CN102683544B - 贴片式发光二极管 - Google Patents
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Abstract
一种贴片式发光二极管,包括具有收容槽的绝缘支架,设置在该绝缘支架底部的第一引脚及第二引脚,设置在该收容槽底部的发光芯片,以及设置在该收容槽中用以密封该发光芯片的封装体。该第一引脚与该第二引脚设置在该绝缘支架的相对的两端且相互绝缘,该第一引脚与该第二引脚均具有部分结构暴露在该收容槽中,该发光芯片与该第一引脚与该第二引脚电连接。该第一引脚具有延伸至该绝缘支架中的第一反射部,该第二引脚具有延伸至该绝缘支架中的第二反射部,该第一反射部与该第二反射部环绕该绝缘支架的收容槽相对设置,增加了贴片式发光二极管的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种贴片式发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
如图1所示,一种带引线的塑料芯片载体(Plastic Leaded Chip Carrier, PLCC)的贴片式发光二极管1包括绝缘支架10,第一引脚11,第二引脚12,发光芯片13以及封装体14。绝缘支架10包括基板102,位于其上方的反射体104,以及由反射体104围成的收容槽106。第一引脚11与第二引脚12设置在基板102的相对的两端且相互绝缘,二者的部分暴露在收容槽106中。发光芯片13设置在收容槽106的底部,并与第一引脚11与第二引脚12电连接。封装体14设置在收容槽106中用以密封发光芯片13。体积微小化是现有的贴片式发光二极管的发展趋势之一,则需要绝缘支架10的反射体104越薄越好,但是由于反射体104通常是由塑料(例如polyphthalamide,PPA)组成,若反射体104太薄则容易使发光芯片13发出的光线穿过反射体104,降低了贴片式发光二极管1的出光效率。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种具有较高出光效率的贴片式发光二极管。
一种贴片式发光二极管,包括具有收容槽的绝缘支架,设置在该绝缘支架底部的第一引脚及第二引脚,设置在该收容槽底部的发光芯片,以及设置在该收容槽中用以密封该发光芯片的封装体。该第一引脚与该第二引脚设置在该绝缘支架的相对的两端且相互绝缘,该第一引脚与该第二引脚均具有部分结构暴露在该收容槽中,该发光芯片与该第一引脚与该第二引脚电连接。该第一引脚具有延伸至该绝缘支架中的第一反射部,该第二引脚具有延伸至该绝缘支架中的第二反射部,该第一反射部与该第二反射部环绕该绝缘支架的收容槽相对设置。
所述贴片式发光二极管中的第一引脚与第二引脚分别具有延伸至该绝缘支架中的第一反射部与第二反射部,该第一反射部与该第二反射部环绕该绝缘支架的设置有发光芯片的收容槽相对设置,发光芯片发出的光线不易穿透绝缘支架,增加了贴片式发光二极管的出光效率。
附图说明
图1是现有贴片式发光二极管的截面示意图。
图2是本发明第一实施例提供的贴片式发光二极管的截面示意图。
图3是图2所示贴片式发光二极管的俯视示意图。
图4是图2所示贴片式发光二极管的仰视示意图。
图5是本发明第二实施例提供的贴片式发光二极管的截面示意图。
图6是图5所示贴片式发光二极管的俯视示意图。
图7是图5所示贴片式发光二极管的仰视示意图。
主要元件符号说明
贴片式发光二极管 | 1、2、3 |
绝缘支架 | 10、20、30 |
第一引脚 | 11、21、31 |
第二引脚 | 12、22、32 |
发光芯片 | 13、23、33 |
封装体 | 14、24、34 |
基板 | 102、 |
反射体 | 104、 |
收容槽 | 106、202、302 |
收容槽的侧面 | 203、303 |
收容槽的底面 | 205 |
第一反射部 | 212、312 |
第二反射部 | 222、322 |
第一延伸部 | 314、324 |
第二延伸部 | 316、326 |
绝缘支架的顶面 | 207、307 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
第一实施例
请参见图2至图4,一种贴片式发光二极管2包括绝缘支架20,第一引脚21,第二引脚22,发光芯片23以及封装体24。
绝缘支架20通常由塑料等绝缘材料制成。绝缘支架20上设置有收容槽202。收容槽202的侧面203相对于收容槽202的底面205具有一预定倾角θ,使得收容槽202的开口截面积大于收容槽202底部的截面积。所述预定倾角θ的范围可为90度<θ≦120度。
第一引脚21与第二引脚22设置在绝缘支架20的底部且位于绝缘支架20的相对的两端。第一引脚21与第二引脚22相互分离,即二者之间由绝缘支架20的部分结构作隔离。另外,第一引脚21与第二引脚22均延伸至收容槽202的底部,则第一引脚21与第二引脚22均具有部分结构暴露在收容槽202中。第一引脚21与第二引脚22的制作材料可以是钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、钨(W)、铜(Cu)、钯(Pd)、铬(Cr)和金(Au)任意之一或者其合金。
发光芯片23设置在收容槽202的底部,与第一引脚21及第二引脚22形成电连接。在本实施例中,发光芯片23设置在第一引脚21暴露在收容槽202中的结构上,发光芯片23的正负电极分别与第一引脚21及第二引脚22打线连接。第一引脚21及第二引脚22可与外部电源相连,为发光芯片23提供电能。
第一引脚21具有延伸至绝缘支架20中的第一反射部212,第二引脚22具有延伸至绝缘支架20中的第二反射部222。第一反射部212与第二反射部222环绕绝缘支架20的收容槽202相对设置,从而使发光芯片23发出的光线不易穿透绝缘支架20,增加了贴片式发光二极管2的出光效率。在本实施例中,第一反射部212与第二反射部222为曲面板状结构,二者均邻近收容槽202的侧面203设置,这样有利于从收容槽202的侧面203穿入的光线尽快被反射回收容槽202中并经由收容槽202的开口射出,减少了光线在绝缘支架20中的光损失。
第一反射部212与收容槽202的侧面203间的夹角α的范围可为0度≦α≦30度,优选的0度≦α≦15度,提高第一反射部212的反射率。当α=0度,即第一反射部212平行于收容槽202的侧面203时,第一反射部212可以对射至其上的光线进行均匀的反射,提高了贴片式发光二极管1的出光效率。
第二反射部222与收容槽202的侧面203间的夹角β的范围可为0度≦β≦30度,优选的0度≦β≦15度,提高第二反射部222的反射率。当β=0度,即第二反射部222平行于收容槽202的侧面203时,第二反射部222可以对射至其上的光线进行均匀的反射,提高了贴片式发光二极管1的出光效率。
可见,第一反射部212及第二反射部222与收容槽202的侧面203间的夹角可以相同或不同,优选的与收容槽202的侧面203的曲率保持一致。
封装体24设置在收容槽202中用以密封发光芯片23,其可由树脂等透光材料构成。封装体24中可以设置荧光粉(例如YAG荧光粉),该荧光粉在发光芯片23发出的光的激发下发出波长不同于激发光的光线。
进一步地,第一反射部212及第二反射部222可以分别在绝缘支架20中进一步延伸直至绝缘支架20的顶面207,从而进一步保证发光芯片23发出的光线不易穿透绝缘支架20。
第二实施例
请参见图5至图7,一种贴片式发光二极管3包括绝缘支架30,第一引脚31,第二引脚32,发光芯片33以及封装体34。本实施例提供的贴片式发光二极管3与上述第一实施例提供的贴片式发光二极管2基本相同,不同之处在于:
第一引脚31具有延伸至绝缘支架30中的第一反射部312,第一反射部312包括邻近收容槽302的侧面303的第一延伸部314,以及与第一延伸部314相连且暴露在该绝缘支架30外的第二延伸部316。第一延伸部314与第二延伸部316相连接的部分埋在绝缘支架30内。第一延伸部314与收容槽302的侧面303间的夹角α的范围可为0度≦α≦30度,优选的0度≦α≦15度,提高第一延伸部314的反射率。当α=0度,即第一延伸部314平行于收容槽302的侧面303时,第一延伸部314可以对射至其上的光线进行均匀的反射,提高了贴片式发光二极管3的出光效率。在本实施例中,第二延伸部316部分暴露于绝缘支架30的侧面,这便于贴片式发光二极管3通过绝缘支架30的侧面与外部形成电连接,提高了贴片式发光二极管3的安装灵活性。另外,第二延伸部316也部分暴露于绝缘支架30的底面,这有利于在贴片式发光二极管3设置在电路板上时,提高了第一引脚31与电路板上接触点的连接强度。
第二引脚32具有延伸至绝缘支架30中的第二反射部322,第二反射部322包括邻近收容槽302的侧面303的第一延伸部324,以及与第一延伸部324相连且暴露在该绝缘支架30外的第二延伸部326。第一延伸部324与第二延伸部326相连接的部分埋在绝缘支架30内。第一延伸部324与收容槽302的侧面303间的夹角α的范围可为0度≦β≦30度,优选的0度≦β≦15度,提高第一延伸部324的反射率。当β=0度,即第一延伸部324平行于收容槽302的侧面303时,第一延伸部324可以对射至其上的光线进行均匀的反射,提高了贴片式发光二极管3的出光效率。在本实施例中,第二延伸部326部分暴露于绝缘支架30的侧面,这便于贴片式发光二极管3通过绝缘支架30的侧面与外部形成电连接,提高了贴片式发光二极管3的安装灵活性。另外,第二延伸部326也部分暴露于绝缘支架30的底面,这有利于在贴片式发光二极管3设置在电路板(图未示)上时,提高了第二引脚32与电路板上接触点的连接强度。
进一步地,第一反射部312及第二反射部322可以分别具有部分结构进一步延伸直至绝缘支架30的顶面307,例如第一延伸部314与第二延伸部316相连接的部分位于绝缘支架30的顶面307上并与封装体34平齐;第一延伸部324与第二延伸部326相连接的部分位于绝缘支架30的顶面307上并与封装体34平齐,从而进一步保证发光芯片33发出的光线不易穿透绝缘支架30。
应该指出,上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (9)
1.一种贴片式发光二极管,包括具有收容槽的绝缘支架,设置在该绝缘支架底部的第一引脚及第二引脚,设置在该收容槽底部的发光芯片,以及设置在该收容槽中用以密封该发光芯片的封装体,该第一引脚与该第二引脚设置在该绝缘支架的相对的两端且相互绝缘,该第一引脚与该第二引脚均具有部分结构暴露在该收容槽中,该发光芯片与该第一引脚与该第二引脚电连接,其特征在于:该第一引脚具有延伸至该绝缘支架中的第一反射部,该第二引脚具有延伸至该绝缘支架中的第二反射部,该第一反射部与该第二反射部环绕该绝缘支架的收容槽相对设置,其中,该收容槽的侧面具有一预定倾角,该第一反射部及该第二反射部与该收容槽的侧面间的夹角不同。
2.如权利要求1所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第一反射部与该第二反射部邻近该收容槽的侧面设置。
3.如权利要求1所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第一反射部及该第二反射部中至少一者与该收容槽的侧面间的夹角大于等于0度,小于等于30度。
4.如权利要求3所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第一反射部及该第二反射部中至少一者与该收容槽的侧面间的夹角大于等于0度,小于等于15度。
5.如权利要求1所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第一反射部包括邻近该收容槽的侧面的第一延伸部,以及与该第一延伸部相连且至少部分暴露在该绝缘支架外的第二延伸部。
6.如权利要求1所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第二反射部包括邻近该收容槽的侧面的第一延伸部,以及与该第一延伸部相连且至少部分暴露在该绝缘支架外的第二延伸部。
7.如权利要求5或6所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第一延伸部与该收容槽的侧面间的夹角大于等于0度,小于等于30度。
8.如权利要求5或6所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第一延伸部平行于该收容槽的侧面。
9.如权利要求5或6所述的贴片式发光二极管,其特征在于,该第二延伸部的暴露在该绝缘支架外的部分延伸至该绝缘支架的侧面及底面。
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