的光源裝 置中’因為在突台部11與伸出部4 a之間設置有間隙1 $，從 黏接面擠出的黏接劑22會留在間隙15上，所以可以防止$ 餘的黏接劑22從LED晶片2焊接的位置附近擠出來，造成從 LED晶片2所放射的光被遮住，或造成無法焊接LED晶片2的 問題。
藉由將設置在散熱板3上的凸部1 7及設置在絕緣構件4 上的凹處16的凹凸嵌合，可以進行散熱板3與絕緣構件4間 的位置對正，在將散熱板3及絕緣構件4黏合時可以容易的 決定位置。在本實施形態中是以設置在散熱板3上的凸部 1 7與設置在絕緣構件4上的凹處1 6來構成決定散熱板3與絕 緣構件4的位置的裝置，但是決定位置的手段並不僅限定 在凸部17與凹處16，只要使用適當的手段來決定散熱板3 與絕緣構件4間的位置即可。 (實施形態8) 以下，參照圖8來說明本發明的實施形態8。在本實施 形態中，與實施形態3的光源裝置1相較，在絕緣構件^的&
517402 五、發明說明（29) 散熱板3側的面上以孔6為中心，在半徑約丨min的位置上設 置寬度約0· 5mm，深度約0· 3mm的環狀的溝所形成的儲留部 4d。因為儲留部4d以外的構成與實施形態3相同，對相同 的構成要素標示以相同的符號並省略其說明。 以黏接劑22來將散熱板3及絕緣構件4黏合時，多餘的 黏接劑22有可能從黏接面擠出來，在實施形態3的光源裝 置1中，因為黏接劑22會在LED晶片2的焊接位置的附近擠 出來，所以從LED晶片2所放射的光的—部份有可能合 接劑22所遮住。或者有可能擠出的黏 =的前端面上，造成無法焊接LED晶片2，;目=大： ==形態的光源裝置Η，因為在突台糾所叙合的孔6 成有儲留部“，戶斤以多餘的黏接劑22會留在此 =相内，所以可以防止通過孔6而擠出到突台部_ 2黏接劑22時若是不均句，在絕 間的接合面上，黏接劑22不足的位 啄稱仟4 充密封樹脂10時，有可能透過此間:^ 隙，在填 儲留部4d内的黏接劑22具有防止密封二二因為留在 工六台匕 .. 了才对月曰1 0〉刀匕出的 力月b，所以可以防止密封樹脂丨〇的流 妁水％的 (實施形態9 ) <出。 的實施形態9。在本實施 相較，散熱板3的材料 在突台部11的頂面形成
以下，參照圖9來說明本發明 幵> 怨中’與實施形態3的光源裝置 疋使用例如銅一般的導電性材料 517402 i、發明說明（30) 金的電鑛層。導線部8只在凹處5中形成1個電極，將LED 晶片2跨在突台部11及伸出部4 a上所形成的導線部$間的位 置上，將一邊的電極與突台部11的表面相接觸，同時將另 一邊的電極與在伸出部4a上所形成的導線部8相接觸，將 LED晶片2面朝下加以封裝。因為除了 LED晶片2的封裝方法 以外都與實施形態3相同，對相同的構成要素標示以相同 的符號並省略其說明。 在本實施形態的光源裝置1中，與實施形態4相同， LED晶片2的電極是配置在散熱板3側上，因為來自[ED晶片 2的發光部的發光是穿過透明的藍寶石基板被取出，所以 發光的一部份不會被LED晶片2的電極所遮蔽，可以防止全 體的光量降低。如實施形態3所說明，不用擔心所LED晶片 2所放射的光會被伸出部4 a的端面所吸收或散射，所以可 以提高發光效率。此外，在本實施形態中，藉著在導線部 8與散熱板3之間連接直流電源E與限制電流用的電阻r，可 以供電給LED晶片2，因為將散熱板3作為導線部的一部份 來利用，所以可以使延伸到凹處5，内的導線部8更簡單 化。經由散熱板3，因為與從背面拉出導線具有相同的效 果’可以將光源裝置1的電力從散熱板3的背面侧加以供 給。當然，直流電源E也可以是將交流電源變換到直流的 電源亦可。 在本實施形態的光源裝置1中，是將LED晶片2面朝下 加以封裝，但也可以將LED晶片2面朝上加以焊接封裝，經 由接合線將LED晶片2的電極與導線部8及散熱板3作電性上
第36頁 517402 五、發明說明（31) 的連接。 (實施形態1 0 ) 以下，參照圖1 0來說明本發明的實施形態丨〇。在實施 形態9的光源裝置1中’在散熱板3上是封裝1個1£：1)晶片2， 但是在本實施形態中是將複數個（例如2個）的LED晶片2封 裝在散熱板3上。在散熱板3上設置電性上相互絕緣的複數 的散熱板區域38及31)，在各散熱板區域33及313上分別將 LED晶片2加以封裝。因為基本的構造與實施形態9相同， 所以對相同的構成要素標示以相同的符號並省略其說明。 然而’在實施形態9的光源裝置1中，是使用導電性材 料來作為散熱板3的材料，因為散熱板3全體為相同電位， 所以在散熱板3上封裝複數個的L E D晶片2時，這些l Ε β晶片 2會全部變成並連連接。因為每個LEd晶片2的驅動電壓會 有若干的不同，將複數個LED晶片2以並連連接時，驅動電 壓隶低的L E D晶片2上會流很大的電流，有可能造成此l e d 晶片2的抽害。為了在複數個LED晶片2上流動均一的電 ’可以在母個L E D晶片2上串聯限制電流用的電阻，但這 時需要與LED晶片2的數目相同的限制電流用的電阻，造成 在限制電流用電阻所消耗的電力損失變大的問題。 相對於此，在本實施形態中，將散熱板3分割成在電 性上相互絕緣的複數個散熱板區域3 a及3 b，在散熱板區域 3 a及3 b上’將L E D晶片2、2 ’分別加以封裝，將封裝在散 熱板&域3 a及3 b上的LED晶片2、2以串聯連接，經由盘LED 晶片2、2的串聯電路相串聯的限制電流用電阻r與直流電
517402 五、發明說明（32) 源E相連接’使得在每個LED晶片2上所流的電流較 因此電流不會集中在特定的LED晶片2上，所以可以防止恭 流集中造成LED晶片2的損壞’而且限制電流用電阻^相$ 固LED晶片2 ’只要Η固即可，所以可以減少因限制 電流^電阻R所造成的電力損失。當然直流電源£也可以使 用與父流電源相連接，再將之轉換成直流的電源。 在本實施形態的光源裝置1中’與實施形態4相同， LED晶片2的電極是配置在散熱板3那—侧上，因為來自led 晶片2的發光部的發光是透過透明的藍寶石基板被取出， 所以發光的一部份不會被LED晶片2的電極所遮蔽，可以防 止全體的光量降低。如實施形態3所說明，不用擔心從ud 晶片2所放射的光會被伸出部4&的端面所吸收或散射，所 以可以提高發光效率。&外，在本實施形態中，藉著在導 線部8與散熱板3之間連接電源E與限制電流用的電阻R，來 供電給LED晶片2 ’因為將散熱板3作為導線部的一部份來 利用’所以可以使延伸到凹處5，内的導線部8更簡單化。 因為經由散熱板3 ’與將導線拉到背面侧具有相同的效 果，所以可以將光源裝置1的電力從散熱板3的背面侧來供 給。 (實施形態11) 以下，參照圖11來說明本發明的實施形態11。在實施 形f'3的光源裝置1中’在設在絕緣構件4上的凹處5’内注 入在=柄·月曰（也封材料）1〇(注型），將[£〇晶片2及接合線9 加以在封在本貫施形態的光源裝置1中，與實施形態3的
第38頁 517402 五、發明說明（33) 置相較，是使用模型的轉換成形來進行樹脂密封， 在始封樹脂ίο的表面形成凸透鏡i〇a。除了密封樹脂1〇以 外的構成因為與實施形態3相同，對相同的 以相同的符號並省略其說明。 fI⑷知 ^實施形態3的光源裝置"，是以注入成形來 月曰後=，並不能將密封樹脂1〇的表面形成所希望的形狀， f本貫施形態的光源裝置丨中，將散熱板3及絕緣構件4整 型（圖中未標示）内，以壓入來將密封樹脂10壓入 ίο的夺進行樹脂密封，所以可以容易地在密封樹脂 ^成凸透鏡的形狀，藉著由密封樹脂10所構成的 :’可以將來自LED晶片2所放射的光，向LED晶 方所希望的方向送光。 铲的ί f實施形態中，是將密封樹脂10的表面形成為凸透 =形=但是也可以將密封樹船。的表面形成凹透鏡的 透鏡來擴散光。即使是以注入成形來進行樹 in生利用凹面5’的内侧面的面粗糙，形狀，或表面 Ξ理：條件’及控制凹處5,内侧的面與密封樹脂1〇間的儒 p好ί可！ί控制密封樹脂10的表面形狀。、般而言當潘性 二槲二：封樹脂ι〇的表面形狀會成凹面’濡性不好時密 封树月曰1 0的表面形狀會成凸面。 (實施形態1 2 ) 12 三參造圖12(a)， （b)來說明本發明的實施形態 絕緣ϊίΛ施形態中，與實施形態3的光源裝置1相較，在 冓件4上所形成的凹處5，的内侧面全體上，形成以例 第39頁 517402 五、發明說明（34) 如銀一般的高導電性的材料所形成具有高反射率的反射膜 (反射部）1 8。反射膜1 8在導線部8、8上連續形成，與導線 部8的延伸方向相垂直的方向上延伸的狹窄寬度（例如寬度 · 約0· 2mm)的狹缝24來將其分割成2部分，分別在電性上成 * 為絕緣。然後，在突台部1 1的頂面被封裝的LED晶片2的電 極與各反射膜1 8、1 8以接合線9來做電性上連接。因為反 射膜1 8以外的構成與實施形態3相同，對相同的構成要素 將標示以相同的符號並省略其說明。 在本實施形態的光源裝置1中，從LED晶片2所放射的 _ 光，一部份透過密封樹脂1 0直接放射到外部，同時一部份 _ 被反射膜1 8反射到外部。因為反射膜1 8的反射率較絕緣構 件4的表面高，所以與實施形態3的光源裝置1相比，取出 到外部的發光的比率較高。此外，在本實施形態的光源裝 置1中’因為部分的導線部8兼具反射膜18的功能，與在凹 處5 ’内分別地形成導線部8及反射膜1 8的時候相比，可以 簡化導線部或反射膜的形狀。為了將接合線9加以焊接， 雖然金是最好的反射膜18的材料，但是以金來形成反射膜 18時，由於會吸收藍色發光的LED晶片2所放射的藍光，所 以在本實施形態中反射膜1 8的材料是使用銀。 f (實施形態1 3) 接著，參照圖1 3 (a )，（ b)來說明本發明的實施形態 1 3。在實施形態3的光源裝置1中，在絕緣構件4中的散熱 板3及相反側的面上’將寬度與突台部11的直徑大約相同 的導線部8、8，在通過突合部11的同一直線上形成，將設
第40頁 517402 五、發明說明（35) 在LED晶片2頂面的電極與各導線部8之間，經由接合線9來 做電性上的連接。在本實施形態的光源裝置丨中，與實施 形態3的光源裝置相較，使各導線部8的寬度與突台部u的 直徑相比為較小的寬度（例如約〇 · 5 mm )，在LED晶片2的電 極與各導線部8之間相連接的接合線9的延伸方向上，將各 導線部8加以延長所形成。在凹處5,的内側面及底面上的 導線部8以外的位置上，形成例如以銀所形成的高反射率 的反射膜（反射部）1 8。因為導線部8及反射膜丨8以外的構 成與實施形態3相同，對相同的構成要素將標示以相同的 符號並省略其說明。 在此光源裝置1中，從LED晶片2所放射的光，一部份 透過密封樹脂1 0直接放射到外部，另外有一部份則藉由反 射膜1 8反射到外部。
在實施形態3的光源裝置i中，從LED晶片2所放射的光 的一部份會被接合線9所遮住。在凹處5，的内侧面及底面 上所形成的導線部8上，為了容易進行焊接，通常在表面 上加上金的電鑛’但是當使用藍色發光或綠色發光的led 晶片2時，因為金的電鍍層對這些光的反射率較低，會造 成光源裝置1的光輸出降低的問題。 ^相對於此’在本實施形態中，使反射率低的導線部8 的寬度尺寸變窄’同時在接合線9的延伸方向上形成導線 部8 ’藉著使會成為接合線9的陰影的部分與導線部8相一 致’可以減少LED晶片2的光被遮住的位置面積。因為在凹 處5的内側面及底面上的導線部8以外的位置上形成反射
第41頁 517402 五、發明說明（36) 膜1 8，所以可以有效率地反射來自LED晶片2的光，以提高 光的取出效率。 (貫施形態1 4 ) 以下，參照圖1 4來說明本發明的實施形態丨4。在本實 施形態的光源裝置1中，與實施形態3的光源裝置相較，是 使用藍色發光的LED晶片來構成LED晶片2，同時在密封樹 月曰（洽、封材料）1 0 ’中，將被LED晶片2的藍色發光勵起而成 互補色的黃色發光的螢光體粒子加以分散，使密封樹月旨 1 〇 ’具有光色變換機能。因為密封樹脂1 〇，以外的構成與實 施形態3相同’對相同的構成要素將標示以相同的符號並、 省略其說明。 ~ > 在此光源裴置1中，來自LED晶片2的藍色發光，及部 为被螢光體粒子所變換的黃色光的混色，可以得到白色 光。在砲彈型LED燈時，光束降低到初期光束的7〇%為止 寿命約為6 0 0 0時間左右較短，在本實施形態的光源裝置1' 中，藉由提咼LED晶片2的散熱性，與砲彈型發光二極體 比，可以顯著地延長壽命，以實現長壽命的白色發光二極 體。 (實施形態1 5 ) 以下’參照圖1 5來說明本發明的實施形態1 5。在本每 施形態的光源裝置，將實施形態14的光源裝置中貝 5的，面广狀^/成為2段構造。亦即，在凹處5，的内側面 上’第1段斜面4b，從凹處5,的底面向開口側，内徑慢怦 地變大，形成大約45度的角度傾斜；第2段斜面4c，從^
第42頁 517402
面4b的w端部到開口却 ^ H 9 . ^ , 网 部，形成反射面，其具有能將LED晶 片Z的發光向所希望 π絡德从，a 的方向反射來取出光的剖面形狀。在 系巴緣構件4中的散數q β产咖 政"、、板3及相反側的面上，一對的導線圖案 b在通過突台部的ρη 細加。 的冋一直線上形成，在反射面4c中的導 線部8以外的位晉μ ^ ^ . 上’形成由例如銀等高反射率的材料所 / 一的膜，18。在凹處5，内到斜面蚀的前端部為止，注 ^ ^ U1 0 。因為凹處5 ’的侧面形狀以外的構成與實 施形悲14相同’對相同的構成要素標示相同的符號並 其說明。
,在此光源裝置1中，從凹處5，的第1段向外部放出的 光^因為在密封樹脂10，中分散有螢光體粒子，成為完全 擴散配光，因為從1段目所放射的光的配光變得容易控 制’所以藉由變更第2段的反射面4 c的形狀，可以將來自 LED晶片2的光向所希望的方向配光。 (實施形態1 6) 以下，參照圖1 6來說明本發明的實施形態丨6。本實施 形態的光源裝置1，與實施形態3所說明的光源裝置丨具有 相同的構造’在實施形態3中，是在散熱板3上封裝固LE]) 晶片2 ’本貫施形態中’在散熱板3封裝2個LED晶片2，將2 個LED晶片2經由導線部8來串聯連接。因為光源裳置丄的美 本的構成與實施形態3相同，所以對相同的構成要素將伊、 示以相同的符號並省略其說明。 μ $ 然而，一般而言，在光源裝置1中最好是減少發光部 分以外位置的面積，在實施形態3所說明的光源裝置1中，
第43頁 517402 五、辞明說明（38) :ί ΐ Ϊ f邛8中的、絕緣構件4的頂面所形成的部分成為與 的通電部，由於通電部是位於發光的取出面 阶菩二土泪所以需要將用來對通電部通電的連接器等構件 林合、土忐=裝置1的刖面（發光面）侧上，為了配置這些構 牛^以成發光部分以外部分的面積會增加的問題。 M <Wn口在本貫施形態的光源裝置1中，設在絕緣構件4 =導二8中’只在一邊獅晶片2在電性上相連二 :8 利中的絕緣構件4的頂面(，面)所形成的平坦 ;:，：：=的散熱板3·的位置上設置貫通散熱板3的開口孔 ρ緩I株孔3(：所露出的絕緣構件4的位置上設置貫通 導線部8的孔4e。然後在此孔耗内，由導電材 1將=棒狀的電極接腳23從絕緣構件4的上侧插 邱上㊉日 狀11下’光源裝置1被^在被固定 如m4e的孔徑要形成為較開口孔3。的孔徑小。 上、轰ϋί 本實施形態中’利用與導線部8在電性 上連接的電極接腳23，將導線部的— 在电座 作為外部連接端子，藉著從外部來供^，接:23的前端部） 側祕晶片2供電。因此，可以連二 以減少私央立β八，、，AL 尤取出侧來看，可 乂 I先口Ρ刀以外的部分佔據全體面 以達到光源裝置!的小型化之外 相的比率，除了可 用相同的面積來增
第44頁 517402 五、發明說明（39) 大發光輸出。 (實施形態1 7) 以下，參照圖1 7來說明本發明的實施形態1 7。在本實 施形態中，與實施形態3所說明的光源裝置丨相較，將散熱 板3中突台部1 1以外的部分形成直徑約5mm、高度約為1〇匪 的圓柱形狀，在其表面約中央處，設置突台部丨丨。另一方 面，使絕緣構件4的平面形狀成為一邊約為1〇_的正方 开>，將在絶緣構件4的前面側所形成的導線部8通過其侧 面，延伸到背面側，將繞到背面側的延伸部分設成部連 接端子8d。因為除了散熱板3及導線部8以外的構成都與實 施形態3相同，對相同的構成要素將標示相同的符號並省、 略其說明。 圖1 7中說明將本實施形態的光源裝置i設置在器具 體4〇上的狀態。器具本體4G中包括：打開有直徑約為6職 的圓洞41的玻璃環氧樹醋製的導線基板42，在圓洞“内插 入光源裝置1的散熱板3，將延伸到絕緣構件4的背面 外部連接端子8d焊接在導線基板42頂面的導線部43上，、 =光源裝置1與器具本體4〇在電性上及機械上相結合。吏 時，因為從圓洞41向下方突出的散熱板3的下面與器呈 ，40的散熱部分44形成熱結合’可以提高光源裝置1 ^ …性。因此，將散熱板3的下面與導線基板42之外所準 =散曰熱部分44相接觸，由於可以藉由此散熱部分^來 晶^ 2的發熱，所以導線基板42可以使用熱傳導 且廉價的詞環氧基散熱板以降低成本。寻導W低
第45頁 517402 五、發明說明（40) …在Λ實施形態中的散熱板3上只有封裝-飢ED晶片 2，當然在基板3上也可以封裴複數個UD晶 (實施形態1 8 ) Π，參照圖18來說明本發明的實施形態18 '形，中，與實施形態3所說明的光源裝置i相較，將散熱 板3的大台部11以外的部分形成直徑約5mm，高度約 〇. 5顏的圓柱形狀，在其頂面大約中央處，設置突部 11。另一方面，使絕緣構件4的平面形狀成為一邊二 20龍的正方形，在散熱板3側的面上以孔6為中心設置直炉 約為5mm，深度約為〇.5mm的凹處27。在絕緣構件彳中的凹二 處27的外側的位置上，在絕緣構件4的前面側所設的導線 部8的位置上設置貫通絕緣構件4的穿孔28，經由在穿孔μ 内填充導電材料以形成的導電部8e，將在絕緣構件4的 面側上所形成的導線部8與在背面侧所形成的外部連接 子8f做電性上的連接。因為除了散熱板3、絕緣構件4及導 線部8以外的構成都與實施形態3相同，以下對相同的構成 要素將標不相同的符號並省略其說明。 〜=I說明將本實施形態的光源裝置1封裝在器具本 肢的導線基板42上之狀態。&時，設定各部的尺寸關係使 侍散熱板3的下面與絕緣構件4的下面大約成為平面，將 熱板3放置在導線基板42上時，@為設置在絕緣構件4上的 外部連接端子8f與設置在導線基板42上的導線部43在電性 上相連接，所以可以從導線基板42向1^[)晶片2供電。因 此’藉由將此光源裝置i設置在導線基板42上，可以將光 517402 五、發明說明（41) 源裝置1直接封裝在導線基板42的圖案面上，而且由於散 熱板3的下面與導線基板42相接觸，可以將光源裝置i的發 熱透過導線基板42來釋放，以實現具有良好散熱性的表面 封裝形態的光源裝置1。 在本實施形態中，在散熱板3上只有封裝1個1^1)晶片 2 ’當然也可以在基板3上封裝複數個的LED晶片2。 (實施形態1 9 ) ▲以下，參知、圖1 9來說明本發明的實施形態1 9。在實施 2恶3的光源裝置1中，只有在散熱板3的一個面上封裝d 晶片2，但是在本實施形態的光源裝置丨中，是在散熱板3 ，兩個面上封裝LED晶片2。由於除了在散熱板3的兩面上 封裝LED晶片2此點以外都與實施形態3相同，所以對相同 的構成要素標示相同的符號並省略其說明。 μ在此光源裝置1中，是在散熱板3的兩個面上各設置2 :大台部11。在絕緣構件4中的散熱板3的突台部^所對應 、立置上，在與散熱板3相反側的面上形成開放的凹處 La在凹處5’的底面上形成貫通絕緣構件4的孔6。此處的 孔6的孔徑約為lmffl ’與突台叫的外徑大約相同。凹處 ϋ 的底面的内徑約為2mm，nnr^，λα/» , 的距離，内徑逐漸變大，：成處約以的4:二著與猶 形狀。 七成約以45度的角度傾斜的斷面 為散熱Γ及絕緣構件4、4與孔6及突台部11成 t :的狀❹以黏接，從孔6所露出的突台部Η的位置 用銀膠-般的晶片接合膠7將厚度約為〇· 2襲的㈣ 第47頁 517402 五、發明說明（42) 晶片2加以焊接。在絕緣構件4中與散熱板3相反側的面 上’形成由銅等導電材料所形成的導線部8，在其表面上 進行金的電鍍。導線部8延伸到凹處5，的側壁及底面，構 成凹處5’的底面的伸出部4a上所形成的導線部8與在LED晶 ， 片2的頂面所形成的電極之間，經由例如金一般的金屬細 線所形成的接合線9來做電性上的連接。 如以上所述，在本實施形態的光源裝置1中，因為絕 緣構件4，LED晶片2，導線部8，及密封樹脂10是設置在散 熱板3的兩個面上，所以可以將LED晶片2的發光向散熱板3 的兩面放射。因為在散熱板3的兩面配置相同的構件，所 以可以抑制散熱板3的彎曲。 (實施形態2 0 ) 以下，參照圖2 0 (a)〜（e )，依製程來說明本實施形熊 的光源裝置 1 中使用 MID (Molded Interconnect Devieef 的製造方法。因為本實施形態中的光源裝置i的構造盥實 施形態3相同，對相同的構成要素將標示以相同的符|虎並 省略其說明。 首先，在第1製程中形成絕緣構件4的形狀。絕緣構件 4是使用例如液晶聚合物、多鄰苯二甲硫胺 (PolyPhthalamide)、多鄰苯二甲石基 (PolyPhthalSulphone)、環氧基、對位聚苯乙稀 (Syndiotactic Polystyrene 以下稱之為 SPS)、聚 丁烯對 苯二甲基（Poly Butylene Terephalete，以下稱之為ρβτ) 等，以射出成形或轉換成形來形成凹處5，及孔6 (參照圖
第48頁 517402 五、發明說明（43) 2 0(a))。上述絕緣構件，使用产人 氧化鋁與氧化鍅等，與膠結料艰&物以外的無機材料，如 形後，再脫脂（除去有機^才y 有▲機材料）相混合及射出成 在第2製程中形成導邱，，結後的材料亦可。 上，使用真空蒸鍍、Dc機鑛法:5構件4的表面全體 例如0 · 3 // m的銅薄膜。接#， 灰鑛法來形成膜厚為 面上照射雷射等電磁波，二丰成銅薄膜的散熱板3的表 底層。此時所照射的命 Y、、、有電磁波的部分的電鍍 部材料吸收良好的材;;！ f使用YAG雷射等電錢底 Mirror)來走查，電路道"精者雷射光偏轉境（Galvano 分(以下稱之；非電：;Ρ :Ϊ::8)以外形 路部間的邊界部分射，至少在非電路部與電 在非電路部與電路部間#旛 /、來…射，以除去 給電路部，進行銅電？的=域的電鍍底層。然後供電 膜厚的金屬膜的導線二之德：、銀電鍍等’在形成特定 (S0ft Ftph. , ^ 之後，將非電路部以軟性蝕刻 ..^ . lng)等加以除去（參照圖20(b))。也可以使用 金電鍍來取代銀電鍍，口 使用 來適當f決定電鍍的材料及厚度即可。 &下系 接者，第3製程中形成散熱板3並與絕緣構件4相 :。使：環氧基樹脂及壓克力樹脂等黏接劑22，將由紹、 巧、銅等熱傳導性良好的材料所形成的散熱板3，黏接在 ^緣構件4的下面（參照_(c))。此時，最好在絕緣構件 。、、孔6 ΐ對應的散熱板3的位置上預先形成突台部11。也 可以將突台部11壓入到孔6中來將散熱板3及絕緣構件4接
517402 五、發明說明（44) 合’以取代使用黏接劑22來黏接基板3及絕緣構件4。 ’ 然後’第4製程中進行晶片焊接及電性黏接。在絕緣 構件4上所設的孔6所露出的散熱板3的位置上，使用具有 透光性的黏接劑將藍色LED晶片2加以焊接，例如使用直徑 為25 的金的接合線9來進行接線焊接（參照圖⑼“））。 取後在第5製程中進行密封。將LED晶片2的藍色發光 所$起，進行互補色之黃色發光的螢光體粒子在樹脂中加 =刀政之松封樹脂（密封材料）1〇，注入到凹處5，中，將乙⑽ 晶片2與接合線9加以密封（參照圖2〇&))。 在習知的光源裝置中，因為是對絕緣構件進行切削加 =來形成LED晶片2的封裝部位，所以加卫f用較高，而且 _ BB片2的封裝部位上會發生切削痕跡等造成表面粗度 中粗‘使得LED晶片2的接合作業難以進行，在本實施形態 #，同上述將散熱板3與絕緣構件4加以接合，在絕緣構 =的孔6所露出的散熱板3的位置上封裝LED晶片2在，、=構 二=:費用’而且’因為㈣晶片2的封裝部位為平 :接合線9所連接的焊接塾表面為平坦且平 在：二好肉使得LED晶片2容易被封裝。由於接合線9是包 ίη所，接合線9不會露出填充在凹處5,内的密 i M Is 1 0 ，使得接合線9發生斷魂的被至分I 信賴性。 &心生斷線的確率減少，可以提高 (實施形態2 1) 因為本貝鉍形您的光源裝置1的 第50頁 517402 五、發明說明（45) —- 構造與實施形態3的光源裝置相同，所以對相同的構成要 素將標不相同的付5虎並省略其說明。 首先，在第1製程中，以插入成形來形成與散熱板3相 接合的絕緣構件4。絕緣構件4可使用例如液晶聚合物、多 鄰本一甲硫胺（P〇lyPhthalamide)、多鄰苯二甲石黃 (PolyPhthalSulphone)、環氧基、SPS、pBT 等。散熱板^ 的材料可以使用銀、鋁、銅等熱傳導性的良好的材料， 散熱板3與絕緣構件4以插入成形來同時形成（參照圖2 1 ； (a))。 …、、、 然後，在第2製程中形成導線部8。在絕緣構件4 面全體上，使用真空蒸鍍、DC滅鍍法、或以滅鍍法來/ 熱板3的表面上昭射二二接/在形成銅薄膜後的散 的部分的電鍍底層。此睥昭斛的+私处， 彳电碗皮 等電鍍底材吸收良好的二射二义最好使用YAG雷射 (Galvan。來^貝二3由雷射光偏轉境 絕緣空間的部分（以下二路部（導線部8)以外的 部與電路部間的邊界：八之’、、’夂广路部)上’藉由在非電路 可以除去非電路部斑電二二=路部的圖案來照射， 成特定膜厚的L 電鍍、•電鑛、銀電鍍等，在形 姓刻等來加以除H的導線部8之後’將非電路部以軟性 電鍍來取代銀電鍍二？η) ’此外’也可以使用金 來適當地決定電錢的;;料與；度：反射效率與導線作業性 517402
五、發明說明（46) 然後，在第3製程中進行晶片焊接及電性連接。設置 在絕緣構件4上的孔6所露出的散熱板3的位置上，使用具 有透光性的黏接劑來將藍色LED晶片2加以焊接，例如使用 直徑為25 //m的金的接合線9來進行接線焊接（參照圖21 (c )) 〇
最後在第4製程中進行密封。將LED晶片2的藍色發光 所勵起，進行互補色之黃色發光的螢光體粒子在樹脂X中加 以分散之密封樹脂（密封材料）1〇,注入到凹處5，中，將LED 晶片2與接合線9加以密封（參照圖2 1 (d))。
在習知的光源裝置中，因為是對絕緣構件進行切削加 工來形成LED晶片2的封裝部位，所以加工費用較高，而且 在LED晶片2的封裝部位上會產生切削痕跡等造成表面粗度 變粗’使得LED晶片2的接合作業難以進行，在本實施形態 中，如同上述將散熱板3與絕緣構件4以插入成形，因為在 絕緣構件4的孔6所露出的散熱板3的位置上封裝led晶片 2，且封裝L E D晶片2的基板3的部位較平坦，而且絕緣構件 4是以Μ I D所構成，接合線9所連接的焊接墊表面為平坦且 平面度良好，使得LED晶片2容易被封裝。由於接合線9是 ^在凹處5’内，所以接合線9不會漏出填充在凹處5，内的 密封樹脂1 0，，使得接合線g發生斷線的確率減少，以提高 信賴性。而且，因為散熱板3與絕緣構件4是以插入成形來 形成’所以不需要將散熱板3及絕緣構件4加以接合的製 程，可以降低製造成本。 (實施形態22)
第52頁 517402 五、發明說明（47) 以下參照圖2 2 ( a)〜（d )的各製程來說明本實施形態的 光源裝置的製造方法。因為本實施形態的光源裝置1的構 造與實施形態3的光源裝置相同，所以對相同的構成要素 將標示相同的符號並省略其說明。
首先，在第1製程中形成散熱板3及導電板。藉著將厚 度約為1mm的引線架20a打穿，形成彎曲的形狀，以形成設 置有突台部11的的散熱板3(參照圖22(a))。另外，藉著將 厚度約為0· 2mm的引線架2〇b打穿，形成彎曲形狀，形成具 有打通突台部11的插通孔8a的導線部8,（參照圖22(a))。 引線架2 0 a、2 0 b的材料可以使用例如銅、4 2合金等具有優 良導電性及熱傳導性的材料。 在第2製程中，對散熱板3與導電板進行電鍍。在焊接 LED晶片2的突台部11及接合線9所連接的導線部8，的部位 上進行部分的鎳電鍍及銀電鍍。在連接接合線9的焊接墊 邛8b，也可以使用金電鍍來取代銀電鍍，使其更容易進行 接合線9的連接作業（參照圖22(b))。
道發f著’在第3製程中’以插人成形來形成與散熱板3 U板相接合的絕緣構件4。其絕緣構件可以使用液晶影 多鄰笨一甲硫胺（p〇lyPhthalamide)、多鄰苯二专 磧（PolyPhthalSulphone)、環氧基樹脂、sps、ρβΤ 料，將加上部分電鍍的導線部8，及散熱板h 所來=!^時形成(參照圖23(c))。此時，在絕緣制 咬^8,的焊=執的底面上，露出散熱板3的突台部11與導 、、杲邛8的知接墊部§匕。 517402 五、發明說明（48) 然後，在第4製程中進行晶片 =性將藍_晶片2焊接在散== 線谭丄參= 先所^ ’ Ϊ第5製程中進行密封。將LED晶片2的结色發 先所勵起，進行互補色普 妁凰色1 加以分散之密封抖~ /、 螢先體粒子在樹脂中 irn曰V! (密封材料）10,注入到凹處5,中，將 日日，與接合線g加以密封（參照圖22(6))。 、 工來$ 的曰光置中’ 0為是對絕緣構件進行切削加 木成L· L· 1)日日片2的择立β从 _晶片2的封裝斤以加工費用較高，而且 :粗=襲晶片2的接合作業難以進行，在二態 中’如同上述將散熱板3盘绍給接μ 、 在絕緣構件4中所設的凹處5,中以番入成形，因為疋 M ^LED ,a , 2ALED θ Η 2 "V ^ ^ ^ 嫉此&人耵装日片2的封裝位置為平坦的絕緣 構件’接a線9所連接的焊接墊平面為平坦且平面度良 ::使得LED晶片2容易被封裝。由於接合線9是包含在凹 =内’所^接合線9不會露出填充在凹處5,内的密封樹 月曰，使侍接合線9發生斷線的確率減少，以提高信賴 而且’因為散熱板3與絕緣構件4是以插入成形來形 成’所以不需要將散熱板3及絕緣構件4加以 可以降低製造成本。 (實施形態2 3 ) 以下，參照圖23(a)〜（f)來說明本實施形態的光源裝 517402 五、發明說明（49) 置的製造方法的各個製程。因為本實施形態的光源裝置的 構造與實施形態6的光源裝置相同，所以對相同的構成要 素將標示相同的符號並省略其說明。 人首Ϊ德Ϊ第1製程中以插入成形來形成與基板3,相接 $的絕緣構件4。絕緣構件4是使 苯二甲硫胺（P〇lyPhthalainide)、多鄰苯"二甲谱 多* (P〇iyPhthalSulphone)、環氧基樹脂 βτ 『=可以使用銀、、銘、銅等熱傳導性的良好的[ 二)，政熱板3與絕緣構件4以插入成形同時形成（參照圖 面八32$2|^；^^^8°在絕緣構件4的表 膜厚為例如ο」⑽的銅薄膜。接著，在 熱板3的表面上照射雷射等電磁波，/ :射、J的散 的部分電鍍底層。此時昭 /、去々射到龟磁波 等電鍍底材吸收^，敢好是使用YAG雷射 (心咖^^^質二如藉由雷射光偏轉境 rror)來走查，照射電路部〔 空間的位置(以下稱之為非電κ導線：)以外的 :與電路部間的邊界部分上沿著非電的：2非電路 :以除去非電路部與電路部間的邊界案來照射， ^電路部供電，進行 :=鍍底層。然 、厚的金屬膜的導線部8之後，將 电戴寺开/成 2來加以除去(參照圖23(b))，此外，也7以軟性# 鍍來取代銀電鍍，只要考慮光的反射 可^使用金電 千興導線作業性來
第55頁 517402
適當地$定電鍍的材料與厚度。 ， _ 1 4接著、’在第3製程中，將其焊接在另外形成的熱傳導 肽^。以链或鋼等熱傳導性良好的金屬來形成柱狀（角 ^或圓柱）的熱傳導體（突起部）14，使用具有透光性的接 。膠將LED晶片2焊接在熱傳導體14的頂面（參照圖23 (c))。 ,f著’在第4製程中將上述的熱傳導體14壓入基板 3 。，從基板3側將封裝有LED晶片2的熱傳導體14壓入在基 板3及絕緣構件4上分別形成的連通孔丨3及孔6内（參照圖 23(d))。此時’因為熱傳導體14是被壓入設在基板3，上的 連通孔13内，所以熱傳導體14與基板3,會緊密黏接，使得 熱傳導體14與基板3，之間的熱傳導變大。 然後，在第5製程中進行電性連接。在LED晶片2頂面 的電極與導線部8之間，藉由直徑為例如25#m的金的接合 線9來加以連接（參照圖23(e))。 最後，在第6製程中進行封裝。將led晶片2的藍色發 光所勵起，進行互補色之黃色發光的螢光體粒子在^樹脂X中 加以分散之密封樹脂（密封材料）10,注入到凹處5，中，將 LED晶片2與接合線9加以密封（參照圖23(f))。 在本實施形態中，使用上述的製造方法來製造光源裝 置1，因為將LED晶片2預先封裝在熱傳導體14中，可以使 侍L E D晶片2被焊接的熱傳導體14的部位成為平坦，使得平 面度變好’使得LED晶片2容易被封裝。因為封裝包含led 晶片2的突台部11時，是將熱傳導體1 4壓入設在基板3，上
第56頁 517402 五、發明說明（51) 的連通孔1 3内來形成，與使用切削加工來形成突台部1 1時 相比，可以降低加工費用。 在上述的各實施形態中說明了各部份的尺寸，但是各 部份的尺寸並不僅限定在上述的尺寸中，只要適當地設定 各部份的尺寸即可。 此外，在上述一部份的實施形態的中，說明了在密封 樹脂中包含螢光體來將LED晶片2的光加以變換，此情況也 可以適用在其他全部的實施形態上。 【產業上的利用可能性】 很廣源、，在應用的產業領域中具有 輸出，例如可以$性L藉由改進散熱性能可以產生較大的 的光源、交通传號為照明用光源、各種開關的指示顯示用 源、及廣告官^ =用的光源、汽車的各種警告顯示用的光 一 一得顯示用的光源等。
517402 圖式簡單說明 【圖式之簡單說明】 圖1 (a)、（b)是說明本發明的實施形態1的光源裝置，（a) 為剖面圖，（b )為頂視圖。 圖2是說明實施形態2的光源裝置的剖面圖。 圖3 ( a )、（ b )是說明實施形態3的光源裝置的剖面圖。 圖4(a)、（b)是說明實施形態4的光源裝置之剖面圖。 圖5是說明實施形態5的光源裝置的剖面圖。 圖6是說明實施形態6的光源裝置的剖面圖。 « 圖7是說明實施形態7的光源裝置的剖面圖。 圖8說明實施形態8的光源裝置的剖面圖。 圖9是說明實施彬態9的光源裝置的剖面圖。 圖1 0是說明實施形態1 0的光源裝置的剖面圖。 圖11是說明實施形態11的光源裝置的剖面圖。 圖1 2 ( a)、（ b )是說明實施形態1 2的光源裝置，（a)為剖面 圖，（b)為頂視圖。 圖1 3 (a)、（ b)是說明實施形態1 3的光源裝置，（a)為剖面 圖，（b)為頂視圖。 圖1 4是說明實施形態14的光源裝置的剖面圖。 圖1 5是說明實施形態1 5的光源裝置的剖面圖。 圖1 6是說明實施形態1 6的光源裝置的剖面圖。 圖1 7是說明實施形態1 7的光源裝置的剖面圖。 圖1 8是說明實施形態1 8的光源裝置的剖面圖。 圖1 9是說明實施形態1 9的光源裝置的剖面圖。 圖20(a)〜（e)是說明實施形態20的光源裝置的各製程之剖
第58頁 517402 圖式簡單說明 面圖。 圖21(a)〜（d)是說明實施形態21的光源裝置的各製程之剖 面圖。 圖2 2 ( a )〜（e )是說明實施形態2 2的光源裝置的各製程之剖 面圖。 圖23(a)〜（f)是說明實施形態23的光源裝置的各製程之剖 面圖。 圖24是習知的光源裝置的剖面圖。 圖2 5是習知的另一種光源裝置的剖面圖。 【符號說明】 1光源裝置 2 LED晶片 3散熱板 4a伸出部 4絕緣構件 5圓洞 6孔 7晶片接合膠 8 導線部 9，21接合線 1 0， 密封樹脂 11突台部 12凹處 13連通孔 第59頁 517402 圖式簡單說明 '1 4熱傳導體（突起部） 15 間隙 16凹處 17 凸部 18 反射膜 31引線架 3 1 a 凹處 31， 32引線架 Φ 3 3 密封樹脂 9 1 導線基板 92 LED晶片 9 6 密封樹脂 9 11凹陷 9 1 2金屬基板 9 1 3 絕緣體膜層 9 1 5 導線圖案 Φ
第60頁

Claims (1)

  1. 517402 六、申請專利範圍 h 一種光源裝置，用以射出來自LED晶片（2)的光，其特 徵為具備： 寺 散熱板（3) ’具有熱傳導性； 絶，構件（4 )，没置在該散熱板（3 )的至少一邊的表面 上，與該散熱板（3 )相對的位置上形成貫通的孔（5、5，、 6)； 該LED晶片（2)，對到從此孔（5、5，、6)露出的該散埶 板（3)的位置，進行熱結合來配置； …、
    導線部（8)，設置在該絕緣構件（4)上，藉由該絕緣構 件（4)來與該散熱板（3)在電性上絕緣；及 連接構件（9、21)，將該導線部（8)與該LED晶片（2)的 電極之間做電性上連接。 2:如申請專利範圍第丨項的光源裝置，其更具備：密封材 料（10、10’），填充在該孔（5、5，、6)中，將該LED晶片 (2)及該連接構件（9、21)的全體加以密封。
    3·如+申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，與該LED晶片 (2)藉由該連接構件（9、21)來作電性上連接的該導線部 ^的部位係設置在該孔（6 )中，較該絕緣構件（1)中設置 該散熱板（3)面的不同面侧更接近於該散熱板侧。 4·如+申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，與該LED晶片 (2)藉由該連接構件（9、21)作電性上連接的該導線部（8) 的部位係設置在該孔（6 )上，將該密封材料（1 〇、1 〇，）填充 到該孔（6 )的開口附近為止。 5·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，於設置在該
    第61頁 517402 六、申請專利範圍 絕緣構件（4 )上的該孔（6)的該散熱板側的開口邊緣上，設 置向内側突出的伸出部（4a)，在此伸出部（4a)上至少配置 部分的該導線部（8 ); 在該散熱板（3)中’具有突台部（11)，其突出到該絕 緣構件（4)側上，被插入該絕緣構件（4)的孔（6 )中，將該 LED晶片（2)與此突台部（11)相對，進行熱結合來配置； 於配置在該伸出部（4 a )上的導線部（8 )的部位上與該 LED晶片（2)的電極作電性上連接。
    6 ·如申請專利範圍第5項的光源裝置，其中，該連接構件 (9、2 1 )是由金屬線所形成，關於該絕緣構件（4)及該散熱 板（3)的接合方向，使連接該金屬線一端的該LED晶片（2) 的位置與連接該金屬線的另一端的該導線部（8 )之位置的 高度大約相同。 7 ·如申請專利範圍第5項的光源裝置，其中，關於該絕緣 構件（4)及該散熱板（3)的接合方向，使封裝該LED晶片（2) 的該突台部（11)與在電性上連接該LE1)晶片（2)的該導線部 (8)的位置的高度大約相同。
    8·如申請專利範圍第5項的光源裝置，其中，該突台部 (11) 藉由在該散熱板（3)中與該絕緣構件（4)相反侧的面 上進行錘擊加工來形成凹處，在該散熱板（3)中的該絕緣 構件（4)侧的面上被錘擊而形成。 9·如申請專利範圍第5項的光源裝置，其中，該散熱板（3) ^括形成與該孔（6)相連通的連通孔（1 3)的基板（3,），及 女裝在此連通孔（1 3 )之前端突出到絕緣構件（4)侧的突起
    第62頁 517402
    部（14) (11)。 且以戎突起部（丨4)的前端部來構成該突台部 10·Λ=專利範圍第5項的光源裝置’其巾，該孔⑷與 該犬〇 4 (11)之間存在有間隙（丨5 )。 11.如中請專利範圍第2項的光源裝置，其中，將該絕緣構 件（4)與該散熱板（3)間的接合面中之黏接劑（（22)的儲留 部（4d)，設置在該孔（6)的周圍，該絕緣構件（4)的接合面 與該散熱板（3)的至少一處上。 1 2·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，該散熱板 (3)是由導電性材料所形成，該導線部（8)包含此散熱板 (3 ) ’此散熱板（3 )與該LED晶片（2 )的電極間作電性上連 接。 1 3·如申請專利範圍第丨2項的光源裝置，其中，該散熱板 (3)具有互相在電性上為絕緣的複數個散熱板區域（3a、 3b)。 1 4·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，將該密封材 料（10、10’）的表面，形成可以將該LED晶片（2)的發光向 所希望的方向送光的透鏡（l〇a)形狀。
    15·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，在該孔（6) 的侧壁上，設置可以反射該LED晶片（2)的發光並向所希望 的方向送光的反射部（18)。 1 6·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，該密封材料 (10、10’）具有光色變換機能，可以將該LED晶片（2)所放 射的光的至少一部份轉換成特定的光色。
    第63頁 517402 六、 申請專利範圍 1 7.如申請專利範圍第1 6項的光源裝置，其中’該密封材 料（1 0、1 〇 ’）的表面位置較該絕緣構件（4 )中的該散熱板側 不同的面來得靠近散熱板（3)側，在該孔（6 )的周壁上設置 有反射部（18)，其可以反射該LED晶片（2)的發光並向所希 望的方向送光。 1 8 ·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，將該導線部 (8 )的一部份向該散熱板（3 )側延伸，以此延伸的部分來構 成外部連接端子（8d、8f )。
    1 9 ·如申請專利範圍第1 8項的光源裝置，其中，將該導線 部（8)的一部份，延伸到該絕緣構件（4)的該散熱板（3)的 對面為止。 2 0 ·如申明專利範圍弟1 8項的光源裝置，其中，將該絕緣 構件（4 )的一部份延伸到該散熱板（3 )側，使此延伸部分的 前端與該散熱板（3)中的該絕緣構件（4)相反側的面大約同 平面。 2 1 ·如申請專利範圍第2項的光源裝置，其中，該絕緣構件 (4，）、該LED晶片（2)、該導線部（8)、及該密封材料（1()、 10’）是設置在該散熱板（3)的兩個面上。
    22· —種光源裝置的製造方法，該光源裝置射出來自ίΕ]) 片（2 之光，該光源裝置的製造方法之特徵為包括： 第1製程’在由絕緣構件所構成的絕緣構件（4)上， 射出光的前面側與其背面側的兩面上開口，形成貫通此 緣構件（4 )的孔（6 ); 第2衣程在該絕緣構件（4 )的前面側上形成供電給該
    517402 六、申請專利範圍 LED晶片（2 )的供電用導線部（8 ); ， 弟3製程’在②絕緣構件（4 )的背面側上，與具有熱 導性的散熱板（3)相接合； ^ ^ 第4製程，與從該孔（6)所露出的該散熱板（3)的位置 相對，並以熱結合來配置該LED晶片（2)後，藉由連接構件 (9、2 1)來將該導線部（8)與該LED晶片（2 )的電極作電性上 的連接；及 第5製程，在該孔（6)中填充具有透光性的密封材料 (10、10,），將該LED晶片（2)及該連接構件（9、21)的令鲈 加以密封。 2 3· —種光源裝置的製造方法，該光源裝置射出來自led 晶片（2 )之光，該光源裝置的製造方法之特徵為包括： 第1製程，將由絕緣構件所構成，在射出光的前面侧 與其背面側的兩面上開口，形成貫通材料的孔（6)的絕緣 構件（4 )，與設置在該絕緣構件（4 )的背面側，具有熱傳導 性的散熱板（3 )以插入成形來形成； 第2製程，在該絕緣構件（4)的前面侧的面上，形成供 電給該LED晶片（2)的供電用導線部（8); " 第3製程，與從該孔（6 )所露出的該散熱板（3 )的位置 相對’並以熱結合來配置該L E D晶片（2 )後，藉由連接構件 (9、，21)來將該導線部（8)與該LED晶片（2)的電極作電性上 的連接；及 第4製程’在該孔（6)中填充具有透光性的密封材料 (10、10 )’將該LED晶片（2)及該連接構件（9、21)的全體
    517402 申請專利範圍 加以密封 2胃4· 一種光源裝置的製造方法，該光源裝置射出來自led 晶片)之光’該光源裝置的製造方法之特徵為包括： 第1製程’形成具有熱傳導性的散熱板（3)及構成供電 給該L^ED晶片（2 )的供電用導線部（8，）的導電板； ，2 =程’在該散熱板（3 )及該導電板上進行電鍍； ^泰f 3製程，以特定的間隔來插入成形該散熱板（3 )及該 包f來形成由絕緣構件所構成的絕緣構件（4 ); 口第4|製,程，在射出發光的前面侧與其背面侧的兩面上 &仿、^心貝通該絕緣構件（4 )的孔（6 )所露出的該散熱板 由連接槿杜相對，並以熱結合來配置該LED晶片（2)後，藉 極作♦性μ 9、21)來將該導線部（8)與該LED晶片（2)的電 極作=性上的連接；及 (ίο、1〇,二程，在戎孔（6)中填充具有透光性的密封材料 加以密封。’將該LED晶片（2)及該連接構件（9、21)的全體
    第66頁
TW090130969A 2001-04-12 2001-12-13 Light source using light emitting diode and method for producing the same TW517402B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114502A JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2001-04-12 光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW517402B true TW517402B (en) 2003-01-11

Family

ID=18965561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090130969A TW517402B (en) 2001-04-12 2001-12-13 Light source using light emitting diode and method for producing the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6874910B2 (zh)
EP (1) EP1387412B1 (zh)
CN (1) CN1212676C (zh)
AT (1) ATE425556T1 (zh)
DE (1) DE60137972D1 (zh)
TW (1) TW517402B (zh)
WO (1) WO2002084750A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US8530915B2 (en) 2002-09-04 2013-09-10 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8622582B2 (en) 2002-09-04 2014-01-07 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package

Families Citing this family (371)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW591990B (en) * 2001-07-25 2004-06-11 Sanyo Electric Co Method for making an illumination device
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
EP1939939A3 (en) * 2002-06-14 2010-03-24 Lednium Technology Pty Limited A lamp and method of producing a lamp
TW554553B (en) * 2002-08-09 2003-09-21 United Epitaxy Co Ltd Sub-mount for high power light emitting diode
US7163327B2 (en) * 2002-12-02 2007-01-16 3M Innovative Properties Company Illumination system using a plurality of light sources
DE112004000155B4 (de) 2003-01-16 2019-06-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Anschlussrahmen für ein Halbleiterbauelement
TW570301U (en) * 2003-02-13 2004-01-01 Shang-Hua You Adhesive type LED lead frame
JP2004265977A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Noritsu Koki Co Ltd 発光ダイオード光源ユニット
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
CN100420048C (zh) * 2003-03-14 2008-09-17 住友电气工业株式会社 半导体器件
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US20040229391A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Kazuyuki Ohya LED lamp manufacturing process
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US20070013057A1 (en) * 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
CN1802533B (zh) * 2003-05-05 2010-11-24 吉尔科有限公司 基于led的灯泡
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
WO2004107443A1 (de) * 2003-06-03 2004-12-09 Asetronics Ag Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
TWI220577B (en) * 2003-07-25 2004-08-21 Epistar Corp Light emitting device having composite substrate
JP2005064047A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US20050046003A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Chung-Che Tsai Stacked-chip semiconductor package and fabrication method thereof
EP1670072B1 (en) * 2003-09-19 2009-04-29 Panasonic Corporation Illuminating device
CN1601768A (zh) * 2003-09-22 2005-03-30 福建省苍乐电子企业有限公司 一种发光二极管结构
US7329024B2 (en) * 2003-09-22 2008-02-12 Permlight Products, Inc. Lighting apparatus
WO2005031883A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 線状光源装置及びその製造方法、並びに、面発光装置
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077616A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ng Kee Yean High power light emitting diode device
US7102172B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-05 Permlight Products, Inc. LED luminaire
JP4259979B2 (ja) 2003-10-22 2009-04-30 新光電気工業株式会社 光透過性カバー及びこれを備えたデバイス並びにそれらの製造方法
JP3976063B2 (ja) * 2003-10-31 2007-09-12 豊田合成株式会社 発光装置
DE10351934B4 (de) * 2003-11-07 2017-07-13 Tridonic Jennersdorf Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit wärmeabführender Platine
FR2862424B1 (fr) * 2003-11-18 2006-10-20 Valeo Electronique Sys Liaison Dispositif de refroidissement d'un composant electrique et procede de fabrication de ce dispositif
US7717589B2 (en) * 2003-11-25 2010-05-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device using light emitting diode chip
US7403680B2 (en) 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7250611B2 (en) * 2003-12-02 2007-07-31 3M Innovative Properties Company LED curing apparatus and method
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US7198387B1 (en) * 2003-12-18 2007-04-03 B/E Aerospace, Inc. Light fixture for an LED-based aircraft lighting system
US7456805B2 (en) 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP4343720B2 (ja) * 2004-01-23 2009-10-14 株式会社小糸製作所 灯具
US20060017658A1 (en) * 2004-03-15 2006-01-26 Onscreen Technologies, Inc. Rapid dispatch emergency signs
KR100621550B1 (ko) * 2004-03-17 2006-09-14 삼성전자주식회사 테이프 배선 기판의 제조방법
DE102004013680A1 (de) 2004-03-18 2005-10-20 Siemens Ag Lichtquelle für Bilderzeugungseinheit
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
WO2005101489A2 (de) * 2004-04-16 2005-10-27 Lucea Ag Gehäuse für led-chip und lichtquelle
US20080043444A1 (en) * 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
US8188503B2 (en) * 2004-05-10 2012-05-29 Permlight Products, Inc. Cuttable illuminated panel
TWI244226B (en) * 2004-11-05 2005-11-21 Chen Jen Shian Manufacturing method of flip-chip light-emitting device
US7138659B2 (en) * 2004-05-18 2006-11-21 Onscreen Technologies, Inc. LED assembly with vented circuit board
JP2005339881A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Hitachi Displays Ltd 照明装置、照明モジュール及び液晶表示装置
US8294166B2 (en) 2006-12-11 2012-10-23 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
US7111972B2 (en) * 2004-06-23 2006-09-26 Osram Sylvania Inc. LED lamp with central optical light guide
US20060013003A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. High illumination light emitting diode
TWI302038B (en) * 2004-07-07 2008-10-11 Epistar Corp Light emitting diode having an adhesive layer and heat paths
US20060012992A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED luminance enhancing construction
CN1317592C (zh) * 2004-07-19 2007-05-23 友达光电股份有限公司 散热固定装置及其散热方法
US20060017058A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Construction of LED circuit board
US7236366B2 (en) * 2004-07-23 2007-06-26 Excel Cell Electronic Co., Ltd. High brightness LED apparatus with an integrated heat sink
US20080290354A1 (en) * 2004-07-27 2008-11-27 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light Emitting Diode Assembly
US20060046327A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Nan Ya Plastics Corporation High heat dissipation LED device and its manufacturing method
DE102004042186B4 (de) * 2004-08-31 2010-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2006100787A (ja) 2004-08-31 2006-04-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置および発光素子
JP3956965B2 (ja) * 2004-09-07 2007-08-08 日立エーアイシー株式会社 チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
JP4062358B2 (ja) * 2004-09-16 2008-03-19 日立エーアイシー株式会社 Ｌｅｄ装置
EP1794814A1 (en) * 2004-09-23 2007-06-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device
US7891836B2 (en) * 2004-10-22 2011-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light-emitting device with improved heatsinking
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
US7303315B2 (en) * 2004-11-05 2007-12-04 3M Innovative Properties Company Illumination assembly using circuitized strips
TWI255377B (en) * 2004-11-05 2006-05-21 Au Optronics Corp Backlight module
JP2006186297A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US7683393B2 (en) * 2004-12-07 2010-03-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate for mounting light emitting element
US20060131601A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Ouderkirk Andrew J Illumination assembly and method of making same
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
ITRM20040633A1 (it) * 2004-12-23 2005-03-23 St Microelectronics Srl Trasmettitore ottico multi-sorgente e dispositivo di visualizzazione fotonico.
KR101115800B1 (ko) * 2004-12-27 2012-03-08 엘지디스플레이 주식회사 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
KR101197046B1 (ko) 2005-01-26 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 발광다이오드를 사용하는 2차원 광원 및 이를 이용한 액정표시 장치
KR101138944B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
JP4895075B2 (ja) * 2005-01-31 2012-03-14 ウシオ電機株式会社 放電ランプ
JP2006237190A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光装置
US7262438B2 (en) * 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
JP4241658B2 (ja) * 2005-04-14 2009-03-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
US7329942B2 (en) * 2005-05-18 2008-02-12 Ching-Fu Tsou Array-type modularized light-emitting diode structure and a method for packaging the structure
CN100435361C (zh) * 2005-05-31 2008-11-19 新灯源科技有限公司 半导体发光元件封装结构
KR100649641B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
CN2814677Y (zh) * 2005-06-03 2006-09-06 明达光电(厦门)有限公司 带凹槽式基板的发光二极管
WO2006132148A1 (ja) 2005-06-07 2006-12-14 Fujikura Ltd. 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
WO2006134839A1 (ja) * 2005-06-13 2006-12-21 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、発光モジュール及び照明装置
KR100784057B1 (ko) * 2005-06-24 2007-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
CN100565948C (zh) * 2005-06-30 2009-12-02 松下电工株式会社 发光装置
KR101232505B1 (ko) * 2005-06-30 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치
JP4617209B2 (ja) * 2005-07-07 2011-01-19 株式会社豊田自動織機 放熱装置
CN2821749Y (zh) * 2005-07-21 2006-09-27 新灯源科技有限公司 发光显示面板
KR100629521B1 (ko) * 2005-07-29 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
US20070041195A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Excel Cell Electronic Co., Ltd. Light emitting assembly
US7311420B2 (en) * 2005-08-22 2007-12-25 Avago Technologies Ecbuip Pte Ltd Opto-electronic package, and methods and systems for making and using same
CN100403503C (zh) * 2005-09-07 2008-07-16 孙卓 高反射率半导体照明集成光源模块的制造方法
US7812358B2 (en) * 2005-09-13 2010-10-12 Showa Denko K.K. Light-emitting device
KR100983836B1 (ko) * 2005-09-20 2010-09-27 파나소닉 전공 주식회사 Ｌｅｄ조명 기구
EP1928029B1 (en) * 2005-09-20 2018-10-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting diode package
DE102006032415A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
US20090225541A1 (en) * 2005-10-20 2009-09-10 Showa Denko K.K. Luminous device mounting substrate, luminous device mounting package, and planar light source device
US7505275B2 (en) * 2005-11-04 2009-03-17 Graftech International Holdings Inc. LED with integral via
WO2007059657A1 (en) 2005-11-28 2007-05-31 Jen-Shyan Chen Package structure of light-emitting diode
JP2007165803A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Sharp Corp 発光装置
KR100764380B1 (ko) * 2005-12-16 2007-10-08 삼성전기주식회사 슬림형 백라이트유닛
KR101144489B1 (ko) * 2005-12-23 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR100723144B1 (ko) * 2005-12-24 2007-05-30 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US20070164303A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Lightop Technology Co., Ltd. [led lamp]
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US20070176182A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 Way-Jze Wen Structure for integrating LED circuit onto heat-dissipation substrate
EP1830421A3 (en) * 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material
JP5165207B2 (ja) * 2006-03-29 2013-03-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
KR100748722B1 (ko) * 2006-04-03 2007-08-13 삼성전자주식회사 미소소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
JP2007288050A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7827679B1 (en) 2006-04-20 2010-11-09 Rati M. Patel Thermal management circuit board and methods of producing the same
JP4721437B2 (ja) * 2006-04-26 2011-07-13 キヤノン株式会社 光源装置及び映像表示装置
US8179679B2 (en) * 2006-04-27 2012-05-15 Netapp, Inc. Airflow guides using silicon walls/creating channels for heat control
US7829899B2 (en) 2006-05-03 2010-11-09 Cree, Inc. Multi-element LED lamp package
US20070259576A1 (en) * 2006-05-03 2007-11-08 Brandt Bruce B Metal carrier for LEDs in composite lamps
KR20090031370A (ko) 2006-05-23 2009-03-25 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US20070278493A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
TWM309059U (en) * 2006-06-12 2007-04-01 Grand Halo Technology Co Ltd Heat sink module
US20070295969A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Tong-Fatt Chew LED device having a top surface heat dissipator
TWI350409B (en) * 2006-07-06 2011-10-11 Nat Univ Chung Hsing Flexible and could be rolling-up area lights module and the method of producing thereof
KR200429400Y1 (ko) * 2006-07-28 2006-10-23 지아 쭁 엔터프라이즈 컴퍼니 리미티드 액정디스플레이의 이극체 기판구조
EP1895602B1 (en) * 2006-08-29 2019-01-23 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
US20080266869A1 (en) * 2006-09-13 2008-10-30 Yun Tai LED module
US20080062698A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Yun Tai LED module
JP4846498B2 (ja) * 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
US7566154B2 (en) * 2006-09-25 2009-07-28 B/E Aerospace, Inc. Aircraft LED dome light having rotatably releasable housing mounted within mounting flange
US8497560B2 (en) * 2006-10-06 2013-07-30 Industrial Technology Research Institute LED package and method of assembling the same
CN101192601B (zh) * 2006-11-30 2010-10-13 东芝照明技术株式会社 具有半导体发光元件的照明装置
EP1928026A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
KR20080057881A (ko) * 2006-12-21 2008-06-25 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
EP1936683A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-25 ABB Technology AG Base plate for a heat sink and electronic device with a base plate
EP2101360A1 (en) * 2006-12-25 2009-09-16 Showa Denko K.K. Light emitting device, display device and solid-state light emitting element substrate
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
TWI325186B (en) * 2007-01-19 2010-05-21 Harvatek Corp Led chip package structure using ceramic material as a substrate
TWM318188U (en) * 2007-02-02 2007-09-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode
WO2008100298A1 (en) * 2007-02-14 2008-08-21 Lynk Labs, Inc. Led lighting device
US8172434B1 (en) 2007-02-23 2012-05-08 DeepSea Power and Light, Inc. Submersible multi-color LED illumination system
JP4893378B2 (ja) * 2007-03-07 2012-03-07 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および表示装置の製造方法
JP2008227001A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Rohm Co Ltd 赤外線リフレクター及び加熱装置
JP4903179B2 (ja) * 2007-04-23 2012-03-28 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
TW200845877A (en) * 2007-05-07 2008-11-16 Tysun Inc Heat-dissipating substrates of composite structure
KR101129519B1 (ko) * 2007-05-17 2012-03-29 쇼와 덴코 가부시키가이샤 반도체 발광 장치
TWM328763U (en) * 2007-05-21 2008-03-11 Univ Nat Taiwan Structure of heat dissipation substrate
US20080302564A1 (en) * 2007-06-11 2008-12-11 Ppg Industries Ohio, Inc. Circuit assembly including a metal core substrate and process for preparing the same
TW200903834A (en) * 2007-07-05 2009-01-16 Bright Led Electronics Corp High heat-dissipation light emitting diode device
US20090016066A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Chen Pi Hsiang Package Structure for a High-Luminance Light Source
TW200905914A (en) * 2007-07-25 2009-02-01 Tera Automation Corp Ltd High-power LED package
DE102007037821A1 (de) * 2007-08-10 2009-02-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmodul
US7652301B2 (en) * 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
JP2009054610A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Tera Autotech Corp 高効率ｌｅｄのパッケージング
TWI312046B (en) * 2007-08-24 2009-07-11 Ama Precision Inc Led base with heat fins
US8390207B2 (en) * 2007-10-09 2013-03-05 Koninklijke Philipe Electronics N.V. Integrated LED-based luminare for general lighting
CA2640913C (en) 2007-10-12 2017-05-09 The L.D. Kichler Co. Positionable lighting systems and methods
JP5277610B2 (ja) * 2007-10-29 2013-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及び面発光装置並びに発光装置用パッケージ
GB2470802B (en) * 2007-11-16 2011-10-05 Uriel Meyer Wittenberg A silver-based thermally conductive composition for thermally coupling LED chips to heat sinks
DE102007055133A1 (de) * 2007-11-19 2009-05-20 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Beleuchtungsvorrichtung mit einem Kühlkörper
TW200924229A (en) * 2007-11-23 2009-06-01 Gigno Technology Co Ltd LED package module and manufacturing method thereof
US7651254B2 (en) * 2007-12-03 2010-01-26 Industrial Technology Research Institute Microchip matrix light source module
US8304660B2 (en) * 2008-02-07 2012-11-06 National Taiwan University Fully reflective and highly thermoconductive electronic module and method of manufacturing the same
US20110156090A1 (en) * 2008-03-25 2011-06-30 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader and asymmetric posts
US8067784B2 (en) * 2008-03-25 2011-11-29 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and substrate
US8212279B2 (en) 2008-03-25 2012-07-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity
US20100072511A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-25 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with copper/aluminum post/base heat spreader
US8203167B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and adhesive between base and terminal
US8354688B2 (en) 2008-03-25 2013-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump
US8415703B2 (en) 2008-03-25 2013-04-09 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange
US20100052005A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-04 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and conductive trace
US8329510B2 (en) 2008-03-25 2012-12-11 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with an ESD protection layer
US8193556B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post
US8148747B2 (en) * 2008-03-25 2012-04-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/cap heat spreader
CN101546795B (zh) * 2008-03-25 2011-02-16 旭丽电子(广州)有限公司 半导体发光元件
US8324723B2 (en) * 2008-03-25 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump
US8232576B1 (en) 2008-03-25 2012-07-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and ceramic block in post
US8129742B2 (en) 2008-03-25 2012-03-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole
US20110278638A1 (en) 2008-03-25 2011-11-17 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/dielectric/post heat spreader
US8378372B2 (en) * 2008-03-25 2013-02-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and horizontal signal routing
US7948076B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and vertical signal routing
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post
US8110446B2 (en) * 2008-03-25 2012-02-07 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader and a conductive trace
US8207553B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base
US8269336B2 (en) * 2008-03-25 2012-09-18 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and signal post
US9018667B2 (en) 2008-03-25 2015-04-28 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and dual adhesives
US8288792B2 (en) * 2008-03-25 2012-10-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader
US8314438B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump
US8531024B2 (en) * 2008-03-25 2013-09-10 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and multilevel conductive trace
US8525214B2 (en) 2008-03-25 2013-09-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with thermal via
US20110163348A1 (en) * 2008-03-25 2011-07-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and inverted cavity in bump
US8310043B2 (en) 2008-03-25 2012-11-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with ESD protection layer
US20090284932A1 (en) * 2008-03-25 2009-11-19 Bridge Semiconductor Corporation Thermally Enhanced Package with Embedded Metal Slug and Patterned Circuitry
KR101209759B1 (ko) * 2008-03-26 2012-12-06 가부시키가이샤 시마네 덴시 이마후쿠 세이사쿠쇼 반도체 발광모듈 및 그 제조방법
TWI458119B (zh) * 2008-05-05 2014-10-21 Univ Nat Central 發光二極體之混光裝置
KR100982141B1 (ko) 2008-05-14 2010-09-14 주식회사 세코닉스 색 합성 및 고효율의 집광 특성을 갖는 ｌｅｄ 집광렌즈
TWM345341U (en) * 2008-05-30 2008-11-21 Unity Opto Technology Co Ltd Light-emitting structure
TWM353308U (en) * 2008-06-09 2009-03-21 qiu-shuang Ke LED illumination device
JP2010002745A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN101615643A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管结构
US20100001305A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Visera Technologies Company Limited Semiconductor devices and fabrication methods thereof
KR101012043B1 (ko) * 2008-08-13 2011-01-31 김욱동 Ｌｅｄ의 방열처리 구조체
TWI376783B (en) * 2008-08-25 2012-11-11 Young Green Energy Co Electronic assembly and backlight module
US20100067240A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 John Selverian Optical Cup For Lighting Module
US8188486B2 (en) * 2008-09-16 2012-05-29 Osram Sylvania Inc. Optical disk for lighting module
US8183585B2 (en) * 2008-09-16 2012-05-22 Osram Sylvania Inc. Lighting module
TWI420695B (zh) * 2008-10-21 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 化合物半導體元件之封裝模組結構及其製造方法
US8136960B2 (en) * 2008-11-12 2012-03-20 American Opto Plus Led Corporation Light emitting diode display
KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
TWI426206B (zh) * 2008-12-25 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體裝置
KR101301445B1 (ko) * 2008-12-30 2013-08-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 백라이트 어셈블리
JP5406540B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-05 株式会社小糸製作所 光源モジュール、車輌用灯具及び光源モジュールの製造方法
KR100979971B1 (ko) 2009-02-09 2010-09-03 주식회사 두성에이텍 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
KR20100094246A (ko) * 2009-02-18 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN101539250A (zh) * 2009-04-21 2009-09-23 薛信培 一种大功率led灯
TW201041190A (en) * 2009-05-01 2010-11-16 Univ Nat Taiwan Science Tech Polarized white light emitting diode (LED)
US20100302789A1 (en) * 2009-05-28 2010-12-02 Qing Li LED Light Source Module and Method for Producing the Same
KR101056740B1 (ko) 2009-06-01 2011-08-12 주식회사 세미라인 발광 다이오드 패키지 모듈 및 그의 제조방법
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP5121783B2 (ja) * 2009-06-30 2013-01-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｌｅｄ光源およびその製造方法ならびにｌｅｄ光源を用いた露光装置及び露光方法
CN101944898B (zh) * 2009-07-06 2013-08-07 光宝电子(广州)有限公司 触控按键装置以及使用此触控按键装置的电子装置
TWM371307U (en) * 2009-07-24 2009-12-21 Wei-Ting Chen Heat dissipation module of light emitting diode
US8324653B1 (en) 2009-08-06 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with ceramic/metal substrate
JP2011054736A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Sharp Corp 発光装置、平面光源および液晶表示装置
US9385285B2 (en) * 2009-09-17 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. LED module with high index lens
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
BR112012003202B1 (pt) * 2009-10-29 2020-02-18 Nichia Corporation Aparelho de emissão de luz e método de fabricação do aparelho de emissão de luz
CN101728474B (zh) * 2009-11-16 2014-04-16 李亚平 高热传导大功率led基板制备工艺
CN102104102B (zh) * 2009-12-21 2013-01-02 钰桥半导体股份有限公司 半导体芯片组体
KR101039881B1 (ko) * 2009-12-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
CA2726179C (en) 2009-12-22 2019-02-19 Virginia Optoelectronics, Inc. Light emitting diode light source modules
TW201123410A (en) * 2009-12-25 2011-07-01 Bright Led Electronics Corp LED light-emitting module and its manufacturing method thereof.
EP2533310A1 (en) * 2010-02-01 2012-12-12 Asahi Glass Company, Limited Supporting body for mounting light emitting element, and light emitting device
EP2365552A3 (en) * 2010-03-09 2015-03-25 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package with a lead frame having a recess
TWI495113B (zh) * 2010-03-22 2015-08-01 Xintec Inc 具有改良防焊堰體結構之封裝用光學蓋板、影像感測件封裝體及其製作方法
US8319247B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
US20110272179A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Vasoya Kalu K Printed Circuit Board with Embossed Hollow Heatsink Pad
CN102313157A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 可成科技股份有限公司 高散热效率的发光二极管灯具模块及其制造方法
DE102010026344A1 (de) 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
TWI485823B (zh) * 2010-07-08 2015-05-21 Subtron Technology Co Ltd 半導體封裝結構及半導體封裝結構的製作方法
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
JP5681407B2 (ja) 2010-07-26 2015-03-11 株式会社小糸製作所 発光モジュール
TWI417478B (zh) * 2010-08-19 2013-12-01 Delta Electronics Inc 燈具模組
CN102376677B (zh) * 2010-08-20 2013-07-10 旭德科技股份有限公司 半导体封装结构及半导体封装结构的制作方法
TW201210078A (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Light emitting diode
DE102010044312B4 (de) * 2010-09-03 2012-07-12 Tyco Electronics Amp Gmbh Leuchte zur Verwendung in feuchten oder nassen Umgebungen mit Leuchtmittelträger
EP2618050A4 (en) * 2010-09-13 2014-08-27 Bk Technology Co Ltd LED LIGHT SOURCE STRUCTURE WITH HIGH LIGHTNING POWER AND IMPROVED THERMAL REMOVAL PROPERTIES
GB2484713A (en) 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination apparatus
US9698563B2 (en) * 2010-11-03 2017-07-04 3M Innovative Properties Company Flexible LED device and method of making
US8415684B2 (en) * 2010-11-12 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED device with improved thermal performance
CN102466206A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 黄家兴 Led灯具模块的制程
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
CN102052594A (zh) * 2010-12-20 2011-05-11 惠州志能达光电科技有限公司 一种高散热led光源模组及其制作方法
CN102610730B (zh) * 2011-01-24 2014-05-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US20120188738A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Conexant Systems, Inc. Integrated led in system-in-package module
TWI431218B (zh) * 2011-03-11 2014-03-21 Lingsen Precision Ind Ltd The manufacturing method and structure of LED light bar
CN102683544B (zh) * 2011-03-17 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 贴片式发光二极管
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US20120294040A1 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Light-emitting diode heat-dissipation structure and backlight module
CN102820384B (zh) * 2011-06-08 2015-10-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN102856464B (zh) * 2011-06-29 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及封装方法
KR101253247B1 (ko) * 2011-07-14 2013-04-16 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판
US8851736B2 (en) * 2011-08-30 2014-10-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module with heatsink plate having coupling protrusions
KR101893046B1 (ko) * 2011-08-30 2018-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
US9117941B2 (en) * 2011-09-02 2015-08-25 King Dragon International Inc. LED package and method of the same
US20150001570A1 (en) * 2011-09-02 2015-01-01 King Dragon International Inc. LED Package and Method of the Same
CN103035813B (zh) * 2011-10-09 2015-10-28 官淑燕 高温元件用电路基板及具该基板的led组件及其制法
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
TWI451556B (zh) * 2011-11-04 2014-09-01 恆日光電股份有限公司 發光二極體封裝模組
CN102403418A (zh) * 2011-11-09 2012-04-04 东莞勤上光电股份有限公司 一种大功率led的散热结构的制作方法
JP5671486B2 (ja) * 2012-01-27 2015-02-18 株式会社沖データ 発光パネル、及びそれを備えたヘッドアップディスプレイ
US8895998B2 (en) * 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) * 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US8946757B2 (en) * 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
JP2013201256A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法
DE102012102847A1 (de) * 2012-04-02 2013-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
US20130272027A1 (en) * 2012-04-11 2013-10-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for Manufacturing LED Light Bar and LED Light Bar and Backlight Module
CN103375736A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 Ge医疗系统环球技术有限公司 Led灯及包括led灯的限束器和x射线设备
DE102012207166A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Anordnung
JP6211795B2 (ja) * 2012-05-16 2017-10-11 ローム株式会社 Ｌｅｄ光源モジュール
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
JP2014013879A (ja) * 2012-06-06 2014-01-23 Nitto Denko Corp 光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
DE102012108107A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
JP2014135473A (ja) * 2012-12-11 2014-07-24 Renesas Electronics Corp 光結合素子
CN104871327A (zh) * 2012-12-14 2015-08-26 克利公司 基于陶瓷的发光二极管(led)装置、元件以及方法
TWI573245B (zh) * 2012-12-24 2017-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體燈條
CN103032848B (zh) * 2013-01-09 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置、背光模组、印刷电路板及其制造方法
US20140201991A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Cheih Oh Yang Method for connecting plates of a substrate device
DE102013104195A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
CN104425695B (zh) * 2013-09-04 2017-10-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
CN103489995B (zh) * 2013-10-16 2017-02-22 福州圆点光电技术有限公司 柔性led光源灯丝
GB201318870D0 (en) * 2013-10-25 2013-12-11 Litecool Ltd LED package and LED module
US9847462B2 (en) * 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
CN103687278A (zh) * 2013-11-26 2014-03-26 广州兴森快捷电路科技有限公司 凸台式金属基夹芯刚挠板及其制备方法
JP6171921B2 (ja) * 2013-12-24 2017-08-02 日亜化学工業株式会社 配線基板及び発光装置
KR101552422B1 (ko) * 2014-01-14 2015-09-10 성균관대학교산학협력단 발광 다이오드용 기판 및 그 제조방법과 상기 기판을 포함하는 광원 장치
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9883580B1 (en) 2014-04-11 2018-01-30 Adura Led Solutions, Llc Printed circuit board that provides a direct thermal path between components and a thermal layer and method for assembly
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9379298B2 (en) 2014-10-03 2016-06-28 Henkel IP & Holding GmbH Laminate sub-mounts for LED surface mount package
US9825202B2 (en) * 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
JP6604505B2 (ja) * 2015-09-10 2019-11-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US20170141278A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Toshiba Corporation Led assembly for led package with sidewall electrodes
US10941924B2 (en) 2015-12-15 2021-03-09 Wangs Alliance Corporation LED lighting methods and apparatus
US11686459B2 (en) 2015-12-15 2023-06-27 Wangs Alliance Corporation LED lighting methods and apparatus
US10962209B2 (en) 2015-12-15 2021-03-30 Wangs Alliance Corporation LED lighting methods and apparatus
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
JP2017199803A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 日立マクセル株式会社 三次元成形回路部品
US20170356640A1 (en) * 2016-06-10 2017-12-14 Innotec, Corp. Illumination assembly including thermal energy management
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
CN109716517B (zh) * 2016-09-23 2022-07-26 深圳市客为天生态照明有限公司 一种类太阳光谱led灯珠结构
JP6653235B2 (ja) * 2016-09-29 2020-02-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US10378736B2 (en) * 2016-11-03 2019-08-13 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. LED bracket, LED bracket array, LED device and LED display screen
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
GB201705364D0 (en) 2017-04-03 2017-05-17 Optovate Ltd Illumination apparatus
GB201705365D0 (en) 2017-04-03 2017-05-17 Optovate Ltd Illumination apparatus
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
US11812525B2 (en) 2017-06-27 2023-11-07 Wangs Alliance Corporation Methods and apparatus for controlling the current supplied to light emitting diodes
GB201718307D0 (en) 2017-11-05 2017-12-20 Optovate Ltd Display apparatus
JP2019096722A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 富士通株式会社 光モジュール
TWI642335B (zh) * 2017-12-11 2018-11-21 欣興電子股份有限公司 電路板及其製造方法
GB201800574D0 (en) 2018-01-14 2018-02-28 Optovate Ltd Illumination apparatus
CN111684673B (zh) 2018-02-16 2023-04-18 京瓷株式会社 多连片式元件收纳用封装件以及多连片式光半导体装置
GB201803767D0 (en) 2018-03-09 2018-04-25 Optovate Ltd Illumination apparatus
GB201807747D0 (en) 2018-05-13 2018-06-27 Optovate Ltd Colour micro-LED display apparatus
KR102669161B1 (ko) * 2018-11-21 2024-05-28 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
CN111584696A (zh) * 2019-02-19 2020-08-25 江苏罗化新材料有限公司 一种双面出光的led芯片csp封装结构及其封装方法
TW202102883A (zh) 2019-07-02 2021-01-16 美商瑞爾Ｄ斯帕克有限責任公司 定向顯示設備
CN114616498A (zh) 2019-08-23 2022-06-10 瑞尔D斯帕克有限责任公司 定向照明设备和防窥显示器
WO2021050918A1 (en) 2019-09-11 2021-03-18 Reald Spark, Llc Switchable illumination apparatus and privacy display
CN114730044A (zh) 2019-09-11 2022-07-08 瑞尔D斯帕克有限责任公司 定向照明设备和隐私显示器
CN114729730A (zh) 2019-10-03 2022-07-08 瑞尔D斯帕克有限责任公司 包括无源光学纳米结构的照明设备
KR20220077913A (ko) 2019-10-03 2022-06-09 리얼디 스파크, 엘엘씨 수동형 광학 나노구조를 포함하는 조명 장치
US11089671B2 (en) * 2019-11-26 2021-08-10 Eridan Communications, Inc. Integrated circuit / printed circuit board assembly and method of manufacture
US11598517B2 (en) 2019-12-31 2023-03-07 Lumien Enterprise, Inc. Electronic module group
CN110985903B (zh) 2019-12-31 2020-08-14 江苏舒适照明有限公司 一种灯模组
CN113281853B (zh) * 2020-02-19 2023-01-20 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
CN115136065A (zh) 2020-02-20 2022-09-30 瑞尔D斯帕克有限责任公司 照明和显示设备
US20230147184A1 (en) * 2020-02-26 2023-05-11 LED iBond International A/S Air transport unit
CN111503556B (zh) 2020-04-23 2020-11-27 江苏舒适照明有限公司 一种射灯结构
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
US11802682B1 (en) 2022-08-29 2023-10-31 Wangs Alliance Corporation Modular articulating lighting

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59176166A (ja) 1983-03-25 1984-10-05 Nissan Motor Co Ltd バルジハツチとフ−ドとの結合構造
JPS59176166U (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 株式会社東芝 光半導体装置
JPS61158606A (ja) 1984-12-28 1986-07-18 株式会社小糸製作所 照明装置
JPS62174980A (ja) 1986-01-28 1987-07-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd 光フアイバ通信用発光装置
JPH0680841B2 (ja) * 1986-04-07 1994-10-12 株式会社小糸製作所 照明装置
JP2602063B2 (ja) 1988-06-10 1997-04-23 三菱電線工業株式会社 発光ダイオード照明具
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JPH02229477A (ja) 1988-11-08 1990-09-12 Aichi Electric Co Ltd 固体発光表示装置
JP2922977B2 (ja) * 1990-04-27 1999-07-26 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP2914097B2 (ja) * 1993-06-25 1999-06-28 松下電工株式会社 射出成形プリント基板
JPH07307492A (ja) 1994-05-11 1995-11-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄ集合体モジュールおよびその作製方法
US5458716A (en) * 1994-05-25 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Methods for manufacturing a thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
DE19535777A1 (de) * 1995-09-26 1997-03-27 Siemens Ag Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
JP2000174350A (ja) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2000223749A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプとその製造方法、チップ型発光ダイオード素子及びドットマトリクス型発光ダイオードユニット
JP2000277813A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP4304760B2 (ja) * 1999-05-13 2009-07-29 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP2000082849A (ja) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8530915B2 (en) 2002-09-04 2013-09-10 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8622582B2 (en) 2002-09-04 2014-01-07 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US8710514B2 (en) 2002-09-04 2014-04-29 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays

Also Published As

Publication number Publication date
DE60137972D1 (de) 2009-04-23
EP1387412A1 (en) 2004-02-04
EP1387412B1 (en) 2009-03-11
CN1436374A (zh) 2003-08-13
ATE425556T1 (de) 2009-03-15
CN1212676C (zh) 2005-07-27
EP1387412A4 (en) 2006-05-31
US20030189830A1 (en) 2003-10-09
US6874910B2 (en) 2005-04-05
WO2002084750A1 (en) 2002-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW517402B (en) Light source using light emitting diode and method for producing the same
US7956372B2 (en) Light emitting device
JP4432275B2 (ja) 光源装置
US8278678B2 (en) Light emitting device
JP4675906B2 (ja) 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
US8070316B2 (en) Lighting apparatus with LEDs
JP3948488B2 (ja) 発光装置
US20080258164A1 (en) Light Emitting Device
JP3998028B2 (ja) 照明器具
JP2005243973A (ja) 発光装置および照明装置
JP2004327863A (ja) 放熱機能を有する反射板を備えた半導体発光装置
JP2003243718A (ja) 発光装置
JP2007043125A (ja) 発光装置
JP2007324547A (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2007243054A (ja) 発光装置
JP2005039194A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
CN100583469C (zh) 发光装置
JP2009094213A (ja) 発光装置
JP2009099823A (ja) 発光装置
JP2007165937A (ja) 発光装置
JP4678392B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP3952075B2 (ja) 発光装置
JP2007088100A (ja) 照明器具
JP2005039193A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2010287749A (ja) 発光体および照明器具

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent