KR101552422B1 - 발광 다이오드용 기판 및 그 제조방법과 상기 기판을 포함하는 광원 장치 - Google Patents
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Abstract
발광 다이오드용 기판 및 발광 다이오드용 기판의 제조방법의 개시된다. 발광 다이오드용 기판은 제1 평면 및 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비하는 전도성 기판; 상기 제2 평면 상에 형성된 절연층; 및 상기 제1 평면과 이격되고, 상기 절연층 상에 배치되는 전극층을 포함한다.
발광 다이오드용 기판의 제조방법은 제1 영역과 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하는 기판의 상부면 중 상기 제1 영역을 덮는 에칭 마스크를 형성하는 단계; 상기 에칭 마스크를 이용한 에칭 공정을 통하여 상기 제2 영역을 소정 깊이만큼 에칭하여, 상기 기판의 상부면에 상기 제1 영역에 대응하는 제1 평면 및 상기 에칭 공정을 통하여 형성되고 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 형성하는 단계; 상기 제2 평면 상에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
발광 다이오드용 기판의 제조방법은 제1 영역과 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하는 기판의 상부면 중 상기 제1 영역을 덮는 에칭 마스크를 형성하는 단계; 상기 에칭 마스크를 이용한 에칭 공정을 통하여 상기 제2 영역을 소정 깊이만큼 에칭하여, 상기 기판의 상부면에 상기 제1 영역에 대응하는 제1 평면 및 상기 에칭 공정을 통하여 형성되고 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 형성하는 단계; 상기 제2 평면 상에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
발광 다이오드용 기판 및 그 제조방법과 상기 기판을 포함하는 광원 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 방열 특성이 우수한 발광 다이오드용 기판 및 그 제조방법과 상기 기판을 포함하는 광원 장치에 관한 것이다.
현재 국내 및 전 세계적으로 환경 규제 및 효율성의 측면에서 다양한 광원 중 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 사용 비중이 계속하여 증가하고 있다. 이는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)가 기존의 광원들에 비하여 효율이 높고 높은 휘도의 빛을 생성할 수 있기 때문이다.
이러한 발광 다이오드는 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는데, 결합시 필연적으로 빛 이외에 열도 함께 생성된다. 발광 다이오드는 공급받은 에너지의 약 20% 정도만을 빛 에너지로 방출하고, 나머지 약 80% 정도는 열 에너지로 방출한다. 또한, 고출력의 발광 다이오드는 높은 소비 전력에 때문에 약 100℃ 이상의 고온의 열이 발생한다. 따라서 고출력의 발광 다이오드는 일반 발광 다이오드보다 더욱 많은 열이 발생하는 문제점이 있다.
발광 다이오드의 열이 방열되지 않으면, 소자 파손의 위험이 있고, 수명을 단축시키며, 동작 효율이 떨어지게 된다. 특히, 자외선 발광 다이오드(UV LED)는 높은 소비 전력으로 인해 열이 많이 발생하기 때문에 방열이 더욱 중요하다.
이를 해결하기 위해서 발광 다이오드의 방열을 용이하게 수행할 수 있는 디바이스의 구조가 요구되며 광원 장치는 다음과 같다.
도 1은 종래의 광원 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 광원 장치는 LED, 세라믹 기판, 두개의 전극층(Electrode Layer) 및 두개의 전극층을 연결하는 비아 홀(Via Hole)을 포함할 수 있다. 전극층과 LED는 도전성의 와이어로 연결될 수 있다.
세라믹 기판에 형성된 비아 홀은 구리가 도금되어 있고, LED에서 방출되는 열은 비아 홀을 통하여 광원 장치 외부로 방열된다. 그러나, 종래의 광원 장치는 주로 비아 홀을 통하여서만 열이 방열될 수 있기 때문에, 방열 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 방열 특성이 우수한 발광 다이오드용 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 발열 특성이 우수한 발광 다이오드용 기판을 포함하는 광원 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판은 제1 평면 및 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비하는 전도성 기판; 상기 제2 평면 상에 형성된 절연층; 및 상기 제1 평면과 이격되고, 상기 절연층 상에 배치되는 전극층을 포함할 수 있다.
하나의 실시예로 상기 전도성 기판은 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로의 폭을 갖고, 상기 제1 평면은 상기 전도성 기판의 상부 모서리 중 상기 제1 방향으로 연장된 제1 모서리를 따라 연장되고, 상기 제2 평면은 상기 제1 모서리에 대향하는 상기 전도성 기판의 제2 모서리를 따라 연장되며, 상기 제1 평면의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 제2 평면의 상기 제2 방향으로의 폭보다 작을 수 있다.
하나의 실시예로 상기 제2 평면은 상기 제1 평면보다 하부에 배치될 수 있다.
하나의 실시예로 상기 기판은 구리, 알루미늄, 구리 합금 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
하나의 실시예로 상기 절연층은 유기 또는 무기 절연 물질인 것을 특징으로 할 수 있다.
하나의 실시예로 상기 절연층의 면적은 상기 전극층의 면적보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광원 장치는 제1 평면 및 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비하는 전도성 기판; 상기 제2 평면 상에 형성된 절연층; 상기 제1 평면과 이격되고, 상기 절연층 상에 배치되는 전극; 및 상기 전극층 및 상기 제1 평면과 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
하나의 실시예로 상기 기판은 구리, 알루미늄, 구리 합금 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
하나의 실시예로 상기 제1 전극은 상기 전극층과 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 기판의 제1 평면과 솔더링 본딩을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
하나의 실시예로 상기 절연층은 유기 또는 무기 절연 물질인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법은 제1 영역과 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하는 기판의 상부면 중 상기 제1 영역을 덮는 에칭 마스크를 형성하는 단계; 상기 에칭 마스크를 이용한 에칭 공정을 통하여 상기 제2 영역을 소정 깊이만큼 에칭하여, 상기 기판의 상부면에 상기 제1 영역에 대응하는 제1 평면 및 상기 에칭 공정을 통하여 형성되고 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 형성하는 단계; 상기 제2 평면 상에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법은 상기 에칭 마스크가 형성된 상기 기판의 하부면 및 측면들을 덮는 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 에칭 마스크 형성 후 상기 에칭 공정 수행 전에 수행될 수 있다.
하나의 실시예로 상기 절연층은 상기 보호막 및 상기 기판의 단차면과 제1 평면에 의해 형성되는 공간 내에 열경화성 또는 광경화성 수지 조성물을 도포한 후 경화하여 형성될 수 있다.
하나의 실시예로 상기 전극층은 상기 절연층 상에 무전해 도금 공정 또는 프린팅 공정을 통하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법은 상기 전극층 형성 후 상기 에칭 마스크 및 상기 보호막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 본 발명은, 발광 다이오드에서 발생하는 열을 방출할 수 있는 열 방출 면적을 증가시킬 수 있어 발광 다이오드에서 발생하는 열을 효율적으로 방열시킬 수 있다.
또한, 광원 장치가 발광 다이오드에서 발생하는 열로부터 손상되는 것을 방지할 수 있어 광원 장치의 수명을 연장시킬 수 있고, 광원 장치의 성능을 유지시킬 수 있다.
발광 다이오드용 기판으로 자외선 영역에서 반사율이 우수한 알루미늄을 사용하기 때문에 자외선 영역의 광을 방출하는 발광 다이오드의 열을 효과적으로 방열시킬 수 있다.
본딩 공정을 통하지 않고 절연층을 형성할 수 있어 전체 공정 시간을 단축할 수 있고, 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
기판과 평행한 방향으로 절연층을 형성시킬 수 있어 기판에 수직한 방향으로 힘이 가해지는 경우에도 기판 자체의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 광원 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치의 일 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 알루미늄, 금 및 은의 파장 영역에 따른 반사율 특성을 각각 비교한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치의 일 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 알루미늄, 금 및 은의 파장 영역에 따른 반사율 특성을 각각 비교한 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치의 일 측면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치(200)는 발광 다이오드용 기판(100) 및 발광 다이오드(40)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판(100)은 기판(10), 절연층(20) 및 전극층(30)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 전도성이고, 제1 평면 및 제1 평면과 단차진 제2 평면을 포함하는 상부면을 구비할 수 있다. 상기 제1 평면 상에는 이후 설명될 발광 다이오드(40)가 배치될 수 있고, 상기 제2 평면 상에는 절연층(20) 및 전극층(30)이 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 평면 상에는 절연층(20) 및 전극층(30)이 형성되므로, 제2 평면은 제1 평면보다 하부에 배치될 수 있다.
기판(10)은 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로의 폭을 가질 수 있다. 제1 평면은 기판(10)의 상부 모서리 중 제1 방향으로 연장된 제1 모서리를 따라 연장되고, 제2 평면은 상기 제1 모서리에 대향하는 기판(10)의 제2 모서리를 따라 연장되며, 제1 평면의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 제2 평면의 상기 제2 방향으로의 폭보다 작을 수 있다.
일 예로 기판(10)은 구리, 알루미늄, 구리 합금 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다. 방열 특성이 우수한 금(Au), 은(Ag) 등도 기판(10)으로 사용될 수 있지만 경제성을 고려하면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 구리(Cu) 및 구리 합금 등이 사용되는 것이 바람직하다.
절연층(20)은 앞에서 설명한 바와 같이 제2 평면 상에 형성될 수 있다. 절연층(20)은 전극층(30)과 도전성 기판(10)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 일 예로 절연층(20)은 유기 또는 무기 절연 물질일 수 있다. 예를 들면, 절연층(20)은 열경화성 또는 광경화성 수지 조성물일 수 있다. 절연층(20)은 절연물질이 기판(10)에 형성된 공간에 충진되고 절연물질이 경화됨으로써 형성될 수 있으며 이에 대한 자세한 설명은 아래에서 설명하기로 한다.
전극층(30)은 절연층(20) 상에 배치될 수 있다. 이는 기판(10)과 전극층(30)을 전기적으로 분리시키기 위함이다. 일 예로 절연층(30)의 면적을 전극층(30)의 면적보다 크게 함으로서 기판(10)과 전극층(30)을 이격시켜 이들 사이를 절연시킬 수 있다.
발광 다이오드(40)는 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있고, 제1 전극은 음극(negative), 제2 전극은 양극(positive)일 수 있다. 전극층(30)은 발광 다이오드(40)의 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있고, 기판(10)의 제1 평면은 발광 다이오드(40)의 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로 발광 다이오드(40)의 제1 전극은 전극층(30)과 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결되고, 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등이 와이어 본딩에 사용될 수 있다. 또한, 발광 다이오드(40)의 제2 전극은 기판(10)의 제1 평면과 솔더링 본딩을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 설명하기 위한 개념도이고, 도 6는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 영역과 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하는 기판(10)의 상부면 중 상기 제1 영역을 덮는 에칭 마스크를 형성한다(S1). 일 예로 에칭 마스크로는 드라이필름(Dry Film)이 사용될 수 있다.
기판(10)의 상부면에 에칭 마스크를 형성한 후, 기판(10)의 하부면 및 측면들을 모두 덮는 보호막을 형성한다(S2). 일 예로 보호막은 마스킹 테잎인 드라이필름이 사용될 수 있다.
기판(10)의 상부면, 하부면 및 측면들에 에칭 마스크와 보호막이 형성된 후, 에칭 마스크를 이용한 에칭 공정을 통하여 기판(10)의 제2 영역을 소정 깊이만큼 에칭하여 기판(10)의 상부면에 상기 제1 영역에 대응하는 제1 평면 및 상기 에칭 공정을 통하여 형성되고 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 형성한다(S3). 제2 영역이 소정 깊이만큼 에칭되기 때문에 제2 평면은 제1 평면보다 하부에 형성될 수 있다.
상기 에칭 공정은 습식 또는 건식 식각 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 에칭 공정은 습식 식각 방법으로 수행될 수 있고, 이 경우, 에칭 용액으로는 염산, 황산, 질산 또는 수산화나트륨(NaOH) 중 하나 이상이 사용될 수 있다. 일 예로 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 기판(10)으로 사용하는 경우에는 인산, 질산, 초산 및 DI 워터를 포함하는 용액을 에칭 용액으로 사용할 수 있고, 구리 또는 구리 합금을 기판(10)으로 사용하는 경우에는 질산, 염화철용액 또는 염산과 과산화수소수를 포함하는 용액을 에칭 용액으로 사용할 수 있다.
에칭 공정이 완료된 경우에는 DI 워터로 에칭 용액을 깨끗하게 세척함으로써 기판(10)에 묻어있는 불순물을 제거한다. 불순물을 제거함으로써 기판(10)의 제2 평면에 형성되는 절연층(20)과 기판(10)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
에칭 공정을 통하여 기판(10)의 상부면에 제1 평면과 제2 평면이 형성된 후 제2 평면 상에 절연층을 형성한다(S4).
절연층(20)은 보호막 및 기판(10)의 단차면과 제2 평면에 의해 형성되는 공간 내에 열경화성 또는 광경화성 수지 조성물을 도포한 후 경화하여 형성될 수 있다. 일 예로 발광 다이오드(40)는 높은 온도의 열을 방출하기 때문에 높은 열에도 녹지 않고 유지될 수 있는 열경화성 수지 조성물이 절연층(20)으로 사용되는 것이 바람직하다.
절연층(20)이 형성된 후, 절연층(20) 상에 전극층(30)을 형성한다(S3). 전극층(30)은 절연층(20) 상에 무전해 도금 공정 또는 진공 스퍼터링(sputtering) 등의 증착 공정에 의하여 형성되거나 프린팅 공정을 통하여 형성될 수 있다. 형성된 전극층(30)은 일정 두께를 가질 수 있고, 두께는 임의로 변경될 수 있다. 일 예로, 전극층(30)으로 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등이 사용될 수 있고, 전도성의 특성을 가지는 다양한 금속들이 전극층(30)으로 사용될 수 있다.
전극층(30)이 형성된 후, 기판(10)에 형성된 에칭 마스크 및 보호막을 제거한다(S6). 이와 같은 공정을 통하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드용 기판(100)을 제조할 수 있다.
마스크 및 보호막이 제거되면 기판(100)의 제1 평면 상에 전극층(30)과 이격된 상태로 발광 다이오드(40)를 배치한다. 다음으로 전극층(30)은 발광 다이오드(40)의 제1 전극과 전기적으로 연결하고 기판(10)의 제1 평면은 발광 다이오드(40)의 제2 전극과 전기적으로 연결함으로써 본 발명의 실시예에 따른 광원 장치(200)를 제조할 수 있다. 일 예로, 발광 다이오드(40)로는 자외선 발광다이오드(UV-LED)가 사용될 수 있다. 발광 다이오드(40)가 기판(10)에 배치된 후 렌즈 형성 및 형광체 도포를 순차적으로 수행할 수 있다.
도 7은 알루미늄, 금 및 은의 파장 영역에 따른 반사율 특성을 각각 비교한 그래프이다.
도 7을 참조하면, 자외선 영역 대인 약 260 내지 380㎚에서 알루미늄의 반사율은 약 90% 이상이고, 이는 금과 은에 비하여 월등히 높은 것을 확인할 수 있다.
따라서, 알루미늄을 발광 다이오드용 기판(100)으로 사용하고, 이러한 발광 다이오드용 기판(100)에 자외선 영역의 파장을 방출하는 발광 다이오드(40)를 적용하여 광원 장치(200)를 제조하는 경우, 기판(100)으로 금 또는 은을 사용한 광원 장치(200)에 비하여 더욱 높은 반사율과 더욱 효율적인 방열 특성을 가질 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100: 발광 다이오드용 기판 200: 광원 장치
10: 기판 20: 절연층
30: 전극층 40: 발광 다이오드
10: 기판 20: 절연층
30: 전극층 40: 발광 다이오드
Claims (15)
- 제1 평면, 상기 제1 평면과 평행하고 상기 제1 평면보다 하부에 배치된 제2 평면 및 상기 제1 평면과 상기 제2 평면을 연결하는 단차면을 포함하는 상부면을 구비하는 전도성 기판;
상기 제2 평면 및 상기 단차면 전체를 피복하도록 상기 제2 평면 상에 형성되고, 상기 제1 평면을 노출시키는 절연층; 및
상기 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 평면과 이격되도록 상기 절연층의 면적보다 작은 면적을 갖는 전극층을 포함하고,
상기 절연층은 유기 또는 무기 절연 물질인, 발광 다이오드용 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 전도성 기판은 제1 방향으로의 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로의 폭을 갖고,
상기 제1 평면은 상기 전도성 기판의 상부 모서리 중 상기 제1 방향으로 연장된 제1 모서리를 따라 연장되고,
상기 제2 평면은 상기 제1 모서리에 대향하는 상기 전도성 기판의 제2 모서리를 따라 연장되며,
상기 제1 평면의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 제2 평면의 상기 제2 방향으로의 폭보다 작은, 발광 다이오드용 기판.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 기판은 구리, 알루미늄, 구리 합금 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진, 발광 다이오드용 기판.
- 삭제
- 삭제
- 제1 평면, 상기 제1 평면과 평행하고 상기 제1 평면보다 하부에 배치된 제2 평면 및 상기 제1 평면과 상기 제2 평면을 연결하는 단차면을 포함하는 상부면을 구비하는 전도성 기판;
상기 제2 평면 및 상기 단차면 전체를 피복하도록 상기 제2 평면 상에 형성되고, 상기 제1 평면을 노출시키는 절연층; 및
상기 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 평면과 이격되도록 상기 절연층의 면적보다 작은 면적을 갖는 전극층; 및
상기 전극층 및 상기 제1 평면과 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 평면 상에 배치된 발광 다이오드를 포함하고,
상기 절연층은 유기 또는 무기 절연 물질인, 광원 장치.
- 제7항에 있어서,
상기 기판은 구리, 알루미늄, 구리 합금 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진, 광원 장치.
- 제7항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 전극층과 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결되고,
상기 제2 전극은 상기 기판의 제1 평면과 솔더링 본딩을 통하여 전기적으로 연결된, 광원 장치.
- 삭제
- 제1 영역과 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하는 기판의 상부면 중 상기 제1 영역을 덮는 에칭 마스크를 형성하는 단계;
상기 에칭 마스크가 형성된 상기 기판의 하부면 및 측면들을 덮는 보호막을 형성하는 단계;
상기 에칭 마스크를 이용한 에칭 공정을 통하여 상기 제2 영역을 소정 깊이만큼 에칭하여, 상기 기판의 상부면에 상기 제1 영역에 대응하는 제1 평면 및 상기 에칭 공정을 통하여 형성되고 상기 제1 평면과 단차진 제2 평면을 형성하는 단계;
상기 제2 평면 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 전극층 형성 후 상기 에칭 마스크 및 상기 보호막을 제거하는 단계를 포함하고,
상기 절연층은 상기 보호막 및 상기 기판의 단차면과 제1 평면에 의해 형성되는 공간 내에 열경화성 또는 광경화성 수지 조성물을 도포한 후 경화하여 형성되고,
상기 전극층은 상기 절연층 상에 무전해 도금 공정 또는 프린팅 공정을 통하여 형성되는, 발광 다이오드용 기판의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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